JP6621967B2 - 光電変換素子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光検出素子などの光電変換素子およびその製造方法に関する。

光電変換素子は、例えば、省エネルギー、二酸化炭素の排出量の低減の観点から極めて有用なデバイスであり、注目されている。

光電変換素子とは、陽極および陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に設けられる活性層とを少なくとも備える素子である。光電変換素子では、いずれかの電極を透明または半透明の材料から構成し、透明または半透明とした電極側から有機活性層に光を入射させる。有機活性層に入射した光のエネルギー（ｈν）によって、有機活性層において電荷（正孔および電子）が生成し、生成した正孔は陽極に向かって移動し、電子は陰極に向かって移動する。そして、陽極および陰極に到達した電荷は、素子の外部に取り出される。

ｎ型半導体材料（電子受容性化合物）とｐ型半導体材料（電子供与性化合物）とが混合されることにより、ｎ型半導体材料を含む相とｐ型半導体材料を含む相とにより構成される相分離構造を有する活性層は、バルクへテロジャンクション型活性層と称される。

バルクへテロジャンクション型活性層において、電子受容性化合物の相および電子供与性化合物の相は、一方の電極側から他方の電極側に亘って連続した微細かつ複雑な形状の相を構成しており、これらは相互に分離しつつ複雑な界面を構成している。

バルクヘテロジャンクション型活性層を備える光電変換素子の光電変換効率を向上させるために、ｎ型半導体とｐ型半導体とのｐｎ接合の面積を、活性層１μｍ^３あたり１００μｍ^２以上とする構成が知られている（特許文献１参照。）。

また、例えば、バルクヘテロジャンクション型活性層を備える光電変換素子の光電変換効率を向上させるために、透過型電子顕微鏡で観察した活性層の画像を２値化した画像において、電子供与性化合物と電子受容性化合物との接合長さを、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１００μｍ以上とする構成が知られている（特許文献２参照。）。

特開２０１０−４１０２２号公報 特開２０１１−２３８７６２号公報

光電変換素子は例えば、光検出素子として用いられる。光検出素子として用いられる光電変換素子は、電圧が印加された状態で使用され、素子に入射した光が変換されて電流として検出される。しかしながら、光が入射していない状態であっても、光電変換素子に微弱な電流が流れる。この電流は暗電流として知られており、光検出の精度を低下させる要因となっているが、一般に、暗電流は光電変換素子に印加される電圧によって変動する。
光電変換素子に印加される電圧は当該素子が搭載されるデバイスの種類に応じて異なるため、暗電流は素子が搭載されるデバイスによって異なる。汎用性の観点から、搭載されるデバイスに応じて暗電流が変動しない方が好ましく、光電変換素子に印加される電圧の変動による暗電流の変動を低減させることが求められている。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を進めたところ、ｐ型半導体材料のバンドギャップと、ｐ型半導体材料の相と前記ｎ型半導体材料の相との接合長さを調節することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、下記［１］〜［９］を提供する。
［１］ 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含む、光電変換素子であって、
前記活性層は、バンドギャップが０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶであるｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、
該ｎ型半導体材料がＣ_６０フラーレン誘導体であり、
透過型電子顕微鏡で観察した前記活性層の画像を２値化した画像において、前記ｎ型半導体材料の相と前記ｐ型半導体材料の相との接合長さが、前記２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである、光電変換素子。
［２］ 前記ｐ型半導体材料が、チオフェン骨格を含む構成単位を含む高分子化合物である、［１］に記載の光電変換素子。
［３］ 前記Ｃ_６０フラーレン誘導体が、Ｃ６０ＰＣＢＭである、［１］または［２］に記載の光電変換素子。
［４］ 光検出素子である、［１］〜［３］のいずれか１つに記載の光電変換素子。
［５］ ［４］に記載の光電変換素子を備える、イメージセンサー。
［６］ ［４］に記載の光電変換素子を備える、指紋認証装置。
［７］ 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含む、光電変換素子の製造方法において、
前記活性層を形成する工程が、ｎ型半導体材料と、バンドギャップが０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶであるｐ型半導体材料と、溶媒とを含むインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程（ｉ）と、該塗膜から溶媒を除去する工程（ｉｉ）とを含み、
該ｎ型半導体材料がＣ_６０フラーレン誘導体であり、
透過型電子顕微鏡で観察した活性層の画像を２値化した画像において、前記ｎ型半導体材料と前記ｐ型半導体材料との接合長さが、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである活性層を形成する工程である、光電変換素子の製造方法。
［８］ 前記ｐ型半導体材料が、チオフェン骨格を含む構成単位を含む高分子化合物である、［７］に記載の光電変換素子の製造方法。
［９］ 前記Ｃ_６０フラーレン誘導体が、Ｃ６０ＰＣＢＭである、［７］または［８］に記載の光電変換素子の製造方法。

本発明の光電変換素子によれば、光電変換素子に印加される電圧の変動による暗電流の変動を低減することができる。

図１は、光電変換素子の切断端面を模式的に示す図である。 図２は、イメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。 図３は、指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態にかかる光電変換素子について説明する。なお、図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図面に示された配置で、製造されたり、使用されたりするとは限らない。

［１．光電変換素子］
本実施形態にかかる光電変換素子は、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含む光電変換素子において、活性層は、ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、該ｎ型半導体材料はＣ_６０フラーレン誘導体であり、透過型電子顕微鏡で観察した活性層の画像を２値化した画像において、ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さが、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍであり、ｐ型半導体材料のバンドギャップが、０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶ、具体的には０．５０ｅＶ〜１．５８ｅＶである、光電変換素子である。

ここで、本実施形態の光電変換素子が取り得る構成例について説明する。図１は、本実施形態の光電変換素子の切断端面を模式的に示す図である。

図１に示されるように、本実施形態の光電変換素子１０は、例えば、支持基板１１上に設けられている。光電変換素子１０は、支持基板１１に接するように設けられている陽極１２と、陽極１２に接するように設けられている正孔輸送層１３と、正孔輸送層１３に接するように設けられている活性層１４と、活性層１４に接するように設けられている電子輸送層１５と、電子輸送層１５に接するように設けられている陰極１６とを備えている。この構成例では、陰極１６に接するように設けられている封止基板１７をさらに備えている。

（基板）
光電変換素子は、通常、基板に形成される。この基板には、通常、陰極および陽極を含む電極が形成される。基板の材料は、特に有機化合物を含む層を形成する際に化学的に変化しない材料であれば特に限定されない。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコンが挙げられる。不透明な基板の場合には、不透明な基板側に設けられる電極とは反対側の電極（すなわち、基板から遠い側の電極）が透明または半透明の電極とされることが好ましい。

（電極）
透明または半透明の電極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛オキサイド（ＩＺＯ）、ＮＥＳＡ等の導電性材料、金、白金、銀、銅が挙げられる。透明または半透明の電極の材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化スズが好ましい。また、電極として、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の有機化合物が材料として用いられる透明導電膜を用いてもよい。透明または半透明の電極は、陽極であっても陰極であってもよい。

一方の電極が透明または半透明であれば、他方の電極は光透過性の低い電極であってもよい。光透過性の低い電極の材料としては、例えば、金属、および導電性高分子が挙げられる。光透過性の低い電極の材料の具体例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、およびこれらのうちの２種以上の合金、または、これらのうちの１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステンおよび錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金、グラファイト、グラファイト層間化合物、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体が挙げられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、およびカルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。

電極の形成方法としては、従来公知の任意好適な形成方法を用いることができる。電極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、およびめっき法が挙げられる。

（活性層）
活性層は、ｐ型半導体材料（電子供与性化合物）とｎ型半導体材料（電子受容性化合物）とを含む。好適なｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の詳細については後述するが、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料のうちのいずれであるかは、選択された化合物のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯのエネルギー準位から相対的に決定することができる。

活性層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００μｍが好ましく、より好ましくは２ｎｍ〜１０００ｎｍである。光電変換素子が、例えば太陽電池である場合には、活性層の厚さは、５０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、また例えば光検出素子である場合には、活性層の厚さは、５００ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましい。

活性層は、透過型電子顕微鏡で観察した有機活性層の画像を２値化した画像において、ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さが、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである。

ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さの測定方法としては、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて活性層を観察し、長さを求める方法が挙げられる。ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料が含有する元素に特徴的な像により、ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相とを分離して観察することができる。元素に特徴的な像としては、エネルギーフィルターＴＥＭによる元素マッピング像、元素マッピング像と同じコントラストを与えるエネルギー値を用いたエネルギーロス像、走査透過型電子顕微鏡を用いたエネルギー分散型Ｘ線分析（ＳＴＥＭ−ＥＤＸ）による元素マッピング像などが挙げられる。ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相とを比較して、明るい相を白に、暗い相を黒にする像の２値化処理を行うことで、ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さを算出することができる。以下、より具体的に説明する。

接合長さの算出は、コンピュータハードウェアおよびソフトウェアを用いる下記のステップを含む方法により行うことができる。
ステップ（ｉ）コンピュータが、得られた２０ｅＶロス像（ＴＥＭ像）を、ＩｍａｇｅＪ（画像処理ソフトウェア）を用いて読み込む。
ステップ（ｉｉ）コンピュータが、読み込まれた画像を、ＩｍａｇｅＪを用いてグレースケールの１６ｂｉｔ画像に変換する。
ステップ（ｉｉｉ）コンピュータが、変換されたグレースケールの１６ｂｉｔ画像に対し、Ｒｏｌｌｉｎｇ ｂａｌｌ ｒａｄｉｕｓ ＝ ２０ｐｉｘｃｅｌｓの条件でバックグラウンド補正を行う。
ステップ（ｉｖ）コンピュータが、バックグラウンド補正が行われた画像に対し、１２ｐｉｘｃｅｌｓのメジアンフィルターをかける。
ステップ（ｖ）コンピュータが、メジアンフィルターにより処理された画像に対し、大津法を用いて２値化を行う。
ステップ（ｖｉ）コンピュータが、Ｆｉｎｄ Ｅｄｇｅのコマンドによる処理により２値化された画像における界面を抽出する。
ステップ（ｖｉｉ）コンピュータが、Ｍｅａｓｕｒｅのコマンドによる処理により抽出された界面の面積を算出する。
ステップ（ｖｉｉｉ）コンピュータが、得られた界面の面積を１ピクセル分の長さで除算し、得られた結果を「接合長さ」として得る。
ステップ（ｉｘ）コンピュータが、得られた接合長さを視野面積で除算することにより、単位面積当たりの接合長さを算出する。

ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さは、好ましくは、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである。

本発明の光電変換素子は、活性層中のｐ型半導体材料のバンドギャップが所定の範囲とされ、ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との相分離構造が所定の範囲とされる。かかる構成により、比暗電流をより小さくすることができる。

ここで、バンドギャップ（Ｅｇ）とは、ｐ型半導体材料の吸収端波長を用いて下記式を用いて計算した値（光学バンドギャップ）である。
バンドギャップ：Ｅｇ＝ｈｃ／吸収端波長（プランク定数：ｈ＝６．６２６×１０^−３４Ｊｓ、光速：ｃ＝３×１０^８ｍ／ｓ）

ｐ型半導体材料のバンドギャップの下限値は、特に光検出素子における感度の観点から、０．５ｅＶ以上、具体的には０．５０ｅＶ以上とすることが好ましく、特に変換効率の観点から０．６ｅＶ以上、具体的には０．６０ｅＶ以上であることがより好ましい。ｐ型半導体材料のバンドギャップの上限値は、吸収波長の最適化の観点から、１．５８ｅＶ以下であることが好ましく、特に光電変換効率の観点から、１．４ｅＶ以下、具体的には１．４０ｅＶ以下であることがより好ましい。

ここで、比暗電流とは、印加電圧を変動させた前後におけるそれぞれの暗電流の大きさの比を意味する。比暗電流が小さいということは、より高い電圧を印加しても、リーク電流の増加が小さいことを意味している。

比暗電流は、例えば、２つの異なる印加電圧におけるそれぞれの暗電流の大きさの比として計算することができる。一般に印加電圧が高いと暗電流が大きくなることから、比暗電流は、印加電圧の絶対値がより大きい場合における暗電流と、印加電圧の絶対値がより小さい場合における暗電流との比として計算することができる。例えば、比暗電流は、−５Ｖ印加時に得られる暗電流と、−２Ｖ印加時に得られる暗電流との比（−５Ｖ印加時の暗電流／−２Ｖ印加時の暗電流）として計算することができる。

本発明の光電変換素子によれば、比暗電流が小さい、すなわち印加電圧（逆バイアス電圧）が変動したときの暗電流の変化が小さいため、動作電圧の高低によらず、感度を一定に安定させることができる。

（中間層）
図１に示されるとおり、光電変換素子は、光電変換効率といった特性を向上させるためのさらなる構成要素として、電荷輸送層（電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層、正孔注入層）といった付加的な中間層を備えていてもよい。

このような中間層に用いられる材料としては、従来公知の任意好適な材料を用いることができる。中間層の材料としては、例えば、フッ化リチウムなどのアルカリ金属又はアルカリ土類金属のハロゲン化物、および酸化物が挙げられる。

また、中間層に用いられる材料としては、例えば、酸化チタン等の無機半導体の微粒子、およびＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））とＰＳＳ（ポリ（４−スチレンスルホネート））との混合物(ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ)が挙げられる。

図１に示されるように、光電変換素子は、陽極と活性層との間に、正孔輸送層を備えていてもよい。正孔輸送層は、活性層から電極へと正孔を輸送する機能を有する。

陽極に接して設けられる正孔輸送層を、特に正孔注入層という場合がある。陽極に接して設けられる正孔輸送層（正孔注入層）は、陽極への正孔の注入を促進する機能を有する。正孔輸送層（正孔注入層）は、活性層に接していてもよい。

正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む。正孔輸送性材料の例としては、ポリチオフェンおよびその誘導体、芳香族アミン化合物、芳香族アミン残基を有する構成単位を含む高分子化合物、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＮｉＯ、および酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）が挙げられる。

図１に示されるように、光電変換素子は、陰極と活性層との間に、電子輸送層を備えていてもよい。電子輸送層は、活性層から陰極へと電子を輸送する機能を有する。電子輸送層は、陰極に接していてもよい。電子輸送層は活性層に接していてもよい。

電子輸送層は、電子輸送性材料を含む。電子輸送性材料の例としては、酸化亜鉛のナノ粒子、ガリウムドープ酸化亜鉛のナノ粒子、アルミニウムドープ酸化亜鉛のナノ粒子、ポリエチレンイミン、ポリエチレンイミンエトキシレイテッド、およびＰＦＮ−Ｐ２が挙げられる。

中間層は、既に説明した活性層の製造方法と同様の塗布法により形成することができる。

（光電変換素子の用途）
本実施形態の光電変換素子は、光が照射されることにより、電極間に光起電力を発生させることができ、太陽電池として動作させることができる。また太陽電池を複数集積することにより薄膜太陽電池モジュールとすることもできる。

また、本実施形態の光電変換素子は、電極間に電圧を印加した状態で、透明または半透明の電極側から光を照射することにより、光電流を流すことができ、光検出素子（光センサー）として動作させることができる。また、光センサーを複数集積することによりイメージセンサとして用いることもできる。

（光電変換素子の適用例）
既に説明した本発明の実施形態にかかる光電変換素子は、ワークステーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、入退室管理システム、デジタルカメラ、および医療機器などの種々の電子装置が備える検出部に好適に適用することができる。

本発明の光電変換素子（光検出素子）は、上記例示の電子装置が備える、例えば、Ｘ線撮像装置およびＣＭＯＳイメージセンサーなどの固体撮像装置用のイメージ検出部（イメージセンサー）、指紋検出部、顔検出部、静脈検出部および虹彩検出部などの生体の一部分の所定の特徴を検出する検出部、パルスオキシメーターなどの光学バイオセンサーの検出部などに好適に適用することができる。

以下、本発明の実施形態にかかる光電変換素子が好適に適用され得る検出部のうち、固体撮像装置用のイメージ検出部、生体情報認証装置（指紋認証装置）のための指紋検出部の構成例について、図面を参照して説明する。

（イメージ検出部）
図２は、固体撮像装置用のイメージ検出部の構成例を模式的に示す図である。

イメージ検出部１は、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０を覆うように設けられている層間絶縁膜３０と、層間絶縁膜３０上に設けられている、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０と、層間絶縁膜３０を貫通するように設けられており、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０と光電変換素子１０とを電気的に接続する層間配線部３２と、光電変換素子１０を覆うように設けられている封止層４０と、封止層４０上に設けられているカラーフィルター５０とを備えている。

ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、従来公知の任意好適な構成を設計に応じた態様で備えている。

ＣＭＯＳトランジスタ基板２０は、基板の厚さ内に形成されたトランジスタ、コンデンサなどを含み、種々の機能を実現するためのＣＭＯＳトランジスタ回路（ＭＯＳトランジスタ回路）などの機能素子を備えている。

機能素子としては、例えば、フローティングディフュージョン、リセットトランジスタ、出力トランジスタ、選択トランジスタが挙げられる。

このような機能素子、配線などにより、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０には、信号読み出し回路などが作り込まれている。

層間絶縁膜３０は、例えば酸化シリコン、絶縁性樹脂などの従来公知の任意好適な絶縁性材料により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、銅、タングステンなどの従来公知の任意好適な導電性材料（配線材料）により構成することができる。層間配線部３２は、例えば、配線層の形成と同時に形成されるホール内配線であっても、配線層とは別途形成される埋込みプラグであってもよい。

封止層４０は、光電変換素子１０を機能的に劣化させてしまうおそれのある酸素、水などの有害物質の浸透を防止または抑制できることを条件として、従来公知の任意好適な材料により構成することができる。封止層４０は、既に説明した封止基板１７により構成してもよい。

カラーフィルター５０としては、従来公知の任意好適な材料により構成され、かつイメージ検出部１の設計に対応した例えば原色カラーフィルターを用いることができる。また、カラーフィルター５０としては、原色カラーフィルターと比較して、厚さを薄くすることができる補色カラーフィルターを用いることもできる。補色カラーフィルターとしては、例えば（イエロー、シアン、マゼンタ）の３種類、（イエロー、シアン、透明）の３種類、（イエロー、透明、マゼンタ）の３種類、および（透明、シアン、マゼンタ）の３種類が組み合わされたカラーフィルターを用いることができる。これらは、カラー画像データを生成できることを条件として、光電変換素子１０およびＣＭＯＳトランジスタ基板２０の設計に対応した任意好適な配置とすることができる。

カラーフィルター５０を介して光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像対象に対応する電気信号として出力される。

次いで、光電変換素子１０から出力された受光信号は、層間配線部３２を介して、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に入力され、ＣＭＯＳトランジスタ基板２０に作り込まれた信号読み出し回路により読み出され、図示しないさらなる任意好適な従来公知の機能部によって信号処理されることにより、撮像対象に基づく画像情報が生成される。

（指紋検出部）
図３は、表示装置に一体的に構成される指紋検出部の構成例を模式的に示す図である。

携帯情報端末の表示装置２は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を主たる構成要素として含む指紋検出部１００と、当該指紋検出部１００上に設けられ、所定の画像を表示する表示パネル部２００とを備えている。

この構成例では、表示パネル部２００の表示領域２００ａと略一致する領域に指紋検出部１００が設けられている。換言すると、指紋検出部１００の上方に、表示パネル部２００が一体的に積層されている。

表示領域２００ａのうちの一部の領域においてのみ指紋検出を行う場合には、当該一部の領域のみに対応させて指紋検出部１００を設ければよい。

指紋検出部１００は、本発明の実施形態にかかる光電変換素子１０を本質的な機能を奏する機能部として含む。指紋検出部１００は、図示されていない保護フィルム（ｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎ ｆｉｌｍ）、支持基板、封止基板、封止部材、バリアフィルム、バンドパスフィルター、赤外線カットフィルムなどの任意好適な従来公知の部材を所望の特性が得られるような設計に対応した態様で備え得る。指紋検出部１００には、既に説明したイメージ検出部の構成を採用することもできる。

光電変換素子１０は、表示領域２００ａ内において、任意の態様で含まれ得る。例えば、複数の光電変換素子１０が、マトリクス状に配置されていてもよい。

光電変換素子１０は、既に説明したとおり、支持基板１１または封止基板に設けられており、支持基板１１には、例えばマトリクス状に電極（陽極または陰極）が設けられている。

光電変換素子１０が受光した光は、光電変換素子１０によって、受光量に応じた電気信号に変換され、電極を介して、光電変換素子１０外に受光信号、すなわち撮像された指紋に対応する電気信号として出力される。

表示パネル部２００は、この構成例では、タッチセンサーパネルを含む有機エレクトロルミネッセンス表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）として構成されている。表示パネル部２００は、例えば有機ＥＬ表示パネルの代わりに、バックライトなどの光源を含む液晶表示パネルなどの任意好適な従来公知の構成を有する表示パネルにより構成されていてもよい。

表示パネル部２００は、既に説明した指紋検出部１００上に設けられている。表示パネル部２００は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）２２０を本質的な機能を奏する機能部として含む。表示パネル部２００は、さらに任意好適な従来公知のガラス基板といった基板（支持基板２１０または封止基板２４０）、封止部材、バリアフィルム、円偏光板などの偏光板、タッチセンサーパネル２３０などの任意好適な従来公知の部材を所望の特性に対応した態様で備え得る。

以上説明した構成例において、有機ＥＬ素子２２０は、表示領域２００ａにおける画素の光源として用いられるとともに、指紋検出部１００における指紋の撮像のための光源としても用いられる。

ここで、指紋検出部１００の動作について簡単に説明する。
指紋認証の実行時には、表示パネル部２００の有機ＥＬ素子２２０から放射される光を用いて指紋検出部１００が指紋を検出する。具体的には、有機ＥＬ素子２２０から放射された光は、有機ＥＬ素子２２０と指紋検出部１００の光電変換素子１０との間に存在する構成要素を透過して、表示領域２００ａ内である表示パネル部２００の表面に接するように載置された手指の指先の皮膚（指表面）によって反射される。指表面によって反射された光のうちの少なくとも一部は、間に存在する構成要素を透過して光電変換素子１０によって受光され、光電変換素子１０の受光量に応じた電気信号に変換される。そして、変換された電気信号から、指表面の指紋についての画像情報が構成される。

表示装置２を備える携帯情報端末は、従来公知の任意好適なステップにより、得られた画像情報と、予め記録されていた指紋認証用の指紋データとを比較して、指紋認証を行う。

［２．光電変換素子の製造方法］
本実施形態の光電変換素子の製造方法は、特に限定されない。光電変換素子は、各構成要素を形成するにあたり選択された材料に好適な形成方法により製造することができる。

本実施形態の光電変換素子が備える主要な構成要素である活性層は、バルクへテロジャンクション型であるので、インクを用いる塗布法により製造することができる。

光電変換素子の製造方法は、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含む、光電変換素子の製造方法において、活性層を形成する工程が、ｎ型半導体材料と、バンドギャップが０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶ、具体的には０．５０ｅＶ〜１．５８ｅＶであるｐ型半導体材料と、溶媒とを含むインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程（ｉ）と、該塗膜から溶媒を除去する工程（ｉｉ）とを含み、透過型電子顕微鏡で観察した活性層の画像を２値化した画像において、ｎ型半導体材料の相とｐ型半導体材料の相との接合長さが、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである活性層を形成する工程である。

以下、本発明の光電変換素子の主たる構成要素である活性層の形成工程が含む工程（ｉ）および工程（ｉｉ）について説明する。

（工程（ｉ））
インクを塗布対象に塗布する方法としては、任意好適な塗布法を用いることができる。塗布法としては、スリットコート法、ナイフコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、インクジェット印刷法、ノズルコート法、またはキャピラリーコート法が好ましく、スリットコート法、スピンコート法、キャピラリーコート法、またはバーコート法がより好ましく、スリットコート法、またはスピンコート法がさらに好ましい。

活性層形成用のインクは、光電変換素子およびその製造方法に応じて選択された塗布対象に塗布される。活性層形成用のインクは、光電変換素子の製造工程において、光電変換素子が有する機能層であって、活性層が存在し得る機能層に塗布されうる。したがって、活性層形成用のインクの塗布対象は、製造される光電変換素子の層構成および層形成の順序によって異なる。例えば、光電変換素子が、基板／陽極／正孔輸送層／活性層／電子輸送層／陰極の層構成を有しており、より左側に記載された層が先に形成される場合、インクの塗布対象は、正孔輸送層となる。また、例えば、光電変換素子が、基板／陰極／電子輸送層／活性層／正孔輸送層／陽極の層構成を有しており、より左側に記載された層が先に形成される場合、インクの塗布対象は、電子輸送層となる。

（工程（ｉｉ））
インクの塗膜から、溶媒を除去する方法、すなわち塗膜から溶媒を除去して固化膜とする方法としては、任意好適な方法を用いることができる。溶媒を除去する方法の例としては、ホットプレートを用いて直接的に加熱する方法、熱風乾燥法、赤外線加熱乾燥法、フラッシュランプアニール乾燥法、減圧乾燥法などの乾燥法が挙げられる。

ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さは、工程（ｉｉ）の実施態様（温度、乾燥時間）によっても調整することができる。例えば、温度をより低めに設定して、乾燥時間をより長く設定することにより、かかる接合長さは大きくなる傾向にあるので、例えば、乾燥条件を調節することにより、接合長さを最適化することができる。

活性層を形成する工程は、前記工程（ｉ）および工程（ｉｉ）以外に、本発明の目的および効果を損なわないことを条件としてその他の工程を含んでいてもよい。

光電変換素子の製造方法は、複数の活性層を含む光電変換素子を製造する方法であってもよく、工程（ｉ）および工程（ｉｉ）が複数回繰り返される方法であってもよい。

（インク）
インクは、溶液であってもよく、分散液、エマルション（乳濁液）、サスペンション（懸濁液）等の分散液であってもよい。本実施形態のインクは、活性層形成用のインクであって、ｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料と、第１溶媒とを含み、さらに所望により第２溶媒を含み得る。以下、インクの成分について説明する。

ここでまず、以下の説明において共通して用いられる用語について説明する。

「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０^３以上１×１０^８以下である重合体を意味する。高分子化合物に含まれる構成単位は、合計１００モル％である。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「水素原子」は、軽水素原子であっても、重水素原子であってもよい。

「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子を包含する。

「置換基を有していてもよい」とは、その化合物または基を構成するすべての水素原子が無置換の場合、および１個以上の水素原子の一部または全部が置換基によって置換されている場合の両方の態様を含む。

「アルキル基」は、別に断らない限り、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは１〜３０であり、より好ましくは１〜２０である。分岐状または環状であるアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。

アルキル基は、置換基を有していてもよい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−ｎ−プロピルヘプチル基、アダマンチル基、ｎ−デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ｎ−ヘキシル−デシル基、ｎ−ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル墓、オクタデシル基、およびエイコシル基が挙げられる。また、置換基を有するアルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ｎ−ヘキシルフェニル）プロピル基、および６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。

「アリール基」は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子を１個を除いた残りの原子団を意味する。

アリール基は、置換基を有していてもよい。アリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基、アリール基、フッ素原子等の置換基を有している基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは１〜１０である。分岐状または環状のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。

アルコキシ基は、置換基を有していてもよい。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、およびラウリルオキシ基が挙げられる。

「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。

アリールオキシ基は、置換基を有していてもよい。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基、フッ素原子等の置換基を有している基が挙げられる。

「アルキルチオ基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜４０であり、好ましくは１〜１０である。分岐状および環状のアルキルチオ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜４０であり、好ましくは４〜１０である。

アルキルチオ基は、置換基を有していてもよい。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、およびトリフルオロメチルチオ基が挙げられる。

「アリールチオ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜４８である。

アリールチオ基は、置換基を有していてもよい。アリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシフェニルチオ基（「Ｃ１〜Ｃ１２」との記載は、その直後に記載された基の炭素原子数が１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、およびペンタフルオロフェニルチオ基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、置換基を有していてもよい複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。「ｐ価の芳香族複素環基」は、置換基を有していてもよい芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。

複素環式化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、およびニトロ基が挙げられる。

芳香族複素環式化合物には、複素環自体が芳香族性を示す化合物に加えて、芳香族性を示さない複素環に芳香環が縮環している化合物が包含される。

芳香族複素環式化合物のうち、複素環自体が芳香族性を示す化合物の具体例としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、およびジベンゾホスホールが挙げられる。

芳香族複素環式化合物のうち、芳香族性を示さない複素環に芳香環が縮環している化合物の具体例としては、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、およびベンゾピランが挙げられる。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２〜６０であり、好ましくは４〜２０である。

１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、１価の複素環基の具体例としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有している基が挙げられる。

「置換アミノ基」とは、置換基を有するアミノ基を意味する。置換アミノ基が有し得る置換基の例としては、アルキル基、アリール基、および１価の複素環基が挙げられる。置換基としては、アルキル基、アリール基、または１価の複素環基が好ましい。置換アミノ基の炭素原子数は、通常２〜３０である。

置換アミノ基の例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基等のジアリールアミノ基が挙げられる。

「アシル基」は、炭素原子数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素原子数が２〜１８である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、およびペンタフルオロベンゾイル基が挙げられる。

「イミン残基」とは、イミン化合物から、炭素原子−窒素原子二重結合を構成する炭素原子または窒素原子に直接結合する水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。「イミン化合物」とは、分子内に、炭素原子−窒素原子二重結合を有する有機化合物を意味する。イミン化合物の例として、アルジミン、ケチミン、およびアルジミン中の炭素原子−窒素原子二重結合を構成する窒素原子に結合している水素原子が、アルキル基等で置換された化合物が挙げられる。

イミン残基は、通常、炭素原子数が２〜２０であり、好ましくは炭素原子数が２〜１８である。イミン残基の例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。

「アミド基」は、アミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。アミド基の炭素原子数は、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１８である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、およびジペンタフルオロベンズアミド基が挙げられる。

「酸イミド基」とは、酸イミドから窒素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。酸イミド基の炭素原子数は、通常、４〜２０である。酸イミド基の具体例としては、下記の構造式で表される基が挙げられる。

「置換オキシカルボニル基」とは、Ｒ’−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−で表される基を意味する。ここで、Ｒ’は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、または１価の複素環基を表す。
置換オキシカルボニル基は、炭素原子数が通常２〜６０であり、好ましくは炭素原子数が２〜４８である。

置換オキシカルボニル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシルオキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、およびピリジルオキシカルボニル基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜３０であり、好ましくは３〜２０である。分岐状または環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルケニル基は、置換基を有していてもよい。アルケニル基の具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有している基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖状、分岐状、および環状のいずれであってもよい。直鎖状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜２０であり、好ましくは３〜２０である。分岐状または環状のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常４〜３０であり、好ましくは４〜２０である。

アルキニル基は置換基を有していてもよい。アルキニル基の具体例としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、およびこれらの基がアルキル基、アルコキシ基等の置換基を有している基が挙げられる。

（ｐ型半導体材料）
ｐ型半導体材料は、低分子化合物であっても高分子化合物であってもよい。

低分子化合物であるｐ型半導体材料としては、例えば、フタロシアニン、金属フタロシアニン、ポルフィリン、金属ポルフィリン、オリゴチオフェン、テトラセン、ペンタセン、及びルブレンが挙げられる。

ｐ型半導体材料が高分子化合物である場合には、高分子化合物は、所定のポリスチレン換算の重量平均分子量を有する。

ここで、ポリスチレン換算の重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用い、ポリスチレンの標準試料を用いて算出した重量平均分子量を意味する。

ｐ型半導体材料のポリスチレン換算の重量平均分子量は、溶媒への溶解性の観点から、２００００以上２０００００以下であることが好ましく、３００００以上１８００００以下であることがより好ましく、さらに好ましくは４００００以上１５００００以下である。

高分子化合物であるｐ型半導体材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を含むポリシロキサン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体等が挙げられる。

高分子化合物であるｐ型半導体材料としては、比暗電流の低減の観点から、チオフェン骨格を含む構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

ｐ型半導体材料は、下記式（Ｉ）で表される構成単位および／または下記式（ＩＩ）で表される構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

式（Ｉ）中、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、３価の芳香族複素環基を表し、Ｚは下記式（Ｚ−１）〜式（Ｚ−７）で表される基を表す。

式（ＩＩ）中、Ａｒ^３は２価の芳香族複素環基を表す。

式（Ｚ−１）〜（Ｚ−７）中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、またはニトロ基を表す。式（Ｚ−１）〜式（Ｚ−７）のそれぞれにおいて、Ｒが２個存在する場合、２個のＲは互いに同一であっても異なっていてもよい。

式（Ｉ）で表される構成単位は、下記式（Ｉ−１）で表される構成単位であることが好ましい。

式（Ｉ−１）中、Ｚは前記と同様の意味を表す。

式（Ｉ−１）で表される構成単位の例としては、下記式（５０１）〜式（５０５）で表される構成単位が挙げられる。

前記式（５０１）〜式（５０５）中、Ｒは前記と同様の意味を表す。Ｒが２個存在する場合、２個のＲは互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基が有する炭素原子数は、通常２〜６０であり、好ましくは４〜６０であり、より好ましくは４〜２０である。Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、１価の複素環基、置換アミノ基、アシル基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、置換オキシカルボニル基、アルケニル基、アルキニル基、シアノ基、およびニトロ基が挙げられる。

Ａｒ^３で表される２価の芳香族複素環基の例としては、下記式（１０１）〜式（１８５）で表される基が挙げられる。

式（１０１）〜式（１８５）中、Ｒは前記と同じ意味を表す。Ｒが複数個存在する場合、複数個のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

前記式（ＩＩ）で表される構成単位としては、下記式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−６）で表される構成単位が好ましい。

式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−６）中、Ｘ^１およびＸ^２は、それぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒは前記と同様の意味を表す。Ｒが複数個存在する場合、複数個のＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

原料化合物の入手性の観点から、式（ＩＩ−１）〜式（ＩＩ−６）中のＸ^１およびＸ^２は、いずれも硫黄原子であることが好ましい。

ｐ型半導体材料は、チオフェン骨格を含む構成単位を含む高分子化合物であることが好ましい。

ｐ型半導体材料である高分子化合物は、２種以上の式（Ｉ）の構成単位を含んでいてもよく、２種以上の式（ＩＩ）の構成単位を含んでいてもよい。

溶媒に対する溶解性を向上させるため、ｐ型半導体材料である高分子化合物は、下記式（ＩＩＩ）で表される構成単位を含んでいてもよい。

式（ＩＩＩ）中、Ａｒ^４はアリーレン基を表す。

Ａｒ^４で表されるアリーレン基とは、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素から、水素原子を２個除いた残りの原子団を意味する。芳香族炭化水素には、縮合環を有する化合物、独立したベンゼン環および縮合環からなる群から選ばれる２個以上が、直接またはビニレン基等の２価の基を介して結合した化合物も含まれる。

芳香族炭化水素が有していてもよい置換基の例としては、複素環式化合物が有していてもよい置換基として例示された置換基と同様の置換基が挙げられる。

アリーレン基における、置換基を除いた部分の炭素原子数は、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０である。置換基を含めたアリーレン基の炭素原子数は、通常６〜１００である。

アリーレン基の例としては、フェニレン基（例えば、下記式１〜式３）、ナフタレン−ジイル基（例えば、下記式４〜式１３）、アントラセン−ジイル基（例えば、下記式１４〜式１９）、ビフェニル−ジイル基（例えば、下記式２０〜式２５）、ターフェニル−ジイル基（例えば、下記式２６〜式２８）、縮合環化合物基（例えば、下記式２９〜式３５）、フルオレン−ジイル基（例えば、下記式３６〜式３８）、およびベンゾフルオレン−ジイル基（例えば、下記式３９〜式４６）が挙げられる。

式１〜４６中、置換基であるＲは、前記と同様の意味を表す。複数個存在するＲは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

ｐ型半導体材料である高分子化合物を構成する構成単位は、式（Ｉ）で表される構成単位、式（ＩＩ）で表される構成単位および式（ＩＩＩ）で表される構成単位から選択される２種以上の構成単位が２つ以上組み合わせされて連結された構成単位であってもよい。

ｐ型半導体材料としての高分子化合物が、式（Ｉ）で表される構成単位および／または式（ＩＩ）で表される構成単位を含む場合、式（Ｉ）で表される構成単位および式（ＩＩ）で表される構成単位の合計量は、高分子化合物が含むすべての構成単位の量を１００モル％とすると、通常２０〜１００モル％であり、ｐ型半導体材料としての電荷輸送性を向上させるので、好ましくは４０〜１００モル％であり、より好ましくは５０〜１００モル％である。

ｐ型半導体材料としての高分子化合物の具体例としては、下記式Ｐ−１〜Ｐ−６で表される高分子化合物が挙げられる。

インクは、ｐ型半導体材料を１種のみ含んでいてもよく、２種以上の任意の割合の組み合わせとして含んでいてもよい。

（ｎ型半導体材料）
ｎ型半導体材料は、比暗電流の低減の観点から、Ｃ_６０フラーレン誘導体であることが好ましい。Ｃ_６０フラーレン誘導体とは、Ｃ_６０フラーレンの少なくとも一部が修飾された化合物を意味する。

Ｃ_６０フラーレン誘導体の例としては、下記式（Ｎ−１）および式（Ｎ−２）で表される化合物が挙げられる。

式（Ｎ−１）および式（Ｎ−２）中、Ｒ^ａは、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、またはエステル構造を有する基を表す。複数個あるＲ^ａは、互いに同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ^ｂは、アルキル基、またはアリール基を表す。複数個あるＲ^ｂは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^ａで表されるエステル構造を有する基の例としては、下記式（１９）で表される基が挙げられる。

式（１９）中、ｕ１は、１〜６の整数を表す。ｕ２は、０〜６の整数を表す。Ｒ^ｃは、アルキル基、アリール基、または１価の複素環基を表す。

Ｃ_６０フラーレン誘導体の例としては、下記の化合物が挙げられる。

Ｃ_６０フラーレン誘導体の具体例としては、［６，６］−フェニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（Ｃ６０ＰＣＢＭ、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）、および［６，６］−チエニル−Ｃ６１酪酸メチルエステル（［６，６］−Ｔｈｉｅｎｙｌ Ｃ６１ ｂｕｔｙｒｉｃ ａｃｉｄ ｍｅｔｈｙｌ ｅｓｔｅｒ）が挙げられる。

インクは、ｎ型半導体材料を１種のみ含んでいてもよく、２種以上を任意の割合の組み合わせで含んでいてもよい。

（ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の重量比（ｐ／ｎ比））
インク中のｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の重量比（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料）は、９／１〜１／９の範囲とすることが好ましく、２／１〜１／９の範囲とすることがより好ましく、１／１〜１／９の範囲とすることがさらに好ましく、光電変換素子が特に光検出素子である場合のｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さを好適な範囲とする観点から、１／１〜１／３の範囲とすることが特に好ましい。ｐ／ｎ比は、ｐ型半導体材料の相とｎ型半導体材料の相との接合長さを調節するための指標として用いることもできる。

（第１溶媒）
溶媒は、選択されたｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料に対する溶解性、活性層を形成する際の乾燥条件に対応するための特性（沸点など）を考慮して選択すればよい。
主溶媒である第１溶媒は、置換基（アルキル基、ハロゲン原子）を有していてもよい芳香族炭化水素（以下、単に芳香族炭化水素という。）である。第１溶媒は、選択されたｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の溶解性を考慮して選択することが好ましい。

このような芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン（例、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン）、トリメチルベンゼン（例、メシチレン、１，２，４−トリメチルベンゼン（プソイドクメン））、ブチルベンゼン（例、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン）、メチルナフタレン（例、１−メチルナフタレン）、テトラリン、インダン、クロロベンゼンおよびジクロロベンゼン（ｏ−ジクロロベンゼン）が挙げられる。

第１溶媒は１種のみの芳香族炭化水素から構成されていても、２種以上の芳香族炭化水素から構成されていてもよい。第１溶媒は、１種のみの芳香族炭化水素から構成されることが好ましい。

第１溶媒は、好ましくは、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン、プソイドクメン、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、メチルナフタレン、テトラリン、インダン、クロロベンゼンおよびｏ−ジクロロベンゼンからなる群から選択される１種以上を含み、より好ましくは、プソイドクメン、クロロベンゼンまたはｏ−ジクロロベンゼンを含む。

（第２溶媒）
第２溶媒は、特にｎ型半導体材料の溶解性を高め、活性層におけるｎ型半導体材料の相とｐ型半導体材料の相との接合長さを好適にできる観点から選択される溶媒であることが好ましい。第２溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン、プロピオフェノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸フェニル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、安息香酸ブチル、および安息香酸ベンジル等のエステル溶媒が挙げられる。

第２溶媒は、比暗電流を低減する観点から、プロピオフェノン、または安息香酸ベンジルが好ましい。

（第１溶媒および第２溶媒の組み合わせ）
第１溶媒および第２溶媒の組み合わせとしては、例えば、下記表１に示される組み合わせが挙げられる。

（第１溶媒および第２溶媒の重量比）
主溶媒である第１溶媒の添加溶媒である第２溶媒に対する重量比（第１溶媒／第２溶媒）は、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の溶解性をより向上させる観点から、８５／１５〜９９／１の範囲とすることが好ましい。

（インクにおける第１溶媒および第２溶媒の合計の重量百分率）
インクに含まれる第１溶媒および第２溶媒の総重量は、インクの全重量を１００重量％としたときに、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の溶解性をより向上させる観点から、好ましくは９０重量％以上、より好ましくは９２重量％以上、さらに好ましくは９５重量％以上であり、インク中のｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の濃度を高くして一定の厚さ以上の膜を形成し易くする観点から、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９８重量％以下、さらに好ましくは９７．５重量％以下である。

（任意の溶媒）
インクは、第１溶媒および第２溶媒以外の任意の溶媒を含んでいてもよい。インクに含まれる全溶媒の合計重量を１００重量％としたときに、任意の溶媒の含有率は、好ましくは５重量％以下であり、より好ましくは３重量％以下であり、さらに好ましくは１重量％以下である。任意の溶媒としては、第２溶媒より沸点が高い溶媒が好ましい。

（任意の成分）
インクには、第１の溶媒、第２の溶媒、ｐ型半導体材料、およびｎ型半導体材料の他に、本発明の目的及び効果を損なわない限度において、紫外線吸収剤、酸化防止剤、吸収した光により電荷を発生させる機能を増感するためのため増感剤、紫外線に対する安定性を増すための光安定剤といった任意の成分が含まれていてもよい。

（インクにおけるｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の濃度）
インクにおける、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料の合計の濃度は、０．０１重量％以上２０重量％以下であることが好ましく、０．０１重量％以上１０重量％以下であることがより好ましく、０．０１重量％以上５重量％以下であることがさらに好ましく、０．１重量％以上５重量％以下であることが特に好ましい。インク中、ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料は溶解していても分散していてもよい。ｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料は、好ましくは少なくとも一部が溶解しており、より好ましくは全部が溶解している。

（インクの調製）
インクは、公知の方法により調製することができる。例えば、第１溶媒および第２溶媒を混合して混合溶媒を調製し、混合溶媒にｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料を添加する方法、第１溶媒にｐ型半導体材料を添加し、第２溶媒にｎ型半導体材料を添加してから、各材料が添加された第１溶媒および第２溶媒を混合する方法などにより、調製することができる。

第１溶媒および第２溶媒とｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料とを、溶媒の沸点以下の温度で加温して混合してもよい。

第１溶媒および第２溶媒とｐ型半導体材料およびｎ型半導体材料とを混合した後、得られた混合物をフィルターを用いて濾過し、得られた濾液をインクとして用いてもよい。フィルターとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂で形成されたフィルターを用いることができる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示す。本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではない。

本実施例では、下記表２に示したｐ型半導体材料（電子供与性化合物）および下記表２に示したｎ型半導体材料（電子受容性化合物）を使用した。

ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−１は、国際公開第２０１３／０５１６７６号に記載の方法を参考にして合成し、使用した。
ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−２は、ＰＤＰＰ３Ｔ（商品名、Ｌｕｍｔｅｃ社製）を市場より入手して使用した。
ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−３は、国際公開第２０１１／０５２７０９号に記載の方法を参考にして合成し、使用した。
ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−４は、ＰＣＥ１０（商品名、１−ｍａｔｅｒｉａｌ社製）を市場より入手して使用した。
ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−５は、ＰＤＴＳＴＰＤ（商品名、１−ｍａｔｅｒｉａｌ社製）を市場より入手して使用した。
ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−６は、特開２０１０−７４１２７号公報に記載の方法を参考にして合成し、使用した。
ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’は、Ｅ１００（商品名、フロンティアカーボン社製）を市場より入手して使用した。
ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−３は、ＡＤＳ７１ＢＦＡ（商品名、アメリカンダイソース社製）を市場より入手して使用した。

本実施例で使用した溶媒およびその沸点（℃）は、下記表４のとおりである。

＜調製例１＞
（インクの調製）
第１溶媒としてプソイドクメン、第２溶媒としてプロピオフェノンを用い、第１溶媒と第２溶媒との重量比を９５：５として混合溶媒を調製した。得られた混合溶媒に、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−１をインクの全重量に対し１重量％の濃度となるように、またｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’をインクの全重量に対して２．５重量％の濃度となるように（ｐ型半導体材料／ｎ型半導体材料＝１／２．５（以下、ｐ／ｎ比という。））混合し、８０℃で１２時間撹拌を行った後、得られた混合液を孔径５μｍのＰＴＦＥフィルターを用いて濾過を行い、インク（Ｉ−１）を得た。

＜調製例２〜３および比較調製例１〜５＞
第１溶媒および第２溶媒を下記表５−１に示す組み合わせおよび混合比（重量％）で用いた混合溶媒または単溶媒を使用し、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ-１（組成全体として１重量％、重量平均分子量（Ｍｗ）を併せて示す。）、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’またはＮ−３を使用して、調製例１と同様の方法でインク（Ｉ−２）〜（Ｉ−３）およびインク（Ｃ−１）〜（Ｃ−５）の調製を行った。

＜調製例４〜５および比較調製例６＞
第１溶媒および第２溶媒を下記表５−１に示す組み合わせおよび混合比（重量％）で用いた混合溶媒または単溶媒を使用し、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−２（組成全体として１重量％、重量平均分子量（Ｍｗ）を併せて示す。）、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’を使用して、調製例１と同様の方法でインク（Ｉ−４）〜（Ｉ−５）およびインク（Ｃ−６）の調製を行なった。

＜調製例６〜８＞
第１溶媒および第２溶媒を下記表５−１に示す組み合わせおよび混合比（重量％）で用いた混合溶媒または単溶媒を使用し、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−３（組成全体として１重量％、重量平均分子量（Ｍｗ）を併せて示す。）、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’を使用して、調製例１と同様の方法でインク（Ｉ−６）〜（Ｉ−８）の調製を行なった。

＜比較調製例７〜８＞
第１溶媒および第２溶媒を下記表５−１に示す組み合わせおよび混合比（重量％）で用いた混合溶媒を使用し、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−４（組成全体として１重量％、重量平均分子量（Ｍｗ）を併せて示す。）、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’を使用して、調製例１と同様の方法でインク（Ｃ−７）〜（Ｃ−８）の調製を行なった。

＜比較調製例９〜１２＞
第１溶媒および第２溶媒を下記表５−１および表５−２に示す組み合わせおよび混合比（重量％）で用いた混合溶媒または単溶媒を使用し、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−５（組成全体として１重量％、重量平均分子量（Ｍｗ）を併せて示す。）、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’を使用して、調製例１と同様の方法でインク（Ｃ−９）〜（Ｃ−１２）の調製を行なった。

＜比較調製例１３〜１６＞
第１溶媒および第２溶媒を下記表５−２に示す組み合わせおよび混合比（重量％）で用いた混合溶媒を使用し、ｐ型半導体材料である高分子化合物Ｐ−６（組成全体として１重量％、重量平均分子量（Ｍｗ）を併せて示す。）、ｎ型半導体材料である化合物Ｎ−１’を使用して、調製例１と同様の方法でインク（Ｃ−１３）〜（Ｃ−１６）の調製を行なった。

＜実施例１＞
（光電変換素子の作製および評価）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚さでＩＴＯの薄膜（陽極）が形成されたガラス基板を用意し、このガラス基板に対し、表面処理としてオゾンＵＶ処理を行った。

次に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）およびポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を水に溶解させた懸濁液（Ｃｌｅｖｉｏｓ Ｐ ＶＰ ＡＩ４０８３、ヘレウス社製）を孔径０．４５μｍのフィルターを用いて濾過した。濾過後の懸濁液を、基板のＩＴＯの薄膜上にスピンコート法により４０ｎｍの厚さで塗布して塗膜を形成した。

次いで、塗膜が形成されたガラス基板を、大気中において、ホットプレートを用いて２００℃で１０分間の条件で乾燥させることにより、正孔輸送層を形成した。

次に、インク組成物（Ｉ−１）を、形成された正孔輸送層上にスピンコート法により塗布して塗膜を形成した後、７０℃に加熱したホットプレートを用いて乾燥することにより、活性層を形成した。形成された活性層の厚さは約１００ｎｍであった。

次いで、酸化亜鉛ナノ粒子（粒径２０〜３０ｎｍ）の４５重量％イソプロパノール分散液（ＨＴＤ−７１１Ｚ、テイカ社製）を、当該イソプロパノール分散液の１０倍重量部の３−ペンタノールで希釈することにより、塗布液を調製した。得られた塗布液を、スピンコート法により活性層上に塗布し、塗膜が形成されたガラス基板を窒素ガス雰囲気下で乾燥させることにより約４０ｎｍの厚さの電子輸送層を形成した。

その後、抵抗加熱蒸着装置内にて、活性層上にＡｇ層を約８０ｎｍの厚さで形成し、電極（陰極）とした。

次いで、ＵＶ硬化性封止剤を形成された積層体の周辺に塗布し、ガラス基板を貼り合わせた後、ＵＶ光を照射することで積層体を封止することにより、光電変換素子を得た。得られた光電変換素子の厚さ方向から見たときの平面的な形状は、１ｃｍ×１ｃｍの正方形であった。

得られた光電変換素子を用いて、暗電流を測定した。暗電流の測定は、半導体パラメーターアナライザー（Ａｇｉｌｅｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ１５００Ａ、アジレントテクノロジー社製）を用いて測定した。−５Ｖ印加時および−２Ｖ印加時における暗電流の値を得た。得られた暗電流の値に基づいて暗電流比を計算した。すなわち、ここでいう暗電流比は、−５Ｖ印加時に得られた暗電流と、−２Ｖ印加時に得られた暗電流との比を意味する。結果を下記表６に示す。

バンドギャップ（Ｅｇ）は、ｐ型半導体材料の吸収端波長を用いて下記式により計算した。結果を下記表６に示す。
バンドギャップ：Ｅｇ＝ｈｃ／吸収端波長（プランク定数：ｈ＝６．６２６×１０^−３４Ｊｓ、光速：ｃ＝３×１０^８ｍ／ｓ）

（相分離構造の観察）
上記「光電変換素子の作製および評価」で説明したとおりに基板上に活性層を形成した後の活性層中の電子供与性化合物を含む相と電子受容性化合物を含む相との相分離構造を、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による電子エネルギー損失分光法（ＴＥＭ−ＥＥＬＳ）により得られた２０ｅＶロス像用いて観察した。２０ｅＶロス像の撮影時のスリット幅は１０ｅＶであった。

ＴＥＭ観察用の試料は、スピンコート法により形成された膜上に、ポリビニルピロリドン水溶液を滴下して、乾燥後に剥離したものを水に浮かべ、ＴＥＭ用グリッドですくって得た。観察は、ＴＥＭ（ＪＥＭ２２００ＦＳ、日本電子社製）を加速電圧２００ｋＶで用い、２００００倍の倍率で８２４ｎｍ×８２４ｎｍの範囲の層を１０２４×１０２４ピクセルの２０ｅＶロス像を用いて行った。

（接合長さの算出方法）
接合長さの算出は、コンピュータハードウェアおよびソフトウェアを用いる以下のステップにより行った。
ステップ（ｉ）コンピュータが、得られた２０ｅＶロス像（ＴＥＭ像）を、ＩｍａｇｅＪ（画像処理ソフトウェア）を用いて読み込んだ。
ステップ（ｉｉ）コンピュータが、読み込まれた画像を、ＩｍａｇｅＪを用いてグレースケールの１６ｂｉｔ画像に変換した。
ステップ（ｉｉｉ）コンピュータが、変換されたグレースケールの１６ｂｉｔ画像に対し、Ｒｏｌｌｉｎｇ ｂａｌｌ ｒａｄｉｕｓ ＝ ２０ｐｉｘｃｅｌｓの条件でバックグラウンド補正を行った。
ステップ（ｉｖ）コンピュータが、バックグラウンド補正が行われた画像に対し、１２ｐｉｘｃｅｌｓのメジアンフィルターをかけた（１２ｐｉｘｃｅｌｓ）。
ステップ（ｖ）コンピュータが、メジアンフィルターにより処理された画像に対し、大津法を用いて２値化を行った。
ステップ（ｖｉ）コンピュータが、Ｆｉｎｄ Ｅｄｇｅのコマンドによる処理により２値化された画像における界面を抽出した。
ステップ（ｖｉｉ）コンピュータが、Ｍｅａｓｕｒｅのコマンドによる処理により抽出された界面の面積を算出した。
ステップ（ｖｉｉｉ）コンピュータが、得られた界面の面積を１ピクセル分の長さで除算し、得られた結果を界面の長さとして得た。
ステップ（ｉｘ）コンピュータが、得られた界面の長さを視野面積で除算することにより、単位面積当たりの接合長さを算出した。結果を下記表６に示す。

＜実施例２〜８および比較例１〜１６＞
インク（Ｉ−２）〜（Ｉ−８）およびインク（Ｃ−１）〜（Ｃ−１６）を用いた以外は、既に説明した実施例１と同様の方法により光電変換素子を作製し、評価した。結果を下記表６に示す。

接合長さが１２０μｍ〜１７０μｍであり、ｐ型半導体材料のバンドギャップが０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶ（０．５０ｅＶ〜１．５８ｅＶ）であり、ｎ型半導体材料としてＣ_６０フラーレン誘導体を用いた実施例１〜８の光電変換素子は、いずれも比暗電流の値が１０未満であり、接合長さおよびバンドギャップのいずれか一方または両方を満たしていない比較例１〜１６の光電変換素子と比較して、比暗電流が顕著に低かった。

実施例にかかる光電変換素子は、比暗電流が小さい、すなわち印加電圧が−２Ｖから−５Ｖに変動したときの暗電流の変動が小さいため、特に光検出素子（フォトダイオード）として好適に使用することができる。

１ イメージ検出部
２ 表示装置
１０ 光電変換素子
１１、２１０ 支持基板
１２ 陽極
１３ 正孔輸送層
１４ 活性層
１５ 電子輸送層
１６ 陰極
１７、２４０ 封止基板
２０ ＣＭＯＳトランジスタ基板
３０ 層間絶縁膜
３２ 層間配線部
４０ 封止層
５０ カラーフィルター
１００ 指紋検出部
２００ 表示パネル部
２００ａ 表示領域
２２０ 有機ＥＬ素子
２３０ タッチセンサーパネル

Claims (10)

1. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含む、光検出素子であって、
   前記活性層は、バンドギャップが０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶであるｐ型半導体材料と、ｎ型半導体材料とを含み、
   該ｎ型半導体材料がＣ_６０フラーレン誘導体であり、
   透過型電子顕微鏡で観察した前記活性層の画像を２値化した画像において、前記ｎ型半導体材料の相と前記ｐ型半導体材料の相との接合長さが、前記２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである、逆バイアス電圧を印加して使用される光検出素子。
2. 前記ｐ型半導体材料のバンドギャップが１．１８ｅＶ〜１．５８ｅＶである、請求項１に記載の光検出素子。
3. 前記ｐ型半導体材料が、チオフェン骨格を含む構成単位を含む高分子化合物である、請求項１又は２に記載の光検出素子。
4. 前記Ｃ_６０フラーレン誘導体が、Ｃ６０ＰＣＢＭである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の光検出素子。
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の光検出素子を備える、イメージセンサー。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の光検出素子を備える、指紋認証装置。
7. 陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられる活性層とを含む、光検出素子の製造方法において、
   前記活性層を形成する工程が、ｎ型半導体材料と、バンドギャップが０．５ｅＶ〜１．５８ｅＶであるｐ型半導体材料と、溶媒とを含むインクを塗布対象に塗布して塗膜を得る工程（ｉ）と、該塗膜から溶媒を除去する工程（ｉｉ）とを含み、
   該ｎ型半導体材料がＣ_６０フラーレン誘導体であり、
   透過型電子顕微鏡で観察した活性層の画像を２値化した画像において、前記ｎ型半導体材料と前記ｐ型半導体材料との接合長さが、２値化した画像面積１μｍ^２あたり、１２０μｍ〜１７０μｍである活性層を形成する工程である、逆バイアス電圧を印加して使用される光検出素子の製造方法。
8. 前記ｐ型半導体材料のバンドギャップが１．１８ｅＶ〜１．５８ｅＶである、請求項７に記載の光検出素子の製造方法。
9. 前記ｐ型半導体材料が、チオフェン骨格を含む構成単位を含む高分子化合物である、請求項７又は８に記載の光検出素子の製造方法。
10. 前記Ｃ_６０フラーレン誘導体が、Ｃ６０ＰＣＢＭである、請求項７〜９のいずれか１項に記載の光検出素子の製造方法。

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