JP6842236B2 - 磁気センサモジュール - Google Patents

Description

本発明は、ホール素子が内蔵された磁気センサモジュールに関する。

特許文献１には、従来の磁気センサモジュールの一例が開示されている。同文献に記載された磁気センサモジュールは、ホール素子、リードおよび封止樹脂を備えている。前記ホール素子は、前記リードの表面に搭載されている。前記ホール素子および前記リードの一部は、前記封止樹脂によって覆われている。前記リードのうち前記封止樹脂から露出した部分が、実装端子とされている。この実装端子は、前記リードのうち下方に折り曲げられた部分によって構成されている。

前記磁気センサモジュールは、電子機器等に用いられるため、小型化の要請が強い。特に、前記磁気センサモジュールの高さを小さくすることにより、薄型化を図ることが求められる。

特開２０１４−０７７７３０号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、薄型化を図ることが可能な磁気センサモジュールを提供することをその課題とする。

本発明によって提供される磁気センサモジュールは、ホール素子と、ホール素子を支持し且つホール素子に接続される導通経路を構成する導通支持部材と、前記ホール素子および導通支持部材に接続されたワイヤと、前記ホール素子を覆う封止樹脂と、を備える磁気センサモジュールであって、前記導通支持部材は、前記ホール素子が搭載され且つ第１方向に対して直角である素子搭載面、前記ワイヤが接続され且つ前記第１方向において前記素子搭載面よりも前記素子搭載面が向く一方側に位置するワイヤボンディング面および前記第１方向において前記一方側とは反対側の他方側を向き且つ前記ワイヤボンディング面と導通するとともに前記導通経路に含まれる実装端子面を有することを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導通支持部材は、前記素子搭載面を構成し且つ金属からなる第１リードおよび前記ワイヤボンディング面を構成し且つ金属からなる第２リードを含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１リードは、前記一方側を向く第１主面および前記他方側を向く第１裏面を有している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１リードは、前記第１主面から前記他方側に凹み且つ前記一方側を向く凹部底面および当該凹部底面と前記第１主面とを繋ぐ凹部側面を有する凹部を有しており、前記凹部底面が、前記素子搭載面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記凹部には、前記封止樹脂が充填されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記凹部は、前記第１方向視において前記第１主面に内包されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記凹部は、前記第１方向視において前記第１主面を区画している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記凹部側面は、前記第１方向に対して傾斜している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１主面が、前記素子搭載面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１裏面は、前記封止樹脂から露出している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１裏面と、前記実装端子面とは、前記第１方向における位置が一致している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２リードは、前記一方側を向く第２主面および前記他方側を向く第２裏面を有している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２主面が、前記ワイヤボンディング面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２裏面が、前記実装端子面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２主面と前記第２裏面とは、前記第１方向視において重なっている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第２主面と前記第２裏面とは、前記第１方向視において互いに一致する。

本発明の好ましい実施の形態においては、４つの前記第２リードと４つの前記ワイヤとを備えており、前記第１リードは、４つの前記第２リードに囲まれた配置とされている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記第１リードは、前記導通経路に含まれない。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導通支持部材は、絶縁材料からなり前記第１方向を厚さ方向とする基材および当該基材上に形成され前記導通経路を構成する配線パターンを含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線パターンは、金属からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材は、前記一方側を向く基材主面、前記他方側を向く基材裏面および前記第１方向に貫通する基材貫通孔を有しており、前記ホール素子は、前記第１方向視において、前記基材貫通孔に内包されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材貫通孔には、前記封止樹脂が充填されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記ホール素子は、前記第１方向において少なくとも一部が前記基材貫通孔に収容されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記基材貫通孔は、前記第１方向視において矩形状である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線パターンは、前記基材貫通孔を前記他方側から塞ぐ貫通孔封鎖部を有し、前記貫通孔封鎖部のうち前記一方側を向く面が、前記素子搭載面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記貫通孔封鎖部は、その一部が前記基材裏面に形成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記貫通孔封鎖部は、前記導通経路に含まれない。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線パターンは、前記基材主面に形成され且つ前記ワイヤが接続された主面パッド部を有しており、前記主面パッド部の前記一方側を向く面が、前記ワイヤボンディング面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線パターンは、前記基材裏面に形成された裏面電極部を有しており、前記裏面電極部の前記他方側を向く面が、前記実装端子面を構成している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面パッド部と前記裏面電極部とは、前記第１方向視において重なる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線パターンは、前記基材を前記第１方向に貫通し且つ前記主面パッド部と裏面電極部とを導通させる貫通導通部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線パターンは、前記基材の側面に設けられ且つ前記主面パッド部と裏面電極部とを導通させる側面導通部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、４つの前記主面パッド部と４つの前記ワイヤとを備えており、前記基材貫通孔は、４つの前記主面パッド部に囲まれた配置とされている。

本発明によれば、前記ホール素子は、前記第１方向において前記ワイヤボンディング面よりも前記第１方向他方側に位置する前記素子搭載面に搭載されている。すなわち、前記ワイヤのうち前記ワイヤボンディング面に接続された端部よりも、前記ホール素子の一部が前記実装端子面側に位置している。これにより、前記磁気センサモジュールの薄型化を図ることができる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールを示す要部平面図である。 本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールを示す底面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールの変形例を示す要部平面図である。 本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールの変形例を示す底面図である。 本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールの変形例を示す要部平面図である。 本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールの変形例を示す底面図である。 本発明の第２実施形態に基づく磁気センサモジュールを示す要部平面図である。 本発明の第３実施形態に基づく磁気センサモジュールを示す要部平面図である。 図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。 本発明の第４実施形態に基づく磁気センサモジュールを示す要部平面図である。 本発明の第４実施形態に基づく磁気センサモジュールを示す底面図である。 図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第４実施形態に基づく磁気センサモジュールの変形例を示す要部平面図である。 図１４のＸＶ−ＸＶ線に沿う断面図である。

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図３は、本発明の第１実施形態に基づく磁気センサモジュールを示している。本実施形態の磁気センサモジュールＡ１は、ホール素子１、導通支持部材２、４つのワイヤ３および封止樹脂４を備えている。磁気センサモジュールＡ１は、電子機器等に搭載され、磁気検出に用いられるセンサモジュールである。なお、本発明に係る磁気センサモジュールは、ホール素子１を用いた検出を行うセンサモジュールであれば、その用途は特に限定されない。

図１は、磁気センサモジュールＡ１を示す要部平面図である。図２は、磁気センサモジュールＡ１を示す底面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。なお、図１においては、理解の便宜上、封止樹脂４を想像線で示している。

ホール素子１は、ホール効果を用いたセンサ素子であり、電流が流れている物体に対して磁界がかけられた際に生じる起電力を検出する。ホール素子１は、素子本体１１および４つの素子電極１２を有する。素子本体１１は、電流が流される検出部分として、たとえばＧａＡｓやＩｎＳｂからなる部分を有する。４つの素子電極１２は、素子本体１１への通電や起電力の検出に用いられる電極である。

導通支持部材２は、ホール素子１を支持し且つホール素子１の４つの素子電極１２に接続される導通経路を構成する。本実施形態においては、導通支持部材２は、第１リード２１および４つの第２リード２２を含む。第１リード２１および４つの第２リード２２は、いずれも金属からなる。第１リード２１および第２リード２２を構成する金属は特に限定されず、たとえばＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ等やこれらの合金が挙げられる。また、第１リード２１および第２リード２２の表面には、めっき層が形成されていてもよい。

第１リード２１は、第１主面２１１、第１裏面２１２および凹部２１３を有する。本実施形態においては、第１リード２１は、ｚ方向視において矩形状である。

第１主面２１１は、厚さ方向であるｚ方向において一方側を向く面である。第１裏面２１２は、ｚ方向において他方側を向く面である。第１主面２１１と第１裏面２１２とは、互いに平行である。第１裏面２１２は、素子側裏面アイランド部２Ｃを構成している。

凹部２１３は、第１主面２１１からｚ方向他方側に凹んでいる。本実施形態においては、凹部２１３は、ｚ方向視において矩形状である。凹部２１３は、凹部底面２１４および凹部側面２１５を有する。凹部底面２１４は、ｚ方向一方側を向いており、第１主面２１１と平行である。凹部底面２１４は、本実施形態においては、ｚ方向視において矩形状である。凹部側面２１５は、凹部底面２１４と第１主面２１１とを繋いでいる。本実施形態においては、凹部側面２１５は、ｚ方向に対して傾斜している。凹部２１３のｚ方向に対して直角である断面の大きさは、凹部底面２１４から凹部側面２１５に向かうほど大となっている。

凹部２１３は、ｚ方向視において第１主面２１１に内包されている。本実施形態の第１主面２１１は、ｚ方向視において矩形環状である。

本実施形態においては、凹部底面２１４にホール素子１が搭載されている。これにより、凹部底面２１４によって、素子搭載面２Ａが構成されている。ホール素子１の素子本体１１と凹部底面２１４とは、図示しない接合材によって接合されている。一方、ホール素子１の素子電極１２と第１リード２１とは導通していない。すなわち、第１リード２１は、ホール素子１の導通経路に含まれない。ｚ方向視において、ホール素子１は、凹部底面２１４に内包されている。ｚ方向において、ホール素子１は、その一部が凹部２１３に収容されており、他の一部が凹部２１３から突出している。

４つの第２リード２２は、各々が第２主面２２１、第２裏面２２２、第１側面２２３および第２側面２２４を有する。

第１主面２１１は、厚さ方向であるｚ方向において一方側を向く面である。第１裏面２１２は、ｚ方向において他方側を向く面である。第１主面２１１と第１裏面２１２とは、互いに平行である。第１主面２１１と第１裏面２１２とは、互いに導通している。第１主面２１１と第１裏面２１２とは、ｚ方向視において重なっており、本実施形態においては、互いに一致している。

第１主面２１１は、ワイヤボンディング面２Ｂを構成している。第１裏面２１２は、実装端子面２Ｄを構成している。第２主面２２１（ワイヤボンディング面２Ｂ）は、第１リード２１の凹部底面２１４（素子搭載面２Ａ）よりもｚ方向一方側に位置している。第２裏面２２２（実装端子面２Ｄ）は、凹部底面２１４（素子搭載面２Ａ）よりもｚ方向他方側に位置している。

第１リード２１は、ｚ方向視において４つの第２リード２２に囲まれている。

４つのワイヤ３は、ホール素子１と４つの第２リード２２とを導通させており、前記導通経路に含まれている。ワイヤ３の一端が素子電極１２にボンディングされており、ワイヤ３の他端が第２主面２２１（ワイヤボンディング面２Ｂ）にボンディングされている。

第１側面２２３および第２側面２２４は、第２主面２２１と第２裏面２２２とを繋いでおり、ｚ方向に平行である。第１側面２２３は、ｘ方向外方を向いている。第２側面２２４は、ｙ方向外方を向いている。

封止樹脂４は、ホール素子１と４つのワイヤ３と第１リード２１および第２リード２２の一部ずつとを覆っている。封止樹脂４は、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁樹脂からなる。封止樹脂４は、封止樹脂主面４１、封止樹脂裏面４２、２つの封止樹脂第１側面４３および２つの封止樹脂第２側面４４を有する。封止樹脂４は、凹部２１３に充填されている。

封止樹脂主面４１は、ｚ方向において一方側を向く面である。封止樹脂裏面４２は、ｚ方向において他方側を向く面である。２つの封止樹脂第１側面４３は、封止樹脂主面４１および封止樹脂裏面４２を繋いでおり、ｘ方向を向いている。２つの封止樹脂第２側面４４は、封止樹脂主面４１および封止樹脂裏面４２を繋いでおり、ｙ方向を向いている。

封止樹脂主面４１からは、ホール素子１、第１リード２１、４つの第２リード２２および４つのワイヤ３のいずれもが露出していない。

封止樹脂裏面４２からは、第１リード２１の第１裏面２１２および４つの第２リード２２の第２側面２２４が露出している。封止樹脂裏面４２と第１リード２１の第１裏面２１２および４つの第２リード２２の第２側面２２４とは、互いに面一である。

封止樹脂第１側面４３からは、２つの第２リード２２の第１側面２２３が露出している。封止樹脂第１側面４３と２つの第２リード２２の第１側面２２３とは、互いに面一である。

封止樹脂第２側面４４からは、第１リード２１の側面が露出している。封止樹脂第２側面４４と第１リード２１の前記側面とは、互いに面一である。

次に、磁気センサモジュールＡ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、ホール素子１は、ｚ方向において第２主面２２１（ワイヤボンディング面２Ｂ）よりもｚ方向他方側に位置する凹部底面２１４（素子搭載面２Ａ）に搭載されている。すなわち、ワイヤ３のうち第１主面２１１（ワイヤボンディング面２Ｂ）に接続された端部よりも、ホール素子１の一部が第２裏面２２２（実装端子面２Ｄ）側に位置している。これにより、磁気センサモジュールＡ１の薄型化を図ることができる。

第１リード２１および第２リード２２は、ホール素子１を支持し且つホール素子１の導通経路を構成する機能を適切に果たすことができる。

第１リード２１が凹部２１３を有することにより、凹部底面２１４によって素子搭載面２Ａを構成しつつ、第１リード２１の剛性が低下することを抑制することができる。

第２裏面２２２（実装端子面２Ｄ）と第１裏面２１２（素子側裏面アイランド部２Ｃ）とが面一であることにより、第２裏面２２２（実装端子面２Ｄ）を用いて磁気センサモジュールＡ１を回路基板（図示略）等に実装する際に、第１裏面２１２（素子側裏面アイランド部２Ｃ）を前記回路基板に接合することが可能である。これにより、ホール素子１からの熱を第１リード２１を介して前記基板へと放熱することができる。

図４〜図１５は、本発明の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図４および図５は、磁気センサモジュールＡ１の変形例を示している。本変形例においては、第２リード２２の第２側面２２４が封止樹脂４の封止樹脂第２側面４４から露出している。第２側面２２４と封止樹脂第２側面４４とは、互いに面一である。第２リード２２の第１側面２２３は、封止樹脂４によって覆われている。

本変形例によっても、磁気センサモジュールＡ１の薄型化を図ることができる。

図６および図７は、磁気センサモジュールＡ１の他の変形例を示している。本変形例においては、第２リード２２の第１側面２２３が封止樹脂４の封止樹脂第１側面４３から露出しており、第２側面２２４が封止樹脂第２側面４４から露出している。第１側面２２３と封止樹脂第１側面４３とは、互いに面一である。第１側面２２３第２側面２２４と封止樹脂第２側面４４とは、互いに面一である。

本変形例によっても、磁気センサモジュールＡ１の薄型化を図ることができる。

図８は、本発明の第２実施形態に基づく磁気センサモジュールを示している。本実施形態の磁気センサモジュールＡ２は、第１リード２１の凹部２１３の構成が、上述した磁気センサモジュールＡ１と異なっている。なお、磁気センサモジュールＡ２のｚｘ平面における断面は、図３と同様である。

本実施形態においては、ｚ方向視において、凹部２１３によって第１主面２１１が区画されている。凹部２１３は、ｙ方向において第１リード２１を横断する溝状とされている。

このような実施形態によっても、磁気センサモジュールＡ２の薄型化を図ることができる。

図９および図１０は、本発明の第３実施形態に基づく磁気センサモジュールを示している。図９は、本実施形態の磁気センサモジュールＡ３を示す要部平面図であり、図１０は図９のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。

本実施形態においては、第１リード２１は、第１主面２１１および第１裏面２１２を有しており、上述した凹部２１３を有していない。本実施形態においては、第１主面２１１にホール素子１が搭載されており、第１主面２１１が素子搭載面２Ａを構成している。第１主面２１１（素子搭載面２Ａ）は、第２主面２２１（ワイヤボンディング面２Ｂ）よりもｚ方向において他方側に位置している。

このような実施形態によっても、磁気センサモジュールＡ３の薄型化を図ることができる。

図１１〜図１３は、本発明の第４実施形態に基づく磁気センサモジュールを示している。本実施形態の磁気センサモジュールＡ４においては、導通支持部材２は、基材２３および配線パターン２４を有している。

図１１は、磁気センサモジュールＡ４を示す要部平面図である。図１２は、磁気センサモジュールＡ４を示す底面図である。図１３は、図１１のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線に沿う断面図である。

基材２３は、絶縁性の材料からなる板状部材である。基材２３の材質は特に限定されず、たとえばガラスエポキシ樹脂が挙げられる。基材２３は、基材主面２３１、基材裏面２３２および基材貫通孔２３３を有する。

基材主面２３１は、ｚ方向において一方側を向く面である。基材主面２３１は、ｚ方向において他方側を向く面である。基材主面２３１と基材裏面２３２とは、互いに平行である。基材貫通孔２３３は、基材２３をｚ方向に貫通している。基材貫通孔２３３は、ｚ方向視においてたとえば矩形状である。基材貫通孔２３３には封止樹脂４が充填されている。

ｚ方向視において、ホール素子１は、基材貫通孔２３３に内包されている。また、ｚ方向においてホール素子１の一部が、基材貫通孔２３３に収容されている。

配線パターン２４は、基材２３上に形成されており、たとえばＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ等からなるめっき層を含む。配線パターン２４は、貫通孔封鎖部２４１および４つの主面パッド部２４２、４つの裏面電極部２４３および４つの貫通導通部２４４を有する。

貫通孔封鎖部２４１は、基材２３の基材貫通孔２３３をｚ方向他方側から塞いでいる。貫通孔封鎖部２４１の一部は、基材２３の基材裏面２３２に形成されている。貫通孔封鎖部２４１のｚ方向一方側を向く面には、ホール素子１が搭載されている。これにより、本実施形態においては、貫通孔封鎖部２４１のｚ方向一方側を向く面が、素子搭載面２Ａを構成している。また、貫通孔封鎖部２４１のｚ方向他方側を向く面が、素子側裏面アイランド部２Ｃを構成している。

４つの主面パッド部２４２は、基材２３の基材主面２３１上に形成されている。４つの主面パッド部２４２は、基材貫通孔２３３（ホール素子１）を、ｚ方向視において囲む配置とされている。主面パッド部２４２には、ワイヤ３の一端が接続されている。これにより、本実施形態においては、主面パッド部２４２のうちｚ方向一方側を向く面が、ワイヤボンディング面２Ｂを構成している。

４つの裏面電極部２４３は、基材２３の基材裏面２３２に形成されている。基材裏面２３２のｚ方向他方側の向く面が、実装端子面２Ｄを構成している。ｚ方向視において、主面パッド部２４２と裏面電極部２４３とは、重なっており、互いに一致していてもよい。

４つの貫通導通部２４４は、各々が基材２３をｚ方向に貫通している。貫通導通部２４４は、主面パッド部２４２と裏面電極部２４３とを導通させている。

主面パッド部２４２のｚ方向一方側を向く面（ワイヤボンディング面２Ｂ）は、貫通孔封鎖部２４１のｚ方向一方側を向く面（素子搭載面２Ａ）よりもｚ方向一方側に位置している。裏面電極部２４３のｚ方向他方側を向く面（実装端子面２Ｄ）は、貫通孔封鎖部２４１のｚ方向一方側を向く面（素子搭載面２Ａ）よりもｚ方向他方側に位置している。貫通孔封鎖部２４１のｚ方向他方側を向く面（素子側裏面アイランド部２Ｃ）は、裏面電極部２４３のｚ方向他方側を向く面（実装端子面２Ｄ）と、ｚ方向における位置が一致している。

このような実施形態によっても、磁気センサモジュールＡ４の薄型化を図ることができる。また、素子搭載面２Ａと実装端子面２Ｄとのｚ方向における距離は、配線パターン２４の厚さ程度となる。これにより、磁気センサモジュールＡ４の薄型化をさらに促進することができる。

図１４および図１５は、本発明の第５実施形態に基づく磁気センサモジュールを示している。本実施形態の磁気センサモジュールＡ５においては、導通支持部材２の配線パターン２４が、上述した４つの貫通導通部２４４に代えて、４つの側面導通部２４５を有している。

側面導通部２４５は、基材２３のｘ方向両端に位置する側面に形成されている。側面導通部２４５は、主面パッド部２４２と裏面電極部２４３とを導通させている。基材２３のｘ方向両端に位置する側面のうち側面導通部２４５が形成された部分は、ｘ方向内方に凹んでいる。

このような実施形態によっても、磁気センサモジュールＡ５の薄型化を図ることができる。

本発明に係る磁気センサモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る磁気センサモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１〜Ａ５ ：磁気センサモジュール
１ ：ホール素子
２ ：導通支持部材
２Ａ ：素子搭載面
２Ｂ ：ワイヤボンディング面
２Ｃ ：素子側裏面アイランド部
２Ｄ ：実装端子面
３ ：ワイヤ
４ ：封止樹脂
１１ ：素子本体
１２ ：素子電極
２１ ：第１リード
２２ ：第２リード
２３ ：基材
２４ ：配線パターン
４１ ：封止樹脂主面
４２ ：封止樹脂裏面
４３ ：封止樹脂第１側面
４４ ：封止樹脂第２側面
２１１ ：第１主面
２１２ ：第１裏面
２１３ ：凹部
２１４ ：凹部底面
２１５ ：凹部側面
２２１ ：第２主面
２２２ ：第２裏面
２２３ ：第１側面
２２４ ：第２側面
２３１ ：基材主面
２３２ ：基材裏面
２３３ ：基材貫通孔
２４１ ：貫通孔封鎖部
２４２ ：主面パッド部
２４３ ：裏面電極部
２４４ ：貫通導通部
２４５ ：側面導通部

Claims (13)

1. ホール素子と、
   前記ホール素子を支持し且つ前記ホール素子に接続される導通経路を構成する導通支持部材と、
   前記ホール素子および前記導通支持部材に接続されたワイヤと、
   前記ホール素子を覆う封止樹脂と、を備える磁気センサモジュールであって、
   前記導通支持部材は、前記ホール素子が搭載され且つ第１方向に対して直角である素子搭載面、前記ワイヤが接続され且つ前記第１方向において前記素子搭載面よりも前記素子搭載面が向く一方側に位置するワイヤボンディング面および前記第１方向において前記一方側とは反対側の他方側を向き且つ前記ワイヤボンディング面と導通するとともに前記導通経路に含まれる実装端子面を有しており、
   前記素子搭載面は、金属からなり且つ前記導通経路に含まれず、
   前記導通支持部材は、絶縁材料からなり前記第１方向を厚さ方向とする基材および当該基材上に形成され前記導通経路を構成する部分を有する配線パターンを含み、
   前記配線パターンは、金属からなり、
   前記基材は、前記一方側を向く基材主面、前記他方側を向く基材裏面および前記第１方向に貫通する基材貫通孔を有しており、
   前記ホール素子は、前記第１方向視において、前記基材貫通孔に内包されていることを特徴とする、磁気センサモジュール。
2. 前記ワイヤボンディング面は、前記ホール素子のうち前記第１方向において最も前記一方側に位置する部位よりも、前記第１方向において前記他方側に位置する、請求項１に記載の磁気センサモジュール。
3. 前記基材貫通孔には、前記封止樹脂が充填されている、請求項１または２に記載の磁気センサモジュール。
4. 前記ホール素子は、前記第１方向において少なくとも一部が前記基材貫通孔に収容されている、請求項３に記載の磁気センサモジュール。
5. 前記基材貫通孔は、前記第１方向視において矩形状である、請求項４に記載の磁気センサモジュール。
6. 前記配線パターンは、前記基材貫通孔を前記他方側から塞ぐ貫通孔封鎖部を有しており、
   前記貫通孔封鎖部の前記一方側をむく面が、前記素子搭載面を構成している、請求項４または５に記載の磁気センサモジュール。
7. 前記貫通孔封鎖部は、その一部が前記基材裏面に形成されている、請求項６に記載の磁気センサモジュール。
8. 前記配線パターンは、前記基材主面に形成され且つ前記ワイヤが接続された主面パッド部を有しており、
   前記主面パッド部の前記一方側を向く面が、前記ワイヤボンディング面を構成している、請求項７に記載の磁気センサモジュール。
9. 前記配線パターンは、前記基材裏面に形成された裏面電極部を有しており、
   前記裏面電極部の前記他方側を向く面が、前記実装端子面を構成している、請求項８に記載の磁気センサモジュール。
10. 前記主面パッド部と前記裏面電極部とは、前記第１方向視において重なる、請求項９に記載の磁気センサモジュール。
11. 前記配線パターンは、前記基材を前記第１方向に貫通し且つ前記主面パッド部と前記裏面電極部とを導通させる貫通導通部を有する、請求項１０に記載の磁気センサモジュール。
12. 前記配線パターンは、前記基材の側面に設けられ且つ前記主面パッド部と前記裏面電極部とを導通させる側面導通部を有する、請求項１０に記載の磁気センサモジュール。
13. ４つの前記主面パッド部と４つの前記ワイヤとを備えており、
    前記基材貫通孔は、４つの前記主面パッド部に囲まれた配置とされている、請求項９ないし１２のいずれかに記載の磁気センサモジュール。

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