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JP6418592B2 - Anti-counterfeit structure, anti-counterfeit medium, and authenticity discrimination device - Google Patents

Anti-counterfeit structure, anti-counterfeit medium, and authenticity discrimination device Download PDF

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JP6418592B2 JP2014121602A JP2014121602A JP6418592B2 JP 6418592 B2 JP6418592 B2 JP 6418592B2 JP 2014121602 A JP2014121602 A JP 2014121602A JP 2014121602 A JP2014121602 A JP 2014121602A JP 6418592 B2 JP6418592 B2 JP 6418592B2
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Description

本発明は、偽造を防止する為の偽造防止構造体、当該偽造防止構造体を備えた偽造防止媒体、及び、偽造防止構造体又は偽造防止媒体と組み合わされて使用される真贋判別装置に関する。   The present invention relates to an anti-counterfeit structure for preventing forgery, an anti-counterfeit medium provided with the anti-counterfeit structure, and an authenticity determination device used in combination with an anti-counterfeit structure or an anti-counterfeit medium.

従来、例えば株券、債券、小切手、商品券、宝くじ券、定期券等の証券類には、偽造を防止するための種々の工夫が施されている。そのような工夫の一種として、肉眼ではその存在の判別が難しい肉眼判別困難マークを上記証券類に付して肉眼判別困難マークを機械により読み取ることが行われている。肉眼判別困難マークは、例えば熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインキにより印刷される。そして、そのような肉眼判別困難マークを、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインキで印刷された模様の中に紛れ込ませると肉眼で一見しただけではその存在が判別しがたい。   Conventionally, various devices for preventing counterfeiting have been applied to securities such as stock certificates, bonds, checks, gift certificates, lottery tickets, and commuter passes. As one type of such a device, it is performed to attach a mark for difficult to distinguish with the naked eye to the securities and to read the mark for difficult to distinguish with the machine. The visual recognition difficult mark is printed with, for example, ink mixed with heat ray absorbing glass powder or infrared absorbing glass powder. And, if such a mark that is difficult to distinguish with the naked eye is mixed in a pattern printed with the same color ink that does not mix heat-absorbing glass powder or infrared-absorbing glass powder, its presence is difficult to distinguish with the naked eye. .

しかしながら、熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜたインキにより印刷された肉眼判別不能マークは、斜めから仔細に観察すると熱線吸収ガラス粉または赤外線吸収ガラス粉を混ぜない同色のインクで印刷された模様から浮き上がったように見えるので、その存在が肉眼によって判別されてしまうことがある。また、指先の感覚の鋭い人は、肉眼判別不能マークとその周囲の上記模様に触ることにより上記模様の中に肉眼判別不能マークが存在していることを知ることが出来る。   However, the visual indistinguishable mark printed with ink mixed with heat ray absorbing glass powder or infrared absorbing glass powder was printed with the same color ink not mixed with heat ray absorbing glass powder or infrared absorbing glass powder when observed in detail from diagonally. Since it appears to have lifted from the pattern, its presence may be discriminated by the naked eye. Also, a person with a sharp fingertip sense can know that there is a naked eye indistinguishable mark in the pattern by touching the invisible eye distinguishing mark and the surrounding pattern.

また、赤外線照射装置を使用すれば、このような肉眼判別困難マークが上記模様の中に存在していることを容易に判別することも出来、赤外線照射装置と赤外線カメラを組み合わせることにより、その形状や寸法までも容易に知ることが出来る。赤外線照射装置や赤外線カメラは比較的広く用いられており容易に入手可能である。従って、上述したような肉眼判別困難マークは比較的容易に偽造が可能である。   In addition, if an infrared irradiation device is used, it is possible to easily determine that such a naked eye distinction mark is present in the pattern, and by combining the infrared irradiation device and an infrared camera, the shape can be determined. And you can easily know even the dimensions. Infrared irradiation devices and infrared cameras are relatively widely used and are readily available. Therefore, it is possible to counterfeit the above-mentioned naked eye distinction difficult mark relatively easily.

特許文献1には、赤外線を吸収可能であるが可視光を吸収しない赤外線吸収インキが開示されている。このような赤外線吸収インキと同色のインキで印刷された模様の中に赤外線吸収インキを使用して肉眼判別不能マークを描けば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても赤外線吸収インキと同色のインキで描いた模様から浮き上がったように見えることがなく、その存在が肉眼によって判別されてしまうことがない。また、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても感覚によりその存在が判別されてしまうこともない。   Patent Document 1 discloses an infrared absorbing ink that can absorb infrared rays but does not absorb visible light. If an infrared-absorbing ink is used to draw an indistinguishable mark in a pattern printed with the same color ink as the infrared-absorbing ink, even if such an indistinguishable mark is observed in detail from an angle. It does not appear to be lifted from the pattern drawn with the same color ink as the infrared absorbing ink, and its presence is not discriminated by the naked eye. Moreover, even if a person with a sharp fingertip sensation is touched, its presence is not discriminated by the sensation.

特許文献2には、可視光領域では目視不可能で、可視光以外の一定波長の光、具体的には紫外線により識別可能な蛍光を発する特殊蛍光インキを使用して肉眼判別困難マークを印刷することが開示されている。このような特殊蛍光インキと同色のインキで印刷した模様の上に特殊蛍光インキを使用して肉眼判別不能マークを印刷すれば、そのような肉眼判別不能マークは斜めから仔細に観察されたとしても特殊蛍光インキと同色のインキで印刷した模様から浮かび上がったように見えることがなく、その存在が肉眼によって判別されてしまうことがない。また、指先の感覚の鋭い人に触られたとしても触覚によりその存在が判別されてしまうこともない。   Patent Document 2 prints a mark that is difficult to distinguish with the naked eye using a special fluorescent ink that emits light with a certain wavelength other than visible light, specifically fluorescent light that is not visible in the visible light region and that can be distinguished by ultraviolet rays. It is disclosed. Even if such a visual indistinguishable mark is printed on a pattern printed with the same color ink as that of the special fluorescent ink using the special fluorescent ink, such a visual indistinguishable mark may be observed in detail from an oblique direction. It does not appear to be raised from the pattern printed with the same color ink as the special fluorescent ink, and its presence is not discriminated by the naked eye. Further, even if a person with a sharp fingertip sensation is touched, its presence is not discriminated by touch.

特許文献3には、真贋判別装置としてテラヘルツ電磁波を用いた方法、および、その方法に適用される偽造防止構造体が開示されている。この偽造防止構造体は、所定のパターンに配列された開口部を有する導電性層、導電性層の表裏に配置される絶縁層、及び、絶縁性を持つ隠蔽層を備えている。そして、真贋判別装置では、テラヘルツ電磁波が偽造防止構造体を透過する際の測定値を予め測定してある基準値と比較し、両者の差異の有無を判定している。この偽造防止構造体では、所定のパターンが隠蔽層にて隠蔽されているので、肉眼や触覚でその存在を知ることができない。   Patent Document 3 discloses a method using terahertz electromagnetic waves as an authenticity discriminating device, and a forgery prevention structure applied to the method. The forgery prevention structure includes a conductive layer having openings arranged in a predetermined pattern, an insulating layer disposed on the front and back of the conductive layer, and a concealing concealing layer. In the authenticity discriminating apparatus, the measured value when the terahertz electromagnetic wave passes through the forgery prevention structure is compared with a reference value measured in advance to determine whether there is a difference between the two. In this anti-counterfeit structure, the predetermined pattern is concealed by the concealing layer, so that its presence cannot be known with the naked eye or touch.

特開2000−309736号公報JP 2000-309736 A 特開平6−297888号公報JP-A-6-297888 特許第5110566号公報Japanese Patent No. 5110656

しかしながら、特許文献1に記載されている赤外線吸収インキを使用して肉眼判別困難マークを描いた場合であっても、比較的広く用いられており容易に入手可能である赤外線照射装置を使用すれば、上記模様の中に肉眼判別困難マークが存在していることを容易に判別することができる。また、赤外線照射装置と赤外線カメラとを組み合わせることにより、その形状や寸法までも容易に知ることが出来る。また、特許文献2に記載されている特殊蛍光インキを使用して肉眼判別困難マークを描いた場合であっても、比較的広く用いられており容易に入手可能である紫外線照射装置を使用すれば、上記模様の中に肉眼判別困難マークが存在していることを容易に判別することができる。また、紫外線照射装置とカメラとを組み合わせることにより、その形状や寸法までも容易に知ることが出来る。   However, even when an infrared-absorbing ink described in Patent Document 1 is used to draw a mark that is difficult to distinguish with the naked eye, if an infrared irradiation device that is relatively widely used and easily available is used, Thus, it can be easily determined that the naked eye distinction mark is present in the pattern. Further, by combining the infrared irradiation device and the infrared camera, the shape and dimensions can be easily known. Moreover, even when the visual distinction difficult mark is drawn using the special fluorescent ink described in Patent Document 2, if an ultraviolet irradiation device that is relatively widely used and easily available is used, Thus, it can be easily determined that the naked eye distinction mark is present in the pattern. Further, by combining the ultraviolet irradiation device and the camera, the shape and dimensions can be easily known.

さらに、特許文献3に記載されている偽造防止構造体を用いた場合、肉眼判別困難マークが隠蔽されており偽造防止効果は高いものの、真偽判定を行う装置が複雑で高額になり易い。また、透過する波形を基準波形と比較して判断するため、判断時間が長引いてしまう傾向にあり、大量に真贋判定したい場合に汎用性のある偽造防止構造体および真贋判別装置とは言い難かった。   Furthermore, when the anti-counterfeit structure described in Patent Document 3 is used, the mark for difficult to distinguish with the naked eye is concealed and the anti-counterfeit effect is high, but the device for performing the authenticity determination is complicated and expensive. In addition, since the transmitted waveform is compared with the reference waveform for determination, the determination time tends to be prolonged, and it is difficult to say that the anti-counterfeiting structure and the authenticity determination device are versatile when it is desired to determine the authenticity in large quantities. .

そこで、本発明は、偽造防止効果が高く、しかも、簡易な手法で肉眼判別困難マークを高速に判定することができる偽造防止構造体、偽造防止媒体、及び、真贋判別装置を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention has an object to provide a forgery prevention structure, a forgery prevention medium, and an authenticity discrimination device that have a high anti-counterfeit effect and can quickly determine a mark that is difficult to distinguish with the naked eye at a high speed. And

本発明は、その一側面として、偽造防止構造体に関し、この偽造防止構造体は、テラヘルツ電磁波が透過可能なベース基材と、ベース基材の一方の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能な開口部形成層と、開口部形成層のベース基材とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層と、を備えている。この偽造防止構造体では、開口部形成層は電気的絶縁層であり、導電性層は、特定周波数のテラヘルツ電磁波が透過可能な所定パターンを形成する開口部を有していることを特徴としている。 One aspect of the present invention relates to an anti-counterfeit structure, and the anti-counterfeit structure is disposed on one surface of a base substrate capable of transmitting terahertz electromagnetic waves, and is capable of transmitting terahertz electromagnetic waves. An opening forming layer and a conductive layer that is disposed on a surface opposite to the base substrate of the opening forming layer and that blocks terahertz electromagnetic waves are provided. In this forgery prevention structure, the opening forming layer is an electrically insulating layer, and the conductive layer has an opening that forms a predetermined pattern capable of transmitting a terahertz electromagnetic wave having a specific frequency . .

上述した偽造防止構造体では、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層に対して特定周波数のテラヘルツ電磁波が透過可能な所定パターンを形成する開口部を設けている。この場合、透過するテラヘルツ電磁波の周波数を限定し、その周波数が媒体を透過する透過率を測定することにより真贋判定するので、簡易な手法により肉眼判別困難マーク(所定パターン)を高速に判定することができる。しかも、使用される際には、肉眼判定困難マークが内側に配置されるので、偽造防止効果も高い。 In the anti-counterfeit structure described above, openings that form a predetermined pattern capable of transmitting a terahertz electromagnetic wave having a specific frequency are provided in the conductive layer that blocks the terahertz electromagnetic wave. In this case, since the authenticity is determined by limiting the frequency of the transmitted terahertz electromagnetic wave and measuring the transmittance of the transmitted frequency through the medium, it is possible to quickly determine a mark that is difficult to distinguish with the naked eye (predetermined pattern) at a high speed. Can do. In addition, when used, the naked eye determination difficult mark is arranged on the inner side, so that the effect of preventing forgery is also high.

上記の偽造防止構造体において、開口部形成層は、光の照射により回折を生じさせる光回折層を有していることが好ましい。この場合、光回折層により、ホログラム像を形成することができると共に、ホログラム像により肉眼判定困難マークを隠蔽することができるので、偽造防止効果をより一層高めることが可能となる。   In the forgery prevention structure, the opening forming layer preferably has a light diffraction layer that causes diffraction by light irradiation. In this case, a hologram image can be formed by the light diffraction layer, and the naked eye determination difficult mark can be concealed by the hologram image, so that the forgery prevention effect can be further enhanced.

上記の偽造防止構造体は、ベース基材と開口部形成層との間に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つベース基材からそれ以外の各層を剥離可能とする剥離層と、導電性層の開口部形成層とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ接着性を有する接着層と、を備えていてもよい。この場合、ベース基材があることにより、偽造防止構造体の製造・流通等を容易に行うことができると共に、実際に使用する際には、ベース基材を容易に剥離して、接着層により所定の偽造防止媒体に容易に貼り付けることが可能となる。   The anti-counterfeit structure is disposed between the base substrate and the opening forming layer, is capable of transmitting terahertz electromagnetic waves, and is capable of peeling each other layer from the base substrate, and a conductive layer. And an adhesive layer that is disposed on a surface opposite to the opening forming layer of the layer and is capable of transmitting the terahertz electromagnetic wave and having adhesiveness. In this case, the presence of the base substrate makes it possible to easily manufacture and distribute the anti-counterfeit structure, and when actually used, the base substrate is easily peeled off by the adhesive layer. It can be easily attached to a predetermined anti-counterfeit medium.

上記の偽造防止構造体において、所定パターンを形成する開口部を有する導電性層は、特定周波数のテラヘルツ電磁波をピークとして選択的にテラヘルツ電磁波を透過させ、透過するテラヘルツ電磁波の周波数の透過率の半値幅が0.2THz以下であることが好ましい。この場合、特定周波数のテラヘルツ電磁波の幅を抑えることにより、特定周波数の前後のテラヘルツ電磁波を測定することで、より正確な真贋判定が可能となる。 In the anti-counterfeit structure, the conductive layer having an opening that forms a predetermined pattern selectively transmits the terahertz electromagnetic wave with the terahertz electromagnetic wave having a specific frequency as a peak, and transmits half the frequency of the terahertz electromagnetic wave that is transmitted. The value width is preferably 0.2 THz or less. In this case, by suppressing the width of the terahertz electromagnetic wave of a specific frequency, by measuring the before and after of the terahertz electromagnetic wave of a specific frequency, thereby enabling more accurate authenticity judgment.

上記の偽造防止構造体では、所定パターンは、リング状の一部が開放された形状を呈する開口部から形成されており、同一形状からなる所定パターンが等間隔で複数配置されていることが好ましい。この場合、複数の所定パターンにおいて、リング上における開放された部分の角度が同じであってもよいし、リング上における開放された部分の角度が異なっていてもよい。開放された部分の角度が同じ場合、パターンの作成を容易に行うことができる。一方、開放された部分の角度が異なる場合、角度の違いにより透過率も異なることになるため、真贋判別装置で判定するための透過率パターンをより複雑なものとすることができ、その結果、偽造防止効果をより一層高めることができる。   In the forgery prevention structure, the predetermined pattern is formed from an opening having a shape in which a part of the ring shape is opened, and a plurality of predetermined patterns having the same shape are preferably arranged at equal intervals. . In this case, in a plurality of predetermined patterns, the angle of the opened part on the ring may be the same, or the angle of the opened part on the ring may be different. When the angle of the opened part is the same, the pattern can be easily created. On the other hand, when the angle of the opened part is different, the transmittance is also different due to the difference in angle, so that the transmittance pattern for determination by the authenticity discriminating device can be made more complicated, and as a result, The forgery prevention effect can be further enhanced.

また、本発明は、別の側面として、紙基材又はプラスチック基材を備えた偽造防止媒体に関し、当該偽造防止媒体は、上述した何れかの偽造防止構造体の少なくとも一部が紙基材又はプラスチック基材中に埋められている、又は、紙基材又はプラスチック基材上に配置されていることが好ましい。   The present invention also relates to another anti-counterfeit medium comprising a paper base material or a plastic base material, wherein the anti-counterfeit medium includes at least a part of any of the anti-counterfeit structures described above. It is preferably embedded in a plastic substrate or disposed on a paper substrate or a plastic substrate.

また、本発明は、更に別の側面として、真贋判別装置に関する。この真贋判別装置は、少なくとも一周波数のテラヘルツ電磁波を発生可能な電磁波発生手段と、電磁波発生手段によって発生される特定周波数のテラヘルツ電磁波を物体に照射する照射手段と、物体を透過した特定周波数のテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した透過率に変換する変換手段と、上記偽造防止構造体に特定周波数のテラヘルツ電磁波を照射して透過したテラヘルツ電磁波の透過率と、上記偽造防止構造体に対して基準値として予め測定されているテラヘルツ電磁波の透過率との差異を判定する判定手段と、判定手段により差異があると判定された場合又は差異が無いと判定された場合の何れかの場合に判定結果に応じた報知を行う報知手段と、を備えることを特徴としている。 The present invention also relates to an authenticity discrimination device as yet another aspect. This authenticity discrimination device includes an electromagnetic wave generating means capable of generating at least one frequency terahertz electromagnetic wave, an irradiation means for irradiating an object with a terahertz electromagnetic wave having a specific frequency generated by the electromagnetic wave generating means, and a terahertz having a specific frequency transmitted through the object. Conversion means for receiving electromagnetic waves and converting them into transmittance corresponding to the received terahertz electromagnetic waves, transmittance of terahertz electromagnetic waves transmitted by irradiating the anti-counterfeit structure with terahertz electromagnetic waves of a specific frequency , and the anti-counterfeit structure The determination means for determining the difference between the transmittance of the terahertz electromagnetic wave measured in advance as a reference value for the reference value and either the case where the determination means determines that there is a difference or the case where there is no difference A notification means for performing notification according to the determination result.

上記の真贋判別装置では、特定周波数のテラヘルツ電磁波の透過率を測定し、それを基準として真贋判定を行っているため、テラヘルツ電磁波の周波数域全て若しくは多くを測定して判定する場合に比べて、簡易な手法で肉眼判別困難マークを高速に判定することができる。 In the above authenticity discriminating device, the transmittance of the terahertz electromagnetic wave of a specific frequency is measured, and since the authenticity determination is performed based on the transmittance, compared to the case where the entire terahertz electromagnetic wave frequency range is measured or determined, A mark that is difficult to distinguish with the naked eye can be determined at high speed by a simple method.

上記の真贋判別装置において、偽造防止媒体を所定の測定方向に移動する際、一定間隔毎にテラヘルツ電磁波の透過率を測定し、判定手段は、それぞれの測定した位置に応じた透過率の変動を、予め測定した基準値と比較してその差異を判定し、報知手段は、判定結果に応じて報知を行うようにしてもよい。   When the anti-counterfeiting device moves the anti-counterfeit medium in a predetermined measurement direction, the transmittance of the terahertz electromagnetic wave is measured at regular intervals, and the determination unit measures the variation of the transmittance according to each measured position. The difference may be determined by comparing with a reference value measured in advance, and the notification unit may perform notification according to the determination result.

本発明によれば、テラヘルツ電磁波の少なくとも1周波数を特定し、その特定周波数が媒体を透過する透過率を測定して判定を行うため、簡易な手段で高速に真贋判定することが可能となる。 According to the present invention, since at least one frequency of the terahertz electromagnetic wave is specified and the transmittance of the specific frequency transmitted through the medium is determined, the authenticity can be determined at high speed with a simple means.

図1は、本発明の第1実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図である。FIG. 1 is a plan view and an enlarged view of a forgery prevention structure according to the first embodiment of the present invention. 図2は、図1の(a)に示す偽造防止構造体のII―II線に沿った断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the forgery prevention structure shown in FIG. 図3は、図1の(a)に示す偽造防止構造体を商品券等の媒体中に埋め込んだ状態の一例を示す図であり、(a)はその平面図を示し、(b)は、b−b線に沿った断面図を示す。FIG. 3 is a diagram showing an example of a state in which the forgery prevention structure shown in FIG. 1A is embedded in a medium such as a gift certificate, FIG. 3A is a plan view thereof, and FIG. Sectional drawing along a bb line is shown. 図4は、図1の(a)に示す偽造防止構造体のSRR(Split Ring Resonator)アレイ部にテラヘルツ電磁波を照射した場合の透過率Tを示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the transmittance T when the terahertz electromagnetic wave is irradiated to the SRR (Split Ring Resonator) array portion of the anti-counterfeit structure shown in FIG. 図5は、図3に示す偽造防止媒体に対して図4に示す特定周波数f のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Tの変化を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing a change in transmittance T when the terahertz electromagnetic wave having the specific frequency f 1 shown in FIG. 4 is scanned in the direction of the arrow with respect to the anti-counterfeit medium shown in FIG. 図6は、本発明に係る偽造防止構造体の透過率を測定するための真贋判別装置の概略を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an outline of an authenticity discriminating apparatus for measuring the transmittance of the forgery prevention structure according to the present invention. 図7は、本発明の第2実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図である。FIG. 7 is a plan view and an enlarged view showing a forgery prevention structure according to the second embodiment of the present invention. 図8は、図7の(a)に示す偽造防止構造体のVIII―VIII線に沿った断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line VIII-VIII of the forgery prevention structure shown in FIG. 図9は、図7の(a)に示す偽造防止構造体に対して特定周波数f のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Tの変化を示すグラフである。FIG. 9 is a graph showing a change in transmittance T when a terahertz electromagnetic wave having a specific frequency f 1 is scanned in the direction of the arrow with respect to the forgery prevention structure shown in FIG. 図10は、本発明の第3実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図である。FIG. 10 is a plan view and an enlarged view showing a forgery prevention structure according to the third embodiment of the present invention. 図11は、図10に示す偽造防止構造体のSRRアレイ部のそれぞれの形状にテラヘルツ電磁波を照射した場合の透過率Tを示すグラフであり、(a)は0.10THz〜0.80THzでの透過率の変位を示し、(b)はその一部を拡大して示す。FIG. 11 is a graph showing transmittance T when each shape of the SRR array portion of the forgery prevention structure shown in FIG. 10 is irradiated with terahertz electromagnetic waves, and (a) is at 0.10 THz to 0.80 THz. The displacement of the transmittance is shown, and FIG. 図12は、図10に示す偽造防止構造体に対して図11に示す特定周波数f のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Tの変化を示すグラフである。FIG. 12 is a graph showing a change in transmittance T when the anti-counterfeit structure shown in FIG. 10 is scanned with the terahertz electromagnetic wave having the specific frequency f 1 shown in FIG. 11 in the direction of the arrow. 図13は、本発明の第3実施形態に係る偽造防止構造体の変形例を示す平面図及びその拡大図である。FIG. 13: is the top view which shows the modification of the forgery prevention structure which concerns on 3rd Embodiment of this invention, and its enlarged view. 図14は、図7や図10等に示す偽造防止構造体を商品券等に転写した状態の一例を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing an example of a state in which the forgery prevention structure shown in FIGS. 7 and 10 is transferred to a gift certificate or the like.

以下、添付図面を参照しつつ、本発明に係る偽造防止構造体、当該偽造防止構造体を備える偽造防止媒体、及び、偽造防止構造体又は偽造防止媒体と組み合わされて使用される真贋判別装置の実施形態について詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いる場合があり、重複する説明は省略する。
[第1実施形態]
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, an anti-counterfeit structure according to the present invention, an anti-counterfeit medium including the anti-counterfeit structure, and an authenticity determination device used in combination with the anti-counterfeit structure or the anti-counterfeit medium The embodiment will be described in detail. In the description, the same reference numerals may be used for the same elements or elements having the same function, and redundant description is omitted.
[First Embodiment]

図1は、第1実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその部分拡大図であり、図2は、その偽造防止構造体の断面図である。図3は、偽造防止構造体を商品券等の偽造防止媒体中に埋め込んだ状態の一例を示す図である。偽造防止構造体1は、例えば証券類等における偽造を防止するための肉眼判別困難マークを形成するための構造体であり、例えば図3に示すような商品券中に埋め込まれたりすることで、商品券等の偽造防止媒体の偽造防止に利用されるものである。   FIG. 1 is a plan view and a partially enlarged view showing a forgery prevention structure according to the first embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the forgery prevention structure. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a state in which the forgery prevention structure is embedded in a forgery prevention medium such as a gift certificate. The anti-counterfeit structure 1 is a structure for forming a naked eye discrimination difficult mark for preventing forgery in, for example, securities, etc., and is embedded in a gift certificate as shown in FIG. It is used to prevent forgery of forgery prevention media such as gift certificates.

偽造防止構造体1は、図1の(a)に示すように、ベース基材11上に複数のSRRアレイ部12(SRR:Split Ring Resonator)が形成された偽造防止構造体であり、SRRアレイ部12は、複数のSRRパターン13が行方向及び列方向において等間隔に配置されることにより形成されている。各SRRパターン13は、一部13aが開放されている(欠けている)リング形状を呈しており、略C字状となっている。   As shown in FIG. 1A, the forgery prevention structure 1 is a forgery prevention structure in which a plurality of SRR array units 12 (SRR: Split Ring Resonator) are formed on a base substrate 11, and an SRR array. The portion 12 is formed by arranging a plurality of SRR patterns 13 at equal intervals in the row direction and the column direction. Each SRR pattern 13 has a ring shape in which a part 13a is open (missed), and is substantially C-shaped.

このようなSRRアレイ部12を有する偽造防止構造体1は、図2に示すように、ベース基材11と、ベース基材11上に形成される開口部形成層14と、開口部形成層14上に形成される導電性層15とを備えている。SRRアレイ部12を構成するSRRパターン13は、この導電性層15に対しSRRパターン13の形状に対応する開口部16を設けることによって形成されている。つまり、SRRパターン13のリング形状に対応する部分は空隙となっており開口部形成層14の表層が露出する。逆にSRRパターン13の開放部13aは導電性層15が残存する領域となっている。偽造防止構造体1は、導電性層15の表面側の面が外部に露出しているが、証券類等の偽造防止媒体において使用される際には、導電性層15側に絶縁性の層が配置されることになる。   As shown in FIG. 2, the forgery prevention structure 1 having such an SRR array unit 12 includes a base substrate 11, an opening forming layer 14 formed on the base substrate 11, and an opening forming layer 14. And a conductive layer 15 formed thereon. The SRR pattern 13 constituting the SRR array unit 12 is formed by providing an opening 16 corresponding to the shape of the SRR pattern 13 in the conductive layer 15. That is, the portion corresponding to the ring shape of the SRR pattern 13 is a gap, and the surface layer of the opening forming layer 14 is exposed. Conversely, the open portion 13a of the SRR pattern 13 is a region where the conductive layer 15 remains. The anti-counterfeit structure 1 has the surface on the surface side of the conductive layer 15 exposed to the outside, but when used in an anti-counterfeit medium such as securities, an insulating layer is formed on the conductive layer 15 side. Will be placed.

ベース基材11及び開口部形成層14は、テラヘルツ電磁波が透過可能な材料によって構成されおり、ベース基材11は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)から構成されており、開口部形成層14は、例えばポリウレタン樹脂から構成されている。このような材料から構成されることにより、テラヘルツ電磁波は、ベース基材11及び開口部形成層14を透過する。一方、導電性層15は、その層のみではテラヘルツ電磁波を遮断する材料から構成されており、例えば、Al、Fe、Au、Cu、Ag、Mg、Zn、Sn等の金属薄膜層から構成されている。このような材料から構成されることにより、テラヘルツ電磁波は、導電性層15により遮断される。なお、開口部形成層14は、絶縁性の層でもある。また、偽造防止構造体1が偽造防止媒体2において使用される際、ベース基材11は取り外されることもあるが、導電性層15及び開口部16によるSRRパターン13は外部に露出しないように開口部形成層14が外側に配置されることが多い。このような配置にすることにより、肉眼識別マークを隠すことができる。なお、ベース基材11は媒体を形成する主たる部材のことである。   The base substrate 11 and the opening forming layer 14 are made of a material that can transmit terahertz electromagnetic waves, and the base substrate 11 is made of, for example, polyethylene terephthalate (PET). For example, it is made of polyurethane resin. By being composed of such a material, the terahertz electromagnetic wave is transmitted through the base substrate 11 and the opening forming layer 14. On the other hand, the conductive layer 15 is made of a material that blocks terahertz electromagnetic waves only by that layer. For example, the conductive layer 15 is made of a metal thin film layer such as Al, Fe, Au, Cu, Ag, Mg, Zn, and Sn. Yes. By being composed of such a material, the terahertz electromagnetic wave is blocked by the conductive layer 15. The opening forming layer 14 is also an insulating layer. Further, when the anti-counterfeit structure 1 is used in the anti-counterfeit medium 2, the base substrate 11 may be removed, but the SRR pattern 13 by the conductive layer 15 and the opening 16 is opened so as not to be exposed to the outside. The part forming layer 14 is often disposed outside. With this arrangement, the naked eye identification mark can be hidden. The base substrate 11 is a main member that forms a medium.

ここで、「テラヘルツ電磁波が透過する」とは、その層を通過する前後で、テラヘルツ電磁波のどの周波数域においても100%出力が変わらないことを意味するのではなく、5%以上透過していれば、ここでいう「テラヘルツ電磁波が透過する」ことを意味する。逆に、「テラヘルツ電磁波が遮断される」とは、テラヘルツ電磁波の透過率が5%未満の透過を意味しており、テラヘルツ電磁波を100%遮断する場合(透過率が0%)に限られない。 Here, “transmitting terahertz electromagnetic waves” does not mean that the output does not change 100% in any frequency range of the terahertz electromagnetic waves before and after passing through the layer, but may transmit 5% or more. For example, this means that "the terahertz electromagnetic wave is transmitted". On the contrary, “the terahertz electromagnetic wave is blocked” means transmission with a transmittance of the terahertz electromagnetic wave of less than 5%, and is not limited to the case where the terahertz electromagnetic wave is blocked by 100% (the transmittance is 0%). .

上述したように導電性層15の一部が削られて各SRRパターン13が設けられ複数のSRRパターン13からSRRアレイ部12が形成された場合に、このSRRアレイ部12にテラヘルツ電磁波を照射すると、共鳴により、例えば図4に示すようなテラヘルツ波形(透過率パターン)33を観察することができる。上述したような構成のSRRアレイ部12により、テラヘルツ電磁波の一部の周波数域(図中では特定周波数f を中心とした周波数域)にて透過が起こる。なお、透過するテラヘルツ電磁波の周波数の透過率の半値幅W1は0.2THz以下となっている。このように、ピークの幅が小さければ、特性は周波数の小さな違い(±0.2THz程度)により透過率が大きく異なる特異なものとなるので、周波数の異なる複数の電磁波(例えば、±0.2THz偏移した電磁波)を用いてこの特性を測定することで、より正確な真贋判定が可能となる。 As described above, when a part of the conductive layer 15 is cut and each SRR pattern 13 is provided and the SRR array unit 12 is formed from the plurality of SRR patterns 13, the SRR array unit 12 is irradiated with terahertz electromagnetic waves. By the resonance, for example, a terahertz waveform (transmittance pattern) 33 as shown in FIG. 4 can be observed. The configuration SRR array section 12, such as described above, a portion of the frequency range of the terahertz electromagnetic wave transmission occurs at (frequency band was centered at a particular frequency f 1 in the figure). The half-value width W1 of the transmittance of the frequency of the transmitted terahertz electromagnetic wave is 0.2 THz or less. In this way, if the peak width is small, the characteristic becomes a peculiar one having a large difference in transmittance due to a small difference in frequency (about ± 0.2 THz), and therefore, a plurality of electromagnetic waves having different frequencies (for example, ± 0.2 THz). By measuring this characteristic using a shifted electromagnetic wave, a more accurate authentication can be made.

このような透過は、導電性層15の一部を所定のパターンに削り取り、各SRRパターン13を等間隔に配置することで、特定周波数f に対する共鳴が起こり、特定のテラヘルツ電磁波(特定周波数f )の周波数域のみが透過するといったものである。SRRパターン13のパターンの形状及び配列により、透過するピーク周波数、及び透過量が異なる構造体を作ることが可能であり、SRRパターン13の形状等に対応する透過ピーク周波数は、所定のシミュレーション装置を用いることにより、当業者であれば容易に算出することが可能である。使用するテラヘルツ電磁波の周波数範囲はリングの大きさで決まるが、本実施形態では、例えばテラヘルツ電磁波とは0.1THz〜3THzの範囲のものを意味している(T:テラ、1012)が、本発明はこれに限定される訳ではない。 Such transmission is achieved by scraping a part of the conductive layer 15 into a predetermined pattern and arranging the SRR patterns 13 at equal intervals, so that resonance with respect to the specific frequency f 1 occurs, and a specific terahertz electromagnetic wave (specific frequency f 1 ) Only the frequency band is transmitted. Depending on the shape and arrangement of the pattern of the SRR pattern 13, it is possible to create structures having different transmission peak frequencies and transmission amounts. The transmission peak frequency corresponding to the shape of the SRR pattern 13 is determined by a predetermined simulation device. By using it, those skilled in the art can easily calculate. The frequency range of the terahertz electromagnetic wave to be used is determined by the size of the ring. In the present embodiment, for example, the terahertz electromagnetic wave means a range of 0.1 THz to 3 THz (T: tera, 10 12 ). The present invention is not limited to this.

SRRパターン13の形成方法としては、種々の方法を用いることができるが、その一方法が特許第5169083号公報に開示されている。この特許文献に記載されている形成方法は、回折格子パターンを利用した形成方法であり、回折格子形成層のうち導電性層を削りたい部分を撥水性構造とすることで、全面に設けられた導電性層において撥水性構造となっているSRRパターン上の導電性層を除去している。このような形成方法を使用すれば、本実施形態においても、導電性層15上にも回折格子を設けることができ、かつ他のエッチング方式と比較して、より精度良く、より安価に偽造防止構造体1を製造することが出来る。   Various methods can be used as a method for forming the SRR pattern 13, and one method is disclosed in Japanese Patent No. 5169083. The formation method described in this patent document is a formation method using a diffraction grating pattern, and is provided on the entire surface by forming a water repellent structure in a portion of the diffraction grating formation layer where the conductive layer is to be removed. The conductive layer on the SRR pattern having a water-repellent structure in the conductive layer is removed. If such a forming method is used, also in this embodiment, a diffraction grating can be provided on the conductive layer 15, and anti-counterfeiting can be performed more accurately and at a lower cost than other etching methods. The structure 1 can be manufactured.

このような偽造防止構造体1は、例えば図3に示すような偽造防止媒体2に設けることが出来る。図3に示す例では、基材21中に偽造防止構造体1を埋め込むことで、偽造防止媒体2を構成している。偽造防止媒体2を構成する基材21としては、テラヘルツ電磁波を透過する材質であればよく、例えば紙基材又はプラスチック基材等から構成される。偽造防止媒体2としては、偽造防止構造体1を基材21中に埋め込む形態とする必要は必ずしもなく、基材21の表面や裏面に偽造防止構造体1を貼り付けるようにしてもよい。   Such a forgery prevention structure 1 can be provided in a forgery prevention medium 2 as shown in FIG. 3, for example. In the example illustrated in FIG. 3, the forgery prevention medium 2 is configured by embedding the forgery prevention structure 1 in the base material 21. The base material 21 constituting the forgery prevention medium 2 may be any material that transmits terahertz electromagnetic waves, and is made of, for example, a paper base material or a plastic base material. The anti-counterfeit medium 2 is not necessarily required to be embedded in the base material 21 and the anti-counterfeit structure 1 may be attached to the front surface or the back surface of the base material 21.

図3に示すような構成の偽造防止媒体2に対し、図5の(a)に示すように、ある特定のテラヘルツ電磁波(特定周波数f )を図示矢印方向に沿って照射すると、図5の(b)に示すように、特定テラヘルツ周波数における透過率Tのスキャン結果である透過率パターン4を得ることができる。この特定周波数f における透過率パターン4では、偽造防止構造体1が存在しない基材21の基材部では、透過率Tが高い透過率パターン41となり、SRRパターン13が無く導電性層15が存在する部分では、導電性層15の存在により透過率Tが低い(若しくは透過率が無い)透過率パターン44となり、さらにSRRアレイ部12においては、SRRパターンアレイの透過率Tが透過率パターン43となる。SRRアレイ部12における透過率パターン43は、SRRアレイ部12が存在しない基材21での透過率パターン41よりもその透過率Tは低いものの、所定の透過率となっている。そして、これらの透過率Tの波形の特徴を予めデータとして取り込んでおき、後述する真贋判別装置(図6参照)により真贋判定する際に、取り込んだ透過率Tの波形データ(透過率パターン4)と、実際に読み込んだ透過率Tの波形データとを比較し、両者の透過率の変化を比較することで、真贋判別することができる。 When the anti-counterfeit medium 2 configured as shown in FIG. 3 is irradiated with a specific terahertz electromagnetic wave (specific frequency f 1 ) as shown in FIG. As shown in (b), a transmittance pattern 4 that is a scan result of the transmittance T at a specific terahertz frequency can be obtained. In the transmittance pattern 4 at the specific frequency f 1, in the base material portion of the base material 21 where the anti-counterfeit structure 1 does not exist, a transmittance pattern 41 having a high transmittance T is obtained, and the SRR pattern 13 is not present and the conductive layer 15 is formed. In the existing portion, the transmittance pattern 44 has a low transmittance T (or no transmittance) due to the presence of the conductive layer 15. Further, in the SRR array unit 12, the transmittance T of the SRR pattern array is the transmittance pattern 43. It becomes. The transmittance pattern 43 in the SRR array unit 12 has a predetermined transmittance although the transmittance T is lower than the transmittance pattern 41 in the base material 21 in which the SRR array unit 12 does not exist. The characteristics of the waveform of the transmittance T are captured in advance as data, and the acquired waveform data of the transmittance T (transmittance pattern 4) is used when authenticity is determined by an authenticity determination device (see FIG. 6) described later. By comparing the actually read waveform data of the transmittance T and comparing the changes in the transmittance of the two, it is possible to determine the authenticity.

次に、上述した偽造防止媒体2(又は偽造防止構造体1)の真贋判定をテラヘルツ電磁波を利用して行う真贋判別装置100について説明する。図6は、偽造防止媒体2(又は偽造防止構造体1)を真贋判定するために使用される真贋判別装置を示す概略図である。偽造防止媒体2に特定周波数f のテラヘルツ電磁波が照射されるように、集光凸レンズ126を中央に配置し、矢印の方向(図示上下方向)に偽造防止媒体2を移動させる。この移動の際、照射した特定周波数f のテラヘルツ電磁波の透過率Tを読み取り、事前に読み取った透過率Tの基準値(透過率パターン4)と比較することで、その相違から偽造防止媒体2の真贋判定を行う。なお、詳細な判定処理については、従来技術を適宜用いることができるため、ここではその詳細な説明は省略する。 Next, the authenticity determination device 100 that performs the authenticity determination of the forgery prevention medium 2 (or the forgery prevention structure 1) using a terahertz electromagnetic wave will be described. FIG. 6 is a schematic diagram showing an authentication device used for authenticating the anti-counterfeit medium 2 (or anti-counterfeit structure 1). The condensing convex lens 126 is arranged at the center so that the anti-counterfeit medium 2 is irradiated with the terahertz electromagnetic wave having the specific frequency f 1 , and the anti-counterfeit medium 2 is moved in the direction of the arrow (the vertical direction in the figure). During this movement, the transmittance T of the irradiated terahertz electromagnetic wave having the specific frequency f 1 is read, and compared with the reference value (transmittance pattern 4) of the transmittance T read in advance. Authenticity is determined. In addition, about a detailed determination process, since a prior art can be used suitably, the detailed description is abbreviate | omitted here.

真贋判別装置100の具体的な測定装置例を以下に示す。真贋判別装置100は、レーザ発振器121(電磁波発生手段)、分配器122、PC(フォトコンダクター)アンテナ(送信側)123(電磁波発生手段)、PCアンテナ(受信側)124(変換手段)、凸レンズ125、凸レンズ126、時間遅延装置127、分析装置128(判定手段)、報知装置129(報知手段)、受信出力131、及び、参照出力132を備えている。この真贋判別装置100では、レーザ発振器121よりパルス波のレーザ光を例えば80fs(f:フェムト、10−15)だけ、PCアンテナ(送信側)123に向けて照射する。PCアンテナ(送信側)123にバイアス電圧をかけておくと、照射されたフェムト秒パルス光にてアンテナにて非常に短い間だけ電流が流れテラヘルツ(THz)帯の電磁波が発生する。ここで、発生するテラヘルツ電磁波は、特定周波数f となるように調整されている。 A specific measurement device example of the authenticity determination device 100 is shown below. The authenticity discrimination device 100 includes a laser oscillator 121 (electromagnetic wave generation means), a distributor 122, a PC (photoconductor) antenna (transmission side) 123 (electromagnetic wave generation means), a PC antenna (reception side) 124 (conversion means), and a convex lens 125. , A convex lens 126, a time delay device 127, an analysis device 128 (determination unit), a notification device 129 (notification unit), a reception output 131, and a reference output 132. In this authenticity discriminating apparatus 100, a laser beam of a pulse wave is emitted from the laser oscillator 121 toward the PC antenna (transmission side) 123 by, for example, 80 fs (f: femto, 10 −15 ). When a bias voltage is applied to the PC antenna (transmission side) 123, a current flows through the antenna with the irradiated femtosecond pulse light for a very short time, and a terahertz (THz) band electromagnetic wave is generated. Here, the terahertz electromagnetic wave generated is adjusted to a specific frequency f 1.

このテラヘルツ電磁波は、送信側の凸レンズ125にて平行波になり、さらに凸レンズ126により収束される。送信側の凸レンズ125,126は照射手段を構成しており、一番収束された部分に、測定物である偽造防止媒体2を配置して図示矢印方向に移動させることにより、目標とするターゲットに特定周波数f のテラヘルツ電磁波を連続して照射させる。ターゲットである偽造防止媒体2を透過したテラヘルツ周波数を受信側の凸レンズ(平行光)126および凸レンズ(集光)125にて集め、PCアンテナ(受信側)124に照射させる。受信側のPCアンテナ124から受信データを取り出すタイミングは、レーザ光の分配器122及び時間遅延装置127を通して、ある一定の時間ΔT毎にレーザ光を受信アンテナに照射する事により行える。この原理によってある一定の時間ΔT毎の時間領域の波形が得られる。その得られたデータをフーリエ変換することにより、周波数領域のデータに変換できる。なお、マイクロ波、テラヘルツ波帯で検出する方法は上記以外にも多くあり、検出方法として何れを用いてもよい。 This terahertz electromagnetic wave becomes a parallel wave by the convex lens 125 on the transmission side, and is further converged by the convex lens 126. The convex lenses 125 and 126 on the transmission side constitute an irradiating means, and the anti-counterfeit medium 2 as the measurement object is arranged at the most converged portion and moved in the direction of the arrow in the figure, so that the target target is obtained. A terahertz electromagnetic wave having a specific frequency f 1 is continuously irradiated. The terahertz frequencies transmitted through the anti-counterfeit medium 2 as a target are collected by a convex lens (parallel light) 126 and a convex lens (condensing) 125 on the reception side, and irradiated to the PC antenna (reception side) 124. The timing of extracting the reception data from the PC antenna 124 on the reception side can be performed by irradiating the reception antenna with the laser beam every certain time ΔT through the laser beam distributor 122 and the time delay device 127. By this principle, a waveform in the time domain every certain time ΔT is obtained. The obtained data can be converted into frequency domain data by Fourier transform. There are many methods other than those described above for detection in the microwave and terahertz wave bands, and any detection method may be used.

そして、分析装置128により、偽造防止媒体2に特定周波数のテラヘルツ電磁波を照射して透過したテラヘルツ電磁波の透過率Tと、偽造防止媒体2(若しくはその同等物)に対して予め測定されているテラヘルツ電磁波の透過率Tとの差異を判定する。分析装置128での判定により、両者の差異があると判定された場合、報知装置129はその旨を報知する。報知装置129は、両者の差異がないと判定された場合にその旨を報知してもよい。なお、偽造防止媒体2を所定の測定方向に移動する際に、一定間隔毎にテラヘルツ電磁波の透過率Tを測定し、それぞれの測定した位置に応じた透過率Tの変動を予め測定した基準値と比較してその差異を判定し、報知装置129は、その判定結果に応じて報知を行うようにしてもよい。なお、以下で説明する他の実施形態に係る偽造防止構造体を用いた偽造防止媒体の真贋判定にも同様に上記真贋判別装置100を用いることが可能である。 Then, the transmittance T of the terahertz electromagnetic wave transmitted by irradiating the anti-counterfeit medium 2 with the terahertz electromagnetic wave having a specific frequency and the terahertz preliminarily measured with respect to the anti-counterfeit medium 2 (or an equivalent thereof). The difference from the electromagnetic wave transmittance T is determined. When it is determined that there is a difference between the two by the determination in the analysis device 128, the notification device 129 notifies that fact. The notification device 129 may notify the fact when it is determined that there is no difference between the two. In addition, when moving the anti-counterfeit medium 2 in a predetermined measuring direction, the transmittance T of the terahertz electromagnetic wave is measured at regular intervals, and a reference value obtained by measuring in advance the variation of the transmittance T according to each measured position The notification device 129 may perform notification according to the determination result. Note that the authenticity determination device 100 can also be used in the same manner for authenticating an anti-counterfeit medium using an anti-counterfeit structure according to another embodiment described below.

このように、本実施形態における偽造防止構造体1及び偽造防止構造体1を備える偽造防止媒体2では、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層15に、特定周波数f のテラヘルツ電磁場が透過可能な所定のSRRパターン13を形成する開口部16を設けている。このため、透過するテラヘルツ電磁波を特定周波数f に限定し、その特定周波数f が偽造防止媒体2等を透過する透過率Tを測定することにより真贋判定することができるので、テラヘルツ電磁波の周波数域全てを測定し且つスキャンする従来の手法よりも、簡易な手法により肉眼判別困難マークを高速で判定することができる。しかも、肉眼判定困難マークが層の内側に配置されることになるので、偽造防止効果も高い。 As described above, in the anti-counterfeit structure 1 and the anti-counterfeit medium 2 including the anti-counterfeit structure 1 in the present embodiment, the predetermined frequency that allows the terahertz electromagnetic field having the specific frequency f 1 to pass through the conductive layer 15 that blocks the terahertz electromagnetic wave. An opening 16 for forming the SRR pattern 13 is provided. Therefore, since, by limiting the terahertz waves transmitted through the specific frequency f 1, it is possible that particular frequency f 1 is authenticity determination by measuring the transmittance T for transmitting medium for preventing forgery 2, etc., the frequency of the terahertz wave Compared with the conventional method of measuring and scanning the entire area, it is possible to determine a mark that is difficult to distinguish with the naked eye at a high speed by a simple method. In addition, since the naked eye determination difficult mark is arranged inside the layer, the forgery prevention effect is also high.

なお、偽造防止構造体1の導電性層15に設けられた開口部16のパターンは、1つの大きさをマイクロ文字以下とすることより(マイクロ文字は一辺0.25mmとする)、目視ではこの開口部16を見ることが困難となるため、偽造防止媒体を見かけ上変えずにセキュリティ向上を図ることが出来る。また、偽造防止構造体1の開口部形成層14には、ホログラム等の光の照射により回折を生じさせる回折格子形成層(光回折層)を設けてもよい。この場合、ホログラム等によりSRRパターン13がより一層隠されることになり、偽造防止効果をより一層高めることができる。
[第2実施形態]
The pattern of the openings 16 provided in the conductive layer 15 of the anti-counterfeit structure 1 has one size less than or equal to a micro character (a micro character has a side of 0.25 mm). Since it becomes difficult to see the opening 16, security can be improved without apparently changing the forgery prevention medium. Further, the opening forming layer 14 of the forgery prevention structure 1 may be provided with a diffraction grating forming layer (light diffraction layer) that causes diffraction by irradiation with light such as a hologram. In this case, the SRR pattern 13 is further hidden by the hologram or the like, and the forgery prevention effect can be further enhanced.
[Second Embodiment]

次に、本発明の第2実施形態に係る偽造防止構造体について図7〜図9を参照して説明する。図7は、第2実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図であり、図8は、偽造防止構造体の断面図である。なお、以下では、第1実施形態に係る偽造防止構造体1と同様の部分については説明を省略し、相違する点を中心として説明する。   Next, a forgery prevention structure according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 7 is a plan view showing an anti-counterfeit structure according to the second embodiment and an enlarged view thereof, and FIG. 8 is a cross-sectional view of the anti-counterfeit structure. In addition, below, description is abbreviate | omitted about the part similar to the forgery prevention structure 1 which concerns on 1st Embodiment, and it demonstrates centering around a different point.

偽造防止構造体5は、ベース基材51上にSRRアレイ部52が形成された偽造防止構造体である。SRRアレイ部52は、第1実施形態と同様に、導電性層55に開口部56を設けることにより形成されている。SRRアレイ部52は、複数のSRRパターン53が行方向及び列方向において等間隔に配置されることにより形成されている。各SRRパターン53は、一部53aが開放されているリング形状を呈しており、略C字状となっている。   The forgery prevention structure 5 is a forgery prevention structure in which the SRR array part 52 is formed on the base substrate 51. Similar to the first embodiment, the SRR array unit 52 is formed by providing an opening 56 in the conductive layer 55. The SRR array unit 52 is formed by arranging a plurality of SRR patterns 53 at equal intervals in the row direction and the column direction. Each SRR pattern 53 has a ring shape in which a part 53a is opened, and is substantially C-shaped.

偽造防止構造体5は、第1実施形態と同様に、ベース基材51、開口部形成層54及び導電性層55を備えており、更に、剥離層57、絶縁層58及び接着層59を備えている。剥離層57は、ベース基材51と開口部形成層54との間に配置されており、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つベース基材51からそれ以外の層54,55,58,59等を剥離可能としている。絶縁層58は、電気的絶縁性を有する電気的絶縁層であり、同様に絶縁性を有する開口部形成層54と共に導電性層55を挟み込む。接着層59は、導電性層55の開口部形成層54とは逆側の面に絶縁層58を介して配置されており、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ接着性を有している。偽造防止構造体5では、剥離層57及び接着層59を備えた構成であることから、偽造防止構造体5に転写箔としての機能を付与することができる。このため、例えば図14に示すように、基材151上に熱転写により接着層59を貼付けすることにより、偽造防止媒体150のような構成とすることができる。   Similar to the first embodiment, the forgery prevention structure 5 includes a base substrate 51, an opening forming layer 54, and a conductive layer 55, and further includes a release layer 57, an insulating layer 58, and an adhesive layer 59. ing. The release layer 57 is disposed between the base substrate 51 and the opening forming layer 54, can transmit terahertz electromagnetic waves, and the other layers 54, 55, 58, 59, etc. from the base substrate 51 can be used. It can be peeled off. The insulating layer 58 is an electrically insulating layer having electrical insulating properties, and similarly sandwiches the conductive layer 55 together with the opening forming layer 54 having insulating properties. The adhesive layer 59 is disposed on the surface of the conductive layer 55 opposite to the opening forming layer 54 with an insulating layer 58 interposed therebetween, and can transmit terahertz electromagnetic waves and has adhesiveness. Since the forgery prevention structure 5 has a configuration including the release layer 57 and the adhesive layer 59, the forgery prevention structure 5 can be provided with a function as a transfer foil. For this reason, for example, as shown in FIG. 14, the anti-counterfeit medium 150 can be configured by sticking the adhesive layer 59 on the base material 151 by thermal transfer.

なお、導電性層55は、回折格子形成部50も有しており、見た目には回折格子の絵柄が見えるようになっている。ここで、偽造防止構造体5におけるSRRアレイ部52のSRRパターン53が十分小さく、導電性層55の面積比率が50%以上であるとき、目視では回折格子のみが認識され、回折格子媒体とテラヘルツ電磁波による真贋判別可能な回折格子媒体とを交換しても目視では解らない。これにより、偽造防止媒体のデザインを変えることなく、高偽造防止耐性が備わった偽造防止媒体に変更することが出来る。   The conductive layer 55 also has a diffraction grating forming unit 50 so that the pattern of the diffraction grating can be seen visually. Here, when the SRR pattern 53 of the SRR array portion 52 in the forgery prevention structure 5 is sufficiently small and the area ratio of the conductive layer 55 is 50% or more, only the diffraction grating is visually recognized, and the diffraction grating medium and the terahertz Even if a diffraction grating medium capable of authenticating by electromagnetic waves is exchanged, it cannot be visually confirmed. Thereby, it is possible to change to a forgery prevention medium having high anti-counterfeit resistance without changing the design of the forgery prevention medium.

このような偽造防止構造体5に対し、図9の(a)に示すように矢印の方向にある特定のテラヘルツ電磁波(特定周波数f )を照射することで、第1実施形態と同様に、特定周波数f における透過率Tのスキャンパターン6(導電性層55におけるパターン64及びSRRアレイ部52におけるパターン63)を得ることができる。第1実施形態と同様に、この波形の特徴を予め基準値データとして真贋判別装置100によって取り込み、比較することで真贋判別が可能となる。このように、偽造防止構造体5によれば、第1実施形態と同様の作用効果を奏することが可能となる。 By irradiating such anti-counterfeit structure 5 with a specific terahertz electromagnetic wave (specific frequency f 1 ) in the direction of the arrow as shown in FIG. 9A, as in the first embodiment, A scan pattern 6 having a transmittance T at the specific frequency f 1 (the pattern 64 in the conductive layer 55 and the pattern 63 in the SRR array unit 52) can be obtained. As in the first embodiment, the authenticity determination can be performed by capturing and comparing the characteristics of this waveform as reference value data by the authenticity determination device 100 in advance. Thus, according to the forgery prevention structure 5, it is possible to achieve the same operational effects as in the first embodiment.

また、偽造防止構造体5は、剥離層57と接着層59とを備えている。このため、ベース基材51によって偽造防止構造体5の製造・流通等を容易に行うことができると共に、実際に使用する際には、ベース基材51を剥離層57から容易に剥離し、接着層59により所定の偽造防止媒体に容易に貼り付けることが可能となる。
[第3実施形態]
Further, the forgery prevention structure 5 includes a release layer 57 and an adhesive layer 59. For this reason, it is possible to easily manufacture and distribute the anti-counterfeit structure 5 with the base base material 51, and in the actual use, the base base material 51 is easily peeled off from the release layer 57 and bonded. The layer 59 allows easy attachment to a predetermined anti-counterfeit medium.
[Third Embodiment]

次に、本発明の第3実施形態に係る偽造防止構造体について図10〜図12を参照して説明する。図10は、第3実施形態に係る偽造防止構造体を示す平面図及びその拡大図であり、図11は、図10に示す偽造防止構造体のSRRアレイ部のそれぞれの形状にテラヘルツ電磁波を照射した場合の透過率Tを示すグラフである。図12は、図10に示す偽造防止構造体に対して特定周波数f のテラヘルツ電磁波を矢印の方向にスキャンした際の透過率Tの変化を示すグラフである。なお、第3実施形態に係る偽造防止構造体7は、基本的な層構成は第2実施形態に係る偽造防止構造体5と同様であり、以下、相違する点を中心に説明する。 Next, a forgery prevention structure according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 is a plan view showing an anti-counterfeit structure according to the third embodiment and an enlarged view thereof, and FIG. 11 irradiates each shape of the SRR array portion of the anti-counterfeit structure shown in FIG. 10 with terahertz electromagnetic waves. It is a graph which shows the transmittance | permeability T at the time of doing. FIG. 12 is a graph showing a change in transmittance T when a terahertz electromagnetic wave having a specific frequency f 1 is scanned in the direction of the arrow with respect to the forgery prevention structure shown in FIG. The anti-counterfeit structure 7 according to the third embodiment has the same basic layer configuration as the anti-counterfeit structure 5 according to the second embodiment, and will be described below with a focus on differences.

偽造防止構造体7では、図10に示すように、導電性層55の開口部によって形成されるSRRパターン73〜75がその配置箇所(エリア)に応じて異なっており、SRRパターン73では、リング状の図示上方に開放部73aが設けられている。一方、SRRパターン74では、SRRパターン73と異なり、開放部74aがやや斜め上方となるように設けられ、SRRパターン75では、更に横方向(図示左方向)になるように開放部75aが設けられている。第3実施形態に係る偽造防止構造体7では、このように、SRRアレイ部72において、SRRパターン73〜75の形状を開放部73a〜75aの角度を変えることで変化させ、透過されるテラヘルツ電磁波の透過率TをSRRパターン73〜75毎に変化させている。このようにリング状の一部が開放している形状で等間隔に配置することで、第2実施形態等と同様に特定周波数に共鳴を起こすようにして特定のテラヘルツ電磁波の周波数を透過させると共に、さらに、本実施形態では、照射するテラヘルツ電磁波が指向性を有し、いわゆる偏光された電磁波が照射されることより、開放された(欠けている)部分の角度を照射するテラヘルツ電磁波の偏光角度からずらすことにより、ずらした角度の分だけ透過率を低くさせるようにしている。 In the forgery prevention structure 7, as shown in FIG. 10, the SRR patterns 73 to 75 formed by the openings of the conductive layer 55 differ depending on the arrangement locations (areas). An open part 73a is provided above the figure. On the other hand, in the SRR pattern 74, unlike the SRR pattern 73, the open portion 74a is provided so as to be slightly upward, and in the SRR pattern 75, the open portion 75a is further provided in the lateral direction (the left direction in the figure). ing. In the anti-counterfeit structure 7 according to the third embodiment, in this way, in the SRR array unit 72, the shapes of the SRR patterns 73 to 75 are changed by changing the angles of the open portions 73a to 75a, and the transmitted terahertz electromagnetic waves are transmitted. The transmittance T is changed for each of the SRR patterns 73 to 75. In this way, a part of the ring-shaped are arranged at regular intervals in the form which is open, with transmitting frequency of the particular THz radiation so as to cause resonance in the specific frequency as in the second embodiment and the like Furthermore, in this embodiment, the terahertz electromagnetic wave to be irradiated has directivity, and the polarization angle of the terahertz electromagnetic wave that irradiates the angle of the open (missing) portion by irradiating the so-called polarized electromagnetic wave. The transmittance is lowered by an amount corresponding to the shifted angle.

図11には、このようにして透過率をずらした、特定テラヘルツ周波数における透過率Tのスキャンした透過率パターン82〜85を示している。図11に示すグラフでは、照射するテラヘルツ電磁波の偏光角度から略ずれていないSRRパターン73の透過率パターン83、偏光角度から35°ずらしたSRRパターン74の透過率パターン84、偏光角度から60°ずらしたSRRパターン75の透過率パターン85を示している。なお、図11では、偏光角度から90°ずらした場合の透過率パターン82も示しており、この場合、特定周波数f における透過率が一番低くなっている。 FIG. 11 shows transmittance patterns 82 to 85 obtained by scanning the transmittance T at a specific terahertz frequency with the transmittance shifted in this way. In the graph shown in FIG. 11, the transmittance pattern 83 of the SRR pattern 73 not substantially deviated from the polarization angle of the terahertz electromagnetic wave to be irradiated, the transmittance pattern 84 of the SRR pattern 74 shifted by 35 ° from the polarization angle, and shifted by 60 ° from the polarization angle. A transmittance pattern 85 of the SRR pattern 75 is shown. In FIG. 11, the transmittance pattern 82 when shifted 90 ° from the polarization angle is also shown, in this case, the transmittance in the specific frequency f 1 becomes lowest.

このように本実施形態に係る偽造防止構造体7では、SRRパターン73〜75の偏向角度に対する欠け部の角度を何種類かに分けてずらすことにより、例えば、図12の(a)の矢印方向にスキャンした場合、特定周波数f における透過率のスキャンパターン9を、異なるパターン91,94,93,95,91を含むように、より複雑なものすることができる。真贋判別装置100では、このような複雑な透過率変化のスキャンパターン9を基準値と比較判定することにより、一層複雑な真贋判定が可能になる。しかも、透過率変化のパターンを並び替えることも可能となり、様々な券種に対応した真贋判定が可能になる。つまり、偽造防止構造体7は、より複雑な偽造防止媒体を形成することが可能となる。なお、偽造防止構造体7でも回折格子形成部70を設けてもよい。 As described above, in the forgery prevention structure 7 according to the present embodiment, the angle of the chipped portion with respect to the deflection angle of the SRR patterns 73 to 75 is divided into several types and shifted, for example, in the direction of the arrow in FIG. , The scan pattern 9 of the transmittance at the specific frequency f 1 can be made more complicated so as to include different patterns 91, 94, 93, 95, 91. In the authenticity discriminating apparatus 100, by comparing the scan pattern 9 with such a complicated transmittance change with the reference value, it is possible to make a more complicated authenticity determination. In addition, it is possible to rearrange the patterns of transmittance change, and authenticity determination corresponding to various ticket types is possible. That is, the forgery prevention structure 7 can form a more complex forgery prevention medium. The anti-counterfeit structure 7 may also be provided with the diffraction grating forming unit 70.

なお、図10等に示す偽造防止構造体7では、偏光角度に対するずれ角度が異なるSRRパターン73〜75を一方のスキャン方向に沿って配置するようにしていたが、図13に示すように、SRRアレイ部112において、SRRパターン73〜75を同心状となるようにエリア配置した偽造防止構造体10としてもよい。この場合、偽造防止構造体10を含む媒体を真贋判定する際のスキャン方向を水平方向および垂直方向のいずれにも取っても同様の透過率波形を得ることが出来るので、現場でのスキャン作業を容易に行うことができる。   In the forgery prevention structure 7 shown in FIG. 10 and the like, the SRR patterns 73 to 75 having different deviation angles with respect to the polarization angle are arranged along one scanning direction. However, as shown in FIG. In the array unit 112, the anti-counterfeit structure 10 may be configured such that the SRR patterns 73 to 75 are arranged in an area so as to be concentric. In this case, since the same transmittance waveform can be obtained regardless of whether the scanning direction when determining the authenticity of the medium including the anti-counterfeit structure 10 is in the horizontal direction or the vertical direction, the on-site scanning operation can be performed. It can be done easily.

以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these Examples.

まず、ベース基材として厚さ25μmの透明PET上に下記[剥離保護層の組成]からなる剥離保護層を厚さ1.0μmで設け、その上に下記[回折格子形成層の組成]からなる回折格子形成層(開口部形成層)を厚さ2.0μmで設けた。その後、回折格子形成層上に、160℃、線厚40kg/cmにて、所定の回折格子版(ロール状)を押し当て、回折格子エンボスを得た。   First, a release protective layer composed of the following [Composition of peel protection layer] is provided on a transparent PET having a thickness of 25 μm as a base substrate, and the following [Composition of diffraction grating forming layer] is formed thereon. A diffraction grating forming layer (opening forming layer) was provided with a thickness of 2.0 μm. Thereafter, a predetermined diffraction grating plate (roll shape) was pressed onto the diffraction grating forming layer at 160 ° C. and a line thickness of 40 kg / cm to obtain a diffraction grating emboss.

その後、回折格子エンボスを得た回折格子形成層上に真空蒸着法にてアルミニウムを厚さ60nmで設けた。さらにその上に絶縁性層としてフッ化マグネシウムを100nm真空蒸着法にて設けた。このようにして得られたフィルムに対し、1.5N(ノルマル)の水酸化ナトリウム溶液にてエッチングを行い、水洗後、0.1N(ノルマル)の塩酸で中和し、所定のSRRパターンを得た。その上に下記[接着層の組成]からなる接着層を2.0μmで設け、偽造防止転写箔の実施例1を得た。   Thereafter, aluminum was provided at a thickness of 60 nm by a vacuum vapor deposition method on the diffraction grating forming layer from which the diffraction grating embossing was obtained. Further, magnesium fluoride was provided thereon as an insulating layer by a 100 nm vacuum deposition method. The film thus obtained is etched with a 1.5N (normal) sodium hydroxide solution, washed with water and neutralized with 0.1N (normal) hydrochloric acid to obtain a predetermined SRR pattern. It was. An adhesive layer comprising the following [Adhesive layer composition] was provided at 2.0 μm thereon to obtain Example 1 of the anti-counterfeit transfer foil.

[剥離保護層の組成]
実施例1に係る偽造防止転写箔に用いる剥離保護層の組成は以下の通りである。
アクリル系樹脂(BR−116:三菱レーヨン社製) 20部
溶剤(トルエン/MEK/酢酸エチル) 40部/35部/5部
[Composition of peeling protective layer]
The composition of the peeling protective layer used in the forgery prevention transfer foil according to Example 1 is as follows.
Acrylic resin (BR-116: manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) 20 parts Solvent (toluene / MEK / ethyl acetate) 40 parts / 35 parts / 5 parts

[回折格子形成層の組成]
実施例1に係る偽造防止転写箔に用いる回折格子形成層の組成は以下の通りである。
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 25部
(ソルバインCH:日信化学工業社製)
ウレタン樹脂 10部
(コロネートT−100:日本ポリウレタン工業社製)
MEK 70部
トルエン 30部
[Composition of diffraction grating forming layer]
The composition of the diffraction grating forming layer used in the anti-counterfeit transfer foil according to Example 1 is as follows.
25 parts of vinyl chloride-vinyl acetate copolymer (Solvine CH: manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
10 parts of urethane resin (Coronate T-100: manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.)
MEK 70 parts Toluene 30 parts

[接着層の組成]
実施例1に係る偽造防止転写箔に用いる接着剤の組成は以下の通りである。
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体 30部
(ソルバインC:日信化学工業社製)
ポリエステル樹脂 20部
(バイロン200:東洋紡社製)
MEK 25部
トルエン 25部
[Composition of adhesive layer]
The composition of the adhesive used for the forgery-preventing transfer foil according to Example 1 is as follows.
30 parts of vinyl chloride-vinyl acetate copolymer (Solvine C: manufactured by Nissin Chemical Industry Co., Ltd.)
20 parts of polyester resin (Byron 200: manufactured by Toyobo Co., Ltd.)
MEK 25 parts Toluene 25 parts

比較例1として、上記構成のうち、SRRパターンが無い構成の偽造サンプルを作製した。   As Comparative Example 1, a counterfeit sample having a configuration without an SRR pattern among the above configurations was produced.

上記2種類の転写媒体をそれぞれ紙基材の商品券サンプル上に、ホットスタンプにて数ポット状に熱転写を行い、偽造防止媒体(実施例1)および偽造防止媒体の比較品(比較例1)を作製した。   The above two types of transfer media are each thermally transferred in several pots by hot stamping onto a gift certificate sample of a paper base material, and a counterfeit prevention medium (Example 1) and a comparison product of the forgery prevention medium (Comparative Example 1). Was made.

上記2種類の偽造防止媒体(実施例1)および偽造防止媒体の比較品(比較例1)は、見た目上は全く同じに出来ており、区別が付かないが、図6に示す真贋判別装置100にて上記2種類の転写箔部分の透過波形を測定したところ、真性品(実施例1)では、図5に示すような波形を示したが、偽造品(比較例1)は転写箔部分にテラヘルツ電磁波の透過が見られなかったことより、容易に区別が付いた。   The two types of anti-counterfeit media (Example 1) and the comparison product (Comparative Example 1) of the anti-counterfeit media are exactly the same in appearance and cannot be distinguished, but the authenticity discrimination device 100 shown in FIG. When the transmission waveforms of the above two types of transfer foil portions were measured, the genuine product (Example 1) showed a waveform as shown in FIG. 5, while the counterfeit product (Comparative Example 1) was transferred to the transfer foil portion. Since no transmission of terahertz electromagnetic waves was observed, it was easily distinguished.

1,5,7,10…偽造防止構造体、2…偽造防止媒体、11,51…ベース基材、12,52…SRRアレイ部、13,53…SRRパターン、13a,53a,73a,74a,75a…開放部、14,54…開口部形成層、15,55…導電性層、16,56…開口部、21…基材、57…剥離層、58…絶縁層、59…接着層、100…真贋判別装置。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,5,7,10 ... Anti-counterfeit structure, 2 ... Anti-counterfeit medium, 11, 51 ... Base base material, 12, 52 ... SRR array part, 13, 53 ... SRR pattern, 13a, 53a, 73a, 74a, 75a ... Open part, 14,54 ... Opening layer, 15,55 ... Conductive layer, 16,56 ... Opening part, 21 ... Base material, 57 ... Peeling layer, 58 ... Insulating layer, 59 ... Adhesive layer, 100 ... Authenticity discrimination device.

Claims (9)

テラヘルツ電磁波が透過可能なベース基材と、
前記ベース基材の一方の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能な開口部形成層と、
前記開口部形成層の前記ベース基材とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波を遮断する導電性層と、を備え、
前記開口部形成層は、電気的絶縁層であり、
前記導電性層は、特定周波数のテラヘルツ電磁波が透過可能な所定パターンを形成する開口部を有しており、前記所定パターンは、リング状の一部が開放された形状を呈する前記開口部から形成されており、同一形状からなる前記所定パターンが等間隔で複数配置されていることを特徴とする偽造防止構造体。
A base substrate capable of transmitting terahertz electromagnetic waves;
An opening forming layer disposed on one surface of the base substrate and capable of transmitting a terahertz electromagnetic wave;
A conductive layer disposed on a surface opposite to the base substrate of the opening forming layer, and blocking terahertz electromagnetic waves,
The opening forming layer is an electrically insulating layer,
The conductive layer may Propelled by one openings terahertz electromagnetic wave of a specific frequency to form a permeable predetermined pattern, the predetermined pattern from said opening exhibiting a shape in which a part of the ring-shaped is open An anti-counterfeit structure characterized in that a plurality of the predetermined patterns having the same shape are arranged at equal intervals .
前記開口部形成層は、光の照射により回折を生じさせる光回折層を有していることを特徴とする請求項1に記載の偽造防止構造体。   The forgery prevention structure according to claim 1, wherein the opening forming layer has a light diffraction layer that causes diffraction by light irradiation. 前記ベース基材と前記開口部形成層との間に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ前記ベース基材からそれ以外の前記各層を剥離可能とする剥離層と、
前記導電性層の前記開口部形成層とは逆側の面に配置され、テラヘルツ電磁波が透過可能であり且つ接着性を有する接着層と、を更に備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の偽造防止構造体。
A peeling layer disposed between the base substrate and the opening forming layer, capable of transmitting terahertz electromagnetic waves and capable of peeling the other layers from the base substrate;
The adhesive layer further comprising: an adhesive layer that is disposed on a surface opposite to the opening forming layer of the conductive layer and is capable of transmitting a terahertz electromagnetic wave and having adhesiveness. 2. A forgery prevention structure according to 2.
前記所定パターンを形成する前記開口部を有する前記導電性層は、前記特定周波数のテラヘルツ電磁波をピークとして選択的にテラヘルツ電磁波を透過させ、前記透過するテラヘルツ電磁波の周波数の透過率の半値幅が0.2THz以下であることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の偽造防止構造体。 The conductive layer having the opening that forms the predetermined pattern selectively transmits the terahertz electromagnetic wave with the terahertz electromagnetic wave having the specific frequency as a peak, and the half width of the transmittance of the frequency of the transmitted terahertz electromagnetic wave is 0. The anti-counterfeit structure according to any one of claims 1 to 3, wherein the anti-counterfeit structure is at least 2 THz. 複数の前記所定パターンにおいて、前記リング上における前記開放された部分の角度が同じである、請求項1〜4の何れか一項に記載の偽造防止構造体。 The forgery prevention structure according to any one of claims 1 to 4 , wherein, in the plurality of predetermined patterns, the angles of the opened portions on the ring are the same. 複数の前記所定パターンにおいて、前記リング上における前記開放された部分の角度が異なる、請求項1〜4の何れか一項に記載の偽造防止構造体。 The forgery prevention structure according to any one of claims 1 to 4 , wherein an angle of the opened portion on the ring is different in a plurality of the predetermined patterns. 紙基材又はプラスチック基材を備えた偽造防止媒体であって、
請求項1〜の何れか一項に記載の偽造防止構造体は、少なくともその一部が前記紙基材又は前記プラスチック基材中に埋められている、又は、前記紙基材又は前記プラスチック基材上に配置されていることを特徴とする偽造防止媒体。
An anti-counterfeit medium comprising a paper substrate or a plastic substrate,
The anti-counterfeit structure according to any one of claims 1 to 6 , wherein at least a part thereof is embedded in the paper base material or the plastic base material, or the paper base material or the plastic base material. An anti-counterfeit medium characterized by being disposed on a material.
少なくとも一周波数のテラヘルツ電磁波を発生可能な電磁波発生手段と、
前記電磁波発生手段によって発生される特定周波数のテラヘルツ電磁波を物体に照射する照射手段と、
前記物体を透過した前記特定周波数のテラヘルツ電磁波を受信し、受信したテラヘルツ電磁波に対応した透過率に変換する変換手段と、
請求項1〜の何れか一項に記載の偽造防止構造体に前記特定周波数のテラヘルツ電磁波を照射して透過したテラヘルツ電磁波の透過率と、前記偽造防止構造体に対して基準値として予め測定されているテラヘルツ電磁波の透過率との差異を判定する判定手段と、
前記判定手段により前記差異があると判定された場合又は前記差異が無いと判定された場合の何れかの場合に判定結果に応じた報知を行う報知手段と、
を備えていることを特徴とする真贋判別装置。
Electromagnetic wave generating means capable of generating terahertz electromagnetic waves of at least one frequency ;
An irradiating means for irradiating an object with a terahertz electromagnetic wave having a specific frequency generated by the electromagnetic wave generating means;
Converting means for receiving the terahertz electromagnetic wave having the specific frequency transmitted through the object and converting it into a transmittance corresponding to the received terahertz electromagnetic wave;
The transmittance of the terahertz electromagnetic wave transmitted by irradiating the anti-counterfeit structure according to any one of claims 1 to 6 with the terahertz electromagnetic wave having the specific frequency and the reference value for the anti-counterfeit structure are measured in advance. A determination means for determining a difference from the transmittance of the terahertz electromagnetic wave,
Informing means for informing in accordance with the determination result when the determination means determines that there is the difference or when it is determined that there is no difference;
An authenticity discriminating apparatus comprising:
請求項に記載の偽造防止媒体を所定の測定方向に移動する際、一定間隔毎に前記テラヘルツ電磁波の透過率を測定し、前記判定手段は、それぞれの測定した位置に応じた透過率の変動を、予め測定した前記基準値と比較してその差異を判定し、
前記報知手段は、前記判定結果に応じて報知を行うことを特徴とする請求項に記載の真贋判別装置。
When the anti-counterfeit medium according to claim 7 is moved in a predetermined measurement direction, the transmittance of the terahertz electromagnetic wave is measured at regular intervals, and the determination unit varies the transmittance according to each measured position. Is compared with the reference value measured in advance to determine the difference,
The authenticity determination device according to claim 8 , wherein the notification unit performs notification according to the determination result.
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