JP6729102B2 - Imprint mold manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、インプリント方法に使用するインプリントモールドの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an imprint mold used in an imprint method.
近年、フォトリソグラフィ技術に替わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたインプリントリソグラフィ法によるパターン形成技術が注目されている。インプリント方法では、例えば、クロム薄膜を備えた基材に感光性レジストの液滴を供給し、この感光性レジストの液滴に凹凸構造を有するモールド(型部材)を接触させて、モールドと基材との間に感光性レジストを展開する。そして、この状態でモールド側から感光性レジストに光を照射し硬化させてレジスト層を形成し、その後、モールドをレジスト層から離型する。これにより、モールドが有する凹凸が反転した凹凸構造を有するレジスト層を基材表面に形成することができる。その後、レジスト層から残膜を除去してレジストパターンを形成し、このレジストパターンを介してクロム薄膜をエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクを介して基材をエッチングすることによりパターン形成が行われる。
しかし、モールドとの接触時に、所定の領域の外側にはみ出した感光性レジストは、照射した光によって、凹凸構造を形成すべき部位の感光性レジストと同時に硬化してレジスト層となる。このようなレジスト層からモールドを離型する場合、感光性レジストのはみ出しがない場合に比べて大きな力が作用し、モールドや凹凸構造を有するレジスト層(被加工物)に損傷を与えるという問題がある。
In recent years, as a fine pattern forming technique replacing the photolithography technique, a pattern forming technique by an imprint lithography method using an imprint method has attracted attention. In the imprint method, for example, droplets of a photosensitive resist are supplied to a substrate provided with a chromium thin film, and a mold (mold member) having an uneven structure is brought into contact with the droplets of the photosensitive resist, so that the mold and the substrate are exposed. A photosensitive resist is spread between the materials. Then, in this state, the photosensitive resist is irradiated with light from the mold side to be cured to form a resist layer, and then the mold is released from the resist layer. As a result, a resist layer having an uneven structure in which the unevenness of the mold is reversed can be formed on the surface of the base material. After that, the residual film is removed from the resist layer to form a resist pattern, the chromium thin film is etched through this resist pattern to form a hard mask, and the base material is etched through this hard mask to form a pattern. Is done.
However, at the time of contact with the mold, the photosensitive resist protruding to the outside of the predetermined region is cured by the irradiated light at the same time as the photosensitive resist in the portion where the concavo-convex structure is to be formed to form a resist layer. When the mold is released from such a resist layer, there is a problem that a larger force acts than when the photosensitive resist does not protrude, and the mold and the resist layer (workpiece) having an uneven structure are damaged. is there.
このような所定の領域の外側への感光性レジストのはみ出しを防止するために、所定の領域に親液層を形成し、その外側に撥液層を形成し、親液層に感光性レジストの液滴を供給する方法が提案されている(特許文献1)。
一方、周囲から突き出た凸構造部の上平面に凹凸構造を備えた、いわゆる、メサ構造のモールドを使用することにより、凹凸構造を形成すべき部位の外側への感光性レジストの広がりを制限することができる。しかし、モールドの凸構造部からはみ出した感光性レジストは、凸構造部の側壁面に付着し、照射した光によって、凹凸構造を形成すべき部位の感光性レジストと同時に硬化する。このようにモールドの凸構造部の側壁面にレジストが存在すると、その後、モールドに異物として付着して、インプリントに悪影響を及ぼしたり、モールドの凹凸構造に損傷を与えるという問題がある。
そこで、モールドの凸構造部の側壁面に、撥水性または撥油性を有する被膜を形成し、モールドの凸構造部からはみ出した感光性レジストが凸構造部の側壁面に付着するのを防止することが提案されている(特許文献2)。
In order to prevent the photosensitive resist from protruding to the outside of such a predetermined region, a lyophilic layer is formed in a predetermined region, a lyophobic layer is formed outside the lyophilic layer, and a lyophilic layer is formed on the lyophilic layer. A method of supplying droplets has been proposed (Patent Document 1).
On the other hand, by using a so-called mesa mold, which has an uneven structure on the upper plane of the convex structure protruding from the surroundings, the spread of the photosensitive resist to the outside of the site where the uneven structure is to be formed is limited. be able to. However, the photosensitive resist protruding from the convex structure portion of the mold adheres to the side wall surface of the convex structure portion and is cured at the same time as the photosensitive resist in the portion where the concave-convex structure is to be formed by the irradiation light. If the resist is present on the side wall surface of the convex structure portion of the mold as described above, then it may adhere to the mold as a foreign substance, which may adversely affect the imprint or damage the concave and convex structure of the mold.
Therefore, a film having water repellency or oil repellency is formed on the side wall surface of the convex structure portion of the mold to prevent the photosensitive resist protruding from the convex structure portion of the mold from adhering to the side wall surface of the convex structure portion. Has been proposed (Patent Document 2).
しかしながら、特許文献2には、モールドの凸構造部の側壁面に所望の被膜を形成する具体的な方法が開示されていない。
一方、例えば、メサ構造を有するモールドに撥水性または撥油性を有する感光性材料をスピンコート法で塗布し、この感光性材料にパターン露光を行い、その後現像することにより、凸構造部の上平面を除く部位に、撥水性または撥油性を有する被膜を形成することが考えられる。しかし、メサ構造を有するモールドに対するスピンコート法による塗布においては、厚みムラが生じ、パターン露光による高精度のパターン形成が難しく、モールドの凸構造部の側壁面、特に、凸構造部の上平面に近い側壁面への被膜形成が阻害され易い。このように被膜形成が阻害され、凸構造部の上平面に近い側壁面が露出している場合、上述のレジストの付着が生じ易いものとなる。
However,
On the other hand, for example, a photosensitive material having water repellency or oil repellency is applied to a mold having a mesa structure by a spin coating method, the photosensitive material is subjected to pattern exposure, and then development is performed. It is conceivable to form a coating film having water repellency or oil repellency on the parts other than. However, in the spin coating method applied to a mold having a mesa structure, thickness unevenness occurs, and it is difficult to form a highly accurate pattern by pattern exposure, and the side wall surface of the convex structure portion of the mold, especially on the upper plane of the convex structure portion is formed. The formation of a film on the near side wall surface is likely to be hindered. In this way, when the formation of the coating film is hindered and the side wall surface near the upper plane of the convex structure portion is exposed, the above-described resist adhesion is likely to occur.
このような問題は、上述の撥水性または撥油性を有する被膜の形成のみならず、例えば、
遮光膜を形成する場合等、メサ構造を有するモールドの凸構造部の側壁面を所望の機能性膜で被覆する場合に同様に生じる問題である。
本発明は、上述のような実状に鑑みてなされたものであり、メサ構造を具備したインプリントモールドであって、凸構造部の側壁面に所望の機能性膜を備えるインプリントモールドの製造方法を提供することを目的とする。
Such a problem is not limited to the formation of the above-mentioned water-repellent or oil-repellent coating,
This is the same problem that occurs when a side wall surface of a convex structure portion of a mold having a mesa structure is covered with a desired functional film, such as when forming a light shielding film.
The present invention has been made in view of the above situation, and is a method for manufacturing an imprint mold having a mesa structure, which is provided with a desired functional film on a sidewall surface of a convex structure portion. The purpose is to provide.
このような目的を達成するために、本発明は、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体と、該凸構造部の上平面に位置する凹凸構造パターンと、を備えるインプリント用モールドの製造方法において、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体の該凸構造部の上平面に硬化性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、所定の平坦面を備える加工基板の該平坦面を前記凸構造部の上平面に近接させて、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、硬化させた前記レジスト層と前記加工基板を引き離す離型工程と、前記レジスト層を被覆するように、前記基体の前記基部および前記凸構造部に機能性膜を形成する成膜工程と、前記レジスト層を除去し、同時に、前記レジスト層を被覆している前記機能性膜を除去する除去工程と、を有し、前記接触工程では、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に展開する前記レジストを、前記凸構造部の上平面の周縁、あるいは、周縁近傍まで到達させ、かつ、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストを、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面に迫り上がらせるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板の平坦面の平面視形状の大きさは、前記凸構造部の上平面の平面視形状の大きさ以下であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板の平坦面の平面視形状と、前記凸構造部の上平面の平面視形状とを重ね合せたときの周縁部の差は1〜5μmの範囲内であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストと、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面との接触角をθ1、前記レジストと、凸構造部の上平面との接触角をθ2としたときに、(θ1−θ2)≦37°の関係が成立するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板は、基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有し、該凸構造部の上平面が前記平坦面であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記液滴供給工程の前に、前記基体の凸構造部の上平面に凹凸構造パターンを形成するパターン形成工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記除去工程の後に、前記基体の凸構造部の上平面に凹凸構造パターンを形成するパターン形成工程を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記成膜工程では、機能性膜として撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜のいずれかを成膜するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記加工基板は、前記平坦面の周縁近傍に溝部を有するような構成とした。
In order to achieve such an object, the present invention provides a base integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion, and a concavo-convex structure pattern located on the upper plane of the convex structure portion. And a droplet of a curable resist on the upper surface of the convex structure portion of a base integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion. And a step of bringing the flat surface of the processed substrate having a predetermined flat surface close to the upper plane of the convex structure section, and A contact step of developing the resist between them to form a resist layer, a curing step of curing the resist layer, a releasing step of separating the cured resist layer and the processed substrate, and a coating of the resist layer. As described above, a film forming step of forming a functional film on the base portion and the convex structure portion of the base, and removing the resist layer, and at the same time, removing the functional film covering the resist layer. In the contacting step, the resist that develops between the upper flat surface of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate is a peripheral edge of the upper flat surface of the convex structure portion, or near the peripheral edge. And the resist protruding from between the upper flat surface of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate is pushed up to the side wall surface located at the periphery of the flat surface of the processed substrate. did.
As another aspect of the present invention, the size of the planar surface shape of the flat surface of the processed substrate is equal to or smaller than the size of the planar surface shape of the upper plane of the convex structure portion.
As another aspect of the present invention, the difference in the peripheral portion when the planar view shape of the flat surface of the processed substrate and the planar view shape of the upper plane of the convex structure portion are overlapped is within a range of 1 to 5 μm. It has a certain structure.
As another aspect of the present invention, the contact angle between the resist protruding from the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate and the side wall surface located on the periphery of the flat surface of the processed substrate is θ1. When the contact angle between the resist and the upper plane of the convex structure portion is θ2, the relationship of (θ1−θ2)≦37° is established.
As another aspect of the present invention, the processed substrate integrally has a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion, and an upper plane of the convex structure portion is the flat surface. It was configured.
As another aspect of the present invention, it is configured to include a pattern forming step of forming a concavo-convex structure pattern on the upper plane of the convex structure portion of the substrate before the droplet supply step.
As another aspect of the present invention, after the removing step, there is provided a pattern forming step of forming an uneven structure pattern on the upper plane of the convex structure portion of the base.
As another aspect of the present invention, in the film forming step, any one of a water repellent film, a hydrophilic film, a light shielding film, and a conductive film is formed as a functional film.
As another aspect of the present invention, the processed substrate has a groove portion in the vicinity of the peripheral edge of the flat surface.
本発明のインプリントモールドの製造方法は、メサ構造を具備するモールドの凸構造部の側壁面であって、凸構造部の上平面側に位置する側壁面の端部まで所望の機能性膜を備えたインプリントモールドの製造が可能となる。 The method for producing an imprint mold of the present invention is a sidewall surface of a convex structure portion of a mold having a mesa structure, and a desired functional film is formed up to the end of the sidewall surface located on the upper plane side of the convex structure portion. It is possible to manufacture the provided imprint mold.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
まず、本発明のインプリントモールドの製造方法で製造するインプリントモールドの一例を説明する。図1は、本発明のインプリントモールドの製造方法で製造するインプリントモールドの一例を示す平面図、図2は図1に示されるインプリントモールドのI−I線における縦断面図、図3は、図2の部分拡大断面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
It should be noted that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the ratio of sizes between members, and the like are not necessarily the same as the actual ones, and the same members and the like may be represented. However, the dimensions and ratios may be different depending on the drawings.
First, an example of the imprint mold manufactured by the method for manufacturing an imprint mold of the present invention will be described. FIG. 1 is a plan view showing an example of an imprint mold manufactured by the method for manufacturing an imprint mold of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view taken along line I-I of the imprint mold shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of FIG. 2.
図1〜図3に示される実施形態において、インプリントモールド11は、基部13と当該基部13の一の面13aから突出する凸構造部14を一体的に有する基体12と、凸構造部14の上平面14aに位置する凹凸構造パターン15と、凸構造部14の側壁面14bと基部13の面13aを被覆するように位置する機能性膜17と、を有している。尚、図1および図2では機能性膜17を省略し、図1では凹凸構造パターン15を省略している。
インプリントモールド11を構成する基体12は、上記のように、基部13の一の面13aから突出する凸構造部14を一体的に有する、いわゆるメサ構造である。凸構造部14の突出高さHは、例えば、3μm〜3mmの範囲で適宜設定することができる。図示例では、凸構造部14の上平面14aの平面視形状は矩形であるが、これに限定されず、円形等、所望の形状であってよく、また、上平面14aの大きさは適宜設定することができる。
In the embodiment shown in FIGS. 1 to 3, the
As described above, the base 12 that constitutes the
基体12の材質は、インプリントモールド11の使用条件に応じて適宜決定することができる。例えば、被転写材料である樹脂組成物等が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を挙げることができる。また、使用する被転写材料が光硬化性ではない場合や、転写基材側から被転写材料を硬化させるための光を照射可能である場合には、インプリントモールド11は光透過性を具備する必要がないので、基体12は光透過性の材料でなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
凹凸構造パターン15は、凸構造部14の上平面14aに形成された凹部15aを有するものである。凹凸構造パターン15のパターン形状、パターン寸法、パターンの種類等は、インプリントモールド11の使用目的に応じて、適宜設定することができる。
The material of the
The concavo-
機能性膜17は、凸構造部14の側壁面14bと基部13の面13aを被覆するように位置している。したがって、凸構造部14の側壁面14bの上端部、すなわち、上平面14a側の端部まで機能性膜17が被覆している。このような機能性膜17は、例えば、撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜等、インプリントモールド11の使用目的に応じて、適宜設定することができる。また、機能性膜17の厚みは、当該機能性膜17が所望の機能を発現できるように、適宜設定することができる。
図4および図5は、本発明のインプリントモールドの製造方法の一実施形態を説明するための工程図であり、図1〜図3に示されるインプリントモールド11を製造する例である。尚、図4および図5では、図3相当の断面を示しているが、この製造方法の実施形態では、凸構造部14の上平面14aへの凹凸構造パターン15の形成は、後述する除去工程の後に行う例としている。したがって、図4および図5において、凸構造部14の上平面14aには、凹凸構造パターン15を構成する凹部15aは存在していない。
本発明のインプリントモールドの製造方法では、液滴供給工程において、基部13と、この基部13の一の面13aから突出する凸構造部14とを一体的に有するメサ構造の基体12に対し、その凸構造部14の上平面14aに硬化性のレジスト21の液滴を供給する(図4(A))。使用する硬化性のレジスト21には特に制限はなく、公知の光硬化性レジスト、熱硬化性のレジストを使用することができる。
The
4 and 5 are process diagrams for explaining one embodiment of the method for manufacturing an imprint mold of the present invention, which is an example of manufacturing the
In the method of manufacturing the imprint mold of the present invention, in the droplet supply step, the
供給するレジスト21の液滴量は、後工程において使用する加工基板と凸構造部14の上平面14aとを近接させた際の間隙の容積、後述する加工基板の側壁面に付着するレジスト量等を考慮して設定することができる。
次に、接触工程において、所定の平坦面34aを備える加工基板32を用いて、平坦面34aを基体12の凸構造部14の上平面14aに近接させて、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間にレジスト21を展開してレジスト層22を形成する(図4(B))。この接触工程では、レジスト21は、基体12の凸構造部14の上平面14aの周縁、あるいは、周縁近傍まで到達し、かつ、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21が、加工基板34の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに迫り上がる。したがって、形成されたレジスト層22の端部22aは、加工基板32の平坦面34aの周縁の側壁面34bに位置している。
図示例では、加工基板32は、基部33と、この基部33の一の面33aから突出する凸構造部34とを一体的に有するメサ構造を有している。そして、凸構造部34の上平面が平坦面34aとなっており、この凸構造部34の側壁面が平坦面34aの周縁の側壁面34bとなっている。この場合、加工基板32の凸構造部34の高さH′は、加工基板34の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに位置するレジスト層22の端部22aの高さよりも大きいものとする。
The amount of droplets of the supplied resist 21 is, for example, the volume of the gap when the processed substrate used in the subsequent process and the
Next, in the contacting step, using the processed
In the illustrated example, the processed
この加工基板32の平坦面34aは、基体12の凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間に展開するレジスト21が、凸構造部14の上平面14aの周縁、あるいは、周縁近傍まで到達し、かつ、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21が加工基板32の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに迫り上がることが可能となる平面視形状を有するものである。図6は、加工基板32の平坦面34aを基体12の凸構造部14の上平面14aに近接させた状態を示す平面図であり、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の周縁部を実線で示し、加工基板32の平坦面34aの平面視形状の周縁部を鎖線で示している。上記の図4(B)に示される例では、加工基板32の平坦面34aの平面視形状の大きさは、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の大きさよりも小さいものである。したがって、図6に示すように、加工基板32を基体12に近接させ、加工基板32の平坦面34aの平面視形状が、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の内側に収まるように重ね合せたときに、形状の大きさの違いによる寸法差Dが周縁部に生じる。この寸法差Dは、加工基板32の平坦面34a、側壁面34bと使用するレジスト21との濡れ性、凸構造部14の上平面14aと使用するレジスト21との濡れ性等を考慮して、図4(B)に示すように、加工基板32の平坦面34aの周縁の側壁面34bにレジスト層22の端部22aが位置することが可能となるように設定する。
The
上記の寸法差Dが小さいと、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間隙から外側にはみ出したレジスト21の余剰分が、凸構造部14の側壁面14bに付着するおそれがあり好ましくない。
一方、加工基板32の平坦面34aの大きさは、レジスト21が、凸構造部14の上平面14aの周縁に向けて展開する範囲を決定するものとなる。例えば、図7に示すように、寸法差Dが大きい場合、加工基板32の平坦面34aの周縁の側壁面34bに位置するレジスト層22の端部22aは、凸構造部14の上平面14aの周縁に達していない状態となる。この状態では、凸構造部14の上平面14aは、その周縁近傍の範囲、例えば、周縁から距離Lの範囲で露出している。この距離Lにより、後述のように形成する機能性膜が凸構造部14の上平面14aに存在する範囲が決定される。このため、製造するインプリントモールドにおいて要求される機能性膜の機能、インプリント適性等を損なわない範囲で距離Lを設定することができる。したがって、寸法差Dの上限は、この距離Lの許容範囲、加工基板32の側壁面34bと使用するレジスト21との濡れ性等を考慮して設定することができる。
When the above-mentioned dimensional difference D is small, the surplus of the resist 21 protruding outside from the gap between the
On the other hand, the size of the
上述した加工基板32の平坦面34aの平面視形状を、凸構造部14の上平面14aの平面視形状の内側に収まるように重ね合せたときの周縁部の寸法差Dは、例えば、0〜10μm、好ましくは1〜5μmの範囲とすることができる。尚、図7に示される例では、正方形の上平面14aと平坦面34aの平面視形状を、正方形の重心が一致するように重ね合せており、4辺方向における寸法差Dが同等となっている。しかし、加工基板32の平坦面34aを基体12の凸構造部14の上平面14aに近接させる際の機械的制御の精度限界により、4辺方向における寸法差Dに微小な違いが生じる場合がある。したがって、上記の周縁部の寸法差Dの設定では、このような機械的制御の精度限界を考慮することが好ましい。
The dimensional difference D of the peripheral portion when the planar shape of the
ここで、図8に示すように、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21について、加工基板34の平坦面34aの周縁に位置する側壁面34bに迫り上がって形成されたレジスト層22の端部22aの上平面14aからの高さをhcとし、凸構造部14の上平面14aに位置するレジスト層22の端部22bの加工基板32の平坦面34a端部からの距離をdとする。そして、この高さhc、距離dを、加工基板32の側壁面34bにおけるレジスト21の接触角θ1、凸構造部14の上平面14aにおけるレジスト21の接触角θ2から、シミュレーションにより求めると、下記の表1〜表3に示すものとなる。尚、シミュレーションは、PHYSICS OF FLUIDS 17, 122104 (2005)を参照し、ここでは、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間隔、すなわち、レジスト層22の厚みtを15nmとして、浸み出したレジストの液面が、凸構造部14の上平面14aから15nm上方であり、かつ、加工基板32の平坦面34a端部から30nm隔たる箇所Pに位置する状態を算出した。尚、浸み出したレジストの液面が、加工基板32の平坦面34a端部から隔たる距離が30nmを超える場合でも、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21が、図8に二点鎖線で示すように、接触角θ1、θ2を保ったまま浸み出すものであるが、詳細は割愛する。
表1、表2、表3は、接触角θ2を、θ2=20°(表1)、θ2=30°(表2)、θ2=40°(表3)でそれぞれ固定し、接触角θ1を10°〜70°間で10°ピッチで設定し、個々のθ1、θ2における高さhc、距離d、およびd/hcを示している。
Here, as shown in FIG. 8, with respect to the resist 21 protruding from between the
In Table 1, Table 2 and Table 3, the contact angle θ2 is fixed at θ2=20° (Table 1), θ2=30° (Table 2) and θ2=40° (Table 3), respectively, and the contact angle θ1 is The height hc, the distance d, and the d/hc at θ1 and θ2 are set by setting the pitch at 10° between 10° and 70°.
表1〜表3に示されるように、接触角θ2が固定されている場合、hcの変化幅は小さく、接触角θ1が大きい程、距離dが大きくなる。
また、図8に示すように、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間隔、すなわち、レジスト層22の厚みtを、15nm、30nm、60nm、90nmでそれぞれ固定し、接触角をθ1=θ2=20°としたときの高さhc、距離dを、同様にシミュレーションにより求めると、下記の表4に示すものとなる。
As shown in Tables 1 to 3, when the contact angle θ2 is fixed, the change width of hc is small, and the larger the contact angle θ1, the larger the distance d.
In addition, as shown in FIG. 8, the distance between the upper
図9は、上記の表1〜表4に示すようにシミュレーションで求めた結果から、接触角差(θ1−θ2)と、はみ出したレジスト21の形状を示すd/hcとの関係を示す図である。図9に示されるように、d/hcは、接触角θ1、θ2で決まるものであり、例えば、使用する材料から、凸構造部14の上平面14aにおけるレジスト21の接触角θ2が決定される場合、加工基板32の側壁面34bにおけるレジスト21の接触角θ1の設定により、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出したレジスト21の形状(d/hc)を制御することができる。レジスト21の形状(d/hc)の制御は、距離dが上記の寸法差D以下となるように行うことができ、例えば、接触角θ1、θ2との間に(θ1−θ2)≦37°、すなわち、0≦d/hc≦2の関係が成立するような条件において制御が容易となる。
上記の加工基板32の材質は、レジスト21が光硬化性であり、加工基板32側から光照射を行う場合には、照射光が透過可能な材料を用いることができ、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を挙げることができる。また、レジスト21が光硬化性ではない場合や、基体12側からレジスト21を硬化させるための光を照射可能である場合には、加工基板32は光透過性を具備する必要がないので、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
FIG. 9 is a diagram showing a relationship between the contact angle difference (θ1−θ2) and d/hc showing the shape of the resist 21 protruding from the results obtained by simulation as shown in Tables 1 to 4 above. is there. As shown in FIG. 9, d/hc is determined by the contact angles θ1 and θ2. For example, the contact angle θ2 of the resist 21 on the
As the material of the above-mentioned processed
次いで、硬化工程において、レジスト層22を硬化させ、その後、離型工程において、硬化させたレジスト層23と加工基板32を引き離して、基体12の凸構造部14上にレジスト層23を位置させた状態とする(図5(A))。
次に、成膜工程において、レジスト層23を被覆するように、基体12の基部13の面13aおよび凸構造部14に機能性膜17を形成する(図5(B))。機能性膜17は、上述のように、製造するインプリントモールドの使用目的に応じたものを形成することができ、例えば、撥水性膜、親水性膜、遮光膜、導電膜等を機能性膜として形成することができる。このような機能性膜17は、使用する成膜材料、厚み等を考慮して、例えば、スプレー法、ディップコート法、スピンコート法等の公知の湿式成膜法、スパッタリング法、真空蒸着法、化学気相成長法、イオンプレーティング法等の公知の乾式成膜法により形成することができる。機能性膜17が撥水性膜である場合、例えば、フッ素系シランカップリング剤の薄膜をディップコート法、スピンコート法、あるいは、化学気相成長法により形成することができる。
Next, in the curing step, the resist
Next, in the film forming step, the
次いで、除去工程において、レジスト層23を除去し、同時に、レジスト層23を被覆している機能性膜17を除去する(図5(C))。これにより、基体12は、凸構造部14の側壁面14bに、凸構造部14の上平面14a側の端部まで機能性膜17を備えたものとなる。
上述のインプリントモールドの製造方法の実施形態では、除去工程の後に、凸構造部14の上平面14aに凹凸構造パターン15を形成することにより、インプリントモールドを得ることができる。また、本発明のインプリントモールドの製造方法では、凸構造部14の上平面14aへの凹凸構造パターン15の形成を、上述の液滴供給工程の前に行ってもよい。
Next, in a removing step, the resist
In the embodiment of the method for manufacturing the imprint mold described above, the imprint mold can be obtained by forming the concavo-
ここで、凸構造部14の上平面14aへの凹凸構造パターン15の形成は、公知のインプリントモールド製造方法における凹凸構造パターンの形成方法を用いて行うことができる。例えば、凸構造部14の上平面14aにクロム等のハードマスク材料層を形成し、このハードマスク材料層上にレジストパターンをフォトリソグラフィ法、インプリントリソグラフィ法、電子線リソグラフィ法等により形成する。次いで、レジストパターンを介してハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成し、その後、このハードマスクを介して凸構造部14をエッチングし、残存するハードマスクを除去することにより、凹凸構造パターン15の形成が完了する。
このような本発明のインプリントモールドの製造方法は、メサ構造を具備するモールドの凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで所望の機能性膜を備えたインプリントモールドの製造が可能となる。
上述の実施形態は例示であり、本発明のインプリントモールドの製造方法は、このような実施形態に限定されるものではない。例えば、図10に示すように、インプリントモールドに使用する基体12は、基部13の凸構造部14の位置する面13aと反対側の面13bに、凹構造部18を有するものであってもよい。この凹構造部18の開口の平面視形状は、凸構造部14の平面視形状を包含する大きさである。また、凹構造部18の開口の平面視形状は円形が好ましいが、これに限定されず、所望の形状とすることができる。
また、加工基板32が、基部33の凸構造部34の位置する面33aと反対側の面に、凹構造部を有するものであってもよい。
Here, the concavo-
Such an imprint mold manufacturing method of the present invention is an imprint in which a desired functional film is provided on a sidewall surface of a convex structure portion of a mold having a mesa structure up to an end portion on the upper plane side of the convex structure portion. It becomes possible to manufacture a mold.
The above-described embodiment is an exemplification, and the method for manufacturing an imprint mold of the present invention is not limited to such an embodiment. For example, as shown in FIG. 10, the base 12 used in the imprint mold may have a
Further, the processed
さらに、加工基板32の平坦面34aは、全域が平坦であってよく、あるいは、所望の位置に溝部等を備えるものであってもよい。通常、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間におけるレジスト21の液滴の展開は、凸構造部14の上平面14aへの液滴の供給部位を中心に進行する。したがって、加工基板32の平坦面34aの周縁へ向かうレジスト21の先端部は、複数の液滴供給部位を中心とした円弧が連続しているような形状となる。このため、平坦面34aの周縁への到達に時差が生じ、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出すレジスト21の量にバラツキが生じるおそれがある。そこで、加工基板32の平坦面34aは、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間におけるレジスト21の展開を均一にするための溝部、凹部を備えるものであってもよい。例えば、平坦面34aは、中央部から周縁に向けて放射状に溝部を有していてもよい。また、平坦面34aは、周縁近傍に、平坦面34aの周縁に沿って微細な溝部35を有していてもよい。図11は、このような加工基板を示す部分断面図であり、図12は、加工基板の平坦面を示す平面図である。図11、図12に示すような加工基板32では、平坦面34aの周縁に沿って溝部35が位置することにより、この溝部35に先に到達したレジスト21は、微細な溝部35内を毛細管力により平坦面34aの周縁に沿って移動し、溝部35に後から到達するレジスト21を合流する。そして、溝部35がレジスト21で充填された後、平坦面34aの周縁に向けてレジスト21が展開するので、平坦面34aの周縁へのレジスト21の到達における時差の発生を抑制することができる。したがって、凸構造部14の上平面14aと加工基板32の平坦面34aとの間からはみ出すレジスト21の量を、加工基板32の平坦面34aの周縁で均一にすることができる。
Furthermore, the entire
[実施例1]
基部(152mm×152mm、厚み6.35mm)と、この基部の一の面の中央から突出する凸構造部(30mm角、高さ30μm)を一体的に有する基体(材質:石英ガラス)を準備した。
また、基部(152mm×152mm、厚み6.35mm)と、この基部の一の面の中央から突出する凸構造部(30mm角、高さ30μm)を一体的に有する加工基板(材質:石英ガラス)を準備した。この加工基板の凸構造部の上平面は平坦面であり、この平坦面と、上記の基体の凸構造部の上平面を重ね合せたとき、加工基板の平坦面の平面視形状の大きさは、基体の凸構造部の上平面の平面視形状の大きさよりも小さく、周縁部に生じる寸法差D(図6参照)は、2μmであった。
上記の基体の凸構造部上に、光硬化性のレジストの液滴をインクジェット方式で供給した。
[Example 1]
A base (material: quartz glass) integrally having a base (152 mm×152 mm, thickness 6.35 mm) and a convex structure (30 mm square, height 30 μm) protruding from the center of one surface of the base was prepared. ..
Further, a processed substrate (material: quartz glass) integrally having a base (152 mm×152 mm, thickness 6.35 mm) and a convex structure (30 mm square, height 30 μm) protruding from the center of one surface of the base. Prepared. The upper plane of the convex structure portion of this processed substrate is a flat surface, and when this flat surface and the upper plane of the convex structure portion of the above-mentioned substrate are superposed, the size of the plan view shape of the flat surface of the processed substrate is The size difference D (see FIG. 6), which is smaller than the size of the plan view shape of the upper plane of the convex structure portion of the base body and is generated in the peripheral portion, was 2 μm.
Droplets of a photocurable resist were supplied onto the convex structure portion of the substrate by an inkjet method.
次に、上記の加工基板の凸構造部の上平面である平坦面を、レジストが供給された基体の凸構造部の上平面に近接させて、基体の凸構造部の上平面と加工基板の平坦面との間にレジストを展開してレジスト層を形成した。この状態の加工基板の凸構造部の周囲を観察したところ、レジスト層は基体の凸構造部の上平面と加工基板の平坦面との間からはみ出していた。このレジスト層は基体の凸構造部の上平面の周縁まで到達しており、上平面との接触角θ2は約20°であり、さらに、レジスト層の端部は、加工基板の平坦面の周縁の側壁面に位置し、側壁面との接触角θ1は約20°であった。また、レジスト層の高さhc、距離d(図8参照)を測定した結果、d/hc≒1であった。
次いで、平行光(ピーク波長が365nmの紫外線)を加工基板側に1000mJ/cm2の条件で照射した。これにより、レジスト層を硬化させた。その後、硬化させたレジスト層と加工基板を引き離して、基体の凸構造部上にレジスト層を位置させた状態とした。
次に、上記のようにレジスト層を形成した基体に、フッ素系シランカップリング剤(ハーベス(株)製 デュラサーフ)をスピンコート法で塗布し乾燥した。これにより、機能性膜として、撥水性膜を形成した。この撥水性膜は、レジスト層を被覆するとともに、基体の基部および凸構造部の側壁面を被覆するものであった。
Next, the flat surface, which is the upper plane of the convex structure section of the processed substrate, is brought close to the upper plane of the convex structure section of the base body to which the resist is supplied, and the upper plane of the convex structure section of the base body and the processed substrate. A resist layer was formed by spreading the resist between the flat surface and the flat surface. When the periphery of the convex structure portion of the processed substrate in this state was observed, the resist layer protruded from between the upper plane of the convex structure portion of the substrate and the flat surface of the processed substrate. The resist layer reaches the peripheral edge of the upper plane of the convex structure of the substrate, the contact angle θ2 with the upper plane is about 20°, and the end portion of the resist layer is the peripheral edge of the flat surface of the processed substrate. And the contact angle θ1 with the side wall surface was about 20°. Further, as a result of measuring the height hc of the resist layer and the distance d (see FIG. 8), d/hc≈1.
Then, parallel light (ultraviolet light having a peak wavelength of 365 nm) was applied to the processed substrate side under the condition of 1000 mJ/cm 2 . Thereby, the resist layer was cured. Then, the cured resist layer and the processed substrate were separated from each other, and the resist layer was placed on the convex structure portion of the substrate.
Next, a fluorine-based silane coupling agent (Durasurf manufactured by Harves Co., Ltd.) was applied to the substrate on which the resist layer was formed as described above by a spin coating method and dried. As a result, a water repellent film was formed as the functional film. This water-repellent film covers not only the resist layer but also the base of the base and the side wall of the convex structure.
次いで、レジスト剥離液を用いてレジスト層を除去した。このレジスト層の除去と同時に、レジスト層を被覆している撥水性膜は除去されたが、基体の基部および凸構造部の側壁面を被覆している撥水性膜は残存した。
このように撥水性膜を形成した基体の基部および凸構造部の側壁面をエネルギー分散型X線分析(Energy Dispersive X-ray spectrometry (EDX))により観察した結果、基体の凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで撥水性膜が存在していることを確認した。
次に、基体の凸構造部の上平面にハードマスク材料層としてクロム薄膜をスパッタリング法で形成し、このクロム薄膜上にレジストパターンをインプリントリソグラフィ法により形成した。次いで、レジストパターンを介してクロム薄膜をエッチングしてハードマスクを形成し、その後、このハードマスクを介して凸構造部をエッチングし、残存するハードマスクを除去した。これにより、凹凸構造パターンを凸構造部の上平面に備えたインプリントモールドを得た。
このインプリントモールドを構成する基体の基部および凸構造部の側壁面を、上記と同様に観察した結果、インプリントモールドの凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで撥水性層が存在していることを確認した。
Then, the resist layer was removed using a resist stripper. Simultaneously with the removal of the resist layer, the water-repellent film covering the resist layer was removed, but the water-repellent film covering the side walls of the base and the convex structure of the substrate remained.
As a result of observing the base surface and the side wall surface of the convex structure portion of the substrate on which the water-repellent film is formed by energy dispersive X-ray spectrometry (EDX), the side wall surface of the convex structure portion of the base body is observed. In addition, it was confirmed that the water-repellent film was present up to the upper planar end of the convex structure.
Next, a chromium thin film was formed as a hard mask material layer on the upper plane of the convex structure portion of the substrate by a sputtering method, and a resist pattern was formed on the chromium thin film by an imprint lithography method. Then, the chromium thin film was etched through the resist pattern to form a hard mask, and then the convex structure portion was etched through this hard mask to remove the remaining hard mask. As a result, an imprint mold provided with the concavo-convex structure pattern on the upper plane of the convex structure portion was obtained.
As a result of observing the base portion of the base body and the side wall surface of the convex structure portion constituting the imprint mold in the same manner as above, the side wall surface of the convex structure portion of the imprint mold is extended to the end of the convex structure portion on the upper plane side. It was confirmed that a water repellent layer was present.
[実施例2]
凸構造部の上平面に予め凹凸構造パターンを形成した基体を使用した他は、実施例1と同様にして、撥水性膜を形成し、これによりインプリントモールドを得た。
このインプリントモールドを構成する基体の基部および凸構造部の側壁面を実施例1と同様に観察した結果、インプリントモールドの凸構造部の側壁面に、凸構造部の上平面側の端部まで撥水性層が存在していることを確認した。
[Example 2]
A water-repellent film was formed in the same manner as in Example 1 except that a substrate having a concavo-convex structure pattern formed in advance on the upper plane of the convex structure portion was used to obtain an imprint mold.
As a result of observing the base and the side wall surface of the convex structure of the imprint mold in the same manner as in Example 1, the side wall of the convex structure of the imprint mold has an end on the upper plane side of the convex structure. It was confirmed that the water repellent layer was present.
[比較例]
実施例1と同様の基体を準備し、この基体の凸構造部に光硬化性のレジストを供給してスピンコート法で塗布し、乾燥した。これにより、基体の凸構造部の上平面、側壁面および基体の基部にレジスト層を形成した。次いで、このレジスト層をパターン露光し、現像することにより、基体の凸構造部上にレジスト層を位置させた状態とした。
次いで、実施例1と同様に、レジスト層を形成した基体に撥水性膜を形成し、その後、レジスト層を除去すると同時に、レジスト層を被覆している撥水性膜を除去した。
このように撥水性膜を形成した基体の基部および凸構造部の側壁面を実施例1と同様に観察した結果、基体の凸構造部の側壁面の上平面側には、上平面の端部から約1μmの幅で、撥水性膜で被覆されずに基体が露出している部位が存在することを確認した。
[Comparative example]
A substrate similar to that of Example 1 was prepared, and a photocurable resist was supplied to the convex structure portion of the substrate to apply it by the spin coating method, and then dried. As a result, a resist layer was formed on the upper plane of the convex structure portion of the base, the side wall surface and the base of the base. Then, this resist layer was pattern-exposed and developed to make the resist layer positioned on the convex structure portion of the substrate.
Then, in the same manner as in Example 1, a water-repellent film was formed on the substrate on which the resist layer was formed, and thereafter, the resist layer was removed and, at the same time, the water-repellent film covering the resist layer was removed.
As a result of observing the base portion of the substrate on which the water-repellent film is formed and the side wall surface of the convex structure portion in the same manner as in Example 1, as a result of the observation of the side wall surface of the convex structure portion of the substrate on the upper plane side, the end portion of the upper plane surface From this, it was confirmed that there is a site where the substrate is exposed without being covered with the water-repellent film in a width of about 1 μm.
いわゆるメサ構造を有するインプリントモールドの製造に有用である。 It is useful for manufacturing an imprint mold having a so-called mesa structure.
11…インプリントモールド
12…基体
13…基部
14…凸構造部
14a…凸構造部の上平面
14b…凸構造部の側壁面
15…凹凸構造パターン
17…機能性膜
18…凹構造部
32…加工基板
34…凸構造部
34a…凸構造部の平坦面
34b…凸構造部の側壁面
DESCRIPTION OF
Claims (9)
基部と該基部の一の面から突出する凸構造部とを一体的に有する基体の該凸構造部の上平面に硬化性のレジストの液滴を供給する液滴供給工程と、
所定の平坦面を備える加工基板の該平坦面を前記凸構造部の上平面に近接させて、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に前記レジストを展開してレジスト層を形成する接触工程と、
前記レジスト層を硬化させる硬化工程と、
硬化させた前記レジスト層と前記加工基板を引き離す離型工程と、
前記レジスト層を被覆するように、前記基体の前記基部および前記凸構造部に機能性膜を形成する成膜工程と、
前記レジスト層を除去し、同時に、前記レジスト層を被覆している前記機能性膜を除去する除去工程と、を有し、
前記接触工程では、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間に展開する前記レジストを、前記凸構造部の上平面の周縁、あるいは、周縁近傍まで到達させ、かつ、前記凸構造部の上平面と前記加工基板の平坦面との間からはみ出したレジストを、前記加工基板の平坦面の周縁に位置する側壁面に迫り上がらせることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。 In a method for manufacturing an imprinting mold, including a base integrally having a base and a convex structure protruding from one surface of the base, and a concavo-convex structure pattern located on an upper plane of the convex,
A droplet supply step of supplying a curable resist droplet to the upper plane of the convex structure portion of a base integrally having a base portion and a convex structure portion protruding from one surface of the base portion;
The flat surface of the processed substrate having a predetermined flat surface is brought close to the upper plane of the convex structure portion, and the resist is developed by developing the resist between the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate. A contacting step to form a layer,
A curing step of curing the resist layer,
A mold release step of separating the cured resist layer and the processed substrate,
A film forming step of forming a functional film on the base portion and the convex structure portion of the substrate so as to cover the resist layer;
A removing step of removing the resist layer and at the same time removing the functional film covering the resist layer,
In the contact step, the resist that develops between the upper plane of the convex structure and the flat surface of the processed substrate is made to reach the periphery of the upper plane of the convex structure, or near the periphery, and A method of manufacturing an imprint mold, characterized in that the resist protruding from between the upper plane of the convex structure portion and the flat surface of the processed substrate is pushed up to the side wall surface located at the periphery of the flat surface of the processed substrate. ..
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