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JP6842878B2 - Adhesive composition and its use - Google Patents

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JP6842878B2 JP2016206341A JP2016206341A JP6842878B2 JP 6842878 B2 JP6842878 B2 JP 6842878B2 JP 2016206341 A JP2016206341 A JP 2016206341A JP 2016206341 A JP2016206341 A JP 2016206341A JP 6842878 B2 JP6842878 B2 JP 6842878B2
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Description

本発明は、接着剤組成物、及びその利用に関する。 The present invention relates to an adhesive composition and its use.

半導体素子(電子部品)を含む半導体パッケージ(半導体装置)としては、WLP(Wafer Level Package)、PLP(Panel Level Package)等が知られている。WLP及びPLP等の半導体パッケージには、ベアチップの端部にある端子をチップエリア内に再配置する、ファンイン型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等のファンイン型技術と、チップエリア外に端子を再配置する、ファンアウト型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等のファンアウト型技術とが知られている。特に、ファンアウト型技術は、パネル上に半導体素子を配置してパッケージ化するファンアウト型PLP(Fan-out Panel Level Package)に応用されており、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するため、これらのようなファンアウト型技術が注目を集めている。 As a semiconductor package (semiconductor device) including a semiconductor element (electronic component), WLP (Wafer Level Package), PLP (Panel Level Package) and the like are known. For semiconductor packages such as WLP and PLP, fan-in type technology such as fan-in type WLP (Fan-in Wafer Level Package) that rearranges the terminals at the end of the bare chip in the chip area and outside the chip area Fan-out type technologies such as fan-out type WLP (Fan-out Wafer Level Package) for rearranging terminals are known. In particular, the fan-out type technology has been applied to a fan-out type PLP (Fan-out Panel Level Package) in which semiconductor elements are arranged and packaged on a panel, and semiconductor devices are integrated, thinned, and miniaturized. Fan-out technologies such as these are attracting attention in order to realize this.

特許文献1には、シクロオレフィン構造を有するポリマーと、当該ポリマーに相溶する(メタ)アクリレートモノマーとを含むことを特徴とする接着剤組成物が記載されている。 Patent Document 1 describes an adhesive composition containing a polymer having a cycloolefin structure and a (meth) acrylate monomer compatible with the polymer.

特開2014−105316号公報(平成26年6月9日公開)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-105316 (published on June 9, 2014)

しかしながら、半導体装置の集積化、薄型化及び小型化等を実現するための半導体パッケージ技術の高度化に伴い、特許文献1に記載の接着剤組成物よりも、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる新規な接着剤組成物が求められている。 However, with the advancement of semiconductor packaging technology for realizing integration, thinning, and miniaturization of semiconductor devices, higher heat resistance and higher chemical resistance than the adhesive composition described in Patent Document 1 have been achieved. There is a demand for a novel adhesive composition capable of forming an adhesive layer having high detergency.

本発明は、前記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた接着層を形成することができる新規な接着剤組成物及びその関連技術を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is a novel adhesive composition capable of forming an adhesive layer having high heat resistance, high chemical resistance, and high detergency. And its related technology.

上記の課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴としている。
In order to solve the above problems, the adhesive composition according to the embodiment of the present invention is used.
An adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
The glass transition temperature of the adhesive layer is 160 ° C. or higher, and the adhesive layer contains a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher as a resin component.

または、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物は、
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該ガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴としている。
Alternatively, the adhesive composition according to one embodiment of the present invention may be used.
An adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
The adhesive layer contains, as a resin component, a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher, and a polyfunctional curable monomer.
The glass transition temperature when the adhesive layer is cured by the polymerization of the polyfunctional curable monomer is 160 ° C. or higher.

本発明に係る接着剤組成物は、高い耐熱性、高い耐薬品性、高い洗浄性を備えた新規な接着剤組成物、及びその関連技術を提供することできるという効果を奏する。 The adhesive composition according to the present invention has the effect of being able to provide a novel adhesive composition having high heat resistance, high chemical resistance, and high detergency, and related techniques thereof.

本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the laminated body and the substrate processing method which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the laminated body and the substrate processing method which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法について説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing method of the laminated body and the substrate processing method which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法の概略について説明する図である。It is a figure explaining the outline of the manufacturing method of the laminated body which concerns on one Embodiment of this invention. 圧縮型による素子の封止に対する適応性評価における、接着層上の素子の配置の概略について説明する図である。It is a figure explaining the outline of the arrangement of the element on the adhesive layer in the evaluation of adaptability to the sealing of an element by a compression type.

以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

<接着剤組成物(実施形態1)>
本発明の一実施形態(実施形態1)に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、当該接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいる。
<Adhesive Composition (Embodiment 1)>
The adhesive composition according to one embodiment (Embodiment 1) of the present invention is an adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order. Therefore, the glass transition temperature of the adhesive layer is 160 ° C. or higher, and the adhesive layer contains a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher as a resin component.

なお、接着剤組成物によって形成される接着層のガラス転移温度は、公知の方法として、例えば、動的機械分析(Dynamic Mechanical Analysis)が挙げられ、周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、25℃から300℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づいて求めることができる。 As a known method, the glass transition temperature of the adhesive layer formed by the adhesive composition is, for example, dynamic mechanical analysis (Dynamic Mechanical Analysis), and the temperature is 5 ° C./min under the condition of a frequency of 1 Hz. It can be obtained based on the change in viscoelasticity measured by raising the temperature from 25 ° C. to 300 ° C. at the rate of temperature rise.

なお、本明細書において、特に説明が無いかぎり、「樹脂成分」とは、シクロオレフィンポリマー、及び、後述する硬化性モノマーのことを意味する。
上記構成を備えた接着剤組成物を用いて形成された接着層は、封止基板(基板)を形成するために求められる高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えている。また、封止基板を形成した後における接着層の残渣を、溶剤によって好適に除去することができる接着層を形成することができる。
Unless otherwise specified, in the present specification, the "resin component" means a cycloolefin polymer and a curable monomer described later.
The adhesive layer formed by using the adhesive composition having the above structure has high heat resistance and high chemical resistance required for forming a sealing substrate (substrate). In addition, it is possible to form an adhesive layer that can suitably remove the residue of the adhesive layer after forming the sealing substrate with a solvent.

なお、接着剤組成物によって形成された接着層が備えている高い耐熱性とは、例えば、(i)高温環境下、力を加えられたときにおいて変形すること防止することができること、(ii)高温環境下に長時間に曝されたときにおける、クラック等の破損を生じないことを意味する。 The high heat resistance of the adhesive layer formed by the adhesive composition is, for example, (i) that it can be prevented from being deformed when a force is applied in a high temperature environment, (ii). It means that damage such as cracks does not occur when exposed to a high temperature environment for a long time.

〔樹脂成分〕
本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物は、ガラス転移温度が160℃以上でありシクロオレフィンポリマーを樹脂成分として含んでいる。ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることにより、高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備えつつも、溶剤を用いて好適に除去することができる接着層を形成することができる。
[Resin component]
The adhesive composition according to the first embodiment of the present invention has a glass transition temperature of 160 ° C. or higher and contains a cycloolefin polymer as a resin component. By containing a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher, an adhesive layer that can be suitably removed using a solvent while having high heat resistance and high chemical resistance is formed. Can be done.

シクロオレフィンポリマーのガラス転移点(Tg)は、160℃以上であることが好ましく、200℃以上であることがより好ましい。 The glass transition point (Tg) of the cycloolefin polymer is preferably 160 ° C. or higher, more preferably 200 ° C. or higher.

シクロオレフィンポリマーとしては、具体的には、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分の開環重合体、シクロオレフィンモノマーを含む単量体成分を付加重合させた付加重合体等が挙げられる。 Specific examples of the cycloolefin polymer include a ring-opening polymer of a monomer component containing a cycloolefin monomer, an addition polymer obtained by addition polymerization of a monomer component containing a cycloolefin monomer, and the like.

前記シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ヒドロキシジシクロペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)置換体、アルケニル(ビニルなど)置換体、アルキリデン(エチリデンなど)置換体、アリール(フェニル、トリル、ナフチルなど)置換体等のモノマーを構成単位とするポリマーが挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体、からなる群より選ばれるノルボルネン構造を有するモノマーを構成単位とするポリマーがより好ましい。このような、ノルボルネン構造等を構成単位とするシクロオレフィンポリマーを用いることにより、例えば、レジスト溶剤に対する高い薬品耐性を備えつつ、例えば、炭化水素系溶剤によって好適に溶解して除去することができる接着層を形成することができる接着剤組成物を得ることができる。 Examples of the cycloolefin polymer include dicyclics such as norbornene and norbornadiene, tricyclics such as dicyclopentadiene and hydroxydicyclopentadiene, tetracyclics such as tetracyclopentadiene, and pentadiene trimers. Rings, seven-rings such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.) and alkenyl (vinyl, etc.) substituents, alkylidene (ethylidene, etc.), aryl (such as ethylidene) substituents of these polycyclics. Examples thereof include polymers having a monomer such as a substituent (phenyl, trill, naphthyl, etc.) as a constituent unit. Among these, a polymer having a monomer having a norbornene structure selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, or an alkyl-substituted product thereof as a constituent unit is more preferable. By using such a cycloolefin polymer having a norbornene structure or the like as a constituent unit, for example, an adhesion that can be suitably dissolved and removed by a hydrocarbon solvent while having high chemical resistance to a resist solvent, for example. An adhesive composition capable of forming a layer can be obtained.

シクロオレフィンポリマーは、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを単量体単位としていてもよく、例えば、アルケンモノマーを単量体単位とすることが好ましい。アルケンモノマーとしては、炭素数2〜10のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン等のα−オレフィンが挙げられ、これらの中でも、エチレンを単量体単位とすることがより好ましい。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。 The cycloolefin polymer may use another monomer copolymerizable with the above-mentioned cycloolefin-based monomer as a monomer unit, and for example, an alkene monomer is preferably used as a monomer unit. Examples of the alkene monomer include an alkene monomer having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include α-olefins such as ethylene, propylene, 1-butene, isobutylene, and 1-hexene. Among these, ethylene is a monomer. It is more preferable to use it as a unit. The alkene monomer may be linear or branched.

シクロオレフィンポリマーを構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、10モル%以上、100モル%以下であることが好ましく、20モル%以上、100モル%以下であることがより好ましい。 The ratio of the cycloolefin monomer to the total monomer component constituting the cycloolefin polymer is preferably 10 mol% or more and 100 mol% or less, and more preferably 20 mol% or more and 100 mol% or less.

なお、シクロオレフィン構造を有するポリマーは、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上で好ましい。 It should be noted that the polymer having a cycloolefin structure is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin-based monomer and an alkene monomer, at a high temperature. It is preferable in suppressing the generation of gas below.

単量体成分を重合するときの重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。 The polymerization method, polymerization conditions, etc. when polymerizing the monomer component are not particularly limited and may be appropriately set according to a conventional method.

シクロオレフィンポリマーの重量平均分子量は、10,000以上、2,000,000以下の範囲内であることが好ましく、30,000以上、1,500,000以下の範囲内であることがより好ましい。シクロオレフィン構造を有するポリマーの重量平均分子量が10,000以上であることにより、当該ポリマーの軟化温度をガラスとの貼り合わせに適した温度にすることができる。シクロオレフィン構造を有するポリマーの重量平均分子量が2,000,000以下であることにより、当該ポリマーは、洗浄液に対する好適に溶解性を付与することができる。 The weight average molecular weight of the cycloolefin polymer is preferably in the range of 10,000 or more and 2,000,000 or less, and more preferably in the range of 30,000 or more and 1,500,000 or less. When the weight average molecular weight of the polymer having a cycloolefin structure is 10,000 or more, the softening temperature of the polymer can be set to a temperature suitable for bonding with glass. When the weight average molecular weight of the polymer having a cycloolefin structure is 2,000,000 or less, the polymer can impart suitable solubility to a washing solution.

シクロオレフィンポリマーとして用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS(商品名)」、三井化学株式会社製の「APEL(商品名)」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR(商品名)」および「ZEONEX(商品名)」、JSR株式会社製の「ARTON(商品名)」などが挙げられる。 Commercially available products that can be used as cycloolefin polymers include, for example, "TOPAS (trade name)" manufactured by Polyplastics Corporation, "APEL (trade name)" manufactured by Mitsui Kagaku Co., Ltd., and "APEL (trade name)" manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd. Examples thereof include "ZEONOR (trade name)" and "ZEONEX (trade name)", and "ARTON (trade name)" manufactured by JSR Corporation.

(熱重合禁止剤)
本発明において、接着剤組成物は熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱や光によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤はラジカルに対して高い反応性を示すため、シクロオレフィンポリマーよりも優先的に反応して、シクロオレフィンポリマー同士が重合することを禁止する。このため、シクロオレフィンポリマーによって形成された接着層が加熱されることにより、当該接着層における洗浄液に対する溶解性が低下することを防止することができる。
(Thermal polymerization inhibitor)
In the present invention, the adhesive composition may contain a thermal polymerization inhibitor. The thermal polymerization inhibitor has a function of preventing a radical polymerization reaction due to heat or light. Specifically, since the thermal polymerization inhibitor exhibits high reactivity with radicals, it reacts preferentially over cycloolefin polymers to prohibit the polymerization of cycloolefin polymers with each other. Therefore, it is possible to prevent the adhesive layer formed of the cycloolefin polymer from being heated to reduce the solubility of the adhesive layer in the cleaning solution.

熱重合禁止剤としては、熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効であれば特に限定されるものではないが、フェノールを有する熱重合禁止剤が好ましい。これにより、大気下での高温処理後にも良好な溶解性を確保することができる。そのような熱重合禁止剤としては、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能であり、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、tert−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、n−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2−メチルフェノール)、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、4,4’−[1−〔4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル〕エチリデン]ビスフェノール、4,4’,4”−エチリデントリス(2−メチルフェノール)、4,4’,4”−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、3,9−ビス[2−(3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−プロピオニルオキシ)−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス−3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオネート、n−オクチル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、ペンタエリスリルテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名IRGANOX1010、BASF社製)、トリス(3,5−ジ−tert−ブチルヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]等が挙げられる。熱重合禁止剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The thermal polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it is effective in preventing a radical polymerization reaction due to heat, but a thermal polymerization inhibitor having phenol is preferable. As a result, good solubility can be ensured even after high-temperature treatment in the atmosphere. As such a thermal polymerization inhibitor, a hindered phenol-based antioxidant can be used, and for example, pyrogallol, benzoquinone, hydroquinone, methylene blue, tert-butylcatechol, monobenzyl ether, methylhydroquinone, amylquinone, etc. Amyroxyhydroquinone, n-butylphenol, phenol, hydroquinone monopropyl ether, 4,4'-(1-methylethylidene) bis (2-methylphenol), 4,4'-(1-methylethylidene) bis (2,6) -Dimethylphenol), 4,4'-[1- [4- (1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl) phenyl] tert] bisphenol, 4,4', 4 "-ethylidentris (2-" Methylphenol), 4,4', 4 "-ethylidentrisphenol, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 2,6-di-tert-butyl -4-Methylphenol, 2,2'-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-thiobis (3) -Methyl-6-tert-butylphenol), 3,9-bis [2- (3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) -propionyloxy) -1,1-dimethylethyl]- 2,4,8,10-Tetraoxaspiro (5,5) undecane, triethylene glycol-bis-3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionate, n-octyl-3-3 (3,5-Di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, pentaerythryltetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (trade name IRGANOX1010, BASF) , Tris (3,5-di-tert-butylhydroxybenzyl) isocyanurate, thiodiethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] and the like. Only one type of thermal polymerization inhibitor may be used, or two or more types may be used in combination.

熱重合禁止剤の含有量は、シクロオレフィンポリマーの種類、及び接着剤組成物の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、シクロオレフィンポリマーの量を100重量部としたとき、0.1重量部以上、10重量部以下であることが好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後に接着剤組成物の洗浄液に対する溶解性が低下することをさらに抑えることができる。 The content of the thermal polymerization inhibitor may be appropriately determined according to the type of the cycloolefin polymer, the use of the adhesive composition, and the environment in which it is used. For example, when the amount of the cycloolefin polymer is 100 parts by weight, It is preferably 0.1 parts by weight or more and 10 parts by weight or less. When the content of the thermal polymerization inhibitor is within the above range, the effect of suppressing polymerization is satisfactorily exhibited, and it is possible to further suppress the decrease in solubility of the adhesive composition in the cleaning solution after the high temperature process.

(添加溶剤)
熱重合禁止剤は、添加溶剤に溶解して接着剤組成物に配合することが好ましい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。
(Additional solvent)
The thermal polymerization inhibitor is preferably dissolved in an additive solvent and blended in the adhesive composition. The additive solvent is not particularly limited, but an organic solvent that dissolves the components contained in the adhesive composition can be used.

有機溶剤としては、例えば、接着剤組成物の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができればよく、1つの有機溶剤のみを用いてもよく、2つ以上の有機溶剤を組み合わせて用いてもよい。 As the organic solvent, for example, it is sufficient that each component of the adhesive composition can be dissolved to obtain a uniform solution, and only one organic solvent may be used, or two or more organic solvents may be used in combination. May be good.

有機溶剤の具体例としては、例えば、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファーが挙げられる。また、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。 Specific examples of the organic solvent include terpene solvents having an oxygen atom, a carbonyl group, an acetoxy group or the like as polar groups, and examples thereof include geraniol, nerol, linalol, citral, citronellol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpine-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineol, 1,8-cineol, borneol, carboxylic, yonon, tsuyon, Menthol can be mentioned. Also, lactones such as γ-butyrolactone; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol. Polyhydric alcohols such as; monomethyl ethers of compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, the polyhydric alcohols or compounds having the ester bond. , Monoalkyl ethers such as monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether, and derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having an ether bond such as monophenyl ether (among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), (Preferably propylene glycol monomethyl ether (PGME)); cyclic ethers such as dioxane, methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methoxypropionic acid. Esters such as methyl and ethyl ethoxypropionate; aromatic organic solvents such as anisole, ethylbenzyl ether, cresylmethyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol and butylphenyl ether can be mentioned.

添加溶剤の含有量は、熱重合禁止剤の種類等に応じて適宜調整すればよいが、例えば、樹脂成分を溶解する希釈溶剤(主溶剤)と添加溶剤との合計を100重量部としたとき、添加溶剤の含有量は、1重量部以上、50重量部以下であることが好ましく、1重量部以上、30重量部以下であることがより好ましい。添加溶剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合禁止剤を十分に溶解することができる。 The content of the additive solvent may be appropriately adjusted according to the type of the thermal polymerization inhibitor, etc., but for example, when the total of the diluting solvent (main solvent) for dissolving the resin component and the additive solvent is 100 parts by weight. The content of the additive solvent is preferably 1 part by weight or more and 50 parts by weight or less, and more preferably 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less. When the content of the additive solvent is within the above range, the thermal polymerization inhibitor can be sufficiently dissolved.

(溶剤)
本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物に含まれる溶剤(主溶剤)は、シクロオレフィンポリマーを溶解する機能を有するものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。好ましくは、溶液は、脂環式炭化水素、又は分岐状の炭化水素を含んでいる。
(solvent)
The solvent (main solvent) contained in the adhesive composition according to the first embodiment of the present invention may be any one having a function of dissolving a cycloolefin polymer, for example, a non-polar hydrocarbon solvent or a polar solvent. And a non-polar petroleum solvent or the like can be used. Preferably, the solution contains an alicyclic hydrocarbon, or a branched hydrocarbon.

これらの中でも、溶剤が縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含むことによって、接着剤組成物を液状形態で(特に低温にて)保存したときに生じ得る白濁化を避けることができ、製品安定性を向上させることができるため好ましい。 Among these, when the solvent contains condensed polycyclic hydrocarbons or branched hydrocarbons, it is possible to avoid the white turbidity that may occur when the adhesive composition is stored in a liquid form (particularly at a low temperature). , It is preferable because it can improve the product stability.

炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐状または環状の炭化水素が挙げられる。例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素、イソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の炭素数4から15の分岐状の炭化水素;p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等の飽和脂肪族炭化水素、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン等が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon solvent include linear, branched or cyclic hydrocarbons. For example, linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane and tridecane, and branched hydrocarbons having 4 to 15 carbon atoms such as isooctane, isononan and isododecane; p- Saturated aliphatic hydrocarbons such as menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpinene, 1,8-terpinene, bornan, norbornan, pinan, tsujan, karan, longihorene, α-terpinene, β- Examples thereof include terpinene, γ-terpinene, α-pinene, β-pinene, α-tujon, β-tujon and the like.

石油系溶剤とは、重油から精製される溶剤であり、例えば、白灯油、パラフィン系溶剤、イソパラフィン系溶剤が挙げられ、上述の直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素等の混合物であり得る。また、石油系溶剤は、例えば、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族化合物を含んでいてもよい。 The petroleum-based solvent is a solvent refined from heavy oil, and examples thereof include white kerosene, paraffin-based solvent, and isoparaffin-based solvent, and may be a mixture of the above-mentioned linear, branched, or cyclic hydrocarbons. .. Further, the petroleum-based solvent may contain, for example, an aromatic compound such as benzene or naphthalene.

また、脂環式炭化水素とは、環状構造を含む炭化水素であり、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等が挙げられる。 The alicyclic hydrocarbon is a hydrocarbon containing a cyclic structure, and examples thereof include cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane.

また、脂環式炭化水素としては、縮合多環式炭化水素が挙げられる。縮合多環式炭化水素とは、2つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに1つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、2つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。 Moreover, as an alicyclic hydrocarbon, a condensed polycyclic hydrocarbon can be mentioned. A condensed polycyclic hydrocarbon is a hydrocarbon of a fused ring formed by supplying only one side of each ring to each other by two or more monocycles, and is a hydrocarbon obtained by condensing two monocycles. It is preferable to use it.

そのような炭化水素としては、5員環及び6員環の組み合わせ、または2つの6員環の組み合わせが挙げられる。5員環及び6員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、2つの6員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン(テトラリン)及びデカヒドロナフタレン(デカリン)等が挙げられる。 Such hydrocarbons include combinations of 5-membered and 6-membered rings, or combinations of two 6-membered rings. Examples of hydrocarbons in which a 5-membered ring and a 6-membered ring are combined include indene, pentalene, indane, and tetrahydroindene, and examples of hydrocarbons in which two 6-membered rings are combined include naphthalene and tetrahydronaphthalene (). Tetralin) and decahydronaphthalene (decalin) and the like.

また、分岐状炭化水素としては、例えば、上述のイソオクタン、イソノナン、イソドデカン等の他に、例えば、エクソンモービル化学株式会社製の「アイソパー(商品名)」等のようなイソパラフィン系の石油系溶剤等が挙げられる。 Further, as the branched hydrocarbon, for example, in addition to the above-mentioned isooctane, isononan, isododecane and the like, for example, an isoparaffin-based petroleum solvent such as "Isoper (trade name)" manufactured by ExxonMobil Chemical Co., Ltd. and the like and the like. Can be mentioned.

また、溶剤が上記縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素を含む場合、溶剤に含まれる成分は上記縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。また、縮合多環式炭化水素、及び分岐状炭化水素の組み合せであってもよく、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。この場合、縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素の含有量が、炭化水素系溶剤全体を100重量部として40重量部以上であることが好ましく、60重量部以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素、又は分岐状炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の40重量部以上である場合には、上記樹脂に対する高い溶解性を発揮することができる。縮合多環式炭化水素又は分岐状炭化水素と、飽和脂肪族炭化水素との混合比が上記範囲内であれば、縮合多環式炭化水素又は分岐状炭化水素の臭気を緩和させることができる。 When the solvent contains the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon, the component contained in the solvent may be only the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon, for example. It may contain other components such as saturated aliphatic hydrocarbons. Further, it may be a combination of a condensed polycyclic hydrocarbon and a branched hydrocarbon, and may contain other components such as a saturated aliphatic hydrocarbon. In this case, the content of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon is preferably 40 parts by weight or more, more preferably 60 parts by weight or more, with 100 parts by weight of the entire hydrocarbon solvent. .. When the content of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon is 40 parts by weight or more of the entire hydrocarbon solvent, high solubility in the resin can be exhibited. When the mixing ratio of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon and the saturated aliphatic hydrocarbon is within the above range, the odor of the condensed polycyclic hydrocarbon or the branched hydrocarbon can be alleviated.

なお、本発明の第一の実施形態に係る接着剤組成物における溶剤の含有量としては、当該接着剤組成物を用いて成膜する接着層の厚さに応じて適宜調整すればよいが、例えば、接着剤組成物の全量を100重量部としたとき、20重量部以上、90重量部以下の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。 The content of the solvent in the adhesive composition according to the first embodiment of the present invention may be appropriately adjusted according to the thickness of the adhesive layer formed by using the adhesive composition. For example, when the total amount of the adhesive composition is 100 parts by weight, it is preferably in the range of 20 parts by weight or more and 90 parts by weight or less. When the content of the solvent is within the above range, the viscosity can be easily adjusted.

<接着剤組成物(実施形態2)>
本発明に係る接着剤組成物は、上記実施形態(実施形態1)に限定されない。例えば、別の実施形態(実施形態2)に係る接着剤組成物は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、上記接着層は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上である。
<Adhesive Composition (Embodiment 2)>
The adhesive composition according to the present invention is not limited to the above embodiment (Embodiment 1). For example, the adhesive composition according to another embodiment (Embodiment 2) is an adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminate in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order. The adhesive layer contains a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher and a polyfunctional curable monomer as a resin component, and the polyfunctional curable monomer is polymerized. Therefore, when the adhesive layer is cured, the glass transition temperature of the adhesive layer is 160 ° C. or higher.

上記構成を備えた接着剤組成物においても、第一の実施形態と同様、封止基板(基板)を形成するために求められる高い耐熱性、及び高い耐薬品性を備え、かつ溶剤によって好適に除去することができる接着層を形成することができる。 Similar to the first embodiment, the adhesive composition having the above structure also has high heat resistance and high chemical resistance required for forming a sealing substrate (substrate), and is suitably suitable for a solvent. An adhesive layer that can be removed can be formed.

また、本実施形態に係る接着剤組成物は、上記実施形態(実施形態1)に係る接着剤組成物と同様に、溶剤、及び添加溶剤を含んでいる。なお、溶剤は、シクロオレフィンポリマー及び硬化性モノマーを溶解することができる溶剤であればよく、例えば、上述の(溶剤)の欄に記載された溶剤を用いることができる。 In addition, the adhesive composition according to the present embodiment contains a solvent and an additive solvent, similarly to the adhesive composition according to the above embodiment (Embodiment 1). The solvent may be any solvent that can dissolve the cycloolefin polymer and the curable monomer, and for example, the solvent described in the above (solvent) column can be used.

〔樹脂成分〕
本実施形態に係る接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマーと、硬化性モノマーとを含んでいる。
[Resin component]
The adhesive composition according to the present embodiment contains a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher and a curable monomer as a resin component.

シクロオレフィンポリマーとしては、上述の実施形態(実施形態1)において説明したシクロオレフィンポリマーと同様の単量体成分を含んでいるシクロオレフィンポリマーを用いることができる。また、本実施形態に係る接着剤組成物において、シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度は、100℃以上であることが好ましく、120℃以上であることがより好ましく、140℃以上であることが最も好ましい。よって、上述の実施形態(実施形態1)のように、160℃以上であるガラス転移温度を有しているシクロオレフィンポリマーを用いることもできる。シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度が、100℃以上であれば、多官能型の硬化性モノマーを、当該シクロオレフィンポリマーに配合した状態において重合させることにより、ガラス転移温度が、160℃以上である接着層を好適に形成することができる。 As the cycloolefin polymer, a cycloolefin polymer containing the same monomer components as the cycloolefin polymer described in the above-described embodiment (Embodiment 1) can be used. Further, in the adhesive composition according to the present embodiment, the glass transition temperature of the cycloolefin polymer is preferably 100 ° C. or higher, more preferably 120 ° C. or higher, and most preferably 140 ° C. or higher. .. Therefore, as in the above-described embodiment (Embodiment 1), a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher can also be used. When the glass transition temperature of the cycloolefin polymer is 100 ° C. or higher, the glass transition temperature is 160 ° C. or higher by polymerizing the polyfunctional curable monomer in a state of being blended with the cycloolefin polymer. The layer can be suitably formed.

(多官能型の硬化性モノマー)
本実施形態に係る接着剤組成物は、樹脂成分として、シクロオレフィンポリマーと相溶可能な多官能型の硬化性モノマーを含んでいる。これにより、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマーを用いて、硬化性モノマーを重合させることによりガラス転移温度が160℃以上である接着層を形成することができる。硬化性モノマーは、ラジカル重合反応により高分子化するモノマーであることが好ましく、典型的には、多官能型の(メタ)アクリレートモノマーを挙げることができる。
(Polyfunctional curable monomer)
The adhesive composition according to the present embodiment contains a polyfunctional curable monomer compatible with the cycloolefin polymer as a resin component. As a result, an adhesive layer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher can be formed by polymerizing a curable monomer using a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher. The curable monomer is preferably a monomer that is polymerized by a radical polymerization reaction, and typically includes a polyfunctional (meth) acrylate monomer.

上記多官能の(メタ)アクリレートモノマーとしては、例えば、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジメタノールジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、プロポキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシ−1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3,5−アダマンタントリオールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−3−(メタ)アクリロイルオキシプロピル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、フタル酸ジグリシジルエステルジ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、グリセリンポリグリシジルエーテルポリ(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレート(即ち、トリレンジイソシアネート)、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとヘキサメチレンジイソシアネートと2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応物等が挙げられる。これら多官能の(メタ)アクリレートは、単独で用いてもよく、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the polyfunctional (meth) acrylate monomer include ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, and polypropylene glycol di (meth). Meta) acrylate, butylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexane glycol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol di (meth) acrylate, tricyclodecandy Methanoldi (meth) acrylate, 9,9-bis [4- (2- (meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, propoxylated bisphenol A di (meth) acrylate, 1,3-adamantandiol di (meth) acrylate , 5-Hydroxy-1,3-adamantandiol di (meth) acrylate, 1,3,5-adamantan trioltri (meth) acrylate, trimethylpropanthry (meth) acrylate, glycerindi (meth) acrylate, pentaerythritoldi (Meta) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 2-hydroxy-3- (meth) acryloyloxy Propyl (meth) acrylate, ethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diethylene glycol diglycidyl ether di (meth) acrylate, diglycidyl phthalate di (meth) acrylate, glycerin tri (meth) acrylate, glycerin polyglycidyl ether poly Examples thereof include (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate (that is, tolylene diisocyanate), and a reaction product of trimethylhexamethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. These polyfunctional (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.

硬化性モノマーは、環状構造を持つことが好ましく、多環式脂肪族構造を有することがより好ましい。硬化性モノマーが、環状構造、より好ましくは多環式脂肪族構造を有することで、シクロオレフィンポリマーとの相溶性を高めることができる。また、シクロオレフィンポリマーに配合した硬化性モノマーを重合させることによって、接着層の耐熱性をさらに高めることができる。 The curable monomer preferably has a cyclic structure, and more preferably has a polycyclic aliphatic structure. When the curable monomer has a cyclic structure, more preferably a polycyclic aliphatic structure, compatibility with the cycloolefin polymer can be enhanced. Further, the heat resistance of the adhesive layer can be further enhanced by polymerizing the curable monomer blended in the cycloolefin polymer.

よって、上記(メタ)アクリレートモノマーの中でも、特に環式基を有する(メタ)アクリレートモノマーが好ましく、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシ−1,3−アダマンタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3,5−アダマンタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジメタノールジ(メタ)アクリレート、9,9−ビス[4−(2−(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、及びプロポキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレートからなる群より選択される少なくとも1種がより好ましい。これらの中でも、特にアダマンタン骨格を有するモノマーが接着層の耐熱性を高めることができる点、好ましい。 Therefore, among the above (meth) acrylate monomers, a (meth) acrylate monomer having a cyclic group is particularly preferable, and tricyclodecanedimethanol di (meth) acrylate, 1,3-adamantandiol di (meth) acrylate, 5-. Hydroxy-1,3-adamantandiol di (meth) acrylate, 1,3,5-adamantan trioltri (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanedimethanol di (meth) acrylate, 9,9-bis [4-( At least one selected from the group consisting of 2- (meth) acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene and propoxylated bisphenol A di (meth) acrylate is more preferable. Among these, a monomer having an adamantane skeleton is particularly preferable because it can increase the heat resistance of the adhesive layer.

硬化性モノマーの含有量は、シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度を考慮して、決定するとよい。例えば、接着剤組成物に樹脂成分として含まれる、シクロオレフィンポリマーのガラス転移温度が100℃以上であれば、硬化性モノマーの含有量は、樹脂成分の合計を100重量%として、10重量%以上、40重量%以下の範囲内であることが好ましい。樹脂成分に対して、硬化性モノマーの含有量が10重量%以上でれば、接着層により高い耐熱性を付与することができる。また、硬化性モノマーの含有量が40重量%以下であることにより、接着層を洗浄液により除去するときにおける洗浄性を高めることができる。言い換えれば、ガラス転移温度が100℃以上のシクロオレフィンポリマーを用いることにより、硬化性モノマーの含有量を、40重量%以下にすることができ、これにより、硬化性モノマーが硬化することによって接着層の洗浄性が低下することを防止することができる。よって、ガラス転移温度がより高いシクロオレフィンポリマーを用いるほどに、硬化性モノマーの含有量を少なくすることができる。 The content of the curable monomer may be determined in consideration of the glass transition temperature of the cycloolefin polymer. For example, if the glass transition temperature of the cycloolefin polymer contained as a resin component in the adhesive composition is 100 ° C. or higher, the content of the curable monomer is 10% by weight or more, assuming that the total of the resin components is 100% by weight. , It is preferably in the range of 40% by weight or less. When the content of the curable monomer is 10% by weight or more with respect to the resin component, higher heat resistance can be imparted to the adhesive layer. Further, when the content of the curable monomer is 40% by weight or less, the detergency when the adhesive layer is removed by the cleaning liquid can be improved. In other words, by using a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher, the content of the curable monomer can be reduced to 40% by weight or less, whereby the curable monomer is cured and the adhesive layer is formed. It is possible to prevent the cleaning property of the polymer from being lowered. Therefore, the more the cycloolefin polymer having a higher glass transition temperature is used, the smaller the content of the curable monomer can be.

(重合開始剤)
本実施形態に係る接着剤組成物は、硬化性モノマーの重合反応を促進させる重合開始剤をさらに含んでいる。
(Polymerization initiator)
The adhesive composition according to the present embodiment further contains a polymerization initiator that promotes the polymerization reaction of the curable monomer.

重合開始剤は、硬化性モノマーの重合反応を促進させることができればよく、特に限定されるものではなく、熱重合開始剤、及び光重合開始剤等を用いることができる。熱重合開始剤には、例えば、過酸化物、アゾ系重合開始剤等が挙げられる。 The polymerization initiator is not particularly limited as long as it can accelerate the polymerization reaction of the curable monomer, and a thermal polymerization initiator, a photopolymerization initiator and the like can be used. Examples of the thermal polymerization initiator include peroxides and azo-based polymerization initiators.

過酸化物としては、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル等が挙げられる。具体的には、過酸化アセチル、過酸化ジクミル、過酸化tert−ブチル、過酸化t−ブチルクミル、過酸化プロピオニル、過酸化ベンゾイル(BPO)、過酸化2−クロロベンゾイル、過酸化3−クロロベンゾイル、過酸化4−クロロベンゾイル、過酸化2,4−ジクロロベンゾイル、過酸化4−ブロモメチルベンゾイル、過酸化ラウロイル、過硫酸カリウム、ペルオキシ炭酸ジイソプロピル、テトラリンヒドロペルオキシド、1−フェニル−2−メチルプロピル−1−ヒドロペルオキシド、過トリフェニル酢酸−tert−ブチル、tert−ブチルヒドロペルオキシド、過ギ酸tert−ブチル、過酢酸tert−ブチル、過安息香酸tert−ブチル、過フェニル酢酸tert−ブチル、過4−メトキシ酢酸tert−ブチル、過N−(3−トルイル)カルバミン酸tert−ブチル等が挙げられる。 Examples of the peroxide include ketone peroxides, peroxyketals, hydroperoxides, dialkyl peroxides, peroxyesters and the like. Specifically, acetyl peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, propionyl peroxide, benzoyl peroxide (BPO), 2-chlorobenzoyl peroxide, 3-chlorobenzoyl peroxide, 4-Chlorobenzoyl peroxide, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 4-bromomethylbenzoyl peroxide, lauroyl peroxide, potassium persulfate, diisopropyl peroxycarbonate, tetraline hydroperoxide, 1-phenyl-2-methylpropyl-1 -Hydroperoxide, pertriphenylacetate-tert-butyl, tert-butyl hydroperoxide, tert-butyl peroxide, tert-butyl peracetate, tert-butyl perbenzoate, tert-butyl perphenylacetate, 4-methoxyacetic acid per-methoxy. Examples thereof include tert-butyl and tert-butyl peroxide (3-toluyl) carbamate.

市販されている過酸化物としては、例えば、日本油脂株式会社製の商品名「パークミル(登録商標)」、商品名「パーブチル(登録商標)」、商品名「パーロイル(登録商標)」、及び商品名「パーオクタ(登録商標)」等が挙げられる。 Examples of commercially available peroxides include the product name "Park Mill (registered trademark)", the product name "Perbutyl (registered trademark)", the product name "Parloyl (registered trademark)", and products manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd. Examples include the name "Perocta (registered trademark)".

アゾ系重合開始剤としては、例えば、2,2’−アゾビスプロパン、2,2’−ジクロロ−2,2’−アゾビスプロパン、1,1’−アゾ(メチルエチル)ジアセテート、2,2’−アゾビス(2−アミジノプロパン)塩酸塩、2,2’−アゾビス(2−アミノプロパン)硝酸塩、2,2’−アゾビスイソブタン、2,2’−アゾビスイソブチルアミド、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス−2−メチルプロピオン酸メチル、2,2’−ジクロロ−2,2’−アゾビスブタン、2,2’−アゾビス−2−メチルブチロニトリル、2,2’−アゾビスイソ酪酸ジメチル、1,1’−アゾビス(1−メチルブチロニトリル−3−スルホン酸ナトリウム)、2−(4−メチルフェニルアゾ)−2−メチルマロノジニトリル4,4’−アゾビス−4−シアノ吉草酸、3,5−ジヒドロキシメチルフェニルアゾ−2−アリルマロノジニトリル、2,2’−アゾビス−2−メチルバレロニトリル、4,4’−アゾビス−4−シアノ吉草酸ジメチル、2,2’−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル、1,1’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、2,2’−アゾビス−2−プロピルブチロニトリル、1,1’−アゾビスシクロヘキサンニトリル、2,2’−アゾビス−2−プロピルブチロニトリル、1,1’−アゾビス−1−クロロフェニルエタン、1,1’−アゾビス−1−シクロヘキサンカルボニトリル、1,1’−アゾビス−1−シクロヘプタンニトリル、1,1’−アゾビス−1−フェニルエタン、1,1’−アゾビスクメン、4−ニトロフェニルアゾベンジルシアノ酢酸エチル、フェニルアゾジフェニルメタン、フェニルアゾトリフェニルメタン、4−ニトロフェニルアゾトリフェニルメタン、1,1’−アゾビス−1,2−ジフェニルエタン、ポリ(ビスフェノールA−4,4’−アゾビス−4−シアノペンタノエート)、ポリ(テトラエチレングリコール−2,2’−アゾビスイソブチレート)等が挙げられる。 Examples of the azo polymerization initiator include 2,2'-azobispropane, 2,2'-dichloro-2,2'-azobispropane, 1,1'-azo (methylethyl) diacetate, 2, 2'-azobis (2-amidinopropane) hydrochloride, 2,2'-azobis (2-aminopropane) nitrate, 2,2'-azobisisobutane, 2,2'-azobisisobutyamide, 2,2' -Azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methylpropionate methyl, 2,2'-dichloro-2,2'-azobisbutane, 2,2'-azobis-2-methylbutyronitrile, Dimethyl 2,2'-azobisisobutyate, 1,1'-azobis (1-methylbutyronitrile-3-sodium sulfonate), 2- (4-methylphenylazo) -2-methylmalonodinitrile 4,4' -Azobis-4-cyanovaleric acid, 3,5-dihydroxymethylphenylazo-2-allylmalonodinitrile, 2,2'-azobis-2-methylvaleronitrile, 4,4'-azobis-4-cyanovaleronitrile Dimethyl, 2,2'-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanenitrile, 2,2'-azobis-2-propylbutyronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanenitrile , 2,2'-azobis-2-propylbutyronitrile, 1,1'-azobis-1-chlorophenylethane, 1,1'-azobis-1-cyclohexanecarbonitrile, 1,1'-azobis-1-cyclo Heptannitrile, 1,1'-azobis-1-phenylethane, 1,1'-azobisisobutymen, 4-nitrophenylazobenzylcyanoacetate, phenylazodiphenylmethane, phenylazotriphenylmethane, 4-nitrophenylazotriphenylmethane , 1,1'-azobis-1,2-diphenylethane, poly (bisphenol A-4,4'-azobis-4-cyanopentanoate), poly (tetraethylene glycol-2,2'-azobisisobuty Rate) and the like.

(光重合開始剤)
光重合開始剤としては、具体的には、例えば、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−〔4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル〕−2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、ビス(4−ジメチルアミノフェニル)ケトン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、エタノン1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(o−アセチルオキシム)、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、4−ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジメチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メチル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ−2−エチルヘキシル安息香酸、4−ジメチルアミノ−2−イソアミル安息香酸、ベンジル−β−メトキシエチルアセタール、ベンジルジメチルケタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベンゾイル安息香酸メチル、2,4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、チオキサンテン、2−クロロチオキサンテン、2,4−ジエチルチオキサンテン、2−メチルチオキサンテン、2−イソプロピルチオキサンテン、2−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、1,2−ベンズアントラキノン、2,3−ジフェニルアントラキノン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゾイルパーオキシド、クメンパーオキシド、2−メルカプトベンゾイミダール、2−メルカプトベンゾオキサゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2,4,5−トリアリールイミダゾール二量体、ベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4,4’−ビスジメチルアミノベンゾフェノン(即ち、ミヒラーズケトン)、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン(即ち、エチルミヒラーズケトン)、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン−t−ブチルエーテル、アセトフェノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノプロピオフェノン、ジクロロアセトフェノン、トリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルアセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、p−t−ブチルトリクロロアセトフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス−(9−アクリジニル)ヘプタン、1,5−ビス−(9−アクリジニル)ペンタン、1,3−ビス−(9−アクリジニル)プロパン、p−メトキシトリアジン、2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(フラン−2−イル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−[2−(3,4−ジメトキシフェニル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−エトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−n−ブトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)フェニル−s−トリアジン、2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(3−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン及び2,4−ビス−トリクロロメチル−6−(2−ブロモ−4−メトキシ)スチリルフェニル−s−トリアジン等が挙げられる。また、光重合開始剤として、市販品である「IRGACURE OXE02」、「IRGACURE OXE01」,「IRGACURE 369」、「IRGACURE 651」及び「IRGACURE 907」(商品名:何れもBASF社製)並びに「NCI−831」(商品名:ADEKA社製)等も用いることができる。
(Photopolymerization initiator)
Specific examples of the photopolymerization initiator include 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and 1- [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl. ] -2-Hydroxy-2-methyl-1-propane-1-one, 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropane-1-one, 1- (4-dodecylphenyl) -2 -Hydroxy-2-methylpropan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, bis (4-dimethylaminophenyl) ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) ) Phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1-one, etanone 1- [9-ethyl-6- () 2-Methylbenzoyl) -9H-carbazole-3-yl] -1- (o-acetyloxime), 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, 4-benzoyl-4'-methyldimethylsulfide, 4-dimethyl Amino benzoic acid, methyl 4-dimethylamino benzoate, ethyl 4-dimethylamino benzoate, butyl 4-dimethylamino benzoate, 4-dimethylamino-2-ethylhexyl benzoic acid, 4-dimethylamino-2-isoamyl benzoic acid, Benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzyl dimethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propandion-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, methyl o-benzoyl benzoate, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chloro Thioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, thioxanthene, 2-chlorothioxanthene, 2,4-diethylthioxanthene, 2-methylthioxanthene, 2-isopropylthioxanthene, 2-ethylanthraquinone , Octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-diphenylanthraquinone, azobisisobutyronitrile, benzoylperoxide, cumempaoxide, 2-mercaptobenzoimidal, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercapto Benzothiazole, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-) Fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer Body, 2,4,5-triarylimidazole dimer, benzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4,4'-bisdimethylaminobenzophenone (ie, Michler's ketone), 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone (ie, ethylmihi) Larsketone), 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzyl, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin -T-butyl ether, acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, p-dimethylaminopropiophenone, dichloroacetophenone, trichloroacetophenone, pt-butylacetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, pt -Butyltrichloroacetophenone, pt-butyldichloroacetophenone, α, α-dichloro-4-phenoxyacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosverone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, 9- Phenylacridin, 1,7-bis- (9-acridinyl) heptane, 1,5-bis- (9-acridinyl) pentane, 1,3-bis- (9-acridinyl) propane, p-methoxytriazine, 2,4 , 6-Tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethenyl] -4 , 6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (fran-2-yl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (4- (4-) Diethylamino-2-methylphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (3,4-dimethoxyphenyl) ethenyl] -4,6-bis (trichloromethyl)- s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-ethoxy) Styryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-n-butoxyphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl -6- (3-bromo-4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6- (2-bromo-4-methoxy) phenyl-s-triazine, 2,4-bis- Examples thereof include trichloromethyl-6- (3-bromo-4-methoxy) styrylphenyl-s-triazine and 2,4-bis-trichloromethyl-6- (2-bromo-4-methoxy) styrylphenyl-s-triazine. Be done. In addition, as photopolymerization initiators, commercially available products "IRGACURE OXE02", "IRGACURE OXE01", "IRGACURE 369", "IRGACURE 651", "IRGACURE 907" (trade names: all manufactured by BASF) and "NCI-" 831 ”(trade name: manufactured by ADEKA Corporation) and the like can also be used.

なお、重合開始剤の配合量は、接着剤組成物に含まれている硬化性モノマーの含有量に応じて調整するとよい。ここで、100重量部の硬化性モノマーに対する重合開始剤の割合は、0.1重量部以上、10重量部以下であることが好ましく、0.5重量部以上、5重量部以下であることがより好ましい。 The blending amount of the polymerization initiator may be adjusted according to the content of the curable monomer contained in the adhesive composition. Here, the ratio of the polymerization initiator to 100 parts by weight of the curable monomer is preferably 0.1 parts by weight or more and 10 parts by weight or less, and preferably 0.5 parts by weight or more and 5 parts by weight or less. More preferred.

重合開始剤は、接着剤組成物を使用する直前において、公知の方法により、接着剤組成物に配合することができる。また、重合開始剤は、上記(添加溶剤)の欄に記載されている有機溶剤に希釈してから、接着剤組成物に配合してもよい。また、本実施形態に係る接着剤組成物においても、添加溶剤に熱重合禁止剤を配合してもよい。 The polymerization initiator can be blended into the adhesive composition by a known method immediately before using the adhesive composition. Further, the polymerization initiator may be diluted with the organic solvent described in the above (additional solvent) column and then blended in the adhesive composition. Further, also in the adhesive composition according to the present embodiment, a thermal polymerization inhibitor may be added to the additive solvent.

<接着フィルム>
本発明の一実施形態(実施形態3)に係る接着フィルムは、フィルム上に、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物からなる接着層が形成されている。このような、接着フィルムを用いることによって、支持体上に好適に接着層を形成することができる。よって、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて形成した接着フィルムも本発明の範疇である。
<Adhesive film>
In the adhesive film according to the embodiment of the present invention (Embodiment 3), an adhesive layer made of the adhesive composition according to the embodiment of the present invention is formed on the film. By using such an adhesive film, an adhesive layer can be suitably formed on the support. Therefore, an adhesive film formed by using the adhesive composition according to one embodiment is also within the scope of the present invention.

フィルム上に接着剤層を形成する方法としては、所望する接着層の膜厚や均一性に応じて適宜、公知の方法を用いて、フィルム上に接着剤層の乾燥膜厚が10〜1,000μmとなるように、接着剤組成物を塗布する方法が挙げられる。 As a method for forming the adhesive layer on the film, a known method is appropriately used according to the desired film thickness and uniformity of the adhesive layer, and the dry film thickness of the adhesive layer is 10 to 1 on the film. A method of applying the adhesive composition so as to have a thickness of 000 μm can be mentioned.

このような接着フィルムを用いれば、支持体の上に直接、接着剤組成物を塗布して接着層を形成する場合と比較して、膜厚均一性及び表面平滑性の良好な接着層を形成することができる。 When such an adhesive film is used, an adhesive layer having good film thickness uniformity and surface smoothness is formed as compared with the case where the adhesive composition is directly applied onto the support to form the adhesive layer. can do.

接着フィルムの製造に使用するフィルムとしては、フィルム上に製膜された接着層を当該フィルムから剥離することができ、接着層を支持体などの被処理面上に転写できる離型フィルムであればよく、特に限定されるものではない。例えば、膜厚15〜125μmのポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、及びポリ塩化ビニルなどの合成樹脂フィルムからなる可撓性フィルムが挙げられる。上記フィルムには、必要に応じて、転写が容易となるように離型処理が施されていることが好ましい。 The film used for manufacturing the adhesive film is a release film that can peel off the adhesive layer formed on the film from the film and transfer the adhesive layer onto a surface to be treated such as a support. Well, it is not particularly limited. For example, a flexible film made of a synthetic resin film such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polycarbonate, and polyvinyl chloride having a film thickness of 15 to 125 μm can be mentioned. If necessary, the film is preferably subjected to a mold release treatment so as to facilitate transfer.

また、接着フィルムは、保護フィルムによって接着層の露出面を被覆することにより保護してもよい。保護フィルムは、接着層から剥離することができる限り限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、及びポリエチレンフィルムが好ましい。また、各保護フィルムは、接着層からの剥離を容易にするため、シリコーンをコーティングしてあるか、又は焼き付けしてあることが好ましい。 Further, the adhesive film may be protected by covering the exposed surface of the adhesive layer with a protective film. The protective film is not limited as long as it can be peeled off from the adhesive layer, but for example, polyethylene terephthalate film, polypropylene film, and polyethylene film are preferable. Further, each protective film is preferably coated with silicone or baked in order to facilitate peeling from the adhesive layer.

接着フィルムの使用方法は、特に限定されるものではないが、例えば、保護フィルムを用いた場合には、これを剥離した上で、支持体上に露出した接着層を重ねて、フィルム上(接着剤層の形成された面の裏面)から加熱ローラを移動させることにより、接着層を支持体の表面に熱圧着させる方法が挙げられる。 The method of using the adhesive film is not particularly limited, but for example, when a protective film is used, it is peeled off and an exposed adhesive layer is layered on the support to be applied on the film (adhesive). A method of thermocompression bonding the adhesive layer to the surface of the support by moving the heating roller from the back surface of the surface on which the agent layer is formed can be mentioned.

なお、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、順次巻き取りローラなどのローラでロール状に巻き取れば、保存し再利用することが可能である。 The protective film peeled off from the adhesive film can be stored and reused by sequentially winding it into a roll with a roller such as a winding roller.

〔積層体〕
積層体は、一実施形態に係る接着剤組成物を、支持体上に塗布することにより、高い耐熱性、高い薬品耐性、及び高い洗浄性を備えた接着層が形成されている。積層体は、接着層上において、封止材によって素子を封止した封止体と、封止体の一方の平面部に再配線層とを備えた封止基板が形成されている。すなわち、積層体は、素子に設けられた端子がチップエリア外に広がる再配線層に実装される、ファンアウト型技術に基づく、封止基板を製造する過程において作製される積層体である。
[Laminate]
In the laminated body, an adhesive layer having high heat resistance, high chemical resistance, and high detergency is formed by applying the adhesive composition according to one embodiment on a support. In the laminated body, a sealing substrate having a sealing body in which an element is sealed by a sealing material and a rewiring layer on one flat surface portion of the sealing body is formed on an adhesive layer. That is, the laminate is a laminate produced in the process of manufacturing a sealing substrate based on a fan-out type technology in which terminals provided on the element are mounted on a rewiring layer extending outside the chip area.

〔封止基板〕
封止基板(基板)は、素子と、素子が実装される再配線層と、素子を封止する封止体とを備えている。封止基板は複数の素子を備えていることが好ましく、このような封止基板をダイシングすることにより、複数の電子部品を得ることができる。
[Encapsulating substrate]
The sealing substrate (board) includes an element, a rewiring layer on which the element is mounted, and a sealing body that seals the element. The sealing substrate preferably includes a plurality of elements, and a plurality of electronic components can be obtained by dicing such a sealing substrate.

(再配線層)
再配線層は、RDL(Redistribution Layer:再配線層)とも呼ばれ、素子に接続する配線を構成する薄膜の配線体であり、単層又は複数層の構造を有し得る。一実施形態において、再配線層は、誘電体(例えば、酸化シリコン(SiO)、感光性エポキシ等の感光性樹脂等)に、導電体(例えば、アルミニウム、銅、チタン、ニッケル、金及び銀等の金属並びに銀−錫合金等の合金)によって配線が形成されたものであり得るが、これに限定されない。
(Rewiring layer)
The rewiring layer is also called an RDL (Redistribution Layer), and is a thin-film wiring body constituting a wiring connected to an element, and may have a single-layer or a plurality of-layer structure. In one embodiment, the rewiring layer is made of a dielectric (eg, silicon oxide (SiO x ), a photosensitive resin such as photosensitive epoxy) and a conductor (eg, aluminum, copper, titanium, nickel, gold and silver). The wiring may be formed of a metal such as silver-tin alloy or an alloy such as silver-tin alloy), but is not limited thereto.

(素子)
素子(ベアチップ)は、半導体素子又はその他の素子であり、単層又は複数層の構造を有し得る。なお、素子が半導体素子である場合、封止基板をダイシングすることにより得られる電子部品は、半導体装置となる。
(element)
The element (bare chip) is a semiconductor element or other element, and may have a single-layer or multi-layer structure. When the element is a semiconductor element, the electronic component obtained by dicing the sealing substrate is a semiconductor device.

(封止材)
封止材としては、例えば、エポキシ系の樹脂及びシリコーン系の樹脂を含有する封止材等を用いることができる。封止材は、素子毎に設けられているものではなく、再配線層に実装された複数の素子の全てを一体的に封止しているものであることが好ましい。
(Encapsulant)
As the sealing material, for example, a sealing material containing an epoxy-based resin and a silicone-based resin can be used. The sealing material is not provided for each element, but preferably one that integrally seals all of the plurality of elements mounted on the rewiring layer.

〔支持体〕
支持体は、封止基板の形成時に、封止基板の各構成要素の破損又は変形を防ぐために必要な強度を有していればよい。また、支持体は、当該支持体上に形成された分離層を変質させることができる波長の光を透過させる材料によって形成されている。
[Support]
The support may have the strength necessary to prevent damage or deformation of each component of the sealing substrate when the sealing substrate is formed. Further, the support is formed of a material that transmits light having a wavelength capable of altering the separation layer formed on the support.

支持体の材料としては、例えば、ガラス、シリコン及びアクリル系樹脂等を用いることができるが、これらに限定されない。支持体の形状としては、例えば、矩形、及び円形等の支持体を用いることができるが、これに限定されない。 As the material of the support, for example, glass, silicon, acrylic resin and the like can be used, but the material is not limited thereto. As the shape of the support, for example, a support such as a rectangle or a circle can be used, but the shape is not limited thereto.

〔接着層〕
接着層は、本発明の一実施形態に係る接着剤組成物により形成され、封止基板を支持体上に固定するための層である。接着層は、その表面に、封止材によって封止するための素子が配置され得る。また、接着層は、その表面に対して直接的に、例えば、フォトレジスト等を塗布して、露光することにより、感光性絶縁膜等のパターンが形成され得る。さらに、接着層は、分離層を保護するという機能も有している。
[Adhesive layer]
The adhesive layer is formed by the adhesive composition according to the embodiment of the present invention, and is a layer for fixing the sealing substrate on the support. An element for sealing with a sealing material may be arranged on the surface of the adhesive layer. Further, the adhesive layer may form a pattern such as a photosensitive insulating film by directly applying, for example, a photoresist or the like to the surface thereof and exposing the adhesive layer. Further, the adhesive layer also has a function of protecting the separation layer.

接着層の厚さは、支持体及び封止基板の種類、並びに封止基板を形成するときに実施する処理等に応じて適宜設定すればよいが、0.1μm以上、50μm以下であることが好ましく、1μm以上、10μm以下であることがより好ましい。1μm以上であることにより、封止基板を、支持体上に好適に固定することができる。10μm以下であることにより、後の工程において接着層の除去を容易にすることができる。 The thickness of the adhesive layer may be appropriately set according to the type of the support and the sealing substrate, the treatment to be performed when forming the sealing substrate, and the like, but it may be 0.1 μm or more and 50 μm or less. It is preferably 1 μm or more and 10 μm or less, more preferably. When it is 1 μm or more, the sealing substrate can be suitably fixed on the support. When it is 10 μm or less, the removal of the adhesive layer can be facilitated in a later step.

〔分離層〕
分離層は、光を照射することで変質する層である。支持体を介して分離層に光を照射して分離層を変質させることによって、支持体を封止基板から分離させることができる。
[Separation layer]
The separation layer is a layer that is altered by irradiation with light. The support can be separated from the sealing substrate by irradiating the separation layer with light through the support to change the quality of the separation layer.

なお、本明細書において、分離層が「変質する」とは、分離層がわずかな外力を受けて破壊され得る状態、又は分離層と接する層との接着力が低下した状態になる現象を意味する。光を吸収することによって生じる分離層の変質の結果として、分離層は、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。つまり、光を吸収することによって、分離層は脆くなる。分離層の変質とは、分離層が、吸収した光のエネルギーによる分解、立体配置の変化又は官能基の解離等を生じることであり得る。分離層の変質は、光を吸収することの結果として生じる。 In addition, in this specification, "alteration" of a separation layer means a phenomenon in which the separation layer can be destroyed by receiving a slight external force or a state in which the adhesive force between the separation layer and the layer in contact with the separation layer is reduced. To do. As a result of the alteration of the separation layer caused by the absorption of light, the separation layer loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light. That is, the separation layer becomes brittle by absorbing light. The alteration of the separation layer may mean that the separation layer undergoes decomposition due to the energy of absorbed light, a change in the molecular configuration, a dissociation of functional groups, or the like. Alteration of the separation layer occurs as a result of absorbing light.

よって、例えば、サポートプレートを持ち上げるだけで分離層が破壊されるように変質させて、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。より具体的には、例えば、支持体分離装置等により、積層体における基板及びサポートプレートの一方を載置台に固定し、吸着手段を備えた吸着パッド(吸着部)等によって他方を保持して持ち上げることで、サポートプレートと基板とを分離するか、又はサポートプレートの周縁部分端部の面取り部位を、クランプ(ツメ部)等を備えた分離プレートによって把持することにより力を加え、基板とサポートプレートとを分離するとよい。また、例えば、接着剤を剥離するための剥離液を供給する剥離手段を備えた支持体分離装置によって、積層体における基板からサポートプレートを剥離してもよい。当該剥離手段によって積層体における接着層の周端部の少なくとも一部に剥離液を供給し、積層体における接着層を膨潤させることにより、当該接着層が膨潤したところから分離層に力が集中するようにして、基板とサポートプレートとに力を加えることができる。このため、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。 Therefore, for example, the support plate and the substrate can be easily separated by changing the quality so that the separation layer is destroyed only by lifting the support plate. More specifically, for example, one of the substrate and the support plate in the laminated body is fixed to the mounting table by a support separating device or the like, and the other is held and lifted by a suction pad (suction portion) provided with a suction means or the like. By doing so, a force is applied by separating the support plate and the substrate, or by gripping the chamfered portion of the peripheral end portion of the support plate with a separation plate provided with a clamp (claw portion) or the like, and applying force to the substrate and the support plate. And should be separated. Further, for example, the support plate may be peeled from the substrate in the laminated body by a support separating device provided with a peeling means for supplying a peeling liquid for peeling the adhesive. By supplying the peeling liquid to at least a part of the peripheral end portion of the adhesive layer in the laminated body by the peeling means and swelling the adhesive layer in the laminated body, the force is concentrated on the separation layer from the swelled portion of the adhesive layer. In this way, force can be applied to the substrate and the support plate. Therefore, the substrate and the support plate can be suitably separated.

積層体に加える力は、積層体の大きさ等により適宜調整すればよく、限定されるものではないが、例えば、直径が300mm程度の積層体であれば、0.1〜5kgf程度の力を加えることによって、基板とサポートプレートとを好適に分離することができる。 The force applied to the laminated body may be appropriately adjusted depending on the size of the laminated body and the like, and is not limited. For example, in the case of a laminated body having a diameter of about 300 mm, a force of about 0.1 to 5 kgf is applied. By adding, the substrate and the support plate can be suitably separated.

分離層の厚さは、例えば、0.05μm以上、50μm以下の範囲内であることがより好ましく、0.3μm以上、1μm以下の範囲内であることがさらに好ましい。分離層の厚さが0.05μm以上、50μm以下の範囲に収まっていれば、短時間の光の照射及び低エネルギーの光の照射によって、分離層に所望の変質を生じさせることができる。また、分離層の厚さは、生産性の観点から1μm以下の範囲に収まっていることが特に好ましい。 The thickness of the separation layer is more preferably in the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, and further preferably in the range of 0.3 μm or more and 1 μm or less. When the thickness of the separation layer is within the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, the separation layer can be subjected to desired alteration by short-time light irradiation and low-energy light irradiation. Further, the thickness of the separation layer is particularly preferably within the range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

なお、分離層と支持体との間に他の層がさらに形成されていてもよい。この場合、他の層は光を透過する材料から構成されていればよい。これによって、分離層への光の入射を妨げることなく、好ましい性質等を有する層を、適宜追加することができる。分離層を構成している材料の種類によって、用い得る光の波長が異なる。よって、他の層を構成する材料は、すべての光を透過させる必要はなく、分離層を構成する材料を変質させ得る波長の光を透過させることができる材料から適宜選択し得る。 In addition, another layer may be further formed between the separation layer and the support. In this case, the other layer may be composed of a material that transmits light. Thereby, a layer having preferable properties and the like can be appropriately added without hindering the incident of light on the separation layer. The wavelengths of light that can be used differ depending on the type of material that constitutes the separation layer. Therefore, the material constituting the other layer does not need to transmit all the light, and can be appropriately selected from the materials capable of transmitting light having a wavelength capable of altering the material constituting the separation layer.

また、分離層は、光を吸収する構造を有する材料のみから形成されていることが好ましいが、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、光を吸収する構造を有していない材料を添加して、分離層を形成してもよい。また、分離層における接着層に対向する側の面が平坦である(凹凸が形成されていない)ことが好ましく、これにより、分離層の形成が容易に行え、かつ貼り付けにおいても均一に貼り付けることが可能となる。 Further, the separation layer is preferably formed only from a material having a structure that absorbs light, but a material that does not have a structure that absorbs light is used as long as the essential properties in the present invention are not impaired. It may be added to form a separation layer. Further, it is preferable that the surface of the separation layer on the side facing the adhesive layer is flat (no unevenness is formed), whereby the separation layer can be easily formed and the separation layer can be evenly attached. It becomes possible.

(フルオロカーボン)
分離層は、フルオロカーボンからなっていてもよい。分離層は、フルオロカーボンによって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。分離層を構成するフルオロカーボンは、プラズマCVD(化学気相堆積)法によって好適に成膜することができる。
(Fluorocarbon)
The separation layer may be made of fluorocarbon. Since the separation layer is composed of fluorocarbon, it is deteriorated by absorbing light, and as a result, the strength or adhesiveness before being irradiated with light is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is broken, and the support and the sealing substrate can be easily separated. The fluorocarbon constituting the separation layer can be suitably formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method.

フルオロカーボンは、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いたフルオロカーボンが吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、フルオロカーボンを好適に変質させ得る。なお、分離層における光の吸収率は80%以上であることが好ましい。 Fluorocarbons absorb light with wavelengths in a unique range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within the range absorbed by the fluorocarbon used for the separation layer, the fluorocarbon can be suitably altered. The light absorption rate in the separation layer is preferably 80% or more.

分離層に照射する光としては、フルオロカーボンが吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。フルオロカーボンを変質させ得る波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の範囲の波長を用いることができる。 The light irradiated to the separation layer, in accordance with the fluorocarbon wavelength absorbable, for example, YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, a solid laser such as a fiber laser, a liquid laser dye laser, , CO 2 laser, excimer laser, Ar laser, gas laser such as He-Ne laser, laser light such as semiconductor laser, free electron laser, or non-laser light may be appropriately used. The wavelength at which the fluorocarbon can be altered is not limited to this, and for example, a wavelength in the range of 600 nm or less can be used.

(光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体)
分離層は、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体を含有していてもよい。該重合体は、光の照射を受けて変質する。該重合体の変質は、上記構造が照射された光を吸収することによって生じる。分離層は、重合体の変質の結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Polymer containing a light-absorbing structure in its repeating unit)
The separation layer may contain a polymer containing a structure having light absorption in its repeating unit. The polymer is altered by being irradiated with light. The alteration of the polymer occurs when the structure absorbs the irradiated light. The separation layer loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light as a result of alteration of the polymer. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is broken, and the support and the sealing substrate can be easily separated.

光吸収性を有している上記構造は、光を吸収して、繰り返し単位として該構造を含んでいる重合体を変質させる化学構造である。該構造は、例えば、置換若しくは非置換のベンゼン環、縮合環又は複素環からなる共役π電子系を含んでいる原子団である。より詳細には、該構造は、カルド構造、又は上記重合体の側鎖に存在するベンゾフェノン構造、ジフェニルスルフォキシド構造、ジフェニルスルホン構造(ビスフェニルスルホン構造)、ジフェニル構造若しくはジフェニルアミン構造であり得る。 The above-mentioned structure having light absorption is a chemical structure that absorbs light and alters a polymer containing the structure as a repeating unit. The structure is, for example, an atomic group containing a conjugated π-electron system composed of a substituted or unsubstituted benzene ring, a fused ring or a heterocycle. More specifically, the structure may be a cardo structure or a benzophenone structure, a diphenylsulfoxide structure, a diphenylsulfone structure (bisphenylsulfone structure), a diphenyl structure or a diphenylamine structure existing in the side chain of the polymer.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在する場合、該構造は以下の式によって表され得る。 When the structure is present in the side chain of the polymer, the structure can be represented by the following formula.

Figure 0006842878
(式中、Rはそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、ハロゲン、水酸基、ケトン基、スルホキシド基、スルホン基又はN(R)(R)であり(ここで、R及びRはそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜5のアルキル基である)、Zは、存在しないか、又は−CO−、−SO−、−SO−若しくは−NH−であり、nは0又は1〜5の整数である。)
また、上記重合体は、例えば、以下の式のうち、(a)〜(d)の何れかによって表される繰り返し単位を含んでいるか、(e)によって表されるか、又は(f)の構造をその主鎖に含んでいる。
Figure 0006842878
(In the formula, R is independently an alkyl group, an aryl group, a halogen, a hydroxyl group, a ketone group, a sulfoxide group, a sulfone group or N (R 4 ) (R 5 ) (here, R 4 and R 5). Are independently hydrogen atoms or alkyl groups with 1 to 5 carbon atoms), Z is absent or is -CO-, -SO 2- , -SO- or -NH-, and n is It is an integer of 0 or 1-5.)
Further, the polymer contains, for example, a repeating unit represented by any of (a) to (d) in the following formula, represented by (e), or according to (f). The structure is contained in its main chain.

Figure 0006842878
(式中、lは1以上の整数であり、mは0又は1〜2の整数であり、Xは、(a)〜(e)において上記の“化1”に示した式の何れかであり、(f)において上記の“化1”に示した式の何れかであるか、又は存在せず、Y及びYはそれぞれ独立して、−CO−又はSO−である。lは好ましくは10以下の整数である。)
上記の“化1”に示されるベンゼン環、縮合環及び複素環の例としては、フェニル、置換フェニル、ベンジル、置換ベンジル、ナフタレン、置換ナフタレン、アントラセン、置換アントラセン、アントラキノン、置換アントラキノン、アクリジン、置換アクリジン、アゾベンゼン、置換アゾベンゼン、フルオリム、置換フルオリム、フルオリモン、置換フルオリモン、カルバゾール、置換カルバゾール、N−アルキルカルバゾール、ジベンゾフラン、置換ジベンゾフラン、フェナントレン、置換フェナントレン、ピレン及び置換ピレンが挙げられる。例示した置換基がさらに置換基を有している場合、その置換基は、例えば、アルキル、アリール、ハロゲン原子、アルコキシ、ニトロ、アルデヒド、シアノ、アミド、ジアルキルアミノ、スルホンアミド、イミド、カルボン酸、カルボン酸エステル、スルホン酸、スルホン酸エステル、アルキルアミノ及びアリールアミノから選択される。
Figure 0006842878
(In the formula, l is an integer of 1 or more, m is an integer of 0 or 1 to 2, and X is any of the formulas shown in the above “Chemical formula 1” in (a) to (e). Yes, either of the formulas shown in "Chemical formula 1" above in (f), or not present, and Y 1 and Y 2 are independently -CO- or SO 2- l. Is preferably an integer of 10 or less.)
Examples of the benzene ring, fused ring and heterocyclic ring shown in "Chemical formula 1" above include phenyl, substituted phenyl, benzyl, substituted benzyl, naphthalene, substituted naphthalene, anthracene, substituted anthracene, anthracene, substituted anthracene, acrydin and substituted. Examples thereof include acrydin, azobenzene, substituted azobenzene, fluorim, substituted fluorim, fluorimon, substituted fluorimon, carbazole, substituted carbazole, N-alkylcarbazole, dibenzofuran, substituted dibenzofuran, phenanthrene, substituted phenanthrene, pyrene and substituted pyrene. When the exemplified substituent has additional substituents, the substituents are, for example, alkyl, aryl, halogen atom, alkoxy, nitro, aldehyde, cyano, amide, dialkylamino, sulfonamide, imide, carboxylic acid, It is selected from carboxylic acid ester, sulfonic acid, sulfonic acid ester, alkylamino and arylamino.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3,6−ジヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(2−ヒドロキシフェニル)スルホン、及びビス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)スルホン等が挙げられる。 Among the substituents represented by "Formula 1" above, a fifth substituent having two phenyl groups, Z is the -SO 2 - an example of a case where the bis (2, 4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (3,6-dihydroxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis Examples thereof include (3-hydroxyphenyl) sulfone, bis (2-hydroxyphenyl) sulfone, and bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) sulfone.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−SO−である場合の例としては、ビス(2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4−ジヒドロキシ−6−メチルフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,4−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(3,5−ジヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−6−メチルフェニル)−スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,3,4−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド、ビス(5−クロロ−2,4,6−トリヒドロキシフェニル)スルホキシド等が挙げられる。 Among the substituents shown in "Chemical formula 1" above, the fifth substituent having two phenyl groups, in which Z is -SO-, is an example of bis (2,3). -Dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (5-chloro-2,3-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,4-dihydroxy-6-methylphenyl) sulfoxide, bis (5) -Chloro-2,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,4-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (3,5-dihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3) , 4-Trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2,3,4-trihydroxy-6-methylphenyl) -sulfoxide, bis (5-chloro-2,3,4-trihydroxyphenyl) sulfoxide, bis (2, Examples thereof include 4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide and bis (5-chloro-2,4,6-trihydroxyphenyl) sulfoxide.

上記の“化1”に示される置換基のうち、フェニル基を2つ有している5番目の置換基であって、Zが−C(=O)−である場合の例としては、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2’,5,6’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−ドデシルオキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,6−ジヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2,2’−ジヒドロキシ−4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−アミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジエチルアミノ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−4’−メトキシ−2’−ヒドロキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノ−2’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン、及び4−ジメチルアミノ−3’,4’−ジヒドロキシベンゾフェノン等が挙げられる。 Of the substituents shown in "Chemical formula 1" above, the fifth substituent having two phenyl groups, in which Z is -C (= O)-, is 2 as an example. , 4-Dihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,2', 4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2', 5,6'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-dodecyloxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,6-dihydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,2' -Dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-amino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-diethylamino-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-4'- Examples thereof include methoxy-2'-hydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-2', 4'-dihydroxybenzophenone, 4-dimethylamino-3', 4'-dihydroxybenzophenone and the like.

上記構造が上記重合体の側鎖に存在している場合、上記構造を含んでいる繰り返し単位の、上記重合体に占める割合は、分離層の光の透過率が0.001%以上、10%以下になる範囲内にある。該割合がこのような範囲に収まるように重合体が調製されていれば、分離層が十分に光を吸収して、確実かつ迅速に変質し得る。すなわち、封止基板からの支持体の除去が容易であり、該除去に必要な光の照射時間を短縮させることができる。 When the structure is present in the side chain of the polymer, the ratio of the repeating unit containing the structure to the polymer is such that the light transmittance of the separation layer is 0.001% or more and 10%. It is within the following range. If the polymer is prepared so that the ratio falls within such a range, the separation layer can sufficiently absorb light and can be reliably and rapidly denatured. That is, the support can be easily removed from the sealing substrate, and the light irradiation time required for the removal can be shortened.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している光を吸収することができる。例えば、上記構造が吸収可能な光の波長は、100nm以上、2,000nm以下の範囲内であることがより好ましい。この範囲内のうち、上記構造が吸収可能な光の波長は、より短波長側であり、例えば、100nm以上、500nm以下の範囲内である。例えば、上記構造は、好ましくはおよそ300nm以上、370nm以下の範囲内の波長を有している紫外光を吸収することによって、該構造を含んでいる重合体を変質させ得る。 The structure can absorb light having a wavelength in a desired range, depending on the type of selection. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is more preferably in the range of 100 nm or more and 2,000 nm or less. Within this range, the wavelength of light that can be absorbed by the structure is on the shorter wavelength side, for example, in the range of 100 nm or more and 500 nm or less. For example, the structure can alter the polymer containing the structure by absorbing ultraviolet light having a wavelength in the range of preferably about 300 nm or more and 370 nm or less.

上記構造が吸収可能な光は、例えば、高圧水銀ランプ(波長:254nm以上、436nm以下)、KrFエキシマレーザ(波長:248nm)、ArFエキシマレーザ(波長:193nm)、F2エキシマレーザ(波長:157nm)、XeClレーザ(波長:308nm)、XeFレーザ(波長:351nm)若しくは固体UVレーザ(波長:355nm)から発せられる光、又はg線(波長:436nm)、h線(波長:405nm)若しくはi線(波長:365nm)等である。 Lights that can be absorbed by the above structure include, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength: 254 nm or more and 436 nm or less), a KrF excimer laser (wavelength: 248 nm), an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm), and an F2 excimer laser (wavelength: 157 nm). , XeCl laser (wavelength: 308 nm), XeF laser (wavelength: 351 nm) or solid UV laser (wavelength: 355 nm), or g-line (wavelength: 436 nm), h-line (wavelength: 405 nm) or i-line (wavelength: 405 nm) Wavelength: 365 nm) and the like.

上述した分離層は、繰り返し単位として上記構造を含んでいる重合体を含有しているが、分離層はさらに、上記重合体以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による光の吸収、及び重合体の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。 The above-mentioned separation layer contains a polymer containing the above-mentioned structure as a repeating unit, but the separation layer may further contain a component other than the above-mentioned polymer. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component capable of improving the peelability of the support. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not interfere with or promote the absorption of light by the above structure and the alteration of the polymer.

(無機物)
分離層は、無機物からなっていてもよい。分離層は、無機物によって構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体1を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Inorganic substance)
The separation layer may be made of an inorganic substance. Since the separation layer is composed of an inorganic substance, it is deteriorated by absorbing light, and as a result, the strength or adhesiveness before being irradiated with light is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support 1), the separation layer is broken, and the support and the sealing substrate can be easily separated.

上記無機物は、光を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、金属、金属化合物及びカーボンからなる群より選択される1種類以上の無機物を好適に用いることができる。金属化合物とは、金属原子を含む化合物を指し、例えば、金属酸化物、金属窒化物であり得る。このような無機物の例示としては、これに限定されるものではないが、金、銀、銅、鉄、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、SiO、SiN、Si、TiN、及びカーボンからなる群より選ばれる1種類以上の無機物が挙げられる。なお、カーボンとは炭素の同素体も含まれ得る概念であり、例えば、ダイヤモンド、フラーレン、ダイヤモンドライクカーボン、カーボンナノチューブ等であり得る。 The inorganic substance may have a structure that is altered by absorbing light, and for example, one or more kinds of inorganic substances selected from the group consisting of metals, metal compounds and carbon can be preferably used. The metal compound refers to a compound containing a metal atom, and may be, for example, a metal oxide or a metal nitride. Examples of such inorganic substances include, but are not limited to, gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3 N 4 , TiN, and carbon. One or more kinds of inorganic substances selected from the group of Note that carbon is a concept that may include allotropes of carbon, and may be, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, carbon nanotubes, and the like.

上記無機物は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた無機物が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、上記無機物を好適に変質させ得る。 The inorganic substance absorbs light having a wavelength in a unique range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within the range absorbed by the inorganic substance used for the separation layer, the above-mentioned inorganic substance can be suitably altered.

無機物からなる分離層に照射する光としては、上記無機物が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を適宜用いればよい。 The light irradiated to the separation layer made of an inorganic substance, depending on the wavelength capable of absorbing the inorganic material, for example, YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, a solid laser such as a fiber laser, a dye laser Liquid lasers such as, CO 2 lasers, excimer lasers, Ar lasers, gas lasers such as He-Ne lasers, laser beams such as semiconductor lasers and free electron lasers, or non-laser lasers may be appropriately used.

無機物からなる分離層は、例えばスパッタ、化学蒸着(CVD)、メッキ、プラズマCVD、スピンコート等の公知の技術により、支持体上に形成され得る。無機物からなる分離層の厚さは特に限定されず、使用する光を十分に吸収し得る膜厚であればよいが、例えば、0.05μm以上、10μm以下の範囲内の膜厚とすることがより好ましい。また、分離層を構成する無機物からなる無機膜(例えば、金属膜)の両面又は片面に予め接着剤を塗布し、支持体に貼り付けてもよい。 The separation layer made of an inorganic substance can be formed on the support by a known technique such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, spin coating and the like. The thickness of the separation layer made of an inorganic substance is not particularly limited as long as it can sufficiently absorb the light to be used. For example, the film thickness may be within the range of 0.05 μm or more and 10 μm or less. More preferable. Further, an adhesive may be applied in advance to both sides or one side of an inorganic film (for example, a metal film) made of an inorganic substance constituting the separation layer, and the adhesive may be attached to the support.

なお、分離層として金属膜を使用する場合には、分離層の膜質、レーザ光源の種類、レーザ出力等の条件によっては、レーザの反射や膜への帯電等が起こり得る。そのため、反射防止膜や帯電防止膜を分離層の上下又はどちらか一方に設けることで、それらの対策を図ることが好ましい。 When a metal film is used as the separation layer, laser reflection or charging of the film may occur depending on conditions such as the film quality of the separation layer, the type of laser light source, and the laser output. Therefore, it is preferable to provide antireflection films and antistatic films on the top and bottom or either of the separation layers to take measures against them.

(赤外線吸収性の構造を有する化合物)
分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物によって形成されていてもよい。該化合物は、赤外線を吸収することにより変質する。分離層は、化合物の変質の結果として、赤外線の照射を受ける前の強度又は接着性を失っている。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Compound with infrared absorbing structure)
The separation layer may be formed of a compound having an infrared absorbing structure. The compound is altered by absorbing infrared rays. The separation layer loses its strength or adhesiveness before being irradiated with infrared rays as a result of alteration of the compound. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is broken, and the support and the sealing substrate can be easily separated.

赤外線吸収性を有している構造、又は赤外線吸収性を有している構造を含む化合物としては、例えば、アルカン、アルケン(ビニル、トランス、シス、ビニリデン、三置換、四置換、共役、クムレン、環式)、アルキン(一置換、二置換)、単環式芳香族(ベンゼン、一置換、二置換、三置換)、アルコール及びフェノール類(自由OH、分子内水素結合、分子間水素結合、飽和第二級、飽和第三級、不飽和第二級、不飽和第三級)、アセタール、ケタール、脂肪族エーテル、芳香族エーテル、ビニルエーテル、オキシラン環エーテル、過酸化物エーテル、ケトン、ジアルキルカルボニル、芳香族カルボニル、1,3−ジケトンのエノール、o−ヒドロキシアリールケトン、ジアルキルアルデヒド、芳香族アルデヒド、カルボン酸(二量体、カルボン酸アニオン)、ギ酸エステル、酢酸エステル、共役エステル、非共役エステル、芳香族エステル、ラクトン(β−、γ−、δ−)、脂肪族酸塩化物、芳香族酸塩化物、酸無水物(共役、非共役、環式、非環式)、第一級アミド、第二級アミド、ラクタム、第一級アミン(脂肪族、芳香族)、第二級アミン(脂肪族、芳香族)、第三級アミン(脂肪族、芳香族)、第一級アミン塩、第二級アミン塩、第三級アミン塩、アンモニウムイオン、脂肪族ニトリル、芳香族ニトリル、カルボジイミド、脂肪族イソニトリル、芳香族イソニトリル、イソシアン酸エステル、チオシアン酸エステル、脂肪族イソチオシアン酸エステル、芳香族イソチオシアン酸エステル、脂肪族ニトロ化合物、芳香族ニトロ化合物、ニトロアミン、ニトロソアミン、硝酸エステル、亜硝酸エステル、ニトロソ結合(脂肪族、芳香族、単量体、二量体)、メルカプタン及びチオフェノール及びチオール酸等の硫黄化合物、チオカルボニル基、スルホキシド、スルホン、塩化スルホニル、第一級スルホンアミド、第二級スルホンアミド、硫酸エステル、炭素−ハロゲン結合、Si−A結合(Aは、H、C、O又はハロゲン)、P−A結合(Aは、H、C又はO)、又はTi−O結合であり得る。 Examples of the compound having an infrared absorbing structure or a compound having an infrared absorbing structure include alkane, alkene (vinyl, trans, cis, vinylidene, tri-substituted, tetra-substituted, conjugated, cumlen, etc.). Cyclic), Alkin (mono-substituted, di-substituted), monocyclic aromatics (benzene, mono-substituted, di-substituted, tri-substituted), alcohols and phenols (free OH, intramolecular hydrogen bonds, intermolecular hydrogen bonds, saturated) Secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxylan ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, Aromatic carbonyl, 1,3-diketone enol, o-hydroxyarylketone, dialkylaldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer, carboxylic acid anion), formic acid ester, acetic acid ester, conjugated ester, non-conjugated ester, Aromatic esters, lactones (β-, γ-, δ-), aliphatic acid compounds, aromatic acidified compounds, acid anhydrides (conjugated, unconjugated, cyclic, acyclic), primary amides, Secondary amide, lactam, primary amine (aliphatic, aromatic), secondary amine (aliphatic, aromatic), tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, primary Secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile, isocyanic acid ester, thiocyan acid ester, aliphatic isothiocyanate ester, aromatic isothiocyanic acid Estere, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitroamine, nitrosoamine, nitrate ester, nitrite ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), mercaptan and thiophenol, thiol acid, etc. Sulfur compound, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfate ester, carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or It can be a halogen), a PA 2 bond (A 2 is an H, C or O), or a Ti-O bond.

上記炭素−ハロゲン結合を含む構造としては、例えば、−CHCl、−CHBr、−CHI、−CF−、−CF、−CH=CF、−CF=CF、フッ化アリール、及び塩化アリール等が挙げられる。 Examples of the structure containing a carbon-halogen bond include -CH 2 Cl, -CH 2 Br, -CH 2 I, -CF 2- , -CF 3 , -CH = CF 2 , -CF = CF 2 , and fluorine. Aryl carbonate, aryl chloride and the like can be mentioned.

上記Si−A結合を含む構造としては、SiH、SiH、SiH、Si−CH、Si−CH−、Si−C、SiO−脂肪族、Si−OCH、Si−OCHCH、Si−OC、Si−O−Si、Si−OH、SiF、SiF、及びSiF等が挙げられる。Si−A結合を含む構造としては、特に、シロキサン骨格及びシルセスキオキサン骨格を形成していることが好ましい。 As the structure including the above Si-A 1 bond, SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si-CH 3 , Si-CH 2- , Si-C 6 H 5 , SiO-aliphatic, Si-OCH 3 , Si- OCH 2 CH 3 , Si-OC 6 H 5 , Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2 , SiF 3 and the like can be mentioned. As the structure containing the Si—A 1 bond, it is particularly preferable to form a siloxane skeleton and a silsesquioxane skeleton.

上記P−A結合を含む構造としては、PH、PH、P−CH、P−CH−、P−C、A −P−O(Aは脂肪族又は芳香族)、(AO)−P−O(Aはアルキル)、P−OCH、P−OCHCH、P−OC、P−O−P、P−OH、及びO=P−OH等が挙げられる。 The structures containing the PA 2 bond include PH, PH 2 , P-CH 3 , P-CH 2- , P-C 6 H 5 , A 3 3 -PO (A 3 is an aliphatic or aromatic). (Group), (A 4 O) 3- P-O (A 4 is alkyl), P-OCH 3 , P-OCH 2 CH 3 , P-OC 6 H 5 , P-O-P, P-OH, and O = P-OH and the like can be mentioned.

上記構造は、その種類の選択によって、所望の範囲の波長を有している赤外線を吸収することができる。具体的には、上記構造が吸収可能な赤外線の波長は、例えば1μm以上、20μm以下の範囲内であり、2μm以上、15μm以下の範囲内をより好適に吸収することができる。さらに、上記構造がSi−O結合、Si−C結合及びTi−O結合である場合には、9μm以上、11μm以下の範囲内であり得る。なお、各構造が吸収できる赤外線の波長は当業者であれば容易に理解することができる。例えば、各構造における吸収帯として、非特許文献:SILVERSTEIN・BASSLER・MORRILL著「有機化合物のスペクトルによる同定法(第5版)−MS、IR、NMR、UVの併用−」(1992年発行)第146頁〜第151頁の記載を参照することができる。 The structure can absorb infrared rays having a wavelength in a desired range, depending on the type of selection. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the structure is, for example, in the range of 1 μm or more and 20 μm or less, and more preferably in the range of 2 μm or more and 15 μm or less. Further, when the structure is a Si—O bond, a Si—C bond and a Ti—O bond, it can be in the range of 9 μm or more and 11 μm or less. Those skilled in the art can easily understand the wavelength of infrared rays that can be absorbed by each structure. For example, as an absorption band in each structure, Non-Patent Documents: SILVERSTEIN, BASSLER, MORRRILL, "Identification method by spectrum of organic compounds (5th edition) -Combination of MS, IR, NMR, UV-" (published in 1992) The description on pages 146 to 151 can be referred to.

分離層の形成に用いられる、赤外線吸収性の構造を有する化合物としては、上述のような構造を有している化合物のうち、塗布のために溶媒に溶解することができ、固化されて固層を形成することができるものであれば、特に限定されるものではない。しかしながら、分離層における化合物を効果的に変質させ、支持体と封止基板との分離を容易にするには、分離層における赤外線の吸収が大きいこと、すなわち、分離層に赤外線を照射したときの赤外線の透過率が低いことが好ましい。具体的には、分離層における赤外線の透過率が90%より低いことが好ましく、赤外線の透過率が80%より低いことがより好ましい。 As a compound having an infrared absorbing structure used for forming a separation layer, among the compounds having the above-mentioned structure, the compound can be dissolved in a solvent for coating and is solidified to form a solid layer. Is not particularly limited as long as it can form. However, in order to effectively alter the compound in the separation layer and facilitate the separation between the support and the sealing substrate, the absorption of infrared rays in the separation layer is large, that is, when the separation layer is irradiated with infrared rays. It is preferable that the infrared transmittance is low. Specifically, the infrared transmittance in the separation layer is preferably lower than 90%, and the infrared transmittance is more preferably lower than 80%.

一例を挙げて説明すれば、シロキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(2)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂、あるいは下記化学式(1)で表される繰り返し単位及びアクリル系化合物由来の繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。 To give an example, examples of the compound having a siloxane skeleton include a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (2), or a resin. A resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (1) and a repeating unit derived from an acrylic compound can be used.

Figure 0006842878
(化学式(2)中、Rは、水素、炭素数10以下のアルキル基、又は炭素数10以下のアルコキシ基である。)
中でも、シロキサン骨格を有する化合物としては、上記化学式(1)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位の共重合体であるt−ブチルスチレン(TBST)−ジメチルシロキサン共重合体がより好ましく、上記化学式(2)で表される繰り返し単位及び下記化学式(3)で表される繰り返し単位を1:1で含む、TBST−ジメチルシロキサン共重合体がさらに好ましい。
Figure 0006842878
(In the chemical formula (2), R 6 is a hydrogen, an alkyl group having 10 or less carbon atoms, or an alkoxy group having 10 or less carbon atoms.)
Among them, the compound having a siloxane skeleton includes t-butylstyrene (TBST) -dimethylsiloxane, which is a copolymer of a repeating unit represented by the above chemical formula (1) and a repeating unit represented by the following chemical formula (3). A polymer is more preferable, and a TBST-dimethylsiloxane copolymer containing a repeating unit represented by the above chemical formula (2) and a repeating unit represented by the following chemical formula (3) in a ratio of 1: 1 is further preferable.

Figure 0006842878
また、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、例えば、下記化学式(4)で表される繰り返し単位及び下記化学式(5)で表される繰り返し単位の共重合体である樹脂を用いることができる。
Figure 0006842878
Further, as the compound having a silsesquioxane skeleton, for example, a resin which is a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (4) and a repeating unit represented by the following chemical formula (5) can be used. ..

Figure 0006842878
(化学式(4)中、Rは、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であり、化学式(5)中、Rは、炭素数1以上、10以下のアルキル基、又はフェニル基である。)
シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、このほかにも、特開2007−258663号公報(2007年10月4日公開)、特開2010−120901号公報(2010年6月3日公開)、特開2009−263316号公報(2009年11月12日公開)、及び特開2009−263596号公報(2009年11月12日公開)において開示されている各シルセスキオキサン樹脂を好適に利用することができる。
Figure 0006842878
(In the chemical formula (4), R 7 is hydrogen or an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 10 or less carbon atoms, and in the chemical formula (5), R 8 is an alkyl group having 1 or more carbon atoms or 10 or less carbon atoms or a phenyl group. Is.)
Other compounds having a silsesquioxane skeleton include JP-A-2007-258663 (published October 4, 2007) and JP-A-2010-120901 (published June 3, 2010). Preferable use of each silsesquioxane resin disclosed in JP-A-2009-263316 (published on November 12, 2009) and JP-A-2009-263596 (published on November 12, 2009). be able to.

中でも、シルセスキオキサン骨格を有する化合物としては、下記化学式(6)で表される繰り返し単位及び下記化学式(7)で表される繰り返し単位の共重合体がより好ましく、下記化学式(6)で表される繰り返し単位及び下記化学式(7)で表される繰り返し単位を7:3で含む共重合体がさらに好ましい。 Among them, as the compound having a silsesquioxane skeleton, a copolymer of a repeating unit represented by the following chemical formula (6) and a repeating unit represented by the following chemical formula (7) is more preferable, and the following chemical formula (6) is used. A copolymer containing a repeating unit represented by the following and a repeating unit represented by the following chemical formula (7) in a ratio of 7: 3 is more preferable.

Figure 0006842878
シルセスキオキサン骨格を有する重合体としては、ランダム構造、ラダー構造、及び籠型構造があり得るが、何れの構造であってもよい。
Figure 0006842878
The polymer having a silsesquioxane skeleton may have a random structure, a ladder structure, and a cage-shaped structure, but any structure may be used.

また、Ti−O結合を含む化合物としては、例えば、(i)テトラ−i−プロポキシチタン、テトラ−n−ブトキシチタン、テトラキス(2−エチルヘキシルオキシ)チタン、及びチタニウム−i−プロポキシオクチレングリコレート等のアルコキシチタン;(ii)ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナト)チタン、及びプロパンジオキシチタンビス(エチルアセトアセテート)等のキレートチタン;(iii)i−CO−[−Ti(O−i−C−O−]−i−C、及びn−CO−[−Ti(O−n−C−O−]−n−C等のチタンポリマー;(iv)トリ−n−ブトキシチタンモノステアレート、チタニウムステアレート、ジ−i−プロポキシチタンジイソステアレート、及び(2−n−ブトキシカルボニルベンゾイルオキシ)トリブトキシチタン等のアシレートチタン;(v)ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン等の水溶性チタン化合物等が挙げられる。 Examples of the compound containing a Ti—O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis (2-ethylhexyloxy) titanium, and titanium-i-propoxyoctylene glycolate. Ekoxytitanium such as (ii) di-i-propoxybis (acetylacetonato) titanium, and chelated titanium such as propanedioxytitanium bis (ethylacetacetate); (iii) i-C 3 H 7 O- [- Ti (O-i-C 3 H 7 ) 2- O-] n- i-C 3 H 7 , and n-C 4 H 9 O- [-Ti (On-C 4 H 9 ) 2- O -] n -n-C 4 titanium polymers such as H 9; (iv) tri -n- butoxy titanium monostearate, titanium stearate, di -i- propoxytitanium diisostearate, and (2-n-butoxy Acrylate titanium such as carbonylbenzoyloxy) tributoxytitanium; and water-soluble titanium compounds such as (v) di-n-butoxybis (triethanolaminoto) titanium can be mentioned.

中でも、Ti−O結合を含む化合物としては、ジ−n−ブトキシ・ビス(トリエタノールアミナト)チタン(Ti(OC[OCN(COH))が好ましい。 Among them, as a compound containing a Ti—O bond, di-n-butoxy-bis (triethanolamineto) titanium (Ti (OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N (C 2 H 4 OH) 2 ]] 2 ) is preferable.

上述した分離層は、赤外線吸収性の構造を有する化合物を含有しているが、分離層はさらに、上記化合物以外の成分を含み得る。該成分としては、フィラー、可塑剤、及び支持体の剥離性を向上し得る成分等が挙げられる。これらの成分は、上記構造による赤外線の吸収、及び化合物の変質を妨げないか、又は促進する、従来公知の物質又は材料から適宜選択される。 The above-mentioned separation layer contains a compound having an infrared absorbing structure, but the separation layer may further contain a component other than the above-mentioned compound. Examples of the component include a filler, a plasticizer, and a component capable of improving the peelability of the support. These components are appropriately selected from conventionally known substances or materials that do not interfere with or promote the absorption of infrared rays by the above structure and the alteration of the compound.

(赤外線吸収物質)
分離層は、赤外線吸収物質を含有していてもよい。分離層は、赤外線吸収物質を含有して構成されることにより、光を吸収することによって変質するようになっており、その結果として、光の照射を受ける前の強度又は接着性を失う。よって、わずかな外力を加える(例えば、支持体を持ち上げる等)ことによって、分離層が破壊されて、支持体と封止基板とを分離し易くすることができる。
(Infrared absorber)
The separation layer may contain an infrared absorbing substance. The separation layer is configured to contain an infrared absorbing substance so that it is altered by absorbing light, and as a result, the strength or adhesiveness before being irradiated with light is lost. Therefore, by applying a slight external force (for example, lifting the support), the separation layer is broken, and the support and the sealing substrate can be easily separated.

赤外線吸収物質は、赤外線を吸収することによって変質する構成であればよく、例えば、カーボンブラック、鉄粒子、又はアルミニウム粒子を好適に用いることができる。赤外線吸収物質は、その種類によって固有の範囲の波長を有する光を吸収する。分離層に用いた赤外線吸収物質が吸収する範囲の波長の光を分離層に照射することにより、赤外線吸収物質を好適に変質させ得る。 The infrared absorbing substance may have a structure that is altered by absorbing infrared rays, and for example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be preferably used. Infrared absorbers absorb light with wavelengths in a unique range depending on the type. By irradiating the separation layer with light having a wavelength within the range absorbed by the infrared absorbing substance used for the separation layer, the infrared absorbing substance can be suitably altered.

(反応性ポリシルセスキオキサン)
分離層は、反応性ポリシルセスキオキサンを重合させることにより形成することができる。これにより、分離層は、高い耐薬品性と高い耐熱性とを備えている。
(Reactive polysilsesquioxane)
The separation layer can be formed by polymerizing the reactive polysilsesquioxane. As a result, the separation layer has high chemical resistance and high heat resistance.

本明細書中において、反応性ポリシルセスキオキサンとは、ポリシルセスキオキサン骨格の末端にシラノール基、又は、加水分解することによってシラノール基を形成することができる官能基を有するポリシルセスキオキサンであり、当該シラノール基又はシラノール基を形成することができる官能基を縮合することによって、互いに重合することができるものである。また、反応性ポリシルセスキオキサンは、シラノール基、又は、シラノール基を形成することができる官能基を備えていれば、ランダム構造、籠型構造、ラダー構造等のシルセスキオキサン骨格を備えている反応性ポリシルセスキオキサンを採用することができる。 In the present specification, the reactive polysilsesquioxane is a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton, or a polysilseski having a functional group capable of forming a silanol group by hydrolysis. It is an oxane and can be polymerized with each other by condensing the silanol group or the functional group capable of forming the silanol group. Further, the reactive polysilsesquioxane has a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a cage-shaped structure, or a ladder structure if it has a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group. Reactive polysilsesquioxane can be employed.

また、反応性ポリシルセスキオキサンは、下記化学式(8)に示す構造を有していることがより好ましい。 Further, it is more preferable that the reactive polysilsesquioxane has a structure represented by the following chemical formula (8).

Figure 0006842878
化学式(8)中、R”は、それぞれ独立して、水素及び炭素数1以上、10以下のアルキル基からなる群より選択され、水素及び炭素数1以上、5以下のアルキル基からなる群より選択されることがより好ましい。R”が、水素又は炭素数1以上、10以下のアルキル基であれば、分離層形成工程における加熱によって、化学式(8)によって表される反応性ポリシルセスキオキサンを好適に縮合させることができる。
Figure 0006842878
In the chemical formula (8), R "is independently selected from the group consisting of hydrogen and alkyl groups having 1 or more and 10 or less carbon atoms, and from the group consisting of hydrogen and alkyl groups having 1 or more and 5 or less carbon atoms. More preferably, it is more preferably selected. If R "is hydrogen or an alkyl group having 1 or more carbon atoms and 10 or less carbon atoms, the reactive polysilsesquioki represented by the chemical formula (8) is generated by heating in the separation layer forming step. Sun can be suitably condensed.

化学式(8)中、pは、1以上、100以下の整数であることが好ましく、1以上、50以下の整数であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンは、化学式(8)で表される繰り返し単位を備えることによって、他の材料を用いて形成するよりもSi−O結合の含有量が高く、赤外線(0.78μm以上、1,000μm以下)、好ましくは遠赤外線(3μm以上、1,000μm以下)、さらに好ましくは波長9μm以上、11μm以下における吸光度の高い分離層を形成することができる。 In the chemical formula (8), p is preferably an integer of 1 or more and 100 or less, and more preferably an integer of 1 or more and 50 or less. By providing the repeating unit represented by the chemical formula (8), the reactive polysilsesquioxane has a higher content of Si—O bond than that formed by using other materials, and has an infrared ray (0.78 μm or more). , 1,000 μm or less), preferably far infrared rays (3 μm or more, 1,000 μm or less), and more preferably a separation layer having high absorbance at a wavelength of 9 μm or more and 11 μm or less can be formed.

また、化学式(8)中、R’は、それぞれ独立して、互いに同じか、又は異なる有機基である。ここで、Rは、例えば、アリール基、アルキル基、及び、アルケニル基等であり、これらの有機基は置換基を有していてもよい。 Further, in the chemical formula (8), R'is an organic group that is the same as or different from each other independently. Here, R is, for example, an aryl group, an alkyl group, an alkenyl group, or the like, and these organic groups may have a substituent.

R’がアリール基である場合、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等を挙げることができ、フェニル基であることがより好ましい。また、アリール基は、炭素数1〜5のアルキレン基を介してポリシルセスキオキサン骨格に結合していてもよい。 When R'is an aryl group, a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group and the like can be mentioned, and a phenyl group is more preferable. Further, the aryl group may be bonded to the polysilsesquioxane skeleton via an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms.

R’がアルキル基である場合、アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキル基を挙げることができる。また、Rがアルキル基である場合、炭素数は1〜15であることが好ましく、1〜6であることがより好ましい。また、Rが、環状のアルキル基である場合、単環状又は2〜4環状の構造をしたアルキル基であってもよい。 When R'is an alkyl group, examples of the alkyl group include linear, branched or cyclic alkyl groups. When R is an alkyl group, the number of carbon atoms is preferably 1 to 15, and more preferably 1 to 6. When R is a cyclic alkyl group, it may be an alkyl group having a monocyclic or 2 to 4 cyclic structure.

R’がアルケニル基である場合、アルキル基の場合と同様に、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルケニル基を挙げることができ、アルケニル基は、炭素数が2〜15であることが好ましく、2〜6であることがより好ましい。また、Rが、環状のアルケニル基である場合、単環状又は2〜4環状の構造をしたアルケニル基であってもよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、及びアリル基等を挙げることができる。 When R'is an alkenyl group, as in the case of an alkyl group, a linear, branched or cyclic alkenyl group can be mentioned, and the alkenyl group may have 2 to 15 carbon atoms. It is preferably 2 to 6, and more preferably 2 to 6. When R is a cyclic alkenyl group, it may be an alkenyl group having a monocyclic or 2-4 cyclic structure. Examples of the alkenyl group include a vinyl group and an allyl group.

また、R’が有し得る置換基としては、水酸基及びアルコキシ基等を挙げることができる。置換基がアルコキシ基である場合、直鎖状、分岐鎖状、又は環状のアルキルアルコキシ基を挙げることができ、アルコキシ基における炭素数は1〜15であることが好ましく、1〜10であることがより好ましい。 Further, examples of the substituent that R'can have include a hydroxyl group and an alkoxy group. When the substituent is an alkoxy group, a linear, branched, or cyclic alkylalkoxy group can be mentioned, and the number of carbon atoms in the alkoxy group is preferably 1 to 15, preferably 1 to 10. Is more preferable.

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量は、70モル%以上、99モル%以下であることが好ましく、80モル%以上、99モル%以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンのシロキサン含有量が70モル%以上、99モル%以下であれば、赤外線(好ましくは遠赤外線、さらに好ましくは波長9μm以上、11μm以下の光)を照射することによって好適に変質させることができる分離層を形成することができる。 From one viewpoint, the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 mol% or more and 99 mol% or less, and more preferably 80 mol% or more and 99 mol% or less. .. When the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is 70 mol% or more and 99 mol% or less, it is preferable to irradiate with infrared rays (preferably far infrared rays, more preferably light having a wavelength of 9 μm or more and 11 μm or less). It is possible to form a separation layer that can be altered to.

また、一つの観点において、反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)は、500以上、50,000以下であることが好ましく、1,000以上、10,000以下であることがより好ましい。反応性ポリシルセスキオキサンの重量平均分子量(Mw)が500以上、50,000以下であれば、溶剤に好適に溶解させることができ、サポートプレート上に好適に塗布することができる。 Further, from one viewpoint, the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 or more and 50,000 or less, and more preferably 1,000 or more and 10,000 or less. preferable. When the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is 500 or more and 50,000 or less, it can be suitably dissolved in a solvent and can be suitably applied on a support plate.

反応性ポリシルセスキオキサンとして用いることができる市販品としては、例えば、小西化学工業株式会社製のSR−13、SR−21、SR−23及びSR−33等を挙げることができる。 Examples of commercially available products that can be used as the reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23 and SR-33 manufactured by Konishi Chemical Industry Co., Ltd.

<積層体の製造方法、及び基板処理方法>
本発明の一実施形態(実施形態4)に係る積層体の製造方法は、素子が実装される再配線層と、上記素子を封止材によって封止した封止体とを備えている封止基板を、上記封止基板を支持する支持体上に接着層を介して積層してなる積層体の製造方法であって、上記支持体上に、上述の接着剤組成物を塗布することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。また、本実施形態に係る積層体の製造方法において、支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、上記接着層形成工程前に、上記支持体上に光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程を包含している。
<Manufacturing method of laminated body and substrate processing method>
A method for manufacturing a laminated body according to an embodiment of the present invention (Embodiment 4) includes a rewiring layer on which an element is mounted and a sealing body in which the element is sealed with a sealing material. A method for producing a laminated body in which a substrate is laminated on a support supporting the sealing substrate via an adhesive layer, and the above-mentioned adhesive composition is applied onto the support. It includes an adhesive layer forming step of forming an adhesive layer. Further, in the method for producing a laminated body according to the present embodiment, the support is a support made of a material that transmits light, and is altered by irradiating the support with light before the adhesive layer forming step. It includes a separation layer forming step of forming a separation layer to be formed.

また、本実施形態に係る基板処理方法は、本発明の一実施形態に係る積層体の製造方法によって、上記積層体を製造した後、上記支持体を介して光を照射することで、上記分離層を変質させることにより、上記積層体から上記支持体を分離する分離工程と、分離工程後、上記封止基板側に残る上記接着層の残渣を洗浄液によって除去する除去工程とを包含している。 Further, in the substrate processing method according to the present embodiment, the laminate is manufactured by the method for producing the laminate according to the embodiment of the present invention, and then light is irradiated through the support to separate the laminate. It includes a separation step of separating the support from the laminate by altering the layer, and a removal step of removing the residue of the adhesive layer remaining on the sealing substrate side with a cleaning liquid after the separation step. ..

図1は、本発明の実施形態1に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法における各工程を説明する図である。本実施形態に係る積層体の製造方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、及び封止基板形成工程をこの順に実施する。 FIG. 1 is a diagram illustrating each step in the method for manufacturing a laminate and the method for processing a substrate according to the first embodiment of the present invention. In the method for producing a laminate according to the present embodiment, the separation layer forming step, the adhesive layer forming step, and the sealing substrate forming step are carried out in this order.

[分離層形成工程]
図1の(a)に示すように、分離層形成工程では、光を透過する支持体1の一方の平面部1aに、例えば、化学気相成長(CVD)法等により、光を照射することで変質する分離層2を形成する。なお、「一方の平面部」とは、支持体1が有する平面部のうちの一つを指す。また、「平面部」は、実質的に平面と見なせる程度の微細な凹凸を有していてもよい。
[Separation layer forming step]
As shown in FIG. 1A, in the separation layer forming step, one flat surface portion 1a of the support 1 that transmits light is irradiated with light by, for example, a chemical vapor deposition (CVD) method. The separation layer 2 that is denatured by is formed. The "one flat surface portion" refers to one of the flat surface portions of the support 1. Further, the "flat surface portion" may have fine irregularities that can be regarded as a substantially flat surface.

[接着層形成工程]
図1の(b)に示すように、接着層形成工程では、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法により上述の接着剤組成物を塗布し、加熱するか、又は、減圧環境下に置くことにより、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去する。その後、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、加熱することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、接着層3を加熱する条件は、熱重合開始剤における1分間半減温度、及び、1時間半減温度に基づき、適宜設定すればよいが、例えば、50℃以上、300℃以下の範囲内の温度において、真空下又は窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて行うことがより好ましい。
[Adhesive layer forming process]
As shown in FIG. 1B, in the adhesive layer forming step, for example, the above-mentioned adhesive composition is applied and heated by a method such as spin coating, dipping, roller blade, spray coating, slit coating or the like. Alternatively, the diluting solvent contained in the adhesive composition is removed by placing it in a reduced pressure environment. After that, when the adhesive layer contains a thermal polymerization initiator, it is preferable to polymerize the curable monomer contained in the adhesive layer by heating. The conditions for heating the adhesive layer 3 may be appropriately set based on the 1-minute half-temperature and the 1-hour half-temperature of the thermal polymerization initiator, and are, for example, within the range of 50 ° C. or higher and 300 ° C. or lower. At temperature, it is preferable to carry out under vacuum or in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas, and more preferably to carry out under an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas.

また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下にて露光することにより、当該接着層が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。なお、露光する条件は、光重合開始剤の種類等に応じて適宜設定すればよい。 When the adhesive layer contains a photopolymerization initiator, it is preferable to polymerize the curable monomer contained in the adhesive layer by exposing it in an atmosphere of an inert gas such as nitrogen gas. The exposure conditions may be appropriately set according to the type of photopolymerization initiator and the like.

なお、接着層3が硬化性モノマーを含んでいなければ、溶剤を除去した後において、必ずしも加熱、又は露光を行なう必要はない。 If the adhesive layer 3 does not contain a curable monomer, it is not always necessary to heat or expose the adhesive layer 3 after removing the solvent.

[封止基板形成工程]
図1の(c)〜(f)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3に、封止基板7を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
[Encapsulation substrate forming process]
As shown in FIGS. 1 (c) to 1 (f), in the sealing substrate forming step, the sealing substrate 7 is formed on the adhesive layer 3. In the sealing substrate forming step in the present embodiment, the rewiring layer forming step, the mounting step, the sealing step, and the thinning step are performed in this order.

[再配線層形成工程]
図1の(c)に示すように、再配線層形成工程では、接着層3上に再配線層4を形成する。
[Rewiring layer forming process]
As shown in FIG. 1 (c), in the rewiring layer forming step, the rewiring layer 4 is formed on the adhesive layer 3.

一実施形態において、再配線層4の形成手順としては、まず、接着層3上に、酸化シリコン(SiO)、感光性樹脂等の誘電体層を形成する。酸化シリコンからなる誘電体層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法等により形成することができる。感光性樹脂からなる誘電体層は、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布及びスリット塗布等の方法により感光性樹脂を塗布することによって形成することができる。 In one embodiment, as a procedure for forming the rewiring layer 4, first, a dielectric layer such as silicon oxide (SiO x ) or a photosensitive resin is formed on the adhesive layer 3. The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like. The dielectric layer made of a photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin by, for example, spin coating, dipping, roller blades, spray coating, slit coating, or the like.

続いて、誘電体層に、金属等の導電体によって配線を形成する。配線の形成手法としては、例えば、フォトリソグラフィー(レジストリソグラフィー)等のリソグラフィー処理、エッチング処理等の公知の半導体プロセス手法を用いることができる。このような、リソグラフィー処理には、例えば、ポジ型レジスト剤を用いたリソグラフィー処理、及びネガ型レジスト剤を用いたリソグラフィー処理が挙げられる。 Subsequently, wiring is formed on the dielectric layer with a conductor such as metal. As a wiring forming method, for example, a known semiconductor process method such as a lithography process such as photolithography (resist lithography) or an etching process can be used. Examples of such a lithography process include a lithography process using a positive resist agent and a lithography process using a negative resist agent.

このように、フォトリソグラフィー処理、及びエッチング処理等を行うときにおいて、接着層3は、フッ化水素酸等の酸、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ、及び、レジスト剤を溶解するためのレジスト溶剤に曝される。レジスト溶剤としては、PGMEA、シクロペンタノン、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)、及びシクロヘキサノン等が用いられる。しかしながら、接着層3は、シクロオレフィンポリマー中において硬化性モノマーを重合させることにより耐薬品性が高められている。このため、酸、アルカリのみならず、これらレジスト溶剤に曝されることによって接着層3が、溶解、又は剥離することを防止することができる。よって、接着層3上にレジスト剤によって精度の高いパターンを形成することができ、再配線層4を好適に形成することができる。 In this way, when performing photolithography treatment, etching treatment, etc., the adhesive layer 3 dissolves an acid such as hydrofluoric acid, an alkali such as tetramethylammonium hydroxide (TMAH), and a resist agent. Is exposed to the resist solvent of. As the resist solvent, PGMEA, cyclopentanone, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), cyclohexanone and the like are used. However, the adhesive layer 3 has enhanced chemical resistance by polymerizing a curable monomer in the cycloolefin polymer. Therefore, it is possible to prevent the adhesive layer 3 from being dissolved or peeled off by being exposed to not only acids and alkalis but also these resist solvents. Therefore, a highly accurate pattern can be formed on the adhesive layer 3 with a resist agent, and the rewiring layer 4 can be suitably formed.

また、再配線層形成工程では、例えば、接着層3上に形成されたレジスト剤を硬化させるために、200℃という高温環境下、4時間程度の加熱処理を行なう。このとき、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、接着層にクラックが生じることを防止することができる。また、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、高温環境下、長時間曝されたときにおいて、接着層3上に形成されたレジスト被膜が収縮(シュリンク)することを好適に防止することができる。従って、接着層3上に再配線層4を好適に形成することができる。 Further, in the rewiring layer forming step, for example, in order to cure the resist agent formed on the adhesive layer 3, a heat treatment is performed for about 4 hours in a high temperature environment of 200 ° C. At this time, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, it is possible to prevent cracks from occurring in the adhesive layer. Further, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, it preferably prevents the resist film formed on the adhesive layer 3 from shrinking (shrinking) when exposed to a high temperature environment for a long time. be able to. Therefore, the rewiring layer 4 can be suitably formed on the adhesive layer 3.

図1の(d)に示すように、実装工程では、再配線層4上に素子5を実装する。再配線層4上への素子5の実装は、例えば、チップマウンター等を用いて行うことができる。なお、実装工程において、再配線層4上にソルダーバンプを介して素子5を実装しているのであれば、素子5を封止する前に、当該ソルダーバンプをアンダーフィルによって封止してもよい。 As shown in FIG. 1D, in the mounting step, the element 5 is mounted on the rewiring layer 4. The element 5 can be mounted on the rewiring layer 4 by using, for example, a chip mounter or the like. If the element 5 is mounted on the rewiring layer 4 via the solder bumps in the mounting step, the solder bumps may be sealed by underfilling before the element 5 is sealed. ..

図1の(e)に示すように、封止工程では、素子5を封止材6によって封止する。特に限定されるものではなく、封止材6は、例えば、130℃〜170℃に加熱された状態で、高粘度の状態を維持しつつ、成形型を用いて圧縮成形される。このため、素子5を封止材6によって封止するときに、接着層3は素子5を配置した状態において、130℃〜170℃の温度にて加圧される。しかしながら、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、130℃〜170℃の温度にて加圧されることで、素子5を配置した再配線層4が歪むことを好適に防止することができる。 As shown in FIG. 1 (e), in the sealing step, the element 5 is sealed with the sealing material 6. The sealing material 6 is not particularly limited, and is compression-molded using a molding die while maintaining a high viscosity state, for example, in a state of being heated to 130 ° C. to 170 ° C. Therefore, when the element 5 is sealed by the sealing material 6, the adhesive layer 3 is pressurized at a temperature of 130 ° C. to 170 ° C. with the element 5 arranged. However, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, it is preferable to prevent the rewiring layer 4 on which the element 5 is arranged from being distorted by being pressurized at a temperature of 130 ° C. to 170 ° C. Can be done.

図1の(f)に示すように、薄化工程では、封止材6を薄化する。封止材6は、例えば、素子5と同等の厚さにまで薄化してもよい。 As shown in FIG. 1 (f), the sealing material 6 is thinned in the thinning step. The sealing material 6 may be thinned to the same thickness as the element 5, for example.

また、薄化工程後に封止材上へのバンプの形成、及び、絶縁層の形成等の処理をさらに行ってもよい。 Further, after the thinning step, treatments such as forming bumps on the sealing material and forming an insulating layer may be further performed.

以上の工程によって得られた図1の(g)に示す積層体8は、光を透過する支持体1と、光を照射することで変質する分離層2と、接着層3と、封止基板7と、がこの順に積層されてなり、封止基板7は、素子5を封止する封止材6によって封止した封止体と、当該封止材の一方の平面部に設けられた、素子5を配置する再配線層4とを備えている。 The laminate 8 shown in FIG. 1 (g) obtained by the above steps includes a support 1 that transmits light, a separation layer 2 that is altered by irradiation with light, an adhesive layer 3, and a sealing substrate. 7 and 7 are laminated in this order, and the sealing substrate 7 is provided on one flat surface portion of the sealing body sealed by the sealing material 6 for sealing the element 5 and the sealing material. It includes a rewiring layer 4 on which the element 5 is arranged.

[分離工程]
図1の(h)に示すように、分離工程では、支持体1を介して、分離層2に光Lを照射することで、分離層2を変質させる。照射する光Lの種類及び波長は、支持体1の透過性及び分離層2の材質に応じて適宜選択すればよく、例えば、YAGレーザ、ルビーレーザ、ガラスレーザ、YVOレーザ、LDレーザ、ファイバーレーザ等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、COレーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、又は、非レーザ光を用いることができる。これにより、分離層2を変質させて、支持体1と封止基板7とを容易に分離可能な状態とすることができる。
[Separation process]
As shown in FIG. 1 (h), in the separation step, the separation layer 2 is altered by irradiating the separation layer 2 with light L via the support 1. The type and wavelength of the light L to be irradiated may be appropriately selected according to the transparency of the support 1 and the material of the separation layer 2. For example, a YAG laser, a ruby laser, a glass laser, a YVO 4 laser, an LD laser, and a fiber. Use solid lasers such as lasers, liquid lasers such as dye lasers , gas lasers such as CO 2 lasers, excima lasers, Ar lasers, and He-Ne lasers, laser light such as semiconductor lasers and free electron lasers, or non-laser light. be able to. As a result, the separation layer 2 can be altered so that the support 1 and the sealing substrate 7 can be easily separated.

また、レーザ光を照射する場合のレーザ光照射条件の一例としては、以下の条件を挙げることができるが、これに限定されない:レーザ光の平均出力値は、1.0W以上、5.0W以下であることが好ましく、3.0W以上、4.0W以下であることがより好ましい;レーザ光の繰り返し周波数は、20kHz以上、60kHz以下であることが好ましく、30kHz以上、50kHz以下であることがより好ましい;レーザ光の走査速度は、100mm/s以上、10,000mm/s以下であることが好ましい。 Further, examples of the laser light irradiation conditions for irradiating the laser light include, but are not limited to, the following conditions: the average output value of the laser light is 1.0 W or more and 5.0 W or less. It is preferably 3.0 W or more and 4.0 W or less; the repetition frequency of the laser light is preferably 20 kHz or more and 60 kHz or less, and more preferably 30 kHz or more and 50 kHz or less. Preferred; the scanning speed of the laser beam is preferably 100 mm / s or more and 10,000 mm / s or less.

その後、図1の(i)に示すように、分離工程では、支持体1と封止基板7とを分離する。例えば、支持体1と封止基板7とが互いに離れる方向に力を加えることにより、支持体1と、封止基板7とを分離する。例えば、支持体1及び封止基板7の一方をステージに固定した状態で、他方をベローズパッド等の吸着パッドを備えた分離プレートにより吸着保持しつつ持ち上げることにより、支持体1と封止基板7とを分離することができる。 After that, as shown in FIG. 1 (i), the support 1 and the sealing substrate 7 are separated in the separation step. For example, the support 1 and the sealing substrate 7 are separated by applying a force in a direction in which the support 1 and the sealing substrate 7 are separated from each other. For example, while one of the support 1 and the sealing substrate 7 is fixed to the stage, the support 1 and the sealing substrate 7 are lifted while being sucked and held by a separation plate provided with a suction pad such as a bellows pad. And can be separated.

〔除去工程〕
図1の(h)に示すように、除去工程では、支持体1が分離された封止基板7に残留している接着層3と分離層2とを除去する。例えば、有機溶剤を含んでいる洗浄液等によって接着層3及び分離層2の残渣を除去する除去工程を行う。接着層3は、洗浄液として、接着剤組成物に用いられる希釈溶剤、つまり、炭化水素系溶剤を好ましく用いることができ、特に、p−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素を用いることがより好ましい。
[Removal process]
As shown in FIG. 1 (h), in the removing step, the adhesive layer 3 and the separating layer 2 remaining on the sealing substrate 7 from which the support 1 is separated are removed. For example, a removal step of removing the residue of the adhesive layer 3 and the separation layer 2 with a cleaning liquid or the like containing an organic solvent is performed. For the adhesive layer 3, a diluting solvent used in the adhesive composition, that is, a hydrocarbon solvent can be preferably used as the cleaning liquid, and in particular, a terpene solvent such as p-menthane and a condensed ring carbide such as tetrahydronaphthalene can be used. It is more preferable to use hydrogen.

以上により、単離された封止基板7を得ることができる。 From the above, the isolated sealing substrate 7 can be obtained.

また、さらに、封止基板7に対して、ソルダーボール形成、ダイシング処理、及び、酸化膜形成等の処理を行ってもよい。 Further, the sealing substrate 7 may be subjected to treatments such as solder ball formation, dicing treatment, and oxide film formation.

〔実施形態5〕
本発明の別の実施形態(実施形態5)について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態2に係る積層体の製造方法、及び基板処理方法は、分離層形成工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、分離工程、及び除去工程をこの順に実施し、封止基板形成工程では、接着層3上に素子を配置する。なお、図2の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1と同様であるため、その説明を省略する。
[Embodiment 5]
Another embodiment of the present invention (Embodiment 5) will be described below. For convenience of explanation, the same reference numerals will be added to the members having the same functions as the members described in the above embodiment, and the description thereof will be omitted. In the method for manufacturing the laminate and the method for treating the substrate according to the second embodiment, the separation layer forming step, the adhesive layer forming step, the sealing substrate forming step, the separating step, and the removing step are carried out in this order, and the sealing substrate forming step is carried out. Then, the element is arranged on the adhesive layer 3. As shown in FIG. 2A, the separation layer forming step is the same as that of the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted.

[接着層形成工程]
本実施形態に係る積層体の製造方法が包含している接着層形成工程は、支持体1上に一実施形態に係る接着剤組成物を塗布し、実施形態1と同様の条件にて、接着剤組成物に含まれている希釈溶剤を除去するが、さらなる加熱、又は露光により接着層の硬化は行わない。
[Adhesive layer forming process]
In the adhesive layer forming step included in the method for producing a laminate according to the present embodiment, the adhesive composition according to one embodiment is applied onto the support 1 and adhered under the same conditions as in the first embodiment. The diluting solvent contained in the agent composition is removed, but the adhesive layer is not cured by further heating or exposure.

[封止基板形成工程]
図2の(c)〜(f)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3上に、封止基板7を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、配置工程、封止工程、薄化工程、及び再配線層形成工程をこの順に行う。
[Encapsulation substrate forming process]
As shown in FIGS. 2C to 2F, in the sealing substrate forming step, the sealing substrate 7 is formed on the adhesive layer 3. In the sealing substrate forming step in the present embodiment, the arrangement step, the sealing step, the thinning step, and the rewiring layer forming step are performed in this order.

図2の(c)に示すように、配置工程では、接着層3上に素子5を配置する。より具体的には、配置工程では、接着層3が形成された支持体1を、100℃程度に加熱した状態において、例えば、ダイボンダー等によって、素子5を接着層3に圧着することで、素子5を接着層3上に配置する。 As shown in FIG. 2C, in the arrangement step, the element 5 is arranged on the adhesive layer 3. More specifically, in the arrangement step, the support 1 on which the adhesive layer 3 is formed is heated to about 100 ° C., and the element 5 is crimped to the adhesive layer 3 by, for example, a die bonder or the like. 5 is placed on the adhesive layer 3.

なお、接着層が熱重合開始剤を含んでいる場合、配置工程において、接着層3上に素子5を配置した後に、接着層3を加熱することによって、当該接着層3が含んでいる硬化性モノマーを重合させるとよい。また、接着層が光重合開始剤を含んでいる場合、接着層3を露光することにより硬化させるとよい。 When the adhesive layer contains a thermal polymerization initiator, the curability contained in the adhesive layer 3 is obtained by heating the adhesive layer 3 after arranging the element 5 on the adhesive layer 3 in the arrangement step. It is advisable to polymerize the monomer. When the adhesive layer contains a photopolymerization initiator, it is preferable to cure the adhesive layer 3 by exposing it.

図2の(d)に示すように、封止工程では、素子5を封止材6によって封止する。封止工程では、実施形態1の場合と同じく、素子5を封止材6によって封止するときに、接着層3は素子5を配置した状態において、130℃〜170℃の温度にて加圧される。しかしながら、接着層3は、高い耐熱性を備えているため、130℃〜170℃の温度という温度条件下、封止材6によって加圧されることにより生じる、接着層3上における素子5の位置ずれを防止することができる。よって、接着層3上において、素子5が高い精度で配列された封止基板7を好適に形成することができる。 As shown in FIG. 2D, in the sealing step, the element 5 is sealed with the sealing material 6. In the sealing step, as in the case of the first embodiment, when the element 5 is sealed with the sealing material 6, the adhesive layer 3 is pressurized at a temperature of 130 ° C. to 170 ° C. with the element 5 arranged. Will be done. However, since the adhesive layer 3 has high heat resistance, the position of the element 5 on the adhesive layer 3 caused by being pressurized by the sealing material 6 under the temperature condition of 130 ° C. to 170 ° C. It is possible to prevent the deviation. Therefore, the sealing substrate 7 in which the elements 5 are arranged with high accuracy can be suitably formed on the adhesive layer 3.

図2の(e)に示すように、薄化工程では、封止材6を薄化する。封止材6は、例えば、素子5の端子部が封止材6から露出するまで薄化すればよい。 As shown in FIG. 2 (e), the sealing material 6 is thinned in the thinning step. The encapsulant 6 may be thinned, for example, until the terminal portion of the element 5 is exposed from the encapsulant 6.

図2の(f)に示すように、再配線層形成工程では、封止体の素子5が露出した平面部に再配線層4を形成する。 As shown in FIG. 2 (f), in the rewiring layer forming step, the rewiring layer 4 is formed on the flat surface portion where the element 5 of the sealing body is exposed.

本実施形態において、再配線層4の形成手順としては、実施形態1と同様に行うことができるため、その説明を省略する。 In the present embodiment, the procedure for forming the rewiring layer 4 can be performed in the same manner as in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted.

以上の工程により、実施形態1と同様に、積層体9を得ることができる。 By the above steps, the laminated body 9 can be obtained as in the first embodiment.

その後、図2の(g)及び(h)に示すように、分離工程において、支持体1から分離層2に向かって光を照射することにより、分離層2を変質させることにより支持体1を積層体9から分離する。また、その後、除去工程において、実施形態1同様に、炭化水素系溶剤を用いて接着層3を除去することにより、封止基板7を得ることができる(図2の(i))。 Then, as shown in FIGS. 2 (g) and 2 (h), in the separation step, the support 1 is changed by irradiating the separation layer 2 with light to change the quality of the separation layer 2. Separate from the laminate 9. Further, after that, in the removing step, the sealing substrate 7 can be obtained by removing the adhesive layer 3 with a hydrocarbon solvent as in the first embodiment ((i) of FIG. 2).

〔実施形態6〕
本発明の実施形態6について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1及び2にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態3に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
[Embodiment 6]
The sixth embodiment of the present invention will be described as follows. For convenience of explanation, the same reference numerals will be added to the members having the same functions as the members described in the above-described first and second embodiments, and the description thereof will be omitted. The method for manufacturing the laminate and the method for manufacturing the sealing substrate according to the third embodiment include a separation layer forming step, a separating layer peripheral edge removing step, an adhesive layer forming step, a sealing substrate forming step, and an adhesive layer removing step. Perform in order.

[分離層形成工程]
図3の(a)に示すように、分離層形成工程は、実施形態1及び2と同様であるため、その説明を省略する。
[Separation layer forming step]
As shown in FIG. 3A, the separation layer forming step is the same as in the first and second embodiments, and thus the description thereof will be omitted.

[分離層周縁部分除去工程]
図3の(b)に示すように、分離層周縁部分除去工程では、例えば、EBR(Edge Bead Removal)処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去する。周縁部分1bは、平面部1aの周縁部分である。これにより、図3の(b)に示すように、平面部1a上には、分離層2が除去された周縁部分1bに囲まれた部分に、分離層2が形成されている状態となる。EBR処理の詳細については後述する。
[Separation layer peripheral edge removal step]
As shown in FIG. 3B, in the separation layer peripheral edge portion removing step, for example, the separation layer 2 formed on the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of the support 1 is removed by EBR (Edge Bead Removal) treatment. The peripheral edge portion 1b is a peripheral edge portion of the flat surface portion 1a. As a result, as shown in FIG. 3B, the separation layer 2 is formed on the flat surface portion 1a in the portion surrounded by the peripheral edge portion 1b from which the separation layer 2 has been removed. The details of the EBR processing will be described later.

[接着層形成工程]
図3の(c)に示すように、接着層形成工程では、支持体1における周縁部分1b全周の分離層2を除去した側の面に、接着層3を形成する。これにより、支持体1上に形成された分離層2の全面を接着層3によって被覆する。なお、接着層3を形成する方法は、実施形態1と同じであるため、その説明を省略する。
[Adhesive layer forming process]
As shown in FIG. 3C, in the adhesive layer forming step, the adhesive layer 3 is formed on the surface of the support 1 on the side where the separation layer 2 is removed from the entire circumference of the peripheral edge portion 1b. As a result, the entire surface of the separation layer 2 formed on the support 1 is covered with the adhesive layer 3. Since the method of forming the adhesive layer 3 is the same as that of the first embodiment, the description thereof will be omitted.

[封止基板形成工程]
図3の(d)〜(g)に示すように、封止基板形成工程では、接着層3上に、封止基板7’を形成する。本実施形態における封止基板形成工程では、再配線層形成工程、実装工程、封止工程、及び薄化工程をこの順に行う。
[Encapsulation substrate forming process]
As shown in FIGS. 3D to 3G, in the sealing substrate forming step, the sealing substrate 7'is formed on the adhesive layer 3. In the sealing substrate forming step in the present embodiment, the rewiring layer forming step, the mounting step, the sealing step, and the thinning step are performed in this order.

図3の(d)に示すように、実施形態3では、再配線層形成工程において、接着層3上に形成された再配線層4の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、再配線層4のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体8’(図3)においてEBR処理を好適に行うことができる。 As shown in FIG. 3D, in the third embodiment, in the rewiring layer forming step, the outer peripheral end portion of the rewiring layer 4 formed on the adhesive layer 3 is removed by a trimming process. The rewiring layer 4 may be trimmed by grinding with a known means such as a grinder. Thereby, in the subsequent step, the EBR treatment can be suitably performed on the laminated body 8'(FIG. 3).

なお、再配線層4を形成する方法は、実施形態1と同じであるため、その説明を省略する。 Since the method of forming the rewiring layer 4 is the same as that of the first embodiment, the description thereof will be omitted.

図3の(e)〜(g)に示すように、実施形態3においても、実装工程、封止工程、及び薄化工程を行う。なお、実施形態3における、実装工程、封止工程、及び薄化工程は、実施形態1と同様に行うことができるため、その説明を省略する。 As shown in FIGS. 3 (e) to 3 (g), the mounting step, the sealing step, and the thinning step are also performed in the third embodiment. Since the mounting step, the sealing step, and the thinning step in the third embodiment can be performed in the same manner as in the first embodiment, the description thereof will be omitted.

[接着層除去工程]
図3の(h)に示すように、接着層除去工程では、例えば、EBR処理により、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去する。接着層3のうち、支持体1の周縁部分1b全周に形成された部分は、分離層2を介さずに、支持体1と封止基板7’とを接着しているため、当該部分を除去しておくことにより、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とを円滑に分離することができる。
[Adhesive layer removal process]
As shown in FIG. 3H, in the adhesive layer removing step, for example, the adhesive layer 3 formed on the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of the support 1 is removed by EBR treatment. Of the adhesive layer 3, the portion formed on the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of the support 1 does not go through the separation layer 2, but the support 1 and the sealing substrate 7'are bonded to each other. By removing it, the support 1 and the sealing substrate 7'can be smoothly separated when the separation layer 2 is altered.

特に、支持体1上に形成されている分離層2の外周端部2aよりも外側に形成された接着層3を除去しておくことにより、支持体1と封止基板7’とが、必ず分離層2を介して接着されている状態にすることができるため、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とをより円滑に分離することができる。 In particular, by removing the adhesive layer 3 formed on the outer peripheral end portion 2a of the separation layer 2 formed on the support 1, the support 1 and the sealing substrate 7'are sure to be separated from each other. Since it can be in a state of being bonded via the separation layer 2, the support 1 and the sealing substrate 7'can be separated more smoothly when the separation layer 2 is altered.

[分離工程〜除去工程]
図3の(i)〜(k)に示すように、実施形態1と同様に、分離工程、及び除去工程を行うことにより、封止基板7’を製造することができる。
[Separation process-removal process]
As shown in FIGS. 3 (i) to 3 (k), the sealed substrate 7'can be manufactured by performing the separation step and the removal step in the same manner as in the first embodiment.

(EBR処理)
上述の(A)分離層周縁部分除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された分離層2を除去するためのEBR処理、及び、(B)接着層除去工程において、支持体1の周縁部分1b全周に形成された接着層3を除去するためのEBR処理は、例えば、(i)溶剤によって溶解して除去する方法、(ii)カッター又はブレードなどを用いて物理的に切断して除去する方法、(iii)大気圧下でのアッシングにより除去する方法などが挙げられる。この中でも、強度及び実用性の観点から、溶剤によって除去する方法が好ましい。
(EBR processing)
In the above-mentioned (A) separation layer peripheral edge removal step, the EBR treatment for removing the separation layer 2 formed on the entire circumference of the peripheral edge 1b of the support 1, and in the (B) adhesive layer removal step, the support The EBR treatment for removing the adhesive layer 3 formed on the entire circumference of the peripheral portion 1b of 1 is, for example, physically using (i) a method of dissolving and removing with a solvent, (ii) a cutter or a blade, or the like. Examples thereof include a method of cutting and removing, and (iii) a method of removing by ashing under atmospheric pressure. Among these, a method of removing with a solvent is preferable from the viewpoint of strength and practicality.

溶剤によって除去する方法において用いられる溶剤としては、除去対象となる分離層2又は接着層3を溶解し得るものであればよく、特に限定されないので、当業者は、除去対象の組成に応じて、適宜選択することができる。例えば、接着層3に対して、特に、p−メンタン等のテルペン系溶剤、及びテトラヒドロナフタレン等の縮合環炭化水素等を用いることができる。また、分離層2に対しては、例えば、モノイソプロパノールアミン(MIPA)等の第一級脂肪族アミン、2−(メチルアミノ)エタノール等の第二級脂肪族アミン、トリエタノールアミン等の第三級の脂肪族アミン、シクロヘキシルアミン等の脂環式アミン、ベンジルアミン等の芳香族アミン及びN‐ヒドロキシエチルピペリジン等の複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも1種のアミン類、又は、それらを含む溶剤等を用いることができる。なお、溶剤には、上述の(添加溶剤)の欄に列挙されたもののうち、テルペン溶剤以外の有機溶剤を好適に用いることができる。 The solvent used in the method of removing with a solvent may be any one that can dissolve the separation layer 2 or the adhesive layer 3 to be removed, and is not particularly limited. It can be selected as appropriate. For example, for the adhesive layer 3, a terpene-based solvent such as p-menthane, a condensed ring hydrocarbon such as tetrahydronaphthalene, or the like can be used. Further, with respect to the separation layer 2, for example, a primary aliphatic amine such as monoisopropanolamine (MIPA), a secondary aliphatic amine such as 2- (methylamino) ethanol, and a third such as triethanolamine. At least one amine selected from the group consisting of alicyclic amines such as class aliphatic amines, cyclohexylamines, aromatic amines such as benzylamine, and heterocyclic amines such as N-hydroxyethylpiperidin, or A solvent containing them can be used. As the solvent, an organic solvent other than the terpene solvent among those listed in the above (additional solvent) column can be preferably used.

溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法、除去対象を溶剤中に浸漬させる方法が挙げられる。 Examples of the method of supplying the solvent include a method of supplying the solvent to the removal target by ejecting the solvent and a method of immersing the removal target in the solvent.

溶剤の噴出によって、除去対象に溶剤を供給する方法としては、均一に溶剤を供給するために、支持体1を回転させながら、除去対象に溶剤を供給する方法が好ましい。支持体1を回転させながら、溶剤を供給する方法としては、例えば、溶剤を噴出するノズルを支持体1の周縁部分1bの直ぐ外側の直上に配置し、溶剤を支持体1の周縁部分1bの直ぐ外側に滴下しながら、支持体1を、スピンナーを用いて回転させる方法が挙げられる。これにより、溶剤を支持体1の周縁部分1bの全周の直ぐ外側に供給することができる。なお、配置するノズルの数に制限はなく、1つ以上であればよい。 As a method of supplying the solvent to the removal target by ejecting the solvent, a method of supplying the solvent to the removal target while rotating the support 1 is preferable in order to supply the solvent uniformly. As a method of supplying the solvent while rotating the support 1, for example, a nozzle for ejecting the solvent is arranged directly above the peripheral portion 1b of the support 1, and the solvent is placed on the peripheral portion 1b of the support 1. A method of rotating the support 1 using a spinner while dropping the support 1 immediately to the outside can be mentioned. As a result, the solvent can be supplied to the immediate outside of the entire circumference of the peripheral edge portion 1b of the support 1. The number of nozzles to be arranged is not limited, and may be one or more.

支持体1の回転及び溶剤の噴出を伴う上記方法において、支持体1の回転速度、溶剤をノズルから供給するときの溶剤の流量、及び溶剤の供給時間は、除去対象の組成、除去対象の厚さ、使用する溶剤の種類、及び除去の程度に応じて異なり得るものであるが、当業者であれば、その最適条件を困難なく検討及び決定することができる。 In the above method involving the rotation of the support 1 and the ejection of the solvent, the rotation speed of the support 1, the flow rate of the solvent when the solvent is supplied from the nozzle, and the supply time of the solvent are determined by the composition of the removal target and the thickness of the removal target. Although it may differ depending on the type of solvent used and the degree of removal, a person skilled in the art can examine and determine the optimum conditions without difficulty.

また、溶剤による除去対象の溶解後は、支持体1等を乾燥することが好ましい。乾燥工程を経ることによって、不要な溶剤、除去対象部分ではない分離層2又は接着層3に浸入した溶剤を除去することができる。 Further, after the object to be removed by the solvent is dissolved, it is preferable to dry the support 1 and the like. By going through the drying step, it is possible to remove unnecessary solvents and solvents that have penetrated into the separation layer 2 or the adhesive layer 3 that is not the part to be removed.

乾燥方法としては、スピンナー等を用いて支持体1を回転させることによる振り切り乾燥、窒素ガスなどの噴霧によるエアブローでの乾燥、ベークによる乾燥、及び減圧による乾燥等が挙げられる。なお、これらの乾燥方法としては、いずれかの方法を単独で用いる方法、あるいは任意の2つ以上の方法を組み合わせて用いる方法のいずれも可能である。 Examples of the drying method include shake-off drying by rotating the support 1 using a spinner or the like, drying by air blowing by spraying nitrogen gas or the like, drying by baking, drying by decompression, and the like. As these drying methods, either a method using either method alone or a method using any two or more methods in combination is possible.

〔実施形態7〕
本発明の実施形態7について説明すれば以下のとおりである。なお、説明の便宜上、上述の実施形態1〜3にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。実施形態4に係る積層体の製造方法、及び封止基板の製造方法は、分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、接着層形成工程、封止基板形成工程、及び接着層除去工程をこの順に実施する。
[Embodiment 7]
The seventh embodiment of the present invention will be described as follows. For convenience of explanation, the same reference numerals will be added to the members having the same functions as the members described in the above-described first to third embodiments, and the description thereof will be omitted. The method for manufacturing the laminate and the method for manufacturing the sealing substrate according to the fourth embodiment includes a separation layer forming step, a separating layer peripheral edge removing step, an adhesive layer forming step, a sealing substrate forming step, and an adhesive layer removing step. Perform in order.

[分離層形成工程〜接着層形成工程]
分離層形成工程、分離層周縁部分除去工程、及び、接着層形成工程は、実施形態2と同じであるため、その説明を省略する。
[Separation layer forming process-adhesive layer forming process]
Since the separation layer forming step, the separation layer peripheral portion removing step, and the adhesive layer forming step are the same as those in the second embodiment, the description thereof will be omitted.

[封止基板形成工程]
封止基板形成工程では、接着層3上に、素子5を配置して封止する。つまり、実施形態2と同じ工程によって、封止基板7’を形成する。その後、図4の(a)に示すように、封止基板7’の外周端部をトリミング処理により除去する。なお、封止基板7のトリミングには、グラインダ等の公知の手段によって研削することにより除去すればよい。これにより、後の工程において、積層体9’(図4)においてアミン処理を好適に行うことができる。
[Encapsulation substrate forming process]
In the sealing substrate forming step, the element 5 is arranged on the adhesive layer 3 and sealed. That is, the sealing substrate 7'is formed by the same process as in the second embodiment. Then, as shown in FIG. 4A, the outer peripheral end portion of the sealing substrate 7'is removed by a trimming process. The sealing substrate 7 may be trimmed by grinding with a known means such as a grinder. As a result, in a later step, the amine treatment can be suitably performed on the laminate 9'(FIG. 4).

[接着層除去工程]
図4の(b)に示すように、実施形態3と同じく、実施形態4においても、封止基板7’の外周端部をトリミング処理することにより、分離層2の外周端部2aよりも外側に形成された接着層3を除去することができる。このため、分離層2を変質させたときに、支持体1と封止基板7’とをより円滑に分離することができる。
[Adhesive layer removal process]
As shown in FIG. 4B, similarly to the third embodiment, in the fourth embodiment, the outer peripheral end portion of the sealing substrate 7'is trimmed to be outside the outer peripheral end portion 2a of the separation layer 2. The adhesive layer 3 formed on the surface can be removed. Therefore, when the separation layer 2 is altered, the support 1 and the sealing substrate 7'can be separated more smoothly.

その後、実施形態1〜3と同様に、接着層3を炭化水素系溶剤により除去することにより、封止基板7’を製造することができる。 After that, the sealing substrate 7'can be manufactured by removing the adhesive layer 3 with a hydrocarbon solvent in the same manner as in the first to third embodiments.

〔別の実施形態〕
本発明に係る積層体の製造方法及び基板処理方法は、上述の各実施形態(実施形態4、実施形態5、実施形態6、実施形態7)に限定されない。例えば、別の実施形態に係る積層体の製造方法では、各実施形態に係る積層体の製造方法によって形成された積層体における封止基板を、別の接着層及び別の分離層を介して別の支持体に積層する積層体の製造方法である。これにより、封止基板を形成するために用いられた接着層側における支持体を分離し、別の支持体により、封止基板を支持した状態において、当該封止基板を好適に加工することができる。
[Another Embodiment]
The method for producing a laminate and the method for treating a substrate according to the present invention are not limited to the above-described embodiments (4th embodiment, 5th embodiment, 6th embodiment, 7th embodiment). For example, in the method for manufacturing a laminate according to another embodiment, the sealing substrate in the laminate formed by the method for producing a laminate according to each embodiment is separated via another adhesive layer and another separation layer. This is a method for manufacturing a laminated body to be laminated on the support of the above. As a result, the support on the adhesive layer side used for forming the sealing substrate can be separated, and the sealing substrate can be suitably processed while the sealing substrate is supported by another support. it can.

また、さらに別の実施形態に係る積層体の製造方法は、基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、本願の一実施形態に係る接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含している。ここで、基板に、シリコン、セラミック、又はポリイミド樹脂等のフレキシブル基板等が挙げられ、典型的には、シリコンインターポーザであり得る。 Further, the method for manufacturing a laminate according to still another embodiment is a method for producing a laminate in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order, and is a method for producing a laminate on the substrate or on the substrate. Includes an adhesive layer forming step of applying the adhesive composition according to one embodiment of the present application to at least one of the supports and heating the adhesive layer to form the adhesive layer. Here, examples of the substrate include flexible substrates such as silicon, ceramics, and polyimide resins, which can typically be a silicon interposer.

上記の構成によれば、支持体上において、例えば、シリコンインターポーザを好適に加工して、貫通電極を形成することができる。つまり、一実施形態に係る接着剤組成物を用いて接着層を形成することにより、ファンイン型の半導体封止技術においても、好適に積層体を形成することができる。 According to the above configuration, for example, a silicon interposer can be suitably processed on the support to form a through electrode. That is, by forming the adhesive layer using the adhesive composition according to one embodiment, the laminate can be suitably formed even in the fan-in type semiconductor encapsulation technique.

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.

樹脂成分としてベースポリマーと硬化性モノマーとを用いた、実施例1〜15の接着剤組成物を調製した。併せて、比較例1〜4の接着剤組成物を調製し、その後、実施例1〜15、及び比較例1〜4の接着剤組成物を用いて接着層を形成し、各接着層における、圧縮型による素子の封止への適応性評価、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価を行なった。 The adhesive compositions of Examples 1 to 15 were prepared using a base polymer and a curable monomer as resin components. At the same time, the adhesive compositions of Comparative Examples 1 to 4 are prepared, and then an adhesive layer is formed using the adhesive compositions of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, and in each adhesive layer, The adaptability to the sealing of the element by the compression type and the adaptability to the insulation pattern forming process were evaluated.

〔接着剤組成物の調製、及び接着層の形成〕 [Preparation of adhesive composition and formation of adhesive layer]

(実施例1)
実施例1の接着剤組成物として、85重量部のAPL6015(シクロオレフィンポリマー:三井化学株式会社製)と、硬化性モノマーとして15重量部のA−DCP(トリシクロデカンジメタノールジアクリレート:新中村化学株式会社製)とを、400重量部のデカヒドロナフタレンに溶解した。次に、100重量部の硬化性モノマーに対して、2重量部となるようにしてパーロイルTCP(熱重合開始剤:日本油脂株式会社製)を添加し、接着剤組成物を調製した。なお、パーロイルTCPは、10重量部の酢酸ブチル(添加溶剤)に溶解して、樹脂成分に添加した。
(Example 1)
As the adhesive composition of Example 1, 85 parts by weight of APL6015 (cycloolefin polymer: manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and 15 parts by weight of A-DCP (tricyclodecanedimethanol diacrylate: Shin-Nakamura) as a curable monomer. (Manufactured by Chemical Co., Ltd.) was dissolved in 400 parts by weight of decahydronaphthalene. Next, perloyl TCP (thermal polymerization initiator: manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd.) was added to 100 parts by weight of the curable monomer so as to have 2 parts by weight to prepare an adhesive composition. Parloyl TCP was dissolved in 10 parts by weight of butyl acetate (additional solvent) and added to the resin component.

次いで、ガラス支持体(10cm×10cm、厚さ700μm)上に、流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2500Wおよび成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてCを使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)を形成した。 Then, a glass support (10 cm × 10 cm, thickness 700 .mu.m) on the flow rate 400 sccm, pressure 700 mTorr, under the conditions of RF power 2500W and film-forming temperature 240 ° C., by a CVD method using C 4 F 8 as a reactive gas , A fluorocarbon film (thickness 1 μm) which is a separation layer was formed.

次いで、実施例1の接着剤組成物を、ガラス支持体に形成された分離層上にスピンコート法により1500rpmで回転させながら塗布した。続いて、実施例1の接着剤組成物を塗布したガラス支持体を、140℃において5分間、予備加熱することにより実施例1の接着層を形成した(膜厚3μm)。この実施例1の接着層を、下記評価1及び2にそれぞれ用いた。 Next, the adhesive composition of Example 1 was applied onto the separation layer formed on the glass support while rotating at 1500 rpm by a spin coating method. Subsequently, the glass support coated with the adhesive composition of Example 1 was preheated at 140 ° C. for 5 minutes to form an adhesive layer of Example 1 (thickness: 3 μm). The adhesive layer of Example 1 was used for the following evaluations 1 and 2, respectively.

(実施例2〜15)
実施例2〜15として、実施例1と異なる組成及び組成比において、ベースポリマー、硬化性モノマー及び重合開始剤を配合し、接着剤組成物を調製した。続いて、実施例2〜15の接着層を、これら接着剤組成物を用いて形成した。
(Examples 2 to 15)
As Examples 2 to 15, an adhesive composition was prepared by blending a base polymer, a curable monomer and a polymerization initiator in a composition and composition ratio different from those of Example 1. Subsequently, the adhesive layers of Examples 2 to 15 were formed using these adhesive compositions.

(比較例1〜4)
ガラス転移温度が低いシクロオレフィンポリマー、又は、熱可塑性エラストマーを用いた以外は、実施例1の接着剤組成物を調製した手順に従って、比較例1〜4の接着剤組成物を調製した。次いで、比較例1〜4の接着剤組成物の夫々を、実施例1と同じ手順に従って、分離層が形成されたガラス支持体にスピン塗布し、160℃の条件にて、5分間、予備加熱することにより、厚さ5μmの接着層を形成した。
(Comparative Examples 1 to 4)
The adhesive compositions of Comparative Examples 1 to 4 were prepared according to the procedure for preparing the adhesive composition of Example 1, except that a cycloolefin polymer having a low glass transition temperature or a thermoplastic elastomer was used. Next, each of the adhesive compositions of Comparative Examples 1 to 4 was spin-coated on the glass support on which the separation layer was formed according to the same procedure as in Example 1, and preheated at 160 ° C. for 5 minutes. By doing so, an adhesive layer having a thickness of 5 μm was formed.

なお、実施例1〜15、及び、比較例1〜4において使用したベースポリマー、硬化性モノマーは以下に示す通りである。また、以下の表2〜4に、実施例1〜15、及び比較例1〜4の組成を示す。 The base polymers and curable monomers used in Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4 are as shown below. Further, Tables 2 to 4 below show the compositions of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4.

・以下の式(9)で示される環状ポリオレフィン(三井化学株式会社製、「APL6015(商品名)」、Tg=140、Mw=80,000、Mw/Mn=2.0、m:n=58:42(モル比)) Cyclic polyolefin represented by the following formula (9) (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., "APL6015 (trade name)", Tg = 140, Mw = 80,000, Mw / Mn = 2.0, m: n = 58 : 42 (Molecular ratio))

Figure 0006842878
Figure 0006842878

・以下の式(10)で示される環状ポリオレフィン(ポリプラスチック株式会社製、「TOPAS6015(商品名)」、Tg=140、Mw=80,000、Mw/Mn=2.0、m:n=48:52(モル比)) Cyclic polyolefin represented by the following formula (10) (manufactured by Polyplastics Co., Ltd., "TOPAS6015 (trade name)", Tg = 140, Mw = 80,000, Mw / Mn = 2.0, m: n = 48. : 52 (Molecular ratio))

Figure 0006842878
Figure 0006842878

・上記式(10)で示される環状ポリオレフィン(ポリプラスチック株式会社製、「TOPAS6017(商品名)」、ノルボルネン含量82重量%、Tg=160、Mw=80,000、Mw/Mn=2.0、m:n=43:57(モル比))
・スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンのトリブロック共重合体(熱可塑性エラストマー):SEPS(株式会社クラレ製、「Septon2004(商品名)」、Tg=90℃、スチレン含有量18%、分子量90,000)
Cyclic polyolefin represented by the above formula (10) (manufactured by Polyplastics Co., Ltd., "TOPAS6017 (trade name)", norbornene content 82% by weight, Tg = 160, Mw = 80,000, Mw / Mn = 2.0, m: n = 43: 57 (molar ratio))
-Styrene-ethylene-propylene-styrene triblock copolymer (thermoplastic elastomer): SEPS (manufactured by Kuraray Co., Ltd., "Septon 2004 (trade name)", Tg = 90 ° C., styrene content 18%, molecular weight 90,000 )

なお、実施例及び比較例において使用したシクロオレフィンポリマーの重量平均分子量、及び、動的機械分析(DMA:Dynamic Mechanical Analysis)によって求めたガラス転移温度(Tg)は以下の表1に示す通りである。 The weight average molecular weight of the cycloolefin polymer used in Examples and Comparative Examples and the glass transition temperature (Tg) determined by dynamic mechanical analysis (DMA: Dynamic Mechanical Analysis) are as shown in Table 1 below. ..

Figure 0006842878
Figure 0006842878

なお、表1に示す、ガラス転移温度(Tg(DMA)[℃])は、動的粘弾性測定装置Rheologel−E4000(UBM株式会社製)を用いて、周波数1Hzの条件にて、5℃/分の昇温速度で、25℃から300℃まで温度を上昇させることにより測定した粘弾性の変化に基づき求めた。 The glass transition temperature (Tg (DMA) [° C.]) shown in Table 1 was set to 5 ° C./at a frequency of 1 Hz using a dynamic viscoelasticity measuring device Rheologel-E4000 (manufactured by UBM Co., Ltd.). It was determined based on the change in viscoelasticity measured by raising the temperature from 25 ° C. to 300 ° C. at a temperature rising rate of 1 minute.

後述する表2〜4における、実施例1〜10、12〜15の接着層のガラス転移温度(Tg(DMA)[℃])は、140℃、5分間の予備加熱処理を行い、次いで、200℃、1時間、窒素雰囲気下における加熱処理をした後に測定したこと以外は、表1に示すガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。 In Tables 2 to 4 described later, the glass transition temperature (Tg (DMA) [° C.]) of the adhesive layers of Examples 1 to 10 and 12 to 15 was 140 ° C. for 5 minutes, and then 200. The measurement was performed under the same conditions as the glass transition temperature measured in Table 1, except that the measurement was performed after heat treatment at ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere.

また、実施例11の接着層のガラス転移温度(Tg(DMA)[℃])については、140℃、5分間の予備加熱処理を行い、次いで、高圧水銀ランプUV露光機(ORC株式会社製)を用い、減圧真空下、500mJ/cmの条件にて露光処理を行なった後に測定したこと以外は、表1に示すガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。 The glass transition temperature (Tg (DMA) [° C.]) of the adhesive layer of Example 11 was preheated at 140 ° C. for 5 minutes, and then a high-pressure mercury lamp UV exposure machine (manufactured by ORC Manufacturing Co., Ltd.). The glass transition temperature was measured under the same conditions as those shown in Table 1, except that the glass transition temperature was measured after the exposure treatment was performed under a reduced pressure vacuum under the condition of 500 mJ / cm 2.

比較例1、2、4の接着層のガラス転移温度(Tg(DMA)[℃])については、160℃、5分間の予備加熱処理を行ったこと以外は、表1に示すガラス転移温度の測定と同じ条件によって測定した。また、比較例3の接着層のガラス転移温度(Tg(DMA)[℃])については、160℃、5分間の予備加熱処理を行なった以外は、実施例1の接着層と同じ条件にて加熱処理し、ガラス転移温度を測定した。 The glass transition temperature (Tg (DMA) [° C.]) of the adhesive layers of Comparative Examples 1, 2 and 4 was the same as the glass transition temperature shown in Table 1 except that the preliminary heat treatment was performed at 160 ° C. for 5 minutes. It was measured under the same conditions as the measurement. The glass transition temperature (Tg (DMA) [° C.]) of the adhesive layer of Comparative Example 3 was the same as that of the adhesive layer of Example 1 except that the preliminary heat treatment was performed at 160 ° C. for 5 minutes. It was heat-treated and the glass transition temperature was measured.

〔硬化性モノマー〕
・以下の式(11)で示されるトリシクロデカンジメタノールジアクリレート(新中村化学株式会社製、「A−DCP(商品名)」)
[Curable monomer]
-Tricyclodecanedimethanol diacrylate represented by the following formula (11) (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., "A-DCP (trade name)")

Figure 0006842878
・以下の式(12)で示されるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート(新中村化学株式会社製、「DCP(商品名)」)
Figure 0006842878
-Tricyclodecanedimethanol dimethacrylate represented by the following formula (12) (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., "DCP (trade name)")

Figure 0006842878
Figure 0006842878

・以下の式(13)で示される、1,3−アダマンタンジオールジアクリレート(三菱ガス化学株式会社製、「ADDA(商品名)」) 1,3-adamantane diol diacrylate represented by the following formula (13) (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc., "ADDA (trade name)")

Figure 0006842878
Figure 0006842878

・以下の式(14)で示される、5−ヒドロキシ−1,3−アダマンタンジオールジメタクリレート(三菱ガス化学株式会社製、「HADDM(商品名)」) -5-Hydroxy-1,3-adamantane dihydroxymethacrylate (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc., "HADDM (trade name)") represented by the following formula (14).

Figure 0006842878
Figure 0006842878

・以下の式(15)で示される、1,3,5−アダマンタントリオールトリメタクリレート(三菱ガス化学株式会社製、「ADTM(商品名)」) 1,3,5-adamantane triol trimethacrylate (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc., "ADTM (trade name)") represented by the following formula (15).

Figure 0006842878
Figure 0006842878

〔評価1:圧縮型による素子の封止に対する適応性評価〕
実施例1の接着層における所定位置にベアチップを配置し、封止剤(封止材)を用いてベアチップを封止した。このときにおけるベアチップの位置ずれの程度を、圧縮型による封止(モールディング)に対する適応性として評価した。
[Evaluation 1: Evaluation of adaptability to sealing of elements by compression type]
The bare chips were placed at predetermined positions in the adhesive layer of Example 1, and the bare chips were sealed with a sealing agent (sealing material). The degree of misalignment of the bare chip at this time was evaluated as the adaptability to the sealing (molding) by the compression type.

ベアチップの配置は、ダイボンダー(TRESKY社製)を使用して行なった。まず、ダイボンダーのプレートを150℃に加熱し、35Nの圧力にて、1秒間、実施例1の接着層上に2mm角のシリコン製のベアチップを圧着した。これにより、図5に示すように、ガラス支持体1に形成された接着層3における、四隅周辺部、及び中央部にベアチップ(素子)5を配置した。 The bare chips were arranged using a die bonder (manufactured by TRESKY). First, the plate of the die bonder was heated to 150 ° C., and a 2 mm square silicon bare chip was crimped onto the adhesive layer of Example 1 for 1 second at a pressure of 35 N. As a result, as shown in FIG. 5, bare chips (elements) 5 are arranged at the peripheral portions and the central portions of the four corners of the adhesive layer 3 formed on the glass support 1.

次に、ベアチップを配置した実施例1の接着層を、200℃、1時間、窒素雰囲気下にて加熱した。加熱後、ベアチップを配置した状態において、実施例1の接着層を形成したガラス支持体を、50℃に加熱したプレート上に載置し、12gのエポキシ樹脂を含む封止剤を乗せ、10Paよりも低い減圧条件下、貼付装置を用いて、130℃に加熱した押圧用プレートにて1トンの圧力を加え、5分間圧縮した(図2の(c)及び(d)に示す、配置工程に該当する)。これにより、接着層上に配置されたベアチップを封止材によって封止することにより、封止基板を積層した実施例1の積層体を得た。 Next, the adhesive layer of Example 1 in which the bare chips were placed was heated at 200 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. After heating, in a state where the bare chips are arranged, the glass support on which the adhesive layer of Example 1 is formed is placed on a plate heated to 50 ° C., a sealant containing 12 g of epoxy resin is placed on the glass support, and the pressure is increased from 10 Pa. Under low depressurization conditions, 1 ton of pressure was applied on a pressing plate heated to 130 ° C. and compressed for 5 minutes using a sticking device (in the arrangement step shown in FIGS. 2C and 2). Applicable). As a result, the bare chips arranged on the adhesive layer were sealed with a sealing material to obtain a laminated body of Example 1 in which the sealing substrates were laminated.

実施例1の積層体を、光学顕微鏡を用いてガラス面側から観察し、貼り付けを行ったベアチップ5の位置ずれの程度を評価した。図5に示すように、接着層3上に配置された各ベアチップ5の貼り付けたときの位置から、X方向、及びY方向に対する移動距離の和を求め、各ベアチップの移動距離とした。続いて、ベアチップ5の移動距離の平均値を求め、移動距離の評価値とした。 The laminate of Example 1 was observed from the glass surface side using an optical microscope, and the degree of misalignment of the attached bare chip 5 was evaluated. As shown in FIG. 5, the sum of the moving distances in the X direction and the Y direction was obtained from the position when each bare chip 5 arranged on the adhesive layer 3 was attached, and used as the moving distance of each bare chip. Subsequently, the average value of the moving distance of the bare chip 5 was obtained and used as the evaluation value of the moving distance.

圧縮型による封止に対する適応性は、ベアチップ5の移動距離が3μm以下である場合、位置ずれ無し「○」と評価し、ベアチップ5の移動距離が3μmよりも大きい場合、位置ずれ有り「×」と評価した。 The adaptability to the sealing by the compression type is evaluated as “○” without misalignment when the moving distance of the bare chip 5 is 3 μm or less, and “×” with misalignment when the moving distance of the bare chip 5 is larger than 3 μm. I evaluated it.

なお、実施例2〜10、12〜15、及び比較例3の接着層について、実施例1と同じ手順に従って、接着層を形成し、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。 For the adhesive layers of Examples 2 to 10, 12 to 15, and Comparative Example 3, the adhesive layer was formed according to the same procedure as in Example 1, and the adaptability to the sealing of the element by the compression type was evaluated.

また、比較例1、2、及び4の接着層については、ベアチップを所定の位置に圧着した後に、接着層の加熱を行わないこと以外は、実施例1の接着層の評価における手順と同様に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。 Further, the adhesive layers of Comparative Examples 1, 2, and 4 are the same as the procedure in the evaluation of the adhesive layer of Example 1 except that the adhesive layer is not heated after the bare chips are crimped to a predetermined position. , The adaptability to the sealing of the element by the compression type was evaluated.

実施例11の接着層については、ダイボンダーを使用してベアチップを圧着した後、200℃、1時間、窒素雰囲気下における加熱処理に代えて、高圧水銀ランプUV露光機(ORC株式会社製)を用い、減圧真空下、500mJ/cmの条件にて露光処理を行なったこと以外は、実施例1の接着層の評価における手順と同様に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を行なった。 For the adhesive layer of Example 11, after crimping the bare chip using a die bonder, a high-pressure mercury lamp UV exposure machine (manufactured by ORC Manufacturing Co., Ltd.) was used instead of the heat treatment in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 1 hour. The adaptability to the sealing of the element by the compression type was evaluated in the same manner as the procedure in the evaluation of the adhesive layer of Example 1, except that the exposure treatment was performed under the condition of 500 mJ / cm 2 under reduced vacuum. ..

以下に示す、表2〜4に、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価の結果を示す。 Tables 2 to 4 below show the results of the adaptability evaluation to the sealing of the device by the compression type.

〔評価2:絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価〕
評価1に用いた接着層と同様の手順に従って作成した実施例1〜15、及び比較例1〜4の接着層について、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価(評価2)を行なった。絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価においては、レジスト溶剤への耐薬品性、及び、パターン形成後の加熱処理に対する耐熱性を評価した。
[Evaluation 2: Evaluation of adaptability to insulation pattern formation process]
The adhesive layers of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4 prepared according to the same procedure as the adhesive layer used in Evaluation 1 were evaluated for adaptability to the insulation pattern formation process (evaluation 2). In the evaluation of adaptability to the insulation pattern forming process, the chemical resistance to the resist solvent and the heat resistance to the heat treatment after the pattern formation were evaluated.

なお、実施例1〜10、12〜15及び比較例1〜4について、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価は、夫々、200℃、1時間、窒素雰囲気下における加熱処理を行なった後に行なった。また、実施例11の接着層は、評価1における露光条件と同じ条件にて露光した後に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価を行なった。 For Examples 1 to 10, 12 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, the adaptability to the insulation pattern formation process was evaluated after heat treatment at 200 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere, respectively. .. Further, the adhesive layer of Example 11 was exposed under the same conditions as the exposure conditions in Evaluation 1, and then the adaptability to the insulation pattern forming process was evaluated.

(薬品耐性の評価)
まず、ポジ型レジストの評価について、各接着層に対して、絶縁膜形成用組成物PN−0379D(PGMEA含有、東京応化工業株式会社製)を1000rpmにてスピン塗布し、110℃、4分間の条件にて予備加熱することによって、5μmの乾燥被膜を形成した。次に、ORC社製の平行光露光機(ghi)を使用して、当該被膜に対してパターン露光を行なった。次に、露光後の被膜を2.38%TMAH水溶液に23℃、5分間浸漬させることにより、ポジ型レジストによる感光性絶縁膜を、100μm幅のラインパターンにて形成した。
(Evaluation of drug resistance)
First, regarding the evaluation of the positive resist, the insulating film forming composition PN-0379D (containing PGMEA, manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was spin-coated at 1000 rpm on each adhesive layer at 110 ° C. for 4 minutes. By preheating under the conditions, a dry film of 5 μm was formed. Next, a pattern exposure was performed on the coating film using a parallel light exposure machine (ghi) manufactured by ORC. Next, the exposed film was immersed in a 2.38% TMAH aqueous solution at 23 ° C. for 5 minutes to form a photosensitive insulating film with a positive resist in a line pattern having a width of 100 μm.

また、ネガ型レジストの評価について、各接着層に対して、ネガ型レジストであるBL301(NMP含有、旭化成株式会社製)を1000rpmにてスピン塗布し、110℃、4分間の条件にて予備加熱することによって、5μmの接着層を形成した。次に、ORC社製の平行光露光機(ghi)を使用しパターン露光をした後、シクロヘキサノンに23℃、5分間浸漬させ、ネガ型レジストによる感光性絶縁膜を、100μm幅のラインパターンにて形成した。 Regarding the evaluation of the negative resist, BL301 (containing NMP, manufactured by Asahi Kasei Corporation), which is a negative resist, was spin-coated on each adhesive layer at 1000 rpm and preheated at 110 ° C. for 4 minutes. By doing so, a 5 μm adhesive layer was formed. Next, after pattern exposure was performed using a parallel light exposure machine (ghi) manufactured by ORC, the photosensitive insulating film made of a negative resist was immersed in cyclohexanone at 23 ° C. for 5 minutes with a line pattern having a width of 100 μm. Formed.

薬品耐性の評価は、上記で得られたパターンを、PGMEA、TMAH、NMP、及びシクロヘキサノンに23℃、5分間それぞれ浸漬させたときにおける各接着層の外観における変化を目視にて評価した。薬品耐性の評価は、重量及び外観に変化が見られない場合は「○」とし、重量変化又は外観変化(ラインパターンの浮きや、接着層におけるクラックの有無)が見られた場合は「×」と判定した。 For the evaluation of chemical resistance, changes in the appearance of each adhesive layer when the pattern obtained above was immersed in PGMEA, TMAH, NMP, and cyclohexanone at 23 ° C. for 5 minutes were visually evaluated. The chemical resistance is evaluated as "○" when there is no change in weight and appearance, and "×" when there is a change in weight or appearance (floating line pattern or presence or absence of cracks in the adhesive layer). It was judged.

以下の表2〜4に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における薬品耐性の評価結果を示す。 Tables 2 to 4 below show the evaluation results of chemical resistance in the evaluation of adaptability to the insulation pattern formation process.

(耐熱性の評価)
次に、耐熱性の評価として、薬品耐性を評価した各積層体について、200℃、4時間、窒素雰囲気下で加熱処理した後、100μm幅に形成されたラインパターンに縮み(シュリンク)が発生しているか否かを評価した。耐熱性の評価は、光学顕微鏡を使用して、加熱処理後の100μm幅ラインパターンの幅を測定し、幅の増減が5μmより小さければ、耐熱性「○」と評価し、幅の増減が5μmより大きければ、耐熱性「×」と評価した。
(Evaluation of heat resistance)
Next, as an evaluation of heat resistance, each laminate whose chemical resistance was evaluated was heat-treated at 200 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere, and then shrinkage occurred in a line pattern formed in a width of 100 μm. It was evaluated whether or not it was. For the evaluation of heat resistance, the width of the 100 μm width line pattern after heat treatment is measured using an optical microscope, and if the increase / decrease in width is smaller than 5 μm, it is evaluated as heat resistance “○” and the increase / decrease in width is 5 μm. If it was larger, it was evaluated as heat resistance "x".

以下の表2〜4に、絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における耐熱性の評価結果を示す。 Tables 2 to 4 below show the evaluation results of heat resistance in the evaluation of adaptability to the insulation pattern formation process.

なお、耐熱性の評価を行なった後、ラインパターンを形成した各接着層上にベアチップを配置し、評価1と同じ条件にて、当該ベアチップをエポキシ樹脂を含む封止剤によって封止することにより、封止基板を積層した積層体を得た。 After evaluating the heat resistance, the bare chips are placed on each adhesive layer on which the line pattern is formed, and the bare chips are sealed with a sealing agent containing an epoxy resin under the same conditions as in the evaluation 1. , A laminated body in which sealing substrates were laminated was obtained.

〔評価3:洗浄性の評価〕
評価1及び2において形成した、各積層体におけるガラス支持体側から分離に向かって、波長532nmのレーザ光を照射することにより、当該分離層を変質させた。次いで、各積層体からガラス支持体を分離して、接着層を露出させた。洗浄液としてp−メンタンを用い、5分間、スプレー洗浄を行うことによって、接着層が残存する封止基板を洗浄した。洗浄性の評価は、封止基板における接着層の残渣の有無を目視により確認し、残渣が全く見られなかった場合に、洗浄性を「○」と評価し、残渣が多く見られた場合には、洗浄性を「×」と評価した。
[Evaluation 3: Evaluation of detergency]
The separation layer was altered by irradiating a laser beam having a wavelength of 532 nm from the glass support side of each of the laminates formed in Evaluations 1 and 2 toward separation. The glass support was then separated from each laminate to expose the adhesive layer. Using p-menthane as a cleaning liquid, spray cleaning was performed for 5 minutes to clean the sealing substrate on which the adhesive layer remained. In the evaluation of detergency, the presence or absence of residue on the adhesive layer on the sealing substrate is visually confirmed, and when no residue is observed, the detergency is evaluated as "○", and when a large amount of residue is observed. Evaluated the detergency as "x".

以下の表2に、実施例1〜6の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。

Figure 0006842878
Table 2 below shows the compositions of the adhesive compositions of Examples 1 to 6 and the evaluation results.
Figure 0006842878

以下の表3に、実施例7〜15の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。 Table 3 below shows the compositions of the adhesive compositions of Examples 7 to 15 and the evaluation results.

Figure 0006842878
Figure 0006842878

以下の表4に、比較例1〜4の接着剤組成物の組成、及び各評価結果を示す。 Table 4 below shows the compositions of the adhesive compositions of Comparative Examples 1 to 4 and the evaluation results.

Figure 0006842878
Figure 0006842878

(各評価結果)
表2及び3に示すように、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価について、実施例1〜15の接着層はいずれも、配置されたベアチップの位置ずれが見られなかった(○)。これに対して、表4に示すように、比較例1〜4では、ベアチップの位置ずれが認められた(×)。これらの結果から、Tgが140℃以上のベースポリマーを用いることにより、接着層上に素子を封止して当該素子を好適に封止することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。
(Each evaluation result)
As shown in Tables 2 and 3, regarding the evaluation of adaptability to the sealing of the element by the compression type, no misalignment of the arranged bare chips was observed in any of the adhesive layers of Examples 1 to 15 (◯). On the other hand, as shown in Table 4, in Comparative Examples 1 to 4, the position of the bare chip was displaced (x). From these results, it was confirmed that by using a base polymer having a Tg of 140 ° C. or higher, an adhesive composition capable of sealing the element on the adhesive layer and preferably sealing the element can be obtained. We were able to.

なお、以下の表5に、実施例7の接着層について、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価を、押圧用プレスにおける加熱温度を130℃から、150℃、及び170℃に代えて行った結果を示す。 In Table 5 below, the adhesive layer of Example 7 was evaluated for adaptability to the sealing of the element by the compression type, and the heating temperature in the pressing press was changed from 130 ° C. to 150 ° C. and 170 ° C. The results are shown.

Figure 0006842878
Figure 0006842878

また、表5に示すように、比較例1ではチップの大きな移動(535μm)が見られたのに対し、実施例7では封止の際のプレート温度を170℃にしても、ほとんどチップの位置ずれが見られなかった(≦3μm)。 Further, as shown in Table 5, in Comparative Example 1, a large movement of the chip (535 μm) was observed, whereas in Example 7, even if the plate temperature at the time of sealing was 170 ° C., the position of the chip was almost the same. No deviation was observed (≦ 3 μm).

また、表2及び3に示すように、圧縮型による素子の封止に対する適応性評価について、実施例1〜15の接着層はいずれも、配置されたベアチップの位置ずれが見られなかった(○)。これに対して、表4に示すように、比較例1〜4では、ベアチップの位置ずれが認められた(×)。特に、比較例3の接着層では、A−DCPを配合しても、評価1及び評価2において十分な結果を得ることができなかった。これら実施例1〜15、及び比較例1〜4の結果からTgが100℃以上のシクロオレフィンポリマー及び硬化性モノマーを用いることにより、高温環境下において力を加えても変形することを防止することができる接着層を形成することができることを確認することができた。また、この結果から、Tgが100℃以上のシクロオレフィンポリマー及び硬化性モノマーを用いることにより、接着層上において素子を配置し、当該素子を好適に封止することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。 Further, as shown in Tables 2 and 3, regarding the evaluation of adaptability to the sealing of the element by the compression type, no misalignment of the arranged bare chips was observed in any of the adhesive layers of Examples 1 to 15 (◯). ). On the other hand, as shown in Table 4, in Comparative Examples 1 to 4, the position of the bare chip was displaced (x). In particular, in the adhesive layer of Comparative Example 3, even if A-DCP was blended, sufficient results could not be obtained in Evaluation 1 and Evaluation 2. From the results of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4, by using a cycloolefin polymer having a Tg of 100 ° C. or higher and a curable monomer, it is possible to prevent deformation even when a force is applied in a high temperature environment. It was confirmed that it was possible to form an adhesive layer that could form an adhesive layer. Further, from this result, an adhesive composition capable of arranging an element on the adhesive layer and suitably sealing the element can be obtained by using a cycloolefin polymer having a Tg of 100 ° C. or higher and a curable monomer. I was able to confirm that I could do it.

絶縁パターン形成プロセスへの適応性評価における薬品耐性では、実施例1〜15、及び比較例1〜4の何れにおいても、各レジスト溶剤に対して、高い薬品耐性を備えていることを確認した。しかしながら、耐熱性の評価において、実施例1〜15の接着層は、200℃、4時間の加熱条件において、接着層上に形成されたレジストパターンの収縮が略認められなかった(〇)。これに対して、比較例1〜4の接着層では、レジストパターンの収縮が認められた(×)。これらのことから、Tgが高いシクロオレフィンポリマーと、硬化性モノマーを併用することにより、レジストパターンの収縮を防止することができる接着層を形成することができることを確認することができた。 Regarding the chemical resistance in the evaluation of adaptability to the insulation pattern forming process, it was confirmed that all of Examples 1 to 15 and Comparative Examples 1 to 4 had high chemical resistance to each resist solvent. However, in the evaluation of heat resistance, in the adhesive layers of Examples 1 to 15, shrinkage of the resist pattern formed on the adhesive layer was not substantially observed under the heating conditions of 200 ° C. and 4 hours (◯). On the other hand, in the adhesive layers of Comparative Examples 1 to 4, shrinkage of the resist pattern was observed (x). From these facts, it was confirmed that the adhesive layer capable of preventing the shrinkage of the resist pattern can be formed by using the cycloolefin polymer having a high Tg and the curable monomer in combination.

また、実施例7、比較例1の接着層の上に形成したラインパターンと、接着層を形成せずに直接ガラス支持体上に形成したラインパターンとを、評価2における耐熱性評価と同じ条件にて加熱処理し、そのラインパターンの幅の増減、及び変化量を計測した。以下の表6に結果を示す。 Further, the line pattern formed on the adhesive layer of Example 7 and Comparative Example 1 and the line pattern formed directly on the glass support without forming the adhesive layer are under the same conditions as the heat resistance evaluation in Evaluation 2. The line pattern width was increased or decreased and the amount of change was measured. The results are shown in Table 6 below.

Figure 0006842878
Figure 0006842878

表6に示すように、レジストによるパターン形成における加熱処理の前後において、実施例7の接着層上に形成されたレジストパターンの収縮の程度と、ガラス支持体上に直接形成されたレジストパターンの収縮の程度は、略変わらないことを確認することができた。 As shown in Table 6, before and after the heat treatment in the pattern formation with the resist, the degree of shrinkage of the resist pattern formed on the adhesive layer of Example 7 and the shrinkage of the resist pattern formed directly on the glass support. It was confirmed that the degree of was almost the same.

これに加えて、洗浄性の評価(評価3)においても、実施例1〜15の接着層は、表2〜4に示すように、p−メンタンによる洗浄除去も良好に行えた(○)。 In addition to this, in the evaluation of detergency (evaluation 3), as shown in Tables 2 to 4, the adhesive layers of Examples 1 to 15 could be satisfactorily removed by cleaning with p-menthane (◯).

以上の結果から、Tgが100℃以上のシクロオレフィンポリマーに硬化性モノマーを配合することにより、絶縁パターン形成プロセスへの適応性、及び絶縁パターン形成プロセスへの適応性の高い接着層を形成することができる接着剤組成物を得ることができることを確認することができた。 From the above results, by blending a curable monomer with a cycloolefin polymer having a Tg of 100 ° C. or higher, an adhesive layer having high adaptability to the insulation pattern formation process and the insulation pattern formation process can be formed. It was confirmed that an adhesive composition capable of producing an adhesive composition can be obtained.

本発明は、特にファンアウト型技術による半導体装置の製造において好適に利用することができる。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be suitably used particularly in the manufacture of semiconductor devices by fan-out type technology.

1 支持体
3 接着層
4 再配線層
5 ベアチップ(素子、封止体)
6 封止材(封止体)
7、7' 封止基板
8、8'、9、9' 積層体
1 Support 3 Adhesive layer 4 Rewiring layer 5 Bare chip (element, sealant)
6 Encapsulant (encapsulant)
7,7'Encapsulated substrate 8,8', 9,9' Laminated body

Claims (13)

基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
上記樹脂成分における上記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、40重量%以下であり、
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴とする接着剤組成物。
An adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
The adhesive composition contains , as a resin component, a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher , and a polyfunctional curable monomer .
The content of the polyfunctional curable monomer in the resin component is 40% by weight or less.
An adhesive composition, wherein the glass transition temperature of the adhesive layer when the adhesive layer is cured by polymerization of the polyfunctional curable monomer is 160 ° C. or higher.
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体における上記接着層を形成するための接着剤組成物であって、
上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、
上記樹脂成分における上記多官能型の硬化性モノマーの含有量は、10重量%以上40重量%以下の範囲内であり、
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴とする接着剤組成物。
An adhesive composition for forming the adhesive layer in a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
The adhesive composition contains , as a resin component, a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher, and a polyfunctional curable monomer.
The content of the polyfunctional curable monomer in the resin component is in the range of 10% by weight or more and 40% by weight or less.
An adhesive composition, wherein the glass transition temperature of the adhesive layer when the adhesive layer is cured by polymerization of the polyfunctional curable monomer is 160 ° C. or higher.
上記多官能型の硬化性モノマーは、多環式脂肪族構造を有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の接着剤組成物。 The adhesive composition according to claim 1 or 2, wherein the polyfunctional curable monomer has a polycyclic aliphatic structure. 上記シクロオレフィンポリマーは、多環式脂肪族構造を有する構成単位と、エチレン単量体単位との付加重合体であることを特徴とする請求項1〜の何れか一項に記載の接着剤組成物。 The adhesive according to any one of claims 1 to 3 , wherein the cycloolefin polymer is an addition polymer of a constituent unit having a polycyclic aliphatic structure and an ethylene monomer unit. Composition. 上記樹脂成分を溶解する溶剤をさらに含んでおり、当該溶剤は、縮合多環式炭化水素、及び、分岐状炭化水素からなる群から選択される1つを含んでいることを特徴とする請求項1〜の何れか一項に記載の接着剤組成物。 The claim is characterized in that it further contains a solvent for dissolving the resin component, and the solvent contains one selected from the group consisting of condensed polycyclic hydrocarbons and branched hydrocarbons. The adhesive composition according to any one of 1 to 4. フィルム上に、請求項1〜の何れか一項に記載の接着剤組成物からなる接着層が形成されていることを特徴とする接着フィルム。 An adhesive film, wherein an adhesive layer made of the adhesive composition according to any one of claims 1 to 4 is formed on the film. 基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
上記基板上、又は、上記支持体上の少なくとも一方に、請求項1〜の何れか一項に記載の接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程を包含していることを特徴とする積層体の製造方法。
It is a manufacturing method of a laminated body for manufacturing a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
Forming an adhesive layer that forms the adhesive layer by applying the adhesive composition according to any one of claims 1 to 5 to at least one of the substrate or the support and heating the adhesive composition. A method for producing a laminate, which comprises a process.
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、
上記接着層の上に素子を配置する配置工程と、
上記配置工程の後に上記素子を封止材によって封止する封止工程とを包含しており、
上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴とする積層体の製造方法。
It is a manufacturing method of a laminated body for manufacturing a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
The substrate is a sealing substrate including a sealing body in which an element is sealed with a sealing material and a rewiring layer provided on one flat surface portion of the sealing body and on which the element is mounted. ,
On the support, by coating the adhesive composition, and contacting adhesive layer forming step you forming the adhesive layer by heating,
The arrangement process of arranging the element on the adhesive layer and
After the arrangement step, a sealing step of sealing the element with a sealing material is included .
The glass transition temperature of the adhesive layer is 160 ° C. or higher, and the adhesive composition contains a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher as a resin component. Method.
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、
上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、
上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、
上記接着層の上に上記再配線層を形成する再配線層形成工程とを包含しており、
上記接着層のガラス転移温度は160℃以上であり、上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が160℃以上であるシクロオレフィンポリマーを含んでいることを特徴とする積層体の製造方法。
It is a manufacturing method of a laminated body for manufacturing a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
The substrate is a sealing substrate including a sealing body in which an element is sealed with a sealing material and a rewiring layer provided on one flat surface portion of the sealing body and on which the element is mounted. ,
On the support, by coating the adhesive composition, and contacting adhesive layer forming step you forming the adhesive layer by heating,
It includes a rewiring layer forming step of forming the rewiring layer on the adhesive layer .
The glass transition temperature of the adhesive layer is 160 ° C. or higher, and the adhesive composition contains a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 160 ° C. or higher as a resin component. Method.
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、It is a manufacturing method of a laminated body for manufacturing a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、The substrate is a sealing substrate including a sealing body in which an element is sealed with a sealing material and a rewiring layer provided on one flat surface portion of the sealing body and on which the element is mounted. ,
上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、An adhesive layer forming step of applying an adhesive composition onto the support and heating the support to form the adhesive layer.
上記接着層の上に素子を配置する配置工程と、The arrangement process of arranging the element on the adhesive layer and
上記配置工程の後に上記素子を封止材によって封止する封止工程とを包含しており、After the arrangement step, a sealing step of sealing the element with a sealing material is included.
上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、The adhesive composition contains, as a resin component, a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher, and a polyfunctional curable monomer.
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴とする積層体の製造方法。A method for producing a laminate, wherein the glass transition temperature of the adhesive layer when the adhesive layer is cured by polymerization of the polyfunctional curable monomer is 160 ° C. or higher.
基板、接着層、及び支持体をこの順に積層してなる積層体を製造する積層体の製造方法であって、It is a manufacturing method of a laminated body for manufacturing a laminated body in which a substrate, an adhesive layer, and a support are laminated in this order.
上記基板は、素子を封止材によって封止してなる封止体と、上記封止体の一方の平面部に設けられ、上記素子を実装する再配線層とを備えた封止基板であり、The substrate is a sealing substrate including a sealing body in which an element is sealed with a sealing material and a rewiring layer provided on one flat surface portion of the sealing body and on which the element is mounted. ,
上記支持体上に、接着剤組成物を塗布して、加熱することにより上記接着層を形成する接着層形成工程と、An adhesive layer forming step of applying an adhesive composition onto the support and heating the support to form the adhesive layer.
上記接着層の上に上記再配線層を形成する再配線層形成工程とを包含しており、It includes a rewiring layer forming step of forming the rewiring layer on the adhesive layer.
上記接着剤組成物は、樹脂成分として、ガラス転移温度が100℃以上であるシクロオレフィンポリマー、及び多官能型の硬化性モノマーを含んでおり、The adhesive composition contains, as a resin component, a cycloolefin polymer having a glass transition temperature of 100 ° C. or higher, and a polyfunctional curable monomer.
当該多官能型の硬化性モノマーが重合することにより、上記接着層が硬化したときにおける当該接着層のガラス転移温度は、160℃以上であることを特徴とする積層体の製造方法。A method for producing a laminate, wherein the glass transition temperature of the adhesive layer when the adhesive layer is cured by polymerization of the polyfunctional curable monomer is 160 ° C. or higher.
上記支持体は、光を透過する材料からなる支持体であり、
上記接着層形成工程の前に、上記支持体上に、光を照射することにより変質する分離層を形成する分離層形成工程をさらに包含していることを特徴とする請求項11の何れか一項に記載の積層体の製造方法。
The support is a support made of a material that transmits light.
Any of claims 7 to 11 , further comprising a separation layer forming step of forming a separation layer that is altered by irradiation with light on the support before the adhesion layer forming step. The method for producing a laminate according to item 1.
請求項12に記載の積層体の製造方法と、
上記支持体を介して、上記分離層に光を照射することにより変質させ、上記積層体から上記基板を分離する分離工程と、
上記分離工程後、上記積層体から分離した上記基板上に残る上記接着層を洗浄液により除去する除去工程とを包含していることを特徴とする基板処理方法。
The method for producing a laminate according to claim 12,
A separation step of separating the substrate from the laminate by altering the separation layer by irradiating the separation layer with light via the support.
A substrate processing method comprising the removal step of removing the adhesive layer remaining on the substrate separated from the laminate with a cleaning liquid after the separation step.
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