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JP6552687B2 - Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program - Google Patents

Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer readable storage medium storing substrate liquid processing program Download PDF

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JP6552687B2 JP2018129797A JP2018129797A JP6552687B2 JP 6552687 B2 JP6552687 B2 JP 6552687B2 JP 2018129797 A JP2018129797 A JP 2018129797A JP 2018129797 A JP2018129797 A JP 2018129797A JP 6552687 B2 JP6552687 B2 JP 6552687B2
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Description

本発明は、基板を処理する処理液中の濃度（たとえば、シリコン濃度）を計測する基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。   The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus and a substrate liquid processing method for measuring the concentration (for example, silicon concentration) in a processing liquid for processing a substrate, and a computer readable storage medium storing a substrate liquid processing program.

半導体部品やフラットパネルディスプレイなどの製造には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液（処理液）でエッチング処理する基板液処理装置が用いられている。   In the manufacture of semiconductor components, flat panel displays, etc., a substrate liquid processing apparatus is used that performs an etching process on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate with an etching liquid (processing liquid).

従来の基板液処理装置は、基板を処理するための処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に処理液を供給する処理液供給部と、処理液貯留部で貯留した処理液を循環させて処理液の加熱等を行う処理液循環部とを有している。   The conventional substrate liquid processing apparatus includes a processing liquid storage unit for storing a processing liquid for processing a substrate, a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the processing liquid storage unit, and a processing liquid stored in the processing liquid storage unit. And a processing liquid circulation section for heating the processing liquid and the like.

そして、基板液処理装置は、処理液貯留部に貯留した処理液に複数枚の基板を浸漬させて基板を処理液で液処理する。また、基板液処理装置は、処理液供給部から供給された処理液を処理液循環部で循環させて所定の温度に加熱する。   Then, the substrate liquid processing apparatus immerses a plurality of substrates in the processing liquid stored in the processing liquid storage unit, and liquid-processes the substrate with the processing liquid. Further, the substrate liquid processing apparatus circulates the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit in the processing liquid circulation unit and heats it to a predetermined temperature.

この基板液処理装置では、処理液で基板を繰返し処理すると、基板の処理によって処理液に含有される不純物等の濃度が増加してしまい、基板を良好に処理することができなくなる。たとえば、基板をリン酸水溶液（エッチング液）でエッチング処理する場合には、処理液の能力（エッチングレート）が処理液中のシリコン濃度に依存するために処理液中のシリコン濃度を一定範囲内に保持する必要があるが、基板の処理を繰り返すことでエッチング液中のシリコン濃度が増加し、処理液の能力が低下して基板を良好にエッチング処理することができなくなる。   In this substrate liquid processing apparatus, when the substrate is repeatedly processed with the processing liquid, the concentration of impurities and the like contained in the processing liquid increases due to the processing of the substrate, and the substrate cannot be processed satisfactorily. For example, when the substrate is etched with a phosphoric acid aqueous solution (etching solution), the silicon concentration in the processing solution is within a certain range because the processing solution capacity (etching rate) depends on the silicon concentration in the processing solution. Although it is necessary to hold the substrate, by repeating the treatment of the substrate, the concentration of silicon in the etching solution is increased, the ability of the treatment solution is lowered, and the substrate can not be etched well.

そのため、従来の基板液処理装置では、処理液中のシリコン濃度を計測するための濃度センサを設けている。   Therefore, the conventional substrate liquid processing apparatus is provided with a concentration sensor for measuring the silicon concentration in the processing liquid.

特開２００１−２３９５２号公報JP 2001-23952

ところが、上記従来の基板液処理装置では、濃度センサが故障や誤作動するおそれがある。   However, in the conventional substrate liquid processing apparatus, the concentration sensor may malfunction or malfunction.

そこで、本発明では、処理液貯留部に貯留した基板を処理するための処理液を所定のタイミングで処理液排出部から排出させるとともに、処理液供給部から新たな前記処理液を供給し、前記処理液について所定のタイミングで前記処理液中の濃度を濃度センサで計測し、前記濃度センサで前記処理液中の濃度を計測する前記所定のタイミングは、前記処理液排出部から前記処理液を排出する前記所定のタイミングよりも頻度を少なくして、前記処理液の一部だけを濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測することで前記処理液排出部から排出される前記処理液よりも前記濃度センサに接液させる前記処理液が少なくなるようにした。
Therefore, in the present invention, together with discharging the processing liquid reservoir processing solution for processing the substrates stored in the processing liquid discharge unit at a predetermined timing, to supply a new treatment fluid from the treatment liquid supply unit, wherein The concentration in the treatment liquid is measured by the concentration sensor at a predetermined timing for the treatment liquid, and the predetermined timing at which the concentration in the treatment liquid is measured by the concentration sensor is the discharge of the treatment liquid from the treatment liquid discharger. The frequency of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit by bringing the concentration sensor into contact with only a part of the processing liquid with less frequency than the predetermined timing. The amount of the treatment liquid that contacts the concentration sensor is less than that of the liquid.

特に、前記処理液の一部だけを分岐して前記濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測することにした。   In particular, only a part of the processing solution is branched and brought into contact with the concentration sensor to measure the concentration in the processing solution.

本発明では、濃度センサの故障や誤作動等の発生を防止することができ、基板を良好に液処理することができる。   According to the present invention, the occurrence of failure or malfunction of the concentration sensor can be prevented, and the substrate can be treated well.

基板液処理装置を示す平面説明図。Plane explanatory drawing which shows a substrate liquid processing apparatus. エッチング処理装置を示す説明図。Explanatory drawing which shows an etching processing apparatus. 処理液排出部を示す説明図。Explanatory drawing which shows a process liquid discharge part. 基板液処理方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows a substrate liquid processing method. 基板液処理方法を示す説明図。Explanatory drawing which shows a substrate liquid processing method.

以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, specific configurations of a substrate liquid processing apparatus, a substrate liquid processing method, and a substrate liquid processing program according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図１に示すように、基板液処理装置１は、キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、制御部７を有する。   As shown in FIG. 1, the substrate liquid processing apparatus 1 has a carrier loading / unloading unit 2, a lot formation unit 3, a lot placement unit 4, a lot conveyance unit 5, a lot processing unit 6, and a control unit 7.

キャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、25枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。   The carrier loading / unloading unit 2 carries in / outs the carrier 9 in which a plurality of (for example, 25) substrates (silicon wafers) 8 are vertically arranged in a horizontal posture.

このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ10と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア９を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。   The carrier loading / unloading unit 2 includes a carrier stage 10 on which a plurality of carriers 9 are placed, a carrier transport mechanism 11 that transports the carriers 9, carrier carriers 12, 13 that temporarily store the carriers 9, A carrier mounting table 14 on which the carrier 9 is mounted is provided. Here, the carrier stock 12 is temporarily stored before the substrate 8 as a product is processed by the lot processing unit 6. The carrier stock 13 is temporarily stored after the substrate 8 to be a product is processed by the lot processing unit 6.

そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９をキャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。   Then, the carrier loading / unloading unit 2 transports the carrier 9 loaded onto the carrier stage 10 from the outside to the carrier stock 12 or the carrier mounting table 14 using the carrier transport mechanism 11. The carrier loading / unloading unit 2 transports the carrier 9 placed on the carrier placing table 14 to the carrier stock 13 and the carrier stage 10 using the carrier carrying mechanism 11. The carrier 9 conveyed to the carrier stage 10 is carried out to the outside.

ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、50枚）の基板８からなるロットを形成する。   The lot formation unit 3 forms a lot consisting of a plurality of (for example, 50) substrates 8 simultaneously processed by combining the substrates 8 accommodated in one or a plurality of carriers 9.

このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。   The lot forming unit 3 is provided with a substrate transfer mechanism 15 for transferring a plurality of substrates 8. The substrate transport mechanism 15 can change the posture of the substrate 8 from the horizontal posture to the vertical posture and the vertical posture to the horizontal posture during the conveyance of the substrate 8.

そして、ロット形成部３は、キャリア載置台14に載置されたキャリア９から基板搬送機構15を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロット載置部４でロットを形成する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。   Then, the lot formation unit 3 conveys the substrate 8 from the carrier 9 placed on the carrier placement table 14 to the lot placement unit 4 using the substrate transfer mechanism 15 and forms a lot in the lot placement unit 4. In addition, the lot formation unit 3 transports the lot placed on the lot placement unit 4 to the carrier 9 placed on the carrier placement table 14 by the substrate transfer mechanism 15. The substrate transfer mechanism 15 serves as a substrate support unit for supporting a plurality of substrates 8 and includes a pre-processing substrate support unit that supports the substrate 8 before processing (before being transported by the lot transport unit 5), and There are two types of post-processing substrate supporting portions for supporting the substrate 8 after (after being transported by the lot transport unit 5). This prevents particles or the like adhering to the substrate 8 before processing from being transferred to the substrate 8 after processing.

ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置（待機）する。   The lot placing unit 4 temporarily places (waits) the lot carried by the lot carrying unit 5 between the lot forming unit 3 and the lot processing unit 6 on the lot placing table 16.

このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。   The lot placement unit 4 includes a loading-side lot placement table 17 for placing a lot before processing (before being transported by the lot transport unit 5), and after processing (after transported by the lot transport unit 5). A carry-out lot mounting table 18 on which the lot is mounted is provided. A plurality of substrates 8 for one lot are placed on the loading-side lot placement table 17 and the unloading-side lot placement table 18 in a vertical posture in the front-rear direction.

そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。   In the lot placement unit 4, the lot formed by the lot formation unit 3 is placed on the carry-in side lot placement table 17, and the lot is carried into the lot processing unit 6 via the lot transport unit 5. In the lot placement unit 4, the lot carried out from the lot processing unit 6 via the lot transport unit 5 is placed on the carry-out side lot placement table 18, and the lot is transported to the lot forming unit 3.

ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。   The lot transport unit 5 transports lots between the lot placing unit 4 and the lot processing unit 6 or between the lot processing units 6.

このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板８を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。   The lot transport unit 5 is provided with a lot transport mechanism 19 for transporting a lot. The lot transfer mechanism 19 includes a rail 20 disposed along the lot placement unit 4 and the lot processing unit 6 and a movable body 21 moving along the rail 20 while holding a plurality of substrates 8. The moving body 21 is provided with a substrate holding body 22 for holding a plurality of substrates 8 arranged in the front-rear direction in a vertical posture so as to freely advance and retract.

そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部６に受渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。   Then, the lot transfer unit 5 receives the lot placed on the loading-side lot mounting table 17 by the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19 and transfers the lot to the lot processing unit 6. In addition, the lot transfer unit 5 receives the lot processed by the lot processing unit 6 by the substrate holder 22 of the lot transfer mechanism 19 and transfers the lot to the unloading lot mounting table 18. Further, the lot transfer unit 5 uses the lot transfer mechanism 19 to transfer the lot within the lot processing unit 6.

ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。   The lot processing unit 6 performs processing such as etching, cleaning, and drying by using a plurality of substrates 8 arranged in the front and back in a vertical posture as one lot.

このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板８のエッチング処理を行う２台のエッチング処理装置26とが並べて設けられている。   The lot processing unit 6 includes a drying processing unit 23 for drying the substrate 8, a substrate holding body cleaning processing unit 24 for cleaning the substrate holding body 22, and a cleaning processing unit 25 for cleaning the substrate 8. And two etching apparatuses 26 for performing the etching process of the substrate 8 are provided side by side.

乾燥処理装置23は、処理槽27に基板昇降機構28を昇降自在に設けている。処理槽27には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構28には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。   In the drying processing apparatus 23, a substrate elevating mechanism 28 is provided in a processing tank 27 so as to be movable up and down. The processing tank 27 is supplied with a processing gas for drying (IPA (isopropyl alcohol) or the like). The substrate lifting mechanism 28 holds a plurality of substrates 8 for one lot side by side in the vertical posture. The drying processing device 23 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 28, and lifts and lowers the lot by the substrate lifting mechanism 28, thereby using the drying processing gas supplied to the processing tank 27. The substrate 8 is dried. Further, the drying processing apparatus 23 delivers the lot from the substrate lifting mechanism 28 to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19.

基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。   The substrate holder cleaning processing device 24 is configured to be able to supply a cleaning processing liquid and a dry gas to the processing tank 29, and after supplying the cleaning processing liquid to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19, The substrate holder 22 is cleaned by supplying the dry gas.

洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30，31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。   The cleaning processing apparatus 25 has a processing tank 30 for cleaning and a processing tank 31 for rinsing, and substrate lift mechanisms 32 and 33 are provided in the processing tanks 30 and 31 so as to be able to move up and down. A cleaning processing solution (SC-1 or the like) is stored in the cleaning processing tank 30. The rinsing treatment tank 31 stores a rinsing treatment liquid (pure water or the like).

エッチング処理装置26は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36，37を昇降自在に設けている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液（リン酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。   The etching processing apparatus 26 has a processing bath 34 for etching and a processing bath 35 for rinsing, and substrate lift mechanisms 36 and 37 are provided in the processing baths 34 and 35 so as to be able to move up and down. The etching treatment tank 34 stores an etching treatment liquid (phosphoric acid aqueous solution). The rinsing treatment tank 35 stores a rinsing treatment liquid (pure water or the like).

これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置26は、同様の構成となっている。エッチング処理装置26について説明すると、基板昇降機構36,37には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。また、エッチング処理装置26は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、エッチング処理装置26は、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受渡す。   The cleaning processing device 25 and the etching processing device 26 have the same configuration. When the etching processing apparatus 26 is described, a plurality of substrates 8 for one lot are vertically arranged and held side by side by the substrate lifting mechanisms 36 and 37. The etching processing apparatus 26 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 36, and the substrate lifting mechanism 36 moves the lot up and down so that the lot is immersed in the etching processing liquid in the processing tank 34. Then, the substrate 8 is etched. Thereafter, the etching processing apparatus 26 delivers the lot from the substrate lifting mechanism 36 to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19. In addition, the etching processing device 26 receives the lot from the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19 by the substrate lifting mechanism 37, and lifts the lot by the substrate lifting mechanism 37, thereby processing the lot into the processing liquid for rinsing the processing tank 35. Then, the substrate 8 is rinsed. Thereafter, the etching processing apparatus 26 delivers the lot from the substrate lifting mechanism 37 to the substrate holder 22 of the lot transport mechanism 19.

このエッチング処理装置26では、所定濃度の薬剤（リン酸）の水溶液（88.3重量％のリン酸水溶液）を処理液（エッチング液）として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。   In this etching processing apparatus 26, the substrate 8 is subjected to liquid processing (etching processing) using an aqueous solution (88.3% by weight of phosphoric acid aqueous solution) of a chemical (phosphoric acid) having a predetermined concentration as a processing liquid (etching liquid).

エッチング処理装置26は、図２に示すように、所定濃度のリン酸水溶液（88.3重量％のリン酸水溶液）からなる処理液を貯留するとともに基板８を処理するための処理液貯留部38と、処理液貯留部38に処理液を供給するための処理液供給部39と、処理液貯留部38に貯留された処理液を循環させるための処理液循環部40と、処理液貯留部38から処理液を排出する処理液排出部41とを有する。   As shown in FIG. 2, the etching processing apparatus 26 stores a processing liquid made of a phosphoric acid aqueous solution having a predetermined concentration (88.3% by weight phosphoric acid aqueous solution) and a processing liquid storage unit 38 for processing the substrate 8; A treatment liquid supply unit 39 for supplying the treatment liquid to the treatment liquid storage unit 38, a treatment liquid circulation unit 40 for circulating the treatment liquid stored in the treatment liquid storage unit 38, and a process from the treatment liquid storage unit 38 A treatment liquid discharger 41 for discharging the liquid;

処理液貯留部38は、上部を開放させた処理槽34の上部周囲に上部を開放させた外槽42を形成し、処理槽34と外槽42に処理液を貯留する。処理槽34では、基板８を基板昇降機構36によって浸漬させることで液処理する処理液を貯留する。外槽42では、処理槽34からオーバーフローした処理液を貯留するとともに、処理液循環部40によって処理槽34に処理液を供給する。   The treatment liquid storage unit 38 forms an outer tank 42 having an open upper part around the upper part of the treatment tank 34 having an open upper part, and stores the treatment liquid in the treatment tank 34 and the outer tank 42. In the processing tank 34, a processing liquid to be liquid processed is stored by immersing the substrate 8 by the substrate lifting mechanism 36. In the outer tank 42, the processing liquid overflowed from the processing tank 34 is stored, and the processing liquid is supplied to the processing tank 34 by the processing liquid circulation unit 40.

処理液供給部39は、処理液貯留部38に処理液とは異なる濃度（処理液よりも低い濃度）の薬剤（リン酸）の水溶液（85重量％のリン酸水溶液）を供給するための水溶液供給部43と、処理液貯留部38に水（純水）を供給するための水供給部44とで構成されている。   The treatment liquid supply unit 39 is an aqueous solution for supplying to the treatment liquid storage unit 38 an aqueous solution (85 wt% phosphoric acid aqueous solution) of a drug (phosphoric acid) having a different concentration (a lower concentration than the treatment liquid) A supply unit 43 and a water supply unit 44 for supplying water (pure water) to the treatment liquid storage unit 38 are provided.

水溶液供給部43は、所定濃度（８５重量％）及び所定温度（25℃）のリン酸水溶液を供給するための水溶液供給源45を処理液貯留部38の外槽42に流量調整器46を介して接続する。流量調整器46は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。   The aqueous solution supply unit 43 supplies the aqueous solution supply source 45 for supplying a phosphoric acid aqueous solution having a predetermined concentration (85% by weight) and a predetermined temperature (25 ° C.) to the outer tank 42 of the treatment liquid storage unit 38 via a flow rate adjuster 46. Connect. The flow rate regulator 46 is connected to the control unit 7, and the control unit 7 performs open / close control and flow rate control.

水供給部44は、所定温度（25℃）の純水を供給するための水供給源47を処理液貯留部38の外槽42に流量調整器48を介して接続する。流量調整器48は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。   The water supply unit 44 connects a water supply source 47 for supplying pure water at a predetermined temperature (25 ° C.) to the outer tank 42 of the treatment liquid storage unit 38 via the flow rate adjuster 48. The flow rate regulator 48 is connected to the control unit 7, and the control unit 7 performs open / close control and flow rate control.

処理液循環部40は、処理液貯留部38の外槽42の底部と処理槽34の底部との間に循環流路49を形成する。循環流路49には、ポンプ50、ヒーター51、フィルター52が順に設けられている。ポンプ50及びヒーター51は、制御部７に接続されており、制御部７で駆動制御される。そして、処理液循環部40は、ポンプ50を駆動させることで外槽42から処理槽34に処理液を循環させる。その際に、ヒーター51で処理液を所定温度（165℃）に加熱する。   The processing liquid circulation unit 40 forms a circulation channel 49 between the bottom of the outer tank 42 of the processing liquid storage unit 38 and the bottom of the processing tank 34. In the circulation channel 49, a pump 50, a heater 51, and a filter 52 are provided in this order. The pump 50 and the heater 51 are connected to the control unit 7 and are driven and controlled by the control unit 7. Then, the treatment liquid circulating unit 40 circulates the treatment liquid from the outer tank 42 to the treatment tank 34 by driving the pump 50. At that time, the treatment liquid is heated to a predetermined temperature (165 ° C.) by the heater 51.

処理液排出部41は、処理液貯留部38から処理液を排出する第１の処理液排出部53と、処理液循環部40から処理液を排出する第２の処理液排出部54とで構成されている。   The treatment liquid discharge unit 41 is configured of a first treatment liquid discharge unit 53 that discharges the treatment liquid from the treatment liquid storage unit 38 and a second treatment liquid discharge unit 54 that discharges the treatment liquid from the treatment liquid circulation unit 40. It is done.

第１の処理液排出部53は、処理液貯留部38の処理槽34の底部に外部の排液管と連通する排出流路55を接続し、排出流路55に開閉弁56を設けている。開閉弁56は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。   The first processing liquid discharge unit 53 connects a discharge flow channel 55 communicating with an external liquid discharge pipe to the bottom of the processing tank 34 of the processing liquid storage unit 38, and the discharge flow channel 55 is provided with an on-off valve 56. . The on-off valve 56 is connected to the control unit 7 and is controlled to open and close by the control unit 7.

第２の処理液排出部54は、処理液循環部40の循環流路49の中途部（ヒーター51とフィルター52の間）に外部の排液管と連通する排出流路57を接続し、排出流路57に開閉弁58を設けている。さらに、排出流路57の中途部（開閉弁58の下流側）に外部の排液管と連通するバイパス流路59を接続し、バイパス流路59に開閉弁60と処理液中のシリコン濃度を計測するための濃度センサ61を順に設けている。開閉弁58,60は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。濃度センサ61は、制御部７に接続されており、制御部７によって処理液中のシリコン濃度が計測される。   The second treatment liquid discharge part 54 connects a discharge flow path 57 communicating with an external drain pipe to the middle part of the circulation flow path 49 (between the heater 51 and the filter 52) of the treatment liquid circulation part 40 and discharges it. An opening / closing valve 58 is provided in the flow path 57. Furthermore, a bypass flow passage 59 communicating with an external drainage pipe is connected to the middle part of the discharge flow passage 57 (downstream of the on-off valve 58), and the on-off valve 60 and the silicon concentration in the processing liquid are A concentration sensor 61 for measurement is provided in order. The on-off valves 58 and 60 are connected to the control unit 7 and are controlled to be opened and closed by the control unit 7. The concentration sensor 61 is connected to the controller 7, and the controller 7 measures the silicon concentration in the processing liquid.

このように、基板液処理装置１では、濃度センサ61を処理液循環部40から分岐した第２の処理液排出部54に設けているために、処理液循環部40から処理液を排出する時だけ濃度センサ61に処理液が接液するようにしている。これにより、基板液処理装置１では、処理液によって濃度センサ61が浸食されたり処理液に含有された不純物が濃度センサ61に付着することによって濃度センサ61が故障や誤作動してしまうのを防止することができる。また、基板液処理装置１では、濃度センサ61から析出等した塵が処理液に混入することで基板８にパーティクルが付着して基板８を良好に液処理できなくなるのを防止することができる。   As described above, in the substrate liquid processing apparatus 1, when the concentration sensor 61 is provided in the second processing liquid discharge unit 54 branched from the processing liquid circulation unit 40, when the processing liquid is discharged from the processing liquid circulation unit 40. Only the treatment liquid comes into contact with the concentration sensor 61. As a result, in the substrate liquid processing apparatus 1, the concentration sensor 61 is prevented from malfunctioning or malfunctioning due to erosion of the concentration sensor 61 by the processing liquid or adhesion of impurities contained in the processing liquid to the concentration sensor 61. can do. Further, in the substrate liquid processing apparatus 1, it is possible to prevent particles that are deposited on the concentration sensor 61 from being mixed in the processing liquid and causing particles to adhere to the substrate 8 so that the substrate 8 can not be liquid processed well.

ここで、濃度センサ61は、図２及び図３（ａ）に示すように排出流路57から分岐したバイパス流路59に設けた場合に限られず、図３（ｂ）に示すように循環流路49から分岐したバイパス流路62に設けてもよく、図３（ｃ）に示すように排出流路57に設けてもよい。濃度センサ61を排出流路57に設けた場合には、処理液貯留部38で貯留される処理液の一部（処理液循環部40から排出される処理液）だけが濃度センサ61に接液することになり、濃度センサ61をバイパス流路59,62に設けた場合には、さらに処理液循環部40から排出される処理液の一部（バイパス流路59,62から排出される処理液）だけが濃度センサ61に接液することになる。そのため、濃度センサ61をバイパス流路59,62に設けることで、濃度センサ61に処理液が接液する時間（頻度）をより一層短く（少なく）することができる。   Here, the concentration sensor 61 is not limited to the case where the concentration sensor 61 is provided in the bypass flow path 59 branched from the discharge flow path 57 as shown in FIGS. 2 and 3A, but the circulation flow as shown in FIG. It may be provided in the bypass flow passage 62 branched from the passage 49, or may be provided in the discharge flow passage 57 as shown in FIG. 3 (c). When the concentration sensor 61 is provided in the discharge flow path 57, only a part of the treatment liquid stored in the treatment liquid storage unit 38 (the treatment liquid discharged from the treatment liquid circulation unit 40) contacts the concentration sensor 61. In the case where the concentration sensor 61 is provided in the bypass flow channels 59 and 62, a portion of the processing liquid discharged from the processing liquid circulation unit 40 (the processing liquid discharged from the bypass flow channels 59 and 62) ) Only comes into contact with the concentration sensor 61. Therefore, by providing the concentration sensor 61 in the bypass flow channels 59 and 62, the time (frequency) in which the treatment liquid contacts the concentration sensor 61 can be further shortened (decreased).

エッチング処理装置26は、水溶液供給部43によって所定濃度（85重量％）及び所定温度（25℃）のリン酸水溶液を処理液貯留部38に供給し、処理液循環部40によって所定濃度（88.3重量％）及び所定温度（165℃）になるように加熱して処理液を生成し、処理液を処理液貯留部38に貯留する。また、エッチング処理装置26は、加熱によって蒸発する水の量に相応する量の純水を水供給部44によって処理液貯留部38に供給する。これにより、エッチング処理装置26は、処理液貯留部38の処理槽34に所定濃度（88.3重量％）及び所定温度（165℃）の処理液を貯留し、その処理液に基板昇降機構36によって基板８を浸漬させることで、基板８をエッチング処理する。   The etching processing apparatus 26 supplies a phosphoric acid aqueous solution having a predetermined concentration (85% by weight) and a predetermined temperature (25 ° C.) by the aqueous solution supply unit 43 to the treatment liquid storage unit 38, and the treatment liquid circulation unit 40 %) And a predetermined temperature (165.degree. C.) to generate the treatment liquid, and the treatment liquid is stored in the treatment liquid reservoir 38. Further, the etching processing apparatus 26 supplies pure water in an amount corresponding to the amount of water evaporated by heating to the processing liquid storage unit 38 by the water supply unit 44. Thus, the etching processing apparatus 26 stores the processing solution of a predetermined concentration (88.3% by weight) and a predetermined temperature (165 ° C.) in the processing tank 34 of the processing liquid storage unit 38, and the substrate lifting mechanism 36 By immersing 8, the substrate 8 is etched.

また、エッチング処理装置26は、処理液排出部41によって処理液貯留部38の処理液の一部（又は全部）を排出するとともに、処理液供給部39によって新規に処理液（水溶液又は／及び純水）を供給して、処理液貯留部38に貯留する処理液を適宜更新（交換）する。   In addition, the etching processing apparatus 26 discharges a part (or all) of the processing liquid of the processing liquid storage part 38 by the processing liquid discharge part 41, and the processing liquid supply part 39 newly treats the processing liquid (aqueous solution or / and pure). Water) is supplied, and the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 38 is appropriately updated (replaced).

制御部７は、基板液処理装置１の各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御する。   The control unit 7 controls the operation of each unit of the substrate liquid processing apparatus 1 (such as the carrier carry-in / out unit 2, the lot forming unit 3, the lot placing unit 4, the lot transport unit 5, and the lot processing unit 6).

この制御部７は、たとえばコンピュータであり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体63を備える。記憶媒体63には、基板液処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体63に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体63に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体63にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体63としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。   The control unit 7 is a computer, for example, and includes a computer-readable storage medium 63. The storage medium 63 stores a program for controlling various processes executed in the substrate liquid processing apparatus 1. The control unit 7 controls the operation of the substrate liquid processing apparatus 1 by reading and executing a program stored in the storage medium 63. The program may be stored in a storage medium 63 readable by a computer, and may be installed in the storage medium 63 of the control unit 7 from another storage medium. Examples of the computer-readable storage medium 63 include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, and the like.

基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部７で各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６など）の動作を制御することで、基板８を処理する。   The substrate liquid processing apparatus 1 is configured as described above, and the control unit 7 controls the respective units (the carrier loading / unloading unit 2, the lot formation unit 3, the lot placement unit 4, the lot conveyance unit 5, the lot processing unit 6 The substrate 8 is processed by controlling the operation of the above.

この基板液処理装置１で基板８をエッチング処理する場合、記憶媒体63に記憶された基板液処理プログラムに従って制御部７でエッチング処理装置26などを以下に説明するように制御する（図４参照。）。   When the substrate liquid processing apparatus 1 etches the substrate 8, the controller 7 controls the etching processing apparatus 26 and the like as described below according to the substrate liquid processing program stored in the storage medium 63 (see FIG. 4). ).

まず、基板液処理装置１は、基板８のエッチング処理を開始する前に処理液貯留部38に貯留する処理液を交換する（処理液交換工程）。   First, the substrate liquid processing apparatus 1 replaces the processing liquid stored in the processing liquid storage unit 38 before starting the etching process of the substrate 8 (processing liquid replacement step).

この処理液交換工程において、制御部７は、処理液供給部39によって処理液貯留部38に処理液を供給させるとともに、処理液循環部40によって処理液を循環させながら加熱させて、所定濃度（88.3重量％）及び所定温度（165℃）の処理液を生成させる。その後、制御部７は、基板昇降機構36によってダミーのシリコンウエハを処理液に所定時間浸漬させて、処理液中のシリコン濃度が所定濃度となるようにする。この処理液交換工程において、制御部７は、処理液循環部40によって処理液を循環させ、所定のタイミングで開閉弁58を開放させて処理液を処理液循環部40から第２の処理液排出部54を介して排液させる。そして、制御部７は、所定のタイミング（たとえば、処理液交換工程の終了直前）開閉弁60を開放させて濃度センサ61で処理液中のシリコン濃度を計測させる。制御部７は、濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合には警報し処理を中断する。なお、処理液交換工程では、処理液を処理液循環部40で常時循環させてもよく、また、断続的に循環させてもよく、また、たとえば、ダミーのシリコンウエハを処理液に所定時間浸漬させ、シリコンウエハを浸漬させた直後はしばらく循環を停止させ、所定のタイミングから循環させてもよい。 In this processing liquid exchange step, the control unit 7 supplies the processing liquid to the processing liquid storage unit 38 by the processing liquid supply unit 39 and heats the processing liquid circulation unit 40 while circulating the processing liquid to obtain a predetermined concentration ( 88.3% by weight) and a predetermined temperature (165 ° C.). Thereafter, the control unit 7 causes the substrate lifting mechanism 36 to immerse the dummy silicon wafer in the processing liquid for a predetermined time so that the silicon concentration in the processing liquid becomes a predetermined concentration. In this processing liquid exchange step, the control section 7 circulates the processing liquid by the processing liquid circulation section 40, opens the on-off valve 58 at a predetermined timing, and discharges the processing liquid from the processing liquid circulation section 40 to the second processing liquid. The liquid is drained through the unit 54. Then, the control unit 7 opens the on-off valve 60 at a predetermined timing (for example, immediately before the end of the treatment liquid replacement process) to cause the concentration sensor 61 to measure the silicon concentration in the treatment liquid. When the silicon concentration measured by the concentration sensor 61 is not within the predetermined concentration range, the control unit 7 warns and interrupts the process. In the process liquid replacement step, the process liquid may be constantly circulated in the process liquid circulation unit 40, or may be circulated intermittently. For example, a dummy silicon wafer is immersed in the process liquid for a predetermined time. The circulation may be stopped for a while immediately after immersing the silicon wafer and immersing the silicon wafer from a predetermined timing.

ここでは、予めシリコンウエハの浸漬時間とシリコン濃度との関係を調べておき、ダミーのシリコンウエハを処理液に所定時間浸漬させることでシリコン濃度が所定濃度範囲となるようにしているが、濃度センサ61に所定のタイミングでシリコン濃度を計測させ、シリコン濃度が所定濃度範囲となるまでダミーのシリコンウエハを処理液に浸漬させるように制御してもよい。なお、開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させるタイミングよりも頻度を少なくしたほうが、濃度センサ61に処理液が接液する時間（頻度）をより一層短く（少なく）することができる。   Here, the relationship between the immersion time of the silicon wafer and the silicon concentration is examined in advance, and the silicon concentration falls within a predetermined concentration range by immersing the dummy silicon wafer in the processing liquid for a predetermined time. The silicon concentration may be measured at a predetermined timing at 61, and control may be performed to immerse the dummy silicon wafer in the processing liquid until the silicon concentration falls within the predetermined concentration range. It should be noted that the timing at which the concentration sensor 61 measures the timing when the on-off valve 60 is opened is less time than the timing at which the on-off valve 58 is opened and the processing liquid is discharged. (Frequency) can be made even shorter (less).

濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内になった後に、基板液処理装置１は、基板８のエッチング処理を行う（基板液処理工程）。   After the silicon concentration measured by the concentration sensor 61 falls within the predetermined concentration range, the substrate liquid processing apparatus 1 performs an etching process on the substrate 8 (substrate liquid processing step).

この基板液処理工程では、基板８を処理槽34に搬入する基板搬入工程と、処理槽34で基板８を処理する基板処理工程と、処理槽34から基板８を搬出する基板搬出工程とを行う。   In this substrate liquid processing step, a substrate carry-in step for carrying the substrate 8 into the treatment bath 34, a substrate treatment step for treating the substrate 8 in the treatment bath 34, and a substrate carry-out step for carrying the substrate 8 out of the treatment bath 34 are performed. .

基板搬入工程では、基板昇降機構36を処理槽34の内部から上昇させた後に、同時に処理する１ロット分の基板８をロット搬送機構19から基板昇降機構36へと搬送させ、その後、基板８を保持した基板昇降機構36を処理槽34の内部へと降下させる。これにより、処理槽34に貯留された処理液に基板８が浸漬される。   In the substrate carrying-in process, after the substrate lifting mechanism 36 is lifted from the inside of the processing tank 34, the substrate 8 for one lot to be processed at the same time is transported from the lot transport mechanism 19 to the substrate lifting mechanism 36. The held substrate elevating mechanism 36 is lowered into the processing tank 34. As a result, the substrate 8 is immersed in the processing liquid stored in the processing tank 34.

基板処理工程では、処理槽34の内部で基板昇降機構36を降下させた状態のまま所定時間保持させる。これにより、基板８が処理液に所定時間浸漬され、基板８がエッチング処理される。   In the substrate processing step, the substrate lifting mechanism 36 is held for a predetermined time while being lowered in the processing tank 34. Thereby, the substrate 8 is immersed in the processing liquid for a predetermined time, and the substrate 8 is etched.

基板搬出工程では、基板８を保持した基板昇降機構36を処理槽34の内部から上昇させた後に、同時に処理した１ロット分の基板８を基板昇降機構36からロット搬送機構19へと搬送させる。   In the substrate unloading step, the substrate lifting mechanism 36 holding the substrate 8 is lifted from the inside of the processing tank 34, and then simultaneously processed one lot of substrates 8 is transported from the substrate lifting mechanism 36 to the lot transport mechanism 19.

この基板液処理工程において、基板８が処理液でエッチング処理されると、処理液に含有されるシリコンの濃度が徐々に増加する。処理液の能力（エッチングレート）が処理液中のシリコン濃度に依存するために処理液中のシリコン濃度を一定濃度範囲内に保持する必要がある。そのため、制御部７は、基板８のエッチング処理中にポンプ50を駆動させて処理液循環部40で処理液を循環させ、所定のタイミングから断続的に開閉弁58を開放させて処理液の一部を処理液循環部40から第２の処理液排出部54を介して排出させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給させる。そして、制御部７は、所定のタイミング（たとえば、基板液処理工程の開始直後や終了直前）で開閉弁60を開放させて濃度センサ61で処理液中のシリコン濃度を計測させる。制御部７は、濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合には警報し処理を中断する。なお、基板液処理工程では、処理液を処理液循環部40で断続的に循環させてもよく、また、常時循環させてもよい。   In the substrate liquid processing step, when the substrate 8 is etched with the processing liquid, the concentration of silicon contained in the processing liquid is gradually increased. Since the capability (etching rate) of the treatment liquid depends on the silicon concentration in the treatment liquid, it is necessary to keep the silicon concentration in the treatment liquid within a certain concentration range. Therefore, the control unit 7 drives the pump 50 during the etching process of the substrate 8 to circulate the treatment liquid in the treatment liquid circulation unit 40, and intermittently opens and closes the on-off valve 58 from a predetermined timing. The processing liquid is discharged from the processing liquid circulation section 40 via the second processing liquid discharge section 54, and a new processing liquid is supplied from the processing liquid supply section 39. Then, the control unit 7 opens the on-off valve 60 at a predetermined timing (for example, immediately after the start or the end of the substrate liquid processing step), and causes the concentration sensor 61 to measure the silicon concentration in the processing liquid. When the silicon concentration measured by the concentration sensor 61 is not within the predetermined concentration range, the control unit 7 warns and interrupts the process. In the substrate liquid processing step, the processing liquid may be circulated intermittently in the processing liquid circulation unit 40 or may be circulated constantly.

ここでは、予め基板８のエッチング時間とエッチング処理中の処理液の排出量と新規の処理液の供給量とシリコン濃度との関係を調べておき、基板８のエッチング処理中に所定量の処理液を排出するとともに、所定量の処理液を新たに供給することでシリコン濃度が所定濃度範囲となるようにしているが、濃度センサ61に所定のタイミングでシリコン濃度を計測させ、シリコン濃度が所定濃度以上となった場合に基板液処理工程を終了するように制御してもよい。なお、ここでも開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させるタイミングよりも頻度を少なくしたほうが、濃度センサ61に処理液が接液する時間（頻度）をより一層短く（少なく）することができる。   Here, the relationship between the etching time of the substrate 8, the discharge amount of the processing liquid during the etching processing, the supply amount of the new processing liquid, and the silicon concentration is checked beforehand, and the processing liquid of the predetermined amount is etched during the etching processing of the substrate 8. The silicon concentration is within the predetermined concentration range by newly supplying a predetermined amount of treatment liquid, but the concentration sensor 61 is made to measure the silicon concentration at a predetermined timing, and the silicon concentration is a predetermined concentration. You may control to complete | finish a substrate liquid processing process, when it becomes above. In this case as well, the timing at which the on-off valve 60 is opened and the concentration sensor 61 measures is less frequent than the timing at which the on-off valve 58 is opened to discharge the processing liquid, so that the processing liquid contacts the concentration sensor 61. The time (frequency) to perform can be further shortened (less).

基板液処理装置１は、基板搬入工程と基板処理工程と基板搬出工程とを所定回数繰り返して行った後に、処理液のシリコン濃度が所定範囲内となるように調整する（調整工程）。   The substrate liquid processing apparatus 1 adjusts the silicon concentration of the processing liquid to be within a predetermined range after repeatedly performing the substrate loading process, the substrate processing process, and the substrate unloading process a predetermined number of times (adjusting process).

この調整工程において、制御部７は、処理液供給部39によって処理液貯留部38に処理液を供給させるとともに、処理液循環部40によって処理液を循環させながら加熱させて、所定濃度（88.3重量％）及び所定温度（165℃）の処理液を生成させるとともに、処理液中のシリコン濃度が所定濃度となるように調整する。この調整工程において、制御部７は、処理液循環部40によって処理液を循環させ、所定のタイミングから断続的に開閉弁58を開放させて処理液を処理液循環部40から第２の処理液排出部54を介して排液させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給させる。そして、制御部７は、所定のタイミング（たとえば、調整工程の終了直前）で開閉弁60を開放させて濃度センサ61で処理液中のシリコン濃度を計測させる。制御部７は、濃度センサ61で計測したシリコン濃度が所定濃度範囲内でない場合には警報し、処理槽34への基板８の搬入を中断する。なお、調整工程では、処理液を処理液循環部40で常時循環させてもよく、また、断続的に循環させてもよく、また、しばらく循環を停止させ、所定のタイミングから循環させてもよい。   In this adjustment process, the control unit 7 causes the treatment liquid supply unit 39 to supply the treatment liquid to the treatment liquid storage unit 38 and causes the treatment liquid circulation unit 40 to heat the treatment liquid while circulating it to a predetermined concentration (88.3 weight %) And a predetermined temperature (165.degree. C.), and the silicon concentration in the treatment liquid is adjusted to a predetermined concentration. In this adjustment process, the control unit 7 causes the treatment liquid circulation unit 40 to circulate the treatment liquid, and intermittently opens and closes the on-off valve 58 from a predetermined timing to allow the treatment liquid to flow from the treatment liquid circulation unit 40 to the second treatment liquid. The liquid is discharged through the discharge unit 54, and a new processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit 39. Then, the control unit 7 opens the on-off valve 60 at a predetermined timing (for example, immediately before the end of the adjustment process), and causes the concentration sensor 61 to measure the silicon concentration in the processing liquid. The control unit 7 warns when the silicon concentration measured by the concentration sensor 61 is not within the predetermined concentration range, and interrupts the loading of the substrate 8 into the processing tank 34. In the adjustment step, the treatment liquid may be circulated at all times in the treatment liquid circulation unit 40, or may be circulated intermittently, or the circulation may be stopped for a while and circulated from a predetermined timing. .

ここでは、処理液の排出量と新規の処理液の供給量とシリコン濃度との関係を調べておき、所定量の処理液の排出し、所定量の処理液を新たに供給することでシリコン濃度が所定濃度範囲となるようにしているが、濃度センサ61に所定のタイミングでシリコン濃度を計測させ、シリコン濃度が所定濃度範囲となるまで処理液を排出し、新規の処理液を供給するように制御してもよい。なお、開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させるタイミングよりも頻度を少なくしたほうが、濃度センサ61に処理液が接液する時間（頻度）をより一層短く（少なく）することができる。   Here, the relationship between the discharge amount of the treatment liquid, the supply amount of the new treatment liquid, and the silicon concentration is checked, the treatment liquid of a predetermined amount is discharged, and the treatment liquid of a predetermined amount is newly supplied. In the predetermined concentration range, the concentration sensor 61 measures the silicon concentration at a predetermined timing, discharges the treatment liquid until the silicon concentration falls in the predetermined concentration range, and supplies a new treatment liquid. You may control. It should be noted that the timing at which the concentration sensor 61 measures the timing when the on-off valve 60 is opened is less time than the timing at which the on-off valve 58 is opened and the processing liquid is discharged. (Frequency) can be made even shorter (less).

以上に説明したように、上記基板液処理装置１では、処理液貯留部38に貯留した基板８を処理するための処理液を処理液循環部40で循環し、循環する処理液を処理液循環部40の途中で分岐した第２の処理液排出部54から排出し、排出する処理液中のシリコン濃度を第２の処理液排出部54に設けた濃度センサ61で計測する。   As described above, in the substrate liquid processing apparatus 1, the processing liquid for processing the substrate 8 stored in the processing liquid storage unit 38 is circulated in the processing liquid circulation unit 40, and the circulating processing liquid is circulated as a processing liquid. The silicon concentration in the processing liquid discharged from the second processing liquid discharge unit 54 branched off in the middle of the unit 40 is measured by the concentration sensor 61 provided in the second processing liquid discharge unit 54.

これにより、上記基板液処理装置１では、濃度センサ61が処理液に接液する時間を短くすることができ、濃度センサ61の故障や誤作動等の発生を防止することができるとともに、濃度センサ61から析出等した塵が基板８にパーティクルとなって付着するのを防止することができ、基板８を良好に液処理することができる。   Thereby, in the substrate liquid processing apparatus 1, the time for which the concentration sensor 61 contacts the processing solution can be shortened, and the occurrence of failure or malfunction of the concentration sensor 61 can be prevented, and the concentration sensor can be prevented. It is possible to prevent dust deposited from 61 from adhering to the substrate 8 as particles, and the substrate 8 can be satisfactorily liquid-treated.

なお、その他の実施形態として、図４に示した実施形態では、基板液処理工程および調整工程において、処理液中のシリコン濃度を一定濃度範囲内に保持するため、制御部７は、基板８のエッチング処理中にポンプ50を駆動させて処理液循環部40で処理液を循環させ、所定のタイミングから断続的に開閉弁58を開放させて処理液の一部を処理液循環部40から第２の処理液排出部54を介して排出させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給しているが、これに限られることはなく、図５に示すように所定のタイミングから所定時間で連続的に開閉弁58を開放させて処理液の一部を処理液循環部40から第２の処理液排出部54を介して排出させるとともに、処理液供給部39から新たな処理液を供給するようにしてもよい。   As another embodiment, in the embodiment shown in FIG. 4, in order to maintain the silicon concentration in the processing liquid within a certain concentration range in the substrate liquid processing step and the adjustment step, the controller 7 controls the processing of the substrate 8. During the etching process, the pump 50 is driven to circulate the treatment liquid in the treatment liquid circulation unit 40, and the on-off valve 58 is intermittently opened from a predetermined timing to partially open the treatment liquid from the treatment liquid circulation unit 40. The new treatment liquid is supplied from the treatment liquid supply unit 39 while discharging the treatment liquid through the treatment liquid discharge unit 54. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. Then, the on-off valve 58 is continuously opened to discharge a part of the processing liquid from the processing liquid circulation section 40 via the second processing liquid discharge section 54 and to supply a new processing liquid from the processing liquid supply section 39. You may do it.

また、基板液処理工程において、基板液処理工程の開始からたとえば工程の途中まで連続的に処理液を排出するとともに、処理液を供給するようにし、その後は処理液の排出も供給も行なわないようにしてもよく、また、基板液処理工程の開始からたとえば処理の途中まで処理液の排出も供給も行なわないようにし、途中から終了まで連続的に処理液を排出するとともに、処理液を供給するようにしてもよい。   Further, in the substrate liquid processing step, the processing liquid is continuously discharged from the start of the substrate liquid processing step to the middle of the process, for example, and the processing liquid is supplied, and thereafter the processing liquid is neither discharged nor supplied. In addition, the process liquid is not discharged or supplied during, for example, the middle of the process from the start of the substrate liquid processing process, and the process liquid is continuously discharged and the process liquid is supplied from the middle to the end of the process. You may do so.

また、その他の実施形態として、開閉弁60を開放させて濃度センサ61で計測させるタイミングは、開閉弁58を開放させて処理液を排出させている間の所定のタイミング（たとえば、基板液処理工程の開始直後や終了直前）とすることで、濃度センサ61に処理液が接液する時間（頻度）をより一層短く（少なく）することができる。   In another embodiment, the timing at which the on-off valve 60 is opened and measured by the concentration sensor 61 is a predetermined timing (for example, a substrate liquid processing step) while the on-off valve 58 is opened and the processing liquid is discharged. The time (frequency) for the treatment liquid to come into contact with the concentration sensor 61 can be further shortened (reduced).

また、その他の実施形態として、たとえば、排出する処理液中のシリコン濃度を第２の処理液排出部54に設けた濃度センサ61で複数回計測した値を基に、基板液処理工程において、複数の計測値からシリコン濃度の上昇率を求め、基板8を処理する間にシリコン濃度が所定濃度範囲を超えると想定されると判断した場合は、シリコン濃度が所定濃度範囲を超えないよう処理液を排出する排出量および新規の処理液の供給する供給量を補正してもよい。   Further, as another embodiment, for example, in the substrate liquid processing step, a plurality of silicon concentrations in the processing liquid to be discharged are measured based on values measured a plurality of times by the concentration sensor 61 provided in the second processing liquid discharge unit 54. The rate of increase in silicon concentration is obtained from the measured value, and if it is determined that it is assumed that the silicon concentration will exceed the predetermined concentration range while processing the substrate 8, the processing liquid is selected so that the silicon concentration does not exceed the predetermined concentration range. The discharge amount to be discharged and the supply amount to which a new treatment liquid is supplied may be corrected.

また、その他の実施形態として、濃度センサ61に処理液が接液する時間（頻度）をより一層短く（少なく）するために、第２の処理液排出部54に設けた濃度センサ61に処理液を通液しない間は、処理液が残留しないように、たとえば、濃度センサ61に不活性ガスまたは純水を供給し、処理液を除去するようにしてもよい。   Further, as another embodiment, in order to further shorten (less) the time (frequency) that the processing liquid contacts the concentration sensor 61, the processing liquid is added to the concentration sensor 61 provided in the second processing liquid discharge unit 54. For example, an inert gas or pure water may be supplied to the concentration sensor 61 to remove the treatment liquid while the solution does not pass through, so that the treatment liquid does not remain.

１ 基板液処理装置
７ 制御部
８ 基板
38 処理液貯留部
39 処理液供給部
40 処理液循環部
41 処理液排出部
61 濃度センサ 1 Substrate liquid processing device 7 Control unit 8 Substrate
38 Treatment liquid reservoir
39 Treatment liquid supply unit
40 Treatment liquid circulation section
41 Treatment liquid discharge part
61 Concentration sensor

Claims (5)

基板を処理するための処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液を排出させる処理液排出部と、
前記処理液中の濃度を計測する濃度センサと、
前記濃度センサと接続され、前記処理液供給部と処理液排出部とを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記処理液を所定のタイミングで断続的に前記処理液排出部から排出させるとともに、前記処理液供給部から新たな前記処理液を供給し、前記処理液について所定のタイミングで前記処理液中の濃度を前記濃度センサで計測させ、前記濃度センサで前記処理液中の濃度を計測させる前記所定のタイミングは、前記処理液排出部から前記処理液を排出させる前記所定のタイミングよりも頻度を少なくして、前記処理液の一部だけを前記濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測させて前記処理液排出部から排出される前記処理液よりも前記濃度センサに接液させる前記処理液が少なくなるようにすることを特徴とする基板液処理装置。 A processing liquid storage section for storing a processing liquid for processing the substrate;
A treatment liquid supply part for supplying the treatment liquid to the treatment liquid storage part;
A treatment liquid discharger for discharging the treatment liquid;
A concentration sensor for measuring the concentration in the treatment liquid;
A control unit that is connected to the concentration sensor and controls the processing liquid supply unit and the processing liquid discharge unit;
Have
The control unit intermittently discharges the treatment liquid from the treatment liquid discharge unit at a predetermined timing, and supplies a new treatment liquid from the treatment liquid supply unit , and the treatment liquid at the predetermined timing. The predetermined timing at which the concentration sensor measures the concentration in the treatment liquid and the concentration sensor measures the concentration in the treatment liquid is more than the predetermined timing at which the treatment liquid is discharged from the treatment liquid discharge unit. Reduce the frequency so that only a part of the processing liquid is brought into contact with the concentration sensor, the concentration in the processing liquid is measured, and the concentration sensor is more than the processing liquid discharged from the processing liquid discharge unit. A substrate liquid processing apparatus characterized in that the processing liquid in contact with the liquid is reduced. 前記制御部は、前記処理液の一部だけを分岐して前記濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測させることを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。   The substrate liquid processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit causes only a part of the processing liquid to branch and contact the concentration sensor to measure the concentration in the processing liquid. 処理液貯留部に貯留した基板を処理するための処理液を所定のタイミングで処理液排出部から排出させるとともに、処理液供給部から新たな前記処理液を供給し、前記処理液について所定のタイミングで前記処理液中の濃度を濃度センサで計測し、前記濃度センサで前記処理液中の濃度を計測する前記所定のタイミングは、前記処理液排出部から前記処理液を排出する前記所定のタイミングよりも頻度を少なくして、前記処理液の一部だけを濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測することで前記処理液排出部から排出される前記処理液よりも前記濃度センサに接液させる前記処理液が少なくなるようにしたことを特徴とする基板液処理方法。 The processing liquid for processing the substrate stored in the processing liquid storage section is discharged from the processing liquid discharging section at a predetermined timing, and a new processing liquid is supplied from the processing liquid supply section , and the predetermined timing for the processing liquid is supplied. The predetermined timing at which the concentration in the processing liquid is measured by the concentration sensor and the concentration in the processing liquid is measured by the concentration sensor is from the predetermined timing at which the processing liquid is discharged from the processing liquid discharging unit. Less frequently, only a part of the treatment liquid is brought into contact with the concentration sensor, and the concentration sensor measures the concentration in the treatment liquid to measure the concentration rather than the treatment liquid discharged from the treatment liquid discharge unit. A substrate liquid processing method characterized in that the amount of the processing liquid in contact with the substrate is reduced. 前記処理液の一部だけを分岐して前記濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測することを特徴とする請求項３に記載の基板液処理方法。 4. The substrate liquid processing method according to claim 3 , wherein only a part of the processing liquid is branched and brought into contact with the concentration sensor to measure the concentration in the processing liquid. 基板を処理するための処理液を貯留する処理液貯留部と、
前記処理液貯留部に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液を排出させる処理液排出部と、
前記処理液中の濃度を計測する濃度センサと、を有する基板液処理装置を用いて、前記基板の液処理を実行させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記処理液を所定のタイミングで断続的に前記処理液排出部から排出させるとともに、前記処理液供給部から新たな前記処理液を供給し、前記処理液について所定のタイミングで前記処理液中の濃度を前記濃度センサで計測させ、前記濃度センサで前記処理液中の濃度を計測させる前記所定のタイミングは、前記処理液排出部から前記処理液を排出させる前記所定のタイミングよりも頻度を少なくして、前記処理液の一部だけを前記濃度センサに接液させて前記処理液中の濃度を計測させて前記処理液排出部から排出される前記処理液よりも前記濃度センサに接液させる前記処理液が少なくなるようにすることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
A processing liquid storage section for storing a processing liquid for processing the substrate;
A treatment liquid supply part for supplying the treatment liquid to the treatment liquid storage part;
A treatment liquid discharger for discharging the treatment liquid;
In a computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program for executing liquid processing of the substrate using a substrate liquid processing apparatus having a concentration sensor for measuring the concentration in the processing liquid,
The processing liquid is intermittently discharged from the processing liquid discharge unit at a predetermined timing, and a new processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit , and the concentration of the processing liquid in the processing liquid at a predetermined timing. The predetermined timing at which the concentration sensor measures the concentration in the processing liquid by the concentration sensor is less frequent than the predetermined timing at which the processing liquid is discharged from the processing liquid discharging unit. A process of contacting only a part of the treatment liquid to the concentration sensor, measuring the concentration in the treatment liquid, and bringing the concentration sensor into contact with the treatment liquid discharged from the treatment liquid discharge unit; A computer-readable storage medium storing a substrate liquid processing program, wherein the liquid is reduced.
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