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JP6782339B2 - Semiconductor device - Google Patents

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JP6782339B2 JP2019133009A JP2019133009A JP6782339B2 JP 6782339 B2 JP6782339 B2 JP 6782339B2 JP 2019133009 A JP2019133009 A JP 2019133009A JP 2019133009 A JP2019133009 A JP 2019133009A JP 6782339 B2 JP6782339 B2 JP 6782339B2
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Description

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to semiconductor devices.

無線通信において、送信側と受信側の双方で複数のチャネルを用いて通信を行うための規格としてMIMO(Multiple Input and Multiple Output)が提唱されている。さらに、MIMOを部分的にマルチユーザ化したマルチユーザMIMOの実用化に向けた研究開発も盛んに行われている。 In wireless communication, MIMO (Multiple Input and Multiple Output) has been proposed as a standard for communicating using a plurality of channels on both the transmitting side and the receiving side. Furthermore, research and development for the practical use of multi-user MIMO, which is a partial multi-user of MIMO, is being actively carried out.

このような通信環境を実現するためには、1つの半導体装置内において、送信器や受信器で必要となるIQ変調信号を発生するIQ信号発生器に、周波数が近接している2つの発振信号を供給する必要がある。しかし、周波数の近接している2つの発振信号の伝送路を並走させると、伝送路間におけるクロストークの問題が生じる。 In order to realize such a communication environment, two oscillation signals whose frequencies are close to the IQ signal generator that generates the IQ modulation signal required by the transmitter and receiver in one semiconductor device. Need to be supplied. However, when the transmission lines of two oscillation signals having adjacent frequencies run in parallel, a problem of crosstalk occurs between the transmission lines.

また、複数設けられたIQ信号発生器に、2つの発振信号を切り替えて供給すために切替スイッチを設ける必要があるが、この切替スイッチにおいても、近接する切替スイッチの間でクロストークの問題が生じる。 Further, it is necessary to provide a changeover switch in order to switch and supply two oscillation signals to a plurality of IQ signal generators, but this changeover switch also has a problem of crosstalk between adjacent changeover switches. Occurs.

特許第4627033号Patent No. 4627033

本実施形態の目的は、周波数の異なる発振信号間におけるクロストークの影響を抑制した半導体装置を提供することにある。 An object of the present embodiment is to provide a semiconductor device that suppresses the influence of crosstalk between oscillation signals having different frequencies.

本実施形態に係る半導体装置は、第1の電源系統から電力が供給される第1の回路部と、第1の電源系統とは異なる第2の電源系統から電力が供給される第2の回路部とを少なくとも備える。第1の回路部は、第1の電源系統から電力が供給され、且つ、第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号が入力される第1のバッファであって、第1の制御信号に基づいて、第2の回路部に1の発振信号を出力するか否かを制御可能な第1のバッファと、第2の電源系統から電力が供給され、且つ、第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号が2の回路部から入力される第2のバッファであって、第2の制御信号に基づいて、入力された第2の発振信号を、第1の電源系統から電力が供給される第1の処理部に出力するか否かを制御可能な第2のバッファとを備える。 The semiconductor device according to the present embodiment includes a first circuit unit to which power is supplied from the first power supply system and a second circuit unit to which power is supplied from a second power supply system different from the first power supply system. It has at least a part. The first circuit unit is a first buffer in which power is supplied from the first power supply system and the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit is input. Power is supplied from the first buffer that can control whether or not to output the oscillation signal of 1 to the second circuit unit and the second power supply system based on the control signal of, and the second oscillation. The second oscillation signal generated by the signal generation circuit is the second buffer input from the second circuit unit, and the input second oscillation signal is input to the first based on the second control signal. It is provided with a second buffer capable of controlling whether or not to output to a first processing unit to which power is supplied from the power supply system of the above.

第1実施形態に係る半導体装置における電源系統のレイアウト図である。It is a layout diagram of the power supply system in the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る半導体装置における回路構成の一部を説明する回路図とブロック図である。It is a circuit diagram and a block diagram explaining a part of the circuit structure in the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment. 第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号を、第1乃至第4の回路部に供給する場合の回路状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying the 2nd oscillation signal generated by the 2nd oscillation signal generation circuit to the 1st to 4th circuit part. 第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号を、第1の回路部に供給し、第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号を、第2乃至第4の回路部に供給する場合の回路状態を説明するための図である。The first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit is supplied to the first circuit unit, and the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit is supplied to the second to fourth circuits. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying to the circuit part of. 第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号を、第1乃至第2の回路部に供給し、第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号を、第3乃至第4の回路部に供給する場合の回路状態を説明するための図である。The first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit is supplied to the first to second circuit units, and the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit is supplied to the third circuit unit. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying to the 4th circuit part. 第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号を、第1乃至第3の回路部に供給し、第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号を、第4の回路部に供給する場合の回路状態を説明するための図である。The first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit is supplied to the first to third circuit units, and the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit is used as the fourth oscillation signal. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying to the circuit part of. 第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号を、第1乃至第4の回路部に供給する場合の回路状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying the 1st oscillation signal generated by the 1st oscillation signal generation circuit to the 1st to 4th circuit part. 制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファの具体的な回路構成の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the specific circuit structure of the buffer which can individually control whether or not to output an input signal based on a control signal. 第1実施形態に係る半導体装置を機能的に説明するためのブロック回路図である。It is a block circuit diagram for functionally explaining the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る半導体装置の変形例を示す図であり、図2に対応する図である。It is a figure which shows the modification of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment, and is the figure which corresponds to FIG. 第1実施形態に係る半導体装置の別の変形例を示す図であり、図2に対応する図である。It is a figure which shows another modification of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment, and is the figure which corresponds to FIG. 第2実施形態に係る半導体装置における回路構成の一部を説明する回路図とブロック図である。It is a circuit diagram and a block diagram explaining a part of the circuit structure in the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment. 第1の発振信号を第1乃至第4の回路部に供給する場合、又は、第2の発振信号を第1乃至第4の回路部に供給する場合における、回路状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying the 1st oscillation signal to the 1st to 4th circuit part, or the case of supplying the 2nd oscillation signal to 1st to 4th circuit part. is there. 第1の発振信号を第1の回路部に供給し、且つ、第2の発振信号を第2乃至第4の回路部に供給する場合、又は、第2の発振信号を第1の回路部に供給し、第1の発振信号を第2乃至第4の回路部に供給する場合における、回路状態を説明するための図である。When the first oscillation signal is supplied to the first circuit section and the second oscillation signal is supplied to the second to fourth circuit sections, or the second oscillation signal is supplied to the first circuit section. It is a figure for demonstrating the circuit state in the case of supplying and supplying the 1st oscillation signal to the 2nd to 4th circuit part. 第1の発振信号を第1乃至第2の回路部に供給し、且つ、第2の発振信号を第3乃至第4の回路部に供給する場合、又は、第2の発振信号を第1乃至第2の回路部に供給し、第1の発振信号を第3乃至第4の回路部に供給する場合における、回路状態を説明するための図である。When the first oscillation signal is supplied to the first to second circuit units and the second oscillation signal is supplied to the third to fourth circuit units, or when the second oscillation signal is supplied to the first to second circuit units. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying to the 2nd circuit part, and supplying the 1st oscillation signal to 3rd to 4th circuit part. 第2実施形態に係る半導体装置の変形例を示す図であり、図12に対応する図である。It is a figure which shows the modification of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment, and is the figure which corresponds to FIG. 第2実施形態に係る半導体装置の別の変形例を示す図であり、図12に対応する図である。It is a figure which shows another modification of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment, and is the figure which corresponds to FIG.

以下、図面を参照しながら、実施形態に係る半導体装置を説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行うこととする。 Hereinafter, the semiconductor device according to the embodiment will be described with reference to the drawings. In the following description, components having substantially the same function and configuration are designated by the same reference numerals, and duplicate explanations will be given only when necessary.

〔第1実施形態〕
第1実施形態に係る半導体装置は、電源系統の異なる複数の回路部を設け、各回路部に、隣接する回路部に発振信号を出力するバッファと、隣接する回路部から発振信号が入力されるバッファを設け、これらのバッファを各回路部の電源系統で動作させることにより、異なる発振信号間のクロストークを抑制せんとしたものである。より詳しくを、以下に説明する。
[First Embodiment]
The semiconductor device according to the first embodiment is provided with a plurality of circuit units having different power supply systems, and each circuit unit has a buffer that outputs an oscillation signal to adjacent circuit units and an oscillation signal is input from the adjacent circuit units. By providing buffers and operating these buffers in the power supply system of each circuit unit, crosstalk between different oscillation signals is suppressed. More details will be described below.

図1は、本実施形態に係る半導体装置1における電源系統のレイアウト図である。この図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、複数の電源系統を有している。具体的には、電源10から電力の供給を受ける、電源回路20〜26と、電源回路20から電力の供給を受ける第1の発振信号生成回路30と、電源回路21〜24から、それぞれ電力の供給を受ける第1乃至第4の回路部40〜43と、電源回路25から電力の供給を受ける第2の発振信号生成回路31と、電源回路26から電力の供給を受ける制御回路50とを備えて構成されている。 FIG. 1 is a layout diagram of a power supply system in the semiconductor device 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 1, the semiconductor device 1 according to the present embodiment has a plurality of power supply systems. Specifically, power is supplied from the power supply circuits 20 to 26 that receive power from the power supply 10, the first oscillation signal generation circuit 30 that receives power from the power supply circuit 20, and the power supply circuits 21 to 24, respectively. The first to fourth circuit units 40 to 43 to be supplied, the second oscillation signal generation circuit 31 to receive the power supply from the power supply circuit 25, and the control circuit 50 to receive the power supply from the power supply circuit 26 are provided. It is composed of.

電源10は、半導体装置1の外部に設けられた電力供給源であり、例えば、アルカリマンガン乾電池等の一次電池、リチウムイオン電池等の二次電池、直流変換をした家庭用電源等により構成される。 The power supply 10 is a power supply source provided outside the semiconductor device 1, and is composed of, for example, a primary battery such as an alkaline manganese dry battery, a secondary battery such as a lithium ion battery, a DC-converted household power supply, and the like. ..

電源回路20〜26は、電源10から供給された電力を安定化させ、また必要に応じて電圧変換等を行い、第1及び第2の発振信号生成回路30、31、第1乃至第4の回路部40〜43、制御回路50にそれぞれ供給する電源系統を形成する。また、電源回路20〜26は、異なる電源系統に設けられた各回路で発生する信号の影響が相互に及ばないように遮断する役割を有している。例えば、第1の回路部40の動作に起因して、電源回路21の電源系統の電圧にふらつきが生じた場合でも、他の電源回路の電源系統の電圧にはその影響が及ばないように構成されている。 The power supply circuits 20 to 26 stabilize the electric power supplied from the power supply 10 and perform voltage conversion or the like as necessary, and the first and second oscillation signal generation circuits 30, 31, 1st to 4th. A power supply system for supplying to the circuit units 40 to 43 and the control circuit 50 is formed. Further, the power supply circuits 20 to 26 have a role of blocking the influence of signals generated in the circuits provided in different power supply systems so as not to affect each other. For example, even if the voltage of the power supply system of the power supply circuit 21 fluctuates due to the operation of the first circuit unit 40, the voltage of the power supply system of another power supply circuit is not affected. Has been done.

第1及び第2の発振信号生成回路30、31は、第1乃至第4の回路部40〜43で使用される発振信号を生成する。具体的には、第1の発振信号生成回路30は、第1の周波数の第1の発振信号を生成し、第1乃至第4の回路部40〜43に供給する。第2の発振信号生成回路31は、第1の周波数とは異なる第2の周波数の第2の発振信号を生成し、第1乃至第4の回路部40〜43に供給する。 The first and second oscillation signal generation circuits 30 and 31 generate oscillation signals used in the first to fourth circuit units 40 to 43. Specifically, the first oscillation signal generation circuit 30 generates the first oscillation signal of the first frequency and supplies the first oscillation signal to the first to fourth circuit units 40 to 43. The second oscillation signal generation circuit 31 generates a second oscillation signal having a second frequency different from that of the first frequency, and supplies the second oscillation signal to the first to fourth circuit units 40 to 43.

制御回路50は、半導体装置1内で行われる種々の動作の全体的な制御を行う。本実施形態においては、特に、第1及び第2の発振信号生成回路30、31の制御を行うための制御信号を生成し、また、第1乃至第4の回路部40〜43の制御を行うための制御信号を生成する。 The control circuit 50 controls the overall control of various operations performed in the semiconductor device 1. In the present embodiment, in particular, control signals for controlling the first and second oscillation signal generation circuits 30 and 31 are generated, and the first to fourth circuit units 40 to 43 are controlled. To generate a control signal for.

半導体装置1が通信用に用いられる場合、このように電源系統を複数設けて、異なる系統の間で信号の干渉を低減することが一般的に行われている。なお電源系統の数は、半導体装置1の仕様や通信規格等に応じて様々である。 When the semiconductor device 1 is used for communication, it is generally practiced to provide a plurality of power supply systems in this way to reduce signal interference between different systems. The number of power supply systems varies depending on the specifications of the semiconductor device 1, the communication standard, and the like.

図2は、本実施形態に係る半導体装置1における回路構成の一部を説明する回路図とブロック図である。 FIG. 2 is a circuit diagram and a block diagram for explaining a part of the circuit configuration in the semiconductor device 1 according to the present embodiment.

この図2に示すように、第1の発振信号生成回路30は第1の周波数の第1の発振信号を生成して、第1の回路部40に出力する。本実施形態においては、例えば、第1の周波数は2GHzであり、2GHzの発振信号が第1の回路部40に入力される。 As shown in FIG. 2, the first oscillation signal generation circuit 30 generates the first oscillation signal of the first frequency and outputs it to the first circuit unit 40. In the present embodiment, for example, the first frequency is 2 GHz, and the 2 GHz oscillation signal is input to the first circuit unit 40.

一方、第2の発振信号生成回路31は第2の周波数の第2の発振信号を生成して、第4の回路部43に出力する。本実施形態においては、例えば、第2の周波数は5GHzであり、5GHzの発振信号が第4の回路部43に入力される。なお、2GHz、5GHzは、第1の周波数と第2の周波数に関する単なる例示であり、例えば、第1の周波数が5.50GHzであり、第2の周波数が5.52GHzのように、第1の発振信号の第1の周波数と第2の発振信号の第2の周波数が、さらに近接している場合も本実施形態においては想定の範囲である。 On the other hand, the second oscillation signal generation circuit 31 generates the second oscillation signal of the second frequency and outputs it to the fourth circuit unit 43. In the present embodiment, for example, the second frequency is 5 GHz, and the 5 GHz oscillation signal is input to the fourth circuit unit 43. Note that 2 GHz and 5 GHz are merely examples of the first frequency and the second frequency. For example, the first frequency is 5.50 GHz and the second frequency is 5.52 GHz. The case where the first frequency of the oscillating signal and the second frequency of the second oscillating signal are closer to each other is also within the assumed range in this embodiment.

第1の回路部40は、IQ信号発生器60と、送信器70と、受信器80とを備えている。IQ信号発生器60は、変調及び復調に用いる、同相位相成分であるI信号と直交位相成分であるQ信号とを生成する回路である。 The first circuit unit 40 includes an IQ signal generator 60, a transmitter 70, and a receiver 80. The IQ signal generator 60 is a circuit that generates an I signal which is an in-phase phase component and a Q signal which is an orthogonal phase component used for modulation and demodulation.

送信器70は、IQ信号発生器60で生成されたI信号とQ信号とを用いて、送信信号を直交変調して送信波を生成する回路である。生成された送信波は、図示しないアンテナ等から出力される。 The transmitter 70 is a circuit that uses the I signal and the Q signal generated by the IQ signal generator 60 to quadraturely modulate the transmission signal to generate a transmission wave. The generated transmitted wave is output from an antenna or the like (not shown).

受信器80は、アンテナ等を介して受信された受信波を、IQ信号発生器60で生成されたI信号とQ信号とを用いて直交復調して、受信信号を生成する回路である。生成された受信信号は、半導体装置1において種々の処理に用いられる。 The receiver 80 is a circuit that generates a received signal by orthogonally demodulating the received wave received through the antenna or the like using the I signal and the Q signal generated by the IQ signal generator 60. The generated received signal is used in various processes in the semiconductor device 1.

これらIQ信号発生器60と送信器70と受信器80は、本実施形態における第1の回路部40の第1の処理部の一例であり、電源回路21の電源系統から供給された電力により動作する。また、第1の回路部40は、IQ信号発生器60と送信器70と受信器80以外にも、他の処理を行う回路を第1の処理部として備えていてもよい。 The IQ signal generator 60, the transmitter 70, and the receiver 80 are examples of the first processing unit of the first circuit unit 40 in the present embodiment, and operate by the electric power supplied from the power supply system of the power supply circuit 21. To do. Further, the first circuit unit 40 may include a circuit for performing other processing as the first processing unit in addition to the IQ signal generator 60, the transmitter 70, and the receiver 80.

この第1の回路部40と同様に、第2の回路部41は第2の処理部としてIQ信号発生器61と送信器71と受信器81とを備えており、第3の回路部42は第3の処理部としてIQ信号発生器62と送信器72と受信器82とを備えており、第4の回路部43は第4の処理部としてIQ信号発生器63と送信器73と受信器83とを備えている。 Similar to the first circuit unit 40, the second circuit unit 41 includes an IQ signal generator 61, a transmitter 71, and a receiver 81 as a second processing unit, and the third circuit unit 42 The IQ signal generator 62, the transmitter 72, and the receiver 82 are provided as the third processing unit, and the fourth circuit unit 43 includes the IQ signal generator 63, the transmitter 73, and the receiver as the fourth processing unit. It is equipped with 83.

さらに、第1の回路部40は、上記のIQ信号発生器60と送信器70と受信器80に加えて、キャパシタ90aと、バッファ90bと、キャパシタ90cと、バッファ90dと、キャパシタ90eと、バッファ90fと、キャパシタ90gと、キャパシタ90hと、バッファ90iとを備えている。 Further, in addition to the IQ signal generator 60, the transmitter 70, and the receiver 80, the first circuit unit 40 includes a capacitor 90a, a buffer 90b, a capacitor 90c, a buffer 90d, a capacitor 90e, and a buffer. It includes 90f, a capacitor 90g, a capacitor 90h, and a buffer 90i.

第1の発振信号生成回路30における第1の発振信号の出力は、キャパシタ90aを介して、バッファ90bに接続されている。このため、バッファ90bには、第1の発振信号生成回路30から、第1の周波数の第1の発振信号が入力される。ここで、本実施形態において「入力される」とは、信号が他の素子等を介して間接的に入力される場合と、信号が他の素子等を介さずに直接的に入力される場合の双方を含む意味で用いる。 The output of the first oscillation signal in the first oscillation signal generation circuit 30 is connected to the buffer 90b via the capacitor 90a. Therefore, the first oscillation signal of the first frequency is input to the buffer 90b from the first oscillation signal generation circuit 30. Here, in the present embodiment, "input" means a case where a signal is indirectly input via another element or the like, and a case where a signal is directly input without passing through another element or the like. It is used in the sense of including both of.

バッファ90bの出力は、キャパシタ90cを介してバッファ90dの入力に接続されており、また、キャパシタ90hを介して、バッファ90iの入力に接続されている。さらに、バッファ90fの出力も、キャパシタ90gを介して、バッファ90iの入力に接続されている。そして、バッファ90iの出力はIQ信号発生器60に入力されている。 The output of the buffer 90b is connected to the input of the buffer 90d via the capacitor 90c, and is connected to the input of the buffer 90i via the capacitor 90h. Further, the output of the buffer 90f is also connected to the input of the buffer 90i via the capacitor 90g. The output of the buffer 90i is input to the IQ signal generator 60.

バッファ90b、90d、90fは、それぞれ、制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファである。これらの制御信号は、図1に示した制御回路50で個別に生成され、それぞれ、バッファ90b、90d、90fに入力される。すなわち、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されているバッファ90b、90d、90fについては、入力された発振信号をバッファリングして出力する。一方、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されているバッファ90b、90d、90fについては、入力された制御信号は出力しない。 Each of the buffers 90b, 90d, and 90f is a buffer that can individually control whether or not to output the input signal based on the control signal. These control signals are individually generated by the control circuit 50 shown in FIG. 1 and input to the buffers 90b, 90d, and 90f, respectively. That is, for the buffers 90b, 90d, and 90f in which the control signal of the instruction to output the input signal is input, the input oscillation signal is buffered and output. On the other hand, the input control signal is not output to the buffers 90b, 90d, 90f in which the control signal of the instruction not to output the input signal is input.

バッファ90iは、別個の制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファである必要はない。すなわち、入力された信号を、非選択的に、出力するバッファで足りる。但し、バッファ90b、90d、90fと同様に、バッファ90iを、別個の制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファで構成してもよい。この場合、バッファ90iには、動作中は定常的に、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されていることとなる。 The buffer 90i does not have to be a buffer that can individually control whether or not to output the input signal based on a separate control signal. That is, a buffer that outputs the input signal non-selectively is sufficient. However, similarly to the buffers 90b, 90d, and 90f, the buffer 90i may be configured by a buffer that can individually control whether or not to output the input signal based on a separate control signal. In this case, the buffer 90i is constantly input with a control signal instructing to output the input signal during operation.

なお、バッファ90b、90d、90f、90iは、IQ信号発生器60と送信器70と受信器80と同様に、電源回路21の電源系統である第1の電源系統から供給された電力により動作する。 The buffers 90b, 90d, 90f, and 90i operate by the electric power supplied from the first power supply system, which is the power supply system of the power supply circuit 21, like the IQ signal generator 60, the transmitter 70, and the receiver 80. ..

第2の回路部41も、上述したIQ信号発生器61と送信器71と受信器81に加えて、キャパシタ91aと、バッファ91bと、キャパシタ91cと、バッファ91dと、キャパシタ91eと、バッファ91fと、キャパシタ91gと、キャパシタ91hと、バッファ91iと、キャパシタ91jと、バッファ91kとを備えている。 In addition to the IQ signal generator 61, the transmitter 71, and the receiver 81 described above, the second circuit unit 41 also includes a capacitor 91a, a buffer 91b, a capacitor 91c, a buffer 91d, a capacitor 91e, and a buffer 91f. , A capacitor 91g, a capacitor 91h, a buffer 91i, a capacitor 91j, and a buffer 91k.

第2の回路部41におけるキャパシタ91aとバッファ91bとキャパシタ91cとバッファ91dとキャパシタ91eとバッファ91fとキャパシタ91gとキャパシタ91hとバッファ91iは、上述した第1の回路部40におけるキャパシタ90aとバッファ90bとキャパシタ90cとバッファ90dとキャパシタ90eとバッファ90fとキャパシタ90gとキャパシタ90hとバッファ90iに、それぞれ、対応している。 The capacitor 91a, the buffer 91b, the capacitor 91c, the buffer 91d, the capacitor 91e, the buffer 91f, the capacitor 91g, the capacitor 91h, and the buffer 91i in the second circuit unit 41 are the capacitors 90a and the buffer 90b in the first circuit unit 40 described above. The capacitors 90c, the buffer 90d, the capacitor 90e, the buffer 90f, the capacitor 90g, the capacitor 90h, and the capacitor 90i are supported, respectively.

そしてさらに、バッファ91fの出力は、キャパシタ91gを介してバッファ91iの入力に接続されているのに加えて、キャパシタ91jを介して、バッファ91kの入力に接続されている。バッファ91kは、バッファ91b、91d、91fと同様に、制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファである。 Further, the output of the buffer 91f is connected to the input of the buffer 91k via the capacitor 91j in addition to being connected to the input of the buffer 91i via the capacitor 91g. Like the buffers 91b, 91d, and 91f, the buffer 91k is a buffer that can individually control whether or not to output the input signal based on the control signal.

第1の回路部40のバッファ90dの出力と、第1の回路部40のキャパシタ90eを介したバッファ90fの入力と、第2の回路部41のキャパシタ91aを介したバッファ91bの入力と、第2の回路部41のバッファ91kの出力とは、共通に接続されている。すなわち、バッファ90dとバッファ91bとの間の伝送路と、バッファ91kとバッファ90fとの間の伝送路は、共通化されて1本になっている。ここで、第1の回路部40と第2の回路部41との間で遣り取りする発振信号が単相信号の場合には、1本の伝送路における物理的な信号配線は1本であるが、第1の回路部40と第2の回路部41との間で遣り取りする発振信号が差動信号の場合には、1本の伝送路における物理的な信号配線は2本である。 The output of the buffer 90d of the first circuit unit 40, the input of the buffer 90f via the capacitor 90e of the first circuit unit 40, the input of the buffer 91b via the capacitor 91a of the second circuit unit 41, and the first It is commonly connected to the output of the buffer 91k of the circuit unit 41 of 2. That is, the transmission line between the buffer 90d and the buffer 91b and the transmission line between the buffer 91k and the buffer 90f are shared into one line. Here, when the oscillation signal exchanged between the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41 is a single-phase signal, there is only one physical signal wiring in one transmission line. , When the oscillation signal exchanged between the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41 is a differential signal, there are two physical signal wirings in one transmission line.

なお、バッファ91b、91d、91f、91k、91iは、IQ信号発生器61と送信器71と受信器81と同様に、電源回路22の電源系統である第2の電源系統から供給された電力により動作する。 The buffers 91b, 91d, 91f, 91k, and 91i are based on the power supplied from the second power supply system, which is the power supply system of the power supply circuit 22, like the IQ signal generator 61, the transmitter 71, and the receiver 81. Operate.

第3の回路部42は、第2の回路部41と同様の構成であり、上述したIQ信号発生器62と送信器72と受信器82に加えて、キャパシタ92aと、バッファ92bと、キャパシタ92cと、バッファ92dと、キャパシタ92eと、バッファ92fと、キャパシタ92gと、キャパシタ92hと、バッファ92iと、キャパシタ92jと、バッファ92kとを備えている。 The third circuit unit 42 has the same configuration as the second circuit unit 41, and in addition to the IQ signal generator 62, the transmitter 72, and the receiver 82 described above, the capacitor 92a, the buffer 92b, and the capacitor 92c The buffer 92d, the capacitor 92e, the capacitor 92f, the capacitor 92g, the capacitor 92h, the capacitor 92i, the capacitor 92j, and the buffer 92k are provided.

第3の回路部42におけるキャパシタ92aとバッファ92bとキャパシタ92cとバッファ92dとキャパシタ92eとバッファ92fとキャパシタ92gとキャパシタ92hとバッファ92iとキャパシタ92jとバッファ92kは、上述した第2の回路部41におけるキャパシタ91aとバッファ91bとキャパシタ91cとバッファ91dとキャパシタ91eとバッファ91fとキャパシタ91gとキャパシタ91hとバッファ91iキャパシタ91jとバッファ91kに、それぞれ、対応している。 The capacitor 92a, the buffer 92b, the capacitor 92c, the buffer 92d, the capacitor 92e, the buffer 92f, the capacitor 92g, the capacitor 92h, the buffer 92i, the capacitor 92j, and the buffer 92k in the third circuit unit 42 are in the second circuit unit 41 described above. It corresponds to the capacitor 91a, the buffer 91b, the capacitor 91c, the buffer 91d, the capacitor 91e, the capacitor 91f, the capacitor 91g, the capacitor 91h, the capacitor 91i, the capacitor 91j, and the buffer 91k, respectively.

また、第2の回路部41のバッファ91dの出力と、第2の回路部41のキャパシタ91eを介したバッファ91fの入力と、第3の回路部42のキャパシタ92aを介したバッファ92bの入力と、第3の回路部42のバッファ92kの出力とは、共通に接続されている。すなわち、バッファ91dとバッファ92bとの間の伝送路と、バッファ92kとバッファ91fとの間の伝送路は、共通化されて1本になっている。 Further, the output of the buffer 91d of the second circuit unit 41, the input of the buffer 91f via the capacitor 91e of the second circuit unit 41, and the input of the buffer 92b via the capacitor 92a of the third circuit unit 42. , The output of the buffer 92k of the third circuit unit 42 is commonly connected. That is, the transmission line between the buffer 91d and the buffer 92b and the transmission line between the buffer 92k and the buffer 91f are standardized and become one.

なお、バッファ92b、92d、92f、92k、92iは、IQ信号発生器62と送信器72と受信器82と同様に、電源回路23の電源系統である第3の電源系統から供給された電力により動作する。 The buffers 92b, 92d, 92f, 92k, and 92i are based on the power supplied from the third power supply system, which is the power supply system of the power supply circuit 23, like the IQ signal generator 62, the transmitter 72, and the receiver 82. Operate.

第4の回路部43は、上述したIQ信号発生器63と送信器73と受信器83に加えて、キャパシタ93aと、バッファ93bと、キャパシタ93eと、バッファ93fと、キャパシタ93gと、キャパシタ93hと、バッファ93iと、キャパシタ93jと、バッファ93kとを備えている。 In addition to the IQ signal generator 63, the transmitter 73, and the receiver 83 described above, the fourth circuit unit 43 includes a capacitor 93a, a buffer 93b, a capacitor 93e, a buffer 93f, a capacitor 93g, and a capacitor 93h. , The buffer 93i, the capacitor 93j, and the buffer 93k are provided.

第4の回路部43におけるキャパシタ93aとバッファ93bとキャパシタ93eとバッファ93fとキャパシタ93gとキャパシタ93hとバッファ93iとキャパシタ93jとバッファ93kは、上述した第3の回路部42におけるキャパシタ92aとバッファ92bとキャパシタ92eとバッファ92fとキャパシタ92gとキャパシタ92hとバッファ92iとキャパシタ92jとバッファ92kに、それぞれ、対応している。 The capacitor 93a, the buffer 93b, the capacitor 93e, the buffer 93f, the capacitor 93g, the capacitor 93h, the buffer 93i, the capacitor 93j, and the buffer 93k in the fourth circuit unit 43 are the capacitors 92a and the buffer 92b in the third circuit unit 42 described above. The capacitors 92e, the buffer 92f, the capacitor 92g, the capacitor 92h, the buffer 92i, the capacitor 92j, and the buffer 92k are supported, respectively.

但し、第2の発振信号生成回路31における第2の発振信号の出力が、キャパシタ93eを介して、バッファ93fの入力に接続されている。このため、バッファ93fには、第2の発振信号生成回路31から、第2の周波数の第2の発振信号が入力される。 However, the output of the second oscillation signal in the second oscillation signal generation circuit 31 is connected to the input of the buffer 93f via the capacitor 93e. Therefore, the second oscillation signal of the second frequency is input to the buffer 93f from the second oscillation signal generation circuit 31.

また、第3の回路部42のバッファ92dの出力と、第3の回路部42のキャパシタ92eを介したバッファ92fの入力と、第4の回路部43のキャパシタ93aを介したバッファ93bの入力と、第4の回路部43のバッファ93kの出力とは、共通に接続されている。すなわち、バッファ92dとバッファ93bとの間の伝送路と、バッファ93kとバッファ92fとの間の伝送路は、共通化されて1本になっている。 Further, the output of the buffer 92d of the third circuit unit 42, the input of the buffer 92f via the capacitor 92e of the third circuit unit 42, and the input of the buffer 93b via the capacitor 93a of the fourth circuit unit 43. , The output of the buffer 93k of the fourth circuit unit 43 is commonly connected. That is, the transmission line between the buffer 92d and the buffer 93b and the transmission line between the buffer 93k and the buffer 92f are shared into one line.

なお、バッファ93b、93f、93k、93iは、IQ信号発生器63と送信器73と受信器83と同様に、電源回路24の電源系統である第4の電源系統から供給された電力により動作する。 The buffers 93b, 93f, 93k, and 93i operate by the power supplied from the fourth power supply system, which is the power supply system of the power supply circuit 24, like the IQ signal generator 63, the transmitter 73, and the receiver 83. ..

なお、各バッファの入力にはキャパシタが接続されているが、これは、キャパシタにより、信号の直流成分を遮断するために設けられている。すなわち、第1の発振信号及び第2の発振信号の直流成分は、各キャパシタにより遮断される。 A capacitor is connected to the input of each buffer, and this is provided to cut off the DC component of the signal by the capacitor. That is, the DC components of the first oscillation signal and the second oscillation signal are cut off by each capacitor.

以上が本実施形態に係る半導体装置1の回路構成であるが、次に、この半導体装置1の動作について説明する。 The above is the circuit configuration of the semiconductor device 1 according to the present embodiment. Next, the operation of the semiconductor device 1 will be described.

図3は、第2の発振信号生成回路31により生成された第2の発振信号を、第1乃至第4の回路部40〜43に供給する場合の回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第1のモードと言うこととする。 FIG. 3 is a diagram for explaining a circuit state when the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 is supplied to the first to fourth circuit units 40 to 43. In the present embodiment, this state is referred to as the first mode.

この図3に示すように、第1のモードにおいては、バッファ90b、90d、91b、91d、92b、92d、93dに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90f、91k、91f、92k、92f、93k、93fに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 3, in the first mode, control signals indicating that the input signal is not output are input to the buffers 90b, 90d, 91b, 91d, 92b, 92d, 93d, and the buffer 90f , 91k, 91f, 92k, 92f, 93k, 93f are input with control signals instructing to output the input signal.

このため、第1の発振信号生成回路30で生成された第1の発振信号は、バッファ90bで遮断され、第1乃至第4の回路部40〜43のいずれにも供給されない。一方、第2の発振信号生成回路31で生成された第2の発振信号は、バッファ93f、93k、92f、92k、91f、91k、90fを順に経由して、第1乃至第4の回路部40〜43のIQ信号発生器60〜63に供給される。 Therefore, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is cut off by the buffer 90b and is not supplied to any of the first to fourth circuit units 40 to 43. On the other hand, the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 passes through the buffers 93f, 93k, 92f, 92k, 91f, 91k, and 90f in order, and the first to fourth circuit units 40 It is supplied to IQ signal generators 60 to 63 of ~ 43.

図4は、第1の発振信号生成回路30により生成された第1の発振信号を、第1の回路部40に供給し、第2の発振信号生成回路31により生成された第2の発振信号を、第2乃至第4の回路部41〜43に供給する場合の回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第2のモードと言うこととする。 In FIG. 4, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the first circuit unit 40, and the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 is supplied. Is a diagram for explaining a circuit state when supplying the second to fourth circuit units 41 to 43. In the present embodiment, this state is referred to as a second mode.

この図4に示すように、第2のモードにおいては、バッファ90d、90f、91b、91d、91k、92b、92d、93dに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90b、91f、92k、92f、93k、93fに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 4, in the second mode, control signals indicating that the input signals are not output are input to the buffers 90d, 90f, 91b, 91d, 91k, 92b, 92d, 93d. Control signals for instructing to output the input signal are input to the buffers 90b, 91f, 92k, 92f, 93k, and 93f.

このため、第1の発振信号生成回路30で生成された第1の発振信号は、第1の回路部40のIQ信号発生器60に供給されるが、バッファ90dで遮断される。一方、第2の発振信号生成回路31で生成された第2の発振信号は、バッファ93f、93k、92f、92k、91fを順に経由して、第2乃至第4の回路部41〜43のIQ信号発生器61〜63に供給されるが、バッファ91kで遮断される。 Therefore, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the IQ signal generator 60 of the first circuit unit 40, but is cut off by the buffer 90d. On the other hand, the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 passes through the buffers 93f, 93k, 92f, 92k, and 91f in order, and the IQ of the second to fourth circuit units 41 to 43 It is supplied to the signal generators 61 to 63, but is cut off by the buffer 91k.

このとき、領域A1にあるバッファ90d、90f、91b、91kは、いずれも、入力された信号を出力しない不活性な状態にある。つまり、第1の回路部40と第2の回路部41との間は、電源系統が異なるバッファ90dとバッファ91bの2つのバッファで分離され、また、電源系統が異なるバッファ90fとバッファ91kの2つのバッファで分離されることとなる。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生が抑制される。 At this time, the buffers 90d, 90f, 91b, and 91k in the area A1 are all in an inactive state in which the input signal is not output. That is, the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41 are separated by two buffers, buffer 90d and buffer 91b, which have different power supply systems, and buffer 90f and buffer 91k, which have different power supply systems. It will be separated by one buffer. Therefore, high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk is suppressed.

図5は、第1の発振信号生成回路30により生成された第1の発振信号を、第1乃至第2の回路部40〜41に供給し、第2の発振信号生成回路31により生成された第2の発振信号を、第3乃至第4の回路部42〜43に供給する場合の回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第3のモードと言うこととする。 In FIG. 5, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the first to second circuit units 40 to 41, and is generated by the second oscillation signal generation circuit 31. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying the 2nd oscillation signal to the 3rd to 4th circuit parts 42 to 43. In the present embodiment, this state is referred to as a third mode.

この図5に示すように、第3のモードにおいては、バッファ90f、91d、91f、91k、92b、92d、92k、93bに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90b、90d、91b、92f、93k、93fに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 5, in the third mode, control signals indicating that the input signals are not output are input to the buffers 90f, 91d, 91f, 91k, 92b, 92d, 92k, 93b. Control signals for instructing to output the input signal are input to the buffers 90b, 90d, 91b, 92f, 93k, and 93f.

このため、第1の発振信号生成回路30で生成された第1の発振信号は、第1及び第2の回路部40〜41のIQ信号発生器60〜61に供給されるが、バッファ91dで遮断される。一方、第2の発振信号生成回路31で生成された第2の発振信号は、バッファ93f、93k、92fを順に経由して、第3乃至第4の回路部42〜43のIQ信号発生器62〜63に供給されるが、バッファ92kで遮断される。 Therefore, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the IQ signal generators 60 to 61 of the first and second circuit units 40 to 41, but in the buffer 91d. It is blocked. On the other hand, the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 passes through the buffers 93f, 93k, and 92f in order, and the IQ signal generators 62 of the third to fourth circuit units 42 to 43 It is supplied to ~ 63, but is cut off by the buffer 92k.

このとき、領域A2にあるバッファ91d、91f、92b、92kは、いずれも、入力された信号を出力しない不活性な状態にある。つまり、第2の回路部41と第3の回路部42との間は、電源系統が異なるバッファ91dとバッファ92bの2つのバッファで分離され、また、電源系統が異なるバッファ91fとバッファ92kの2つのバッファで分離されることとなる。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生が抑制される。 At this time, the buffers 91d, 91f, 92b, and 92k in the area A2 are all in an inactive state in which the input signal is not output. That is, the second circuit unit 41 and the third circuit unit 42 are separated by two buffers, buffer 91d and buffer 92b, which have different power supply systems, and buffer 91f and buffer 92k, which have different power supply systems. It will be separated by one buffer. Therefore, high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk is suppressed.

図6は、第1の発振信号生成回路30により生成された第1の発振信号を、第1乃至第3の回路部40〜42に供給し、第2の発振信号生成回路31により生成された第2の発振信号を、第4の回路部43に供給する場合の回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第4のモードと言うこととする。 In FIG. 6, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the first to third circuit units 40 to 42, and is generated by the second oscillation signal generation circuit 31. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying the 2nd oscillation signal to the 4th circuit part 43. In the present embodiment, this state is referred to as a fourth mode.

この図6に示すように、第4のモードにおいては、バッファ90f、91f、91k、92d、92f、92k、93b、93kに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90b、90d、91b、91d、92b、93fに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 6, in the fourth mode, control signals indicating that the input signals are not output are input to the buffers 90f, 91f, 91k, 92d, 92f, 92k, 93b, and 93k. Control signals for instructing to output the input signal are input to the buffers 90b, 90d, 91b, 91d, 92b, and 93f.

このため、第1の発振信号生成回路30で生成された第1の発振信号は、第1乃至第3の回路部40〜42のIQ信号発生器60〜62に供給されるが、バッファ92dで遮断される。一方、第2の発振信号生成回路31で生成された第2の発振信号は、バッファ93fを経由して、第4の回路部43のIQ信号発生器63に供給されるが、バッファ93kで遮断される。 Therefore, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the IQ signal generators 60 to 62 of the first to third circuit units 40 to 42, but in the buffer 92d. It is blocked. On the other hand, the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 is supplied to the IQ signal generator 63 of the fourth circuit unit 43 via the buffer 93f, but is cut off by the buffer 93k. Will be done.

このとき、領域A3にあるバッファ92d、92f、93b、93kは、いずれも、入力された信号を出力しない不活性な状態にある。つまり、第3の回路部42と第4の回路部43との間は、電源系統が異なるバッファ92dとバッファ93bの2つのバッファで分離され、また、電源系統が異なるバッファ92fとバッファ93kの2つのバッファで分離されることとなる。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生が抑制される。 At this time, the buffers 92d, 92f, 93b, and 93k in the area A3 are all in an inactive state in which the input signal is not output. That is, the third circuit unit 42 and the fourth circuit unit 43 are separated by two buffers, buffer 92d and buffer 93b, which have different power supply systems, and buffer 92f and buffer 93k, which have different power supply systems. It will be separated by one buffer. Therefore, high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk is suppressed.

図7は、第1の発振信号生成回路30により生成された第1の発振信号を、第1乃至第4の回路部40〜43に供給する場合の回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第5のモードと言うこととする。 FIG. 7 is a diagram for explaining a circuit state when the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the first to fourth circuit units 40 to 43. In the present embodiment, this state is referred to as a fifth mode.

この図7に示すように、第5のモードにおいては、バッファ90f、91f、91k、92f、92k、93f、93kに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90b、90d、91b、91d、92b、92d、93bに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 7, in the fifth mode, control signals indicating that the input signal is not output are input to the buffers 90f, 91f, 91k, 92f, 92k, 93f, and 93k, and the buffer 90b , 90d, 91b, 91d, 92b, 92d, 93b are input with control signals instructing to output the input signal.

このため、第1の発振信号生成回路30で生成された第1の発振信号は、第1乃至第4の回路部40〜43のIQ信号発生器60〜63に供給される。一方、第2の発振信号生成回路31で生成された第2の発振信号は、バッファ93fで遮断され、第1乃至第4の回路部40〜43のいずれにも供給されない。 Therefore, the first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 is supplied to the IQ signal generators 60 to 63 of the first to fourth circuit units 40 to 43. On the other hand, the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 is cut off by the buffer 93f and is not supplied to any of the first to fourth circuit units 40 to 43.

次に、図8に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファの回路構成について説明する。図8は、制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを個別に制御可能なバッファの具体的な回路構成の一例を示す図である。 Next, a circuit configuration of a buffer capable of individually controlling whether or not to output an input signal will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram showing an example of a specific circuit configuration of a buffer capable of individually controlling whether or not to output an input signal based on a control signal.

この図8に示すように、バッファは、PチャネルMOSトランジスタP1、P2、P3と、NチャネルMOSトランジスタN1、N2、N3と、抵抗R1と、インバータ回路IN1とを備えて構成されている。 As shown in FIG. 8, the buffer includes P-channel MOS transistors P1, P2, P3, N-channel MOS transistors N1, N2, N3, a resistor R1, and an inverter circuit IN1.

PチャネルMOSトランジスタP1の制御端子と、NチャネルMOSトランジスタN1の制御端子と、抵抗R1の一端は、それぞれ入力端子に接続されており、この入力端子から入力信号INが入力される。PチャネルMOSトランジスタP1の第1端子は第1電源Vddに接続されており、NチャネルMOSトランジスタN1の第1端子は第2電源Vccに接続されている。 The control terminal of the P-channel MOS transistor P1, the control terminal of the N-channel MOS transistor N1, and one end of the resistor R1 are each connected to an input terminal, and an input signal IN is input from this input terminal. The first terminal of the P-channel MOS transistor P1 is connected to the first power supply Vdd, and the first terminal of the N-channel MOS transistor N1 is connected to the second power supply Vcc.

第1電源Vddと第2電源Vccとの間には、さらに、PチャネルMOSトランジスタP2、P3と、NチャネルMOSトランジスタN2、N3とが、直列的に接続されている。PチャネルMOSトランジスタP3の制御端子とNチャネルMOSトランジスタN2の制御端子は、PチャネルMOSトランジスタP1の第2端子とNチャネルMOSトランジスタN1の第2端子と抵抗R1の他端に、共通に接続されている。 Further, P-channel MOS transistors P2 and P3 and N-channel MOS transistors N2 and N3 are connected in series between the first power supply Vdd and the second power supply Vcc. The control terminal of the P-channel MOS transistor P3 and the control terminal of the N-channel MOS transistor N2 are commonly connected to the second terminal of the P-channel MOS transistor P1, the second terminal of the N-channel MOS transistor N1, and the other end of the resistor R1. ing.

制御回路50で生成された制御信号Enableは、NチャネルMOSトランジスタN3の制御端子に入力される。また、制御信号Enableは、インバータ回路IN1にも入力され、反転された上で、PチャネルMOSトランジスタP2の制御端子に入力される。 The control signal Enable generated by the control circuit 50 is input to the control terminal of the N-channel MOS transistor N3. Further, the control signal Enable is also input to the inverter circuit IN1, inverted, and then input to the control terminal of the P-channel MOS transistor P2.

このため、ハイレベルの制御信号Enableが入力されている場合は、PチャネルMOSトランジスタP2とNチャネルMOSトランジスタN3とが、オン状態となり、このバッファは、入力された信号INをバッファリングして、出力信号OUTとして出力する回路となる。一方、ローレベルの制御信号Enableが入力されている場合は、PチャネルMOSトランジスタP2とNチャネルMOSトランジスタN3とが、オフ状態となり、このバッファは、入力された信号を出力しない回路となる。つまり、ハイレベルの制御信号が、入力された信号を出力する指示の制御信号となり、ローレベルの制御信号が、入力された信号を出力しない指示の制御信号となる。 Therefore, when a high-level control signal Enable is input, the P-channel MOS transistor P2 and the N-channel MOS transistor N3 are turned on, and this buffer buffers the input signal IN. It is a circuit that outputs as an output signal OUT. On the other hand, when the low-level control signal Enable is input, the P-channel MOS transistor P2 and the N-channel MOS transistor N3 are turned off, and this buffer becomes a circuit that does not output the input signal. That is, the high-level control signal becomes the control signal for the instruction to output the input signal, and the low-level control signal becomes the control signal for the instruction not to output the input signal.

本実施形態においては、入力信号INと出力信号OUTは、第1の発振信号と第2の発振信号のいずれかとなる。また、第1電源Vddと第2電源Vccとが、図1の電源回路20〜26から供給される。より具体的には、第1の回路部40にあるバッファ90b、90d、90fには、電源回路21から第1電源Vddと第2電源Vccが供給され、第2の回路部41にあるバッファ91b、91d、91f、91kには、電源回路22から第1電源Vddと第2電源Vccが供給され、第3の回路部42にあるバッファ92b、92d、92f、92kには、電源回路23から第1電源Vddと第2電源Vccが供給され、第4の回路部43にあるバッファ93b、93f、93kには、電源回路24から第1電源Vddと第2電源Vccが供給される。 In the present embodiment, the input signal IN and the output signal OUT are either the first oscillation signal or the second oscillation signal. Further, the first power supply Vdd and the second power supply Vcc are supplied from the power supply circuits 20 to 26 of FIG. More specifically, the first power supply Vdd and the second power supply Vcc are supplied from the power supply circuit 21 to the buffers 90b, 90d, 90f in the first circuit unit 40, and the buffer 91b in the second circuit unit 41. , 91d, 91f, 91k are supplied with the first power supply Vdd and the second power supply Vcc from the power supply circuit 22, and the buffers 92b, 92d, 92f, 92k in the third circuit unit 42 are supplied from the power supply circuit 23 to the second. The first power supply Vdd and the second power supply Vcc are supplied, and the first power supply Vdd and the second power supply Vcc are supplied from the power supply circuit 24 to the buffers 93b, 93f, and 93k in the fourth circuit unit 43.

以上のように、本実施形態に係る半導体装置1によれば、第1の発振信号又は第2の発振信号をバッファリングするバッファを、第1乃至第4の回路部40〜43のそれぞれに供給される電力により動作させることとした。さらに、第1乃至第4の回路部40〜43のそれぞれの間を、2つの不活性なバッファで分離することとした。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生を抑制することができる。 As described above, according to the semiconductor device 1 according to the present embodiment, the buffer for buffering the first oscillation signal or the second oscillation signal is supplied to each of the first to fourth circuit units 40 to 43. It was decided to operate with the power generated. Further, it was decided to separate each of the first to fourth circuit units 40 to 43 by two inactive buffers. Therefore, a high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk can be suppressed.

また、第1乃至第4の回路部40〜43のぞれぞれの間を、1本の伝送路を用いて、第1の発振信号と第2の発振信号を遣り取りすることとしたので、レイアウト面積の抑制を図ることができる。特に、第1の発振信号の周波数と第2の発振信号の周波数が近接している場合には、2つの信号の伝送路を可能な限り離してレイアウトをする必要があるため、レイアウト面積の増大を招く可能性があるが、本実施形態のように1本の伝送路として共通化することにより、レイアウト面積の削減を図ることができる。 Further, since it was decided to exchange the first oscillation signal and the second oscillation signal between each of the first to fourth circuit units 40 to 43 using one transmission line. The layout area can be reduced. In particular, when the frequency of the first oscillation signal and the frequency of the second oscillation signal are close to each other, it is necessary to lay out the transmission lines of the two signals as far apart as possible, which increases the layout area. However, the layout area can be reduced by sharing the transmission lines as one transmission line as in the present embodiment.

図9は、本実施形態に係る半導体装置1を機能的に説明するためのブロック回路図である。この図9に示すように、半導体装置1は、択一的な経路で第1乃至第4の回路部40〜43に辿り着いた第1の発振信号又は第2の発振信号が、交わることなく、IQ信号発生器60〜63に供給される機能を有するととらえることができる。このような機能を実現するために、第1乃至第4の回路部40〜43は、それぞれ、選択回路SL1、SL2、SL3と、バッファBF1、BF2とを備えていると言える。 FIG. 9 is a block circuit diagram for functionally explaining the semiconductor device 1 according to the present embodiment. As shown in FIG. 9, in the semiconductor device 1, the first oscillating signal or the second oscillating signal arriving at the first to fourth circuit units 40 to 43 by an alternative path does not intersect. , IQ signal generators 60 to 63 can be regarded as having a function of being supplied. In order to realize such a function, it can be said that the first to fourth circuit units 40 to 43 include selection circuits SL1, SL2, SL3 and buffers BF1 and BF2, respectively.

選択回路SL1、SL2、SL3は、入力された第1の発振信号と第2の発振信号のうち一方を出力する回路であり、いずれの発振信号を出力するのかは、制御回路50から入力される制御信号に基づいて切り替えられる。バッファBF1、BF2は、それぞれ、入力された第1の発振信号又は第2の発振信号をバッファリングして出力する回路である。 The selection circuits SL1, SL2, and SL3 are circuits that output one of the input first oscillation signal and the second oscillation signal, and which oscillation signal is output is input from the control circuit 50. It can be switched based on the control signal. The buffers BF1 and BF2 are circuits that buffer and output the input first oscillation signal or second oscillation signal, respectively.

第1の発振信号生成回路30により生成された第1の発振信号と、第2の発振信号生成回路31により生成された第2の発振信号とは、選択回路SL1、SL2の切り替え制御により、択一的に形成された経路で、第1乃至第4の回路部40〜43に辿り着き、選択回路SL3の切り替え制御により、交わることなく、IQ信号発生器60〜63に供給される。つまり、選択回路SL1、SL2、SL3を制御信号によって制御することにより、第1の発振信号と第2の発振信号は、交わることなく、IQ信号発生器60〜63に供給されるのである。 The first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit 30 and the second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit 31 are selected by switching control of the selection circuits SL1 and SL2. The uniformly formed paths reach the first to fourth circuit units 40 to 43, and are supplied to the IQ signal generators 60 to 63 without intersecting by the switching control of the selection circuit SL3. That is, by controlling the selection circuits SL1, SL2, and SL3 by the control signal, the first oscillation signal and the second oscillation signal are supplied to the IQ signal generators 60 to 63 without intersecting.

なお、図10に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、第1乃至第4の回路部40〜43のそれぞれの間の伝送路を2本にすることも可能である。すなわち、第1の発振信号の伝送路と、第2の発振信号の伝送路とを別個に設けるようにしてもよい。この場合、伝送路のレイアウト面積はその分、増大するが、第1の発振信号と第2の発振信号を、第1乃至第4の回路部40〜43の任意の組み合わせの回路部に供給することができるようになる。例えば、第1の回路部40と第3の回路部42に第1の発振信号生成回路30から第1の発振信号を供給し、第2の回路部41と第4の回路部43に第2の発振信号生成回路31から第2の発振信号を供給することができるようになる。 As shown in FIG. 10, the semiconductor device 1 according to the present embodiment can have two transmission lines between each of the first to fourth circuit units 40 to 43. That is, the transmission line of the first oscillation signal and the transmission line of the second oscillation signal may be provided separately. In this case, the layout area of the transmission line is increased by that amount, but the first oscillation signal and the second oscillation signal are supplied to the circuit units of any combination of the first to fourth circuit units 40 to 43. You will be able to do it. For example, the first oscillation signal generation circuit 30 supplies the first oscillation signal to the first circuit unit 40 and the third circuit unit 42, and the second circuit unit 41 and the fourth circuit unit 43 receive the second oscillation signal. The second oscillation signal can be supplied from the oscillation signal generation circuit 31 of the above.

また、図11に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、キャパシタ90aとバッファ90bを第1の発振信号生成回路30の出力近傍に設け、第1の発振信号生成回路30と同じ電源回路20の電源系統から得た電力に基づいてバッファ90bが動作し、且つ、キャパシタ93eとバッファ93fを第2の発振信号生成回路31の出力近傍に設け、第2の発振信号生成回路31と同じ電源回路25の電源系統から得た電力に基づいてバッファ93fが動作するようにしてもよい。 Further, as shown in FIG. 11, in the semiconductor device 1 according to the present embodiment, the capacitor 90a and the buffer 90b are provided in the vicinity of the output of the first oscillation signal generation circuit 30, and the same power supply as that of the first oscillation signal generation circuit 30. The buffer 90b operates based on the electric power obtained from the power supply system of the circuit 20, and the capacitor 93e and the buffer 93f are provided near the output of the second oscillation signal generation circuit 31, which is the same as the second oscillation signal generation circuit 31. The buffer 93f may be operated based on the electric power obtained from the power supply system of the power supply circuit 25.

〔第2実施形態〕
第2実施形態は、上述した第1実施形態を変形して、第1の発振信号生成回路30が第1の発振信号と第2の発振信号を生成して、第1及び第2の回路部40〜41に供給し得るように構成し、第2の発振信号生成回路31も第1の発振信号と第2の発振信号を生成して、第1乃至第4の回路部40〜43に供給し得るように構成することにより、レイアウト面積の削減を実現している。以下、上述した第1実施形態と異なる部分を説明する。
[Second Embodiment]
The second embodiment is a modification of the first embodiment described above, in which the first oscillation signal generation circuit 30 generates the first oscillation signal and the second oscillation signal, and the first and second circuit units. It is configured so that it can be supplied to 40 to 41, and the second oscillation signal generation circuit 31 also generates the first oscillation signal and the second oscillation signal and supplies them to the first to fourth circuit units 40 to 43. The layout area is reduced by configuring it so that it can be used. Hereinafter, parts different from the above-described first embodiment will be described.

図12は、本実施形態に係る半導体装置1における回路構成の一部を説明する回路図とブロック図であり、上述した第1実施形態の図2に対応する図である。 FIG. 12 is a circuit diagram and a block diagram for explaining a part of the circuit configuration in the semiconductor device 1 according to the present embodiment, and is a diagram corresponding to FIG. 2 of the above-described first embodiment.

この図12に示すように、本実施形態における第1の発振信号生成回路30は、第1の周波数の第1の発振信号と、第2の周波数の第2の発振信号の双方を生成し、選択回路MUX1に出力する。上述した第1実施形態と同様に、例えば、第1の周波数は2GHzであり、第2の周波数は5GHzである。 As shown in FIG. 12, the first oscillation signal generation circuit 30 in the present embodiment generates both the first oscillation signal of the first frequency and the second oscillation signal of the second frequency. Output to the selection circuit MUX1. Similar to the first embodiment described above, for example, the first frequency is 2 GHz and the second frequency is 5 GHz.

選択回路MUX1には、図1に示した制御回路50から選択用の制御信号が入力され、この制御信号に基づいて、選択回路MUX1は、第1の発振信号と第2の発振信号とのうちのいずれかを出力するか、或いは、選択回路MUX1は、入力された第1の発振信号と第2の発振信号のいずれも出力しない。この選択回路MUX1は、第1の発振信号生成回路30と同様に、電源回路20の電源系統から供給された電力により動作する。 A control signal for selection is input to the selection circuit MUX1 from the control circuit 50 shown in FIG. 1, and based on this control signal, the selection circuit MUX1 has a first oscillation signal and a second oscillation signal. Either, or the selection circuit MUX1 does not output either the input first oscillation signal or the second oscillation signal. The selection circuit MUX1 operates by the electric power supplied from the power supply system of the power supply circuit 20, similarly to the first oscillation signal generation circuit 30.

第2の発振信号生成回路31も、第1の周波数の第1の発振信号と、第2の周波数の第2の発振信号の双方を生成し、選択回路MUX2に出力する。第1の発振信号生成回路30と同様に、例えば、第1の周波数は2GHzであり、第2の周波数は5GHzである。なお、上述した第1実施形態と同様に、2GHz、5GHzは、第1の周波数と第2の周波数に関する単なる例示であり、例えば、第1の周波数が5.50GHzであり、第2の周波数が5.52GHzのように、第1の発振信号の第1の周波数と第2の発振信号の第2の周波数が、さらに近接している場合も本実施形態においては想定の範囲である。 The second oscillation signal generation circuit 31 also generates both the first oscillation signal of the first frequency and the second oscillation signal of the second frequency, and outputs them to the selection circuit MUX2. Similar to the first oscillation signal generation circuit 30, for example, the first frequency is 2 GHz and the second frequency is 5 GHz. As in the first embodiment described above, 2 GHz and 5 GHz are merely examples of the first frequency and the second frequency. For example, the first frequency is 5.50 GHz and the second frequency is Even when the first frequency of the first oscillation signal and the second frequency of the second oscillation signal are closer to each other, such as 5.52 GHz, it is within the assumed range in this embodiment.

選択回路MUX2にも、図1に示した制御回路50から選択用の制御信号が入力され、この制御信号に基づいて、選択回路MUX2は、第2の発振信号と第2の発振信号のうちのいずれかを出力する。この選択回路MUX2は、第2の発振信号生成回路31と同様に、電源回路25から供給された電力により動作する。 A control signal for selection is also input to the selection circuit MUX2 from the control circuit 50 shown in FIG. 1, and based on this control signal, the selection circuit MUX2 has a second oscillation signal and a second oscillation signal. Output either. The selection circuit MUX2 operates by the electric power supplied from the power supply circuit 25, similarly to the second oscillation signal generation circuit 31.

選択回路MUX1から出力された第1の発振信号又は第2の発振信号は、第1の回路部40に供給される。具体的には、キャパシタ90cを介してバッファ90dに入力され、キャパシタ90hを介してバッファ90iに入力される。 The first oscillation signal or the second oscillation signal output from the selection circuit MUX1 is supplied to the first circuit unit 40. Specifically, it is input to the buffer 90d via the capacitor 90c, and is input to the buffer 90i via the capacitor 90h.

第1の回路部40は、第1のIQ信号発生器100aと、第2のIQ信号発生器100bと、第1の送受信器110aと、第2の送受信器110bとを備えており、バッファ90iから第1の発振信号又は第2の発振信号が入力される。すなわち、バッファ90iから第1の発振信号が入力されている場合には、第1のIQ信号発生器100aが動作し、第1の送受信器110aを用いて送受信が行われる。一方、バッファ90iから第2の発振信号が入力されている場合には、第2のIQ信号発生器100bが動作し、第2の送受信器110bを用いて送受信が行われる。 The first circuit unit 40 includes a first IQ signal generator 100a, a second IQ signal generator 100b, a first transmitter / receiver 110a, and a second transmitter / receiver 110b, and includes a buffer 90i. The first oscillation signal or the second oscillation signal is input from. That is, when the first oscillation signal is input from the buffer 90i, the first IQ signal generator 100a operates, and transmission / reception is performed using the first transmitter / receiver 110a. On the other hand, when the second oscillation signal is input from the buffer 90i, the second IQ signal generator 100b operates, and transmission / reception is performed using the second transmitter / receiver 110b.

なお、図12においては、「送信器」と「受信器」を併合して「送受信器」として1つのブロックで表現しているが、「送信器」と「受信器」とを別個のブロックとして表現している第1実施形態と機能上は同じである。 In FIG. 12, the "transmitter" and the "receiver" are merged and represented as a "transmitter" in one block, but the "transmitter" and the "receiver" are represented as separate blocks. It is functionally the same as the first embodiment expressed.

同様に、第2乃至第4の回路部41〜43のバッファ91i、92i、93iからは、それぞれ、第1の発振信号又は第2の発振信号が出力され、第1の発振信号が出力されている場合には、第1のIQ信号発生器101a、102a、103aが動作し、第1の送受信器111a、112a、113aを用いて送受信が行われ、第2の発振信号が出力されている場合には、第2のIQ信号発生器101b、102b、103bが動作し、第2の送受信器111b、112b、113bを用いて送受信が行われる。 Similarly, the first oscillation signal or the second oscillation signal is output from the buffers 91i, 92i, and 93i of the second to fourth circuit units 41 to 43, respectively, and the first oscillation signal is output. If so, the first IQ signal generators 101a, 102a, 103a are operating, the first transmitter / receiver 111a, 112a, 113a are used for transmission / reception, and the second oscillation signal is output. The second IQ signal generators 101b, 102b, 103b operate, and the second transmitter / receiver 111b, 112b, 113b is used for transmission / reception.

但し、第1の回路部40と第2の回路部41には、第1の発振信号生成回路30と第2の発振信号生成回路31の双方から、第1の発振信号又は第2の発振信号が供給され得るのに対し、第3の回路部42と第4の回路部43には、第2の発振信号生成回路31から第1の発振信号又は第2の発振信号が供給され得るが、第1の発振信号生成回路30からは第1の発振信号も第2の発振信号も供給され得ない構成となっている。 However, in the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41, the first oscillation signal or the second oscillation signal is transmitted from both the first oscillation signal generation circuit 30 and the second oscillation signal generation circuit 31. Can be supplied, whereas the first oscillation signal or the second oscillation signal can be supplied from the second oscillation signal generation circuit 31 to the third circuit unit 42 and the fourth circuit unit 43. Neither the first oscillation signal nor the second oscillation signal can be supplied from the first oscillation signal generation circuit 30.

また、上述した第1実施形態と異なり、第1の回路部40と第2の回路部41との間は、2本の伝送路が設けられている。すなわち、バッファ90dとバッファ91bとの間に1本の専用の伝送路が設けられており、バッファ90fとバッファ91kとの間に1本の専用の伝送路が設けられている。 Further, unlike the first embodiment described above, two transmission lines are provided between the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41. That is, one dedicated transmission line is provided between the buffer 90d and the buffer 91b, and one dedicated transmission line is provided between the buffer 90f and the buffer 91k.

さらに、第4の回路部43に設けられたバッファ93kは、入力された第1の発振信号又は第2の発振信号を非選択的に出力するので、別個の制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを制御可能なバッファではない。但し、バッファ93kは、上述した第1実施形態と同様に、別個の制御信号に基づいて、入力された信号を出力するか否かを制御可能なバッファで構成することも可能である。この場合、バッファ93kには、動作中は定常的に、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されることとなる。 Further, since the buffer 93k provided in the fourth circuit unit 43 outputs the input first oscillation signal or the second oscillation signal non-selectively, it is input based on a separate control signal. It is not a buffer that can control whether or not to output a signal. However, the buffer 93k can be configured by a buffer capable of controlling whether or not to output the input signal based on a separate control signal, as in the first embodiment described above. In this case, the control signal of the instruction to output the input signal is constantly input to the buffer 93k during the operation.

以上が本実施形態に係る半導体装置1の回路構成であるが、次に、この半導体装置1の動作について説明する。 The above is the circuit configuration of the semiconductor device 1 according to the present embodiment. Next, the operation of the semiconductor device 1 will be described.

<第1の発振信号×4、又は、第2の発振信号×4>
図13は、第1の発振信号を第1乃至第4の回路部40〜43に供給する場合、又は、第2の発振信号を第1乃至第4の回路部40〜43に供給する場合における、回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第1のモードと言うこととする。
<1st oscillation signal x 4 or 2nd oscillation signal x 4>
FIG. 13 shows a case where the first oscillation signal is supplied to the first to fourth circuit units 40 to 43, or a case where the second oscillation signal is supplied to the first to fourth circuit units 40 to 43. , It is a figure for demonstrating the circuit state. In the present embodiment, this state is referred to as the first mode.

この図13に示すように、第1のモードでは、バッファ90d、91bに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90f、91k、91f、92kに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。また、選択回路MUX1には、第1の発振信号と第2の発振信号のいずれも出力しない制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 13, in the first mode, the control signal of the instruction not to output the input signal is input to the buffers 90d and 91b, and is input to the buffers 90f, 91k, 91f and 92k. The control signal of the instruction to output the signal is input. Further, a control signal that does not output either the first oscillation signal or the second oscillation signal is input to the selection circuit MUX1.

このため、選択回路MUX2に第1の発振信号を選択する制御信号が入力されている場合には、バッファ93k、92k、91f、91k、90fを順に経由して、第1乃至第4の回路部40〜43に、第1の発振信号が供給される。 Therefore, when a control signal for selecting the first oscillation signal is input to the selection circuit MUX2, the first to fourth circuit units pass through the buffers 93k, 92k, 91f, 91k, and 90f in order. The first oscillation signal is supplied to 40 to 43.

一方、選択回路MUX2に第2の発振信号を選択する制御信号が入力されている場合には、バッファ93k、92k、91f、91k、90fを順に経由して、第1乃至第4の回路部40〜43に、第2の発振信号が供給される。 On the other hand, when the control signal for selecting the second oscillation signal is input to the selection circuit MUX2, the first to fourth circuit units 40 pass through the buffers 93k, 92k, 91f, 91k, and 90f in order. A second oscillation signal is supplied to ~ 43.

<第1の発振信号×1+第2の発振信号×3、又は、第1の発振信号×3+第2の発振信号×1>
図14は、第1の発振信号を第1の回路部40に供給し、且つ、第2の発振信号を第2乃至第4の回路部41〜43に供給する場合、又は、第2の発振信号を第1の回路部40に供給し、第1の発振信号を第2乃至第4の回路部41〜43に供給する場合における、回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第2のモードと言うこととする。
<1st oscillation signal x 1 + 2nd oscillation signal x 3 or 1st oscillation signal x 3 + 2nd oscillation signal x 1>
FIG. 14 shows a case where the first oscillation signal is supplied to the first circuit unit 40 and the second oscillation signal is supplied to the second to fourth circuit units 41 to 43, or the second oscillation. It is a figure for demonstrating the circuit state at the time of supplying the signal to the 1st circuit part 40, and supplying the 1st oscillation signal to the 2nd to 4th circuit parts 41-43. In the present embodiment, this state is referred to as a second mode.

この図14に示すように、第2のモードでは、バッファ90d、90f、91b、91kに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ91f、92kに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 14, in the second mode, control signals indicating that the input signal is not output are input to the buffers 90d, 90f, 91b, 91k, and are input to the buffers 91f, 92k. The control signal of the instruction to output the signal is input.

このため、選択回路MUX1に第1の発振信号を選択する制御信号が入力され、且つ、選択回路MUX2に第2の発振信号を選択する制御信号が入力されている場合には、選択回路MUX1から、第1の回路部40に第1の発振信号が供給され、選択回路MUX2から、バッファ93k、92k、91fを順に経由して、第2乃至第4の回路部41〜43に、第2の発振信号が供給される。 Therefore, when the control signal for selecting the first oscillation signal is input to the selection circuit MUX1 and the control signal for selecting the second oscillation signal is input to the selection circuit MUX2, the selection circuit MUX1 is used. , The first oscillation signal is supplied to the first circuit unit 40, and the second to the second to fourth circuit units 41 to 43 pass through the buffers 93k, 92k, and 91f in order from the selection circuit MUX2. An oscillation signal is supplied.

一方、選択回路MUX1に第2の発振信号を選択する制御信号が入力され、且つ、選択回路MUX2に第1の発振信号を選択する制御信号が入力されている場合には、選択回路MUX1から、第1の回路部40に第2の発振信号が供給され、選択回路MUX2から、バッファ93k、92k、91fを順に経由して、第2乃至第4の回路部41〜43に、第1の発振信号が供給される。 On the other hand, when the control signal for selecting the second oscillation signal is input to the selection circuit MUX1 and the control signal for selecting the first oscillation signal is input to the selection circuit MUX2, the selection circuit MUX1 can be used. The second oscillation signal is supplied to the first circuit unit 40, and the first oscillation is sent from the selection circuit MUX2 to the second to fourth circuit units 41 to 43 via the buffers 93k, 92k, and 91f in order. The signal is supplied.

このとき、領域A4にあるバッファ90d、90f、91b、91kは、いずれも、入力された信号を出力しない不活性な状態にある。つまり、第1の回路部40と第2の回路部41との間は、電源系統が異なるバッファ90dとバッファ91bの2つのバッファで分離され、また、電源系統が異なるバッファ90fとバッファ91kの2つのバッファで分離されることとなる。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生が抑制される。 At this time, the buffers 90d, 90f, 91b, and 91k in the area A4 are all in an inactive state in which the input signal is not output. That is, the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41 are separated by two buffers, buffer 90d and buffer 91b, which have different power supply systems, and buffer 90f and buffer 91k, which have different power supply systems. It will be separated by one buffer. Therefore, high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk is suppressed.

<第1の発振信号×2+第2の発振信号×2>
図15は、第1の発振信号を第1乃至第2の回路部40〜41に供給し、且つ、第2の発振信号を第3乃至第4の回路部42〜43に供給する場合、又は、第2の発振信号を第1乃至第2の回路部40〜41に供給し、第1の発振信号を第3乃至第4の回路部42〜43に供給する場合における、回路状態を説明するための図である。本実施形態においては、この状態を第3のモードと言うこととする。
<1st oscillation signal x 2 + 2nd oscillation signal x 2>
FIG. 15 shows a case where the first oscillation signal is supplied to the first to second circuit units 40 to 41 and the second oscillation signal is supplied to the third to fourth circuit units 42 to 43, or , The circuit state in the case where the second oscillation signal is supplied to the first to second circuit units 40 to 41 and the first oscillation signal is supplied to the third to fourth circuit units 42 to 43 will be described. It is a figure for. In the present embodiment, this state is referred to as a third mode.

この図15に示すように、第3のモードでは、バッファ90f、91f、91k、92kに、入力された信号を出力しない指示の制御信号が入力されており、バッファ90d、91bに、入力された信号を出力する指示の制御信号が入力されている。 As shown in FIG. 15, in the third mode, control signals indicating that the input signal is not output are input to the buffers 90f, 91f, 91k, and 92k, and are input to the buffers 90d and 91b. The control signal of the instruction to output the signal is input.

このため、選択回路MUX1に第1の発振信号を選択する制御信号が入力され、且つ、選択回路MUX2に第2の発振信号を選択する制御信号が入力されている場合には、選択回路MUX1から、第1乃至第2の回路部40〜41に第1の発振信号が供給され、選択回路MUX2から、バッファ93kを経由して、第3乃至第4の回路部42〜43に、第2の発振信号が供給される。 Therefore, when the control signal for selecting the first oscillation signal is input to the selection circuit MUX1 and the control signal for selecting the second oscillation signal is input to the selection circuit MUX2, the selection circuit MUX1 is used. , The first oscillation signal is supplied to the first to second circuit units 40 to 41, and the second oscillation signal is supplied from the selection circuit MUX2 to the third to fourth circuit units 42 to 43 via the buffer 93k. An oscillation signal is supplied.

また結果的には同数とはなるが、選択回路MUX1に第2の発振信号を選択する制御信号が入力され、且つ、選択回路MUX2に第1の発振信号を選択する制御信号が入力されている場合には、選択回路MUX1から、第1乃至第2の回路部40〜41に第2の発振信号が供給され、選択回路MUX2から、バッファ93kを経由して、第3乃至第4の回路部42〜43に、第1の発振信号が供給される。 Further, although the numbers are the same as a result, the control signal for selecting the second oscillation signal is input to the selection circuit MUX1, and the control signal for selecting the first oscillation signal is input to the selection circuit MUX2. In this case, the second oscillation signal is supplied from the selection circuit MUX1 to the first to second circuit units 40 to 41, and the third to fourth circuit units are supplied from the selection circuit MUX2 via the buffer 93k. The first oscillation signal is supplied to 42 to 43.

このとき、領域A5にあるバッファ91f、92kは、いずれも、入力された信号を出力しない不活性な状態にある。つまり、第2の回路部41と第3の回路部42との間は、電源系統が異なるバッファ91fとバッファ92kの2つのバッファで分離されることとなる。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生が抑制される。 At this time, the buffers 91f and 92k in the area A5 are both in an inactive state in which the input signal is not output. That is, the second circuit unit 41 and the third circuit unit 42 are separated by two buffers, a buffer 91f and a buffer 92k, which have different power supply systems. Therefore, high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk is suppressed.

以上のように、本実施形態に係る半導体装置1によれば、第1の発振信号又は第2の発振信号をバッファリングするバッファを、第1乃至第4の回路部40〜43のそれぞれに供給される電力により動作させることとした。さらに、第1乃至第3の回路部40〜42のそれぞれの間を、2つの不活性なバッファで分離することとした。このため、第1の発振信号と第2の発振信号との間のアイソレーションを高く確保することができ、クロストークの発生を抑制することができる。 As described above, according to the semiconductor device 1 according to the present embodiment, the buffer for buffering the first oscillation signal or the second oscillation signal is supplied to each of the first to fourth circuit units 40 to 43. It was decided to operate with the power generated. Further, it was decided to separate each of the first to third circuit units 40 to 42 by two inactive buffers. Therefore, a high isolation between the first oscillation signal and the second oscillation signal can be ensured, and the occurrence of crosstalk can be suppressed.

また、第1の発振信号生成回路30と第2の発振信号生成回路31とが、ともに、第1の発振信号と第2の発振信号の双方を生成し、第1の発振信号生成回路30から選択的に第1乃至第2の回路部40〜41に第1の発振信号又は第2の発振信号を供給し、第2の発振信号生成回路31から選択的に第1乃至第4の回路部40〜43に第1の発振信号又は第2の発振信号を供給することしたので、バッファの活性状態/不活性状態を任意に組み合わせることにより、必要な数の回路部に、第1の発振信号を供給し、第2の発振信号を供給することができる。また、第2回路部41と第3回路部42との間の発振信号の伝送路を1本にすることができ、第3の回路部43と第4の回路部43との間の発振信号伝送路を1本にすることができるので、回路のレイアウト面積を削減することができる。 Further, both the first oscillation signal generation circuit 30 and the second oscillation signal generation circuit 31 generate both the first oscillation signal and the second oscillation signal from the first oscillation signal generation circuit 30. The first oscillation signal or the second oscillation signal is selectively supplied to the first to second circuit units 40 to 41, and the first to fourth circuit units are selectively supplied from the second oscillation signal generation circuit 31. Since the first oscillation signal or the second oscillation signal is supplied to 40 to 43, the first oscillation signal can be supplied to the required number of circuit units by arbitrarily combining the active / inactive states of the buffer. Can be supplied and a second oscillation signal can be supplied. Further, the transmission path of the oscillation signal between the second circuit unit 41 and the third circuit unit 42 can be unified, and the oscillation signal between the third circuit unit 43 and the fourth circuit unit 43 can be unified. Since the number of transmission lines can be one, the layout area of the circuit can be reduced.

なお、図16に示すように、本実施形態に係る半導体装置1は、第1実施形態と同様に、第1の回路部40と第2の回路部41との間を、1本の伝送路で接続して、第1の発振信号又は第2の発振信号の遣り取りをすることもできる。これにより、さらなる回路面積の削減を図ることができる。 As shown in FIG. 16, the semiconductor device 1 according to the present embodiment has one transmission line between the first circuit unit 40 and the second circuit unit 41, as in the first embodiment. It is also possible to exchange the first oscillation signal or the second oscillation signal by connecting with. As a result, the circuit area can be further reduced.

また、図17に示すように、第1の発振信号生成回路30と同じ電源回路20の電源系統から選択回路MUX1に電力を供給するのではなく、第1の回路部40と同じ電源回路21の電源系統から選択回路MUX1に電力を供給するようにしてもよい。同様に、第2の発振信号生成回路31と同じ電源回路25の電源系統から選択回路MUX2に電力を供給するのではなく、第4の回路部43と同じ電源回路24の電源系統から選択回路MUX2に電力を供給するようにしてもよい。 Further, as shown in FIG. 17, instead of supplying power to the selection circuit MUX1 from the power supply system of the power supply circuit 20 which is the same as the first oscillation signal generation circuit 30, the power supply circuit 21 which is the same as the first circuit unit 40 Power may be supplied from the power supply system to the selection circuit MUX1. Similarly, instead of supplying power to the selection circuit MUX2 from the power supply system of the power supply circuit 25 which is the same as the second oscillation signal generation circuit 31, the selection circuit MUX2 is not supplied from the power supply system of the power supply circuit 24 which is the same as the fourth circuit unit 43. May be supplied with power.

以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例としてのみ提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図したものではない。本明細書で説明した新規な装置および方法は、その他の様々な形態で実施することができる。また、本明細書で説明した装置および方法の形態に対し、発明の要旨を逸脱しない範囲内で、種々の省略、置換、変更を行うことができる。添付の特許請求の範囲およびこれに均等な範囲は、発明の範囲や要旨に含まれるこのような形態や変形例を含むように意図されている。 Although some embodiments have been described above, these embodiments are presented only as examples and are not intended to limit the scope of the invention. The novel devices and methods described herein can be implemented in a variety of other forms. In addition, various omissions, substitutions, and changes can be made to the forms of the apparatus and method described in the present specification without departing from the gist of the invention. The appended claims and their equivalent scope are intended to include such forms and variations contained within the scope and gist of the invention.

10…電源、20〜26:電源回路、30:第1の発振信号生成回路、31:第2の発振信号生成回路、40〜43:第1乃至第4の回路部、50:制御回路、60〜63:IQ信号発生器、70〜73:送信器、80〜83:受信器、90a、90c、90e、90g、90h:キャパシタ、90b、90d、90f、90i:バッファ、91a、91c、91e、91g、91h、91j:キャパシタ、91b、91d、91f、91i、91k:バッファ、92a、92c、92e、92g、92h、92j:キャパシタ、92b、92d、92f、92i、92k:バッファ、93a、93e、93g、93h、93j:キャパシタ、93b、93f、93i、93k:バッファ 10 ... Power supply, 20 to 26: Power supply circuit, 30: First oscillation signal generation circuit, 31: Second oscillation signal generation circuit, 40 to 43: First to fourth circuit units, 50: Control circuit, 60 ~ 63: IQ signal generator, 70 to 73: transmitter, 80 to 83: receiver, 90a, 90c, 90e, 90g, 90h: capacitor, 90b, 90d, 90f, 90i: buffer, 91a, 91c, 91e, 91g, 91h, 91j: Capacitor, 91b, 91d, 91f, 91i, 91k: Buffer, 92a, 92c, 92e, 92g, 92h, 92j: Capacitor, 92b, 92d, 92f, 92i, 92k: Buffer, 93a, 93e, 93g, 93h, 93j: Capacitor, 93b, 93f, 93i, 93k: Buffer

Claims (3)

第1の電源系統から電力が供給される第1の回路部であって、第1のバッファと第2のバッファと第1の処理部とを有する、第1の回路部と、
前記第1の電源系統とは異なる第2の電源系統から電力が供給される第2の回路部であって、第3のバッファを有する第2の回路部と、
前記第1の電源系統から電力が供給される、第1の発振信号生成回路と、
前記第2の電源系統から電力が供給される、第2の発振信号生成回路と、
を備えており、
前記第1のバッファには、前記第1の発振信号生成回路により生成された第1の発振信号が入力され、
前記第2のバッファには、前記第2の発振信号生成回路により生成された第2の発振信号が、前記第3のバッファを介して入力され、
前記第1のバッファが前記入力された第1の発振信号を前記第2の回路部に出力するか否か、又は、前記第2のバッファが前記入力された第2の発振信号を前記第1の処理部に出力するか否かのいずれかが制御可能であり、
前記第1の発振信号が入力される、第4のバッファが、前記第1の回路部にさらに設けられており、前記第4のバッファには、前記第1の電源系統から電力が供給され、
前記第4のバッファが、入力された前記第1の発振信号を、前記第1の処理部及び前記第1のバッファに出力するか否かを制御可能であり、
前記第2の回路部は、第5のバッファと第2の処理部とをさらに有しており、
前記第5のバッファには、前記第1のバッファを介して、前記第1の発振信号が入力され、
前記第5のバッファが前記入力された第1の発振信号を前記第2の処理部に出力するか否かを制御可能である、半導体装置。
A first circuit unit that is a first circuit unit to which power is supplied from the first power supply system and has a first buffer, a second buffer, and a first processing unit.
A second circuit unit in which power is supplied from a second power supply system different from the first power supply system, and a second circuit unit having a third buffer.
The first oscillation signal generation circuit to which power is supplied from the first power supply system and
A second oscillation signal generation circuit to which power is supplied from the second power supply system, and
Is equipped with
The first oscillation signal generated by the first oscillation signal generation circuit is input to the first buffer.
The second oscillation signal generated by the second oscillation signal generation circuit is input to the second buffer via the third buffer.
Whether or not the first buffer outputs the input first oscillation signal to the second circuit unit, or whether the second buffer outputs the input second oscillation signal to the first circuit unit. It is possible to control whether or not to output to the processing unit of
A fourth buffer into which the first oscillation signal is input is further provided in the first circuit section, and power is supplied to the fourth buffer from the first power supply system.
Said fourth buffer, the input of the first oscillation signal, Ri controllable der whether to output to the first processing unit and said first buffer,
The second circuit unit further includes a fifth buffer and a second processing unit.
The first oscillation signal is input to the fifth buffer via the first buffer.
A semiconductor device capable of controlling whether or not the fifth buffer outputs the input first oscillation signal to the second processing unit .
前記第1のバッファと前記第5のバッファとの間の伝送路と、前記第2のバッファと前記第3のバッファとの間の伝送路は、共通化されている、請求項に記載の半導体装置。 The transmission line between the first buffer and the fifth buffer and the transmission line between the second buffer and the third buffer are shared, according to claim 1 . Semiconductor device. 前記第1のバッファと前記第5のバッファとの間には第1の伝送路が設けられており、前記第2のバッファと前記第3のバッファとの間には前記第1の伝送路とは別個に第2の伝送路が設けられている、請求項に記載の半導体装置。 A first transmission line is provided between the first buffer and the fifth buffer, and the first transmission line is provided between the second buffer and the third buffer. The semiconductor device according to claim 1 , wherein a second transmission line is separately provided.
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