JP6842246B2 - Ledモジュール - Google Patents
Ledモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6842246B2 JP6842246B2 JP2016104959A JP2016104959A JP6842246B2 JP 6842246 B2 JP6842246 B2 JP 6842246B2 JP 2016104959 A JP2016104959 A JP 2016104959A JP 2016104959 A JP2016104959 A JP 2016104959A JP 6842246 B2 JP6842246 B2 JP 6842246B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pad portion
- main
- electrode
- thickness direction
- led chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 113
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8512—Aligning
- H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
- H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
- H01L2224/8518—Translational movements
- H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4824—Pads with extended contours, e.g. grid structure, branch structure, finger structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
100 モジュール基板
110 基板主面
121,122,123,124 基板側面
130 基板裏面
141,142 貫通孔
151,152 コーナー溝
161,162 側面溝
200 配線パターン
210 主面電極
221,222,223 ダイパッド部
221a,222a 主パッド部
221b,222b 補助パッド部
230,231,232,233,234 ワイヤボンディング部
241,242 四半環状配線
243,244 円形状配線
245,246 半円環状配線
251〜263 連結配線
271,272,273,274 裏面電極
281,282 貫通電極
283,284 コーナー溝電極
285,286 側面溝電極
301,302,303 LEDチップ
311 半導体基板
312,322 n型半導体層
313,323 活性層
314,324 p型半導体層
315 n側電極パッド
316 p側電極パッド
319,329 導電性ペースト
321 底面電極
325 ワイヤ電極パッド
401,402,403,404,405 ワイヤ
500 絶縁膜
510 主面絶縁膜
520 裏面絶縁膜
600 ケース
700 封止樹脂
B 実装基板
C ハンダ
900 基板
910 配線パターン
911 ダイパッド部
912 ワイヤボンディング部
920 LEDチップ
930 吸着コレット
940 キャピラリ
950 ワイヤ
Claims (27)
- 厚さ方向において、互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板と、
前記主面と同じ方向を向く面に接合された第1電極パッドを有する第1LEDチップと、
一端が前記第1電極パッドにボンディングされた第1ワイヤと、
前記主面に形成された主面電極を有する配線パターンと、
を備えたLEDモジュールであって、
前記主面電極は、前記第1ワイヤの他端がボンディングされた第1ワイヤボンディング部、および、接合材によって前記第1LEDチップが接合されることで前記第1LEDチップを支持する第1ダイパッド部を有し、
前記第1ワイヤボンディング部と前記第1ダイパッド部とは、前記厚さ方向視において離間しており、
前記第1LEDチップは、前記厚さ方向視において矩形状であり、かつ、前記厚さ方向視において前記第1ダイパッド部に重なり、
前記第1電極パッドは、前記厚さ方向視において、前記第1LEDチップの中心位置より前記第1LEDチップの外縁寄りに配置され、かつ、前記厚さ方向視において、前記第1LEDチップの一方の対角線上に配置されており、
前記第1ダイパッド部は、前記第1LEDチップがボンディングされ、かつ、前記厚さ方向視における外縁が矩形状の主パッド部と、前記主パッド部に一体的に形成され、前記厚さ方向視において、前記主パッド部から、前記第1LEDチップの中心位置から前記第1電極パッドの位置を向く方向に突き出た補助パッド部と、を有しており、
前記主パッド部の前記厚さ方向視における前記外縁は、前記厚さ方向に直交する第1方向に延びる主パッド部側第1辺と、前記主パッド部側第1辺の延長線であって前記第1方向に延びる第1線分と、前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向に延びる主パッド部側第2辺と、前記主パッド部側第2辺の延長線であって前記第2方向に延びる第2線分とを有しており、
前記第1線分および前記第2線分は、各々が前記主パッド部と前記補助パッド部との前記厚さ方向視における境界であり、かつ、互いに繋がることで前記厚さ方向視における前記主パッド部の四隅の1つを構成しており、
前記補助パッド部は、前記第1電極パッドと前記第1ワイヤとの接合部分から前記第2方向に沿って前記第1線分に向かう方向に前記主パッド部の前記外縁から突き出ており、かつ、前記接合部分から前記第1方向に沿って前記第2線分に向かう方向に前記主パッド部の前記外縁から突き出ており、
前記補助パッド部の前記厚さ方向視における外縁は、前記第1線分および前記第2線分を前記主パッド部の前記外縁と共有し、かつ、前記主パッド部側第1辺と前記第1線分との第1接続点および前記主パッド部側第2辺と前記第2線分との第2接続点のそれぞれから前記主パッド部の外方に延びており、
前記第1ワイヤは、前記厚さ方向視において、一端が前記第1ワイヤボンディング部に重なるとともに他端が前記主パッド部に重なり、かつ、前記厚さ方向視において、前記一端と前記他端とを結ぶ部分の一部が前記補助パッド部に重なり、
前記補助パッド部は、前記第1方向視において、前記主パッド部側第2辺に重ならず、かつ、前記第2方向視において、前記主パッド部側第1辺に重ならず、
前記主パッド部の前記外縁は、前記主パッド部側第1辺に繋がり且つ前記第2方向に延びる主パッド部側第3辺と、前記主パッド部側第2辺に繋がり且つ前記第1方向に延びる主パッド部側第4辺をさらに有しており、
前記主パッド部側第3辺および前記主パッド部側第4辺は、互いに繋がることで、前記厚さ方向視における前記主パッド部の四隅の1つを構成しており、
前記厚さ方向視において、前記補助パッド部は、前記主パッド部側第3辺および前記主パッド部側第4辺のそれぞれよりも前記主パッド部の外方に配置されない、
ことを特徴とするLEDモジュール。 - 前記厚さ方向視において前記第1接続点と前記第2接続点とが離間する方向に沿う前記補助パッド部の最大寸法は、前記厚さ方向視において前記第1接続点と前記第2接続点とを線分の長さよりも大である、
請求項1に記載のLEDモジュール。 - 第1ワイヤボンディング部は、前記対角線の延長線上にある、
請求項1または請求項2のいずれかに記載のLEDモジュール。 - 前記厚さ方向視において、前記補助パッド部は、前記第1接続点から前記第2方向に延びる補助パッド部側第1辺と、前記第2接続点から前記第1方向に延びる補助パッド部側第2辺と、前記補助パッド部側第1辺の端部から記第2方向に延びる補助パッド部側第3辺と、前記補助パッド部側第2辺の端部から記第1方向に延び且つ前記補助パッド部側第3辺に繋がる補助パッド部側第4辺と、を有する、
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップが前記主パッド部の予め設定された位置に位置ズレすることなくボンディングされたとき、前記厚さ方向視において、前記第1電極パッドは、前記補助パッド部側第3辺の垂直二等分線と前記補助パッド部側第4辺の垂直二等分線との交点に位置する、
請求項4に記載のLEDモジュール。 - 前記補助パッド部側第3辺と前記補助パッド部側第4辺とは同じ長さである、
請求項5に記載のLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップが前記主パッド部の予め設定された位置に位置ズレすることなくボンディングされたとき、前記厚さ方向視において、前記補助パッド部は、前記第1電極パッドの位置を中心とした、円弧が前記第1接続点および前記第2接続点をそれぞれ通る円形状の範囲であり、かつ、前記主パッド部と重ならない部分である、
請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップは、前記厚さ方向視において、前記第1電極パッドと離間する第2電極パッドを、さらに有しており、
前記第2電極パッドは、前記主面と同じ方向を向く前記第1LEDチップの面であって、前記第1電極パッドが接合された面と異なる面に接合されている、
請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記厚さ方向視において、前記第2電極パッドは、前記第1LEDチップの中心位置からの離間距離が、前記第1電極パッドと前記第1LEDチップの中心位置との離間距離よりも短い、
請求項8に記載のLEDモジュール。 - 前記第1電極パッドが接合された面は、前記第2電極パッドが接合された面よりも前記厚さ方向において前記裏面側に配置されている、
請求項8または請求項9のいずれかに記載のLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップは、半導体基板と、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層と、を含んでおり、
前記第1電極パッドは、n型半導体層に接合されたn側電極パッドであり、
前記第2電極パッドは、p型半導体層に接合されたp側電極パッドである、
請求項10に記載のLEDモジュール。 - 一端が前記第2電極パッドにボンディングされた第2ワイヤをさらに備えており、
前記主面電極は、前記第2ワイヤの他端がボンディングされた第2ワイヤボンディング部をさらに有する、
請求項8ないし請求項11のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記第2ワイヤの一端は、前記厚さ方向視において前記主パッド部に重なり、
前記第2ワイヤの他端は、前記厚さ方向視において前記第2ワイヤボンディング部に重なり、
前記第2ワイヤの前記一端と前記他端とを結ぶ部分は、前記厚さ方向視において前記主パッド部側第1辺に交差し、かつ、前記厚さ方向視において前記補助パッド部に重ならない、
請求項12に記載のLEDモジュール。 - 前記主面電極は、前記第1ダイパッド部と前記第2ワイヤボンディング部とにつながる連結配線を有する、
請求項12または請求項13に記載のLEDモジュール。 - 前記配線パターンは、前記基板の前記裏面に形成された裏面電極を有する、
請求項1ないし請求項14のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記配線パターンは、前記主面電極および前記裏面電極につながり、かつ、前記基板を貫通する貫通電極を有する、
請求項15に記載のLEDモジュール。 - 前記貫通電極は、前記基板を前記厚さ方向に貫通するビアホールに導電性材料が充填されている、
請求項16に記載のLEDモジュール。 - 前記貫通電極は、前記基板を前記厚さ方向に貫通する貫通部の内面に形成されためっきである、
請求項16に記載のLEDモジュール。 - 前記配線パターンの一部を覆う絶縁膜をさらに備える、
請求項1ないし請求項18のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記基板の主面に、前記第1LEDチップを囲むケースをさらに備える、
請求項1ないし請求項19のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップを複数備える、
請求項1ないし請求項20のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 前記第1LEDチップを3つ備えており、
前記3つの第1LEDチップは、緑色光、青色光、および、赤色光をそれぞれ発する、
請求項21に記載のLEDモジュール。 - 前記3つの第1LEDチップのうち、少なくとも1つの前記第1LEDチップの代わりに、第3ワイヤがボンディングされたワイヤ電極パッドと、前記ワイヤ電極パッドの反対側に位置し、前記主面電極に接合される底面電極と、を有する1ワイヤタイプの第2LEDチップを用いる、
請求項22に記載のLEDモジュール。 - 前記主面電極は、前記第2LEDチップを支持し、かつ、前記底面電極が導通接合される第2ダイパッド部を有する、
請求項23に記載のLEDモジュール。 - 前記主面電極は、前記第3ワイヤの他端がボンディングされた第3ワイヤボンディング部をさらに有する、
請求項24に記載のLEDモジュール。 - 2つの前記第1LEDチップと、1つの前記第2LEDチップと、を備えており、
前記1つの第2LEDチップは、赤色光を発する、
請求項23ないし請求項25のいずれか一項に記載のLEDモジュール。 - 厚さ方向において、互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板と、
前記主面と同じ方向を向く面に接合された第1電極パッドを有する第1LEDチップと、
一端が前記第1電極パッドにボンディングされた第1ワイヤと、
前記主面に形成された主面電極を有する配線パターンと、
を備えたLEDモジュールであって、
前記主面電極は、前記第1ワイヤの他端がボンディングされた第1ワイヤボンディング部、および、接合材によって前記第1LEDチップが接合されることで前記第1LEDチップを支持する第1ダイパッド部を有し、
前記第1ワイヤボンディング部と前記第1ダイパッド部とは、前記厚さ方向視において離間しており、
前記第1LEDチップは、前記厚さ方向視において、第1の頂点、第2の頂点、第3の頂点および第4の頂点を有する矩形状であり、
前記第1電極パッドは、前記厚さ方向視において、前記第1LEDチップの前記第2の頂点、前記第3の頂点および前記第4の頂点よりも前記第1の頂点に近い位置に配置され、
前記第1ダイパッド部は、互いに一体的に形成された主パッド部および補助パッド部を有し、
前記主パッド部は、前記厚さ方向視において、前記厚さ方向に直交する第1方向に延びる第1辺と、前記厚さ方向および前記第1方向に直交する第2方向に延びる第2辺とを有し、
前記第1辺と前記第2辺とは、互いに離間し、
前記第1辺の延長線である第1仮想線と前記第2辺の延長線である第2仮想線とは、直交し、
前記補助パッド部は、前記厚さ方向視において、前記第1ワイヤボンディング部と前記第1仮想線との間および前記第1ワイヤボンディング部と前記第2仮想線との間において前記主パッド部の前記第1辺と前記第2辺とを接続する外縁を有することにより、前記第1仮想線から前記第2方向に延出しつつ前記第2仮想線から前記第1方向に延出した形状を有し、
前記第1LEDチップは、前記第1の頂点が前記第2の頂点、前記第3の頂点および前記第4の頂点よりも前記第1ワイヤボンディング部に近くなるように前記第1ダイパッド部に接合され、
前記第1ワイヤは、前記厚さ方向視において、前記第1ワイヤボンディング部、前記補助パッド部および前記主パッド部に重なり、
前記補助パッド部は、前記第1方向視において、前記第2辺に重ならず、かつ、前記第2方向視において、前記第1辺に重ならず、
前記主パッド部は、前記厚さ方向視において、前記第1辺に繋がり且つ前記第2方向に延びる第3辺と、前記第2辺に繋がり且つ前記第1方向に延びる第4辺をさらに有しており、
前記第3辺および前記第4辺は、互いに繋がることで、前記厚さ方向視における前記主パッド部の四隅の1つを構成しており、
前記厚さ方向視において、前記補助パッド部は、前記第3辺および前記第4辺のそれぞれよりも前記主パッド部の外方に配置されない、
ことを特徴とするLEDモジュール。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016104959A JP6842246B2 (ja) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | Ledモジュール |
US15/486,834 US9899357B2 (en) | 2016-05-26 | 2017-04-13 | LED module |
US15/878,577 US10211189B2 (en) | 2016-05-26 | 2018-01-24 | LED module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016104959A JP6842246B2 (ja) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | Ledモジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017212354A JP2017212354A (ja) | 2017-11-30 |
JP6842246B2 true JP6842246B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=60418233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016104959A Active JP6842246B2 (ja) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | Ledモジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9899357B2 (ja) |
JP (1) | JP6842246B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10790267B2 (en) * | 2017-08-28 | 2020-09-29 | Lumens Co., Ltd. | Light emitting element for pixel and LED display module |
US12040457B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-07-16 | The Noco Company | Lithium-ion battery management system (BMS) having diagonal arrangement |
US11251507B2 (en) * | 2019-04-26 | 2022-02-15 | The Noco Company | Battery |
TWI682531B (zh) * | 2019-06-04 | 2020-01-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
DE102019127783A1 (de) * | 2019-10-15 | 2021-04-15 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines solchen |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60174244U (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-19 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
JPH09107173A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Tokai Rika Co Ltd | パッド構造及び配線基板装置 |
JPH09162203A (ja) * | 1995-12-07 | 1997-06-20 | Denso Corp | 集積回路装置 |
JP2001217456A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
TW472367B (en) * | 2000-12-12 | 2002-01-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Passive device pad design for avoiding solder pearls |
JP2003174201A (ja) * | 2001-12-04 | 2003-06-20 | Rohm Co Ltd | Ledチップの実装方法、およびledチップの実装構造 |
WO2003077312A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Rohm Co.,Ltd. | Semiconductor device using semiconductor chip |
JP3924481B2 (ja) * | 2002-03-08 | 2007-06-06 | ローム株式会社 | 半導体チップを使用した半導体装置 |
JP2005529493A (ja) * | 2002-06-06 | 2005-09-29 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイスを有するノンリードクワッドフラットパッケージ |
EP1670071A4 (en) * | 2003-09-19 | 2011-09-07 | Panasonic Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT EMISSION DEVICE |
KR20080013865A (ko) * | 2005-06-06 | 2008-02-13 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 기판 및 반도체 장치의 제조 방법 |
EP1908124B1 (en) * | 2005-07-15 | 2015-06-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting module and corresponding circuit board |
JP4940900B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2012-05-30 | 日亜化学工業株式会社 | 実装用部品、および半導体装置 |
JP2008251936A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
US8421093B2 (en) * | 2007-07-13 | 2013-04-16 | Rohm Co., Ltd. | LED module and LED dot matrix display |
CN101350384B (zh) * | 2007-07-20 | 2010-05-19 | 上海宇体光电有限公司 | 具有改善出光率的led芯片及其制作工艺 |
JP5340583B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
KR100981214B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2010-09-10 | 알티전자 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
JP5416975B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
CN102047397B (zh) * | 2008-06-12 | 2013-10-16 | 三菱综合材料株式会社 | 使用锡焊膏进行的基板与焊件的接合方法 |
JP4966261B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-07-04 | ニチコン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI384591B (zh) * | 2008-11-17 | 2013-02-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光二極體電路板 |
JP4888473B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 実装基板 |
JP2010245161A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
US9111778B2 (en) * | 2009-06-05 | 2015-08-18 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) devices, systems, and methods |
US8536690B2 (en) * | 2009-09-22 | 2013-09-17 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with cap layer and method of manufacture thereof |
TW201138165A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-01 | yi-zhang Chen | High heat-dissipation LED non-metal substrate and manufacturing method thereof and high heat-dissipation LED component and manufacturing method thereof |
CN102403306B (zh) * | 2010-09-10 | 2015-09-02 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
JP2012094765A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および光装置 |
JP2014038876A (ja) * | 2010-12-15 | 2014-02-27 | Panasonic Corp | 半導体発光装置 |
JP5681025B2 (ja) * | 2011-04-08 | 2015-03-04 | ニチコン株式会社 | パワーモジュール |
JP2013026510A (ja) * | 2011-07-22 | 2013-02-04 | Rohm Co Ltd | Ledモジュールおよびledモジュールの実装構造 |
WO2013036481A2 (en) * | 2011-09-06 | 2013-03-14 | Cree, Inc. | Light emitter packages and devices having improved wire bonding and related methods |
JP6007249B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-10-12 | シャープ株式会社 | 列発光装置およびその製造方法 |
JP6487626B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2019-03-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
CN104979338B (zh) * | 2014-04-10 | 2018-07-27 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
TWI556478B (zh) * | 2014-06-30 | 2016-11-01 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光二極體裝置 |
JP6892261B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2021-06-23 | ローム株式会社 | Ledパッケージ |
-
2016
- 2016-05-26 JP JP2016104959A patent/JP6842246B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-13 US US15/486,834 patent/US9899357B2/en active Active
-
2018
- 2018-01-24 US US15/878,577 patent/US10211189B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017212354A (ja) | 2017-11-30 |
US20180151544A1 (en) | 2018-05-31 |
US10211189B2 (en) | 2019-02-19 |
US9899357B2 (en) | 2018-02-20 |
US20170345800A1 (en) | 2017-11-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10749079B2 (en) | LED module | |
US10439116B2 (en) | LED module | |
JP6842246B2 (ja) | Ledモジュール | |
JP6892261B2 (ja) | Ledパッケージ | |
US8089092B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
US9293663B1 (en) | Light-emitting unit and semiconductor light-emitting device | |
JP5236406B2 (ja) | 半導体発光モジュールおよびその製造方法 | |
TW201510414A (zh) | 發光二極體組件以及相關之照明裝置 | |
US7999281B2 (en) | Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device | |
US20130307014A1 (en) | Semiconductor light emitting device | |
JP2014067805A (ja) | 発光装置の封止部材の取り外し方法および封止部材を取り外すことが可能な発光装置 | |
US9537019B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2013062416A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2022033187A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2014130959A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
CN110611024A (zh) | 发光模块及发光模块的制造方法 | |
JP2007335734A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015185685A (ja) | 発光装置の製造方法及び照明装置 | |
US10847689B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same | |
JP4443397B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体装置並びに光半導体素子の製造方法 | |
KR20120080306A (ko) | Led 패키지 및 그 제조방법 | |
JP5392059B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6565895B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ及び半導体装置 | |
JP2008041922A (ja) | 発光装置 | |
US20220069184A1 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190419 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200407 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20201013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210202 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6842246 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |