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JP6729102B2 - Imprint mold manufacturing method - Google Patents

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JP6729102B2
JP6729102B2 JP2016136215A JP2016136215A JP6729102B2 JP 6729102 B2 JP6729102 B2 JP 6729102B2 JP 2016136215 A JP2016136215 A JP 2016136215A JP 2016136215 A JP2016136215 A JP 2016136215A JP 6729102 B2 JP6729102 B2 JP 6729102B2
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公二 市村
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Description

本発明は、インプリント方法に使用するインプリントモールドの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an imprint mold used in an imprint method.

近年、フォトリソグラフィ技術に替わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたインプリントリソグラフィ法によるパターン形成技術が注目されている。インプリント方法では、例えば、クロム薄膜を備えた基材に感光性レジストの液滴を供給し、この感光性レジストの液滴に凹凸構造を有するモールド(型部材)を接触させて、モールドと基材との間に感光性レジストを展開する。そして、この状態でモールド側から感光性レジストに光を照射し硬化させてレジスト層を形成し、その後、モールドをレジスト層から離型する。これにより、モールドが有する凹凸が反転した凹凸構造を有するレジスト層を基材表面に形成することができる。その後、レジスト層から残膜を除去してレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介してクロム薄膜をエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクを介して基材をエッチングすることによりパターン形成が行われる。
しかし、モールドとの接触時に、所定の領域の外側にはみ出した感光性レジストは、照射した光によって、凹凸構造を形成すべき部位の感光性レジストと同時に硬化してレジスト層となる。このようなレジスト層からモールドを離型する場合、感光性レジストのはみ出しがない場合に比べて大きな力が作用し、モールドや凹凸構造を有するレジスト層(被加工物)に損傷を与えるという問題がある。
In recent years, as a fine pattern forming technique replacing the photolithography technique, a pattern forming technique by an imprint lithography method using an imprint method has attracted attention. In the imprint method, for example, droplets of a photosensitive resist are supplied to a substrate provided with a chromium thin film, and a mold (mold member) having an uneven structure is brought into contact with the droplets of the photosensitive resist, so that the mold and the substrate are exposed. A photosensitive resist is spread between the materials. Then, in this state, the photosensitive resist is irradiated with light from the mold side to be cured to form a resist layer, and then the mold is released from the resist layer. As a result, a resist layer having an uneven structure in which the unevenness of the mold is reversed can be formed on the surface of the base material. After that, the residual film is removed from the resist layer to form a resist pattern, the chromium thin film is etched through this resist pattern to form a hard mask, and the base material is etched through this hard mask to form a pattern. Is done.
However, at the time of contact with the mold, the photosensitive resist protruding to the outside of the predetermined region is cured by the irradiated light at the same time as the photosensitive resist in the portion where the concavo-convex structure is to be formed to form a resist layer. When the mold is released from such a resist layer, there is a problem that a larger force acts than when the photosensitive resist does not protrude, and the mold and the resist layer (workpiece) having an uneven structure are damaged. is there.

このような所定の領域の外側への感光性レジストのはみ出しを防止するために、所定の領域に親液層を形成し、その外側に撥液層を形成し、親液層に感光性レジストの液滴を供給する方法が提案されている(特許文献1)。
一方、周囲から突き出た凸構造部の上平面に凹凸構造を備えた、いわゆる、メサ構造のモールドを使用することにより、凹凸構造を形成すべき部位の外側への感光性レジストの広がりを制限することができる。しかし、モールドの凸構造部からはみ出した感光性レジストは、凸構造部の側壁面に付着し、照射した光によって、凹凸構造を形成すべき部位の感光性レジストと同時に硬化する。このようにモールドの凸構造部の側壁面にレジストが存在すると、その後、モールドに異物として付着して、インプリントに悪影響を及ぼしたり、モールドの凹凸構造に損傷を与えるという問題がある。
そこで、モールドの凸構造部の側壁面に、撥水性または撥油性を有する被膜を形成し、モールドの凸構造部からはみ出した感光性レジストが凸構造部の側壁面に付着するのを防止することが提案されている(特許文献2)。
In order to prevent the photosensitive resist from protruding to the outside of such a predetermined region, a lyophilic layer is formed in a predetermined region, a lyophobic layer is formed outside the lyophilic layer, and a lyophilic layer is formed on the lyophilic layer. A method of supplying droplets has been proposed (Patent Document 1).
On the other hand, by using a so-called mesa mold, which has an uneven structure on the upper plane of the convex structure protruding from the surroundings, the spread of the photosensitive resist to the outside of the site where the uneven structure is to be formed is limited. be able to. However, the photosensitive resist protruding from the convex structure portion of the mold adheres to the side wall surface of the convex structure portion and is cured at the same time as the photosensitive resist in the portion where the concave-convex structure is to be formed by the irradiation light. If the resist is present on the side wall surface of the convex structure portion of the mold as described above, then it may adhere to the mold as a foreign substance, which may adversely affect the imprint or damage the concave and convex structure of the mold.
Therefore, a film having water repellency or oil repellency is formed on the side wall surface of the convex structure portion of the mold to prevent the photosensitive resist protruding from the convex structure portion of the mold from adhering to the side wall surface of the convex structure portion. Has been proposed (Patent Document 2).

特開2008−100378号公報JP, 2008-100378, A 特開2010−251601号公報JP, 2010-251601, A

しかしながら、特許文献2には、モールドの凸構造部の側壁面に所望の被膜を形成する具体的な方法が開示されていない。
一方、例えば、メサ構造を有するモールドに撥水性または撥油性を有する感光性材料をスピンコート法で塗布し、この感光性材料にパターン露光を行い、その後現像することにより、凸構造部の上平面を除く部位に、撥水性または撥油性を有する被膜を形成することが考えられる。しかし、メサ構造を有するモールドに対するスピンコート法による塗布においては、厚みムラが生じ、パターン露光による高精度のパターン形成が難しく、モールドの凸構造部の側壁面、特に、凸構造部の上平面に近い側壁面への被膜形成が阻害され易い。このように被膜形成が阻害され、凸構造部の上平面に近い側壁面が露出している場合、上述のレジストの付着が生じ易いものとなる。
However, Patent Document 2 does not disclose a specific method for forming a desired film on the side wall surface of the convex structure portion of the mold.
On the other hand, for example, a photosensitive material having water repellency or oil repellency is applied to a mold having a mesa structure by a spin coating method, the photosensitive material is subjected to pattern exposure, and then development is performed. It is conceivable to form a coating film having water repellency or oil repellency on the parts other than. However, in the spin coating method applied to a mold having a mesa structure, thickness unevenness occurs, and it is difficult to form a highly accurate pattern by pattern exposure, and the side wall surface of the convex structure portion of the mold, especially on the upper plane of the convex structure portion is formed. The formation of a film on the near side wall surface is likely to be hindered. In this way, when the formation of the coating film is hindered and the side wall surface near the upper plane of the convex structure portion is exposed, the above-described resist adhesion is likely to occur.

このような問題は、上述の撥水性または撥油性を有する被膜の形成のみならず、例えば、
遮光膜を形成する場合等、メサ構造を有するモールドの凸構造部の側壁面を所望の機能性膜で被覆する場合に同様に生じる問題である。
本発明は、上述のような実状に鑑みてなされたものであり、メサ構造を具備したインプリントモールドであって、凸構造部の側壁面に所望の機能性膜を備えるインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。
Such a problem is not limited to the formation of the above-mentioned water-repellent or oil-repellent coating,
This is the same problem that occurs when a side wall surface of a convex structure portion of a mold having a mesa structure is covered with a desired functional film, such as when forming a light shielding film.
The present invention has been made in view of the above situation, and is a method for manufacturing an imprint mold having a mesa structure, which is provided with a desired functional film on a sidewall surface of a convex structure portion. The purpose is to provide.

このような目的を達成するために、本発明は、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体と、該凸構造部の上平面に位置する凹凸構造パターンと、を備えるインプリント用モールドの製造方法において、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体の該凸構造部の上平面に硬化性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、所定の平坦面を備える加工基板の該平坦面を前記凸構造部の上平面に近接させて、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記加工基板を引き離す離型工程と、前記レジスト層を被覆するように、前記基体の前記基部および前記凸構造部に機能性膜を形成する成膜工程と、前記レジスト層を除去し、同時に、前記レジスト層を被覆している前記機能性膜を除去する除去工程と、を有し、前記接触工程では、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に展開する前記レジストを、前記凸構造部の上平面の周縁、あるいは、周縁近傍まで到達させ、かつ、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストを、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面に迫り上がらせるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板の平坦面の平面視形状の大きさは、前記凸構造部の上平面の平面視形状の大きさ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板の平坦面の平面視形状と、前記凸構造部の上平面の平面視形状とを重ね合せたときの周縁部の差は1〜5μmの範囲内であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストと、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面との接触角をθ1、前記レジストと、凸構造部の上平面との接触角をθ2としたときに、(θ1−θ2)≦37°の関係が成立するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板は、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有し、該凸構造部の上平面が前記平坦面であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記液滴供給工程の前に、前記基体の凸構造部の上平面に凹凸構造パターンを形成するパターン形成工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記除去工程の後に、前記基体の凸構造部の上平面に凹凸構造パターンを形成するパターン形成工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記成膜工程では、機能性膜として撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜のいずれかを成膜するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板は、前記平坦面の周縁近傍に溝部を有するような構成とした。
In order to achieve such an object, the present invention provides a base integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion, and a concavo-convex structure pattern located on the upper plane of the convex structure portion. And a droplet of a curable resist on the upper surface of the convex structure portion of a base integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion. And a step of bringing the flat surface of the processed substrate having a predetermined flat surface close to the upper plane of the convex structure section, and A contact step of developing the resist between them to form a resist layer, a curing step of curing the resist layer, a releasing step of separating the cured resist layer and the processed substrate, and a coating of the resist layer. As described above, a film forming step of forming a functional film on the base portion and the convex structure portion of the base, and removing the resist layer, and at the same time, removing the functional film covering the resist layer. In the contacting step, the resist that develops between the upper flat surface of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate is a peripheral edge of the upper flat surface of the convex structure portion, or near the peripheral edge. And the resist protruding from between the upper flat surface of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate is pushed up to the side wall surface located at the periphery of the flat surface of the processed substrate. did.
As another aspect of the present invention, the size of the planar surface shape of the flat surface of the processed substrate is equal to or smaller than the size of the planar surface shape of the upper plane of the convex structure portion.
As another aspect of the present invention, the difference in the peripheral portion when the planar view shape of the flat surface of the processed substrate and the planar view shape of the upper plane of the convex structure portion are overlapped is within a range of 1 to 5 μm. It has a certain structure.
As another aspect of the present invention, the contact angle between the resist protruding from the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate and the side wall surface located on the periphery of the flat surface of the processed substrate is θ1. When the contact angle between the resist and the upper plane of the convex structure portion is θ2, the relationship of (θ1−θ2)≦37° is established.
As another aspect of the present invention, the processed substrate integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion, and an upper plane of the convex structure portion is the flat surface. It was configured.
As another aspect of the present invention, it is configured to include a pattern forming step of forming a concavo-convex structure pattern on the upper plane of the convex structure portion of the substrate before the droplet supply step.
As another aspect of the present invention, after the removing step, there is provided a pattern forming step of forming an uneven structure pattern on the upper plane of the convex structure portion of the base.
As another aspect of the present invention, in the film forming step, any one of a water repellent film, a hydrophilic film, a light shielding film, and a conductive film is formed as a functional film.
As another aspect of the present invention, the processed substrate has a groove portion in the vicinity of the peripheral edge of the flat surface.

本発明のインプリントモールドの製造方法は、メサ構造を具備するモールドの凸構造部の側壁面であって、凸構造部の上平面側に位置する側壁面の端部まで所望の機能性膜を備えたインプリントモールドの製造が可能となる。 The method for producing an imprint mold of the present invention is a sidewall surface of a convex structure portion of a mold having a mesa structure, and a desired functional film is formed up to the end of the sidewall surface located on the upper plane side of the convex structure portion. It is possible to manufacture the provided imprint mold.

図1は、本発明のインプリントモールドの製造方法で製造するインプリントモールドの一例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an example of an imprint mold manufactured by the method for manufacturing an imprint mold of the present invention. 図2は、図1に示されるインプリントモールドのI−I線における縦断面図である。FIG. 2 is a vertical cross-sectional view taken along line II of the imprint mold shown in FIG. 図3は、図2の部分拡大断面図である。FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of FIG. 図4は、本発明のインプリントモールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 4 is a process chart for explaining one embodiment of the method for manufacturing an imprint mold of the present invention. 図5は、本発明のインプリントモールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 5 is a process chart for explaining one embodiment of the method for manufacturing an imprint mold of the present invention. 図6は、加工基板を基体の凸構造部の上平面に近接させた状態を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a state in which the processed substrate is brought close to the upper plane of the convex structure portion of the base. 図7は、基体の凸構造部の上平面と加工基板の平坦面との間にレジストを展開してレジスト層を形成した状態を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a state in which a resist is formed by developing a resist between the upper plane of the convex structure portion of the base and the flat surface of the processed substrate. 図8は、基体の凸構造部の上平面と加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストを示す図である。FIG. 8 is a view showing the resist protruding from between the upper plane of the convex structure portion of the base and the flat surface of the processed substrate. 図9は、接触角差(θ1−θ2)と、はみ出したレジストの形状を示すd/hcとの関係を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a relationship between the contact angle difference (θ1−θ2) and d/hc showing the shape of the resist that protrudes. 図10は、インプリントモールドの基体の他の例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing another example of the base of the imprint mold. 図11は、インプリントモールドの製造に使用する加工基板の他の例を示す部分断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing another example of the processed substrate used for manufacturing the imprint mold. 図12は、図11に示される加工基板の平坦面を示す平面図である。12 is a plan view showing a flat surface of the processed substrate shown in FIG.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
まず、本発明のインプリントモールドの製造方法で製造するインプリントモールドの一例を説明する。図1は、本発明のインプリントモールドの製造方法で製造するインプリントモールドの一例を示す平面図、図2は図1に示されるインプリントモールドのI−I線における縦断面図、図3は、図2の部分拡大断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
It should be noted that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the ratio of sizes between members, and the like are not necessarily the same as the actual ones, and the same members and the like may be represented. However, the dimensions and ratios may be different depending on the drawings.
First, an example of the imprint mold manufactured by the method for manufacturing an imprint mold of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing an example of an imprint mold manufactured by the method for manufacturing an imprint mold of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view taken along line I-I of the imprint mold shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of FIG. 2.

図1〜図3に示される実施形態において、インプリントモールド11は、基部13と当該基部13の一の面13aから突出する凸構造部14を一体的に有する基体12と、凸構造部14の上平面14aに位置する凹凸構造パターン15と、凸構造部14の側壁面14bと基部13の面13aを被覆するように位置する機能性膜17と、を有している。尚、図1および図2では機能性膜17を省略し、図1では凹凸構造パターン15を省略している。
インプリントモールド11を構成する基体12は、上記のように、基部13の一の面13aから突出する凸構造部14を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部14の突出高さHは、例えば、3μm〜3mmの範囲で適宜設定することができる。図示例では、凸構造部14の上平面14aの平面視形状は矩形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、また、上平面14aの大きさは適宜設定することができる。
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the imprint mold 11 includes a base 12 integrally having a base 13 and a convex structure 14 protruding from one surface 13 a of the base 13, and a base 12 having the convex structure 14. It has the concavo-convex structure pattern 15 located on the upper flat surface 14a, and the functional film 17 located so as to cover the side wall surface 14b of the convex structure portion 14 and the surface 13a of the base portion 13. The functional film 17 is omitted in FIGS. 1 and 2, and the concavo-convex structure pattern 15 is omitted in FIG.
As described above, the base 12 that constitutes the imprint mold 11 has a so-called mesa structure that integrally has the convex structure portion 14 that protrudes from the one surface 13 a of the base portion 13. The protrusion height H of the convex structure portion 14 can be appropriately set in the range of 3 μm to 3 mm, for example. In the illustrated example, the plan view shape of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 is rectangular, but the shape is not limited to this, and may be a desired shape such as a circle, and the size of the upper plane 14a is set appropriately. can do.

基体12の材質は、インプリントモールド11の使用条件に応じて適宜決定することができる。例えば、被転写材料である樹脂組成物等が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を挙げることができる。また、使用する被転写材料が光硬化性ではない場合や、転写基材側から被転写材料を硬化させるための光を照射可能である場合には、インプリントモールド11は光透過性を具備する必要がないので、基体12は光透過性の材料でなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
凹凸構造パターン15は、凸構造部14の上平面14aに形成された凹部15aを有するものである。凹凸構造パターン15のパターン形状、パターン寸法、パターンの種類等は、インプリントモールド11の使用目的に応じて、適宜設定することができる。
The material of the substrate 12 can be appropriately determined according to the usage conditions of the imprint mold 11. For example, when the resin composition or the like that is the material to be transferred is photo-curable, a material that can transmit the irradiation light for curing these can be used, such as quartz glass, silicate glass, and calcium fluoride. In addition to glass materials such as magnesium fluoride and acrylic glass, sapphire and gallium nitride, resins such as polycarbonate, polystyrene, acryl and polypropylene, and any laminated materials thereof can be used. The imprint mold 11 has a light-transmitting property when the material to be transferred used is not photocurable or when light for curing the material to be transferred can be irradiated from the transfer substrate side. Since it is not necessary, the substrate 12 does not have to be a light-transmissive material, and in addition to the above materials, for example, metals such as silicon, nickel, titanium, and aluminum, and alloys, oxides, nitrides thereof, or Any of these laminated materials can be used.
The concavo-convex structure pattern 15 has a concave portion 15a formed on the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14. The pattern shape, pattern size, pattern type, etc. of the concavo-convex structure pattern 15 can be appropriately set according to the purpose of use of the imprint mold 11.

機能性膜17は、凸構造部14の側壁面14bと基部13の面13aを被覆するように位置している。したがって、凸構造部14の側壁面14bの上端部、すなわち、上平面14a側の端部まで機能性膜17が被覆している。このような機能性膜17は、例えば、撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜等、インプリントモールド11の使用目的に応じて、適宜設定することができる。また、機能性膜17の厚みは、当該機能性膜17が所望の機能を発現できるように、適宜設定することができる。
図4および図5は、本発明のインプリントモールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図1〜図3に示されるインプリントモールド11を製造する例である。尚、図4および図5では、図3相当の断面を示しているが、この製造方法の実施形態では、凸構造部14の上平面14aへの凹凸構造パターン15の形成は、後述する除去工程の後に行う例としている。したがって、図4および図5において、凸構造部14の上平面14aには、凹凸構造パターン15を構成する凹部15aは存在していない。
本発明のインプリントモールドの製造方法では、液滴供給工程において、基部13と、この基部13の一の面13aから突出する凸構造部14とを一体的に有するメサ構造の基体12に対し、その凸構造部14の上平面14aに硬化性のレジスト21の液滴を供給する(図4(A))。使用する硬化性のレジスト21には特に制限はなく、公知の光硬化性レジスト、熱硬化性のレジストを使用することができる。
The functional film 17 is located so as to cover the side wall surface 14b of the convex structure portion 14 and the surface 13a of the base portion 13. Therefore, the functional film 17 covers the upper end of the side wall surface 14b of the convex structure 14, that is, the end on the upper plane 14a side. Such a functional film 17 can be appropriately set, for example, a water repellent film, a hydrophilic film, a light shielding film, a conductive film, or the like, depending on the purpose of use of the imprint mold 11. Further, the thickness of the functional film 17 can be appropriately set so that the functional film 17 can express a desired function.
4 and 5 are process diagrams for explaining one embodiment of the method for manufacturing an imprint mold of the present invention, which is an example of manufacturing the imprint mold 11 shown in FIGS. 1 to 3. Although FIG. 4 and FIG. 5 show a cross section corresponding to FIG. 3, in the embodiment of this manufacturing method, the concavo-convex structure pattern 15 is formed on the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 by a removing step described later. The example is performed after. Therefore, in FIGS. 4 and 5, on the upper plane 14a of the convex structure portion 14, there is no concave portion 15a forming the concave-convex structure pattern 15.
In the method of manufacturing the imprint mold of the present invention, in the droplet supply step, the base 12 having the mesa structure integrally having the base 13 and the convex structure 14 protruding from the one surface 13a of the base 13 is Droplets of the curable resist 21 are supplied to the upper plane 14a of the convex structure portion 14 (FIG. 4A). The curable resist 21 used is not particularly limited, and a known photocurable resist or thermosetting resist can be used.

供給するレジスト21の液滴量は、後工程において使用する加工基板と凸構造部14の上平面14aとを近接させた際の間隙の容積、後述する加工基板の側壁面に付着するレジスト量等を考慮して設定することができる。
次に、接触工程において、所定の平坦面34aを備える加工基板32を用いて、平坦面34aを基体12の凸構造部14の上平面14aに近接させて、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間にレジスト21を展開してレジスト層22を形成する(図4(B))。この接触工程では、レジスト21は、基体12の凸構造部14の上平面14aの周縁、あるいは、周縁近傍まで到達し、かつ、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21が、加工基板34の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに迫り上がる。したがって、形成されたレジスト層22の端部22aは、加工基板32の平坦面34aの周縁の側壁面34bに位置している。
図示例では、加工基板32は、基部33と、この基部33の一の面33aから突出する凸構造部34とを一体的に有するメサ構造を有している。そして、凸構造部34の上平面が平坦面34aとなっており、この凸構造部34の側壁面が平坦面34aの周縁の側壁面34bとなっている。この場合、加工基板32の凸構造部34の高さH′は、加工基板34の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに位置するレジスト層22の端部22aの高さよりも大きいものとする。
The amount of droplets of the supplied resist 21 is, for example, the volume of the gap when the processed substrate used in the subsequent process and the upper plane 14a of the convex structure portion 14 are brought close to each other, the amount of resist attached to the side wall surface of the processed substrate described later, and the like. Can be set in consideration.
Next, in the contacting step, using the processed substrate 32 having the predetermined flat surface 34a, the flat surface 34a is brought close to the upper plane 14a of the convex structure portion 14 of the base 12 and the upper plane 14a of the convex structure portion 14 is formed. The resist 21 is developed between the processed substrate 32 and the flat surface 34a to form a resist layer 22 (FIG. 4B). In this contact step, the resist 21 reaches the peripheral edge of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 of the base 12 or near the peripheral edge, and forms the upper plane 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32. The resist 21 protruding from between the spaces rises to the side wall surface 34b located at the peripheral edge of the flat surface 34a of the processed substrate 34. Therefore, the end 22a of the formed resist layer 22 is located on the side wall surface 34b of the peripheral edge of the flat surface 34a of the processed substrate 32.
In the illustrated example, the processed substrate 32 has a mesa structure integrally including a base portion 33 and a convex structure portion 34 protruding from one surface 33 a of the base portion 33. The upper plane of the convex structure portion 34 is a flat surface 34a, and the side wall surface of the convex structure portion 34 is a peripheral side wall surface 34b of the flat surface 34a. In this case, the height H′ of the convex structure portion 34 of the processed substrate 32 is larger than the height of the end 22 a of the resist layer 22 located on the side wall surface 34 b located on the periphery of the flat surface 34 a of the processed substrate 34. To do.

この加工基板32の平坦面34aは、基体12の凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間に展開するレジスト21が、凸構造部14の上平面14aの周縁、あるいは、周縁近傍まで到達し、かつ、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21が加工基板32の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに迫り上がることが可能となる平面視形状を有するものである。図6は、加工基板32の平坦面34aを基体12の凸構造部14の上平面14aに近接させた状態を示す平面図であり、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の周縁部を実線で示し、加工基板32の平坦面34aの平面視形状の周縁部を鎖線で示している。上記の図4(B)に示される例では、加工基板32の平坦面34aの平面視形状の大きさは、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の大きさよりも小さいものである。したがって、図6に示すように、加工基板32を基体12に近接させ、加工基板32の平坦面34aの平面視形状が、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の内側に収まるように重ね合せたときに、形状の大きさの違いによる寸法差Dが周縁部に生じる。この寸法差Dは、加工基板32の平坦面34a、側壁面34bと使用するレジスト21との濡れ性、凸構造部14の上平面14aと使用するレジスト21との濡れ性等を考慮して、図4(B)に示すように、加工基板32の平坦面34aの周縁の側壁面34bにレジスト層22の端部22aが位置することが可能となるように設定する。 The flat surface 34a of the processed substrate 32 has a resist 21 that develops between the upper plane 14a of the convex structure portion 14 of the base 12 and the flat surface 34a of the processed substrate 32. Alternatively, the resist 21 that reaches the vicinity of the peripheral edge and protrudes from between the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32 is located on the peripheral edge of the flat surface 34a of the processed substrate 32. It has a plan view shape that makes it possible to approach FIG. 6 is a plan view showing a state in which the flat surface 34 a of the processed substrate 32 is brought close to the upper plane 14 a of the convex structure portion 14 of the base 12, and the peripheral portion of the upper plane 14 a of the convex structure portion 14 in a plan view shape. Is indicated by a solid line, and the peripheral edge of the flat surface 34a of the processed substrate 32 in a plan view is indicated by a chain line. In the example shown in FIG. 4B, the size of the flat surface 34a of the processed substrate 32 in plan view is smaller than the size of the upper plane 14a of the convex structure portion 14 in plan view. Therefore, as shown in FIG. 6, the processed substrate 32 is brought close to the base 12 so that the planar surface shape of the flat surface 34a of the processed substrate 32 falls within the planar surface shape of the upper plane 14a of the convex structure portion 14. When they are overlapped with each other, a dimensional difference D occurs due to a difference in shape size at the peripheral portion. This dimensional difference D is determined in consideration of the wettability between the flat surface 34a of the processed substrate 32, the side wall surface 34b and the resist 21 used, the wettability between the upper plane 14a of the convex structure portion 14 and the resist 21 used, and the like. As shown in FIG. 4B, it is set so that the end 22a of the resist layer 22 can be located on the side wall surface 34b at the periphery of the flat surface 34a of the processed substrate 32.

上記の寸法差Dが小さいと、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間隙から外側にはみ出したレジスト21の余剰分が、凸構造部14の側壁面14bに付着するおそれがあり好ましくない。
一方、加工基板32の平坦面34aの大きさは、レジスト21が、凸構造部14の上平面14aの周縁に向けて展開する範囲を決定するものとなる。例えば、図7に示すように、寸法差Dが大きい場合、加工基板32の平坦面34aの周縁の側壁面34bに位置するレジスト層22の端部22aは、凸構造部14の上平面14aの周縁に達していない状態となる。この状態では、凸構造部14の上平面14aは、その周縁近傍の範囲、例えば、周縁から距離Lの範囲で露出している。この距離Lにより、後述のように形成する機能性膜が凸構造部14の上平面14aに存在する範囲が決定される。このため、製造するインプリントモールドにおいて要求される機能性膜の機能、インプリント適性等を損なわない範囲で距離Lを設定することができる。したがって、寸法差Dの上限は、この距離Lの許容範囲、加工基板32の側壁面34bと使用するレジスト21との濡れ性等を考慮して設定することができる。
When the above-mentioned dimensional difference D is small, the surplus of the resist 21 protruding outside from the gap between the upper plane 14a of the convex structure 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32 adheres to the side wall surface 14b of the convex structure 14. It is not preferable because it may occur.
On the other hand, the size of the flat surface 34a of the processed substrate 32 determines the range in which the resist 21 develops toward the peripheral edge of the upper plane 14a of the convex structure portion 14. For example, as shown in FIG. 7, when the dimensional difference D is large, the end 22a of the resist layer 22 located on the side wall surface 34b at the periphery of the flat surface 34a of the processed substrate 32 has the upper surface 14a of the convex structure portion 14 at the end. It is in a state where it has not reached the periphery. In this state, the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 is exposed in a range near the periphery thereof, for example, in a range of a distance L from the periphery. The distance L determines the range in which the functional film formed as described below exists on the upper plane 14a of the convex structure portion 14. Therefore, the distance L can be set within a range that does not impair the function of the functional film required for the imprint mold to be manufactured, the imprint suitability, and the like. Therefore, the upper limit of the dimension difference D can be set in consideration of the allowable range of the distance L, the wettability between the sidewall surface 34b of the processed substrate 32 and the resist 21 used, and the like.

上述した加工基板32の平坦面34aの平面視形状を、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の内側に収まるように重ね合せたときの周縁部の寸法差Dは、例えば、0〜10μm、好ましくは1〜5μmの範囲とすることができる。尚、図7に示される例では、正方形の上平面14aと平坦面34aの平面視形状を、正方形の重心が一致するように重ね合せており、4辺方向における寸法差Dが同等となっている。しかし、加工基板32の平坦面34aを基体12の凸構造部14の上平面14aに近接させる際の機械的制御の精度限界により、4辺方向における寸法差Dに微小な違いが生じる場合がある。したがって、上記の周縁部の寸法差Dの設定では、このような機械的制御の精度限界を考慮することが好ましい。 The dimensional difference D of the peripheral portion when the planar shape of the flat surface 34a of the processed substrate 32 described above is overlapped so as to fit inside the planar shape of the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 is, for example, 0 to It can be in the range of 10 μm, preferably 1 to 5 μm. Incidentally, in the example shown in FIG. 7, the planar shapes of the square upper plane 14a and the flat surface 34a are overlapped so that the centers of gravity of the squares coincide with each other, and the dimensional difference D in the four side directions becomes equal. There is. However, due to the accuracy limit of mechanical control when the flat surface 34a of the processed substrate 32 is brought close to the upper plane 14a of the convex structure portion 14 of the base 12, a slight difference may occur in the dimensional difference D in the four side directions. .. Therefore, in setting the dimensional difference D of the peripheral portion described above, it is preferable to consider the accuracy limit of such mechanical control.

ここで、図8に示すように、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21について、加工基板34の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに迫り上がって形成されたレジスト層22の端部22aの上平面14aからの高さをhcとし、凸構造部14の上平面14aに位置するレジスト層22の端部22bの加工基板32の平坦面34a端部からの距離をdとする。そして、この高さhc、距離dを、加工基板32の側壁面34bにおけるレジスト21の接触角θ1、凸構造部14の上平面14aにおけるレジスト21の接触角θ2から、シミュレーションにより求めると、下記の表1〜表3に示すものとなる。尚、シミュレーションは、PHYSICS OF FLUIDS 17, 122104 (2005)を参照し、ここでは、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間隔、すなわち、レジスト層22の厚みtを15nmとして、浸み出したレジストの液面が、凸構造部14の上平面14aから15nm上方であり、かつ、加工基板32の平坦面34a端部から30nm隔たる箇所Pに位置する状態を算出した。尚、浸み出したレジストの液面が、加工基板32の平坦面34a端部から隔たる距離が30nmを超える場合でも、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21が、図8に二点鎖線で示すように、接触角θ1、θ2を保ったまま浸み出すものであるが、詳細は割愛する。
表1、表2、表3は、接触角θ2を、θ2=20°(表1)、θ2=30°(表2)、θ2=40°(表3)でそれぞれ固定し、接触角θ1を10°〜70°間で10°ピッチで設定し、個々のθ1、θ2における高さhc、距離d、およびd/hcを示している。
Here, as shown in FIG. 8, with respect to the resist 21 protruding from between the upper plane 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32, the sidewall surface located at the periphery of the flat surface 34a of the processed substrate 34. The height from the upper plane 14a of the end portion 22a of the resist layer 22 formed so as to rise to 34b is set to hc, and the end portion 22b of the resist layer 22 located on the upper plane 14a of the convex structure portion 14 is processed by the processed substrate 32. The distance from the end of the flat surface 34a is d. Then, the height hc and the distance d are obtained by simulation from the contact angle θ1 of the resist 21 on the side wall surface 34b of the processed substrate 32 and the contact angle θ2 of the resist 21 on the upper flat surface 14a of the convex structure 14 as follows. The results are shown in Tables 1 to 3. For the simulation, refer to PHYSICS OF FLUIDS 17, 122104 (2005), in which the distance between the upper plane 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32, that is, the thickness t of the resist layer 22 is defined as follows. A state in which the liquid level of the resist that has leached out is set to 15 nm is 15 nm above the upper plane 14a of the convex structure 14 and is located at a location P 30 nm away from the end of the flat surface 34a of the processed substrate 32 is calculated. did. Even when the liquid level of the resist that has leached out is greater than 30 nm from the end of the flat surface 34a of the processed substrate 32, the upper surface 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32 are not separated. The resist 21 protruding from the space oozes out while maintaining the contact angles θ1 and θ2 as shown by the chain double-dashed line in FIG. 8, but the details are omitted.
In Table 1, Table 2 and Table 3, the contact angle θ2 is fixed at θ2=20° (Table 1), θ2=30° (Table 2) and θ2=40° (Table 3), respectively, and the contact angle θ1 is The height hc, the distance d, and the d/hc at θ1 and θ2 are set by setting the pitch at 10° between 10° and 70°.

Figure 0006729102
Figure 0006729102

Figure 0006729102
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Figure 0006729102
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表1〜表3に示されるように、接触角θ2が固定されている場合、hcの変化幅は小さく、接触角θ1が大きい程、距離dが大きくなる。
また、図8に示すように、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間隔、すなわち、レジスト層22の厚みtを、15nm、30nm、60nm、90nmでそれぞれ固定し、接触角をθ1=θ2=20°としたときの高さhc、距離dを、同様にシミュレーションにより求めると、下記の表4に示すものとなる。
As shown in Tables 1 to 3, when the contact angle θ2 is fixed, the change width of hc is small, and the larger the contact angle θ1, the larger the distance d.
In addition, as shown in FIG. 8, the distance between the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32, that is, the thickness t of the resist layer 22 is fixed at 15 nm, 30 nm, 60 nm, and 90 nm, respectively. Similarly, the height hc and the distance d when the contact angle is θ1=θ2=20° are obtained by the same simulation, and the results are shown in Table 4 below.

Figure 0006729102
表4に示されるように、レジスト層22が厚くなっても、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からのレジスト21のはみ出しは、d/hcの比を維持したものとなる。
Figure 0006729102
As shown in Table 4, even if the resist layer 22 becomes thicker, the protrusion of the resist 21 from between the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32 has a d/hc ratio. It will be maintained.

図9は、上記の表1〜表4に示すようにシミュレーションで求めた結果から、接触角差(θ1−θ2)と、はみ出したレジスト21の形状を示すd/hcとの関係を示す図である。図9に示されるように、d/hcは、接触角θ1、θ2で決まるものであり、例えば、使用する材料から、凸構造部14の上平面14aにおけるレジスト21の接触角θ2が決定される場合、加工基板32の側壁面34bにおけるレジスト21の接触角θ1の設定により、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21の形状(d/hc)を制御することができる。レジスト21の形状(d/hc)の制御は、距離dが上記の寸法差D以下となるように行うことができ、例えば、接触角θ1、θ2との間に(θ1−θ2)≦37°、すなわち、0≦d/hc≦2の関係が成立するような条件において制御が容易となる。
上記の加工基板32の材質は、レジスト21が光硬化性であり、加工基板32側から光照射を行う場合には、照射光が透過可能な材料を用いることができ、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を挙げることができる。また、レジスト21が光硬化性ではない場合や、基体12側からレジスト21を硬化させるための光を照射可能である場合には、加工基板32は光透過性を具備する必要がないので、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between the contact angle difference (θ1−θ2) and d/hc showing the shape of the resist 21 protruding from the results obtained by simulation as shown in Tables 1 to 4 above. is there. As shown in FIG. 9, d/hc is determined by the contact angles θ1 and θ2. For example, the contact angle θ2 of the resist 21 on the upper plane 14a of the convex structure 14 is determined from the material used. In this case, by setting the contact angle θ1 of the resist 21 on the side wall surface 34b of the processed substrate 32, the shape of the resist 21 (d/hc) protruding from between the upper plane 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32 is set. ) Can be controlled. The shape (d/hc) of the resist 21 can be controlled so that the distance d is equal to or less than the above-mentioned dimensional difference D, and for example, (θ1−θ2)≦37° between the contact angles θ1 and θ2. That is, the control becomes easy under the condition that the relationship of 0≦d/hc≦2 is established.
As the material of the above-mentioned processed substrate 32, when the resist 21 is photocurable and the light is irradiated from the processed substrate 32 side, a material that can transmit the irradiation light can be used, such as quartz glass or silicate glass. In addition to glass materials such as calcium fluoride, magnesium fluoride, and acrylic glass, sapphire and gallium nitride, resins such as polycarbonate, polystyrene, acryl, and polypropylene, or any laminated material thereof can be used. Further, when the resist 21 is not photo-curable or when light for curing the resist 21 can be irradiated from the side of the base 12, the processed substrate 32 does not need to be light-transmissive. In addition to the above materials, for example, metals such as silicon, nickel, titanium, and aluminum, their alloys, oxides, nitrides, or any laminated materials thereof can be used.

次いで、硬化工程において、レジスト層22を硬化させ、その後、離型工程において、硬化させたレジスト層23と加工基板32を引き離して、基体12の凸構造部14上にレジスト層23を位置させた状態とする(図5(A))。
次に、成膜工程において、レジスト層23を被覆するように、基体12の基部13の面13aおよび凸構造部14に機能性膜17を形成する(図5(B))。機能性膜17は、上述のように、製造するインプリントモールドの使用目的に応じたものを形成することができ、例えば、撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜等を機能性膜として形成することができる。このような機能性膜17は、使用する成膜材料、厚み等を考慮して、例えば、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法等の公知の湿式成膜法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学気相成長法、イオンプレーティング法等の公知の乾式成膜法により形成することができる。機能性膜17が撥水性膜である場合、例えば、フッ素系シランカップリング剤の薄膜をディップコート法、スピンコート法、あるいは、化学気相成長法により形成することができる。
Next, in the curing step, the resist layer 22 is cured, and then, in the releasing step, the cured resist layer 23 and the processed substrate 32 are separated from each other to position the resist layer 23 on the convex structure portion 14 of the base 12. The state is set (FIG. 5(A)).
Next, in the film forming step, the functional film 17 is formed on the surface 13a of the base 13 and the convex structure 14 of the base 12 so as to cover the resist layer 23 (FIG. 5B). As described above, the functional film 17 can be formed according to the intended use of the imprint mold to be manufactured. For example, a water-repellent film, a hydrophilic film, a light-shielding film, a conductive film, or the like can be used as the functional film. Can be formed as. Such a functional film 17 is, for example, a known wet film forming method such as a spray method, a dip coating method, a spin coating method, a sputtering method, a vacuum evaporation method, in consideration of a film forming material to be used, a thickness, and the like. It can be formed by a known dry film forming method such as a chemical vapor deposition method or an ion plating method. When the functional film 17 is a water-repellent film, for example, a thin film of a fluorine-based silane coupling agent can be formed by a dip coating method, a spin coating method, or a chemical vapor deposition method.

次いで、除去工程において、レジスト層23を除去し、同時に、レジスト層23を被覆している機能性膜17を除去する(図5(C))。これにより、基体12は、凸構造部14の側壁面14bに、凸構造部14の上平面14a側の端部まで機能性膜17を備えたものとなる。
上述のインプリントモールドの製造方法の実施形態では、除去工程の後に、凸構造部14の上平面14aに凹凸構造パターン15を形成することにより、インプリントモールドを得ることができる。また、本発明のインプリントモールドの製造方法では、凸構造部14の上平面14aへの凹凸構造パターン15の形成を、上述の液滴供給工程の前に行ってもよい。
Next, in a removing step, the resist layer 23 is removed, and at the same time, the functional film 17 covering the resist layer 23 is removed (FIG. 5C). As a result, the base 12 is provided with the functional film 17 on the side wall surface 14b of the convex structure 14 up to the end of the convex structure 14 on the upper plane 14a side.
In the embodiment of the method for manufacturing the imprint mold described above, the imprint mold can be obtained by forming the concavo-convex structure pattern 15 on the upper plane 14a of the convex structure 14 after the removing step. Further, in the method for manufacturing the imprint mold of the present invention, the concavo-convex structure pattern 15 may be formed on the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 before the above-mentioned droplet supply step.

ここで、凸構造部14の上平面14aへの凹凸構造パターン15の形成は、公知のインプリントモールド製造方法における凹凸構造パターンの形成方法を用いて行うことができる。例えば、凸構造部14の上平面14aにクロム等のハードマスク材料層を形成し、このハードマスク材料層上にレジストパターンをフォトリソグラフィ法、インプリントリソグラフィ法、電子線リソグラフィ法等により形成する。次いで、レジストパターンを介してハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、その後、このハードマスクを介して凸構造部14をエッチングし、残存するハードマスクを除去することにより、凹凸構造パターン15の形成が完了する。
このような本発明のインプリントモールドの製造方法は、メサ構造を具備するモールドの凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで所望の機能性膜を備えたインプリントモールドの製造が可能となる。
上述の実施形態は例示であり、本発明のインプリントモールドの製造方法は、このような実施形態に限定されるものではない。例えば、図10に示すように、インプリントモールドに使用する基体12は、基部13の凸構造部14の位置する面13aと反対側の面13bに、凹構造部18を有するものであってもよい。この凹構造部18の開口の平面視形状は、凸構造部14の平面視形状を包含する大きさである。また、凹構造部18の開口の平面視形状は円形が好ましいが、これに限定されず、所望の形状とすることができる。
また、加工基板32が、基部33の凸構造部34の位置する面33aと反対側の面に、凹構造部を有するものであってもよい。
Here, the concavo-convex structure pattern 15 can be formed on the upper plane 14a of the convex structure portion 14 by using the concavo-convex structure pattern forming method in the known imprint mold manufacturing method. For example, a hard mask material layer of chromium or the like is formed on the upper plane 14a of the convex structure portion 14, and a resist pattern is formed on the hard mask material layer by photolithography, imprint lithography, electron beam lithography, or the like. Then, the hard mask material layer is etched through the resist pattern to form a hard mask, and then the convex structure portion 14 is etched through the hard mask, and the remaining hard mask is removed to form the concave-convex structure pattern. The formation of 15 is completed.
Such an imprint mold manufacturing method of the present invention is an imprint in which a desired functional film is provided on a sidewall surface of a convex structure portion of a mold having a mesa structure up to an end portion on the upper plane side of the convex structure portion. It becomes possible to manufacture a mold.
The above-described embodiment is an exemplification, and the method for manufacturing an imprint mold of the present invention is not limited to such an embodiment. For example, as shown in FIG. 10, the base 12 used in the imprint mold may have a concave structure portion 18 on the surface 13b of the base 13 opposite to the surface 13a on which the convex structure portion 14 is located. Good. The plan view shape of the opening of the concave structure portion 18 is a size including the plan view shape of the convex structure portion 14. Further, the shape of the opening of the concave structure portion 18 is preferably circular in plan view, but the shape is not limited to this and may be a desired shape.
Further, the processed substrate 32 may have a concave structure portion on the surface opposite to the surface 33a of the base portion 33 on which the convex structure portion 34 is located.

さらに、加工基板32の平坦面34aは、全域が平坦であってよく、あるいは、所望の位置に溝部等を備えるものであってもよい。通常、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間におけるレジスト21の液滴の展開は、凸構造部14の上平面14aへの液滴の供給部位を中心に進行する。したがって、加工基板32の平坦面34aの周縁へ向かうレジスト21の先端部は、複数の液滴供給部位を中心とした円弧が連続しているような形状となる。このため、平坦面34aの周縁への到達に時差が生じ、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出すレジスト21の量にバラツキが生じるおそれがある。そこで、加工基板32の平坦面34aは、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間におけるレジスト21の展開を均一にするための溝部、凹部を備えるものであってもよい。例えば、平坦面34aは、中央部から周縁に向けて放射状に溝部を有していてもよい。また、平坦面34aは、周縁近傍に、平坦面34aの周縁に沿って微細な溝部35を有していてもよい。図11は、このような加工基板を示す部分断面図であり、図12は、加工基板の平坦面を示す平面図である。図11、図12に示すような加工基板32では、平坦面34aの周縁に沿って溝部35が位置することにより、この溝部35に先に到達したレジスト21は、微細な溝部35内を毛細管力により平坦面34aの周縁に沿って移動し、溝部35に後から到達するレジスト21を合流する。そして、溝部35がレジスト21で充填された後、平坦面34aの周縁に向けてレジスト21が展開するので、平坦面34aの周縁へのレジスト21の到達における時差の発生を抑制することができる。したがって、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出すレジスト21の量を、加工基板32の平坦面34aの周縁で均一にすることができる。 Furthermore, the entire flat surface 34a of the processed substrate 32 may be flat, or may have a groove or the like at a desired position. In general, the development of the droplets of the resist 21 between the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32 proceeds around the portion where the droplet is supplied to the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14. To do. Therefore, the front end of the resist 21 toward the peripheral edge of the flat surface 34a of the processed substrate 32 has a shape in which arcs centering on a plurality of droplet supply sites are continuous. For this reason, there is a time lag in reaching the periphery of the flat surface 34a, which may cause variations in the amount of the resist 21 protruding from between the upper flat surface 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32. Therefore, the flat surface 34a of the processed substrate 32 is provided with a groove portion and a concave portion for making the development of the resist 21 uniform between the upper plane 14a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34a of the processed substrate 32. Good. For example, the flat surface 34a may have grooves radially from the center toward the periphery. Further, the flat surface 34a may have a fine groove portion 35 near the peripheral edge along the peripheral edge of the flat surface 34a. FIG. 11 is a partial cross-sectional view showing such a processed substrate, and FIG. 12 is a plan view showing a flat surface of the processed substrate. In the processed substrate 32 as shown in FIGS. 11 and 12, the groove portion 35 is located along the peripheral edge of the flat surface 34a, so that the resist 21 that has reached the groove portion 35 first has a capillary force in the fine groove portion 35. Thus, the resist 21 that moves along the peripheral edge of the flat surface 34a and reaches the groove 35 later is joined. Then, after the groove portion 35 is filled with the resist 21, the resist 21 develops toward the peripheral edge of the flat surface 34a, so that it is possible to suppress the occurrence of a time difference when the resist 21 reaches the peripheral edge of the flat surface 34a. Therefore, the amount of the resist 21 protruding from between the upper flat surface 14 a of the convex structure portion 14 and the flat surface 34 a of the processed substrate 32 can be made uniform at the peripheral edge of the flat surface 34 a of the processed substrate 32.

[実施例1]
基部(152mm×152mm、厚み6.35mm)と、この基部の一の面の中央から突出する凸構造部(30mm角、高さ30μm)を一体的に有する基体(材質:石英ガラス)を準備した。
また、基部(152mm×152mm、厚み6.35mm)と、この基部の一の面の中央から突出する凸構造部(30mm角、高さ30μm)を一体的に有する加工基板(材質:石英ガラス)を準備した。この加工基板の凸構造部の上平面は平坦面であり、この平坦面と、上記の基体の凸構造部の上平面を重ね合せたとき、加工基板の平坦面の平面視形状の大きさは、基体の凸構造部の上平面の平面視形状の大きさよりも小さく、周縁部に生じる寸法差D(図6参照)は、2μmであった。
上記の基体の凸構造部上に、光硬化性のレジストの液滴をインクジェット方式で供給した。
[Example 1]
A base (material: quartz glass) integrally having a base (152 mm×152 mm, thickness 6.35 mm) and a convex structure (30 mm square, height 30 μm) protruding from the center of one surface of the base was prepared. ..
Further, a processed substrate (material: quartz glass) integrally having a base (152 mm×152 mm, thickness 6.35 mm) and a convex structure (30 mm square, height 30 μm) protruding from the center of one surface of the base. Prepared. The upper plane of the convex structure portion of this processed substrate is a flat surface, and when this flat surface and the upper plane of the convex structure portion of the above-mentioned substrate are superposed, the size of the plan view shape of the flat surface of the processed substrate is The size difference D (see FIG. 6), which is smaller than the size of the plan view shape of the upper plane of the convex structure portion of the base body and is generated in the peripheral portion, was 2 μm.
Droplets of a photocurable resist were supplied onto the convex structure portion of the substrate by an inkjet method.

次に、上記の加工基板の凸構造部の上平面である平坦面を、レジストが供給された基体の凸構造部の上平面に近接させて、基体の凸構造部の上平面と加工基板の平坦面との間にレジストを展開してレジスト層を形成した。この状態の加工基板の凸構造部の周囲を観察したところ、レジスト層は基体の凸構造部の上平面と加工基板の平坦面との間からはみ出していた。このレジスト層は基体の凸構造部の上平面の周縁まで到達しており、上平面との接触角θ2は約20°であり、さらに、レジスト層の端部は、加工基板の平坦面の周縁の側壁面に位置し、側壁面との接触角θ1は約20°であった。また、レジスト層の高さhc、距離d(図8参照)を測定した結果、d/hc≒1であった。
次いで、平行光(ピーク波長が365nmの紫外線)を加工基板側に1000mJ/cm2の条件で照射した。これにより、レジスト層を硬化させた。その後、硬化させたレジスト層と加工基板を引き離して、基体の凸構造部上にレジスト層を位置させた状態とした。
次に、上記のようにレジスト層を形成した基体に、フッ素系シランカップリング剤(ハーベス(株)製 デュラサーフ)をスピンコート法で塗布し乾燥した。これにより、機能性膜として、撥水性膜を形成した。この撥水性膜は、レジスト層を被覆するとともに、基体の基部および凸構造部の側壁面を被覆するものであった。
Next, the flat surface, which is the upper plane of the convex structure section of the processed substrate, is brought close to the upper plane of the convex structure section of the base body to which the resist is supplied, and the upper plane of the convex structure section of the base body and the processed substrate. A resist layer was formed by spreading the resist between the flat surface and the flat surface. When the periphery of the convex structure portion of the processed substrate in this state was observed, the resist layer protruded from between the upper plane of the convex structure portion of the substrate and the flat surface of the processed substrate. The resist layer reaches the peripheral edge of the upper plane of the convex structure of the substrate, the contact angle θ2 with the upper plane is about 20°, and the end portion of the resist layer is the peripheral edge of the flat surface of the processed substrate. And the contact angle θ1 with the side wall surface was about 20°. Further, as a result of measuring the height hc of the resist layer and the distance d (see FIG. 8), d/hc≈1.
Then, parallel light (ultraviolet light having a peak wavelength of 365 nm) was applied to the processed substrate side under the condition of 1000 mJ/cm 2 . Thereby, the resist layer was cured. Then, the cured resist layer and the processed substrate were separated from each other, and the resist layer was placed on the convex structure portion of the substrate.
Next, a fluorine-based silane coupling agent (Durasurf manufactured by Harves Co., Ltd.) was applied to the substrate on which the resist layer was formed as described above by a spin coating method and dried. As a result, a water repellent film was formed as the functional film. This water-repellent film covers not only the resist layer but also the base of the base and the side wall of the convex structure.

次いで、レジスト剥離液を用いてレジスト層を除去した。このレジスト層の除去と同時に、レジスト層を被覆している撥水性膜は除去されたが、基体の基部および凸構造部の側壁面を被覆している撥水性膜は残存した。
このように撥水性膜を形成した基体の基部および凸構造部の側壁面をエネルギー分散型X線分析(Energy Dispersive X-ray spectrometry (EDX))により観察した結果、基体の凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで撥水性膜が存在していることを確認した。
次に、基体の凸構造部の上平面にハードマスク材料層としてクロム薄膜をスパッタリング法で形成し、このクロム薄膜上にレジストパターンをインプリントリソグラフィ法により形成した。次いで、レジストパターンを介してクロム薄膜をエッチングしてハードマスクを形成し、その後、このハードマスクを介して凸構造部をエッチングし、残存するハードマスクを除去した。これにより、凹凸構造パターンを凸構造部の上平面に備えたインプリントモールドを得た。
このインプリントモールドを構成する基体の基部および凸構造部の側壁面を、上記と同様に観察した結果、インプリントモールドの凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで撥水性層が存在していることを確認した。
Then, the resist layer was removed using a resist stripper. Simultaneously with the removal of the resist layer, the water-repellent film covering the resist layer was removed, but the water-repellent film covering the side walls of the base and the convex structure of the substrate remained.
As a result of observing the base surface and the side wall surface of the convex structure portion of the substrate on which the water-repellent film is formed by energy dispersive X-ray spectrometry (EDX), the side wall surface of the convex structure portion of the base body is observed. In addition, it was confirmed that the water-repellent film was present up to the upper planar end of the convex structure.
Next, a chromium thin film was formed as a hard mask material layer on the upper plane of the convex structure portion of the substrate by a sputtering method, and a resist pattern was formed on the chromium thin film by an imprint lithography method. Then, the chromium thin film was etched through the resist pattern to form a hard mask, and then the convex structure portion was etched through this hard mask to remove the remaining hard mask. As a result, an imprint mold provided with the concavo-convex structure pattern on the upper plane of the convex structure portion was obtained.
As a result of observing the base portion of the base body and the side wall surface of the convex structure portion constituting the imprint mold in the same manner as above, the side wall surface of the convex structure portion of the imprint mold is extended to the end of the convex structure portion on the upper plane side. It was confirmed that a water repellent layer was present.

[実施例2]
凸構造部の上平面に予め凹凸構造パターンを形成した基体を使用した他は、実施例1と同様にして、撥水性膜を形成し、これによりインプリントモールドを得た。
このインプリントモールドを構成する基体の基部および凸構造部の側壁面を実施例1と同様に観察した結果、インプリントモールドの凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで撥水性層が存在していることを確認した。
[Example 2]
A water-repellent film was formed in the same manner as in Example 1 except that a substrate having a concavo-convex structure pattern formed in advance on the upper plane of the convex structure portion was used to obtain an imprint mold.
As a result of observing the base and the side wall surface of the convex structure of the imprint mold in the same manner as in Example 1, the side wall of the convex structure of the imprint mold has an end on the upper plane side of the convex structure. It was confirmed that the water repellent layer was present.

[比較例]
実施例1と同様の基体を準備し、この基体の凸構造部に光硬化性のレジストを供給してスピンコート法で塗布し、乾燥した。これにより、基体の凸構造部の上平面、側壁面および基体の基部にレジスト層を形成した。次いで、このレジスト層をパターン露光し、現像することにより、基体の凸構造部上にレジスト層を位置させた状態とした。
次いで、実施例1と同様に、レジスト層を形成した基体に撥水性膜を形成し、その後、レジスト層を除去すると同時に、レジスト層を被覆している撥水性膜を除去した。
このように撥水性膜を形成した基体の基部および凸構造部の側壁面を実施例1と同様に観察した結果、基体の凸構造部の側壁面の上平面側には、上平面の端部から約1μmの幅で、撥水性膜で被覆されずに基体が露出している部位が存在することを確認した。
[Comparative example]
A substrate similar to that of Example 1 was prepared, and a photocurable resist was supplied to the convex structure portion of the substrate to apply it by the spin coating method, and then dried. As a result, a resist layer was formed on the upper plane of the convex structure portion of the base, the side wall surface and the base of the base. Then, this resist layer was pattern-exposed and developed to make the resist layer positioned on the convex structure portion of the substrate.
Then, in the same manner as in Example 1, a water-repellent film was formed on the substrate on which the resist layer was formed, and thereafter, the resist layer was removed and, at the same time, the water-repellent film covering the resist layer was removed.
As a result of observing the base portion of the substrate on which the water-repellent film is formed and the side wall surface of the convex structure portion in the same manner as in Example 1, as a result of the observation of the side wall surface of the convex structure portion of the substrate on the upper plane side, the end portion of the upper plane surface From this, it was confirmed that there is a site where the substrate is exposed without being covered with the water-repellent film in a width of about 1 μm.

いわゆるメサ構造を有するインプリントモールドの製造に有用である。 It is useful for manufacturing an imprint mold having a so-called mesa structure.

11…インプリントモールド
12…基体
13…基部
14…凸構造部
14a…凸構造部の上平面
14b…凸構造部の側壁面
15…凹凸構造パターン
17…機能性膜
18…凹構造部
32…加工基板
34…凸構造部
34a…凸構造部の平坦面
34b…凸構造部の側壁面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Imprint mold 12... Base|substrate 13... Base part 14... Convex structure part 14a... Upper plane of convex structure part 14b... Side wall surface of convex structure part 15... Uneven structure pattern 17... Functional film 18... Concave structure part 32... Processing Substrate 34... Convex structure portion 34a... Flat surface of convex structure portion 34b... Side wall surface of convex structure portion

Claims (9)

基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体と、該凸構造部の上平面に位置する凹凸構造パターンと、を備えるインプリント用モールドの製造方法において、
基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体の該凸構造部の上平面に硬化性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
所定の平坦面を備える加工基板の該平坦面を前記凸構造部の上平面に近接させて、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記加工基板を引き離す離型工程と、
前記レジスト層を被覆するように、前記基体の前記基部および前記凸構造部に機能性膜を形成する成膜工程と、
前記レジスト層を除去し、同時に、前記レジスト層を被覆している前記機能性膜を除去する除去工程と、を有し、
前記接触工程では、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に展開する前記レジストを、前記凸構造部の上平面の周縁、あるいは、周縁近傍まで到達させ、かつ、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストを、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面に迫り上がらせることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
In a method for manufacturing an imprinting mold, including a base integrally having a base and a convex structure protruding from one surface of the base, and a concavo-convex structure pattern located on an upper plane of the convex,
A droplet supply step of supplying a curable resist droplet to the upper plane of the convex structure portion of a base integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion;
The flat surface of the processed substrate having a predetermined flat surface is brought close to the upper plane of the convex structure portion, and the resist is developed by developing the resist between the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate. A contacting step to form a layer,
A curing step of curing the resist layer,
A mold release step of separating the cured resist layer and the processed substrate,
A film forming step of forming a functional film on the base portion and the convex structure portion of the substrate so as to cover the resist layer;
A removing step of removing the resist layer and at the same time removing the functional film covering the resist layer,
In the contact step, the resist that develops between the upper plane of the convex structure and the flat surface of the processed substrate is made to reach the periphery of the upper plane of the convex structure, or near the periphery, and A method of manufacturing an imprint mold, characterized in that the resist protruding from between the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate is pushed up to the side wall surface located at the periphery of the flat surface of the processed substrate. ..
前記加工基板の平坦面の平面視形状の大きさは、前記凸構造部の上平面の平面視形状の大きさ以下であることを特徴とする請求項1に記載のインプリントモールドの製造方法。 The method of manufacturing an imprint mold according to claim 1, wherein the size of the planar surface shape of the flat surface of the processed substrate is equal to or smaller than the size of the planar surface shape of the upper plane of the convex structure portion. 前記加工基板の平坦面の平面視形状と、前記凸構造部の上平面の平面視形状とを重ね合せたときの周縁部の差は1〜5μmの範囲内であることを特徴とする請求項2に記載のインプリントモールドの製造方法。 The difference between the peripheral portions when the planar view shape of the flat surface of the processed substrate and the planar view shape of the upper plane of the convex structure portion are overlapped is within a range of 1 to 5 μm. 2. The method for manufacturing the imprint mold according to 2. 前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストと、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面との接触角をθ1、前記レジストと、凸構造部の上平面との接触角をθ2としたときに、(θ1−θ2)≦37°の関係が成立することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。 The contact angle between the resist protruding from the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate and the side wall surface located at the periphery of the flat surface of the processed substrate is θ1, the resist, and the convex structure portion. The production of the imprint mold according to any one of claims 1 to 3, wherein a relation of (θ1-θ2) ≤ 37° is established, where θ2 is a contact angle with the upper plane. Method. 前記加工基板は、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有し、該凸構造部の上平面が前記平坦面であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。 The processed substrate integrally includes a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion, and an upper plane of the convex structure portion is the flat surface. Item 5. A method for manufacturing an imprint mold according to any one of Items 4. 前記液滴供給工程の前に、前記基体の凸構造部の上平面に凹凸構造パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。 6. The imprint according to claim 1, further comprising a pattern forming step of forming a concave-convex structure pattern on an upper plane of the convex structure portion of the substrate before the droplet supplying step. Mold manufacturing method. 前記除去工程の後に、前記基体の凸構造部の上平面に凹凸構造パターンを形成するパターン形成工程を有することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。 The manufacturing of the imprint mold according to claim 1, further comprising a pattern forming step of forming an uneven structure pattern on an upper plane of the convex structure portion of the base after the removing step. Method. 前記成膜工程では、機能性膜として撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜のいずれかを成膜することを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。 8. The imprint according to claim 1, wherein in the film forming step, any one of a water repellent film, a hydrophilic film, a light shielding film, and a conductive film is formed as a functional film. Mold manufacturing method. 前記加工基板は、前記平坦面の周縁近傍に溝部を有することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。 The method for manufacturing an imprint mold according to claim 1, wherein the processed substrate has a groove portion near a periphery of the flat surface.
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