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JP6744588B2 - Exposure apparatus, flat panel display manufacturing method, device manufacturing method, and exposure method - Google Patents

Exposure apparatus, flat panel display manufacturing method, device manufacturing method, and exposure method Download PDF

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JP6744588B2
JP6744588B2 JP2017510165A JP2017510165A JP6744588B2 JP 6744588 B2 JP6744588 B2 JP 6744588B2 JP 2017510165 A JP2017510165 A JP 2017510165A JP 2017510165 A JP2017510165 A JP 2017510165A JP 6744588 B2 JP6744588 B2 JP 6744588B2
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Description

本発明は、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法に係り、更に詳しくは、物体に対してエネルギビームを所定の走査方向に走査する走査露光により、所定のパターンを物体上に形成する露光装置及び方法、並びに前記露光装置又は方法を含むフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, a flat panel display manufacturing method, a device manufacturing method, and an exposure method, and more specifically, a predetermined pattern is formed by scanning an object with an energy beam in a predetermined scanning direction. The present invention relates to an exposure apparatus and method for forming on an object, and a method for manufacturing a flat panel display or device including the exposure apparatus or method.

従来、液晶表示素子、半導体素子（集積回路等）等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下、「マスク」と総称する）に形成されたパターンをエネルギビームを用いてガラスプレート又はウエハ（以下、「基板」と総称する）上に転写する露光装置が用いられている。 Conventionally, in a lithography process for manufacturing an electronic device (microdevice) such as a liquid crystal display device or a semiconductor device (an integrated circuit or the like), a pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter referred to as “mask”) is converted into an energy beam. There is used an exposure apparatus which transfers the image onto a glass plate or a wafer (hereinafter collectively referred to as “substrate”).

この種の露光装置としては、マスクと基板とを実質的に静止させた状態で、露光用照明光（エネルギビーム）を所定の走査方向に走査することで基板上に所定のパターンを形成するビームスキャン式の走査露光装置が知られている（例えば特許文献１参照）。 This type of exposure apparatus is a beam that forms a predetermined pattern on a substrate by scanning exposure illumination light (energy beam) in a predetermined scanning direction with the mask and the substrate substantially stationary. A scan type scanning exposure apparatus is known (for example, refer to Patent Document 1).

上記特許文献１に記載の露光装置では、基板上の露光対象領域とマスクとの位置誤差を補正するために、投影光学系を露光時の走査方向と逆方向に移動させながら投影光学系を介してアライメント顕微鏡によって基板上及びマスク上のマークの計測（アライメント計測）を行い、該計測結果に基づいて基板とマスクとの位置誤差を補正している。ここで、基板上のアライメントマークが投影光学系を介して計測されるため、アライメント動作と露光動作とは順次（シリアルに）実行され、基板の全体の露光処理にかかる処理時間（タクトタイム）を抑制することが困難であった。 In the exposure apparatus described in Patent Document 1, in order to correct the positional error between the exposure target area on the substrate and the mask, the projection optical system is moved through the projection optical system while moving in the direction opposite to the scanning direction at the time of exposure. The alignment microscope is used to measure the marks on the substrate and the mask (alignment measurement), and the positional error between the substrate and the mask is corrected based on the measurement result. Here, since the alignment mark on the substrate is measured via the projection optical system, the alignment operation and the exposure operation are sequentially (serially) performed, and the processing time (tact time) required for the exposure processing of the entire substrate is reduced. It was difficult to control.

特開２０００−１２４２２号公報JP, 2000-12422, A

本発明は、上述の事情の下でなされたもので、その第１の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、前記投影光学系と前記マーク検出部とが互いに接触しないように前記第１及び第２駆動系を制御して、前記マーク検出部と前記投影光学系とを前記走査方向へそれぞれ移動させる制御装置と、を備える露光装置が、提供される。 The present invention has been made under the above circumstances, according to its first aspect, illumination light is irradiated from a predetermined direction with respect to the mask formed with a pattern, the pattern through the projection optical system an exposure apparatus for projecting and exposing onto the object a projection image of the mask to detect the object mark detecting unit for detecting a first mark formed on the object, the second mark formed on the mask A mark detecting section having a mark detecting section, and the mark detecting section provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction to detect the first mark and the second mark. a first driving system with respect to said and said mask object Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction, the projection optics provided in a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction The system is moved in the scanning direction relative to the mask and the object whose relative positions have been adjusted by the detection result of the mark detection unit so that a projected image of the pattern is formed on the object. The second drive system, the projection optical system, and the mark detection unit are controlled so that the first and second drive systems do not come into contact with each other, and the mark detection unit and the projection optical system are moved in the scanning direction. a control device for moving respectively, the Ru eXPOSURE apparatus comprising a Ru are provided.

本発明の第２の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、前記投影光学系と前記マーク検出部との一方を前記走査方向へ移動させるとき、前記投影光学系と前記マーク検出部との間隔を所定距離以上あけるように前記第１及び第２駆動系の少なくとも一方の駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置が、提供される。 According to a second aspect of the present invention, the illumination light is irradiated from a predetermined direction with respect to the mask on which a pattern is formed, a projection optical system exposure apparatus for projecting and exposing onto the object a projection image of the pattern through the And a mark detection unit having an object mark detection unit that detects the first mark formed on the object , and a mask mark detection unit that detects the second mark formed on the mask, With respect to the predetermined direction, the mark detection unit provided at a position between the mask and the object is configured to detect the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction, wherein for a given direction and the mask the projection optical system provided at a position between the object, the object is projected image of the pattern to be formed on a second driving system for relatively moving to the scanning direction with respect to said and said mask relative to each other positions are adjusted object detection result of the mark detecting section, before Symbol projection optical system when to the moving hand and the mark detecting section to the scanning direction, at least one drive of the first and second driving systems so as spacing between the projection optical system and the mark detecting unit a predetermined distance or more a control device for controlling the system, the Ru eXPOSURE apparatus comprising a Ru are provided.

本発明の第３の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、前記投影光学系及び前記マーク検出部がそれぞれの異なる速度で前記走査方向へ移動するように前記第１及び第２駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置が、提供される。 According to a third aspect of the present invention, the illumination light is irradiated from a predetermined direction with respect to the mask on which a pattern is formed, a projection optical system exposure apparatus for projecting and exposing onto the object a projection image of the pattern through the a is, an object mark detecting unit for detecting a first mark formed on the object, the mark detecting section with a mask mark detecting unit for detecting a second mark formed on the mask, wherein The mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction detects the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the direction, the projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction, the projected image of the pattern is the upper body so formed, and a second drive mechanism for the relative movement in the scanning direction with respect to a detection result by the mask and the object to mutual relative position has been adjusted in the mark detecting unit, before Symbol projection optical system and a control device for controlling the first and second driving system such that the mark detecting unit is moved to the scanning direction in each of the different Do that velocity, the Ru eXPOSURE apparatus comprising a Ru are provided.

本発明の第４の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、前記投影光学系が前記走査方向への移動を停止する停止位置と前記マーク検出部が前記走査方向への移動を停止する停止位置とが重ならないように前記第１及び第２駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置が、提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, the illumination light is irradiated from a predetermined direction with respect to the mask on which a pattern is formed, a projection optical system exposure apparatus for projecting and exposing onto the object a projection image of the pattern through the a is a mark detecting unit with a mask mark detecting unit for detecting a second mark formed on the an object mark detecting unit mask for detecting a first mark formed on the object, the predetermined Regarding the direction, the mark detection unit provided at a position between the mask and the object detects the first mark and the second mark in the predetermined direction with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the, the projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction, the projected image of the pattern on the object A second drive system that relatively moves in the scanning direction with respect to the mask and the object whose relative positions have been adjusted by the detection result of the mark detection unit so as to be formed, and the projection optical system performs the scanning. a control device for controlling the stop position and the mark detecting unit is the first and the second drive system so that the stop position does not overlap to stop the movement of the said scanning direction for stopping the movement in the direction, Ru with a eXPOSURE device, Ru is provided.

本発明の第５の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、前記投影光学系の前記走査方向への移動の開始タイミングと前記マーク検出部の前記走査方向への移動の開始タイミングとを異ならせるように前記第１及び第２駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置が、提供される。 According to a fifth aspect of the present invention, the illumination light is irradiated from a predetermined direction with respect to the mask on which a pattern is formed, a projection optical system exposure apparatus for projecting and exposing onto the object a projection image of the pattern through the a is, an object mark detecting unit for detecting a first mark formed on the object, the mark detecting section with a mask mark detecting unit for detecting a second mark formed on the mask, wherein The mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction detects the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the direction, the projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction, the projected image of the pattern is the upper body so formed, and a second driving system for relatively moving to the scanning direction by the detection result of the mark detecting section with respect to said object and the mask relative to each other position has been adjusted, the said projection optical system a control device for controlling the start timing and the mark detecting unit of the first and second driving systems so as to vary the timing of starting a movement of the scanning direction of the movement in the scanning direction, Ru eXPOSURE apparatus provided with but, Ru is provided.

本発明の第６の態様によれば、第１ないし第５の態様の何れかに係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 According to a sixth aspect of the present invention , a flat plate including exposing the object using the exposure apparatus according to any one of the first to fifth aspects and developing the exposed object. method for producing a panel display, Ru is provided.

本発明の第７の態様によれば、第１ないし第５の態様の何れかに係る露光装置を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 According to a seventh aspect of the present invention, a device comprising exposing the object using the exposure apparatus according to any one of the first to fifth aspects and developing the exposed object. manufacturing method, Ru is provided.

本発明の第８の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部とが互いに接触しないように前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部とを前記走査方向へそれぞれ移動させる前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法が、提供される。 According to an eighth aspect of the present invention , an exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction and projecting a projected image of the pattern onto an object via a projection optical system to expose the object. a is a first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting unit, a second mark formed on the mask, be detected using the mask mark detection unit And a first mark for detecting the first mark and the second mark by the object mark detector and the mask mark detector provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction . and Rukoto are relatively moved using a drive system in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask, the projection provided at a position between said mask with respect to the predetermined direction the object an optical system using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the mutual relative position has been adjusted by the detection result of the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit wherein the Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said and said mask body, said projection optical system and the object mark detecting unit and the projection optical system such that the mask mark detection unit is not in contact with each other with the object mark detecting unit and the mask mark detection portion and said and controlling the first and second driving systems, the including eXPOSURE mETHOD respectively moving to the scanning direction, Ru is provided.

本発明の第９の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部との一方を前記走査方向へ移動させるとき、前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部との間隔を所定距離以上あけるように前記第１及び第２駆動系の少なくとも一方の駆動系を制御することと、を含む露光方法が、提供される。 According to a ninth aspect of the present invention , an exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction and projecting a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system to expose the object. a is a first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting unit, a second mark formed on the mask is detected by using the mask mark detection unit And the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction so as to detect the first mark and the second mark . and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask with a first drive system, provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction said a projection optical system, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the mutual relative position is adjusted by the detection result of the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit when the Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said mask and the object, causing one of the previous SL projection optical system and the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit is moved to the scanning direction, and controlling at least one of the driving system of the first and second driving systems so as spacing between the projection optical system and the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit a predetermined distance or more, the including Russia light method, Ru is provided.

本発明の第１０の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部とがそれぞれの異なる速度で前記走査方向へ移動するように前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法が、提供される。 According to a tenth aspect of the present invention , an exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction and projecting a projected image of the pattern onto an object via a projection optical system to expose the object. a is a first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting unit, a second mark formed on the mask is detected by using the mask mark detection unit And the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction so as to detect the first mark and the second mark, and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask with a first drive system, provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction said a projection optical system, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the mutual relative position is adjusted by the detection result of the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit wherein the Rukoto are relatively moved in the scanning direction, before Symbol the scanning direction projection optical system and said object mark detecting unit and the mask mark detection unit at each of the different Do that velocity relative to said mask and the object was wherein the first and the controlling the second driving system, the including eXPOSURE method to move to is, Ru is provided.

本発明の第１１の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、前記投影光学系が前記走査方向への移動を停止する停止位置と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部が前記走査方向への移動を停止する停止位置とが重ならないように前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法が、提供される。 According to an eleventh aspect of the present invention , an exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction and projecting a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system to expose the object. a is a first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting unit, a second mark formed on the mask is detected by using the mask mark detection unit And the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction so as to detect the first mark and the second mark . and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask with a first drive system, provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction said a projection optical system, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the mutual relative position is adjusted by the detection result of the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit and a Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said mask and said object, said object mark detector and the stop position where the projection optical system to stop the movement of the said scanning direction and the mask mark detection unit wherein the first and the controlling the second driving system, the including eXPOSURE mETHOD as the stop position does not overlap to stop the movement of the said scanning direction, Ru is provided.

本発明の第１２の態様によれば、パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、前記投影光学系の前記走査方向への移動の開始タイミングと前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の前記走査方向への移動の開始タイミングとを異ならせるように前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法が、提供される。 According to a twelfth aspect of the present invention , an exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction and projecting a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system to expose the object. a is a first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting unit, a second mark formed on the mask is detected by using the mask mark detection unit And the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction so as to detect the first mark and the second mark . and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask with a first drive system, provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction said a projection optical system, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the mutual relative position is adjusted by the detection result of the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit and a Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said mask and said object, said projection wherein said start timing of the movement in the scanning direction of the optical system object mark detecting unit and the scanning of the mask mark detecting unit wherein the first and the controlling the second driving system, the including eXPOSURE mETHOD so that different from the start timing of the movement in the direction, Ru is provided.

本発明の第１３の態様によれば、第８ないし第１２の態様の何れかに係る露光方法を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 According to a thirteenth aspect of the present invention , a flat plate including exposing the object using the exposure method according to any one of the eighth to twelfth aspects and developing the exposed object. method for producing a panel display, Ru is provided.

本発明の第１４の態様によれば、第８ないし第１２の態様の何れかに係る露光方法を用いて前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 According to a fourteenth aspect of the present invention, a device comprising the method comprising exposing the object using the exposure method according to any one of the eighth to twelfth aspect, and developing the exposed the object, the manufacturing method, Ru is provided.

一実施形態に係る液晶露光装置の概念図である。It is a conceptual diagram of the liquid crystal exposure apparatus which concerns on one Embodiment. 図１の液晶露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing an input/output relationship of a main control device which mainly constitutes a control system of the liquid crystal exposure apparatus of FIG. 1. 図３（ａ）〜図３（ｄ）は、露光動作時における液晶露光装置の動作を説明するための図（その１〜その４）である。3A to 3D are views (No. 1 to No. 4) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during the exposure operation. 図４（ａ）〜図４（ｃ）は、露光動作時における液晶露光装置の動作を説明するための図（その５〜その７）である。4A to 4C are views (No. 5 to No. 7) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during the exposure operation. 第１の変形例に係るアライメント系の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the alignment system which concerns on a 1st modification. 第２の変形例に係るアライメント系の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of the alignment system which concerns on a 2nd modification. 投影系本体、及びアライメント顕微鏡の計測系の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of a projection system main body and the measurement system of an alignment microscope. 投影光学系、及びアライメント系の駆動系の変形例（その１）を示す図である。It is a figure which shows the modification (the 1) of the drive system of a projection optical system and an alignment system. 投影光学系、及びアライメント系の駆動系の変形例（その２）を示す図である。It is a figure which shows the modification (the 2) of the drive system of a projection optical system and an alignment system. 液晶露光装置におけるモジュール交換の概念図である。It is a conceptual diagram of module exchange in a liquid crystal exposure apparatus.

以下、一実施形態について、図１〜図７を用いて説明する。 Hereinafter, one embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 7.

図１には、一実施形態に係る液晶露光装置１０の概念図が示されている。液晶露光装置１０は、例えば液晶表示装置（フラットパネルディスプレイ）などに用いられる矩形（角型）のガラス基板Ｐ（以下、単に基板Ｐと称する）を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。 FIG. 1 shows a conceptual diagram of a liquid crystal exposure apparatus 10 according to an embodiment. The liquid crystal exposure apparatus 10 is of a step-and-scan system in which a rectangular (square) glass substrate P (hereinafter, simply referred to as a substrate P) used in, for example, a liquid crystal display device (flat panel display) is an exposure target. It is a projection exposure apparatus, a so-called scanner.

液晶露光装置１０は、露光用のエネルギビームである照明光ＩＬを照射する照明系２０と、投影光学系４０とを有している。以下、照明系２０から投影光学系４０を介して基板Ｐに照射される照明光ＩＬの光軸と平行な方向をＺ軸方向と称するとともに、Ｚ軸に直交する平面内に互いに直交するＸ軸及びＹ軸を設定して説明を行う。また、本実施形態の座標系において、Ｙ軸は、重力方向に実質的に平行であるものとする。従って、ＸＺ平面は、水平面に実質的に平行である。また、Ｚ軸回りの回転（傾斜）方向をθｚ方向として説明する。 The liquid crystal exposure apparatus 10 includes an illumination system 20 that emits illumination light IL that is an energy beam for exposure, and a projection optical system 40. Hereinafter, the direction parallel to the optical axis of the illumination light IL emitted from the illumination system 20 to the substrate P via the projection optical system 40 is referred to as the Z-axis direction, and the X-axes orthogonal to each other in a plane orthogonal to the Z-axis. And the Y-axis will be set and explained. Further, in the coordinate system of this embodiment, the Y axis is assumed to be substantially parallel to the gravity direction. Therefore, the XZ plane is substantially parallel to the horizontal plane. Further, the rotation (tilt) direction around the Z axis will be described as the θz direction.

ここで、本実施形態では、１枚の基板Ｐ上に複数の露光対象領域（適宜、区画領域、又はショット領域と称して説明する）が設定され、これら複数のショット領域に順次マスクパターンが転写される。なお、本実施形態では、基板Ｐ上に４つの区画領域が設定されている場合（いわゆる４面取りの場合）について説明するが、区画領域の数は、これに限定されず、適宜変更が可能である。 Here, in this embodiment, a plurality of exposure target areas (which will be appropriately referred to as partition areas or shot areas) are set on one substrate P, and the mask pattern is sequentially transferred to these plurality of shot areas. To be done. In the present embodiment, a case will be described in which four partitioned areas are set on the substrate P (so-called four-chamfered case), but the number of partitioned areas is not limited to this and can be changed as appropriate. is there.

また、液晶露光装置１０では、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われるが、スキャン露光動作時には、マスクＭ、及び基板Ｐが実質的に静止状態とされ、照明系２０及び投影光学系４０（照明光ＩＬ）がマスクＭ、及び基板Ｐに対してそれぞれＸ軸方向（適宜、走査方向と称する）に長ストロークで相対移動する（図１の白矢印参照）。これに対し、露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時には、マスクＭがＸ軸方向に所定のストロークでステップ移動し、基板ＰがＹ軸方向に所定のストロークでステップ移動する（それぞれ図１の黒矢印参照）。 Further, in the liquid crystal exposure apparatus 10, a so-called step-and-scan type exposure operation is performed, but during the scan exposure operation, the mask M and the substrate P are kept substantially stationary, and the illumination system 20 and the projection optical system. 40 (illumination light IL) relatively moves with respect to the mask M and the substrate P in a long stroke in the X-axis direction (appropriately referred to as a scanning direction) (see the white arrow in FIG. 1 ). On the other hand, during the step operation for changing the partitioned area to be exposed, the mask M is step-moved in the X-axis direction by a predetermined stroke, and the substrate P is step-moved in the Y-axis direction by a predetermined stroke. (See black arrow 1).

図２には、液晶露光装置１０の構成各部を統括制御する主制御装置９０の入出力関係を示すブロック図が示されている。図２に示されるように、液晶露光装置１０は、照明系２０、マスクステージ装置３０、投影光学系４０、基板ステージ装置５０、アライメント系６０などを備えている。 FIG. 2 is a block diagram showing an input/output relationship of a main controller 90 that integrally controls each component of the liquid crystal exposure apparatus 10. As shown in FIG. 2, the liquid crystal exposure apparatus 10 includes an illumination system 20, a mask stage device 30, a projection optical system 40, a substrate stage device 50, an alignment system 60 and the like.

照明系２０は、照明光ＩＬ（図１参照）の光源（例えば、水銀ランプ）などを含む照明系本体２２を備えている。スキャン露光動作時において、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系２４を制御することにより、照明系本体２２をＸ軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置９０は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系２６を介して照明系本体２２のＸ軸方向の位置情報を求め、該位置情報に基づいて照明系本体２２の位置制御を行う。本実施形態において、照明光ＩＬとしては、例えばｇ線、ｈ線、ｉ線などが用いられる。 The illumination system 20 includes an illumination system body 22 including a light source (for example, a mercury lamp) of the illumination light IL (see FIG. 1). During a scan exposure operation, main controller 90 controls drive system 24 including, for example, a linear motor to scan drive illumination system main body 22 in the X-axis direction with a predetermined long stroke. The main controller 90 obtains position information of the illumination system main body 22 in the X-axis direction via the measurement system 26 including, for example, a linear encoder, and controls the position of the illumination system main body 22 based on the position information. In the present embodiment, for example, g-line, h-line, i-line, etc. are used as the illumination light IL.

マスクステージ装置３０は、マスクＭを保持するステージ本体３２を備えている。ステージ本体３２は、例えばリニアモータなどを含む駆動系３４によってＸ軸方向及びＹ軸方向に適宜ステップ移動可能に構成されている。Ｘ軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置９０は、駆動系３４を制御することにより、ステージ本体３２をＸ軸方向にステップ駆動する。また、後述するように、露光対象の区画領域内でスキャン露光する領域（位置）をＹ軸方向に関して変更するためのステップ動作時には、主制御装置９０は、駆動系３４を制御することにより、ステージ本体３２をＹ軸方向にステップ駆動する。駆動系３４は、後述するアライメント動作時にマスクＭをＸＹ平面内の３自由度（Ｘ、Ｙ、θｚ）方向に適宜微小駆動することも可能である。マスクＭの位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系３６により求められる。 The mask stage device 30 includes a stage body 32 that holds the mask M. The stage main body 32 is configured to be capable of stepwise movement in the X-axis direction and the Y-axis direction by a drive system 34 including, for example, a linear motor. During a step operation for changing the partitioned area to be exposed in the X-axis direction, main controller 90 controls drive system 34 to step-drive stage body 32 in the X-axis direction. Further, as will be described later, during a step operation for changing the area (position) to be scan-exposed in the partitioned area to be exposed in the Y-axis direction, main controller 90 controls drive system 34 to cause the stage to move. The main body 32 is step-driven in the Y-axis direction. The drive system 34 can also appropriately finely drive the mask M in the three-degree-of-freedom (X, Y, θz) directions in the XY plane during the alignment operation described later. The position information of the mask M is obtained by the measurement system 36 including, for example, a linear encoder.

投影光学系４０は、等倍系で基板Ｐ（図１参照）上にマスクパターンの正立正像を形成する光学系などを含む投影系本体４２を備えている。投影系本体４２は、基板ＰとマスクＭとの間に形成される空間内に配置されている（図１参照）。スキャン露光動作時において、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系４４を制御することにより、投影系本体４２を、照明系本体２２と同期するように、Ｘ軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置９０は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系４６を介して投影系本体４２のＸ軸方向に位置情報を求め、該位置情報に基づいて投影系本体４２の位置制御を行う。 The projection optical system 40 includes a projection system main body 42 including an optical system that forms an erect image of the mask pattern on the substrate P (see FIG. 1) in the unity magnification system. The projection system main body 42 is arranged in a space formed between the substrate P and the mask M (see FIG. 1). During the scan exposure operation, main controller 90 controls drive system 44 including, for example, a linear motor to cause projection system main body 42 to have a predetermined length in the X-axis direction so as to synchronize with projection system main body 22. Scan drive by stroke. The main controller 90 obtains position information in the X-axis direction of the projection system main body 42 via the measurement system 46 including a linear encoder and controls the position of the projection system main body 42 based on the position information.

図１に戻り、液晶露光装置１０では、照明系２０からの照明光ＩＬによってマスクＭ上の照明領域ＩＡＭが照明されると、マスクＭを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系４０を介してその照明領域ＩＡＭ内のマスクパターンの投影像（部分正立像）が、基板Ｐ上の照明領域ＩＡＭに共役な照明光ＩＬの照射領域（露光領域ＩＡ）に形成される。そして、マスクＭ、及び基板Ｐに対して、照明光ＩＬ（照明領域ＩＡＭ、及び露光領域ＩＡ）が走査方向に相対移動することで走査露光動作が行われる。すなわち、液晶露光装置１０では、照明系２０、及び投影光学系４０によって基板Ｐ上にマスクＭのパターンが生成され、照明光ＩＬによる基板Ｐ上の感応層（レジスト層）の露光によって基板Ｐ上にそのパターンが形成される。 Returning to FIG. 1, in the liquid crystal exposure apparatus 10, when the illumination area IAM on the mask M is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 20, the illumination light IL that has passed through the mask M passes through the projection optical system 40. The projected image (partial erect image) of the mask pattern in the illumination area IAM is formed in the irradiation area (exposure area IA) of the illumination light IL that is conjugate with the illumination area IAM on the substrate P. Then, the scanning exposure operation is performed by the relative movement of the illumination light IL (the illumination area IAM and the exposure area IA) in the scanning direction with respect to the mask M and the substrate P. That is, in the liquid crystal exposure apparatus 10, the pattern of the mask M is generated on the substrate P by the illumination system 20 and the projection optical system 40, and the sensitive layer (resist layer) on the substrate P is exposed by the illumination light IL to expose the substrate P. The pattern is formed on the.

ここで、本実施形態において、照明系２０によりマスクＭ上に生成される照明領域ＩＡＭは、Ｙ軸方向に離間する一対の矩形の領域を含む。ひとつの矩形の領域のＹ軸方向の長さは、マスクＭのパターン面のＹ軸方向の長さ（すなわち基板Ｐ上に設定される各区画領域のＹ軸方向の長さ）の、例えば１／４に設定されている。また、一対の矩形の領域間の間隔も、同様にマスクＭのパターン面のＹ軸方向の長さの、例えば１／４に設定されている。従って、基板Ｐ上に生成される露光領域ＩＡも、同様にＹ軸方向に離間する一対の矩形の領域を含む。本実施形態では、マスクＭのパターンを基板Ｐに完全に転写するためには、ひとつの区画領域について、２回の走査露光動作を行う必要があるが、照明系本体２２、及び投影系本体４２を小型化できるメリットがある。走査露光動作の具体例については、後述する。 Here, in the present embodiment, the illumination area IAM generated on the mask M by the illumination system 20 includes a pair of rectangular areas that are separated in the Y-axis direction. The length in the Y-axis direction of one rectangular area is, for example, 1 of the length in the Y-axis direction of the pattern surface of the mask M (that is, the length in the Y-axis direction of each partitioned area set on the substrate P). It is set to /4. The interval between the pair of rectangular regions is also set to, for example, 1/4 of the length of the pattern surface of the mask M in the Y-axis direction. Therefore, the exposure area IA generated on the substrate P also includes a pair of rectangular areas that are separated in the Y-axis direction. In the present embodiment, in order to completely transfer the pattern of the mask M onto the substrate P, it is necessary to perform the scanning exposure operation twice for one divided area. However, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 are required. Has the advantage that it can be miniaturized. A specific example of the scanning exposure operation will be described later.

基板ステージ装置５０は、基板Ｐの裏面（露光面とは反対の面）を保持するステージ本体５２を備えている。図２に戻り、Ｙ軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置９０は、例えばリニアモータなどを含む駆動系５４を制御することにより、ステージ本体５２をＹ軸方向にステップ駆動する。駆動系５４は、後述する基板アライメント動作時に基板ＰをＸＹ平面内の３自由度（Ｘ、Ｙ、θｚ）方向に微小駆動することも可能である。基板Ｐ（ステージ本体５２）の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系５６により求められる。 The substrate stage device 50 includes a stage body 52 that holds the back surface (the surface opposite to the exposure surface) of the substrate P. Returning to FIG. 2, during the step operation for changing the partitioned area to be exposed with respect to the Y-axis direction, main controller 90 controls drive system 54 including, for example, a linear motor to move stage main body 52 to Y. Step drive in the axial direction. The drive system 54 can also finely drive the substrate P in the three degrees of freedom (X, Y, θz) directions in the XY plane during the substrate alignment operation described later. The position information of the substrate P (stage main body 52) is obtained by the measurement system 56 including, for example, a linear encoder.

図１に戻り、アライメント系６０は、アライメント顕微鏡６２を備えている。アライメント顕微鏡６２は、基板ＰとマスクＭとの間に形成される空間内（Ｚ軸方向に関して基板ＰとマスクＭとの間の位置）に配置されており、基板Ｐに形成されたアライメントマークＭｋ（以下、単にマークＭｋと称する）、及びマスクＭに形成されたマーク（不図示）を検出する。本実施形態において、マークＭｋは、各区画領域の四隅部近傍それぞれに１つ（１つの区画領域につき、例えば４つ）形成されており、マスクＭのマークは、投影光学系４０を介してマークＭｋと対応する位置に形成されている。なお、マークＭｋ、及びマスクＭのマークの数、及び位置については、これに限定されず、適宜変更が可能である。また、各図面において、マークＭｋは、理解を容易にするため、実際よりも大きく図示されている。 Returning to FIG. 1, the alignment system 60 includes an alignment microscope 62. The alignment microscope 62 is arranged in a space formed between the substrate P and the mask M (a position between the substrate P and the mask M in the Z-axis direction), and the alignment mark Mk formed on the substrate P. (Hereinafter, simply referred to as mark Mk) and a mark (not shown) formed on the mask M are detected. In the present embodiment, one mark Mk is formed near each of the four corners of each partitioned region (for example, four for each partitioned region), and the mark of the mask M is the mark through the projection optical system 40. It is formed at a position corresponding to Mk. The numbers and positions of the marks Mk and the marks of the mask M are not limited to this, and can be changed as appropriate. Further, in each drawing, the mark Mk is shown larger than it actually is in order to facilitate understanding.

アライメント顕微鏡６２は、投影系本体４２の＋Ｘ側に配置されている。アライメント顕微鏡６２は、Ｙ軸方向に離間した一対の検出視野（検出領域）を有しており、ひとつの区画領域内のＹ軸方向に離間した、例えば２つのマークＭｋを同時に検出することができるようになっている。 The alignment microscope 62 is arranged on the +X side of the projection system body 42. The alignment microscope 62 has a pair of detection visual fields (detection regions) that are separated in the Y-axis direction, and can simultaneously detect, for example, two marks Mk that are separated in the Y-axis direction in one partitioned region. It is like this.

また、アライメント顕微鏡６２は、マスクＭに形成されたマークと、基板Ｐに形成されたマークＭｋとを同時に（換言すると、アライメント顕微鏡６２の位置を変えずに）検出することが可能となっている。主制御装置９０は、例えばマスクＭがＸステップ動作、又は基板ＰがＹステップ動作を行う毎に、マスクＭに形成されたマークと基板Ｐに形成されたマークＭｋとの相対的な位置ずれ情報を求め、該位置ずれを補正する（打ち消す、又は低減する）ように基板ＰとマスクＭとのＸＹ平面に沿った方向の相対的な位置決めを行う。なお、アライメント顕微鏡６２は、マスクＭのマークを検出（観察）するマスク検出部と、基板ＰのマークＭｋを検出（観察）する基板検出部とが、共通の筐体等によって一体的に構成されており、その共通の筐体を介して駆動系６６により駆動される。あるいは、マスク検出部と基板検出部とが個別の筐体等によって構成されていても良く、その場合には、例えばマスク検出部と基板検出部とが実質的に共通の駆動系６６によって同等の動作特性をもって移動できるように構成することが好ましい。 Further, the alignment microscope 62 can detect the mark formed on the mask M and the mark Mk formed on the substrate P at the same time (in other words, without changing the position of the alignment microscope 62). .. The main controller 90, for example, each time the mask M performs the X-step operation or the substrate P performs the Y-step operation, the relative positional deviation information between the mark formed on the mask M and the mark Mk formed on the substrate P. Then, relative positioning of the substrate P and the mask M in the directions along the XY plane is performed so as to correct (cancel or reduce) the positional deviation. In the alignment microscope 62, a mask detection unit that detects (observes) the mark of the mask M and a substrate detection unit that detects (observes) the mark Mk of the substrate P are integrally configured by a common housing or the like. And is driven by the drive system 66 via the common housing. Alternatively, the mask detection unit and the substrate detection unit may be configured by separate housings, and in that case, for example, the mask detection unit and the substrate detection unit are substantially equivalent by a common drive system 66. It is preferable to be configured so that it can move with operating characteristics.

主制御装置９０（図２参照）は、例えばリニアモータなどを含む駆動系６６（図２参照）を制御することにより、アライメント顕微鏡６２を、Ｘ軸方向に所定の長ストロークで駆動する。また、主制御装置９０は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系６８を介してアライメント顕微鏡６２のＸ軸方向の位置情報を求め、該位置情報に基づいてアライメント顕微鏡６２の位置制御を行う。また、駆動系６６は、アライメント顕微鏡６２をＹ軸方向に駆動するための、例えばリニアモータも併せて有している。 Main controller 90 (see FIG. 2) drives alignment microscope 62 with a predetermined long stroke in the X-axis direction by controlling drive system 66 (see FIG. 2) including, for example, a linear motor. Further, main controller 90 obtains position information in the X-axis direction of alignment microscope 62 via measurement system 68 including, for example, a linear encoder, and controls the position of alignment microscope 62 based on the position information. The drive system 66 also has, for example, a linear motor for driving the alignment microscope 62 in the Y-axis direction.

ここで、アライメント系６０のアライメント顕微鏡６２と、上述した投影光学系４０の投影系本体４２とは、物理的（機械的）に独立（分離）した要素であり、主制御装置９０（図２参照）によって互いに独立して駆動（速度、及び位置）制御が行われるが、アライメント顕微鏡６２を駆動する駆動系６６と、投影系本体４２を駆動する駆動系４４とは、Ｘ軸方向の駆動に関して、例えばリニアモータ、リニアガイドなどの一部を共用しており、アライメント顕微鏡６２、及び投影系本体４２の駆動特性、あるいは主制御装置９０による制御特性が、実質的に同等になるように構成されている。 Here, the alignment microscope 62 of the alignment system 60 and the projection system main body 42 of the projection optical system 40 described above are physically (mechanically) independent (separated) elements, and the main controller 90 (see FIG. 2). ), drive (speed and position) control is performed independently of each other. The drive system 66 that drives the alignment microscope 62 and the drive system 44 that drives the projection system main body 42 are For example, a part of a linear motor, a linear guide, etc. is shared, and the driving characteristics of the alignment microscope 62 and the projection system main body 42 or the control characteristics by the main controller 90 are configured to be substantially the same. There is.

具体的に一例をあげると、例えばムービングコイル式のリニアモータによってアライメント顕微鏡６２、投影系本体４２それぞれをＸ軸方向に駆動する場合には、固定子である磁性体（例えば、永久磁石など）ユニットが上記駆動系６６と駆動系４４とで共用される。これに対し、可動子であるコイルユニットは、アライメント顕微鏡６２、投影系本体４２それぞれが独立に有しており、主制御装置９０（図２参照）は、該コイルユニットに対する電力供給を個別に行うことにより、アライメント顕微鏡６２のＸ軸方向への駆動（速度、及び位置）と、投影系本体４２のＸ軸方向への駆動（速度、及び位置）とを、独立に制御する。従って、主制御装置９０は、Ｘ軸方向に関するアライメント顕微鏡６２と投影系本体４２との間隔（距離）を、可変とする（任意に変化させる）ことができる。また、主制御装置９０は、Ｘ軸方向に関して、アライメント顕微鏡６２と投影系本体４２とを、異なるスピードで移動させることもできる。 As a specific example, when the alignment microscope 62 and the projection system main body 42 are driven in the X-axis direction by a moving coil type linear motor, for example, a magnetic body (for example, a permanent magnet) unit which is a stator unit. Is shared by the drive system 66 and the drive system 44. On the other hand, in the coil unit which is the mover, the alignment microscope 62 and the projection system main body 42 are independently provided, and the main controller 90 (see FIG. 2) individually supplies power to the coil unit. Thus, the driving (speed and position) of the alignment microscope 62 in the X-axis direction and the driving (speed and position) of the projection system main body 42 in the X-axis direction are independently controlled. Therefore, main controller 90 can change (arbitrarily change) the interval (distance) between alignment microscope 62 and projection system main body 42 in the X-axis direction. Further, main controller 90 can also move alignment microscope 62 and projection system body 42 at different speeds in the X-axis direction.

主制御装置９０（図２参照）は、アライメント顕微鏡６２を用いて基板Ｐ上に形成された複数のマークＭｋを検出し、該検出結果（複数のマークＭｋの位置情報）に基づいて、公知のエンハンスト・グローバル・アライメント（ＥＧＡ）方式によって、検出対象のマークＭｋが形成された区画領域の配列情報（区画領域の位置（座標値）、形状等に関する情報を含む）を算出する。 Main controller 90 (see FIG. 2) detects a plurality of marks Mk formed on substrate P using alignment microscope 62, and based on the detection result (positional information of a plurality of marks Mk), a known method is known. The enhanced global alignment (EGA) method is used to calculate the array information (including information regarding the position (coordinate value) and shape of the partitioned area) of the partitioned area in which the mark Mk to be detected is formed.

具体的には、走査露光動作において、主制御装置９０（図２参照）は、該走査露光動作に先立って、投影系本体４２の＋Ｘ側に配置されたアライメント顕微鏡６２を用いて、少なくとも露光対象の区画領域内に形成された、例えば４つのマークＭｋの位置検出を行って該区画領域の配列情報を算出する。主制御装置９０は、算出した露光対象の区画領域の配列情報に基づいて、基板ＰのＸＹ平面内の３自由度方向の精密な位置決め（基板アライメント動作）を行いつつ、照明系２０、及び投影光学系４０を適宜制御して、対象の区画領域に対する走査露光動作（マスクパターンの転写）を行う。 Specifically, in the scanning exposure operation, the main control device 90 (see FIG. 2) uses the alignment microscope 62 arranged on the +X side of the projection system main body 42 to expose at least the exposure target, prior to the scanning exposure operation. The position information of, for example, four marks Mk formed in the divided area is detected, and the array information of the divided area is calculated. The main controller 90 performs precise positioning (substrate alignment operation) of the substrate P in the three-degree-of-freedom direction in the XY plane based on the calculated array information of the divided areas to be exposed, and the illumination system 20 and the projection. By appropriately controlling the optical system 40, the scanning exposure operation (transfer of the mask pattern) is performed on the target partitioned area.

次に、投影光学系４０が有する投影系本体４２の位置情報を求めるための計測系４６（図２参照）、及びアライメント系６０が有するアライメント顕微鏡６２の位置情報を求めるための計測系６８の具体的な構成について説明する。 Next, the measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the projection system main body 42 of the projection optical system 40 and the measurement system 68 for obtaining the position information of the alignment microscope 62 of the alignment system 60 will be described in detail. A typical configuration will be described.

図７に示されるように、液晶露光装置１０は、投影系本体４２を走査方向に案内するためのガイド８０を有している。ガイド８０は、走査方向に平行に延びる部材から成る。ガイド８０は、アライメント顕微鏡６２の走査方向への移動を案内する機能も有する。また、図７では、ガイド８０がマスクＭと基板Ｐとの間に図示されているが、実際には、ガイド８０は、Ｙ軸方向に関して照明光ＩＬの光路を避けた位置に配置されている。 As shown in FIG. 7, the liquid crystal exposure apparatus 10 has a guide 80 for guiding the projection system main body 42 in the scanning direction. The guide 80 is composed of a member extending parallel to the scanning direction. The guide 80 also has a function of guiding the movement of the alignment microscope 62 in the scanning direction. Further, although the guide 80 is shown between the mask M and the substrate P in FIG. 7, the guide 80 is actually arranged in a position avoiding the optical path of the illumination light IL in the Y-axis direction. ..

ガイド８０には、少なくとも走査方向に平行な方向（Ｘ軸方向）を周期方向とする反射型の回折格子を含むスケール８２が固定されている。また、投影系本体４２は、スケール８２に対向して配置されたヘッド８４を有している。本実施形態では、上記スケール８２とヘッド８４とにより、投影系本体４２の位置情報を求めるための計測系４６（図２参照）を構成するエンコーダシステムが形成されている。また、アライメント顕微鏡６２は、スケール８２に対向して配置されたヘッド８６を有している。本実施形態では、上記スケール８２とヘッド８６とにより、アライメント顕微鏡６２の位置情報を求めるための計測系６８（図２参照）を構成するエンコーダシステムが形成されている。ここで、ヘッド８４，８６は、それぞれスケール８２に対してエンコーダ計測用のビームを照射し、スケール８２を介したビーム（スケール８２による反射ビーム）を受光して、その受光結果に基づいてスケール８２に対する相対的な位置情報を出力可能となっている。 A scale 82 including a reflection type diffraction grating having a periodic direction at least in a direction parallel to the scanning direction (X-axis direction) is fixed to the guide 80. Further, the projection system main body 42 has a head 84 which is arranged so as to face the scale 82. In the present embodiment, the scale 82 and the head 84 form an encoder system that constitutes a measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining position information of the projection system body 42. In addition, the alignment microscope 62 has a head 86 arranged so as to face the scale 82. In the present embodiment, the scale 82 and the head 86 form an encoder system that constitutes a measurement system 68 (see FIG. 2) for obtaining position information of the alignment microscope 62. Here, the heads 84 and 86 respectively irradiate the scale 82 with a beam for encoder measurement, receive a beam that has passed through the scale 82 (a reflected beam by the scale 82), and based on the light reception result, the scale 82. It is possible to output position information relative to.

このように、本実施形態において、スケール８２は、投影系本体４２の位置情報を求めるための計測系４６（図２参照）を構成し、アライメント顕微鏡６２の位置情報を求めるための計測系６８（図２参照）を構成する。すなわち、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とは、スケール８２に形成された回折格子によって設定される共通の座標系（測長軸）に基づいて位置制御が行われる。なお、投影系本体４２を駆動するための駆動系４４（図２参照）、及びアライメント顕微鏡６２を駆動するための駆動系６６（図２参照）は、要素が一部共通であっても良いし、完全に独立した要素により構成されていても良い。 As described above, in the present embodiment, the scale 82 constitutes the measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the projection system body 42, and the measurement system 68 (for obtaining the position information of the alignment microscope 62). (See FIG. 2). That is, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 are position-controlled based on a common coordinate system (measurement axis) set by the diffraction grating formed on the scale 82. The drive system 44 (see FIG. 2) for driving the projection system body 42 and the drive system 66 (see FIG. 2) for driving the alignment microscope 62 may have some common elements. , May be composed of completely independent elements.

なお、上記計測系４６、６８（それぞれ図２参照）を構成するエンコーダシステムは、測長軸が、例えばＸ軸方向（走査方向）のみであるリニア（１ＤＯＦ）エンコーダシステムであっても良いし、より多くの測長軸を有しても良い。例えば、ヘッド８４、８６をＹ軸方向に所定間隔で複数配置することにより、投影系本体４２、アライメント顕微鏡６２のθｚ方向の回転量を求めても良い。また、スケール８２にＸＹ２次元回折格子を形成し、Ｘ、Ｙ、θｚ方向の３自由度方向に測長軸を有する３ＤＯＦエンコーダシステムとしても良い。さらに、ヘッド８４、８６として、回折格子の周期方向と併せてスケール面に直交する方向の測長が可能な公知の２次元ヘッドを複数用いることにより、投影系本体４２、アライメント顕微鏡６２の６自由度方向の位置情報を求めても良い。 The encoder system that constitutes the measurement systems 46 and 68 (see FIG. 2 respectively) may be a linear (1DOF) encoder system in which the measurement axis is, for example, only in the X-axis direction (scanning direction). It may have more measuring axes. For example, the rotation amounts of the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 in the θz direction may be obtained by arranging a plurality of heads 84 and 86 at predetermined intervals in the Y-axis direction. Further, an XY two-dimensional diffraction grating may be formed on the scale 82, and a 3DOF encoder system having a length measurement axis in the three degrees of freedom in the X, Y, and θz directions may be used. Further, as the heads 84 and 86, by using a plurality of well-known two-dimensional heads capable of measuring the length in the direction orthogonal to the scale surface together with the periodic direction of the diffraction grating, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 can be freely moved. The position information in the degree direction may be obtained.

ここで、本実施形態では、投影系本体４２、及びアライメント顕微鏡６２は、それぞれ基板ＰとマスクＭとの間の空間に配置され、そのＹ軸方向の位置がほぼ同じであることから、互いの移動可能範囲が一部重複している。 Here, in the present embodiment, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 are arranged in the space between the substrate P and the mask M, respectively, and their positions in the Y-axis direction are substantially the same, so Part of the movable range overlaps.

そこで、主制御装置９０は、例えば走査露光動作時に投影系本体４２をＸ軸方向に駆動する際に、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とを衝突させない駆動制御（衝突回避制御）を行う。換言すると、主制御装置９０は、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とがＸ軸方向に関して同時に同じ位置に配置されないように駆動制御し、例えば、投影系本体４２の移動経路（移動範囲）から、アライメント顕微鏡６２を退避させる退避制御を行う。 Therefore, the main controller 90 performs drive control (collision avoidance control) that prevents the projection system body 42 and the alignment microscope 62 from colliding with each other when the projection system body 42 is driven in the X-axis direction during a scanning exposure operation, for example. In other words, the main controller 90 drives and controls the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 so that they are not arranged at the same position in the X-axis direction at the same time. For example, from the movement path (movement range) of the projection system main body 42, Retraction control for retracting the alignment microscope 62 is performed.

以下、アライメント顕微鏡６２の衝突回避制御（退避制御）を含み、走査露光動作時における液晶露光装置１０の動作の一例を、図３（ａ）〜図４（ｃ）を用いて説明する。以下の露光動作（アライメント計測動作を含む）は、主制御装置９０（図３（ａ）〜図４（ｃ）では不図示。図２参照）の管理下で行われる。 Hereinafter, an example of the operation of the liquid crystal exposure apparatus 10 during the scanning exposure operation, including the collision avoidance control (retraction control) of the alignment microscope 62, will be described with reference to FIGS. 3A to 4C. The following exposure operation (including alignment measurement operation) is performed under the control of main controller 90 (not shown in FIGS. 3A to 4C, see FIG. 2).

本実施形態において、露光順が最初である区画領域（以下第１ショット領域Ｓ１と称する）は、基板Ｐの−Ｘ側且つ−Ｙ側に設定されている。また、図３（ａ）〜図４（ｃ）において、符号Ａが付された矩形の領域は、走査露光動作時における投影系本体４２の移動範囲（移動経路）を示す。投影系本体４２の移動範囲Ａは、例えば機械的、及び／又は電気的に設定される。また、基板Ｐ上の区画領域に付されたＳ２〜Ｓ４の符号は、それぞれ露光順序が２〜４番目のショット領域であることを示す。In the present embodiment, the partitioned area in which the exposure order is first (hereinafter referred to as the first shot area S 1 ) is set on the −X side and the −Y side of the substrate P. In addition, in FIGS. 3A to 4C, a rectangular area denoted by reference symbol A indicates a moving range (moving path) of the projection system main body 42 during the scanning exposure operation. The movement range A of the projection system body 42 is mechanically and/or electrically set, for example. Further, the symbols S 2 to S 4 attached to the partitioned areas on the substrate P indicate that they are shot areas having the second to fourth exposure orders, respectively.

図３（ａ）に示されるように、露光開始前において、投影系本体４２、及びアライメント顕微鏡６２それぞれは、平面視で第１ショット領域Ｓ１の−Ｘ側に配置される。図３（ａ）に示される状態（初期位置）で、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とは、Ｘ軸方向に関して互いに近接して配置されている。As shown in FIG. 3A, before the start of exposure, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 are arranged on the −X side of the first shot region S 1 in a plan view. In the state (initial position) shown in FIG. 3A, the projection system body 42 and the alignment microscope 62 are arranged close to each other in the X-axis direction.

次いで、主制御装置９０は、図３（ｂ）に示されるように、アライメント顕微鏡６２を＋Ｘ方向に駆動する。上述したように、本実施形態では、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とを、Ｘ軸方向（スキャン方向、走査方向）に関して独立に駆動制御できるため、主制御装置９０は、投影系本体４２を停止させた状態で、アライメント顕微鏡６２のみをＸ軸方向に駆動する。主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２を＋Ｘ方向に移動させつつ、第１ショット領域Ｓ１内の、例えば４つのマークＭｋを検出（図３（ｂ）における太線の丸印参照）した後、主制御装置９０は、該マーク検出結果に基づいて、第１ショット領域Ｓ１の配列情報を算出する。Next, main controller 90 drives alignment microscope 62 in the +X direction, as shown in FIG. As described above, in the present embodiment, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 can be independently driven and controlled in the X-axis direction (scanning direction, scanning direction), so that the main controller 90 controls the projection system main body 42. In the stopped state, only the alignment microscope 62 is driven in the X-axis direction. The main controller 90 detects, for example, four marks Mk in the first shot area S 1 while moving the alignment microscope 62 in the +X direction (see the thick circle in FIG. 3B), The control device 90 calculates the arrangement information of the first shot area S 1 based on the mark detection result.

また、主制御装置９０は、図３（ｃ）に示されるように、アライメント顕微鏡６２によるマーク検出動作と並行して、アライメント顕微鏡６２とは独立に投影系本体４２の＋Ｘ方向への加速を開始させる。具体的には、主制御装置９０は、例えばアライメント顕微鏡６２によって第１ショット領域Ｓ１の＋Ｘ側のマークＭｋが検出される直前に、投影系本体４２の＋Ｘ方向への加速を開始させる。このように、本実施形態では、アライメント顕微鏡６２の＋Ｘ方向への移動（マーク検出動作）に遅れて、投影系本体４２の＋Ｘ方向への移動（スキャン露光動作）が開始される。従って、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とのＸ軸方向に関する間隔（距離）は、図３（ａ）に示される初期位置（アライメント動作の開始前）に比べて、広くなっている。なお、第１ショット領域Ｓ１に対する露光動作の開始前、すなわち、投影系本体４２が等速移動を開始して照明光ＩＬが基板Ｐ（第１ショット領域Ｓ１）に照射される前に、第１ショット領域Ｓ１内の、例えば４つのマークＭｋの検出が終了し、該４つのマークに基づいて第１ショット領域Ｓ１の配列情報が求められていることが望ましい。主制御装置９０は、図３（ｄ）に示されるように、投影系本体４２と照明系２０の照明系本体２２（図３（ｄ）では不図示。図１参照）とを同期して＋Ｘ方向に駆動して、第１ショット領域Ｓ１に対する１回目の走査露光を行う。Further, as shown in FIG. 3C, the main controller 90 starts acceleration of the projection system main body 42 in the +X direction independently of the alignment microscope 62 in parallel with the mark detection operation by the alignment microscope 62. Let Specifically, main controller 90 starts acceleration of projection system main body 42 in the +X direction immediately before, for example, alignment microscope 62 detects mark Mk on the +X side of first shot region S 1 . As described above, in the present embodiment, the movement of the projection system main body 42 in the +X direction (scan exposure operation) is started after the movement of the alignment microscope 62 in the +X direction (mark detection operation). Therefore, the distance (distance) between the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 in the X-axis direction is wider than the initial position (before the start of the alignment operation) shown in FIG. Note that before the exposure operation for the first shot area S 1 is started, that is, before the projection system body 42 starts moving at a constant speed and the illumination light IL is applied to the substrate P (first shot area S 1 ), the first shot area S 1, for example, completed four marks Mk detection, it is desirable that the sequence information of the first shot area S 1 based on the four marks are required. As shown in FIG. 3D, the main controller 90 synchronizes the projection system body 42 and the illumination system body 22 of the illumination system 20 (not shown in FIG. 3D, see FIG. 1) with +X. Driving in the direction, the first scanning exposure is performed on the first shot area S 1 .

なお、第１ショット領域Ｓ１に対する走査露光動作と並行して、アライメント顕微鏡６２を更に＋Ｘ方向に駆動し、第４ショット領域Ｓ４（第１ショット領域Ｓ１の＋Ｘ側の区画領域）内に形成された、例えば４つのマークＭｋを検出しても良い。主制御装置９０は、第４ショット領域Ｓ４内のマークの検出結果に基づいて、第１ショット領域Ｓ１の配列情報を更新することができる。第１ショット領域Ｓ１の配列情報を求めるために第４ショット領域Ｓ４内のマーク位置情報を用いることにより、第１ショット領域Ｓ１に設けられた４つのマークＭｋのみに基づいて配列情報を求めるよりも、広い範囲にわたる統計的な傾向を考慮した配列情報を求めることができ、第１ショット領域Ｓ１に関するアライメント精度の向上が可能となる。In addition, in parallel with the scanning exposure operation for the first shot area S 1 , the alignment microscope 62 is further driven in the +X direction so that the fourth shot area S 4 (the +X side partitioned area of the first shot area S 1 ) is formed. For example, four marks Mk formed may be detected. The main controller 90 can update the array information of the first shot area S 1 based on the detection result of the marks in the fourth shot area S 4 . By using the mark position information of the fourth shot area S 4 in order to obtain the sequence information of the first shot area S 1, the sequence information based only on the four marks Mk provided in the first shot area S 1 It is possible to obtain the array information in consideration of a statistical tendency over a wide range rather than to obtain it, and it is possible to improve the alignment accuracy regarding the first shot region S 1 .

主制御装置９０は、上記配列情報の算出結果に応じて基板Ｐの微小位置制御を行いつつ、照明系２０を制御して照明光ＩＬをマスクＭ（図３（ｄ）では不図示。図１参照）及び投影系本体４２を介して基板Ｐ上に投射し、該照明光ＩＬにより基板Ｐ上に生成される露光領域ＩＡ内にマスクパターンの一部を形成する。上述したように、本実施形態において、マスクＭ上に生成される照明領域ＩＡＭ（図１参照）、及び基板Ｐ上に生成される露光領域ＩＡは、Ｙ軸方向に離間する一対の矩形の領域であるので、１回の走査露光動作により基板Ｐに転写されるマスクＭのパターン像は、Ｙ軸方向に離間した一対のＸ軸方向に延びる帯状の領域（ひとつの区画領域の全面積のうち半分の面積）内に形成される。 The main controller 90 controls the illumination system 20 while controlling the minute position of the substrate P according to the calculation result of the array information and controls the illumination system IL to illuminate the illumination light IL (not shown in FIG. 3D). And a projection system main body 42 to project onto the substrate P to form a part of the mask pattern in the exposure area IA generated on the substrate P by the illumination light IL. As described above, in the present embodiment, the illumination area IAM (see FIG. 1) generated on the mask M and the exposure area IA generated on the substrate P are a pair of rectangular areas separated in the Y-axis direction. Therefore, the pattern image of the mask M transferred to the substrate P by one scanning exposure operation is a pair of strip-shaped regions (along the entire area of one partitioned region) extending in the X-axis direction and separated in the Y-axis direction. Half the area).

ここで、第１ショット領域Ｓ１の１回目の走査露光が終了すると、投影系本体４２は、基板Ｐ上を通過し、移動範囲Ａの＋Ｘ側の端部近傍に移動する。そこで、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２を移動範囲Ａから退避させる制御を行う。一例として、主制御装置９０は、図４（ａ）に示されるように、アライメント顕微鏡６２を基板Ｐに対して−Ｙ方向（下方）に駆動して投影系本体４２の移動範囲Ａの−Ｙ側に退避させる。これにより、図４（ｂ）に示されるように、投影系本体４２は、アライメント顕微鏡６２に衝突することなく、該アライメント顕微鏡６２の＋Ｙ側（上方）を通過する。主制御装置９０は、投影系本体４２のＹ軸方向の位置がアライメント顕微鏡６２のＹ軸方向の位置と重ならない位置まで駆動されたことが確認されると、図３（ａ）に示されるように、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とが互いに接触していない位置に、接近して配置されるように、アライメント顕微鏡６２を移動範囲Ａ内に駆動させる。従って、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とのＸ軸方向の間隔は、走査露光動作時に比べて、走査露光動作を開始前または終了後の時点（換言すると、投影系本体４２がＸ軸方向に加速を開始する前または減速を完了した後）の方が狭くなっている。Here, when the first scanning exposure of the first shot area S 1 is completed, the projection system main body 42 passes over the substrate P and moves to the vicinity of the +X side end of the movement range A. Therefore, main controller 90 performs control to retract alignment microscope 62 from movement range A. As an example, the main controller 90 drives the alignment microscope 62 in the −Y direction (downward) with respect to the substrate P, as shown in FIG. Evacuate to the side. As a result, as shown in FIG. 4B, the projection system body 42 passes through the +Y side (above) of the alignment microscope 62 without colliding with the alignment microscope 62. When it is confirmed that the main controller 90 has been driven to a position where the Y-axis direction position of the projection system main body 42 does not overlap with the Y-axis direction position of the alignment microscope 62, as shown in FIG. Then, the alignment microscope 62 is driven within the movement range A so that the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 are arranged close to each other at a position where they are not in contact with each other. Therefore, the distance between the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 in the X-axis direction is set to a point before or after the scanning exposure operation is started (in other words, the projection system main body 42 is moved in the X-axis direction) as compared with the scanning exposure operation. Before starting acceleration or after completing deceleration) is narrower.

次いで、主制御装置９０は、第１ショット領域Ｓ１の２回目の走査露光動作のため、図４（ｂ）に示されるように、基板ＰおよびマスクＭを−Ｙ方向にステップ移動させる（図４（ｂ）の黒矢印参照）。このときの基板Ｐのステップ移動量は、ひとつの区画領域のＹ軸方向の長さの、例えば１／４の長さである。この場合、基板ＰとマスクＭの−Ｙ方向へのステップ移動において、基板ＰとマスクＭとの相対的な位置関係を変化させないように（あるいは、その相対位置関係を補正可能なように）ステップ移動させることが好ましい。Then, the main controller 90 for the second scanning exposure operation of the first shot area S 1, as shown in FIG. 4 (b), moved stepwise substrate P and the mask M in the -Y direction (FIG. 4 (b) black arrow). The amount of step movement of the substrate P at this time is, for example, 1/4 of the length of one partitioned region in the Y-axis direction. In this case, in the step movement of the substrate P and the mask M in the -Y direction, a step is performed so that the relative positional relationship between the substrate P and the mask M is not changed (or the relative positional relationship can be corrected). It is preferable to move it.

以下、図４（ｃ）に示されるように、主制御装置９０は、投影系本体４２を−Ｘ方向に駆動して第１ショット領域Ｓ１の２回目（復路）の走査露光動作を行う。これにより、１回目の走査露光動作により転写されたマスクパターンと、２回目の走査露光動作でにより転写されたマスクパターンとが第１ショット領域Ｓ１内で繋ぎ合わされ、マスクＭのパターンの全体が第１ショット領域Ｓ１に転写される。また、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２を退避位置から投影系本体４２の移動範囲Ａ内に戻し、投影系本体４２に追従させて−Ｘ方向に駆動する。なお、図４（ｂ）に示されるように基板ＰおよびマスクＭを−Ｙ方向へステップ移動した後、２回目の走査露光を開始するまでに、基板ＰとマスクＭとのアライメント計測を再度行い、その結果に基づいて相互の位置合わせを行うようにしても良い。これにより、第１ショット領域Ｓ１全体のアライメント精度、ひいては第１ショット領域Ｓ１へのマスクＭのパターンの転写精度の向上が可能となる。なお、この場合、主制御装置９０は、一旦退避させたアライメント顕微鏡６２を投影系本体４２の−Ｘ側に戻し、上述した図３（ａ）〜（ｄ）および図４（ａ）に相当する動作（ただし、Ｘ軸方向の動きを反転させた（逆符号にした）動作）を行うように駆動制御するとよい。Hereinafter, as shown in FIG. 4C, main controller 90 drives projection system main body 42 in the −X direction to perform the second (return) scanning exposure operation of first shot area S 1 . As a result, the mask pattern transferred by the first scanning exposure operation and the mask pattern transferred by the second scanning exposure operation are joined in the first shot region S 1 , and the entire pattern of the mask M is It is transferred to the first shot area S 1 . Further, main controller 90 returns alignment microscope 62 from the retracted position to within movement range A of projection system body 42, and causes projection system body 42 to follow and drive in the -X direction. As shown in FIG. 4B, after stepwise moving the substrate P and the mask M in the -Y direction, alignment measurement between the substrate P and the mask M is performed again before the second scanning exposure is started. The mutual alignment may be performed based on the result. As a result, it is possible to improve the alignment accuracy of the entire first shot area S 1 , and consequently the transfer accuracy of the pattern of the mask M onto the first shot area S 1 . In this case, main controller 90 returns alignment microscope 62 once retracted to the −X side of projection system main body 42, and corresponds to FIGS. 3A to 3D and FIG. 4A described above. The drive control may be performed so as to perform the operation (however, the operation in which the movement in the X-axis direction is reversed (the operation has the opposite sign)).

以下、不図示であるが、主制御装置９０は、第２ショット領域Ｓ２（第１ショット領域Ｓ１の＋Ｙ側の区画領域）に対して走査露光動作を行うために、基板Ｐを−Ｙ方向にステップ移動させて第２ショット領域Ｓ２とマスクＭとを対向させる。第２ショット領域Ｓ２に対する走査露光動作（アライメント顕微鏡６２の退避動作を含む）は、上述した第１ショット領域Ｓ１に対する走査露光動作と同じであるので説明を省略する。以下、主制御装置９０は、マスクＭのＸステップ動作と基板ＰのＹステップ動作の少なくとも一方を適宜行いつつ、第３、及び第４ショット領域Ｓ３、Ｓ４対する走査露光動作を行う。この際も、主制御装置９０は、同様にアライメント顕微鏡６２の退避制御を行う。なお、第２ショット領域Ｓ２以降の区画領域を露光するために、当該区画領域の配列情報を求める際、それ以前の区画領域を露光する際に求めたマークの位置情報を用いても良い。また、第４ショット領域Ｓ４に対するアライメントを行う際に、上述した第１ショット領域Ｓ１のアライメント計測結果（ＥＧＡ計算の結果）を利用してもよい。その場合、第４ショット領域Ｓ４とマスクＭとを対向配置させた際には、マスクＭのマークと基板ＰのマークＭｋとの各２点のマークに基づいてＸＹ平面内の３自由度（Ｘ，Ｙ，θｚ）方向の位置ずれを計測するだけでよく、第４ショット領域Ｓ４のアライメントにかかる時間を実質的に短くすることができる。Hereinafter, although not shown, the main controller 90, in order to perform the scanning exposure operation on the second shot area S 2 (partitioned region of the first shot area S 1 of the + Y side), the substrate P -Y The second shot region S 2 and the mask M are opposed to each other by stepwise moving in the direction. The scanning exposure operation for the second shot area S 2 (including the retracting operation of the alignment microscope 62) is the same as the scanning exposure operation for the first shot area S 1 described above, and therefore description thereof is omitted. Hereinafter, the main controller 90 appropriately performs at least one of the X step operation of the mask M and the Y step operation of the substrate P, and performs the scanning exposure operation for the third and fourth shot areas S 3 , S 4 . In this case also, main controller 90 similarly controls the withdrawal of alignment microscope 62. In order to expose the divided areas of the second shot area S 2 and thereafter, when the arrangement information of the divided area is obtained, the position information of the mark obtained when exposing the divided area before that may be used. Further, the alignment measurement result (EGA calculation result) of the first shot area S 1 described above may be used when performing the alignment with respect to the fourth shot area S 4 . In that case, when the fourth shot region S 4 and the mask M are arranged to face each other, three degrees of freedom in the XY plane (based on the marks of the mask M and the mark Mk of the substrate P at two points ( It is only necessary to measure the positional deviation in the (X, Y, θz) direction, and the time required for the alignment of the fourth shot area S4 can be substantially shortened.

以上説明した一実施形態に係る液晶露光装置１０によれば、アライメント顕微鏡６２、及び投影系本体４２のスキャン方向（Ｘ軸方向）の駆動制御（位置、及び速度）を独立に制御できるので、投影系本体４２のスキャン方向への移動（加速）に先立って、アライメント顕微鏡６２を用いてマークＭｋの検出動作を行うことができ、所要のマークＭｋのすべての検出を完了する前に投影系本体４２のスキャン方向への加速（すなわち、走査露光動作）を開始することができる。従って基板Ｐの露光処理にかかる一連の処理時間（タクトタイム）を低減することができる。また、走査露光動作を行っていないとき、例えばアライメント動作の開始前（投影系本体４２加速前）および走査露光動作終了後（投影系本体４２の減速後）には、図３（ａ）に示されるように、アライメント顕微鏡６２と投影系本体４２とを近接して配置することができる。従って、Ｘ軸方向に関して走査露光のために必要な装置サイズ（露光装置のフットプリント）を抑制することができる。また、走査露光動作時の投影系本体４２の移動範囲Ａからアライメント顕微鏡６２を退避させることができるので、アライメント顕微鏡６２と投影系本体４２との衝突を回避できる。 According to the liquid crystal exposure apparatus 10 according to the embodiment described above, the drive control (position and speed) in the scan direction (X-axis direction) of the alignment microscope 62 and the projection system main body 42 can be independently controlled. Prior to the movement (acceleration) of the system body 42 in the scanning direction, the detection operation of the mark Mk can be performed using the alignment microscope 62, and the projection system body 42 can be detected before the detection of all the required marks Mk is completed. Acceleration in the scan direction (that is, the scanning exposure operation) can be started. Therefore, a series of processing time (tact time) required for the exposure processing of the substrate P can be reduced. Further, when the scanning exposure operation is not performed, for example, before the alignment operation is started (before acceleration of the projection system main body 42) and after the scanning exposure operation is ended (after deceleration of the projection system main body 42), it is shown in FIG. As described above, the alignment microscope 62 and the projection system main body 42 can be arranged close to each other. Therefore, the apparatus size (footprint of the exposure apparatus) required for scanning exposure in the X-axis direction can be suppressed. Further, since the alignment microscope 62 can be retracted from the moving range A of the projection system body 42 during the scanning exposure operation, it is possible to avoid a collision between the alignment microscope 62 and the projection system body 42.

ここで、照明系２０、マスクステージ装置３０、投影光学系４０、基板ステージ装置５０、アライメント系６０は、モジュール化されていても良い。照明系２０は照明系モジュール１２Ｍ、マスクステージ装置３０はマスクステージモジュール１４Ｍ、投影光学系４０は投影光学系モジュール１６Ｍ、基板ステージ装置５０は基板ステージモジュール１８Ｍ、アライメント系６０はアライメント系モジュール２０Ｍと称する。以下、適宜「各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍ」と称するが、対応する架台２８Ａ〜２８Ｅ上に載置されることにより、互いに物理的に独立して配置されている。 Here, the illumination system 20, the mask stage device 30, the projection optical system 40, the substrate stage device 50, and the alignment system 60 may be modularized. The illumination system 20 is called an illumination system module 12M, the mask stage device 30 is called a mask stage module 14M, the projection optical system 40 is called a projection optical system module 16M, the substrate stage device 50 is called a substrate stage module 18M, and the alignment system 60 is called an alignment system module 20M. .. Hereinafter, although appropriately referred to as “each module 12M to 20M”, they are physically independent from each other by being placed on the corresponding pedestals 28A to 28E.

従って、図１０に示されるように、液晶露光装置１０では、上記各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍ（図１０では、一例として基板ステージモジュール１８Ｍ）のうちの任意（１つ、あるいは複数）モジュールを、他のモジュールから独立して交換することができる。この際、交換対象のモジュールは、該モジュールを支持する架台２８Ａ〜２８Ｅ（図１０では、架台２８Ｅ）と一体的に交換される。 Therefore, as shown in FIG. 10, in the liquid crystal exposure apparatus 10, any (one or more) module of each of the modules 12M to 20M (in FIG. 10, the substrate stage module 18M) is replaced by another module. It can be replaced independently of the module. At this time, the module to be replaced is integrally replaced with the gantry 28A to 28E (in FIG. 10, the gantry 28E) supporting the module.

上記各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍの交換動作時において、交換対象となる各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍ（及び該モジュールを支持する架台２８Ａ〜２８Ｅ）は、床２６面に沿ってＸ軸方向に移動する。このため、架台２８Ａ〜２８Ｅには、例えば床２６上を容易に移動可能となるように、例えば車輪、あるいはエアキャスタ装置などを設けると良い。このように、本実施形態の液晶露光装置１０では、各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍのうち、任意のモジュールを個別に他のモジュールから容易に分離することができるので、メンテナンス性に優れる。なお、図１０では、基板ステージモジュール１８Ｍが架台２８Ｅと共に、他の要素（投影光学系モジュール１６Ｍなど）に対して＋Ｘ方向（紙面奥側）に移動することにより、他の要素から分離する態様が示されているが、移動対象のモジュール（及び架台）の移動方向は、これに限定されず、例えば−Ｘ方向（紙面手前）であっても良いし、＋Ｙ方向（紙面上方）であっても良い。また、各架台２８Ａ〜２８Ｅの床２６上における設置後の位置再現性を確保するための位置決め装置を設けても良い。該位置決め装置は、各架台２８Ａ〜２８Ｅに設けられても良いし、各架台２８Ａ〜２８Ｅに設けられた部材と床２６に設けられた部材との協働により、各架台２８Ａ〜２８Ｅの設置位置が再現されるように構成しても良い。 During the replacement operation of the modules 12M to 20M, the modules 12M to 20M to be replaced (and the pedestals 28A to 28E supporting the modules) move in the X-axis direction along the surface of the floor 26. Therefore, for example, wheels or an air caster device may be provided on the gantry 28A to 28E so that they can be easily moved on the floor 26, for example. As described above, in the liquid crystal exposure apparatus 10 according to the present embodiment, any module among the modules 12M to 20M can be easily separated from other modules individually, and thus the maintainability is excellent. In FIG. 10, the substrate stage module 18M moves in the +X direction (back side of the drawing) with respect to the other elements (projection optical system module 16M and the like) together with the gantry 28E, thereby separating from the other elements. Although shown, the moving direction of the module (and the gantry) to be moved is not limited to this, and may be, for example, the −X direction (front side of the paper surface) or the +Y direction (upper surface of the paper surface). good. In addition, a positioning device may be provided to secure the position reproducibility of each of the mounts 28A to 28E on the floor 26 after the installation. The positioning device may be provided on each of the pedestals 28A to 28E, or the installation position of each of the pedestals 28A to 28E by the cooperation of the members provided on the respective pedestals 28A to 28E and the members provided on the floor 26. May be reproduced.

また、本実施形態の液晶露光装置１０は、上記各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍを独立に分離することができる構成であるため、各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍを個別にアップグレードすることもできる。なお、アップグレードとは、例えば露光対象の基板Ｐの大型化などに対応するためのアップグレードの他に、基板Ｐの大きさは同じであるが各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍをより性能が向上したものに交換する場合も含む。 Moreover, since the liquid crystal exposure apparatus 10 of the present embodiment has a configuration in which the modules 12M to 20M can be independently separated, the modules 12M to 20M can be individually upgraded. The upgrade is, for example, an upgrade to cope with an increase in the size of the substrate P to be exposed, or the like, but the modules 12M to 20M are replaced with those having the same size but the modules 12M to 20M having improved performance. Including the case of doing.

ここで、例えば基板Ｐが大型化する場合、基板Ｐの面積（本実施形態では、Ｘ軸及びＹ軸方向の寸法）が大きくなるのみで、通常基板Ｐの厚み（Ｚ軸方向の寸法）は、実質的に変化しない。従って、例えば基板Ｐの大型化に対応して液晶露光装置１０の基板ステージモジュール１８Ｍをアップグレードする場合、図１０に示されるように、基板ステージモジュール１８Ｍに替わり、新たに挿入される基板ステージモジュール１８ＡＭ、及び基板ステージモジュール１８ＡＭを支持する架台２８Ｇは、Ｘ軸及び／又はＹ軸方向の寸法が変わるが、Ｚ軸方向の寸法は、実質的に変化しない。同様に、マスクステージモジュール１４Ｍも、マスクＭの大型化に応じたアップグレードによって、Ｚ軸方向の寸法が実質的に変化しない。 Here, for example, when the substrate P is increased in size, the area of the substrate P (in the present embodiment, the dimension in the X-axis and Y-axis directions) is increased, and the thickness of the normal substrate P (the dimension in the Z-axis direction) is increased. , Virtually unchanged. Therefore, for example, when the substrate stage module 18M of the liquid crystal exposure apparatus 10 is upgraded in response to an increase in the size of the substrate P, a newly inserted substrate stage module 18AM is used instead of the substrate stage module 18M as shown in FIG. , And the gantry 28G that supports the substrate stage module 18AM, the dimensions in the X-axis and/or Y-axis directions change, but the dimensions in the Z-axis direction do not substantially change. Similarly, in the mask stage module 14M, the dimension in the Z-axis direction does not substantially change due to the upgrade according to the size increase of the mask M.

また、例えば照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡ（それぞれ図１など参照）を拡大するためには、照明系モジュール１２Ｍが有する照明光学系の数、投影光学系モジュール１６Ｍが有する投影レンズモジュールの数を増やすことで、照明系モジュール１２Ｍ、投影光学系モジュール１６Ｍそれぞれをアップグレードすることができる。アップグレード後の照明系モジュール、投影光学系モジュール（それぞれ不図示）は、アップグレード前に比べてＸ軸及び／又はＹ軸方向の寸法が変わるのみで、Ｚ軸方向の寸法は、実質的に変化しない。 Further, for example, in order to enlarge the illumination area IAM and the exposure area IA (see FIG. 1, etc.), the number of illumination optical systems included in the illumination system module 12M and the number of projection lens modules included in the projection optical system module 16M are increased. Thus, each of the illumination system module 12M and the projection optical system module 16M can be upgraded. The dimensions of the illumination system module and the projection optical system module (not shown) after the upgrade are different from those before the upgrade only in the X-axis and/or Y-axis directions, and the dimensions in the Z-axis direction are substantially unchanged. ..

このため、本実施形態の液晶露光装置１０では、各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍを支持する架台２８Ａ〜２８Ｅ、及びアップグレード後の各モジュールそれぞれを支持する架台（図１０に示される基板ステージモジュール１８ＡＭを支持する架台２８Ｇ参照）は、Ｚ軸方向の寸法が定尺化されている。ここで、定尺化とは、交換前の架台と交換後の架台とで、Ｚ軸方向の寸法が共通であること、すなわち機能の同じモジュールを支持する架台のＺ軸方向の寸法が概ね一定であることを意味する。このように、本実施形態の液晶露光装置１０では、各架台２８Ａ〜２８ＥのＺ軸方向寸法が定尺化されているため、各モジュールを設計する際の時間短縮を図ることが可能となる。 Therefore, in the liquid crystal exposure apparatus 10 of the present embodiment, pedestals 28A to 28E that support the modules 12M to 20M and pedestals that support the upgraded modules (the substrate stage module 18AM shown in FIG. 10 is supported. The gantry 28G) has a standard size in the Z-axis direction. Here, the standardized size means that the gantry before the replacement and the gantry after the replacement have the same Z-axis dimension, that is, the gantry that supports the module having the same function has substantially the same Z-axis dimension. Means that. As described above, in the liquid crystal exposure apparatus 10 of the present embodiment, the dimensions of the mounts 28A to 28E in the Z-axis direction are standardized, so that it is possible to reduce the time required to design each module.

また、液晶露光装置１０は、基板Ｐの露光面、及びマスクＭのパターン面それぞれが重力方向に平行（いわゆる縦置き配置）であるので、照明系モジュール１２Ｍ、マスクステージモジュール１４Ｍ、投影光学系モジュール１６Ｍ、及び基板ステージモジュール１８Ｍの各モジュールを、床２６面上に直列的に設置することができる。このように、上記各モジュールには、相互に自重が作用しないので、例えば上記各モジュールに相当する、基板ステージ装置、投影光学系、マスクステージ装置、及び照明系が重力方向に積み重なって配置された従来の露光装置のように、各要素を支持する高剛性のメインフレーム（ボディ）を設ける必要がない。また、構造が簡単なので、装置の設置（据え付け）工事、各モジュール１２Ｍ〜２０Ｍのメンテナンス作業、交換作業などを容易且つ短時間で行うことができる。また、上記各モジュールが床２６面に沿って配置される構成であるので、装置全体の高さを低くすることができる。これにより、上記各モジュールを収容するチャンバを小型化することができ、コスト低減を図れるとともに、設置工期を短縮できる。 Further, in the liquid crystal exposure apparatus 10, since the exposure surface of the substrate P and the pattern surface of the mask M are parallel to the gravity direction (so-called vertical arrangement), the illumination system module 12M, the mask stage module 14M, and the projection optical system module. The 16M and the substrate stage module 18M can be installed in series on the floor 26 surface. In this way, since the respective modules do not act on each other by their own weights, for example, the substrate stage device, the projection optical system, the mask stage device, and the illumination system, which correspond to the respective modules, are stacked and arranged in the gravity direction. Unlike the conventional exposure apparatus, it is not necessary to provide a highly rigid main frame (body) that supports each element. Further, since the structure is simple, the installation (installation) work of the device, the maintenance work of each module 12M to 20M, the replacement work, etc. can be performed easily and in a short time. Further, since the modules are arranged along the surface of the floor 26, the height of the entire apparatus can be reduced. As a result, the chamber for accommodating the above-mentioned modules can be downsized, the cost can be reduced, and the installation period can be shortened.

なお、以上説明した一実施形態の構成は、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態では、アライメント顕微鏡６２が、投影系本体４２の移動範囲Ａに対して−Ｙ側に移動することにより退避動作を行ったが、投影系本体４２の移動範囲Ａの外側に退避できれば、アライメント顕微鏡６２の退避方向は、これに限られず、例えば図５に示される第１の変形例のように、投影系本体４２の移動範囲Ａに対して走査方向に平行な方向（Ｘ軸方向）に退避しても良い。同様に、不図示であるが、アライメント顕微鏡６２の退避方向は、例えば投影系本体４２の移動範囲Ａに対して＋Ｙ（上）側であっても良いし、＋Ｚ側（マスク側）、あるいは−Ｚ側（基板側）であっても良い。 The configuration of the embodiment described above can be modified as appropriate. For example, in the above embodiment, the alignment microscope 62 performs the retracting operation by moving to the −Y side with respect to the movement range A of the projection system body 42, but retracts outside the movement range A of the projection system body 42. If possible, the retracting direction of the alignment microscope 62 is not limited to this. For example, as in the first modified example shown in FIG. 5, a direction (X-axis) parallel to the moving range A of the projection system main body 42 in the scanning direction. Direction). Similarly, although not shown, the retracting direction of the alignment microscope 62 may be +Y (upper) side with respect to the moving range A of the projection system main body 42, +Z side (mask side), or −. It may be on the Z side (substrate side).

また、上記実施形態（及び第１の変形例）では、アライメント顕微鏡６２が、投影系本体４２の進行方向に対して直交する方向、又は平行な方向に移動することにより退避動作を行ったが、退避動作時のアライメント顕微鏡６２の移動方向は、これに限られず、例えば図６に示される第２の変形例のように、θｚ方向（又はその他の回転方向）であっても良い。なお、アライメント顕微鏡６２をＸ軸方向以外の方向へ退避させる制御が行われると、投影系本体４２及びアライメント顕微鏡６２のＹ軸方向に対する相対位置関係が初期位置とは異なる可能性がある。その場合、主制御装置９０は、アライメント顕微鏡６２の退避動作を行う度に、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２との相対位置（相対座標）に関するキャリブレーションを行うことが好ましい。なお、上記実施形態（及び第１の変形例）では、アライメント顕微鏡６２の退避制御を、基板Ｐ上ではない位置で行ったが、基板Ｐ上の位置、つまりアライメント顕微鏡６２のＹ軸方向の位置およびＸ軸方向の位置と基板ＰのＹ軸方向の位置およびＸ軸方向の位置とが重なる位置で行うようにしても良い。 Further, in the above-described embodiment (and the first modified example), the retracting operation is performed by moving the alignment microscope 62 in a direction orthogonal to the traveling direction of the projection system main body 42, or in a direction parallel thereto. The moving direction of the alignment microscope 62 during the retracting operation is not limited to this, and may be the θz direction (or other rotation direction) as in the second modification shown in FIG. 6, for example. When the control for retracting the alignment microscope 62 in a direction other than the X-axis direction is performed, the relative positional relationship between the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 in the Y-axis direction may be different from the initial position. In that case, it is preferable that main controller 90 perform calibration regarding the relative position (relative coordinates) between projection system main body 42 and alignment microscope 62 each time the retracting operation of alignment microscope 62 is performed. In the above embodiment (and the first modification), the retracting control of the alignment microscope 62 is performed at a position that is not on the substrate P. However, the position on the substrate P, that is, the position of the alignment microscope 62 in the Y-axis direction. Alternatively, it may be performed at a position where the position in the X-axis direction and the position in the Y-axis direction and the position in the X-axis direction of the substrate P overlap.

また、上記実施形態（及び第１、第２変形例）では、照明系２０の照明系本体２２を駆動するための駆動系２４、マスクステージ装置３０のステージ本体３２を駆動するための駆動系３４、投影光学系４０の投影光学系本体４２を駆動するための駆動系４４、基板ステージ装置５０のステージ本体５２を駆動するための駆動系５４、及びアライメント系６０のアライメント顕微鏡６２を駆動するための駆動系６６（それぞれ図２参照）が、それぞれリニアモータを含む場合について説明したが、上記照明系本体２２、ステージ本体３２、投影光学系本体４２、ステージ本体５２、及びアライメント顕微鏡６２を駆動するためのアクチュエータの種類は、これに限られず、適宜変更が可能であり、例えば送りネジ（ボールネジ）装置、ベルト駆動装置などの各種アクチュエータを適宜用いることが可能である。 Further, in the above-described embodiment (and the first and second modified examples), the drive system 24 for driving the illumination system body 22 of the illumination system 20 and the drive system 34 for driving the stage body 32 of the mask stage device 30. A drive system 44 for driving the projection optical system body 42 of the projection optical system 40, a drive system 54 for driving the stage body 52 of the substrate stage device 50, and an alignment microscope 62 for the alignment system 60. Although the case where the drive system 66 (each of which is shown in FIG. 2) includes a linear motor has been described, in order to drive the illumination system body 22, the stage body 32, the projection optical system body 42, the stage body 52, and the alignment microscope 62. The type of the actuator is not limited to this, and can be appropriately changed, and various actuators such as a feed screw (ball screw) device and a belt drive device can be appropriately used.

また、上記実施形態（及び第１、第２変形例）では、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とが、スキャン方向への駆動系の一部（例えばリニアモータ、ガイドなど）を共用したが、投影系本体４２とアライメント顕微鏡６２とを個別に駆動できればこれに限られず、アライメント顕微鏡６２を駆動するための駆動系６６と、投影光学系４０の投影系本体４２を駆動するための駆動系４４とが、完全に独立して構成されていても良い。すなわち、図８に示される露光装置１０Ａのように、投影光学系４０Ａが有する投影光学系本体４２と、アライメント系６０Ａが有するアライメント顕微鏡６２とを、Ｙ位置が互いに重複しないように配置することによって、アライメント顕微鏡６２を駆動するための駆動系６６（例えばリニアモータ、ガイドなどを含む）と、投影系本体４２を駆動するための駆動系４４（例えばリニアモータ、ガイドなどを含む）とを、完全に独立した構成とすることができる。この場合、露光対象の区画領域の走査露光動作の開始前に、基板ＰをＹ軸方向へステップ移動（往復移動）させることによって、該区画領域のアライメント計測を行う。また、図９に示される露光装置１０Ｂのように、投影光学系４０Ｂが有する投影光学系本体４２を駆動するための駆動系４４（例えばリニアモータ、ガイドなどを含む）と、アライメント系６０Ｂが有するアライメント顕微鏡６２を駆動するための駆動系６６（例えばリニアモータ、ガイドなどを含む）とのＹ位置を重複しないように配置することによって、駆動系４４と駆動系６６とを、完全に独立した構成とすることもできる。 Further, in the above embodiment (and the first and second modified examples), the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 share a part of the drive system in the scanning direction (for example, a linear motor, a guide, etc.), The present invention is not limited to this as long as the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 can be driven individually, and a drive system 66 for driving the alignment microscope 62 and a drive system 44 for driving the projection system main body 42 of the projection optical system 40. However, they may be configured completely independently. That is, as in the exposure apparatus 10A shown in FIG. 8, by arranging the projection optical system body 42 of the projection optical system 40A and the alignment microscope 62 of the alignment system 60A so that their Y positions do not overlap each other. , A drive system 66 (including a linear motor, a guide, etc.) for driving the alignment microscope 62 and a drive system 44 (for example, a linear motor, a guide, etc.) for driving the projection system main body 42 Can be configured independently. In this case, the alignment measurement of the partitioned area is performed by stepwise moving (reciprocating) the substrate P in the Y-axis direction before starting the scanning exposure operation of the partitioned area to be exposed. Further, like the exposure apparatus 10B shown in FIG. 9, the alignment system 60B has a drive system 44 (including, for example, a linear motor and a guide) for driving the projection optical system main body 42 of the projection optical system 40B. By arranging the drive system 66 (including a linear motor, a guide, etc.) for driving the alignment microscope 62 so that the Y positions do not overlap, the drive system 44 and the drive system 66 are completely independent. Can also be

また、上記実施形態（及び第１、第２変形例）では、照明系２０の照明系本体２２の位置計測を行うための計測系２６、マスクステージ装置３０のステージ本体３２の位置計測を行うための計測系３６、投影光学系４０の投影光学系本体４２の位置計測を行うための計測系４６、基板ステージ装置５０のステージ本体５２の位置計測を行うための計測系５６、及びアライメント系６０のアライメント顕微鏡６２の位置計測を行うための計測系６８（それぞれ図２参照）が、それぞれリニアエンコーダを含む場合について説明したが、上記照明系本体２２、ステージ本体３２、投影系投影光学系本体４２、ステージ本体５２、及びアライメント顕微鏡６２の位置計測を行うための計測システムの種類は、これに限られず、適宜変更が可能であり、例えば光干渉計、あるいはリニアエンコーダと光干渉計とを併用した計測系などの各種計測システムを適宜用いることが可能である。 Further, in the above-described embodiment (and the first and second modified examples), the measurement system 26 for measuring the position of the illumination system body 22 of the illumination system 20 and the position measurement of the stage body 32 of the mask stage device 30 are performed. Of the measurement system 36, the measurement system 46 for measuring the position of the projection optical system body 42 of the projection optical system 40, the measurement system 56 for measuring the position of the stage body 52 of the substrate stage device 50, and the alignment system 60. The case where the measurement system 68 (see FIG. 2) for measuring the position of the alignment microscope 62 includes linear encoders has been described, but the illumination system body 22, the stage body 32, the projection system projection optical system body 42, The type of measurement system for measuring the position of the stage main body 52 and the alignment microscope 62 is not limited to this, and can be changed as appropriate. For example, measurement using an optical interferometer or a combination of a linear encoder and an optical interferometer. It is possible to appropriately use various measurement systems such as a system.

また、上記実施形態（及び第１、第２変形例）では、投影系本体４２の＋Ｘ側に一対の検出視野を有する１組の可動式のアライメント顕微鏡６２が配置されたが、可動式のアライメント顕微鏡の数は、これに限定されない。例えば投影系本体４２の＋Ｘ側、及び−Ｘ側（スキャン方向の一側及び他側）に、それぞれアライメント顕微鏡６２を配置しても良い。この場合、各区画領域に対する２回目の走査露光動作（すなわち、投影系本体４２を−Ｘ方向に移動させて行う走査露光動作）の前に、−Ｘ側のアライメント顕微鏡６２を用いてマークＭｋを検出することで、時間的なロスを抑制しつつ第１ショット領域Ｓ１全体のアライメント精度、ひいては第１ショット領域Ｓ１へのマスクＭのパターンの転写精度の向上が可能となる。Further, in the above-described embodiment (and the first and second modified examples), the pair of movable alignment microscopes 62 having the pair of detection fields of view is arranged on the +X side of the projection system main body 42, but the movable alignment microscopes are arranged. The number of microscopes is not limited to this. For example, the alignment microscope 62 may be arranged on the +X side and the −X side (one side and the other side of the scanning direction) of the projection system body 42, respectively. In this case, before the second scanning exposure operation (that is, the scanning exposure operation performed by moving the projection system main body 42 in the −X direction) for each divided area, the mark Mk is formed by using the −X side alignment microscope 62. By the detection, it is possible to improve the alignment accuracy of the entire first shot area S 1 and eventually the transfer accuracy of the pattern of the mask M to the first shot area S 1 while suppressing time loss.

また、上記実施形態（及び各変形例を含む。以下同じ）では、第１ショット領域Ｓ１の走査露光の後、該第１ショット領域Ｓ１の＋Ｙ（上）側に設定された第２ショット領域Ｓ２の走査露光を行ったが、これに限られず、第１ショット領域Ｓ１の走査露光の次に第４ショット領域Ｓ４の走査露光を行っても良い。この場合、例えば第１ショット領域Ｓ１に対向するマスクと、第４ショット領域Ｓ４に対応するマスクと（合計で２枚のマスク）を用いることにより、第１及び第４ショット領域Ｓ１、Ｓ４を連続して走査露光することができる。また、第１ショット領域Ｓ１の走査露光の後にマスクＭを＋Ｘ方向にステップ移動させて第４ショット領域Ｓ４の走査露光を行っても良い。Further, in the above embodiments (and. The same applies hereinafter each variation), after the scanning exposure of the first shot area S 1, the first shot area S 1 of the + Y second shot that is set to (upper) side Although the scanning exposure of the region S 2 is performed, the present invention is not limited to this, and the scanning exposure of the fourth shot region S 4 may be performed after the scanning exposure of the first shot region S 1 . In this case, for example, by using a mask facing the first shot region S 1 and a mask corresponding to the fourth shot region S 4 (two masks in total), the first and fourth shot regions S 1 , S 4 can be continuously scanned and exposed. Further, after the scanning exposure of the first shot area S 1 , the mask M may be step-moved in the +X direction to perform the scanning exposure of the fourth shot area S 4 .

また、上記実施形態では、マークＭｋは、各区画領域（第１〜第４ショット領域Ｓ１〜Ｓ４）内に形成されたが、これに限られず、隣接する区画領域間の領域（いわゆるスクライブライン）内に形成されていても良い。Further, in the above-described embodiment, the mark Mk is formed in each divided area (first to fourth shot areas S 1 to S 4 ), but the present invention is not limited to this, and an area between adjacent divided areas (so-called scribe). Line) may be formed.

また、上記実施形態では、Ｙ軸方向に離間した一対の照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡをそれぞれマスクＭ、基板Ｐ上に生成したが（図１参照）、照明領域ＩＡＭ、及び露光領域ＩＡの形状、長さは、これに限られず適宜変更可能である。例えば、照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡのＹ軸方向の長さは、それぞれマスクＭのパターン面、基板Ｐ上のひとつの区画領域のＹ軸方向の長さと等しくても良い。この場合、各区画領域に対して１回の走査露光動作でマスクパターンの転写が終了する。あるいは、照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡは、Ｙ軸方向の長さがそれぞれマスクＭのパターン面、基板Ｐ上のひとつの区画領域のＹ軸方向の長さの半分であるひとつの領域であっても良い。この場合は、上記実施形態と同様に、ひとつの区画領域に対して２回の走査露光動作を行い、繋ぎ合わせ露光を行う必要がある。 Further, in the above-described embodiment, a pair of the illumination area IAM and the exposure area IA separated in the Y-axis direction are generated on the mask M and the substrate P (see FIG. 1), but the shapes of the illumination area IAM and the exposure area IA are formed. The length is not limited to this and can be changed as appropriate. For example, the lengths of the illumination area IAM and the exposure area IA in the Y-axis direction may be equal to the lengths of the pattern surface of the mask M and one partitioned area on the substrate P in the Y-axis direction. In this case, the transfer of the mask pattern is completed by one scanning exposure operation for each divided area. Alternatively, the illumination area IAM and the exposure area IA are one area whose length in the Y-axis direction is half of the length in the Y-axis direction of the pattern surface of the mask M and one partitioned area on the substrate P, respectively. Is also good. In this case, similarly to the above-described embodiment, it is necessary to perform the scanning exposure operation twice for one divided area and perform the joint exposure.

また、上記実施形態のように、ひとつのマスクパターンを区画領域に形成するために、投影系本体４２を往復させて繋ぎ合わせ露光を行う場合、互いに異なる検出視野を有する往路用及び復路用のアライメント顕微鏡を走査方向（Ｘ方向）に関して投影系本体４２の前後に配置しても良い。この場合、往路用（１回目の露光動作用）のアライメント顕微鏡により、区画領域の四隅のマークＭｋを検出し、復路用（２回目の露光動作用）のアライメント顕微鏡によって、継ぎ部近傍のマークＭｋを検出しても良い。ここで、継ぎ部とは、往路の走査露光で露光された領域（パターンが転写された領域）と復路の走査露光で露光された領域（パターンが転写された領域）との継ぎ合わせ部分を意味する。継ぎ部近傍のマークＭｋとしては、予め基板ＰにマークＭｋを形成しても良いし、露光済みのパターンをマークＭｋとしても良い。 Further, when the projection system main body 42 is reciprocated to perform the stitching exposure in order to form one mask pattern in the partitioned area as in the above-described embodiment, the forward and backward alignments having different detection fields of view are performed. The microscope may be arranged before and after the projection system main body 42 with respect to the scanning direction (X direction). In this case, the mark Mk at the four corners of the divided area is detected by the alignment microscope for the forward path (for the first exposure operation), and the mark Mk near the joint is detected by the alignment microscope for the backward path (for the second exposure operation). May be detected. Here, the spliced portion means a spliced portion of the area exposed by the forward scanning exposure (the area where the pattern is transferred) and the area exposed by the backward scanning exposure (the area where the pattern is transferred). To do. As the mark Mk near the joint, the mark Mk may be formed on the substrate P in advance, or the exposed pattern may be used as the mark Mk.

また、上記各実施形態では、照明系２０で用いられる光源、及び該光源から照射される照明光ＩＬの波長は、特に限定されず、例えばＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光や、Ｆ2レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。Further, in each of the above embodiments, the wavelength of the light source used in the illumination system 20 and the illumination light IL emitted from the light source is not particularly limited, and for example, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), KrF excimer laser light ( It may be ultraviolet light with a wavelength of 248 nm) or vacuum ultraviolet light with a F 2 laser light (wavelength of 157 nm).

また、上記実施形態では、光源を含む照明系本体２２が走査方向に駆動されたが、これに限られず、例えば特開２０００−１２４２２号公報に開示される露光装置と同様に、光源を固定とし、照明光ＩＬのみが走査方向に走査されるようにしても良い。 Further, in the above-described embodiment, the illumination system main body 22 including the light source is driven in the scanning direction, but the present invention is not limited to this, and the light source is fixed like the exposure apparatus disclosed in JP 2000-12422 A, for example. Alternatively, only the illumination light IL may be scanned in the scanning direction.

また、照明領域ＩＡＭ、露光領域ＩＡは、上記実施形態ではＹ軸方向に延びる帯状に形成されたが、これに限られず、例えば米国特許第５，７２９，３３１号明細書に開示されるように、千鳥状に配置された複数の領域を組み合わせても良い。 Further, although the illumination area IAM and the exposure area IA are formed in a band shape extending in the Y-axis direction in the above-described embodiment, the invention is not limited to this, and as disclosed in, for example, US Pat. No. 5,729,331. Alternatively, a plurality of areas arranged in a staggered pattern may be combined.

また、上記各実施形態では、マスクＭ、及び基板Ｐが、水平面に直交するように配置（いわゆる縦置き配置）されたが、これに限られず、マスクＭ、及び基板Ｐは、水平面に平行に配置されても良い。この場合、照明光ＩＬの光軸は、重力方向とほぼ平行とされる。 Further, in each of the above-described embodiments, the mask M and the substrate P are arranged so as to be orthogonal to the horizontal plane (so-called vertical arrangement), but the present invention is not limited to this, and the mask M and the substrate P are parallel to the horizontal plane. It may be arranged. In this case, the optical axis of the illumination light IL is substantially parallel to the gravity direction.

また走査露光動作時にアライメント計測の結果に応じて基板ＰのＸＹ平面内の微小位置決めを行ったが、これと併せて、走査露光動作前に（あるいは走査露光動作と並行して）基板Ｐの面位置情報を求め、走査露光動作中に基板Ｐの面位置制御（いわゆるオートフォーカス制御）を行っても良い。 Further, during the scanning exposure operation, the fine positioning of the substrate P in the XY plane was performed according to the result of the alignment measurement. In addition to this, before the scanning exposure operation (or in parallel with the scanning exposure operation), the surface of the substrate P is The position information may be obtained and surface position control of the substrate P (so-called autofocus control) may be performed during the scanning exposure operation.

また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。 Further, the application of the exposure apparatus is not limited to an exposure apparatus for a liquid crystal that transfers a liquid crystal display element pattern to a rectangular glass plate, and for example, an exposure apparatus for manufacturing an organic EL (Electro-Luminescence) panel, a semiconductor The present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing, a thin film magnetic head, an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a DNA chip and the like. Also, not only microdevices such as semiconductor elements, but also glass substrates or silicon wafers for manufacturing masks or reticles used in light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc. It can also be applied to an exposure device that transfers a circuit pattern onto a substrate.

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が５００ｍｍ以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。この場合、ステージ装置のステップ動作によらず、ロールを回転させる（巻き取る）ことによって、容易に照明領域（照明光）に対して露光対象の区画領域を変更する（ステップ移動させる）ことができる。 The object to be exposed is not limited to the glass plate, but may be another object such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. Further, when the exposure target is a substrate for a flat panel display, the thickness of the substrate is not particularly limited, and includes, for example, a film-shaped (sheet-shaped member having flexibility). The exposure apparatus of this embodiment is particularly effective when a substrate having a side length or a diagonal length of 500 mm or more is an exposure target. When the substrate to be exposed is a flexible sheet, the sheet may be formed in a roll. In this case, it is possible to easily change (step move) the division area of the exposure target with respect to the illumination area (illumination light) by rotating (rolling) the roll regardless of the step operation of the stage device. ..

液晶表示素子（あるいは半導体素子）などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（あるいはレチクル）を製作するステップ、ガラス基板（あるいはウエハ）を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。 For electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements), the step of designing the function/performance of the device, the step of producing a mask (or reticle) based on this design step, the step of producing a glass substrate (or wafer) The exposure apparatus of each of the above-described embodiments, and the lithography step of transferring the pattern of the mask (reticle) to the glass substrate by the exposure method, the developing step of developing the exposed glass substrate, and the portion other than the portion where the resist remains It is manufactured through an etching step of removing the exposed member of a portion by etching, a resist removing step of removing unnecessary resist after etching, a device assembly step, an inspection step and the like. In this case, in the lithography step, the above-mentioned exposure method is executed by using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and the device pattern is formed on the glass substrate, so that a highly integrated device can be manufactured with high productivity. ..

以上説明したように、本発明の露光装置及び方法は、物体を走査露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。 As described above, the exposure apparatus and method of the present invention are suitable for scanning and exposing an object. Moreover, the manufacturing method of the flat panel display of the present invention is suitable for the production of the flat panel display. Moreover, the device manufacturing method of the present invention is suitable for the production of microdevices.

１０…液晶露光装置、２０…照明系、３０…マスクステージ装置、４０…投影光学系、５０…基板ステージ装置、６０…アライメント系、Ｍ…マスク、Ｐ…基板。 10... Liquid crystal exposure device, 20... Illumination system, 30... Mask stage device, 40... Projection optical system, 50... Substrate stage device, 60... Alignment system, M... Mask, P... Substrate.

Claims (46)

パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、
前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、
前記投影光学系と前記マーク検出部とが互いに接触しないように前記第１及び第２駆動系を制御して、前記マーク検出部と前記投影光学系とを前記走査方向へそれぞれ移動させる制御装置と、を備える露光装置。 An exposure device that irradiates a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projects and exposes a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A mark detecting section having an object mark detecting section for detecting the first mark formed on the object , and a mask mark detecting section for detecting the second mark formed on the mask,
The mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction detects the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the direction,
The projection optical system provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction is moved relative to each other by a detection result of the mark detection unit so that a projected image of the pattern is formed on the object. A second drive system that relatively moves in the scanning direction with respect to the mask and the object whose position has been adjusted ;
A controller that controls the first and second drive systems so that the projection optical system and the mark detection unit do not contact each other, and moves the mark detection unit and the projection optical system in the scanning direction, respectively. And an exposure apparatus including. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、
前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、
前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、
前記投影光学系と前記マーク検出部との一方を前記走査方向へ移動させるとき、前記投影光学系と前記マーク検出部との間隔を所定距離以上あけるように前記第１及び第２駆動系の少なくとも一方の駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置。 An exposure device that irradiates a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projects and exposes a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A mark detecting section having an object mark detecting section for detecting the first mark formed on the object , and a mask mark detecting section for detecting the second mark formed on the mask,
With respect to the predetermined direction, the mark detection unit provided at a position between the mask and the object is configured to detect the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction,
The projection optical system provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction is moved relative to each other by a detection result of the mark detection unit so that a projected image of the pattern is formed on the object. A second drive system that relatively moves in the scanning direction with respect to the mask and the object whose position has been adjusted ;
Before SL when moving the hand with the projection optical system and the mark detecting section to the scanning direction, the first and second driving systems so as spaced a predetermined distance or more between the projection optical system and the mark detecting unit And a control device for controlling at least one drive system of the above. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、
前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、
前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、
前記投影光学系及び前記マーク検出部がそれぞれの異なる速度で前記走査方向へ移動するように前記第１及び第２駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置。 An exposure device that irradiates a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projects and exposes a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A mark detecting section having an object mark detecting section for detecting the first mark formed on the object , and a mask mark detecting section for detecting the second mark formed on the mask,
With respect to the predetermined direction, the mark detection unit provided at a position between the mask and the object is configured to detect the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction,
The projection optical system provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction is moved relative to each other by a detection result of the mark detection unit so that a projected image of the pattern is formed on the object. A second drive system that relatively moves in the scanning direction with respect to the mask and the object whose position has been adjusted ;
Before SL projection optical system and an exposure apparatus and a control device for controlling the first and second driving system such that the mark detecting unit is moved to the scanning direction in each of the different Do that velocity. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、
前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、
前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、
前記投影光学系が前記走査方向への移動を停止する停止位置と前記マーク検出部が前記走査方向への移動を停止する停止位置とが重ならないように前記第１及び第２駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置。 An exposure device that irradiates a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projects and exposes a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A mark detecting unit with a mask mark detecting unit for detecting a second mark formed on the an object mark detecting unit mask for detecting a first mark formed on the object,
The mark detection unit provided at a position between the mask and the object with respect to the predetermined direction is configured to detect the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction,
The projection optical system provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction is moved relative to each other by a detection result of the mark detection unit so that a projected image of the pattern is formed on the object. A second drive system that relatively moves in the scanning direction with respect to the mask and the object whose position has been adjusted ;
The first and second drive systems are controlled so that the stop position where the projection optical system stops moving in the scanning direction does not overlap with the stop position where the mark detection unit stops moving in the scanning direction. An exposure apparatus including a controller. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光装置であって、
前記物体上に形成された第１マークを検出する物体マーク検出部と、前記マスク上に形成された第２マークを検出するマスクマーク検出部と、を有するマーク検出部と、
前記所定方向に関して、前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記マーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させる第１駆動系と、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記マーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させる第２駆動系と、
前記投影光学系の前記走査方向への移動の開始タイミングと前記マーク検出部の前記走査方向への移動の開始タイミングとを異ならせるように前記第１及び第２駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置。 An exposure device that irradiates a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projects and exposes a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A mark detecting section having an object mark detecting section for detecting the first mark formed on the object , and a mask mark detecting section for detecting the second mark formed on the mask,
With respect to the predetermined direction, the mark detection unit provided at a position between the mask and the object is configured to detect the first mark and the second mark with respect to the mask and the object. a first driving system Ru are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction,
The projection optical system provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction is moved relative to each other by a detection result of the mark detection unit so that a projected image of the pattern is formed on the object. A second drive system that relatively moves in the scanning direction with respect to the mask and the object whose position has been adjusted ;
A controller for controlling the first and second drive systems so that the start timing of the movement of the projection optical system in the scanning direction and the start timing of the movement of the mark detection unit in the scanning direction are different from each other; An exposure apparatus including. 前記マーク検出部は、前記物体に対して前記投影光学系を相対移動させる前記走査方向に関して、前記投影光学系の一方側に設けられた第１検出装置と前記投影光学系の他方側に設けられた第２検出装置とを有し、
前記制御装置は、前記物体が有する第１区画領域に対する露光において、前記第１検出装置による前記マークの検出結果に基づいて前記投影光学系を前記一方側に移動させつつ、前記第２検出装置を前記投影光学系に接触しないように前記第１区画領域と位置が異なる第２区画領域の前記一方側へ移動させるように前記第１及び第２駆動系を制御する請求項１〜５の何れか一項に記載の露光装置。 Before symbols during detection unit with respect to the scanning direction causes relative movement of the projection optical system relative to the object, on the other side of the first detection device and the projection optical system provided on one side of the projection optical system A second detection device provided,
Said control device, wherein the exposure light against the first divided area where the object has, while moving the projection optical system based on the mark detection result by the first detecting device to the one side, the second claim position and the first divided area detection device so as not to contact the projection optical system to control the one said to move to the side the first and second driving systems of different second partition region 1-5 The exposure apparatus according to any one of 1. 前記制御装置は、前記第２区画領域に対する露光において、前記第２検出装置による前記マークの検出結果に基づいて前記投影光学系を前記他方側に移動させるように前記第１及び第２駆動系を制御する請求項６に記載の露光装置。 Said controller, in EXPOSURE against the second partition region, wherein the second detection device according to the mark detection result in the first and second to move the projection optical system on the other side on the basis of The exposure apparatus according to claim 6 , which controls a drive system. 前記制御装置は、前記物体に対する露光動作時である第１状態と前記物体に対する前記露光動作の開始前または終了後における前記照明光を前記物体に照射しない第２状態とで、前記投影光学系と前記マーク検出部との間隔を異ならせる請求項１〜７の何れか一項に記載の露光装置。 Wherein the control device, the illumination light after before or termination of the exposure operation with respect to the object and the first state is during the exposure operation for the object in the second state is not irradiated to the object, said projection optical system an apparatus according to any one of claim 1 to 7 for varying the distance between the mark detecting unit. 前記第１状態における前記間隔は、前記第２状態における前記間隔よりも広い請求項８に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 8 , wherein the gap in the first state is wider than the gap in the second state. 前記第２状態における前記投影光学系及び前記マーク検出部は、前記投影光学系の光軸に平行な方向に関して前記物体とは重ならない位置にある請求項８又は９に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 8 or 9 , wherein the projection optical system and the mark detection unit in the second state are in positions that do not overlap the object in a direction parallel to the optical axis of the projection optical system. 前記マーク検出部は、前記投影光学系の移動可能範囲とは一部重ならない範囲を移動可能である請求項１〜１０の何れか一項に記載の露光装置。 The mark detection unit, an exposure apparatus according to any one of claim 1 to 10 and a movable range of the projection optical system is movable range not overlapping part. 前記マーク検出部は、前記投影光学系の前記移動可能範囲よりも広い範囲を移動可能である請求項１１に記載の露光装置。 The mark detection unit, an exposure apparatus according to claim 11 is movable range wider than the moving range of the projection optical system. 前記制御装置は、前記マークを検出する動作を含むマーク検出動作と前記物体を露光する露光動作との少なくとも一部の動作を並行して行うよう制御する請求項１〜１２の何れか一項に記載の露光装置。 Wherein the control device, to any one of claim 1 to 12 for controlling to perform in parallel at least a part of the operation of the exposure operation for exposing the mark detection operation and the object comprises an act of detecting the marks The exposure apparatus described. 前記制御装置は、前記マーク検出部を前記投影光学系が移動する前記走査方向と、前記走査方向に交差する交差方向との何れかの移動可能範囲から退避させる請求項６に記載の露光装置。 7. The exposure apparatus according to claim 6 , wherein the control device retracts the mark detection unit from a movable range of either the scanning direction in which the projection optical system moves or the intersecting direction intersecting the scanning direction. 前記制御装置は、前記マーク検出部を前記投影光学系の前記移動可能範囲から退避させるために前記投影光学系の光軸と平行な方向を軸として回転させる請求項１４に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 14 , wherein the control device rotates the mark detection unit about a direction parallel to an optical axis of the projection optical system as an axis in order to retract the mark detection unit from the movable range of the projection optical system. 前記マーク検出部は、前記走査方向に交差する方向に関して、前記照明光が照射される領域の長さよりも前記物体上に設けられた複数の前記マーク間の距離が長いマークを検出可能に設けられる請求項６に記載の露光装置。 The mark detection unit is provided so as to detect a mark in which a distance between the plurality of marks provided on the object is longer than a length of a region irradiated with the illumination light in a direction intersecting the scanning direction. The exposure apparatus according to claim 6 . 前記マーク検出部は、前記第２方向に関して、前記物体上の第１区画領域上の少なくとも１つの前記マークと、前記走査方向に交差する交差方向に関して前記第１区画領域と並んだ第２区画領域上の少なくとも１つの前記マークとを同時に検出可能に設けられた請求項１６に記載の露光装置。 Before symbols during detection unit with respect to the second direction, and at least one of the marks of the first compartment region on the object, second compartment aligned with the first divided area with respect to a direction crossing the scanning direction The exposure apparatus according to claim 16 , wherein at least one of the marks on the area is provided so as to be simultaneously detectable. 前記投影光学系は、その光軸が水平面に平行となるように配置され、
前記照明光が照射される前記物体上の露光面が前記水平面に対して直交した状態で前記物体を保持する物体保持部を備える請求項１〜１７の何れか一項に記載の露光装置。 The projection optical system is arranged so that its optical axis is parallel to the horizontal plane,
An apparatus according to any one of claim 1 to 17, an exposure surface on the object before Symbol illumination light is irradiated is provided an object holder for holding the object in a state of being perpendicular to the horizontal plane. 前記マーク検出部と前記投影光学系は、互いに分離可能に配置される請求項１８に記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 18 , wherein the mark detection unit and the projection optical system are arranged so as to be separable from each other. 前記物体は、フラットパネルディスプレイ装置に用いられる基板である請求項１〜１９に記載の露光装置。 Wherein the object, an exposure apparatus according to claim 1 to 19 is a substrate used in a flat panel display device. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が５００ｍｍ以上である請求項２０に記載の露光装置。 21. The exposure apparatus according to claim 20 , wherein the substrate has at least one side length or diagonal length of 500 mm or more. 請求項１〜２１の何れか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。 And exposing the object using the exposure apparatus according to any one of claim 1 to 21
Developing the exposed object, a method of manufacturing a flat panel display. 請求項１〜２１の何れか一項に記載の露光装置を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。 And exposing the object using the exposure apparatus according to any one of claim 1 to 21
Developing the exposed object. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、
前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、
前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、
前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部とが互いに接触しないように前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部とを前記走査方向へそれぞれ移動させる前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法。 An exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projecting and exposing a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting section,
Detecting the second mark formed on the mask by using a mask mark detection unit;
A first drive system for detecting the first mark and the second mark by the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction. and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask using,
Said projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the object mark and Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said and said mask relative to each other positions are adjusted object detection result of the detector and the mask mark detecting section,
The projection optical system, the object mark detecting unit, and the mask mark detecting unit are respectively moved in the scanning direction so that the projection optical system and the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit do not contact each other. Controlling the first and second drive systems. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、
前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、
前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、
前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部との一方を前記走査方向へ移動させるとき、前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部との間隔を所定距離以上あけるように前記第１及び第２駆動系の少なくとも一方の駆動系を制御することと、を含む露光方法。 An exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projecting and exposing a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting section,
Detecting the second mark formed on the mask by using a mask mark detection unit;
A first drive system for detecting the first mark and the second mark by the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction. and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask using,
Said projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the object mark and Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said and said mask relative to each other positions are adjusted object detection result of the detector and the mask mark detecting section,
When moving one of the previous SL projection optical system and the object mark detecting unit and the mask mark detecting section to the scanning direction, a predetermined spacing between the projection optical system and the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit Controlling at least one drive system of the first and second drive systems so as to provide a distance or more. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、
前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、
前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、
前記投影光学系と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部とがそれぞれの異なる速度で前記走査方向へ移動するように前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法。 An exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projecting and exposing a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting section,
Detecting the second mark formed on the mask by using a mask mark detection unit;
A first drive system for detecting the first mark and the second mark by the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction. and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask using,
Said projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the object mark and Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said and said mask relative to each other positions are adjusted object detection result of the detector and the mask mark detecting section,
Includes controlling the first and second driving system as the previous SL projection optical system and the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit is moved to the scanning direction in each of the different Do that velocity, the Exposure method. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、
前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、
前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、
前記投影光学系が前記走査方向への移動を停止する停止位置と前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部が前記走査方向への移動を停止する停止位置とが重ならないように前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法。 An exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projecting and exposing a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting section,
Detecting the second mark formed on the mask by using a mask mark detection unit;
A first drive system for detecting the first mark and the second mark by the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction. and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask using,
Said projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the object mark and Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said and said mask relative to each other positions are adjusted object detection result of the detector and the mask mark detecting section,
The first and the stop positions where the projection optical system stops moving in the scanning direction do not overlap with stop positions where the object mark detecting unit and the mask mark detecting unit stop moving in the scanning direction. Controlling the second drive system. パターンが形成されたマスクに対して照明光を所定方向から照射し、投影光学系を介して前記パターンの投影像を物体上に投影し露光する露光方法であって、
前記物体上に形成された第１マークを、物体マーク検出部を用いて検出することと、
前記マスク上に形成された第２マークを、マスクマーク検出部を用いて検出することと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部を、前記第１マークと前記第２マークとを検出するよう、第１駆動系を用いて前記マスクと前記物体とに対して前記所定方向に交差する走査方向へ相対移動させることと、
前記所定方向に関して前記マスクと前記物体との間の位置に設けられた前記投影光学系を、第２駆動系を用いて、前記パターンの投影像が前記物体上に形成されるよう、前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の検出結果により互いの相対位置が調整された前記マスクと前記物体とに対して前記走査方向へ相対移動させることと、
前記投影光学系の前記走査方向への移動の開始タイミングと前記物体マーク検出部及び前記マスクマーク検出部の前記走査方向への移動の開始タイミングとを異ならせるように前記第１及び第２駆動系を制御することと、を含む露光方法。 An exposure method of irradiating a mask on which a pattern is formed with illumination light from a predetermined direction , and projecting and exposing a projected image of the pattern onto an object through a projection optical system,
A first mark formed on the object, and detecting with an object mark detecting section,
Detecting the second mark formed on the mask by using a mask mark detection unit;
A first drive system for detecting the first mark and the second mark by the object mark detection unit and the mask mark detection unit provided at a position between the mask and the object in the predetermined direction. and Rukoto are relatively moved in the scanning direction intersecting the predetermined direction with respect to said object and the mask using,
Said projection optical system provided at a position between the mask and the object with respect to said predetermined direction, using the second drive system, so that the projected image of the pattern is formed on the object, the object mark and Rukoto moved relative to the scanning direction with respect to said and said mask relative to each other positions are adjusted object detection result of the detector and the mask mark detecting section,
The first and second drive systems are arranged so that the start timing of the movement of the projection optical system in the scanning direction is different from the start timing of the movement of the object mark detection unit and the mask mark detection unit in the scanning direction. Controlling the exposure method. 前記マーク検出部は、前記物体に対して前記投影光学系を相対駆動させる走査方向に関して、前記投影光学系の一方側に設けられた第１検出装置と前記投影光学系の他方側に設けられた第２検出装置とを有し、
前記制御することでは、前記物体上の第１区画領域に対する露光において、前記第１検出装置による前記マークの検出結果に基づいて前記投影光学系を前記一方側に移動させつつ、前記第２検出装置を前記投影光学系に接触しないように前記第１区画領域と位置が異なる第２区画領域の前記一方側へ移動させるように前記第１及び第２駆動系を制御する請求項２４〜２８の何れか一項に記載の露光方法。 Before symbols during detection section in the scanning direction for relatively driving said projection optical system relative to the object, provided on the other side of the first detection device and the projection optical system provided on one side of the projection optical system And a second detection device,
Wherein it is to control, in EXPOSURE against the first divided area on the object, while moving the projection optical system based on the mark detection result by the first detecting device to the one side, the first claim wherein the second detection device so as not to contact the projection optical system first compartment area and location controls the other hand said to move to the side the first and second driving systems of different second partition region 24 to 29. The exposure method according to any one of 28 . 前記制御することでは、前記第２区画領域に対する露光において、前記第２検出装置による前記マークの検出結果に基づいて前記投影光学系を前記他方側に移動させるように前記第１及び第２駆動系を制御する請求項２９に記載の露光方法。 In the control, in the exposure of the second partitioned area, the first and second drive systems are moved so as to move the projection optical system to the other side based on the detection result of the mark by the second detection device. The exposure method according to claim 29 , wherein the exposure is controlled. 前記制御することでは、前記物体に対する露光動作時である第１状態と前記物体に対する前記露光動作の開始前または終了後における前記照明光を前記物体に照射しない第２状態とで、前記投影光学系と前記マーク検出部との間隔を異ならせる請求項２４〜３０の何れか一項に記載の露光方法。 The than control to that, the illumination light after before or termination of the exposure operation with respect to the object and the first state is during the exposure operation for the object in the second state is not irradiated to the object, said projection optical system the exposure method according to any one of claims 24-30 to vary the distance between the mark detecting unit and. 前記第１状態における前記間隔は、前記第２状態における前記間隔よりも広い請求項３１に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 31 , wherein the distance in the first state is wider than the distance in the second state. 前記第２状態における前記投影光学系及び前記マーク検出部は、前記投影光学系の光軸に平行な方向に関して前記物体とは重ならない位置にある請求項３１又は３２に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 31 or 32 , wherein the projection optical system and the mark detection unit in the second state are in positions that do not overlap the object in a direction parallel to the optical axis of the projection optical system. 前記マーク検出部は、前記投影光学系の移動可能範囲とは一部重ならない範囲を移動可能である請求項２４〜３３の何れか一項に記載の露光方法。 The mark detection unit, an exposure method according to any one of the projection optical system according to claim 24-33 and movable range is movable range that does not overlap a part of. 前記マーク検出部は、前記投影光学系の前記移動可能範囲よりも広い範囲を移動可能である請求項３４に記載の露光方法。 The mark detection unit, an exposure method according to a wider range than the movable range of the projection optical system in claim 34 is movable. 前記制御することでは、前記マークを検出する動作を含むマーク検出動作と前記物体を露光する露光動作との少なくとも一部の動作を並行して行うよう制御する請求項２４〜３５の何れか一項に記載の露光方法。 The than control to that, any one of claims 24-35 for controlling to perform in parallel at least a part of the operation of the exposure operation for exposing the mark detection operation and the object comprises an act of detecting the marks The exposure method according to. 前記制御することでは、前記マーク検出部を前記投影光学系が移動する前記走査方向と前記走査方向に交差する交差方向との何れかの移動可能範囲から退避させる請求項２９に記載の露光方法。 30. The exposure method according to claim 29 , wherein the control causes the mark detection unit to be retracted from a movable range of either the scanning direction in which the projection optical system moves or the intersecting direction intersecting the scanning direction. 前記制御することでは、前記マーク検出部を前記投影光学系の前記移動可能範囲から退避させるために前記投影光学系の光軸と平行な方向を軸として回転させる請求項３７に記載の露光方法。 38. The exposure method according to claim 37 , wherein the control causes the mark detection unit to rotate about a direction parallel to an optical axis of the projection optical system in order to retract the mark detection unit from the movable range of the projection optical system. 前記マーク検出部は、前記走査方向に交差する方向に関して、前記照明光が照射される領域の長さよりも前記物体上に設けられた複数の前記マーク間の距離が長いマークを検出可能に設けられる請求項２９に記載の露光方法。 The mark detection unit is provided so as to detect a mark in which a distance between the plurality of marks provided on the object is longer than a length of a region irradiated with the illumination light in a direction intersecting the scanning direction. The exposure method according to claim 29 . 前記マーク検出部は、前記第２方向に関して、前記物体上の第１区画領域上の少なくとも１つの前記マークと、前記走査方向に交差する交差方向に関して前記第１区画領域と並んだ第２区画領域上の少なくとも１つの前記マークとを同時に検出可能に設けられた請求項３９に記載の露光方法。 Before symbols during detection unit with respect to the second direction, and at least one of the marks of the first compartment region on the object, second compartment aligned with the first divided area with respect to a direction crossing the scanning direction 40. The exposure method according to claim 39 , wherein at least one mark on the area is provided so as to be simultaneously detectable. 前記投影光学系の光軸が水平面に平行となるように配置することと、
前記照明光が照射される前記物体上の露光面が前記水平面に対して直交した状態で物体保持部に前記物体を保持させること、を含む請求項２４〜４０の何れか一項に記載の露光方法。 Arranging so that the optical axis of the projection optical system is parallel to the horizontal plane,
According to any one of claims 24-40 in which the exposure surface on the object before Symbol illumination light is irradiated includes, thereby holding the object in the object holder in a state of being perpendicular to the horizontal plane Exposure method. 前記マーク検出部と前記投影光学系は、互いに分離可能に配置される請求項４１に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 41 , wherein the mark detection unit and the projection optical system are arranged so as to be separable from each other. 前記物体は、フラットパネルディスプレイ装置に用いられる基板である請求項２４〜４２の何れか一項に記載の露光方法。 Wherein the object The exposure method according to any one of claims 24-42 which is a substrate for use in a flat panel display device. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が５００ｍｍ以上である請求項４３に記載の露光方法。 The exposure method according to claim 43 , wherein the substrate has at least one side length or diagonal length of 500 mm or more. 請求項２４〜４４の何れか一項に記載の露光方法を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。 Exposing the object using the exposure method according to any one of claims 24 to 44 ;
Developing the exposed object, a method of manufacturing a flat panel display. 請求項２４〜４４の何れか一項に記載の露光方法を用いて前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the object using the exposure method according to any one of claims 24 to 44 ;
Developing the exposed object.
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