JP6729987B1

JP6729987B1 - 光通信用デバイス及び送信モジュール

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Publication number: JP6729987B1
Application number: JP2019565352A
Authority: JP
Inventors: 伸夫大畠
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2019-06-07
Filing date: 2019-06-07
Publication date: 2020-07-29
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Abstract

光を出力するレーザダイオード（１１）と、カソード（１２ａ）とアノード（１２ｂ）とを有しており、カソード（１２ａ）とアノード（１２ｂ）との間に印加された高周波信号に応じて、レーザダイオード（１１）から出力された光を変調するＥＡ変調器（１２）と、カソード（１２ａ）とアノード（１２ｂ）との間に接続されている抵抗（１３）と、抵抗（１３）と直列に接続されており、インダクタンス成分を有するパターン線路（１４）とを備え、レーザダイオード（１１）及びＥＡ変調器（１２）のそれぞれが、高周波線路基板（１０）の表面（１０ａ）又は高周波線路基板（１）の裏面（１０ｂ）に形成されており、パターン線路（１４）が、高周波線路基板（１）の側面（１０ｃ）に形成されているように、光通信用デバイス（１）を構成した。

Description

この発明は、高周波信号に応じて、レーザダイオードから出力された光を変調する電界吸収型変調器を備える光通信用デバイス及び送信モジュールに関するものである。

以下の特許文献１には、高周波伝送線路とＥＭＬ（ＥｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎＭｏｄｕｌａｔｏｒｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｗｉｔｈＤＦＢＬａｓｅｒ）とが組み合わせられた光回路が開示されている。ＥＭＬは、光を変調する電界吸収型変調器（以下、「ＥＡ変調器」と称する）を集積している分布帰還型レーザである。
特許文献１に開示されている高周波伝送線路は、ＥＡ変調器の電極であるＥＡ部と並列に接続されている高インピーダンス線路部を備えている。

特開２０１６−１８１５４３号公報

特許文献１に開示されている高インピーダンス線路部は、インダクタンス成分を有している。特許文献１に開示されている高インピーダンス線路部が有するインダクタンス成分は、ＥＡ変調器における信号の通過帯域の拡大に寄与する。
しかし、高インピーダンス線路部は、高周波伝送線路が有する複数の平面のうち、ＥＡ部等が形成されている平面と同一の平面に形成されているため、ＥＡ部等が形成されている平面の面積が大きくなってしまうという課題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、高周波線路基板の表面面積又は高周波線路基板の裏面面積を大きくすることなく、ＥＡ変調器における信号の通過帯域を拡大することができる光通信用デバイス及び送信モジュールを得ることを目的とする。

この発明に係る光通信用デバイスは、光を出力するレーザダイオードと、カソードとアノードとを有しており、カソードとアノードとの間に印加された高周波信号に応じて、レーザダイオードから出力された光を変調する電界吸収型変調器と、カソードとアノードとの間に接続されている抵抗と、抵抗と直列に接続されており、インダクタンス成分を有するパターン線路とを備え、レーザダイオード及び電界吸収型変調器のそれぞれが、高周波線路基板の表面又は高周波線路基板の裏面に形成されており、パターン線路が、高周波線路基板の側面に形成されているようにしたものである。

この発明によれば、レーザダイオード及び電界吸収型変調器のそれぞれが、高周波線路基板の表面又は高周波線路基板の裏面に形成されており、パターン線路が、高周波線路基板の側面に形成されているように、光通信用デバイスを構成した。したがって、この発明に係る光通信用デバイスは、高周波線路基板の表面面積又は高周波線路基板の裏面面積を大きくすることなく、ＥＡ変調器における信号の通過帯域を拡大することができる。

実施の形態１に係る光通信用デバイス１を備える送信モジュールを示す構成図である。実施の形態１に係る光通信用デバイス１を示す斜視図である。実施の形態１に係る光通信用デバイス１を示す等価回路である。図２に示す光通信用デバイス１が備えるＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示す説明図である。図５Ａは、光通信用デバイス１における第２の側面１０ｅ及び側面１０ｆが見えるように記載されている、実施の形態２に係る光通信用デバイス１を示す斜視図、図５Ｂは、光通信用デバイス１における第１の側面１０ｄ及び側面１０ｆが見えるように記載されている、実施の形態２に係る光通信用デバイス１を示す斜視図である。実施の形態３に係る光通信用デバイス１を示す斜視図である。実施の形態３に係る光通信用デバイス１を示す等価回路である。抵抗１３のインピーダンスが３５Ω、５０Ω又は６０Ωである場合のＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示す説明図である。

以下、この発明をより詳細に説明するために、この発明を実施するための形態について、添付の図面に従って説明する。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る光通信用デバイス１を備える送信モジュールを示す構成図である。
図２は、実施の形態１に係る光通信用デバイス１を示す斜視図である。
図３は、実施の形態１に係る光通信用デバイス１を示す等価回路である。図３に示す等価回路には、光通信用デバイス１のレーザダイオード１１が含まれていない。
図１から図３において、送信モジュールは、光通信用デバイス１を備えており、光通信用デバイス１が備える電界吸収型変調器（以下、「ＥＡ変調器」と称する）１２により変調された光を送信する。
光通信用デバイス１は、レーザダイオード１１、ＥＡ変調器１２、抵抗１３、パターン線路１４、信号線路２１、グランド２２及び導波路２３を備えている。

ＥＭＬ２は、変調した光を出力するデバイスであり、レーザダイオード１１とＥＡ変調器１２とが一体的に形成されている。
図２に示す光通信用デバイス１では、レーザダイオード１１とＥＡ変調器１２とが一体的に形成されているＥＭＬ２を示している。しかし、レーザダイオード１１とＥＡ変調器１２とが一体的に形成されているものに限るものではなく、レーザダイオード１１とＥＡ変調器１２とが別々のハードウェアであってもよい。

高周波線路基板１０は、光通信用デバイス１を実装している基板である。
光通信用デバイス１に含まれる構成要素のうち、レーザダイオード１１、ＥＡ変調器１２、抵抗１３、信号線路２１、グランド２２及び導波路２３のそれぞれは、高周波線路基板１０の表面１０ａに形成されている。
図１に示す光通信用デバイス１では、レーザダイオード１１、ＥＡ変調器１２、抵抗１３、信号線路２１、グランド２２及び導波路２３のそれぞれが、高周波線路基板１０の表面１０ａに形成されている。しかし、これは一例に過ぎず、レーザダイオード１１、ＥＡ変調器１２、抵抗１３、信号線路２１、グランド２２及び導波路２３のそれぞれが、高周波線路基板１０の裏面１０ｂに形成されているものであってもよい。
光通信用デバイス１に含まれる構成要素のうち、パターン線路１４は、高周波線路基板１０の側面１０ｃに形成されている。
なお、抵抗１３は、高周波線路基板１０の表面１０ａ又は裏面１０ｂではなく、高周波線路基板１０の側面１０ｃに形成されていてもよい。

レーザダイオード１１は、プラス側の電極１１ａと、図示していないマイナス側の電極とを有している。
レーザダイオード１１は、プラス側の電極１１ａとマイナス側の電極との間に、順方向の電圧が印加されると、レーザ光（以下、「光」と称する）を出力する。
レーザダイオード１１から出力された光は、導波路２３を介して、ＥＡ変調器１２に到達する。

ＥＡ変調器１２は、カソード１２ａとアノード１２ｂとを有している。
カソード１２ａは、高周波信号であるシングルエンド信号を伝送する信号線路２１及びパターン線路１４の他端のそれぞれと接続されている。
アノード１２ｂは、グランド２２及び抵抗１３の一端のそれぞれと接続されている。
カソード１２ａとアノード１２ｂとは、レーザダイオード１１から出力された光が通る導波路２３を互いに挟む位置に配置されている。

ＥＡ変調器１２は、カソード１２ａとアノード１２ｂとの間に印加された高周波信号に応じて、レーザダイオード１１から出力された光を変調する。
ＥＡ変調器１２は、高周波信号の信号レベルが、Ｈレベルであれば、レーザダイオード１１から出力された光を吸収する。したがって、レーザダイオード１１から出力された光は、ＥＡ変調器１２を通過しないため、光通信用デバイス１の外部に光が出力されない。Ｈレベルの信号レベルは、例えば１．５［Ｖ］の電圧である。
一方、ＥＡ変調器１２は、高周波信号の信号レベルが、Ｌレベルであれば、レーザダイオード１１から出力された光を吸収しない。したがって、レーザダイオード１１から出力された光は、ＥＡ変調器１２を通過するため、光通信用デバイス１の外部に光が出力される。Ｌレベルの信号レベルは、例えば０［Ｖ］の電圧である。

抵抗１３は、カソード１２ａとアノード１２ｂとの間に接続されている。具体的には、抵抗１３の一端は、アノード１２ｂ及びグランド２２のそれぞれと接続されており、抵抗１３の他端は、パターン線路１４の一端と接続されている。
抵抗１３は、カソード１２ａから、光通信用デバイス１の外部を見たインピーダンスとの整合を図るための終端抵抗である。

パターン線路１４は、抵抗１３と直列に接続されている。具体的には、パターン線路１４の一端は、抵抗１３の他端と接続されており、パターン線路１４の他端は、カソード１２ａ及び信号線路２１のそれぞれと接続されている。
パターン線路１４は、例えば、複数の箇所が略直角に折れ曲がっている導体の線路であり、インダクタンス成分を有している。

信号線路２１は、ＥＡ変調器１２のカソード１２ａ及びパターン線路１４の他端のそれぞれと接続されている。
信号線路２１は、高周波信号をカソード１２ａまで伝送するための線路である。
グランド２２は、ＥＡ変調器１２のアノード１２ｂ及び抵抗１３の一端のそれぞれと接続されている。
導波路２３は、カソード１２ａとアノード１２ｂとの間に配置されており、レーザダイオード１１から出力された光が通過する。

次に、図２に示す光通信用デバイス１の動作について説明する。
レーザダイオード１１は、プラス側の電極１１ａとマイナス側の電極との間に、順方向の電圧が印加されると、ＥＡ変調器１２に向けて光を出力する。
レーザダイオード１１から出力された光は、導波路２３を介して、ＥＡ変調器１２に到達する。
信号線路２１は、高周波信号をＥＡ変調器１２のカソード１２ａまで伝送する。

ＥＡ変調器１２は、高周波信号の信号レベルがＨレベルであれば、レーザダイオード１１から出力された光を吸収する。したがって、レーザダイオード１１から出力された光は、ＥＡ変調器１２を通過しないため、光通信用デバイス１の外部に光が出力されない。
ＥＡ変調器１２は、高周波信号の信号レベルがＬレベルであれば、レーザダイオード１１から出力された光を吸収しない。したがって、レーザダイオード１１から出力された光は、ＥＡ変調器１２を通過するため、光通信用デバイス１の外部に光が出力される。

ＥＡ変調器１２は、電極として、カソード１２ａとアノード１２ｂと有しており、カソード１２ａとアノード１２ｂとは、互いに向き合うように配置されているため、ＥＡ変調器１２は、コンデンサとみなすことができる。
図２に示す光通信用デバイス１では、図３に示すように、コンデンサとみなすことができるＥＡ変調器１２と、インダクタンス成分を有するパターン線路１４とが並列に接続されているため、ＥＡ変調器１２の信号の通過特性にピーキングが発生する。
図２に示す光通信用デバイス１では、ＥＡ変調器１２の信号の通過特性にピーキングが発生するため、ＥＡ変調器１２における信号の通過帯域が、インダクタンス成分が並列に接続されていないＥＡ変調器における信号の通過帯域よりも拡大する。

図４は、図２に示す光通信用デバイス１が備えるＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示す説明図である。
図４において、横軸は、高周波信号の周波数［ＧＨｚ］であり、縦軸は、信号の通過特性［ｄＢ］である。
実線は、パターン線路１４が並列に接続されているＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示している。
破線は、パターン線路１４が並列に接続されていないＥＡ変調器における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示している。
図４の例では、０［ＧＨｚ］から５０［ＧＨｚ］の周波数に亘って、パターン線路１４が並列に接続されているＥＡ変調器１２の方が、パターン線路１４が並列に接続されていないＥＡ変調器よりも、信号の通過特性［ｄＢ］が高くなっている。

例えば、信号の通過特性［ｄＢ］が−３［ｄＢ］以上の帯域が、使用可能な帯域であるとすれば、パターン線路１４が並列に接続されていないＥＡ変調器の使用可能な帯域は、０［ＧＨｚ］から約２７［ＧＨｚ］の周波数の範囲である。
一方、パターン線路１４が並列に接続されているＥＡ変調器１２の使用可能な帯域は、０［ＧＨｚ］から約４０［ＧＨｚ］の周波数の範囲である。
したがって、パターン線路１４が並列に接続されているＥＡ変調器１２は、パターン線路１４が並列に接続されていないＥＡ変調器よりも、信号の通過帯域が広くなっている。

以上の実施の形態１では、レーザダイオード１１及びＥＡ変調器１２のそれぞれが、高周波線路基板１０の表面１０ａ又は高周波線路基板１０の裏面１０ｂに形成されており、パターン線路１４が、高周波線路基板１０の側面１０ｃに形成されているように、光通信用デバイス１を構成した。したがって、光通信用デバイス１は、高周波線路基板１０の表面１０ａの面積、又は、高周波線路基板１０の裏面１０ｂの面積を大きくすることなく、ＥＡ変調器１２における信号の通過帯域を拡大することができる。

実施の形態２．
実施の形態１の光通信用デバイス１では、ＥＡ変調器１２のカソード１２ａとアノード１２ｂとの間に印加される高周波信号がシングルエンド信号であるものを示している。
実施の形態２では、ＥＡ変調器１２のカソード１２ａとアノード１２ｂとの間に印加される高周波信号が差動信号である光通信用デバイス１について説明する。

図５は、実施の形態２に係る光通信用デバイス１を示す斜視図である。
図５Ａは、高周波線路基板１０が有する４つの側面のうち、光通信用デバイス１における第２の側面１０ｅ及び側面１０ｆが見えるように記載されている。
図５Ｂは、高周波線路基板１０が有する４つの側面のうち、光通信用デバイス１における第１の側面１０ｄ及び側面１０ｆが見えるように記載されている。

図５Ａ及び図５Ｂにおいて、図２と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
図５Ａ及び図５Ｂに示す光通信用デバイス１は、図２に示すパターン線路１４として、高周波線路基板１における第１の側面１０ｄに形成されている第１のパターン線路１４ａと、前記高周波線路基板における第２の側面１０ｅに形成されている第２のパターン線路１４ｂとを含んでいる。
第１のパターン線路１４ａの一端は、抵抗１３の一端と接続されており、第１のパターン線路１４ａの他端は、カソード１２ａ及び信号線路２１ａのそれぞれと接続されている。
第１のパターン線路１４ａは、高周波線路基板１０の第１の側面１０ｄに形成されている。
第１のパターン線路１４ａは、例えば、複数の箇所が略直角に折れ曲がっている導体の線路であり、インダクタンス成分を有している。
なお、図２に示す光通信用デバイス１では、抵抗１３の他端が、パターン線路１４の一端と接続されているが、図５Ａ及び図５Ｂに示す光通信用デバイス１では、説明の便宜上、抵抗１３の一端が、第１のパターン線路１４ａの一端と接続されているとしている。

第２のパターン線路１４ｂの一端は、アノード１２ｂ及び信号線路２１ｂのそれぞれと接続されており、第２のパターン線路１４ｂの他端は、抵抗１３の他端と接続されている。
第２のパターン線路１４ｂは、高周波線路基板１０の第２の側面１０ｅに形成されている。
第２のパターン線路１４ｂは、例えば、複数の箇所が略直角に折れ曲がっている導体の線路であり、インダクタンス成分を有している。

信号線路２１ａは、ＥＡ変調器１２のカソード１２ａ及び第１のパターン線路１４ａの他端のそれぞれと接続されている。
信号線路２１ａは、高周波信号である差動信号のうちの一方の信号をカソード１２ａまで伝送するための線路である。
信号線路２１ｂは、ＥＡ変調器１２のアノード１２ｂ及び第２のパターン線路１４ｂの一端のそれぞれと接続されている。
信号線路２１ａは、高周波信号である差動信号のうちの他方の信号をアノード１２ｂまで伝送するための線路である。

レーザダイオード１１は、カソード１５ａとアノード１５ｂとを有している。
レーザダイオード１１は、アノード１５ｂからカソード１５ａに一定の電流が流れるように、カソード１５ａとアノード１５ｂとの間で電圧が印加されると、レーザ光を出力する。
レーザダイオード１１から出力された光は、導波路２３を介して、ＥＡ変調器１２に到達する。

次に、図５に示す光通信用デバイス１の動作について説明する。
レーザダイオード１１は、アノード１５ｂからカソード１５ａに一定の電流が流れるように、カソード１５ａとアノード１５ｂとの間で電圧が印加されると、ＥＡ変調器１２に向けて光を出力する。
レーザダイオード１１から出力された光は、導波路２３を介して、ＥＡ変調器１２まで到達する。
信号線路２１ａは、高周波信号である差動信号のうち、極性がプラスの信号をカソード１２ａまで伝送する。
信号線路２１ｂは、高周波信号である差動信号のうち、極性がマイナスの信号をアノード１２ｂまで伝送する。

ＥＡ変調器１２は、極性がプラスの信号から極性がマイナスの信号を減算した信号の信号レベルがＨレベルであれば、レーザダイオード１１から出力された光を吸収する。したがって、レーザダイオード１１から出力された光は、ＥＡ変調器１２を通過しないため、光通信用デバイス１の外部に光が出力されない。
ＥＡ変調器１２は、極性がプラスの信号から極性がマイナスの信号を減算した信号の信号レベルがＬレベルであれば、レーザダイオード１１から出力された光を吸収しない。したがって、レーザダイオード１１から出力された光は、ＥＡ変調器１２を通過するため、光通信用デバイス１の外部に光が出力される。

以上の実施の形態２では、第１のパターン線路１４ａが高周波線路基板１０における第１の側面１０ｄに形成され、第２のパターン線路１４ｂが高周波線路基板１０における第２の側面１０ｅに形成されているように、光通信用デバイス１を構成した。したがって、光通信用デバイス１は、高周波信号が差動信号である場合でも、高周波線路基板１０の表面１０ａの面積、又は、高周波線路基板１０の裏面１０ｂの面積を大きくすることなく、ＥＡ変調器１２における信号の通過帯域を拡大することができる。

実施の形態３．
実施の形態３では、抵抗１３と直列に接続されているコンデンサ３０を備えた光通信用デバイス１について説明する。

図６は、実施の形態３に係る光通信用デバイス１を示す斜視図である。
図７は、実施の形態３に係る光通信用デバイス１を示す等価回路である。図７に示す等価回路には、光通信用デバイス１のレーザダイオード１１が含まれていない。
図６及び図７において、図２及び図３と同一符号は同一又は相当部分を示すので説明を省略する。
光通信用デバイス１は、レーザダイオード１１、ＥＡ変調器１２、抵抗１３、パターン線路１４、信号線路２１、グランド２２、導波路２３及びコンデンサ３０を備えている。
コンデンサ３０は、高周波線路基板１０の表面１０ａに形成されている。
コンデンサ３０は、抵抗１３と直列に接続されている。
図６に示す光通信用デバイス１では、図７に示すように、抵抗１３とパターン線路１４との間にコンデンサ３０が接続されている。しかし、これは一例に過ぎず、グランド２２と抵抗１３との間にコンデンサ３０が接続されていてもよいし、パターン線路１４と信号線路２１との間にコンデンサ３０が接続されていてもよい。
なお、レーザダイオード１１、ＥＡ変調器１２、抵抗１３、信号線路２１、グランド２２及び導波路２３のそれぞれが、高周波線路基板１０の裏面１０ｂに形成される場合、コンデンサ３０も、高周波線路基板１０の裏面１０ｂに形成される。

次に、図６に示す光通信用デバイス１の動作について説明する。ただし、コンデンサ３０以外は、図２に示す光通信用デバイス１と同様であるため、ここでは、主にコンデンサ３０の動作について説明する。
ＥＡ変調器１２を動作させる前に、ＥＡ変調器１２の動作点を調整する必要がある場合、カソード１２ａとアノード１２ｂとの間に直流バイアスを印加することがある。
図６に示す光通信用デバイス１では、抵抗１３と直列にコンデンサ３０が接続されているため、コンデンサ３０が、抵抗１３を流れる直流電流を遮断する。
したがって、図６に示す光通信用デバイス１では、ＥＡ変調器１２の動作点を調整するために、カソード１２ａとアノード１２ｂとの間に直流バイアスを印加した際の消費電力を低減することができる。

以上の実施の形態３では、抵抗１３と直列に接続されているコンデンサ３０を備えるように、光通信用デバイス１を構成した。したがって、光通信用デバイス１は、高周波線路基板１０の表面１０ａの面積、又は、高周波線路基板１０の裏面１０ｂの面積を大きくすることなく、ＥＡ変調器１２における信号の通過帯域を拡大することができるほか、ＥＡ変調器１２の動作点を調整する際の消費電力を低減することができる。

実施の形態４．
実施の形態４では、抵抗１３が、ＥＡ変調器１２のカソード１２ａから光通信用デバイス１の外部を見たインピーダンスと異なるインピーダンスを有している光通信用デバイス１について説明する。
実施の形態４の光通信用デバイス１の構成は、実施の形態１の光通信用デバイス１の構成と同様に、図１である。

ＥＡ変調器１２のカソード１２ａから光通信用デバイス１の外部を見たインピーダンスが、例えば、５０Ωである場合、抵抗１３が、５０Ωのインピーダンスを有していれば、光通信用デバイス１の外部を見たインピーダンスとの整合を図ることができる。
一方、抵抗１３のインピーダンスを５０Ωと異なるインピーダンスとすれば、ＥＡ変調器１２における信号の通過特性［ｄＢ］を調整することが可能である。

図８は、抵抗１３のインピーダンスが３５Ω、５０Ω又は６０Ωである場合のＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示す説明図である。
図８において、破線は、抵抗１３のインピーダンスが３５Ωである場合のＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示している。
実線は、抵抗１３のインピーダンスが５０Ωである場合のＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示している。
一点鎖線は、抵抗１３のインピーダンスが６０Ωである場合のＥＡ変調器１２における信号の通過帯域のシミュレーション結果を示している。

例えば、光通信用デバイス１、又は、光通信用デバイス１を実装している送信モジュールで、高周波信号の電力に損失が生じることが想定される場合、抵抗１３として、インピーダンスが５０Ωの抵抗の代わりに、インピーダンスが３５Ωの抵抗を用いれば、信号の通過特性［ｄＢ］を変えることができる。
抵抗１３として、インピーダンスが５０Ωの抵抗の代わりに、インピーダンスが３５Ωの抵抗を用いれば、図８に示すように、０［ＧＨｚ］から約１５［ＧＨｚ］の周波数帯域では、信号の通過特性［ｄＢ］が劣化する。しかし、約１５［ＧＨｚ］から５０［ＧＨｚ］の周波数帯域では、信号の通過特性［ｄＢ］を改善することができる。

また、抵抗１３として、インピーダンスが５０Ωの抵抗の代わりに、インピーダンスが６０Ωの抵抗を用いても、０［ＧＨｚ］から５０［ＧＨｚ］の周波数に亘って、信号の通過特性［ｄＢ］を変えることができる。
よって、光通信用デバイス１が、抵抗１３として、カソード１２ａから光通信用デバイス１の外部を見たインピーダンスと異なるインピーダンスを有している抵抗を備えることで、高周波信号の電力に損失が生じることが想定される場合でも、所望の通過帯域が得られることがある。

なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。

この発明は、高周波信号に応じて、レーザダイオードから出力された光を変調する電界吸収型変調器を備える光通信用デバイス及び送信モジュールに適している。

１光通信用デバイス、２ＥＭＬ、１０高周波線路基板、１０ａ表面、１０ｂ裏面、１０ｃ，１０ｆ側面、１０ｄ第１の側面、１０ｅ第２の側面、１１レーザダイオード、１１ａ電極、１２ＥＡ変調器、１２ａカソード、１２ｂアノード、１３抵抗、１４パターン線路、１４ａ第１のパターン線路、１４ｂ第２のパターン線路、１５ａカソード、１５ｂアノード、２１，２１ａ，２１ｂ信号線路、２２グランド、２３導波路、３０コンデンサ。

Claims

光を出力するレーザダイオードと、
カソードとアノードとを有しており、前記アノードはグランドと同一平面内で接続され、前記カソードと前記アノードとの間に印加された高周波信号に応じて、前記レーザダイオードから出力された光を変調する電界吸収型変調器と、
前記カソードと前記アノードとの間に接続されている抵抗と、
前記抵抗と直列に接続されており、インダクタンス成分を有するパターン線路とを備え、
前記レーザダイオード及び前記電界吸収型変調器のそれぞれは、高周波線路基板の表面又は前記高周波線路基板の裏面に形成されており、
前記パターン線路は、前記グランドと直交する様に、前記高周波線路基板の側面に形成されていることを特徴とする光通信用デバイス。
前記高周波信号がシングルエンド信号であることを特徴とする請求項１記載の光通信用デバイス。
前記パターン線路は、前記高周波線路基板における第１の側面に形成されている第１のパターン線路と、前記高周波線路基板における第２の側面に形成されている第２のパターン線路とを含んでおり、
前記第１のパターン線路は、一端が前記抵抗の一端と接続され、他端が前記カソードと接続されており、
前記第２のパターン線路は、一端が前記アノードと接続され、他端が前記抵抗の他端と接続されており、
前記高周波信号が差動信号であることを特徴とする請求項１記載の光通信用デバイス。
前記抵抗と直列に接続されているコンデンサを備えたことを特徴とする請求項１記載の光通信用デバイス。
前記抵抗は、前記カソードから光通信用デバイスの外部を見たインピーダンスと異なるインピーダンスを有していることを特徴とする請求項１記載の光通信用デバイス。
請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の光通信用デバイスを有しており、前記光通信用デバイスが備える前記電界吸収型変調器により変調された光を送信する送信モジュール。