JP6600985B2

JP6600985B2 - Rolled laminated substrate manufacturing method and laminated substrate

Info

Publication number: JP6600985B2
Application number: JP2015101617A
Authority: JP
Inventors: 公貴鈴木; 慎児久門; 吉沼　　洋人; 正泰高橋; 洋島崎; 綾子古瀬; 宏樹古庄
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2015-05-19
Filing date: 2015-05-19
Publication date: 2019-11-06
Anticipated expiration: 2035-05-19
Also published as: JP2016215458A

Description

本発明は、ロール状積層基板を製造する方法及び積層基板に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a roll-shaped multilayer substrate and the multilayer substrate.

例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気ヘッドを支持するためのサスペンション用基板として、バネ性を有するステンレス等の金属基板の第１面上に、絶縁層、シード層及び金属めっき層がこの順に積層されてなる積層基板を用い、金属めっき層をエッチングすることで配線パターンを形成してなるものが知られている。このような積層基板を作製する方法としては、従来、ステンレス基板上にポリイミド系樹脂溶液を塗布して絶縁層を形成する工程、当該絶縁層上にスパッタ等によりシード層（第１シード層及び第２シード層）を形成する工程及び当該シード層上に電気めっきにより金属めっき層を形成する工程を含む方法が知られている（特許文献１参照）。 For example, as a suspension substrate for supporting a magnetic head used in a hard disk drive (HDD), an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer are arranged in this order on the first surface of a metal substrate such as stainless steel having spring properties. It is known that a wiring pattern is formed by etching a metal plating layer using a laminated substrate that is laminated. As a method of manufacturing such a multilayer substrate, conventionally, a step of forming a dielectric layer by applying a polyimide resin solution on a stainless steel substrate, a seed layer (first seed layer and first layer) by sputtering or the like on the dielectric layer. There is known a method including a step of forming a (2 seed layer) and a step of forming a metal plating layer on the seed layer by electroplating (see Patent Document 1).

上記方法においては、シート状のステンレス基板を用いる、いわゆる枚葉式により積層基板が作成されているが、フレキシブルプリント基板等の機能性積層基板の作製方法として一般的なロール・ツー・ロール方式により上記積層基板を作製することができれば、当該積層基板の高生産性及び低コスト化を実現することができる。 In the above method, a laminated substrate is produced by a so-called single wafer method using a sheet-like stainless steel substrate, but as a method for producing a functional laminated substrate such as a flexible printed substrate, a general roll-to-roll method is used. If the multilayer substrate can be manufactured, high productivity and cost reduction of the multilayer substrate can be realized.

当該積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとすると、まず、ロール状に巻回された長尺金属基板２００を繰り出しながら、当該長尺金属基板２００の第１面２１０に絶縁性材料を塗布して絶縁層３００を形成し、ロール状に巻き取る（図１５（Ａ）〜（Ｃ））。次に、絶縁層３００が形成された長尺金属基板２００を繰り出しながら、当該絶縁層３００上にスパッタにより導電性材料を成膜してシード層４００を形成し、ロール状に巻き取る（図１６（Ａ）〜（Ｃ））。そして、第１面２１０にシード層４００が形成され、その対向面に絶縁シート６００が貼付された長尺金属基板２００を繰り出しつつ、当該シード層４００に給電して電気めっき処理を施す（図１７）。このようにして金属めっき層が形成されれば、当該金属めっき層をエッチングして配線パターンを形成することにより、サスペンションを製造することができる。 When an attempt is made to produce the laminated substrate by a roll-to-roll method, first, an insulating material is applied to the first surface 210 of the long metal substrate 200 while feeding the long metal substrate 200 wound in a roll shape. The insulating layer 300 is formed by coating, and wound into a roll (FIGS. 15A to 15C). Next, while feeding out the long metal substrate 200 on which the insulating layer 300 is formed, a conductive material is formed on the insulating layer 300 by sputtering to form the seed layer 400 and wound into a roll (FIG. 16). (A) to (C)). Then, while feeding the long metal substrate 200 having the seed layer 400 formed on the first surface 210 and the insulating sheet 600 attached to the opposite surface, the seed layer 400 is fed to perform electroplating (FIG. 17). ). If a metal plating layer is formed in this way, a suspension can be manufactured by etching the metal plating layer to form a wiring pattern.

特開２００８−１３５１６４号公報JP 2008-135164 A

サスペンション用基板等として用いられる上記積層基板において、絶縁層３００は、２５μｍ以下程度の膜厚で形成される。絶縁層３００の膜厚が厚くなりすぎると、サスペンションのバネ性が低下してしまうためである。このように薄膜として形成される絶縁層３００には、ピンホールが形成されてしまうことが多々ある。 In the laminated substrate used as a suspension substrate or the like, the insulating layer 300 is formed with a film thickness of about 25 μm or less. This is because if the insulating layer 300 is too thick, the spring property of the suspension is lowered. In this way, pin holes are often formed in the insulating layer 300 formed as a thin film.

ピンホールが形成された絶縁層３００上にシード層４００が形成されると、当該ピンホールを介して長尺金属基板２００とシード層４００とが導通することになる（図１８参照）。この状態で電気めっき処理工程にてシード層４００に対して給電すると、図１８の矢印で示すように、当該ピンホールに電流が集中し、積層基板が発熱し、発火等が生じてしまうことがある。ピンホールに限らず、絶縁層３００内に導電性異物が混入してしまった場合に、当該導電性異物を介して長尺金属基板２００とシード層４００とが導通し、同様の問題が生じ得る。また、絶縁層３００の一部が極めて薄い膜厚（５０ｎｍ以下程度）で形成されてしまった場合、シード層４００への印加電圧が高電圧になり、絶縁層３００の極めて薄い膜厚の部分が破壊されてしまうと、長尺金属基板２００とシード層４００とが導通する可能性があり、同様の問題が生じ得る。 When the seed layer 400 is formed on the insulating layer 300 in which the pinhole is formed, the long metal substrate 200 and the seed layer 400 are electrically connected through the pinhole (see FIG. 18). If power is supplied to the seed layer 400 in the electroplating process in this state, as shown by the arrows in FIG. 18, current concentrates in the pinhole, the laminated substrate generates heat, and ignition may occur. is there. Not only the pinhole but also a conductive foreign matter is mixed in the insulating layer 300, the long metal substrate 200 and the seed layer 400 are conducted through the conductive foreign matter, and the same problem may occur. . In addition, when a part of the insulating layer 300 is formed with a very thin film thickness (about 50 nm or less), the applied voltage to the seed layer 400 becomes a high voltage, and the part of the insulating layer 300 with a very thin film thickness is formed. If it is destroyed, there is a possibility that the long metal substrate 200 and the seed layer 400 are electrically connected, and the same problem may occur.

上記積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製する場合、長さ１０００ｍ程度の長尺金属基板２００のシード層４００上に、連続して電気めっき処理を施し、金属めっき層を形成することになる。しかし、絶縁層３００に１箇所でもピンホール等の欠陥が存在するだけで、電気めっき処理により金属めっき層を形成することができず、ロール・ツー・ロール方式によるメリットである高生産性及び低コスト化を実現することができないという問題がある。 When the laminated substrate is manufactured by the roll-to-roll method, the electroplating process is continuously performed on the seed layer 400 of the long metal substrate 200 having a length of about 1000 m to form a metal plating layer. . However, since the insulating layer 300 has defects such as pinholes even at one location, a metal plating layer cannot be formed by electroplating, and the high productivity and low efficiency, which are advantages of the roll-to-roll method, can be obtained. There is a problem that the cost cannot be realized.

絶縁層３００の品質を極めて向上させて、ピンホール等の欠陥の存在しない絶縁層３００を形成することができれば、ロール・ツー・ロール方式で上記積層基板を作製するのが可能となる。しかしながら、膜厚２５μｍ以下程度の絶縁層３００にピンホール等の欠陥が形成されるのを防止することは極めて困難である一方、絶縁層３００の品質を向上させることが、却ってピンホール等の欠陥サイズを小さくしてしまい、その結果、当該欠陥部分における電気抵抗が上昇し、積層基板の発熱、発火等が生じやすくなるおそれがある。 If the quality of the insulating layer 300 can be greatly improved and the insulating layer 300 free from defects such as pinholes can be formed, the laminated substrate can be manufactured by a roll-to-roll method. However, while it is extremely difficult to prevent the formation of defects such as pinholes in the insulating layer 300 having a film thickness of about 25 μm or less, it is difficult to improve the quality of the insulating layer 300. As a result, the size is reduced, and as a result, the electrical resistance at the defective portion increases, and there is a possibility that heat generation, ignition, and the like of the multilayer substrate are likely to occur.

長尺金属基板２００の第１面２１０上に形成された絶縁層３００にピンホール等の欠陥が存在するか否かを検査し、当該欠陥が存在する部分にのみシード層４００を形成しないようにすれば、上記問題は解決され得る。しかしながら、絶縁層３００に存在するピンホール等の欠陥は、極めて微小であるため、当該欠陥を発見するのは極めて困難であるし、当該欠陥を発見することができたとしても、当該欠陥部分にのみシード層４００を形成しないようにスパッタ装置を制御するのも極めて困難である。 The insulating layer 300 formed on the first surface 210 of the long metal substrate 200 is inspected for defects such as pinholes so that the seed layer 400 is not formed only in the portions where the defects are present. Then, the above problem can be solved. However, since defects such as pinholes existing in the insulating layer 300 are extremely small, it is extremely difficult to find the defect, and even if the defect can be found, It is also extremely difficult to control the sputtering apparatus so that only the seed layer 400 is not formed.

このように、積層基板の作製方法にロール・ツー・ロール方式を採用する場合には、電気めっき処理により金属めっき層を形成することが極めて困難であるという技術的課題が存在する。 As described above, when the roll-to-roll method is adopted as the method for manufacturing the laminated substrate, there is a technical problem that it is extremely difficult to form a metal plating layer by electroplating.

上記課題に鑑みて、本発明は、長尺状の導電性基材上に、絶縁層及びシード層がこの順に積層されてなり、ロール状に巻回されてなる積層基板であって、ロール・ツー・ロール方式による電気めっき処理を施して当該シード層上に金属めっき層を形成することが可能なロール状積層基板の製造方法及び積層基板を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention is a laminated substrate in which an insulating layer and a seed layer are laminated in this order on a long conductive base material, and are wound in a roll shape. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a roll-shaped multilayer substrate and a multilayer substrate capable of forming a metal plating layer on the seed layer by performing an electroplating process by a two-roll method.

上記課題を解決するために、本発明は、ロール状に巻回されてなるロール状積層基板を製造する方法であって、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する長尺帯状の導電性基材を繰り出しながら、前記導電性基材の前記第１面の一部を露出させるようにして前記導電性基材の前記第１面上に絶縁性樹脂材料を塗布することで絶縁層を形成する工程と、前記導電性基材の前記第１面上に形成された前記絶縁層上及び露出する前記導電性基材の前記第１面上に導電性材料を成膜することでシード層を形成する工程とを有し、前記シード層は、前記絶縁層の少なくとも一部を被覆する被覆部と、当該被覆部に電気的に接続するとともに、前記導電性基材と電気的に導通可能に前記第１面の一部に接触する導通部とを有し、前記絶縁層は、前記導電性基材の長手方向に沿って所定の間隔で位置する、前記絶縁層により囲まれる開口部を複数有し、前記絶縁層を形成する工程において、前記複数の開口部のそれぞれから前記導電性基材の前記第１面を露出させるようにして前記絶縁層を形成し、前記シード層を形成する工程において、前記導通部が前記開口部から露出する前記導電性基材の前記第１面と接触するようにして前記シード層を形成することを特徴とするロール状積層基板の製造方法を提供する（発明１）。 In order to solve the above problems, the present invention is a method for producing a roll-shaped laminated substrate wound in a roll shape, and has a first surface and a long surface having a second surface facing the first surface. By applying an insulating resin material on the first surface of the conductive base material so as to expose a part of the first surface of the conductive base material while feeding out the strip-shaped conductive base material Forming an insulating layer; and depositing a conductive material on the insulating layer formed on the first surface of the conductive substrate and on the exposed first surface of the conductive substrate. And forming a seed layer in the step, wherein the seed layer covers at least a part of the insulating layer, and is electrically connected to the covering portion and electrically connected to the conductive substrate. contacts a portion of said first surface have a a conductive portion in a conductive available-in, the insulating layer, the In the step of forming a plurality of openings surrounded by the insulating layer, which are located at predetermined intervals along the longitudinal direction of the conductive substrate, and forming the insulating layer, the conductive material is formed from each of the plurality of openings. In the step of forming the insulating layer so as to expose the first surface of the base material and forming the seed layer, the conductive portion is exposed from the opening portion, and the first surface of the conductive base material is exposed. Provided is a method for producing a roll-shaped laminated substrate, wherein the seed layer is formed so as to be in contact (Invention 1).

上記発明（発明１）により製造されるロール状積層基板は、シード層が絶縁層の少なくとも一部を被覆する被覆部と、当該被覆部に電気的に連続し、導電性基材と電気的に導通可能な導通部とを有するため、当該ロール状積層基板に給電して電気めっき処理を行う際に、絶縁層にピンホール等の欠陥が存在していたとしても、導通部を介してシード層から導電性基材に向かって電流が流れることになる。よって、上記発明（発明１）によれば、発熱・発火等を生じさせることなく、電気めっき処理によりシード層上に金属めっき層を形成可能なロール状積層基板を製造することができる。 The roll-shaped laminated substrate manufactured according to the above invention (Invention 1) has a coating part in which the seed layer covers at least a part of the insulating layer, and is electrically continuous with the coating part, and is electrically connected to the conductive substrate. When the electroplating process is performed by supplying power to the roll-shaped laminated substrate, the seed layer can be connected via the conductive portion even if a defect such as a pinhole exists in the insulating layer. A current flows from the electrode toward the conductive substrate. Therefore, according to the said invention (invention 1), the roll-shaped laminated substrate which can form a metal plating layer on a seed layer by an electroplating process can be manufactured, without producing heat_generation | fever and ignition.

上記発明（発明１）においては、前記絶縁層の膜厚が２０μｍ以下であるのが好ましく（発明２）、前記導電性基材をその長手方向に沿って複数の領域に等分した場合、各領域内に位置する前記導通部が前記導電性基材の前記第１面に接触する面積は、当該領域における前記導電性基材の前記第１面の表面積の６．５％以上であるのが好ましい（発明３）。 In the said invention (invention 1), it is preferable that the film thickness of the said insulating layer is 20 micrometers or less (invention 2), When the said electroconductive base material is equally divided into several area | regions along the longitudinal direction, The area where the conducting portion located in the region contacts the first surface of the conductive base material is 6.5% or more of the surface area of the first surface of the conductive base material in the region. Preferred (Invention 3).

上記発明（発明３）においては、前記複数の領域のうちの一の領域内に位置する前記導通部と、前記一の領域に隣接する他の領域に位置する前記導通部との間の、前記導電性基材の長手方向に沿った長さが、５ｍｍ以下であるのが好ましい（発明４）。 In the said invention (invention 3), between the said conduction | electrical_connection part located in one area | region of the said several area | region, and the said conduction | electrical_connection part located in the other area | region adjacent to the said one area | region, The length along the longitudinal direction of the conductive substrate is preferably 5 mm or less (Invention 4).

上記発明（発明１〜４）においては、前記シード層上に、電気めっきにより金属めっき層を形成する工程をさらに有するのが好ましい（発明５）。 In the said invention (invention 1-4), it is preferable to further have the process of forming a metal plating layer on the said seed layer by electroplating (invention 5).

本発明は、上記発明（発明５）に係るロール状積層基板の製造方法により製造された前記ロール状積層基板の前記金属めっき層上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理により、前記絶縁層上に信号配線パターンを形成するとともに、前記導通部を介して前記導電性基材の前記第１面に電気的に接続されるグラウンド配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法を提供する（発明６）。 The present invention includes a step of forming a resist pattern on the metal plating layer of the roll-shaped multilayer substrate manufactured by the method for manufacturing a roll-shaped multilayer substrate according to the invention (Invention 5), and the resist pattern as a mask. Forming a signal wiring pattern on the insulating layer by wet etching, and forming a ground wiring pattern electrically connected to the first surface of the conductive substrate through the conductive portion; A method of manufacturing a wiring board is provided (Invention 6).

また、本発明は、第１面及び当該第１面に対向する第２面を有する導電性基材と、前記導電性基材の前記第１面側に、絶縁性樹脂材料からなる絶縁層、シード層及び金属めっき層がこの順に積層されてなる積層部とを含む積層基板であって、前記シード層は、前記絶縁層を被覆する被覆部と、前記被覆部に連続するとともに、前記導電性基材の前記第１面に接触する導通部とを有し、前記絶縁層は、前記導電性基材の長手方向に沿って所定の間隔で位置する、前記絶縁層により囲まれる開口部を複数有し、前記導通部は、前記開口部を介して前記導電性基材の前記第１面に接触することを特徴とする積層基板を提供する（発明７）。 Further, the present invention provides a conductive base material having a first surface and a second surface facing the first surface, and an insulating layer made of an insulating resin material on the first surface side of the conductive base material, A laminated substrate including a laminated portion in which a seed layer and a metal plating layer are laminated in this order, wherein the seed layer is continuous with the covering portion covering the insulating layer, the covering portion, and the conductive layer and a conductive portion in contact with the first surface of the substrate, the insulating layer is positioned at a predetermined interval along the longitudinal direction of the conductive substrate, a plurality of openings which are surrounded by the insulating layer And the conductive portion is in contact with the first surface of the conductive base material through the opening (invention 7).

上記発明（発明８）においては、前記積層基板は実質的に方形状を有し、前記導通部は、実質的方形状の前記積層基板の少なくとも一辺に存在するのが好ましい（発明９）。 In the said invention (invention 8), it is preferable that the said laminated substrate has a substantially rectangular shape, and the said conduction | electrical_connection part exists in at least one side of the substantially rectangular shaped said laminated substrate (invention 9).

本発明によれば、導電性基材上に、絶縁層及びシード層がこの順に積層されてなり、ロール状に巻回されてなる積層基板であって、ロール・ツー・ロール方式による電気めっき処理を施して当該シード層上に金属めっき層を形成することが可能なロール状積層基板の製造方法及び積層基板を提供することができる。 According to the present invention, an insulating layer and a seed layer are laminated in this order on a conductive substrate, and are a laminated substrate wound in a roll shape, and electroplating by a roll-to-roll method It is possible to provide a method for manufacturing a roll-shaped multilayer substrate and a multilayer substrate capable of forming a metal plating layer on the seed layer.

図１（Ａ）は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（絶縁層を形成する工程）を示す概略図であり、図１（Ｂ）は、当該工程により絶縁層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図１（Ｃ）は、図１（Ｂ）におけるＩ−Ｉ線断面図である。FIG. 1A is a schematic view showing one step (step of forming an insulating layer) of the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to one embodiment of the present invention, and FIG. It is a top view which shows the elongate metal substrate in which the insulating layer was formed, and FIG.1 (C) is the II sectional view taken on the line in FIG.1 (B). 図２（Ａ）は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（シード層を形成する工程）を示す概略図であり、図２（Ｂ）は、当該工程によりシード層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ｂ）におけるII−II線断面図である。FIG. 2A is a schematic view showing one step (step of forming a seed layer) of the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to one embodiment of the present invention, and FIG. It is a top view which shows the elongate metal substrate in which the seed layer was formed, FIG.2 (C) is the II-II sectional view taken on the line in FIG.2 (B). 図３は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（長尺金属基板の第２面に絶縁樹脂シートを貼付する工程）を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic view showing one step (step of attaching an insulating resin sheet to the second surface of the long metal substrate) of the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to one embodiment of the present invention. 図４は、本発明の一実施形態に係るロール状積層基板の製造方法の一工程（電気めっき処理により金属めっき層を形成する工程）を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic view showing one step (a step of forming a metal plating layer by electroplating) of the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to one embodiment of the present invention. 図５（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一実施形態における絶縁層のエッジ形状の態様を示す断面図である。5A to 5E are cross-sectional views showing the edge shape of the insulating layer in one embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の製造方法の一工程（スパッタによりシード層を形成する工程）を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic view showing one step (step of forming a seed layer by sputtering) of the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate in one embodiment of the present invention. 図７は、本発明の一実施形態における導通部の長尺金属基板に対する接触面積を説明するための平面図である。FIG. 7 is a plan view for explaining the contact area of the conductive portion with respect to the long metal substrate in one embodiment of the present invention. 図８（Ａ）は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その１）を示す平面図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）におけるIII−III線断面図であり、図８（Ｃ）は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その２）を示す、図８（Ｂ）に相当する断面図である。FIG. 8A is a plan view showing another aspect (part 1) of the insulating layer and the seed layer of the roll laminated substrate in one embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a plan view of FIG. ) Is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 8, and FIG. 8C illustrates another aspect (part 2) of the insulating layer and the seed layer of the roll-shaped laminated substrate according to the embodiment of the present invention. It is sectional drawing corresponded to. 図９は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その３）を示す平面図である。FIG. 9: is a top view which shows the other aspect (the 3) of the insulating layer and seed layer of the roll-shaped laminated substrate in one Embodiment of this invention. 図１０（Ａ）は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その４）を示す平面図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）におけるIV−IV線断面図である。FIG. 10A is a plan view showing another aspect (No. 4) of the insulating layer and the seed layer of the roll-shaped laminated substrate in one embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図１１は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その５）を示す平面図である。FIG. 11: is a top view which shows the other aspect (the 5) of the insulating layer and seed layer of the roll-shaped laminated substrate in one Embodiment of this invention. 図１２は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その６）を示す平面図である。FIG. 12: is a top view which shows the other aspect (the 6) of the insulating layer and seed layer of a roll-shaped laminated substrate in one Embodiment of this invention. 図１３は、本発明の一実施形態におけるロール状積層基板の絶縁層及びシード層の他の態様（その７）を示す平面図である。FIG. 13: is a top view which shows the other aspect (the 7) of the insulating layer and seed layer of the roll-shaped laminated substrate in one Embodiment of this invention. 図１４（Ａ）は、本発明の一実施形態における積層基板の概略構成を示す平面図であり、図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）におけるＶ−Ｖ線断面図であり、図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）におけるVI−VI線断面図である。14A is a plan view showing a schematic configuration of the multilayer substrate in one embodiment of the present invention, FIG. 14B is a cross-sectional view taken along the line VV in FIG. 14A, and FIG. (C) is a VI-VI line sectional view in Drawing 14 (A). 図１５（Ａ）は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとしたときに考えられる製造工程の一工程（絶縁層を形成する工程）を示す概略図であり、図１５（Ｂ）は、当該工程により絶縁層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図１５（Ｃ）は、図１５（Ｂ）におけるVII−VII線断面図である。FIG. 15A is a schematic diagram showing one step of manufacturing process (step of forming an insulating layer) that can be considered when a conventional laminated substrate is manufactured by a roll-to-roll method. FIG. 15B is a plan view showing a long metal substrate on which an insulating layer is formed by the process, and FIG. 15C is a cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG. 図１６（Ａ）は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとしたときに考えられる製造工程の一工程（シード層を形成する工程）を示す概略図であり、図１６（Ｂ）は、当該工程によりシード層が形成された長尺金属基板を示す平面図であり、図１６（Ｃ）は、図１６（Ｂ）におけるVIII−VIII線断面図である。FIG. 16A is a schematic diagram showing one step of the manufacturing process (step of forming a seed layer) that can be considered when a conventional laminated substrate is manufactured by the roll-to-roll method. FIG. 16B is a plan view showing a long metal substrate on which a seed layer is formed by the process, and FIG. 16C is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII in FIG. 図１７は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製しようとしたときに考えられる製造工程の一工程（電気めっき処理により金属めっき層を形成する工程）を示す概略図である。FIG. 17 is a schematic diagram showing one step of a manufacturing process (a process of forming a metal plating layer by electroplating) that can be considered when a conventional laminated substrate is to be manufactured by a roll-to-roll method. 図１８は、従来の積層基板をロール・ツー・ロール方式で作製したときに生じる課題を説明するための断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view for explaining a problem that occurs when a conventional laminated substrate is manufactured by a roll-to-roll method.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本実施形態に係るロール状積層基板の製造方法においては、まず、第１面２１及び第１面２１に対向する第２面２２を有し、ロール状に巻回された帯状の長尺金属基板２を準備し、当該長尺金属基板２を繰り出しながら、第１面２１上に絶縁性樹脂材料を塗布して絶縁層３を形成し、絶縁層３が形成された長尺金属基板２を巻き取る（図１（Ａ）参照）。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
In the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to the present embodiment, first, a strip-shaped long metal substrate having a first surface 21 and a second surface 22 facing the first surface 21 and wound in a roll shape. 2 is prepared, while extending the long metal substrate 2, an insulating resin material is applied on the first surface 21 to form the insulating layer 3, and the long metal substrate 2 on which the insulating layer 3 is formed is wound. (See FIG. 1A).

長尺金属基板２を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、ＳＵＳ、銅、銅合金、ニッケル合金、アルミ合金等を挙げることができる。本実施形態により製造されるロール状積層基板１（図４参照）がサスペンション用基板として用いられる場合、長尺金属基板２は、適度な導電性及びばね性を有するものであるのが望ましい。 The material constituting the long metal substrate 2 is not particularly limited, and examples thereof include SUS, copper, copper alloy, nickel alloy, and aluminum alloy. When the roll-shaped laminated substrate 1 manufactured according to the present embodiment (see FIG. 4) is used as a suspension substrate, it is desirable that the long metal substrate 2 has appropriate conductivity and springiness.

長尺金属基板２の長手方向の長さは、特に限定されるものではなく、例えば、５０〜１０００ｍ程度である。また、長尺金属基板２の幅Ｗ₂（図１（Ｂ）参照）も、特に限定されるものではなく、例えば、２５０〜５００ｍｍ程度である。長尺金属基板２の厚さＴ₂（図１（Ｃ）参照）は、１０μｍ以上であるのが好ましく、１０〜３０μｍであるのがより好ましく、１５〜２５μｍであるのが特に好ましい。長尺金属基板２の厚さＴ₂が１０μｍ未満であると、ロール状積層基板１（図４参照）の機械的強度が低下するおそれがある。また、当該厚さＴ₂が３０μｍを超えると、ロール状積層基板１（図４参照）が例えばサスペンション用基板として用いられる場合、所望とするばね性が奏され難くなる。 The length of the long metal substrate 2 in the longitudinal direction is not particularly limited, and is, for example, about 50 to 1000 m. Further, the width W ₂ (see FIG. 1B) of the long metal substrate 2 is not particularly limited, and is, for example, about 250 to 500 mm. The thickness T ₂ (see FIG. 1C) of the long metal substrate 2 is preferably 10 μm or more, more preferably 10 to 30 μm, and particularly preferably 15 to 25 μm. If the thickness T ₂ of the long metal substrate 2 is less than 10 [mu] m, the mechanical strength of the roll-formed multilayered substrate 1 (see FIG. 4) may be reduced. On the other hand, when the thickness T ₂ exceeds 30 μm, when the roll-shaped laminated substrate 1 (see FIG. 4) is used as, for example, a suspension substrate, it is difficult to achieve desired spring properties.

絶縁性樹脂材料としては、絶縁性を有する樹脂材料であれば特に制限はなく、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド前駆体（ポリアミック酸）等の構造中にイミド結合を有するものや、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリメチルメタクリレート、液晶ポリマー等の高分子化合物等が挙げられる。絶縁性樹脂材料としてポリイミド前駆体（ポリアミック酸)を用いる場合、長尺金属基板２の第１面２１上にポリイミド前駆体含有塗工液を塗布し、熱処理を施してイミド化させることで、ポリイミドからなる絶縁層３を形成することができる。 The insulating resin material is not particularly limited as long as it is an insulating resin material. For example, a material having an imide bond in the structure of polyimide, polyamideimide, polyimide precursor (polyamic acid), polystyrene, polyethylene, and the like. , Polymer compounds such as polymethyl methacrylate and liquid crystal polymer. When a polyimide precursor (polyamic acid) is used as the insulating resin material, a polyimide precursor-containing coating solution is applied onto the first surface 21 of the long metal substrate 2, and heat treatment is performed to imidize the polyimide. An insulating layer 3 made of can be formed.

絶縁層３の膜厚Ｔ₃（図１（Ｃ）参照）は、２０μｍ以下であるのが好ましく、５〜１５μｍであるのがより好ましく、８〜１０μｍであるのが特に好ましい。絶縁層３の膜厚Ｔ₃が２０μｍを超えると、絶縁層３の形成以降の加工精度（例えばシード層４の成膜精度等）が悪化するおそれがあるとともに、ロール状積層基板１（図４参照）が例えばサスペンション用基板として用いられる場合には、所望とするばね性が奏されなくなるおそれがある。また、絶縁層３の膜厚Ｔ₃が薄すぎると、所望とする絶縁性を奏することができないおそれがある。 The thickness T ₃ (see FIG. 1C) of the insulating layer 3 is preferably 20 μm or less, more preferably 5 to 15 μm, and particularly preferably 8 to 10 μm. If the thickness T ₃ of the insulating layer 3 exceeds 20 μm, the processing accuracy after the formation of the insulating layer 3 (for example, the deposition accuracy of the seed layer 4) may be deteriorated, and the roll-shaped laminated substrate 1 (FIG. 4). For example, in the case of being used as a suspension substrate, the desired springiness may not be achieved. Further, when the thickness T ₃ of the insulating layer 3 is too thin, it may not be possible to achieve the insulation of the desired.

絶縁層３は、長尺金属基板２の両エッジＥ₂，Ｅ₂から幅方向内側２０ｍｍ程度の範囲内に形成されるのが好ましい。本実施形態においては、後述するように、シード層４が絶縁層３上にスパッタにより形成される（図２参照）。そして、シード層４は、その一部が長尺金属基板２の第１面２１に接触するように形成される。このようにシード層４が長尺金属基板２の第１面２１に接触することで、後述する電気めっき処理が可能となる。後述する工程（図２参照）にてシード層４をスパッタにより形成する場合、チャンバ側壁等のスパッタ装置内にスパッタ粒子が付着するのを防止する保護板８１が、長尺金属基板２の両エッジＥ₂，Ｅ₂から幅方向内側１０ｍｍ程度の位置に設けられているため（図６参照）、当該シード層４は、長尺金属基板２の両エッジＥ₂，Ｅ₂から幅方向内側１０ｍｍ程度の範囲内に形成される。よって、絶縁層３が長尺金属基板２の両エッジＥ₂，Ｅ₂から幅方向内側１０ｍｍ程度の範囲内に形成されていることで、シード層４の導通部４２を長尺金属基板２の第１面２１に適度に接触させることができる。 The insulating layer 3 is preferably formed within a range of about 20 mm on the inner side in the width direction from both edges E ₂ and E ₂ of the long metal substrate 2. In the present embodiment, as will be described later, the seed layer 4 is formed on the insulating layer 3 by sputtering (see FIG. 2). The seed layer 4 is formed so that a part thereof is in contact with the first surface 21 of the long metal substrate 2. In this way, the seed layer 4 comes into contact with the first surface 21 of the long metal substrate 2, thereby enabling an electroplating process to be described later. When the seed layer 4 is formed by sputtering in a process described later (see FIG. 2), the protective plates 81 that prevent the sputter particles from adhering to the sputtering apparatus such as the chamber side wall are provided at both edges of the long metal substrate 2. Since it is provided at a position about 10 mm inward in the width direction from E ₂ and E ₂ (see FIG. 6), the seed layer 4 is about 10 mm in the width direction from both edges E ₂ and E ₂ of the long metal substrate 2. It is formed within the range. Therefore, the insulating layer 3 is formed within a range of about 10 mm on the inner side in the width direction from both edges E ₂ and E _{2 of the} long metal substrate 2, so that the conduction portion 42 of the seed layer 4 is formed on the long metal substrate 2. The first surface 21 can be appropriately brought into contact.

絶縁層３の幅方向両側のエッジ形状は、特に限定されるものではなく、例えば、テーパ形状（図５（Ａ）、（Ｂ）参照）、逆テーパ形状（図５（Ｃ）参照）、幅方向外側に突出する形状（図５（Ｄ）参照）、幅方向内側に向かって凹んだ形状（図５（Ｅ）参照）等が挙げられる。 The edge shape on both sides in the width direction of the insulating layer 3 is not particularly limited, and for example, a taper shape (see FIGS. 5A and 5B), a reverse taper shape (see FIG. 5C), and a width. Examples include a shape protruding outward in the direction (see FIG. 5D), a shape recessed toward the inner side in the width direction (see FIG. 5E), and the like.

次に、第１面２１に絶縁層３が形成され、巻回されてなる長尺金属基板２を繰り出しながら、絶縁層３上に導電性材料を成膜してシード層４を形成する（図２（Ａ）参照）。 Next, the insulating layer 3 is formed on the first surface 21, and a conductive material is formed on the insulating layer 3 while the long metal substrate 2 is rolled up to form the seed layer 4 (FIG. 2 (A)).

シード層４は、絶縁層３を被覆する被覆部４１と、当該被覆部４１に連続するとともに、長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２とを有するようにして形成される。具体的には、シード層４は、絶縁層３を被覆するように、絶縁層３の幅Ｗ₃よりも広幅に形成される。これにより、絶縁層３の幅方向外側において露出する長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２を形成することができる（図２（Ｂ）、（Ｃ）参照）。 The seed layer 4 is formed so as to have a covering portion 41 that covers the insulating layer 3 and a conduction portion 42 that is continuous with the covering portion 41 and contacts the first surface 21 of the long metal substrate 2. . Specifically, the seed layer 4 is formed wider than the width W ₃ of the insulating layer 3 so as to cover the insulating layer 3. Thereby, the conduction | electrical_connection part 42 which contacts the 1st surface 21 of the elongate metal substrate 2 exposed in the width direction outer side of the insulating layer 3 can be formed (refer FIG. 2 (B), (C)).

図７に示すように、長尺金属基板２をその長手方向に沿って複数の領域ＡＲ（各領域ＡＲに少なくとも一の導通部４２が含まれる）に等分したとき、各領域ＡＲにおいて導通部４２が長尺金属基板２の第１面２１に接触する面積（図７において斜線で示す部分の面積）は、当該領域ＡＲにおける長尺金属基板２の第１面２１の表面積の６．５％以上であるのが好ましい。本実施形態においては、後述する電気めっき工程（図４参照）にてシード層４に給電された際に、長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２を介して、長尺金属基板２に電流が流れる。その結果、絶縁層３にピンホール等の欠陥が存在する場合であっても、当該欠陥部分に電流が集中するのを防止することができる。しかしながら、各領域における導通部４２の接触面積が、当該領域における長尺金属基板２の第１面２１の表面積の６．５％未満であると、その領域内やその領域の近傍に存在する、絶縁層３のピンホール等の欠陥部分に電流が集中しやすくなるおそれがある。 As shown in FIG. 7, when the long metal substrate 2 is equally divided into a plurality of regions AR (each region AR includes at least one conductive portion 42) along the longitudinal direction, the conductive portion in each region AR. The area where 42 is in contact with the first surface 21 of the long metal substrate 2 (the area indicated by the oblique lines in FIG. 7) is 6.5% of the surface area of the first surface 21 of the long metal substrate 2 in the region AR. The above is preferable. In the present embodiment, when power is supplied to the seed layer 4 in an electroplating step (see FIG. 4) described later, the long length is provided via the conductive portion 42 that contacts the first surface 21 of the long metal substrate 2. A current flows through the metal substrate 2. As a result, even if a defect such as a pinhole exists in the insulating layer 3, it is possible to prevent current from being concentrated on the defective portion. However, when the contact area of the conductive portion 42 in each region is less than 6.5% of the surface area of the first surface 21 of the long metal substrate 2 in the region, the contact area 42 exists in or near the region. There is a possibility that the current tends to concentrate on a defective portion such as a pinhole in the insulating layer 3.

本実施形態において、導通部４２が長尺金属基板２の長手方向に連続するように、絶縁層３の幅方向両側に形成される場合（図２参照）、絶縁層３の幅方向両側の各導通部４２の長さＷ₄₂が５ｍｍ以上であって、絶縁層３の幅方向両側の導通部４２の当該長さＷ₄₂の合計が好ましくは１０ｍｍ以上、より好ましくは１５ｍｍ以上、特に好ましくは２０ｍｍ以上となるようにシード層４が形成される。少なくとも一方の導通部４２の幅方向の長さＷ₄₂が５ｍｍ未満であると、絶縁層３のピンホール等の欠陥部分に電流が集中しやすくなるおそれがある。さらに好ましくは、絶縁層３の幅方向両側の導通部４２の長さＷ₄₂，Ｗ₄₂が実質的に同一（一方の長さＷ₄₂が他方の長さＷ₄₂に対する８５〜１００％程度）である。 In the present embodiment, when the conductive portions 42 are formed on both sides in the width direction of the insulating layer 3 so as to be continuous in the longitudinal direction of the long metal substrate 2 (see FIG. 2), and the length W ₄₂ of the conductive portion 42 is not less than 5 mm, the sum of the length W ₄₂ in the width direction on both sides of the conductive portion 42 of the insulating layer 3 is preferably 10mm or more, more preferably 15mm or more, particularly preferably 20mm The seed layer 4 is formed as described above. If the length W ₄₂ in the width direction of at least one of the conductive portions 42 is less than 5 mm, the current may easily concentrate on a defective portion such as a pinhole in the insulating layer 3. More preferably, the lengths W ₄₂ and W ₄₂ of the conductive portions 42 on both sides in the width direction of the insulating layer 3 are substantially the same (one length W ₄₂ is about 85 to 100% with respect to the other length W ₄₂ ). is there.

本実施形態において、シード層４は、絶縁層３上に形成され、絶縁層３に対する密着層として機能する第１シード層と、第１シード層上に形成される第２シード層とを含む。シード層４の被覆部４１及び導通部４２は、いずれも第１シード層と第２シード層との積層構造を有していてもよいし、被覆部４１が第１シード層と第２シード層との積層構造を有し、導通部４２は第２シード層の単層により構成されていてもよい。後者の場合、絶縁層３上に当該絶縁層３と実質的に同一の幅の第１シード層を形成し、第１シード層上にそれよりも広幅の第２シード層を形成すればよい。 In the present embodiment, the seed layer 4 includes a first seed layer that is formed on the insulating layer 3 and functions as an adhesion layer for the insulating layer 3, and a second seed layer formed on the first seed layer. Each of the covering portion 41 and the conducting portion 42 of the seed layer 4 may have a laminated structure of the first seed layer and the second seed layer, and the covering portion 41 includes the first seed layer and the second seed layer. And the conductive portion 42 may be formed of a single layer of the second seed layer. In the latter case, a first seed layer having substantially the same width as that of the insulating layer 3 may be formed on the insulating layer 3, and a second seed layer having a width wider than that may be formed on the first seed layer.

第１シード層を構成する材料としては、絶縁層３との密着性の良好な材料である限り特に制限はないが、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ及びその合金等が挙げられる。第１シード層の膜厚は、絶縁層３に対して所望とする密着性を得られる限り、特に制限はなく、例えば５〜１０ｎｍの範囲内で適宜設定され得る。 The material constituting the first seed layer is not particularly limited as long as it is a material having good adhesion to the insulating layer 3, and examples thereof include Ni, Cr, and alloys thereof. The film thickness of the first seed layer is not particularly limited as long as desired adhesion to the insulating layer 3 can be obtained, and can be appropriately set within a range of 5 to 10 nm, for example.

シード層４が第１シード層のみから構成されると、後述する工程（図４参照）における電気めっき処理時に、膜厚５〜１０ｎｍの第１シード層に給電されることになるが、第１シード層が薄膜であることで抵抗が上昇し、第１シード層がめっき液中に溶解してしまうおそれがある。そのため、膜厚１００〜５００ｎｍの第２シード層を第１シード層上に形成する。これによりシード層４に給電された際の抵抗の上昇を抑制し、シード層４がめっき液中に溶解してしまうのを防止することができる。第２シード層を構成する材料としては、特に制限はないが、金属めっき層５を構成する金属材料と同一であるのが好ましい。 When the seed layer 4 is composed of only the first seed layer, power is supplied to the first seed layer having a thickness of 5 to 10 nm during the electroplating process in a process described later (see FIG. 4). When the seed layer is a thin film, the resistance increases, and the first seed layer may be dissolved in the plating solution. Therefore, a second seed layer having a thickness of 100 to 500 nm is formed on the first seed layer. Thereby, an increase in resistance when power is supplied to the seed layer 4 can be suppressed, and the seed layer 4 can be prevented from being dissolved in the plating solution. The material constituting the second seed layer is not particularly limited, but is preferably the same as the metal material constituting the metal plating layer 5.

なお、本実施形態においては、長尺金属基板２の幅Ｗ₂よりも狭幅の絶縁層３が形成され、絶縁層３の幅方向両側に形成される導通部４２が、長尺金属基板２の長手方向に沿って連続する態様を例に挙げて説明したが（図２参照）、シード層４が長尺金属基板２の第１面２１に接触する部分、すなわち導通部４２として構成される部分を有していればよく、上記態様に限定されるものではない。 In the present embodiment, the insulating layer 3 having a width smaller than the width W ₂ of the long metal substrate 2 is formed, and the conductive portions 42 formed on both sides in the width direction of the insulating layer 3 include the long metal substrate 2. The embodiment is described with reference to an embodiment in which the seed layer 4 is continuous along the longitudinal direction (see FIG. 2). What is necessary is just to have a part, and it is not limited to the said aspect.

例えば、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、幅方向略中央に位置し、長手方向に延在する絶縁層非形成部３１を有するように絶縁層３が形成され、当該絶縁層非形成部３１及びその両側の絶縁層３，３を完全に被覆するようにシード層４が形成される態様であってもよい。図８（Ａ）及び（Ｂ）に示す態様において、導通部４２は、絶縁層非形成部３１により露出する第１面２１及び絶縁層３，３の幅方向外側において露出する第１面２１に接触する部分として構成される。しかし、絶縁層非形成部３１が、長尺金属基板２とシード層４とを十分に接触させ得る程度の大きさ（幅）を有するのであれば、図８（Ｃ）に示すように、絶縁層３，３の幅方向外側において露出する第１面２１にシード層４が接触していなくてもよい。図８（Ｃ）に示す態様においては、絶縁層３，３を長尺金属基板２の両エッジＥ₂，Ｅ₂の近傍まで形成することができる。 For example, as shown in FIGS. 8A and 8B, the insulating layer 3 is formed so as to have the insulating layer non-forming portion 31 that is located at the approximate center in the width direction and extends in the longitudinal direction. The seed layer 4 may be formed so as to completely cover the non-formed part 31 and the insulating layers 3 and 3 on both sides thereof. 8A and 8B, the conductive portion 42 is formed on the first surface 21 exposed by the insulating layer non-forming portion 31 and the first surface 21 exposed outside in the width direction of the insulating layers 3 and 3. It is configured as a contact part. However, if the insulating layer non-forming portion 31 has a size (width) that allows the long metal substrate 2 and the seed layer 4 to be sufficiently in contact with each other, as shown in FIG. The seed layer 4 may not be in contact with the first surface 21 exposed outside the layers 3 and 3 in the width direction. In the embodiment shown in FIG. 8C, the insulating layers 3 and 3 can be formed up to the vicinity of both edges E ₂ and E ₂ of the long metal substrate 2.

また、図９に示すように、幅方向の略中央に位置し、長手方向に延在する絶縁層非形成部３１と、当該絶縁層非形成部３１に実質的に直交し、幅方向に延在する絶縁層非形成部３２とを有するように絶縁層３が形成され、当該絶縁層非形成部３１，３２及び絶縁層３を完全に被覆するようにシード層４が形成される態様であってもよい。図９に示す態様においても、絶縁層非形成部３１，３２が、長尺金属基板２とシード層４とを十分に接触させ得る程度の大きさ（幅）を有するのであれば、絶縁層３，３の幅方向外側において露出する第１面２１にシード層４が接触していなくてもよい。 In addition, as shown in FIG. 9, the insulating layer non-forming portion 31 that is located at the approximate center in the width direction and extends in the longitudinal direction, and substantially orthogonal to the insulating layer non-forming portion 31 extends in the width direction. The insulating layer 3 is formed so as to have the existing insulating layer non-forming portion 32, and the seed layer 4 is formed so as to completely cover the insulating layer non-forming portions 31, 32 and the insulating layer 3. May be. Also in the embodiment shown in FIG. 9, if the insulating layer non-forming portions 31, 32 have a size (width) that can sufficiently contact the long metal substrate 2 and the seed layer 4, the insulating layer 3. , 3 may not be in contact with the first surface 21 exposed on the outer side in the width direction.

さらに、図１０に示すように、絶縁層３が、長手方向に所定の間隔で複数の開口部３３を有するように形成され、絶縁層３の幅Ｗ₃よりも狭幅のシード層４が形成される態様であってもよい。この場合において、開口部３３を介して露出する第１面２１と接触する部分が、導通部４２として構成される。 Further, as shown in FIG. 10, the insulating layer 3 is formed to have a plurality of openings 33 at predetermined intervals in the longitudinal direction, and the seed layer 4 having a width narrower than the width W ₃ of the insulating layer 3 is formed. It may be an embodiment. In this case, a portion in contact with the first surface 21 exposed through the opening 33 is configured as the conduction portion 42.

さらにまた、図１１及び図１２に示すように、絶縁層３が、長手方向に沿って所定の間隔で、幅方向に延在する絶縁層非形成部３４を有するように形成され、絶縁層３の幅Ｗ₃よりも狭幅のシード層４が形成される態様であってもよいし（図１１参照）、当該絶縁層非形成部３４及び絶縁層３を完全に被覆するようにシード層４が形成される態様であってもよい（図１２参照）。 Furthermore, as shown in FIGS. 11 and 12, the insulating layer 3 is formed so as to have an insulating layer non-forming portion 34 extending in the width direction at a predetermined interval along the longitudinal direction. The seed layer 4 having a width narrower than the width W ₃ may be formed (see FIG. 11), or the seed layer 4 so as to completely cover the insulating layer non-forming portion 34 and the insulating layer 3. May be formed (see FIG. 12).

また、図１３に示すように、シード層４の両エッジが、平面視において波線形状を有するように当該シード層４が形成される態様であってもよい。この態様では、シード層４のうち、絶縁層３の両エッジよりも幅方向外側の部分が、長尺金属基板２の第１面２１に接触する導通部４２として構成される。なお、図１３に示す態様において、シード層４は、絶縁層３を完全に被覆するように形成されているが、シード層４の一部を長尺金属基板２の第１面２１に十分に接触させ得る限りにおいて、絶縁層３の少なくとも一部を被覆するように形成されていてもよい。 In addition, as shown in FIG. 13, the seed layer 4 may be formed such that both edges of the seed layer 4 have a wavy shape in plan view. In this aspect, a portion of the seed layer 4 on the outer side in the width direction than both edges of the insulating layer 3 is configured as a conductive portion 42 that contacts the first surface 21 of the long metal substrate 2. In the embodiment shown in FIG. 13, the seed layer 4 is formed so as to completely cover the insulating layer 3, but a part of the seed layer 4 is sufficiently on the first surface 21 of the long metal substrate 2. As long as it can contact, you may form so that at least one part of the insulating layer 3 may be coat | covered.

図１０〜１３に示す態様において、各領域ＡＲに導通部４２が存在するように複数の領域ＡＲに区分された場合に、一の領域ＡＲ１とそれに隣接する他の領域ＡＲ２とにおいて、一の領域ＡＲ１内の導通部４２と、他の領域ＡＲ２内の導通部４２との間の長さＬ（ピッチ；長尺金属基板２の長手方向に平行な長さ）は、５００ｍｍ以下であるのが好ましく、４００ｍｍ以下であるのがより好ましい。当該長さＬｓが５００ｍｍを超えると、長尺金属基板２の長手方向において近接する導通部４２，４２間に存在する、絶縁層３のピンホール等の欠陥部分に電流が集中しやすくなるおそれがある。したがって、長尺金属基板２の長手方向に沿って区分した複数の領域ＡＲのそれぞれの長さを５００ｍｍとしたときに、各領域ＡＲに少なくとも一の導通部４２が含まれるようにシード層４を形成するのが望ましい。なお、図１０に示す態様において、上記長さＬは、長手方向において隣接する開口部３３，３３のピッチであり、図１１及び１２に示す態様において、上記長さＬは、長手方向において隣接する絶縁層非形成部３４，３４のピッチである。 10 to 13, when each region AR is divided into a plurality of regions AR so that the conductive portion 42 exists, one region AR1 and another region AR2 adjacent to the one region AR1 The length L (pitch; the length parallel to the longitudinal direction of the long metal substrate 2) between the conductive portion 42 in AR1 and the conductive portion 42 in the other region AR2 is preferably 500 mm or less. More preferably, it is 400 mm or less. When the length Ls exceeds 500 mm, current may be easily concentrated on a defective portion such as a pinhole in the insulating layer 3 that exists between the conductive portions 42 and 42 that are adjacent in the longitudinal direction of the long metal substrate 2. is there. Therefore, when the length of each of the plurality of regions AR divided along the longitudinal direction of the long metal substrate 2 is 500 mm, the seed layer 4 is formed so that each region AR includes at least one conductive portion 42. It is desirable to form. In the embodiment shown in FIG. 10, the length L is the pitch of the openings 33 and 33 adjacent in the longitudinal direction. In the embodiment shown in FIGS. 11 and 12, the length L is adjacent in the longitudinal direction. This is the pitch of the insulating layer non-forming portions 34, 34.

続いて、シード層４が形成された長尺金属基板２を繰り出しながら、長尺金属基板２の第２面２２側に、当該第２面２２を被覆する絶縁樹脂シート６（ＰＥＴシート等）を貼付する（図３参照）。そして、絶縁樹脂シート６が第２面２２に貼付された長尺金属基板２を、給電ロール７１を有する電気めっき槽７０に搬送し、電気めっき処理によりシード層４上に金属めっき層５を形成する（図４参照）。 Subsequently, while feeding out the long metal substrate 2 on which the seed layer 4 is formed, an insulating resin sheet 6 (PET sheet or the like) covering the second surface 22 is provided on the second surface 22 side of the long metal substrate 2. Affix (see FIG. 3). Then, the long metal substrate 2 having the insulating resin sheet 6 affixed to the second surface 22 is conveyed to an electroplating tank 70 having a power supply roll 71, and the metal plating layer 5 is formed on the seed layer 4 by electroplating processing. (See FIG. 4).

本実施形態においては、絶縁層３上に形成されたシード層４の一部（導通部４２）が長尺金属基板２の第１面２１に接触している。そのため、電気めっき槽７０にて給電ロール７１からシード層４に給電された際に、絶縁層３に存在するピンホール等の欠陥部分に電流が集中してしまうことがなく、長尺金属基板２が発熱し、発火するのを防止することができる。その結果、長尺金属基板２の長手方向の全域において、シード層４上に金属めっき層５を好適に形成することができる。このようにして金属めっき層５が形成された長尺金属基板２を巻き取ることで、ロール状積層基板１が製造される。上述したように、本実施形態によれば、ロール・ツー・ロール方式により、ロール状に巻回されたロール状積層基板１を製造することができる。 In the present embodiment, a part of the seed layer 4 (conductive portion 42) formed on the insulating layer 3 is in contact with the first surface 21 of the long metal substrate 2. Therefore, when power is supplied from the power supply roll 71 to the seed layer 4 in the electroplating tank 70, current does not concentrate on a defective portion such as a pinhole in the insulating layer 3, and the long metal substrate 2 Can generate heat and prevent ignition. As a result, the metal plating layer 5 can be suitably formed on the seed layer 4 in the entire lengthwise direction of the long metal substrate 2. Thus, the roll-shaped laminated substrate 1 is manufactured by winding up the long metal substrate 2 on which the metal plating layer 5 is formed. As described above, according to the present embodiment, the roll-shaped laminated substrate 1 wound in a roll shape can be manufactured by a roll-to-roll method.

本実施形態において製造されるロール状積層基板１が、サスペンション用基板として用いられる場合、ロール状積層基板１を所定の大きさに切断し、金属めっき層５上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理を金属めっき層５に施すことで、サスペンションの配線パターン層が形成される。したがって、ロール状積層基板１がこのような用途で用いられる場合、金属めっき層５を構成する材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、銅合金、ニッケル合金等の導電性を有する材料を用いることができ、金属めっき層５の膜厚は、５〜１０μｍ程度に設定され得る。 When the roll-shaped laminated substrate 1 manufactured in the present embodiment is used as a suspension substrate, the roll-shaped laminated substrate 1 is cut into a predetermined size, a resist pattern is formed on the metal plating layer 5, and the resist By applying wet etching treatment to the metal plating layer 5 using the pattern as a mask, a wiring pattern layer of the suspension is formed. Therefore, when the roll-shaped laminated substrate 1 is used for such an application, as the material constituting the metal plating layer 5, for example, a conductive material such as Cu, Ag, a copper alloy, or a nickel alloy is used. The thickness of the metal plating layer 5 can be set to about 5 to 10 μm.

上述したように、本実施形態に係るロール状積層基板の製造方法においては、絶縁層３上に形成されるシード層４が、長尺金属基板２の第１面２１と導通部４２を介して電気的に接続される。そのため、シード層４上に金属めっき層５を形成するために電気めっき処理を行うときに、絶縁層３にピンホール等の欠陥が存在していたとしても、当該欠陥部分に電流が集中することがなく、発熱、発火等の問題が生じない。よって、本実施形態によれば、ロール・ツー・ロール方式により電気めっき処理を施してシード層４上に金属めっき層５を形成し、ロール状積層基板１を製造することができる。 As described above, in the method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to the present embodiment, the seed layer 4 formed on the insulating layer 3 is interposed between the first surface 21 of the long metal substrate 2 and the conductive portion 42. Electrically connected. Therefore, even when defects such as pinholes exist in the insulating layer 3 when electroplating is performed to form the metal plating layer 5 on the seed layer 4, current concentrates on the defective portion. There is no problem such as heat generation and ignition. Therefore, according to the present embodiment, the roll-shaped laminated substrate 1 can be manufactured by performing the electroplating process by the roll-to-roll method to form the metal plating layer 5 on the seed layer 4.

次に、上述のようにして製造されたロール状積層基板から作製される積層基板について説明する。 Next, the laminated substrate produced from the roll-shaped laminated substrate manufactured as mentioned above is demonstrated.

図１４に示すように、本実施形態における積層基板１０は、第１面２０ａ及びそれに対向する第２面２０ｂを有する実質的に方形状の金属基板２０と、金属基板２０の第１面２０ａ上に積層されてなる積層部３０とを含み、上述したロール状積層基板１を切断して個片化してなるものである。したがって、図１４に示す積層基板１０において、本実施形態により製造されるロール状積層基板１と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。 As shown in FIG. 14, the laminated substrate 10 in the present embodiment includes a substantially rectangular metal substrate 20 having a first surface 20 a and a second surface 20 b opposite to the first surface 20 a, and the first surface 20 a of the metal substrate 20. The roll-shaped laminated substrate 1 described above is cut into individual pieces. Therefore, in the laminated substrate 10 shown in FIG. 14, the same code | symbol is attached | subjected about the structure similar to the roll-shaped laminated substrate 1 manufactured by this embodiment, and the detailed description shall be abbreviate | omitted.

積層部３０は、絶縁層３、シード層４及び金属めっき層５が金属基板２０の第１面２０ａ上に積層されてなる構造を有する。シード層４は、金属基板２０の上の絶縁層３を被覆する被覆部４１と、金属基板２０の第１面２０ａに接触する導通部４２とを有する。本実施形態において、導通部４２は、実質的に方形状の金属基板２０の一辺に沿って設けられている。すなわち、実質的に方形状の金属基板２０の一辺においては、金属基板２０上にシード層４（導通部４２）及び金属めっき層５が積層されてなり、他の三辺においては、金属基板２０上に絶縁層３、シード層４（被覆部４１）及び金属めっき層５が積層されてなる。 The stacked unit 30 has a structure in which the insulating layer 3, the seed layer 4, and the metal plating layer 5 are stacked on the first surface 20 a of the metal substrate 20. The seed layer 4 includes a covering portion 41 that covers the insulating layer 3 on the metal substrate 20, and a conduction portion 42 that contacts the first surface 20 a of the metal substrate 20. In the present embodiment, the conductive portion 42 is provided along one side of the substantially rectangular metal substrate 20. That is, the seed layer 4 (conducting portion 42) and the metal plating layer 5 are laminated on the metal substrate 20 on one side of the substantially rectangular metal substrate 20, and the metal substrate 20 on the other three sides. The insulating layer 3, the seed layer 4 (covering part 41), and the metal plating layer 5 are laminated | stacked on it.

かかる積層基板１０において、金属めっき層５は、レジストパターンをマスクとしたウェットエッチング処理により、絶縁層３上に信号配線パターンを形成するための層であるとともに、金属基板２０に電気的に接続するグラウンド配線パターンを形成するための層である。 In the laminated substrate 10, the metal plating layer 5 is a layer for forming a signal wiring pattern on the insulating layer 3 by wet etching using a resist pattern as a mask, and is electrically connected to the metal substrate 20. This is a layer for forming a ground wiring pattern.

このように、本実施形態における積層基板１０によれば、シード層４の導通部４２が金属基板２０の第１面２０ａに接触していることで、シード層４上に積層されている金属めっき層５のエッチングにより、絶縁層３上に信号配線パターンを形成するのと同時に、金属基板２０に電気的に接続するグラウンド配線パターンも形成することができる。 As described above, according to the laminated substrate 10 in the present embodiment, the conductive portion 42 of the seed layer 4 is in contact with the first surface 20a of the metal substrate 20, so that the metal plating laminated on the seed layer 4 is performed. By etching the layer 5, a signal wiring pattern can be formed on the insulating layer 3 and at the same time, a ground wiring pattern electrically connected to the metal substrate 20 can be formed.

なお、図１４に示す態様においては、実質的に方形状の金属基板２０の一辺においては、金属基板２０上にシード層４（導通部４２）及び金属めっき層５が積層されてなり、他の三辺においては、金属基板２０上に絶縁層３、シード層４（被覆部４１）及び金属めっき層５が積層されてなる。しかしながら、このような態様に限定されることなく、金属基板２０の少なくとも一辺において、金属基板２０上にシード層４（導通部４２）及び金属めっき層５が積層されていればよい。 In the embodiment shown in FIG. 14, the seed layer 4 (conductive portion 42) and the metal plating layer 5 are laminated on the metal substrate 20 on one side of the substantially rectangular metal substrate 20. In three sides, the insulating layer 3, the seed layer 4 (covering portion 41), and the metal plating layer 5 are laminated on the metal substrate 20. However, the present invention is not limited thereto, and the seed layer 4 (conductive portion 42) and the metal plating layer 5 may be stacked on the metal substrate 20 on at least one side of the metal substrate 20.

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。 The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

以下、実施例等を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例等に何ら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example etc. are given and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited to the following Example etc. at all.

〔実施例１〕
厚さ２０μｍ、長さ５００ｍ、幅４２０ｍｍのロール状のステンレス板（長尺金属基板２）を繰り出しながら、厚さ１０μｍのポリイミド膜（絶縁層３）を塗工法により形成した（図１参照）。次に、ポリイミド膜（絶縁層３）を被覆する被覆部４１とステンレス板上に接触する導通部４２とを有するシード層４（密着性材料としてのＮｉ−Ｃｒ合金からなる第１シード層（膜厚１０ｎｍ）及び導電性材料としてのＣｕからなる第２シード層（膜厚１００ｎｍ））をスパッタにより形成した（図２参照）。そして、シード層４の形成された面と対向する面にＰＥＴフィルムを貼付したステンレス板（長尺金属基板２）を電気めっき槽７０に導入し、シード層４に給電して電気銅めっき処理を施した（図４参照）。実施例１においては、ステンレス板（長尺金属基板２）の長手方向の全域において、シード層４上に金属めっき層５を形成することができた。 [Example 1]
A polyimide film (insulating layer 3) having a thickness of 10 μm was formed by a coating method while feeding a roll-shaped stainless steel plate (long metal substrate 2) having a thickness of 20 μm, a length of 500 m, and a width of 420 mm (see FIG. 1). Next, a seed layer 4 (first seed layer (film) made of a Ni—Cr alloy as an adhesive material) having a covering portion 41 that covers the polyimide film (insulating layer 3) and a conductive portion 42 that contacts the stainless steel plate. A second seed layer (thickness: 100 nm) made of Cu as a conductive material and a conductive material was formed by sputtering (see FIG. 2). Then, a stainless steel plate (long metal substrate 2) having a PET film affixed to the surface opposite to the surface on which the seed layer 4 is formed is introduced into the electroplating tank 70, and the seed layer 4 is supplied with electric copper plating. (See FIG. 4). In Example 1, the metal plating layer 5 could be formed on the seed layer 4 in the entire region in the longitudinal direction of the stainless steel plate (long metal substrate 2).

〔比較例１〕
絶縁層３よりも狭幅のシード層４であって、ステンレス板上に接触する導通部４２を有しないようにシード層４を形成した以外は、実施例１と同様にしてシード層４に給電して電気銅めっき処理を施した。しかしながら、比較例１においては、シード層４に給電した後、ステンレス板（長尺金属基板２）が発熱してしまい、電気銅めっき処理を行うことができなかった。 [Comparative Example 1]
Power is supplied to the seed layer 4 in the same manner as in Example 1 except that the seed layer 4 is narrower than the insulating layer 3 and is formed so as not to have the conducting portion 42 that contacts the stainless steel plate. Then, an electrolytic copper plating process was performed. However, in Comparative Example 1, after feeding the seed layer 4, the stainless steel plate (long metal substrate 2) generated heat, and the electrolytic copper plating process could not be performed.

本発明は、サスペンション用基板等の導電性基材上に絶縁層及び導電層がこの順に積層されてなる積層基板をロール・ツー・ロール方式で製造する方法において有用である。 INDUSTRIAL APPLICATION This invention is useful in the method of manufacturing the laminated substrate by which an insulating layer and a conductive layer are laminated | stacked in this order on conductive base materials, such as a board | substrate for suspensions, by a roll-to-roll system.

１…ロール状積層基板
２…長尺金属基板（導電性基材）
２１…第１面
２２…第２面
３…絶縁層
３１，３２，３４…絶縁層非形成部
３３…開口部
４…シード層
４１…被覆部
４２…導通部
５…金属めっき層
１０…積層基板
２０…金属基板（導電性基材）
２０ａ…第１面
２０ｂ…第２面
３０…積層部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Roll-shaped laminated substrate 2 ... Long metal substrate (conductive base material)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 ... 1st surface 22 ... 2nd surface 3 ... Insulating layer 31, 32, 34 ... Insulating layer non-formation part 33 ... Opening part 4 ... Seed layer 41 ... Covering part 42 ... Conductive part 5 ... Metal plating layer 10 ... Multilayer substrate 20 ... Metal substrate (conductive substrate)
20a ... 1st surface 20b ... 2nd surface 30 ... Laminate part

Claims

A method for producing a roll-shaped laminated substrate wound in a roll shape,
The conductive surface is formed by exposing a part of the first surface of the conductive base material while feeding a long strip-shaped conductive base material having a first surface and a second surface facing the first surface. Forming an insulating layer by applying an insulating resin material on the first surface of the substrate;
Forming a seed layer by depositing a conductive material on the insulating layer formed on the first surface of the conductive substrate and on the exposed first surface of the conductive substrate; Have
The seed layer covers a part of the first surface that covers at least a part of the insulating layer and is electrically connected to the covering part and electrically conductive to the conductive substrate. And a conductive part that comes into contact with
The insulating layer has a plurality of openings surrounded by the insulating layer, which are located at predetermined intervals along the longitudinal direction of the conductive substrate,
In the step of forming the insulating layer, the insulating layer is formed so as to expose the first surface of the conductive base material from each of the plurality of openings.
In the step of forming the seed layer, the seed layer is formed so that the conductive portion is in contact with the first surface of the conductive base material exposed from the opening. Manufacturing method.

The method for manufacturing a roll-shaped laminated substrate according to claim 1, wherein the insulating layer has a thickness of 20 μm or less.

When the conductive base material is equally divided into a plurality of regions along the longitudinal direction, the area where the conductive portion located in each region contacts the first surface of the conductive base material is The method for producing a roll-shaped laminated substrate according to claim 1, wherein the surface area is 6.5% or more of the surface area of the first surface of the conductive base material.

Along the longitudinal direction of the conductive base material between the conducting portion located in one region of the plurality of regions and the conducting portion located in another region adjacent to the one region. The method for producing a roll-shaped laminated substrate according to claim 3, wherein the length is 500 mm or less.

The method for producing a roll-shaped laminated substrate according to claim 1, further comprising a step of forming a metal plating layer on the seed layer by electroplating.

Forming a resist pattern on the metal plating layer of the roll-shaped multilayer substrate manufactured by the method for manufacturing a roll-shaped multilayer substrate according to claim 5;
A ground wiring that forms a signal wiring pattern on the insulating layer by wet etching using the resist pattern as a mask and is electrically connected to the first surface of the conductive substrate through the conductive portion And a step of forming a pattern.

A conductive base material having a first surface and a second surface facing the first surface, and an insulating layer, a seed layer, and a metal plating layer made of an insulating resin material on the first surface side of the conductive base material Is a laminated substrate including a laminated portion laminated in this order,
The seed layer has a covering portion that covers the insulating layer, and a conduction portion that is continuous with the covering portion and contacts the first surface of the conductive base material,
The insulating layer is positioned at a predetermined interval along the longitudinal direction of the conductive substrate has a plurality of apertures surrounded by said insulating layer,
The conductive substrate is in contact with the first surface of the conductive base material through the opening.