JP6878851B2 - セラミック電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、チップ部品とこれに取り付けられる金属端子を有する金属端子付きセラミック電子部品に関する。

セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品としては、単体で直接基板等に面実装等する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子が取り付けられたものが提案されている。金属端子が取り付けられているセラミック電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性及び信頼性等が要求される分野において使用されている。

また、金属端子には、チップ部品で生じる振動が実装基板に伝わることを防止する効果があることも報告されており、そのような効果を高めるために、金属端子における実装部と接続部（電極対向部）との間に、連結部を設けるものが提案されている。

特開２０１５−９５４９０号公報

しかしながら、実装部と接続部（電極対向部）との間に連結部を設ける従来の金属端子では、セラミック電子部品の実装面積（Ｚ軸方向からの投影面積）が、チップ部品の投影面積に比べて、ある程度広くなるという問題がある。

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、チップ部品で生じる振動が金属端子を介して実装基板に伝わることを防止し、実装後に基板から受ける変形応力や衝撃等からチップ部品を保護し、かつ、実装面積の拡大を防止し得るセラミック電子部品を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
一対のチップ第１辺及び前記チップ第１辺より短い一対のチップ第２辺を有する略長方形の一対のチップ端面に端子電極が形成されており、一対の前記チップ端面及び一対の前記チップ端面を接続する４つのチップ側面からなる略直方体形状である複数のチップ部品と、一対の前記チップ端面に対応して設けられる一対の金属端子部と、を有し、
一対の前記金属端子部は、それぞれ、
前記チップ第１辺に略平行な一対の端子第１辺と、前記チップ第２辺に略平行な端子第２辺とを有する略矩形平板状であって、前記チップ端面に対向する電極対向部と、
前記電極対向部から前記チップ側面へ延びており、前記チップ部品を前記チップ第１辺の両端側から挟んで把持する複数対の嵌合アーム部と、
前記電極対向部における一方の前記端子第２辺に接続しており、一方の前記端子第２辺から前記チップ部品側へ延びており、少なくとも一部が前記電極対向部に対して略垂直である実装部と、を有する。

本発明に係るセラミック電子部品における金属端子部は、セラミック電子部品の高さ方向が、チップ端面の長辺であるチップ第１辺の方向と同じ方向となるため、セラミック電子部品における高さ方向からの投影面積が狭い。また、実装部が電極対向部の端子第２辺に接続しているため、本発明に係るセラミック電子部品は、端子第１辺に連結部を介して接続される従来技術に比べて、高さ方向からの投影面積が狭く、さらに実装面積を削減できる。

また、本発明に係るセラミック電子部品における金属端子部は、セラミック電子部品の高さ方向がチップ端面の長辺と同じ方向になるため、複数のチップ部品を高さ方向に積み重ねず、複数のチップ部品を実装面に平行な方向に並べて配置する構成とした場合でも、実装面積の拡大が抑制される。複数のチップ部品を実装面に平行な方向に並べて配置する構成とした場合、そのようなセラミック電子部品は、チップ部品の数が変わっても実装の高さが変わらないため、低背の要求の厳しい装置に用いられる実装基板への実装に適している。また、複数のチップ部品を実装面に平行な方向に並べて配置する構成としたセラミック電子部品では、一対の嵌合アーム部の間には、嵌合方向に沿って１つだけのチップ部品が把持される構成となるため、チップ部品と金属端子部との接合信頼性が高く、衝撃や振動に対しても信頼性が高い。また、一対の嵌合アーム部が、嵌合方向に沿って１つだけのチップ部品を把持する金属端子部は、たとえチップ部品の第１辺が長い場合であっても、確実にチップ部品を把持することができる。

さらに、本発明におけるセラミック電子部品は、嵌合アーム部が、チップ端面の長辺である第１辺の両端側から、チップ部品を挟んで把持しているため、金属端子部が応力の緩和効果を効果的に発揮し、チップ部品から実装基板への振動の伝達を抑制し、音鳴きを防止することができる。

また、例えば前記チップ部品は内部電極層と誘電体層とが積層された積層コンデンサであり、
前記チップ部品における積層方向は、前記チップ第２辺に対して略平行であってもよい。

このようなセラミック電子部品では、内部電極層が実装面に対して垂直に配置される構成となるため、内部電極層が実装面に対して平行に配置されるものに比べて、ＥＳＬを下げることが可能である。また、嵌合アーム部に把持されるチップ第１辺は、積層方向に垂直であるため寸法バラツキが小さく。そのため、チップ部品における寸法ばらつきの少ない部分を把持することにより、金属端子部が、より確実にチップ部品を把持することができる。

また、例えば、前記電極対向部における前記チップ端面に面する部分には、第１貫通孔が形成されていてもよい。

このような第１貫通孔が形成されているセラミック電子部品では、たとえば金属端子部とチップ部品を組み立てた後に、チップ部品と金属端子部とを電気的および機械的に接続するハンダや導電性接着剤等を塗布することができるため、製造が容易である。また、チップ部品と金属端子とを電気的および機械的に接続する接合部材の状態を、セラミック電子部品の外部から視認することができるため、製造不良の発生を抑制することができる。

また、例えば、前記電極対向部には、前記チップ端面へ向かって突出し、前記チップ端面に接触する複数の突起が形成されていても良い。

電極対向部に突起が形成されていることにより、電極対向部とチップ端面とが直接接触する面積が低減するため、チップ部品の振動が実装基板に伝わる問題を防止し、セラミック電子部品の音鳴きを抑制することができる。また、電極対向部の突起により、電極対向部とチップ端面との間に隙間が形成される。したがって、突起によって、電極対向部とチップ端面との間に形成される隙間を調整することにより、チップ部品と金属端子部とを電気的および機械的に接続する接合部材の状態を制御し、チップ部品と金属端子との接合状態を好適に制御することができる。

また、例えば、前記電極対向部には、複数対の前記嵌合アーム部の一つである下部アーム部が接続する周縁部を有する第２貫通孔が形成されていてもよい。

このような第２貫通孔が形成されている金属端子部は、チップ部品を支持する下部アーム部の周辺が弾性変形しやすい形状となっているため、セラミック電子部品に生じる応力を緩和する作用や、振動を吸収する作用を、効果的に奏することができる。したがって、このような金属端子部を有するセラミック電子部品は、音鳴きを好適に防止することが可能であり、実装時における実装基板との接合信頼性が良好である。

また、例えば、複数対の前記嵌合アーム部の他の一つである上部アーム部は、前記電極対向部における他方の前記端子第２辺に接続していてもよく、
前記チップ部品は、前記上部アーム部と前記下部アーム部によって、前記端子第１辺の両端側から挟まれていてもよい。

実装部が一方の端子第２辺に接続しており、上部アーム部が他方のチップ第２辺に接続している金属端子部は、高さ方向（端子第１辺方向）の長さを短くすることが可能であり、このような金属端子部を有するセラミック電子部品は、低背化の点で有利である。このような金属端子部は、下部アーム部が端子第２辺に接続しない構成であるため、上部アーム部及び下部アーム部と、実装部との形成位置を、端子第２辺方向に関して重なる位置に設けることができる。したがって、このようなセラミック電子部品は、小型化の観点で有利である。

また、例えば、前記電極対向部は、前記チップ端面に面するプレート本体部と、前記プレート本体部より下方に位置し、前記プレート本体部と前記実装部とを接続する端子接続部とを有しており、
前記第２貫通孔は、前記第２貫通孔の周縁部が前記プレート本体部と前記端子接続部とに跨るように形成されており、
前記下部アーム部は、前記端子接続部から延びていてもよい。

下部アーム部が端子接続部３６から延びていることにより、これらがプレート本体部に接続している場合に比べて、チップコンデンサの端子電極と実装基板との伝送経路が短くなる。

また、例えば、前記電極対向部には、第１貫通孔と、複数対の前記嵌合アーム部の一つである下部アーム部が接続する周縁部を有しており前記第１貫通孔より前記実装部の近くに位置する第２貫通孔と、が形成されていてもよく、
前記第２貫通孔は、前記端子第２辺に平行な方向である幅方向の開口幅が、前記第１貫通孔より広くてもよい。

第１貫通孔と第２貫通孔の幅方向の開口幅は、特に限定されないが、第２貫通孔の開口幅を広くすることにより、金属端子部による応力緩和作用や、音鳴き防止効果を、効果的に高めることができる。また、第１貫通孔の開口幅を第２貫通孔より狭くすることにより、接合部材等によるチップ部品と電極対向部との接合強度が過度に高まることを防止することができるため、このようなセラミック電子部品は、音鳴きを抑制することができる。

図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略斜視図である。 図２は、図１に示すセラミック電子部品の正面図である。 図３は、図１に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図４は、図１に示すセラミック電子部品の上面図である。 図５は、図１に示すセラミック電子部品の底面図である。 図６は、図１に示すセラミック電子部品の模式断面図である。 図７は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略斜視図である。 図８は、図７に示すセラミック電子部品の正面図である。 図９は、図７に示すセラミック電子部品の左側面図である。 図１０は、図７に示すセラミック電子部品の上面図である。 図１１は、図７に示すセラミック電子部品の底面図である。 図１２は、第１変形例に係るセラミック電子部品の左側面図である。 図１３は、第２変形例に係るセラミック電子部品の左側面図である。 図１４は、比較例に係るセラミックコンデンサの斜視図である。 図１５は、実施例及び比較例に係るセラミックコンデンサのインピーダンス及び抵抗成分の測定結果を表すグラフである。

以下に、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０を示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ１０は、チップ部品としてのチップコンデンサ２０と、一対の金属端子部３０、４０とを有する。第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０は、２つのチップコンデンサ２０を有するが、セラミックコンデンサ１０が有するチップコンデンサ２０の数は、複数であれば特に限定されない。

なお、各実施形態の説明では、チップコンデンサ２０に金属端子部３０、４０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限られず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子部３０、４０が取り付けられたものであっても良い。また、各実施形態の説明においては、図１〜図１１に示すように、チップコンデンサ２０の第１側面２０ｃと第２側面２０ｄとを接続する方向（チップ第２辺２０ｈに平行な方向）をＸ軸方向とし、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを接続する方向（チップ第３辺２０ｊに平行な方向）をＹ軸方向とし、第３側面２０ｅと第４側面２０ｆを接続する方向（チップ第１辺２０ｇに平行な方向）をＺ軸方向として説明を行う。

チップコンデンサ２０は、略直方体形状であり、２つのチップコンデンサ２０は、互いに略同一の形状およびサイズを有している。図２に示すように、チップコンデンサ２０は、互いに対向する一対のチップ端面を有しており、一対のチップ端面は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとで構成されている。図１、図２及び図４に示すように、第１端面２０ａ及び第２端面２０ｂは略長方形であり、第１端面２０ａ及び第２端面２０ｂの長方形を構成する４辺のうち、長い方の一対の辺がチップ第１辺２０ｇ（図２参照）であり、短い方の一対の辺がチップ第２辺２０ｈ（図３参照）である。

チップコンデンサ２０は、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとが実装面に対して垂直になるように、言い換えると、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを繋ぐチップコンデンサ２０のチップ第３辺２０ｊが、セラミックコンデンサ１０の実装面と平行になるように配置されている。なお、セラミックコンデンサ１０の実装面は、後述する金属端子部３０、４０の実装部３８、４８が対向するように、セラミックコンデンサ１０がハンダ等によって取り付けられる面であり、図１に示すＸＹ平面に平行な面である。

図２に示すチップ第１辺２０ｇの長さＬ１と、図４に示すチップ第２辺２０ｈとの長さＬ２とを比較すると、チップ第２辺２０ｈの方がチップ第１辺２０ｇより短い（Ｌ１＞Ｌ２）。チップ第１辺２０ｇとチップ第２辺２０ｈとの長さの比は特に限定されないが、たとえばＬ２／Ｌ１は、０．３〜０．７程度である。

チップコンデンサ２０は、図２に示すように、チップ第１辺２０ｇが実装面に対して垂直になり、図４に示すように、チップ第２辺２０ｈが実装面に対して平行になるように配置される。したがって、第１端面２０ａと第２端面２０ｂとを接続する４つのチップ側面である第１〜第４側面２０ｃ〜２０ｆのうち、面積の広い第１側面２０ｃ及び第２側面２０ｄは実装面に対して垂直に配置され、第１側面２０ｃ及び第２側面２０ｄより面積が狭い第３側面２０ｅ及び第４側面２０ｆは、実装面に対して平行に配置される。また、第３側面２０ｅは、下方の実装部３８、４８とは反対方向を向く上方側面であり、第４側面２０ｆは、実装部３８、４８と向き合う下方側面である。

図１、図２及び図４に示すように、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２は、第１端面２０ａから第１〜第４側面２０ｃ〜２０ｆの一部に回り込むように形成されている。したがって、第１端子電極２２は、第１端面２０ａに配置される部分と、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆに配置される部分とを有する。

また、チップコンデンサ２０の第２端子電極２４は、第２端面２０ｂから側面２０ｃ〜２０ｆの他の一部（第１端子電極２２が回り込んでいる部分とは異なる部分）に回り込むように形成されている。したがって、第２端子電極２４は、第２端面２０ｂに配置される部分と、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆに配置される部分を有する（図１、図２及び図４参照）。また、第１側面２０ｃ〜第４側面２０ｆにおいて、第１端子電極２２と第２端子電極２４とは所定の距離を隔てて形成されている。

チップコンデンサ２０の内部構造を模式的に表す図６に示すように、チップコンデンサ２０は、内部電極層２６と誘電体層２８とが積層された積層コンデンサである。内部電極層２６は、第１端子電極２２に接続しているものと、第２端子電極２４に接続しているものとがあり、第１端子電極２２に接続する内部電極層２６と、第２端子電極２４に接続している内部電極層２６とが、誘電体層２８を挟んで交互に積層されている。

図６に示すように、チップコンデンサ２０における積層方向は、図４に示すチップ第２辺２０ｈに平行である。したがって、図６に示す内部電極層２６は、実装面に対して垂直に配置される。

チップコンデンサ２０における誘電体層２８の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層２８の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、好ましくは１．０〜５．０μｍである。また、誘電体層２８は、コンデンサの静電容量を大きくできるチタン酸バリウムを主成分とすることが好ましい。

内部電極層２６に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層２８の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層２６は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層２６の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。

第１及び第２端子電極２２、２４の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。第１及び第２端子電極２２、２４の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、第１及び第２端子電極２２、２４の表面には、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ等から選ばれる少なくとも１種の金属被膜が形成されていても良い。

チップコンデンサ２０の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ２０は、例えば、縦（Ｌ３）１．０〜６．５ｍｍ、好ましくは３．２〜５．９ｍｍ×横（Ｌ１）０．５〜５．５ｍｍ、好ましくは１．６〜５．２ｍｍ×厚み（Ｌ２）０．３〜３．２ｍｍ、好ましくは０．８〜２．９ｍｍ程度である。複数のチップコンデンサ２０を有する場合は、互いに大きさや形状が異なっていてもかまわない。

セラミックコンデンサ１０における一対の金属端子部３０、４０は、一対のチップ端面である第１及び第２端面２０ａ、２０ｂに対応して設けられる。すなわち、一対の金属端子部３０、４０の一方である第１金属端子部３０は、一対の端子電極２２、２４の一方である第１端子電極２２に対応して設けられており、一対の金属端子部３０、４０の他方である第２金属端子部４０は、一対の端子電極２２、２４の他方である第２端子電極２４に対応して設けられている。

第１金属端子部３０は、第１端子電極２２に対向する電極対向部３６と、チップコンデンサ２０をチップ第１辺２０ｇの両端側からＺ軸方向に挟んで把持する複数対の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂと、電極対向部３６からチップコンデンサ２０側へ延びており少なくとも一部が電極対向部３６に対して略垂直である実装部３８とを有する。

図２に示すように、電極対向部３６は、実装面に垂直であるチップ第１辺２０ｇに略平行な一対の端子第１辺３６ｇと、図３に示すように実装面に平行であるチップ第２辺２０ｈに略平行な一対の端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂとを有する略矩形平板状である。

図３及び第１変形例に関する図１３に示すように、実装面に平行である端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂの長さは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行に配置されるチップ第２辺２０ｈの長さＬ２を、セラミックコンデンサ１０、２００に含まれるチップコンデンサ２０の数に相当する回数積算した長さに対して同等であってもよく、僅かに短くてもよく、僅かに長くてもよい。

たとえば、図１２に示す第１変形例に係るセラミックコンデンサ２００では、セラミックコンデンサ２００がチップコンデンサを２つ含んでおり、実装面に平行である端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂの長さは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行に配置されるチップ第２辺２０ｈの長さＬ２の２倍より短い。なお、セラミックコンデンサ２００は、チップコンデンサにおけるチップ第２辺の長さが、実施形態に係るチップコンデンサ２０のチップ第２辺２０ｈの長さより長いことを除き、図１〜図７に示すセラミックコンデンサ１０と同様である。

一方、図３に示す第１実施形態では、セラミックコンデンサ１０がチップコンデンサを２つ含んでおり、実装面に平行である端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂの長さは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行に配置されるチップ第２辺２０ｈの長さＬ２の２倍より僅かに長い。図３及び図１２に示すように、金属端子３０、４０に対して組み合わせることのできるチップコンデンサの寸法は、１種類に限定されず、金属端子３０、４０は、チップ第２辺の長さが異なる複数種類のチップコンデンサに対応して、セラミックコンデンサを構成することが可能である。

電極対向部３６は、対向する第１端面２０ａに形成された第１端子電極２２に対して、電気的及び機械的に接続されている。例えば、図４に示す電極対向部３６と第１端子電極２２との隙間に、はんだや導電性接着剤等の導電性の接続部材を介在させて、電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続することができる。なお、第１金属端子部３０と第１端子電極２２との電気的な接続が、後述する嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂと第１端子電極２２との接触部分によって達成される場合は、電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続する接続部材として、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの非導電性接着剤等を用いてもよい。

また、電極対向部３６における第１端面２０ａに面する部分には、第１貫通孔３６ｂが形成されている。第１貫通孔３６ｂは、セラミックコンデンサ１０に含まれる各チップコンデンサ２０に対応するように２つ形成されているが、第１貫通孔３６ｂの形状及び数はこれに限定されない。

第１貫通孔３６ｂには、電極対向部３６と第１端子電極２２とを接続する接続部材が設けられている。接続部材は、はんだや導電性接着剤等の導電性の材料で構成されていることが好ましく、たとえばはんだからなる接続部材は、第１貫通孔３６ｂの周縁と第１端子電極２２との間にはんだブリッジを形成することにより、電極対向部３６と第１端子電極２２とを強く接合することができる。

また、電極対向部３６には、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａへ向かって突出し、第１端面２０ａに接触する複数の突起３６ａが形成されている。突起３６ａは、電極対向部３６と第１端子電極２２との接触面積を低減することにより、チップコンデンサ２０で発生した振動が第１金属端子部３０を介して実装基板に伝わることを防止し、セラミックコンデンサ１０の音鳴きを防止することができる。

また、突起３６ａを第１貫通孔３６ｂの周辺に形成することにより、はんだ等の接続部材が形成される範囲等を調整することが可能であり、このようなセラミックコンデンサ１０は、電極対向部３６と第１端子電極２２との接合強度を適切な範囲に調整しつつ、音鳴きを防止することができる。なお、セラミックコンデンサ１０では、１つの第１貫通孔３６ｂの周りに、４つの突起３６ａが形成されているが、突起３６ａの数及び配置は、これに限定されない。

電極対向部３６には、複数対の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂの一つである下部アーム部３１ｂ又は下部アーム部３３ｂが接続する周縁部を有する第２貫通孔３６ｃが形成されている。第２貫通孔３６ｃは、第１貫通孔３６ｂより実装部３８の近くに位置しており、第１貫通孔３６ｂとは異なり、はんだ等の接続部材は設けられていない。

このような第２貫通孔３６ｃが形成されている第１金属端子部３０は、チップコンデンサ２０を支持する下部アーム部３１ｂ、３３ｂの周辺が弾性変形しやすい形状となっているため、セラミックコンデンサ１０に生じる応力を緩和する作用や、チップコンデンサ２０の振動を吸収する作用を、効果的に奏することができる。したがって、このような第１金属端子部３０を有するセラミックコンデンサ１０は、音鳴きを好適に防止することが可能であり、また、実装時における実装基板との接合信頼性が良好である。

第２貫通孔３６ｃの形状は特に限定されないが、第２貫通孔３６ｃは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂに平行な方向（Ｘ軸方向）である幅方向の開口幅が、第１貫通孔３６ｂより広いことが好ましい。第２貫通孔３６ｃの開口幅を広くすることにより、第１金属端子部３０による応力緩和作用や、音鳴き防止効果を、効果的に高めることができる。また、第１貫通孔３６ｂの開口幅を第２貫通孔３６ｃより狭くすることにより、接合部材が広がりすぎることによってチップコンデンサ２０と電極対向部３６との接合強度が過度に高まることを防止することができるため、このようなセラミックコンデンサ１０は、音鳴きを抑制することができる。

電極対向部３６において、下部アーム部３１ｂが接続する第２貫通孔３６ｃは、実装部３８が接続する下方の端子第２辺３６ｈｂに対して、高さ方向に所定の距離を離して形成されており、第２貫通孔３６ｃと端子第２辺３６ｈｂの間には、スリット３６ｄが形成されている。スリット３６ｄは、電極対向部３６において、実装部３８の近くに位置する下部アーム部３１ｂの電極対向部３６に対する接続位置（第２貫通孔３６ｃの周縁部下辺）と、実装部３６が接続する下方の端子第２辺３６ｈｂとの間に形成されている。スリット３６ｄは、端子第２辺３６ｈａ、３６ｈｂと平行な方向に延びている。スリット３６ｄは、セラミックコンデンサ１０を実装基板に実装する際に使用されるはんだが、電極対向部３６をはい上がることを防止し、下部アーム部３１ｂ、３３ｂや第１端子電極２２まで繋がるはんだブリッジを形成することを防止できる。したがって、このようなスリット３６ｄが形成されたセラミックコンデンサ１０は、音鳴きを抑制する効果を奏する。

図１及び図２に示すように、第１金属端子部３０の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂは、電極対向部３６からチップコンデンサ２０のチップ側面である第３側面２０ｅ又は第４側面２０ｆに延びている。嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂの１つである下部アーム部３１ｂ（又は下部アーム部３３ｂ）は、電極対向部３６に形成された第２貫通孔３６ｃの周縁部に接続している。また、嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂの他の一つである上部アーム部３１ａ（又は上部アーム部３３ａ）は、電極対向部３６における上方（Ｚ軸正方向側）の端子第２辺３６ｈａに接続している。

図１に示すように、電極対向部３６は、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに面しており第１端面２０ａと重複する高さに位置するプレート本体部３６ｊと、プレート本体部３６ｊより下方に位置しておりプレート本体部３６ｊと実装部３８とを接続する端子接続部３６ｋを有する。第２貫通孔３６ｃは、その周縁部がプレート本体部３６ｊと端子接続部３６ｋとに跨るように形成されており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、端子接続部３６ｋから延びている。すなわち、下部アーム部３１ｂ、３３ｂの基端は、第２貫通孔３６ｃにおける略矩形の周縁部における下辺に接続しており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂは、その基端から上方（Ｚ軸正方向）かつ内側（Ｙ軸負方向）へ屈曲しながら延びて、チップコンデンサ２０の第４側面２０ｆに接触し、チップコンデンサ２０を下方から支持する（図２参照）。したがって、チップコンデンサ２０の第１側面２０ａの下端（下方のチップ第２辺２０ｈ）は、下部アーム部３１ｂ、３３ｂの基端である第２貫通孔２６ｃの周縁部の下辺より上方に位置する。また、図３に示すように、チップコンデンサをＹ軸正方向から見た場合、第２貫通孔３６ｃを通してセラミックコンデンサ１０の側方から、チップコンデンサ２０の第１側面２０ａの下端（下方のチップ第２辺２０ｈ）を、視認することができる。

図１に示すように、上部アーム部３１ａと下部アーム部３１ｂとが対を成して１つのチップコンデンサ２０を把持しており、上部アーム部３３ａと下部アーム部３３ｂとが対を成して他の１つのチップコンデンサ２０を把持している。第１金属端子部３０では、一対の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ（又は嵌合アーム部３３ａ、３３ｂ）が、複数ではなく１つのチップコンデンサ２０を把持しているため、各チップコンデンサ２０を確実に把持することができる。また、一対の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂは、第１端面２０ａの短辺であるチップ第２辺２０ｈではなく、長辺であるチップ第１辺２０ｇの両端側からチップコンデンサ２０を把持している。これにより、上部アーム部３１ａ、３３ａと下部アーム部３１ｂ、３３ｂとの間隔が長くなり、チップコンデンサ２０の振動を吸収しやすくなるので、セラミックコンデンサ１０は、音鳴きを好適に防止できる。

なお、チップコンデンサ２０を把持しており対を成す上部アーム部３１ａと下部アーム部３１ｂとは、互いに非対称な形状を有していてもよく、幅方向の長さ（Ｘ軸方向の長さ）が互いに異なっていてもよい。また、下部アーム部３１ｂ、３３ｂが端子接続部３６から延びていることにより、これらがプレート本体部３６ｊに接続している場合に比べて、チップコンデンサ２０の第１端子電極２２と実装基板との伝送経路が短くなる。

実装部３８は、電極対向部３６における下方（Ｚ軸負方向側）の端子第２辺３６ｈｂに接続している。実装部３８は、下方の端子第２辺３６ｈｂからチップコンデンサ２０側（Ｙ軸負方向側）へ延びており、電極対向部３６に対して略垂直に曲がっている。なお、実装部３８におけるチップコンデンサ２０側の表面である実装部３８の上面は、チップコンデンサ２０を基板に実装する際に使用されるはんだの過度な回り込みを防止する観点から、実装部３８の下面より、はんだに対する濡れ性が低いことが好ましい。

セラミックコンデンサ１０は、図１及び図２に示すように、実装部３８が下方を向く姿勢で実装基板等の実装面に実装されるため、セラミックコンデンサ１０では、Ｚ軸方向の長さが、実装時の高さとなる。セラミックコンデンサ１０では、実装部３８が電極対向部３６における一方の端子第２辺３６ｈｂに接続しており、上部アーム部３１ａ、３３ａが他方の端子第２辺３６ｈａに接続しているため、Ｚ軸方向の長さに無駄がなく、低背化に対して有利である。

また、実装部３８が、電極対向部３６における一方の端子第２辺３６ｈｂに接続しているため、実装部３８が電極対向部３６における端子第１辺３６ｇに接続する従来技術に比べてＺ軸方向からの投影面積が狭く、実装面積を狭くすることが可能である。また、図１及び図５等に示すように、チップコンデンサ２０の第１〜第４側面２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆのうち、面積の狭い第３側面２０ｅ及び第４側面２０ｆが実装面と平行に配置されるため、チップコンデンサ２０を高さ方向に重ねて配置しない構成であっても、実装面積を狭くすることができる。

図１及び図２に示すように、第２金属端子部４０は、第２端子電極２４に対向する電極対向部４６と、チップコンデンサ２０をチップ第１辺２０ｇの両端側からＺ軸方向に挟んで把持する複数対の嵌合アーム部４１ａ、４１ｂ、４３ａと、電極対向部４６からチップコンデンサ２０側へ延びており少なくとも一部が電極対向部４６に対して略垂直である実装部４８とを有する。

第２金属端子部４０の電極対向部４６は、第１金属端子部３０の電極対向部３６と同様に、チップ第１辺２０ｇに略平行な一対の端子第１辺４６ｇと、チップ第２辺２０ｈに略平行な端子第２辺４６ｈａとを有しており、電極対向部４６には、突起４６ａ、第１貫通孔、第２貫通孔及びスリット４６ｄが形成されている。図１に示すように、第２金属端子部４０は、第１金属端子部３０に対して対称に配置されており、チップコンデンサ２０に対する配置が第１金属端子部３０とは異なる。しかし、第２金属端子部４０は、配置が異なるだけで、第１金属端子部３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第１金属端子部３０および第２金属端子部４０の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。特に、第１及び第２金属端子部３０、４０の材質をりん青銅とすることが、第１及び第２金属端子部３０、４０の比抵抗を抑制し、セラミックコンデンサ１０のＥＳＲを低減する観点から好ましい。

以下に、セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。

積層セラミックチップコンデンサ２０の製造方法
積層セラミックチップコンデンサ２０の製造では、まず、焼成後に内部電極層２６となる電極パターンが形成されたグリーンシート（焼成後に誘電体層２８となる）を積層して積層体を作製したのち、得られた積層体を加圧・焼成することによりコンデンサ素体を得る。さらに、コンデンサ素体に第１端子電極２２及び第２端子電極２４を、端子電極用塗料焼き付け及びめっき等により形成することにより、チップコンデンサ２０を得る。積層体の原料となるグリーンシート用塗料や内部電極層用塗料、端子電極の原料並びに積層体及び電極の焼成条件等は特に限定されず、公知の製造方法等を参照して決定することができる。本実施形態においては、誘電体材料としてチタン酸バリウムを主成分とするセラミックグリーンシートを用いた。また、端子電極は、Ｃｕペーストを浸漬、焼付処理することで焼付層を形成し、さらに、Ｎｉめっき、Ｓｎめっき処理を行なうことで、Ｃｕ焼付層／Ｎｉめっき層／Ｓｎめっき層を形成した。

金属端子部３０、４０の製造方法
第１金属端子部３０の製造では、まず、平板状の金属板材を準備する。金属板材の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えば鉄、ニッケル、銅、銀等若しくはこれらを含む合金を用いることができる。次に、金属板材を機械加工することにより、嵌合アーム部３１ａ〜３３ｂや電極対向部３６、実装部３８等の形状を形成した中間部材を得る。

次に、機械加工により形成された中間部材の表面に、めっきによる金属被膜を形成することにより、第１金属端子部３０を得る。めっきに用いる材料としては、特に限定されないが、例えばＮｉ、Ｓｎ、Ｃｕ等が挙げられる。また、めっき処理の際、実装部３８の上面にレジスト処理を施すことにより、めっきが実装部３８の上面に付着することを防止することができる。これにより、実装部３８の上面と下面のはんだに対する濡れ性に差異を発生させることができる。なお、中間部材全体にめっき処理を施して金属被膜を形成した後、実装部３８の上面に形成された金属被膜のみをレーザー剥離等で除去しても、同様の差異を発生させることができる。

なお、第１金属端子部３０の製造では、帯状に連続する金属板材から、複数の第１金属端子部３０が、互いに連結された状態で形成されてもよい。互いに連結された複数の第１金属端子部３０は、チップコンデンサ２０との接続前、又はチップコンデンサ２０に接続された後に、個片に切断される。
第２金属端子部４０の製造方法も、第１金属端子部３０と同様である。

セラミックコンデンサ１０の組み立て
上述のようにして得られたチップコンデンサ２０を２つ準備し、図１に示すように第２側面２０ｄと第１側面２０ｃとが接触するように配列して保持する。そして、第１端子電極２２と第２端子電極２４に、それぞれ第１金属端子部３０と第２金属端子部４０を取り付ける。さらに、第１及び第２金属端子部３０、４０の第１貫通孔３６ｂにはんだ等の接続部材を塗布し、はんだを電極対向部３６、４６と第１端子電極２２及び第２端子電極２４の間に介在させる。これにより、第１及び第２金属端子部３０、４０をチップコンデンサ２０の第１端子電極２２及び第２端子電極２４に電気的及び機械的に接続し、セラミックコンデンサ１０を得る。

なお、はんだ等の接続部材は、第１及び第２金属端子部３０、４０をチップコンデンサ２０に対して取り付ける前に、各金属端子部３０、４０における第１及び第２端子電極２２、２４に対向する電極対向部３６、４６に予め塗布しておき、組み立て後に再溶融させてもよい。なお、必要に応じて、第１及び第２端子電極２２、２４と、これに係合している嵌合アーム部３１ａ〜３３ｂ、４１ａ〜４３ａとを、いずれか又は双方の表面に形成された金属メッキを溶解させることにより、溶着させても良い。

このようにして得られるセラミックコンデンサ１０は、セラミックコンデンサ１０の高さ方向が、チップコンデンサ２０の長辺であるチップ第１辺２０ｇの方向と同じ方向であり、しかも、実装部３８、４８が端子第２辺３６ｈｂからチップコンデンサ２０の下方に曲げられて形成されているため、セラミックコンデンサ１０における高さ方向からの投影面積が狭い（図４及び図５参照）。したがって、このようなセラミックコンデンサ１０は、実装面積を狭くすることができる。

また、複数のチップコンデンサ２０を実装面に平行な方向に並べて配置する構成としたセラミックコンデンサ１０では、たとえば一対の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂの間には、嵌合方向（Ｚ軸方向）に沿って１つだけのチップコンデンサ２０が把持される構成となるため、チップコンデンサ２０と金属端子部３０、４０との接合信頼性が高く、衝撃や振動に対する信頼性が高い。

さらに、複数のチップコンデンサ２０を実装面に平行な方向に配列し、かつ、チップコンデンサ２０の積層方向を実装面と平行な方向にしたことにより、セラミックコンデンサ１０の伝送経路が短くなるため、セラミックコンデンサ１０は、低ＥＳＬを実現できる。また、チップコンデンサ２０を把持する方向が、チップコンデンサ２０の積層方向とは直交する方向であるため、把持されるチップコンデンサ２０の積層数が変化し、チップコンデンサ２０のチップ第２辺２０ｈの長さＬ２が変化した場合であっても、第１及び第２金属端子部３０、４０は、問題なくチップコンデンサ２０を把持することができる。このように、セラミックコンデンサ１０では、第１及び第２金属端子部３０、４０が、多様な積層数のチップコンデンサ２０を把持することが可能であるため、設計変更に柔軟に対応することができる。

また、セラミックコンデンサ１０は、上部アーム部３１ａ、３３ａと下部アーム部３１ｂ、３３ｂとが、チップコンデンサ２０における第１端面２０ａの長辺であるチップ第１辺２０ｇの両端側から、チップコンデンサ２０を挟んで把持している。このため、第１及び第２金属端子部３０、４０が応力の緩和効果を効果的に発揮し、チップコンデンサ２０から実装基板への振動の伝達を抑制し、音鳴きを防止することができる。特に、下部アーム部３１ｂ、３３ｂが第２貫通孔３６ｃの周縁部に接続していることにより、チップコンデンサ２０を支持する下部アーム部３１ｂ、３３ｂ及び下部アーム部３１ｂ、３３ｂを支える電極対向部３６、４６が、弾性変形しやすい形状となっている。したがって、第１及び第２金属端子部３０、４０は、セラミックコンデンサ１０に生じる応力を緩和する作用や、振動を吸収する作用を、効果的に奏することができる。

また、第２貫通孔３６ｃの周縁部に下部アーム部３１ｂ、３３ｂが接続していることにより、セラミックコンデンサ１０では、実装面に垂直な方向（Ｚ軸方向）から見た場合、下部アーム部３１ｂ、３３ｂを、実装部３８に対して重なる位置に配置することが可能である（図５参照）。したがって、セラミックコンデンサ１０は、実装部３８を広くすることが可能であり、また、小型化の観点で有利である。

また、電極対向部３６に第１貫通孔３６ｂが形成されているセラミックコンデンサ１０は、例えば第１貫通孔３６ｂにはんだのような接続部材を塗布して第１貫通孔３６ｂの周縁部と第１端子電極２２との間に、はんだブリッジを形成させることで、第１及び第２金属端子部３０、４０とチップコンデンサ２０とを、確実に接続することが可能である。また、第１貫通孔３６ｂが形成されていることにより、たとえチップコンデンサ２０と第１及び第２金属端子部３０、４０とを組み立てた後であっても、第１および第２端子電極２２、２４と電極対向部３６、４６との間に、はんだ等の接続部材を容易に介在させることができる。また、このような第１貫通孔３６ｂが形成されていることにより、セラミックコンデンサ１０は、第１及び第２金属端子部３０、４０とチップコンデンサ２０との接合状態を、外部から容易に視認することができるため、品質のばらつきを低減し、良品率を向上させることが可能である。

第２実施形態
図７は、本発明の第２実施形態に係るセラミックコンデンサ１００の概略斜視図であり、図８、図９、図１０、図１１は、それぞれセラミックコンデンサ１００の正面図、左側面図、上面図及び底面図である。図７に示すように、セラミックコンデンサ１００は、３つのチップコンデンサ２０を有している点と、第１金属端子部１３０及び第２金属端子部１４０に含まれる第１貫通孔３６ｂ等の数が異なる他は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。したがって、セラミックコンデンサ１００の説明においては、セラミックコンデンサ１０と同様の部分については、セラミックコンデンサ１０と同様の符号を付し、説明を省略する。

図７に示すように、セラミックコンデンサ１００に含まれるチップコンデンサ２０は、図１に示すセラミックコンデンサ１０に含まれるチップコンデンサ２０と同様である。セラミックコンデンサ１００に含まれる３つのチップコンデンサ２０は、図８に示すように、チップ第１辺２０ｇが実装面に対して垂直になり、図１０に示すように、チップ第２辺２０ｈが実装面に対して平行になるように配置される。セラミックコンデンサ１００に含まれる３つのチップコンデンサ２０は、隣接するチップコンデンサ２０の第１端子電極２２同士が互いに接触し、隣接するチップコンデンサ２０の第２端子電極２４同士が互いに接触するように、実装面に平行に配列されている。

セラミックコンデンサ１００に含まれる第１金属端子部１３０は、第１端子電極２２に対向する電極対向部１３６と、チップコンデンサ２０を把持する３対の嵌合アーム部３１ａ、３１ｂ、３３ａ、３３ｂ、３５ａ、３５ｂと、電極対向部１３６における端子第２辺１３６ｈｂからチップコンデンサ２０側へ垂直に曲がっている実装部１３８とを有する。電極対向部１３６は略矩形平板状であり、チップ第１辺２０ｇに略平行な一対の端子第１辺１３６ｇと、チップ第２辺２０ｈに略平行な一対の端子第２辺１３６ｈａ、１３６ｈｂとを有する。

図９に示すように、第１金属端子部１３０には、図３に示す第１金属端子部３０と同様に、突起３６ａ、第１貫通孔３６ｂ、第２貫通孔３６ｃおよびスリット３６ｄが形成されている。ただし、第１金属端子部１３０には、第１貫通孔３６ｂ、第２貫通孔３６ｃおよびスリット３６ｄが３つずつ形成されており、１つの第１貫通孔３６ｂ、第２貫通孔３６ｃおよびスリット３６ｄが、１つのチップコンデンサ２０に対応している。また、第１金属端子部１３０には、合計１２個の突起３６ａが形成されており、４つの突起３６ａが１つのチップコンデンサ２０に対応している。

また、図１０に示すように、第１金属端子部１３０において、上部アーム部３１ａ及び下部アーム部３１ｂは１つのチップコンデンサ２０を把持しており、上部アーム部３３ａ及び下部アーム部３３ｂは他の１つのチップコンデンサ２０を把持しており、上部アーム部３５ａ及び下部アーム部３５ｂは上記２つとは異なる他の１つのチップコンデンサ２０を把持している。上部アーム部３１ａ、３３ａ、３５ａは、電極対向部３６における上方（Ｚ軸正方向側）の端子第２辺１３６ｈａに接続しており、下部アーム部３１ｂ、３３ｂ、３５ｂは第２貫通孔３６ｃの周縁部に接続している。

図８及び図１１に示すように、第１金属端子部１３０の実装部１３８は、電極対向部１３６における下方（Ｚ軸負方向側）の端子第２辺１３６ｈｂに接続している。実装部１３８は、下方の端子第２辺１３６ｈｂからチップコンデンサ２０側（Ｙ軸負方向側）へ延びており、電極対向部１３６に対して略垂直に曲がっている。

第２金属端子部１４０は、第２端子電極２４に対向する電極対向部１４６と、チップコンデンサ２０をチップ第１辺２０ｇの両端側からＺ軸方向に挟んで把持する複数対の嵌合アーム部１４１ａ、１４３ａ、１４５ａと、電極対向部１４６からチップコンデンサ２０側へ延びており少なくとも一部が電極対向部１４６に対して略垂直である実装部１４８とを有する。

第２金属端子部１４０の電極対向部１４６は、第１金属端子部１３０の電極対向部３６と同様に、チップ第１辺２０ｇに略平行な一対の端子第１辺１４６ｇと、チップ第２辺２０ｈに略平行な端子第２辺１４０ｈａとを有しており、電極対向部１４６には、突起４６ａ、第１貫通孔、第２貫通孔及びスリットが形成されている。図７に示すように、第２金属端子部１４０は、第１金属端子部１３０に対して対称に配置されており、チップコンデンサ２０に対する配置が第１金属端子部１３０とは異なる。しかし、第２金属端子部１４０は、配置が異なるだけで、第１金属端子部１３０と同様の形状を有するため、詳細については説明を省略する。

第２実施形態に係るセラミックコンデンサ１００も、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。なお、セラミックコンデンサ１００において、第１金属端子部１３０に含まれる上部アーム部３１ａ〜３３ａ、下部アーム部３１ｂ〜３３ｂ、第１貫通孔３６ｂ、第２貫通孔３６ｃ及びスリット３６ｄの数は、セラミックコンデンサ１００に含まれるチップコンデンサ２０の数と同様であるが、セラミックコンデンサ１００に含まれる嵌合アーム部等の数はこれに限定されない。たとえば、第１金属端子部１３０には、チップコンデンサ２０の２倍の数の第１貫通孔３６ｂが形成されていてもよく、連続する１つの長いスリット３６ｄが形成されていてもよい。

その他の実施形態
以上のように、本発明を実施形態を挙げて説明してきたが、本発明は上述した実施形態のみに限定されるものではなく、本発明には他の多くの変形例が含まれることは言うまでもない。たとえば、図１に示す第１金属端子部３０には、突起３６ａ、第１貫通孔３６ｂ、第２貫通孔３６ｃおよびスリット３６ｄが全て形成されているが、第１金属端子部としてはこれに限定されず、これらのうち１つ又は複数の部分が形成されていない変形例も、本発明に係る第１金属端子部に含まれる。

また、図１〜図１１では、第１金属端子部３０、１３０又は第２金属端子部４０、１４０とチップコンデンサ２０とを接続する接続部材については図示していないが、はんだ等の接続部材の形状、大きさ及び種類は、セラミックコンデンサ１０、１００の大きさや、セラミックコンデンサ１０、１００の用途等に応じて、適宜調整される。

図１３は、第２変形例に係るセラミックコンデンサ３００を示す左側面図である。第２変形例に係るセラミックコンデンサ３００は、第１及び第２金属端子部３３０に形成されたスリット３３６ｄの形状が異なることを除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様である。図１３に示すように、第１及び第２金属端子部３３０には、Ｘ軸方向に連続する１つのスリット３３６ｄが、２つの第２貫通孔３６ｃの下方に形成されている。このように、スリット３３６ｄは、チップコンデンサ２０の第１端面２０ａに対向する部分の下端（下方のチップ第２辺２０ｈ）と端子第２辺３６ｈｂとの間（すなわち端子接続部３６ｋ）に形成されている限り、その形状及び数は限定されない。

以下に、実施例を挙げて詳細に説明を行うが、本発明はこれらの実施例に限定されない。

実施例に係るセラミックコンデンサについて、インピーダンスＺと抵抗成分Ｒｓを測定した。実施例に係るセラミックコンデンサは、図１に示すセラミックコンデンサ１００と同じ形状を有する。インピーダンスＺと抵抗成分Ｒｓの測定は、セラミックコンデンサの実装部を実装基板にはんだ付けした状態で行った。実施例に係るセラミックコンデンサのサイズ及び実施例の測定条件は以下の通りである。
実施例
＜セラミックコンデンサ全体サイズ＞
５．０×６．０×６．４ｍｍ
＜チップ部品＞
サイズ：（Ｌ３×Ｌ１×Ｌ２）５．７×５．０×２．５ｍｍ
静電容量：１５μＦ
＜金属端子＞
材質：３層クラッド材 Ｃｕ−ＮｉＦｅ−Ｃｕ
電極対向部３６サイズ：（Ｚ軸方向（端子第１辺３６ｇ）×Ｘ軸方向（端子第２辺３６ｈａ）×板厚）６．３×５．０×０．１ｍｍ
アーム３３ａサイズ：（Ｘ方向×Ｙ方向）０．９×０．９ｍｍ
実装部サイズ：（Ｙ方向）１．２ｍｍ
＜測定条件＞
周波数：１００Ｈｚ〜１０ＭＨｚ
温度：２５℃

比較例
比較例に係るセラミックコンデンサについて、実施例と同様にしてインピーダンスＺと抵抗成分Ｒｓを測定した。図１４に示すように、比較例に係るセラミックコンデンサ５００は、Ｌ字形状の金属端子５０１、５０２を用いている。セラミックコンデンサ５００が有するチップコンデンサ２０は、実施例に係るセラミックコンデンサが有するチップコンデンサ２０と同様である。しかし、セラミックコンデンサ５００において、チップコンデンサ２０は、チップ端面を構成する長方形の長辺であるチップ第１辺２０ｇが、実装面に対して水平になるように配置されており、２つのチップコンデンサ２０が、実装面と垂直な方向（Ｚ軸方向）に重ねて配置されている。チップコンデンサ２０は、金属端子５０１、５０２の電極対向部５１０に、はんだで固定されている。
＜セラミックコンデンサ全体サイズ＞
５．０×６．０×６．５ｍｍ
＜チップ部品＞
実施例と同様
＜金属端子＞
材質：３層クラッド材 Ｃｕ−ＮｉＦｅ−Ｃｕ
電極対向部サイズ：（Ｚ軸方向×Ｘ軸方向×板厚）６．３×５．０×０．１ｍｍ
アームなし
実装部サイズ：（Ｙ方向）１．６ｍｍ

実施例と比較例に係るセラミックコンデンサを用いて測定されたインピーダンスＺと抵抗成分Ｒｓをグラフにしたものを、図１５に示す。図１５に示すグラフにおいて、縦軸はインピーダンスＺ及び抵抗成分Ｒｓであり、横軸は周波数である。実施例に係るセラミックコンデンサで測定されたインピーダンスＺは、共振点で１つの極値（極小値）を有するのに対して、比較例に係るセラミックコンデンサで測定されたインピーダンスＺは、共振点より高い領域にも、他の複数の極値が現れた。インピーダンスＺにＥＳＬの影響が現れる共振点より高い領域では、実施例に係るセラミックコンデンサの方が、比較例に係るセラミックコンデンサに比べてインピーダンスＺの値が小さく、実施例に係るセラミックコンデンサは、比較例に比べて低ＥＳＬであることが理解できる。

１０、１００…セラミックコンデンサ
２０…チップコンデンサ
２０ａ…第１端面
２０ｂ…第２端面
２０ｃ…第１側面
２０ｄ…第２側面
２０ｅ…第３側面
２０ｆ…第４側面
２０ｇ…チップ第１辺
２０ｈ…チップ第２辺
２０ｊ…チップ第３辺
２２…第１端子電極
２４…第２端子電極
２６…内部電極層
２８…誘電体層
３０、１３０、４０、１４０…金属端子部
３１ａ、３３ａ、３５ａ、４１ａ、４３ａ、４５ａ…上部アーム部（嵌合アーム部）
３１ｂ、３３ｂ、３５ｂ…下部アーム部（嵌合アーム部）
３６、１３６、４６、１４６…電極対向部
３６ａ、４６ａ…突起
３６ｂ…第１貫通孔
３６ｃ…第２貫通孔
３６ｄ、４６ｄ…スリット
３６ｇ…端子第１辺
３６ｈａ、３６ｈｂ…端子第２辺
３８、１３８、４８、１４８…実装部

Claims (7)

1. 一対のチップ第１辺及び前記チップ第１辺より短い一対のチップ第２辺を有する略長方形の一対のチップ端面に端子電極が形成されており、一対の前記チップ端面及び一対の前記チップ端面を接続する４つのチップ側面からなる略直方体形状である複数のチップ部品と、一対の前記チップ端面に対応して設けられる一対の金属端子部と、を有し、
   一対の前記金属端子部は、それぞれ、
   前記チップ第１辺に略平行な一対の端子第１辺と、前記チップ第２辺に略平行な一対の端子第２辺とを有する略矩形平板状であって、前記チップ端面に対向する電極対向部と、
   前記電極対向部から前記チップ側面へ延びており、前記チップ部品を前記チップ第１辺の両端側から挟んで把持する複数対の嵌合アーム部と、
   前記電極対向部における一方の前記端子第２辺に接続しており、一方の前記端子第２辺から前記チップ部品側へ延びており、少なくとも一部が前記電極対向部に対して略垂直である実装部と、を有し、
   前記複数のチップ部品は、それぞれの前記チップ第２辺が、水平方向に沿って並ぶように、配列されており、
   前記電極対向部には、第１貫通孔と、複数対の前記嵌合アーム部の一つである下部アーム部が接続する周縁部を有しており前記第１貫通孔より前記実装部の近くに位置する第２貫通孔と、が、各前記チップ部品に対応して複数ずつ形成されており、
   前記第２貫通孔は、前記端子第２辺に平行な方向である幅方向の開口幅が、前記第１貫通孔より広いことを特徴とするセラミック電子部品。
2. 前記チップ部品は内部電極層と誘電体層とが積層された積層コンデンサであり、
   前記チップ部品における積層方向は、前記チップ第２辺に対して略平行であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記電極対向部における前記チップ端面に面する部分には、第１貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のセラミック電子部品。
4. 前記電極対向部には、前記チップ端面へ向かって突出し、前記チップ端面に接触する複数の突起が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
5. 前記電極対向部には、複数対の前記嵌合アーム部の一つである下部アーム部が接続する周縁部を有する第２貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかに記載のセラミック電子部品。
6. 複数対の前記嵌合アーム部の他の一つである上部アーム部は、前記電極対向部における他方の前記端子第２辺に接続しており、
   前記チップ部品は、前記上部アーム部と前記下部アーム部によって、前記端子第１辺の両端側から挟まれていることを特徴とする請求項５に記載のセラミック電子部品。
7. 前記電極対向部は、前記チップ端面に面するプレート本体部と、前記プレート本体部より下方に位置し、前記プレート本体部と前記実装部とを接続する端子接続部とを有しており、
   前記第２貫通孔は、当該第２貫通孔の周縁部が前記プレート本体部と前記端子接続部とに跨るように形成されており、
   前記下部アーム部は、前記端子接続部から延びていることを特徴とする請求項６に記載のセラミック電子部品。

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