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JP6620633B2 - 光ファイバ - Google Patents

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Description

本発明は、光ファイバに関するものである。
レーリー散乱損失が低く伝送損失が低い光ファイバとして、コアがアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を含むシリカガラス系の光ファイバが知られている(例えば特許文献1,2を参照)。このような光ファイバは、コア部にアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素が含まれる光ファイバ母材を線引きすることで製造される。光ファイバ母材のコア部にアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素が含まれていると、この光ファイバ母材を線引きするときにコア部の粘性を下げることができ、シリカガラスのネットワーク構造が均一化するので、構造の不均一に由来するレーリー散乱損失を低くすることができる。本明細書中では以降特に断りの無い限り、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を総称してアルカリ金属元素等と呼ぶ。
アルカリ金属元素をシリカガラス中に添加する方法としては拡散法が知られている。拡散法は、原料となるアルカリ金属元素又はアルカリ金属塩などの原料蒸気をシリカガラス系のガラスパイプ内に導入しながら、ガラスパイプを外部熱源により加熱したり、ガラスパイプ内にプラズマを発生させたりすることで、アルカリ金属元素をガラスパイプの内表面に拡散添加するものである。
このようにしてアルカリ金属元素をガラスパイプの内表面近傍に添加した後、このガラスパイプを加熱して縮径させる。縮径後、アルカリ金属元素の添加の際に不純物として同時に添加されてしまうNiやFeなどの遷移金属元素を除去する目的で、ガラスパイプの内表面を或る厚みでエッチングする。アルカリ金属元素は遷移金属元素より拡散が速いので、ガラス表面を或る厚みでエッチングして遷移金属元素を除去しても、アルカリ金属元素を残留させることが可能である。エッチング後、ガラスパイプを加熱して中実化することで、アルカリ金属元素を中心部に含むコアロッドを製造する。このアルカリ金属元素を含むコアロッドはその外側に第2のコアとなるガラスを付与し、全体を光ファイバ母材のコア部としても良い。
アルカリ金属元素を含有するコアロッドを含むコア部より屈折率の低いクラッド部をコア部の外側に合成することで、光ファイバ母材を製造する。そして、この光ファイバ母材を公知の方法で高温の炉で溶融して線引きすることで光ファイバを製造することができる。
特表2007−513862号公報 特表2008−536190号公報 特開2012−229150号公報
典型的なアルカリ金属元素としてKが知られているが、Kは拡散係数が大きいため光ファイバにおけるコア平均濃度を高濃度化することが困難である。本発明者は、光ファイバにおけるアルカリ金属元素等をコアに高濃度に添加するために、拡散係数がKより小さいアルカリ金属元素等を含み伝送損失が低い光ファイバを製造するに当たり、以下のような知見を得た。前記のアルカリ金属元素等を中心部に含むコアロッドを用いた場合、そのコアロッドは、線引工程で温度2000〜2300℃に加熱されても、コア全域にアルカリ金属元素等が拡散せずに、コア外周やクラッドの粘性が下がらず、コア内部の残留応力の最大値と最小値との差が150MPa以上となる。その結果、レーリー散乱損失を十分に下げることができず、伝送損失が波長1550nmで0.160dB/km以上となる。
また、上記の問題を解決して元素の拡散状態を最適化するための手段としては、線引工程の際の温度や炉内の滞在時間などの条件を最適化することが考えられる。しかし、線引工程の際の温度や炉内の滞在時間などの条件は、光ファイバ母材のサイズや線引速度により支配されるので、これらの条件を使って元素拡散状態をコントロールすることは光ファイバ母材のサイズや線引速度を制約することになり、製造コストや生産性を制約することになるので好ましくない。
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、拡散係数がKより小さいアルカリ金属元素等を含みレーリー散乱損失を低くすることができる光ファイバを提供することを目的とする。
本発明の一態様の光ファイバはシリカガラスからなり、コアと、前記コアよりも屈折率が低く前記コアを取り囲むクラッドと、を備える。前記コアは、中心軸を含む第一コアと、前記第一コアを取り囲む第二コアと、を有する。前記第一コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm 以下であって、塩素の平均濃度が2000 mol ppm以上である。また、前記第二コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。ここで「mol ppm」とは、100万molのSiOに中に含まれるドーパント原子のmol数である。複数のアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を添加した場合、上記の平均濃度は、各元素それぞれにおける値である。第一コアと第二コアの境界は、塩素濃度の半径に対する勾配の絶対値が局所的な最大値を取る位置である。
本発明の光ファイバは、拡散係数がKより小さいアルカリ金属元素等を含み、レーリー散乱損失を低くすることができる。
図1は、本実施形態の光ファイバ1の構成を示す斜視図である。 図2は、本実施形態の光ファイバ1の構成を示す断面図である。 図3は、Na、K、Rb、Cs、Caそれぞれの拡散係数を纏めた表である。 図4は、光ファイバ母材および光ファイバそれぞれにおけるCs濃度の半径方向分布を示す図である。 図5は、光ファイバ1を製造するための各工程を説明するフローチャートである。 図6は、他の実施形態の光ファイバ2の構成を示す断面図である。 図7は、光ファイバ2を製造するための各工程を説明するフローチャートである。
本発明の一態様の光ファイバはシリカガラスからなり、コアと、前記コアよりも屈折率が低く前記コアを取り囲むクラッドと、を備える。前記コアは、中心軸を含む第一コアと、前記第一コアを取り囲む第二コアと、を有する。前記第一コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以下であって、塩素の平均濃度が2000 mol ppm以上である。また、前記第二コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。
この構成において、前記コアにおけるアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が300mol ppm以下であるのが好適である。前記コアにおける塩素の平均濃度が15000mol ppm以下であるのが好適である。前記アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素が、ルビジウム、セシウムおよびカルシウムのうちから選択される何れか一つ又は複数であるのが好適である。波長1550nmにおける伝送損失が0.180dB/km以下であるのが好適である。
本発明の他の態様の光ファイバはシリカガラスからなり、コアと、前記コアよりも屈折率が低く前記コアを取り囲むクラッドと、を備える。前記コアは、中心軸を含む第一コアと、前記第一コアに外接する中間コアと、前記中間コアに外接する第二コアと、を少なくとも有する。前記第一コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以下であって、塩素の平均濃度が2000 mol ppm以上である。前記中間コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以下であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。また、前記第二コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。ここで、第一コアと中間コアの境界は、塩素濃度の半径に対する勾配の絶対値が局所的な最大値を取る位置である。中間コアと第二コアの境界は、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の濃度が極大値を取る位置である。
この構成において、前記コアにおけるアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が300mol ppm以下であるのが好適である。また、前記コアにおける塩素の平均濃度が15000mol ppm以下であるのが好適である。
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。本発明は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
図1および図2は、本実施形態の光ファイバ1の構成を示す図である。図1は斜視図であり、図2は断面図である、本実施形態の光ファイバ1は、シリカガラスからなるコア10と、このコア10を取り囲みシリカガラスからなるクラッド14と、を備える。コア10は、中心軸を含む第一コア11と、この第一コア11を取り囲む第二コア12と、を有する。クラッド14は、第二コア12の屈折率より低い屈折率を有する。クラッド14は、純粋なシリカガラスまたは塩素もしくはフッ素を含むシリカガラスである。
第一コア11は、アルカリ金属元素等の平均濃度が10mol ppm以下であって、塩素の平均濃度が2000mol ppm以上である。第二コア12は、アルカリ金属元素等の平均濃度が10molppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。第二コア12は、温度2000℃〜2300℃でのシリカガラス中における拡散係数が1×10−12cm/s以上かつKより拡散係数が小さいアルカリ金属元素等を含む。コア10におけるアルカリ金属元素等の平均濃度が300mol ppm以下である。コア10における塩素の平均濃度が15000 mol ppm以下である。
第一コア11の塩素の平均濃度が1000mol ppm以上であることにより、光ファイバのガラス欠陥によるロス増を避けることができる。アルカリ金属元素等を含む領域では塩素濃度を低くしないと結晶が発生し易くなり良好な光ファイバが得られないことから、第二コア12の塩素の平均濃度が600mol ppm以下であることにより、ロスが低く断線などの不良部が発生し難い光ファイバが得られる。また、アルカリ金属元素等の濃度が高いほど一定値まではロスが下がる傾向があるものの、その濃度が300mol ppmを超えると結晶化し易くなってロスが増加するので、コア10におけるアルカリ金属元素等の平均濃度が300mol ppm以下であるのが好ましい。
図3は、Na、K、Rb、Cs、Caそれぞれの拡散係数を纏めた表である。Kより拡散係数が小さいアルカリ金属元素等として、Rb、CsおよびCaが挙げられる。図4は、光ファイバ母材および光ファイバそれぞれにおけるCs濃度の半径方向分布を示す図である。
光ファイバ1は、アルカリ金属元素等をコアに高濃度に添加するためにKより拡散係数が小さいアルカリ金属元素等を含むことにより、Kよりコアの粘性を低減することができる。光ファイバ1は、シリカガラスのネットワーク構造が均一化するので、構造の不均一に由来するレーリー散乱損失を低くすることができる。
先行技術では、アルカリ金属元素を含む第一コア部のまわりに平均塩素濃度が1,000 mol ppmの第二コア部を付与することで、線引時に生じるガラス欠陥を塩素が修復し、波長1550nmでの伝送損失0.154dB/km以下を達成していた。Kより拡散係数が小さいアルカリ金属元素をコア中心にドープする製法では、線引工程で2000〜2300℃に加熱されてもコア全域にアルカリ金属元素等が拡散せずにコア外周やクラッド部の粘性が下がらず、コア内部における残留応力の最大値と最小値との差が150MPa以上となり、レーリー散乱損失を十分に下げることができず、伝送損失が波長1550nmで0.160dB/km以上となる。
図5は、光ファイバ1を製造するための各工程を説明するフローチャートである。以下の説明では、具体的な条件の一例についても記載している。
準備工程(ステップS1)では、アルカリ金属元素(ドーパント)等を拡散させるべきシリカガラス系のガラスパイプを準備する。このシリカガラス系のガラスパイプは、100 mol ppmの塩素および6,000mol ppmのフッ素を含み、その他のドーパント及び不純物の濃度が10 mol ppm以下である。このシリカガラス系のガラスパイプの外径は直径35mmであり、内径は直径20mm程度である。
添加工程(ステップS2)では、ドーパントとしてCsをシリカガラス系のガラスパイプの内表面に添加する。原料として臭化セシウム(CsBr)10gを用いる。外部熱源で原料を温度800℃に加熱して原料蒸気を発生させる。1SLM(標準状態に換算して1リットル/min)の流量の酸素からなるキャリアガスと共に原料蒸気をシリカガラス系のガラスパイプに導入しながら、外部から酸水素バーナによってシリカガラス系のガラスパイプの外表面が温度2150℃となるようにシリカガラス系のガラスパイプを加熱する。このとき、40mm/minの速さでバーナをトラバースさせて合計15ターン加熱し、Cs元素をシリカガラス系のガラスパイプの内表面に拡散添加させる。
縮径工程(ステップS3)では、Csが添加されたシリカガラス系のガラスパイプを縮径する。このとき、シリカガラス系のガラスパイプの内部に酸素を0.5SLM流しながら、酸水素バーナによってシリカガラス系のガラスパイプの外表面が2250℃となるようにシリカガラス系のガラスパイプを加熱する。酸水素バーナをトラバースさせて合計6ターン加熱し、シリカガラスパイプを内直径が6mmになるまで縮径する。
エッチング工程(ステップS4)では、シリカガラス系のガラスパイプの内面をエッチングする。このとき、SF(0.2SLM)および塩素(0.5SLM)の混合ガスをシリカガラスパイプの内部に導入しながら、外部熱源でシリカガラスパイプを加熱して気相エッチングを行う。このようにすることで、目的のドーパントと共に添加された不純物を高濃度に含むパイプ内面を削ることができ、この不純物を除去することができる。
ロッド作製工程(ステップS11)で、平均濃度4000 mol ppmの塩素を含むシリカガラスからなる透明ガラスロッドを径Φ5.0mmとなるように外周研削し、ロッドを作製する。
ロッドインコラプス工程1(ステップS5)では、ステップS11で作製したロッドを、ステップS4で得たガラスパイプ内に挿入する。酸素(0.1SLM)およびHe(1SLM)の混合ガスを大気圧下のシリカガラスパイプ30の内部に導入し、シリカガラスパイプ内の絶対圧を97kPa以下に減圧しながら表面温度を2150℃としてロッドとパイプを一体化し中実のロッドとする。この中実化により、コア部(外径25mm)を得る。このロッドの外側にOVD法やコラプス法といった公知の方法でアルカリ金属元素等を含まないコア層を付与しても良い。
延伸研削工程(ステップS6)では、コア部を延伸して直径24mmとし、更に外周部を研削して直径17mmとする。
ロッドインコラプス工程2(ステップS7)では、コア部の外側に第1クラッド部を設ける。このとき、フッ素が添加されたシリカガラス系のガラスパイプの内部にコア部を挿入して、外部熱源によって両者を加熱し一体化するロッドインコラプス法を用いる。コア部と第1クラッド部との相対比屈折率差は最大で0.34%程度である。このロッドインコラプス法による合成の結果、コア部及びその近傍の第1クラッド部の水分量は十分に低く抑制することが可能である。
OVD工程(ステップS8)では、コア部および第1クラッド部が一体化されてなるロッドを延伸して所定径とした後、そのロッドの外側にフッ素を含むジャケット部をOVD法により合成して、光ファイバ母材を製造する。
線引工程(ステップS9)では、以上の光ファイバ母材製造方法により製造された光ファイバ母材を線引することで光ファイバを得ることができる。線引速度は1,800〜2,300m/minであり、線引張力は0.5Nである。線引後の光ファイバ中のドーパント濃度を測定したところ、コアにおけるCsの平均濃度は210mol ppmであった。得られた光ファイバの伝送損失は、先行技術では波長1550nmで0.158dB/kmに留まるが、本実施形態では0.148dB/kmまで下げられる。
図6は、他の実施形態の光ファイバ2の構成を示す断面図である。光ファイバ2は、シリカガラスからなるコア20と、このコア20を取り囲みシリカガラスからなるクラッド24と、を備える。コア20は、中心軸を含む第一コア21と、この第一コア21に外接する中間コア22と、この中間コア22に外接する第二コア23と、を少なくとも有する。クラッド24は、第二コア23の屈折率より低い屈折率を有する。クラッド24は、純粋なシリカガラスまたは塩素もしくはフッ素を含むシリカガラスである。
第一コア21は、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10molppm以下であって、塩素の平均濃度が2000 mol ppm以上である。中間コア22は、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以下であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。第二コア23は、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10mol ppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである。第二コア23は、温度2000℃〜2300℃でのシリカガラス中における拡散係数が1×10−12cm/s以上かつKより拡散係数が小さいアルカリ金属元素等(例えば、Rb、CsおよびCa)を含む。コア20におけるアルカリ金属元素等の平均濃度が300mol ppm以下である。コア20における塩素の平均濃度が15000 mol ppm以下である。
光ファイバ1と比べて、光ファイバ2は、第一コア21と第二コア23との間に塩素濃度が低くアルカリ金属元素等の濃度も低い緩衝領域として中間コア22を有することにより、安定的にロスが低くなる。
図7は、光ファイバ2を製造するための各工程を説明するフローチャートである。以下の説明では、具体的な条件の一例についても記載している。図5に示されたフローチャートと比べると、図7に示されるフローチャートは、ロッドインコラプス工程3(ステップS12)および外周研削工程(ステップS13)を更に有する点で相違する。
ロッドインコラプス工程3(ステップS12)で、ステップS11で作製したロッドを、平均塩素濃度300 mol ppmを含むシリカガラスでできた外径Φ25mm、内径6mmの透明ガラスパイプに挿入し、両者を一体化して新たなロッドとする。
外周研削工程(ステップS13)で、この新たなロッドを延伸して直径16mmとし、更に外周部を研削して直径6mmとする。
ロッドインコラプス工程1(ステップS5)では、ステップS13で作製したロッドを、ステップS4で得たガラスパイプ内に挿入し,両者を一体化して中実のロッドとする。
1,2…光ファイバ、10…コア、11…第一コア、12…第二コア、14…クラッド、20…コア、21…第一コア、22…中間コア、23…第二コア、24…クラッド。

Claims (8)

  1. コアと、前記コアを取り囲み前記コアよりも屈折率の低いクラッドと、を備え、
    前記コアが、中心軸を含む第一コアと、前記第一コアを取り囲む第二コアと、を有し、
    前記第一コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10molppm以下であって、塩素の平均濃度が2000 mol ppm以上であり、
    前記第二コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10molppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである、
    シリカガラスからなる光ファイバ。
  2. 前記コアにおけるアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が300molppm以下である、
    請求項1に記載の光ファイバ。
  3. 前記コアにおける塩素の平均濃度が15000 mol ppm以下である、
    請求項1または2に記載の光ファイバ。
  4. 前記アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素が、ルビジウム、セシウムおよびカルシウムのうちから選択される何れか一つ又は複数である、
    請求項1〜3の何れか1項に記載の光ファイバ。
  5. 波長1550nmにおける伝送損失が0.180dB/km以下である、
    請求項1〜4の何れか1項に記載の光ファイバ。
  6. コアと、前記コアを取り囲み前記コアよりも屈折率の低いクラッドと、を備え、
    前記コアが、中心軸を含む第一コアと、前記第一コアに外接する中間コアと、前記中間コアに外接する第二コアと、を少なくとも有し、
    前記第一コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10molppm以下であって、塩素の平均濃度が2000 mol ppm以上であり、
    前記中間コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10molppm以下であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmであり、
    前記第二コアにおいて、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が10molppm以上であって、塩素の平均濃度が10〜600 mol ppmである、
    シリカガラスからなる光ファイバ。
  7. 前記コアにおけるアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素の平均濃度が300molppm以下である、
    請求項6に記載の光ファイバ。
  8. 前記コアにおける塩素の平均濃度が15000 mol ppm以下である、
    請求項6または7に記載の光ファイバ。
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