JP6558298B2

JP6558298B2 - Signal transmission circuit and signal transmission system

Info

Publication number: JP6558298B2
Application number: JP2016088516A
Authority: JP
Inventors: 洋平近藤; 陽介朝子
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2016-04-26
Filing date: 2016-04-26
Publication date: 2019-08-14
Anticipated expiration: 2036-04-26
Also published as: JP2017200293A

Description

本発明は、半導体スイッチング素子をそれぞれ駆動するとともに、互いに絶縁された複数の駆動回路を有する電源システムに適用される信号伝達回路、及び、信号伝達システムに関する。 The present invention relates to a signal transmission circuit and a signal transmission system applied to a power supply system that drives a semiconductor switching element and has a plurality of drive circuits insulated from each other.

車載電動機を駆動するインバータ装置は高圧システムを構成し、インバータ装置を制御する制御装置は、高圧システムと絶縁された低圧システムを構成する。インバータ装置を構成するスイッチング素子の温度情報やスイッチング素子の異常を通知する異常情報を表す信号を、インバータ装置から制御装置に伝達する場合、高圧システムから低圧システムに信号を伝達することになる。高圧システムと低圧システムとは絶縁されているため、インバータ装置から制御装置への信号伝達は、絶縁素子を介して行うことになる。 The inverter device that drives the in-vehicle motor constitutes a high voltage system, and the control device that controls the inverter device constitutes a low voltage system insulated from the high voltage system. In the case where a signal representing temperature information of the switching element constituting the inverter device or abnormality information for notifying the abnormality of the switching element is transmitted from the inverter device to the control device, the signal is transmitted from the high voltage system to the low pressure system. Since the high-voltage system and the low-voltage system are insulated, signal transmission from the inverter device to the control device is performed via an insulating element.

特許文献１には、絶縁素子としてフォトカプラを用い、さらに、フォトカプラの２次側を直列接続することで、絶縁素子から制御装置（受信装置）への伝達経路を共通化している。そして、スイッチング素子の少なくとも一つに異常が生じた場合、制御装置には異常を表す信号が入力される。制御装置への伝達経路を共通化することで、制御装置と絶縁素子との間の配線を簡素化することができる。 In Patent Document 1, a photocoupler is used as an insulating element, and the secondary side of the photocoupler is connected in series to share a transmission path from the insulating element to the control device (receiving device). When an abnormality occurs in at least one of the switching elements, a signal indicating the abnormality is input to the control device. By sharing the transmission path to the control device, the wiring between the control device and the insulating element can be simplified.

特開２００９−６０３５８号公報JP 2009-60358 A

近年、フォトカプラに代えて、磁気カプラのような絶縁素子が用いられている。ここで、磁気カプラは、入力信号に応じて、所定の基準電圧（接地電圧）を基準とした信号を出力するものである。このため、フォトカプラのように２次側を直列接続させて用いることができない。 In recent years, insulating elements such as magnetic couplers have been used in place of photocouplers. Here, the magnetic coupler outputs a signal based on a predetermined reference voltage (ground voltage) according to the input signal. For this reason, the secondary side cannot be connected in series like a photocoupler.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、所定の基準電圧を基準とした信号を出力する絶縁素子を複数有する信号伝達回路において、複数の絶縁素子から受信装置に対して信号が入力される経路を共通化することを主たる目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and in a signal transmission circuit having a plurality of insulating elements that output signals based on a predetermined reference voltage, signals are input from the plurality of insulating elements to the receiving device. The main purpose is to make common routes.

本構成は、複数の半導体スイッチング素子（ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３）をそれぞれ駆動するとともに、互いに絶縁された複数の駆動回路（Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３）を有する電源回路（ＩＮＶ）に適用され、前記複数の半導体スイッチング素子にそれぞれ対応する異常を表す異常信号を、前記複数の駆動回路がそれぞれ設けられた１次側の領域から２次側の受信装置（４０）へ、複数の絶縁素子（Ｍｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３）を介して伝達する信号伝達回路において、前記複数の絶縁素子は、それぞれ対応する出力素子（Ｓ１，Ｓ１Ａ）を２次側に有し、前記出力素子は、前記絶縁素子の１次側に入力されている前記異常信号が異常の発生を表さない場合、所定電圧を出力するとともに、前記絶縁素子の１次側に入力されている前記異常信号が異常の発生を表す場合又は前記絶縁素子が動作を停止した場合、２次側において、対応する前記出力素子による前記所定電圧の出力を停止し、前記所定電圧は、所定の基準電圧を基準とし、さらに、前記絶縁素子に対し電源電圧として入力した場合、前記絶縁素子が動作可能な高さを有し、前記複数の絶縁素子は、他の前記絶縁素子に対応する前記出力素子の出力が電源電圧として入力され、且つ、対応する前記出力素子の出力が前記受信装置に入力される１の第１の絶縁素子（Ｍｐ３）と、前記絶縁素子が動作可能な高さを有する電圧又は他の絶縁素子に対応する前記出力素子の出力が、電源電圧として入力され、且つ、対応する前記出力素子の出力を他の前記絶縁素子へ電源電圧として入力する１又は複数の第２の絶縁素子（Ｍｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３）と、を含むことを特徴とする。 This configuration is applied to a power supply circuit (INV) that drives a plurality of semiconductor switching elements (SWp1 to SWp3, SWn1 to SWn3) and has a plurality of drive circuits (Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3) that are insulated from each other. A plurality of insulating elements, each of which outputs an abnormality signal representing an abnormality corresponding to each of the plurality of semiconductor switching elements from a primary side region provided with the plurality of driving circuits to a secondary side receiving device (40). In the signal transmission circuit that transmits via (Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3), the plurality of insulating elements respectively have corresponding output elements (S1, S1A) on the secondary side, and the output elements are When the abnormal signal input to the primary side of the insulating element does not indicate the occurrence of an abnormality, a predetermined voltage is output and the primary of the insulating element When the abnormal signal input to the terminal indicates the occurrence of abnormality or when the insulating element stops operating, on the secondary side, the output of the predetermined voltage by the corresponding output element is stopped, and the predetermined voltage is The insulation element has a height at which the insulation element can operate when a predetermined reference voltage is used as a reference and is input as a power supply voltage to the insulation element, and the plurality of insulation elements correspond to the other insulation elements. The output of the output element is input as a power supply voltage, and the output of the corresponding output element is input to the receiving device. Or the output of the output element corresponding to another insulating element is input as a power supply voltage, and the output of the corresponding output element is input to the other insulating element as a power supply voltage 1 or The second insulating element number (Mp1, Mp2, Mn1~Mn3) characterized in that it comprises a, a.

上記構成によれば、複数の絶縁素子から受信装置に対して異常信号が入力される経路が共通化される。 According to the above configuration, the paths through which abnormal signals are input from the plurality of insulating elements to the receiving device are shared.

また、第２の絶縁素子に対して異常の発生を表す異常信号が入力されていない場合、第１の絶縁素子には電源電圧として所定電圧が入力される。そして、第１の絶縁素子に入力されている異常信号が異常の発生を表さない場合、第１の絶縁素子に対応する出力素子から所定電圧が出力される。 In addition, when an abnormal signal indicating the occurrence of an abnormality is not input to the second insulating element, a predetermined voltage is input to the first insulating element as a power supply voltage. When the abnormal signal input to the first insulating element does not indicate the occurrence of abnormality, a predetermined voltage is output from the output element corresponding to the first insulating element.

一方、第２の絶縁素子のいずれかに対して異常の発生を表す異常信号が入力されている場合、第１の絶縁素子に対する電源電圧の入力が停止される。このため、第１の絶縁素子に入力されている異常信号が異常の発生を表すか否かに関わらず、第１の絶縁素子に対応する出力素子による所定電圧の出力が停止される。また、第１の絶縁素子に入力されている異常信号が異常の発生を表すものであった場合、第１の絶縁素子に対応する出力素子による所定電圧の出力が停止される。 On the other hand, when an abnormal signal indicating the occurrence of an abnormality is input to any of the second insulating elements, the input of the power supply voltage to the first insulating element is stopped. For this reason, the output of the predetermined voltage by the output element corresponding to the first insulating element is stopped regardless of whether or not the abnormal signal input to the first insulating element indicates the occurrence of abnormality. When the abnormal signal input to the first insulating element indicates the occurrence of an abnormality, the output of the predetermined voltage by the output element corresponding to the first insulating element is stopped.

よって、半導体スイッチング素子に対応する異常が１つでも生じている場合、第１の絶縁素子に対応する出力素子による所定電圧の出力が停止され、半導体スイッチング素子に対応する異常が１つも生じていない場合、第１の絶縁素子に対応する出力素子の出力が所定電圧となる。このため、受信装置は、半導体スイッチング素子に対応する異常が生じているか否かを好適に判断できる。 Therefore, when even one abnormality corresponding to the semiconductor switching element has occurred, the output of the predetermined voltage by the output element corresponding to the first insulating element is stopped, and no abnormality corresponding to the semiconductor switching element has occurred. In this case, the output of the output element corresponding to the first insulating element becomes a predetermined voltage. For this reason, the receiving apparatus can suitably determine whether or not an abnormality corresponding to the semiconductor switching element has occurred.

インバータ装置の電気的構成を表す図。The figure showing the electric constitution of an inverter apparatus. 第１実施形態におけるインバータ装置が実装される回路基板を表す概略図。Schematic showing the circuit board with which the inverter apparatus in 1st Embodiment is mounted. パワーカード（半導体スイッチング素子）の構成を表す概略図。Schematic showing the structure of a power card (semiconductor switching element). 磁気カプラの電気的構成を表す図。The figure showing the electric constitution of a magnetic coupler. 第１実施形態における磁気カプラと制御装置との接続を表す図。The figure showing the connection of the magnetic coupler and control apparatus in 1st Embodiment. 第２実施形態における磁気カプラと制御装置との接続を表す図。The figure showing the connection of the magnetic coupler and control apparatus in 2nd Embodiment. 第３実施形態における磁気カプラと制御装置との接続を表す図。The figure showing the connection of the magnetic coupler and control apparatus in 3rd Embodiment. 第３実施形態における磁気カプラを接続する配線を示す図。The figure which shows the wiring which connects the magnetic coupler in 3rd Embodiment. 第４実施形態における磁気カプラの電気的構成を表す図。The figure showing the electric constitution of the magnetic coupler in a 4th embodiment. 変形例における磁気カプラの電気的構成を表す図。The figure showing the electric constitution of the magnetic coupler in a modification.

（第１実施形態）
以下、「電源システム」に適用される「信号伝達回路」をハイブリッド車に適用した実施形態について、図面を参照しつつ説明する。 (First embodiment)
Hereinafter, an embodiment in which a “signal transmission circuit” applied to a “power supply system” is applied to a hybrid vehicle will be described with reference to the drawings.

図１に、本実施形態にかかる電力変換装置の電気的構成を示す。モータジェネレータ１０は、駆動輪や内燃機関に機械的に連結されている。モータジェネレータ１０は、インバータ装置ＩＮＶに接続されている。インバータ装置ＩＮＶ（電力変換回路）は、直流電源１２の出力電圧を入力電圧とし、直流電力を交流電力に変換するものである。ここで、直流電源１２は、端子電圧がたとえば１００Ｖ以上の高電圧となる高電圧バッテリである。なお、直流電源は、昇降圧コンバータなどであってもよい。 FIG. 1 shows an electrical configuration of the power converter according to the present embodiment. The motor generator 10 is mechanically coupled to drive wheels and an internal combustion engine. The motor generator 10 is connected to the inverter device INV. The inverter device INV (power conversion circuit) converts the DC power into AC power using the output voltage of the DC power supply 12 as an input voltage. Here, DC power supply 12 is a high voltage battery whose terminal voltage is a high voltage of, for example, 100 V or higher. The DC power source may be a buck-boost converter or the like.

インバータ装置ＩＮＶは、高電圧側のスイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３（上アームスイッチング素子）及び低電圧側のスイッチング素子ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３（下アームスイッチング素子）の直列接続体が３つ並列接続されて構成されている。そして、これら各スイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３、及び、スイッチング素子ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３の接続点が、モータジェネレータ１０の各相にそれぞれ接続されている。 The inverter device INV is configured by connecting three series connection bodies of switching elements SWp1 to SWp3 (upper arm switching elements) on the high voltage side and switching elements SWn1 to SWn3 (lower arm switching elements) on the low voltage side in parallel. Yes. Connection points of these switching elements SWp <b> 1 to SWp <b> 3 and switching elements SWn <b> 1 to SWn <b> 3 are connected to respective phases of the motor generator 10.

また、上記高電圧側のスイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３及び低電圧側のスイッチング素子ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のそれぞれの入出力端子間（コレクタ及びエミッタ間）には、高電圧側のフリーホイールダイオードＦＤｐ１〜３及び低電圧側のフリーホイールダイオードＦＤｎ１〜３のカソード及びアノードが接続されている。 Further, between the input / output terminals (between the collector and the emitter) of the switching elements SWp1 to SWp3 on the high voltage side and the switching elements SWn1 to SWn3 on the low voltage side, free wheel diodes FDp1 to 3 on the high voltage side and low The cathodes and anodes of the voltage-side freewheel diodes FDn1 to FDn1 are connected.

コンデンサＣＡは、上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３のコレクタ（高電圧側端子）と、下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のエミッタ（低電圧側端子）とに接続され、その両端子間の電圧を平滑化する平滑コンデンサである。 The capacitor CA is connected to the collectors (high voltage side terminals) of the upper arm switches SWp1 to SWp3 and the emitters (low voltage side terminals) of the lower arm switches SWn1 to SWn3, and smoothes the voltage between both terminals. It is a capacitor.

なお、上記インバータ装置ＩＮＶを構成する半導体スイッチング素子ＳＷ（ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３）は、いずれもパワー半導体であり、より具体的には、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。 The semiconductor switching elements SW (SWp1 to SWp3, SWn1 to SWn3) constituting the inverter device INV are all power semiconductors, and more specifically, insulated gate bipolar transistors (IGBTs).

制御装置４０は、マイクロコンピュータであって、インバータ装置ＩＮＶを操作することで、モータジェネレータ１０の制御量を制御するためのデジタル処理手段である。詳しくは、制御装置４０は、後述する絶縁手段としての磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３を備えるインターフェース４２を介して、インバータ装置ＩＮＶの各スイッチング素子ＳＷに操作信号を出力することで、インバータ装置ＩＮＶを操作する。 The control device 40 is a microcomputer and is digital processing means for controlling the control amount of the motor generator 10 by operating the inverter device INV. Specifically, the control device 40 outputs an operation signal to each switching element SW of the inverter device INV via an interface 42 including magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 as insulating means to be described later, whereby the inverter device Operate INV.

より具体的には、制御装置４０はインターフェース４２を介して各スイッチング素子ＳＷの制御端子（ゲート）に対して駆動信号を入力する駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３に駆動指令信号を出力する。駆動指令信号とは、具体的には、インバータ装置ＩＮＶの出力電圧の目標値と、インバータ装置ＩＮＶの入力電圧の検出値とに基づいて設定されるＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号である。ここで、インターフェース４２に絶縁手段を備えるのは、インバータ装置ＩＮＶや直流電源１２を備える高電圧システムと、制御装置４０を備える低電圧システムとを絶縁するためである。 More specifically, the control device 40 outputs drive command signals to the drive circuits Dp1 to Dp3 and Dn1 to Dn3 that input drive signals to the control terminals (gates) of the switching elements SW via the interface 42. Specifically, the drive command signal is a PWM (Pulse Width Modulation) signal set based on the target value of the output voltage of the inverter device INV and the detected value of the input voltage of the inverter device INV. Here, the reason why the interface 42 is provided with an insulating means is to insulate the high voltage system including the inverter device INV and the DC power supply 12 from the low voltage system including the control device 40.

スイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のエミッタはそれぞれ絶縁されており、それぞれ異なる基準電圧に接続されている。また、駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３は、駆動対象のスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のエミッタに接続されている。駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３は、駆動対象のスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のエミッタの電圧を基準電圧として、駆動対象のスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のゲートに電圧を印加する。 The emitters of the switches SWp1 to SWp3, SWn1 to SWn3 are insulated and connected to different reference voltages. The drive circuits Dp1 to Dp3 and Dn1 to Dn3 are connected to the emitters of the switches SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 to be driven. The drive circuits Dp1 to Dp3 and Dn1 to Dn3 apply voltages to the gates of the switches SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 to be driven using the voltage of the emitters of the switches SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 to be driven as reference voltages.

図２に、本実施形態にかかるインバータ装置ＩＮＶが実装される回路基板５０を示す。図示される回路基板５０は、インバータ装置ＩＮＶに接続される高電圧回路領域ＨＶと、低電圧回路領域ＬＶとの双方を有する。ここで、基本的には、図中、右側（上アームスイッチＳＷｐ３に対し、上アームスイッチＳＷｐ２が設けられている方向と逆の方向）の領域が低電圧回路領域ＬＶであり、中央及び左側（上アームスイッチＳＷｐ３に対し、上アームスイッチＳＷｐ２が設けられている方向）の領域が高電圧回路領域ＨＶである。ただし、高電圧回路領域ＨＶ内には、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３のように、低電圧システムと高電圧システムとの双方を構成する部品も混在している。 FIG. 2 shows a circuit board 50 on which the inverter device INV according to the present embodiment is mounted. The illustrated circuit board 50 has both a high voltage circuit region HV connected to the inverter device INV and a low voltage circuit region LV. Here, basically, in the drawing, the region on the right side (the direction opposite to the direction in which the upper arm switch SWp2 is provided with respect to the upper arm switch SWp3) is the low voltage circuit region LV, and the center and left side ( The region in the direction in which the upper arm switch SWp2 is provided with respect to the upper arm switch SWp3 is the high voltage circuit region HV. However, in the high voltage circuit area HV, there are also components that constitute both the low voltage system and the high voltage system, such as magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3.

制御装置４０は、図中右側の低電圧回路領域ＬＶに配置されている。インバータ装置ＩＮＶを構成する各スイッチング素子ＳＷの駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３の電源回路を構成するフライバックコンバータ用の電解コンデンサ（図示略）は、低電圧システムを構成するものとして、低電圧回路領域ＬＶに配置されている。また、駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３の電源回路を構成するフライバックコンバータ用のトランス（図示略）の１次巻線側は低電圧システムを構成するものとして低電圧回路領域ＬＶに配置され、２次巻線側は高電圧システムを構成するものとして高電圧回路領域ＨＶに配置されている。 The control device 40 is disposed in the low voltage circuit region LV on the right side in the drawing. The electrolytic capacitor (not shown) for the flyback converter that constitutes the power supply circuit of the drive circuits Dp1 to Dp3 and Dn1 to Dn3 of each switching element SW that constitutes the inverter device INV is a low voltage that constitutes a low voltage system. Arranged in the circuit region LV. Further, the primary winding side of the transformer (not shown) for the flyback converter constituting the power supply circuit of the drive circuits Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3 is arranged in the low voltage circuit region LV as constituting the low voltage system. The secondary winding side is arranged in the high voltage circuit area HV as a component of the high voltage system.

図３に示すように、上記インバータ装置ＩＮＶを構成する各スイッチング素子ＳＷは、回路基板５０の裏面（図２に示された面の裏面）側から回路基板５０に差し込まれて接続されている。ここで、各スイッチング素子ＳＷは、他の素子とともに絶縁材料で被覆されてパワーカードＰＷＣ（モジュール）を構成している。パワーカードＰＷＣには、フリーホイールダイオードＦＤや感温ダイオードＳＤも収納されているが、図３では、フリーホイールダイオードＦＤの記載を省略している。 As shown in FIG. 3, each switching element SW constituting the inverter device INV is inserted and connected to the circuit board 50 from the back side (the back side of the surface shown in FIG. 2) of the circuit board 50. Here, each switching element SW is covered with an insulating material together with other elements to constitute a power card PWC (module). The power card PWC also stores a freewheel diode FD and a temperature sensitive diode SD, but the description of the freewheel diode FD is omitted in FIG.

パワーカードＰＷＣは、高電圧側のスイッチング素子ＳＷｐが収納されたものと、低電圧側のスイッチング素子ＳＷｎが収納されたものとで互いに同一構造である。パワーカードＰＷＣは、絶縁材料から外部へ露出した複数の信号端子を有する。具体的には、スイッチング素子ＳＷのゲート端子Ｇ、エミッタ検出端子ＫＥ、センス端子ＳＥ、感温ダイオードＳＤのアノードＡおよびカソードＫの各端子が、回路基板５０に挿入され接続されている。ここで、エミッタ検出端子ＫＥは、スイッチング素子ＳＷのエミッタＥに接続され、エミッタＥと同電圧の電極である。コレクタ検出端子ＫＣは、スイッチング素子ＳＷのコレクタに接続され、コレクタと同電圧の電極である。センス端子ＳＥは、スイッチング素子ＳＷを流れる電流と相関を有する微小電流を出力するための端子である。 The power card PWC has the same structure in which the switching element SWp on the high voltage side is housed and in which the switching element SWn on the low voltage side is housed. The power card PWC has a plurality of signal terminals exposed to the outside from the insulating material. Specifically, the gate terminal G of the switching element SW, the emitter detection terminal KE, the sense terminal SE, and the anode A and cathode K terminals of the temperature-sensitive diode SD are inserted and connected to the circuit board 50. Here, the emitter detection terminal KE is connected to the emitter E of the switching element SW and is an electrode having the same voltage as the emitter E. The collector detection terminal KC is connected to the collector of the switching element SW and is an electrode having the same voltage as the collector. The sense terminal SE is a terminal for outputting a minute current having a correlation with the current flowing through the switching element SW.

図２に示すように、スイッチング素子ＳＷは、高電圧システムを構成するものであるため、これら各スイッチング素子ＳＷを他の回路と絶縁すべく、回路基板５０には、絶縁領域ＩＡが設けられている。絶縁領域ＩＡは、回路（素子や配線や電源パターン）が配置されない領域である。 As shown in FIG. 2, since the switching elements SW constitute a high voltage system, an insulating region IA is provided on the circuit board 50 in order to insulate each of the switching elements SW from other circuits. Yes. The insulating region IA is a region where a circuit (element, wiring, power supply pattern) is not arranged.

図中上の列には、上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３を備えるパワーカードＰＷＣの端子が示されており、これらは互いに絶縁領域ＩＡによって隔離されている。そして、絶縁領域ＩＡによって囲まれた領域に上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３を駆動する駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３が実装されている。これは、各上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３同士のエミッタ検出端子ＫＥの電圧が、対応する下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３がオン状態であるかオフ状態であるかに応じて、大きく変動するからである。このため、これらの駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３の動作電圧自体は小さいとはいえ、駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３同士を絶縁する必要が生じる。上記絶縁領域ＩＡの幅は、法規による要請や、絶縁破壊等を回避する観点から定められる。 In the upper row in the figure, terminals of the power card PWC including the upper arm switches SWp1 to SWp3 are shown, which are separated from each other by an insulating region IA. Then, driving circuits Dp1 to Dp3 for driving the upper arm switches SWp1 to SWp3 are mounted in a region surrounded by the insulating region IA. This is because the voltage at the emitter detection terminal KE between the upper arm switches SWp1 to SWp3 varies greatly depending on whether the corresponding lower arm switches SWn1 to SWn3 are in the on state or the off state. For this reason, it is necessary to insulate the drive circuits Dp1 to Dp3 from each other even though the operation voltages of these drive circuits Dp1 to Dp3 are small. The width of the insulating region IA is determined from the viewpoint of avoiding legal requirements, dielectric breakdown, and the like.

また、図中下の列には、下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３を備えるパワーカードＰＷＣの端子が示されている。これら下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３に対応するエミッタ検出端子ＫＥの電圧が近いため、これらの間に絶縁領域ＩＡが設けられていない。駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３の構成部品の動作電圧自体は、必ずしも低電圧回路領域ＬＶ内の部品と比較して大きいわけではない。このため、これら下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３の駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３同士は、回路基板５０上において必ずしも絶縁領域ＩＡを設ける必要がない。 In the lower column of the figure, terminals of the power card PWC including the lower arm switches SWn1 to SWn3 are shown. Since the voltages of the emitter detection terminals KE corresponding to these lower arm switches SWn1 to SWn3 are close, the insulating region IA is not provided between them. The operating voltages of the components of the drive circuits Dn1 to Dn3 are not necessarily higher than those of the components in the low voltage circuit region LV. For this reason, the drive circuits Dn1 to Dn3 of the lower arm switches SWn1 to SWn3 do not necessarily need to be provided with the insulating region IA on the circuit board 50.

しかしながら、駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３の基準電圧（対応するスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のエミッタの電圧）は、インバータ装置ＩＮＶの動作中において、スイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３のエミッタ間の抵抗成分及び誘導成分により互いに異なるものである。このため、駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３の間において、絶縁領域ＩＡは設けられていないものの、駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３同士は絶縁されている。 However, the reference voltages (voltages of the emitters of the corresponding switches SWn1 to SWn3) of the drive circuits Dn1 to Dn3 are different from each other depending on the resistance component and the induction component between the emitters of the switches SWn1 to SWn3 during the operation of the inverter device INV. is there. For this reason, although the insulating region IA is not provided between the drive circuits Dn1 to Dn3, the drive circuits Dn1 to Dn3 are insulated from each other.

駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３（以下、駆動回路Ｄとも記載する）は、対応するスイッチング素子ＳＷのゲート端子Ｇ、エミッタ検出端子ＫＥに接続されて、スイッチング素子ＳＷのゲート端子Ｇに電圧を印加することで、スイッチング素子ＳＷを駆動する。 The drive circuits Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3 (hereinafter also referred to as drive circuit D) are connected to the gate terminal G and the emitter detection terminal KE of the corresponding switching element SW, and apply a voltage to the gate terminal G of the switching element SW. By applying the voltage, the switching element SW is driven.

さらに、本実施形態の駆動回路Ｄは、対応するスイッチング素子ＳＷのセンス端子ＳＥ、並びに、感温ダイオードＳＤのアノードＡ及びカソードＫに接続される。そして、駆動回路Ｄは、センス端子ＳＥの電圧値に基づいて、スイッチング素子ＳＷに流れる電流を検出する。また、駆動回路Ｄは、感温ダイオードＳＤのアノードＡとカソードＫとの間の電圧に基づいて、スイッチング素子ＳＷの温度を検出する。また、駆動回路Ｄは、スイッチング素子ＳＷに流れる電流の検出値、及び、スイッチング素子ＳＷの温度の検出値に基づいて、スイッチング素子ＳＷの異常を判定する。また、駆動回路Ｄは、駆動回路Ｄ自身の異常を判定する。そして、駆動回路Ｄは、スイッチング素子ＳＷ及び駆動回路Ｄの異常情報（即ち、スイッチング素子ＳＷに対応する異常）を表す異常信号を制御装置４０に送信する。なお、異常判定の主体や異常信号の送信の主体はスイッチング素子ＳＷや他のＩＣであってもよい。 Furthermore, the drive circuit D of the present embodiment is connected to the sense terminal SE of the corresponding switching element SW and the anode A and cathode K of the temperature sensitive diode SD. Then, the drive circuit D detects the current flowing through the switching element SW based on the voltage value of the sense terminal SE. Further, the drive circuit D detects the temperature of the switching element SW based on the voltage between the anode A and the cathode K of the temperature sensitive diode SD. Further, the drive circuit D determines the abnormality of the switching element SW based on the detected value of the current flowing through the switching element SW and the detected value of the temperature of the switching element SW. Further, the drive circuit D determines an abnormality of the drive circuit D itself. Then, the drive circuit D transmits an abnormality signal indicating abnormality information (that is, abnormality corresponding to the switching element SW) of the switching element SW and the driving circuit D to the control device 40. Note that the main subject of abnormality determination or the main subject of transmission of an abnormal signal may be the switching element SW or another IC.

ここで、上述したように、駆動回路Ｄと制御装置４０とはインターフェース４２を介して接続されている。より具体的には、駆動回路Ｄと制御装置４０とは、インターフェース４２を構成する磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３（以下、磁気カプラＭとも記載する）を介して接続されている。 Here, as described above, the drive circuit D and the control device 40 are connected via the interface 42. More specifically, the drive circuit D and the control device 40 are connected via magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 (hereinafter also referred to as magnetic coupler M) constituting the interface 42.

図４に示すように、磁気カプラＭは、駆動回路Ｄ側に入力回路２２、制御装置４０側に出力回路２１、そして、入力回路２２と出力回路２１との間に絶縁素子であるトランス２３を備えている。入力回路２２は、磁気カプラＭに駆動回路Ｄから入力される入力信号を受信する。そして、入力回路２２は、入力信号に応じて、トランス２３を介してパルス信号を出力回路２１に送信する。出力回路２１は、入力回路２２から送信されたパルス信号に応じて、磁気カプラＭから制御装置４０に対して出力信号を送信する。ここで、駆動回路Ｄから入力回路２２に入力される信号は、駆動回路Ｄが検知した異常信号である。 As shown in FIG. 4, the magnetic coupler M includes an input circuit 22 on the drive circuit D side, an output circuit 21 on the control device 40 side, and a transformer 23 that is an insulating element between the input circuit 22 and the output circuit 21. I have. The input circuit 22 receives an input signal input from the drive circuit D to the magnetic coupler M. Then, the input circuit 22 transmits a pulse signal to the output circuit 21 via the transformer 23 according to the input signal. The output circuit 21 transmits an output signal from the magnetic coupler M to the control device 40 in accordance with the pulse signal transmitted from the input circuit 22. Here, the signal input from the drive circuit D to the input circuit 22 is an abnormal signal detected by the drive circuit D.

さらに、磁気カプラＭは、制御装置４０側に入力回路２４、駆動回路Ｄ側に出力回路２５、そして、入力回路２４と出力回路２５との間に絶縁素子であるトランス２６を備えている。入力回路２４は、磁気カプラＭに制御装置４０から入力される入力信号を受信する。そして、入力回路２４は、入力信号に応じて、トランス２６を介してパルス信号を出力回路２５に送信する。出力回路２５は、入力回路２４から送信されたパルス信号に応じて、磁気カプラＭから制御装置４０に対して出力信号を送信する。ここで、制御装置４０から入力回路２４に入力される信号は、駆動回路Ｄに対する駆動指令信号である。 Further, the magnetic coupler M includes an input circuit 24 on the control device 40 side, an output circuit 25 on the drive circuit D side, and a transformer 26 that is an insulating element between the input circuit 24 and the output circuit 25. The input circuit 24 receives an input signal input from the control device 40 to the magnetic coupler M. Then, the input circuit 24 transmits a pulse signal to the output circuit 25 via the transformer 26 according to the input signal. The output circuit 25 transmits an output signal from the magnetic coupler M to the control device 40 in accordance with the pulse signal transmitted from the input circuit 24. Here, the signal input from the control device 40 to the input circuit 24 is a drive command signal for the drive circuit D.

磁気カプラＭの出力回路２１は、スイッチＳ１を駆動することで信号を出力する。スイッチＳ１はＭＯＳ−ＦＥＴであり、磁気カプラＭの動作時において、スイッチＳ１（出力素子）がオン状態又はオフ状態にされる。スイッチＳ１がオン状態にされると、出力端子と電源（磁気カプラＭの電源電圧）とが導通状態とされて出力端子からハイ状態の信号が出力される。また、スイッチＳ１がオフ状態にされると、出力端子と電源とが遮断状態とされて、出力端子がハイインピーダンス状態（フロート状態）となる。 The output circuit 21 of the magnetic coupler M outputs a signal by driving the switch S1. The switch S1 is a MOS-FET, and when the magnetic coupler M operates, the switch S1 (output element) is turned on or off. When the switch S1 is turned on, the output terminal and the power supply (the power supply voltage of the magnetic coupler M) are brought into conduction, and a high state signal is output from the output terminal. Further, when the switch S1 is turned off, the output terminal and the power source are cut off, and the output terminal enters a high impedance state (float state).

具体的には、磁気カプラＭの１次側（駆動回路Ｄ側）に入力されている異常信号が異常の発生を表さない場合、２次側（制御装置４０側）において、対応するスイッチＳ１からそのスイッチＳ１に入力されている所定電圧を出力する。また、１次側に入力されている異常信号が異常の発生を表す場合又は磁気カプラＭが動作を停止した場合、２次側において、対応するスイッチＳ１による所定電圧の出力を停止する。 Specifically, when the abnormal signal input to the primary side (drive circuit D side) of the magnetic coupler M does not indicate the occurrence of an abnormality, the corresponding switch S1 on the secondary side (control device 40 side). To output a predetermined voltage inputted to the switch S1. Further, when the abnormality signal input to the primary side indicates the occurrence of abnormality or when the magnetic coupler M stops its operation, the output of the predetermined voltage by the corresponding switch S1 is stopped on the secondary side.

磁気カプラＭの出力回路２５は、スイッチＳ３，Ｓ４を駆動することで信号を出力する。駆動指令信号に応じて、スイッチＳ３，Ｓ４のうち一方がオン状態とされ、他方がオフ状態とされることで、出力回路２５からハイ状態又はロー状態の一方をとる駆動指令信号が駆動回路Ｄに対して出力される。 The output circuit 25 of the magnetic coupler M outputs a signal by driving the switches S3 and S4. In response to the drive command signal, one of the switches S3 and S4 is turned on, and the other is turned off, so that the drive command signal that takes either the high state or the low state is output from the output circuit 25 to the drive circuit D. Is output for.

本実施形態では、図２に示すように、配線Ｌによって隣り合う磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３を直列的に接続する構成としている。磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３を直列的に接続する構成とすることで、回路構成を簡略化することができる。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, adjacent magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 are connected in series by a wiring L. By configuring the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 in series, the circuit configuration can be simplified.

図５に磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３同士の論理的な接続、及び、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３と制御装置４０との論理的な接続を示す。ここで、磁気カプラＭｐ３が「第１の絶縁素子」に相当し、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３が「第２の絶縁素子」に相当する。 FIG. 5 shows a logical connection between the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3, and a logical connection between the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 and the control device 40. Here, the magnetic coupler Mp3 corresponds to the “first insulating element”, and the magnetic couplers Mp1 to Mp2 and Mn1 to Mn3 correspond to the “second insulating element”.

磁気カプラＭｎ３の出力を磁気カプラＭｎ２の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｎ３の出力を磁気カプラＭｎ２の電源電圧として入力している。磁気カプラＭｎ２の出力を磁気カプラＭｎ１の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｎ２の出力を磁気カプラＭｎ１の電源電圧として入力している。磁気カプラＭｎ１の出力を磁気カプラＭｐ１の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｎ１の出力を磁気カプラＭｐ１の電源電圧として入力している。磁気カプラＭｐ１の出力を磁気カプラＭｐ２の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｐ１の出力を磁気カプラＭｐ２の電源電圧として入力している。磁気カプラＭｐ２の出力を磁気カプラＭｐ３の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｐ２の出力を磁気カプラＭｐ３の電源電圧として入力している。 By connecting the output of the magnetic coupler Mn3 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn2, the output of the magnetic coupler Mn3 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mn2. By connecting the output of the magnetic coupler Mn2 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn1, the output of the magnetic coupler Mn2 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mn1. By connecting the output of the magnetic coupler Mn1 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp1, the output of the magnetic coupler Mn1 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mp1. By connecting the output of the magnetic coupler Mp1 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp2, the output of the magnetic coupler Mp1 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mp2. By connecting the output of the magnetic coupler Mp2 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp3, the output of the magnetic coupler Mp2 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mp3.

また、磁気カプラＭｎ３の電源端子Ｐには、電源回路から電源電圧として所定電圧Ｖｉｎが入力されている。所定電圧Ｖｉｎは、所定の基準電圧（具体的には、２次側の接地電圧）を基準としており、さらに、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対して電源電圧として入力した場合、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３が動作可能な高さを有する電圧である。また、磁気カプラＭｐ３の出力は、プルダウン抵抗Ｒによってプルダウンされた上で、制御装置４０に入力されている。 A predetermined voltage Vin is input as a power supply voltage from the power supply circuit to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn3. The predetermined voltage Vin is based on a predetermined reference voltage (specifically, a ground voltage on the secondary side). Further, when the predetermined voltage Vin is input as a power supply voltage to the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3, the magnetic coupler Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 are voltages having an operable height. The output of the magnetic coupler Mp3 is pulled down by the pull-down resistor R and then input to the control device 40.

本実施形態の磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３は、１次側から入力されている異常信号が異常の発生を表さず、かつ、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に所定電圧Ｖｉｎが入力されている場合、各磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に内蔵されたスイッチＳ１から所定電圧Ｖｉｎを出力する。磁気カプラＭｎ３に内蔵されたスイッチＳ１の入力端子（ドレイン）には、磁気カプラＭｐ３の電源電圧である所定電圧Ｖｉｎが入力されている。磁気カプラＭｎ３に内蔵されたスイッチＳ１がオン状態とされると、スイッチＳ１の出力端子（ソース）から所定電圧Ｖｉｎが出力される。 In the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 of the present embodiment, the abnormal signal input from the primary side does not indicate the occurrence of abnormality, and the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 have a predetermined voltage Vin. If it is input, a predetermined voltage Vin is output from the switch S1 incorporated in each of the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3. A predetermined voltage Vin, which is a power supply voltage of the magnetic coupler Mp3, is input to the input terminal (drain) of the switch S1 built in the magnetic coupler Mn3. When the switch S1 incorporated in the magnetic coupler Mn3 is turned on, a predetermined voltage Vin is output from the output terminal (source) of the switch S1.

上述した通り、所定電圧Ｖｉｎは、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対し電源電圧として入力された場合、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３が動作可能な高さに設定されている。このため、全ての異常信号が異常の発生を表さない場合、全ての磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対応するスイッチＳ１の出力は、所定電圧Ｖｉｎになる。これにより、全ての磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３の電源端子Ｐに所定電圧Ｖｉｎが入力されるとともに、制御装置４０にはハイ状態の信号（所定電圧Ｖｉｎ）が入力される。 As described above, when the predetermined voltage Vin is input as a power supply voltage to the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3, the predetermined voltage Vin is set to a height at which the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 can operate. For this reason, when all the abnormal signals do not indicate the occurrence of the abnormality, the outputs of the switches S1 corresponding to all the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 become the predetermined voltage Vin. As a result, the predetermined voltage Vin is input to the power supply terminals P of all the magnetic couplers Mp1 to Mp3, and a high state signal (predetermined voltage Vin) is input to the control device 40.

また、１次側から入力されている異常信号が異常の発生を表す場合、磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３は、スイッチＳ１による所定電圧Ｖｉｎの出力を停止する。スイッチＳ１による所定電圧Ｖｉｎの出力が停止されることで、そのスイッチＳ１の出力を電源電圧としている磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１，Ｍｎ２の動作が停止する。 When the abnormal signal input from the primary side indicates the occurrence of an abnormality, the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 stop outputting the predetermined voltage Vin by the switch S1. When the output of the predetermined voltage Vin by the switch S1 is stopped, the operations of the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1, and Mn2 using the output of the switch S1 as a power supply voltage are stopped.

例えば、磁気カプラＭｐ１に異常の発生を表す異常信号が１次側から入力された場合、磁気カプラＭｐ１の出力回路２１は、磁気カプラＭｐ１に内蔵されるスイッチＳ１をオフ状態にする。磁気カプラＭｐ１に内蔵されるスイッチＳ１がオフ状態にされることで、磁気カプラＭｐ１に隣り合う磁気カプラＭｐ２の電源端子Ｐへの所定電圧Ｖｉｎの入力が停止される。これにより、磁気カプラＭｐ２の動作が停止する。磁気カプラＭｐ２の動作が停止することで、磁気カプラＭｐ２に内蔵されるスイッチＳ１がオフ状態とされ、磁気カプラＭｐ２に隣り合う磁気カプラＭｐ３の電源端子Ｐへの所定電圧Ｖｉｎの入力が停止される。 For example, when an abnormal signal indicating the occurrence of an abnormality is input from the primary side to the magnetic coupler Mp1, the output circuit 21 of the magnetic coupler Mp1 turns off the switch S1 built in the magnetic coupler Mp1. When the switch S1 incorporated in the magnetic coupler Mp1 is turned off, the input of the predetermined voltage Vin to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp2 adjacent to the magnetic coupler Mp1 is stopped. As a result, the operation of the magnetic coupler Mp2 is stopped. When the operation of the magnetic coupler Mp2 is stopped, the switch S1 built in the magnetic coupler Mp2 is turned off, and the input of the predetermined voltage Vin to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp3 adjacent to the magnetic coupler Mp2 is stopped. .

このように直列的に接続されている磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に設けられたスイッチＳ１による所定電圧Ｖｉｎの出力が順々に停止していくことで、磁気カプラＭｐ３の出力が停止され、制御装置４０への所定電圧Ｖｉｎの入力が停止される。また、駆動回路Ｄｐ３から磁気カプラＭｐ３に入力されている異常信号が異常の発生を表す場合、磁気カプラＭｐ３は、スイッチＳ１による所定電圧Ｖｉｎの出力を停止する。本実施形態の構成では、磁気カプラＭｐ３の出力は抵抗Ｒによってプルダウンされているため、磁気カプラＭｐ３の出力が停止されると、制御装置４０にはロー状態の信号（２次側の接地電圧）が入力される。 The output of the predetermined voltage Vin by the switch S1 provided in the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 connected in series in this way is stopped in sequence, so that the output of the magnetic coupler Mp3 is stopped. The input of the predetermined voltage Vin to the control device 40 is stopped. On the other hand, when the abnormal signal input from the drive circuit Dp3 to the magnetic coupler Mp3 indicates the occurrence of an abnormality, the magnetic coupler Mp3 stops outputting the predetermined voltage Vin by the switch S1. In the configuration of the present embodiment, since the output of the magnetic coupler Mp3 is pulled down by the resistor R, when the output of the magnetic coupler Mp3 is stopped, the control device 40 receives a low signal (secondary ground voltage). Is entered.

以下、本実施形態の効果を述べる。 The effects of this embodiment will be described below.

上記構成によれば、複数の磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３から制御装置４０に対して異常信号が入力される経路が共通化される。また、「第２の絶縁素子」である磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対して異常の発生を表す異常信号が入力されていない場合、「第１の絶縁素子」である磁気カプラＭｐ３には電源電圧として所定電圧Ｖｉｎが入力される。そして、磁気カプラＭｐ１に入力されている異常信号が異常の発生を表さない場合、磁気カプラＭｐ１からハイ状態の信号（所定電圧Ｖｉｎ）が出力される。 According to the said structure, the path | route through which an abnormal signal is input with respect to the control apparatus 40 from the some magnetic coupler Mp1-Mp3, Mn1-Mn3 is shared. Further, when an abnormal signal indicating the occurrence of abnormality is not input to the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 that are “second insulating elements”, the magnetic coupler Mp3 that is “first insulating element” Is supplied with a predetermined voltage Vin as a power supply voltage. If the abnormal signal input to the magnetic coupler Mp1 does not indicate the occurrence of an abnormality, a high state signal (predetermined voltage Vin) is output from the magnetic coupler Mp1.

一方、磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３のいずれかに対して異常の発生を表す異常信号が入力されている場合、磁気カプラＭｐ３に対する所定電圧の入力が停止される。このため、磁気カプラＭｐ３に入力されている異常信号が異常の発生を表すか否かに関わらず、磁気カプラＭｐ３による所定電圧Ｖｉｎの出力が停止される。また、磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に入力されている異常信号が異常の発生を表さず、さらに、磁気カプラＭｐ３に入力されている異常信号が異常の発生を表すものであった場合、磁気カプラＭｐ３による所定電圧Ｖｉｎの出力が停止される。 On the other hand, when an abnormal signal indicating the occurrence of an abnormality is input to any one of the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3, input of a predetermined voltage to the magnetic coupler Mp3 is stopped. Therefore, the output of the predetermined voltage Vin by the magnetic coupler Mp3 is stopped regardless of whether or not the abnormal signal input to the magnetic coupler Mp3 indicates the occurrence of an abnormality. Further, when the abnormal signal input to the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 does not represent the occurrence of abnormality, and the abnormal signal input to the magnetic coupler Mp3 represents the occurrence of abnormality. The output of the predetermined voltage Vin by the magnetic coupler Mp3 is stopped.

よって、半導体スイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３に対応する異常が少なくとも１つ生じている場合、磁気カプラＭｐ３による所定電圧Ｖｉｎの出力が停止される。また、半導体スイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３に対応する異常が１つも生じていない場合、磁気カプラＭｐ３の出力が所定電圧Ｖｉｎとなる。このため、「受信装置」である制御装置４０は、半導体スイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３に対応する異常が生じているか否かを好適に判断できる。 Therefore, when at least one abnormality corresponding to the semiconductor switching elements SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 occurs, the output of the predetermined voltage Vin by the magnetic coupler Mp3 is stopped. When no abnormality corresponding to the semiconductor switching elements SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 has occurred, the output of the magnetic coupler Mp3 becomes the predetermined voltage Vin. For this reason, the control device 40 which is a “receiving device” can preferably determine whether or not an abnormality corresponding to the semiconductor switching elements SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 has occurred.

「第１の絶縁素子」である磁気カプラＭｐ３の出力をプルダウンすることで、磁気カプラＭｐ３の動作が停止した場合に、制御装置４０にロー状態の信号を入力し、「受信装置」としての制御装置４０に対して、異常の発生をより確実に伝達することが可能になる。 When the operation of the magnetic coupler Mp3 is stopped by pulling down the output of the magnetic coupler Mp3 which is the “first insulating element”, a low state signal is input to the control device 40, and the control as the “receiving device” is performed. It becomes possible to more reliably transmit the occurrence of abnormality to the device 40.

「受信装置」である制御装置４０に対して信号を出力する「第１の絶縁素子」を、制御装置４０との距離が最も近い磁気カプラＭｐ３とした。この構成により、制御装置４０に対して、異常の発生を速く伝達することが可能になるとともに、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の間における配線を簡略化できる。 The “first insulating element” that outputs a signal to the control device 40 that is the “reception device” is the magnetic coupler Mp3 that is closest to the control device 40. With this configuration, it is possible to quickly transmit the occurrence of an abnormality to the control device 40, and the wiring between the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 can be simplified.

本実施形態の「絶縁素子」は、磁気結合型の絶縁素子である。さらに具体的には、磁気カプラである。これにより、より速く異常の発生を伝達することが可能になる。 The “insulating element” in the present embodiment is a magnetically coupled insulating element. More specifically, it is a magnetic coupler. As a result, the occurrence of the abnormality can be transmitted more quickly.

（第２実施形態）
第２実施形態の構成を図６に示す。第１実施形態の磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の出力回路２１は、「出力素子」であるスイッチＳ１を内蔵する構成とした。これを変更し、第２実施形態の磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の出力回路２１Ａは、各磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対応する「出力素子」であるスイッチＳ１Ａを磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の外部に設ける構成としている。 (Second Embodiment)
The configuration of the second embodiment is shown in FIG. The output circuit 21 of the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 of the first embodiment is configured to incorporate a switch S1 that is an “output element”. By changing this, the output circuit 21A of the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 of the second embodiment replaces the switch S1A, which is an “output element” corresponding to each of the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3, with the magnetic coupler Mp1. ˜Mp3, Mn1 to Mn3 are provided outside.

スイッチＳ１Ａの入力端子（ドレイン）には、電源回路から所定電圧ＶｉｎＢがそれぞれ入力されている。「第２絶縁素子」である磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対応するスイッチＳ１Ａの出力端子（ソース）には、隣り合う磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ２の電源端子Ｐがそれぞれ接続されている。スイッチＳ１Ａの制御端子（ゲート）には、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の出力回路２１Ａが接続されている。 A predetermined voltage VinB is input from the power supply circuit to the input terminal (drain) of the switch S1A. The power terminals P of adjacent magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn2 are connected to the output terminals (sources) of the switch S1A corresponding to the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 which are “second insulating elements”, respectively. ing. An output circuit 21A of magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 is connected to the control terminal (gate) of the switch S1A.

磁気カプラＭｎ３の電源端子Ｐには、磁気カプラＭｎ３が動作可能な高さを有する電圧ＶｉｎＡが電源電圧として入力されている。「第１の絶縁素子」である磁気カプラＭｐ３に対応するスイッチＳ１Ａの出力は、抵抗Ｒによってプルダウンされた上で、「受信装置」である制御装置４０に入力されている。 A voltage VinA having a height at which the magnetic coupler Mn3 can operate is input to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn3 as a power supply voltage. The output of the switch S1A corresponding to the magnetic coupler Mp3 that is the “first insulating element” is pulled down by the resistor R and then input to the control device 40 that is the “receiving device”.

磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の出力回路２１Ａにより、対応するスイッチＳ１Ａがオン状態とされることで、隣り合う磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ２に対し、電源電圧として所定電圧ＶｉｎＢが入力される。所定電圧ＶｉｎＢは、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対し電源電圧として入力された場合、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３が動作可能な高さに設定されている。磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に入力されている全ての異常信号が異常の発生を表さない場合、全ての磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の出力回路２１Ａは、対応するスイッチＳ１Ａをオン状態とする。これにより、制御装置４０には、ハイ状態の信号（所定電圧ＶｉｎＢ）が入力される。 When the corresponding switch S1A is turned on by the output circuit 21A of the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3, the predetermined voltage VinB is input as the power supply voltage to the adjacent magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn2. Is done. The predetermined voltage VinB is set to a height at which the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 can operate when input as a power supply voltage to the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3. When all the abnormal signals input to the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 do not indicate the occurrence of the abnormality, the output circuits 21A of all the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 are connected to the corresponding switch S1A. Turn on. As a result, a high state signal (predetermined voltage VinB) is input to the control device 40.

また、磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の少なくとも１つに入力されている異常信号が異常の発生を表す場合、磁気カプラＭｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３は、スイッチＳ１Ａによる所定電圧ＶｉｎＢの出力を停止する。スイッチＳ１Ａによる所定電圧ＶｉｎＢの出力が停止されることで、そのスイッチＳ１Ａの出力を電源電圧としている磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ２の動作が停止する。 Further, when the abnormal signal input to at least one of the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 indicates the occurrence of an abnormality, the magnetic couplers Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 output the predetermined voltage VinB from the switch S1A. Stop. When the output of the predetermined voltage VinB by the switch S1A is stopped, the operations of the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn2 using the output of the switch S1A as the power supply voltage are stopped.

第１実施形態と同様に、直列的に接続されている磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３に対応するスイッチＳ１Ａによる所定電圧ＶｉｎＢの出力が順々に停止していくことで、磁気カプラＭｐ３の出力が停止され、制御装置４０への所定電圧ＶｉｎＢの入力が停止される。また、駆動回路Ｄｐ３から磁気カプラＭｐ３に入力されている異常信号が異常の発生を表す場合、磁気カプラＭｐ３は、スイッチＳ１Ａによる所定電圧Ｖｉｎの出力を停止する。 Similarly to the first embodiment, the output of the predetermined voltage VinB by the switch S1A corresponding to the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and Mn1 to Mn3 connected in series is stopped in sequence, so that the magnetic coupler Mp3 The output is stopped, and the input of the predetermined voltage VinB to the control device 40 is stopped. Further, when the abnormal signal input from the drive circuit Dp3 to the magnetic coupler Mp3 indicates the occurrence of an abnormality, the magnetic coupler Mp3 stops the output of the predetermined voltage Vin by the switch S1A.

本実施形態の構成では、磁気カプラＭｐ３の出力は抵抗Ｒによってプルダウンされているため、磁気カプラＭｐ３に対応するスイッチＳ１Ａの出力が停止されると、制御装置４０にはロー状態の信号（２次側の接地電圧）が入力される。 In the configuration of the present embodiment, since the output of the magnetic coupler Mp3 is pulled down by the resistor R, when the output of the switch S1A corresponding to the magnetic coupler Mp3 is stopped, the control device 40 notifies the low state signal (secondary Side ground voltage).

磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３にそれぞれ対応する「出力素子」であるスイッチＳ１Ａが磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３，Ｍｎ１〜Ｍｎ３の外部に設けられている第２実施形態の構成は、第１実施形態と同様の効果を奏する。 The configuration of the second embodiment in which the switch S1A, which is an “output element” corresponding to each of the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3, is provided outside the magnetic couplers Mp1 to Mp3, Mn1 to Mn3 is the first embodiment. Has the same effect as.

（第３実施形態）
第３実施形態の構成を図７に示す。本実施形態の「信号伝達システム」は、上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３に対応する異常信号を伝達する「第１の信号伝達回路」と、下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３に対応する「第２の信号伝達回路」とを有している。そして、「第１の信号伝達回路」は、磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３を有し、「第２の信号伝達回路」は、磁気カプラＭｎ１〜Ｍｎ３を有している。 (Third embodiment)
The configuration of the third embodiment is shown in FIG. The “signal transmission system” of the present embodiment includes a “first signal transmission circuit” that transmits abnormal signals corresponding to the upper arm switches SWp1 to SWp3 and a “second signal transmission” that corresponds to the lower arm switches SWn1 to SWn3. Circuit ". The “first signal transmission circuit” includes magnetic couplers Mp1 to Mp3, and the “second signal transmission circuit” includes magnetic couplers Mn1 to Mn3.

図７に示すように、磁気カプラＭｐ１の出力を磁気カプラＭｐ２の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｐ１の出力を磁気カプラＭｐ２の電源電圧として入力している。また、磁気カプラＭｐ２の出力を磁気カプラＭｐ３の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｎｐの出力を磁気カプラＭｐ３の電源電圧として入力している。また、磁気カプラＭｐ１の電源端子Ｐには、電源回路から電源電圧として所定電圧Ｖｉｎが入力されている。また、磁気カプラＭｐ３の出力は、プルダウン抵抗Ｒｐによってプルダウンされた上で、制御装置４０に入力されている。 As shown in FIG. 7, by connecting the output of the magnetic coupler Mp1 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp2, the output of the magnetic coupler Mp1 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mp2. Further, by connecting the output of the magnetic coupler Mp2 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp3, the output of the magnetic coupler Mnp is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mp3. A predetermined voltage Vin is input from the power supply circuit to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mp1. Further, the output of the magnetic coupler Mp3 is pulled down by the pull-down resistor Rp and then input to the control device 40.

また、磁気カプラＭｎ１の出力を磁気カプラＭｎ２の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｎ１の出力を磁気カプラＭｎ２の電源電圧として入力している。また、磁気カプラＭｎ２の出力を磁気カプラＭｎ３の電源端子Ｐに接続することで、磁気カプラＭｎ２の出力を磁気カプラＭｎ３の電源電圧として入力している。また、磁気カプラＭｎ１の電源端子Ｐには、電源回路から電源電圧として所定電圧Ｖｉｎが入力されている。また、磁気カプラＭｎ３の出力は、プルダウン抵抗Ｒｎによってプルダウンされた上で、制御装置４０に入力されている。 Further, by connecting the output of the magnetic coupler Mn1 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn2, the output of the magnetic coupler Mn1 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mn2. Further, by connecting the output of the magnetic coupler Mn2 to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn3, the output of the magnetic coupler Mn2 is input as the power supply voltage of the magnetic coupler Mn3. A predetermined voltage Vin is input from the power supply circuit to the power supply terminal P of the magnetic coupler Mn1 as a power supply voltage. The output of the magnetic coupler Mn3 is pulled down by the pull-down resistor Rn and then input to the control device 40.

図８に磁気カプラＭｐ１〜Ｍｐ３を接続する配線Ｌｐ、及び、磁気カプラＭｎ１〜Ｍｎ３を接続する配線Ｌｎを示す。配線Ｌｐ，Ｌｎは、それぞれ、第１実施形態の図２に示す配線Ｌより配線長が短くなっている。これにより、制御装置４０が駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３の異常をより早く取得することが可能になる。 FIG. 8 shows a wiring Lp connecting the magnetic couplers Mp1 to Mp3 and a wiring Ln connecting the magnetic couplers Mn1 to Mn3. The wirings Lp and Ln each have a shorter wiring length than the wiring L shown in FIG. 2 of the first embodiment. Thereby, the control device 40 can acquire the abnormality of the drive circuits Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3 earlier.

また、制御装置４０が上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３の駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３の異常信号と下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３の駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３の異常信号とを独立して取得することで、制御装置４０が駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３の異常をより早く取得することが可能になる。 Further, the control device 40 obtains the abnormal signals of the drive circuits Dp1 to Dp3 of the upper arm switches SWp1 to SWp3 and the abnormal signals of the drive circuits Dn1 to Dn3 of the lower arm switches SWn1 to SWn3 independently, so that the control device 40 is obtained. However, it is possible to acquire the abnormality of the drive circuits Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3 earlier.

また、上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３に対応する異常と、下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３に対応する異常とが別の経路により制御装置４０に入力される。これにより、例えば、上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３の駆動回路Ｄｐ１〜Ｄｐ３が異常を検知した場合は、制御装置４０が下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３を制御することで、インバータ装置ＩＮＶに蓄積された電力を放電することができる。また、下アームスイッチＳＷｎ１〜ＳＷｎ３の駆動回路Ｄｎ１〜Ｄｎ３が異常を検知した場合は、制御装置４０が上アームスイッチＳＷｐ１〜ＳＷｐ３を制御することで、インバータ装置ＩＮＶに蓄積された電力を放電することができる。 Further, the abnormality corresponding to the upper arm switches SWp1 to SWp3 and the abnormality corresponding to the lower arm switches SWn1 to SWn3 are input to the control device 40 through different paths. Thereby, for example, when the drive circuits Dp1 to Dp3 of the upper arm switches SWp1 to SWp3 detect an abnormality, the control device 40 controls the lower arm switches SWn1 to SWn3, so that the electric power accumulated in the inverter device INV is obtained. Can be discharged. When the drive circuits Dn1 to Dn3 of the lower arm switches SWn1 to SWn3 detect an abnormality, the control device 40 controls the upper arm switches SWp1 to SWp3 to discharge the electric power accumulated in the inverter device INV. Can do.

（第４実施形態）
第１実施形態の説明において述べたとおり、磁気カプラＭは、対応する駆動回路Ｄが設けられた領域から制御装置４０へ異常信号を伝達する経路と、制御装置４０から対応する駆動回路Ｄへ駆動指令信号を伝達する経路とを有するものである。本実施形態の磁気カプラＭＡは、さらに、その磁気カプラＭＡに対応する出力素子Ｓ１の出力に応じて、制御装置４０から対応する駆動回路Ｄへの駆動指令信号の伝達を停止する。 (Fourth embodiment)
As described in the description of the first embodiment, the magnetic coupler M is driven from the region where the corresponding driving circuit D is provided to the control device 40 and the path from the control device 40 to the corresponding driving circuit D. And a path for transmitting the command signal. The magnetic coupler MA of the present embodiment further stops the transmission of the drive command signal from the control device 40 to the corresponding drive circuit D according to the output of the output element S1 corresponding to the magnetic coupler MA.

具体的には、図９に示すように、磁気カプラＭＡは、入力回路２２、出力回路２１及びトランス２３から構成され、対応する駆動回路Ｄが設けられた領域から制御装置４０へ異常信号を伝達する経路を有する。また、磁気カプラＭＡは、入力回路２４、出力回路２５及びトランス２６から構成され、制御装置４０から対応する駆動回路Ｄへ駆動指令信号を伝達する経路を有する。そして、出力回路２１に設けられたスイッチＳ１の出力と、制御装置４０から入力される駆動指令信号とが、ＡＮＤ回路２７に入力され、ＡＮＤ回路２７の出力が入力回路２４に入力される。スイッチＳ１の出力が停止されている場合、ＡＮＤ回路２７の出力はロー状態とされる。 Specifically, as shown in FIG. 9, the magnetic coupler MA includes an input circuit 22, an output circuit 21, and a transformer 23, and transmits an abnormal signal from the region where the corresponding drive circuit D is provided to the control device 40. Have a route to The magnetic coupler MA includes an input circuit 24, an output circuit 25, and a transformer 26, and has a path for transmitting a drive command signal from the control device 40 to the corresponding drive circuit D. The output of the switch S 1 provided in the output circuit 21 and the drive command signal input from the control device 40 are input to the AND circuit 27, and the output of the AND circuit 27 is input to the input circuit 24. When the output of the switch S1 is stopped, the output of the AND circuit 27 is in a low state.

本構成によれば、半導体スイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３にそれぞれ対応する異常が生じた場合に、その半導体スイッチング素子ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３の駆動を、制御装置４０によることなく早急に停止することができる。 According to this configuration, when an abnormality corresponding to each of the semiconductor switching elements SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 occurs, the driving of the semiconductor switching elements SWp1 to SWp3 and SWn1 to SWn3 is quickly performed without the control device 40. Can be stopped.

（他の実施形態）
・「電源システム」は、インバータ装置以外のものであってもよい。例えば、ＤＣＤＣコンバータなどであってもよい。 (Other embodiments)
The “power supply system” may be other than the inverter device. For example, a DCDC converter may be used.

・「絶縁素子」として、容量結合方式の絶縁素子を用いてもよい。 As the “insulating element”, a capacitively coupled insulating element may be used.

・上記実施形態では、「出力素子」として、図５などに示すとおり、ハイ状態又はハイインピーダンス状態を出力するオープンソース型のＭＯＳ−ＦＥＴを用いる構成とした。これを変更し、図１０に示すように、ハイ状態（電源電圧）又はロー状態（接地電圧）を出力するプッシュプル型のＭＯＳ−ＦＥＴ（スイッチＳ１，Ｓ２）を用いる構成としてもよい。 In the above embodiment, as the “output element”, an open source MOS-FET that outputs a high state or a high impedance state is used as shown in FIG. By changing this, as shown in FIG. 10, push-pull type MOS-FETs (switches S1, S2) that output a high state (power supply voltage) or a low state (ground voltage) may be used.

Ｍｐ１，Ｍｐ２，Ｍｎ１〜Ｍｎ３…磁気カプラ（第２の絶縁素子）、Ｍｐ３…磁気カプラ（第１の絶縁素子）、Ｓ１…スイッチ（出力素子）、４０…制御装置、Ｄｐ１〜Ｄｐ３，Ｄｎ１〜Ｄｎ３…駆動回路、ＩＮＶ…インバータ装置、ＳＷｐ１〜ＳＷｐ３，ＳＷｎ１〜ＳＷｎ３…半導体スイッチング素子。 Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3 ... magnetic coupler (second insulating element), Mp3 ... magnetic coupler (first insulating element), S1 ... switch (output element), 40 ... control device, Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3 ... Drive circuit, INV ... Inverter device, SWp1-SWp3, SWn1-SWn3 ... Semiconductor switching element.

Claims

A plurality of semiconductor switching elements (SWp1 to SWp3, SWn1 to SWn3) are respectively driven and applied to a power supply circuit (INV) having a plurality of drive circuits (Dp1 to Dp3, Dn1 to Dn3) insulated from each other.
An abnormality signal representing an abnormality corresponding to each of the plurality of semiconductor switching elements is sent from the primary side region where the plurality of driving circuits are respectively provided to the secondary side receiving device (40). ~ Mp3, Mn1 to Mn3)
Each of the plurality of insulating elements has a corresponding output element (S1, S1A) on the secondary side, and the output element has an abnormality caused by the abnormal signal input to the primary side of the insulating element. When not represented, when outputting a predetermined voltage and the abnormal signal input to the primary side of the insulating element represents the occurrence of abnormality or when the insulating element has stopped operating, on the secondary side, Stop outputting the predetermined voltage by the corresponding output element;
The predetermined voltage is based on a predetermined reference voltage, and further has a height at which the insulating element can operate when input as a power supply voltage to the insulating element.
The plurality of insulating elements are:
An output of the output element corresponding to the other insulating element is input as a power supply voltage, and a first insulating element (Mp3) of which the output of the corresponding output element is input to the receiving device;
A voltage having a height at which the insulating element can operate or an output of the output element corresponding to another insulating element is input as a power supply voltage, and an output of the corresponding output element is supplied to another insulating element as a power source One or a plurality of second insulating elements (Mp1, Mp2, Mn1 to Mn3) that are input as a voltage;
A signal transmission circuit comprising:

The signal transmission circuit according to claim 1, wherein an output of the output element corresponding to the first insulating element is pulled down.

The receiving device is a control device that outputs a drive command signal that commands the drive circuit to drive the semiconductor switching element,
The insulating element has a path for transmitting the abnormal signal from the region where the corresponding drive circuit is provided to the control device, and a path for transmitting a drive command signal from the control device to the corresponding drive circuit. Because
The said insulating element stops transmission of the drive command signal from the said control apparatus to the said corresponding drive circuit according to the output of the said output element corresponding to the said insulated element. The signal transmission circuit described.

The output element corresponding to the first insulating element among all the output elements is the one closest to the receiving device. 4. Signal transmission circuit.

The signal transmission circuit according to claim 1, wherein the insulating element is a magnetic coupling type insulating element.

The semiconductor switching element constitutes an inverter device (INV) and is one of an upper arm switching element (SWp1 to SWp3) connected in series and a lower arm switching element (SWn1 to SWn3). ,
The signal transmission circuit according to any one of claims 1 to 5 is provided as a first signal transmission circuit corresponding to the upper arm switching element, and any one of claims 1 to 5. The signal transmission circuit according to claim 1 is provided as a second signal transmission circuit corresponding to the lower arm switching element.