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JP6727763B2 - 画素、それを含む表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

画素、それを含む表示装置及びその駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、画素、それを含む表示装置及びその駆動方法に関する。
特定画素で不良が発生する場合、特定画素は、走査信号及びデータ信号と係わりなく、常に光を発生したり、あるいは黒色に表示される。そのように、常に光が生じる画素は、観察者に明点(または、輝点)として認識され、黒色に表示される画素は、観察者に暗点(または、黒点)として認識される。
画素内回路が複雑になるにつれ、回路不良による明点または暗点を克服し難いという問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、不良画素に対するリペア(repair)を介して、不良画素を正常駆動させることにより、生産収率を高め、品質劣化を改善することができる表示装置を提供することである。
上記課題を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示領域に配置され、発光素子及び駆動部を含む複数の発光画素と、前記表示領域周辺の非表示領域に配置される複数のダミー画素と、前記表示領域及び前記非表示領域に延長されて配置される複数のリペア線と、を含み、前記ダミー画素各々は、第1ダミー駆動部と、第2ダミー駆動部と、を含み、前記複数のリペア線のうちの特定のリペア線が前記複数の発光画素のうちの特定の発光画素の前記発光素子と前記複数のダミー画素のうちの特定のダミー画素に連結された場合、前記特定のダミー画素の前記第1ダミー駆動部は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記特定の発光画素に印加されるデータ信号に対応するデータ信号を印加され、前記特定のリペア線を介して、前記特定の発光画素の発光素子の発光を制御し、前記第2ダミー駆動部は、前記複数のサブフィールドのうち前記特定の発光画素の発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記特定のリペア線をリセット(放電)し、前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極が、第1ダミー走査線に連結され、第1電極が、前記データ信号の反転信号を印加するダミーデータ線に連結され、第2電極が、第2ノードに連結された第3トランジスタと、ゲート電極が、前記第2ノードに連結され、第1電極が、前記第1ダミー駆動部に連結され、第2電極が、第2電源線に連結された第4トランジスタと、を含むことを特徴とする。
また、上記課題を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示領域に配置され、発光素子及び駆動部を含む複数の発光画素と、前記表示領域周辺の非表示領域に配置される複数のダミー画素と、前記表示領域及び前記非表示領域に延長されて配置される複数のリペア線と、を含み、前記ダミー画素各々は、第1ダミー駆動部と、第2ダミー駆動部と、を含み、前記複数のリペア線のうちの特定のリペア線が前記複数の発光画素のうちの特定の発光画素の前記発光素子と前記複数のダミー画素のうちの特定のダミー画素に連結された場合、前記特定のダミー画素の前記第1ダミー駆動部は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記特定の発光画素に印加されるデータ信号に対応するデータ信号を印加され、前記特定のリペア線を介して、前記特定の発光画素の発光素子の発光を制御し、前記第2ダミー駆動部は、前記複数のサブフィールドのうち前記特定の発光画素の発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記特定のリペア線をリセット(放電)し、前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極に制御信号が印加され、第1電極が、前記第1ダミー駆動部に連結され、第2電極にリセット信号が印加される第5トランジスタを含み、前記第5トランジスタの第2電極は、前記第5トランジスタのゲート電極に連結され、前記制御信号を、前記リセット信号として印加されることを特徴とする
前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極に前記制御信号が印加され、第1電極が前記第2トランジスタのゲート電極に連結され、第2電極が前記第2トランジスタの第1電極に連結され、前記第5トランジスタと同時にターンオンされる第6トランジスタをさらに含んでもよい。
前記制御信号は、毎サブフィールドの一部で、前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタをターンオンさせることができる。
また、上記課題を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示領域に配置され、発光素子及び駆動部を含む複数の発光画素と、前記表示領域周辺の非表示領域に配置される複数のダミー画素と、前記表示領域及び前記非表示領域に延長されて配置される複数のリペア線と、を含み、前記ダミー画素各々は、第1ダミー駆動部と、第2ダミー駆動部と、を含み、前記複数のリペア線のうちの特定のリペア線が前記複数の発光画素のうちの特定の発光画素の前記発光素子と前記複数のダミー画素のうちの特定のダミー画素に連結された場合、前記特定のダミー画素の前記第1ダミー駆動部は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記特定の発光画素に印加されるデータ信号に対応するデータ信号を印加され、前記特定のリペア線を介して、前記特定の発光画素の発光素子の発光を制御し、前記第2ダミー駆動部は、前記複数のサブフィールドのうち前記特定の発光画素の発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記特定のリペア線をリセット(放電)し、前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極が第2ダミー走査線に連結され、第1電極がデータ線に連結され、第2電極が第2ノードに連結された第7トランジスタと、ゲート電極が前記第2ノードに連結され、第1電極が前記第1ダミー駆動部に連結され、第2電極が第2電源に連結された第8トランジスタと、前記第8トランジスタのゲート電極と第2電極との間に具備された第2ダミーキャパシタと、を含むことを特徴とする
前記表示装置の前記第1ダミー駆動部は、ゲート電極が第1ダミー走査線に連結され、第1電極がデータ線に連結され、第2電極が第1ノードに連結された第1トランジスタと、ゲート電極が前記第1ノードに連結され、第1電極が第1電源に連結可能なように具備され、第2電極が前記第2ダミー駆動部に連結された第2トランジスタと、第1電極が前記第1ノードに連結され、第2電極が前記第2トランジスタの第1電極に連結された第1ダミーキャパシタと、を含む。
前記第1ダミー走査線に印加される第1走査信号が、前記第2ダミー走査線に印加される第2走査信号に先行または後行し、前記第1走査信号に応答し、前記データ線に前記データ信号が印加され、前記第2走査信号に応答し、前記データ線に前記データ信号の反転信号が印加される。
前記表示装置は、ゲート電極が制御線に連結され、第1電極が第3電源に連結され、第2電極が前記第7トランジスタのゲート電極に連結された第9トランジスタをさらに含んでもよい。
前記第9トランジスタは、前記第2ダミー走査線から走査信号が印加されるとき、前記制御線からテストゲート信号を印加されてターンオンされ、第1期間に、前記第7トランジスタをターンオフさせ、第2期間に、前記第7トランジスタをターンオンさせ、前記第2ノードにおいて、前記第8トランジスタをターンオフさせるレベルの電圧を伝達することができる。
前記表示装置は、ゲート電極が前記制御線に連結され、第1電極が前記第3電源に連結され、第2電極が前記第7トランジスタの第2電極に連結された第10トランジスタをさらに含んでもよい。
前記表示装置は、前記第2ダミー走査線から走査信号が印加されるとき、前記第9トランジスタは、前記制御線からテストゲート信号を印加されてターンオンされ、前記第7トランジスタをターンオフさせ、前記第10トランジスタは、前記制御線から前記テストゲート信号を印加されてターンオンされ、前記第8トランジスタをターンオフさせることができる。
前記表示装置は、前記発光画素の発光素子が前記発光画素の駆動部と分離され、前記発光画素の発光素子と前記ダミー画素とが前記リペア線に連結される。
本発明の実施形態による画素は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに供給されるデータ信号によって、リペア線を介して連結される外部画素の発光時間を調節することにより、前記外部画素に階調を表示させ、前記画素は、第1走査線に連結されたゲート電極、前記データ信号を印加する第1データ線に連結された第1電極、及び第1ノードに連結された第2電極を含む第1トランジスタ;前記第1ノードに連結されたゲート電極、第1電源に連結された第1電極、及び前記リペア線に連結可能な第2電極を含む第2トランジスタ;前記第1ノードに連結された第1電極、及び前記第2トランジスタの第1電極に連結された第1キャパシタ;並びに前記第2トランジスタに連結され、前記リペア線に連結可能な第3トランジスタ;を含んでもよい。
前記画素は、前記第2トランジスタ及び前記第3トランジスタが前記リペア線に連結され、前記外部画素の発光素子と連結される。
前記画素は、前記複数のサブフィールドのうち前記外部画素が非発光であるサブフィールドにおいて、前記第2トランジスタがターンオフされ、前記第3トランジスタがターンオンされ、前記ターンオンされた第3トランジスタを介して、前記リペア線をリセットすることができる。
前記画素は、前記第3トランジスタのゲート電極と、前記データ信号の反転信号が印加される第2データ線との間に具備された第4トランジスタをさらに含み、前記第1トランジスタ及び前記第4トランジスタが同時にターンオンされてもよい。
前記画素は、前記第2トランジスタのゲート電極と前記第1電源との間に具備された第5トランジスタをさらに含み、前記第5トランジスタが前記第3トランジスタと同時にターンオンされ、前記第1ノードにおいて、前記第2トランジスタをターンオフさせるレベルの電圧を伝達し、前記ターンオンされた第3トランジスタを介して、前記リペア線をリセットすることができる。
前記第3トランジスタ及び前記第5トランジスタが毎サブフィールドの一部でターンオンされてもよい。
前記画素は、前記第1データ線と、前記第3トランジスタのゲート電極との間に連結された第6トランジスタ;及び前記第3トランジスタのゲート電極に連結された第1電極と、第2電源に連結された第2電極とを含む第2キャパシタ;をさらに含み、前記第6トランジスタが前記第1トランジスタより先立ってターンオンされるか、あるいは後にターンオンされ、前記第1トランジスタがターンオンされるとき、前記第1データ線に前記データ信号が印加され、前記第6トランジスタがターンオンされるとき、前記第1データ線に前記データ信号の反転信号が印加される。
前記画素は、前記第6トランジスタのゲート電極と、第3電源との間に具備された第7トランジスタをさらに含んでもよい。
前記画素は、前記第3トランジスタのゲート電極と、前記第3電源との間に具備された第8トランジスタをさらに含んでもよい。
本発明の実施形態によるリペア線を介して連結された発光画素とダミー画素とを含む表示装置の駆動方法において、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記ダミー画素に供給されるデータ信号によって、前記ダミー画素が前記リペア線を介して、前記発光画素の発光素子の発光を制御して発光時間を調節することにより、前記発光画素が階調を表示する段階と、前記複数のサブフィールドのうち前記発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記ダミー画素が前記リペア線をリセットする段階と、を含んでもよい。
本発明によれば、不良画素の発生時、容易にリペアすることにより、不良画素を正常駆動させて表示装置の生産収率を高めることができる。
また、リペアされた画素と正常画素との輝度偏差を改善することにより、画面の表示品質にすぐれる表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態による表示装置を概略的に図示したブロック図である。 図1に図示された表示パネルの駆動方法について説明するためのタイミング図である。 図1に図示された表示パネルの駆動方法について説明するためのタイミング図である。 本発明の実施形態による発光画素の構造を示した回路図である。 本発明の実施形態によるダミー画素を概略的に示した図面である。 本発明の実施形態による欠陥画素のリペア方法について説明する図面である。 経時的に正常である発光画素の発光素子に流れるオフ電流と、リペア画素の発光素子に流れるオフ電流とについて説明するための図面である。 本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 図11に図示されたダミー画素の駆動タイミングを示した図面である。 図11に図示されたダミー画素の駆動タイミングを示した図面である。 本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に図示したブロック図である。 本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 図16に図示されたダミー画素のセルテストについて説明するためのタイミング図である。 本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。 図18に図示されたダミー画素のセルテストについて説明するためのタイミング図である。
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に述べられている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態で具現されもする。
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それらについての重複説明は省略する。
以下の実施形態において、第1、第2のような用語は、限定的な意味ではなく、1つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用されている。また、以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴、または構成要素が存在するということを意味することにより、1以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
図1は、本発明の実施形態による表示装置を概略的に図示したブロック図である。
図1を参照すれば、本発明の実施形態による表示装置100Aは、複数の画素を含む表示パネル10A、走査駆動部20、データ駆動部30及び制御部50を含む。
表示パネル10Aは、複数の走査線SL1ないしSLn,DSL、複数のデータ線DL1ないしDLm、及びそれらに連結された複数の発光画素EPと、複数のダミー画素DPとが形成された絶縁基板(以下、「基板」とする)、並びに基板に対向して基板と合着される対向基板を含んでもよい。
走査駆動部20、データ駆動部30及び制御部50は、それぞれ別個の集積回路チップ、または1つの集積回路チップの形態に形成され、表示パネル10Aの基板上に直接装着されるか、軟性印刷回路フィルム(flexible printed circuit film)上に装着されるか、TCP(tape carrier package)の形態で表示パネル10Aの基板に付着されるか、別途の印刷回路基板(printed circuit board)上に装着されるか、あるいは表示パネル10Aの基板上に形成されてもよい。
表示パネル10Aの基板には、表示領域AAと、表示領域AA周辺の非表示領域の一部であるダミー領域DAとが形成されてもよい。
ダミー領域DAは、表示領域AAの上下または左右のうち少なくとも1つの領域に配置されてもよい。それにより、ダミー画素DPは、画素列の上下のうち少なくとも1つの領域に、画素列ごとに1以上形成されるか、あるいは画素行の左右のうち少なくとも1つの領域に、画素行ごとに1以上形成されてもよい。図1の実施形態では、表示領域AAの上下ダミー領域DAの画素列に、ダミー画素DPが形成された例について説明するが、それは、表示領域AAの左右ダミー領域DAの画素行に、ダミー画素DPが形成された場合に同一に適用することができる。
表示領域AAの基板には、複数の走査線SL1ないしSLn、及び複数のデータ線DL1ないしDLmに連結された発光画素EPが複数配列され、ダミー領域DAには、ダミー走査線DSL、及び複数のデータ線DL1ないしDLmに連結された複数のダミー画素DPが配列される。複数の走査線SL1ないしSLnは、第1方向に延長され、複数のデータ線DL1ないしDLmは、第2方向に延長されてもよい。
発光画素EPは、1つの色を表示し、例えば、赤色、青色、緑色、白色のうち1つの色を表示することができる。しかし、本発明の実施形態は、それに限定されるものではなく、赤色、青色、緑色、白色以外の他の色を表示することもできる。
ダミー画素DPは、行方向に列ごとに具備されてもよい。ダミー走査線DSLは、表示領域AAの最後のn番目の走査線SLnの次に配置された少なくとも1本の走査線、及び/または表示領域AAの最初の走査線SL1以前に配置された少なくとも1本の走査線でもある。
表示パネル10Aの基板は、複数のリペア線RL,RL1ないしRLmを具備することができる。リペア線RLは、複数のデータ線DL1ないしDLmと平行に形成されてもよい。リペア線RLは、同一列のダミー画素DP、及び発光画素EPの発光素子と連結可能なように配置されてもよい。
本明細書において、「連結可能である」または「連結可能なように」という用語は、リペア工程において、レーザなどを利用して連結される状態であるということを意味する。例えば、第1部材と第2部材とが連結可能なように配置されるということは、第1部材と第2部材とが実際には連結されていないが、リペア工程において、互いに連結される状態に置かれているということを意味する。互いに「連結可能である」第1部材と第2部材は、重畳領域において、絶縁膜を挟んで、互いに交差するように配置されてもよい。リペア工程において、重畳領域にレーザが照射されれば、重畳領域内の前記絶縁膜が破壊されながら、第1部材と第2部材は、互いに電気的に連結される。
リペア線RLは、発光画素EPが欠陥画素である場合、欠陥画素から分離された発光素子をダミー画素DPと連結し、ダミー画素DPに印加されるダミーデータ信号の論理レベルによって、欠陥画素の発光を制御する経路を提供することができる。
以下、リペア工程によってリペアされた欠陥画素をリペア画素EPrrs(図6)とする。リペア工程は、基板上に、画素回路アレイと発光素子とを完成するセル工程後に遂行されてもよい。
図1では、発光画素EP及びダミー画素DPの右側に、データ線DL、左側に、リペア線RLが配置されているが、本発明は、それに限定されるものではなく、データ線DLとリペア線RLとの位置は互いに変わったり、あるいはいずれも左側に、またはいずれも右側に配置されたりしてもよい。リペア線RLは、各画素列ごとに1本以上形成される。また、リペア線RLは、画素設計によって、走査線SLと平行に形成され、各画素行ごとに1本以上形成されてもよい。
走査駆動部20は、複数の走査線SL1ないしSLn及びダミー走査線DSLを介して、決められたタイミングで、表示パネル10Aに走査信号を生成して供給することができる。
データ駆動部30は、発光画素EPに走査信号が印加されれば、複数のデータ線DL1ないしDLmを介して、表示パネル10Aの複数の発光画素EPそれぞれに、第1論理レベル及び第2論理レベルのうちいずれか1つの論理レベルを有するデータ信号を提供する。第1論理レベル及び第2論理レベルは、それぞれハイレベル及びローレベルでもある。または、第1論理レベル及び第2論理レベルは、それぞれローレベル及びハイレベルでもある。
データ駆動部30は、発光画素EPに対する1フレームの映像データを提供され、発光画素EP別に階調を抽出し、抽出された階調を、既定の一定ビット数のデジタルデータに変換することができる。データ駆動部30は、デジタルデータに含まれるそれぞれのビートを、当該サブフィールドごとに、データ信号として各発光画素EPに提供することができる。1フレームは、複数のサブフィールドで構成され、各サブフィールドは、設定された加重値によって表示持続時間が決定される。
表示装置100Aは、各サブフィールドごとに、データ駆動部30から提供されるデータ信号の論理レベルに基づいて、各発光画素EPに含まれる発光素子を選択的に発光させ、1フレーム内で発光素子の発光時間を調節することによって、階調を表示することができる。各発光画素EPは、ローレベルのデータ信号を受信する場合、当該サブフィールド区間の間、発光素子を発光させ、ハイレベルのデータ信号を受信する場合、当該サブフィールド区間の間、発光素子をターンオフさせることができる。または、各発光画素EPは、ハイレベルのデータ信号を受信する場合、当該サブフィールド区間の間、発光素子を発光させてローレベルのデータ信号を受信する場合、当該サブフィールド区間の間、発光素子をターンオフさせることができる。
図1では、走査駆動部20がダミー画素に走査信号を印加する例を図示しているが、別途のダミー駆動部によって、ダミー画素に走査信号を印加することができる。また、図1では、1つの走査駆動部20を図示しているが、走査駆動部20は、走査線の両側にそれぞれ具備され、走査駆動部20から遠くなるにつれて発生する走査信号の電圧降下を最小化することができる。
データ駆動部30は、ダミー画素DPに走査信号が印加されれば、ダミーデータ信号をダミー画素DPに印加することができる。
データ信号が発光画素EPに直接印加される正常駆動時に、データ駆動部30は、表示領域AAの最初の走査線SL1、または最後の走査線SLnに連結された発光画素EPに印加されたか、あるいは印加されるデータ信号を、ダミーデータ信号として、ダミー画素DPに印加することができる。データ信号が、リペア線RLを介して、ダミー画素DPからリペア画素EPrrsに印加されるリペア駆動時に、データ駆動部30は、リペア画素EPrrsに印加されたか、あるいは印加されるデータ信号をダミーデータ信号として、ダミー画素DPに印加することができる。
制御部50は、走査制御信号、データ制御信号を生成し、走査駆動部20、データ駆動部30にそれぞれ伝達する。それによって走査駆動部20は、定められたタイミングで、各走査線SL1ないしSLn,及びDSLに走査信号を印加し、データ駆動部30は、各発光画素EP及びダミー画素DPにデータ信号を印加する。
図2及び図3は、図1に図示された表示パネルの駆動方法について説明するためのタイミング図である。
図2は、第1走査線SL1ないし第10走査線SL10が制御される例を図示している。図2を参照すれば、1フレームは、5個の第1サブフィールドSFないし第5サブフィールドSF5によって構成され、5個の第1ビットデータないし第5ビットデータによって階調が表示される。1単位時間は、5個の選択時間を含む。各ビットデータの表示持続時間の長さは、3:6:12:21:8であり、5ビットデータの表示持続時間の和は、50(=3+6+12+21+8)選択時間になる。サブフィールドごとに各走査線の選択タイミングは、以前走査線の選択タイミングより1単位時間遅延される。
1回に1本の走査線が選択されるように、1単位時間内の5個の選択時間は、時分割される。例えば、第1単位時間内で、第1選択時間に、第1走査線SL1、第2選択時間に、第7走査線SL7、第3選択時間に、第3走査線SL3、第4選択時間に、第1走査線SL1、第5選択時間に、第10走査線SL10が順に選択され、第1ビットデータ、第4ビットデータ、第5ビットデータ、第2ビットデータ、第3ビットデータがそれぞれの発光画素EPに印加される。
ここで、第10走査線SL10がダミー走査線であり、表示パネル10Aがリペアなしに正常駆動する場合、第10走査線SL10が選択されるタイミングで、各画素列のダミー画素DPには、同一画素列の第1走査線SL1または第9走査線SL9に連結された発光画素EPに印加されたビットデータが印加される。
第10走査線SL10に連結されたダミー画素DPがリペアに使用された場合、第10走査線SL10が選択されるタイミングで、ダミー画素DPには、同一画素列のリペア画素EPrrsに印加されたビットデータが印加される。
図3は、第1走査線SL1ないし第(n+1)走査線SLn+1が制御される例を図示している。図3を参照すれば、1フレームは、複数の第1サブフィールドSF1ないし第XサブフィールドSFXによって構成され、X個の第1ビットデータないし第Xビットデータによって階調が表示される。1単位時間は、X個の選択時間を含む。サブフィールドごとに、各走査線の選択タイミングは、以前走査線の選択タイミングより1単位時間遅延される。1回に1本の走査線が選択されるように、1単位時間内のX個の選択時間が時分割される。
ここで、最後の(n+1)番目の走査線SLn+1がダミー走査線であり、表示パネル10Aがリペアなしに正常駆動する場合、(n+1)番目の走査線SLn+1が選択されるタイミングで、ダミー画素DPには、同一画素列の第1走査線SL1または第n走査線SLnに連結された発光画素EPに印加されたビットデータが印加される。
(n+1)番目の走査線SLn+1に連結されたダミー画素DPがリペアに使用された場合、(n+1)番目の走査線SLn+1が選択されるタイミングで、ダミー画素DPには、同一画素列のリペア画素EPrrsに印加されたビットデータが印加される。
図4は、本発明の実施形態による発光画素の構造を示した回路図である。
図4を参照すれば、発光画素EPは、2個のトランジスタTs,Td、及び1個のキャパシタCstを具備した駆動部PCと、駆動部PCと連結された発光素子EDと、を具備する。駆動部PCと発光素子EDは、分離可能に連結され、リペア工程で互いに分離される。
本明細書で、「分離可能である」または「分離可能なように」という用語は、リペア工程において、レーザなどを利用して分離される状態であるということを意味する。例えば、第1部材と第2部材とが分離可能なように連結されるということは、第1部材と第2部材とが実際には連結されているが、リペア工程において分離される状態に置かれているということを意味する。例えば、分離可能なように連結された第1部材と第2部材は、導電性連結部材を介して、互いに連結されるように配置される。リペア工程において、導電性連結部材にレーザが照射されれば、導電性連結部材は、レーザが照射された部分で切断(cut)され、第1部材と第2部材は、互いに電気的に絶縁される。例示的には、導電性連結部材は、レーザによって溶融されるシリコン層を含んでもよい。他の例によれば、導電性連結部材は、電流によるジュール熱によって溶融されながら切断されもする。
発光素子EDは、第1電極、第1電極に対向する第2電極、第1電極と第2電極との間の発光層を含む有機発光ダイオード(OLED)でもある。第1電極及び第2電極は、それぞれアノード電極及びカソード電極でもある。発光素子EDのアノード電極は、駆動トランジスタTdの第2電極に連結され、カソード電極は、第2電源に連結され、第2電源電圧ELVSSを印加される。発光素子EDのアノード電極は、リペア線RLと、絶縁層を挟んで連結可能なように配置されている。第1電源電圧ELVDDは、所定のハイレベル電圧でもあり、第2電源電圧ELVSSは、第1電源電圧ELVDDより低い電圧や接地電圧でもある。第1電源電圧ELVDDは、駆動トランジスタTdを介して、アノード電極に伝達される。発光素子EDは、アノード電極に第1電源電圧ELVDDが印加されれば発光し、第1電源電圧ELVDDが印加されなければ、発光せずにブラックを表示する。
スイッチング・トランジスタTsは、走査線SLに連結されたゲート電極、データ線DLに連結された第1電極、駆動トランジスタTdのゲート電極に連結された第2電極を含む。スイッチング・トランジスタTsは、ゲート電極に印加される走査信号によってターンオンされれば、データ線DLに印加されるデータ信号を、駆動トランジスタTdのゲート電極に伝達する。
駆動トランジスタTdは、スイッチング・トランジスタTsの第2電極に連結されたゲート電極、第1電源に連結され、第1電源電圧ELVDDを印加される第1電極、発光素子EDのアノード電極に連結された第2電極を含む。駆動トランジスタTdは、ゲート電極に印加されたデータ信号の論理レベルによってターンオンまたはターンオフされ、ターンオンされれば、第1電源電圧ELVDDを、発光素子EDのアノード電極に伝達する。
キャパシタCstは、スイッチング・トランジスタTsの第2電極と、駆動トランジスタTdのゲート電極とに連結された第1電極;及び第1電源に連結され、第1電源電圧ELVDDを印加される第2電極;を含む。
図5は、本発明の実施形態によるダミー画素を概略的に示した図面である。
図5を参照すれば、ダミー画素DPは、ダミー駆動部DPCを含み、ダミー駆動部DPCは、第1ダミー駆動部DPCa及び第2ダミー駆動部DPCbを含む。リペア線RLは、第1ダミー駆動部DPCa及び第2ダミー駆動部DPCbに連結可能なように配置されてもよい。
第1ダミー駆動部DPCaは、リペア工程によってリペア線RLと連結されれば、リペア画素EPrrsに印加されるデータ信号と同一のデータ信号を印加され、データ信号によって、リペア線RLを介して、リペア画素EPrrsの発光素子の発光を制御する回路部である。第1ダミー駆動部DPCaは、発光素子が発光するサブフィールド(以下、「発光サブフィールド」とする)で活性化され、リペア線RLに駆動電流を出力し、第1電源電圧をリペア画素EPrrsの発光素子のアノードに伝達することができる。
第1ダミー駆動部DPCaは、第1トランジスタT1、第2トランジスタT2及び第1キャパシタC1を含んでもよい。
第1トランジスタT1は、ダミー走査線DSLに連結されたゲート電極、データ線DLに連結された第1電極、第1ノードN1に連結された第2電極を含む。
第2トランジスタT2は、第1ノードN1に連結されたゲート電極、第1電源線ELVDDLと、絶縁層を挟んで連結可能である第1電極、第2ダミー駆動部DPCbに連結され、リペア線RLと、絶縁層を挟んで連結可能である第2電極を含む。第2トランジスタT2の第1電極は、発光画素EPが表示する色相によって異なる第1電源電圧を印加する複数の第1電源線ELVDDLと連結可能なように配置されてもよい。
第1キャパシタC1は、第1ノードN1に連結された第1電極と、第2トランジスタT2の第1電極に連結された第2電極と、を含む。第1キャパシタC1は、第1トランジスタT1を介して伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電することができる。
第2ダミー駆動部DPCbは、発光素子が非発光であるサブフィールド(以下、「非発光サブフィールド」とする)で活性化され、リペア線RLをリセット(放電)する回路部である。第2ダミー駆動部DPCbの多様な実施形態については後述する。
図6は、本発明の実施形態による欠陥画素のリペア方法について説明する図面である。
図6を参照すれば、リペア工程によって、欠陥画素(EPerr)の駆動部PCは、発光素子EDと、分離領域で分離される。ここで、分離領域は、リペア工程で分離可能なように連結された部材を分離するために、レーザなどを照射する領域である。例えば、発光素子EDのアノード電極と、駆動トランジスタTdの第2電極とが連結された領域のうち一部にレーザなどを照射し、発光素子EDのアノード電極と駆動トランジスタTdとの連結をカットティングすることによって、駆動部PCと発光素子EDとを分離することができる。分離された発光素子EDは、アノード電極に連結された導電性部材とリペア線RLとの重畳領域にレーザを照射し、リペア線RLと電気的に連結される。
そして、ダミー画素DPの第2トランジスタT2の第1電極は、複数の第1電源線ELVDDLのうち、リペア画素EPrrsが表示する色に対応する第1電源電圧を印加する第1電源線ELVDDLに連結される。例えば、第2トランジスタT2の第1電極と第1電源線ELVDDLとの重畳領域にレーザを照射し、第2トランジスタT2の第1電極と第1電源線ELVDDLとが電気的に連結される。
第2トランジスタT2の第2電極は、リペア線RLと電気的に連結される。例えば、第2トランジスタT2の第2電極、及び第2ダミー駆動部DPCbに連結された導電性配線と、リペア線RLとの重畳領域にレーザを照射し、ダミー駆動部DPCとリペア線RLとが電気的に連結される。
第1トランジスタT1は、各サブフィールドからゲート電極に印加される走査信号によって、ターンオンされれば、データ線DLに供給されるダミーデータ信号を、第1ノードN1に連結された第2トランジスタT2のゲート電極に伝達する。ダミーデータ信号は、リペア画素EPrrsに印加されたデータ信号である。
第2トランジスタT2は、ゲート電極に印加されたデータ信号の論理レベルによって、ターンオンまたはターンオフされ、ターンオンされれば、リペア線RLにデータ信号に対応する駆動電流を出力することができる。それにより、リペア画素EPrrsの発光素子は、ダミー画素DPによって、各サブフィールドにおいて、発光または非発光となり、発光時間が調節されることによって、定められた階調を表示することができる。
図7は、経時的に正常である発光画素の発光素子に流れるオフ電流と、リペア画素の発光素子に流れるオフ電流とについて説明するための図面である。
正常画素の場合、図7の実線で表示されているように、非発光サブフィールド(例えば、SF0、SF2など)で発光素子が迅速にリセットされ、発光素子の電流Iがオフレベルに迅速に達することにより、発光素子がブラックを表示する。
一方、リペア画素の場合、図7の点線で表示されているように、リペア線の寄生キャパシタCrep(図6)によって放電時間が長くなり、非発光サブフィールドにおいて、発光素子とリペア線とが十分にリセット(放電)されなくなる。それにより、非発光サブフィールドにおいて、発光素子の電流Iがオフレベルに達することができなくなり、リペア画素が周辺の正常画素に比べて明るく視認される。そのような現象は、サブフィールドの発光期間(表示持続時間)が短い場合、さらに問題になる。
従って、本発明の実施形態では、非発光サブフィールドにおいて、ダミー画素を利用して、リペア線の放電経路を提供することにより、非発光サブフィールドにおいて、リペア画素の発光素子の電流がオフレベルに迅速に達し、ブラックを表示するようにする。
図8は、本発明の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。
図8を参照すれば、ダミー画素DP1は、第1ダミー駆動部DPC1aと、第2ダミー駆動部DPC1bと、を含んでもよい。第1ダミー駆動部DPC1aは、図5に図示された第1ダミー駆動部DPCaと同一であるので、以下、詳細な説明は省略する。
第2ダミー駆動部DPC1bは、第3トランジスタT3及び第4トランジスタT4を含んでもよい。
第3トランジスタT3は、第2ノードN2に連結されたゲート電極、第2トランジスタT2の第2電極に連結され、リペア線RLに連結可能である第1電極、及びリセット電源線に連結され、リセット電圧Vresetを供給される第2電極を含んでもよい。リセット電圧Vresetは、第2電源電圧ELVSSまたは接地電圧でもある。第3トランジスタT3は、ゲート電極の電圧レベルによって、ターンオンまたはターンオフされる。
第4トランジスタT4は、ダミー走査線DSLに連結されたゲート電極、ダミーデータ線DDLに連結された第1電極、及び第2ノードN2に連結された第2電極を含んでもよい。ダミーデータ線DDLには、データ線DLに印加されるデータ信号の反転信号が印加される。第4トランジスタT4は、ダミー走査線DSLから、ゲート電極に印加される走査信号に応答してターンオンされれば、ダミーデータ線DDLに供給される反転信号を、第2ノードN2に連結された第3トランジスタT3のゲート電極に伝達することにより、第3トランジスタT3のターンオン及びターンオフを制御することができる。
リペア工程によって、ダミー画素DP1が、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結されれば、ダミー画素DP1は、リペア画素EPrrsの駆動を制御することができる。
サブフィールドごとに、ダミー走査線DSLに走査信号が印加されれば、第1トランジスタT1と第4トランジスタT4とが同時にターンオンされる。第1トランジスタT1は、データ線DLに印加されるデータ信号を、第1ノードN1に伝達し、第1キャパシタC1は、データ信号に対応する電圧を充電する。第4トランジスタT4は、ダミーデータ線DLに印加されるデータ信号の反転信号を、第2ノードN2に伝達する。
発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ローレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオンされる。ターンオンされた第2トランジスタT2は、リペア線RLに電流を出力し、リペア画素EPrrsのアノード電極に、第1電源電圧ELVDDを伝達する。そのとき、第3トランジスタT3は、第2ノードN2の反転信号によってターンオフされ、第2ダミー駆動部DPC1bをリペア線RLと遮断することができる。
非発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ハイレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオフされる。そのとき、第3トランジスタT3は、第2ノードN2の反転信号によってターンオンされ、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることができる。
図9は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。
図9を参照すれば、ダミー画素DP2は、第1ダミー駆動部DPC2aと、第2ダミー駆動部DPC2bとを含んでもよい。第1ダミー駆動部DPC2aは、図5に図示された第1ダミー駆動部DPCaと同一であるので、以下、詳細な説明は省略する。
第2ダミー駆動部DPC2bは、第5トランジスタT5を含んでもよい。
第5トランジスタT5は、第1制御端子IN1に連結されたゲート電極、第2トランジスタT2の第2電極に連結され、リペア線RLに連結可能である第1電極、及びリセット電源線に連結され、リセット電圧Vresetを供給される第2電極を含んでもよい。リセット電圧Vresetは、第2電源電圧ELVSSまたは接地電圧でもある。第5トランジスタT5は、第1制御端子IN1に印加される第1制御信号EN_DISによってターンオンまたはターンオフされてもよい。
リペア工程によって、ダミー画素DP2が、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結されれば、ダミー画素DP2は、リペア画素EPrrsの駆動を制御することができる。
サブフィールドごとに、ダミー走査線DSLに走査信号が印加されれば、第1トランジスタT1がターンオンされる。第1トランジスタT1は、データ線DLに印加されるデータ信号を、第1ノードN1に伝達し、第1キャパシタC1は、データ信号に対応する電圧を充電する。
発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ローレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオンされる。ターンオンされた第2トランジスタT2は、リペア線RLに電流を出力し、リペア画素EPrrsのアノード電極に、第1電源電圧ELVDDを伝達する。そのとき、第5トランジスタT5の第1制御端子IN1には、第5トランジスタT5をターンオフさせる第1制御信号EN_DISが印加される。それにより、第5トランジスタT5は、ターンオフされ、第2ダミー駆動部DPC2bをリペア線RLと遮断することができる。
非発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ハイレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオフされる。そのとき、第5トランジスタT5の第1制御端子IN1には、第5トランジスタT5をターンオンさせる第1制御信号EN_DISが印加される。それにより、第5トランジスタT5は、ターンオンされ、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることができる。そして、第1制御信号EN_DISのスルーレート(slew rate)を調節し、リペア線RLの放電時間を調節することができる。
図10は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。
図10を参照すれば、ダミー画素DP3は、第1ダミー駆動部DPC3aと、第2ダミー駆動部DPC3bと、を含んでもよい。第1ダミー駆動部DPC3aは、図5に図示された第1ダミー駆動部DPCaと同一であるので、以下、詳細な説明は省略する。
第2ダミー駆動部DPC3bは、第6トランジスタT6を含んでもよい。
第6トランジスタT6は、第2制御端子IN2に連結されたゲート電極及び第2電極、第2トランジスタT2の第2電極に連結され、リペア線RLに連結可能である第1電極を含んでもよい。第6トランジスタT6は、第2制御端子IN2に印加される第2制御信号GIによって、ターンオンまたはターンオフされてもよい。
リペア工程によって、ダミー画素DP3が、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結されれば、ダミー画素DP3は、リペア画素EPrrsの駆動を制御することができる。
サブフィールドごとに、ダミー走査線DSLに走査信号が印加されれば、第1トランジスタT1がターンオンされる。第1トランジスタT1は、データ線DLに印加されるデータ信号を、第1ノードN1に伝達し、第1キャパシタC1は、データ信号に対応する電圧を充電する。
発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ローレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオンされる。ターンオンされた第2トランジスタT2は、リペア線RLに電流を出力し、リペア画素EPrrsのアノード電極に、第1電源電圧ELVDDを伝達する。そのとき、第6トランジスタT6の第2制御端子IN2には、第6トランジスタT6をターンオフさせる第2制御信号GIが印加される。それにより、第6トランジスタT6は、ターンオフされ、第2ダミー駆動部DPC3bをリペア線RLと遮断することができる。
非発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ハイレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオフされる。そのとき、第6トランジスタT6の第2制御端子IN2には、第6トランジスタT6をターンオンさせる第2制御信号GIが印加される。それにより、第6トランジスタT6は、ターンオンされてダイオード連結され、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることができる。そして、第2制御信号GIのスルーレートを調節し、リペア線RLの放電時間を調節することができる。
図11は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。図12A及び図12Bは、図11に図示されたダミー画素の駆動タイミングを示した図面である。
図11を参照すれば、ダミー画素DP4は、第1ダミー駆動部DPC4aと、第2ダミー駆動部DPC4bとを含んでもよい。第1ダミー駆動部DPC4aの第1トランジスタT1は、ゲート電極が第1ダミー走査線DSL1に連結され、それ以外は、第1ダミー駆動部DPC4aは、図5に図示された第1ダミー駆動部DPCaと同一であるので、以下、詳細な説明は省略する。
第2ダミー駆動部DPC4bは、第7トランジスタT7、第8トランジスタT8及び第2キャパシタC2を含んでもよい。
第7トランジスタT7は、第2ノードN2に連結されたゲート電極、第2トランジスタT2の第2電極に連結され、リペア線RLに連結可能である第1電極、及びリセット電源線に連結され、リセット電圧Vresetを供給される第2電極を含んでもよい。リセット電圧Vresetは、第2電源電圧ELVSSまたは接地電圧でもある。第7トランジスタT7は、ゲート電極の電圧レベルによってターンオンまたはターンオフされる。
第8トランジスタT8は、第2ダミー走査線DSL2に連結されたゲート電極、データ線DLに連結された第1電極、及び第2ノードN2に連結された第2電極を含んでもよい。第2ダミー走査線DSL2は、第1ダミー走査線DSL1の以前走査線または次の走査線でもある。第8トランジスタT8は、第2ダミー走査線DSL2から、ゲート電極に印加される走査信号に応答してターンオンされれば、データ線DLから供給される信号を、第2ノードN2に連結された第7トランジスタT7のゲート電極に伝達することにより、第7トランジスタT7のターンオン及びターンオフを制御することができる。
第2キャパシタC2は、第7トランジスタT7のゲート電極に連結された第1電極及びリセット電源線に連結され、リセット電圧Vresetを供給される第2電極を含んでもよい。
リペア工程によって、ダミー画素DP4が第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結されれば、ダミー画素DP4は、リペア画素EPrrsの駆動を制御することができる。
サブフィールドごとに、第1ダミー走査線DSL1及び第2ダミー走査線DLS2で、第1走査信号と第2走査信号とが順に印加される。第1トランジスタT1は、第1ダミー走査線DSL1に印加される第1走査信号によってターンオンされ、データ線DLから印加されるデータ信号を第1ノードN1に伝達し、第1キャパシタC1は、データ信号に対応する電圧を充電する。第8トランジスタT8は、第2ダミー走査線DSL2に印加される第2走査信号によってターンオンされ、データ線DLから印加されるデータ信号の反転信号を第2ノードN2に伝達し、第2キャパシタC2は、反転信号に対応する電圧を充電する。
第1ダミー走査線DSL1が、第2ダミー走査線DLS2の以前走査線である場合、図12Aに図示されているように、第1ダミー走査線DSL1に印加される第1走査信号が、第2ダミー走査線DSL2に印加される第2走査信号に先行する。第1ダミー走査線DSL1、が第2ダミー走査線DLS2の次の走査線である場合、図12Bに図示されているように、第1ダミー走査線DSL1に印加される第1走査信号が、第2ダミー走査線DSL2に印加される第2走査信号に後行する。第1走査信号に応答し、データ線DLにデータ信号Dが印加され、第2走査信号に応答し、データ線DLにデータ信号の反転信号DBが印加される。
発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ローレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオンされる。ターンオンされた第2トランジスタT2は、リペア線RLに電流を出力し、リペア画素EPrrsのアノード電極に、第1電源電圧ELVDDを伝達する。第7トランジスタT7は、第2ノードN2の反転信号によってターンオフされ、第2ダミー駆動部DPC4bを、リペア線RLと遮断することができる。
非発光サブフィールドにおいて、データ信号は、ハイレベルを有し、第2トランジスタT2は、第1ノードN1のデータ信号によってターンオフされる。第7トランジスタT7は、第2ノードN2の反転信号によってターンオンされ、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることができる。
図13は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。
図13を参照すれば、ダミー画素DP5は、第1ダミー駆動部DPC5aと、第2ダミー駆動部DPC5bとを含んでもよい。図13に図示されたダミー画素DP5は、図9に図示されたダミー画素DP2に比べ、第9キャパシタT9が追加され、第5トランジスタT5のターンオン・タイミングが異なるという点を除いては同一であるので、同一構成の詳細な説明は省略する。
第2ダミー駆動部DPC5bは、第5トランジスタT5及び第9トランジスタT9を含んでもよい。第9トランジスタT9は、第3制御端子IN3に連結されたゲート電極、第2トランジスタT2の第1電極に連結された第1電極、及び第2トランジスタT2のゲート電極に連結された第2電極を含んでもよい。
リペア工程によって、ダミー画素DP5が、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結されれば、ダミー画素DP5は、リペア画素EPrrsの駆動を制御することができる。
第5トランジスタT5と第9トランジスタT9とのゲート電極には、毎サブフィールドの一部、例えば、毎サブフィールドの開始時、または毎サブフィールドの終了前、第5トランジスタT5と第9トランジスタT9とをターンオンさせる第1制御信号EN_DISが印加される。それにより、第9トランジスタT9は、ターンオンされ、第1ノードN1に、第1電源電圧ELVDDを印加し、第2トランジスタT2をターンオフさせる。そして、第5トランジスタT5は、ターンオンされ、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることができる。
図13に図示されたダミー画素DP5は、図9に図示されたダミー画素DP2と類似して、非発光サブフィールドにおいて、第5トランジスタT5と第9トランジスタT9とをターンオンさせる第1制御信号EN_DISが印加され、非発光サブフィールドにおいてのみ、第5トランジスタT5によって、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることもできる。
図14は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。
図14を参照すれば、ダミー画素DP6は、第1ダミー駆動部DPC6aと、第2ダミー駆動部DPC6bとを含んでもよい。図14に図示されたダミー画素DP6は、図10に図示されたダミー画素DP3に比べ、第10キャパシタT10が追加され、第6トランジスタT6のターンオン・タイミングが異なる点を除いては同一であるので、同一構成の詳細な説明は省略する。
第2ダミー駆動部DPC6bは、第6トランジスタT6と、第10トランジスタT10とを含んでもよい。第10トランジスタT10は、第4制御端子IN4に連結されたゲート電極、第2トランジスタT2の第1電極に連結された第1電極、及び第2トランジスタT2のゲート電極に連結された第2電極を含んでもよい。
リペア工程によって、ダミー画素DP6が、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結されれば、ダミー画素DP5は、リペア画素EPrrsの駆動を制御することができる。
第6トランジスタT6と、第10トランジスタT10とのゲート電極には、毎サブフィールドの一部、例えば、毎サブフィールドの開始時または毎サブフィールドの終了前、第6トランジスタT6と、第10トランジスタT10とをターンオンさせる第2制御信号GIが印加される。それにより、第10トランジスタT9は、ターンオンされ、第1ノードN1に、第1電源電圧ELVDDを印加し、第2トランジスタT2をターンオフさせる。そして、第6トランジスタT6は、ターンオンされてダイオード連結され、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることができる。
図14に図示されたダミー画素DP6は、図10に図示されたダミー画素DP3と類似し、非発光サブフィールドにおいて、第6トランジスタT6と第10トランジスタT10とをターンオンさせる第2制御信号GIが印加され、非発光サブフィールドでのみ、第6トランジスタT6によって、リペア線RLの放電経路を提供することによって、リペア線RLをリセットすることもできる。
図15は、本発明の他の実施形態による表示装置を概略的に図示したブロック図である。
図15を参照すれば、本発明の実施形態による表示装置100Bは、複数の画素を含む表示パネル10B、走査駆動部20、データ駆動部30及び制御部50を含む。以下では、図1に図示された表示装置100Aと異なる構成を中心に説明し、同一構成に係わる詳細な説明は省略する。
パネル(セル)工程後、欠陥画素のリペアを行った表示パネル10Bに対して、セルテストを行うことができる。セルテストは、モジュールテスト以前に行われ、パネルに対する点灯テスト、配線不良テスト、漏れ電流テスト及び/またはエイジングなどを含んでもよい。セルテストのために、本発明の実施形態では、表示パネル10Bの基板の非表示領域に、複数の走査線SL1ないしSLn、及び1本以上のダミー走査線DSLにテスト走査信号を印加する複数の第1テストスイッチTSW1、及び複数のデータ線DL1ないしDLmにテストデータ信号を印加する複数の第2テストスイッチTSW2が具備される。
第1テストスイッチTSW1は、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLごとに、個別的に連結されている。第1テストスイッチTSW1のゲート電極は、第1テスト制御線41に連結され、第1電極は、テスト走査信号DC_ONを印加するテスト走査線42に連結され、第2電極は、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLのうち一つに連結されている。
第2テストスイッチTSW2は、複数のデータ線DL1ないしDLmごとに、個別的に連結されている。第2テストスイッチTSW2のゲート電極は、第2テスト制御線43に連結され、第1電極は、テストデータ信号を印加するテストデータ線44,45,46のうち1本に連結され、第2電極は、複数のデータ線DL1ないしDLmのうち1本に連結されている。第2テストスイッチTSW2は、第1テストデータ信号DC_Rを印加する第1テストデータ線44に連結された第2−1テストスイッチTSW21と、第2テストデータ信号DC_Gを印加する第2テストデータ線45に連結された第2−2テストスイッチTSW22と、第3テストデータ信号DC_Bを印加する第3テストデータ線46に連結された第2−3テストスイッチTSW23を含んでもよい。
図15の実施形態では、RGB発光画素に対応する第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G及び第3テストデータ信号DC_Bが印加される例を図示しているが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではなく、RGBW発光画素を具備し、W画素に対応し、第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G及び第3テストデータ信号DC_Bを同時に印加したり、あるいは他の色を表示する発光画素に対応するテストデータ信号を印加する信号線が追加されたりもする。
複数の第1テストスイッチTSW1は、端子P1から、第1テスト制御線41を介して、テスト制御信号DC_GATEが印加されれば、同時にターンオンされ、端子P2から供給されるテスト走査信号DC_ONを、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLで同時に印加する。
複数の第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、端子P1から、第2テスト制御線43を介して、テスト制御信号DC_GATEが印加されれば、同時にターンオンされる。テスト走査信号DC_ONが、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLに印加された状態で、第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、端子P3,P4,P5から順に供給されるテストデータ信号DC_R,DC_G,DC_Bを複数のデータ線DL1ないしDLmに印加する。それにより、表示パネル10Bのセルテストを行うことができる。
図16は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。図17は、図16に図示されたダミー画素のセルテストについて説明するためのタイミング図である。
図16を参照すれば、ダミー画素DP7は、第1ダミー駆動部DPC7a、第2ダミー駆動部DPC7b及びテスト駆動部DPC7tを含んでもよい。
第1ダミー駆動部DPC7aと、第2ダミー駆動部DPC7bは、図11に図示されたダミー画素DP4の第1ダミー駆動部DPC4a、及び第2ダミー駆動部DPC4bと同一であるので、以下、詳細な説明は省略する。
テスト駆動部DPC7tは、第11トランジスタT11及び第12トランジスタT12を含んでもよい。
第11トランジスタT11は、ゲート電極が制御線CLに連結され、第1電極が、制御電圧VGHを供給する第3電源に連結され、第2電極が、第8トランジスタT8のゲート電極に連結される。
第12トランジスタT12は、ゲート電極が、制御線CLに連結され、第1電極が、制御電圧VGHを供給する第3電源に連結され、第2電極が、第7トランジスタT7のゲート電極に連結される。
以下では、ダミー画素DP7が、リペア工程において、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結された場合、セルテストの間、ダミー画素DP7の駆動方法について説明する。
図15及び図17を共に参照すれば、セルテストの間、第1テストスイッチTSW1と、第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、ローレベルのテスト制御信号DC_GATEを印加されてターンオンされる。ターンオンされた第1テストスイッチTSW1は、ローレベルのテスト走査信号DC_ONを、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLに同時に印加する。そして、ターンオンされた第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、ローレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bを、複数のデータ線DL1ないしDLmに順に印加する。
それにより、第1ダミー走査線DSL1に、ローレベルのテスト走査信号DC_ONが印加され、第1トランジスタT1がターンオンされ、データ線DLから供給されるローレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bのうち一つが、第1ノードN1に伝達される。第2トランジスタT2は、テストデータ信号によってターンオンされ、第1電源電圧ELVDDを、リペア線RLを介して連結されたリペア画素EPrrsに伝達する。
一方、第1ダミー走査線DSL1と同時に、第2ダミー走査線DSL2に、ローレベルのテスト走査信号DC_ONが印加される。そのとき、第11トランジスタT11及び第12トランジスタT12のゲート電極に、ローレベルのテスト制御信号DC_GATEが、制御線CLを介して印加される。それにより、第11トランジスタT11と、第12トランジスタT12とがターンオンされる。
ターンオンされた第11トランジスタT11は、ハイレベルの制御電圧VGHを、第8トランジスタT8のゲート電極に印加し、第8トランジスタT8をターンオフさせる。従って、第8トランジスタT8は、第2ダミー走査線DSL2に印加されるローレベルのテスト走査信号DC_ONにかかわらず、ターンオフされる。
そして、ターンオンされた第12トランジスタT12は、ハイレベルの制御電圧VGHを、第7トランジスタT7のゲート電極が連結された第2ノードN2に印加し、第8トランジスタT8がターンオフされ、第2ノードN2が、フローティングである間、第7トランジスタT7をターンオフさせる。それにより、セルテストの間、第2ダミー駆動部DPC7bを動作させず、正常にセルテストが行われる。
図18は、本発明の他の実施形態によるダミー画素を図示した回路図である。図19は、図18に図示されたダミー画素のセルテストについて説明するためのタイミング図である。
図18を参照すれば、ダミー画素DP8は、第1ダミー駆動部DPC8a、第2ダミー駆動部DPC8b及びテスト駆動部DPC8tを含んでもよい。
第1ダミー駆動部DPC8a及び第2ダミー駆動部DPC8bは、図11に図示されたダミー画素DP4の第1ダミー駆動部DPC4a及び第2ダミー駆動部DPC4bと同一であるので、以下、詳細な説明は省略する。テスト駆動部DPC8tは、第12トランジスタT12が除去された点を除いては、図16のテスト駆動部DPC7tと同一であるので、詳細な説明は省略する。
以下では、ダミー画素DP8が、リペア工程において、第1電源線ELVDDLとリペア線RLとに連結された場合、セルテストの間、ダミー画素DP8の駆動方法について説明する。
図15及び図19を共に参照すれば、セルテストの間、第1期間で、第1テストスイッチTSW1と、第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、ローレベルのテスト制御信号DC_GATEを印加されてターンオンされる。ターンオンされた第1テストスイッチTSW1は、ローレベルのテスト走査信号DC_ONを、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLに同時に印加する。そして、ターンオンされた第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、ローレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bを、複数のデータ線DL1ないしDLmに順に印加する。
第1ダミー走査線DSL1に、ローレベルのテスト走査信号DC_ONが印加され、第1トランジスタT1がターンオンされ、データ線DLから供給されるローレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bのうち一つが、第1ノードN1に伝達される。第2トランジスタT2は、テストデータ信号によってターンオンされ、第1電源電圧ELVDDを、リペア線RLを介して連結されたリペア画素EPrrsに伝達する。
一方、第1ダミー走査線DSL1と同時に、第2ダミー走査線DSL2に、ローレベルのテスト走査信号DC_ONが印加される。そのとき、第11トランジスタT11のゲート電極に、制御線CLを介して、ローレベルのテスト制御信号DC_GATEが印加される。それにより、第11トランジスタT11は、ターンオンされ、ハイレベルの制御電圧VGHを、第8トランジスタT8のゲート電極に印加し、第8トランジスタT8をターンオフさせる。従って、第8トランジスタT8は、第2ダミー走査線DSL2に印加されるローレベルのテスト走査信号DC_ONにかかわらず、ターンオフされる。
また、周期的に、第1期間と第2期間との間、第1テストスイッチTSW1と、第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、ローレベルのテスト制御信号DC_GATEを印加されてターンオンされる。ターンオンされた第1テストスイッチTSW1は、ローレベルのテスト走査信号DC_ONを、複数の走査線SL1ないしSLn,DSLに同時に印加する。そして、ターンオンされた第2テストスイッチTSW21,TSW22,TSW23は、ハイレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bを、複数のデータ線DL1ないしDLmに同時に印加する。
第1ダミー走査線DSL1に、ローレベルのテスト走査信号DC_ONが印加され、第1トランジスタT1がターンオンされ、データ線DLから供給されるハイレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bのうち一つが、第1ノードN1に伝達される。それにより、第2トランジスタT2は、ターンオフされる。
そして、第1ダミー走査線DSL1と同時に、第2ダミー走査線DSL2に、ローレベルのテスト走査信号DC_ONが印加される。そのとき、第11トランジスタT11のゲート電極に、ローレベルのテスト制御信号DC_GATEが、制御線CLを介して印加される。それにより、第11トランジスタT11がターンオンされる。
ターンオンされた第11トランジスタT11は、ローレベルの制御電圧VGHを、第8トランジスタT8のゲート電極に印加し、第8トランジスタT8をターンオンさせる。ターンオンされた第8トランジスタT8を介して、データ線DLから供給されるハイレベルの第1テストデータ信号ないしDC_R、第2テストデータ信号DC_G、及び第3テストデータ信号DC_Bのうち一つが、第2ノードN2に印加される。それにより、第7トランジスタT7がターンオフされる。第2期間の導入で、第1期間でフローティングされる第8トランジスタT8によって、第2ノードN2の電位低下を防止することができる。
本発明の実施形態によるダミー画素によって、不良画素がリペアされた表示装置は、低階調での明点発現を防止することができる。また、本発明の実施形態によって、リセット回路を具備したダミー画素のセルテストが可能であり、モジュールテストの全不良を検出することができ、収率をさらに高めることができる。
前述の実施形態において、トランジスタを2以上直列連結し、漏れ電流を減らすように構成することができる。
前述の実施形態では、発光画素とダミー画素とがPタイプトランジスタによって構成された例を図示したが、本発明の実施形態は、それに限定されるものではなく、画素をNタイプトランジスタで構成し、その場合、画素は、Pタイプトランジスタに印加される信号のレベルが反転された信号によって駆動することができる。
本明細書では、本発明について、限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の範囲内で、多様な実施形態が可能である。また、説明されていないにしても、均等な手段も、本発明にそのまま結合することができる。従って、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決められるものである。
本発明の画素、それを含む表示装置及びその駆動方法は、例えば、ディスプレイ関連の技術分野に効果的に適用可能である。
10A,10B 表示パネル
20 走査駆動部
30 データ駆動部
41 第1テスト制御線
42 テスト走査線
43 第2テスト制御線
44 第1テストデータ線
45 第2テストデータ線
46 第3テストデータ線
50 制御部
100A,100B 表示装置

Claims (8)

  1. 表示領域に配置され、発光素子及び駆動部を含む複数の発光画素と、
    前記表示領域周辺の非表示領域に配置される複数のダミー画素と、
    前記表示領域及び前記非表示領域に延長されて配置される複数のリペア線と、を含み、
    前記ダミー画素各々は、第1ダミー駆動部と、第2ダミー駆動部と、を含み、
    前記複数のリペア線のうちの特定のリペア線が前記複数の発光画素のうちの特定の発光画素の前記発光素子と前記複数のダミー画素のうちの特定のダミー画素に連結された場合、
    前記特定のダミー画素の前記第1ダミー駆動部は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記特定の発光画素に印加されるデータ信号に対応するデータ信号を印加され、前記特定のリペア線を介して、前記特定の発光画素の発光素子の発光を制御し、
    前記第2ダミー駆動部は、前記複数のサブフィールドのうち前記特定の発光画素の発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記特定のリペア線をリセット(放電)し、
    前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極が、第1ダミー走査線に連結され、第1電極が、前記データ信号の反転信号を印加するダミーデータ線に連結され、第2電極が、第2ノードに連結された第3トランジスタと、
    ゲート電極が、前記第2ノードに連結され、第1電極が、前記第1ダミー駆動部に連結され、第2電極が、第2電源線に連結された第4トランジスタと、を含むことを特徴とする表示装置。
  2. 表示領域に配置され、発光素子及び駆動部を含む複数の発光画素と、
    前記表示領域周辺の非表示領域に配置される複数のダミー画素と、
    前記表示領域及び前記非表示領域に延長されて配置される複数のリペア線と、を含み、
    前記ダミー画素各々は、第1ダミー駆動部と、第2ダミー駆動部と、を含み、
    前記複数のリペア線のうちの特定のリペア線が前記複数の発光画素のうちの特定の発光画素の前記発光素子と前記複数のダミー画素のうちの特定のダミー画素に連結された場合、
    前記特定のダミー画素の前記第1ダミー駆動部は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記特定の発光画素に印加されるデータ信号に対応するデータ信号を印加され、前記特定のリペア線を介して、前記特定の発光画素の発光素子の発光を制御し、
    前記第2ダミー駆動部は、前記複数のサブフィールドのうち前記特定の発光画素の発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記特定のリペア線をリセット(放電)し、
    前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極に制御信号が印加され、第1電極が、前記第1ダミー駆動部に連結され、第2電極にリセット信号が印加される第5トランジスタを含み、
    前記第5トランジスタの第2電極は、前記第5トランジスタのゲート電極に連結され、前記制御信号を、前記リセット信号として印加されることを特徴とする表示装置
  3. 前記第2ダミー駆動部は、
    ゲート電極に、前記制御信号が印加され、第1電極が、前記第1ダミー駆動部の第2トランジスタのゲート電極に連結され、第2電極が、前記第2トランジスタの第1電極に連結され、前記第5トランジスタと同時にターンオンされる第6トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
  4. 前記制御信号は、毎サブフィールドの一部において、前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタをターンオンさせることを特徴とする請求項3に記載の表示装置。
  5. 表示領域に配置され、発光素子及び駆動部を含む複数の発光画素と、
    前記表示領域周辺の非表示領域に配置される複数のダミー画素と、
    前記表示領域及び前記非表示領域に延長されて配置される複数のリペア線と、を含み、
    前記ダミー画素各々は、第1ダミー駆動部と、第2ダミー駆動部と、を含み、
    前記複数のリペア線のうちの特定のリペア線が前記複数の発光画素のうちの特定の発光画素の前記発光素子と前記複数のダミー画素のうちの特定のダミー画素に連結された場合、
    前記特定のダミー画素の前記第1ダミー駆動部は、1フレームを構成する複数のサブフィールドごとに、前記特定の発光画素に印加されるデータ信号に対応するデータ信号を印加され、前記特定のリペア線を介して、前記特定の発光画素の発光素子の発光を制御し、
    前記第2ダミー駆動部は、前記複数のサブフィールドのうち前記特定の発光画素の発光素子が非発光であるサブフィールドにおいて、前記特定のリペア線をリセット(放電)し、
    前記第2ダミー駆動部は、ゲート電極が第2ダミー走査線に連結され、第1電極がデータ線に連結され、第2電極が第2ノードに連結された第7トランジスタと、
    ゲート電極が前記第2ノードに連結され、第1電極が前記第1ダミー駆動部に連結され、第2電極が第2電源に連結された第8トランジスタと、
    前記第8トランジスタのゲート電極と第2電極との間に具備された第2ダミーキャパシタと、を含むことを特徴とする表示装置
  6. 前記第1ダミー駆動部は、
    ゲート電極が第1ダミー走査線に連結され、第1電極がデータ線に連結され、第2電極が第1ノードに連結された第1トランジスタと、
    ゲート電極が前記第1ノードに連結され、第1電極が第1電源に連結可能なように具備され、第2電極が前記第2ダミー駆動部に連結された第2トランジスタと、
    第1電極が前記第1ノードに連結され、第2電極が前記第2トランジスタの第1電極に連結された第1ダミーキャパシタと、を含むことを特徴とする請求項1、2、5に記載の表示装置。
  7. 前記第1ダミー走査線に印加される第1走査信号が、前記第2ダミー走査線に印加される第2走査信号に先行または後行し、
    前記第1走査信号に応答し、前記データ線に前記データ信号が印加され、前記第2走査信号に応答し、前記データ線に前記データ信号の反転信号が印加されることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
  8. ゲート電極が制御線に連結され、第1電極が第3電源に連結され、第2電極が前記第7トランジスタのゲート電極に連結された第9トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
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