JP6505486B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents
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Description
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等(以下、単に「基板」という)に、処理を施す基板処理技術に関する。 The present invention includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display device, a glass substrate for a plasma display, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magnetooptical disk, a glass substrate for a photomask, a substrate for a solar cell, etc. The present invention relates to a substrate processing technique for processing a substrate (hereinafter simply referred to as "substrate").
このような処理を行う基板処理装置として、特許文献1には、下方から基板を水平に保持する保持部材と、保持部材と基板との間に設けられた円板状のノズルとを備える装置が開示されている。円板状のノズルは、基板Wの下面の中央部分に対向する。当該装置は、保持部材を回転させつつ、処理液を円板状のノズルから基板の下面の中央部に向けて吐出する。吐出された処理液は、遠心力によって基板の下面全体を覆うように、下面の中央部から周縁部に移動して周縁部から基板外部に排出される。これにより、基板の下面全体が処理される。
As a substrate processing apparatus for performing such processing,
しかしながら、特許文献1の装置においては、基板の下面に吐出された処理液の一部が、基板下面から保持部材の上面に落下して付着し、そのまま残存するといった問題がある。
However, in the apparatus of
本発明は、こうした問題を解決するためになされたもので、保持部材に保持されて回転する基板の下面に供給された処理液が保持部材上に落下して付着し、そのまま残存することを抑制できる技術を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve these problems, and prevents the treatment liquid supplied to the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member from falling and adhering onto the holding member and remaining as it is. It aims to provide technology that can
上記の課題を解決するために、第1の態様に係る基板処理方法は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材を、前記基板とともに前記回転軸周りに回転させる回転ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。 In order to solve the above problems, the substrate processing method according to the first aspect holds the substrate substantially horizontally from the lower side, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and has a predetermined rotation axis. Rotating the holding member rotatably provided around the rotation axis with the substrate, and from below the central portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member to the central portion Between the central portion of the substrate held and rotated by the holding member and the central portion of the holding member so as to discharge the treatment liquid so that the treatment liquid is spread toward the lower surface of the substrate; And a cleaning liquid discharge step of discharging the cleaning liquid toward the radial outside of the holding member along the upper surface of the holding member, and the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel.
第2の態様に係る基板処理方法は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材を、前記基板とともに前記回転軸周りに回転させる回転ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出ステップと、前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。 In the substrate processing method according to the second aspect, a holding member which holds a substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided around a predetermined rotation axis. And rotating the substrate and the substrate about the rotation axis, and discharging the chemical solution as the processing liquid from below the central portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member. A treatment liquid discharge step, from the center portion of the substrate held and rotated by the holding member to the central portion of the holding member and directed radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member And a cleaning liquid discharge step of discharging the cleaning liquid, and the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel.
第3の態様に係る基板処理方法は、第1または第2の態様に係る基板処理方法であって、処理液吐出ステップは、前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、前記洗浄液吐出ステップは、前記ノズルの前記板状部材の上面または下面に設けられた洗浄液吐出口から前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って、前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである。 The substrate processing method according to the third aspect is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein the processing liquid discharging step includes both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. And the step of discharging the processing liquid toward the central portion of the lower surface from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with the plate-like member facing the gap The diameter of the holding member along the surfaces of both the upper surface or the lower surface of the plate member and the upper surface of the holding member from the cleaning solution discharge port provided on the upper surface or the lower surface of the plate member of the nozzle It is a step of discharging the cleaning liquid outward in the direction.
第4の態様に係る基板処理方法は、第1または第2の態様に係る基板処理方法であって、処理液吐出ステップは、前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、前記洗浄液吐出ステップは、前記ノズルの前記板状部材の側面に設けられた洗浄液吐出口から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである。 A substrate processing method according to a fourth aspect is the substrate processing method according to the first or second aspect, wherein the processing liquid discharging step includes both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. And the step of discharging the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with the plate-like member facing the gap The discharging step is a step of discharging the washing solution from the washing solution discharge port provided on the side surface of the plate-like member of the nozzle along the upper surface of the holding member toward the radially outer side of the holding member.
第5の態様に係る基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。
第6の態様に係る基板処理装置は、基板を下方から略水平に保持し、前記基板の下面と隙間を隔てて対向する上面を備えて所定の回転軸周りに回転可能に設けられた保持部材と、前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、を備え、前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う。
A substrate processing apparatus according to a fifth aspect of the present invention is a holding member that holds a substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided around a predetermined rotation axis. And a rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis, and discharging the processing liquid so that the processing liquid spreads on the lower surface of the substrate from below the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion A processing liquid discharge port, and a cleaning liquid discharge port for discharging a cleaning liquid radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member; And a nozzle provided , wherein the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel.
A substrate processing apparatus according to a sixth aspect holds a substrate substantially horizontally from the lower side, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is provided rotatably around a predetermined rotation axis. A rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis, a treatment liquid discharge port for discharging a chemical solution as a treatment liquid from below the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion, and the substrate And a nozzle provided with a cleaning liquid discharge port for discharging a cleaning liquid from the central portion of the holding member to the radial outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the holding member And performing the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step in parallel.
第7の態様に係る基板処理装置は、第5又は第6の態様に係る基板処理装置であって、前記ノズルは、基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の上面または下面に設けられて前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する。 A substrate processing apparatus according to a seventh aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth or sixth aspect, wherein the nozzle has a gap between both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate, and the cleaning liquid discharge port is provided with the processing liquid discharge port. It is provided on the upper surface or the lower surface of the plate-like member, and the cleaning solution is discharged radially outward of the holding member along both the upper surface or the lower surface of the plate-like member and the upper surface of the holding member.
第8の態様に係る基板処理装置は、第5又は第6の態様に係る基板処理装置であって、前記ノズルは、基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の側面に設けられて前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する。 A substrate processing apparatus according to an eighth aspect is the substrate processing apparatus according to the fifth or sixth aspect, wherein the nozzle has a gap between both the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member. The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate, and the cleaning liquid discharge port is provided with the processing liquid discharge port. It is provided on the side surface of the plate-like member, and discharges the cleaning solution radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member.
第1、第2、第5および第6の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液は、保持部材の上面に沿って保持部材の径方向外側に向けて吐出される。これにより、洗浄液が基板の下面に当たって下面に付着している処理液と混合することを抑制しつつ、洗浄液によって保持部材の上面を洗浄できるとともに、基板の下面から落下した処理液が、保持部材の上面に付着する前に洗浄液によって洗い流すことができる。従って、基板の下面に供給された処理液が保持部材上に落下して付着し、そのまま残存することを抑制できる。 In the invention according to any of the first, second, fifth, and sixth aspects, the cleaning liquid is discharged toward the radially outer side of the holding member along the upper surface of the holding member. As a result, it is possible to clean the upper surface of the holding member by the cleaning liquid while suppressing the cleaning liquid from being mixed with the processing liquid adhering to the lower surface by hitting the lower surface of the substrate, and the processing liquid dropped from the lower surface of the substrate It can be washed away with the cleaning solution before it adheres to the top surface. Therefore, it is possible to suppress that the processing liquid supplied to the lower surface of the substrate drops and adheres onto the holding member and remains as it is.
第1及び第2の態様に係る発明によれば、処理液吐出ステップと洗浄液吐出ステップとが並行して行われるので、基板の裏面に吐出された処理液が保持部材の上面に付着することを効率的に抑制できる。第5及び第6の態様においても、基板の裏面に吐出された処理液が保持部材の上面に付着することを効率的に抑制できる。 According to the invention of the first and second aspects, the processing liquid discharge step and the cleaning liquid discharge step are performed in parallel, so that the processing liquid discharged on the back surface of the substrate adheres to the upper surface of the holding member. It can be efficiently suppressed. Also in the fifth and sixth aspects, adhesion of the processing liquid discharged on the back surface of the substrate to the top surface of the holding member can be efficiently suppressed.
第3および第7の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液は、ノズルの板状部材の上面または下面と、保持部材の上面との双方の面に沿って、保持部材の径方向外側に向けて吐出されるので、保持部材の洗浄中にノズルの洗浄も行うことができる。 In the invention according to any of the third and seventh aspects, the cleaning solution is directed radially outward of the holding member along both the upper surface or the lower surface of the plate member of the nozzle and the upper surface of the holding member. Since the discharge is performed, the nozzle can also be cleaned during the cleaning of the holding member.
第4および第8の何れの態様に係る発明によっても、洗浄液は、ノズルの板状部材の側面に設けられた洗浄液吐出口から保持部材の上面に沿って保持部材の径方向外側に向けて吐出される。従って、洗浄液吐出口の形状を板状部材の周方向に長くして、吐出される洗浄液を拡げることが容易となる。 Also in the invention according to the fourth and eighth aspects, the cleaning liquid is discharged radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member from the cleaning liquid discharge port provided on the side surface of the plate member of the nozzle Be done. Therefore, the shape of the cleaning liquid discharge port can be elongated in the circumferential direction of the plate-like member, and the discharged cleaning liquid can be easily spread.
以下、図面を参照しながら、実施の形態について説明する。以下の実施の形態は、本発明を具体化した一例であり、本発明の技術的範囲を限定する事例ではない。また、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンベースに対して基板側が上である。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings. The following embodiment is an example embodying the present invention, and is not an example limiting the technical scope of the present invention. Further, in each of the drawings referred to below, the dimensions and the number of each part may be exaggerated or simplified for ease of understanding. The vertical direction is the vertical direction, and the substrate side is above the spin base.
<実施形態について>
<1.基板処理装置1の構成>
基板処理装置1の構成について、図1〜図5を参照しながら説明する。図1は、基板処理装置1の構成を説明するための模式図である。図1では、遮断板90が待避位置に配置されている状態が示されている。また、処理位置に配置された遮断板90が仮想線で示されている。図2は、遮断板90が処理位置に配置された状態で、回転軸a1周りに回転する遮断板90とスピンベース21とを示す概略斜視図である。図3は、基板9を保持して回転軸a1周りに回転するスピンベース21を斜め上方からみた概略斜視図である。遮断板90の記載は省略されている。基板9の表面形状は略円形である。基板9の基板処理装置1への搬入搬出は、遮断板90が待避位置に配置された状態で、ロボット等により行われる。基板処理装置1に搬入された基板9は、スピンベース21により着脱自在に保持される。図4は、遮断板90を斜め下方から見た概略斜視図である。図5は、スピンベース21を斜め上方から見た概略斜視図である。
<About the embodiment>
<1. Configuration of
The configuration of the
なお、以下の説明において、「処理液」には、薬液処理に用いられる「薬液」と、薬液をすすぎ流すリンス処理に用いられる「リンス液(「洗浄液」とも称される)」と、が含まれる。 In the following description, the term "treatment liquid" includes "chemical solution" used for chemical solution treatment and "rinse solution (also referred to as" cleaning fluid ") used for rinse treatment to rinse out the chemical solution. Be
基板処理装置1は、スピンチャック2、飛散防止部3、表面保護部4、処理部5、および制御部130を備える。これら各部2〜5は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130からの指示に応じて動作する。制御部130としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部130は、例えば、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAM、制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスク、等を備えている。制御部130においては、プログラムに記述された手順に従って主制御部としてのCPUが演算処理を行うことにより、基板処理装置1の各部を制御する。
The
<スピンチャック2>
スピンチャック2は、基板9を、その一方の主面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持する基板保持部であって、当該基板9を、主面の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転させる。
<Spin
The
スピンチャック2は、基板9より若干大きい円板状の部材であるスピンベース(「保持部材」)21を備える。スピンベース21は、その上面、下面の中央にそれぞれ開口する円筒状の貫通孔21aが、その中心軸が回転軸a1に一致するように形成されている。貫通孔21aの下側の開口には、円筒状の回転軸部22が連結されている。これにより貫通孔21aと回転軸部22の中空部とが連通する。回転軸部22は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置される。また、回転軸部22には、回転駆動部(例えば、モータ)23が接続される。回転駆動部23は、回転軸部22をその軸線まわりに回転駆動する。回転軸部22の軸線は、回転軸a1と一致する。従って、スピンベース21は、回転軸部22とともに回転軸a1周りに回転可能である。回転軸部22および回転駆動部23は、筒状のケーシング24内に収容されている。
The
また、スピンベース21の上面の周縁部付近には、適当な間隔をおいて複数個(例えば6個)のチャックピン25が設けられている。各チャックピン25は、スピンベース21の上面に設けられた複数の開口21bにおいてスピンベース21に取り付けられている。チャックピン25は、基板9の端面と当接して基板9の水平方向の位置決めを行うとともに、スピンベース21の上面より僅かに高い位置で(すなわち、スピンベース21の上面から定められた間隔を隔てて)、基板9を略水平姿勢で保持する。すなわち、スピンベース21は、チャックピン25を介して基板9を下方から略水平に保持する。スピンベース21の上面は、基板9の下面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。スピンベース21の円筒状の側面部分には、2つの突出部26が周方向に沿って等間隔に設けられている。突出部26は、少なくとも1つ設けられればよく、多数の突出部26が設けられてもよい。
In addition, a plurality of (for example, six) chuck pins 25 are provided in the vicinity of the peripheral portion of the upper surface of the
この構成において、スピンベース21がその上方でチャックピン25によって基板9を保持した状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転すると、スピンベース21が鉛直方向に沿った軸心周りで回転され、これによって、スピンベース21上に保持された基板9が、その面内の中心c1を通る鉛直な回転軸a1のまわりで回転される。後述する表面保護部4には遮断板90が回転軸a1を中心とする周方向に回転可能に設けられている。当該周方向におけるスピンベース21と遮断板90との相対位置は、規制可能である。当該相対位置が規制された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転させるとスピンベース21、基板9、および遮断板90が同じ回転方向に、同じ回転速度で回転する。回転駆動部23と、突出部26と、規制構造94とは、スピンベース21と遮断板90とを、回転軸a1を中心に互いに同じ方向に回転させる回転機構231である。
In this configuration, with the
なお、当該相対位置が規制された状態で回転軸a1を中心に遮断板90を回転させる他の回転駆動部が、回転駆動部23に代えて設けられてもよい。この場合、当該他の回転駆動部が、回転駆動部23の代わりに回転機構231の構成要素の1つとなる。また、回転駆動部23と当該他の回転駆動部との双方が設けられてもよい。すなわち、回転機構231は、周方向におけるスピンベース21と遮断板90との相対位置が規制された状態で、スピンベース21と遮断板90との少なくとも一方を、回転軸a1を中心に回転させる。回転機構231がスピンベース21と遮断板90とを同じ方向に同じ速度で回転させれば、基板9の上面と遮断板90の下面との間に、基板9の中心c1側に向かう気流が発生することを抑制できる。これにより、処理液の液適が基板の上面に吸い込まれることを抑制できる。
In addition, the other rotation drive part which rotates the blocking
回転駆動部23と当該他の回転駆動部との双方が設けられる場合には、規制構造94と突出部26とが設けられていなくてもよい。この場合には、さらに、回転駆動部23がスピンベース21を回転させる速度と、当該他の回転駆動部が遮断板90をスピンベース21と同じ方向に回転させる速度とが異なっていてもよい。また、回転駆動部23と当該他の回転機構との双方が設けられる場合には、延設部92の先端が、スピンベース21の上面よりも若干上側に位置していてもよい。
In the case where both the
チャックピン25および回転駆動部23は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、スピンベース21上に基板9を保持するタイミング、保持された基板9を開放するタイミング、および、スピンベース21の回転態様(具体的には、回転開始タイミング、回転終了タイミング、回転数(すなわち、回転速度)、等)は、制御部130によって制御される。
The
<飛散防止部3>
飛散防止部3は、スピンベース21とともに回転される基板9から飛散する処理液等を受け止める。
Scattering prevention unit 3
The scattering prevention unit 3 receives the processing liquid etc. scattered from the
飛散防止部3は、スプラッシュガード31を備える。スプラッシュガード31は、上端が開放された筒形状の部材であり、スピンチャック2を取り囲むように設けられる。この実施の形態では、スプラッシュガード31は、例えば、底部材311、内部材(「内側ガード」とも、単に「ガード」とも称する)312、および、外部材(「外側ガード」とも称する)313の3個の部材を含んで構成されている。外部材313が設けられていなくてもよいし、逆に、外部材313の外側に、スピンチャック2を取り囲むようにガードがさらに設けられてもよい。
The scattering prevention unit 3 includes a
底部材311は、上端が開放された筒形状の部材であり、円環状の底部と、底部の内側縁部から上方に延びる円筒状の内側壁部と、底部の外側縁部から上方に延びる円筒状の外側壁部と、を備える。内側壁部の少なくとも先端付近は、スピンチャック2のケーシング24に設けられた鍔状部材241の内側空間に収容される。
The
底部には、内側壁部と外側壁部との間の空間と連通する排液溝(図示省略)が形成される。この排液溝は、工場の排液ラインと接続される。また、この排液溝には、溝内を強制的に排気して、内側壁部と外側壁部との間の空間を負圧状態とする排気液機構が接続されている。内側壁部と外側壁部との間の空間は、基板9の処理に使用された処理液を集めて排液するための空間であり、この空間に集められた処理液は、排液溝から排液される。
At the bottom, a drainage groove (not shown) communicating with the space between the inner side wall and the outer side wall is formed. The drainage groove is connected to the drainage line of the factory. Further, an exhaust liquid mechanism is connected to the drainage groove for forcibly exhausting the inside of the groove to make the space between the inner side wall portion and the outer side wall portion a negative pressure state. A space between the inner side wall portion and the outer side wall portion is a space for collecting and draining the treatment liquid used for the treatment of the
内部材312は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材312の上部(「上端側部分」、「上端部分」)は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸a1に向かって斜め上方に延びている。内部材312の下部には、上部の内周面に沿って下方に延びる筒状の内周壁部と、上部の外周面に沿って下方に延びる筒状の外周壁部とが形成される。底部材311と内部材312とが近接する状態(図1に示される状態)において、底部材311の外側壁部は、内部材312の内周壁部と外周壁部との間に収容される。内部材312の上部が受けた処理液等は、底部材311を介して排出される。
The
外部材313は、上端が開放された筒形状の部材であり、内部材312の外側に設けられている。外部材313の上部(「上端側部分」、「上端部分」)は内側上方に向かって延びている。すなわち、当該上部は、回転軸a1に向かって斜め上方に延びている。下部は、内部材312の外周壁部に沿って下方に延びている。外部材313の上部が受けた処理液等は、内部材312の外周壁部と外部材313の下部との隙間から排出される。
The
スプラッシュガード31には、これを昇降移動させるガード駆動機構(「昇降駆動部」)32が配設されている。ガード駆動機構32は、例えば、ステッピングモータにより構成される。この実施の形態では、ガード駆動機構32は、スプラッシュガード31が備える3個の部材311,312,313を、独立して昇降させる。
The
内部材312、および、外部材313の各々は、ガード駆動機構32の駆動を受けて、各々の上方位置と下方位置との間で移動される。ここで、各部材312,313の上方位置は、当該部材312,313の上端縁部が、スピンベース21上に保持された基板9の側方、かつ、上方に配置される位置である。一方、各部材312,313の下方位置は、当該部材312,313の上端縁部が、スピンベース21の上面よりも下方に配置される位置である。外部材313の上方位置(下方位置)は、内部材312の上方位置(下方位置)よりも若干上方に位置する。内部材312と外部材313とは、互いにぶつからないように同時に、若しくは順次に昇降される。底部材311は、その内側壁部が、ケーシング24に設けられた鍔状部材241の内側空間に収容される位置と、その下方の位置との間でガード駆動機構32によって駆動される。ただし、ガード駆動機構32は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、スプラッシュガード31の位置(具体的には、底部材311、内部材312、および、外部材313各々の位置)は、制御部130によって制御される。
Each of the
<表面保護部4>
表面保護部4は、スピンベース21上に保持された基板9の上面の中央付近に対して、ガス(カバーガス)を供給して、基板9の上面を、下面に供給された処理液の雰囲気等から保護する。
<Surface protection unit 4>
The surface protection unit 4 supplies a gas (cover gas) to the vicinity of the center of the upper surface of the
表面保護部4は、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガスを吐出する円筒状のカバーガスノズル41を備える。カバーガスノズル41は、水平に延在するアーム42の先端寄りの部分に取り付けられおり、アーム42を鉛直方向に貫通している。カバーガスノズル41の中心軸は、回転軸a1と一致している。カバーガスノズル41の下端部分は、アーム42の下端面からさらに下方に延設されている。カバーガスノズル41の下端部分には、円板状の回転部93がベアリングを介して取り付けられている。回転部93の中心軸は、回転軸a1と一致している。これにより、回転部93は、回転軸a1を中心としてカバーガスノズル41の周囲を周方向に回転可能となっている。
The surface protection unit 4 includes a cylindrical
回転部93の下部には、円板状の遮断板(「対向部材」)90が回転部93と供に回転可能なように取り付けられている。遮断板90の上面は、略水平となるように設けられており、その形状は、スピンベース21よりも若干大きい円形であり、その中心を回転軸a1が通る。これにより、遮断板90は、回転軸a1を中心とする周方向に回転可能である。遮断板90は、回転軸a1を中心軸とする円板状の本体部91と、本体部91の周縁部に設けられた延設部92とを備えている。本体部91の中央部には、カバーガスノズル41と連通する貫通孔91aが設けられている。延設部92は、本体部91の周縁部から下方に延設された筒状壁部(環状壁部)であり、当該周縁部の周方向に沿って設けられている。延設部92は、本体部91の周縁部から基板9の端面を取り囲んでスピンベース21側に延びる筒状の部材である。延設部92は、基板9を含む平面を、基板9の端面の外側において横切って基板9よりもスピンベース21側に突出している。
A disc-shaped blocking plate (“opposite member”) 90 is rotatably attached to the lower portion of the rotating
アーム42の基端部は、ノズル基台43に連結されている。ノズル基台43は、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢で配置されており、鉛直方向に沿って伸縮可能なように構成されている。アーム42の基端部はノズル基台43の上端に連結されている。ノズル基台43には、ノズル基台43をその軸線に沿って伸縮させる駆動部(「移動部」)44が配設されている。駆動部44は、例えば、ステッピングモータなどを備えて構成される。
The proximal end of the
駆動部44は、ノズル基台43を伸縮させることによって、処理位置(「第1位置」)と、処理位置の上方の待避位置(「第2位置」)との間で遮断板90を回転軸a1方向に沿ってスピンベース21に対して相対的に移動させる。遮断板90の処理位置は、スピンベース21上に保持される基板9の上方の位置であって、遮断板90の下面が基板9の上面と対向しつつ、当該上面と非接触状態で近接する位置である。遮断板90の待避位置は、遮断板90が基板9の搬送経路と干渉しない位置であり、例えば、スプラッシュガード31の上端縁部よりも上方の位置である。遮断板90が処理位置に配置されたときに、本体部91は、スピンベース21に保持された基板9の上面と隙間を隔てて、例えば、略平行に対向する。駆動部44は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で動作する。つまり、遮断板90の位置は、制御部130によって制御される。
The
延設部92の先端側部分には、2つの規制構造94が設けられている。規制構造94として、例えば、図4に示されるように、延設部92の先端面から、延設部92の内周面にかけて開口する凹み部が採用される。当該凹み部には、突出部26の少なくとも一部が収容される。
Two restricting
スピンベース21、遮断板90には、それぞれの周方向における初期位置(初期回転角度)が予め設定されている。遮断板90が処理位置の上方の待避位置に配置されているときには、スピンベース21、遮断板90は、それぞれ周方向の初期位置に配置されている。2つの規制構造94は、この状態で、遮断板90の上方から透視したときに、スピンベース21の側面部分に設けられた2つの突出部26とそれぞれ重なるように、延設部92の先端側部分にそれぞれ設けられている。
Initial positions (initial rotation angles) in the circumferential direction of the
図6に示されるように、遮断板90が処理位置に配置された状態において、突出部26の少なくとも一部が規制構造94に収容される。この場合、規制構造94は、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置されて突出部26の周方向への相対的な動きを規制する。また、遮断板90が処理位置に配置された状態では、延設部92は、本体部91の周縁部からスピンベース21の側方に延びている。そして、規制構造94は、スピンベース21の上面よりも下方に配置されている。すなわち、突出部26と規制構造94の双方が、スピンベース21の上面よりも下方に配置されている。スピンベース21と遮断板90とは、回転軸a1を中心とする周方向への相対的な動きを突出部26と規制構造94とを介して相互に規制される。すなわち、規制構造94と突出部26とは、スピンベース21と遮断板90との周方向への相対的な動きを規制する規制部201である。換言すれば、規制部201は、回転軸a1を中心とする周方向において遮断板90のスピンベース21に対する相対位置を規制する。
As shown in FIG. 6, at least a part of the
遮断板90が待避位置に配置されているときには、回転軸a1を中心とする規制構造94と突出部26とのそれぞれの周方向の回転位置は、互いに位置合わせされている。規制構造94は、待避位置から処理位置への遮断板90の移動過程における突出部26の規制構造94に対する相対的な移動経路を避けて配置されている。これにより、当該移動過程における規制構造94と突出部26との衝突を回避することができる。遮断板90が処理位置に配置されると、規制構造94が回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置される。より詳細には、規制構造94が処理位置に配置された直後で、スピンベース21が停止しているときは、規制構造94は、当該周方向の前後から、突出部26に接触することなく突出部26に対向して配置される。これにより、当該周方向において遮断板90のスピンベース21に対する相対位置が規制される。また、遮断板90が待避位置に配置されると、規制構造94は回転軸a1方向に沿って突出部26から相対的に離れて配置される。
When the blocking
遮断板90が処理位置に配置されて、規制部201によって、スピンベース21に対する遮断板90の周方向における相対位置が規制された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を回転させると、スピンベース21が基板9とともに回転する。これにより、規制構造94のうち突出部26に対して回転方向下流側の部分に突出部26が当接する。その後、遮断板90がスピンベース21と同じ回転方向に、同じ回転速度で従動回転する。
When the
ここで、例えば、基板処理装置1が基板を回転させつつ処理している最中に、緊急停止動作が行われた場合を考える。例えばこの場合には、基板処理装置1は、遮断板90を待避位置に移動させることが想定される。このように遮断板90およびスピンベース21が初期位置(初期回転角度)になっていない場合でも、自動的に処理を再開させる必要がある。スピンベース21は回転駆動部23に駆動されることにより回転可能である一方、遮断板90はスピンベース21の回転に従動回転する。そのため、以下の動作が必要となる。制御部130は、駆動部44を制御して、例えば、遮断板90がスピンベース21に僅かに接触するように遮断板90を上下方向に移動させる。その後、制御部130は、回転駆動部23を制御して、スピンベース21を低速で回転させることにより、遮断板90を回転軸a1を中心とする周方向に回転させる。
Here, for example, it is assumed that the emergency stop operation is performed while the
遮断板90は、当該周方向における遮断板90の初期位置を検出可能なセンサーを備えている。制御部130は、当該センサーの出力に基づいて、遮断板90が初期位置に到達した時点で回転駆動部23を制御して遮断板90の回転を停止させる。
The blocking
その後、制御部130は、駆動部44を制御して遮断板90を上方の待避位置に移動させるとともに、回転駆動部23を制御して、スピンベース21を周方向の初期位置に回転させる。これにより、遮断板90が待避位置に配置された状態で、遮断板90とスピンベース21とは周方向の初期位置に配置される。遮断板90が待避位置と処理位置との間で、スピンベース21に対して相対的に移動する際に、遮断板90が周方向の初期位置からずれないようすることが好ましい。このため、表面保護部4は、好ましくは、遮断板90が周方向の初期位置に配置された状態で、アーム42に対する回転部93および遮断板90の周方向の位置を固定するロック機構を備える。遮断板90が処理位置に配置されているときには、当該ロック機構は解放される。
Thereafter, the
図4、図5の例では、規制構造94が延設部92の先端側部分(下端側部分)に設けられるとともに、突出部26がスピンベース21の側面部分に設けられているが、規制構造94がスピンベース21の側面部分に設けられるとともに、突出部26が延設部92の先端側部分に設けられてもよい。すなわち、遮断板90の延設部92の先端側部分とスピンベース21の側面部分とのうち一方の部分に突出部26が設けられるとともに、他方の部分に規制構造94が設けられる。
In the example of FIGS. 4 and 5, the restricting
規制構造94として、凹み部に代えて、例えば、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置される一対の突出部が採用されてもよい。この場合も、当該規制構造によって突出部26の周方向への相対的な動きを規制できるので、本発明の有用性を損なうものではない。図4に示されるように、突出部26の少なくとも一部を収容可能な凹み部が規制構造として採用される場合には、スピンベース21と遮断板90の延設部92との間隔をより狭くできるので、遮断板90をより小径にすることができる。
As the
また、図4に示される延設部92は筒状部材であるが、延設部として、本体部91の周縁部において周方向に分散して配置され、周縁部から下方に延びる複数の壁部、あるいは柱部が用いられてもよい。この延設部は、本体部91の周縁部のうち少なくとも一部からスピンベース21の側方に延びる。延設部が筒状部材であれば、基板9に供給されて基板9から外部に排出される処理液の流れを横切らないので、延設部から基板9側に跳ね返る処理液を少なくすることができる。
In addition, although the extending
カバーガスノズル41には、これにガス(ここでは、例えば、窒素(N2)ガス)を供給する配管系であるカバーガス供給部45が接続されている。カバーガス供給部45は、具体的には、例えば、窒素ガスを供給する供給源である窒素ガス供給源451が、開閉弁453が介挿された配管452を介して、カバーガスノズル41に接続された構成を備えている。この構成において、開閉弁453が開放されると、窒素ガス供給源451から供給される窒素ガスが、カバーガスノズル41を経て、遮断板90の中央部に設けられた貫通孔91aから吐出される。なお、カバーガスノズル41に供給されるガスは、窒素ガス以外の気体(例えば、窒素ガス以外の各種の不活性ガス、乾燥空気、等)であってもよい。
The
遮断板90が処理位置に配置されている状態において、カバーガス供給部45からカバーガスノズル41にガスが供給されると、カバーガスノズル41から、スピンベース21上に保持される基板9の上面の中央付近に向けて、ガス(カバーガス)が基板9の上面に向けて吐出される。ただし、カバーガス供給部45の開閉弁453は、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、カバーガスノズル41からのガスの吐出態様(具体的には、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。
When gas is supplied from the cover
<処理部5>
処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の処理面(図1の例では、下面)に対する処理を行う。具体的には、処理部5は、スピンベース21上に保持された基板9の処理面、すなわち下面に処理液を供給する。また、処理部5は、スピンベース21の上面に沿ってリンス液を供給し、当該上面を洗浄する。
<
The
図1に示されるように、処理部5は、例えば、スピンチャック2の回転軸部22の中空部と貫通孔21aとを貫通して配置された供給管81を備える。供給管81の先端(基板9側の端)には、ノズル50Aが接続されている。供給管81には、処理液供給管811、リンス液供給管812が挿通されている。処理液供給管811には、これに処理液を供給する配管系である処理液供給部83が接続されている。リンス液供給管812には、これにリンス液を供給する配管系であるリンス液供給部84が接続されている。
As shown in FIG. 1, the
図20は、ノズル50Aの構成を説明するための模式図である。ノズル50Aは、基板9の下面の中央部と、スピンベース21の上面との双方の面と隙間を隔てて略平行に対向する円形の板状部材51を備える。板状部材51の中心軸は、回転軸部22と同じく回転軸a1である。板状部材51の径は、例えば、回転軸部22の径と同程度か、若しくは若干大きく設定される。
FIG. 20 is a schematic view for explaining the configuration of the
板状部材51の上面52は、基板9の下面と略平行に対向し、下面53は、スピンベース21の上面の中央部分と略平行に対向する。上面52の中央部分は、上面52の周縁部よりも基板9側に凸の形状を有し、下面53の中央部分は、下面53の中央部分よりもスピンベース21の上面側に凸の形状を有している。図20の例では、上面52の中央部分は、円錐台状に形成され、下面53の中央部分は、円板状に形成されている。
The
板状部材51の上面52の中央部分には、基板9の中心に対向する開口を有する処理液吐出口54が設けられている。処理液吐出口54は、処理液供給管811と接続されている。処理液吐出口54は、処理液供給管811を介して処理液供給部83から供給される処理液を、基板9の中央部の下方から基板9の下面の中央部に向けて略鉛直方向に吐出する。また、上面52の中央部分の側面には、リンス液吐出口(「洗浄液吐出口」)55が設けられており、下面53の中央部分の側面には、リンス液吐出口56が設けられている。リンス液吐出口55、56は、リンス液供給管812とそれぞれ接続されている。リンス液吐出口55、56は、リンス液供給管812を介してリンス液供給部84から供給されるリンス液をスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けてそれぞれ吐出する。より詳細には、リンス液吐出口55は、上面52と、スピンベース21の上面との双方の面に沿ってリンス液をスピンベース21の径方向外側に向けて吐出し、リンス液吐出口56は、下面53と、スピンベース21の上面との双方の面に沿ってリンス液をスピンベース21の径方向外側に向けて吐出する。
At a central portion of the
ノズル50Aが、リンス液吐出口55、56の何れか一方のみを備えてもよい。また、板状部材51の外周面(側面)に形成され、リンス液をスピンベース21の上面に沿って、スピンベース21の径方向外側に吐出する側面吐出口が、リンス液吐出口55、56に代えて、あるいは、リンス液吐出口55、56の少なくとも一方に加えて、設けられてもよい。
The
なお、基板処理装置1に、基板9の上面(より詳細には、上面の全体または周縁部)に処理液を供給可能なノズルがさらに設けられてもよい。このようなノズルは、例えば、遮断板90に設けられる。
The
処理液供給部83は、具体的には、SC−1供給源831a、DHF供給源831b、SC−2供給源831c、リンス液供給源831d、複数の配管832a,832b,832c,832d、および、複数の開閉弁833a,833b,833c,833dを、組み合わせて構成されている。リンス液供給部84は、具体的には、リンス液供給源841d、配管842d、および開閉弁843dを備えて構成されている。
Specifically, the treatment
SC−1供給源831aは、SC−1を供給する供給源である。SC−1供給源831aは、開閉弁833aが介挿された配管832aを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833aが開放されると、SC−1供給源831aから供給されるSC−1が、ノズル50Aから吐出される。
The SC-1
DHF供給源831bは、DHFを供給する供給源である。DHF供給源831bは、開閉弁833bが介挿された配管832bを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833bが開放されると、DHF供給源831bから供給されるDHFが、ノズル50Aから吐出される。
The
SC−2供給源831cは、SC−2を供給する供給源である。SC−2供給源831cは、開閉弁833cが介挿された配管832cを介して、供給管81に接続されている。したがって、開閉弁833cが開放されると、SC−2供給源831cから供給されるSC−2が、ノズル50Aから吐出される。
The SC-2
リンス液供給源831d、841dは、リンス液を供給する供給源である。ここでは、リンス液供給源(「洗浄液供給源」)831d、841dは、例えば、純水を、リンス液として供給する。リンス液供給源831dは、開閉弁833dが介挿された配管832dを介して、処理液供給管811に接続されている。したがって、開閉弁833dが開放されると、リンス液供給源831dから供給されるリンス液が、ノズル50Aの処理液吐出口54から吐出される。また、リンス液供給源841dは、開閉弁843dが介挿された配管842dを介して、リンス液供給管812に接続されている。したがって、開閉弁843dが開放されると、リンス液供給源841dから供給されるリンス液が、ノズル50Aのリンス液吐出口55、56から吐出される。なお、リンス液として、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水(水素水)、各種の有機溶剤(イオン水、IPA(イソプロピルアルコール)、機能水(CO2水など)、などが用いられてもよい。
The rinse
処理液供給部83から処理液供給管811に処理液(SC−1、DHF、SC−2、あるいは、リンス液)が供給されると、ノズル50Aの処理液吐出口54から、スピンベース21上に保持された基板9の処理面の中央付近に向けて、当該処理液が吐出されることになる。また、リンス液供給部84からリンス液供給管812にリンス液が供給されると、ノズル50Aのリンス液吐出口55、56からスピンベース21の上面に沿って、スピンベース21の径方向外側に向けてリンス液が吐出されることになる。ただし、処理液供給部83が備える開閉弁833a,833b,833c,833dの各々と、リンス液供給部84が備える開閉弁843dとは、制御部130と電気的に接続されており、制御部130の制御下で開閉される。つまり、ノズル50Aからの処理液(すなわち、処理液およびリンス液)の吐出態様(具体的には、吐出される処理液の種類、吐出開始タイミング、吐出終了タイミング、吐出流量、等)は、制御部130によって制御される。
When the processing liquid (SC-1, DHF, SC-2, or rinse liquid) is supplied from the processing
なお、ノズル50Aは、処理液吐出口54からの処理液の吐出と、リンス液吐出口55、56からのリンス液の吐出とを並行して行うことができるし、当該処理液の吐出と、当該リンス液の吐出とを選択的に行うこともできるノズル50Aと供給管81と処理液供給部83とは、制御部130の制御によって基板9の処理面に処理液を吐出する処理液吐出部83Aである。ノズル50Aと供給管81とリンス液供給部84とは、リンス液をスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けて吐出するリンス液吐出部84Aである。
The
<2.遮断板とスピンベースの構成>
図6、図7は、遮断板90が処理位置に配置されているときの遮断板90とスピンベース21の周縁部の構成を示す縦断面図である。図6には、規制部201における断面が示され、図7には、規制部201以外の部分における断面が示されている。図6、図7の例では、スプラッシュガード31の外部材313が上方位置に配置され、内部材312が下方位置に配置されている。図8は、規制部201を示す横断面図である。図9は、実施形態に係る他の規制部201Fを示す横断面図である。
<2. Barrier plate and spin-based configuration>
FIG. 6 and FIG. 7 are longitudinal sectional views showing the configurations of the peripheral portion of the blocking
スピンベース21は、上面形状が円形である円板状の基部28と、基部28の周縁(側面)において、基部28の上面よりも若干下方の位置から径方向外側に突設する環状のフランジ部29とを備えている。基部28およびフランジ部29は、例えば、塩化ビニルによって、一体的に形成されている。フランジ部29の上面と下面(より詳細には、フランジ部29のうち基端部分以外の部分の下面、すなわちフランジ部29の先端側部分の下面)とは、水平面に沿って形成され、基部28の側面は、鉛直面である。フランジ部29の基端部分には、スピンベース21の周方向に沿う環状の曲面(「曲面部」)211が形成されている。曲面211は、例えば、回転軸a1に向かって斜め上方に凸の1/4円弧状の断面形状を有している。当該円弧の半径は、例えば、5mm〜10mmに設定される。フランジ部29の先端側部分の下面と、基部28の側面のうちフランジ部29よりも下側の部分とは、曲面211によってなだらかに接続されている。
The
フランジ部29の上面と、基部28の側面のうちフランジ部29の上側部分とによって環状の凹みが形成されている。この凹みには、環状の板状部材である水切り部27がボルトによって固定されている。水切り部27は、好ましくは、基部28よりも耐熱性の高い、例えば、フッ素樹脂などにより形成される。水切り部27の外周縁部は、基部28の径方向においてフランジ部29の外周縁よりも外側に延びている。水切り部27の外周縁の径、すなわちスピンベース21の外周縁の径は、基板9の径よりも大きい。水切り部27のうち外周縁部(「先端部分」)以外の部分の上面は、基部28の上面と同一の水平面をなしている。水切り部27の外周縁部の上面は、斜め上方外側に向けて張り出して湾曲した曲面である。当該外周縁部は、外周縁に近づくにつれて徐々に厚みが薄くなっている。上述した2つの突出部26は、水切り部27の外周縁部の先端(外縁)から遮断板90の径方向外側に向けてそれぞれ突設されている。突出部26は、例えば、図5、図6、図8に示されるように四角柱状の形状に形成される。この突出部26の上面261は、長方形状の水平面である。突出部26の先端面262は、上面261と直交し、その中心を通る法線が回転軸a1と交わる長方形状の鉛直面である。突出部26の側面263、264は、上面261、先端面262の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面261は、基部28の上面よりも下方に位置する。これにより突出部26全体が基部28の上面よりも下方に位置する。
An annular recess is formed by the upper surface of the
遮断板90の本体部91は、例えば、塩化ビニルによって形成された円板状の部材である。本体部91の下面のうち周縁部以外の下面911は、スピンベース21のチャックピン25に保持された基板9の上面と、隙間を隔てて対向している。下面911と基板9の上面との間隔D2は、例えば、1mm程度である。本体部91の下面のうち周縁部には、周縁に沿う環状の凹みが形成されている。これにより、本体部91の周縁部の厚みは、他の部分の半分程度となっている。延設部92は、この凹みに嵌合可能な環状の形状を有する。延設部92は、この凹みに嵌合してボルトによって本体部91に固定されている。延設部92は、好ましくは、本体部91よりも耐熱性に優れた、例えば、フッ素樹脂などの材料により形成される。延設部92の環状の内周面921は、その下端から上方に向かって立設された後、回転軸a1側に向かって基板9の周縁部の上方まで延びている。内周面921のうち回転軸a1側の環状の周縁部は、本体部91の下面911になだらかに接続しており、下面911とともに、基板9の上面に対向する対向面をなしている。延設部92は、本体部91の周縁部から下方に延設された筒状壁部となっており、その先端側部分は、スピンベース21の側方部分に延びている。延設部92の内周面921のうち延設部92の先端側(下端側)の部分は、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に張り出すように湾曲した曲面である。これにより、遮断板90の径方向における延設部92の先端側部分の幅は、下方、すなわち、スピンベース21の側方部分に向かうにつれて徐々に細くなっている。このように、内周面921は、遮断板90の下面と連続するとともに、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に張り出すように膨らんで湾曲している。
The
延設部92の先端側部分には、規制構造94が形成されている。規制構造94は、例えば、図4、図6、図8に示されるように、延設部92の先端面から、延設部92の内周面にかけて開口する凹み部である。この規制構造94は、遮断板90が処理位置に配置されたときに、突出部26の少なくとも一部を収容可能なように形成されている。規制構造94の上面941は、長方形状の水平面である。規制構造94の底面942は、上面941と直交し、その中心を通る法線が回転軸a1と交わる長方形状の鉛直面である。規制構造94の側面943、944は、上面941、底面942の双方と直交する長方形状の鉛直面である。上面941は、基部28の上面よりも下方、かつ、突出部26の上面261よりも上方に位置する。これにより規制構造94全体が基部28の上面よりも下方に位置する。
A restricting
遮断板90が処理位置に配置されたときに、2つの規制構造94の一方が、2つの突出部26の一方の少なくとも一部を収容し、他方の規制構造94が、他方の突出部26の少なくとも一部を収容する。
When the blocking
突出部26が規制構造94に収容された直後の状態において、スピンベース21が停止しているときは、規制構造94の上面941と、突出部26の上面261とが隙を隔てて互いに対向するとともに、規制構造94の底面942と、突出部26の先端面262とが隙間を隔てて互いに対向する。そして、規制構造94の側面943は、突出部26の側面263と対向し、規制構造94の側面944は、突出部26の側面264と対向する。これにより、規制構造94は、回転軸a1を中心とする周方向の前後から突出部26に対向して配置されて突出部26の周方向への相対的な動きを規制可能となる。規制構造94と、突出部26とは、回転軸a1を中心とする周方向に沿ったスピンベース21と遮断板90との相対的な動きを規制する規制部201である。
When the
図7に示されるように、遮断板90が処理位置に配置された状態で、延設部92の先端側部分と、スピンベース21の側部、より具体的には、水切り部27の先端部分との間には、規制部201以外の部分において、隙間G1が形成される。隙間G1の幅D1は、例えば、1mm〜5mm程度である。処理部5のノズル50Aが基板9の下面に吐出した処理液は、下面に沿って、基板9の外部に排出され、さらにスピンベース21の周縁部から隙間G1を通って外部に排出される。延設部92の内周面921のうち延設部92の先端の部分と、水切り部27の先端部分の上面とが、上述のように、互いに湾曲していれば、処理液は、隙間G1からスムーズに外部へ排出される。
As shown in FIG. 7, with the blocking
延設部92の内周面921の上端部分は、遮断板90の下面のうち基板9に対向する対向面(より詳細には、当該対向面の周縁部)よりも上方、すなわちスピンベース21の上面に対して当該対向面よりも高い位置にある。これにより、内周面921の上端側部分に、環状の凹み部922が形成されている。凹み部922は、回転軸a1を中心とする周方向に沿って形成されている。凹み部922は、延設部92の先端側部分と、遮断板90のうち基板9に対向する部分との間に形成されている。すなわち、凹み部922は、遮断板90の内側面901のうち、延設部92の先端側部分と、基板9に対向する対向部分との間の部分に形成されている。内側面901は、基板9の上面及び端面を取り囲む面である。内側面901は、本体部91の下面911と延設部92の内周面921とを含んでいる。凹み部922は、遮断板90のうち基板9の上面に対向する対向部分の周縁部よりも上方にくぼんでいる。凹み部922と、スピンベース21の上面との間には、環状の膨んだ空間(「膨らみ空間」)923が形成される。空間923は、遮断板90のうち基板9に対向する対向面よりも上方に膨らんでいる。凹み部922の最もくぼんだ部分と基板9の上面との間隔D3は、間隔D2よりも長い。遮断板90の径方向における凹み部922の幅D4は、好ましくは、例えば、20mm以上に設定される。
The upper end portion of the inner
遮断板90の内側面901(より詳細には、延設部92の内周面921)のうち、下面911に対して凹み部922よりも外側(遮断板90の径方向外側)の部分には、上述のように、スピンベース21の上面に対して斜め上方外側に膨らんで湾曲する湾曲面が形成されている。なお、図示の例では、下面911は、基板9の上面と平行である。しかし、例えば、下面911のうちその周縁部を除く部分が、下面911の中心に向かうにつれて基板9の上面から高くなるなど、下面911全体が基板9の上面と平行でなくてもよい。
Of the
隙間G1から排出される処理液は、処理液の量と、隙間G1の幅によっては、延設部92と水切り部27との間の空間に滞留する場合があるが、凹み部922により形成された空間923が、バッファとなる。これにより、滞留した処理液に起因して、処理液が基板9の非処理面(図1の例では、上面)に跳ね返って付着することを抑制できる。
Although the processing liquid discharged from the gap G1 may stay in the space between the
また、水切り部27の先端部分から排出される処理液の一部は、規制構造94、突出部26に当たって跳ね返る。しかしながら、遮断板90が処理位置に配置された状態で、遮断板90の規制構造94と、スピンベース21の突出部26との双方がスピンベース21の上面より下方にあることから、跳ね返された処理液が、基板9の処理面以外の主面(「非処理面」)に付着することが抑制される。
Further, a part of the processing liquid discharged from the tip end portion of the draining
延設部92、水切り部27が、耐熱性に優れたフッ素樹脂などにより形成されていれば、処理液が高温である場合でも、高温による遮断板90、スピンベース21の損傷を抑制することができる。しかしながら、例えば、フッ素樹脂は、塩化ビニルに比べて、耐熱性に優れるが、硬度が低い。遮断板90が処理位置に配置された状態で、回転駆動部23が回転軸部22を介してスピンベース21を回転させる場合、加速時、減速時には、突出部26と規制構造94とが互いに当接する。これにより、規制構造94と突出部26同士、すなわちフッ素樹脂製の部材同士が衝突し、塵が発生する場合がある。この塵が基板9に付着すると欠陥となる。なお、延設部92、スピンベース21がそれぞれ同じ材料で一体的に形成されていてもよい。
If the extending
図9の構成例では、スピンベース21の突出部26は、その外周面のうち先端面262以外の面を、EPDMなどの弾性部材により形成されたOリングなどによって覆われている。規制構造94と突出部26とがスピンベース21の加速時などに互いに当接する場合でも、塵の発生を抑制できる。なお、突出部26と規制構造94とのうち少なくも一方が、他方と対向する部分を弾性部材に覆われていれば発塵を抑制できる。突出部26と規制構造94の何れもが、弾性部材によって覆われていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。
In the configuration example of FIG. 9, the protruding
図12、図13は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板90Bとスピンベース21Bとを示す縦断面図である。図12、図13では、遮断板90Bとスピンベース21Bとの周縁部が示されている。図12では、規制部201における断面が示され、図13では、規制部201以外の部分における断面が示されている。遮断板90Bは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Bを備えていることを除いて、遮断板90と同様の構成を備えている。スピンベース21Bは、スピンベース21の水切り部27に代えて、水切り部27Bを備えていることを除いてスピンベース21と同様の構成を備えている。
12 and 13 are longitudinal sectional views showing a blocking
延設部92Bの内周面(下面)921Bは、本体部91のうち薄肉の周縁部以外の部分の下面と滑らかに接続されている。内周面921Bには、延設部92の凹み部922が形成されていない。また、水切り部27Bには、水切り部27の先端部分の上面に設けられている曲面が形成されておらず、水切り部27Bの先端面は、鉛直面である。処理液は、基板9の処理面およびスピンベース21Bの上面の周縁部を経て、延設部92Bと水切り部27Bとの間の隙間G2から外部に排出される。規制部201が設けられている部分においては、処理液は、規制部201(規制構造94、突出部26)により跳ね返される。
An inner peripheral surface (lower surface) 921 B of the extended
しかしながら、水切り部27Bの先端部分、すなわちスピンベース21Bの側面部分に設けられた突出部26と、延設部92Bの先端側部分に設けられた規制構造94とが、スピンベース21Bの上面よりも下方に配置されている。これにより、跳ね返された処理液の基板9の非処理面への侵入と付着が抑制される。従って、遮断板90に代えて遮断板90Bが採用されるとともに、スピンベース21に代えてスピンベース21Bが採用されたとしても本発明の有用性を損なうものではない。また、遮断板90Bが、スピンベース21と組み合わされてもよく、遮断板90が、スピンベース21Bと組み合わされてもよい。
However, the tip end portion of the draining
<3.基板処理装置の動作について>
図21は、基板処理装置1の動作の一例を示すフローチャートである。以下に、図21のフローチャートに基づいて、基板処理装置1の動作について説明する。このフローチャートは、スピンベース21が既に基板9を保持している状態から、基板処理装置1が、処理液を用いた基板9の下面の処理と、リンス液を用いたスピンベース21の上面の洗浄とを行う動作を示す。
<3. About operation of substrate processing equipment>
FIG. 21 is a flowchart showing an example of the operation of the
基板処理装置1は、処理液供給部83が供給する処理液による基板9の下面の処理と、リンス液供給部84が供給するリンス液によるスピンベース21の上面の洗浄とを行う際に、先ず、制御部130が、回転駆動部23を駆動して、基板9を保持するスピンベース21を回転させることによって、基板9の回転を開始する(ステップS10)。
The
基板処理装置1は、基板9が回転している状態で、処理液供給部83、リンス液供給部84を制御して、処理液、リンス液の吐出を開始する(ステップS20)。具体的には、制御部130が、例えば、開閉弁833a〜833dを選択的に開かせることにより、処理液供給部83に処理液(SC−1、DHF、SC−2、あるいは、リンス液)の供給を開始させる。処理液は、処理液供給管811を介してノズル50Aの処理液吐出口54に供給され、処理液吐出口54が基板9の下面に向けて処理液の吐出を開始する。下面に吐出された処理液は、基板9の下面とスピンベース21とのうち基板9の下面のみに接触し、スピンベース21には接触することなく、回転している基板9の下面をその周縁側に拡がる。
While the
制御部130は、処理液の供給開始と並行して、開閉弁843dを開いてリンス液供給部84にリンス液の供給を開始させる。リンス液は、リンス液供給管812を介してノズル50Aのリンス液吐出口55、56に供給され、リンス液吐出口55、56がスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けてリンス液の吐出を開始する。
The
吐出されたリンス液は、基板9の下面とスピンベース21の上面とのうちスピンベース21の上面にのみ接触し、基板9の下面には接触することなく、回転しているスピンベース21の上面をその周縁側に拡がる。これにより、基板処理装置1は、処理液による基板9の下面の処理と、スピンベース21の上面の洗浄処理とを並行して行う。処理中の基板Wの回転速度は、例えば、300rpmに設定される。処理時間は、例えば、30秒間などに設定される。
The discharged rinse liquid contacts only the top surface of the
基板9の下面の処理が終了すると、基板処理装置1は、基板9が回転している状態で、処理液供給部83、リンス液供給部84を制御して、処理液、リンス液の吐出を停止する(ステップS30)。具体的には、制御部130が、例えば、開閉弁833a〜833dを閉じさせることにより、処理液供給部83に処理液の供給を停止させる。これにより、処理液吐出口54が基板9の下面に向けた処理液の吐出を停止する。制御部130は、処理液の吐出の停止と並行して、開閉弁843dを閉じさせてリンス液供給部84にリンス液の供給を停止させる。これにより、リンス液吐出口55、56が、リンス液の吐出を停止する。
When the processing of the lower surface of the
処理液の吐出による基板9の下面の処理と、リンス液の吐出によるスピンベース21の上面の処理とは、上記のように並行して行われてもよいし、順次に行われてもよい。
The processing of the lower surface of the
基板9の下面の処理および洗浄液によるスピンベース21の上面の洗浄処理が終了すると、制御部130が回転駆動部23を制御してスピンベース21を高速で回転させることによって、基板処理装置1は、基板9およびノズル50Aに付着している処理液、リンス液等の液体を振り切って基板9およびノズル50Aを乾燥させる振り切り処理(「液振り切り処理」)を行う(ステップS40)。
When the processing of the lower surface of the
液振り切り処理が終了すると、基板処理装置1の制御部130が、回転駆動部23を制御して、スピンベース21の回転を停止し(ステップS60)、一連の基板処理を終了する。
When the liquid shaking-off processing is completed, the
<4.他の実施形態について>
図10、図11は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板、スピンベースの他の構成例として、遮断板90Aとスピンベース21Aとを示す斜視図である。図11は、遮断板90Aが処理位置に配置されたときの遮断板90Aとスピンベース21Aを示す斜視図である。
<4. About other embodiments>
10 and 11 are perspective views showing a blocking
遮断板90Aは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Aを備えることを除いて、遮断板90と同様に構成されている。延設部92Aは、延設部92と同様に、円板状の本体部91の周縁部からスピンベース21Aの側方に延設されており、回転軸a1を中心とする周方向に沿って環状に延在する筒状壁部である。延設部92Aと延設部92との差異は、遮断板90がその先端側部分に2つの規制構造94を備えていたことに対して、延設部92Aが、その先端側部分に複数の規制構造94Aを備えることである。
The blocking
また、スピンベース21Aは、スピンベース21の水切り部27の先端部分に、突出部26に代えて、突出部26Aを備えることを除いてスピンベース21と同様に構成されている。規制構造94Aと突出部26Aとは、回転軸a1を中心とする周方向へのスピンベース21Aと遮断板90Aとの互いの相対的な動きを規制する規制部201Aである。
Further, the
複数の規制構造94Aは、延設部92Aの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。各規制構造94Aは、突出部26Aの少なくとも一部を収容可能な形状に形成された凹み部である。各規制構造94Aは、延設部92Aの先端部分を遮断板90Aの径方向に沿って貫通するとともに、当該先端部分の下方にも開口している。すなわち、規制構造94Aは、スピンベース21Aの側面部分から突出する突出部26Aへ回転軸a1方向に沿って向かう方向に開口している。なお、図6に示される規制構造94のように、規制構造94Aが、延設部92Aの先端部分を遮断板90Aの径方向に沿って貫通していないとしても、本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、遮断板90Aによる基板9の密閉性を向上させることができる。
The plurality of restricting
規制構造94Aのうち少なくとも下方側の開口部分の周方向に沿った幅W1は、当該開口に近づくにつれて広くなっている。具体的には、規制構造94Aは、回転軸a1を中心とする周方向に沿って互いに斜めに対向する側面(斜面)943A、944Aを備えている。側面943Aと、側面944Aとの当該周方向に沿った幅W1は、下方に近づくにつれて広くなっている。
The width W1 along the circumferential direction of at least the lower opening of the
突出部26Aは、例えば、五角柱状に形成されており、その軸方向は、スピンベース21Aの径方向に沿っている。突出部26Aは、長方形状の水平な底面267Aと、スピンベース21Aの周方向における底面267Aの両端のそれぞれから上方、すなわち規制構造94Aの開口側に立設された長方形状の側面265A、266Aとを備える。側面265A、266Aは、鉛直面である。側面265A、266Aの上端部には、斜面263A、264Aが接続している。斜面263Aと斜面264Aとは、突出部26Aの先端部分(上端部分)を形成している。斜面263Aと、規制構造94Aの側面943Aとは互いに略平行であり、斜面264Aと側面944Aも互いに略平行である。斜面263Aと斜面264Aとの回転軸a1を中心とする周方向の幅W2は、上方に近づくにつれて狭くなっている。すなわち、突出部26Aのうち少なくとも先端部分は、延設部92Aの先端側部分の規制構造94Aに対向し、当該先端部分の回転軸a1を中心とする周方向に沿った幅W2は、規制構造94に近づくにつれて狭くなっている。また、規制構造94Aと突出部26Aとは、好ましくは、突出部26Aのうち少なくとも先端側部分が、規制構造94Aのうち少なくとも突出部26A側の開口部分に嵌合可能なようにそれぞれ形成される。
The protruding
ここで、スピンベース21Aと遮断板90Aとのうち少なくとも一方が周方向の初期位置に配置されておらず、かつ、何れか一方が、当該周方向への回転をロックされておらず、他方がロックされている状態で、遮断板90Aが待避位置から処理位置に移動される場合について、検討する。
Here, at least one of the
複数の規制構造94Aは、延設部92Aの先端側部分の周方向の全周にわたって連続して設けられている。従って、遮断板90Aの処理位置への移動の途中で、突出部26Aの先端が、複数の規制構造94Aのうち何れか1つの規制構造94Aに当接する。殆どの場合は、図10に示されるように、規制構造94の側面944Aと、突出部26Aの斜面264Aとが当接するか、あるいは、規制構造94の側面943Aと、突出部26Aの斜面263Aとが当接することとなる。すなわち、互いにほぼ同じ傾斜の斜面同士が互いに当接する。
The plurality of restricting
この状態から、遮断板90Aがさらに処理位置へと移動されると、その過程で、規制構造94Aの頂部と突出部26Aの先端とが互いに周方向に沿って近づくように、延設部92Aが、スピンベース21Aに対して周方向に相対的に回転しつつ処理位置へと移動される。そして、図11に示されるように、遮断板90Aが処理位置に配置されたときに、突出部26Aの先端側部分が、規制構造94Aに収容される。これにより、遮断板90Aは、スピンベース21Aに対する周方向への相対的な動きを規制される。
From this state, when the blocking
また、遮断板90Aが処理位置に配置されたときに、各規制構造94Aの上端と、突出部26Aの上端とは、スピンベース21Aの上面よりも下方に設けられている。従って、基板9の処理面から排出される処理液が、規制部201Aに当たって跳ね返る場合でも、跳ね返った処理液の基板9の非処理面への付着を抑制できる。
Further, when the blocking
なお、複数の規制構造94Aがスピンベース21Aの側面部分において周方向に沿って設けられ、突出部26Aが、延設部92Aの先端側部分に設けられてもよい。
A plurality of restricting
図14〜図17は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、遮断板90Cとスピンベース21Cとの規制部201Cを示す横断面図である。遮断板90Cは、処理位置に配置されている。図14は、スピンベース21が静止している状態の規制部201を示し、図15は、スピンベース21Cが加速しつつ回転しているときの規制部201Cを示している。図16は、スピンベース21Cが等速回転しているときの規制部201Cを示し、図17は、スピンベース21Cが減速しつつ回転しているときの規制部201Cを示している。
14 to 17 are cross-sectional views showing a regulating portion 201C of a blocking
スピンベース21Cは、スピンベース21の突出部26に代えて、突出部26Cを備えることを除いて、スピンベース21と同様に構成されている。突出部26Cは、内部に磁石101aを備えることを除いて、突出部26と同様に構成されている。磁石101aのN極は、側面263側に配置され、S極は側面264側に配置されている。磁石101aは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように突出部26Cに設けられている。
The spin base 21C is configured in the same manner as the
遮断板90Cは、遮断板90の延設部92に代えて、延設部92Cを備えることを除いて、遮断板90と同様に構成されている。延設部92Cは、内部に磁石101b、101cを備えることを除いて、延設部92と同様に構成されている。磁石101bは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、N極が、S極よりも規制構造94の側面943に近くなるように規制構造94に対してスピンベース21Cの回転方向上流側に設けられている。磁石101cは、N極とS極とが、回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶとともに、S極が、N極よりも規制構造94の側面944に近くなるように規制構造94に対してスピンベース21Cの回転方向下流側に設けられている。
The blocking
このように、磁石101a〜101cは、磁石101bのN極と、磁石101aのN極とが向き合い、磁石101aのS極と磁石101cのS極とが互いに向き合うように配列されている。そして、N極同士、S極同士の間に磁気的な斥力が働く。また、各磁石101a〜101c、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。
Thus, the
すなわち、磁石101a〜101cは、規制構造94のうち突出部26Cに対して回転軸a1を中心とする周方向の前後に配置された側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を広げるように磁気的な斥力を作用させる。当該磁気的な斥力によって、規制構造94に対する突出部26Cの周方向への相対的な動きが規制される。また、磁石101a〜101cのそれぞれのN極とS極とが互いに反転するように磁石101a〜101cが設けられてもよい。
That is, the
図14に示されるように、スピンベース21が静止しているときには、側面943と側面263との間隔を広げるように作用する力と、側面944と側面264との間隔を広げるように作用する力とは、互いに略等しくなり、これらの間隔は、略等しくなる。図16に示されるように、スピンベース21が等速回転しているときも、これらの間隔は、略等しくなる。
As shown in FIG. 14, when the
図15に示されるように、スピンベース21が加速しているときには、各磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース21の加速によって、側面944と側面264との間隔を狭めるとともに、側面943と側面263との間隔を広げる力が更に作用する。このため、側面944と側面264との間隔は、側面943と側面263との間隔よりも広くなる。
As shown in FIG. 15, when the
図17に示されるように、スピンベース21が減速しているときには、磁石間の磁気的な斥力に加えて、スピンベース21の減速によって、側面944と側面264との間隔を拡げるとともに、側面943と側面263との間隔を狭める力が更に作用する。このため、側面944と側面264との間隔は、側面943と側面263との間隔よりも狭くなる。
As shown in FIG. 17, when the
各磁石101a〜101cと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Cである。
Each
図14〜図17に示されるように遮断板90Cが処理位置に配置されているときには、スピンベース21の加速中、減速中を含めて、突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とは、常に、非接触の状態で、互いに回転軸a1を中心とする周方向の動きを規制することが好ましい。この場合には、突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94との接触による発塵を完全に防止できる。仮に、各磁石が作用させる斥力の大きさや、スピンベース21Cの加速度の大きさに起因して、スピンベース21の加速中、減速中に突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とが接触するとしても、各磁石101a〜101cが設けられない場合に比べて、接触時の衝撃を大幅に軽減できる。従って、スピンベース21の加速中、減速中に突出部26Cと、延設部92Cの規制構造94とが接触するとしても、本発明の有用性を損なうものではない。
As shown in FIGS. 14 to 17, when the blocking
図18は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部92Dとスピンベース21Cとの規制部201Dを示す断面図である。図19は、実施形態に係る基板処理装置の遮断板およびスピンベースの規制部の他の構成例として、延設部92Eとスピンベース21Cとの規制部201Eを示す断面図である。図18、図19は、規制部201D、201E部分を、回転軸a1を中心とする円筒によってそれぞれ切断した断面図である。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a restricting portion 201D of the extending portion 92D and the spin base 21C as another configuration example of the shield plate and the spin base restricting portion of the substrate processing apparatus according to the embodiment. FIG. 19 is a cross-sectional view showing a restricting
図18、図19に示されるスピンベース21Cは、図14に示されるスピンベース21Cと同様の構成を備えている。図18の遮断板90Dは、図14の遮断板90Cの延設部92Cに代えて、延設部92Dを備えることを除いて、遮断板90Cと同様に構成されている。延設部92Dは、内部に磁石101dをさらに備えることを除いて、延設部92Cと同様に構成されている。各磁石101a〜101eは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石101dは、規制構造94の上面941に沿って、N極とS極とが回転軸a1を中心とする周方向に略沿って順次に並ぶように設けられている。磁石101dのN極は、磁石101aのN極と向き合い、磁石101dのS極は、磁石101aのS極と向き合う。これにより、磁石101a、101d間には、磁気的な斥力が働く。これにより、上面941と上面261との間隔を拡げようとする力が作用する。
The spin base 21C shown in FIGS. 18 and 19 has the same configuration as the spin base 21C shown in FIG. The blocking plate 90D of FIG. 18 is configured in the same manner as the blocking
磁石101a〜101cは、規制構造94の側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を、回転軸a1を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石101a、101dは、規制構造94の上面941と、突出部26Cの上面261との間隔を回転軸a1方向(鉛直方向)に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面941と上面261とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造94と突出部26Cとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。
The
各磁石101a〜101dと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Dである。
Each of the
図19の遮断板90Eは、図14の遮断板90Cの延設部92Cに代えて、延設部92Eを備えることを除いて、遮断板90Cと同様に構成されている。延設部92Eは、内部に磁石101e、101fをさらに備えることを除いて、延設部92Cと同様に構成されている。各磁石101a〜101c、101e、101fは、互いに略等しい強さの磁場を発生させることが好ましい。磁石101eは、規制構造94の上面941の上方において、そのN極が上面941に近接し、その上方にS極が位置するように設けられている。また、磁石101dのN極と、磁石101aのN極とは互いに向き合っている。磁石101fは、規制構造94の上面941の上方において、そのS極が上面941に近接し、その上方にN極が位置するように設けられている。また、磁石101dのS極と、磁石101aのS極とは互いに向き合っている。
The
これにより、磁石101a、101e間に、磁気的な斥力が働くとともに、磁石101a、101fの間にも磁気的な斥力が働く。これにより、上面941と上面261との間隔を拡げようとする力が作用する。
As a result, a magnetic repulsion works between the
磁石101a〜101eは、規制構造94の側面943、944と、突出部26Cとの各間隔を、回転軸a1を中心とする周方向において広げる磁気的な斥力を作用させる。さらに、磁石101a、101e、101fは、規制構造94の上面941と、突出部26Cの上面261との間隔を回転軸a1方向(鉛直方向)に広げるように磁気的な斥力を作用させる。これにより、上面941と上面261とが互いに近づく動きを規制され、互いの接触も抑制されるので、規制構造94と突出部26Cとの接触による塵の発生をさらに抑制できる。
The
各磁石101a〜101c、101e、101fと、規制構造94と、突出部26Cとは、回転軸a1を中心とする周方向と、鉛直方向との双方において、スピンベース21Cに対する遮断板90Cの相対的な動き(位置)を規制する規制部201Eである。
Each of the
なお、基板処理装置1が遮断板90、90A〜90Eを備えていないとしても本発明の有用性を損なうものではない。この場合には、内部材312、外部材313の処理位置は、遮断板90等が設けられている場合に比べて上方の位置、例えば、基板9の上面よりも上方の位置に設定される。また、遮断板90、90A〜90Eが設けられている場合において、規制部201、201C〜201Eがスピンベース21の上面と同じ高さ、若しくは、当該上面よりも上方に設けられたとしても本発明の有用性を損なうものではない。
Even if the
以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、洗浄液は、スピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けて吐出される。これにより、洗浄液が基板9の下面に当たって下面に付着している処理液と混合することを抑制しつつ、洗浄液によってスピンベース21の上面を洗浄できるとともに、基板9の下面から落下した処理液が、スピンベース21の上面に付着する前に洗浄液によって洗い流すことができる。従って、基板9の下面に供給された処理液がスピンベース21上に落下して付着し、そのまま残存することを抑制できる。
In either of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the cleaning liquid is formed along the upper surface of the
また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、基板9の下面への処理液の吐出と、スピンベース21の上面に沿った洗浄液の吐出とが並行して行われるので、基板9の裏面に吐出された処理液がスピンベース21の上面に付着することを効率的に抑制できる。
Further, the discharge of the processing liquid onto the lower surface of the
また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、洗浄液は、ノズル50Aの板状部材51の上面または下面と、スピンベース21の上面との双方の面に沿って、スピンベース21の径方向外側に向けて吐出されるので、スピンベース21の洗浄中にノズル50Aの洗浄も行うことができる。
Further, in any of the substrate processing method according to the present embodiment as described above and the substrate processing apparatus according to the present embodiment configured as described above, the cleaning liquid is the upper surface or the lower surface of the
また、以上のような本実施形態に係る基板処理方法および以上のように構成された本実施形態に係る基板処理装置の何れによっても、洗浄液は、ノズル50Aの板状部材51の側面に設けられたリンス液吐出口55、56からスピンベース21の上面に沿ってスピンベース21の径方向外側に向けて吐出される。従って、リンス液吐出口55、56の形状を板状部材51の周方向に長くして、吐出される洗浄液を拡げることが容易となる。
Further, the cleaning liquid is provided on the side surface of the plate-
本発明は詳細に示され記述されたが、上記の記述は全ての態様において例示であって限定的ではない。したがって、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。 Although the present invention has been shown and described in detail, the above description is illustrative and not restrictive in all aspects. Therefore, in the present invention, within the scope of the invention, the embodiment can be appropriately modified or omitted.
1 基板処理装置
21 スピンベース(保持部材)
23 回転駆動部
231 回転機構
26 突出部
44 駆動部
50A ノズル
83 処理液供給部
83A 処理液吐出部
90 遮断板(対向部材)
91 本体部
92 延設部
94 規制構造
312 内部材(ガード)
313 外部材(外側ガード)
1
23
91
313 External material (outside guard)
Claims (8)
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出ステップと、
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、
を備え、
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理方法。 A holding member which holds a substrate substantially horizontally from below and which has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap therebetween and which is rotatably provided about a predetermined rotation axis is rotated about the rotation axis with the substrate. Rotation step to make
A treatment liquid discharge step of discharging the treatment liquid so that the treatment liquid spreads on the lower surface of the substrate from below the central portion of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member toward the central portion;
A cleaning solution for discharging a cleaning solution from the central portion of the substrate held and rotated by the holding member to the radial direction outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member Discharge step,
Equipped with
The substrate processing method which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel .
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出ステップと、
前記保持部材に保持されて回転している前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出ステップと、
を備え、
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理方法。 A holding member which holds a substrate substantially horizontally from below and which has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap therebetween and which is rotatably provided about a predetermined rotation axis is rotated about the rotation axis with the substrate. Rotation step to make
A process liquid discharge step of discharging a chemical solution as a process liquid from below the center of the lower surface of the substrate held and rotated by the holding member toward the center;
A cleaning solution for discharging a cleaning solution from the central portion of the substrate held and rotated by the holding member to the radial direction outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member Discharge step,
Equipped with
The substrate processing method which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel.
処理液吐出ステップは、
前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、
前記洗浄液吐出ステップは、
前記ノズルの前記板状部材の上面または下面に設けられた洗浄液吐出口から前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って、前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein
The treatment liquid discharge step is
The center of the lower surface from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with a plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween Discharging the processing solution to the
In the cleaning solution discharging step,
The radially outer side of the holding member along the surfaces of both the upper surface or the lower surface of the plate member and the upper surface of the holding member from the cleaning solution discharge port provided on the upper surface or the lower surface of the plate member of the nozzle The substrate processing method which is a step which discharges a washing | cleaning liquid towards.
処理液吐出ステップは、
前記基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備えるノズルの前記板状部材の上面に設けられた処理液吐出口から前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出するステップであり、
前記洗浄液吐出ステップは、
前記ノズルの前記板状部材の側面に設けられた洗浄液吐出口から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出するステップである、基板処理方法。 The substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein
The treatment liquid discharge step is
The lower surface of the substrate from the processing liquid discharge port provided on the upper surface of the plate-like member of the nozzle provided with the plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween Discharging the processing solution toward the center of the
In the cleaning solution discharging step,
A substrate processing method, wherein the cleaning solution is discharged from the cleaning solution discharge port provided on the side surface of the plate-like member of the nozzle along the upper surface of the holding member radially outward of the holding member.
前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、
前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液が前記基板の下面に拡がるように処理液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、
を備え、
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理装置。 A holding member that holds the substrate substantially horizontally from below, has an upper surface facing the lower surface of the substrate with a gap, and is rotatably provided about a predetermined rotation axis;
A rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis;
A processing liquid discharge port for discharging the processing liquid so that the processing liquid spreads from the lower side of the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion toward the central portion, a central portion of the substrate and a central portion of the holding member A nozzle provided with a cleaning solution discharge port for discharging a cleaning solution toward the radially outer side of the holding member along the upper surface of the holding member from between
Equipped with
The substrate processing apparatus which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel .
前記保持部材を、前記回転軸を中心に回転させる回転機構と、 A rotation mechanism for rotating the holding member around the rotation axis;
前記基板の下面の中央部の下方から当該中央部に向けて処理液として薬液を吐出する処理液吐出口と、前記基板の中央部と前記保持部材の中央部との間から前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する洗浄液吐出口とがそれぞれ設けられたノズルと、 A processing liquid discharge port for discharging a chemical solution as a processing liquid from below the central portion of the lower surface of the substrate toward the central portion, and an upper surface of the holding member from between the central portion of the substrate and the central portion of the holding member A nozzle provided with a cleaning solution outlet for discharging the cleaning solution radially outward of the holding member along the
を備え、Equipped with
前記処理液吐出ステップと前記洗浄液吐出ステップとを並行して行う、基板処理装置。 The substrate processing apparatus which performs the said process liquid discharge step and the said washing | cleaning liquid discharge step in parallel.
前記ノズルは、
基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、
前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、
前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の上面または下面に設けられて前記板状部材の上面または下面と、前記保持部材の上面との双方の面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to claim 5 or 6 , wherein
The nozzle is
And a plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween.
The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate.
The cleaning solution discharge port is provided on the upper surface or the lower surface of the plate-like member and directed radially outward of the holding member along both the upper surface or the lower surface of the plate-like member and the upper surface of the holding member. Substrate processing apparatus that discharges the cleaning solution.
前記ノズルは、
基板の下面の中央部と、前記保持部材の上面との双方と隙間を隔てて対向する板状部材を備え、
前記処理液吐出口は、前記板状部材の上面に設けられて前記基板の下面の中央部に向けて処理液を吐出し、
前記洗浄液吐出口は、前記板状部材の側面に設けられて前記保持部材の上面に沿って前記保持部材の径方向外側に向けて洗浄液を吐出する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to claim 5 or 6 , wherein
The nozzle is
And a plate-like member facing the central portion of the lower surface of the substrate and the upper surface of the holding member with a gap therebetween.
The processing liquid discharge port is provided on the upper surface of the plate-like member and discharges the processing liquid toward the central portion of the lower surface of the substrate.
The cleaning solution discharge port is provided on a side surface of the plate-like member and discharges the cleaning solution radially outward of the holding member along the upper surface of the holding member.
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