JP6615863B2 - マルチモード統合型電力増幅器 - Google Patents
マルチモード統合型電力増幅器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6615863B2 JP6615863B2 JP2017505131A JP2017505131A JP6615863B2 JP 6615863 B2 JP6615863 B2 JP 6615863B2 JP 2017505131 A JP2017505131 A JP 2017505131A JP 2017505131 A JP2017505131 A JP 2017505131A JP 6615863 B2 JP6615863 B2 JP 6615863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- mode
- output
- power
- power amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 88
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 68
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 40
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 40
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 40
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 102100031577 High affinity copper uptake protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 101710196315 High affinity copper uptake protein 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000024977 response to activity Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45475—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using IC blocks as the active amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
- H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
- H04B1/40—Circuits
- H04B1/401—Circuits for selecting or indicating operating mode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/09—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/537—A transformer being used as coupling element between two amplifying stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/541—Transformer coupled at the output of an amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21136—An input signal of a power amplifier being on/off switched
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21145—Output signals are combined by switching a plurality of paralleled power amplifiers to a common output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21151—An output signal of a power amplifier being controlled by controlling power signal, e.g. by an inductive coupler
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21163—An output signal dependant signal being measured by power measuring, e.g. by an inductive coupler, at the output of a power amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45731—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a transformer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7227—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the supply circuit of the amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7233—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier, switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by one or more switch(es), being impedance adapted by switching an adapted passive network
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
- H03F2203/7239—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Transmitters (AREA)
Description
・1つまたは複数の通信プロトコルに従って通信信号を送信および受信するようにトランシーバ510および520を制御するためのトランシーバ制御モジュール522
・トランシーバ510および520からの1つまたは複数の通信信号を選択および/または増幅し、増幅された通信信号をアンテナ560に提供するためのマルチモード電力増幅器制御モジュール554
各ソフトウェアモジュールは、プロセッサ540によって実行されたとき、ワイヤレスデバイス500に、対応する機能を実行させ得るプログラム命令を含む。よって、メモリ550の非一時的コンピュータ可読記憶媒体は、図6の動作の全てまたは一部を実行するための命令を含み得る。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1] 通信信号を増幅するためのマルチモード電力増幅器であって、
第1の増幅器と、
第2の増幅器と、
前記第2の増幅器の出力と前記マルチモード電力増幅器の出力との間で結合された誘導性カプラと、
を備え、
前記誘導性カプラは、
前記第1の増幅器の出力に結合された第1の端子を含み、前記マルチモード電力増幅器の前記出力に結合された第2の端子を含む第1の誘導性素子と、
前記第2の増幅器の前記出力の両端に結合された第2の誘導性素子と、
を備え、
ここにおいて、前記第1の増幅器は、第1のモード中に、前記第1の増幅器を介して前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記通信信号を提供する出力インダクタとして動作するように前記第1の誘導性素子を構成するためのものであり、前記第1の増幅器は、第2のモード中に、前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記第2の増幅器の前記出力を結合するバランとして動作するように前記第1の誘導性素子を構成するためのものである、マルチモード電力増幅器。
[C2] 前記マルチモード電力増幅器の所望された送信出力電力に少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成するための制御ブロックをさらに備える、C1に記載のマルチモード電力増幅器。
[C3] 前記通信信号のプロトコルタイプに少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成するための制御ブロックをさらに備える、C1に記載のマルチモード電力増幅器。
[C4] 前記制御ブロックは、前記所望された送信出力電力が閾値レベルよりも小さいときに、前記モード選択信号を第1の状態へと駆動し、
前記制御ブロックは、前記所望された送信出力電力が閾値レベルよりも大きいときに、前記モード選択信号を第2の状態へと駆動する、C2に記載のマルチモード電力増幅器。
[C5] 前記第1の増幅器の構成は、前記モード選択信号に応答する、C2に記載のマルチモード電力増幅器。
[C6] 前記第1のモード中に、前記第1の増幅器は、前記通信信号を前記第1の誘導性素子の前記第1の端子へと駆動するためのものであり、
前記第2のモード中に、前記第1の増幅器は、前記第1の誘導性素子の前記第1の端子を基準電圧に結合するためのものである、C1に記載のマルチモード電力増幅器。
[C7] 前記第1の増幅器は、電源電圧と前記マルチモード電力増幅器の前記出力との間で結合された第1のトランジスタを含み、前記マルチモード電力増幅器の前記出力と接地電位との間で結合された第2のトランジスタを含み、
前記第1のモード中に、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、共にインバータとして動作し、
前記第2のモード中に、前記第1のトランジスタは、前記マルチモード電力増幅器の前記出力を前記電源電圧から分離し、前記第2のトランジスタは、前記第1の誘導性素子の前記第1の端子を接地電位に結合する、C1に記載のマルチモード電力増幅器。
[C8] 前記第1のモード中に、前記通信信号を前記第1の増幅器に結合し、前記第2のモード中に、前記通信信号を前記第2の増幅器に結合するための入力セレクタをさらに備える、C1に記載のマルチモード電力増幅器。
[C9] 前記誘導性カプラは、前記第1の増幅器の前記出力および/または前記第2の増幅器の前記出力を電力検出器に結合するためのものである、C1に記載のマルチモード電力増幅器。
[C10] 通信信号を増幅するためのワイヤレス通信デバイスであって、前記デバイスは、
第1のトランシーバと、
前記第1のトランシーバに結合されたマルチモード電力増幅器と
を備え、
前記マルチモード電力増幅器は、
第1の増幅器と、
第2の増幅器と、
前記第2の増幅器の出力と前記マルチモード電力増幅器の出力との間で結合された誘導性カプラと、
を備え、前記誘導性カプラは、
前記第1の増幅器の出力に結合された第1の端子を含み、前記マルチモード電力増幅器の前記出力に結合された第2の端子を含む第1の誘導性素子と、
前記第2の増幅器の前記出力の両端に結合された第2の誘導性素子と、
を備え、
ここにおいて、前記第1の増幅器は、第1のモード中に、前記第1の増幅器を介して前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記通信信号を提供する出力インダクタとして動作するように前記第1の誘導性素子を構成するためのものであり、前記第1の増幅器は、第2のモード中に、前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記第2の増幅器の前記出力を結合するバランとして動作するように前記第1の誘導性素子を構成するためのものである、ワイヤレス通信デバイス。
[C11] 前記マルチモード電力増幅器は、前記マルチモード電力増幅器の送信出力電力に少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成するための制御ブロックをさらに備える、C10に記載のデバイス。
[C12] 前記通信信号のプロトコルタイプに少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成するための制御ブロックをさらに備える、C10に記載のデバイス。
[C13] 前記制御ブロックは、所望された送信出力電力が閾値レベルよりも小さいときに、前記モード選択信号を第1の状態へと駆動し、
前記制御ブロックは、前記所望された送信出力電力が閾値レベルよりも大きいときに、前記モード選択信号を第2の状態へと駆動する、C11に記載のデバイス。
[C14] 前記第1の増幅器の構成は、前記モード選択信号に応答する、C11に記載のデバイス。
[C15] 前記第1のモード中に、前記第1の増幅器は、前記通信信号を前記第1の誘導性素子の前記第1の端子へと駆動するためのものであり、
前記第2のモード中に、前記第1の増幅器は、前記第1の誘導性素子の前記第1の端子を基準電圧に結合するためのものである、C10に記載のデバイス。
[C16] 前記第1の増幅器は、電源電圧と前記マルチモード電力増幅器の前記出力との間で結合された第1のトランジスタを含み、前記マルチモード電力増幅器の前記出力と接地電位との間で結合された第2のトランジスタを含み、
前記第1のモード中に、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、共にインバータとして動作し、
前記第2のモード中に、前記第1のトランジスタは、前記マルチモード電力増幅器の前記出力を前記電源電圧から分離し、前記第2のトランジスタは、前記第1の誘導性素子の前記第1の端子を接地電位に結合する、C10に記載のデバイス。
[C17] 前記第1のモード中に、前記通信信号を前記第1の増幅器に結合し、前記第2のモード中に、前記通信信号を前記第2の増幅器に結合するための入力セレクタをさらに備える、C10に記載のデバイス。
[C18] 前記誘導性カプラは、前記第1の増幅器の前記出力および/または前記第2の増幅器の前記出力を電力検出器に結合するためのものである、C10に記載のデバイス。
[C19] マルチモード電力増幅器を介して通信信号を増幅するための方法であって、前記方法は、
第1の誘導性素子を第1の増幅器の出力に結合することと、
第2の誘導性素子を第2の増幅器の出力の両端に結合することと、
第1のモード中に、前記第1の増幅器を介して前記マルチモード電力増幅器の出力に前記通信信号を提供する出力インダクタとして動作するように、前記第1の誘導性素子を前記第1の増幅器によって構成することと、
第2のモード中に、前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記第2の増幅器からの前記出力を結合するバランとして動作するように、前記第1の誘導性素子を前記第1の増幅器によって構成することと
を備える、方法。
[C20] 前記マルチモード電力増幅器の送信出力電力に少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成すること
をさらに備える、C19に記載の方法。
[C21] 前記モード選択信号を生成することは、
所望された送信出力電力が閾値レベルよりも小さいときに、前記モード選択信号を第1の状態へと駆動することと、
前記所望された送信出力電力が前記閾値レベルよりも大きいときに、前記モード選択信号を第2の状態へと駆動することと
を備える、C20に記載の方法。
Claims (15)
- 通信信号を増幅するためのマルチモード電力増幅器であって、
第1の増幅器と、
第2の増幅器と、
前記通信信号を前記第1の増幅器および前記第2の増幅器に結合する入力結合ブロックと、
前記第2の増幅器の出力と前記マルチモード電力増幅器の出力との間で結合された誘導性カプラと、
を備え、
前記誘導性カプラは、
前記第1の増幅器の出力に結合された第1の端子を含み、かつ前記マルチモード電力増幅器の前記出力に結合された第2の端子を含む、第1の誘導性素子と、
前記第2の増幅器の前記出力の両端に結合された第2の誘導性素子と、
を備え、
ここにおいて、前記第1の増幅器は、第1のモード中に、前記第1の増幅器を介して前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記通信信号を提供する出力インダクタとして動作するように前記第1の誘導性素子を構成し、前記第1の増幅器は、第2のモード中に、前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記第2の増幅器の前記出力を結合するバランとして動作するように前記第1の誘導性素子を構成し、
前記第1のモードにおいて前記第1の増幅器を反転増幅器として動作させ、前記第2のモードにおいて前記反転増幅器をディセーブルにするための制御信号を生成する信号生成器をさらに備える、マルチモード電力増幅器。 - 前記マルチモード電力増幅器の所望された送信出力電力に少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成するための制御ブロックをさらに備え、前記信号生成器は、前記モード選択信号に応答して、前記制御信号を生成する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。
- 前記通信信号のプロトコルタイプに少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成するための制御ブロックをさらに備え、前記信号生成器は、前記モード選択信号に応答して、前記制御信号を生成する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。
- 前記制御ブロックは、前記所望された送信出力電力が閾値レベルよりも小さいときに、前記モード選択信号を第1の論理状態へと駆動し、
前記制御ブロックは、前記所望された送信出力電力が閾値レベルよりも大きいときに、前記モード選択信号を第2の論理状態へと駆動する、請求項2に記載のマルチモード電力増幅器。 - 前記第1の増幅器の構成は、前記モード選択信号に応答する、請求項2に記載のマルチモード電力増幅器。
- 前記第1のモード中に、前記第1の増幅器は、前記通信信号を前記第1の誘導性素子の前記第1の端子へと駆動し、
前記第2のモード中に、前記第1の増幅器は、前記第1の誘導性素子の前記第1の端子を基準電圧に結合する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。 - 前記第1の増幅器は、電源電圧と前記マルチモード電力増幅器の前記出力との間で結合された第1のトランジスタを含み、かつ前記マルチモード電力増幅器の前記出力と接地電位との間で結合された第2のトランジスタを含み、
前記第1のモード中に、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、共にインバータとして動作し、
前記第2のモード中に、前記第1のトランジスタは、前記マルチモード電力増幅器の前記出力を前記電源電圧から分離し、前記第2のトランジスタは、前記第1の誘導性素子の前記第1の端子を接地電位に結合する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。 - 前記入力結合ブロックは、前記第1のモード中に、前記通信信号を前記第1の増幅器に結合し、前記第2のモード中に、前記通信信号を前記第2の増幅器に結合する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。
- 前記誘導性カプラは、前記第1の増幅器の前記出力および前記第2の増幅器の前記出力を電力検出器に結合する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。
- 前記誘導性カプラは、前記第1の増幅器の前記出力を電力検出器に結合する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。
- 前記誘導性カプラは、前記第2の増幅器の前記出力を電力検出器に結合する、請求項1に記載のマルチモード電力増幅器。
- 通信信号を増幅するためのワイヤレス通信デバイスであって、
第1のトランシーバと、
請求項1に記載の前記マルチモード電力増幅器と
を備える、ワイヤレス通信デバイス。 - マルチモード電力増幅器を介して通信信号を増幅するための方法であって、
通信信号を、第1の増幅器および第2の増幅器に結合することと、
第1の誘導性素子を前記第1の増幅器の出力に結合することと、
第2の誘導性素子を前記第2の増幅器の出力の両端に結合することと、
前記第1の増幅器によって、前記第1の誘導性素子を、第1のモード中に前記第1の増幅器を介して前記マルチモード電力増幅器の出力に前記通信信号を提供する出力インダクタとして動作するように、構成することと、
前記第1の増幅器によって、前記第1の誘導性素子を、第2のモード中に前記マルチモード電力増幅器の前記出力に前記第2の増幅器からの前記出力を結合するバランとして動作するように、構成することと
を備え、
前記第1のモードにおいて前記第1の増幅器を反転増幅器として動作させ、前記第2のモードにおいて前記反転増幅器をディセーブルにするための制御信号を生成することをさらに備える、方法。 - 前記マルチモード電力増幅器の送信出力電力に少なくとも部分的に基づいて、モード選択信号を生成すること
をさらに備え、前記モード選択信号に応答して、前記制御信号が生成される、請求項13に記載の方法。 - 前記モード選択信号を生成することは、
所望された送信出力電力が閾値レベルよりも小さいときに、前記モード選択信号を第1の論理状態へと駆動することと、
前記所望された送信出力電力が前記閾値レベルよりも大きいときに、前記モード選択信号を第2の論理状態へと駆動することと
を備える、請求項13に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/449,810 | 2014-08-01 | ||
US14/449,810 US9356560B2 (en) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | Multi-mode integrated power amplifier |
PCT/US2015/039813 WO2016018581A1 (en) | 2014-08-01 | 2015-07-09 | Multi-mode integrated power amplifier |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017522827A JP2017522827A (ja) | 2017-08-10 |
JP2017522827A5 JP2017522827A5 (ja) | 2018-07-26 |
JP6615863B2 true JP6615863B2 (ja) | 2019-12-04 |
Family
ID=53762343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017505131A Expired - Fee Related JP6615863B2 (ja) | 2014-08-01 | 2015-07-09 | マルチモード統合型電力増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9356560B2 (ja) |
EP (1) | EP3175551A1 (ja) |
JP (1) | JP6615863B2 (ja) |
CN (1) | CN106797200A (ja) |
WO (1) | WO2016018581A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3142258B1 (en) * | 2015-09-11 | 2018-08-15 | Catena Holding bv | Radio transceiver circuit |
SG10201610403YA (en) * | 2016-12-12 | 2018-07-30 | Huawei Int Pte Ltd | System and method for transmitting a wi-fi or a bluetooth signal using a shared transmitter |
CN112583456B (zh) | 2019-09-30 | 2022-03-29 | 上海华为技术有限公司 | 一种通信装置 |
US10985724B1 (en) * | 2020-06-10 | 2021-04-20 | Apple Inc. | Transformer-based wideband filter with ripple reduction |
CN112910492B (zh) * | 2021-01-29 | 2022-09-09 | Oppo广东移动通信有限公司 | 射频PA Mid器件、射频系统和通信设备 |
US20230344393A1 (en) * | 2022-04-08 | 2023-10-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplifier systems with frequency response compensation |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6091966A (en) * | 1997-09-29 | 2000-07-18 | Ericsson, Inc. | Dual-band, dual-mode power amplifier |
US6711392B1 (en) * | 2000-06-30 | 2004-03-23 | International Business Machines Corporation | Balanced power amplifier for low power radio communications |
US6756849B2 (en) | 2000-09-12 | 2004-06-29 | Dupuis Timothy J. | Absolute power detector |
US6900696B2 (en) | 2000-12-27 | 2005-05-31 | Emhiser Research, Inc. | Shared-current electronic systems |
US6970040B1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-11-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Multi-mode/multi-band power amplifier |
US7157965B1 (en) | 2004-06-21 | 2007-01-02 | Qualcomm Incorporated | Summing power amplifier |
JP5131540B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2013-01-30 | 株式会社村田製作所 | Rf電力増幅器およびrf電力増幅装置 |
US8324973B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-12-04 | Black Sand Technologies, Inc. | Low output impedance RF amplifier |
JP5620804B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-11-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅装置 |
KR101771720B1 (ko) | 2011-05-26 | 2017-08-28 | 삼성전기주식회사 | 다중 모드 전력 증폭기 |
CN102355221A (zh) * | 2011-06-17 | 2012-02-15 | 雷良军 | 多频带功率放大器及输出匹配电路 |
WO2013063212A1 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | Marvell World Trade Ltd. | Systems and methods for performing multi-modal power amplification |
EP2815514A4 (en) | 2012-03-15 | 2016-03-16 | Newlans Inc | SOFTWARE DEFINED RADIO WITH BROADBAND AMPLIFIERS AND ANTENNA ADAPTATION |
US8598951B1 (en) * | 2012-04-02 | 2013-12-03 | Anadigics, Inc. | Linear multi-mode power amplifier for dynamic supply operation |
KR20190058711A (ko) | 2012-06-14 | 2019-05-29 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 고조파 종단 회로를 포함하는 전력 증폭기 모듈 및 관련된 시스템, 장치, 및 방법 |
US8933858B2 (en) * | 2012-08-09 | 2015-01-13 | Qualcomm Incorporated | Front end parallel resonant switch |
CN103633949B (zh) * | 2012-08-21 | 2020-04-03 | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 | 多模功率放大器、多模切换方法及其移动终端 |
US9425749B2 (en) | 2012-09-23 | 2016-08-23 | Dsp Group Ltd. | DC-DC converter incorporating trim cell |
TWI492549B (zh) * | 2012-10-09 | 2015-07-11 | Realtek Semiconductor Corp | 多模式功率放大電路、多模式無線發射模組及其方法 |
CN103780209B (zh) * | 2012-10-22 | 2017-04-12 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 多模式功率放大电路、多模式无线发射模块及其方法 |
US9160377B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-10-13 | Qualcomm Incorporated | Multi-mode multi-band power amplifiers |
US8929945B1 (en) * | 2013-07-18 | 2015-01-06 | Mstar Semiconductor, Inc. | Transceivers with a transformer supporting multiband operation |
-
2014
- 2014-08-01 US US14/449,810 patent/US9356560B2/en active Active
-
2015
- 2015-07-09 EP EP15744785.5A patent/EP3175551A1/en not_active Withdrawn
- 2015-07-09 CN CN201580041258.9A patent/CN106797200A/zh active Pending
- 2015-07-09 WO PCT/US2015/039813 patent/WO2016018581A1/en active Application Filing
- 2015-07-09 JP JP2017505131A patent/JP6615863B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017522827A (ja) | 2017-08-10 |
US20160036390A1 (en) | 2016-02-04 |
CN106797200A (zh) | 2017-05-31 |
EP3175551A1 (en) | 2017-06-07 |
WO2016018581A1 (en) | 2016-02-04 |
US9356560B2 (en) | 2016-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6615863B2 (ja) | マルチモード統合型電力増幅器 | |
US9118394B2 (en) | Antenna transfer switching for simultaneous voice and data | |
US20190089396A1 (en) | Transmitter device and transceiver device for transmitting different wireless standard signal | |
JP2010287964A5 (ja) | ||
US8565813B2 (en) | Apparatus and method for amplifying power in mobile terminal | |
JP5922315B2 (ja) | 並列ハイブリッド整合ネットワーク | |
US8929843B2 (en) | Antenna power coupler having a variable coupling factor | |
JP2016506663A (ja) | リコンフィギュラブルマルチバンドアンテナ | |
WO2019011330A1 (zh) | 天线切换方法及装置、天线系统、存储介质 | |
JP2018507614A (ja) | デュアルモード電力増幅器 | |
JP2015529067A (ja) | フロントエンド並列共振スイッチ | |
JP2017522827A5 (ja) | ||
CN105897234B (zh) | 不加电开关模块 | |
CN107888387A (zh) | 供电方法、设备和系统 | |
TW201442443A (zh) | 無線通信裝置及其天線的切換方法 | |
KR20170063904A (ko) | 라우팅 방법, 근거리 무선 통신 컨트롤러, 디바이스 호스트, 및 단말기 | |
CN113258960B (zh) | 通信装置及其操作方法 | |
CN106933762A (zh) | 内部串行接口 | |
CN105338445A (zh) | 信号传输装置、方法及移动终端 | |
JP6347843B2 (ja) | 信号伝送方法及びシステム、並びに制御装置 | |
CN104205653B (zh) | 无线电电路以及无线电电路的控制方法 | |
JP7519595B2 (ja) | 伝送システム、制御装置及び伝送方法 | |
US10455473B2 (en) | Wireless communication | |
JP2017529010A5 (ja) | 身体結合通信装置、身体結合通信方法及び記憶媒体 | |
JP2020024742A (ja) | 中継装置及びプログラム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180613 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6615863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |