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JP6639931B2 - Apparatus and method for manufacturing electronic component, and electronic component - Google Patents

Apparatus and method for manufacturing electronic component, and electronic component Download PDF

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Description

本発明は、トランジスタ、集積回路（Integrated Circuit ：ＩＣ）などのチップ状の素子（以下適宜「チップ」という。）を樹脂封止することによって電子部品を製造する、電子部品の製造装置及び製造方法並びに電子部品に関するものである。   The present invention relates to an electronic component manufacturing apparatus and a manufacturing method for manufacturing an electronic component by resin sealing a chip-shaped element (hereinafter, appropriately referred to as a “chip”) such as a transistor or an integrated circuit (IC). And electronic components.

近年、半導体デバイスはますます高性能化、多機能化、小型化が進み、それに伴い半導体チップが消費する消費電力がますます増大する傾向にある。特に、大電力を取り扱うパワーデバイス、高周波信号を取り扱うマイクロプロセッサ、高周波デバイスなどの半導体チップにおいては、消費電力が増大することによる発熱が大きな問題となっている。半導体チップが発する熱の放出を促進するために、半導体装置（半導体パッケージ）の表面に放熱板（ヒートシンク）を設けることによって半導体チップが発する熱を外部に放出して冷却することが行われている。   2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have become more sophisticated, multifunctional, and miniaturized, and accordingly, the power consumption of semiconductor chips has tended to increase. In particular, heat generation due to an increase in power consumption has become a major problem in semiconductor chips such as power devices that handle large power, microprocessors that handle high-frequency signals, and high-frequency devices. In order to promote the release of heat generated by a semiconductor chip, a heat sink (heat sink) is provided on the surface of a semiconductor device (semiconductor package) to release the heat generated by the semiconductor chip to the outside and cool it. .

放熱板を有する半導体装置として、樹脂封止用の硬化樹脂により、アルミニウムなどの金属からなるヒートシンクの取付がなされる半導体装置が、提案されている（例えば、特許文献１の段落〔０００６〕、〔００４３〕、図１及び図２参照）。   As a semiconductor device having a heat radiating plate, a semiconductor device in which a heat sink made of a metal such as aluminum is attached with a cured resin for resin sealing has been proposed (for example, paragraphs [0006] and [0006] in Patent Document 1; 0043], and FIG. 1 and FIG. 2).

特開２００２−１５８３１６号公報JP 2002-158316 A

しかしながら、特許文献１に開示された従来の半導体装置には次の課題がある。特許文献１の段落〔０００７〕、図２（ａ）に示されるように、ヒートシンクは良熱伝導性部材を介して半導体チップの背面に接する。金属製のヒートシンクと半導体チップとを直接接触させると、半導体チップの欠け、割れなどの破損が発生するおそれがある。半導体チップの破損を防止するために、ヒートシンクと半導体チップとの間に良熱伝導性部材を設ける。   However, the conventional semiconductor device disclosed in Patent Document 1 has the following problem. As shown in paragraph [0007] of Patent Document 1 and FIG. 2A, the heat sink is in contact with the back surface of the semiconductor chip via a good heat conductive member. If the metal heat sink is brought into direct contact with the semiconductor chip, the semiconductor chip may be damaged, such as chipping or cracking. In order to prevent damage to the semiconductor chip, a good heat conductive member is provided between the heat sink and the semiconductor chip.

本発明は上記の課題を解決するもので、チップの破損を防止して、チップとチップを覆うようにして設けられ導電性を有する第１の部材とを含む電子部品を製造する、電子部品の製造装置及び製造方法並びに電子部品を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above problems, and manufactures an electronic component including a chip and a conductive first member provided so as to cover the chip and prevent the chip from being damaged. It is an object to provide a manufacturing apparatus, a manufacturing method, and an electronic component.

上記の課題を解決するために、本発明に係る電子部品の製造装置は、第１の型と第１の型に相対向する第２の型とを少なくとも有する成形型と、第１の型と第２の型との少なくとも一方に設けられたキャビティと、基板の被装着面に接地電極が設けられ少なくともチップが装着された封止前基板を平面視してキャビティに重なるようにして供給する基板供給機構と、キャビティに樹脂材料を供給する樹脂供給機構と、成形型を型開きし型締めする型締め機構とを備えた、チップと平面視してチップを覆う第１の部材と樹脂材料から成形された硬化樹脂とを少なくとも有する電子部品を製造する電子部品の製造装置であって、成形型が型締めされた状態においてキャビティにおける第１の部材が配置される第１の配置領域と、一定の型締め圧力によって成形型が型締めされた状態において、成形型から受ける一定の型締め圧力を減らす圧力低減部とを備える態様を有する。加えて、第１の部材は導電性を有し、成形型が型締めされた状態において、キャビティにおいて硬化した硬化樹脂によって、チップと第１の部材と被装着面における少なくとも一部分とが樹脂封止され、一定の型締め圧力から減らされた小さい圧力によってチップが押圧された状態において硬化樹脂が成形される。   In order to solve the above problems, an electronic component manufacturing apparatus according to the present invention includes a molding die having at least a first die and a second die opposed to the first die; A substrate provided on at least one of the second mold and a substrate provided with a ground electrode provided on a mounting surface of the substrate and at least a pre-sealing substrate having a chip mounted thereon with a chip mounted thereon so as to overlap the cavity when viewed in a plan view. A first member that covers the chip in plan view and the resin material, comprising a supply mechanism, a resin supply mechanism that supplies the resin material to the cavity, and a mold clamping mechanism that opens and closes the mold. An electronic component manufacturing apparatus for manufacturing an electronic component including at least a molded cured resin, wherein a first arrangement region in which a first member is arranged in a cavity in a state in which a mold is clamped; Mold clamping pressure Therefore, in a state where the mold is clamping, having aspects and a pressure reduction unit to reduce the constant clamping pressure from the mold. In addition, the first member has conductivity, and when the mold is clamped, the chip, the first member, and at least a part of the mounting surface are resin-sealed by the cured resin cured in the cavity. Then, the cured resin is molded in a state where the chip is pressed by the small pressure reduced from the fixed mold clamping pressure.

本発明に係る電子部品の製造装置によれば、上述の電子部品の製造装置において、第１の部材が圧力低減部に相当する。   According to the electronic component manufacturing apparatus of the present invention, in the above-described electronic component manufacturing apparatus, the first member corresponds to the pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品の製造装置によれば、上述の電子部品の製造装置において、第１の部材に重なって第１の部材に接触し、導電性を有する第２の部材を更に備え、第１の部材と第２の部材とのうち少なくともいずれか一方が圧力低減部に相当する。   According to the electronic component manufacturing apparatus according to the present invention, in the electronic component manufacturing apparatus described above, the electronic component manufacturing apparatus further includes a conductive second member overlapping the first member and in contact with the first member. At least one of the first member and the second member corresponds to a pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品の製造装置によれば、上述の電子部品の製造装置において、一定の型締め圧力によって成形型が型締めされた状態において、第１の部材が接地電極に電気的に接続される。   According to the electronic component manufacturing apparatus according to the present invention, in the electronic component manufacturing apparatus described above, the first member is electrically connected to the ground electrode in a state where the mold is clamped by the constant mold clamping pressure. Is done.

本発明に係る電子部品の製造装置によれば、上述の電子部品の製造装置において、接地電極と第１の部材とに接触し導電性を有する第２の部材を更に備え、第１の部材と第２の部材とのうち少なくともいずれか一方が圧力低減部に相当する。   According to the electronic component manufacturing apparatus according to the present invention, in the electronic component manufacturing apparatus described above, the electronic component manufacturing apparatus further includes a second member having contact with the ground electrode and the first member and having conductivity. At least one of the second member and the second member corresponds to a pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品の製造装置によれば、上述の電子部品の製造装置において、成形型と型締め機構とを有する少なくとも１個の成形モジュールを備え、１個の成形モジュールと他の成形モジュールとが着脱されることができる。   According to the electronic component manufacturing apparatus according to the present invention, in the electronic component manufacturing apparatus described above, at least one forming module having a forming die and a mold clamping mechanism is provided, and one forming module and another forming module are provided. Can be attached and detached.

上記の課題を解決するために、本発明に係る電子部品の製造方法は、第１の型と第１の型に相対向する第２の型とを少なくとも有する成形型を準備する工程と、基板の被装着面に接地電極が設けられ少なくともチップが装着された封止前基板を準備する工程と、成形型に形成されたキャビティに平面視して重なるようにして封止前基板を供給する工程と、キャビティに樹脂材料を供給する工程と、成形型を型締めする工程と、樹脂材料から生成された流動性樹脂をキャビティにおいて硬化させることによって硬化樹脂を成形する工程とを備えた、チップと平面視してチップを覆う第１の部材と硬化樹脂とを少なくとも有する電子部品を製造する電子部品の製造方法であって、導電性を有する第１の部材を少なくとも準備する工程と、平面視してチップとキャビティとに重なるようにしてチップとキャビティとの間に第１の部材を供給する工程と、第１の部材をキャビティにおける第１の配置領域に配置する工程と、一定の型締め圧力によって成形型が型締めされた状態を維持する工程とを備える態様を有する。加えて、一定の型締め圧力によって成形型が型締めされた状態を維持する工程において、チップと第１の部材と被装着面における少なくとも一部分とが流動性樹脂に浸かった状態で硬化樹脂を成形し、一定の型締め圧力によって成形型が型締めされた状態を維持する工程において、成形型から受ける一定の型締め圧力を圧力低減部によって減らし、一定の型締め圧力から減らされた小さい圧力によってチップを押圧する。   In order to solve the above problems, a method for manufacturing an electronic component according to the present invention includes a step of preparing a mold having at least a first mold and a second mold facing the first mold; Preparing a pre-sealing substrate provided with a ground electrode on the mounting surface thereof and at least a chip mounted thereon, and supplying the pre-sealing substrate so as to overlap the cavity formed in the mold in plan view. And a step of supplying a resin material to the cavity, a step of clamping a molding die, and a step of molding a cured resin by curing the fluid resin generated from the resin material in the cavity, A method for manufacturing an electronic component including at least a first member covering a chip in a plan view and a cured resin, wherein the step of preparing at least a conductive first member includes: A step of supplying a first member between the chip and the cavity so as to overlap the chip and the cavity, a step of disposing the first member in a first arrangement region in the cavity, and Maintaining the state in which the mold is clamped. In addition, in the step of maintaining the state in which the mold is clamped by a constant mold clamping pressure, the cured resin is molded while the chip, the first member, and at least a part of the mounting surface are immersed in the fluid resin. Then, in the step of maintaining the mold closed by the constant mold clamping pressure, the constant mold clamping pressure received from the mold is reduced by the pressure reducing unit, and the small pressure reduced from the constant mold clamping pressure is used. Press the tip.

本発明に係る電子部品の製造方法によれば、上述の電子部品の製造方法において、第１の部材が圧力低減部に相当する。   According to the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, in the above-described method for manufacturing an electronic component, the first member corresponds to the pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品の製造方法は、上述の電子部品の製造方法において、導電性を有する第２の部材を準備する工程と、第２の部材が第１の部材に重なって接触するようにして第２の部材をキャビティにおける第２の配置領域に配置する工程とを更に備える態様を有する。加えて、第１の部材と第２の部材とのうち少なくともいずれか一方が圧力低減部に相当する。   In the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, in the above-described method for manufacturing an electronic component, a step of preparing a second member having conductivity and a step of causing the second member to overlap and contact the first member are provided. Arranging the second member in the second arrangement region in the cavity. In addition, at least one of the first member and the second member corresponds to a pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品の製造方法によれば、上述の電子部品の製造方法において、成形型を型締めする工程において第１の部材を接地電極に電気的に接続する。   According to the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, in the above-described method for manufacturing an electronic component, the first member is electrically connected to the ground electrode in the step of clamping the mold.

本発明に係る電子部品の製造方法は、上述の電子部品の製造方法において、導電性を有する第２の部材を準備する工程と、接地電極と第１の部材とに第２の部材を接触させる工程とを更に備える態様を有する。加えて、第１の部材と第２の部材とのうち少なくともいずれか一方が圧力低減部に相当する。   In the method for manufacturing an electronic component according to the present invention, in the above-described method for manufacturing an electronic component, a step of preparing a second member having conductivity and contacting the second member with the ground electrode and the first member are provided. And a step. In addition, at least one of the first member and the second member corresponds to a pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品の製造方法は、上述の電子部品の製造方法において、成形型を有する少なくとも１個の成形モジュールを準備する工程を備える態様を有する。加えて、１個の成形モジュールと他の成形モジュールとを着脱することができる。   The method for manufacturing an electronic component according to the present invention has an aspect including, in the above-described method for manufacturing an electronic component, a step of preparing at least one molding module having a molding die. In addition, one molding module and another molding module can be detached.

上記の課題を解決するために、本発明に係る電子部品は、基板と、基板の被装着面に装着されたチップと、チップに形成された複数のチップ電極と基板に形成された複数の基板電極とをそれぞれ電気的に接続する複数の接続部材と、複数の基板電極にそれぞれつながって外部の機器に電気的に接続される複数の外部電極と、チップの上方において平面視してチップを覆うように設けられ導電性を有する第１の部材と、基板の被装着面に成形され少なくともチップと第１の部材と被装着面における少なくとも一部分とを樹脂封止する封止樹脂と、封止樹脂が成形される際に成形型から一定の型締め圧力を受けることによって圧縮変形した圧力低減部とを備える態様を有する。   In order to solve the above problems, an electronic component according to the present invention includes a substrate, a chip mounted on a mounting surface of the substrate, a plurality of chip electrodes formed on the chip, and a plurality of substrates formed on the substrate. A plurality of connection members for electrically connecting the electrodes, a plurality of external electrodes respectively connected to the plurality of substrate electrodes and electrically connected to an external device, and cover the chip in plan view above the chip; Member provided as above, a conductive member, a resin molded on the mounting surface of the substrate, and resin-sealing at least a chip, at least a part of the first member and the mounting surface, and a sealing resin And a pressure reducing portion that is compressed and deformed by receiving a fixed clamping pressure from the molding die when is molded.

本発明に係る電子部品によれば、上述の電子部品において、圧力低減部は次のいずれかのうち１つの材料を少なくとも含む。(1)繊維状金属、(2)波形状の断面形状を有する金属板、(3)導電性繊維、(4)スポンジ状の導電性樹脂。
According to the electronic component of the present invention, in the electronic component described above, the pressure reducing section includes at least one of the following materials. (1) fibrous metal, (2) metal plate having a corrugated cross-sectional shape, (3) conductive fiber, (4) sponge-like conductive resin.

本発明に係る電子部品によれば、上述の電子部品において、第１の部材が圧力低減部に相当する。   According to the electronic component of the present invention, in the electronic component described above, the first member corresponds to the pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品は、上述の電子部品において、第１の部材に重なって第１の部材に接触し、導電性を有する第２の部材を更に備える態様を有する。加えて、第１の部材と第２の部材とのうち少なくともいずれか一方が圧力低減部に相当する。   The electronic component according to the present invention has an aspect in which, in the electronic component described above, the electronic component further includes a conductive second member overlapping the first member and in contact with the first member. In addition, at least one of the first member and the second member corresponds to a pressure reducing unit.

本発明に係る電子部品によれば、上述の電子部品において、基板に設けられた接地電極に第１の部材が電気的に接続される。   According to the electronic component of the present invention, in the above electronic component, the first member is electrically connected to the ground electrode provided on the substrate.

本発明に係る電子部品は、上述の電子部品において、基板に設けられた接地電極と第１の部材とに接触し、導電性を有する第２の部材を更に備える態様を有する。加えて、第１の部材と第２の部材とのうち少なくともいずれか一方が圧力低減部に相当する。   The electronic component according to the present invention has an aspect in which, in the above electronic component, the electronic component further includes a conductive second member that is in contact with the ground electrode provided on the substrate and the first member. In addition, at least one of the first member and the second member corresponds to a pressure reducing unit.

本発明によれば、チップの破損を防止して、チップとチップを覆うようにして設けられ導電性を有する第１の部材とを含む電子部品を製造することができる。   According to the present invention, it is possible to manufacture an electronic component including a chip and a conductive first member provided so as to cover the chip while preventing damage to the chip.

（ａ）は本発明に係る実施例１の電子部品の構成を示す概略断面図、（ｂ）は（ａ）の変形例である。(A) is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the electronic component of Embodiment 1 according to the present invention, and (b) is a modification of (a). （ａ）は本発明に係る実施例２の電子部品の構成を示す概略断面図、（ｂ）は（ａ）の変形例である。(A) is a schematic sectional view showing a configuration of an electronic component according to a second embodiment of the present invention, and (b) is a modification of (a). 本発明に係る実施例３の電子部品の構成を示す概略断面図である。FIG. 9 is a schematic sectional view illustrating a configuration of an electronic component according to a third embodiment of the invention. （ａ）は本発明に係る実施例４の電子部品の構成を示す概略断面図、（ｂ）は（ａ）の１つの変形例、（ｃ）は（ａ）の別の変形例である。(A) is a schematic sectional view showing a configuration of an electronic component according to a fourth embodiment of the present invention, (b) is one modification of (a), and (c) is another modification of (a). （ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る実施例５の電子部品の構成を示す概略断面図である。(A)-(b) is a schematic sectional view showing the composition of the electronic component of Example 5 concerning the present invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例６の製造方法において、材料収容枠に板状の多孔質金属と樹脂材料とを収容する過程を示す概略断面図である。(A)-(c) is schematic sectional drawing which shows the process of accommodating a plate-shaped porous metal and resin material in a material accommodation frame in the manufacturing method of Example 6 concerning this invention. （ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る実施例６の製造方法において、キャビティに多孔質金属と樹脂材料とを供給する過程を示す概略断面図である。(A)-(b) is schematic sectional drawing which shows the process of supplying a porous metal and resin material to a cavity in the manufacturing method of Example 6 concerning this invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例６の製造方法おいて、基板に装着されたチップと多孔質金属とを樹脂封止する過程を示す概略断面図である。(A)-(c) is schematic sectional drawing which shows the process of resin-sealing the chip | tip mounted in the board | substrate and the porous metal in the manufacturing method of Example 6 concerning this invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例７の製造方法において、材料収容枠に複数の多孔質金属と樹脂材料とを収容する過程を示す概略断面図である。(A)-(c) is schematic sectional drawing which shows the process which accommodates several porous metals and resin materials in a material accommodation frame in the manufacturing method of Example 7 concerning this invention. （ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る実施例７の製造方法において、キャビティに複数の多孔質金属と樹脂材料とを供給する過程を示す概略断面図である。(A)-(b) is a schematic sectional view showing a process of supplying a plurality of porous metals and resin materials to a cavity in a manufacturing method of Example 7 according to the present invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例７の製造方法おいて、基板に装着された複数のチップとそれらのチップに対応する複数の多孔質金属とを樹脂封止する過程を示す概略断面図である。(A) to (c) illustrate a process of resin-sealing a plurality of chips mounted on a substrate and a plurality of porous metals corresponding to the chips in the manufacturing method according to the seventh embodiment of the present invention. FIG. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例８の製造方法において、材料収容枠にふた状の多孔質金属と樹脂材料とを収容する過程を示す概略断面図である。(A)-(c) is schematic sectional drawing which shows the process of accommodating a lid-shaped porous metal and a resin material in a material accommodation frame in the manufacturing method of Example 8 concerning this invention. （ａ）〜（ｂ）は、本発明に係る実施例８の製造方法において、キャビティに多孔質金属と樹脂材料とを供給する過程を示す概略断面図である。(A)-(b) is schematic sectional drawing which shows the process of supplying a porous metal and a resin material to a cavity in the manufacturing method of Example 8 which concerns on this invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例８の製造方法おいて、基板に装着されたチップと多孔質金属とを樹脂封止する過程を示す概略断面図である。(A)-(c) is schematic sectional drawing which shows the process of resin-sealing the chip | tip mounted on the board | substrate and the porous metal in the manufacturing method of Example 8 concerning this invention. （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る実施例９の製造方法おいて、基板に装着されたチップ及び多孔質金属を樹脂封止する過程を示す概略断面図である。(A)-(c) is schematic sectional drawing which shows the process of resin-sealing the chip | tip mounted on the board | substrate and the porous metal in the manufacturing method of Example 9 which concerns on this invention. 本発明に係る製造装置において、装置の概要を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing an outline of the apparatus in the manufacturing apparatus according to the present invention.

図４に示されるように、第１の例として、基板２７にフリップチップ実装されたチップ２８を覆うふた状の多孔質金属２５が置かれる。多孔質金属２５の内側が、封止樹脂１４によって樹脂封止される。多孔質金属２５の内底面がチップ２８の頂面に密着する。第２の例として、チップ３１のワイヤボンディング用のパッド１１の周辺以外の領域に板状の多孔質金属１３が置かれ、多孔質金属１３を覆う多孔質金属２５が置かれる。多孔質金属２５の内側が、封止樹脂１４によって樹脂封止される。チップ２８の頂面と多孔質金属１３の下面とが密着し、多孔質金属１３の上面と多孔質金属２５の内底面とが密着する。第３の例として、基板３３にフリップチップ実装されたチップ３４を覆って多孔質金属２５が置かれる。基板３３とチップ３４との間がアンダーフィル３５によって満たされる。３つの例のいずれにおいても、多孔質金属２５は、壁部の底面が接地電極４ａに密着することによって、接地電極４ａに電気的に接続される。多孔質金属２５は放熱板及び電磁遮蔽板として機能する。   As shown in FIG. 4, as a first example, a lid-shaped porous metal 25 that covers a chip 28 that is flip-chip mounted on a substrate 27 is placed. The inside of the porous metal 25 is resin-sealed by the sealing resin 14. The inner bottom surface of the porous metal 25 is in close contact with the top surface of the chip 28. As a second example, a plate-like porous metal 13 is placed in a region other than the vicinity of the wire bonding pad 11 of the chip 31, and a porous metal 25 covering the porous metal 13 is placed. The inside of the porous metal 25 is resin-sealed by the sealing resin 14. The top surface of the chip 28 and the lower surface of the porous metal 13 are in close contact, and the upper surface of the porous metal 13 and the inner bottom surface of the porous metal 25 are in close contact. As a third example, a porous metal 25 is placed over a chip 34 flip-chip mounted on a substrate 33. The space between the substrate 33 and the chip 34 is filled with the underfill 35. In any of the three examples, the porous metal 25 is electrically connected to the ground electrode 4a by the close contact of the bottom surface of the wall with the ground electrode 4a. The porous metal 25 functions as a heat sink and an electromagnetic shielding plate.

本発明に係る電子部品の実施例を、図１を参照して説明する。本出願書類におけるいずれの図についても、わかりやすくするために、適宜省略し又は誇張して模式的に描かれている。同一の構成要素については、同一の符号を付して説明を適宜省略する。   An embodiment of an electronic component according to the present invention will be described with reference to FIG. All the drawings in the present application are schematically omitted or exaggerated as appropriate for simplicity. The same components are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

図１（ａ）に示されるように、電子部品１は、基板２と基板２の上に搭載（装着）された半導体チップ３とを備える。基板２としては、例えば、ガラスエポキシ積層板、プリント基板、セラミックス基板、フィルムベース基板、金属ベース基板などが使用される。半導体チップ３は、シリコンウェーハや化合物半導体ウェーハなどから製造される。半導体チップ３として、例えば、パワーデバイス、マイクロプロセッサ、高周波デバイスなどが搭載される。図１においては、半導体チップ３における回路が形成された主面（例えば、回路が形成された面である主面）の側が上を向くようにして、基板２に半導体チップ３が搭載される（フェイスアップ実装）。言い換えれば、半導体チップ３における回路が形成されていない面（副面）の側が、基板２に搭載される。   As shown in FIG. 1A, the electronic component 1 includes a substrate 2 and a semiconductor chip 3 mounted (mounted) on the substrate 2. As the substrate 2, for example, a glass epoxy laminate, a printed substrate, a ceramic substrate, a film base substrate, a metal base substrate, or the like is used. The semiconductor chip 3 is manufactured from a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or the like. As the semiconductor chip 3, for example, a power device, a microprocessor, a high-frequency device, and the like are mounted. In FIG. 1, the semiconductor chip 3 is mounted on the substrate 2 so that the side of the main surface of the semiconductor chip 3 on which the circuit is formed (for example, the main surface on which the circuit is formed) faces upward ( Face-up implementation). In other words, the surface of the semiconductor chip 3 on which the circuit is not formed (the sub surface) is mounted on the substrate 2.

基板２の上面には複数の配線４が設けられる。複数の配線４の一端（内側の端：半導体チップ３に近い側の端）は、半導体チップ３のパッドに電気的に接続（以下単に「接続」という）される基板電極５を構成する。複数の配線４の他端（外側の端：半導体チップ３から遠い側の端）は、基板２の内部に設けられたビア配線６及び内部配線（図示なし）を介して基板２の下面に設けられたランド７にそれぞれ接続される。ランド７は、基板２の下面において格子（grid）状に設けられる。   A plurality of wirings 4 are provided on the upper surface of the substrate 2. One ends (inner ends: ends closer to the semiconductor chip 3) of the plurality of wirings 4 constitute substrate electrodes 5 that are electrically connected to pads of the semiconductor chip 3 (hereinafter simply referred to as “connection”). The other ends (outer ends: ends farther from the semiconductor chip 3) of the plurality of wirings 4 are provided on the lower surface of the substrate 2 via via wirings 6 provided inside the substrate 2 and internal wirings (not shown). Respectively connected to the land 7. The lands 7 are provided in a grid shape on the lower surface of the substrate 2.

基板２の上面においては、基板電極５の表面を除いて、複数の配線４を保護するための絶縁性樹脂被膜であるソルダレジスト８が設けられる。基板２の下面には、各ランド７の表面を除いてソルダレジスト９が設けられる。各ランド７には、外部の機器が有する外部電極に対して接続されるはんだボール（外部電極）１０が、それぞれ設けられる。基板２に設けられた配線４、ビア配線６、内部配線（図示なし）、及びランド７には、小さい電気抵抗率を有する銅（Ｃｕ）がそれぞれ使用されることが好ましい。   Except for the surface of the substrate electrode 5, a solder resist 8 which is an insulating resin film for protecting the plurality of wirings 4 is provided on the upper surface of the substrate 2. A solder resist 9 is provided on the lower surface of the substrate 2 except for the surface of each land 7. Each land 7 is provided with a solder ball (external electrode) 10 connected to an external electrode of an external device. It is preferable that copper (Cu) having a small electric resistivity is used for the wiring 4, the via wiring 6, the internal wiring (not shown), and the land 7 provided on the substrate 2.

半導体チップ３が、基板２に形成されたソルダレジスト８上に接着剤（図示なし）によって装着される。半導体チップ３が、基板２に形成された銅箔からなるダイボンディング用のパッドに導電性ペーストによって装着されてもよい。半導体チップ３の主面側には複数のワイヤボンディング用のパッド１１が半導体チップ３の周囲に設けられる。複数のパッド１１は金線又は銅線からなるボンディングワイヤ（接続部材）１２を介して基板電極５にそれぞれ接続される。   The semiconductor chip 3 is mounted on the solder resist 8 formed on the substrate 2 with an adhesive (not shown). The semiconductor chip 3 may be mounted on a die bonding pad made of a copper foil formed on the substrate 2 with a conductive paste. A plurality of wire bonding pads 11 are provided around the semiconductor chip 3 on the main surface side of the semiconductor chip 3. The plurality of pads 11 are respectively connected to the substrate electrodes 5 via bonding wires (connection members) 12 made of a gold wire or a copper wire.

半導体チップ３の上には、半導体チップ３の外縁の内側に設けられた複数のパッド１１の領域を除いて、多孔質金属（ポーラス金属）１３が設けられる。多孔質金属１３は板状であって繊維状の部材である。半導体チップ３の主面と多孔質金属１３の下面とは直接接触して密着する（以下適宜「接触する」という）。   A porous metal (porous metal) 13 is provided on the semiconductor chip 3 except for a region of a plurality of pads 11 provided inside an outer edge of the semiconductor chip 3. The porous metal 13 is a plate-like and fibrous member. The main surface of the semiconductor chip 3 and the lower surface of the porous metal 13 are in direct contact and in close contact (hereinafter referred to as "contact" as appropriate).

多孔質金属１３としては、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（ＳＵＳ）などが使用される。多孔質金属１３は、内部に多数の空孔（３次元連通孔）が存在するので通常の金属に比べて軽い。多孔質金属１３は、金属であるので高い熱伝導性を有する。多孔質金属１３は、繊維状であって内部に多数の３次元連通孔が存在するので、優れた応力緩和性を有する。このことにより、多孔質金属１３が半導体チップ３に対して押圧された場合に、多孔質金属１３が圧縮されて変形する。したがって、半導体チップ３の破損を防止できる。   As the porous metal 13, for example, copper (Cu), aluminum (Al), nickel (Ni), stainless steel (SUS), or the like is used. The porous metal 13 is lighter than a normal metal because it has a large number of holes (three-dimensional communication holes) inside. Since the porous metal 13 is a metal, it has high thermal conductivity. Since the porous metal 13 is fibrous and has a large number of three-dimensional communication holes therein, it has excellent stress relaxation properties. Thus, when the porous metal 13 is pressed against the semiconductor chip 3, the porous metal 13 is compressed and deformed. Therefore, damage of the semiconductor chip 3 can be prevented.

多孔質金属１３の３次元連通孔の内径をμｍオーダーに製造することができる。多孔質金属１３を繊維状の構造にすることができる。したがって、多孔質金属の端面に、金属繊維の端部と曲がり部とを含む微小な凹凸（突起）を多数形成することができる。このことによって、多孔質金属を他の導電体などに接続することが容易になる。図１（ａ）に示された多孔質金属１３は、半導体チップ３が発する熱を放出する放熱板として機能する。   The inner diameter of the three-dimensional communication hole of the porous metal 13 can be manufactured on the order of μm. The porous metal 13 can have a fibrous structure. Therefore, a large number of minute irregularities (projections) including the end portion and the bent portion of the metal fiber can be formed on the end surface of the porous metal. This makes it easier to connect the porous metal to another conductor or the like. The porous metal 13 shown in FIG. 1A functions as a heat radiating plate that emits heat generated by the semiconductor chip 3.

基板２の上面には半導体チップ３、複数の配線４、ソルダレジスト８、ボンディングワイヤ１２、及び、多孔質金属１３の側面を覆うようにして、封止樹脂１４が設けられる。言い換えれば、基板２の上面に装着された半導体チップ３と、複数の配線４と、ソルダレジスト８と、ボンディングワイヤ１２と、多孔質金属１３の側面とを、封止樹脂１４によって樹脂封止する。本出願書類において、「封止樹脂１４によって樹脂封止する」とは、少なくとも半導体チップ３が有する回路と複数の配線４とボンディングワイヤ１２などの接続部材とを電気的に外部から絶縁することと、多孔質金属１３の少なくとも一部分を封止樹脂１４によって覆うこととの双方を、意味する。   A sealing resin 14 is provided on the upper surface of the substrate 2 so as to cover the semiconductor chip 3, the plurality of wirings 4, the solder resist 8, the bonding wires 12, and the side surfaces of the porous metal 13. In other words, the semiconductor chip 3 mounted on the upper surface of the substrate 2, the plurality of wirings 4, the solder resist 8, the bonding wires 12, and the side surfaces of the porous metal 13 are resin-sealed with the sealing resin 14. . In the present application document, “resin sealing with the sealing resin 14” means that at least a circuit included in the semiconductor chip 3, a plurality of wirings 4, and connection members such as bonding wires 12 are electrically insulated from the outside. And covering at least a portion of the porous metal 13 with the sealing resin 14.

封止樹脂１４は、多孔質金属１３の表面（頂面）が露出するようにして設けられる。封止樹脂１４としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂、シリコーン樹脂などが使用される。半導体チップ３と多孔質金属１３とが直接接触するので、電子部品１の放熱効果を高めることができる。封止樹脂１４が形成された段階で、放熱板として機能する多孔質金属１３を有する電子部品１が完成する。   The sealing resin 14 is provided such that the surface (top surface) of the porous metal 13 is exposed. As the sealing resin 14, for example, a thermosetting epoxy resin, a silicone resin, or the like is used. Since the semiconductor chip 3 and the porous metal 13 are in direct contact, the heat radiation effect of the electronic component 1 can be enhanced. At the stage when the sealing resin 14 is formed, the electronic component 1 having the porous metal 13 functioning as a heat sink is completed.

図１（ｂ）は、図１（ａ）に示された電子部品の変形例を示す。多孔質金属１３よりも大きい平面形状を有する多孔質金属１５を、多孔質金属１３の上に更に積層する。多孔質金属１５は板状であって繊維状の部材である。多孔質金属１５は、平面視して多孔質金属１５の内側に多孔質金属１３を含む。本出願書類において「平面視する」こととは、断面図である図１（ｂ）を例にとっていえば、基板２の上面に垂直な方向（図１（ｂ）における上下方向）に沿って見ることをいう。図１（ｂ）に示された多孔質金属１３、１５は、半導体チップ３が発する熱を放出する放熱板として機能する。   FIG. 1B shows a modification of the electronic component shown in FIG. A porous metal 15 having a larger planar shape than the porous metal 13 is further laminated on the porous metal 13. The porous metal 15 is a plate-like and fibrous member. The porous metal 15 includes the porous metal 13 inside the porous metal 15 in plan view. In the present application document, “to be viewed in plan” refers to a direction perpendicular to the upper surface of the substrate 2 (a vertical direction in FIG. 1B), for example, in FIG. 1B which is a cross-sectional view. That means. The porous metals 13 and 15 shown in FIG. 1B function as heat radiating plates that emit heat generated by the semiconductor chip 3.

多孔質金属１５とボンディングワイヤ１２との間は封止樹脂１４によって電気的に絶縁される。封止樹脂１４は、多孔質金属１３及び多孔質金属１５の側面を覆うようにして設けられる。多孔質金属１５の露出面積は、図１（ａ）に示された多孔質金属１３の平面積よりも大きくなる。したがって、電子部品１の放熱効果をいっそう高めることができる。板状の多孔質金属１３は、その上方に位置する板状の多孔質金属１５の下面とボンディングワイヤ１２との接触を防止するスペーサとして機能する。このことは他の実施例においても同様である。   The porous metal 15 and the bonding wire 12 are electrically insulated by the sealing resin 14. The sealing resin 14 is provided so as to cover the side surfaces of the porous metal 13 and the porous metal 15. The exposed area of the porous metal 15 is larger than the plane area of the porous metal 13 shown in FIG. Therefore, the heat radiation effect of the electronic component 1 can be further enhanced. The plate-shaped porous metal 13 functions as a spacer for preventing the lower surface of the plate-shaped porous metal 15 located above the contact from coming into contact with the bonding wire 12. This is the same in other embodiments.

更に別の変形例として、電子部品１と同じ平面形状を有する多孔質金属１５を、多孔質金属１３の上に、電子部品１に対して図の水平方向にずれることなく積層することができる。この場合には、多孔質金属１５の平面積を電子部品１と同じ平面積まで大きくすることができ、多孔質金属１５の頂面と側面とを露出させることができる。したがって、電子部品１の放熱効果をよりいっそう高めることができる。   As still another modification, the porous metal 15 having the same planar shape as the electronic component 1 can be laminated on the porous metal 13 without shifting in the horizontal direction in the drawing with respect to the electronic component 1. In this case, the plane area of the porous metal 15 can be increased to the same plane area as the electronic component 1, and the top surface and side surfaces of the porous metal 15 can be exposed. Therefore, the heat radiation effect of the electronic component 1 can be further enhanced.

本実施例によれば、封止樹脂１４などの絶縁膜を介することなく、半導体チップ３の上に多孔質金属１３を密着させて積層する。半導体チップ３と多孔質金属１３とが直接接触するので、半導体チップ３が発する熱を効率的に外部に放出することができる。加えて、多孔質金属１３の上に、多孔質金属１３よりも大きい平面積を有する多孔質金属１５を更に積層することができる。このことにより、放熱板として機能する多孔質金属１５の平面積が大きくなるので、電子部品１の放熱効果をいっそう高めることができる。   According to the present embodiment, the porous metal 13 is laminated on the semiconductor chip 3 in close contact with the semiconductor chip 3 without an insulating film such as the sealing resin 14 interposed therebetween. Since the semiconductor chip 3 and the porous metal 13 are in direct contact, the heat generated by the semiconductor chip 3 can be efficiently released to the outside. In addition, a porous metal 15 having a larger plane area than the porous metal 13 can be further laminated on the porous metal 13. This increases the plane area of the porous metal 15 functioning as a heat radiating plate, so that the heat radiating effect of the electronic component 1 can be further enhanced.

電子部品１において最も上位に位置する多孔質金属１３（図１（ａ）参照）及び多孔質金属１５（図１（ｂ）参照）の表面（図では上面）に、封止樹脂１４からなる層が存在してもよい。この層は、多孔質金属１３及び多孔質金属１５を通り抜けた後に硬化した封止樹脂１４によって構成される。この層はできるだけ薄いことが好ましい。これらのことは他の実施例においても同様である。   A layer made of a sealing resin 14 is provided on the surface (the upper surface in the figure) of the porous metal 13 (see FIG. 1A) and the porous metal 15 (see FIG. 1B) which are located at the highest position in the electronic component 1. May be present. This layer is constituted by the sealing resin 14 cured after passing through the porous metal 13 and the porous metal 15. This layer is preferably as thin as possible. The same applies to other embodiments.

図２を参照して、本発明に係る電子部品の実施例を説明する。図１に示された実施例との違いは、半導体チップが、ワイヤボンディング技術を使用する実装ではなくフリップチップ技術を使用して実装されることである（フリップチップ実装）。   An embodiment of an electronic component according to the present invention will be described with reference to FIG. The difference from the embodiment shown in FIG. 1 is that the semiconductor chip is mounted using flip chip technology instead of mounting using wire bonding technology (flip chip mounting).

図２（ａ）に示されるように、電子部品１６は、基板１７と基板１７の上に搭載された半導体チップ１８とを備える。図２においては、半導体チップ１８の主面側が下を向くようにして、基板１７に半導体チップ１８が搭載される（フェイスダウン実装）。言い換えれば、半導体チップ１８の副面側が上を向くようにして、基板１７に半導体チップ１８が搭載される。   As shown in FIG. 2A, the electronic component 16 includes a substrate 17 and a semiconductor chip 18 mounted on the substrate 17. In FIG. 2, the semiconductor chip 18 is mounted on the substrate 17 so that the main surface of the semiconductor chip 18 faces downward (face-down mounting). In other words, the semiconductor chip 18 is mounted on the substrate 17 such that the sub surface side of the semiconductor chip 18 faces upward.

基板１７の上面には、製品に対応して複数の配線４が設けられる。複数の配線４の一端（内側：半導体チップ１８に近い側）は、半導体チップ１８のパッド１１に接続される基板電極１９を構成する。各基板電極１９は、半導体チップ１８に設けられたそれぞれのフリップチップボンディング用のパッド１１に、突起状電極であるバンプ（接続部材）２０を介して接続される。複数の配線４の他端（外側：半導体チップ１８から遠い側）は、基板１７の内部に設けられたビア配線６及び内部配線（図示なし）を介して基板１７の下面に設けられたランド７にそれぞれ接続される。各ランド７には、外部の機器が有する外部電極に対して接続されるはんだボール１０がそれぞれ設けられる。   On the upper surface of the substrate 17, a plurality of wirings 4 are provided corresponding to the products. One end (inner side: side closer to the semiconductor chip 18) of the plurality of wirings 4 forms a substrate electrode 19 connected to the pad 11 of the semiconductor chip 18. Each substrate electrode 19 is connected to a respective flip chip bonding pad 11 provided on the semiconductor chip 18 via a bump (connection member) 20 which is a protruding electrode. The other ends (outside: farther from the semiconductor chip 18) of the plurality of wirings 4 are via wirings 6 provided inside the substrate 17 and lands 7 provided on the lower surface of the substrate 17 via internal wirings (not shown). Connected to each other. Each land 7 is provided with a solder ball 10 connected to an external electrode of an external device.

半導体チップ１８の上側（半導体チップ１８の副面側）には多孔質金属２１が設けられる。多孔質金属２１は板状であって繊維状の部材である。図２（ａ）においては、半導体チップ１８と同じ平面形状を有する多孔質金属２１が、半導体チップ１８に対して図の水平方向にずれることなく積層される。図２（ａ）に示された多孔質金属２１は、半導体チップ１８が発する熱を放出する放熱板として機能する。   A porous metal 21 is provided above the semiconductor chip 18 (on the sub surface side of the semiconductor chip 18). The porous metal 21 is a plate-like and fibrous member. In FIG. 2A, a porous metal 21 having the same planar shape as the semiconductor chip 18 is stacked on the semiconductor chip 18 without shifting in the horizontal direction in the drawing. The porous metal 21 shown in FIG. 2A functions as a heat radiating plate that emits heat generated by the semiconductor chip 18.

半導体チップ１８の副面を研磨することによって絶縁膜などを除去して、例えば、原材料であるシリコン（Ｓｉ）を露出させて半導体チップ１８を薄くしてもよい。半導体チップ１８の副面に、導電性を有する薄膜などを形成しておいてもよい。これらのことによって、半導体チップ１８における副面の全面と多孔質金属２１とを直接接触させる。したがって、電子部品１６における熱伝導性を高め、電子部品１６の放熱効果を高めることができる。   The insulating film or the like may be removed by polishing the sub surface of the semiconductor chip 18, and for example, the semiconductor chip 18 may be thinned by exposing silicon (Si) as a raw material. A conductive thin film or the like may be formed on the sub surface of the semiconductor chip 18. Thus, the entire surface of the sub surface of the semiconductor chip 18 is brought into direct contact with the porous metal 21. Therefore, the heat conductivity of the electronic component 16 can be increased, and the heat radiation effect of the electronic component 16 can be increased.

基板１７の上面には半導体チップ１８、複数の配線４、ソルダレジスト８、バンプ２０及び封止樹脂１４が設けられる。封止樹脂１４は、多孔質金属２１の側面を覆うようにして設けられる。封止樹脂１４は、多孔質金属２１の表面（頂面）が露出するようにして設けられる。半導体チップ１８の副面と、半導体チップ１８の平面形状に対して同じ平面形状を有する多孔質金属２１とが、半導体チップ１８に対して図の水平方向にずれることなく直接接触する。したがって、実施例１（図１（ａ）参照）に比べて電子部品１６の放熱効果をいっそう高めることができる。封止樹脂１４が形成された段階で、放熱板として機能する多孔質金属２１を有する電子部品１６が完成する。   On an upper surface of the substrate 17, a semiconductor chip 18, a plurality of wirings 4, a solder resist 8, bumps 20, and a sealing resin 14 are provided. The sealing resin 14 is provided so as to cover the side surface of the porous metal 21. The sealing resin 14 is provided such that the surface (top surface) of the porous metal 21 is exposed. The sub surface of the semiconductor chip 18 and the porous metal 21 having the same planar shape as the planar shape of the semiconductor chip 18 are in direct contact with the semiconductor chip 18 without shifting in the horizontal direction in the drawing. Therefore, the heat radiation effect of the electronic component 16 can be further enhanced as compared with the first embodiment (see FIG. 1A). At the stage when the sealing resin 14 is formed, the electronic component 16 having the porous metal 21 functioning as a heat sink is completed.

図２（ｂ）は、図２（ａ）に示された電子部品の変形例である。半導体チップ１８の副面の上に、電子部品１６と同じ平面形状を有する多孔質金属２１ａを積層する。多孔質金属２１ａを、半導体チップ１８に対して図の水平方向にずれることなく積層する。多孔質金属２１ａは、板状であり繊維状の部材である。図２（ｂ）に示された多孔質金属２１ａは、半導体チップ１８が発する熱を放出する放熱板として機能する。   FIG. 2B is a modification of the electronic component shown in FIG. On the sub surface of the semiconductor chip 18, a porous metal 21a having the same planar shape as the electronic component 16 is laminated. The porous metal 21a is stacked on the semiconductor chip 18 without shifting in the horizontal direction in the figure. The porous metal 21a is a plate-like and fibrous member. The porous metal 21a illustrated in FIG. 2B functions as a heat radiating plate that emits heat generated by the semiconductor chip 18.

封止樹脂１４は、多孔質金属２１ａの頂面と側面とが露出するようにして、基板１７と多孔質金属２１ａとの間にのみ設けられる。したがって、多孔質金属２１ａの露出面積が大きくなるので、電子部品１６の放熱効果をいっそう高めることができる。多孔質金属２１ａとしては、平面視して電子部品１６の内側に存在して半導体チップ１８よりも大きい平面形状を有する多孔質金属２１ａを積層してもよい。半導体チップ１８よりも大きい平面形状を有する多孔質金属２１ａの側面を覆うようにして、封止樹脂１４を設けることができる。   The sealing resin 14 is provided only between the substrate 17 and the porous metal 21a such that the top surface and side surfaces of the porous metal 21a are exposed. Therefore, the exposed area of the porous metal 21a increases, so that the heat radiation effect of the electronic component 16 can be further enhanced. As the porous metal 21a, a porous metal 21a which is present inside the electronic component 16 in a plan view and has a planar shape larger than the semiconductor chip 18 may be laminated. The sealing resin 14 can be provided so as to cover the side surface of the porous metal 21 a having a planar shape larger than the semiconductor chip 18.

本実施例によれば、半導体チップ１８の副面の全面と多孔質金属２１とを、直接接触させる。これにより、電子部品１６における熱伝導性を高めることができる。したがって、半導体チップ１８が発する熱をいっそう効率的に外部に放出することができる。加えて、多孔質金属２１、２１ａの露出面積を半導体チップ１８の平面積と同じ、又は、半導体チップ１８の平面積よりも大きくすることができるので、電子部品１６の放熱効果をいっそう高めることができる。   According to this embodiment, the entire surface of the sub surface of the semiconductor chip 18 and the porous metal 21 are brought into direct contact. Thereby, the thermal conductivity of the electronic component 16 can be increased. Therefore, the heat generated by the semiconductor chip 18 can be more efficiently released to the outside. In addition, since the exposed areas of the porous metals 21 and 21a can be equal to or larger than the plane area of the semiconductor chip 18, the heat radiation effect of the electronic component 16 can be further enhanced. it can.

加えて、半導体チップ１８の副面の全面を、主面に形成された回路に悪影響を与えない程度にまで研磨する。このことによって、電子部品１６を薄くすることができる。   In addition, the entire surface of the sub surface of the semiconductor chip 18 is polished to such an extent that circuits formed on the main surface are not adversely affected. Thereby, the electronic component 16 can be made thin.

図３を参照して、本発明に係る電子部品の実施例を説明する。図３に示されるように、電子部品２２は、基板２３と基板２３の上に搭載された半導体チップ２４とを備える。半導体チップ２４は、実施例２と同様に半導体チップ２４の主面側が下を向くようにして、フリップチップ技術を使用して基板２３に搭載される。   An embodiment of an electronic component according to the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 3, the electronic component 22 includes a substrate 23 and a semiconductor chip 24 mounted on the substrate 23. The semiconductor chip 24 is mounted on the substrate 23 using the flip-chip technique such that the main surface of the semiconductor chip 24 faces downward as in the second embodiment.

図３において、多孔質金属２５は、半導体チップ２４を取り囲むふた（lid ）状の形状に形成される。多孔質金属２５はふた状であって繊維状の部材である。ふた状の形状は、プレス加工などによって予め形成される。したがって、多孔質金属２５は平面視して内側に空間を有する。多孔質金属２５の平面視して外側の底面（図では外側の下面）は、電子部品２２において電気的に接地される接地電極４ａに接続される。例えば、多孔質金属２５を繊維状の構造にすることによって、多孔質金属２５の底面には多数の微小な端部と曲がり部とが形成される。したがって、多孔質金属２５と接地電極４ａとを接続することができる。図３に示された多孔質金属２５は、半導体チップ２４が発する熱を放出する放熱板、及び、電磁遮蔽板として、機能する。   In FIG. 3, the porous metal 25 is formed in a lid shape surrounding the semiconductor chip 24. The porous metal 25 has a lid shape and is a fibrous member. The lid-like shape is formed in advance by press working or the like. Therefore, the porous metal 25 has a space inside when viewed in plan. The outer bottom surface (the outer lower surface in the figure) of the porous metal 25 in a plan view is connected to the ground electrode 4 a that is electrically grounded in the electronic component 22. For example, by forming the porous metal 25 into a fibrous structure, a large number of minute ends and bent portions are formed on the bottom surface of the porous metal 25. Therefore, the porous metal 25 and the ground electrode 4a can be connected. The porous metal 25 shown in FIG. 3 functions as a heat radiating plate that emits heat generated by the semiconductor chip 24 and as an electromagnetic shielding plate.

図３においては、多孔質金属２５の表面（頂面）を除いて、平面視して多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂１４が設けられる。したがって、半導体チップ２４と多孔質金属２５との間には封止樹脂１４が存在する。多孔質金属２５は、接地電極４ａを介して電気的に接地されることにより電磁遮蔽板としての機能を有する。加えて、多孔質金属２５は放熱板としての機能を有する。したがって、図３に示されるように、ふた状の形状を有する多孔質金属２５を、電磁遮蔽板及び放熱板として使用することができる。多孔質金属２５とチップ２４との間に形成された硬化樹脂（封止樹脂）１４はできるだけ薄いことが好ましい。このことは他の実施例においても同様である。   In FIG. 3, the sealing resin 14 is provided inside and outside the porous metal 25 in a plan view, except for the surface (top surface) of the porous metal 25. Therefore, the sealing resin 14 exists between the semiconductor chip 24 and the porous metal 25. The porous metal 25 has a function as an electromagnetic shielding plate by being electrically grounded via the ground electrode 4a. In addition, the porous metal 25 has a function as a heat sink. Therefore, as shown in FIG. 3, the porous metal 25 having a lid shape can be used as the electromagnetic shielding plate and the heat radiating plate. It is preferable that the cured resin (sealing resin) 14 formed between the porous metal 25 and the chip 24 is as thin as possible. This is the same in other embodiments.

電子部品２２において、多孔質金属２５が電磁遮蔽板として動作することを説明する。半導体チップ２４に電力が供給され半導体チップ２４が作動すると、半導体チップ２４から電磁波が放射される。半導体チップ２４から放射された電磁波によって、ノイズ電流が多孔質金属２５に誘起される。このノイズ電流は不要輻射の原因になる。電子部品２２において多孔質金属２５は電気的に接地されている。これにより、多孔質金属２５、接地電極４ａ、ビア配線６、内部配線（図示なし）、接地用のランド７ａ、接地用のはんだボール１０ａからなる接地ラインを経由して、ノイズ電流が電子部品２２の外部に流出する。したがって、不要輻射が効果的に抑制される。加えて、多孔質金属２５、接地電極４ａ、ビア配線６、内部配線（図示なし）、接地用のランド７ａはそれぞれＣｕで形成されるので、小さい電気抵抗値を有する。したがって、ノイズ電流をいっそう効果的に電子部品２２の外部に流出させることができる。加えて、電子部品２２の外部から飛来する電磁波によって誘起されるノイズ電流が電子部品２２の外部に流出する。したがって、電子部品２２の外部から飛来する電磁波によって誘起されるノイズ電流に起因する電子部品２２の誤動作が、防止される。   The fact that the porous metal 25 operates as an electromagnetic shielding plate in the electronic component 22 will be described. When power is supplied to the semiconductor chip 24 and the semiconductor chip 24 operates, an electromagnetic wave is emitted from the semiconductor chip 24. A noise current is induced in the porous metal 25 by the electromagnetic wave radiated from the semiconductor chip 24. This noise current causes unnecessary radiation. In the electronic component 22, the porous metal 25 is electrically grounded. As a result, the noise current flows through the electronic component 22 through the ground line including the porous metal 25, the ground electrode 4a, the via wiring 6, the internal wiring (not shown), the ground land 7a, and the ground solder ball 10a. Spill out of the Therefore, unnecessary radiation is effectively suppressed. In addition, since the porous metal 25, the ground electrode 4a, the via wiring 6, the internal wiring (not shown), and the ground land 7a are each made of Cu, they have a small electric resistance. Therefore, the noise current can be made to flow out of the electronic component 22 more effectively. In addition, noise current induced by electromagnetic waves flying from outside the electronic component 22 flows out of the electronic component 22. Therefore, a malfunction of the electronic component 22 caused by a noise current induced by an electromagnetic wave flying from the outside of the electronic component 22 is prevented.

本実施例によれば、電子部品２２において、多孔質金属２５を、半導体チップ２４を取り囲むふた状の形状に形成する。多孔質金属２５の外側の底面を、電気的に接地される接地電極４ａに接続する。このことによって、多孔質金属２５は電磁遮蔽板としての機能を有する。したがって、半導体チップ２４から放射された電磁波によって誘起されるノイズ電流を、多孔質金属２５から接地ラインを介して電子部品２２の外部に流出させることができる。加えて、多孔質金属２５は、半導体チップ２４の周囲と上方とを取り囲むふた状の形状を有する。したがって、多孔質金属２５は、放熱板としての機能に加えて電磁遮蔽板としての良好な機能を有する。   According to this embodiment, in the electronic component 22, the porous metal 25 is formed in a lid shape surrounding the semiconductor chip 24. The outer bottom surface of the porous metal 25 is connected to a ground electrode 4a that is electrically grounded. Thus, the porous metal 25 has a function as an electromagnetic shielding plate. Therefore, the noise current induced by the electromagnetic wave radiated from the semiconductor chip 24 can flow out of the electronic component 22 from the porous metal 25 via the ground line. In addition, the porous metal 25 has a lid-like shape that surrounds the periphery and the upper part of the semiconductor chip 24. Therefore, the porous metal 25 has a good function as an electromagnetic shielding plate in addition to a function as a heat radiating plate.

なお、本実施例においては、多孔質金属２５の頂面（図では上面）を除いて、平面視して多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂１４を設けた。これに限らず、平面視して多孔質金属２５の内側にのみ封止樹脂１４を設けてもよい。これにより、多孔質金属２５の頂面と側面とが露出するので、放熱効果をいっそう高めることができる。   In this embodiment, the sealing resin 14 is provided inside and outside the porous metal 25 in plan view, except for the top surface (the upper surface in the figure) of the porous metal 25. The present invention is not limited to this, and the sealing resin 14 may be provided only inside the porous metal 25 in plan view. Thereby, since the top surface and the side surface of the porous metal 25 are exposed, the heat radiation effect can be further enhanced.

本実施例においては、ふた状の形状を有する多孔質金属２５を使用した。多孔質金属２５は、平板状の部分と外枠状の部分とが一体の部材（導電性を有する第１の部材）として形成される。これに代わる変形例として、外枠状の部分に代えて、接地電極４ａの上において突起状又は外枠状の金属、突起状又は外枠状の導電性樹脂などの導電性の別部材（導電性を有する第２の部材）を形成してもよい。「突起状」には、柱状、ループ状、外枠が部分的に途切れた形状などが含まれる。導電性の別部材は可撓性などの変形可能性を有してもよい。   In this embodiment, a porous metal 25 having a lid shape is used. In the porous metal 25, a flat plate-shaped portion and an outer frame-shaped portion are formed as an integral member (a first member having conductivity). As a modified example, instead of the outer frame portion, another conductive member such as a protruding or outer frame metal, a protruding or outer frame conductive resin, or the like, on the ground electrode 4a. (A second member having a property). The “projection shape” includes a column shape, a loop shape, a shape in which the outer frame is partially interrupted, and the like. The separate conductive member may have deformability such as flexibility.

具体的には、ボンディング技術を使用して、接地電極４ａの上にボンディングワイヤ、金属リボンなどを形成してもよい。これらの場合には、突起状の金属、導電性樹脂、ボンディングワイヤ、金属リボンなどの最上部の高さ位置を、半導体チップ２４の頂面（図では上面）の高さ位置に対して同じ位置又は高い位置にすればよい。ふた状の形状を有する多孔質金属２５を使用する構成に代えて、ここまで説明した導電性の別部材を使用する変形例と板状の形状を有する多孔質金属とを使用する構成が、適用される。   Specifically, a bonding wire, a metal ribbon, or the like may be formed on the ground electrode 4a using a bonding technique. In these cases, the uppermost height position of the protruding metal, the conductive resin, the bonding wire, the metal ribbon, or the like is the same as the height position of the top surface (the upper surface in the figure) of the semiconductor chip 24. Alternatively, it may be set at a higher position. Instead of the structure using the porous metal 25 having the lid shape, the modification using the conductive separate member described above and the structure using the porous metal having the plate shape are applied. Is done.

図４を参照して、本発明に係る電子部品の実施例を説明する。図４（ａ）に示されるように、電子部品２６は、基板２７と基板２７の上に搭載された半導体チップ２８とを備える。半導体チップ２８は、実施例３と同様に、半導体チップ２８の主面側が下を向くようにして基板２７に搭載される。   An embodiment of the electronic component according to the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4A, the electronic component 26 includes a substrate 27 and a semiconductor chip 28 mounted on the substrate 27. The semiconductor chip 28 is mounted on the substrate 27 such that the main surface of the semiconductor chip 28 faces downward, as in the third embodiment.

図４（ａ）において、多孔質金属２５は、平面視して半導体チップ２８を取り囲む、ふた状の形状に形成される。多孔質金属２５はふた状であって繊維状の部材である。多孔質金属２５の板部が有する内底面（内側の下面）は、半導体チップ２８の副面に直接接触する。多孔質金属２５における外側の壁部が有する底面（図では外側の下面）は、電子部品２６において電気的に接地される接地電極４ａに直接接触する。多孔質金属２５における表面（頂面）を除いて、多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂１４が設けられる。   In FIG. 4A, the porous metal 25 is formed in a lid shape surrounding the semiconductor chip 28 in plan view. The porous metal 25 has a lid shape and is a fibrous member. The inner bottom surface (the inner lower surface) of the plate portion of the porous metal 25 is in direct contact with the sub surface of the semiconductor chip 28. The bottom surface (the outer lower surface in the figure) of the outer wall portion of the porous metal 25 directly contacts the ground electrode 4 a that is electrically grounded in the electronic component 26. Except for the surface (top surface) of the porous metal 25, the sealing resin 14 is provided inside and outside the porous metal 25.

図４（ａ）に示された構成によれば、多孔質金属２５の内底面は、半導体チップ２８の副面に対して密着する。多孔質金属２５の外側の壁部が有する底面は、電子部品２６の接地電極４ａに密着することによって、接地電極４ａに接続される。多孔質金属２５の板部が有する内底面が半導体チップ２８の副面に密着するので、電子部品２６の熱伝導性を高めることができる。したがって、半導体チップ２８が発する熱をいっそう効率的に外部に放出することができる。加えて、多孔質金属２５の外側の底面が電子部品２６の接地電極４ａに接続される。このことによって、半導体チップ２８が動作することによって誘起されたノイズ電流を、多孔質金属２５から接地ラインを介して電子部品２６の外部に流出させることができる。このことによって、多孔質金属２５を放熱板及び電磁遮蔽板としていっそう効果的に使用することができる。   According to the configuration illustrated in FIG. 4A, the inner bottom surface of the porous metal 25 is in close contact with the sub surface of the semiconductor chip 28. The bottom surface of the outer wall of the porous metal 25 is connected to the ground electrode 4a by being in close contact with the ground electrode 4a of the electronic component 26. Since the inner bottom surface of the plate portion of the porous metal 25 is in close contact with the sub surface of the semiconductor chip 28, the thermal conductivity of the electronic component 26 can be improved. Therefore, the heat generated by the semiconductor chip 28 can be more efficiently released to the outside. In addition, the outer bottom surface of the porous metal 25 is connected to the ground electrode 4a of the electronic component 26. This allows the noise current induced by the operation of the semiconductor chip 28 to flow out of the porous metal 25 to the outside of the electronic component 26 via the ground line. This allows the porous metal 25 to be used more effectively as a heat sink and an electromagnetic shielding plate.

図４（ｂ）は、図４（ａ）に示された電子部品２６の１つの変形例である。図４（ｂ）に示されるように、電子部品２９は、基板３０と基板３０の上に搭載された半導体チップ３１とを備える。半導体チップ３１は、主面側が上を向くようにして基板３０に搭載される。したがって、半導体チップ３１と基板３０とは、ボンディングワイヤ１２によって接続される。   FIG. 4B is a modification of the electronic component 26 shown in FIG. As shown in FIG. 4B, the electronic component 29 includes a substrate 30 and a semiconductor chip 31 mounted on the substrate 30. The semiconductor chip 31 is mounted on the substrate 30 such that the main surface faces upward. Therefore, the semiconductor chip 31 and the substrate 30 are connected by the bonding wires 12.

図４（ｂ）において、半導体チップ３１の頂面（図では上面）には、パッド１１の周辺以外の領域（中央部）において、板状の多孔質金属１３が密着して置かれる。板状の多孔質金属１３の上面には、ふた状の形状を有する多孔質金属２５が、積層して置かれる。多孔質金属２５は、平面視して半導体チップ３１を含む。多孔質金属２５の外側の底面は、電子部品２９の接地電極４ａに接続される。多孔質金属２５の表面（頂面；図では上面）を除いて、多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂１４が設けられる。したがって、図４（ｂ）に示された構成によれば、多孔質金属１３と多孔質金属２５とを放熱板及び電磁遮蔽板としていっそう効果的に使用することができる。   In FIG. 4B, a plate-shaped porous metal 13 is placed on the top surface (the upper surface in the figure) of the semiconductor chip 31 in a region other than the periphery of the pad 11 (center portion). On the upper surface of the plate-shaped porous metal 13, a porous metal 25 having a lid shape is placed in a stacked state. The porous metal 25 includes the semiconductor chip 31 in plan view. The outer bottom surface of the porous metal 25 is connected to the ground electrode 4a of the electronic component 29. The sealing resin 14 is provided inside and outside the porous metal 25 except for the surface (top surface; upper surface in the figure) of the porous metal 25. Therefore, according to the configuration shown in FIG. 4B, the porous metal 13 and the porous metal 25 can be used more effectively as a heat sink and an electromagnetic shielding plate.

図４（ａ）、（ｂ）においては、多孔質金属２５の頂面を除いて、平面視して多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂１４を設けた。これに限らず、平面視して多孔質金属２５の内側にのみ封止樹脂１４を設けてもよい。この場合においては、多孔質金属２５の頂面と側面とが露出するので、それらの頂面と側面とから熱が放散される。したがって、放熱効果をいっそう高めることができる。上述した構成によれば、多孔質金属２５を、放熱板及び電磁遮蔽板としていっそう効果的に使用することができる。   4A and 4B, the sealing resin 14 is provided inside and outside the porous metal 25 in plan view, except for the top surface of the porous metal 25. The present invention is not limited to this, and the sealing resin 14 may be provided only inside the porous metal 25 in plan view. In this case, since the top surface and side surfaces of porous metal 25 are exposed, heat is dissipated from those top surfaces and side surfaces. Therefore, the heat radiation effect can be further enhanced. According to the configuration described above, the porous metal 25 can be used more effectively as a heat sink and an electromagnetic shielding plate.

図４（ｃ）は、図４（ａ）に示された電子部品２６の別の変形例である。図４（ｃ）に示されるように、電子部品３２は、基板３３と基板３３の上に搭載された半導体チップ３４とを備える。半導体チップ３４は、主面側が下を向くようにして基板３３に搭載される（フェイスダウン実装）。図４（ａ）と異なる点は、半導体チップ３４とバンプ２０と基板電極１９とがアンダーフィル３５によって基板３３に実装されることである。   FIG. 4C shows another modification of the electronic component 26 shown in FIG. As shown in FIG. 4C, the electronic component 32 includes a substrate 33 and a semiconductor chip 34 mounted on the substrate 33. The semiconductor chip 34 is mounted on the substrate 33 such that the main surface faces downward (face-down mounting). The difference from FIG. 4A is that the semiconductor chip 34, the bumps 20, and the substrate electrodes 19 are mounted on the substrate 33 by the underfill 35.

図４（ｃ）において、多孔質金属２５は、半導体チップ３４を取り囲むふた状の形状に形成される。多孔質金属２５の内底面は半導体チップ３４の副面に接触する。多孔質金属２５の外側の底面は、電子部品３２において電気的に接地される接地電極４ａに接続される。図４（ａ）、（ｂ）で説明してきた実施例とは異なり、平面視して多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂を設けない。多孔質金属２５の頂面と側面とが露出するので、多孔質金属２５を放熱板及び電磁遮蔽板としていっそう効果的に使用することができる。加えて、平面視して多孔質金属２５の内側及び外側に封止樹脂を設けないので、工程を簡略化でき製造コストを抑制することができる。   In FIG. 4C, the porous metal 25 is formed in a lid shape surrounding the semiconductor chip 34. The inner bottom surface of the porous metal 25 contacts the sub surface of the semiconductor chip 34. The outer bottom surface of the porous metal 25 is connected to a ground electrode 4a that is electrically grounded in the electronic component 32. Unlike the embodiment described with reference to FIGS. 4A and 4B, no sealing resin is provided inside and outside the porous metal 25 in plan view. Since the top surface and the side surfaces of the porous metal 25 are exposed, the porous metal 25 can be used more effectively as a heat sink and an electromagnetic shielding plate. In addition, since no sealing resin is provided inside and outside the porous metal 25 in plan view, the process can be simplified and the manufacturing cost can be suppressed.

図４に示された各態様によれば、第１に、ふた状の形状を有する多孔質金属２５の内底面を、直接又は多孔質金属１３を介して半導体チップに接触させる。第２に、多孔質金属２５の外側の底面を電子部品の接地電極４ａに接続する。図４（ａ）〜（ｃ）に示された多孔質金属２５は、半導体チップ２８、３１、３４が発する熱を放出する放熱板、及び、電磁遮蔽板として、機能する。図４に示された各態様によって、半導体チップがどのような形態で基板に実装された場合であっても、多孔質金属２５を放熱板及び電磁遮蔽板としていっそう効果的に使用することができる。   According to each embodiment shown in FIG. 4, first, the inner bottom surface of the porous metal 25 having a lid shape is brought into contact with the semiconductor chip directly or via the porous metal 13. Second, the outer bottom surface of the porous metal 25 is connected to the ground electrode 4a of the electronic component. The porous metal 25 shown in FIGS. 4A to 4C functions as a heat radiating plate that emits heat generated by the semiconductor chips 28, 31, and 34, and as an electromagnetic shielding plate. According to the embodiments shown in FIG. 4, the porous metal 25 can be more effectively used as a heat sink and an electromagnetic shielding plate regardless of the form in which the semiconductor chip is mounted on the substrate. .

図５を参照して、本発明に係る電子部品の実施例を説明する。本実施例に係る電子部品は、いずれも導電性を有する第１の部材と第２の部材とを備える。以下に説明する第１の部材と第２の部材との組合せは、いずれも少なくとも放熱板として機能する。   An embodiment of the electronic component according to the present invention will be described with reference to FIG. The electronic component according to the present embodiment includes a first member and a second member, both of which have conductivity. Any combination of the first member and the second member described below functions at least as a heat sink.

本実施例に係る電子部品に関しては、第１の部材を構成する材料と第２の部材を構成する材料との組合せが、複数通り考えられる。本実施例に係る電子部品は、部材を構成する材料の組合せという観点から以下の４つの態様を有する。   Regarding the electronic component according to the present embodiment, a plurality of combinations of the material forming the first member and the material forming the second member can be considered. The electronic component according to the present embodiment has the following four aspects from the viewpoint of the combination of materials constituting the members.

図５（ａ）に示されるように、第１の態様においては、第１の部材は、チップの上方に設けられた金属板２１ｃによって構成される。第２の部材は、板状の第１の部材の上に載った多孔質金属２１ｂによって構成される。多孔質金属２１ｂは板状であって繊維状の部材である。   As shown in FIG. 5A, in the first mode, the first member is constituted by a metal plate 21c provided above the chip. The second member is constituted by the porous metal 21b placed on the plate-like first member. The porous metal 21b is a plate-like and fibrous member.

図示されない第２の態様においては、第１の部材は、チップの上方に設けられた板状であって繊維状の多孔質金属によって構成される。第２の部材は、板状の第１の部材の上に載った金属板によって構成される。   In a second embodiment (not shown), the first member is formed of a fibrous porous metal having a plate shape provided above the chip. The second member is constituted by a metal plate placed on the plate-shaped first member.

図５（ｂ）に示されるように、第３の態様においては、第１の部材は、チップを取り囲む枠状の第２の部材の上に載った多孔質金属２５ａによって構成される。多孔質金属２５ａは板状であって繊維状の部材である。第２の部材は、チップを取り囲む枠状の金属板２５ｂによって構成される。枠状の金属板２５ｂは接地電極４ａに接続される。   As shown in FIG. 5B, in the third embodiment, the first member is formed of a porous metal 25a mounted on a frame-shaped second member surrounding the chip. The porous metal 25a is a plate-like and fibrous member. The second member is constituted by a frame-shaped metal plate 25b surrounding the chip. The frame-shaped metal plate 25b is connected to the ground electrode 4a.

図示されない第４の態様においては、第１の部材は、チップを取り囲む枠状の第２の部材の上に載った金属板によって構成される。第２の部材は、枠状であって繊維状の多孔質金属によって構成される。枠状の多孔質金属は接地電極４ａに接続される。   In a fourth embodiment (not shown), the first member is constituted by a metal plate mounted on a frame-shaped second member surrounding the chip. The second member is formed of a frame-shaped and fibrous porous metal. The frame-shaped porous metal is connected to the ground electrode 4a.

上述した４つの態様のうちいずれの態様においても、第１の部材の下面がチップの頂面に直接接触する場合がある。第１の部材の下面がチップの頂面に接触しない場合がある。この場合には、第１の部材の下面とチップの頂面との間が、封止樹脂（硬化樹脂）の層によって満たされる。   In any of the above four aspects, the lower surface of the first member may directly contact the top surface of the chip. There is a case where the lower surface of the first member does not contact the top surface of the chip. In this case, the space between the lower surface of the first member and the top surface of the chip is filled with a sealing resin (cured resin) layer.

上述した４つの態様に代えて、第１の部材と第２の部材との双方が多孔質金属によって構成されてもよい。第１の部材と第２の部材とに、導電性を有する第３の部材を加えてもよい。複数の部材のうち少なくとも１つが多孔質金属によって構成されていればよい。   Instead of the above four aspects, both the first member and the second member may be made of a porous metal. A third member having conductivity may be added to the first member and the second member. It is sufficient that at least one of the plurality of members is made of a porous metal.

いずれの態様においても、上型４９と下型４５とを一定の型締め圧力によって型締めしてその状態（型締め状態）を維持することによって、チップと基板とが流動性樹脂に浸かる。型締め状態において、多孔質金属からなる部材は、一定の型締め圧力によって押し付けられて変形する。言い換えれば、多孔質金属からなる部材は圧縮されて変形する。このことによって、チップが受ける圧力は一定の型締め圧力よりも小さい。したがって、チップの破損が防止される。   In any of the embodiments, the chip and the substrate are immersed in the fluid resin by clamping the upper mold 49 and the lower mold 45 with a fixed clamping pressure and maintaining the state (clamped state). In the mold clamping state, the member made of porous metal is pressed and deformed by a constant mold clamping pressure. In other words, the member made of the porous metal is compressed and deformed. As a result, the pressure received by the tip is less than a fixed clamping pressure. Therefore, breakage of the chip is prevented.

第１、第２の態様においては、型締め状態で板状の２つの部材が密着して、チップの上方における封止樹脂の層に固着する。したがって、第１の部材と第２の部材との組合せが放熱板として機能する。   In the first and second aspects, the two plate-shaped members are in close contact with each other in the mold-clamped state, and are fixed to the sealing resin layer above the chip. Therefore, the combination of the first member and the second member functions as a heat sink.

第３、第４の態様においては、型締め状態で枠状の部材が基板の上面における接地電極に押し付けられる。このことによって、第１の部材と第２の部材とが接地電極に接続される。したがって、第１の部材と第２の部材との組合せが放熱板及び電磁遮蔽板として機能する。   In the third and fourth aspects, the frame-shaped member is pressed against the ground electrode on the upper surface of the substrate in the mold-clamped state. As a result, the first member and the second member are connected to the ground electrode. Therefore, the combination of the first member and the second member functions as a heat sink and an electromagnetic shielding plate.

金属板に代えて、金属箔、優れた熱伝導性を有する非金属材料などを使用してもよい。非金属材料としては、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの焼結材料を使用することができる。窒化アルミニウムを使用した部材は、放熱板として機能する。   Instead of a metal plate, a metal foil, a nonmetal material having excellent thermal conductivity, or the like may be used. As the nonmetallic material, for example, a sintered material such as silicon carbide (SiC) and aluminum nitride (AlN) can be used. A member using aluminum nitride functions as a heat sink.

図６〜図８を参照して、本発明に係る電子部品の製造方法を説明する。まず、図６を参照して、離型フィルムを使用して樹脂材料と多孔質金属とを一括して搬送する工程を説明する。図６（ａ）に示されるように、Ｘ−Ｙテーブル３６の上に離型フィルム３７を被覆する。離型フィルム３７としては、張力が印加されるようにある程度の硬さを有する離型フィルム３７を使用することが好ましい。Ｘ−Ｙテーブル３６の上に離型フィルム３７を被覆した後に、吸着機構（図示なし）によってＸ−Ｙテーブル３６の上に離型フィルム３７を吸着する。吸着した離型フィルム３７の必要な部分のみを残して離型フィルム３７をカットする。図６（ａ）においては、Ｘ−Ｙテーブル３６よりやや大きめに離型フィルム３７をカットしている。   A method for manufacturing an electronic component according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, with reference to FIG. 6, a process of using a release film to collectively transport a resin material and a porous metal will be described. As shown in FIG. 6A, a release film 37 is coated on the XY table 36. As the release film 37, it is preferable to use a release film 37 having a certain degree of hardness so that tension is applied. After the release film 37 is coated on the XY table 36, the release film 37 is suctioned onto the XY table 36 by a suction mechanism (not shown). The release film 37 is cut while leaving only the necessary portion of the release film 37 that has been adsorbed. In FIG. 6A, the release film 37 is cut slightly larger than the XY table 36.

次に、離型フィルム３７の上の所定位置に多孔質金属３８を載置する。Ｘ−Ｙテーブル３６に対して多孔質金属３８を位置合わせするために、Ｘ−Ｙテーブル３６に突起（ピンなど）を設け、多孔質金属３８に窪み、開口（穴）などを設けることが好ましい。Ｘ−Ｙテーブル３６に窪みを設け、多孔質金属３８に突起（ピンなど）を設けてもよい。   Next, the porous metal 38 is placed at a predetermined position on the release film 37. In order to position the porous metal 38 with respect to the XY table 36, it is preferable to provide a projection (a pin or the like) on the XY table 36, and provide a depression or an opening (hole) in the porous metal 38. . The XY table 36 may be provided with a depression, and the porous metal 38 may be provided with a projection (such as a pin).

次に、材料搬送機構３９を使用して、材料収容枠４０をＸ−Ｙテーブル３６の上方まで移動させて停止させる。材料収容枠４０は、上下に開口を有する貫通孔４１と、貫通孔４１の周囲に形成された周縁部４２と、周縁部４２の下面に設けられた吸着溝４３とを備える。材料搬送機構３９は、材料収容枠４０を保持する保持部３９ａと離型フィルム３７を保持する保持部３９ｂとを備える。材料搬送機構３９において、保持部３９ａと保持部３９ｂとは独立して動作するように設けられる。材料搬送機構３９の保持部３９ｂは、離型フィルム３７に対して外方向に向かって働く張力を印加することができる。   Next, the material storage frame 40 is moved to a position above the XY table 36 and stopped using the material transport mechanism 39. The material accommodating frame 40 includes a through-hole 41 having an opening at the top and bottom, a peripheral portion 42 formed around the through-hole 41, and a suction groove 43 provided on a lower surface of the peripheral portion 42. The material transport mechanism 39 includes a holding portion 39a that holds the material storage frame 40 and a holding portion 39b that holds the release film 37. In the material transport mechanism 39, the holding section 39a and the holding section 39b are provided so as to operate independently. The holding portion 39b of the material transport mechanism 39 can apply a tension acting outward on the release film 37.

次に、図６（ｂ）に示されるように、材料収容枠４０を下降させて、Ｘ−Ｙテーブル３６上に吸着されている離型フィルム３７の上に材料収容枠４０を載置する。材料収容枠４０がＸ−Ｙテーブル３６の上に載置された状態で、材料収容枠４０の貫通孔４１に多孔質金属３８が配置される。材料収容枠４０がＸ−Ｙテーブル３６の上に載置された状態で、材料収容枠４０と離型フィルム３７と多孔質金属３８とによって貫通孔４１の下方の開口が閉鎖される。このことにより、材料収容枠４０と離型フィルム３７と多孔質金属３８とが一体的に取り扱われる。貫通孔４１が樹脂材料を収容する樹脂材料収容部として機能する。   Next, as shown in FIG. 6B, the material storage frame 40 is lowered, and the material storage frame 40 is placed on the release film 37 that is adsorbed on the XY table 36. The porous metal 38 is arranged in the through hole 41 of the material storage frame 40 in a state where the material storage frame 40 is placed on the XY table 36. With the material storage frame 40 placed on the XY table 36, the opening below the through hole 41 is closed by the material storage frame 40, the release film 37, and the porous metal 38. As a result, the material storage frame 40, the release film 37, and the porous metal 38 are integrally handled. The through-hole 41 functions as a resin material storage part that stores the resin material.

次に、樹脂材料投入機構（図１６参照）から樹脂材料収容部である貫通孔４１に所定量の樹脂材料４４を投入する。樹脂材料４４としては、常温で顆粒状、粉状、粒状、ゼリー状、ペースト状の樹脂、又は、常温で液状の樹脂（液状樹脂）などの樹脂材料を使用することができる。本実施例においては、樹脂材料４４として顆粒状の樹脂（顆粒樹脂）を使用する場合を説明する。   Next, a predetermined amount of the resin material 44 is charged from the resin material charging mechanism (see FIG. 16) into the through-hole 41 that is the resin material storage portion. As the resin material 44, a resin material such as a granular, powdery, granular, jelly-like, or paste-like resin at room temperature, or a resin (liquid resin) that is liquid at room temperature can be used. In the present embodiment, a case where a granular resin (granular resin) is used as the resin material 44 will be described.

次に、図６（ｃ）に示されるように、材料収容枠４０の周縁部４２に設けられた吸着溝４３を使用して、離型フィルム３７を吸着する。Ｘ−Ｙテーブル３６による離型フィルム３７に対する吸着を、停止する。これらのことによって、離型フィルム３７を周縁部４２の下面に吸着する。この段階で、材料収容枠４０と離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とが一体的に取り扱われる。   Next, as shown in FIG. 6C, the release film 37 is sucked by using the suction groove 43 provided in the peripheral portion 42 of the material storage frame 40. The suction to the release film 37 by the XY table 36 is stopped. Thus, the release film 37 is attracted to the lower surface of the peripheral portion 42. At this stage, the material storage frame 40, the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 are integrally handled.

次に、材料搬送機構３９を使用して、材料収容枠４０と離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とを一括してＸ−Ｙテーブル３６から持ち上げる。多孔質金属３８は通常の金属に比べて軽いので、吸着溝４３を使用して離型フィルム３７を吸着することができる。このことによって、多孔質金属３８と樹脂材料４４とを、離型フィルム３７の上に保持することができる。必要であれば、材料搬送機構３９の保持部３９ｂを使用して、離型フィルム３７に対して外方向に向かって働く張力を印加することができる。   Next, using the material transport mechanism 39, the material storage frame 40, the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 are collectively lifted from the XY table 36. Since the porous metal 38 is lighter than a normal metal, the release film 37 can be sucked using the suction groove 43. Thus, the porous metal 38 and the resin material 44 can be held on the release film 37. If necessary, the holding portion 39b of the material transport mechanism 39 can be used to apply a tension acting outward to the release film 37.

次に、図７を参照して、樹脂封止装置の下型に設けられたキャビティに多孔質金属３８と樹脂材料４４とを供給する工程を説明する。図７（ａ）に示されるように、樹脂封止装置において、下型４５は貫通穴を有する枠状の周面部材４６と、周面部材４６の貫通穴にはめ込まれて周面部材４６に対して相対的に昇降可能な底面部材４７とを備える。周面部材４６と底面部材４７とは、併せて下型４５を構成する。周面部材４６と底面部材４７とによって囲まれた空間が、下型４５におけるキャビティ４８を構成する。   Next, a process of supplying the porous metal 38 and the resin material 44 to the cavity provided in the lower mold of the resin sealing device will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 7A, in the resin sealing device, the lower mold 45 has a frame-shaped peripheral member 46 having a through-hole, and the lower die 45 is fitted into the through-hole of the peripheral member 46 to be attached to the peripheral member 46. And a bottom member 47 which can be moved up and down relatively. The peripheral member 46 and the bottom member 47 together form a lower die 45. The space surrounded by the peripheral member 46 and the bottom member 47 forms a cavity 48 in the lower die 45.

図７（ａ）に示されるように、材料搬送機構３９を使用して材料収容枠４０を下型４５の所定位置の上まで移動させて停止させる。材料収容枠４０に設けられた吸着溝４３が離型フィルム３７を吸着しているので、多孔質金属３８と樹脂材料４４とは落下しないように離型フィルム３７に保持される。   As shown in FIG. 7A, the material accommodating frame 40 is moved to a position above the lower die 45 and stopped by using the material transport mechanism 39. Since the suction groove 43 provided in the material housing frame 40 sucks the release film 37, the porous metal 38 and the resin material 44 are held by the release film 37 so as not to fall.

次に、材料収容枠４０を下降させて下型４５の型面に載置する。この段階においては、離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とは、まだキャビティ４８内には供給されていない。   Next, the material accommodating frame 40 is lowered and placed on the mold surface of the lower mold 45. At this stage, the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 have not been supplied into the cavity 48 yet.

次に、材料収容枠４０を下型４５の型面に載置した後に、材料収容枠４０の吸着溝４３による離型フィルム３７に対する吸着を停止する。材料収容枠４０を下型４５の型面に載置することによって、材料収容枠４０は、下型４５に内蔵されているヒータ（図示なし）から熱を受ける。離型フィルム３７は、熱を受けることによって軟化して伸びる。離型フィルム３７が軟化した状態で、下型４５に設けられた吸着孔（図示なし）によって、キャビティ４８における型面に離型フィルム３７を吸着する。このことにより、離型フィルム３７が、しわやたるみが発生することなくキャビティ４８の形状に沿って吸着される。   Next, after placing the material storage frame 40 on the mold surface of the lower die 45, the suction of the suction groove 43 of the material storage frame 40 to the release film 37 is stopped. By placing the material storage frame 40 on the mold surface of the lower die 45, the material storage frame 40 receives heat from a heater (not shown) built in the lower die 45. The release film 37 is softened and stretched by receiving heat. In a state where the release film 37 is softened, the release film 37 is sucked to the mold surface in the cavity 48 by the suction holes (not shown) provided in the lower die 45. As a result, the release film 37 is adsorbed along the shape of the cavity 48 without wrinkling or sagging.

次に、図７（ｂ）に示されるように、キャビティ４８における型面に離型フィルム３７が吸着されることにより、多孔質金属３８と樹脂材料４４とがキャビティ４８内に供給される。離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とが一括してキャビティ４８内に供給されるので、多孔質金属３８を確実にキャビティ４８内に供給することができる。多孔質金属３８はキャビティ４８よりもわずかに小さい平面形状を有する。したがって、キャビティ４８内に供給された多孔質金属３８は、その後において実質的に同じ位置を保つ。   Next, as shown in FIG. 7B, the release film 37 is attracted to the mold surface of the cavity 48, so that the porous metal 38 and the resin material 44 are supplied into the cavity 48. Since the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 are collectively supplied into the cavity 48, the porous metal 38 can be reliably supplied into the cavity 48. The porous metal 38 has a planar shape slightly smaller than the cavity 48. Thus, the porous metal 38 provided in the cavity 48 will remain substantially the same thereafter.

次に、離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とを一括してキャビティ４８に供給する。その後に、材料搬送機構３９を使用して材料収容枠４０を下型４５から持ち上げる。離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とがキャビティ４８に供給されているので、材料収容枠４０のみが材料搬送機構３９によって保持される。このようにして、材料収容枠４０から離型フィルム３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とを安定してキャビティ４８に供給することができる。   Next, the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 are supplied to the cavity 48 collectively. Thereafter, the material storage frame 40 is lifted from the lower mold 45 by using the material transport mechanism 39. Since the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 are supplied to the cavity 48, only the material accommodating frame 40 is held by the material transport mechanism 39. Thus, the release film 37, the porous metal 38, and the resin material 44 can be stably supplied from the material storage frame 40 to the cavity 48.

以下、図８を参照して、圧縮成形法（コンプレッションモールド法）による樹脂封止装置（図１６参照）を使用して、基板に装着されたチップと多孔質金属３８とを樹脂封止する工程を説明する。図８（ａ）に示されるように、樹脂封止装置において、下型４５に相対向して上型４９が設けられる。上型４９と下型４５とは併せて成形型を構成する。チップ５０が装着された基板５１（封止前基板）が、吸着又はクランプによって上型４９の型面に固定される。図８は、チップ５０がバンプ５２を介して基板５１に装着されている例を示す。   Hereinafter, with reference to FIG. 8, a step of resin-sealing the chip mounted on the substrate and the porous metal 38 using a resin sealing device (see FIG. 16) by a compression molding method (compression molding method). Will be described. As shown in FIG. 8A, in the resin sealing device, an upper die 49 is provided to face the lower die 45. The upper die 49 and the lower die 45 together form a forming die. The substrate 51 (substrate before sealing) on which the chip 50 is mounted is fixed to the mold surface of the upper die 49 by suction or clamp. FIG. 8 shows an example in which the chip 50 is mounted on the substrate 51 via the bump 52.

まず、図８（ａ）に示されるように、成形型を型開きした状態において、基板搬送機構（図１６参照）を使用して、基板５１を上型４９の所定位置に搬送して、上型４９の型面に固定する。図７に示されたように、材料搬送機構３９を使用して樹脂材料４４と多孔質金属３８と離型フィルム３７とを一括して下型４５に設けられたキャビティ４８に供給する。ヒータ（図示なし）を使用して、下型４５に供給された樹脂材料４４を加熱して溶融させることによって、溶融樹脂５３を生成する。   First, as shown in FIG. 8A, in a state where the mold is opened, the substrate 51 is transported to a predetermined position of the upper die 49 by using the substrate transport mechanism (see FIG. 16). It is fixed to the mold surface of the mold 49. As shown in FIG. 7, the resin material 44, the porous metal 38, and the release film 37 are collectively supplied to the cavity 48 provided in the lower die 45 using the material transport mechanism 39. Using a heater (not shown), the resin material 44 supplied to the lower mold 45 is heated and melted to generate a molten resin 53.

次に、型締め機構（図１６参照）を使用して上型４９と下型４５とを型締めする。型締めすることによって、基板５１に装着されたチップ５０をキャビティ４８内で溶融樹脂５３に浸ける。   Next, the upper mold 49 and the lower mold 45 are clamped using a mold clamping mechanism (see FIG. 16). By clamping, the chip 50 mounted on the substrate 51 is immersed in the molten resin 53 in the cavity 48.

上型４９と下型４５と型締めする過程において、真空引き機構（図示なし）を使用してキャビティ４８内を吸引して減圧することが好ましい。このことによって、キャビティ４８内に残留する空気や溶融樹脂５３中に含まれる気泡などを成形型（上型４９及び下型４５）の外部に排出することができる。上型４９と下型４５とを型締めすることによって、多孔質金属３８が圧縮されて変形する。   In the process of clamping the upper mold 49 and the lower mold 45, it is preferable to use a vacuuming mechanism (not shown) to suck the inside of the cavity 48 to reduce the pressure. Thus, air remaining in the cavity 48 and air bubbles contained in the molten resin 53 can be discharged to the outside of the molding die (the upper die 49 and the lower die 45). By clamping the upper mold 49 and the lower mold 45, the porous metal 38 is compressed and deformed.

次に、駆動機構（図示なし）を使用して底面部材４７を上昇させる。底面部材４７を上昇させることによって、キャビティ４８内の溶融樹脂５３に一定の成形圧力（一定の型締め圧力）を加える。   Next, the bottom member 47 is raised using a drive mechanism (not shown). By raising the bottom member 47, a fixed molding pressure (fixed mold clamping pressure) is applied to the molten resin 53 in the cavity 48.

従来の技術によれば、溶融樹脂が加圧されて硬化する前に、金属からなる放熱板とチップとが接触するとチップに一定の成形圧力が加わる。その結果、チップが成形圧力によって破損するおそれがある。チップの破損を防止するために、放熱板とチップとの間に良熱伝導性部材を介在させて樹脂封止を行う。   According to the conventional technique, before the molten resin is pressurized and hardened, a fixed molding pressure is applied to the chip when the heat sink made of metal contacts the chip. As a result, the chip may be damaged by the molding pressure. In order to prevent breakage of the chip, resin sealing is performed with a good heat conductive member interposed between the heat sink and the chip.

本発明においては、多数の３次元連通孔を有する多孔質金属３８を使用する。加えて、繊維状の構造を有する多孔質金属３８を使用する。これらのことにより、多孔質金属３８は優れた応力緩和性を有する。具体的には、上型４９と下型４５とを型締めすることによって、一定の成形圧力によって多孔質金属３８が圧縮されて変形する。又は、溶融樹脂５３に加えられた一定の成形圧力によって、多孔質金属３８が圧縮されて変形する。これらのことは他の実施例においても同様である。したがって、多孔質金属３８とチップ５０とが接触した場合及び接触しない場合の双方において、多孔質金属３８によって成形圧力が減らされるので、チップ５０に加わる成形圧力を抑制することができる。このことによって、チップ５０と多孔質金属３８とが接触した状態及び接触しない状態の双方において、チップの破損を防止して樹脂封止を行うことができる。   In the present invention, a porous metal 38 having many three-dimensional communication holes is used. In addition, a porous metal 38 having a fibrous structure is used. For these reasons, the porous metal 38 has an excellent stress relaxation property. Specifically, by clamping the upper die 49 and the lower die 45, the porous metal 38 is compressed and deformed by a constant molding pressure. Alternatively, the porous metal 38 is compressed and deformed by a constant molding pressure applied to the molten resin 53. The same applies to other embodiments. Therefore, in both the case where the porous metal 38 and the chip 50 are in contact with each other and the case where the chip 50 is not in contact, the molding pressure is reduced by the porous metal 38, so that the molding pressure applied to the chip 50 can be suppressed. Accordingly, in both the state where the chip 50 and the porous metal 38 are in contact with each other and the state where the chip is not in contact with the chip 50, the chip can be prevented from being damaged and resin sealing can be performed.

次に、図８（ｂ）に示されるように、底面部材４７を所定の距離だけ上昇させることによって、キャビティ４８内において多孔質金属３８とチップ５０とを接触させる。多孔質金属３８とチップ５０とが接触した状態で、引き続き溶融樹脂５３を加熱することによって硬化樹脂５４を形成する。チップ５０と多孔質金属３８とが接触した状態のまま、硬化樹脂５４によってチップ５０と多孔質金属３８とが樹脂封止される。この過程において、多孔質金属３８の頂面と側面とが露出する状態で、硬化樹脂５４に多孔質金属３８が固着される。   Next, as shown in FIG. 8B, the porous metal 38 and the chip 50 are brought into contact in the cavity 48 by raising the bottom member 47 by a predetermined distance. With the porous metal 38 and the chip 50 in contact with each other, the molten resin 53 is heated to form the cured resin 54. The chip 50 and the porous metal 38 are resin-sealed by the cured resin 54 while the chip 50 and the porous metal 38 are in contact with each other. In this process, the porous metal 38 is fixed to the cured resin 54 with the top and side surfaces of the porous metal 38 exposed.

次に、図８（ｃ）に示されるように、樹脂封止が終了した後に、型締め機構（図１６参照）を使用して下型４５を下降させる。この動作によって、上型４９と下型４５とが型開きされる。型開きした後に、多孔質金属３８が固着された成形品（封止済基板）５５を上型４９から取り出す。本実施例において樹脂封止された成形品５５が、図２（ｂ）に示された電子部品１６に相当する。   Next, as shown in FIG. 8C, after the resin sealing is completed, the lower mold 45 is lowered using the mold clamping mechanism (see FIG. 16). By this operation, the upper die 49 and the lower die 45 are opened. After opening the mold, the molded product (sealed substrate) 55 to which the porous metal 38 is fixed is taken out from the upper mold 49. The molded product 55 sealed with resin in the present embodiment corresponds to the electronic component 16 shown in FIG.

本実施例によれば、放熱板として、多数の３次元連通孔と繊維状の構造とを有する多孔質金属３８を使用する。これによって、樹脂封止される多孔質金属３８とチップ５０とが接触した場合において、チップ５０に加わる成形圧力が多孔質金属３８によって緩和される。したがって、チップ５０に加わる成形圧力を抑制することができる。これにより、チップ５０と多孔質金属３８とが接触した状態において、チップの破損を防止して樹脂封止を行うことができる。したがって、チップ５０が発する熱を効率的に外部に放出することができるので、成形品（電子部品）５５の放熱効果を高めることができる。   According to the present embodiment, a porous metal 38 having a large number of three-dimensional communication holes and a fibrous structure is used as a heat sink. Accordingly, when the porous metal 38 to be sealed with the resin and the chip 50 come into contact with each other, the molding pressure applied to the chip 50 is reduced by the porous metal 38. Therefore, the molding pressure applied to the chip 50 can be suppressed. Thus, in a state where the chip 50 and the porous metal 38 are in contact with each other, the chip can be prevented from being damaged and the resin can be sealed. Therefore, since the heat generated by the chip 50 can be efficiently released to the outside, the heat radiation effect of the molded article (electronic component) 55 can be enhanced.

図９〜図１１を参照して、多孔質金属からなる複数の放熱板と複数のチップとを一括して樹脂封止する、本発明に係る電子部品の製造方法を説明する。本実施例において製造される電子部品の数は、例えば、１個であっても複数個であってもよい。基本的な工程は、実施例５と同じなので説明を簡略化する。   With reference to FIGS. 9 to 11, a method for manufacturing an electronic component according to the present invention, in which a plurality of heatsinks and a plurality of chips made of porous metal are collectively resin-sealed. The number of electronic components manufactured in this embodiment may be, for example, one or more. Since the basic steps are the same as those in the fifth embodiment, the description will be simplified.

まず、図９（ａ）に示されるように、Ｘ−Ｙテーブル３６の上に離型フィルム３７を被覆する。離型フィルム３７の必要な部分を残して離型フィルム３７をカットする。   First, as shown in FIG. 9A, a release film 37 is coated on the XY table 36. The release film 37 is cut leaving a necessary portion of the release film 37.

次に、離型フィルム３７の上の所定位置に複数の多孔質金属３８を載置する。離型フィルム３７の所定領域又は複数の多孔質金属３８に微量の粘着剤（図示なし）を予め形成してもよい。この場合には、複数の多孔質金属３８は粘着剤によって離型フィルム３７の上に固定される。   Next, a plurality of porous metals 38 are placed at predetermined positions on the release film 37. A small amount of an adhesive (not shown) may be formed in a predetermined area of the release film 37 or a plurality of porous metals 38 in advance. In this case, the plurality of porous metals 38 are fixed on the release film 37 by an adhesive.

次に、材料搬送機構３９を使用して、材料収容枠４０をＸ−Ｙテーブル３６の上方に移動させて、離型フィルム３７の上に材料収容枠４０を載置する。材料収容枠４０がＸ−Ｙテーブル３６の上に載置された状態で、材料収容枠４０の貫通孔４１の中に複数の多孔質金属３８を配置する。   Next, the material accommodating frame 40 is moved above the XY table 36 using the material transport mechanism 39, and the material accommodating frame 40 is placed on the release film 37. With the material storage frame 40 placed on the XY table 36, a plurality of porous metals 38 are arranged in the through holes 41 of the material storage frame 40.

次に、図９（ｂ）に示されるように、樹脂材料投入機構（図１６参照）から貫通孔４１に所定量の樹脂材料４４を投入する。実施例５と同様に、樹脂材料４４として顆粒樹脂を使用する。貫通孔４１において、樹脂材料４４は離型フィルム３７及び複数の多孔質金属３８の上に投入される。   Next, as shown in FIG. 9B, a predetermined amount of the resin material 44 is charged into the through hole 41 from the resin material charging mechanism (see FIG. 16). As in the fifth embodiment, a granular resin is used as the resin material 44. In the through hole 41, the resin material 44 is put on the release film 37 and the plurality of porous metals 38.

次に、図９（ｃ）に示されるように、材料搬送機構３９を使用して、材料収容枠４０と離型フィルム３７と複数の多孔質金属３８と樹脂材料４４とを一括してＸ−Ｙテーブル３６から持ち上げて搬送する。必要に応じて、複数の多孔質金属３８と樹脂材料４４とが落下しないように、材料搬送機構３９の保持部３９ｂを使用して離型フィルム３７に対して外方向に向かって働く張力を印加することができる。   Next, as shown in FIG. 9C, the material storage frame 40, the release film 37, the plurality of porous metals 38, and the resin material 44 are collectively transferred using the material transport mechanism 39. It is lifted from the Y table 36 and transported. If necessary, apply a tension acting outward to the release film 37 using the holding portion 39b of the material transport mechanism 39 so that the plurality of porous metals 38 and the resin material 44 do not fall. can do.

次に、図１０（ａ）に示されるように、材料搬送機構３９を使用して材料収容枠４０を下型４５の所定位置の上まで移動させ、下型４５に設けられたキャビティ４８と材料収容枠４０との位置合わせを行う。次に、材料収容枠４０を下降させて、下型４５の型面に載置する。離型フィルム３７は、下型４５に内蔵されているヒータ（図示なし）から熱を受けることによって軟化して伸びる。   Next, as shown in FIG. 10A, the material accommodating frame 40 is moved to a predetermined position on the lower mold 45 by using the material transport mechanism 39, and the cavity 48 provided in the lower mold 45 and the material are moved. The positioning with the storage frame 40 is performed. Next, the material accommodating frame 40 is lowered and placed on the mold surface of the lower mold 45. The release film 37 is softened and expanded by receiving heat from a heater (not shown) built in the lower die 45.

次に、図１０（ｂ）に示されるように、離型フィルム３７が軟化した状態で、下型４５に設けられた吸着孔（図示なし）を使用して、キャビティ４８における型面に離型フィルム３７を吸着する。離型フィルム３７が下型４５の型面に吸着される。このことにより、複数の多孔質金属３８と樹脂材料４４とがキャビティ４８内に供給される。複数の多孔質金属３８は粘着剤によって固定されているので、キャビティ４８内の所定領域に複数の多孔質金属３８がそれぞれ供給される。   Next, as shown in FIG. 10B, in a state where the release film 37 is softened, the release surface is released from the mold surface in the cavity 48 by using a suction hole (not shown) provided in the lower die 45. The film 37 is sucked. The release film 37 is attracted to the mold surface of the lower mold 45. Thus, the plurality of porous metals 38 and the resin material 44 are supplied into the cavity 48. Since the plurality of porous metals 38 are fixed by the adhesive, the plurality of porous metals 38 are supplied to predetermined regions in the cavity 48, respectively.

次に、離型フィルム３７と複数の多孔質金属３８と樹脂材料４４とを一括してキャビティ４８に供給した後に、材料搬送機構３９を使用して材料収容枠４０を下型４５から持ち上げる。このようにして、材料収容枠４０から離型フィルム３７と複数の多孔質金属３８と樹脂材料４４とを安定してキャビティ４８に供給することができる。   Next, after the release film 37, the plurality of porous metals 38, and the resin material 44 are collectively supplied to the cavity 48, the material accommodating frame 40 is lifted from the lower die 45 using the material transport mechanism 39. In this manner, the release film 37, the plurality of porous metals 38, and the resin material 44 can be stably supplied from the material storage frame 40 to the cavity 48.

次に、図１１（ａ）に示されるように、成形型を型開きした状態において、基板搬送機構（図１６参照）を使用して基板５１を上型４９の所定位置に搬送し、上型４９に固定する。基板５１には複数のチップ５０が装着されている。ヒータ（図示なし）を使用して、下型４５に供給された樹脂材料４４を加熱して溶融させることによって、溶融樹脂５３を生成する。各多孔質金属３８と各チップ５０とは、同じ平面形状を有する。各多孔質金属３８と各チップ５０とが図の水平方向にずれることがないように位置決めして、基板５１を上型４９の所定位置に固定する。   Next, as shown in FIG. 11A, in a state where the mold is opened, the substrate 51 is transported to a predetermined position of the upper die 49 by using the substrate transport mechanism (see FIG. 16). Fix to 49. A plurality of chips 50 are mounted on the substrate 51. Using a heater (not shown), the resin material 44 supplied to the lower mold 45 is heated and melted to generate a molten resin 53. Each porous metal 38 and each chip 50 have the same planar shape. The porous metal 38 and each chip 50 are positioned so as not to be displaced in the horizontal direction in the figure, and the substrate 51 is fixed to a predetermined position of the upper die 49.

次に、型締め機構（図１６参照）を使用して上型４９と下型４５とを型締めする。型締めすることによって、基板５１に装着された複数のチップ５０をキャビティ４８内で溶融樹脂５３に浸ける。   Next, the upper mold 49 and the lower mold 45 are clamped using a mold clamping mechanism (see FIG. 16). The plurality of chips 50 mounted on the substrate 51 are immersed in the molten resin 53 in the cavity 48 by clamping.

次に、図１１（ｂ）に示されるように、底面部材４７を所定の距離だけ上昇させることによって、キャビティ４８内において複数の多孔質金属３８と複数のチップ５０とをそれぞれ接触させる。複数のチップ５０とそれらに対応する複数の多孔質金属３８とが接触した状態で、引き続き溶融樹脂５３を加熱することによって硬化樹脂５４を形成する。複数のチップ５０と複数の多孔質金属３８とが接触した状態のまま、硬化樹脂５４によって複数のチップ５０と複数の多孔質金属３８とが樹脂封止される。この過程において、複数の多孔質金属３８の頂面が露出する状態で、複数のチップ５０に複数の多孔質金属３８がそれぞれ固着される。   Next, as shown in FIG. 11B, the plurality of porous metals 38 are brought into contact with the plurality of chips 50 in the cavity 48 by raising the bottom member 47 by a predetermined distance. While the plurality of chips 50 and the corresponding plurality of porous metals 38 are in contact with each other, the molten resin 53 is continuously heated to form the cured resin 54. The plurality of chips 50 and the plurality of porous metals 38 are resin-sealed with the cured resin 54 while the plurality of chips 50 and the plurality of porous metals 38 are in contact with each other. In this process, the plurality of porous metals 38 are respectively fixed to the plurality of chips 50 in a state where the top surfaces of the plurality of porous metals 38 are exposed.

次に、図１１（ｃ）に示されるように、樹脂封止が終了した後に、型締め機構（図１６参照）を使用して下型４５を下降させる。この動作によって、上型４９と下型４５とが型開きされる。型開きした後に、複数のチップ５０の上に複数の多孔質金属３８がそれぞれ積層された成形品５５を上型４９から取り出す。   Next, as shown in FIG. 11C, after the resin sealing is completed, the lower mold 45 is lowered using the mold clamping mechanism (see FIG. 16). By this operation, the upper die 49 and the lower die 45 are opened. After opening the mold, the molded product 55 in which the plurality of porous metals 38 are respectively stacked on the plurality of chips 50 is taken out from the upper mold 49.

次に、取り出された成形品５５を、複数のチップ５０とそれらに対応する多孔質金属３８とがそれぞれ積層された領域毎に切断する。成形品５５を切断することによって個々の電子部品に個片化する。個片化されたそれぞれの電子部品が、図２（ａ）に示された電子部品１６に相当する。   Next, the removed molded article 55 is cut into regions where the plurality of chips 50 and the corresponding porous metal 38 are stacked, respectively. The molded product 55 is cut into individual electronic components by cutting. Each of the individualized electronic components corresponds to the electronic component 16 shown in FIG.

本実施例によれば、放熱板として、多数の３次元連通孔と繊維状の構造とを有する多孔質金属３８を使用する。したがって、複数の多孔質金属３８と複数のチップ５０とが接触した場合において、各多孔質金属３８によって、各チップ５０に加わる成形圧力が緩和される。したがって、各チップ５０に加わる成形圧力を抑制することができる。このことによって、複数のチップ５０と複数の多孔質金属３８とが接触した状態において樹脂封止を行うことができる。したがって、個片化された電子部品において、チップ５０が発する熱を効率的に外部に放出することができるので、放熱効果を高めることができる。   According to the present embodiment, a porous metal 38 having a large number of three-dimensional communication holes and a fibrous structure is used as a heat sink. Therefore, when the plurality of porous metals 38 and the plurality of chips 50 come into contact with each other, the molding pressure applied to each chip 50 is reduced by each porous metal 38. Therefore, the molding pressure applied to each chip 50 can be suppressed. Thus, resin sealing can be performed in a state where the plurality of chips 50 and the plurality of porous metals 38 are in contact with each other. Therefore, in the individualized electronic components, the heat generated by the chip 50 can be efficiently released to the outside, so that the heat radiation effect can be enhanced.

変形例として、複数のチップ５０の上にそれぞれ１つの多孔質金属３８が積層された成形品５５自体が１個の電子部品に相当する場合がある。その例の１つは、１枚の基板５１に装着された複数のチップ５０が、ひとまとまりになって回路モジュールとして機能する場合である。複数のチップ５０が同種である、メモリモジュールのような態様がある。複数のチップ５０が異種である、制御用の電子モジュールのような態様がある。複数のチップ５０に、受動素子、センサ、フィルタなどのチップ、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）などのデバイスと半導体チップとが含まれてもよい。複数のチップ５０の上にそれぞれ多孔質金属３８が積層されてもよく、複数のチップ５０の上に共通する１枚の多孔質金属３８が積層されてもよい。複数のチップ５０を一括して樹脂封止する場合には、ここまで説明した変形例が適用される。   As a modified example, the molded product 55 itself in which one porous metal 38 is laminated on a plurality of chips 50 may correspond to one electronic component. One of the examples is a case where a plurality of chips 50 mounted on one substrate 51 function as a circuit module as a unit. There is an embodiment like a memory module in which a plurality of chips 50 are the same kind. There is a mode like a control electronic module in which a plurality of chips 50 are different types. The plurality of chips 50 may include chips such as passive elements, sensors, and filters, devices such as MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and semiconductor chips. The porous metal 38 may be stacked on each of the plurality of chips 50, or one common porous metal 38 may be stacked on the plurality of chips 50. When a plurality of chips 50 are collectively sealed with resin, the above-described modifications are applied.

複数のチップ５０を一括して樹脂封止する場合には、各チップ５０にそれぞれ対応する複数の多孔質金属３８を使用する。複数のチップ５０の一部分である複数のチップ５０に対応する１枚の多孔質金属３８を、複数枚使用してもよい。複数のチップ５０のすべてに対応する１枚の多孔質金属３８を使用してもよい。いずれの場合においても、複数のチップ５０の高さ位置が異なる場合には、多孔質金属３８が圧縮されて変形することにより、成形品５５における高さ位置（図１１（ｃ）における下面の位置）を均一にすることができる。複数のチップ５０の高さ位置が異なる場合には、複数の同種のチップ５０の厚さがばらつく場合、複数の異種のチップ５０の厚さが互いに異なる場合などが含まれる。   When a plurality of chips 50 are collectively resin-sealed, a plurality of porous metals 38 corresponding to the respective chips 50 are used. A plurality of one porous metal 38 corresponding to the plurality of chips 50 which are a part of the plurality of chips 50 may be used. One porous metal 38 corresponding to all of the plurality of chips 50 may be used. In any case, when the height positions of the plurality of chips 50 are different, the porous metal 38 is compressed and deformed, and thereby the height position of the molded product 55 (the position of the lower surface in FIG. ) Can be made uniform. A case where the height positions of the plurality of chips 50 are different, a case where the thicknesses of the plurality of chips 50 of the same type vary, and a case where the thicknesses of the plurality of different types of chips 50 are mutually different are included.

図１２〜図１４を参照して、本発明に係る電子部品の製造方法の実施例を説明する。まず、図１２（ａ）に示されるように、Ｘ−Ｙテーブル３６の上の所定位置に、ふた状の形状を有する多孔質金属５６を、上下（天地）逆にして（頂面側を下にして）載置する。ふた状の形状を有する多孔質金属５６は、内部空間５７を有する。したがって、多孔質金属５６を上下逆に載置することによって、多孔質金属５６の内部空間５７が樹脂材料を収容する樹脂材料収容部として機能する。なお、本実施例においては、離型フィルムを使用しない例を示す。   An embodiment of the method for manufacturing an electronic component according to the present invention will be described with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 12A, a porous metal 56 having a lid shape is turned upside down (top and bottom) (top side down) at a predetermined position on the XY table 36. ). The porous metal 56 having a lid shape has an internal space 57. Therefore, by placing the porous metal 56 upside down, the internal space 57 of the porous metal 56 functions as a resin material storage section for storing the resin material. In this example, an example in which a release film is not used is shown.

次に、材料搬送機構５８を使用して、材料収容枠５９をＸ−Ｙテーブル３６の上方まで移動させて停止させる。材料収容枠５９は、上下に開口を有する貫通孔４１と、貫通孔４１の周囲に形成された周縁部６０とを備える。材料搬送機構５８は、材料収容枠５９を保持する保持部５８ａと多孔質金属５６を保持する保持部５８ｂとを備える。材料搬送機構５８において、保持部５８ａと保持部５８ｂとは独立して動作するように設けられる。   Next, using the material transport mechanism 58, the material storage frame 59 is moved to a position above the XY table 36 and stopped. The material storage frame 59 includes a through-hole 41 having an opening at the top and bottom, and a peripheral edge portion 60 formed around the through-hole 41. The material transport mechanism 58 includes a holding portion 58a that holds the material housing frame 59 and a holding portion 58b that holds the porous metal 56. In the material transport mechanism 58, the holding unit 58a and the holding unit 58b are provided so as to operate independently.

次に、図１２（ｂ）に示されるように、材料収容枠５９を下降させ、材料収容枠５９の貫通孔４１に多孔質金属５６をはめ込むようにして、材料収容枠５９をＸ−Ｙテーブル３６の上に載置する。次に、樹脂材料投入機構（図１６参照）から、樹脂材料収容部として機能する多孔質金属５６の内部空間５７に所定量の樹脂材料４４を投入する。本実施例においては、樹脂材料４４として顆粒樹脂を使用する場合を説明する。   Next, as shown in FIG. 12B, the material storage frame 59 is lowered, and the porous metal 56 is fitted into the through-hole 41 of the material storage frame 59, so that the material storage frame 59 is placed on the XY table. Place on top of 36. Next, a predetermined amount of the resin material 44 is charged into the internal space 57 of the porous metal 56 functioning as a resin material storage unit from the resin material charging mechanism (see FIG. 16). In this embodiment, a case where a granular resin is used as the resin material 44 will be described.

次に、図１２（ｃ）に示されるように、材料搬送機構５８を使用して、材料収容枠５９と多孔質金属５６と樹脂材料４４とを一括してＸ−Ｙテーブル３６から持ち上げる。材料搬送機構５８の保持部５８ａによって材料収容枠５９を保持し、保持部５８ｂによって多孔質金属５６を保持する。樹脂材料４４は、多孔質金属５６の内部空間５７に載置された状態で搬送される。   Next, as shown in FIG. 12C, the material storage frame 59, the porous metal 56, and the resin material 44 are collectively lifted from the XY table 36 using the material transport mechanism 58. The material storage frame 59 is held by the holding portion 58a of the material transport mechanism 58, and the porous metal 56 is held by the holding portion 58b. The resin material 44 is conveyed while being placed in the internal space 57 of the porous metal 56.

次に、図１３（ａ）に示されるように、材料搬送機構５８を使用して材料収容枠５９を下型４５の所定位置の上まで移動させて停止させる。その後に、材料収容枠５９を下降させて、下型４５の型面に載置する。この段階においては、多孔質金属５６と樹脂材料４４とは、まだキャビティ４８内には供給されていない。   Next, as shown in FIG. 13A, the material accommodating frame 59 is moved to a position above the predetermined position of the lower die 45 by using the material transport mechanism 58 and stopped. After that, the material storage frame 59 is lowered and placed on the mold surface of the lower mold 45. At this stage, the porous metal 56 and the resin material 44 have not been supplied into the cavity 48 yet.

次に、料収容枠５９を下型４５の型面に載置した後に、材料搬送機構５８の保持部５８ｂによる多孔質金属５６対する保持を停止する。このことによって、多孔質金属５６と樹脂材料４４とが一括してキャビティ４８内に供給される。樹脂材料４４は、多孔質金属５６の内部空間５７に載置された状態で供給される。多孔質金属５６はキャビティ４８よりもわずかに小さい平面形状を有する。したがって、キャビティ４８内に供給された多孔質金属５６は、その後において実質的に同じ位置を保つ。   Next, after placing the charge housing frame 59 on the mold surface of the lower mold 45, the holding of the porous metal 56 by the holding portion 58b of the material transport mechanism 58 is stopped. As a result, the porous metal 56 and the resin material 44 are supplied into the cavity 48 collectively. The resin material 44 is supplied while being placed in the internal space 57 of the porous metal 56. The porous metal 56 has a planar shape slightly smaller than the cavity 48. Thus, the porous metal 56 supplied into the cavity 48 will remain substantially the same thereafter.

次に、図１３（ｂ）に示されるように、多孔質金属５６と樹脂材料４４とを一括してキャビティ４８に供給した後に、材料搬送機構５８を使用して材料収容枠５９を下型４５から持ち上げる。材料搬送機構５８の保持部５８ａによって材料収容枠５９のみが保持される。このようにして、材料収容枠５９から多孔質金属５６と樹脂材料４４とを安定してキャビティ４８に供給することができる。   Next, as shown in FIG. 13B, after the porous metal 56 and the resin material 44 are supplied to the cavity 48 in a lump, the material accommodating frame 59 is moved to the lower mold 45 by using the material conveying mechanism 58. Lift from. Only the material storage frame 59 is held by the holding portion 58a of the material transport mechanism 58. In this manner, the porous metal 56 and the resin material 44 can be stably supplied from the material storage frame 59 to the cavity 48.

次に、図１４（ａ）に示されるように、成形型を型開きした状態において、基板搬送機構（図１６参照）を使用して基板５１を上型４９の所定位置に搬送し、上型４９に固定する。図１３に示されたように、材料搬送機構５９によって樹脂材料４４と多孔質金属５６とを一括して下型４５に設けられたキャビティ４８に供給する。ヒータ（図示なし）を使用して、下型４５に供給された樹脂材料４４を加熱して溶融させることによって、溶融樹脂５３を生成する。本実施例においては、溶融樹脂５３が多孔質金属５６の内部空間５７内において生成される。   Next, as shown in FIG. 14A, in a state where the mold is opened, the substrate 51 is transported to a predetermined position of the upper die 49 by using the substrate transport mechanism (see FIG. 16). Fix to 49. As shown in FIG. 13, the resin material 44 and the porous metal 56 are collectively supplied to the cavity 48 provided in the lower mold 45 by the material transport mechanism 59. Using a heater (not shown), the resin material 44 supplied to the lower mold 45 is heated and melted to generate a molten resin 53. In this embodiment, the molten resin 53 is generated in the internal space 57 of the porous metal 56.

次に、型締め機構（図１６参照）を使用して上型４９と下型４５とを型締めする。型締めすることによって、基板５１に装着されたチップ５０を、多孔質金属５６の内部空間５７内で生成された溶融樹脂５３に浸ける。多孔質金属５６の内部空間５７内に生成された溶融樹脂５３にチップ５０を浸けることによって、溶融樹脂５３の液面（図では上面）が多孔質金属５６の内部空間５７からキャビティ４８内にわずかに上昇する。ここまでの工程によって、キャビティ４８内において、多孔質金属５６とチップ５０とが溶融樹脂５３に浸かる。   Next, the upper mold 49 and the lower mold 45 are clamped using a mold clamping mechanism (see FIG. 16). By clamping, the chip 50 mounted on the substrate 51 is immersed in the molten resin 53 generated in the internal space 57 of the porous metal 56. By immersing the chip 50 in the molten resin 53 generated in the internal space 57 of the porous metal 56, the liquid level (the upper surface in the figure) of the molten resin 53 slightly changes from the internal space 57 of the porous metal 56 into the cavity 48. To rise. Through the steps so far, the porous metal 56 and the chip 50 are immersed in the molten resin 53 in the cavity 48.

次に、図１４（ｂ）に示されるように、駆動機構（図示なし）を使用して底面部材４７を所定の距離だけ上昇させる。底面部材４７を上昇させることによって、キャビティ４８内の溶融樹脂５３を加圧する。底面部材４７によって溶融樹脂５３を加圧すると共に、多孔質金属５６の外側（図では上側）の底面を基板５１に設けられた接地電極４ａ（図３参照）に接触させる。   Next, as shown in FIG. 14B, the bottom member 47 is raised by a predetermined distance using a driving mechanism (not shown). By raising the bottom member 47, the molten resin 53 in the cavity 48 is pressurized. The molten resin 53 is pressed by the bottom surface member 47, and the bottom surface (upper side in the figure) of the porous metal 56 is brought into contact with the ground electrode 4 a (see FIG. 3) provided on the substrate 51.

本実施例においては、繊維状の構造を有する多孔質金属５６を使用する。したがって、多孔質金属５６の表面には、多数の繊維によって微小な凹凸が形成される。多孔質金属５６の外側の底面には、多数の繊維の端部及び曲がり部が突起として存在する。これらの多数の繊維の突起が溶融樹脂５３をかき分けて接地電極４ａに接触する。したがって、多孔質金属５６が溶融樹脂５３に浸かった状態で樹脂封止を行う場合において、多孔質金属５６の外側の底面と接地電極４ａとを接続することができる。多孔質金属５６を電気的に接地することができるので、多孔質金属５６を電磁遮蔽板として使用することができる。   In this embodiment, a porous metal 56 having a fibrous structure is used. Therefore, fine irregularities are formed on the surface of the porous metal 56 by a large number of fibers. On the outer bottom surface of the porous metal 56, many end portions and bent portions of the fibers exist as projections. These numerous fiber protrusions push through the molten resin 53 and come into contact with the ground electrode 4a. Therefore, when resin sealing is performed with the porous metal 56 immersed in the molten resin 53, the bottom surface outside the porous metal 56 can be connected to the ground electrode 4a. Since the porous metal 56 can be electrically grounded, the porous metal 56 can be used as an electromagnetic shielding plate.

次に、多孔質金属５６の外側の底面と接地電極４ａとが接触した状態で、引き続き溶融樹脂５３を加熱することによって硬化樹脂５４を形成する。多孔質金属５６の外側の底面と接地電極４ａとが接触した状態のまま、硬化樹脂５４によってチップ５０と多孔質金属５６とが樹脂封止される。この過程において、多孔質金属５６の頂面と側面とが露出する状態で、硬化樹脂５４に多孔質金属５６が固着される。   Next, while the bottom surface outside the porous metal 56 is in contact with the ground electrode 4a, the molten resin 53 is continuously heated to form the cured resin 54. The chip 50 and the porous metal 56 are resin-sealed with the cured resin 54 while the outer bottom surface of the porous metal 56 is in contact with the ground electrode 4a. In this process, the porous metal 56 is fixed to the cured resin 54 with the top surface and the side surfaces of the porous metal 56 exposed.

次に、図１４（ｃ）に示されるように、樹脂封止が終了した後に、型締め機構（図１６参照）を使用して下型４５を下降させる。この動作によって、上型４９と下型４５とが型開きされる。型開きした後に、多孔質金属５６が固着された成形品５５を上型４９から取り出す。本実施例において樹脂封止された成形品５５が、図３に示された電子部品２２に相当する。   Next, as shown in FIG. 14C, after the resin sealing is completed, the lower mold 45 is lowered using the mold clamping mechanism (see FIG. 16). By this operation, the upper die 49 and the lower die 45 are opened. After opening the mold, the molded product 55 to which the porous metal 56 is fixed is taken out from the upper mold 49. The molded product 55 sealed with resin in the present embodiment corresponds to the electronic component 22 shown in FIG.

本実施例によれば、電磁遮蔽板として、ふた状の形状を有する多孔質金属５６を使用した。多孔質金属５６が有する内部空間５７に樹脂材料４４を載置した状態で、キャビティ４８に樹脂材料４４と多孔質金属５６とを供給することができる。したがって、離型フィルムを使用することなく、樹脂材料４４と多孔質金属５６とを搬送することができる。これにより、樹脂封止装置の構成を簡略化することができる。加えて、離型フィルムを使用しないので、製造コスト及び材料コストを抑制することができる。   According to this embodiment, a porous metal 56 having a lid shape was used as the electromagnetic shielding plate. The resin material 44 and the porous metal 56 can be supplied to the cavity 48 while the resin material 44 is placed in the internal space 57 of the porous metal 56. Therefore, the resin material 44 and the porous metal 56 can be transported without using a release film. Thereby, the configuration of the resin sealing device can be simplified. In addition, since a release film is not used, manufacturing costs and material costs can be reduced.

本実施例によれば、ふた状の形状を有する多孔質金属５６を使用する。繊維状の構造を有する多孔質金属５６を使用するので、多孔質金属５６の底面には多数の繊維の突起が存在する。これらの繊維の突起によって、多孔質金属５６が溶融樹脂５３に浸かった状態で樹脂封止を行う場合において、多孔質金属５６の外側の底面と基板５１に設けられた接地電極４ａとを接続することができる。したがって、ふた状の形状を有する多孔質金属５６は、放熱板及び電磁遮蔽板として機能する。   According to this embodiment, a porous metal 56 having a lid shape is used. Since the porous metal 56 having a fibrous structure is used, a large number of fiber protrusions are present on the bottom surface of the porous metal 56. When resin sealing is performed with the porous metal 56 immersed in the molten resin 53 by the projections of these fibers, the bottom surface outside the porous metal 56 is connected to the ground electrode 4a provided on the substrate 51. be able to. Therefore, the porous metal 56 having a lid shape functions as a heat sink and an electromagnetic shielding plate.

本実施例においては、多孔質金属５６とチップ５０との間に硬化樹脂５４を形成した場合を説明した。これに限らず、多孔質金属５６の内底面とチップ５０の副面とを直接接触させた状態であって、多孔質金属５６の外側の底面を基板５１の接地電極４ａに直接接触させた状態において、樹脂封止することができる。この場合には、図４（ａ）に示された電子部品２６のような構造になるので、多孔質金属５６が放熱板及び電磁遮蔽板としての機能をいっそう発揮することができる。   In the present embodiment, the case where the cured resin 54 is formed between the porous metal 56 and the chip 50 has been described. However, the present invention is not limited to this. The state in which the inner bottom surface of the porous metal 56 is directly in contact with the sub surface of the chip 50, and the state in which the outer bottom surface of the porous metal 56 is directly in contact with the ground electrode 4 a of the substrate 51. Can be resin-sealed. In this case, the structure becomes like the electronic component 26 shown in FIG. 4A, so that the porous metal 56 can further exert the function as the heat sink and the electromagnetic shielding plate.

多孔質金属５６の上に樹脂材料４４を供給する前に、下型４５に設けられたキャビティ４８の内底面に多孔質金属５６を配置してもよい。この場合には、キャビティ４８に対して多孔質金属５６を位置合わせするために、以下の構成を採用できる。キャビティ４８に突起（ピンなど）を設け、多孔質金属５６に窪み、開口（穴）などを設ける。キャビティ４８の内底面に窪みを設け、多孔質金属５６に突起を設けてもよい。多孔質金属５６の平面形状をキャビティ４８の内底面の平面形状よりもわずかに小さくしてもよい。これらの突起と窪みなどとの組合せ、及び、平面形状同士の関係は、位置合わせ手段を構成する。キャビティ４８に対して多孔質金属５６を位置合わせして、キャビティ４８の内底面に多孔質金属５６を配置する。その後に、多孔質金属５６の上に樹脂材料４４を供給する。   Before supplying the resin material 44 onto the porous metal 56, the porous metal 56 may be arranged on the inner bottom surface of the cavity 48 provided in the lower die 45. In this case, the following configuration can be adopted to align the porous metal 56 with the cavity 48. Protrusions (pins and the like) are provided in the cavity 48, and depressions and openings (holes) are provided in the porous metal 56. A depression may be provided on the inner bottom surface of the cavity 48, and a projection may be provided on the porous metal 56. The planar shape of the porous metal 56 may be slightly smaller than the planar shape of the inner bottom surface of the cavity 48. The combination of these projections and depressions and the relationship between the planar shapes constitute a positioning means. The porous metal 56 is aligned with the cavity 48, and the porous metal 56 is arranged on the inner bottom surface of the cavity 48. After that, the resin material 44 is supplied onto the porous metal 56.

図１５を参照して、本発明に係る電子部品の製造方法の実施例を説明する。図１５に示されるように、まず、それぞれ１個（複数個でもよい）のチップ５０が配置された領域が複数個形成された基板５１を、準備する。１個の領域が１個の電子部品に相当する。各領域に対応する凹部（内部空間）５７ａが形成された多孔質金属５６ａを準備する。凹部５７ａは、例えばプレス加工によって形成される。   Referring to FIG. 15, an embodiment of a method for manufacturing an electronic component according to the present invention will be described. As shown in FIG. 15, first, a substrate 51 in which a plurality of regions where one (or a plurality of) chips 50 are arranged is formed is prepared. One region corresponds to one electronic component. A porous metal 56a in which a concave portion (internal space) 57a corresponding to each region is formed is prepared. The recess 57a is formed by, for example, press working.

次に、多孔質金属５６ａにおける各凹部５７ａを区切る壁部の端面（図では上面）を、導電性接着剤（図示なし）などを使用して、基板５１に形成された接地電極４ａに固定する。これにより、多孔質金属５６ａの壁部における端面（図では上面）が、接地電極４ａに接続される。   Next, the end surface (the upper surface in the figure) of the wall section separating each concave portion 57a of the porous metal 56a is fixed to the ground electrode 4a formed on the substrate 51 using a conductive adhesive (not shown) or the like. . Thereby, the end surface (the upper surface in the figure) of the wall of the porous metal 56a is connected to the ground electrode 4a.

次に、凹部５７ａに流動性樹脂５３を充填する。凹部５７ａに流動性樹脂５３を充填する工程において、圧縮成形及びトランスファ成形のいずれの方式を使用してもよい。いずれの方式においても、多孔質金属５６ａが有する多数の連通孔を経由して、凹部５７ａに流動性樹脂５３が充填される。圧縮成形の場合には、多孔質金属５６ａの凹部５７ａに流動性樹脂５３が充填されるための適当な開口を、多孔質金属５６ａの頂面（図では下面）又は壁部に設けてもよい。トランスファ成形の場合には、多孔質金属５６ａの凹部５７ａに流動性樹脂５３が充填されるための適当な開口を、多孔質金属５６ａの頂面又は壁部に設けてもよい。   Next, the concave portion 57a is filled with the fluid resin 53. In the step of filling the concave portion 57a with the fluid resin 53, any of compression molding and transfer molding may be used. In either method, the concave portion 57a is filled with the fluid resin 53 via a large number of communication holes of the porous metal 56a. In the case of compression molding, an appropriate opening for filling the concave portion 57a of the porous metal 56a with the fluid resin 53 may be provided on the top surface (the lower surface in the figure) or the wall of the porous metal 56a. . In the case of transfer molding, an appropriate opening for filling the flowable resin 53 into the concave portion 57a of the porous metal 56a may be provided on the top surface or the wall of the porous metal 56a.

次に、充填された流動性樹脂５３を硬化させることにより、硬化樹脂５４からなる封止樹脂を形成する。これにより、成形品５５に相当する封止済基板が完成する。   Next, the sealing resin made of the cured resin 54 is formed by curing the filled fluid resin 53. Thus, a sealed substrate corresponding to the molded product 55 is completed.

次に、成形品５５を取り出した後に、成形品５５を各領域単位に個片化する。これにより、製品である電子部品が完成する。個片化された各電子部品において、第１に、平面視してチップを完全に覆う個片化された多孔質金属が、チップの頂面（図では下面）に密着して設けられる。第２に、個片化された多孔質金属の壁部が、平面視してチップを完全に取り囲む。第３に、個片化された多孔質金属の壁部における端面が、個片化された基板に形成された接地電極４ａに接続される。個片化された多孔質金属は放熱板及び電磁遮蔽板として機能する。したがって、優れた放熱特性と優れた電磁遮蔽特性とを有する電子部品が得られる。成形品５５が１個の電子モジュールに相当する態様であってもよい。   Next, after taking out the molded product 55, the molded product 55 is divided into individual units. Thereby, the electronic component as a product is completed. In each of the individualized electronic components, first, an individualized porous metal that completely covers the chip in plan view is provided in close contact with the top surface (the lower surface in the figure) of the chip. Second, the singulated porous metal walls completely surround the chip in plan view. Third, the end surface of the singulated porous metal wall is connected to the ground electrode 4a formed on the singulated substrate. The singulated porous metal functions as a heat sink and an electromagnetic shielding plate. Therefore, an electronic component having excellent heat radiation characteristics and excellent electromagnetic shielding characteristics can be obtained. The molded article 55 may be an embodiment corresponding to one electronic module.

本実施例においては、平板状の部分と各領域を仕切る壁状の部分とを、一体の多孔質金属５６ａによって構成した。これに代えて、平板状の部分と壁状の部分とを、別の部材によって構成してもよい。この場合には、平板状の部分と壁状の部分とのうち一方が多孔質金属であって、他方が導電性の別部材であればよい。平板状の部分と壁状の部分との双方が多孔質金属にであってもよい。   In the present embodiment, the flat plate-shaped portion and the wall-shaped portion separating the respective regions are formed of an integral porous metal 56a. Instead of this, the plate-shaped portion and the wall-shaped portion may be constituted by different members. In this case, one of the plate-shaped portion and the wall-shaped portion may be a porous metal, and the other may be another conductive member. Both the flat portion and the wall portion may be made of porous metal.

図１６を参照して、本発明に係る樹脂封止装置の実施例を説明する。図１６に示される樹脂封止装置６１は、例えば、実施例６〜９において使用した圧縮成形法（コンプレッションモールド法）を使用する樹脂封止装置である。樹脂封止装置６１は、基板供給・収納モジュール６２と、３つの成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃと、材料供給モジュール６４とを、それぞれ構成要素として備える。構成要素である基板供給・収納モジュール６２と、成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃと、材料供給モジュール６４とは、それぞれ他の構成要素に対して、互いに着脱されることができ、交換されることができる。   An embodiment of the resin sealing device according to the present invention will be described with reference to FIG. The resin sealing device 61 shown in FIG. 16 is, for example, a resin sealing device using the compression molding method (compression molding method) used in Examples 6 to 9. The resin sealing device 61 includes a substrate supply / storage module 62, three molding modules 63A, 63B, 63C, and a material supply module 64 as constituent elements. The substrate supply / storage module 62, the forming modules 63A, 63B, 63C, and the material supply module 64, which are constituent elements, can be detachably attached to each other with respect to other constituent elements, and can be replaced. it can.

基板供給・収納モジュール６２には、封止前基板６５を供給する封止前基板供給部６６と、成形品に相当する封止済基板６７を収納する封止済基板収納部６８と、封止前基板６５及び封止済基板６７を受け渡しする基板載置部６９と、封止前基板６５及び封止済基板６７を搬送する基板搬送機構７０とが設けられる。基板載置部６９は、基板供給・収納モジュール６２内において、Ｙ方向に移動する。基板搬送機構７０は、基板供給・収納モジュール６２及びそれぞれの成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ内において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動する。所定位置Ｓ１は、基板搬送機構７０が動作しない状態において待機する位置である。   The substrate supply / storage module 62 includes a pre-sealing substrate supply unit 66 that supplies a pre-sealing substrate 65, a sealed substrate storage unit 68 that stores a sealed substrate 67 corresponding to a molded product, A substrate mounting section 69 for transferring the front substrate 65 and the sealed substrate 67 and a substrate transfer mechanism 70 for transferring the pre-sealed substrate 65 and the sealed substrate 67 are provided. The substrate mounting section 69 moves in the Y direction in the substrate supply / storage module 62. The substrate transport mechanism 70 moves in the X, Y, and Z directions within the substrate supply / storage module 62 and the respective forming modules 63A, 63B, 63C. The predetermined position S1 is a position where the substrate transfer mechanism 70 stands by in a state where it does not operate.

各成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃには、昇降可能な下型４５と、下型４５に相対向して配置された上型４９（図８参照）とが設けられる。各成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃは、上型４９と下型４５とを型締め及び型開きする型締め機構７１（二点鎖線で示す円形の部分）を備える。離型フィルム３７が下型４５に配置される。多孔質金属３８からなる放熱板と樹脂材料４４とが供給されるキャビティ４８が、下型４５に設けられる（図７参照）。   Each of the molding modules 63A, 63B, and 63C is provided with a lower die 45 that can be moved up and down, and an upper die 49 (see FIG. 8) disposed opposite to the lower die 45. Each of the molding modules 63A, 63B, and 63C includes a mold clamping mechanism 71 (a circular portion indicated by a two-dot chain line) for clamping and opening the upper mold 49 and the lower mold 45. The release film 37 is disposed on the lower die 45. A cavity 48 to which the heat sink made of the porous metal 38 and the resin material 44 are supplied is provided in the lower die 45 (see FIG. 7).

材料供給モジュール６４には、Ｘ−Ｙテーブル３６と、Ｘ−Ｙテーブル３６上に離型フィルム３７（図６参照）を供給する離型フィルム供給機構７２と、多孔質金属３８からなる放熱板（図６参照）を供給する放熱板供給機構７３と、材料収容枠４０に樹脂材料４４（図６参照）を投入する樹脂材料投入機構７４と、材料収容枠４０を搬送する材料搬送機構３９（図６参照）とが設けられる。Ｘ−Ｙテーブル３６は、材料供給モジュール６４内において、Ｘ方向及びＹ方向に移動する。材料搬送機構３９は、材料供給モジュール６４及びそれぞれの成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ内において、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に移動する。所定位置Ｍ１は、材料搬送機構３９が動作しない状態において待機する位置である。   The material supply module 64 includes an XY table 36, a release film supply mechanism 72 for supplying a release film 37 (see FIG. 6) onto the XY table 36, and a radiator plate ( 6), a resin material feeding mechanism 74 for feeding the resin material 44 (see FIG. 6) into the material housing frame 40, and a material transport mechanism 39 (see FIG. 6) for feeding the material housing frame 40. 6). The XY table 36 moves in the X direction and the Y direction in the material supply module 64. The material transport mechanism 39 moves in the X direction, the Y direction, and the Z direction within the material supply module 64 and the respective forming modules 63A, 63B, and 63C. The predetermined position M1 is a standby position in a state where the material transport mechanism 39 does not operate.

図１６を参照して、樹脂封止装置６１を使用して樹脂封止する動作を説明する。まず、基板供給・収納モジュール６２において、封止前基板供給部６６から基板載置部６９に封止前基板６５を送り出す。次に、基板搬送機構７０を所定位置Ｓ１から−Ｙ方向に移動させて基板載置部６９から封止前基板６５を受け取る。基板搬送機構７０を所定位置Ｓ１に戻す。次に、例えば、成形モジュール６３Ｂの所定位置Ｐ１まで＋Ｘ方向に基板搬送機構７０を移動させる。次に、成形モジュール６３Ｂにおいて、基板搬送機構７０を−Ｙ方向に移動させて下型４５上の所定位置Ｃ１に停止させる。次に、基板搬送機構７０を上昇させて封止前基板６５を上型４９（図８参照）に固定する。基板搬送機構７０を基板供給・収納モジュール６２の所定位置Ｓ１まで戻す。   With reference to FIG. 16, the operation of resin sealing using the resin sealing device 61 will be described. First, in the substrate supply / storage module 62, the pre-sealing substrate 65 is sent from the pre-sealing substrate supply unit 66 to the substrate mounting unit 69. Next, the substrate transfer mechanism 70 is moved in the −Y direction from the predetermined position S1 to receive the unsealed substrate 65 from the substrate mounting portion 69. The substrate transport mechanism 70 is returned to the predetermined position S1. Next, for example, the substrate transport mechanism 70 is moved in the + X direction to a predetermined position P1 of the molding module 63B. Next, in the molding module 63B, the substrate transport mechanism 70 is moved in the −Y direction and stopped at the predetermined position C1 on the lower die 45. Next, the substrate transfer mechanism 70 is raised to fix the unsealed substrate 65 to the upper mold 49 (see FIG. 8). The substrate transport mechanism 70 is returned to the predetermined position S1 of the substrate supply / storage module 62.

次に、材料供給モジュール６４において、離型フィルム供給機構７２からＸ−Ｙテーブル３６に離型フィルム３７（図６参照）を供給して、所定の大きさにカットする。次に、放熱板供給機構７３から多孔質金属３８を搬送して、Ｘ−Ｙテーブル３６上に被覆された離型フィル３７の上に載置する。次に、材料収容枠４０を保持した状態で材料搬送機構３９を所定位置Ｍ１から−Ｙ方向に移動させる。Ｘ−Ｙテーブル３６において、離型フィルム３７の上に載置された多孔質金属３８が材料収容枠４０の貫通孔４１（図６参照）に配置されるように材料収容枠４０を離型フィルム３７の上に載置する。材料搬送機構３９を所定位置Ｍ１に戻す。   Next, in the material supply module 64, the release film 37 (see FIG. 6) is supplied from the release film supply mechanism 72 to the XY table 36, and cut into a predetermined size. Next, the porous metal 38 is transported from the heat radiating plate supply mechanism 73, and is placed on the release fill 37 coated on the XY table 36. Next, the material transport mechanism 39 is moved from the predetermined position M1 in the −Y direction while holding the material storage frame 40. In the XY table 36, the material storage frame 40 is placed on the release film 37 so that the porous metal 38 placed on the release film 37 is disposed in the through hole 41 of the material storage frame 40 (see FIG. 6). Place on 37. The material transport mechanism 39 is returned to the predetermined position M1.

次に、Ｘ−Ｙテーブル３６を移動させて、材料収容枠４０を樹脂材料投入機構７４の下方の所定位置に停止させる。次に、Ｘ−Ｙテーブル３６をＸ方向及びＹ方向に移動させることによって、樹脂材料投入機構７４から材料収容枠４０に所定量の樹脂材料４４を供給する。Ｘ−Ｙテーブル３６を元の位置に戻す。この段階において、材料収容枠４０と離型フィルト３７と多孔質金属３８と樹脂材料４４とが一体化される（図６参照）。   Next, the XY table 36 is moved to stop the material storage frame 40 at a predetermined position below the resin material charging mechanism 74. Next, by moving the XY table 36 in the X direction and the Y direction, a predetermined amount of the resin material 44 is supplied from the resin material charging mechanism 74 to the material storage frame 40. The XY table 36 is returned to the original position. At this stage, the material storage frame 40, the release filter 37, the porous metal 38, and the resin material 44 are integrated (see FIG. 6).

次に、材料搬送機構３９を所定位置Ｍ１から−Ｙ方向に移動させて、Ｘ−Ｙテーブル３６に載置されている材料収容枠４０を受け取る。材料搬送機構３９を所定位置Ｍ１まで戻す。材料搬送機構３９を、成形モジュール６３Ｂの所定位置Ｐ１まで−Ｘ方向に移動させる。   Next, the material transport mechanism 39 is moved in the -Y direction from the predetermined position M1 to receive the material storage frame 40 placed on the XY table 36. The material transport mechanism 39 is returned to the predetermined position M1. The material transport mechanism 39 is moved in the -X direction to a predetermined position P1 of the molding module 63B.

次に、成形モジュール６３Ｂにおいて、材料搬送機構３９を−Ｙ方向に移動させて下型４５上の所定位置Ｃ１に停止させる。材料搬送機構３９を下降させて、樹脂材料４４と多孔質金属３８と離型フィルム３７とをキャビティ４８に供給する。材料搬送機構３９を所定位置Ｍ１まで戻す。   Next, in the molding module 63B, the material transport mechanism 39 is moved in the −Y direction and stopped at the predetermined position C1 on the lower die 45. By lowering the material transport mechanism 39, the resin material 44, the porous metal 38, and the release film 37 are supplied to the cavity 48. The material transport mechanism 39 is returned to the predetermined position M1.

次に、成形モジュール６３Ｂにおいて、型締め機構７１によって下型４５を上昇させ、上型４９（図８参照）と下型４５とを型締めする。所定時間が経過した後に、上型４９と下型４５とを型開きする。   Next, in the molding module 63B, the lower mold 45 is raised by the mold clamping mechanism 71, and the upper mold 49 (see FIG. 8) and the lower mold 45 are clamped. After a predetermined time has elapsed, the upper mold 49 and the lower mold 45 are opened.

次に、基板供給・収納モジュール６２の所定位置Ｓ１から下型４５上の所定位置Ｃ１に基板搬送機構７０を移動させて、チップ５０と多孔質金属３８とが樹脂封止された封止済基板６７（図８においては成形品５５に相当する）を受け取る。基板搬送機構７０を移動させ、基板載置部６９に封止済基板６７を受け渡す。基板載置部６９から封止済基板収納部６８に封止済基板６７を収納する。このようにして、樹脂封止が完了する。   Next, the substrate transfer mechanism 70 is moved from the predetermined position S1 of the substrate supply / storage module 62 to a predetermined position C1 on the lower die 45, and the chip 50 and the porous metal 38 are sealed with a resin. 67 (corresponding to the molded article 55 in FIG. 8). The substrate transport mechanism 70 is moved to deliver the sealed substrate 67 to the substrate mounting portion 69. The sealed substrate 67 is stored from the substrate mounting section 69 into the sealed substrate storage section 68. Thus, the resin sealing is completed.

本実施例においては、基板供給・収納モジュール６２と材料供給モジュール６４との間において、３個の成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、６３ＣをＸ方向に並べて装着した。基板供給・収納モジュール６２と材料供給モジュール６４とを１つのモジュールにして、そのモジュールに１個の成形モジュール６３ＡをＸ方向に並べて装着してもよい。これらによって、製造段階及び客先の工場に設置した後の段階の双方において、成形モジュール６３Ａ、６３Ｂ、・・・を増減することができる。したがって、生産形態や生産量に対応して、樹脂封止装置６１の構成を最適化できるので、生産性の向上を図ることができる。   In the present embodiment, three molding modules 63A, 63B, 63C were mounted in the X direction between the substrate supply / storage module 62 and the material supply module 64. The substrate supply / storage module 62 and the material supply module 64 may be integrated into one module, and one molding module 63A may be mounted on the module in the X direction. Thus, the number of molding modules 63A, 63B,... Can be increased or decreased both at the manufacturing stage and at the stage after installation at the customer's factory. Therefore, the configuration of the resin sealing device 61 can be optimized according to the production mode and the production amount, so that the productivity can be improved.

各実施例において使用される多孔質金属には、目の細かい金網が含まれる。各実施例において使用される多孔質金属としては、金属ワイヤ製のたわし（wire scourer）の材料として使用される金網と同種の金網のうち目の細かいものが好ましい。   The porous metal used in each embodiment includes a fine mesh. As the porous metal used in each embodiment, a fine mesh among wire meshes of the same kind as a wire mesh used as a material of a wire scourer made of a metal wire is preferable.

多孔質金属に代えて、次の材料を使用することができる。これらの材料は、導電性と可撓性などの変形可能性とを有する。第１の材料は、波形状（ジグザグ状を含む）の断面形状を有する金属板（金属箔を含む）である。第２の材料は、導電性繊維である。第３の材料は、スポンジ状などの導電性樹脂である。多孔質金属を含む上述した材料を、電子部品の放熱板若しくは電磁遮蔽板又はそれらの双方として使用することができる。これらの材料を組み合わせて使用してもよい。これらの材料によって、樹脂封止においてチップに加えられる成形圧力を減らせるので、チップの破損を防止することができる。   The following materials can be used instead of the porous metal. These materials have conductivity and deformability such as flexibility. The first material is a metal plate (including a metal foil) having a corrugated (including a zigzag) cross-sectional shape. The second material is a conductive fiber. The third material is a conductive resin such as a sponge. The above-described materials including a porous metal can be used as a heat sink or an electromagnetic shielding plate of an electronic component, or both. These materials may be used in combination. With these materials, the molding pressure applied to the chip in resin sealing can be reduced, so that breakage of the chip can be prevented.

各実施例において使用される樹脂成形の方式としては、トランスファ成形又は射出成形を使用できる。これらの場合には、成形型を型締めする工程と成形型が型締めされた状態を維持する工程との間に、成形型が有する樹脂流路を経由してキャビティに流動性樹脂を供給する工程を備える。キャビティに供給される流動性樹脂が樹脂材料に相当する。   As a resin molding method used in each embodiment, transfer molding or injection molding can be used. In these cases, between the step of clamping the mold and the step of maintaining the clamped state of the mold, the fluid resin is supplied to the cavity via the resin flow path of the mold. Process. The fluid resin supplied to the cavity corresponds to the resin material.

各実施例において使用される樹脂成形の方式としては、圧縮成形を使用できる。これらの場合には、成形型を型締めする工程の前に、キャビティに樹脂材料を供給する工程を備える。樹脂材料は、常温で固形であってもよい。この場合には、キャビティに供給された樹脂材料を加熱することによって溶融させて溶融樹脂（流動性樹脂）を形成し、その流動性樹脂を硬化させる。樹脂材料は、常温で液状（流動性を有する状態）であってもよい。この場合には、キャビティに供給された液状樹脂を硬化させる。   As a method of resin molding used in each embodiment, compression molding can be used. In these cases, a step of supplying a resin material to the cavity is provided before the step of clamping the mold. The resin material may be solid at normal temperature. In this case, the resin material supplied to the cavity is heated and melted to form a molten resin (fluid resin), and the fluid resin is cured. The resin material may be liquid (a state having fluidity) at normal temperature. In this case, the liquid resin supplied to the cavity is cured.

各実施例において、下型側にキャビティを設け、キャビティの側に多孔質金属を配置する例を説明した。この場合には、多孔質金属が配置される配置領域が下型側のキャビティの内底面に設けられる。これに限らず、上型側にキャビティを設け、上型側のキャビティの内底面（キャビティ内部における上面）に配置領域を設けてもよい。この場合には、キャビティに供給される樹脂材料として、常温でゼリー状、ペースト状の樹脂材料を使用することが好ましい。下型の型面に配置された基板の上に、常温でゼリー状、ペースト状の樹脂材料を供給してもよい。   In each embodiment, an example has been described in which a cavity is provided on the lower mold side and a porous metal is disposed on the cavity side. In this case, an arrangement area where the porous metal is arranged is provided on the inner bottom surface of the cavity on the lower mold side. Alternatively, the cavity may be provided on the upper mold side, and the arrangement area may be provided on the inner bottom surface (the upper surface inside the cavity) of the cavity on the upper mold side. In this case, it is preferable to use a jelly-like or paste-like resin material at normal temperature as the resin material supplied to the cavity. A jelly-like or paste-like resin material may be supplied at room temperature onto a substrate disposed on the lower mold surface.

各実施例においては、半導体チップを樹脂封止する際に使用される樹脂封止装置及び樹脂封止方法を説明した。樹脂封止する対象は、半導体チップ、受動素子、センサ、フィルタなどのチップ、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）などのデバイスでもよい。リードフレーム、プリント基板、セラミックス基板、フィルムベース基板、金属ベース基板などの基板に装着された１個又は複数個のチップを硬化樹脂によって樹脂封止する際に本発明を適用することができる。したがって、制御用の電子モジュールなどとして使用されるマルチチップパッケージ、マルチチップモジュール、ハイブリッドＩＣなどを製造する際にも本発明を適用することができる。   In each embodiment, the resin sealing device and the resin sealing method used when sealing the semiconductor chip with the resin have been described. The object to be resin-sealed may be a chip such as a semiconductor chip, a passive element, a sensor, a filter, or a device such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). The present invention can be applied when one or a plurality of chips mounted on a substrate such as a lead frame, a printed substrate, a ceramic substrate, a film base substrate, and a metal base substrate are sealed with a cured resin. Therefore, the present invention can be applied to the production of a multi-chip package, a multi-chip module, a hybrid IC, or the like used as a control electronic module or the like.

本発明は、上述した各実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で、必要に応じて、任意にかつ適宜に組み合わせ、変更し、又は選択して採用できるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be arbitrarily and appropriately combined, changed, or selected as needed without departing from the spirit of the present invention. It is.

１、１６、２２、２６、２９、３２ 電子部品
２、１７、２３、２７、３０、３３ 基板
３、１８、２４、２８、３１、３４ 半導体チップ（チップ）
４ 配線
４ａ 接地電極
５ 基板電極
６ ビア配線
７ ランド
７ａ 接地用のランド
８、９ ソルダレジスト
１０ はんだボール（外部電極）
１０ａ 接地用のはんだボール（外部電極）
１１ パッド電極（チップ電極）
１２ ボンディングワイヤ（接続部材）
１３ 多孔質金属（第１の部材、第２の部材）
１５ 多孔質金属（第２の部材）
１４ 封止樹脂
１９ 基板電極
２０ バンプ（接続部材）
２１、２１ａ、２５ａ、３８、５６、５６ａ 多孔質金属（第１の部材）
２１ｂ 多孔質金属（第２の部材）
２１ｃ 金属板（第１の部材）
２５ 多孔質金属（第２の部材、第１の部材）
２５ｂ 金属板（第２の部材）
３５ アンダーフィル
３６ Ｘ−Ｙテーブル
３７ 離型フィルム
３９、５８ 材料搬送機構（樹脂供給機構）
３９ａ、３９ｂ、５８ａ、５８ｂ 保持部
４０、５９ 材料収容枠
４１ 貫通孔
４２、６０周縁部
４３ 吸着溝
４４ 樹脂材料
４５ 下型（第１の型、第２の型）
４６ 周面部材
４７ 底面部材
４８ キャビティ
４９ 上型（第２の型、第１の型）
５０ チップ
５１ 基板（封止前基板）
５２ バンプ（接続部材）
５３ 溶融樹脂（流動性樹脂）
５４ 硬化樹脂（封止樹脂）
５５ 成形品（電子部品）
５７、５７ａ 内部空間
６１ 樹脂封止装置（製造装置）
６２ 基板供給・収納モジュール
６３Ａ、６３Ｂ、６３Ｃ 成形モジュール
６４ 材料供給モジュール
６５ 封止前基板（基板）
６６ 封止前基板供給部
６７ 封止済基板
６８ 封止済基板収容部
６９ 基板載置部
７０ 基板搬送機構（基板供給機構）
７１ 型締め機構
７２ 離型フィルム供給機構
７３ 放熱板供給機構
７４ 樹脂材料投入機構
Ｓ１、Ｐ１、Ｃ１、Ｍ１ 所定位置 1, 16, 22, 26, 29, 32 Electronic components 2, 17, 23, 27, 30, 33 Substrate 3, 18, 24, 28, 31, 34 Semiconductor chip (chip)
Reference Signs List 4 wiring 4a ground electrode 5 substrate electrode 6 via wiring 7 land 7a grounding land 8, 9 solder resist 10 solder ball (external electrode)
10a Solder ball for grounding (external electrode)
11 Pad electrode (chip electrode)
12 Bonding wire (connection member)
13. Porous metal (first member, second member)
15. Porous metal (second member)
14 sealing resin 19 substrate electrode 20 bump (connection member)
21, 21a, 25a, 38, 56, 56a Porous metal (first member)
21b Porous metal (second member)
21c metal plate (first member)
25 Porous metal (second member, first member)
25b metal plate (second member)
35 underfill 36 XY table 37 release film 39, 58 material transport mechanism (resin supply mechanism)
39a, 39b, 58a, 58b Holding portion 40, 59 Material storage frame 41 Through hole 42, 60 peripheral portion 43 Suction groove 44 Resin material 45 Lower mold (first mold, second mold)
46 peripheral member 47 bottom member 48 cavity 49 upper die (second die, first die)
50 chip 51 substrate (substrate before sealing)
52 Bump (connecting member)
53 molten resin (fluid resin)
54 Cured resin (sealing resin)
55 Molded products (electronic parts)
57, 57a Internal space 61 Resin sealing device (manufacturing device)
62 Substrate supply / storage module 63A, 63B, 63C Molding module 64 Material supply module 65 Substrate before sealing (substrate)
66 Pre-sealing substrate supply unit 67 Sealed substrate 68 Sealed substrate storage unit 69 Substrate placement unit 70 Substrate transfer mechanism (substrate supply mechanism)
71 mold clamping mechanism 72 release film supply mechanism 73 radiator plate supply mechanism 74 resin material supply mechanism S1, P1, C1, M1 predetermined position

Claims (6)

第１の型と前記第１の型に相対向する第２の型とを少なくとも有する成形型と、前記第１の型と前記第２の型との少なくとも一方に設けられたキャビティと、基板の被装着面に接地電極が設けられ少なくともチップが装着された封止前基板を平面視して前記キャビティに重なるようにして供給する基板供給機構と、前記キャビティに樹脂材料を供給する樹脂供給機構と、前記成形型を型開きし型締めする型締め機構とを備えた、前記チップと平面視して前記チップを覆う第１の部材と前記樹脂材料から成形された硬化樹脂を含む封止樹脂とを少なくとも有する電子部品を製造する電子部品の製造装置であって、
前記成形型が型締めされた状態において前記キャビティにおける前記第１の部材が配置される第１の配置領域と、
一定の型締め圧力によって前記成形型が型締めされた状態において、前記成形型から受ける前記一定の型締め圧力を減らす圧力低減部とを備え、
前記第１の部材は導電性を有し、
前記成形型が型締めされた状態において、前記キャビティにおいて硬化した前記硬化樹脂によって、前記チップと前記第１の部材と前記被装着面における少なくとも一部分とが樹脂封止され、
前記一定の型締め圧力から減らされた小さい圧力によって前記チップが押圧された状態において前記硬化樹脂が成形され、
前記第１の部材が前記圧力低減部に相当し、
前記第１の部材に前記一定の型締め圧力を加えることによって前記第１の部材を圧縮させて変形させ、
前記圧力低減部は放熱板として機能する、又は、前記圧力低減部は放熱板及び電磁遮蔽板の双方として機能し、
前記第１の部材に重なって前記第１の部材に接触するか又は前記接地電極と前記第１の部材とに接触し、導電性を有する第２の部材を更に備える、電子部品の製造装置。 A molding die having at least a first die and a second die opposed to the first die; a cavity provided in at least one of the first die and the second die; A substrate supply mechanism for supplying a pre-sealing substrate on which a ground electrode is provided and at least a chip is mounted on the mounting surface so as to overlap the cavity in plan view, and a resin supply mechanism for supplying a resin material to the cavity; A sealing member including a first member that covers the chip and the chip in plan view, and a sealing resin including a cured resin molded from the resin material, the mold including a mold clamping mechanism that opens and closes the molding die. An electronic component manufacturing apparatus for manufacturing an electronic component having at least
A first arrangement region in which the first member in the cavity is arranged in a state where the mold is clamped;
In a state in which the mold is clamped by a fixed mold clamping pressure, the pressure reducing unit includes a pressure reducing unit that reduces the constant mold clamping pressure received from the mold.
The first member has conductivity,
In a state in which the mold is clamped, at least a part of the chip, the first member, and the mounting surface is resin-sealed by the cured resin cured in the cavity,
The cured resin is molded in a state where the chip is pressed by a small pressure reduced from the constant mold clamping pressure,
The first member corresponds to the pressure reducing unit,
Compressing and deforming the first member by applying the fixed mold clamping pressure to the first member;
The pressure reducing unit functions as a heat sink, or the pressure reducing unit functions as both a heat sink and an electromagnetic shielding plate,
An electronic component manufacturing apparatus, further comprising a conductive second member overlapping the first member and in contact with the first member or in contact with the ground electrode and the first member. 請求項１に記載された電子部品の製造装置において、
前記圧力低減部は次のいずれか１つの材料を少なくとも含む、電子部品の製造装置。
(1)繊維状金属
(2)波形状の断面形状を有する金属板
(3)導電性繊維
(4)スポンジ状の導電性樹脂
(5)多孔質金属 The apparatus for manufacturing an electronic component according to claim 1,
The electronic component manufacturing apparatus, wherein the pressure reducing unit includes at least one of the following materials.
(1) Fibrous metal
(2) Metal plate with corrugated cross section
(3) Conductive fiber
(4) Sponge-like conductive resin
(5) Porous metal 基板と、
前記基板の被装着面に装着されたチップと、
前記チップに形成された複数のチップ電極と前記基板に形成された複数の基板電極とをそれぞれ電気的に接続する複数の接続部材と、
前記複数の基板電極にそれぞれつながって外部の機器に電気的に接続される複数の外部電極と、
前記チップの上方において平面視して前記チップを覆うように設けられ導電性を有する第１の部材と、
前記基板の前記被装着面に成形され少なくとも前記チップと前記第１の部材と前記被装着面における少なくとも一部分とを樹脂封止する封止樹脂と、
前記封止樹脂が成形される際に成形型から一定の型締め圧力を受けることによって圧縮変形した圧力低減部とを備え、
前記第１の部材が前記圧力低減部に相当し、
前記第１の部材が前記一定の型締め圧力を受けることによって圧縮されて変形し、
前記圧力低減部は放熱板として機能する、又は、前記圧力低減部は放熱板及び電磁遮蔽板の双方として機能し、
前記圧力低減部は、繊維状金属、波形状の断面形状を有する金属板、導電性繊維、スポンジ状の導電性樹脂、及び多孔質金属のいずれか１つの材料を少なくとも含み、
前記第１の部材に重なって前記第１の部材に接触するか又は前記基板に設けられた接地電極と前記第１の部材とに接触し、導電性を有する第２の部材を更に備える、電子部品。 Board and
A chip mounted on the mounting surface of the substrate,
A plurality of connection members for electrically connecting a plurality of chip electrodes formed on the chip and a plurality of substrate electrodes formed on the substrate,
A plurality of external electrodes respectively connected to the plurality of substrate electrodes and electrically connected to an external device,
A first member having conductivity provided to cover the chip in plan view above the chip, and
A sealing resin formed on the mounting surface of the substrate and resin-sealing at least the chip, the first member, and at least a part of the mounting surface;
When the sealing resin is molded, a pressure reducing portion that is compressed and deformed by receiving a constant mold clamping pressure from a molding die,
The first member corresponds to the pressure reducing unit,
The first member is compressed and deformed by receiving the fixed mold clamping pressure,
The pressure reducing unit functions as a heat sink, or the pressure reducing unit functions as both a heat sink and an electromagnetic shielding plate,
The pressure reducing section includes at least one material of a fibrous metal, a metal plate having a corrugated cross-sectional shape, a conductive fiber, a sponge-like conductive resin, and a porous metal,
The electronic device further includes a second member having electrical conductivity that overlaps the first member and contacts the first member or contacts a ground electrode provided on the substrate and the first member. parts. 互いに対向する第１の型及び第２の型を少なくとも有する成形型を型締めし、チップが装着された基板のチップ装着側に放熱板となる導電性の板状部材を配置すると共に前記チップと前記板状部材とを接触させた状態として樹脂成形することにより、電子部品を製造する電子部品の製造方法であって、
前記板状部材として、型締め圧力を減らす部材を用い、
前記板状部材に導電性部材を重ねて接触させた状態で型締めして樹脂成形を行う、電子部品の製造方法。 A mold having at least a first mold and a second mold opposed to each other is clamped, and a conductive plate-shaped member serving as a heat sink is arranged on the chip mounting side of the substrate on which the chip is mounted. An electronic component manufacturing method for manufacturing an electronic component by resin molding in a state where the plate-shaped member is in contact with the electronic component,
As the plate-like member, using a member that reduces mold clamping pressure,
A method of manufacturing an electronic component, comprising: performing resin molding by clamping a mold in a state where a conductive member is overlapped with and contacted with the plate-shaped member. 互いに対向する第１の型及び第２の型を少なくとも有する成形型を型締めし、チップが装着された基板のチップ装着側に放熱板となる導電性の板状部材を配置すると共に前記チップと前記板状部材とを接触させた状態として樹脂成形することにより、電子部品を製造する電子部品の製造方法であって、
前記板状部材として、繊維状金属、波形状の断面形状を有する金属板、導電性繊維、スポンジ状の導電性樹脂、及び多孔質金属のうちの少なくとも１つの材料を含む部材を用い、
前記板状部材に導電性部材を重ねて接触させた状態で型締めして樹脂成形を行う、電子部品の製造方法。 A mold having at least a first mold and a second mold opposed to each other is clamped, and a conductive plate-shaped member serving as a heat sink is arranged on the chip mounting side of the substrate on which the chip is mounted. An electronic component manufacturing method for manufacturing an electronic component by resin molding in a state where the plate-shaped member is in contact with the electronic component,
As the plate-like member, a member containing at least one material of fibrous metal, a metal plate having a corrugated cross-sectional shape, conductive fiber, sponge-like conductive resin, and porous metal,
A method of manufacturing an electronic component, comprising: performing resin molding by clamping a mold in a state where a conductive member is overlapped with and contacted with the plate-shaped member. 前記板状部材と前記基板の前記チップが装着された面に形成された接地電極とに、前記導電性部材を接触させた状態となるように型締めして樹脂成形を行う、請求項４又は５に記載の電子部品の製造方法。
To a ground electrode to which the tip of the substrate and the plate-like member is formed on a surface mounted, performing resin molding by clamping so as to be brought into contact with the conductive member, according to claim 4 or 6. The method for manufacturing an electronic component according to 5 .
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