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JP6710149B2 - Substrate processing equipment - Google Patents

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JP6710149B2
JP6710149B2 JP2016226354A JP2016226354A JP6710149B2 JP 6710149 B2 JP6710149 B2 JP 6710149B2 JP 2016226354 A JP2016226354 A JP 2016226354A JP 2016226354 A JP2016226354 A JP 2016226354A JP 6710149 B2 JP6710149 B2 JP 6710149B2
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Description

本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.

複数枚の基板に成膜処理を行うバッチ式の基板処理装置では、複数枚の基板を収容する反応容器と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に対向して反応容器内を排気する排気手段とが設けられている。 In a batch-type substrate processing apparatus that performs a film forming process on a plurality of substrates, a reaction container that accommodates the plurality of substrates, a gas supply unit that supplies gas into the reaction container, and a reaction unit that faces the gas supply unit. An exhaust means for exhausting the inside of the container is provided.

ガス供給手段を1つのラインで構成した場合、ガスの供給圧力が高い反応容器内の下部ほどガスの流量が多くなり、反応容器内でガスの供給にばらつきが生じる傾向がある。そのため、従来の基板処理装置では、ガス供給手段をガスの供給位置が異なる複数のガス供給ラインで構成することにより、反応容器内の上下で供給されるガスの流量が制御できるようになっている。 When the gas supply means is configured by one line, the gas flow rate increases toward the lower part in the reaction container where the gas supply pressure is high, and the gas supply tends to vary within the reaction container. Therefore, in the conventional substrate processing apparatus, by configuring the gas supply means with a plurality of gas supply lines having different gas supply positions, it is possible to control the flow rate of the gas supplied above and below the reaction container. ..

例えば、特開2011−187884号公報(特許文献1)には、複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内にガスを供給する複数本のガスノズルと、反応管内のガスを排気するガス排気口とを備える基板処理装置が開示されている。また、特開2012−15536号公報(特許文献2)には、複数枚の基板を収容して処理する処理室と、処理室内にガスを供給する複数のガス供給ラインと、処理室内に供給されたガスを排気する排気ラインとを備える基板処理装置が開示されている。 For example, in Japanese Patent Laid-Open No. 2011-187884 (Patent Document 1), a reaction tube for accommodating and processing a plurality of substrates, a plurality of gas nozzles for supplying gas into the reaction tube, and exhaust of gas in the reaction tube. There is disclosed a substrate processing apparatus including a gas exhaust port. Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2012-15536 (Patent Document 2), a processing chamber that accommodates and processes a plurality of substrates, a plurality of gas supply lines that supply gas into the processing chamber, and a processing chamber are provided. And a gas exhaust line for exhausting the gas.

特開2011−187884号公報JP, 2011-187884, A 特開2012−15536号公報JP 2012-15536 A

しかしながら、特許文献1、2に記載された基板処理装置では、複数のガス供給ラインが設けられたガス供給領域と、該ガス供給領域に対向する排気口が設けられた排気領域との位置関係が反応容器内の上下で異なっている。そのため、基板間で各基板に供給されるガス濃度の分布に偏りが生じ、基板の面内および面間で成膜される膜厚が不均一になることが問題となっている。 However, in the substrate processing apparatus described in Patent Documents 1 and 2, the positional relationship between the gas supply region in which a plurality of gas supply lines are provided and the exhaust region in which an exhaust port facing the gas supply region is provided is Upper and lower inside the reaction vessel are different. Therefore, there is a problem in that the distribution of the concentration of the gas supplied to each substrate is unevenly distributed between the substrates, and the film thicknesses formed within and between the substrates become uneven.

そこで、本発明の目的は、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる基板処理装置を提供することにある。 Therefore, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of suppressing the deviation of the concentration distribution of the supply gas within and between the surfaces of the substrate.

上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、複数の基板を収容可能に設けられ、該複数の基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、前記処理容器の周方向に並びかつ前記処理容器の長手方向に延び、前記処理容器内にガスを供給する複数のガスノズルと、前記処理容器内の前記複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有し、前記ガスノズルは、前記処理容器の周方向に並ぶノズル基部と、前記ノズル基部に接続して前記処理容器内にガスを供給するガス供給部とを有し、前記複数のガスノズルは、前記処理容器内で最も下方に位置する第1のガス供給部を有する第1のガスノズルと、前記第1のガス供給部よりも上方に位置する第2のガス供給部を有する第2のガスノズルとを有し、前記第1のガス供給部と前記第2のガス供給部とが、前記処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように、前記第2のガスノズルが形成されており、前記ガス供給部を係止するガイド機構を有し、前記ガイド機構は、上下方向に並ぶ前記ガス供給部を連結する構造を有するIn order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to an aspect of the present invention is provided so as to accommodate a plurality of substrates, a processing container that processes the plurality of substrates, and the processing container that is provided in the processing container. A plurality of gas nozzles arranged in a circumferential direction of the container and extending in a longitudinal direction of the processing container, the plurality of gas nozzles supplying gas into the processing container, and the plurality of gas nozzles in the processing container facing each other; An exhaust unit for exhausting the gas inside, the gas nozzle, a nozzle base portion arranged in the circumferential direction of the processing container, and a gas supply unit connected to the nozzle base portion to supply gas into the processing container. A plurality of gas nozzles, a first gas nozzle having a first gas supply unit located at a lowermost position in the processing container, and a second gas located above the first gas supply unit. A second gas nozzle having a supply part, wherein the first gas supply part and the second gas supply part are arranged so as to be aligned in the longitudinal direction of the processing container. Gas nozzle is formed and has a guide mechanism that locks the gas supply unit, and the guide mechanism has a structure that connects the gas supply units arranged in the vertical direction .

本発明の一態様によれば、面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas between the surfaces.

本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 図1の基板処理装置のガスノズルの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the gas nozzle of the substrate processing apparatus of FIG. 図2のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 図2のB−B線断面図である。It is the BB sectional view taken on the line of FIG. 図2のC−C線断面図である。It is CC sectional view taken on the line of FIG. 実施形態に係る基板処理装置のガスノズルの他の一例(変形例1)を示す図である。It is a figure which shows another example (modification 1) of the gas nozzle of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る基板処理装置のガスノズルの他の一例(変形例2)を示す図である。It is a figure which shows another example (modification 2) of the gas nozzle of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 実施形態に係る基板処理装置のガイドの一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the guide of the substrate processing device concerning an embodiment. 実施形態に係る基板処理装置のガイドの他の一例を示す図である。It is a figure which shows another example of the guide of the substrate processing apparatus which concerns on embodiment. 従来の基板処理装置のガスノズルを示す図である。It is a figure which shows the gas nozzle of the conventional substrate processing apparatus. 図10のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 図10のB−B線断面図である。FIG. 11 is a sectional view taken along line BB of FIG. 10. 図10のC−C線断面図である。It is CC sectional view taken on the line of FIG. (A)は図11におけるガス濃度分布を示す図であり、(B)は図12におけるガス濃度分布であり、(C)は図13におけるガス濃度分布を示す図である。(A) is a diagram showing the gas concentration distribution in FIG. 11, (B) is a gas concentration distribution in FIG. 12, and (C) is a diagram showing the gas concentration distribution in FIG. 13.

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、共通する構成については、同一符号を付して説明を省略する場合がある。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each drawing, a common configuration may be denoted by the same reference numeral, and description thereof may be omitted.

図1は、実施形態に係る基板処理装置の概略図である。図2は、図1の基板処理装置のガスノズルの一例を示す図である。図3は、図2のA−A線断面図であり、図4は、図2のB−B線断面図であり、図5は、図2のC−C線断面図である。 FIG. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a diagram showing an example of a gas nozzle of the substrate processing apparatus of FIG. 3 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 2, FIG. 4 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 2, and FIG. 5 is a sectional view taken along the line CC of FIG.

図1に示されるように、基板処理装置1は、基板である半導体ウエハ(以下「ウエハW」という)を収容する処理容器34と、処理容器34の下端の開口部側を気密に塞ぐ蓋部36と、複数枚のウエハWを所定の間隔で保持して処理容器34内に収容される基板保持具38と、処理容器34内へ所定のガスを導入するガス供給手段40と、処理容器34内のガスを排気する排気手段41と、ウエハWを加熱する加熱手段42とを有している。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a processing container 34 that accommodates a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer W”) that is a substrate, and a lid portion that hermetically closes the opening side of the lower end of the processing container 34. 36, a substrate holder 38 that holds a plurality of wafers W at predetermined intervals and is accommodated in the processing container 34, a gas supply unit 40 that introduces a predetermined gas into the processing container 34, and the processing container 34. It has an exhaust unit 41 for exhausting the gas therein and a heating unit 42 for heating the wafer W.

半導体ウエハには、シリコン基板やGaAs、SiC、GaN等の化合物半導体基板が含まれる。また、これらの半導体基板に限定されず、液晶表示装置に用いられるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。 The semiconductor wafer includes a silicon substrate and a compound semiconductor substrate such as GaAs, SiC and GaN. Further, the present invention is not limited to these semiconductor substrates, and the present invention can be applied to glass substrates, ceramic substrates, and the like used in liquid crystal display devices.

処理容器34は、下端部が開放された有天井の円筒形状の内管44と、下端部が開放されて内管44の外側を覆う有天井の円筒形状の外管46とを有する。内管44及び外管46は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて二重管構造となっている。 The processing container 34 has a cylindrical inner tube 44 with a ceiling whose lower end is opened and an outer cylindrical tube 46 with a ceiling whose lower end is open and covers the outside of the inner tube 44. The inner tube 44 and the outer tube 46 are made of a heat resistant material such as quartz and are coaxially arranged to have a double tube structure.

内管44の天井部は、例えば平坦になっている。内管44の一側には、その長手方向(上下方向)に沿ってガスノズルを収容するノズル収容部48が形成されている。この実施形態では、図3〜図5に示されるように、内管44の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部50を形成し、凸部50内をノズル収容部48として形成している。 The ceiling portion of the inner pipe 44 is, for example, flat. A nozzle accommodating portion 48 accommodating a gas nozzle is formed on one side of the inner tube 44 along the longitudinal direction (vertical direction) thereof. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 to 5, a part of the side wall of the inner pipe 44 is projected outward to form the convex portion 50, and the inside of the convex portion 50 is formed as the nozzle housing portion 48. doing.

また、ノズル収容部48に対向させて内管44の反対側の側壁には、図3〜図5に示されるように、その長手方向(上下方向)に沿って矩形状の開口部52が形成されている。 Further, as shown in FIGS. 3 to 5, a rectangular opening 52 is formed along the longitudinal direction (vertical direction) of the side wall of the inner tube 44 opposite to the nozzle housing portion 48. Has been done.

開口部52は、内管44内のガスを排気できるように形成されたガス排気口であり、本発明における排気部の一例である。開口部52の長さは、基板保持具38の長さと同じであるか、または、基板保持具38の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。即ち、開口部52の上端は、基板保持具38の上端に対応する位置以上の高さに延びて配置され、開口部52の下端は、基板保持具38の下端に対応する位置以下の高さに延びて配置されている。 The opening 52 is a gas exhaust port formed so that the gas in the inner pipe 44 can be exhausted, and is an example of the exhaust unit in the present invention. The length of the opening 52 is the same as the length of the substrate holder 38, or is longer than the length of the substrate holder 38 so as to extend in the vertical direction. That is, the upper end of the opening 52 is arranged so as to extend at a height higher than the position corresponding to the upper end of the substrate holder 38, and the lower end of the opening 52 is lower than the position corresponding to the lower end of the substrate holder 38. It is extended and arranged.

なお、この例では、本発明における排気部は、処理容器34の内管44の、後述するガスノズルと対向する位置に設けられた開口部52(ガス排気口)として構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、処理容器34の内管44の内側の、後述するガスノズルと対向する位置に図示しない遠心ファンを設け、さらに内管44の天井部に図示しない開口部を設けることにより、各ガス孔76A〜81Aから遠心ファンに向かって水平方向にガスを放出し、遠心ファンから内管44の天井部に設けられた開口部に向かって排気されるガスを流す構成にしてもよい。 In addition, in this example, the exhaust portion in the present invention is configured as an opening portion 52 (gas exhaust port) provided at a position facing the gas nozzle described later in the inner pipe 44 of the processing container 34. It is not limited to. For example, by providing a centrifugal fan (not shown) inside the inner tube 44 of the processing container 34 at a position facing a gas nozzle described later, and further providing an opening (not shown) at the ceiling of the inner tube 44, each gas hole 76A to The gas may be discharged horizontally from 81A toward the centrifugal fan, and the exhausted gas may flow from the centrifugal fan toward the opening provided in the ceiling portion of the inner tube 44.

処理容器34の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド54によって支持されている。マニホールド54の上端部にはフランジ部56が形成されており、フランジ部56上に外管46の下端部を設置して支持するようになっている。フランジ部56と外管46との下端部との間にはOリング等の図示しないシール部材を介在させて外管46内を気密状態にしている。 The lower end of the processing container 34 is supported by a cylindrical manifold 54 formed of, for example, stainless steel. A flange portion 56 is formed on the upper end portion of the manifold 54, and the lower end portion of the outer pipe 46 is installed and supported on the flange portion 56. An unillustrated sealing member such as an O-ring is interposed between the flange 56 and the lower end of the outer tube 46 to keep the outer tube 46 airtight.

マニホールド54の上部の内壁には、リング状の支持部60が設けられており、図示しない支持部上に内管44の下端部を設置してこれを支持するようになっている。マニホールド54の下端の開口部には、蓋部36がOリング等の図示しないシール部材を介して気密に取り付けられており、処理容器34の下端の開口部側、即ち、マニホールド54の開口部を気密に塞ぐようになっている。蓋部36は、例えばステンレス鋼により形成される。 A ring-shaped support portion 60 is provided on the inner wall of the upper portion of the manifold 54, and the lower end portion of the inner pipe 44 is installed on the support portion (not shown) to support it. A lid 36 is airtightly attached to the opening at the lower end of the manifold 54 via a seal member (not shown) such as an O-ring. It is designed to be airtightly closed. The lid 36 is made of, for example, stainless steel.

蓋部36の中央部には、磁性流体シール部64を介して回転軸66が貫通させて設けられている。回転軸66の下部は、ボートエレベータよりなる昇降手段68のアーム68Aに回転自在に支持されており、図示しないモータ69によって回転されるようになっている。 A rotary shaft 66 is provided at a central portion of the lid portion 36 so as to penetrate through the magnetic fluid seal portion 64. A lower portion of the rotary shaft 66 is rotatably supported by an arm 68A of an elevating means 68 including a boat elevator, and is rotated by a motor 69 (not shown).

回転軸66の上端には回転プレート70が設けられており、回転プレート70上に石英製の保温台72を介してウエハWを保持する基板保持具38が載置されるようになっている。従って、昇降手段68を昇降させることによって蓋部36と基板保持具38とは一体的に上下動し、基板保持具38を処理容器34内に対して挿脱できるようになっている。 A rotary plate 70 is provided on the upper end of the rotary shaft 66, and the substrate holder 38 for holding the wafer W is placed on the rotary plate 70 via a quartz heat insulating base 72. Therefore, the lid 36 and the substrate holder 38 are integrally moved up and down by raising and lowering the raising and lowering means 68, so that the substrate holder 38 can be inserted into and removed from the processing container 34.

ガス供給手段40は、マニホールド54に設けられており、内管44内へ処理ガス、パージガス等のガスを導入する。ガス供給手段40は、複数本(例えば6本)の石英製のガスノズル76〜81を有している。各ガスノズル76〜81は、内管44内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端部がL字状に屈曲されてマニホールド54を貫通するようにして支持されている。 The gas supply means 40 is provided in the manifold 54 and introduces a gas such as a processing gas and a purge gas into the inner pipe 44. The gas supply unit 40 has a plurality of (for example, six) quartz gas nozzles 76 to 81. Each of the gas nozzles 76 to 81 is provided in the inner pipe 44 along the longitudinal direction thereof, and has its base end portion bent in an L-shape and supported so as to pass through the manifold 54.

ガスノズル76〜81は、図3〜図5に示されるように、内管44のノズル収容部48内に周方向に沿って一列になるように設置されている。各ガスノズル76〜81には、その長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔76A〜81Aが形成されており、各ガス孔76A〜81Aより水平方向に向けて各ガスを放出できるようになっている。所定の間隔は、例えば基板保持具38に支持されるウエハWの間隔と同じになるように設定される。 As shown in FIGS. 3 to 5, the gas nozzles 76 to 81 are installed in a row in the nozzle housing portion 48 of the inner pipe 44 along the circumferential direction. Each of the gas nozzles 76 to 81 is formed with a plurality of gas holes 76A to 81A at predetermined intervals along the longitudinal direction thereof so that each of the gas holes 76A to 81A can discharge each gas in the horizontal direction. Is becoming The predetermined interval is set to be the same as the interval between the wafers W supported by the substrate holder 38, for example.

また、高さ方向の位置は、各ガス孔76A〜81Aが上下方向に隣り合うウエハW間の中間に位置するように設定されており、各ガスをウエハW間の空間部に効率的に供給できるようになっている。 Further, the position in the height direction is set so that the gas holes 76A to 81A are located in the middle between the vertically adjacent wafers W, and each gas is efficiently supplied to the space between the wafers W. You can do it.

ガスの種類としては、原料ガス、酸化ガス及びパージガスが用いられ、各ガスを流量制御しながら必要に応じて各ガスノズル76〜81を介して供給できるようになっている。原料ガスとしてシリコン含有ガスを用い、酸化ガスとしてオゾン(O)ガスを用い、パージガスとして窒素(N)ガスを用い、原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法によりシリコン酸化膜を形成できるようになっている。なお、用いるガスの種類は成膜する膜の種類に応じて適宜選択することができる。ALD法を用いる場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、例えばCVD法を用いる場合にも本発明を適用することができる。 A raw material gas, an oxidizing gas, and a purge gas are used as the kinds of gas, and the gas can be supplied through the gas nozzles 76 to 81 as needed while controlling the flow rate of each gas. A silicon oxide film can be formed by an atomic layer deposition (ALD) method using a silicon-containing gas as a source gas, ozone (O 3 ) gas as an oxidizing gas, and nitrogen (N 2 ) gas as a purge gas. It is like this. The type of gas used can be appropriately selected according to the type of film to be formed. Although the case of using the ALD method has been described as an example, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to the case of using the CVD method, for example.

また、本実施形態では、プラズマを用いない成膜処理が行われるが、これに限定されるものではなく、プラズマを用いた成膜処理を行う場合にも本発明を適用することができる。この場合には、例えばノズル収容部48を区画する凸部50の区画壁の外側に、その長手方向に沿ってプラズマ発生用の高周波電力を印加する電力板を設けてプラズマを発生させるようにする。 Further, in the present embodiment, the film forming process is performed without using plasma, but the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to the case where the film forming process using plasma is performed. In this case, for example, a power plate for applying high-frequency power for plasma generation is provided outside the partition wall of the convex portion 50 partitioning the nozzle housing portion 48 along the longitudinal direction to generate plasma. ..

支持部60の上方には、マニホールド54の上部の側壁に形成されたガス出口82が設けられている。ガス出口82は、内管44と外管46との間の空間部84を介して開口部52より排出される内管44内のガスを排気できるように構成されている。ガス出口82には、排気手段41が設けられる。排気手段41は、ガス出口82に接続された排気通路86を有しており、排気通路86には、圧力調整弁88及び真空ポンプ90が順次介設されて、処理容器34内を真空引きできるようになっている。 Above the support portion 60, a gas outlet 82 formed on the sidewall of the upper portion of the manifold 54 is provided. The gas outlet 82 is configured to exhaust the gas in the inner pipe 44 discharged from the opening 52 via the space 84 between the inner pipe 44 and the outer pipe 46. The gas outlet 82 is provided with the exhaust means 41. The exhaust unit 41 has an exhaust passage 86 connected to the gas outlet 82, and a pressure adjusting valve 88 and a vacuum pump 90 are sequentially provided in the exhaust passage 86 to evacuate the inside of the processing container 34. It is like this.

外管46の外周側には、外管46を覆うように円筒形状の加熱手段42が設けられており、ウエハWを加熱するようになっている。 A cylindrical heating means 42 is provided on the outer peripheral side of the outer tube 46 so as to cover the outer tube 46, and heats the wafer W.

なお、基板処理装置1の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる制御手段110により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体112に記憶されている。記憶媒体112は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、DVD等よりなる。 The overall operation of the substrate processing apparatus 1 is controlled by the control means 110 including, for example, a computer, and the computer program for performing this operation is stored in the storage medium 112. The storage medium 112 is, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a flash memory, a DVD, or the like.

本実施形態では、図2示すように、ガスノズル76〜81は、ノズル基部76B〜81Bとガス供給部76C〜81Cとを有する。ノズル基部76B〜81Bは、処理容器34の周方向に並んで配置されている。ノズル基部76B〜81Bの内部は、処理容器34内に供給されるガスが通過する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the gas nozzles 76 to 81 have nozzle base portions 76B to 81B and gas supply portions 76C to 81C. The nozzle bases 76B to 81B are arranged side by side in the circumferential direction of the processing container 34. The gas supplied into the processing container 34 passes through the inside of the nozzle bases 76B to 81B.

ガス供給部76C〜81Cは、ノズル基部76B〜81Bに一体に接続され、処理容器内にガスを供給する。ガス供給部76C〜81Cには、処理容器34内にガスを供給するガス孔76A〜81Aが設けられている。ガス孔76A〜81Aは、ガス供給部76C〜81Cに複数(例えば図2では5個)の孔で形成されている。このような複数のガス孔を設けることにより、処理容器34内にガスを均一に供給することができる。なお、本実施形態では、1つのガスノズルに複数のガス孔が設けられているが、ガス孔を構成する孔の数は、複数に限定されるものではなく、処理容器34内にガスを供給できる限り、1つのガスノズルに1つの孔で形成されていてもよい。 The gas supply units 76C to 81C are integrally connected to the nozzle bases 76B to 81B and supply gas into the processing container. The gas supply portions 76C to 81C are provided with gas holes 76A to 81A for supplying gas into the processing container 34. The gas holes 76A to 81A are formed in the gas supply portions 76C to 81C by a plurality of holes (for example, five holes in FIG. 2). By providing such a plurality of gas holes, the gas can be uniformly supplied into the processing container 34. In the present embodiment, one gas nozzle is provided with a plurality of gas holes, but the number of holes forming the gas holes is not limited to a plurality, and gas can be supplied into the processing container 34. As long as it is possible, one gas nozzle may be formed with one hole.

ガスノズル76〜81のうち、ガスノズル76、77は、ガス供給部76C、77Cが処理容器34内で最も下方に配置されている。また、ガスノズル78、79は、ガス供給部78C、79Cがガスノズル76、77のガス供給部76C、77Cの上方に配置されている。さらに、ガスノズル80、81は、ガス供給部80C、81Cがガスノズル78、79のガス供給部78C、79Cの上方に配置されている。 Among the gas nozzles 76 to 81, the gas nozzles 76 and 77 are arranged such that the gas supply portions 76C and 77C are arranged at the lowest position in the processing container 34. Further, in the gas nozzles 78 and 79, the gas supply portions 78C and 79C are arranged above the gas supply portions 76C and 77C of the gas nozzles 76 and 77. Further, in the gas nozzles 80 and 81, the gas supply units 80C and 81C are arranged above the gas supply units 78C and 79C of the gas nozzles 78 and 79.

そして、ガス供給部76C、78C、80Cは、図2〜図5に示されるように、処理容器34の長手方向(鉛直方向)に一直線上に並んで配置されている。また、ガス供給部77C、79C、81Cは、処理容器34の長手方向(鉛直方向)に一直線上に配置されている。 The gas supply units 76C, 78C, and 80C are arranged in a line in the longitudinal direction (vertical direction) of the processing container 34, as shown in FIGS. The gas supply units 77C, 79C, 81C are arranged in a straight line in the longitudinal direction (vertical direction) of the processing container 34.

このような構成では、ガスノズル76、78、80のガス供給部76C、78C、80Cは、処理容器34内の下層、中層、上層に亘って一列に並んで配置されるため、同一ラインで構成したものと同じ構成になる。また、ガスノズル77、79、81のガス供給部77C、79C、81Cも、処理容器34内の下層、中層、上層に亘って一列に並んで配置され、同一ラインで構成されたものと同じ構成になる。 In such a configuration, the gas supply portions 76C, 78C, 80C of the gas nozzles 76, 78, 80 are arranged in a line over the lower layer, the middle layer, and the upper layer in the processing container 34, and thus are configured in the same line. It has the same structure as the one. Further, the gas supply units 77C, 79C, 81C of the gas nozzles 77, 79, 81 are also arranged in a line over the lower layer, the middle layer, and the upper layer in the processing container 34, and have the same configuration as that configured in the same line. Become.

この構成により、ガスを供給するガス供給領域と、該領域に対向して設けられたガスを排気する排気領域とを処理容器34内の上下で同じ位置関係にすることができる。そのため、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる。その結果、基板の面内および面間で成膜される膜厚を均一にすることができる。 With this configuration, the gas supply region for supplying the gas and the exhaust region for exhausting the gas, which is provided to face the region, can have the same positional relationship in the upper and lower parts of the processing container 34. Therefore, it is possible to suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas between the surfaces of the substrate. As a result, it is possible to make the film thickness uniform within and between the surfaces of the substrate.

本実施形態では、ガスノズル76〜81は、ノズル収容部48に収容されているが、図3〜図5に示すように、ノズル収容部の幅寸法は、ガス排気口を構成する開口部52の幅寸法よりも広くなっている。そのため、従来のガスノズル(図10〜13に示すガスノズル76〜81)の場合、ノズル収容部に対応するガス供給領域と、開口部52が設けられた排気領域との位置関係が処理容器34内の上下で異なるものとなり、基板間で各基板に供給されるガス濃度の分布に偏りが生じる。 In the present embodiment, the gas nozzles 76 to 81 are accommodated in the nozzle accommodating portion 48, but as shown in FIGS. 3 to 5, the width dimension of the nozzle accommodating portion is the same as that of the opening 52 that constitutes the gas exhaust port. It is wider than the width dimension. Therefore, in the case of the conventional gas nozzles (gas nozzles 76 to 81 shown in FIGS. 10 to 13), the positional relationship between the gas supply region corresponding to the nozzle housing and the exhaust region in which the opening 52 is provided is within the processing container 34. They are different in the upper and lower sides, and the distribution of the concentration of the gas supplied to each substrate is uneven between the substrates.

これに対して、本実施形態のようにガス供給部が同一ラインで構成されたものと同じ構成を有するガスノズルを用いることにより、ガスを供給するガス供給領域と、該領域に対向して設けられたガスを排気する排気領域とを処理容器34内の上下で確実に同じ位置関係にすることができる。そのため、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを確実に抑制することができ、基板の面内および面間で成膜される膜厚が不均一になるのを確実に抑制することができる。 On the other hand, by using the gas nozzle having the same configuration as that in which the gas supply unit is configured in the same line as in the present embodiment, a gas supply region for supplying gas and a gas supply region provided opposite to the region are provided. It is possible to ensure that the upper and lower positions in the processing container 34 have the same positional relationship with the exhaust region for exhausting the gas. Therefore, it is possible to reliably suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas within the plane of the substrate and between the planes, and reliably suppress the uneven film thickness formed within the plane of the substrate and between the planes. can do.

また、図2に示すように、ガスノズル76〜81のうち、ガスノズル76、77のノズル基部76B、77Bは、直線状に形成されてガス供給部76C、77Cに一体に接続されている。これに対して、ガスノズル78〜81のノズル基部78B〜81Bは、ガス供給部78C〜81Cに接続する側の端部がL字状に形成されている。言い換えると、ノズル基部78B〜81Bは、端部が折れ曲がった状態でガス供給部78C〜81Cの下端に接続されている。 In addition, as shown in FIG. 2, among the gas nozzles 76 to 81, the nozzle base portions 76B and 77B of the gas nozzles 76 and 77 are linearly formed and integrally connected to the gas supply portions 76C and 77C. On the other hand, the nozzle bases 78B to 81B of the gas nozzles 78 to 81 have L-shaped ends on the side connected to the gas supply units 78C to 81C. In other words, the nozzle bases 78B to 81B are connected to the lower ends of the gas supply units 78C to 81C with the ends bent.

このようにノズル基部78B〜81BがL字状の端部を介してガス供給部78C〜81Cに接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを防ぐことができる。そのため、各ガスノズルが破損するのを防ぐことができ、またガスノズルの取付け作業が容易になる。 By connecting the nozzle base portions 78B to 81B to the gas supply portions 78C to 81C via the L-shaped ends in this manner, it is possible to prevent the upper gas nozzle from interfering with the lower gas nozzle. it can. Therefore, each gas nozzle can be prevented from being damaged, and the work of attaching the gas nozzle becomes easy.

また、図6は、本実施形態で用いられるガスノズルの他の一例(変形例1)を示す図である。図6に示すように、ガスノズル78〜81のノズル基部78B〜81Bは、端部が折り返された状態でガス供給部78C〜81Cの上端に接続されている。このようにノズル基部78B〜81BがL字状の端部がガス供給部78C〜81Cの上端に接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを確実に防ぐことができる。 FIG. 6 is a diagram showing another example (Modification 1) of the gas nozzle used in the present embodiment. As shown in FIG. 6, the nozzle base portions 78B to 81B of the gas nozzles 78 to 81 are connected to the upper ends of the gas supply portions 78C to 81C with their ends folded back. By connecting the L-shaped ends of the nozzle base portions 78B to 81B to the upper ends of the gas supply portions 78C to 81C, it is possible to reliably prevent the upper gas nozzles from interfering with the lower gas nozzles. be able to.

また、図7は、本実施形態で用いられるガスノズルのさらに他の一例(変形例2)を示す図である。図7に示すように、ガスノズル78〜81のノズル基部78B〜81Bは、端部が折れ曲がった状態でガス供給部78C〜81Cの中央部に接続されている。ノズル基部78B〜81BのL字状の端部がガス供給部78C〜81Cの中央部に接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを防ぎながら、同時に、図6に示すガス供給部78C〜81Cの上端に接続する場合に比べて、ノズル基部78B〜81Bを短くすることができる。 Further, FIG. 7 is a diagram showing still another example (Modification 2) of the gas nozzle used in the present embodiment. As shown in FIG. 7, the nozzle base portions 78B to 81B of the gas nozzles 78 to 81 are connected to the central portions of the gas supply portions 78C to 81C with their ends bent. By connecting the L-shaped end portions of the nozzle base portions 78B to 81B to the central portions of the gas supply portions 78C to 81C, while preventing the upper gas nozzles from interfering with the lower gas nozzles, at the same time, The nozzle bases 78B to 81B can be made shorter than in the case of connecting to the upper ends of the gas supply units 78C to 81C shown in FIG.

なお、ガスノズル76、77、ガス孔76A、77A、ノズル基部76B、77B、及び、ガス供給部76C、77Cは、本発明における第1のガスノズル、第1のノズル基部、及び、第1のガス供給部の一例である。また、ガスノズル78、79、ガス孔78A、79A、ノズル基部78B、79B、及び、ガス供給部78C、79Cは、本発明における第2のガスノズル、第1のノズル基部、及び、第1のガス供給部の一例である。さらに、ガスノズル80、81、ガス孔80A、81A、ノズル基部80B、81B、及び、ガス供給部80C、81Cは、本発明における第3のガスノズル、第3のノズル基部、及び、第3のガス供給部の一例である。 The gas nozzles 76, 77, the gas holes 76A, 77A, the nozzle bases 76B, 77B, and the gas supply units 76C, 77C are the first gas nozzle, the first nozzle base, and the first gas supply in the present invention. It is an example of a part. Further, the gas nozzles 78, 79, the gas holes 78A, 79A, the nozzle bases 78B, 79B, and the gas supply units 78C, 79C are the second gas nozzle, the first nozzle base, and the first gas supply in the present invention. It is an example of a part. Furthermore, the gas nozzles 80, 81, the gas holes 80A, 81A, the nozzle bases 80B, 81B, and the gas supply units 80C, 81C are the third gas nozzle, the third nozzle base, and the third gas supply in the present invention. It is an example of a part.

図8は、実施形態に係る基板処理装置のガイドの一例を説明する図である。上述したガスノズルを配置する場合、図8に示すように、ガイド100を設けてもよい。ガイド100は、例えば一対の係止片100Aを処理容器34の内壁に形成し、この一対の係止片100Aによりガス供給部76C〜81Cを係止するように構成することができる。このようなガイド100を設けることにより、ガスノズルを安定した状態で配置することができ、また、ガスノズル(ガス供給部)の位置決めが容易になる。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a guide of the substrate processing apparatus according to the embodiment. When arranging the above-mentioned gas nozzle, you may provide the guide 100, as shown in FIG. The guide 100 can be configured, for example, by forming a pair of locking pieces 100A on the inner wall of the processing container 34 and locking the gas supply portions 76C to 81C by the pair of locking pieces 100A. By providing such a guide 100, the gas nozzle can be arranged in a stable state, and the positioning of the gas nozzle (gas supply unit) becomes easy.

図9は、実施形態に係る基板処理装置のガイドの他の一例を説明する図である。この例では、例えば、上下方向に並ぶガス供給部76Cとガス供給部78Cとを連結する構造を、ガスノズル76とガスノズル78との間に設けることができる。具体的には、ガスノズル76のガス供給部76Cの上端部に凹部76Dを形成し、ガスノズル78のガス供給部76Cの下端部に凸部78Dを形成する。そして、ガス供給部76Cの凹部76Dにガス供給部78Cの凸部78Dを嵌合させることによりガイド200を構成する。このようなガイド200を設けることによっても、ガスノズルを安定した状態で配置することができ、また、ガスノズル(ガス供給部)の位置決めが容易になる。 FIG. 9 is a diagram illustrating another example of the guide of the substrate processing apparatus according to the embodiment. In this example, for example, a structure that connects the gas supply unit 76C and the gas supply unit 78C arranged in the vertical direction can be provided between the gas nozzle 76 and the gas nozzle 78. Specifically, the concave portion 76D is formed at the upper end of the gas supply portion 76C of the gas nozzle 76, and the convex portion 78D is formed at the lower end of the gas supply portion 76C of the gas nozzle 78. Then, the guide 200 is configured by fitting the convex portion 78D of the gas supply portion 78C into the concave portion 76D of the gas supply portion 76C. By providing such a guide 200, the gas nozzle can be arranged in a stable state, and the positioning of the gas nozzle (gas supply unit) becomes easy.

なお、ガイド100、200は、本発明におけるガイド機構の一例である。 The guides 100 and 200 are examples of the guide mechanism in the present invention.

図10は、従来の基板処理装置のガスノズルを示す図である。また、図11は、図10のA−A線断面図であり、図12は、図10のB−B線断面図であり、図13は、図10のC−C線断面図である。さらに、図14(A)は図11におけるガス濃度分布を示す図であり、図14(B)は図12におけるガス濃度分布であり、図14(C)は図13におけるガス濃度分布を示す図である。 FIG. 10 is a diagram showing a gas nozzle of a conventional substrate processing apparatus. 11 is a sectional view taken along line AA of FIG. 10, FIG. 12 is a sectional view taken along line BB of FIG. 10, and FIG. 13 is a sectional view taken along line CC of FIG. Further, FIG. 14(A) is a diagram showing a gas concentration distribution in FIG. 11, FIG. 14(B) is a gas concentration distribution in FIG. 12, and FIG. 14(C) is a diagram showing a gas concentration distribution in FIG. Is.

従来の基板処理装置で用いられていたガスノズル76〜81では、図10〜図13に示すように、複数のガス供給ラインが設けられたガス供給領域と、該ガス供給領域に対向してガス排気口を構成する開口部52が設けられた排気領域との位置関係が反応容器内の上下で異なっている。そのため、図14(A)〜(C)に示すように、基板の面内のガス濃度分布を上層、中層、下層で比較すると、ガスノズル76〜81(ガス供給部76C〜81C)がガス供給領域の中心から離れるに従って、上層側ほどガス分布に偏りができることが確認されている。 In the gas nozzles 76 to 81 used in the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIGS. 10 to 13, a gas supply region in which a plurality of gas supply lines are provided, and a gas exhaust region facing the gas supply region. The positional relationship with the exhaust region in which the opening 52 forming the mouth is provided is different in the upper and lower parts of the reaction container. Therefore, as shown in FIGS. 14A to 14C, when the gas concentration distributions in the plane of the substrate are compared in the upper layer, the middle layer, and the lower layer, the gas nozzles 76 to 81 (the gas supply units 76C to 81C) show the gas supply region. It has been confirmed that the gas distribution becomes more biased toward the upper layers as the distance from the center increases.

これに対して、本実施形態の基板処理装置1では、図1〜図7に示すガスノズル76〜81を採用することにより、ガス供給部76C、78C、80Cが処理容器34の長手方向(鉛直方向)に一直線上に並んで配置される。この構成では、基板の面内のガス濃度分布を上層、中層、下層で比較した場合、上層および中層でも下層側とほぼ同じガス濃度の分布となることが確認された(図14(C)参照)。したがって、本実施形態の基板処理装置1を用いることにより、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができ、基板の面内および面間で成膜される膜厚を均一にすることができる。 On the other hand, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, by using the gas nozzles 76 to 81 shown in FIGS. 1 to 7, the gas supply units 76C, 78C, 80C are arranged in the longitudinal direction (vertical direction) of the processing container 34. ) Are arranged side by side on a straight line. With this configuration, when the in-plane gas concentration distributions of the upper layer, the middle layer, and the lower layer were compared, it was confirmed that the upper layer and the middle layer have substantially the same gas concentration distribution as the lower layer side (see FIG. 14C). ). Therefore, by using the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, it is possible to suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas within and between the surfaces of the substrate, and to form a film within and between the surfaces of the substrate. The thickness can be made uniform.

以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。 Although the embodiments for carrying out the present invention have been described above, the above contents are not intended to limit the contents of the invention, and various modifications and improvements can be made within the scope of the present invention.

1 基板処理装置
34 処理容器
44 内管
46 外管
48 ノズル収容部
52 開口部
76 ガスノズル
77 ガスノズル
78 ガスノズル
79 ガスノズル
80 ガスノズル
81 ガスノズル
76A ガス孔
77A ガス孔
78A ガス孔
79A ガス孔
80A ガス孔
81A ガス孔
76B ノズル基部
77B ノズル基部
78B ノズル基部
79B ノズル基部
80B ノズル基部
81B ノズル基部
76C ガス供給部
77C ガス供給部
78C ガス供給部
79C ガス供給部
80C ガス供給部
81C ガス供給部
100 ガイド
200 ガイド
W ウエハ
1 Substrate Processing Apparatus 34 Processing Container 44 Inner Tube 46 Outer Tube 48 Nozzle Housing 52 Opening 76 Gas Nozzle 77 Gas Nozzle 78 Gas Nozzle 79 Gas Nozzle 80 Gas Nozzle 81 Gas Nozzle 76A Gas Hole 77A Gas Hole 78A Gas Hole 79A Gas Hole 80A Gas Hole 81A Gas Hole 76B Nozzle Base 77B Nozzle Base 78B Nozzle Base 79B Nozzle Base 80B Nozzle Base 81B Nozzle Base 76C Gas Supply 77C Gas Supply 78C Gas Supply 79C Gas Supply 80C Gas Supply 81C Gas Supply 100 Guide 200 Guide W Wafer

Claims (10)

複数の基板を収容可能に設けられ、該複数の基板を処理する処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、前記処理容器の周方向に並びかつ前記処理容器の長手方向に延び、前記処理容器内にガスを供給する複数のガスノズルと、
前記処理容器内の前記複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有し、
前記ガスノズルは、前記処理容器の周方向に並ぶノズル基部と、前記ノズル基部に接続して前記処理容器内にガスを供給するガス供給部とを有し、
前記複数のガスノズルは、前記処理容器内で最も下方に位置する第1のガス供給部を有する第1のガスノズルと、前記第1のガス供給部よりも上方に位置する第2のガス供給部を有する第2のガスノズルとを有し、
前記第1のガス供給部と前記第2のガス供給部とが、前記処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように、前記第2のガスノズルが形成されており、
前記ガス供給部を係止するガイド機構を有し、
前記ガイド機構は、上下方向に並ぶ前記ガス供給部を連結する構造を有する、基板処理装置。
A processing container that is provided to accommodate a plurality of substrates and that processes the plurality of substrates;
A plurality of gas nozzles provided in the processing container, arranged in the circumferential direction of the processing container and extending in the longitudinal direction of the processing container, and supplying gas into the processing container;
Provided at a position facing the plurality of gas nozzles in the processing container, having an exhaust unit for exhausting gas in the processing container,
The gas nozzle has a nozzle base portion arranged in the circumferential direction of the processing container, and a gas supply portion that is connected to the nozzle base portion and supplies gas into the processing container,
The plurality of gas nozzles include a first gas nozzle having a first gas supply unit located at the lowest position in the processing container, and a second gas supply unit located above the first gas supply unit. A second gas nozzle having
The second gas nozzle is formed so that the first gas supply unit and the second gas supply unit are arranged in a straight line in the longitudinal direction of the processing container ,
A guide mechanism for locking the gas supply unit,
The substrate processing apparatus, wherein the guide mechanism has a structure for connecting the gas supply units arranged in the vertical direction .
前記第1のガスノズルの第1のノズル基部は、直線状に形成され、
前記第2のガスノズルの第2のノズル基部は、前記第2のガス供給部に接続する側の端部がL字状に形成されている、請求項1に記載の基板処理装置。
A first nozzle base of the first gas nozzle is formed in a linear shape,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second nozzle base portion of the second gas nozzle has an L-shaped end portion on the side connected to the second gas supply portion.
前記第2のノズル基部は、前記第2のガス供給部の下端部に接続する、請求項2に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second nozzle base portion is connected to a lower end portion of the second gas supply portion. 前記第2のノズル基部は、前記第2のガス供給部の上端部に接続する、請求項2に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second nozzle base is connected to an upper end of the second gas supply unit. 前記第2のノズル基部は、前記第2のガス供給部の中央部に接続する、請求項2に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second nozzle base is connected to a central portion of the second gas supply unit. 前記複数のガスノズルは、前記第2のガス供給部よりも上方に位置する第3のガス供給部を有する第3のガスノズルをさらに有する、請求項2乃至5のいずれか1項に記載の基板処理装置。 The substrate processing according to claim 2, wherein the plurality of gas nozzles further includes a third gas nozzle having a third gas supply unit located above the second gas supply unit. apparatus. 前記第3のガスノズルの第3のノズル基部は、L字状に形成されている、請求項6に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein a third nozzle base portion of the third gas nozzle is formed in an L shape. 前記処理容器内に設けられて、前記複数のガスノズルを収容するノズル収容部を有し、
前記排気部の幅寸法は、前記ノズル収容部の幅寸法よりも狭い、請求項1に記載の基板処理装置。
Provided in the processing container, having a nozzle housing portion for housing the plurality of gas nozzles,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a width dimension of the exhaust portion is narrower than a width dimension of the nozzle housing portion.
前記ガス供給部には、前記処理容器内にガスを供給する1以上のガス孔が設けられている、請求項1に記載の基板処理装置 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit is provided with one or more gas holes for supplying gas into the processing container . 前記ガイド機構は、前記処理容器の内壁に形成されている請求項に記載の基板処理装置 The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein the guide mechanism is formed on an inner wall of the processing container .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3599290A3 (en) 2018-07-24 2020-06-03 Lg Electronics Inc. Chemical vapor deposition equipment for solar cell and deposition method thereof
JP7109331B2 (en) * 2018-10-02 2022-07-29 東京エレクトロン株式会社 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
JP7365973B2 (en) * 2020-06-19 2023-10-20 東京エレクトロン株式会社 Gas nozzle, substrate processing equipment and substrate processing method
JP7315607B2 (en) * 2021-03-16 2023-07-26 株式会社Kokusai Electric Substrate processing apparatus, substrate processing method, and semiconductor device manufacturing method

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2575742B2 (en) * 1987-10-20 1997-01-29 東京エレクトロン株式会社 Heat treatment furnace
JPH0682626B2 (en) * 1987-10-22 1994-10-19 日本電気株式会社 Vapor phase growth equipment
JPH07183228A (en) * 1993-12-24 1995-07-21 Canon Inc Deposited film forming device
JP3980840B2 (en) * 2001-04-25 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 Vapor growth apparatus and vapor growth film forming method
KR100766196B1 (en) 2003-08-26 2007-10-10 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 Method for manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
JP2011205059A (en) * 2010-03-01 2011-10-13 Hitachi Kokusai Electric Inc Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus
US8409352B2 (en) * 2010-03-01 2013-04-02 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus
JP2011187884A (en) 2010-03-11 2011-09-22 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate treatment apparatus
JP5545055B2 (en) * 2010-06-15 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 Support structure and processing apparatus
JP2012004408A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd Support structure and processing unit
JP2012175020A (en) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing device
JP2012175072A (en) * 2011-02-24 2012-09-10 Hitachi Kokusai Electric Inc Substrate processing apparatus
JP6199570B2 (en) * 2013-02-07 2017-09-20 株式会社日立国際電気 Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program
JP6128969B2 (en) * 2013-06-03 2017-05-17 株式会社日立国際電気 Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program
JP6435967B2 (en) * 2015-03-31 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 Vertical heat treatment equipment

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