JP6613311B2 - 低減された残留電圧を伴う電気光学ディスプレイおよび関連する装置および方法 - Google Patents
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Description
本願は、米国仮出願第62/111,927号(出願日2015年2月4日)の利益を主張するものである。本願は、同時係属中の米国仮出願第62/184,076号(出願日2015年6月24日)、第62/112,060号(出願日2015年2月4日)、第62/219,606号(出願日2015年9月16日)、第62/261,104号(出願日2015年11月30日)に関連している。これらおよび全てのその他の米国特許および出願公開ならびに以下で参照される同時係属中の出願の全体の内容は、参照により本明細書中に援用される。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
複数のピクセルを有するアクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、
複数の行における複数のピクセルトランジスタを同時に関与させるようにドライバを設定するステップと、
前面電極および背面電極にほぼ同一の電圧を印加するステップと、
ゲート電圧に複数のピクセルトランジスタをアクティブ化させるために十分な電圧を印加するステップと、
を含む、方法。
(項目2)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約300mVまたはそれを上回る、項目1に記載の方法。
(項目3)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約450mVまたはそれを上回る、項目1に記載の方法。
(項目4)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約700mVまたはそれを上回る、項目1に記載の方法。
(項目5)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約1Vまたはそれを上回る、項目1に記載の方法。
(項目6)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約2Vまたはそれを上回る、項目1に記載の方法。
(項目7)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約2V〜約8Vである、項目1に記載の方法。
(項目8)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約1V〜約25Vである、項目1に記載の方法。
(項目9)
n型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、ピクセルトランジスタのアクティブ化電圧と等しい、またはそれを上回る、項目1に記載の方法。
(項目10)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−300mVまたはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目11)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−450mVまたはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目12)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−700mVまたはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目13)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−1Vまたはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目14)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−2Vまたはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目15)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−2V〜約−8Vである、項目1に記載の方法。
(項目16)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、約−1V〜約−25Vである、項目1に記載の方法。
(項目17)
p型ピクセルトランジスタをさらに備え、前記ゲート電圧は、ピクセルトランジスタのアクティブ化電圧と等しい、またはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目18)
前記電圧は、設定された持続時間にわたって印加される、項目1に記載の方法。
(項目19)
前記電圧は、約50ミリ秒〜約300ミリ秒にわたって印加される、項目18に記載の方法。
(項目20)
前記電圧は、約300ミリ秒〜約500ミリ秒にわたって印加される、項目18に記載の方法。
(項目21)
前記電圧は、約500ミリ秒〜約1秒にわたって印加される、項目18に記載の方法。
(項目22)
前記電圧は、約500ミリ秒〜約3秒にわたって印加される、項目18に記載の方法。
(項目23)
前記電圧は、約3秒またはそれよりも長く印加される、項目18に記載の方法。
(項目24)
前記電圧は、設定された残留電圧値が達成されるまで印加される、項目1に記載の方法。
(項目25)
前記電圧は、前記残留電圧値が1Vと等しくなる、またはそれを下回るまで印加される、項目24に記載の方法。
(項目26)
前記電圧は、前記残留電圧値が約500mVと等しくなる、またはそれを下回るまで印加される、項目24に記載の方法。
(項目27)
前記電圧は、前記残留電圧値が約300mVと等しくなる、またはそれを下回るまで印加される、項目24に記載の方法。
(項目28)
前記電圧は、前記残留電圧値が約100mVと等しくなる、またはそれを下回るまで印加される、項目24に記載の方法。
(項目29)
前記電圧は、前記残留電圧値が約0mVになるまで印加される、項目24に記載の方法。
(項目30)
前記ピクセルトランジスタの実質的に全てが、同時にアクティブ化される、項目1に記載の方法。
(項目31)
前記前面および背面電極に印加される電圧は、0Vを上回る、またはそれを下回る、項目1に記載の方法。
(項目32)
前記電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、項目1に記載の方法。
(項目33)
浮遊停留期間をさらに備え、前記ゲート電圧は、設定された持続時間にわたって、または設定された残留電圧値が達成されるまで、前記ピクセルトランジスタを非アクティブ化する値に設定される、項目1に記載の方法。
(項目34)
複数のn型ピクセルトランジスタと、低レベルゲートライン、高レベルゲートライン、前面電極、およびソースラインに電圧を印加することが可能なコントローラとを有する、アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、
前記低レベルゲートラインに正電圧を印加するステップと、
前記ソースラインを接地するステップと、
前記前面電極を接地するステップと、
を含む、方法。
(項目35)
前記電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、項目34に記載の方法。
(項目36)
複数のp型ピクセルトランジスタと、低レベルゲートライン、高レベルゲートライン、前面電極、およびソースラインに電圧を印加することが可能なコントローラとを有する、アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、
前記低レベルゲートラインに負電圧を印加するステップと、
前記ソースラインを接地するステップと、
前記前面電極を接地するステップと、
を含む、方法。
(項目37)
前記電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、項目36に記載の方法。
(項目38)
複数のn型ピクセルトランジスタと、低レベルゲートライン、高レベルゲートライン、前面電極、正のソースライン、および負のソースラインに電圧を印加することが可能なコントローラとを有する、アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、
前記前面電極に負電圧を印加するステップと、
前記ソースラインに前記前面電極とほぼ同一の負電圧を印加するステップと、
前記低レベルゲートラインおよび前記高レベルゲートラインを接地するステップと、
を含む、方法。
(項目39)
前記電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、項目38に記載の方法。
(項目40)
複数のp型ピクセルトランジスタと、低レベルゲートライン、高レベルゲートライン、前面電極、正のソースライン、および負のソースラインに電圧を印加することが可能なコントローラとを有する、アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、
前記前面電極に正電圧を印加するステップと、
前記ソースラインに前記前面電極とほぼ同一の正電圧を印加するステップと、
前記低レベルゲートラインまたは前記高レベルゲートラインを接地するステップと、
を含む、方法。
(項目41)
前記電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、項目40に記載の方法。
(項目42)
複数のピクセルを有するセグメント化電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、ほぼ同一の電圧を前面電極および背面電極に印加するステップを含む、方法。
(項目43)
前記電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、項目42に記載の方法。
残留電圧は、指数関数の和として数学的に緩やかに近似され得る複雑な様式で減衰し得る。いくつかの実験では、15Vが、約1秒にわたって電気光学媒体を横断して印加された。この電圧パルスの終了直後、+3V〜−3Vの残留電圧が、測定され、1秒後に、+1V〜−1Vの残留電圧が、測定され、10分後に、残留電圧は、(元々のベース電圧に対して)ほぼゼロであった。
Claims (22)
- 複数のピクセルを有するアクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、前記残留電圧は、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイ上に表示された画像が更新した後に電気光学材料内の電荷分極によって生じ、電気光学材料の経時的な劣化に寄与し、前記方法は、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの光学状態が変化した後に行われ、前記方法は、
複数のピクセルトランジスタをアクティブ化するために十分なゲート電圧を複数の行における前記複数のピクセルトランジスタに同時に供給するようにドライバを設定することと、
前記ドライバを設定した後、ゲート電圧を前記複数のピクセルトランジスタの各々のゲートに印加することにより、前記複数のピクセルトランジスタをアクティブ化し、これにより、前記残留電圧を排出するための導電路を生成することと、
前記ゲート電圧を印加した後、前面電極および背面電極にほぼ同一の電圧を印加することと
を含み、前記電圧は、設定された残留電圧値が達成されるまで印加され、前記残留電圧は、電圧計を用いて、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイのピクセルの開回路電位を測定することによって検出される、方法。 - 前記ピクセルトランジスタは、n型であり、前記ゲート電圧は、正である、請求項1に記載の方法。
- 前記ピクセルトランジスタは、n型であり、前記ゲート電圧は、前記ピクセルトランジスタのアクティブ化電圧と等しい、またはそれを上回る、請求項1に記載の方法。
- 前記ピクセルトランジスタは、p型であり、前記ゲート電圧は、負である、請求項1に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、少なくとも300mVである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、少なくとも450mVである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、少なくとも700mVである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、少なくとも1Vである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、少なくとも2Vである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、1V〜25Vである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ゲート電圧の絶対値は、2V〜8Vである、請求項2または4に記載の方法。
- 前記ピクセルトランジスタは、p型であり、前記ゲート電圧は、前記ピクセルトランジスタのアクティブ化電圧と等しい、またはそれを下回る、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧は、前記残留電圧値が、1Vと等しくなるかまたはそれを下回るまで印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧は、前記残留電圧値が、500mVと等しくなるかまたはそれを下回るまで印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧は、前記残留電圧値が、300mVと等しくなるかまたはそれを下回るまで印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧は、前記残留電圧値が、100mVと等しくなるかまたはそれを下回るまで印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧は、前記残留電圧値が、0mVに等しくなるまで印加される、請求項1に記載の方法。
- 前記ピクセルトランジスタの実質的に全てが、同時にアクティブ化される、請求項1に記載の方法。
- 複数のピクセルトランジスタと、低レベルゲートライン、高レベルゲートライン、前面電極、およびソースラインに電圧を印加することが可能なコントローラとを有する、アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、前記残留電圧は、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイ上に表示された画像が更新した後に電気光学材料内の電荷分極によって生じ、電気光学材料の経時的な劣化に寄与し、前記方法は、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの光学状態が変化した後に行われ、前記方法は、
前記ピクセルトランジスタがn型である場合に、正電圧を前記低レベルゲートラインに印加することにより、前記残留電圧を排出するための導電路を生成することと、
前記ピクセルトランジスタがp型である場合に、負電圧を前記低レベルゲートラインに印加することにより、前記残留電圧を排出するための導電路を生成することと、
前記ソースラインを接地することと、
前記前面電極を接地することと
を含み、前記ソースラインおよび前記前面電極は、設定された残留電圧値が達成されるまで接地され、前記残留電圧は、電圧計を用いて、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイのピクセルの開回路電位を測定することによって検出される、方法。 - 複数のピクセルトランジスタと、低レベルゲートライン、高レベルゲートライン、前面電極、正のソースライン、および負のソースラインに電圧を印加することが可能なコントローラとを有する、アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、前記残留電圧は、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイ上に表示された画像が更新した後に電気光学材料内の電荷分極によって生じ、電気光学材料の経時的な劣化に寄与し、前記方法は、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイの光学状態が変化した後に行われ、前記方法は、
前記ピクセルトランジスタがn型である場合に、負電圧を前記前面電極に印加することと、
前記ピクセルトランジスタがp型である場合に、正電圧を前記前面電極に印加することと、
前記前面電極に電圧を印加した後に、前記ソースラインに前記前面電極とほぼ同一の電圧を印加することと、
前記低レベルゲートラインおよび前記高レベルゲートラインを接地することにより、前記残留電圧を排出するための導電路を生成することと
を含み、前記ソースラインおよび前記前面電極は、設定された残留電圧値が達成されるまで前記同一の電圧を印加され、前記残留電圧は、電圧計を用いて、前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイのピクセルの開回路電位を測定することによって検出される、方法。 - 複数のピクセルを有するセグメント化電気光学ディスプレイの残留電圧を低減させる方法であって、前記残留電圧は、前記セグメント化電気光学ディスプレイ上に表示された画像が更新した後に電気光学材料内の電荷分極によって生じ、電気光学材料の経時的な劣化に寄与し、前記方法は、前記セグメント化電気光学ディスプレイの光学状態が変化した後に行われ、前記方法は、ほぼ同一の電圧を前面電極および背面電極に印加することを含み、前記前面電極および前記背面電極は、設定された残留電圧値が達成されるまで前記同一の電圧を印加され、前記残留電圧は、電圧計を用いて、前記セグメント化電気光学ディスプレイのピクセルの開回路電位を測定することによって検出される、方法。
- 請求項1および請求項19〜21のいずれか一項に記載の方法であって、請求項1、19、および20に記載の前記アクティブマトリクス電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイであり、請求項21に記載の前記セグメント化電気光学ディスプレイは、電気泳動ディスプレイである、方法。
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