JP6888999B2

JP6888999B2 - RFID board and RFID tag

Info

Publication number: JP6888999B2
Application number: JP2017063104A
Authority: JP
Inventors: 尾上　勝彦; 勝彦尾上; 佐多　明史; 明史佐多
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2017-03-28
Filing date: 2017-03-28
Publication date: 2021-06-18
Anticipated expiration: 2037-03-28
Also published as: JP2018166160A

Description

本発明は、ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグに関するものである。 The present invention relates to RFID substrates and RFID tags.

近年、電子マネー用のＩＣカードや在庫管理用のタグとして、ＲＦＩＤ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）システムを用いた非接触型の情報通信手段が広く使われるようになってきている。例えば、ＲＦＩＤシステムとしてはＨＦ帯の周波数を用いた電磁誘導式のものがあり、このＨＦ帯のＲＦＩＤタグとして、コイルを内蔵する基板上に半導体素子が搭載されたものがある。半導体素子に送受される情報は、外部機器との間で無線（ＲＦ）通信によって行なわれる。外部機器から送信される電波に伴う磁束によってコイルで誘導電流が生じ、情報の書き込みおよび取り出しを含む半導体素子の作動に必要な電力が供給される（例えば、特許文献１等を参照。）。 In recent years, non-contact information communication means using an RFID (Radio Frequency Identification) system has been widely used as an IC card for electronic money and a tag for inventory management. For example, as an RFID system, there is an electromagnetic induction type that uses a frequency in the HF band, and as an RFID tag in the HF band, there is a system in which a semiconductor element is mounted on a substrate containing a coil. Information transmitted to and received from the semiconductor element is transmitted by radio frequency (RF) communication with an external device. An induced current is generated in the coil by the magnetic flux associated with the radio wave transmitted from the external device, and the electric power required for the operation of the semiconductor element including the writing and retrieval of information is supplied (see, for example, Patent Document 1 and the like).

国際公開第２０１１/１０８３４０号International Publication No. 2011/108340

このようなＲＦＩＤタグでは、通信のための周波数が、搭載される半導体素子に内蔵されている容量と基板に内蔵されたコイルによるインダクタンス成分とによる共振周波数によって設定される。そのため、半導体素子の容量に応じたインダクタンスを有する基板が必要となる。ＲＦＩＤタグに用いられる半導体素子が内蔵する容量値は、よく用いられるものでも数種類あり、数種類の基板を準備しなければならなかった。ＲＦＩＤタグは、さまざまな製品に取り付けられて用いられることもあり、安価であることも重要な要求特性の１つである。半導体素子の容量値に応じた基板を準備すると基板のコストが高くなり、ＲＦＩＤタグのコストも高くなるので、異なる容量値を有する半導体素子に対応できる基板が求められていた。 In such an RFID tag, the frequency for communication is set by the resonance frequency due to the capacitance built in the mounted semiconductor element and the inductance component by the coil built in the substrate. Therefore, a substrate having an inductance corresponding to the capacitance of the semiconductor element is required. There are several types of capacitance values built into semiconductor elements used in RFID tags, even those that are often used, and several types of substrates had to be prepared. RFID tags may be attached to various products and used, and low cost is one of the important required characteristics. If a substrate corresponding to the capacity value of the semiconductor element is prepared, the cost of the substrate increases and the cost of the RFID tag also increases. Therefore, a substrate capable of supporting semiconductor elements having different capacity values has been sought.

本開示のＲＦＩＤ用基板は、複数のセラミックスからなる絶縁層が積層された絶縁基板と、該絶縁基板の第１の面に設けられており、半導体素子に接続される複数の接続パッドと、前記絶縁基板の内部に設けられ、互いに電気的に接続されておらず、巻回中心が同一である複数のコイルと、該複数のコイルのそれぞれの一端部と電気的に接続された複数の電極から成り、前記絶縁基板の前記第１の面に設けられている第１コイル端子と、前記複数のコイルのそれぞれの他端部と電気的に接続された複数の電極から成り、前記絶縁基板の前記第１の面に設けられている第２コイル端子と、を備えており、前記第１コイル端子の前記複数の電極のうちの、前記複数のコイルのうちの１つのコイルの一端部と接続されている第１電極が前記複数の接続パッドのうちの１つに第１接続配線で接続されており、前記第２コイル端子の前記複数の電極のうちの、前記１つのコイルの他端部と接続されている第１電極が前記複数の接続パッドのうちの他の１つに第２接続配線で接続されており、前記第１コイル端子の第１電極以外の電極、および前記第２コイル端子の第１電極以外の電極は、接続配線で前記接続パッドに接続されていない。 The RFID substrate of the present disclosure includes an insulating substrate on which an insulating layer made of a plurality of ceramics is laminated, a plurality of connection pads provided on the first surface of the insulating substrate, and a plurality of connection pads connected to a semiconductor element. From a plurality of coils provided inside the insulating substrate, which are not electrically connected to each other and have the same winding center, and a plurality of electrodes electrically connected to one end of each of the plurality of coils. The insulating substrate is composed of a first coil terminal provided on the first surface of the insulating substrate and a plurality of electrodes electrically connected to the other ends of the plurality of coils. It is provided with a second coil terminal provided on the first surface, and is connected to one end of one of the plurality of coils among the plurality of electrodes of the first coil terminal. and which first electrodes are connected by a first connection wiring to one of the plurality of connection pads, of the plurality of electrodes of the second coil terminal, and the other end portion of said one coil The connected first electrode is connected to the other one of the plurality of connection pads by a second connection wiring , and the electrodes other than the first electrode of the first coil terminal and the second coil terminal. The electrodes other than the first electrode of the above are not connected to the connection pad by the connection wiring .

本開示のＲＦＩＤタグは、上記構成のＲＦＩＤ用基板と、該ＲＦＩＤ用基板の前記接続パッドに接続された半導体素子とを備えている。 The RFID tag of the present disclosure includes an RFID substrate having the above configuration and a semiconductor element connected to the connection pad of the RFID substrate.

本開示の１つの態様の配線基板によれば、上記構成であることから、第１コイル端子および第２コイル端子のそれぞれの複数の電極間を電気的に接続することで複数のコイルを
並列に接続して、第１電極に接続されたコイルによるインダクタンスより小さいインダクタンスとすることができる。すなわち、並列接続することが可能なコイルを複数有することで、１つの基板で複数のインダクタンスを設定でき、内蔵容量の異なる複数の半導体素子に対応することが可能な基板となる。 According to the wiring board of one aspect of the present disclosure, since it has the above configuration, a plurality of coils are connected in parallel by electrically connecting a plurality of electrodes of the first coil terminal and the second coil terminal. It can be connected to have an inductance smaller than that of the coil connected to the first electrode. That is, by having a plurality of coils that can be connected in parallel, a plurality of inductances can be set on one substrate, and the substrate can correspond to a plurality of semiconductor elements having different built-in capacities.

本開示の１つの態様のＲＦＩＤタグによれば、上記構成の配線基板を含むことから、コストが低減されたＲＦＩＤタグを提供することができる。 According to the RFID tag of one aspect of the present disclosure, it is possible to provide the RFID tag at a reduced cost because the wiring board having the above configuration is included.

（ａ）はＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。(A) is a perspective view showing an example of an RFID substrate and an RFID tag, (b) is a sectional view taken along line BB of (a), and (c) is a sectional view taken along line CC of (a). It is a cross-sectional view. 図１に示すＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの分解斜視図である。It is an exploded perspective view of the RFID substrate and the RFID tag shown in FIG. 1. ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows another example of the RFID substrate and the RFID tag. ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows another example of the RFID substrate and the RFID tag. ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows another example of the RFID substrate and the RFID tag. （ａ）はＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。(A) is a perspective view showing another example of the RFID substrate and the RFID tag, (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of (a), and (c) is CC of (a). It is sectional drawing in line. 図６に示すＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの分解斜視図である。It is an exploded perspective view of the RFID substrate and the RFID tag shown in FIG. （ａ）は図６に示すＲＦＩＤ用基板のＡ部を拡大して示す平面図であり、（ｂ）および（ｃ）は他の例を示す平面図である。(A) is an enlarged plan view showing part A of the RFID substrate shown in FIG. 6, and (b) and (c) are plan views showing other examples. （ａ）および（ｂ）は図１に示すＲＦＩＤ用基板における第１コイル端子および第２コイル端子の電極間を導電性接続材で電気的に接続した例を示したものである。(A) and (b) show an example in which the electrodes of the first coil terminal and the second coil terminal in the RFID substrate shown in FIG. 1 are electrically connected by a conductive connecting material. ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view which shows another example of the RFID substrate and the RFID tag.

ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグについて、添付の図面を参照して説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に配線基板等が使用されるときの上下を限定するものではない。図１（ａ）は、本開示のＲＦＩＤ用基板１０およびＲＦＩＤタグ１００の一例を示す斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。図２は、図１に示すＲＦＩＤ用基板１０およびＲＦＩＤタグ１００の分解斜視図である。図３は、ＲＦＩＤ用基板１０およびＲＦＩＤタグ１００の他の例を示す分解斜視図である。 The RFID substrate and RFID tag will be described with reference to the accompanying drawings. It should be noted that the distinction between the upper and lower parts in the following description is for convenience, and does not limit the upper and lower parts when the wiring board or the like is actually used. 1 (a) is a perspective view showing an example of the RFID substrate 10 and the RFID tag 100 of the present disclosure, FIG. 1 (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of (a), and FIG. 1 (c) is (c). It is sectional drawing in CC line of a). FIG. 2 is an exploded perspective view of the RFID substrate 10 and the RFID tag 100 shown in FIG. FIG. 3 is an exploded perspective view showing another example of the RFID substrate 10 and the RFID tag 100.

ＲＦＩＤタグ１００は、ＲＦＩＤ用基板１０と、ＲＦＩＤ用基板１０上に搭載された半導体素子５とで基本的に構成されている。図１〜図３に示す例においては、ＲＦＩＤ用基板１０の上面に設けられた接続パッド２に半導体素子５の端子電極（図示せず）が接続され、半導体素子５は封止材６で覆われている。 The RFID tag 100 is basically composed of an RFID substrate 10 and a semiconductor element 5 mounted on the RFID substrate 10. In the examples shown in FIGS. 1 to 3, the terminal electrode (not shown) of the semiconductor element 5 is connected to the connection pad 2 provided on the upper surface of the RFID substrate 10, and the semiconductor element 5 is covered with the sealing material 6. It has been.

そして、ＲＦＩＤ用基板１０は、複数のセラミックスからなる絶縁層１ａが積層された絶縁基板１と、絶縁基板１の第１の面に設けられており、半導体素子５に接続される複数の接続パッド２と、絶縁基板１の内部に設けられ、互いに電気的に接続されておらず、巻回中心が同一である複数のコイル３１，３２，３３と、複数のコイル３１，３２，３３のそれぞれの一端部と電気的に接続された複数の電極（第１電極４１１，第２電極４１２，第３電極４１３）から成り、絶縁基板１の第１の面に設けられている第１コイル端子４１と、複数のコイル３１，３２，３３のそれぞれの他端部と電気的に接続された複数の電極４２１，４２２，４２３から成り、絶縁基板１の第１の面に設けられている第２コイル端子４２とを備えており、第１コイル端子４１の複数の電極４１１，４１２，４１３のうちの第１電極４１１が複数の接続パッド２のうちの１つに接続されており、第２コイル端子
４２の複数の電極（第１電極４２１，第２電極４２２，第３電極４２３）のうちの第１電極４２１が複数の接続パッド２のうちの他の１つに接続されている。 The RFID substrate 10 is provided on an insulating substrate 1 on which an insulating layer 1a made of a plurality of ceramics is laminated and a first surface of the insulating substrate 1, and a plurality of connection pads connected to the semiconductor element 5. 2, a plurality of coils 31, 32, 33 provided inside the insulating substrate 1, not electrically connected to each other, and having the same winding center, and a plurality of coils 31, 32, 33, respectively. A first coil terminal 41 composed of a plurality of electrodes (first electrode 411, second electrode 421, third electrode 413) electrically connected to one end and provided on the first surface of the insulating substrate 1. , A second coil terminal composed of a plurality of electrodes 421, 422, 423 electrically connected to the other ends of the plurality of coils 31, 32, 33, and provided on the first surface of the insulating substrate 1. 42, the first electrode 411 of the plurality of electrodes 411, 421, 413 of the first coil terminal 41 is connected to one of the plurality of connection pads 2, and the second coil terminal 42 The first electrode 421 of the plurality of electrodes (first electrode 421, second electrode 422, third electrode 423) is connected to the other one of the plurality of connection pads 2.

ＲＦＩＤ用基板１０がこのような構成を有していることから、第１コイル端子４１および第２コイル端子４２のそれぞれの複数の電極間を導電性接続材で電気的に接続することで複数のコイル３１，３２，３３が並列に接続され、第１電極４１に接続されたコイル３１によるインダクタンスより小さいインダクタンスとすることができる。並列接続するコイルを増やすことで、インダクタンスをより小さくすることができ、１つのＲＦＩＤ用基板１０で複数のインダクタンスを設定できる。所望のインダクタンスとなるコイルを複数設けてそのうちの１つを選択して接続パッド（すなわち半導体素子）と接続する場合は、１つでインダクタンスの小さいコイル、例えば線幅の大きいコイルを設けなければならないので、ＲＦＩＤ基板が大きくなる。これに対して、本開示のＲＦＩＤ用基板１０においては、幅の小さいコイル３１，３２，３３を並列に接続して小さいインダクタンスを設定するので小型化することができる。 Since the RFID substrate 10 has such a configuration, a plurality of electrodes of the first coil terminal 41 and the second coil terminal 42 are electrically connected to each other by a conductive connecting material. The coils 31, 32, and 33 are connected in parallel, and the inductance can be smaller than the inductance of the coil 31 connected to the first electrode 41. By increasing the number of coils connected in parallel, the inductance can be made smaller, and a plurality of inductances can be set on one RFID substrate 10. When a plurality of coils having a desired inductance are provided and one of them is selected and connected to a connection pad (that is, a semiconductor element), one coil having a small inductance, for example, a coil having a large line width must be provided. Therefore, the RFID substrate becomes large. On the other hand, in the RFID substrate 10 of the present disclosure, since the coils 31, 32, and 33 having a small width are connected in parallel to set a small inductance, the size can be reduced.

図１〜図３に示す例においては、それぞれ大きさ（平面視の外寸）の異なる３つのコイル３１，３２，３３が絶縁基板１の内部に設けられている。大きさの小さいコイル３１は、それぞれ異なる絶縁層１ａの層間に設けられた３つの小さいコイル導体３１ａと、絶縁層１ａを貫通してこれらを直列に接続する貫通導体３１ｂとで構成されている。大きさの大きいコイル３３もまた、それぞれ異なる絶縁層１ａの層間に設けられた３つの大きいコイル導体３３ａと、これらを直列に接続する貫通導体３３ｂとで構成されている。そして、大きさがこれらの中間のコイル３２もまた、それぞれ異なる絶縁層１ａの層間に設けられた３つの大きさが中間のコイル導体３２ａと、これらを直列に接続する貫通導体３２ｂとで構成されている。そして、３つのコイル３１，３２，３３のそれぞれの一端部は、貫通導体３１ｂ、３２ｂ、３３ｂを介して第１コイル端子４１に電気的に接続されており、３つのコイル３１，３２，３３のそれぞれの他端部は、貫通導体３１ｂ、３２ｂ、３３ｂを介して第２コイル端子４２に電気的に接続されている。なお、貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂは、図２および図３においては、両端が黒丸の破線で示している。 In the examples shown in FIGS. 1 to 3, three coils 31, 32, and 33 having different sizes (outer dimensions in a plan view) are provided inside the insulating substrate 1. The small-sized coil 31 is composed of three small coil conductors 31a provided between layers of different insulating layers 1a, and a penetrating conductor 31b that penetrates the insulating layer 1a and connects them in series. The large coil 33 is also composed of three large coil conductors 33a provided between layers of different insulating layers 1a and a through conductor 33b connecting them in series. The coil 32 having an intermediate size is also composed of three coil conductors 32a having an intermediate size provided between layers of the insulating layers 1a and a through conductor 32b connecting them in series. ing. One end of each of the three coils 31, 32, 33 is electrically connected to the first coil terminal 41 via the through conductors 31b, 32b, 33b, and the three coils 31, 32, 33 The other end of each is electrically connected to the second coil terminal 42 via the through conductors 31b, 32b, 33b. The through conductors 31b, 32b, and 33b are indicated by broken lines with black circles at both ends in FIGS. 2 and 3.

また、図１〜図３に示す例においては、小さいコイル３１のコイル導体３１ａ、中間のコイル３２のコイル導体３２ａおよび大きいコイル３３のコイル導体３３ａが同じ層間に設けられている。このように、複数のコイル３１，３２，３３が、絶縁層１ａの複数の層間に設けられており、１つの層間において、互いに電気的に接続されていない、巻回中心が同じで大きさの異なる複数のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａを有しているものとすることができる。 Further, in the examples shown in FIGS. 1 to 3, the coil conductor 31a of the small coil 31, the coil conductor 32a of the intermediate coil 32, and the coil conductor 33a of the large coil 33 are provided between the same layers. As described above, the plurality of coils 31, 32, 33 are provided between the plurality of layers of the insulating layer 1a, and are not electrically connected to each other in one layer, and have the same winding center and the same size. It is possible to have a plurality of different coil conductors 31a, 32a, 33a.

このような構成にすると、複数のコイル３１，３２，３３を設けても絶縁層１ａの層数が増えず絶縁基板１の厚みが厚くならないのでＲＦＩＤ用基板１０およびＲＦＩＤタグ１００を薄型化することができる。また、コイル導体３１，３２，３３とコイル端子４１，４２とをつなぐ貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂも短くできるので損失が小さい。 With such a configuration, even if a plurality of coils 31, 32, 33 are provided, the number of layers of the insulating layer 1a does not increase and the thickness of the insulating substrate 1 does not increase. Therefore, the RFID substrate 10 and the RFID tag 100 can be made thinner. Can be done. Further, the through conductors 31b, 32b, 33b connecting the coil conductors 31, 32, 33 and the coil terminals 41, 42 can also be shortened, so that the loss is small.

図４および図５は、いずれもＲＦＩＤ用基板１０およびＲＦＩＤタグ１００の他の例を示す分解斜視図である。図２に示す例に対して、３つのコイル３１，３２，３３が、それぞれ絶縁層１ａの積層方向に３つのコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａを有する点等は同じであるが、３つのコイル３１，３２，３３のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａが互いに異なる層間に設けられている点において異なっている。 4 and 5 are exploded perspective views showing other examples of the RFID substrate 10 and the RFID tag 100. Compared to the example shown in FIG. 2, the three coils 31, 32, 33 have the same three coil conductors 31a, 32a, 33a in the stacking direction of the insulating layer 1a, respectively, but the three coils 31 are the same. , 32, 33 are different in that the coil conductors 31a, 32a, 33a are provided between different layers.

図４に示す例においては、図２に示す例における３つのコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａがその上（の層間）に設けられている３つ絶縁層１ａをそれぞれ３つの絶縁層１ａに分けるとともに、３つに分けられた絶縁層１ａのそれぞれの上（の層間）に元の３つのコ
イル導体３１ａ，３２ａ，３３ａを１つずつ設けたようになっている。図２に示す例における上の絶縁層１ａの上（の層間）に設けられた上のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａは、図４における上の３つの絶縁層１ａの上（の層間）に設けられ、図２における中の絶縁層１ａの上（の層間）に設けられた中のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａは、図４における中の３つの絶縁層１ａの上（の層間）に設けられ、図２における下の絶縁層１ａの上（の層間）に設けられた下のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａは、図４における下の３つの絶縁層１ａの上（の層間）に設けられている。図２に示す例においては、３つのコイル３１，３２，３３は絶縁層１ａの積層方向において同じ位置に配置されているのに対して、図４に示す例においては、３つのコイルは絶縁層１ａの１層分ずつずれて、互いに一部が重なって配置されている。 In the example shown in FIG. 4, the three coil conductors 31a, 32a, 33a in the example shown in FIG. 2 are provided on (the layers thereof), and the three insulating layers 1a are divided into three insulating layers 1a, respectively. The original three coil conductors 31a, 32a, and 33a are provided one by one on (interlayer) each of the three divided insulating layers 1a. The upper coil conductors 31a, 32a, 33a provided above (interlayers) the upper insulating layer 1a in the example shown in FIG. 2 are provided above (interlayers) the upper three insulating layers 1a in FIG. The coil conductors 31a, 32a, 33a provided above (interlayers) the insulating layer 1a in FIG. 2 are provided above (interlayers) the three insulating layers 1a in FIG. The lower coil conductors 31a, 32a, 33a provided above (interlayers) the lower insulating layer 1a in FIG. 2 are provided above (interlayers) the three lower insulating layers 1a in FIG. There is. In the example shown in FIG. 2, the three coils 31, 32, 33 are arranged at the same positions in the stacking direction of the insulating layer 1a, whereas in the example shown in FIG. 4, the three coils are the insulating layer. Some of them are arranged so as to be offset by one layer of 1a and partially overlap each other.

図５に示す例においては、大きさの小さいコイル導体３１ａで構成されるコイル３１と、大きさの大きいコイル導体３３ａで構成されるコイル３３と、大きさがこれらの中間のコイル導体３２ａで構成されるコイル３２の３つのコイルを有している点では、図２および図４に示す例と同じであるが、上の３つの絶縁層１ａの層間に小さいコイル導体３１ａが設けられ、中の３つの絶縁層１ａの層間に大きさが中間のコイル導体３２ａが設けられ、下の３つの絶縁層１ａの層間に大きいコイル導体３３ａが設けられている。図２に示す例においては、３つのコイル３１，３２，３３は絶縁層１ａの積層方向において同じ位置に配置されているのに対して、図５に示す例においては、絶縁基板１の内部において、絶縁基板１の第１の面側から順に、大きさの小さいコイル３１、大きさが中間のコイル３２、大きさの大きいコイル３３が配置され、３つのコイル３１，３２，３３は絶縁層１ａの積層方向において互いに重なることなく配置されている。 In the example shown in FIG. 5, the coil 31 is composed of a coil conductor 31a having a small size, the coil 33 is composed of a coil conductor 33a having a large size, and the coil conductor 32a is intermediate in size. It is the same as the example shown in FIGS. 2 and 4 in that it has three coils of the coil 32 to be formed, but a small coil conductor 31a is provided between the layers of the above three insulating layers 1a, and the inside of the coil conductor 31a is provided. A coil conductor 32a having an intermediate size is provided between the layers of the three insulating layers 1a, and a large coil conductor 33a is provided between the layers of the three insulating layers 1a below. In the example shown in FIG. 2, the three coils 31, 32, 33 are arranged at the same position in the stacking direction of the insulating layer 1a, whereas in the example shown in FIG. 5, inside the insulating substrate 1. A coil 31 having a small size, a coil 32 having an intermediate size, and a coil 33 having a large size are arranged in order from the first surface side of the insulating substrate 1, and the three coils 31, 32, 33 are the insulating layer 1a. Are arranged so as not to overlap each other in the stacking direction of.

図４および図５に示す例においては、１つの層間には１つのコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａしか配置されていないので、コイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの大きさや形状に関して自由度があり、インダクタンスの設計が容易になる。 In the examples shown in FIGS. 4 and 5, since only one coil conductors 31a, 32a, 33a are arranged between one layer, there is a degree of freedom regarding the size and shape of the coil conductors 31a, 32a, 33a, and the inductance. Is easy to design.

図１および図２に示す例においては、大きさの小さいコイル３１の一端部が第１コイル端子４１の第１電極４１１に接続され、同じく大きさの小さいコイル３１の他端部が第２コイル端子４２の第１電極４２１に接続されている。すなわち、大きさの小さいコイル３１が接続パッド２に電気的に接続されている。このように、複数のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａのうち、最も内側のコイル導体３１ａの一端部が第１コイル端子４１の第１電極４１１に接続され、他端部が第２コイル端子４２の第１電極４２１に接続されているＲＦＩＤ用基板１０とすることができる。 In the examples shown in FIGS. 1 and 2, one end of the small coil 31 is connected to the first electrode 411 of the first coil terminal 41, and the other end of the similarly small coil 31 is the second coil. It is connected to the first electrode 421 of the terminal 42. That is, the small coil 31 is electrically connected to the connection pad 2. In this way, of the plurality of coil conductors 31a, 32a, 33a, one end of the innermost coil conductor 31a is connected to the first electrode 411 of the first coil terminal 41, and the other end of the second coil terminal 42. It can be the RFID substrate 10 connected to the first electrode 421.

このような構成にすると、複数のコイル３１，３２，３３を構成するコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの内寸が異なる場合に、これらを並列接続してインダクタンスを調整しても、複数のコイル３１，３２，３３が並列接続されたコイルの内寸（最少内寸）は変化しないので、特性の変化を小さく抑えることができる。 With such a configuration, when the internal dimensions of the coil conductors 31a, 32a, 33a constituting the plurality of coils 31, 32, 33 are different, even if these are connected in parallel to adjust the inductance, the plurality of coils 31 Since the internal dimensions (minimum internal dimensions) of the coil in which, 32, 33 are connected in parallel do not change, the change in characteristics can be suppressed to a small value.

大きさの大きい、外側のコイル導体３３ａは長さが長いのでインダクタンスが大きくなりやすく、外側のコイル導体３３ａを用いてインダクタンスを大きく減らすには、その幅を大きくしなければならず、ＲＦＩＤ用基板１０が大きくなってしまう場合がある。そのため、図３に示す例のように、複数のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａのうち、最も外側のコイル導体３３ａの一端部が第１コイル端子４１の第１電極４１１に接続され、他端部が第２コイル端子４２の第１電極４２１に接続されているＲＦＩＤ用基板１０とすることができる。 Since the outer coil conductor 33a, which has a large size, has a long length, the inductance tends to be large. In order to greatly reduce the inductance by using the outer coil conductor 33a, the width must be increased, and the RFID substrate must be increased. 10 may become large. Therefore, as shown in the example shown in FIG. 3, one end of the outermost coil conductor 33a of the plurality of coil conductors 31a, 32a, 33a is connected to the first electrode 411 of the first coil terminal 41, and the other end is connected to the first electrode 411 of the first coil terminal 41. Can be the RFID substrate 10 connected to the first electrode 421 of the second coil terminal 42.

このような構成とした場合には、インダクタンスを減らすのに内側のコイル導体３１ａ，３２ａを使うことになり、内側のコイル導体３１ａ，３２ａは長さが短いので、インダ
クタンスが大きいコイルとする場合でもコイル導体３１ａ，３２ａの幅をあまり大きくする必要がないので、ＲＦＩＤ用基板１０を小型化しやすい。 In such a configuration, the inner coil conductors 31a and 32a are used to reduce the inductance, and since the inner coil conductors 31a and 32a are short in length, even when a coil having a large inductance is used. Since it is not necessary to increase the width of the coil conductors 31a and 32a so much, it is easy to miniaturize the RFID substrate 10.

図６（ａ）はＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す斜視図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＢ−Ｂ線における断面図であり、図６（ｃ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線における断面図である。図７は、図６に示すＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの分解斜視図である。図８（ａ）は図６に示すＲＦＩＤ用基板のＡ部を拡大して示す平面図であり、図８（ｂ）および図８（ｃ）は他の例を示す平面図である。 6 (a) is a perspective view showing another example of the RFID substrate and the RFID tag, and FIG. 6 (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 6 (a), FIG. 6 (c). Is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 6 (a). FIG. 7 is an exploded perspective view of the RFID substrate and RFID tag shown in FIG. 8 (a) is an enlarged plan view showing a portion A of the RFID substrate shown in FIG. 6, and FIGS. 8 (b) and 8 (c) are plan views showing other examples.

図６および図７に示す例のＲＦＩＤ用基板１０は、図１および図２に示す例のＲＦＩＤ用基板１０に対して、第２絶縁層１ｂが１層追加されている点が異なる。接続パッド２および第１コイル端子４１および第２コイル端子４２が形成された最上層の絶縁層１ａ、すなわち絶縁基板１の第１の面の上にさらに第２絶縁層１ｂが積層されている。そして、積層された絶縁層１ａには第１貫通孔１ｂ１および第２貫通孔１ｂ２が形成されている。このように、絶縁基板１の第１の面の上にさらに第２絶縁層１ｂが積層されており、積層された第２絶縁層１ｂが、内側に複数の接続パッド２が配置される１つの第１貫通孔１ｂ１と、内側に第１コイル端子４１の電極４１１，４１２，４１３および第２コイル端子４２の電極４２１，４２２，４２３のそれぞれの少なくとも一部が配置される複数の第２貫通孔１ｂ２とを備えているＲＦＩＤ用基板１０とすることができる。 The RFID substrate 10 of the example shown in FIGS. 6 and 7 is different from the RFID substrate 10 of the example shown in FIGS. 1 and 2 in that a second insulating layer 1b is added. A second insulating layer 1b is further laminated on the uppermost insulating layer 1a on which the connection pad 2, the first coil terminal 41, and the second coil terminal 42 are formed, that is, the first surface of the insulating substrate 1. A first through hole 1b1 and a second through hole 1b2 are formed in the laminated insulating layer 1a. In this way, the second insulating layer 1b is further laminated on the first surface of the insulating substrate 1, and the laminated second insulating layer 1b is one in which a plurality of connection pads 2 are arranged inside. A plurality of second through holes 1b1 and a plurality of second through holes in which at least a part of each of the electrodes 411, 421, 413 of the first coil terminal 41 and the electrodes 421, 422, 423 of the second coil terminal 42 are arranged inside. The RFID substrate 10 provided with 1b2 can be used.

このような構成とすると、第１貫通孔１ｂ１の内面と第１貫通孔１ｂ１内の第１の面とで凹部が形成され、この凹部の底面には接続パッド２が配置されているので、接続パッド２に接続して半導体素子５をＲＦＩＤ用基板１０に搭載すると、半導体素子５は凹部の内側面すなわち第２絶縁層１ｂに囲まれるので、半導体素子５が周囲の物に衝突して損傷する可能性がより低減される。すなわち、半導体素子５の保護性能の高いＲＦＩＤ用基板１０となる。また、第２貫通孔１ｂ２によって、第１コイル端子４１の電極４１１，４１２，４１３および第２コイル端子４２の電極４２１，４２２，４２３のそれぞれの少なくとも一部が露出されるので、電極間を導電性接続材で電気的に接続してインダクタンスを調整することができる。第２貫通孔１ｂ２を設けずに、第１の面の上に積層された第２絶縁層１ｂの上に第１コイル端子４１および第２コイル端子４２を設けて、インダクタンスを調整するようにすることもできるが、この場合は、コイル３１，３２，３３と接続するための貫通導体３１ｂ、３２ｂ、３３ｂの長さが追加した第２絶縁層１ｂの厚みの分だけ増える。第２貫通孔１ｂ２を設けることで貫通導体３１ｂ、３２ｂ、３３ｂの長さを長くする必要がないので、低損失なものとすることができる。また、第１貫通孔１ｂ１と第２貫通孔１ｂ２とに分けていることで、第１コイル端子４１の電極間または第２コイル端子４２の電極間を導電性接続材で電気的に接続する際に、導電性接続材が接続パッド２まで広がってしまい、不要な接続（短絡）、例えば接続パッド２間つまり半導体素子の端子間の短絡が発生してしまう可能性を低減することができる。 With such a configuration, a recess is formed by the inner surface of the first through hole 1b1 and the first surface in the first through hole 1b1, and the connection pad 2 is arranged on the bottom surface of the recess for connection. When the semiconductor element 5 is mounted on the RFID substrate 10 by connecting to the pad 2, the semiconductor element 5 is surrounded by the inner surface of the recess, that is, the second insulating layer 1b, so that the semiconductor element 5 collides with surrounding objects and is damaged. The possibility is further reduced. That is, the RFID substrate 10 has high protection performance of the semiconductor element 5. Further, since at least a part of the electrodes 411, 421 and 413 of the first coil terminal 41 and the electrodes 421, 422 and 423 of the second coil terminal 42 are exposed by the second through hole 1b2, the electrodes are conductive with each other. The inductance can be adjusted by electrically connecting with a sex connecting material. The first coil terminal 41 and the second coil terminal 42 are provided on the second insulating layer 1b laminated on the first surface without providing the second through hole 1b2 to adjust the inductance. However, in this case, the lengths of the through conductors 31b, 32b, 33b for connecting to the coils 31, 32, 33 are increased by the thickness of the added second insulating layer 1b. By providing the second through hole 1b2, it is not necessary to increase the length of the through conductors 31b, 32b, 33b, so that the loss can be reduced. Further, by dividing the first through hole 1b1 and the second through hole 1b2, when electrically connecting between the electrodes of the first coil terminal 41 or between the electrodes of the second coil terminal 42 with a conductive connecting material. In addition, it is possible to reduce the possibility that the conductive connecting material spreads to the connection pad 2 and an unnecessary connection (short circuit), for example, a short circuit between the connection pads 2 or the terminals of the semiconductor element occurs.

第２貫通孔１ｂ２は、図８（ｂ）に示す例のように、第１コイル端子４１の複数の電極４１１，４１２，４１３を露出させるものと、第２コイル端子４２の複数の電極４２１，４２２，４２３を露出させるものの２つで構成することもできるし、図８（ｃ）に示す例のように、第１コイル端子４１の複数の電極４１１，４１２，４１３のそれぞれ、および第２コイル端子４２の複数の電極４２１，４２２，４２３のそれぞれを露出させるもので構成することもできる。また、第２貫通孔１ｂ２は、図８（ａ）（および図６、図７）に示す例のように、第１コイル端子４１および第２コイル端子４２における、隣り合う電極のそれぞれの一部とこれらの間のみを露出させる複数のもので構成することもできる。図８（ａ）に示す例の場合は、図８（ｂ）に示す例に対して、第１コイル端子４１の複数の電極４１１，４１２，４１３間で不所望の電極間に導電性接続材が広がることがないので、所望の電極間だけを接続して調整することが容易になる。また、図８（ｃ）に示す例に
おいては、導電性接続材による電極間の接続は、第２絶縁層１ｂの上面を経由して接続するのに対して、図８（ａ）に示す例においては、隣接する電極は同一面上で、最短距離で接続することができるので、導電性接続材による接続にともなうインダクタンスの増加が小さく、また損失も小さいものとなる。 The second through hole 1b2 exposes the plurality of electrodes 411, 421 and 413 of the first coil terminal 41 and the plurality of electrodes 421 of the second coil terminal 42, as shown in the example shown in FIG. 8 (b). It can be composed of two of those that expose 422 and 423, and as shown in the example of FIG. 8C, each of the plurality of electrodes 411, 421 and 413 of the first coil terminal 41, and the second coil. It can also be configured to expose each of the plurality of electrodes 421, 422, 423 of the terminal 42. Further, the second through hole 1b2 is a part of each of the adjacent electrodes in the first coil terminal 41 and the second coil terminal 42, as shown in the example shown in FIG. 8A (and FIGS. 6 and 7). It can also be composed of a plurality of objects that expose only between them. In the case of the example shown in FIG. 8 (a), the conductive connecting material is provided between the plurality of electrodes 411, 421 and 413 of the first coil terminal 41 and between the undesired electrodes as compared with the example shown in FIG. Since it does not spread, it becomes easy to connect and adjust only between the desired electrodes. Further, in the example shown in FIG. 8C, the connection between the electrodes by the conductive connecting material is connected via the upper surface of the second insulating layer 1b, whereas the example shown in FIG. 8A is shown. Since the adjacent electrodes can be connected on the same surface at the shortest distance, the increase in inductance due to the connection by the conductive connecting material is small, and the loss is also small.

図９は、図１に示す例のＲＦＩＤ用基板１０における第１コイル端子４１および第２コイル端子４２の電極間を導電性接続材４３で電気的に接続した例を示し、図９（ａ）は、第１コイル端子４１における第１電極４１１と第２電極４１２との間、および第２コイル端子４２における第１電極４２１と第２電極４２２との間を接続した例であり、図９（ｂ）は、さらに、第１コイル端子４１における第２電極４１２と第３電極４１３との間、および第２コイル端子４２における第２電極４２２と第３電極４２３との間を接続した例である。例えば、図１に示す例のＲＦＩＤ用基板１０においては、１つのコイル３１だけが接続パッド２に接続されているので、その１つのコイル３１による第１のインダクタンス成分を内蔵しており、この第１のインダクタンス成分と搭載される半導体素子５に内蔵されている第１の容量成分とによる共振周波数がＲＦＩＤタグ１００の通信に用いられる。第１の容量成分より大きい第２の容量成分を内蔵している半導体素子５ａを搭載し、同じ周波数で通信をするＲＦＩＤタグ１００ａとする場合には、図９（ａ）に示す例のように、第１コイル端子４１における第１電極４１１と第２電極４１２との間、および第２コイル端子４２における第１電極４２１と第２電極４２２との間を接続して、２つコイル３１，３２が並列に接続されて、その２つのコイル３１，３２により小さくなった第２のインダクタンス成分を内蔵するＲＦＩＤ用基板１０ａが用いられる。また、第２の容量成分よりさらに大きい第３の容量成分を内蔵している半導体素子５ｂを搭載し、同じ周波数で通信をするＲＦＩＤタグ１００ｂとする場合には、図９（ｂ）に示す例のように、第１コイル端子４１における第１電極４１１と第２電極４１２との間および第２電極４１２と第３電極４１３との間、ならびに第２コイル端子４２における第１電極４２１と第２電極４２２との間および第２電極４２２と第３電極４２３とを接続して、３つコイル３１，３２，３３が並列に接続されて、その３つのコイル３１，３２，３３によりさらに小さくなった第３のインダクタンス成分を内蔵するＲＦＩＤ用基板１０ｂが用いられる。 FIG. 9 shows an example in which the electrodes of the first coil terminal 41 and the second coil terminal 42 in the RFID substrate 10 of the example shown in FIG. 1 are electrically connected by a conductive connecting material 43, and FIG. 9A shows an example. Is an example in which the first electrode 411 and the second electrode 412 in the first coil terminal 41 and the first electrode 421 and the second electrode 422 in the second coil terminal 42 are connected, and FIG. b) is an example of further connecting between the second electrode 412 and the third electrode 413 at the first coil terminal 41 and between the second electrode 422 and the third electrode 423 at the second coil terminal 42. .. For example, in the RFID substrate 10 of the example shown in FIG. 1, since only one coil 31 is connected to the connection pad 2, the first inductance component by the one coil 31 is built in, and this first The resonance frequency of the inductance component 1 and the first capacitive component built in the mounted semiconductor element 5 is used for communication of the RFID tag 100. When a semiconductor element 5a having a second capacitance component larger than the first capacitance component is mounted and the RFID tag 100a communicates at the same frequency, as shown in FIG. 9A, as in the example shown in FIG. 9A. , The two coils 31, 32 are connected between the first electrode 411 and the second electrode 412 at the first coil terminal 41 and between the first electrode 421 and the second electrode 422 at the second coil terminal 42. Is connected in parallel, and an RFID substrate 10a containing a second inductance component reduced by the two coils 31 and 32 is used. Further, in the case where the semiconductor element 5b incorporating the third capacitance component, which is larger than the second capacitance component, is mounted and the RFID tag 100b communicates at the same frequency, the example shown in FIG. 9B is shown. As in, between the first electrode 411 and the second electrode 412 at the first coil terminal 41, between the second electrode 412 and the third electrode 413, and between the first electrode 421 and the second electrode at the second coil terminal 42. The three coils 31, 32, 33 were connected in parallel between the electrodes 422 and the second electrode 422 and the third electrode 423, and were further reduced by the three coils 31, 32, 33. An RFID substrate 10b containing a third inductance component is used.

このように、図９に示したＲＦＩＤ用基板１０ａ，１０ｂは、接続パッド２に接続される半導体素子５ａ，５ｂに内蔵されている容量成分の大きさに応じて、第１コイル端子４１の複数の電極４１１，４１２，４１３間および第２コイル端子４２の複数の電極４２１，４２２，４２３間が電気的に接続されているＲＦＩＤ用基板１０ａ，１０ｂである。例えば導電性ペーストのような導電性接続材４３で電極間を接続するだけで、内蔵する容量成分が異なる、複数種類の半導体素子５ａ，５ｂに容易に対応したＲＦＩＤ用基板１０ａ，１０ｂとすることができる。内蔵するコイル３１，３２，３３の数によって対応可能な半導体素子５，５ａ，５ｂの種類が決まる。 As described above, the RFID substrates 10a and 10b shown in FIG. 9 have a plurality of first coil terminals 41 according to the size of the capacitance component built in the semiconductor elements 5a and 5b connected to the connection pad 2. The RFID substrates 10a and 10b are electrically connected between the electrodes 411, 421 and 413 of the above and between the plurality of electrodes 421, 422 and 423 of the second coil terminal 42. For example, RFID substrates 10a and 10b that easily correspond to a plurality of types of semiconductor elements 5a and 5b having different built-in capacitance components simply by connecting the electrodes with a conductive connecting material 43 such as a conductive paste. Can be done. The types of semiconductor elements 5, 5a and 5b that can be supported are determined by the number of built-in coils 31, 32 and 33.

本開示のＲＦＩＤタグ１００は、上述したように、上記のＲＦＩＤ用基板１０と、ＲＦＩＤ用基板１０の接続パッド２に接続された半導体素子５とを備えている。半導体素子５に内蔵された回路と、半導体素子５に接続されたＲＦＩＤ用基板１０に内蔵された回路（主にコイル３１，３２，３３）とで得られる共振周波数が、ＲＦＩＤタグ１００とＲＦＩＤシステムのリーダライタ等の外部機器との通信に用いられる周波数となる。 As described above, the RFID tag 100 of the present disclosure includes the above-mentioned RFID substrate 10 and the semiconductor element 5 connected to the connection pad 2 of the RFID substrate 10. The resonance frequency obtained by the circuit built in the semiconductor element 5 and the circuit (mainly the coils 31, 32, 33) built in the RFID substrate 10 connected to the semiconductor element 5 is the RFID tag 100 and the RFID system. This is the frequency used for communication with external devices such as the reader / writer.

従来のＲＦＩＤタグでは、複数の半導体素子５，５ａ，５ｂに対応するためには複数のＲＦＩＤ用基板を準備しなければならなかったので、ＲＦＩＤ用基板のコストが高くなってしまうものであった。しかしながら、本開示のＲＦＩＤ用基板１０は、導電性接続材４３で第１コイル端子４１および第２コイル端子４２電極間を接続するという簡単な追加工をするだけで複数の半導体素子５，５ａ，５ｂに対応できるのでコストが抑えられたものとなる。よって、このコストが抑えられたＲＦＩＤ用基板１０を用いたＲＦＩＤタグ１０
０もまた、低コストのものとなる。 In the conventional RFID tag, since it is necessary to prepare a plurality of RFID substrates in order to support a plurality of semiconductor elements 5, 5a and 5b, the cost of the RFID substrate is high. .. However, the RFID substrate 10 of the present disclosure has a plurality of semiconductor elements 5, 5a, simply by performing a simple additional process of connecting the first coil terminal 41 and the second coil terminal 42 electrodes with the conductive connecting material 43. Since it can correspond to 5b, the cost can be suppressed. Therefore, the RFID tag 10 using the RFID substrate 10 whose cost is suppressed
0 is also low cost.

なお、上記の説明においては、図面等において３つのコイル３１，３２，３３を区別しやすくするために、３つのコイル３１，３２，３３は互いに大きさ（平面視の外寸）が異なるものである例で説明したが、図１０に示す例のように、３つのコイル３１，３２，３３は互いに大きさ（平面視の外寸）が同じものとすることができる。ここで、図１０は、ＲＦＩＤ用基板およびＲＦＩＤタグの他の一例を示す分解斜視図であり、図５に示す例における、コイル３１，３２のコイル導体３１ａ，３２ａの平面視の外寸を、コイル３３のコイル導体３３ａの外寸と同じにした例を示している。この例においては、各コイル３１，３２，３３のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの外寸は同じであるが、内寸が異なっている。すなわち、各コイル３１，３２，３３のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａは幅が異なっている。また、図４に示す例における、コイル３１，３２のコイル導体３１ａ，３２ａについても同様に、平面視の外寸をコイル３３のコイル導体３３ａの外寸と同じにすることができる。図５および図１０に示す例のように、絶縁基板１の内部において、複数のコイル３１，３２，３３が絶縁層１ａの積層方向において互いに重なることなく配置され、複数のコイル３１，３２，３３を並列接続してインダクタンスを小さくする場合には、絶縁基板１の第１の面から離れて配置されたコイル３３と第１コイル端子４１の第１電極４１１および第２コイル端子の第１電極４２１とを接続することができる。コイル３１，３２，３３と第１コイル端子４１の第１電極４１１および第２コイル端子の第１電極４２１とを接続する貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂもインダクタンス成分となるので、コイル３１，３２を並列接続する際には貫通導体３１ｂ、３２ｂによるインダクタンス成分が小さい方がより容易にインダクタンスを小さくすることができる。 In the above description, in order to make it easier to distinguish the three coils 31, 32, 33 in the drawings and the like, the three coils 31, 32, 33 have different sizes (outer dimensions in a plan view). Although described in a certain example, as in the example shown in FIG. 10, the three coils 31, 32, and 33 can have the same size (outer dimensions in a plan view). Here, FIG. 10 is an exploded perspective view showing another example of the RFID substrate and the RFID tag, and shows the outer dimensions of the coil conductors 31a and 32a of the coils 31 and 32 in a plan view in the example shown in FIG. An example is shown in which the outer dimensions of the coil conductor 33a of the coil 33 are the same. In this example, the outer dimensions of the coil conductors 31a, 32a, 33a of the coils 31, 32, 33 are the same, but the inner dimensions are different. That is, the coil conductors 31a, 32a, 33a of the coils 31, 32, 33 have different widths. Similarly, the outer dimensions of the coil conductors 31a and 32a of the coils 31 and 32 in the example shown in FIG. 4 can be made the same as the outer dimensions of the coil conductor 33a of the coil 33 in a plan view. As in the examples shown in FIGS. 5 and 10, a plurality of coils 31, 32, 33 are arranged inside the insulating substrate 1 without overlapping each other in the stacking direction of the insulating layer 1a, and the plurality of coils 31, 32, 33 are arranged without overlapping each other. In the case of connecting in parallel to reduce the inductance, the coil 33 arranged apart from the first surface of the insulating substrate 1, the first electrode 411 of the first coil terminal 41 and the first electrode 421 of the second coil terminal Can be connected to. Since the through conductors 31b, 32b, 33b connecting the coils 31, 32, 33 and the first electrode 411 of the first coil terminal 41 and the first electrode 421 of the second coil terminal also serve as an inductance component, the coils 31, 32 are used. When connecting in parallel, the smaller the inductance component due to the through conductors 31b and 32b, the easier it is to reduce the inductance.

絶縁基板１は、ＲＦＩＤ用基板１０の基本的な構造部分であり、ＲＦＩＤ用基板１０（およびＲＦＩＤタグ１００）としての機械的な強度の確保、および複数の接続パッド２同士の間、接続パッド２とこれに接続されていないコイル３２，３３との間、および複数のコイル３１，３２，３３同士の間の絶縁性の確保等の機能を有している。ここで、絶縁基板１の第１の面の上に第２絶縁層１ｂが積層さている場合についても、第２絶縁層１ｂを含めて絶縁基板１として説明する。絶縁基板１は、例えば上から見たときに（平面視において）正方形状等の四角形状である。 The insulating substrate 1 is a basic structural part of the RFID substrate 10, secures mechanical strength as the RFID substrate 10 (and RFID tag 100), and connects the plurality of connection pads 2 with each other. It has functions such as ensuring insulation between the coil 32 and 33 and the coils 32 and 33 not connected to the coil and between the plurality of coils 31, 32 and 33. Here, the case where the second insulating layer 1b is laminated on the first surface of the insulating substrate 1 will also be described as the insulating substrate 1 including the second insulating layer 1b. The insulating substrate 1 has a square shape such as a square shape when viewed from above (in a plan view).

絶縁基板１の寸法は、例えば、四角形の一辺の長さが２ｍｍ〜１０ｍｍで、厚みが０．３ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。絶縁基板１が、図６〜図８に示す例のように、第２絶縁層１ｂを有する場合であれば、第１貫通孔１ｂ１の平面視の寸法は、搭載される半導体素子５の寸法より一回り大きいものであり、例えば、四角形の一辺の長さが１ｍｍ〜８ｍｍとすることができる。また、第２貫通孔１ｂ２の平面視の寸法は、例えば、０．１ｍｍ〜１ｍｍ×０．１ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。 The dimensions of the insulating substrate 1 can be, for example, a square having a side length of 2 mm to 10 mm and a thickness of 0.3 mm to 3 mm. When the insulating substrate 1 has the second insulating layer 1b as in the examples shown in FIGS. 6 to 8, the plan view dimension of the first through hole 1b1 is larger than the dimension of the mounted semiconductor element 5. It is one size larger, and for example, the length of one side of the quadrangle can be 1 mm to 8 mm. Further, the dimensions of the second through hole 1b2 in a plan view can be, for example, 0.1 mm to 1 mm × 0.1 mm to 3 mm.

絶縁基板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、ムライト質焼結体または窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料を含む絶縁材料からなる複数の絶縁層１ａが積層されて形成されている。例えば、図１に示す例では、同じ厚みの絶縁層１ａが４層積層されているが、絶縁層１ａの厚みは同一でなくてもよいし、絶縁層１ａの層数もこれに限られるものではない。第２絶縁層１ｂは絶縁層１ａと同様のものである。 The insulating substrate 1 is laminated with a plurality of insulating layers 1a made of an insulating material including a ceramic material such as an aluminum oxide sintered body, a glass ceramic sintered body, a mullite sintered body, or an aluminum nitride material sintered body. It is formed. For example, in the example shown in FIG. 1, four insulating layers 1a having the same thickness are laminated, but the thickness of the insulating layer 1a does not have to be the same, and the number of layers of the insulating layer 1a is also limited to this. is not it. The second insulating layer 1b is the same as the insulating layer 1a.

絶縁基板１は、例えばガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、ガラス成分となる酸化ケイ素、酸化ホウ素およびフィラー成分となる酸化アルミニウム等の粉末を主成分とする原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練してスラリーとするとともに、このスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して絶縁基板１の絶縁層１ａおよび第２絶縁層１ｂと
なるセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）を作製する。次に、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する。第２絶縁層１ｂの第１貫通孔１ｂ１および第２貫通孔１ｂ２は、第２絶縁層１ｂとなるセラミックグリーンシートに金型等を用いて貫通孔を設けておけばよい。その後、この積層体を約900〜1000℃程度の温度で焼成
することによって絶縁基板１を製作することができる。 The insulating substrate 1 can be manufactured as follows, for example, when it is made of a glass-ceramic sintered body. First, a raw material powder containing powders such as silicon oxide and boron oxide as a glass component and aluminum oxide as a filler component as main components is kneaded with an organic solvent and a binder to form a slurry, and this slurry is used by the doctor blade method or A ceramic green sheet (hereinafter, also referred to as a green sheet) to be the insulating layer 1a and the second insulating layer 1b of the insulating substrate 1 is produced by molding into a sheet by a molding method such as a lip coater method. Next, a plurality of green sheets are laminated to prepare a laminated body. The first through hole 1b1 and the second through hole 1b2 of the second insulating layer 1b may be provided with through holes in the ceramic green sheet to be the second insulating layer 1b by using a mold or the like. After that, the insulating substrate 1 can be manufactured by firing this laminated body at a temperature of about 900 to 1000 ° C.

絶縁基板１を含むＲＦＩＤ用基板１０は、このようなＲＦＩＤ用基板１０となる複数の基板領域が母基板に配列された多数個取り基板として製作することもできる。複数の基板領域を含む母基板を、基板領域毎に分割して複数のＲＦＩＤ用基板１０をより効率よく製作することもできる。この場合には、母基板のうち基板領域の境界に沿って分割用の溝が設けられていてもよい。また、多数個取り基板の各基板領域に半導体素子５を搭載した後に、これを分割して複数のＲＦＩＤタグ１００を得るようにしてもよい。 The RFID substrate 10 including the insulating substrate 1 can also be manufactured as a multi-layered substrate in which a plurality of substrate regions to be such an RFID substrate 10 are arranged on a mother substrate. It is also possible to more efficiently manufacture a plurality of RFID substrates 10 by dividing a mother substrate including a plurality of substrate regions into each substrate region. In this case, a groove for division may be provided along the boundary of the substrate region of the mother substrate. Further, after mounting the semiconductor element 5 in each substrate region of the multi-layer board, the semiconductor element 5 may be divided to obtain a plurality of RFID tags 100.

絶縁基板１の第１の面には、接続パッド２と第１コイル端子４１の第１電極４１１とを接続する第１接続配線４１ａ、他の接続パッド２と第２コイル端子４２の第１電極４２１とを接続する第２接続配線４２ａが設けられている。また、絶縁基板１の内部（絶縁層１ａ間）には、第１コイル端子４１の電極４１１，４１２，４１３に接続された貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂとコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの一端部とを接続するに内部配線層３１ｃ，３２ｃ，３３ｃ、および第２コイル端子４２の電極４２１，４２２，４２３に接続された貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂとコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの他端部とを接続する内部配線層３１ｃ，３２ｃ，３３ｃが設けられている。内部配線層３１ｃ，３２ｃ，３３ｃを設けて、異なるコイル３１，３２，３３間が貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂによって短絡しないようにしている。 On the first surface of the insulating substrate 1, there is a first connection wiring 41a for connecting the connection pad 2 and the first electrode 411 of the first coil terminal 41, and the other connection pad 2 and the first electrode of the second coil terminal 42. A second connection wiring 42a for connecting to 421 is provided. Further, inside the insulating substrate 1 (between the insulating layers 1a), one ends of the through conductors 31b, 32b, 33b and the coil conductors 31a, 32a, 33a connected to the electrodes 411, 421, 413 of the first coil terminal 41 The other ends of the through conductors 31b, 32b, 33b and the coil conductors 31a, 32a, 33a connected to the internal wiring layers 31c, 32c, 33c, and the electrodes 421, 422, 423 of the second coil terminal 42. Internal wiring layers 31c, 32c, 33c are provided to connect with. Internal wiring layers 31c, 32c, 33c are provided so that the different coils 31, 32, 33 are not short-circuited by the through conductors 31b, 32b, 33b.

接続パッド２、コイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａ、内部配線層３１ｃ，３２ｃ，３３ｃ第１コイル端子４１の電極４１１，４１２，４１３、第２コイル端子４２の電極４２１，４２２，４２３、第１接続配線４１ａおよび第２接続配線４２ａ（以下、これらをまとめて配線ともいう。）は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属、またはこれらの金属を含む合金の金属材料を導体材料として主に含むものである。このような金属材料は、メタライズ層またはめっき層等の金属層として絶縁基板１の表面に設けられている。この金属層は、１層でもよく、複数層でもよい。また、メタライズ層で絶縁基板１の内部に設けられている。 Connection pad 2, coil conductors 31a, 32a, 33a, internal wiring layers 31c, 32c, 33c Electrodes 411,421,413 of the first coil terminal 41, electrodes 421,422,423 of the second coil terminal 42, first connection wiring The 41a and the second connection wiring 42a (hereinafter, collectively referred to as wiring) are, for example, metals such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, palladium, gold, platinum, nickel or cobalt, or these metals. It mainly contains a metal material of an alloy containing the above as a conductor material. Such a metal material is provided on the surface of the insulating substrate 1 as a metal layer such as a metallized layer or a plating layer. The metal layer may be one layer or a plurality of layers. Further, a metallized layer is provided inside the insulating substrate 1.

配線は、例えば、銅のメタライズ層である場合には、銅の粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを絶縁基板１となるセラミックグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷して焼成する方法で形成することができる。また、このうち、接続パッド２等の絶縁基板１の表面に設けられているメタライズ層の露出表面には、電解めっき法または無電解めっき法等のめっき法でニッケルおよび金等のめっき層がさらに被着されていてもよい。この場合、前述したように多数個取り基板の形態でＲＦＩＤ用基板１０またはＲＦＩＤタグ１００を製作する際に、複数の基板領域の配線導体を互いに電気的に接続させておけば、複数のセンサ用ＲＦＩＤ用基板１０の配線導体に一括してめっき層を被着させることもできる。また、貫通導体３１ｂ，３２ｂ，３３ｂは、上記の金属ペーストの印刷に先駆けてセラミックグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておくことで形成することができる。 For example, in the case of a copper metallized layer, the wiring is a metal paste prepared by mixing copper powder with an organic solvent and an organic binder at a predetermined position on a ceramic green sheet to be an insulating substrate 1, such as a screen printing method. It can be formed by a method of printing and firing by a method. Further, among them, a plating layer such as nickel and gold is further formed on the exposed surface of the metallized layer provided on the surface of the insulating substrate 1 such as the connection pad 2 by a plating method such as an electrolytic plating method or an electroless plating method. It may be adhered. In this case, when the RFID substrate 10 or the RFID tag 100 is manufactured in the form of a multi-layer board as described above, if the wiring conductors in the plurality of substrate regions are electrically connected to each other, the wiring conductors for a plurality of sensors can be used. It is also possible to collectively coat the wiring conductor of the RFID substrate 10 with a plating layer. Further, the through conductors 31b, 32b, 33b are provided with through holes at predetermined positions on the ceramic green sheet prior to printing the above metal paste, and the same metal paste as above is filled in the through holes. Can be formed.

コイル３１，３２，３３は、ＲＦＩＤシステムのリーダライタ等の外部機器から送信される電波に伴う磁束によって誘導電流を発生させるアンテナの機能を有している。また、ＲＦＩＤ用基板１０に内蔵された回路における主なインダクタンス成分となる部分である。図１〜図１０に示す例のＲＦＩＤ用基板１０は、３つのコイル３１，３２，３３を備え
ているが、上述したように、内蔵するコイル３１，３２，３３の数によって対応可能な半導体素子５の種類が決まるので、対応させたい半導体素子の数に応じた数にすればよく、その数が２〜５程度であれば、ＲＦＩＤ用基板１０が不要に大きくなることがない。コイル３１，３２，３３は、それぞれの巻回中心が同一となるように配置されていることから、並列接続されるコイルの数が変わってもコイルの巻回中心は変わらず、安定して磁束が発生する。 The coils 31, 32, and 33 have a function of an antenna that generates an induced current by a magnetic flux associated with a radio wave transmitted from an external device such as a reader / writer of an RFID system. Further, it is a part that becomes a main inductance component in the circuit built in the RFID substrate 10. The RFID substrate 10 of the example shown in FIGS. 1 to 10 includes three coils 31, 32, 33, but as described above, a semiconductor element that can be supported by the number of built-in coils 31, 32, 33. Since the type of 5 is determined, the number may be set according to the number of semiconductor elements to be supported, and if the number is about 2 to 5, the RFID substrate 10 does not become unnecessarily large. Since the coils 31, 32, and 33 are arranged so that their respective winding centers are the same, the coil winding centers do not change even if the number of coils connected in parallel changes, and the magnetic flux is stable. Occurs.

コイル３１，３２，３３のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの平面視の形状は、矩形状あるいは円形状の渦巻きであり、巻き数はＲＦＩＤ用基板１０の寸法内に収まる巻き数にすればよく、通常は１〜５回程度である。また、図１〜図１０に示す例では、ＲＦＩＤ用基板１０（絶縁基板１）の厚み方向に３つのコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａが設けられて各コイル３１，３２，３３が構成されているが、これに限られずコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａを３層以上設けてもよく、通常は１〜２０層程度である。 The shape of the coil conductors 31a, 32a, 33a of the coils 31, 32, 33 in a plan view is a rectangular or circular spiral, and the number of turns may be set to be within the dimensions of the RFID substrate 10. Usually, it is about 1 to 5 times. Further, in the example shown in FIGS. 1 to 10, three coil conductors 31a, 32a, 33a are provided in the thickness direction of the RFID substrate 10 (insulating substrate 1), and the coils 31, 32, 33 are configured. However, the present invention is not limited to this, and the coil conductors 31a, 32a, 33a may be provided in three or more layers, usually about 1 to 20 layers.

また、コイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの幅は例えば、５０μｍ〜２００μｍ程度であり、コイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａ全体の平面視の外縁は絶縁基板１の平面視の外辺に近ければ近いほどよく、例えば、絶縁基板１の外辺から５０μｍ〜１ｍｍ程度内側まで形成される。 Further, the widths of the coil conductors 31a, 32a, 33a are, for example, about 50 μm to 200 μm, and the closer the outer edge of the entire coil conductors 31a, 32a, 33a is in the plan view to the outer edge of the insulating substrate 1 in the plan view, the better. For example, it is formed from the outer side of the insulating substrate 1 to the inside by about 50 μm to 1 mm.

上述したように、半導体素子５に内蔵された回路と、半導体素子５に接続されたＲＦＩＤ用基板１０に内蔵された回路とで得られる共振周波数が、ＲＦＩＤタグ１００とＲＦＩＤシステムのリーダライタ等の外部機器との通信に用いられる周波数となる。そして、搭載される半導体素子５を変えても同じ共振周波数を得るために、ＲＦＩＤ用基板１０は複数のコイル３１，３２，３３を備えている。半導体素子５に内蔵される容量値が変わることに対応するために、複数のコイル３１，３２，３３を並列接続することでインダクタンス値を変えるものである。よって、対応させたい半導体素子５の容量値に応じたインダクタンス値となるように、各コイル３１，３２，３３のコイル導体３１ａ，３２ａ，３３ａの形状、数、寸法等を設定すればよい。 As described above, the resonance frequency obtained by the circuit built in the semiconductor element 5 and the circuit built in the RFID substrate 10 connected to the semiconductor element 5 is determined by the RFID tag 100 and the leader / writer of the RFID system. This is the frequency used for communication with external devices. Then, in order to obtain the same resonance frequency even if the mounted semiconductor element 5 is changed, the RFID substrate 10 includes a plurality of coils 31, 32, 33. In order to cope with the change in the capacitance value built in the semiconductor element 5, the inductance value is changed by connecting a plurality of coils 31, 32, 33 in parallel. Therefore, the shapes, numbers, dimensions, etc. of the coil conductors 31a, 32a, 33a of the coils 31, 32, 33 may be set so that the inductance value corresponds to the capacitance value of the semiconductor element 5 to be matched.

コイル３１，３２，３３は半導体素子５と電気的に接続されている。これは、コイル導体３１，３２，３３に発生した電流（電力）を半導体素子５に供給し、半導体素子５を作動（物品情報の書き込みおよび読み取り）させるためである。これによってＲＦＩＤタグ１００とリーダライタとの間で各種の情報の送受が行なわれる。図１〜図１０に示す例は、ＲＦＩＤ用基板１０の接続パッド２と半導体素子５とが、接続部材であるはんだバンプ（図示せず）で直接接続されている例を示している。 The coils 31, 32, and 33 are electrically connected to the semiconductor element 5. This is because the current (electric power) generated in the coil conductors 31, 32, and 33 is supplied to the semiconductor element 5 to operate the semiconductor element 5 (write and read article information). As a result, various types of information are transmitted and received between the RFID tag 100 and the reader / writer. The examples shown in FIGS. 1 to 10 show an example in which the connection pad 2 of the RFID substrate 10 and the semiconductor element 5 are directly connected by a solder bump (not shown) which is a connection member.

半導体素子５は、はんだや導電性接着剤等の導電性接続部材で接続パッド２と電気的および機械的に接続してもよいし、はんだや導電性接着剤等の導電性接続部材で電気的に接続するとともに、エポキシ樹脂等の樹脂接着剤を接合材として用いて機械的に固定してもよい。あるいは、樹脂接着剤で絶縁基板１上に固定してボンディングワイヤで接続パッド２に電気的に接続してもよい。 The semiconductor element 5 may be electrically and mechanically connected to the connection pad 2 with a conductive connecting member such as solder or a conductive adhesive, or may be electrically connected with a conductive connecting member such as solder or a conductive adhesive. It may be mechanically fixed by using a resin adhesive such as an epoxy resin as a bonding material. Alternatively, it may be fixed on the insulating substrate 1 with a resin adhesive and electrically connected to the connection pad 2 with a bonding wire.

また、半導体素子５は、保護のために封止材６で覆うことができる。図１〜図５、図９および図１０に示す例では、半導体素子５とその周囲の絶縁基板１の上面のみを覆っているが、絶縁基板１の上面（ＲＦＩＤ用基板１０の上面）の全面を覆ってもよい。また、図６〜図８に示す例では、第２絶縁層１ｂの第１貫通孔１ｂ１内、すなわち半導体素子５が底面に搭載された凹部内を封止材６で充填することで、半導体素子５を覆っている。このような封止材６は、例えばエポキシやフェノール等の熱硬化樹脂を用いることができる。例えば、封止材６となる液状の樹脂を印刷機やディスペンサを用いて半導体素子５およびその周囲に塗布して硬化させることで封止することができる。封止材６の形状は、液状の
樹脂の粘度や塗布方法によって、図２に示す例のような形状や図３に示す例のような形状とすることができるが、特に限定されるものではない。 Further, the semiconductor element 5 can be covered with a sealing material 6 for protection. In the examples shown in FIGS. 1 to 5, 9 and 10, only the upper surface of the semiconductor element 5 and the insulating substrate 1 around the semiconductor element 5 is covered, but the entire upper surface of the insulating substrate 1 (upper surface of the RFID substrate 10) is covered. May be covered. Further, in the examples shown in FIGS. 6 to 8, the semiconductor element is filled with the sealing material 6 in the first through hole 1b1 of the second insulating layer 1b, that is, in the recess in which the semiconductor element 5 is mounted on the bottom surface. It covers 5. As such a sealing material 6, a thermosetting resin such as epoxy or phenol can be used. For example, it can be sealed by applying a liquid resin to be the sealing material 6 to the semiconductor element 5 and its surroundings using a printing machine or a dispenser and curing the semiconductor element 5. The shape of the sealing material 6 can be a shape as shown in FIG. 2 or a shape as shown in FIG. 3 depending on the viscosity of the liquid resin and the coating method, but is not particularly limited. Absent.

なお、封止材６は、磁性体粒子を含んでいてもよい。半導体素子５は通常は平面視で配線基板１の中央部に搭載されるので、半導体素子５とコイル３１，３２，３３の巻回中心部とは平面透視で重なる位置にある。そのため、コイル３１，３２，３３の巻回中心部に磁性体が存在することとなり、封止材６中の磁性体によって磁束がコイル３１，３２，３３の巻回中心部に集束されやすくなる。磁性体粒子は、ボンディングワイヤ同士、接続パッド２同士、あるいは半導体素子上に形成された回路同士が磁性体粒子を介して電気的に接続されないように、また、封止材６中の磁性体粒子の量を増やしてより透磁率の高いものとするために、絶縁性のものを用いることができる。絶縁性の磁性体としては、例えば、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトを用いることができる。磁性体粒子が導電性である場合は、その表面に絶縁処理を施すことができる。この場合、例えばリン酸塩等各種成分を適用することができる。 The sealing material 6 may contain magnetic particles. Since the semiconductor element 5 is usually mounted in the central portion of the wiring board 1 in a plan view, the semiconductor element 5 and the winding center portions of the coils 31, 32, 33 are located at overlapping positions in a plan view. Therefore, the magnetic material is present at the winding center of the coils 31, 32, 33, and the magnetic flux is easily focused on the winding center of the coils 31, 32, 33 by the magnetic material in the sealing material 6. The magnetic particles are used so that the bonding wires, the connection pads 2, or the circuits formed on the semiconductor element are not electrically connected to each other via the magnetic particles, and the magnetic particles in the sealing material 6 are used. Insulating materials can be used in order to increase the amount of the material to have a higher magnetic permeability. As the insulating magnetic material, for example, Mn—Zn-based ferrite can be used. When the magnetic particles are conductive, the surface thereof can be insulated. In this case, various components such as phosphate can be applied.

１・・・絶縁基板
１ａ・・・絶縁層
１ｂ・・・第２絶縁層
１ｂ１・・・第１貫通孔
１ｂ２・・・第２貫通孔
２・・・接続パッド
３１、３２、３３・・・コイル
３１ａ、３２ａ、３３ａ・・・コイル導体
３１ｂ、３２ｂ、３３ｂ・・・貫通導体
３１ｃ、３２ｃ、３３ｃ・・・内部配線層
４１・・・第１コイル端子
４１１・・・第１コイル端子の第１電極
４１２・・・第１コイル端子の第２電極
４１３・・・第１コイル端子の第３電極
４１ａ・・・第１接続配線
４２・・・第２コイル端子
４２１・・・第２コイル端子の第１電極
４２２・・・第２コイル端子の第２電極
４２３・・・第２コイル端子の第３電極
４２ａ・・・第２接続配線
４３・・・導電性接続材
５、５ａ、５ｂ・・・半導体素子
６・・・封止材
１０、１０ａ、１０ｂ・・・ＲＦＩＤ用基板
１００、１００ａ、１００ｂ・・・ＲＦＩＤタグ
1 ... Insulation substrate 1a ... Insulation layer 1b ... Second insulation layer 1b1 ... First through hole 1b2 ... Second through hole 2 ... Connection pads 31, 32, 33 ... Coil 31a, 32a, 33a ... Coil conductor 31b, 32b, 33b ... Through conductor 31c, 32c, 33c ... Internal wiring layer 41 ... First coil terminal 411 ... First coil terminal 1 electrode 412 ... 2nd electrode 413 of the 1st coil terminal ... 3rd electrode 41a of the 1st coil terminal ... 1st connection wiring 42 ... 2nd coil terminal 421 ... 2nd coil terminal 1st electrode 422 ... 2nd electrode 423 of the 2nd coil terminal ... 3rd electrode 42a of the 2nd coil terminal ... 2nd connection wiring 43 ... Conductive connecting materials 5, 5a, 5b. ... Semiconductor element 6 ... Encapsulant 10, 10a, 10b ... RFID substrate 100, 100a, 100b ... RFID tag

Claims

Insulation substrate with multiple insulation layers laminated,
A plurality of connection pads provided on the first surface of the insulating substrate and connected to the semiconductor element, and a plurality of connection pads provided inside the insulating substrate, which are not electrically connected to each other and have the same winding center. With multiple coils,
A first coil terminal composed of a plurality of electrodes electrically connected to one end of each of the plurality of coils and provided on the first surface of the insulating substrate, and a first coil terminal.
It is composed of a plurality of electrodes electrically connected to the other end of each of the plurality of coils, and includes a second coil terminal provided on the first surface of the insulating substrate.
Wherein one of the first plurality of electrodes of the coil terminals, a first connection to one of said plurality of one end portions and the connected first electrode and the plurality of connection pads of the coil of the coil It is connected by wiring and
Of the plurality of electrodes of the second coil terminal, the first electrode connected to the other end of the one coil is connected to the other one of the plurality of connection pads by a second connection wiring. Has been
An RFID substrate in which the electrodes other than the first electrode of the first coil terminal and the electrodes other than the first electrode of the second coil terminal are not connected to the connection pad by the connection wiring.

The plurality of coils are provided between a plurality of layers of the insulating layer, and have a plurality of coil conductors having the same winding center and different sizes in one layer, which are not electrically connected to each other. The RFID substrate according to claim 1.

Of the plurality of coil conductors, one end of the innermost coil conductor is connected to the first electrode of the first coil terminal, and the other end is connected to the first electrode of the second coil terminal. The RFID substrate according to claim 2.

Of the plurality of coil conductors, one end of the outermost coil conductor is connected to the first electrode of the first coil terminal, and the other end is connected to the first electrode of the second coil terminal. The RFID substrate according to claim 2.

A second insulating layer is further laminated on the first surface of the insulating substrate, and the insulating layer includes one first through hole in which the plurality of connection pads are arranged inside, and the insulating layer inside. The RFID according to any one of claims 1 to 4, further comprising a first coil terminal and a plurality of second through holes in which at least a part of each of the plurality of electrodes of the second coil terminal is arranged. Board for.

Depending on the size of the capacitance component built into the semiconductor element connected to the connection pad, the plurality of electrodes of the first coil terminal and the plurality of electrodes of the second coil terminal are electrically connected. The RFID substrate according to any one of claims 1 to 5, which is connected to.

The RFID substrate according to any one of claims 1 to 6.
An RFID tag comprising a semiconductor element connected to the connection pad of the RFID substrate.