[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6776800B2 - Electronic device and its manufacturing method - Google Patents

Electronic device and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP6776800B2
JP6776800B2 JP2016204479A JP2016204479A JP6776800B2 JP 6776800 B2 JP6776800 B2 JP 6776800B2 JP 2016204479 A JP2016204479 A JP 2016204479A JP 2016204479 A JP2016204479 A JP 2016204479A JP 6776800 B2 JP6776800 B2 JP 6776800B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
electronic component
support member
convex portion
electronic device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016204479A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018067599A (en
Inventor
和輝 神田
和輝 神田
小林　渉
渉 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2016204479A priority Critical patent/JP6776800B2/en
Priority to PCT/JP2017/028285 priority patent/WO2018074035A1/en
Priority to CN201780063832.XA priority patent/CN109891575B/en
Publication of JP2018067599A publication Critical patent/JP2018067599A/en
Priority to US16/382,323 priority patent/US10937711B2/en
Priority to US16/914,903 priority patent/US11367668B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6776800B2 publication Critical patent/JP6776800B2/en
Priority to US17/116,269 priority patent/US11901253B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
    • H01L2224/26152—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers being formed on an item to be connected not being a semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/26175—Flow barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part

Landscapes

  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Lining Or Joining Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device and a method for manufacturing the same.

金属表面に電子部品（例えばＩＣチップ）を接合するとともに樹脂部材を密着させた構造を有する、半導体装置及びその製造方法が知られている（例えば特許文献１等参照）。また、特許文献１は、金属表面をレーザービーム照射により粗面化して樹脂部材の密着性を向上する技術を開示する。 A semiconductor device having a structure in which an electronic component (for example, an IC chip) is bonded to a metal surface and a resin member is adhered to the metal surface and a method for manufacturing the semiconductor device are known (see, for example, Patent Document 1 and the like). Further, Patent Document 1 discloses a technique of roughening a metal surface by irradiating a laser beam to improve the adhesion of a resin member.

特開２０１６−２０００１号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2016-20001

この種の装置において、樹脂部材の密着性をよりいっそう向上することが求められている。本発明は、上記に例示した課題に鑑みてなされたものである。 In this type of device, it is required to further improve the adhesion of the resin member. The present invention has been made in view of the above-exemplified problems.

請求項１に記載の電子装置（１）は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する。
この電子装置は、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記粗面は、
第一領域（２８）と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）と、を含み、
前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数有し、
前記第二領域における前記第二凸部は、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成されている。 The electronic device (1) according to claim 1 has a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4).
This electronic device
The mounting surface (23), which is a metallic surface bonded to the conductive bonding layer, and the mounting surface are provided outside the mounting surface so as to be adjacent to the mounting surface and surround the mounting surface in the in-plane direction of the mounting surface. A support member (2) having a sealing surface (24) which is a metallic surface,
A resin member (5) that is a synthetic resin molded body and is joined to the sealing surface while covering the electronic parts.
With
The sealing surface has a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26).
The rough surface is
It includes a first region (28) and a second region (29) in which the density of the laser irradiation marks in the in-plane direction is higher than that of the first region .
A first convex portion (261) having a height of 0.5 to 5 μm corresponding to the laser irradiation mark, and a height of 1 to 500 nm and a width formed in and / or around the first convex portion. It has a plurality of second convex portions (262) having a diameter of 1 to 300 nm, respectively.
The second convex portion in the second region is formed higher than the second convex portion in the first region.

この電子装置は、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記粗面は、第一領域（２８）と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）と、を含む、
上記構成においては、前記支持部材に対するレーザービームの照射により、前記支持部材における前記封止面に、複数の前記レーザー照射痕による前記粗面が形成される。かかる粗面には、前記第一領域と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い前記第二領域とが形成される。前記レーザー照射痕の密度が高い前記第二領域は、所望の部分（例えば、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分）に対応して設けられ得る。これにより、前記支持部材における金属質表面である前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。 This electronic device
The mounting surface (23), which is a metallic surface bonded to the conductive bonding layer, is provided on the outside of the mounting surface so as to be adjacent to the mounting surface and surround the mounting surface in the in-plane direction of the mounting surface. A support member (2) having a sealing surface (24) which is a metallic surface,
A resin member (5) that is a synthetic resin molded product and is joined to the sealing surface while covering the electronic component.
With
The sealing surface has a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26).
The rough surface includes a first region (28) and a second region (29) in which the density of the laser irradiation marks in the in-plane direction is higher than that of the first region.
In the above configuration, by irradiating the support member with a laser beam, the rough surface due to the plurality of laser irradiation marks is formed on the sealing surface of the support member. On such a rough surface, the first region and the second region in which the density of the laser irradiation marks in the in-plane direction is higher than that of the first region are formed. The second region having a high density of laser irradiation marks is a desired portion (for example, a portion in a joint portion between the support member and the conductive joint layer or the resin member, where the internal stress is higher than other parts). Can be provided corresponding to. As a result, the adhesion between the sealing surface, which is a metallic surface of the support member, and the resin member is further improved.

請求項６に記載の製造方法は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法である。
この製造方法は、以下の工程を含む。
前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面であって第一領域（２８）と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆し、
前記封止面を設けることは、前記粗面に、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数形成するとともに、前記第二領域における前記第二凸部を、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成することである。 The manufacturing method according to claim 6 is a manufacturing method of an electronic device (1) having a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4).
This manufacturing method includes the following steps.
From the laser non-irradiation region (27), which is a part of one planar metal surface of the support member (2) on which the electronic component is mounted and is a region closer to the center in the in-plane direction of the metal surface. Is a rough surface formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26) by irradiating the outside in the in-plane direction with a pulsed laser beam, and the first region (28) and the surface. The laser irradiation mark is formed on the sealing surface (24), which is a metallic surface having a rough surface (25) including a second region (29) in which the density of the laser irradiation mark in the inward direction is higher than that of the first region. Provided outside the in-plane direction with respect to the laser non-irradiated region having no
By joining the conductive bonding layer to the mounting surface (23) including the laser non-irradiated region, the electronic component is mounted on the support member via the conductive bonding layer.
Molded synthetic resin in which a resin member (5) by bonding to the sealing surface, the electronic component overturned be by the resin member,
Providing the sealing surface means that the rough surface has a first convex portion (261) having a height of 0.5 to 5 μm corresponding to the laser irradiation mark, and the inside of the first convex portion and / or the first convex portion. A plurality of second convex portions (262) having a height of 1 to 500 nm and a width of 1 to 300 nm formed around the portions are formed, and the second convex portion in the second region is formed in the first region. It is formed higher than the second convex portion in the above .

上記構成においては、前記支持部材に対するレーザービームの照射により、前記支持部材における前記封止面に、前記レーザー照射痕による前記粗面が形成される。かかる粗面は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との前記接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられる。これにより、前記支持部材における金属質表面である前記封止面と、前記樹脂部材との密着性が、よりいっそう向上する。 In the above configuration, by irradiating the support member with a laser beam, the rough surface due to the laser irradiation mark is formed on the sealing surface of the support member. Such a rough surface is provided corresponding to a portion of the joint portion between the support member and the conductive joint layer or the resin member, which has a higher internal stress than other portions. As a result, the adhesion between the sealing surface, which is a metallic surface of the support member, and the resin member is further improved.

前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面であって第一領域（２８）と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。 From the laser non-irradiation region (27), which is a part of one planar metal surface of the support member (2) on which the electronic component is mounted and is a region closer to the center in the in-plane direction of the metal surface. Is a rough surface formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26) by irradiating the outside in the in-plane direction with a pulsed laser beam, and the first region (28) and the surface. The laser irradiation mark is formed on the sealing surface (24), which is a metallic surface having a rough surface (25) including a second region (29) in which the density of the laser irradiation mark in the inward direction is higher than that of the first region. Provided outside the in-plane direction with respect to the laser non-irradiated region having no
By joining the conductive bonding layer to the mounting surface (23) including the laser non-irradiated region, the electronic component is mounted on the support member via the conductive bonding layer.
By joining the resin member (5), which is a synthetic resin molded body, to the sealing surface, the electronic component is covered with the resin member.

かかる製造方法によれば、請求項１に記載の前記電子装置が、良好に製造され得る。 According to such a manufacturing method, the electronic device according to claim 1 can be satisfactorily manufactured.

請求項１９に記載の製造方法は、導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法である。 The manufacturing method according to claim 19 is a manufacturing method of an electronic device (1) having a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4).

この製造方法は、以下の工程を含む。 This manufacturing method includes the following steps.

前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を、有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側であって前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における内部応力が他の部分よりも高くなる部分に対応した位置に設け、
前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記粗面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆する。 From the laser non-irradiation region (27), which is a part of one planar metal surface of the support member (2) on which the electronic component is mounted and is a region closer to the center in the in-plane direction of the metal surface. Is a metallic surface having a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26) by irradiating the outside in the in-plane direction with a laser beam of pulse oscillation. The stop surface (24) is outside the non-laser irradiation region having no laser irradiation mark in the in-plane direction, and the internal stress at the joint portion between the support member and the conductive joint layer or the resin member. Provided at a position corresponding to the part where is higher than other parts
By joining the conductive bonding layer to the mounting surface (23) including the laser non-irradiated region, the electronic component is mounted on the support member via the conductive bonding layer.
By joining the resin member (5), which is a synthetic resin molded body, to the rough surface, the electronic component is covered with the resin member.

かかる製造方法によれば、請求項８に記載の前記電子装置が、良好に製造され得る。 According to such a manufacturing method, the electronic device according to claim 8 can be satisfactorily manufactured.

なお、上記及び特許請求の範囲欄における各手段に付された括弧付きの参照符号は、同手段と後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。 The reference numerals in parentheses attached to each means in the above-mentioned claims and claims column indicate an example of the correspondence between the means and the specific means described in the embodiments described later.

実施形態の電子装置の概略構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the schematic structure of the electronic device of embodiment. 図１に示された電子装置の平面図である。It is a top view of the electronic device shown in FIG. 図１に示された支持部材の平面図である。It is a top view of the support member shown in FIG. 図１に示された支持部材の一部拡大断面図である。It is a partially enlarged sectional view of the support member shown in FIG. 図１に示された支持部材の一部拡大断面図である。It is a partially enlarged sectional view of the support member shown in FIG. 図１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の一部拡大断面図である。It is a partially enlarged sectional view of a support member corresponding to the manufacturing process of the electronic device shown in FIG. 図１に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。It is a top view of the support member corresponding to the manufacturing process of the electronic device shown in FIG. 変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic structure of the electronic device of the modification. 図７に示された電子装置の製造工程に対応した、支持部材の平面図である。It is a top view of the support member corresponding to the manufacturing process of the electronic device shown in FIG. 7. 他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic structure of the electronic device of another modification. さらに他の変形例の電子装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows the schematic structure of the electronic device of still another modification.

以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、複数の実施形態相互間において、また、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には、同一符号が付されている。この場合、後続の実施形態又は変形例においては、技術的矛盾又は特段の追加説明なき限り、先行する実施形態における説明が適宜援用され得る。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are given to the parts that are the same or equal to each other among the plurality of embodiments, and in the embodiments and the modifications described later. In this case, in the subsequent embodiment or modification, the description in the preceding embodiment may be appropriately incorporated unless there is a technical contradiction or a special additional explanation.

（実施形態の構成）
図１〜図３並びに図４Ａ及び図４Ｂを参照しつつ、本実施形態の電子装置１の構成について説明する。図１に示されているように、電子装置１は、支持部材２と、電子部品３と、導電性接合層４と、樹脂部材５とを備えている。なお、図示及び説明の便宜のため、電子装置１に通常設けられる、保護膜、配線部、等の細部については、各図において図示及び説明が省略されている。また、同様の理由のため、図２の平面図においては、樹脂部材５の図示が省略されている。 (Structure of Embodiment)
The configuration of the electronic device 1 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3 and FIGS. 4A and 4B. As shown in FIG. 1, the electronic device 1 includes a support member 2, an electronic component 3, a conductive bonding layer 4, and a resin member 5. For convenience of illustration and explanation, details such as a protective film and a wiring portion usually provided in the electronic device 1 are not shown and described in each drawing. Further, for the same reason, the resin member 5 is not shown in the plan view of FIG.

支持部材２は、電子部品３を支持する部材であって、本実施形態においては金属部材として構成されている。具体的には、支持部材２は、いわゆるリードフレームであって、少なくとも電子部品３と接合される部分及びその近傍部分にて平板状に形成されている。支持部材２の構成の詳細については後述する。本実施形態においては、電子部品３は、ＩＣチップであって、図２に示されているように、平面形状が矩形状に形成されている。「平面形状」とは、六面体状に形成された電子部品３における最も大きな面積を有する一対の表面である、一対の主面のうちの一方を、当該一方の主面の法線方向と平行な視線で見た場合の、当該一方の主面の形状をいう。また、「平面形状」は、平面視における形状、即ち平面図中の形状をいう場合もある。 The support member 2 is a member that supports the electronic component 3, and is configured as a metal member in the present embodiment. Specifically, the support member 2 is a so-called lead frame, and is formed in a flat plate shape at least at a portion joined to the electronic component 3 and a portion in the vicinity thereof. Details of the configuration of the support member 2 will be described later. In the present embodiment, the electronic component 3 is an IC chip, and as shown in FIG. 2, the planar shape is formed in a rectangular shape. The "planar shape" means that one of a pair of main surfaces, which is a pair of surfaces having the largest area in the hexahedral electronic component 3, is parallel to the normal direction of the one main surface. The shape of one of the main surfaces when viewed from the line of sight. Further, the "planar shape" may refer to a shape in a plan view, that is, a shape in a plan view.

導電性接合層４は、支持部材２の一表面である実装面２０に電子部品３を接着するための部材であって、ハンダ又は導電性接着剤によって形成されている。実装面２０の面内方向、即ち、実装面２０と平行な方向を、以下単に「面内方向」と称する。樹脂部材５は、合成樹脂成形体であって、エポキシ樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂等の熱硬化性もしくは熱可塑性合成樹脂によって形成されている。電子装置１は、支持部材２の実装面２０に導電性接合層４を介して電子部品３を搭載するとともに、搭載した電子部品３及び実装面２０を樹脂部材５で被覆した構成を有している。 The conductive bonding layer 4 is a member for adhering the electronic component 3 to the mounting surface 20 which is one surface of the support member 2, and is formed of solder or a conductive adhesive. The in-plane direction of the mounting surface 20, that is, the direction parallel to the mounting surface 20, is hereinafter simply referred to as "in-plane direction". The resin member 5 is a synthetic resin molded body, and is formed of a thermosetting or thermoplastic synthetic resin such as an epoxy resin, a polyamide resin, a polyphenylene sulfide resin, or a polybutylene terephthalate resin. The electronic device 1 has a configuration in which the electronic component 3 is mounted on the mounting surface 20 of the support member 2 via the conductive bonding layer 4, and the mounted electronic component 3 and the mounting surface 20 are covered with the resin member 5. There is.

支持部材２は、本体部２１とメタライズ層２２とを有している。本体部２１は、導電性の良好な金属材料、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、又はこれらの金属元素の少なくとも一種を含む合金（４２アロイ等）によって形成されている。メタライズ層２２は、本体部２１上に形成された金属薄膜であって、実装面２０を有している。即ち、実装面２０は、メタライズ層２２の表面として設けられている。本実施形態においては、メタライズ層２２は、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇのうちの少なくとも一つを主成分とする金属材料をメッキ等で成膜することによって形成されている。 The support member 2 has a main body 21 and a metallized layer 22. The main body 21 is formed of a metal material having good conductivity, for example, Cu, Fe, Ni, Pd, Pt, Al, or an alloy containing at least one of these metal elements (42 alloy, etc.). The metallized layer 22 is a metal thin film formed on the main body 21, and has a mounting surface 20. That is, the mounting surface 20 is provided as the surface of the metallized layer 22. In the present embodiment, the metallized layer 22 is formed by forming a metal material containing at least one of Ni, Au, Pd, and Ag as a main component by plating or the like.

実装面２０は、支持部材２の有する一つの平面状の金属表面の一部に対して、樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するためのレーザービーム照射処理を施すことによって形成されている。具体的には、実装面２０は、搭載面２３と封止面２４とを有している。搭載面２３は、導電性接合層４に接合される金属質表面であって、面内方向における実装面２０の中心部に設けられている。「金属質表面」とは、金属を主成分とする表面であって、金属表面及び金属化合物表面（例えば金属酸化物表面）を含む。本実施形態においては、搭載面２３は、導電性接合層４を構成する材料の濡れ性が良好な金属表面として形成されている。 The mounting surface 20 is formed by subjecting a part of one planar metal surface of the support member 2 to a laser beam irradiation treatment for improving the bondability (that is, adhesion) with the resin member 5. Has been done. Specifically, the mounting surface 20 has a mounting surface 23 and a sealing surface 24. The mounting surface 23 is a metallic surface bonded to the conductive bonding layer 4, and is provided at the center of the mounting surface 20 in the in-plane direction. The "metallic surface" is a surface containing a metal as a main component, and includes a metal surface and a metal compound surface (for example, a metal oxide surface). In the present embodiment, the mounting surface 23 is formed as a metal surface having good wettability of the material constituting the conductive bonding layer 4.

図３に示されているように、搭載面２３は、電子部品３における矩形状の平面形状に対応して、矩形状の平面形状に形成されている。封止面２４は、面内方向について搭載面２３に隣接する金属質表面であって、搭載面２３を囲むように搭載面２３の外側に設けられている。樹脂部材５は、電子部品３を被覆しつつ、封止面２４に接合されている。 As shown in FIG. 3, the mounting surface 23 is formed in a rectangular planar shape corresponding to the rectangular planar shape in the electronic component 3. The sealing surface 24 is a metallic surface adjacent to the mounting surface 23 in the in-plane direction, and is provided on the outside of the mounting surface 23 so as to surround the mounting surface 23. The resin member 5 is joined to the sealing surface 24 while covering the electronic component 3.

封止面２４は、粗面２５を有している。粗面２５は、複数の略円形状のレーザー照射痕２６によって形成されている。レーザー照射痕２６は、外径が５〜３００μｍ程度のクレーター状の凹凸部であって、実装面２０にパルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。なお、一つの略円形状のレーザー照射痕２６は、一回のパルス発振のレーザービーム照射に対応する。 The sealing surface 24 has a rough surface 25. The rough surface 25 is formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks 26. The laser irradiation mark 26 is a crater-shaped uneven portion having an outer diameter of about 5 to 300 μm, and is formed by irradiating the mounting surface 20 with a pulse-oscillating laser beam. In addition, one substantially circular laser irradiation mark 26 corresponds to the laser beam irradiation of one pulse oscillation.

図３に示されているように、本実施形態においては、粗面２５は、平面視にて、所定の線幅（具体的にはレーザー照射痕２６の外径の二倍に相当する幅）を有する矩形状に形成されている。即ち、封止面２４の、矩形状の粗面２５よりも面内方向における内側には、レーザー照射痕２６を有しないレーザー非照射領域２７が形成されている。なお、本実施形態においては、封止面２４の、粗面２５よりも面内方向における外側にも、レーザー照射痕２６を有しない領域が形成されている。 As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the rough surface 25 has a predetermined line width (specifically, a width corresponding to twice the outer diameter of the laser irradiation mark 26) in a plan view. It is formed in a rectangular shape having. That is, a laser non-irradiation region 27 having no laser irradiation mark 26 is formed inside the sealing surface 24 in the in-plane direction with respect to the rectangular rough surface 25. In the present embodiment, a region having no laser irradiation mark 26 is also formed on the outer side of the sealing surface 24 in the in-plane direction from the rough surface 25.

上記の通り、粗面２５は、実装面２０の面内方向における中心部寄りのレーザー非照射領域２７よりも、面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することによって形成されている。このレーザー非照射領域２７によって、搭載面２３の主要部が形成されている。具体的には、本実施形態においては、搭載面２３とレーザー非照射領域２７とは略一致している。 As described above, the rough surface 25 is formed by irradiating the laser beam of pulse oscillation to the outside in the in-plane direction with respect to the laser non-irradiation region 27 near the center in the in-plane direction of the mounting surface 20. .. The main portion of the mounting surface 23 is formed by the laser non-irradiation region 27. Specifically, in the present embodiment, the mounting surface 23 and the laser non-irradiation region 27 substantially coincide with each other.

粗面２５は、第一領域２８と第二領域２９とを含む。第一領域２８及び第二領域２９には、それぞれ、レーザー照射痕２６が複数形成されている。第二領域２９は、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い領域である。具体的には、本実施形態においては、第二領域２９は、レーザービーム照射密度を第一領域２８の１．２５倍以上とすることで形成されている。 The rough surface 25 includes a first region 28 and a second region 29. A plurality of laser irradiation marks 26 are formed in each of the first region 28 and the second region 29. The second region 29 is a region in which the density of the laser irradiation marks 26 in the in-plane direction is higher than that of the first region 28. Specifically, in the present embodiment, the second region 29 is formed by setting the laser beam irradiation density to 1.25 times or more the first region 28.

また、本実施形態においては、第二領域２９は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられている。具体的には、第二領域２９は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられている。即ち、第二領域２９は、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に設けられている。 Further, in the present embodiment, the second region 29 is provided corresponding to a portion of the joint portion between the support member 2, the conductive joint layer 4 and the resin member 5 where the internal stress is higher than the other portions. There is. Specifically, the second region 29 is provided in the vicinity of the four corners in the rectangular shape of the electronic component 3. That is, the second region 29 is provided at a corner portion of the rough surface 25 in the rectangular planar shape.

図４Ａは、図３におけるIV−IV断面のうちの、第一領域２８に対応する部分を示す。図４Ｂは、図３におけるIV−IV断面のうちの、第二領域２９に対応する部分を示す。図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、粗面２５には、第一凸部２６１と第二凸部２６２とが、それぞれ複数形成されている。 FIG. 4A shows a portion of the IV-IV cross section in FIG. 3 corresponding to the first region 28. FIG. 4B shows a portion of the IV-IV cross section in FIG. 3 corresponding to the second region 29. As shown in FIGS. 4A and 4B, a plurality of first convex portions 261 and a plurality of second convex portions 262 are formed on the rough surface 25, respectively.

第一凸部２６１は、クレーター状のレーザー照射痕２６の外縁部に対応して形成された凸部であって、０．５〜５μｍの高さを有している。第一凸部２６１の高さは、図４Ａ及び図４Ｂにて矢印Ｈ１により示されており、その定義は後述する。 The first convex portion 261 is a convex portion formed corresponding to the outer edge portion of the crater-shaped laser irradiation mark 26, and has a height of 0.5 to 5 μm. The height of the first convex portion 261 is indicated by an arrow H1 in FIGS. 4A and 4B, the definition of which will be described later.

第二凸部２６２は、第一凸部２６１内及び第一凸部２６１の周囲に形成された凸部であって、１〜５００ｎｍの高さ及び１〜３００ｎｍの幅を有している。即ち、第二凸部２６２は、レーザー照射痕２６内及びレーザー照射痕２６の周囲に形成されている。また、第二領域２９における第二凸部２６２は、第一領域２８における第二凸部２６２よりも高く形成されている。第二凸部２６２の高さは、図４Ａ及び図４Ｂにて矢印Ｈ２により示されており、その定義は後述する。 The second convex portion 262 is a convex portion formed in the first convex portion 261 and around the first convex portion 261 and has a height of 1 to 500 nm and a width of 1 to 300 nm. That is, the second convex portion 262 is formed in the laser irradiation mark 26 and around the laser irradiation mark 26. Further, the second convex portion 262 in the second region 29 is formed higher than the second convex portion 262 in the first region 28. The height of the second convex portion 262 is indicated by an arrow H2 in FIGS. 4A and 4B, the definition of which will be described later.

第二凸部２６２は、１〜３００ｎｍの幅を有している。第二凸部２６２の幅の定義も後述する。粗面２５は、隣り合う２つの第二凸部２６２の間隔が１〜３００ｎｍとなるように形成されている。 The second convex portion 262 has a width of 1 to 300 nm. The definition of the width of the second convex portion 262 will also be described later. The rough surface 25 is formed so that the distance between two adjacent second convex portions 262 is 1 to 300 nm.

上記のように、第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１の高さよりも充分小さい。故に、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２の高さを捨象して定義可能である。即ち、第一凸部２６１の高さは、第二凸部２６２を平滑化して第一凸部２６１の仮想的な断面曲線（図４Ａ及び図４Ｂにおける点線参照）を形成した場合の、面内方向と直交する方向（即ち図４Ａ及び図４Ｂにおける上下方向）における、第一凸部２６１の最高位置と最低位置との間の距離である。 As described above, the height of the second convex portion 262 is sufficiently smaller than the height of the first convex portion 261. Therefore, the height of the first convex portion 261 can be defined by abstracting the height of the second convex portion 262. That is, the height of the first convex portion 261 is in-plane when the second convex portion 262 is smoothed to form a virtual cross-sectional curve of the first convex portion 261 (see the dotted line in FIGS. 4A and 4B). It is the distance between the highest position and the lowest position of the first convex portion 261 in the direction orthogonal to the direction (that is, the vertical direction in FIGS. 4A and 4B).

第二凸部２６２の高さは、第一凸部２６１における上記の仮想的な断面曲線を水平に伸ばした場合の、水平線と直交する方向における、第二凸部２６２の最高位置と最低位置との間の距離である。第二凸部２６２の幅は、第二凸部２６２の高さを規定する方向と直交する方向における、第二凸部２６２の隣接する２つの最低位置の間の距離である。 The height of the second convex portion 262 is the highest position and the lowest position of the second convex portion 262 in the direction orthogonal to the horizontal line when the above-mentioned virtual cross-sectional curve of the first convex portion 261 is extended horizontally. The distance between. The width of the second convex portion 262 is the distance between two adjacent lowest positions of the second convex portion 262 in a direction orthogonal to the direction defining the height of the second convex portion 262.

（実施形態の構成の製造方法）
上記構成を有する電子装置１は、以下のようにして製造することができる。なお、電子装置１に通常設けられる上記の細部に関しては、製造工程の説明を省略する。 (Manufacturing method of the configuration of the embodiment)
The electronic device 1 having the above configuration can be manufactured as follows. The description of the manufacturing process will be omitted with respect to the above-mentioned details usually provided in the electronic device 1.

まず、支持部材２の一金属表面の一部（即ちレーザー非照射領域２７よりも面内方向における外側の領域）に、パルス発振のレーザービームを走査しつつ多数回照射することで、略円形状のレーザー照射痕２６を多数有する粗面２５が形成される。レーザービームの照射条件は以下の通りである。レーザー光源は、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ（ネオジム：イットリウム・アルミニウム・ガーネット）を用いることが可能である。Ｎｄ：ＹＡＧの場合、波長は、基本波長である１０６４μｍ、又はその高調波である５３３μｍ又は３５５μｍの波長を用いることが可能である。レーザービームの照射スポット径は、５〜３００μｍ、エネルギー密度は５〜１００Ｊ／平方ｃｍ、パルス幅（即ち一つのスポットあたりの照射時間）は１０〜１０００ｎｓである。 First, a part of the metal surface of the support member 2 (that is, the region outside the non-laser irradiation region 27 in the in-plane direction) is irradiated many times while scanning the laser beam of pulse oscillation to form a substantially circular shape. A rough surface 25 having a large number of laser irradiation marks 26 is formed. The irradiation conditions of the laser beam are as follows. As the laser light source, for example, Nd: YAG (neodymium: yttrium aluminum garnet) can be used. In the case of Nd: YAG, it is possible to use a wavelength of 1064 μm, which is the basic wavelength, or 533 μm or 355 μm, which is a harmonic thereof. The irradiation spot diameter of the laser beam is 5 to 300 μm, the energy density is 5 to 100 J / square cm, and the pulse width (that is, the irradiation time per spot) is 10 to 1000 ns.

図５は、一回のレーザービーム照射によって一つのレーザー照射痕２６が形成された様子を示す。図中、破線は、レーザービームを示す。レーザービームの照射により、金属の溶融及び／又は気化と、これに伴う金属の凝固及び／又は堆積が生じる。これにより、図５に示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１が平面視にて略円形に形成される。第一凸部２６１の外径は、レーザービームの照射スポット径よりも僅かに大きい。また、第一凸部２６１の内側及び周囲に、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２が形成される。 FIG. 5 shows how one laser irradiation mark 26 is formed by one laser beam irradiation. In the figure, the broken line indicates the laser beam. Irradiation of the laser beam causes melting and / or vaporization of the metal and concomitant solidification and / or deposition of the metal. As a result, as shown in FIG. 5, the micron-sized first convex portion 261 is formed in a substantially circular shape in a plan view. The outer diameter of the first convex portion 261 is slightly larger than the irradiation spot diameter of the laser beam. Further, a nano-sized or submicron-sized second convex portion 262 is formed inside and around the first convex portion 261.

レーザービームの走査条件は以下の通りである。本実施形態においては、レーザー光源、光学系、及び支持部材２を着脱可能に支持するためのＸＹステージは、容易には移動しないように固定的に設けられている。支持部材２がＸＹステージ上に装着される。レーザー光源の駆動とＸＹステージの駆動とが同期されつつ、実装面２０上の所望の位置にてレーザービームが照射される。これにより、レーザービームを実装面２０上にて所望のパターンで走査することが可能である。以下の説明では、説明の簡略化のため、レーザービームが実装面２０上を移動するような表現が用いられることがある。 The scanning conditions of the laser beam are as follows. In the present embodiment, the laser light source, the optical system, and the XY stage for detachably supporting the support member 2 are fixedly provided so as not to move easily. The support member 2 is mounted on the XY stage. While the drive of the laser light source and the drive of the XY stage are synchronized, the laser beam is irradiated at a desired position on the mounting surface 20. This makes it possible to scan the laser beam on the mounting surface 20 in a desired pattern. In the following description, for the sake of brevity, the expression that the laser beam moves on the mounting surface 20 may be used.

本実施形態においては、図６に示されているように、まず、位置Ｐ１０を起点として、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４上をレーザービームが走査される。これにより、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４上に、レーザー照射痕２６が、隙間なく複数形成される。なお、位置Ｐ１０は、辺Ｐ１４−Ｐ１１上における、位置Ｐ１４よりも、レーザービームの照射スポット径の１／２程度、図中Ｘ軸正方向に変位した位置である。 In the present embodiment, as shown in FIG. 6, first, the laser beam is scanned on the rectangle P11-P12-P13-P14 starting from the position P10. As a result, a plurality of laser irradiation marks 26 are formed on the rectangles P11-P12-P13-P14 without any gaps. The position P10 is a position on the sides P14-P11 that is displaced in the positive direction of the X-axis in the drawing by about 1/2 of the irradiation spot diameter of the laser beam from the position P14.

具体的には、まず、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動により、位置Ｐ１０からＰ１１に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｘ軸正方向に一直線状に走査される。次に、支持部材２の図中Ｙ軸正方向への移動により、位置Ｐ１１からＰ１２に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｙ軸負方向に一直線状に走査される。続いて、支持部材２の図中Ｘ軸正方向への移動により、位置Ｐ１２からＰ１３に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｘ軸負方向に一直線状に走査される。さらに、支持部材２の図中Ｙ軸負方向への移動により、位置Ｐ１３からＰ１４に向かって、レーザービームが、実装面２０上を図中Ｙ軸正方向に一直線状に走査される。 Specifically, first, by moving the support member 2 in the negative direction of the X-axis in the drawing, the laser beam scans the mounting surface 20 in a straight line in the positive direction of the X-axis in the drawing from the positions P10 to P11. Will be done. Next, by moving the support member 2 in the positive direction of the Y axis in the drawing, the laser beam is scanned linearly on the mounting surface 20 in the negative direction of the Y axis in the drawing from the positions P11 to P12. Subsequently, by moving the support member 2 in the positive direction of the X-axis in the drawing, the laser beam is scanned linearly on the mounting surface 20 in the negative direction of the X-axis in the drawing from the positions P12 to P13. Further, by moving the support member 2 in the negative direction of the Y-axis in the drawing, the laser beam is scanned linearly on the mounting surface 20 in the positive direction of the Y-axis in the drawing from the positions P13 to P14.

その後、位置Ｐ２０を起点として、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４上をレーザービームが走査される。これにより、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４上に、レーザー照射痕２６が、隙間なく複数形成される。なお、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４は、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４よりも、レーザービームスポット１個分、外側に設けられている。また、辺Ｐ２１−Ｐ２２は辺Ｐ１１−Ｐ１２に隣接し、辺Ｐ２２−Ｐ２３は辺Ｐ１２−Ｐ１３に隣接し、辺Ｐ２３−Ｐ２４は辺Ｐ１３−Ｐ１４に隣接し、辺Ｐ２４−Ｐ２１は辺Ｐ１４−Ｐ１１に隣接している。位置Ｐ２０は、辺Ｐ２４−Ｐ２１上における、位置Ｐ２４よりも、レーザービームの照射スポット径の１／２程度、図中Ｘ軸正方向に変位した位置である。 After that, the laser beam is scanned on the rectangle P21-P22-P23-P24 starting from the position P20. As a result, a plurality of laser irradiation marks 26 are formed on the rectangles P21-P22-P23-P24 without any gaps. The rectangle P21-P22-P23-P24 is provided outside the rectangle P11-P12-P13-P14 by one laser beam spot. Further, the side P21-P22 is adjacent to the side P11-P12, the side P22-P23 is adjacent to the side P12-P13, the side P23-P24 is adjacent to the side P13-P14, and the side P24-P21 is adjacent to the side P14-P11. Adjacent to. The position P20 is a position on the sides P24-P21 that is displaced in the positive direction of the X-axis in the drawing by about 1/2 of the irradiation spot diameter of the laser beam from the position P24.

具体的には、まず、位置Ｐ２０からＰ２１に向かって、レーザービームが、図中Ｘ軸正方向に一直線状に走査される。次に、位置Ｐ２１からＰ２２に向かって、レーザービームが、図中Ｙ軸負方向に一直線状に走査される。続いて、位置Ｐ２２からＰ２３に向かって、レーザービームが、図中Ｘ軸負方向に一直線状に走査される。さらに、位置Ｐ２３からＰ２４に向かって、レーザービームが、図中Ｙ軸正方向に一直線状に走査される。 Specifically, first, the laser beam is scanned in a straight line in the positive direction of the X-axis in the figure from the position P20 to P21. Next, the laser beam is scanned in a straight line in the negative direction of the Y-axis in the drawing from the position P21 to P22. Subsequently, the laser beam is scanned in a straight line in the negative direction of the X-axis in the figure from the position P22 to P23. Further, from the position P23 to P24, the laser beam is scanned in a straight line in the positive direction of the Y axis in the drawing.

位置Ｐ１０を起点としてＰ１１、Ｐ１２、及びＰ１３を経てＰ１４に至るレーザービームの走査速度は一定ではない。具体的には、位置Ｐ１０におけるレーザービーム照射前においては、支持部材２は停止している。位置Ｐ１０におけるレーザービーム照射時又はその直前にて、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動が開始される。その後、レーザービーム照射位置が位置Ｐ１１に達するまで、支持部材２は連続的に移動する。 The scanning speed of the laser beam starting from the position P10, passing through P11, P12, and P13 to P14 is not constant. Specifically, the support member 2 is stopped before the laser beam irradiation at the position P10. At or just before the laser beam irradiation at the position P10, the support member 2 starts moving in the negative direction of the X-axis in the drawing. After that, the support member 2 continuously moves until the laser beam irradiation position reaches the position P11.

支持部材２の移動開始から所定の加速時間の間、支持部材２の移動速度が加速され、その後、移動速度は一定となる。さらにその後、支持部材２の移動速度が減速され、位置Ｐ１１におけるレーザービーム照射時又はその直後にて、支持部材２の移動方向の転換のため、支持部材２の図中Ｘ軸負方向への移動が停止される。このため、走査開始直後の位置Ｐ１０近辺、及び走査終了間際の位置Ｐ１１近辺においては、走査速度が比較的遅くなる。故に、位置Ｐ１０近傍及び位置Ｐ１１近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、Ｐ１０とＰ１１との中間位置近傍にて、走査速度が比較的高くなり、故に、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。 The moving speed of the support member 2 is accelerated during a predetermined acceleration time from the start of movement of the support member 2, and then the moving speed becomes constant. After that, the moving speed of the support member 2 is decelerated, and the support member 2 moves in the negative X-axis direction in the drawing in order to change the moving direction of the support member 2 at the time of irradiation with the laser beam at the position P11 or immediately after that. Is stopped. Therefore, the scanning speed is relatively slow in the vicinity of the position P10 immediately after the start of scanning and in the vicinity of the position P11 just before the end of scanning. Therefore, the density of the laser irradiation mark 26 becomes relatively high in the vicinity of the position P10 and the vicinity of the position P11. On the other hand, in the vicinity of the intermediate position between P10 and P11, the scanning speed becomes relatively high, and therefore the density of the laser irradiation mark 26 becomes relatively low.

位置Ｐ１１にて、支持部材２の移動方向が転換される。即ち、支持部材２は、レーザービームの位置Ｐ１１からＰ１２に向かう走査の際に、図中Ｙ軸正方向に移動する。支持部材２が図中Ｙ軸正方向の移動を開始してから、レーザービーム照射位置が位置Ｐ１２に達するまで、支持部材２は連続的に移動する。このとき、上記の位置Ｐ１０−Ｐ１１間の走査と同様に、走査開始直後の位置Ｐ１１近辺、及び走査終了間際の位置Ｐ１２近辺においては、走査速度が比較的遅くなる。故に、位置Ｐ１１近傍及び位置Ｐ１２近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、Ｐ１１とＰ１２との中間位置にて、走査速度が比較的高くなり、故に、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。 At the position P11, the moving direction of the support member 2 is changed. That is, the support member 2 moves in the positive direction of the Y axis in the drawing when scanning from the position P11 to P12 of the laser beam. The support member 2 continuously moves from the time when the support member 2 starts moving in the positive direction of the Y-axis in the drawing until the laser beam irradiation position reaches the position P12. At this time, similarly to the scanning between the positions P10 and P11, the scanning speed becomes relatively slow in the vicinity of the position P11 immediately after the start of scanning and in the vicinity of the position P12 just before the end of scanning. Therefore, the density of the laser irradiation mark 26 becomes relatively high in the vicinity of the position P11 and the vicinity of the position P12. On the other hand, at the intermediate position between P11 and P12, the scanning speed becomes relatively high, and therefore the density of the laser irradiation mark 26 becomes relatively low.

レーザービームの、位置Ｐ１２からＰ１３に向かう走査、及び位置Ｐ１３からＰ１４に向かう走査の際も、上記と同様である。これにより、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４の角部にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、矩形Ｐ１１−Ｐ１２−Ｐ１３−Ｐ１４の各辺における中間位置近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。 The same applies to the scanning of the laser beam from the position P12 to P13 and the scanning from the position P13 to P14. As a result, the density of the laser irradiation marks 26 becomes relatively high at the corners of the rectangles P11-P12-P13-P14. On the other hand, the density of the laser irradiation mark 26 becomes relatively low in the vicinity of the intermediate position on each side of the rectangle P11-P12-P13-P14.

位置Ｐ２０を起点としてＰ２１、Ｐ２２、及びＰ２３を経てＰ２４に至るレーザービームの走査についても、上記の位置Ｐ１０を起点としてＰ１１、Ｐ１２、及びＰ１３を経てＰ１４に至るレーザービームの走査と同様である。これにより、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４の角部にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的高くなる。これに対し、矩形Ｐ２１−Ｐ２２−Ｐ２３−Ｐ２４の各辺における中間位置近傍にて、レーザー照射痕２６の密度が比較的低くなる。このようにして、粗面２５の矩形状の平面形状における角部に、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い第二領域２９が形成される。 The scanning of the laser beam starting from the position P20 and reaching P24 via P21, P22, and P23 is the same as the scanning of the laser beam starting from the above position P10 and reaching P14 via P11, P12, and P13. As a result, the density of the laser irradiation marks 26 becomes relatively high at the corners of the rectangles P21-P22-P23-P24. On the other hand, the density of the laser irradiation mark 26 becomes relatively low in the vicinity of the intermediate position on each side of the rectangle P21-P22-P23-P24. In this way, a second region 29 having a density of laser irradiation marks 26 in the in-plane direction higher than that of the first region 28 is formed at the corner portion of the rough surface 25 in the rectangular planar shape.

レーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い第二領域２９においては、レーザービーム照射による金属の気化量及び堆積量が、比較的多くなる。故に、第二領域２９における第二凸部２６２は、第一領域２８における第二凸部２６２よりも、高さが高く形成される。 In the second region 29, where the density of the laser irradiation marks 26 is higher than that of the first region 28, the amount of metal vaporized and the amount of metal deposited by the laser beam irradiation is relatively large. Therefore, the second convex portion 262 in the second region 29 is formed to be higher in height than the second convex portion 262 in the first region 28.

上記のようにして、レーザービーム照射により実装面２０に粗面２５が形成された後、レーザー非照射領域２７を含む搭載面２３に、導電性接合層４が接合される。続いて、導電性接合層４における、実装面２０と接合された側と反対側に、電子部品３が接合される。こうして、電子部品３が、導電性接合層４を介して支持部材２に搭載される。 As described above, after the rough surface 25 is formed on the mounting surface 20 by the laser beam irradiation, the conductive bonding layer 4 is bonded to the mounting surface 23 including the laser non-irradiated region 27. Subsequently, the electronic component 3 is bonded to the side of the conductive bonding layer 4 opposite to the side bonded to the mounting surface 20. In this way, the electronic component 3 is mounted on the support member 2 via the conductive bonding layer 4.

その後、合成樹脂成形体である樹脂部材５を封止面２４に接合することで、樹脂部材５により電子部品３が被覆される。このとき、封止面２４には、粗面２５が形成されている。この粗面２５は、微視的には、図４Ａ及び図４Ｂに示されているように、ミクロンサイズの第一凸部２６１と、ナノサイズ又はサブミクロンサイズの第二凸部２６２とを有している。このため、支持部材２と樹脂部材５とが良好に密着する。 After that, the resin member 5 which is a synthetic resin molded body is joined to the sealing surface 24, so that the electronic component 3 is covered with the resin member 5. At this time, a rough surface 25 is formed on the sealing surface 24. Microscopically, the rough surface 25 has a micron-sized first convex portion 261 and a nano-sized or submicron-sized second convex portion 262, as shown in FIGS. 4A and 4B. doing. Therefore, the support member 2 and the resin member 5 are in good contact with each other.

（実施形態の効果）
上記の通り、本実施形態においては、支持部材２に対するレーザービームの照射により、支持部材２における封止面２４に、複数のレーザー照射痕２６による粗面２５が形成される。樹脂部材５との接合性（即ち密着性）を向上するための粗面２５には、第一領域２８と、面内方向におけるレーザー照射痕２６の密度が第一領域２８よりも高い第二領域２９とが形成される。 (Effect of embodiment)
As described above, in the present embodiment, by irradiating the support member 2 with the laser beam, a rough surface 25 with a plurality of laser irradiation marks 26 is formed on the sealing surface 24 of the support member 2. The rough surface 25 for improving the bondability (that is, adhesion) with the resin member 5 includes a first region 28 and a second region where the density of the laser irradiation marks 26 in the in-plane direction is higher than that of the first region 28. 29 and are formed.

レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、必要に応じて、所望の部分に設けられ得る。具体的には、例えば、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が高い部分である、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられる。これにより、内部応力に起因する、樹脂部材５の剥離等の不具合の発生が、可及的に抑制される。即ち、支持部材２における金属質表面である封止面２４と、樹脂部材５との密着性が、よりいっそう向上する。 The dense second region 29 of the laser irradiation mark 26 can be provided in a desired portion, if necessary. Specifically, for example, the second region 29 having a high density of the laser irradiation marks 26 is a portion having a high internal stress at the joint portion between the support member 2 and the conductive joint layer 4 and the resin member 5. It is provided in the vicinity of the four corners in the rectangular shape of. As a result, the occurrence of problems such as peeling of the resin member 5 due to internal stress is suppressed as much as possible. That is, the adhesion between the sealing surface 24, which is the metallic surface of the support member 2, and the resin member 5 is further improved.

レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、レーザー照射痕２６の密度が低い第一領域２８よりも、第二凸部２６２の高さが高くなるように形成されている。これにより、内部応力が高い部分における樹脂部材５の密着性が、よりいっそう向上する。 The second region 29 having a high density of the laser irradiation marks 26 is formed so that the height of the second convex portion 262 is higher than that of the first region 28 having a low density of the laser irradiation marks 26. As a result, the adhesion of the resin member 5 in the portion where the internal stress is high is further improved.

本実施形態においては、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、粗面２５の全部ではなく、必要な一部にのみ設けられる。具体的には、実装面２０上のレーザービームの一方向走査における、始点近傍及び終点近傍に、第二領域２９が選択的に形成される。したがって、本実施形態によれば、加工時間の増加を最小限に抑えつつ、良好な密着力を確保することが可能となる。 In the present embodiment, the second region 29 having a high density of the laser irradiation marks 26 is provided not only on the rough surface 25 but only on a necessary part thereof. Specifically, the second region 29 is selectively formed in the vicinity of the start point and the vicinity of the end point in the one-way scanning of the laser beam on the mounting surface 20. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to secure a good adhesion while minimizing an increase in processing time.

（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的矛盾又は特段の説明なき限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。 (Modification example)
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the above-described embodiment can be appropriately modified. A typical modification will be described below. In the following description of the modified example, only the parts different from the above-described embodiment will be described. Therefore, in the following description of the modified example, the description in the above embodiment may be appropriately incorporated with respect to the components having the same reference numerals as those in the above embodiment, unless there is a technical contradiction or a special explanation.

支持部材２は、リードフレームに限定されない。例えば、支持部材２は、いわゆるＳＯＩ基板であってもよい。ＳＯＩはSilicon on Insulatorの略である。一方、本体部２１が金属部材であって、その表面の、導電性接合層４及び樹脂部材５との接合性が所定程度良好であれば、支持部材２は、メタライズ層２２を有していなくてもよい。 The support member 2 is not limited to the lead frame. For example, the support member 2 may be a so-called SOI substrate. SOI is an abbreviation for Silicon on Insulator. On the other hand, if the main body 21 is a metal member and the bondability between the conductive bonding layer 4 and the resin member 5 on the surface thereof is good to a predetermined degree, the support member 2 does not have the metallized layer 22. You may.

電子部品３は、ＩＣチップに限定されない。即ち、例えば、電子部品３は、コンデンサ素子等であってもよい。 The electronic component 3 is not limited to the IC chip. That is, for example, the electronic component 3 may be a capacitor element or the like.

封止面２４における、粗面２５が設けられていない部分は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。あるいは、粗面２５、即ち複数のレーザー照射痕２６は、封止面２４の全体に形成されていてもよい（図７〜図９参照）。粗面２５の一部（即ち面内方向における外縁部）は、樹脂部材５に覆われていなくてもよい。 The portion of the sealing surface 24 where the rough surface 25 is not provided may not be covered with the resin member 5. Alternatively, the rough surface 25, that is, the plurality of laser irradiation marks 26 may be formed on the entire sealing surface 24 (see FIGS. 7 to 9). A part of the rough surface 25 (that is, the outer edge portion in the in-plane direction) may not be covered with the resin member 5.

図７に示されているように、第二領域２９は、電子部品３の矩形状における各辺の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図７の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。 As shown in FIG. 7, the second region 29 may be provided in the vicinity of each side in the rectangular shape of the electronic component 3. In the example of FIG. 7, the structure of the laser irradiation mark 26 is the same as that of the above embodiment (see FIGS. 4A and 4B).

レーザーの種類は、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、等が利用可能である。 The type of laser is not limited to the above embodiment. That is, for example, a carbon dioxide laser, an excimer laser, and the like can be used.

レーザービームの走査方式も、上記実施形態に限定されない。即ち、例えば、支持部材２を固定して、光学系にてレーザービームスポットを実装面２０上にて移動させることが可能である。 The scanning method of the laser beam is also not limited to the above embodiment. That is, for example, the support member 2 can be fixed and the laser beam spot can be moved on the mounting surface 20 by the optical system.

レーザービームの走査方向も、特段の限定はない。即ち、例えば、図６に示されているように、レーザービームは、閉曲線上にて走査され得る。あるいは、例えば、図８にて実線矢印によって示されているように、レーザービームは、多数回、往復走査され得る。具体的には、図８の走査態様においては、副走査方向（図８における破線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際には、レーザービームの照射は行われない。一回の副走査方向の走査と次回の副走査方向の走査との間に行われる、主走査方向（図８における実線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際に、レーザービームの照射が行われる。一回の主走査方向の走査と、次回の主走査方向の走査とでは、支持部材２の相対移動方向が反対となる。 The scanning direction of the laser beam is also not particularly limited. That is, for example, as shown in FIG. 6, the laser beam can be scanned on a closed curve. Alternatively, the laser beam can be reciprocally scanned multiple times, for example, as indicated by the solid arrow in FIG. Specifically, in the scanning mode of FIG. 8, the laser beam is not irradiated when the support member 2 moves relative to the sub-scanning direction (see the broken line arrow in FIG. 8). Irradiation of the laser beam during the relative movement of the support member 2 in the main scanning direction (see the solid arrow in FIG. 8) between one scanning in the sub-scanning direction and the next scanning in the sub-scanning direction. Is done. The relative movement direction of the support member 2 is opposite between the one scan in the main scanning direction and the next scan in the main scanning direction.

図９に示されているように、粗面２５が封止面２４の全体に形成されている場合において、レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられていてもよい。即ち、第二領域２９は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分を含み、且つ当該部分から電子部品３の平面視における矩形状の外形形状における一辺（図９における上辺）に沿うような、帯状に形成されていてもよい。図９の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。 As shown in FIG. 9, when the rough surface 25 is formed on the entire sealing surface 24, the second region 29 having a high density of the laser irradiation marks 26 is the support member 2 and the conductive bonding layer. It may be provided corresponding to a portion where the internal stress at the joint portion between the 4 and the resin member 5 is higher than the other portions. That is, the second region 29 includes the portions near the four corners in the rectangular shape of the electronic component 3 and follows one side (upper side in FIG. 9) of the rectangular outer shape of the electronic component 3 in the plan view from the portion. , It may be formed in a band shape. In the example of FIG. 9, the structure of the laser irradiation mark 26 is the same as that of the above embodiment (see FIGS. 4A and 4B).

図９の走査態様においても、副走査方向（図９における破線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際には、レーザービームの照射は行われない。一回の副走査方向の走査と次回の副走査方向の走査との間に行われる、主走査方向（図９における実線矢印参照）への支持部材２の相対移動の際に、レーザービームの照射が行われる。一回の主走査方向の走査と、次回の主走査方向の走査とでは、支持部材２の相対移動方向が反対となる。 Also in the scanning mode of FIG. 9, the laser beam is not irradiated when the support member 2 moves relative to the sub-scanning direction (see the broken line arrow in FIG. 9). Irradiation of the laser beam during the relative movement of the support member 2 in the main scanning direction (see the solid line arrow in FIG. 9) between one scanning in the sub-scanning direction and the next scanning in the sub-scanning direction. Is done. The relative movement direction of the support member 2 is opposite between the one scan in the main scanning direction and the next scan in the main scanning direction.

第二凸部２６２は、第一凸部２６１内又は第一凸部２６１の周囲に形成されていればよい。 The second convex portion 262 may be formed in the first convex portion 261 or around the first convex portion 261.

レーザー照射痕２６の密度が高い第二領域２９の形成方法は、上記実施形態に示された具体例に限定されない。即ち、上記実施形態においては、支持部材２と光学系との相対移動速度の変化を用いてレーザー照射痕２６の疎密を形成したが、本発明はかかる方法に限定されない。具体的には、例えば、粗面２５に相当する実装面２０上の領域内をレーザービームスポットが通過する間、支持部材２と光学系との相対移動速度は一定にされ得る。この場合、レーザービームの発振周波数を調整することで、レーザー照射痕２６の疎密を形成することが可能である。あるいは、支持部材２と光学系との相対移動速度と、レーザービームの発振周波数との双方を制御することによっても、レーザー照射痕２６の疎密を形成することが可能である。 The method for forming the second region 29 having a high density of the laser irradiation marks 26 is not limited to the specific example shown in the above embodiment. That is, in the above embodiment, the laser irradiation marks 26 are made sparse and dense by using the change in the relative moving speed between the support member 2 and the optical system, but the present invention is not limited to such a method. Specifically, for example, the relative moving speed between the support member 2 and the optical system can be kept constant while the laser beam spot passes through the region on the mounting surface 20 corresponding to the rough surface 25. In this case, by adjusting the oscillation frequency of the laser beam, it is possible to form the density of the laser irradiation marks 26. Alternatively, it is possible to form the sparse and dense laser irradiation marks 26 by controlling both the relative moving speed of the support member 2 and the optical system and the oscillation frequency of the laser beam.

第一領域２８及び第二領域２９におけるレーザー照射痕２６の形成態様も、上記実施形態に示された具体例に限定されない。例えば、第一領域２８には、レーザー照射痕２６がない部分があってもよい。第二領域２９におけるレーザー照射痕２６の形成密度も、一定であってもよいし、第二領域２９内の特定の領域にて形成密度が特に高い部分が存在していてもよい。 The mode of forming the laser irradiation mark 26 in the first region 28 and the second region 29 is also not limited to the specific example shown in the above embodiment. For example, the first region 28 may have a portion without the laser irradiation mark 26. The formation density of the laser irradiation mark 26 in the second region 29 may also be constant, or a portion having a particularly high formation density may be present in a specific region within the second region 29.

図１０に示されているように、粗面２５は、支持部材２と導電性接合層４及び樹脂部材５との接合部における内部応力が他の部分よりも高い部分のみに対応して設けられていてもよい。具体的には、粗面２５は、電子部品３の矩形状における四隅の近傍部分に設けられていてもよい。なお、図１０の例においても、レーザー照射痕２６の構造は、上記実施形態（図４Ａ及び図４Ｂ参照）と同様である。かかる構成によっても、上記実施形態と同様の効果が奏され得る。 As shown in FIG. 10, the rough surface 25 is provided only in a portion where the internal stress at the joint portion between the support member 2, the conductive joint layer 4 and the resin member 5 is higher than the other portions. May be. Specifically, the rough surface 25 may be provided in the vicinity of the four corners in the rectangular shape of the electronic component 3. In the example of FIG. 10, the structure of the laser irradiation mark 26 is the same as that of the above embodiment (see FIGS. 4A and 4B). Even with such a configuration, the same effect as that of the above embodiment can be achieved.

変形例も、上記の例示に限定されない。即ち、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。また、複数の実施形態が、互いに組み合わされ得る。更に、複数の実施形態の組み合わせに対して、上記変形例の全部又は一部が、適宜組み合わされ得る。 Modifications are also not limited to the above examples. That is, a plurality of modifications can be combined with each other. Also, multiple embodiments can be combined with each other. Furthermore, all or part of the above modifications may be appropriately combined with respect to the combination of the plurality of embodiments.

１ 電子装置
２ 支持部材 ２０ 実装面
２１ 本体部 ２２ メタライズ層
２３ 搭載面 ２４ 封止面
２５ 粗面 ２６ レーザー照射痕
２６１ 第一凸部 ２６２ 第二凸部
２７ レーザー非照射領域
２８ 第一領域 ２９ 第二領域
３ 電子部品 ４ 導電性接合層
５ 樹脂部材 1 Electronic device 2 Support member 20 Mounting surface 21 Main body 22 Metallized layer 23 Mounting surface 24 Sealing surface 25 Rough surface 26 Laser irradiation mark 261 First convex part 262 Second convex part 27 Laser non-irradiated area 28 First area 29th Two regions 3 Electronic components 4 Conductive bonding layer 5 Resin member

Claims (10)

導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）であって、
前記導電性接合層に接合される金属質表面である搭載面（２３）と、前記搭載面の面内方向について、前記搭載面に隣接しつつ前記搭載面を囲むように前記搭載面の外側に設けられた金属質表面である封止面（２４）と、を有する支持部材（２）と、
合成樹脂成形体であって、前記電子部品を被覆しつつ前記封止面に接合される樹脂部材（５）と、
を備え、
前記封止面は、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面（２５）を有し、
前記粗面は、
第一領域（２８）と、前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）と、を含み、
前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数有し、
前記第二領域における前記第二凸部は、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成された、
電子装置。 An electronic device (1) having a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4).
The mounting surface (23), which is a metallic surface bonded to the conductive bonding layer, and the in-plane direction of the mounting surface are on the outside of the mounting surface so as to be adjacent to the mounting surface and surround the mounting surface. A support member (2) having a sealing surface (24) which is a provided metallic surface, and
A resin member (5) that is a synthetic resin molded product and is joined to the sealing surface while covering the electronic component.
With
The sealing surface has a rough surface (25) formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26).
The rough surface is
It includes a first region (28) and a second region (29) in which the density of the laser irradiation marks in the in-plane direction is higher than that of the first region .
A first convex portion (261) having a height of 0.5 to 5 μm corresponding to the laser irradiation mark, and a height of 1 to 500 nm and a width formed in and / or around the first convex portion. It has a plurality of second convex portions (262) having a diameter of 1 to 300 nm, respectively.
The second convex portion in the second region was formed higher than the second convex portion in the first region.
Electronic device. 前記第二領域は、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して設けられた、請求項１に記載の電子装置。 The electron according to claim 1, wherein the second region is provided corresponding to a portion of the joint portion between the support member and the conductive joint layer or the resin member, where the internal stress is higher than the other portion. apparatus. 前記電子部品は、平面形状が矩形状に形成され、
前記第二領域は、前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に設けられた、請求項１又は２に記載の電子装置。 The electronic component has a rectangular planar shape.
The electronic device according to claim 1 or 2, wherein the second region is provided near four corners of the rectangular shape of the electronic component. 前記第二領域は、前記電子部品の前記矩形状における各辺の近傍部分に設けられた、請求項３に記載の電子装置。 The electronic device according to claim 3, wherein the second region is provided in a portion near each side of the rectangular shape of the electronic component. 前記粗面は、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１〜３００ｎｍとなるように形成された、
請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子装置。 The rough surface was formed so that the distance between the two adjacent second convex portions was 1 to 300 nm.
The electronic device according to any one of claims 1 to 4 . 導電性接合層（４）を介して電子部品（３）を搭載した構成を有する電子装置（１）の製造方法であって、
前記電子部品を搭載する支持部材（２）の有する一つの平面状の金属表面の一部であって、前記金属表面の面内方向における中心部寄りの領域であるレーザー非照射領域（２７）よりも前記面内方向における外側に、パルス発振のレーザービームを照射することで、複数の略円形状のレーザー照射痕（２６）によって形成された粗面であって第一領域（２８）と前記面内方向における前記レーザー照射痕の密度が前記第一領域よりも高い第二領域（２９）とを含む粗面（２５）を有する金属質表面である封止面（２４）を、前記レーザー照射痕を有しない前記レーザー非照射領域よりも前記面内方向における外側に設け、
前記レーザー非照射領域を含む搭載面（２３）に前記導電性接合層を接合することで、前記導電性接合層を介して前記電子部品を前記支持部材に搭載し、
合成樹脂成形体である樹脂部材（５）を前記封止面に接合することで、前記樹脂部材により前記電子部品を被覆し、
前記封止面を設けることは、前記粗面に、前記レーザー照射痕に対応する高さ０．５〜５μｍの第一凸部（２６１）と、前記第一凸部内及び／又は前記第一凸部の周囲に形成された高さ１〜５００ｎｍ及び幅１〜３００ｎｍの第二凸部（２６２）とを、それぞれ複数形成するとともに、前記第二領域における前記第二凸部を、前記第一領域における前記第二凸部よりも高く形成することである、
電子装置の製造方法。 A method for manufacturing an electronic device (1) having a configuration in which an electronic component (3) is mounted via a conductive bonding layer (4).
From the laser non-irradiation region (27), which is a part of one planar metal surface of the support member (2) on which the electronic component is mounted and is a region closer to the center in the in-plane direction of the metal surface. Is a rough surface formed by a plurality of substantially circular laser irradiation marks (26) by irradiating the outside in the in-plane direction with a pulsed laser beam, and the first region (28) and the surface. The laser irradiation mark is formed on the sealing surface (24), which is a metallic surface having a rough surface (25) including a second region (29) in which the density of the laser irradiation mark in the inward direction is higher than that of the first region. Provided outside the in-plane direction with respect to the laser non-irradiated region having no
By joining the conductive bonding layer to the mounting surface (23) including the laser non-irradiated region, the electronic component is mounted on the support member via the conductive bonding layer.
Molded synthetic resin in which a resin member (5) by bonding to the sealing surface, the electronic component overturned be by the resin member,
Providing the sealing surface means that the rough surface has a first convex portion (261) having a height of 0.5 to 5 μm corresponding to the laser irradiation mark, and the inside of the first convex portion and / or the first convex portion. A plurality of second convex portions (262) having a height of 1 to 500 nm and a width of 1 to 300 nm formed around the portions are formed, and the second convex portion in the second region is formed in the first region. Is to be formed higher than the second convex portion in the above.
Manufacturing method of electronic equipment. 前記封止面を設けることは、前記支持部材と前記導電性接合層又は前記樹脂部材との接合部における、内部応力が他の部分よりも高い部分に対応して、前記第二領域を形成することである、請求項６に記載の電子装置の製造方法。 Providing the sealing surface forms the second region corresponding to a portion of the joint portion between the support member and the conductive joint layer or the resin member, which has a higher internal stress than other portions. The method for manufacturing an electronic device according to claim 6 . 前記封止面を設けることは、平面形状が矩形状の前記電子部品の前記矩形状における四隅の近傍部分に、前記第二領域を形成することである、請求項６又は７に記載の電子装置の製造方法。 The electronic device according to claim 6 or 7 , wherein providing the sealing surface is to form the second region in the vicinity of the four corners of the rectangular shape of the electronic component having a rectangular planar shape. Manufacturing method. 前記封止面を設けることは、前記電子部品の前記矩形状における各辺の近傍部分に、前記第二領域を形成することである、請求項８に記載の電子装置の製造方法。 The method for manufacturing an electronic device according to claim 8 , wherein providing the sealing surface is to form the second region in the vicinity of each side of the rectangular shape of the electronic component. 前記封止面を設けることは、隣り合う２つの前記第二凸部の間隔が１〜３００ｎｍとなるように、前記粗面を形成することである、請求項６〜９のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。 The provision of the sealing surface is to form the rough surface so that the distance between the two adjacent second convex portions is 1 to 300 nm, according to any one of claims 6 to 9. The method of manufacturing the electronic device according to the description.
JP2016204479A 2016-10-18 2016-10-18 Electronic device and its manufacturing method Active JP6776800B2 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016204479A JP6776800B2 (en) 2016-10-18 2016-10-18 Electronic device and its manufacturing method
PCT/JP2017/028285 WO2018074035A1 (en) 2016-10-18 2017-08-03 Electronic device and method for manufacturing same
CN201780063832.XA CN109891575B (en) 2016-10-18 2017-08-03 Electronic device and method for manufacturing the same
US16/382,323 US10937711B2 (en) 2016-10-18 2019-04-12 Electronic device and method for manufacturing same
US16/914,903 US11367668B2 (en) 2016-10-18 2020-06-29 Electronic device and method for manufacturing same
US17/116,269 US11901253B2 (en) 2016-10-18 2020-12-09 Electronic device and method for manufacturing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016204479A JP6776800B2 (en) 2016-10-18 2016-10-18 Electronic device and its manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018067599A JP2018067599A (en) 2018-04-26
JP6776800B2 true JP6776800B2 (en) 2020-10-28

Family

ID=62087314

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016204479A Active JP6776800B2 (en) 2016-10-18 2016-10-18 Electronic device and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6776800B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7474213B2 (en) * 2021-03-16 2024-04-24 株式会社東芝 Semiconductor Device
WO2024095712A1 (en) * 2022-11-04 2024-05-10 富士電機株式会社 Semiconductor module

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR920005459B1 (en) * 1988-08-30 1992-07-04 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 Printed circuit and metal homogeneity method
JP3259156B2 (en) * 1995-02-01 2002-02-25 松下電工株式会社 Circuit board surface treatment method
JP4609172B2 (en) * 2005-04-21 2011-01-12 株式会社デンソー Resin-sealed semiconductor device
JP4472773B1 (en) * 2009-01-06 2010-06-02 日電精密工業株式会社 Lead frame manufacturing method and lead frame, heat sink manufacturing method and heat sink
JP6045356B2 (en) * 2013-01-16 2016-12-14 三菱電機株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP5983700B2 (en) * 2013-12-09 2016-09-06 株式会社デンソー Semiconductor device, method for manufacturing the same, and composite molded body

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018067599A (en) 2018-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109891575B (en) Electronic device and method for manufacturing the same
KR102372119B1 (en) Method of manufacturing semiconductor package
JP6776801B2 (en) Electronic device and its manufacturing method
US20220241901A1 (en) Manufacturing method of processed resin substrate and laser processing apparatus
JP5576543B1 (en) Circuit module
WO2018190046A1 (en) Base material, mold package using same, base material manufacturing method, and mold package manufacturing method
JP2018170419A (en) Electronic component module
KR102417323B1 (en) Partial shield processing method for semiconductor member
WO2016144290A1 (en) Acousto-optics deflector and mirror for laser beam steering
JP6776800B2 (en) Electronic device and its manufacturing method
US10957836B2 (en) Printed board and light emitting device
JP2002028798A (en) Laser machining device and method of laser machining
JP6777063B2 (en) Electronic devices and their manufacturing methods
TWI829258B (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI802479B (en) Manufacturing method of semiconductor device and lead frame
TWI831392B (en) Frequency adjustment method of piezoelectric vibration device and piezoelectric vibration device
JP7054021B2 (en) Printed circuit boards and light emitting devices and their manufacturing methods
JP2024081398A (en) Manufacturing method of semiconductor circuit board, and semiconductor circuit board
TW202416463A (en) Semiconductor device and method for making the same
JP2023144386A (en) Manufacturing method of workpiece, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing device for workpiece
TW202325453A (en) Laser processing device, laser processing method, and semiconductor device manufacturing method
JP2004266121A (en) Semiconductor package and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200303

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200908

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200921

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6776800

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250