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JP6805257B2 - 電子機器 - Google Patents

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Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。
表示装置の一つとして、液晶素子を備える液晶表示装置がある。例えば、画素電極をマトリクス状に配置し、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてトランジスタを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置が注目を集めている。
例えば、画素電極の各々に接続するスイッチング素子として、金属酸化物をチャネル形成領域とするトランジスタを用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が知られている。（特許文献１及び特許文献２）
アクティブマトリクス型液晶表示装置には大きく分けて透過型と反射型の二種類のタイプが知られている。
透過型の液晶表示装置は、冷陰極蛍光ランプやＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）などのバックライトを用い、液晶の光学変調作用を利用して、バックライトからの光が液晶を透過して液晶表示装置外部に出力される状態と、出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うものである。
また、反射型の液晶表示装置は、液晶の光学変調作用を利用して、外光、即ち入射光が画素電極で反射して装置外部に出力される状態と、入射光が装置外部に出力されない状態とを選択し、明と暗の表示を行わせ、さらにそれらを組み合わせることで、画像表示を行うものである。反射型の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置と比較して、バックライトを使用しないため、消費電力が少ないといった長所を有する。
特開２００７−１２３８６１号公報 特開２００７−９６０５５号公報
上記のような表示装置が適用される電子機器のうち、特に携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、携帯ゲーム機等では、持ち歩きやすいコンパクトな形状とすることと、視認性向上のため表示部を広くすることの両立が求められている。
またこれらの携帯型の電子機器ではバッテリを電源に用いるため、表示装置の低消費電力化も求められる。さらに、外光の強い環境下と、外光の少ない環境下の両方において、高い視認性が求められている。
本発明の一態様は、広い表示部を有し携帯性が向上した半導体装置を提供することを課題の一とする。または、表示装置の消費電力を低減することを課題の一とする。または、使用環境によらず、高い表示品位で映像を表示することを課題の一とする。または、曲げられる表示装置を提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様は、第１の表示パネルと、第２の表示パネルとを有し、第２の表示パネルは第１の表示パネルよりも面積が大きく、また可撓性を有し、第２の表示パネル上に第１の表示パネルが接着されていることを特徴とする。
本発明の一態様は、第１の表示パネルと、第２の表示パネルと、接着層と、を有する表示装置であって、第２の表示パネルの面積は、第１の表示パネルの面積よりも大きく、第１の表示パネルは、第１の基板と、第２の基板と、第１の基板と第２の基板の間に位置する反射型の液晶素子および第１のトランジスタと、を有し、第２の表示パネルは、可撓性を有する第１の樹脂層と、可撓性を有する第２の樹脂層と、第１の樹脂層と第２の樹脂層の間に位置する発光素子および第２のトランジスタと、を有し、液晶素子は、第２の基板側に光を反射する機能を有し、発光素子は、第２の樹脂層側に光を発する機能を有し、第１の基板と、第２の樹脂層の一部とは、接着層により接着される、表示装置。
また上記において、第２の表示パネルは第１の表示部と、第２の表示部と、を有し、第１の表示パネルの表示部と、第２の表示パネルの第１の表示部は重畳してもよい。
また上記において、第２の表示パネルの第１の表示部と、第２の表示部は共通化された配線を有することが好ましい。
また上記において、第１の表示パネル上に、入力装置を有することが好ましい。
また上記において、第１のトランジスタと、第２のトランジスタは、金属酸化物にチャネルが形成されることが好ましい。
また上記において、第１の表示パネルが有する第１の基板および第２の基板は、ガラス基板であることが好ましい。
また上記において、第２の表示パネルが有する発光素子は、第１の樹脂層側にも光を発する機能を有することが好ましい。
本発明の一態様により、携帯性が向上し広い表示部を有する表示装置を提供することができる。または、表示装置の消費電力を低減することができる。または、使用環境によらず、高い表示品位で映像を表示することができる。または、曲げられる表示装置を提供することができる。または、新規な半導体装置を提供することができる。
本発明の一態様の表示装置の斜視図。 本発明の一態様の表示装置の斜視図。 本発明の一態様の表示装置の断面図および上面図。 本発明の一態様の表示装置のより詳細な断面図。 本発明の一態様の表示装置のより詳細な断面図。 本発明の一態様の表示装置のより詳細な断面図。 本発明の一態様の表示装置のより詳細な断面図。 本発明の一態様の表示装置の構成例。 本発明の一態様の表示装置の回路図。 本発明の一態様の表示装置を適用した電子機器の例。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。
本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒまたは単にＯＳともいう）などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、略してＯＳと呼ぶことができる。また、ＯＳ ＦＥＴと記載する場合においては、金属酸化物または酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と総称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。
また、本明細書等において、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）と記載する場合がある。なお、ＣＡＡＣは結晶構造の一例を表し、ＣＡＣは機能、または材料の構成の一例を表す。
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅを、トランジスタの半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅに付与することができる。ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。
また、本明細書等において、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場合がある。
また、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナローギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャップを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため、上記ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅをトランジスタのチャネル領域に用いる場合、トランジスタのオン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得ることができる。
すなわち、ＣＡＣ−ＯＳまたはＣＡＣ−ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と呼称することもできる。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成および材料の例について、図１乃至図７を用いて説明する。
〈〈構成例１〉〉
本発明の一態様である表示装置１０は、図１（Ａ）に示すように、反射型の液晶素子を有する表示部が設けられた第１の表示パネル１１と、発光素子を有する表示部が設けられた第２の表示パネル１２を有する。第１の表示パネル１１と、第２の表示パネル１２の一部は貼り合わされている。また第１の表示パネル１１が有する反射型の液晶素子は、反射光の光量を制御することにより階調を表現することができる。第２の表示パネル１２が有する発光素子は、発する光の光量を制御することにより階調を表現することができる。
第２の表示パネル１２の面積は、第１の表示パネル１１の面積よりも大きい。なお本明細書等において、表示パネルの面積とは、表示パネルの基板または樹脂層の最も広い面の面積を指すこととする。
第２の表示パネル１２の面積は、第１の表示パネル１１の面積よりも大きいため、表示装置１０は、第１の表示パネル１１と第２の表示パネル１２が重畳している重畳領域１３と、第２の表示パネルのみの非重畳領域１４と、を有する。
第２の表示パネル１２は可撓性を有する表示パネルとする。第２の表示パネル１２が可撓性を有するため、非重畳領域１４は、曲げることができる。
そして図１（Ｂ）に示すように、非重畳領域１４の一部、たとえば折り曲げ部１５を湾曲させると、非重畳領域１４と重畳領域１３と重ねることができる。
非重畳領域１４と重畳領域１３を重ねると、表示装置１０が適用された電子機器の携帯性を向上させることができる。
なお、図１では重畳領域１３と非重畳領域１４の面積が同程度であり、重畳領域１３の片側に非重畳領域１４を有する表示装置１０を示したが、本発明の一態様はこれに限らない。非重畳領域１４は、重畳領域１３より広くてもよいし狭くてもよい。非重畳領域１４が広いと、広い表示部を有する表示装置とすることができ好ましい。また非重畳領域１４は、重畳領域１３に隣り合う領域であればどこに設けてもよい。
たとえば図２（Ａ）に示すように、重畳領域１３よりも非重畳領域１４が広く、重畳領域１３の両側に非重畳領域１４を有する表示装置１０としてもよい。この場合、図２（Ｂ）に示すように表示装置１０を２回折り曲げて、非重畳領域１４の一部を筐体２０に沿うように設けることもできる。
次に、図１に示した表示装置１０の構成について説明する。図１に示した表示装置１０の簡略な断面図および上面図を図３に示す。図３（Ａ）は、図３（Ｂ）の点線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。
図３（Ａ）および（Ｂ）に示すように、第１の表示パネル１１は周辺部１１ａおよび表示部１１ｂを有する。また第２の表示パネル１２は周辺部１２ａおよび表示部を有する。
第２の表示パネル１２の表示部は複数に分割することができる。本実施の形態では、図３（Ｂ）のように第２の表示パネル１２の表示部が、第１の表示部１２ｂ１および第２の表示部１２ｂ２に分割される例について説明する。第１の表示パネルの表示部１１ｂと、第２の表示パネルの第１の表示部１２ｂ１は重畳する。
表示装置１０のうち、表示部１１ｂおよび表示部１２ｂ１を有する重畳領域１３は、例えば表示部１１ｂが有する液晶素子を利用して反射光のみを利用して表示を行うことができる。また重畳領域１３は、表示部１２ｂ１が有する発光素子からの光のみを利用して表示を行うこともできる。また、重畳領域１３は、反射光と発光素子からの光の両方を利用して表示を行うこともできる。
重畳領域１３は表示部１１ｂおよび表示部１２ｂ１を有するため、たとえば外光の強い環境下では液晶素子を利用して反射光のみを利用して表示を行い、外光の少ない環境下では発光素子からの光のみを利用して表示を行うことができる。このように外光の強度に応じて表示を切り替えると、いずれの環境下でも高い視認性を得ることができる。また反射光と発光素子からの光の両方を利用して表示をすると、高い表示品位を得ることもできる。
表示装置１０のうち、表示部１２ｂ２を有する非重畳領域１４は、発光素子からの光を利用して表示を行うことができる。
表示部１２ｂ１および表示部１２ｂ２が有する発光素子については、第２の表示パネル１２の一方の面、たとえば第１の表示パネル１１側だけに光を取り出してもよい。また第２の表示パネル１２の両方の面から光を取り出してもよい。
第２の表示パネル１２の両方の面から光を取り出せる構成とすると、例えば図１（Ｂ）のように非重畳領域１４を折り曲げて重畳領域１３と重ねたときも、第２の表示パネル１２の視認側に文字等を表示することができる。表示部１２ｂ２が有する発光素子をパネルの両面から光を取り出せる発光素子とする場合、一方の面、たとえば第１の表示パネル１１側の面ではカラー表示を行い、他方の面ではカラー表示を行わない構成としてもよい。
また第１の表示パネル１１は、ＦＰＣ３７２と電気的に接続される。また第２の表示パネル１２は、ＦＰＣ３７４と電気的に接続される。
図３（Ｂ）の点線Ｙ１−Ｙ２、Ｙ３−Ｙ４、Ｙ５−Ｙ６のより詳細な断面図を図４（Ａ）に示す。図３（Ｂ）の点線Ｙ７−Ｙ８、Ｙ９−Ｙ１０、Ｙ１１−Ｙ１２のより詳細な断面図を図５に示す。また、非重畳領域１４を折り曲げ部１５において折り曲げた場合の、折り曲げ部１５の断面図を図６に示す。
図４および図５を用いて、表示装置１０の構成についてより詳細に説明する。
表示装置１０は、第１の表示パネル１１と第２の表示パネル１２とが接着層５０によって貼り合わされた構成を有する。
第１の表示パネル１１は、基板２０１と基板２０２との間にトランジスタ２１０と、液晶素子２２０と、を有する。第２の表示パネル１２は、樹脂層１０１と樹脂層１０２との間に、トランジスタ１１０と、発光素子１２０および発光素子１３０と、を有する。樹脂層１０１は、接着層５１を介して基板３５１と貼り合わされている。また基板２０２は液晶素子２２０と反対側に偏光板５９９を有する。
〔第１の表示パネル１１〕
〈構成〉
基板２０１には、トランジスタ２１０、容量素子５０５、トランジスタ５０１、導電層２２１、配向膜２２４ａ、絶縁層２３１、絶縁層２３２、絶縁層２３３、絶縁層２３４、絶縁層５１４等が設けられている。また、基板２０２には、絶縁層２０４、導電層２２３、配向膜２２４ｂ等が設けられている。基板２０２と導電層２２３との間には絶縁層５６７が設けられている。また配向膜２２４ａと配向膜２２４ｂとの間に液晶２２２が挟持されている。また液晶素子２２０の反射光を着色するための着色層５６５を設けてもよい。基板２０１と基板２０２とは、接着層５１７により接着されている。
トランジスタ２１０について、図４（Ｂ１）に抜粋して示す。トランジスタ２１０は、絶縁層２３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層２１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２３２の一部と、半導体層２１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層２１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層２１３ｂと、を有する。導電層２１３ｂは、容量素子５０５の一方の電極と電気的に接続されている。
絶縁層２３３、絶縁層２３４および絶縁層５１４は、トランジスタ２１０を覆って設けられている。絶縁層５１４は、平坦化層として機能する。
液晶素子２２０は、導電層２２１と、導電層２２３と、これらの間に位置する液晶２２２と、により構成されている。導電層２２１は可視光を反射する機能を有し、導電層２２３は、可視光を透過する機能を有する。したがって、液晶素子２２０は反射型の液晶素子である。
導電層２２１は、絶縁層５１４、絶縁層２３４および絶縁層２３３に設けられた開口を介して導電層２１３ｂと電気的に接続されている。配向膜２２４ａは、導電層２２１及び絶縁層５１４の表面を覆って設けられている。
基板２０１の端部に近い領域には、接続部５０６が設けられている。接続部５０６は、接続層５１９を介してＦＰＣ３７４と電気的に接続されている。
導電層２２３は、基板２０１側に設けられた導電層と接続体５４３により電気的に接続されている。これにより、基板２０１側に配置されるＦＰＣ３７４やＩＣ等から導電層２２３に電位や信号を供給することができる。接続体５４３は、接着層５１７に覆われるように配置することが好ましい。
図５に示すように、第１の表示パネル１１は、折り曲げ部１５側の端部に樹脂５５０を有することが好ましい。樹脂５５０は、非重畳領域１４を折り曲げたときに、第１の表示パネル１１の端部と第２の表示パネル１２を保護する機能を有する。樹脂５５０は、接着剤５５１で第１の表示パネル１１の端部に接着される。
樹脂５５０は、第２の表示パネル１２と接する面に曲面を有することが好ましい。図６に示すように、第１の表示パネル１１とその付属物の厚さの和をｔとするとき、樹脂５５０が有する曲面の曲率半径はたとえばｔ／２以上であることが好ましい。または、樹脂５５０は、直径がｔ、高さが第１の表示パネル１１の一辺と等しい円柱の一部を切り取った形状であってもよい。
なお図５および図６の構成の場合、第１の表示パネル１１とその付属物の厚さの和ｔは、偏光板５９９から接着層５０までの厚さとする。
樹脂５５０を設けることで、図６に示すように、第１の表示パネル１１および第２の表示パネル１２を傷つけずに非重畳領域１４を曲げることができる。
なお、非重畳領域１４を曲げても、第１の表示パネル１１の端部と第２の表示パネル１２が接触しない場合は、樹脂５５０は曲面を有していなくてもよい。または樹脂５５０を設けなくてもよい。
〈材料〉
第１の表示パネル１１が有する基板２０１および基板２０２としては、ガラス、石英、セラミック、サファイア等の無機材料を用いることができる。ガラスとしては、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。ガラス、石英、セラミック、サファイア等を基板２０１および基板２０２として用いると、耐熱性および強度の高い重畳領域１３とすることができる。
また、基板２０１および基板２０２としてポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等を用いてもよい。ポリイミド樹脂に代表される樹脂を基板２０１に用いると、他の樹脂と比較して耐熱性や耐候性を向上させることができる。
絶縁層２３１は、基板２０１に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。
絶縁層２３１としては、例えば窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の２以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、基板２０１側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。
半導体層２１２は、金属酸化物を含むことが好ましい。特にシリコンよりもバンドギャップの大きな金属酸化物を適用することが好ましい。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。
また、金属酸化物として、バンドギャップが２．５ｅＶ以上、好ましくは２．８ｅＶ以上、より好ましくはバンドギャップが３．０ｅＶ以上の材料を用いることが好ましい。このような金属酸化物を用いることにより、後述する剥離工程におけるレーザ光等の光の照射において、当該光が金属酸化物膜を透過するため、トランジスタの電気特性への悪影響が生じにくくなる。
また、半導体層２１２が有する金属酸化物は、ＣＡＡＣのように配向性を有する結晶部がより多く形成されていると、電気的な安定性に優れた半導体層２１２とすることができ好ましい。特に、膜の厚さ方向（膜面方向、膜の被形成面、または膜の表面に垂直な方向ともいう）に配向性を有する結晶部と、このような配向性を有さずに無秩序に配向する結晶部が混在した金属酸化物を適用したトランジスタは、電気特性の安定性を高くできる、チャネル長を微細にすることが容易となる、などの特徴がある。一方、ＣＡＣのように配向性を有さない結晶部のみで構成される金属酸化物を適用したトランジスタは、電界効果移動度を高めることができる。なお、後述するように、金属酸化物中の酸素欠損を低減することにより、高い電界効果移動度と高い電気特性の安定性を両立したトランジスタを実現することができる。
絶縁層２３３は、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。半導体層２１２と接する絶縁層に酸化絶縁膜を用いることで、半導体層２１２に酸素を供給することができる。その結果、半導体層２１２中の酸素欠損、及び半導体層２１２と絶縁層２３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。
また絶縁層２３３上に積層される絶縁層２３４は、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を用いることが好ましい。
絶縁層５１４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層５１４としては、例えば窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の２以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。また絶縁層５１４として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いてもよい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の有機樹脂を用いることができる。
絶縁層２０４は、基板２０２に含まれる不純物が拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。絶縁層２０４の材料については、絶縁層２３１の記載を援用できる。
導電層２２３は可視光を透過する機能を有する。導電層２２３としては、酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、シリコンもしくは酸化シリコンを含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛などを用いることができる。
遮光層５６６としては、金属材料または顔料または染料を含む樹脂材料を用いることができる。また着色層５６５としては、顔料または染料を含む樹脂材料を用いることができる。
接続体５４３としては、例えば導電性の粒子を用いることができる。導電性の粒子としては、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いることができる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。また接続体５４３として、弾性変形、または塑性変形する材料を用いることが好ましい。このとき導電性の粒子である接続体５４３は上下方向に潰れた形状となる場合がある。こうすることで、接続体５４３と、これと電気的に接続する導電層との接触面積が増大し、接触抵抗を低減できるほか、接続不良などの不具合の発生を抑制することができる。
〔第２の表示パネル１２〕
〈構成〉
樹脂層１０１には、トランジスタ１１０、容量素子４０５、トランジスタ４０２、トランジスタ４０１、発光素子１２０、発光素子１３０、絶縁層１３１、絶縁層１３２、絶縁層１３３、絶縁層１３４、絶縁層４１４、絶縁層１３５、スペーサ４１６、光学調整層４２４等が設けられている。また、樹脂層１０２には、遮光層１５３、及び着色層１５２等が設けられている。樹脂層１０１と樹脂層１０２とは、接着層１５１により接着されている。
発光素子１２０は重畳領域１３に設けられ、発光素子１３０は非重畳領域１４に設けられる。非重畳領域に設けられる発光素子１３０は、発光素子１２０よりも広い発光素子とすることができる。
トランジスタ１１０について、図４（Ｂ２）に抜粋して示す。トランジスタ１１０は、絶縁層１３１上に設けられ、ゲート電極として機能する導電層１１１と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層１３２の一部と、半導体層１１２と、ソース電極またはドレイン電極の一方として機能する導電層１１３ａと、ソース電極またはドレイン電極の他方として機能する導電層１１３ｂと、を有する。また、バックゲート電極として機能する導電層４００を有していてもよい。
絶縁層１３３、絶縁層１３４および絶縁層４１４は、トランジスタ１１０を覆って設けられている。絶縁層１３３および絶縁層１３４は、酸化アルミニウムを有する絶縁層とすると、バリア性が向上し好ましい。たとえば絶縁層１３３はスパッタリング法により形成した酸化アルミニウム膜、絶縁層１３４はＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜とすると、被覆性およびバリア性が向上し好ましい。絶縁層４１４は、平坦化層として機能する。
発光素子１２０および発光素子１３０は、導電層１２１と、ＥＬ層１２２と、導電層１２３と、が積層された構成を有する。導電層１２１は可視光を反射する機能を有し、導電層１２３は、可視光を透過する機能を有する。
また発光素子１２０および発光素子１３０は光学調整層４２４を有するマイクロキャビティ構造としてもよい。マイクロキャビティ構造と着色層１５２との組み合わせにより、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層４２４の膜厚は、各画素の色に応じて変化させる。
導電層１２１は、絶縁層４１４、絶縁層１３４及び絶縁層１３３に設けられた開口を介して導電層１１３ｂと電気的に接続されている。絶縁層１３５は、導電層１２１の端部を覆い、且つ導電層１２１の上面が露出するように開口が設けられている。ＥＬ層１２２及び導電層１２３は、絶縁層１３５及び導電層１２１の露出した部分を覆って、順に設けられている。
樹脂層１０２の樹脂層１０１側には、絶縁層１４１が設けられている。また絶縁層１４１の樹脂層１０１側には、遮光層１５３と、着色層１５２とが設けられている。着色層１５２は、発光素子１２０または発光素子１３０と重なる領域に設けられている。遮光層１５３は、発光素子１２０または発光素子１３０と重なる部分に開口を有する。
樹脂層１０１の端部に近い領域には、接続部４０６が設けられている。接続部４０６は、接続層４１９を介してＦＰＣ３７２と電気的に接続されている。
〈材料〉
樹脂層１０１としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる。特にポリイミド樹脂に代表される樹脂を樹脂層１０１に用いると、耐熱性や耐候性を向上させることができるため好ましい。樹脂層１０１の厚さは、０．０１μｍ以上１０μｍ未満であることが好ましく、０．１μｍ以上３μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以上１μｍ以下であることがさらに好ましい。また、樹脂層１０１の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であることがより好ましい。樹脂層１０１の熱膨張係数が低いほど、加熱による膨張または収縮に伴う応力により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
また、トランジスタ１１０の半導体層１１２に金属酸化物を用いる場合には、低温で形成できるため、樹脂層１０１に高い耐熱性が要求されない。樹脂層１０１等の耐熱性は、例えば加熱による重量減少率、具体的には５％重量減少温度等により評価できる。樹脂層１０１等の５％重量減少温度は、４５０％以下、好ましくは４００℃以下、より好ましくは４００℃未満、さらに好ましくは３５０℃未満とすることができる。また、トランジスタ１１０等の形成工程にかかる最高温度を、３５０℃以下とすることが好ましい。
絶縁層１３１は、樹脂層１０１に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。また、樹脂層１０１の表面に凹凸がある場合、絶縁層１３１は当該凹凸を被覆することが好ましい。また、絶縁層１３１が当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層１３１として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。絶縁層１３１に用いることのできる材料については絶縁層５１４の記載を参酌することができる。
半導体層１１２は、金属酸化物を含むことが好ましい。半導体層１１２に用いることのできる材料については、半導体層２１２の記載を参酌することができる。
絶縁層１３３には、酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。絶縁層１３３に用いることのできる材料については、絶縁層２３３についての記載を参酌することができる。
また絶縁層１３３上に積層される絶縁層１３４に用いることのできる材料については、絶縁層２３４についての記載を参酌することができる。
絶縁層４１４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層４１４に用いることのできる材料は、絶縁層５１４の記載を参酌することができる。
絶縁層１３５に用いることのできる材料も、絶縁層５１４の記載を参酌することができる。
絶縁層１４１は、樹脂層１０２に含まれる不純物が拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。絶縁層１４１の材料については、絶縁層２３１の記載を参酌することができる。
導電層１２３には、可視光を透過する材料を用いる。導電層１２３に用いることのできる材料は、導電層２２３の記載を参酌することができる。
遮光層１５３は、金属材料または顔料または染料を含む樹脂材料を用いることができる。また着色層１５２は、顔料または染料を含む樹脂材料を用いることができる。
接着層１５１は、硬化型の材料を用いることが好ましい。例えば光硬化性を示す樹脂、反応硬化性を示す樹脂、熱硬化性を示す樹脂等を用いることができる。特に、溶媒を含まない樹脂材料を用いることが好ましい。
〔表示装置１０〕
表示装置１０の重畳領域１３は、上面から見たときに、発光素子１２０が、反射型の液晶素子２２０と重ならない部分を有する。これにより、図４（Ａ）に示すように、発光素子１２０からは、着色層１５２によって着色された発光２１が、視認側に射出される。また、液晶素子２２０では、導電層２２１により外光が反射された反射光２２が液晶２２２および着色層５６５を介して射出される。
なお、図４では基板２０２上に偏光板５９９を設ける構成について説明したが、本発明の一態様はこれに限らない。基板２０２上に円偏光板を設けてもよいし、基板２０２よりも内側に偏光板または円偏光板を設けてもよい。
またここでは、第１の表示パネル１１が着色層を有しカラー表示を行う構成について説明したが、第１の表示パネル１１に着色層を設けずにカラー表示を行わない構成としてもよい。
〈〈構成例２〉〉
また、表示装置１０は第１の表示パネル１１に上にタッチパネル等の入力装置を設けてもよい。入力装置を設けた表示装置とすることで、表示装置１０が適用される電子機器の使い勝手を向上させることができる。
第１の表示パネル１１に上に入力装置１６を設けた場合の表示装置１０の断面図の例を、図７に示す。
入力装置１６は、基板７００、基板７０２、基板７０４を有する。基板７００上には、導電層７１１ａが設けられる。基板７０２上には、導電層７１２ａおよび導電層７１２ｂが設けられる。基板７００と基板７０２は接着層７０１により接着される。基板７０２と基板７０４は接着層７０３により接着される。基板７０４上には、偏光板５９９を設けてもよい。
基板７００、基板７０２、基板７０４に用いることのできる材料については、基板２０１および基板２０２の記載を参酌することができる。
導電層７１１ａ、導電層７１２ａおよび導電層７１２ｂは可視光を透過する機能を有する。材料としては酸化インジウム酸化スズ（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、シリコンもしくは酸化シリコンを含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛などを用いることができる。
なお入力装置１６を設ける場合の、第１の表示パネル１１とその付属物の厚さの和ｔは、入力装置１６を含む、偏光板５９９から接着層５０までの厚さとする。
（実施の形態２）
［構成例］
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の回路構成例について、図８および図９を用いて説明する。
図８は（Ａ）は、表示装置１０の構成の一例を示すブロック図である。表示装置１０は、非重畳領域１４である第２の表示パネル１２の表示部１２ｂ２に、マトリクス状に配列された複数の画素６０２を有する。複数の画素６０２は、発光素子１３０を有する。
また表示装置１０は、重畳領域１３に、第１の表示パネル１１の表示部１１ｂと、第２の表示パネル１２の表示部１２ｂ１を有する。表示装置１０は重畳領域１３に、表示部１１ｂの液晶素子２２０と表示部１２ｂ１の発光素子１２０が重畳して構成される、複数の画素６０１を有する。複数の画素６０１はマトリクス状に配列される。つまり複数の画素６０１は、反射型の液晶素子２２０と、発光素子１２０を重畳して有する。
また表示装置１０は、回路ＧＤと、回路ＳＤ１と、回路ＳＤ２を有する。また方向Ｒに配列した回路ＧＤおよび複数の画素６０１を電気的に接続する複数の配線Ｇ１および複数の配線ＣＳＣＯＭを有する。また方向Ｒに配列した回路ＧＤ、複数の画素６０１および複数の画素６０２を電気的に接続する複数の配線Ｇ２および複数の配線ＡＮＯを有する。また方向Ｃに配列した回路ＳＤ１および複数の画素６０１と電気的に接続する複数の配線Ｓ１および複数の配線Ｓ２を有する。または方向Ｃに配列した回路ＳＤ２および複数の画素６０２と電気的に接続する複数の配線Ｓ３および複数の配線Ｓ４を有する。
図８（Ｂ１）に、画素６０１が有する液晶素子２２０の導電層２２１と、発光素子１２０の構成例を示す。導電層２２１は、液晶素子２２０の反射電極として機能する。また導電層２２１には、開口６１０が設けられている。また発光素子１２０を破線で示す。
図８（Ｂ１）に示すように、発光素子１２０は、導電層２２１が有する開口６１０と重ねて配置されている。これにより、発光素子１２０が発する光は、開口６１０を介して視認側に射出される。
図８（Ｂ１）では、方向Ｒに隣接する画素６０１が異なる色に対応する画素である。このとき図８（Ｂ１）に示すように、方向Ｒに隣接する２つの画素において、開口６１０が一列に配列されないように、導電層２２１の異なる位置に設けられていることが好ましい。これにより、２つの発光素子１２０を離すことが可能で、発光素子１２０が発する光が隣接する画素６０１が有する着色層に入射してしまう現象（クロストークともいう）を抑制することができる。また、隣接する２つの発光素子１２０を離して配置することができるため、発光素子１２０のＥＬ層をシャドウマスク等により作り分ける場合であっても、高い精細度の表示装置を実現できる。
非開口部の総面積に対する開口６１０の総面積の比の値が大きすぎると、液晶素子を用いた表示が暗くなってしまう。また、非開口部の総面積に対する開口６１０の総面積の比の値が小さすぎると、発光素子１２０を用いた表示が暗くなってしまう。
また、反射電極として機能する導電層２２１に設ける開口６１０の面積が小さすぎると、発光素子１２０が射出する光から取り出せる光の効率が低下してしまう。
開口６１０の形状は、例えば多角形、四角形、楕円形、円形または十字等の形状とすることができる。また、細長い筋状、スリット状、市松模様状の形状としてもよい。また、開口６１０を隣接する画素に寄せて配置してもよい。好ましくは、開口６１０を同じ色を表示する他の画素に寄せて配置する。これにより、クロストークを抑制できる。
図８（Ｂ１）に、画素６０２が有する発光素子１３０の構成例を示す。画素６０２が有する発光素子１３０は液晶素子と重畳しないため、広い発光素子１３０にすることができる。広い発光素子１３０とすると、表示装置１０の消費電力を低減することができる。また図８（Ｂ２）に示すＲの画素６０２は赤色発光素子、Ｇの画素６０２は緑色発光素子、Ｂの画素６０２は青色発光素子とすることが好ましい。高効率な発光が難しい青色で素子の面積を大きくし、比視感度の高い緑色で素子の面積を小さくすることで、表示装置１０の消費電力をより低減する、または表示装置１０をより長寿命にすることができる。
［回路構成例］
図９は、画素６０１および画素６０２に用いることのできる回路の例である。
画素６０１は、トランジスタ２１０、容量素子５０５、液晶素子２２０、トランジスタ１１０、スイッチＳＷ、容量素子４０５および発光素子１２０等を有する。また画素６０１には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線ＡＮＯ、配線ＣＳＣＯＭ、配線Ｓ１、及び配線Ｓ２が電気的に接続されている。また図９では、液晶素子２２０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ１、および発光素子１２０と電気的に接続する配線ＶＣＯＭ２を示している。
トランジスタ２１０は、ゲートが配線Ｇ１と接続され、ソースまたはドレインの一方が配線Ｓ１と接続され、ソース又はドレインの他方が容量素子５０５の一方の電極、および液晶素子２２０の一方の電極と電気的に接続されている。容量素子５０５は、他方の電極が配線ＣＳＣＯＭと接続されている。液晶素子２２０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ１と接続されている。
またスイッチＳＷは、ゲートが配線Ｇ２と接続され、ソース又はドレインの一方が配線Ｓ２と接続され、ソース又はドレインの他方が、容量素子４０５の一方の電極およびトランジスタ１１０のゲートと接続されている。容量素子４０５は、他方の電極がトランジスタ１１０のソース又はドレインの一方、及び配線ＡＮＯと接続されている。トランジスタ１１０は、ソース又はドレインの他方が発光素子１２０の一方の電極と接続されている。発光素子１２０は、他方の電極が配線ＶＣＯＭ２と接続されている。
図９では、トランジスタ１１０が半導体を挟む２つのゲートを有し、これらが電気的に接続されている例を示している。これにより、トランジスタ１１０が流すことのできる電流を増大させることができる。
配線Ｇ１には、トランジスタ１１０を導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ１には、所定の電位を与えることができる。配線Ｓ１には、液晶素子２２０が有する液晶の配向状態を制御する信号を与えることができる。配線ＣＳＣＯＭには、所定の電位を与えることができる。
配線Ｇ２には、スイッチＳＷを導通状態または非導通状態に制御する信号を与えることができる。配線ＶＣＯＭ２及び配線ＡＮＯには、発光素子１２０が発光する電位差が生じる電位をそれぞれ与えることができる。配線Ｓ２には、トランジスタ１１０の導通状態を制御する信号を与えることができる。
図９に示す画素６０１は、例えば反射モードの表示を行う場合には、配線Ｇ１及び配線Ｓ１に与える信号により駆動し、液晶素子２２０による光学変調を利用して表示することができる。また、透過モードで表示を行う場合には、配線Ｇ２及び配線Ｓ２に与える信号により駆動し、発光素子１２０を発光させて表示することができる。また両方のモードで駆動する場合には、配線Ｇ１、配線Ｇ２、配線Ｓ１及び配線Ｓ２のそれぞれに与える信号により駆動することができる。
画素６０２は、トランジスタ１１０、スイッチＳＷ、容量素子４０５および発光素子１３０等を有する。トランジスタ１１０、スイッチＳＷ、容量素子４０５および発光素子１３０の電気的な接続およびこれらに与えられる信号については、画素６０１についての記載の一部を参酌することができる。
なお図８および図９では、表示部１２ｂ１および表示部１２ｂ２において配線Ｇ２および配線ＡＮＯを共通化し、１つの回路ＧＤにより制御する構成を示した。しかし本発明の一態様はこれに限らない。表示部１１ｂ、表示部１２ｂ１および表示部１２ｂ２それぞれに配線Ｇ２等を制御する回路を設けてもよい。
また図８および図９では、表示部１１ｂおよび表示部１２ｂ１を１つの回路ＳＤにより制御する構成を示したが、本発明の一態様はこれに限らない。表示部１１ｂおよび表示部１２ｂ１それぞれにソース線等を制御する回路を設けてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用することのできる電子機器の例について図１０を用いて説明する。
図１０（Ａ１）および（Ａ２）は、携帯型の電子機器８００を示す図である。電子機器８００は、筐体８０１に表示装置１０、スピーカー８０２、入出力端子８０３等が設けられている。電子機器８００は、表示装置１０の重畳領域１３上にタッチパネル等の入力装置を有すると、電子機器８００の使い勝手が向上し好ましい。また、たとえばタッチパネルの操作により、第１の表パネルの表示部１１ｂ、第２の表示パネルの表示部１２ｂ１および表示部１２ｂ２間で相互に画像を入れ替える機能を有していてもよい。
また第２の表示パネル１２を、両面から光を取り出せる構成としてもよい。両面から光を取り出せる構成とすると、図１０（Ａ２）に示すように、非重畳領域１４を曲げて重畳領域１３と重ねたときでも、非重畳領域１４で視認側に表示を行うことができる。電子機器８００に適用する表示装置を本発明の一態様の表示装置とすることで、表示部が広く、また携帯性のよい電子機器とすることができる。
図１０（Ｂ１）は、携帯型の電子機器８１０を示す図である。電子機器８１０のように、表示装置１０と共に、ボタン型の入力装置８１１、入力装置８１２を有する電子機器としてもよい。電子機器８１０に適用する表示装置を本発明の一態様の表示装置とすることで、表示部が広く、また携帯性のよい電子機器とすることができる。
図１０（Ｂ２）はデジタルカメラ８２０を示す図である。デジタルカメラ８２０に適用する表示装置を本発明の一態様の表示装置とすることで、表示部が広く、また携帯性のよいデジタルカメラとすることができる。
図１０（Ｃ）はコンピュータ８３０を示す図である。コンピュータ８３０は、表示装置１０、入出力端子８３１、スピーカー８３２、入出力端子８３３等を有する。コンピュータ８３０が有する表示装置１０は、重畳領域１３上にタッチパネルを有する構成とすることが好ましい。また重畳領域１３はキーボード８３４と同一の筐体に設けることが好ましい。重畳領域１３上にタッチパネルを有し、またキーボード８３４と同一の筐体に設けることで、コンピュータ８３０の操作性を向上させることができる。さらに表示部が広く、また携帯性のよいコンピュータ８３０とすることができる。
以上のように本発明の一態様の表示装置は、あらゆる分野の電子機器や情報表示手段に適用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
１０ 表示装置
１１ 第１の表示パネル
１１ａ 周辺部
１１ｂ 表示部
１２ 第２の表示パネル
１２ａ 周辺部
１２ｂ１ 表示部
１２ｂ２ 表示部
１３ 重畳領域
１４ 非重畳領域
１５ 折り曲げ部
１６ 入力装置
２０ 筐体
２１ 発光
２２ 反射光
５０ 接着層
５１ 接着層
１０１ 樹脂層
１０２ 樹脂層
１１０ トランジスタ
１１１ 導電層
１１２ 半導体層
１１３ａ 導電層
１１３ｂ 導電層
１２０ 発光素子
１２１ 導電層
１２２ ＥＬ層
１２３ 導電層
１３０ 発光素子
１３１ 絶縁層
１３２ 絶縁層
１３３ 絶縁層
１３４ 絶縁層
１３５ 絶縁層
１４１ 絶縁層
１５１ 接着層
１５２ 着色層
１５３ 遮光層
２０１ 基板
２０２ 基板
２０４ 絶縁層
２１０ トランジスタ
２１１ 導電層
２１２ 半導体層
２１３ａ 導電層
２１３ｂ 導電層
２２０ 液晶素子
２２１ 導電層
２２２ 液晶
２２３ 導電層
２２４ａ 配向膜
２２４ｂ 配向膜
２３１ 絶縁層
２３２ 絶縁層
２３３ 絶縁層
２３４ 絶縁層
３５１ 基板
３７２ ＦＰＣ
３７４ ＦＰＣ
４００ 導電層
４０１ トランジスタ
４０２ トランジスタ
４０５ 容量素子
４０６ 接続部
４１４ 絶縁層
４１９ 接続層
５０１ トランジスタ
５０５ 容量素子
５０６ 接続部
５１４ 絶縁層
５１７ 接着層
５１９ 接続層
５４３ 接続体
５５０ 樹脂
５５１ 接着剤
５６５ 着色層
５６６ 遮光層
５６７ 絶縁層
５９９ 偏光板
６０１ 画素
６０２ 画素
６１０ 開口
７００ 基板
７０１ 接着層
７０２ 基板
７０３ 接着層
７０４ 基板
７１１ａ 導電層
７１２ａ 導電層
７１２ｂ 導電層
８００ 電子機器
８０１ 筐体
８０２ スピーカー
８０３ 入出力端子
８１０ 電子機器
８１１ 入力装置
８１２ 入力装置
８２０ デジタルカメラ
８３０ コンピュータ
８３１ 入出力端子
８３２ スピーカー
８３３ 入出力端子
８３４ キーボード

Claims (3)

  1. 第１の表示パネルと、第２の表示パネルと、を有し、
    前記第２の表示パネルの面積は、前記第１の表示パネルの面積よりも大きく、
    前記第１の表示パネルは、ガラス基板と、第１のトランジスタと、を有し、
    前記第２の表示パネルは、可撓性を有する基板と、発光素子と、第２のトランジスタと、を有する電子機器であって、
    前記第２の表示パネルの表示面が平らな状態において、前記第２の表示パネルの表示面は、前記第１の表示パネルと重畳する第１の領域と、前記第１の表示パネルと重畳しない第２の領域と、を有し、
    前記第２の表示パネルの表示面を折り曲げることにより、前記第２の領域を前記第１の領域に重ね、
    前記第２の表示パネルの表示面が折り曲げられたとき、前記第２の表示パネルの表示面の曲率を有する領域を保護する部材を有する、電子機器。
  2. 請求項１において、
    前記部材は、樹脂を有する電子機器。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第１の領域と前記第２の領域とが重なった領域と重畳するように配置された、タッチセンサを有する、電子機器。
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