JP6579739B2 - 検査装置および基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、検査装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に対する種々の処理工程において、基板の外観検査が行われる。

特許文献１に記載される基板処理装置では、基板上にレジスト膜が形成された後であって基板に露光処理が行われる前に、基板の外観検査が行われる。基板の外観検査では、基板が撮像装置によって撮像されることにより、基板の画像データが生成される。生成された画像データに基づいて、基板の外観上の欠陥が検出される。

特開２０１１−６６０４９号公報

しかしながら、上記のように基板の画像データが生成される場合、生成された画像データに、モアレ（干渉縞）が生じることがある。この場合、画像データ上でモアレと欠陥との識別ができないことがあり、欠陥の検出精度が低下する。

本発明の目的は、高い精度で基板の外観検査を行うことが可能な検査装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。

（１）第１の発明に係る検査装置は、基板の外観検査を行う検査装置であって、検査すべき基板を撮像することにより画像データを取得する画像データ取得部と、画像データ取得部により取得された画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かの判定を行う判定部とを備え、判定部は、外観上の欠陥がないサンプル基板の画像データの平滑化を行うことによりモアレに起因する階調変化を含みかつ外観上の欠陥に起因する階調変化を含まない画像データを生成し、サンプル基板の平滑化前の画像データの各画素の階調値からサンプル基板の平滑化後の画像データの各画素の階調値を減算することによりサンプル基板の修正画像データを生成し、サンプル基板の修正画像データの階調値の出現頻度の分布に基づいて外観上の欠陥がない場合における階調値の範囲を予め設定し、基板の検査時に、検査すべき基板の修正画像データの各画素の階調値が設定された範囲内にあるか否かに基づいて、判定を行う。

この検査装置においては、検査すべき基板の画像データが取得され、取得された画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かが判定される。その判定のために、取得された画像データの平滑化が行われ、平滑化前の画像データの各画素の階調値から平滑化後の画像データの各画素の階調値を減算することにより修正画像データが生成される。

通常、欠陥に起因する階調変化は、モアレに起因する階調変化よりも局所的または分散的に生じる。そのため、平滑化後の画像データは、モアレに起因する階調変化を含み、かつ外観上の欠陥に起因する階調変化を含まない。そこで、平滑化前の画像データの各画素の階調値から平滑化後の画像データの各画素の階調値が減算されることにより、モアレが除去された修正画像データが生成される。

その修正画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かが判定されるので、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。
この場合、サンプル基板の修正画像データは、モアレによる階調変化および外観上の欠陥に起因する階調変化を含まない。したがって、サンプル基板の修正画像データの階調値および検査すべき基板の修正画像データの階調値に基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かを正確に判定することができる。

（２）判定部は、移動平均フィルタ処理により画像データの平滑化を行ってもよい。この場合、短時間で容易に画像データの平滑化を行うことができる。

（３）判定部は、生成された修正画像データの各画素の階調値に一定の値を加算することにより加算画像データを生成してもよい。この場合、加算画像データに対応する画像が全体的に明るくなる。そのため、使用者は、その画像を違和感なく視認することができる。

（４）検査装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置をさらに備え、画像データ取得部は、基板保持回転装置により回転される基板の半径方向に沿った半径領域に光を照射する照明部と、基板の半径領域で反射される光を受光するラインセンサとを含んでもよい。

この場合、簡単な構成で基板の画像データを取得することができる。また、基板の回転に起因して画像データにモアレが生じても、画像データからモアレが除去されるので、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。

（５）第２の発明に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像処理ユニットと、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後の基板の外観検査を行う上記の検査装置とを備える。

この基板処理装置においては、露光処理前の基板上に感光性膜が形成され、露光処理後の基板に現像処理が行われる。感光性膜の形成後の基板の外観検査が上記の検査装置により行われる。それにより、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板上の感光性膜の外観検査を行うことができる。

（６）検査装置は、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ現像処理ユニットによる現像処理後の基板の外観検査を行ってもよい。

この場合、現像処理によってパターン化された感光性膜の外観検査を高い精度で行うことができる。

本発明によれば、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。

基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。 主として図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。 主として図１の搬送部を示す模式的側面図である。 検査ユニットの構成について説明するための模式的側面図である。 検査ユニットの構成について説明するための模式的斜視図である。 表面画像データの生成について説明するための図である。 表面画像に生じるモアレを模式的に示す図である。 モアレ除去処理のフローチャートである。 モアレ除去処理における表面画像の変化について説明するための図である。 しきい値設定処理のフローチャートである。 欠陥判定処理のフローチャートである。 下限しきい値および上限しきい値の設定例について説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態に係る検査装置および基板処理装置について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
（１−１）全体構成
図１は、基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。

搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２と搬送部１１２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

（１−２）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４，３２，３４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１，３３の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の塗布ノズル２８およびその塗布ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。各塗布処理ユニット１２９においては、複数の塗布ノズル２８のうちのいずれかの塗布ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される状態で、その塗布ノズル２８から処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。

本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液が塗布ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液が塗布ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液が塗布ノズル２８から基板Ｗに供給される。

図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット１３９に３組のスピンチャック３５およびカップ３７が設けられる。スピンチャック３５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。

図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびその現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。現像処理ユニット１３９においては、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、続いて、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣り合うように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。

（１−３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。以下、熱処理ユニットＰＨＰにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷ、検査ユニットＩＰおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。検査ユニットＩＰにおいては、現像処理後の基板Ｗの外観検査が行われる。検査ユニットＩＰおよび図１の制御部１１４により、検査装置が構成される。検査ユニットＩＰの詳細については後述する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（１−４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す模式的側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。

搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、ハンドＨ１，Ｈ２を有する。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて基板Ｗを保持し、Ｘ方向およびＺ方向に自在に移動して基板Ｗを搬送することができる。

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１５と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。

（１−５）動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。

搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。

この場合、塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗに熱処理が行われた後、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理が行われ、その基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、検査ユニットＩＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、検査ユニットＩＰにおいて、基板Ｗの外観検査が行われる。外観検査後の基板Ｗは、基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、検査ユニットＩＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。塗布処理室３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１〜図３）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

インターフェイスブロック１５において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

（２）検査ユニットの構成
図５および図６は、検査ユニットＩＰの構成について説明するための模式的側面図および模式的斜視図である。図５に示すように、検査ユニットＩＰは、保持回転部５１、照明部５２、反射ミラー５３およびＣＣＤラインセンサ５４を含む。

保持回転部５１は、スピンチャック５１１、回転軸５１２およびモータ５１３を含む。スピンチャック５１１は、基板Ｗの下面の略中心部を真空吸着することにより、基板Ｗを水平姿勢で保持する。モータ５１３によって回転軸５１２およびスピンチャック５１１が一体的に回転される。それにより、スピンチャック５１１により保持された基板Ｗが鉛直方向（Ｚ方向）に沿った軸の周りで回転する。本例では、基板Ｗの表面が上方に向けられる。基板Ｗの表面とは、回路パターンが形成される基板Ｗの面である。

図６に示すように、照明部５２は、帯状の検査光を出射する。検査光は、スピンチャック５１１により保持された基板Ｗの表面の半径方向に沿った線状の領域（以下、半径領域と呼ぶ）ＲＲに照射される。半径領域ＲＲで反射された検査光は、反射ミラー５３によってさらに反射され、ＣＣＤラインセンサ５４に導かれる。ＣＣＤラインセンサ５４の受光量分布は、半径領域ＲＲでの反射光の明るさの分布に相当する。ＣＣＤラインセンサ５４の受光量分布に基づいて、基板Ｗの表面画像データが生成される。表面画像データは、基板Ｗの表面の画像（以下、表面画像と呼ぶ）を表す。本例では、ＣＣＤラインセンサ５４の受光量分布が図１の制御部１１４に与えられ、制御部１１４により表面画像データが生成される。

図７は、表面画像データの生成について説明するための図である。図７（ａ），（ｂ），（ｃ）には、基板Ｗ上における検査光の照射状態が順に示され、図７（ｄ），（ｅ），（ｆ）には、図７（ａ），（ｂ），（ｃ）の状態で生成される表面画像データに対応する表面画像が示される。なお、図７（ａ）〜（ｃ）において、検査光が照射された基板Ｗ上の領域にドットパターンが付される。

図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｗ上の半径領域ＲＲに継続的に検査光が照射されつつ基板Ｗが回転される。それにより、基板Ｗの周方向に連続的に検査光が照射される。基板Ｗが１回転すると、基板Ｗの表面の全体に検査光が照射される。

基板Ｗが１回転する期間に得られるＣＣＤラインセンサ５４の受光量分布に基づいて、図７（ｄ）〜（ｆ）に示すように、矩形の表面画像ＳＤを表す表面画像データが生成される。図７（ｄ）〜（ｆ）において、表面画像ＳＤの横軸は、ＣＣＤラインセンサ５４の各画素の位置に対応し、表面画像ＳＤの縦軸は、基板Ｗの回転角度に対応する。この場合、基板Ｗの半径方向における基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布が表面画像ＳＤの横軸の方向に表される。また、基板Ｗの周方向における基板Ｗの表面での反射光の明るさの分布が表面画像ＳＤの縦軸の方向に表される。基板Ｗが１回転した時点で、基板Ｗの表面全体での反射光の明るさの分布が１つの矩形の表面画像ＳＤを表す表面画像データとして得られる。

生成された表面画像データに基づいて、基板Ｗの外観検査が行われる。本例においては、現像処理によってパターン化されたレジスト膜（以下、レジストパターンと呼ぶ）の外観検査が行われる。

（３）モアレ
上記のようにして生成される表面画像ＳＤ（表面画像データ）には、モアレ（干渉縞）が生じることがある。図８は、表面画像ＳＤに生じるモアレを模式的に示す図である。図８の例では、縦軸の方向に表面画像ＳＤの明るさが連続的に変化するように、モアレが生じている。本例において、表面画像ＳＤの明るさは、各画素の階調値によって表される。階調値が大きいほど画素が明るい。

モアレは、表面画像ＳＤに周期的な模様がある場合に生じやすい。基板処理装置１００において処理される基板Ｗには、複数の素子にそれぞれ対応する複数の回路パターンが形成される。これらの回路パターンは、互いに同じ構成を有する。そのため、基板Ｗ上において、複数の回路パターンが周期的な模様となる。

例えば、レジストパターンは、複数の回路パターンに対応しており、基板Ｗにおいて周期的な模様となる。そのため、レジストパターンの外観検査のための表面画像ＳＤには、モアレが生じやすい。

また、基板Ｗの製造工程においては、上記のレジスト膜形成処理、露光処理および現像処理を含むフォトリソグラフィー工程が、１つの基板Ｗに複数回にわたって行われる。そのため、初期の工程を除いて、基板Ｗには、回路パターンの少なくとも一部が形成されている。回路パターン上にレジスト膜等の他の膜が形成されていても、検査ユニットＩＰにおいて、検査光がこれらの膜を透過する。それにより、既に形成された回路パターンに起因して、表面画像ＳＤにモアレが生じることもある。

また、基板Ｗの回路パターンは、基板Ｗの周方向においても周期性を有する。上記のように、表面画像ＳＤは、基板Ｗが回転されつつ一定の半径領域ＲＲに検査光が照射され、その反射光がＣＣＤラインセンサ５４によって受光されることにより生成される。したがって、このような基板Ｗの回転を伴う表面画像ＳＤの生成方法も表面画像ＳＤにモアレが生じる要因になる可能性がある。

表面画像ＳＤにモアレが生じると、表面画像ＳＤにおいて基板Ｗの外観上の欠陥とモアレとの識別ができない場合がある。それにより、基板Ｗの外観検査の精度が低下する。

（４）モアレ除去処理
本実施の形態では、表面画像ＳＤからモアレを除去するためのモアレ除去処理が行われる。本例においては、図１の制御部１１４がモアレ除去処理を行う。図９は、モアレ除去処理のフローチャートである。図１０は、モアレ除去処理における表面画像ＳＤの変化について説明するための図である。図９および図１０の例では、外観上の欠陥のある基板Ｗの表面画像ＳＤからモアレが除去される。

図１０（ａ）には、モアレ除去処理前の表面画像ＳＤが示される。図１０（ａ）の表面画像ＳＤには、モアレおよび基板Ｗの欠陥ＤＰが表される。通常、欠陥ＤＰの階調値は、正常な部分の階調値より高い。しかしながら、モアレによる階調値のばらつきがあることにより、欠陥ＤＰによる階調値のばらつきが認識されにくい。また、図１０（ａ）には示されないが、この表面画像ＳＤには、基板Ｗの表面構造が表される。ここで、基板Ｗの表面構造は、欠陥ＤＰではなく、回路パターンおよびレジストパターン等の正常に形成された構造を意味する。

図９に示すように、まず、制御部１１４は、表面画像データの平滑化を行う（ステップＳ１）。表面画像データの平滑化とは、表面画像ＳＤの濃淡変動を小さくすることである。例えば、移動平均フィルタ処理により表面画像データが平滑化される。移動平均フィルタ処理では、注目画素を中心とする規定数の周辺画素に関して階調値の平均が算出され、その平均値が注目画素の階調値とされる。本例では、表面画像ＳＤの全画素が注目画素とされ、各画素の階調値がその周辺画素の平均値に変更される。表面画像ＳＤの総画素数は、例えば５０００（横）×１００００（縦）であり、移動平均フィルタ処理における周辺画素の数は、例えば１００（横）×１００（縦）である。移動平均フィルタ処理における周辺画素の数は、想定される欠陥の大きさおよびモアレの大きさ等によって適宜設定されてもよい。

移動平均フィルタ処理により、短時間で容易に表面画像データを平滑化することができる。なお、移動平均フィルタ処理の代わりに、ガウシアンフィルタ処理またはメディアンフィルタ処理等の他の平滑化処理により、表面画像データの平滑化が行われてもよい。

図１０（ｂ）には、図９のステップＳ１における平滑化後の表面画像ＳＤが示される。欠陥による階調値のばらつきおよび基板Ｗの表面構造による階調値のばらつきは、モアレによる階調値のばらつきに比べて局所的にまたは分散的に生じる。そのため、欠陥による階調値のばらつきおよび基板Ｗの表面構造による階調値のばらつきは、ステップＳ１の処理でなくなる。一方、モアレによる階調値のばらつきは広範囲において連続的に生じるので、ステップＳ１の処理ではなくならない。したがって、図１０（ｂ）の表面画像ＳＤには、モアレのみが表され、欠陥ＤＰおよび基板Ｗの表面構造が表されない。

次に、制御部１１４は、平滑化前の表面画像データの各画素の階調値から平滑化後の表面画像データの各画素の階調値を減算する（図９のステップＳ２）。これにより、表面画像ＳＤからモアレが除去される。以下、ステップＳ２の処理後の表面画像データを修正画像データと呼ぶ。図１０（ｃ）には、修正画像データに対応する表面画像ＳＤが示される。図１０（ｃ）の表面画像ＳＤには、欠陥ＤＰおよび基板Ｗの表面構造のみが表され、モアレが表されない。また、表面画像ＳＤが全体的に暗い。

次に、制御部１１４は、修正画像データの各画素の階調値に一定の値を加算する（図９のステップＳ３）。以下、ステップＳ３の処理後の表面画像データを加算画像データと呼ぶ。例えば、階調値の範囲の中心値が各画素の階調値に加算される。階調値は、例えば０以上２５５以下の数値で表される。この場合、各画素の階調値に１２８が加算される。図１０（ｄ）には、加算画像データに対応する表面画像ＳＤが示される。図１０（ｄ）の表面画像ＳＤは、適度な明るさを有する。それにより、使用者が図１０（ｄ）の表面画像ＳＤを違和感なく視認することができる。

これにより、制御部１１４は、モアレ除去処理を終了する。なお、図９のステップＳ３の処理は必ずしも行われなくてもよい。例えば、使用者が表面画像ＳＤを視認することがない場合、図９のステップＳ３の処理は、行われなくてもよい。

（５）外観検査の詳細
本実施の形態では、欠陥のないサンプル基板の表面画像データに基づいて、外観検査におけるしきい値が設定される。設定されたしきい値を用いて、検査すべき基板Ｗ（以下、検査基板Ｗと呼ぶ）の外観上の欠陥の有無が判定される。

図１１は、しきい値を設定するためのしきい値設定処理のフローチャートである。図１２は、欠陥の有無を判定するための欠陥判定処理のフローチャートである。本例においては、図１の制御部１１４が、しきい値設定処理および欠陥判定処理を行う。

図１１のしきい値設定処理において、制御部１１４は、まず、サンプル基板の表面画像データを取得する（ステップＳ１１）。例えば、予め高い精度で検査が行われ、その検査で欠陥がないと判定された基板がサンプル基板として用意される。そのサンプル基板を用いて、表面画像データが生成される。表面画像データの生成は、上記の検査ユニットＩＰにより行われてもよく、他の装置により行われてもよい。

次に、制御部１１４は、取得された表面画像データに対して上記のモアレ除去処理を行う（ステップＳ１２）。これにより、サンプル基板の表面画像データからモアレが除去される。

次に、制御部１１４は、モアレ除去処理後の表面画像データにおける階調値に基づいて、下限しきい値および上限しきい値を設定する（ステップＳ１３）。これにより、制御部１１４は、しきい値設定処理を終了する。

図１３は、下限しきい値および上限しきい値の設定例について説明するための図である。図１３において、横軸は階調値を示し、縦軸は各階調値の出現頻度を示す。

図１３の例では、表面画像データにおける階調値の下限値がＴＨ１であり、上現値がＴＨ２である。この場合、例えば、階調値の下限値ＴＨ１が下限しきい値に設定され、上限値ＴＨ２が上限しきい値に設定される。また、階調値の下限値ＴＨ１よりも小さい値が下限しきい値に設定されてもよく、階調値の上限値ＴＨ２よりも大きい値が上限しきい値に設定されてもよい。

仮に、しきい値設定処理において、モアレ除去処理が行われない場合、サンプル基板の表面画像データにおける階調値の出現範囲が広くなる。そのため、設定される下限しきい値と上限しきい値との間の範囲が広くなる。この場合、後述の欠陥判定処理において、実際には外観上の欠陥がある場合でも、外観上の欠陥がないと判定される可能性がある。

本実施の形態では、モアレが除去された表面画像データに基づいて、下限しきい値および上限しきい値が設定されるので、モアレによって下限しきい値と上限しきい値との間の範囲が広くなることが防止される。それにより、外観上の欠陥の有無を精度良く判定することができる。

しきい値設定処理は、基板処理装置１００における上記の一連の動作が開始される前に行われる。しきい値設定処理により設定されたしきい値を用いて、制御部１１４は、図１２の欠陥判定処理を行う。欠陥判定処理は、現像処理後に検査ユニットＩＰに搬入された基板（検査基板）Ｗに対して行われる。

図１２に欠陥判定処理において、制御部１１４は、図７のように、検査ユニットＩＰにおけるＣＣＤラインセンサ５４の受光量分布に基づいて、検査基板Ｗの表面画像データを取得する（ステップＳ２１）。次に、制御部１１４は、取得された表面画像データに対して上記のモアレ除去処理を行う（ステップＳ２２）。これにより、検査基板Ｗの表面画像データからモアレが除去される。

次に、制御部１１４は、モアレ除去処理後の表面画像データにおいて、各画素の階調値が、図１１のしきい値設定処理で設定された下限しきい値と上限しきい値との間の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ２３）。各画素の階調値が下限しきい値と上限しきい値との間の範囲内にある場合、制御部１１４は、検査基板Ｗに外観上の欠陥がないと判定し（ステップＳ２４）、欠陥判定処理を終了する。一方、いずれかの画素の階調値が下限しきい値と上限しきい値との間の範囲外にある場合、制御部１１４は、検査基板Ｗに外観上の欠陥があると判定し（ステップＳ２５）、欠陥判定処理を終了する。

欠陥判定処理で欠陥があると判定された検査基板Ｗは、基板処理装置１００から搬出された後、欠陥がないと判定された基板Ｗとは異なる処理が行われる。例えば、欠陥があると判定された検査基板Ｗには、精密検査または再生処理等が行われる。

（６）効果
本実施の形態では、検査ユニットＩＰでの基板Ｗの外観検査において、モアレ除去処理が行われる。モアレ除去処理では、取得された表面画像データが平滑化され、平滑化前の表面画像データの各画素の階調値から平滑化後の表面画像データの各画素の階調値が減算される。これにより、モアレが除去された修正画像データが生成される。その修正画像データに基づいて、基板Ｗに外観上の欠陥があるか否かが判定される。それにより、モアレによる欠陥の検出精度の低下が防止され、高い精度で基板Ｗの外観検査を行うことができる。

（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、検査ユニットＩＰにおいて、基板Ｗが回転されつつ基板Ｗの半径領域ＲＲに検査光が照射され、その反射光がＣＣＤラインセンサ５４に導かれることによって表面画像データが生成されるが、他の方法で表面画像データが生成されてもよい。例えば、基板Ｗが回転されることなく、エリアセンサによって基板Ｗの表面の全体が撮像されることにより表面画像データが生成されてもよい。

また、上記実施の形態では、制御部１１４によって基板Ｗの外観検査におけるしきい値設定処理および欠陥判定処理が行われるが、本発明はこれに限らない。例えば、検査ユニットＩＰに対応するように外観検査用の制御部が設けられ、その制御部により外観検査における種々の処理が行われてもよい。あるいは、インデクサブロック１１、第１および第２の処理ブロック１２，１３およびインターフェイスブロック１４にそれぞれ対応するように複数のローカルコントローラが設けられ、そのうちの一のローカルコントローラ（例えば、第２の処理ブロック１３に対応するローカルコントローラ）により外観検査における種々の処理が行われてもよい。

また、上記実施の形態では、検査ユニットＩＰにおいて現像処理後の基板Ｗの外観検査が行われるが、本発明はこれに限らない。例えば、レジスト膜が形成された後であって露光処理前の基板Ｗの外観検査が検査ユニットＩＰにより行われてもよい。また、レジスト膜の形成前の基板Ｗの外観検査が検査ユニットＩＰにより行われてもよい。

また、上記実施の形態では、第２の処理ブロック１３に検査ユニットＩＰが設けられるが、検査ユニットＩＰの配置および数は、適宜変更されてもよい。例えば、第１の処理ブロック１２に検査ユニットＩＰが設けられてもよく、またはインターフェイスブロック１４に検査ユニットＩＰが設けられてもよい。

また、上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５に隣接する基板処理装置１００に検査ユニットＩＰが設けられるが、本発明はこれに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処置を行う露光装置に隣接する基板処理装置に検査ユニットＩＰが設けられてもよい。

また、上記実施の形態では、露光処理の前後に基板Ｗの処理を行う基板処理装置１００に検査ユニットＩＰが設けられるが、他の基板処理装置に検査ユニットＩＰが設けられてもよい。例えば、基板Ｗに洗浄処理を行う基板処理装置に検査ユニットＩＰが設けられてもよく、または基板Ｗのエッチング処理を行う基板処理装置に検査ユニットＩＰが設けられてもよい。あるいは、基板処理装置に検査ユニットＩＰが設けられるのではなく、検査ユニットＩＰが単独で用いられてもよい。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、検査ユニットＩＰおよび制御部１１４が検査装置の例であり、制御部１１４が画像データ取得部および判定部の例であり、表面画像データが画像データの例であり、保持回転部５１が基板保持回転装置の例であり、照明部５２が照明部の例であり、ＣＣＤラインセンサ５４がラインセンサの例である。また、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、塗布処理ユニット１２９が膜形成ユニットの例であり、現像処理ユニット１３９が現像処理ユニットの例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の外観検査に有効に利用することができる。
（９）参考形態
（１）第１の参考形態に係る検査装置は、基板の外観検査を行う検査装置であって、検査すべき基板を撮像することにより画像データを取得する画像データ取得部と、画像データ取得部により取得された画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かの判定を行う判定部とを備え、判定部は、画像データ取得部により取得された画像データの平滑化を行い、平滑化前の画像データの各画素の階調値から平滑化後の画像データの各画素の階調値を減算することにより修正画像データを生成し、生成された修正画像データに基づいて判定を行う。
この検査装置においては、検査すべき基板の画像データが取得され、取得された画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かが判定される。その判定のために、取得された画像データの平滑化が行われ、平滑化前の画像データの各画素の階調値から平滑化後の画像データの各画素の階調値を減算することにより修正画像データが生成される。
通常、欠陥に起因する階調変化は、モアレに起因する階調変化よりも局所的または分散的に生じる。そのため、平滑化後の画像データは、モアレに起因する階調変化を含み、かつ外観上の欠陥に起因する階調変化を含まない。そこで、平滑化前の画像データの各画素の階調値から平滑化後の画像データの各画素の階調値が減算されることにより、モアレが除去された修正画像データが生成される。
その修正画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かが判定されるので、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。
（２）判定部は、移動平均フィルタ処理により画像データの平滑化を行ってもよい。この場合、短時間で容易に画像データの平滑化を行うことができる。
（３）判定部は、生成された修正画像データの各画素の階調値に一定の値を加算することにより加算画像データを生成してもよい。この場合、加算画像データに対応する画像が全体的に明るくなる。そのため、使用者は、その画像を違和感なく視認することができる。
（４）判定部は、平滑化後の画像データがモアレに起因する階調変化を含みかつ外観上の欠陥に起因する階調変化を含まないように、画像データの平滑化を行ってもよい。
この場合、モアレによる階調変化を含まず、かつ外観上の欠陥に起因する階調変化を含む修正画像データを適切に生成することができる。
（５）判定部は、外観上の欠陥がないサンプル基板の画像データの平滑化を行い、平滑化前の画像データの各画素の階調値から平滑化後の画像データの各画素の階調値を減算することにより修正画像データを生成し、サンプル基板の修正画像データの階調値および検査すべき基板の修正画像データの階調値に基づいて、判定を行ってもよい。
この場合、サンプル基板の修正画像データは、モアレによる階調変化および外観上の欠陥に起因する階調変化を含まない。したがって、サンプル基板の修正画像データの階調値および検査すべき基板の修正画像データの階調値に基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かを正確に判定することができる。
（６）検査装置は、基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置をさらに備え、画像データ取得部は、基板保持回転装置により回転される基板の半径方向に沿った半径領域に光を照射する照明部と、基板の半径領域で反射される光を受光するラインセンサとを含んでもよい。
この場合、簡単な構成で基板の画像データを取得することができる。また、基板の回転に起因して画像データにモアレが生じても、画像データからモアレが除去されるので、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板の外観検査を行うことができる。
（７）第２の参考形態に係る基板処理装置は、基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像処理ユニットと、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後の基板の外観検査を行う上記の検査装置とを備える。
この基板処理装置においては、露光処理前の基板上に感光性膜が形成され、露光処理後の基板に現像処理が行われる。感光性膜の形成後の基板の外観検査が上記の検査装置により行われる。それにより、モアレによって欠陥の検出精度が低下することが防止され、高い精度で基板上の感光性膜の外観検査を行うことができる。
（８）検査装置は、膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ現像処理ユニットによる現像処理後の基板の外観検査を行ってもよい。
この場合、現像処理によってパターン化された感光性膜の外観検査を高い精度で行うことができる。

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
５１ 保持回転部
５２ 照明部
５３ 反射ミラー
５４ ＣＣＤラインセンサ
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２７，１２８，１３７，１３８ 搬送機構
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 塗布現像処理部
１３２ 搬送部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
１６３ 搬送部
５１１ スピンチャック
５１２ 回転軸
５１３ モータ
ＩＰ 検査ユニット
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板の外観検査を行う検査装置であって、
   検査すべき基板を撮像することにより画像データを取得する画像データ取得部と、
   前記画像データ取得部により取得された画像データに基づいて、検査すべき基板に外観上の欠陥があるか否かの判定を行う判定部とを備え、
   前記判定部は、外観上の欠陥がないサンプル基板の画像データの平滑化を行うことによりモアレに起因する階調変化を含みかつ外観上の欠陥に起因する階調変化を含まない画像データを生成し、前記サンプル基板の平滑化前の画像データの各画素の階調値から前記サンプル基板の平滑化後の画像データの各画素の階調値を減算することにより前記サンプル基板の修正画像データを生成し、前記サンプル基板の修正画像データの階調値の出現頻度の分布に基づいて前記外観上の欠陥がない場合における階調値の範囲を予め設定し、基板の検査時に、検査すべき基板の修正画像データの各画素の階調値が前記設定された範囲内にあるか否かに基づいて、前記判定を行う、検査装置。
2. 前記判定部は、移動平均フィルタ処理により画像データの平滑化を行う、請求項１記載の検査装置。
3. 前記判定部は、前記生成された修正画像データの各画素の階調値に一定の値を加算することにより加算画像データを生成する、請求項１または２記載の検査装置。
4. 基板を保持しつつ回転させる基板保持回転装置をさらに備え、
   前記画像データ取得部は、
   前記基板保持回転装置により回転される基板の半径方向に沿った半径領域に光を照射する照明部と、
   基板の前記半径領域で反射される光を受光するラインセンサとを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の検査装置。
5. 基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   前記露光装置による露光処理前に、基板上に感光性膜を形成する膜形成ユニットと、
   前記露光装置による露光処理後に、基板上の感光性膜に現像処理を行う現像処理ユニットと、
   前記膜形成ユニットによる感光性膜の形成後の基板の外観検査を行う請求項１〜４のいずれか一項に記載の検査装置とを備えた、基板処理装置。
6. 前記検査装置は、前記膜形成ユニットによる感光性膜の形成後でかつ前記現像処理ユニットによる現像処理後の基板の外観検査を行う、請求項５記載の基板処理装置。

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