[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6454629B2 - 基板液処理装置 - Google Patents

基板液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6454629B2
JP6454629B2 JP2015208586A JP2015208586A JP6454629B2 JP 6454629 B2 JP6454629 B2 JP 6454629B2 JP 2015208586 A JP2015208586 A JP 2015208586A JP 2015208586 A JP2015208586 A JP 2015208586A JP 6454629 B2 JP6454629 B2 JP 6454629B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
processing
unit
substrate
feeding mechanism
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015208586A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016115924A (ja
Inventor
洋司 小宮
洋司 小宮
康弘 ▲高▼木
康弘 ▲高▼木
慎一 梅野
慎一 梅野
幸二 田中
幸二 田中
尊三 佐藤
尊三 佐藤
篤史 穴本
篤史 穴本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to TW104141847A priority Critical patent/TWI632634B/zh
Priority to US15/535,882 priority patent/US10573539B2/en
Priority to KR1020177016070A priority patent/KR102384082B1/ko
Priority to CN201580068790.XA priority patent/CN107112226B/zh
Priority to PCT/JP2015/085092 priority patent/WO2016098776A1/ja
Publication of JP2016115924A publication Critical patent/JP2016115924A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6454629B2 publication Critical patent/JP6454629B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/027Pump details

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

開示の実施形態は、基板液処理装置に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対して洗浄処理等の所定の基板処理を施す基板液処理装置が知られている。また、基板液処理装置にあっては、処理液を用いて基板を処理する液処理ユニットが配置される処理部を備え、かかる処理部の下に、処理液を貯留する貯留部と、貯留部内の処理液を液処理ユニットへ送り出す送液機構とが配置されている(たとえば特許文献1参照)。
特開2008−34490号公報
しかしながら、上述した基板液処理装置にあっては、貯留部と送液機構とが処理部の下の同じ場所に配置されているため、処理部の下に比較的大きな配置スペースが必要となっていた。そのため、上述した基板液処理装置には、省スペース化を図るという点でさらなる改善の余地があった。
実施形態の一態様は、省スペース化を図ることのできる基板液処理装置を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板液処理装置は、搬送部と、処理部と、貯留部と、送液機構とを備える。搬送部は、基板を搬送する搬送装置が配置される。処理部は、前記搬送部に水平方向に隣接し、処理液を用いて前記基板を処理する液処理ユニットが配置される。貯留部は、前記処理液を貯留する。送液機構は、前記貯留部に貯留された前記処理液を前記液処理ユニットへ送り出す。前記貯留部は、前記搬送部の直下に配置される。また、前記送液機構は、前記処理部の直下に配置される。
実施形態の一態様によれば、基板液処理装置における省スペース化を図ることができる。
図1は、第1の実施形態に係る基板液処理システムの概略構成を示す図である。 図2は、基板処理システムの処理液供給系の概略構成を示す図である。 図3は、基板液処理装置の構成例を示す図である。 図4は、処理ステーションをY−Z平面で切断したときの縦断面図である。 図5は、図4のV−V線断面図である。 図6は、処理ステーションをX−Z平面で切断したときの縦断面図である。 図7は、第1の実施形態の変形例に係る基板液処理装置を説明するための図である。 図8は、ヒータから処理ユニットまでの液配管を模式的に示す側面図である。 図9は、第2の実施形態に係る基板液処理装置を説明するための図である。 図10は、第2の実施形態の変形例に係る基板液処理装置を説明するための図である。 図11は、第3の実施形態に係る処理ユニットの概略構成を示す図である。 図12は、第4の実施形態に係る処理液供給系の概略構成を示す図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板液処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ(以下ウェハW)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウェハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウェハWを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウェハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウェハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウェハWを取り出し、取り出したウェハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウェハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウェハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウェハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
次に、処理ユニット16へ処理液を供給する液処理装置を含む処理液供給系について図2を参照して説明する。図2は、基板処理システム1の処理液供給系の概略構成を示す図である。
図2に示すように、液処理装置は、基板に対して液処理を行う複数の処理ユニット(液処理ユニット)16と、処理ユニット16に処理液を供給する処理流体供給源70を有している。
処理流体供給源70は、処理液を貯留するタンク102と、タンク102から出てタンク102に戻る循環ライン104とを有している。循環ライン104にはポンプ106が設けられている。ポンプ106は、タンク102から出て循環ライン104を通りタンク102に戻る循環流を形成する。ポンプ106の下流側において循環ライン104には、処理液に含まれるパーティクル等の汚染物質を除去するフィルタ108が設けられている。必要に応じて、循環ライン104に補機類(たとえばヒータ等)をさらに設けてもよい。
循環ライン104に設定された接続領域110に、1つまたは複数の分岐ライン112が接続されている。各分岐ライン112は、循環ライン104を流れる処理液を対応する処理ユニット16に供給する。各分岐ライン112には、必要に応じて、流量制御弁等の流量調整機構、フィルタ等を設けることができる。
液処理装置は、タンク102に、処理液または処理液構成成分を補充するタンク液補充部116を有している。タンク102には、タンク102内の処理液を廃棄するためのドレン部118が設けられている。
次に、上述した液処理装置(以下、「基板液処理装置100」と記載する)の構成について図3を参照しつつより詳細に説明する。図3は、第1の実施形態に係る基板液処理装置100の構成例を示す図である。
図3に示すように、基板液処理装置100は、第1処理液供給系121aと、第2処理液供給系121bとを備える。なお、図3に示す各構成要素のうち、第1処理液供給系121aのものには符号の末尾に「a」を、第2処理液供給系121bのものには符号の末尾に「b」を付した。また、上記では、基板液処理装置100が備える処理液供給系を2つとしたが、これに限られず、たとえば1つあるいは3つ以上であってもよい。
以下では、第1処理液供給系121aについて説明する。なお、第1処理液供給系121aにおける処理液の流れ等は、第2処理液供給系121bのそれと略同じである。したがって、以下の説明は、第2処理液供給系121bにも概ね妥当する。また、基板液処理装置100は、もうひと組、別のタンク102を有する第1、第2処理液供給系121a,121bを備えるが、下記の説明は、かかる別のひと組にも概ね妥当する。
基板液処理装置100において、タンク(貯留部の一例)102には、上記した循環ライン104aが接続される。循環ライン104aには、上流側から順に、ポンプ(送液機構の一例)106a、フィルタ108aおよびヒータ109aが介挿される。
ポンプ106aは、タンク102に貯留された処理液を複数の処理ユニット(液処理ユニットの一例)16Ua,16Laへ送り出す。なお、処理液としては、たとえばSC1(アンモニア、過酸化水素および水の混合液)、HF(フッ酸)やIPA(イソプロピルアルコール)などを用いることができるが、これらに限定されない。
上記したポンプ106aとしては、たとえばエア式のベローズポンプを用いることができる。ポンプ106aがベローズポンプである場合、ポンプ106aには、エア供給源130がエア配管131aを介して接続される。エア配管131aには、ポンプ106aへのエア供給量を制御する制御バルブ132aが介挿される。したがって、ポンプ106aは、制御バルブ132aの開閉に応じて、エアがエア供給源130からエア配管131aを介して供給されて駆動する。
なお、上記では、ポンプ106aがベローズポンプである場合を例に挙げて説明したが、これに限られず、たとえばダイアフラムポンプやプランジャーポンプなどその他の種類のポンプであってもよい。
フィルタ108aは、上述したように処理液内の汚染物質を取り除く。また、ヒータ109aは、通過する処理液を所定温度まで昇温させる。なお、かかるヒータ109aは、処理液の種類によっては除去することができる。
図4は、処理ステーション3をY−Z平面で切断したときの縦断面図である。図4に示すように、上記した複数の処理ユニット16Ua,16Laは、上下2段に積層される。ここでは、上段に配置される処理ユニット16を「処理ユニット16Ua」と記載し、下段に配置される処理ユニット16を「処理ユニット16La」と記載する場合がある。
なお、本実施形態では、処理ユニット16が上下2段に積層される場合の例を示すが、処理ユニット16の積層数は2段に限定されない。また、処理ユニット16の台数も図示のものに限定されない。また、図3では、図示の簡素化のため、複数の処理ユニット16Ua,16Laを4個のみ示し、他は省略した。
次いで、上記のように構成された基板液処理装置100において、複数の処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lb、タンク102やポンプ106a,106bなどが配置される位置について説明する。
複数の処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbは、図1に示すように、搬送部15に沿って配置される。詳しくは、搬送部15は、基板搬送装置17が配置される搬送室15a(図4参照)がX軸に沿って延在するように形成される。
そして、図1において、搬送部15に対してY軸負方向側(紙面下方側)に位置するとともに、X軸に沿って配置される複数の処理ユニット16が、第1処理液供給系121aにおける処理ユニット16Uaに相当する。なお、図1では、下段の処理ユニット16Laは、上段の処理ユニット16Uaに隠れて見えない。
他方、搬送部15に対してY軸正方向側(紙面上方側)に位置するとともに、X軸に沿って配置される複数の処理ユニット16が、第2処理液供給系121bにおける処理ユニット16Ubに相当する。なお、図1では、下段の処理ユニット16Lbも、上段の処理ユニット16Ubに隠れて見えない。
以下では、基板液処理装置100において、第1処理液供給系121aの処理ユニット16Ua,16Laが配置される部分を「第1処理部20a」と記載する場合がある(図4参照)。また、基板液処理装置100において、第2処理液供給系121bの処理ユニット16Ub,16Lbが配置される部分を「第2処理部20b」と記載する場合がある(図4参照)。
図4に示すように、第1処理部20aおよび第2処理部20bは、搬送部15に水平方向に隣接して配置される。また、第1処理部20aおよび第2処理部20bは、搬送部15を挟んで対向する位置に、並列に設けられる。そして、第1処理部20aおよび第2処理部20bには、搬送部15の搬送装置17によってウェハWが搬送される。
基板液処理装置100は、第1、第2処理部20a,20b、搬送部15、タンク102およびポンプ106a,106bなど収容する収容部30を備える。収容部30は、たとえば内部が複数の室に区画された筐体である。
ところで、従来の基板液処理装置にあっては、たとえば、タンクおよびポンプがともに、処理部の下の同じ場所に配置されていた。そのため、処理部の下に比較的大きな配置スペースが必要となり、基板液処理装置が大型化するおそれがあった。したがって、従来の基板液処理装置には、省スペース化を図るという点でさらなる改善の余地があった。
そこで、本実施形態に係る基板液処理装置100では、省スペース化を図ることができるとともに、設置面積を小さくすることができるような構成とした。以下、その構成について詳しく説明する。
図4に示すように、第1、第2処理部20a,20bおよび搬送部15は、収容部30のZ軸方向における上方に配置される。そして、収容部30において、第1、第2処理部20a,20bおよび搬送部15の下方には、空間140が形成される。
図5は、図4のV−V線断面図である。なお、図4および図5では、上記した空間140のうち、第1処理部20aの下方に位置する空間を符号120aを付した破線で示した。同様に、図4および図5では、空間140のうち、第2処理部20bの下方に位置する空間を符号120bを付した破線で、搬送部15の下方に位置する空間を符号115を付した破線で示した。
図4,5に示すように、タンク102は、搬送部15の直下に配置される、すなわち、空間115に配置される。なお、図4,5に示す例では、タンク102は、全体が収容部30の空間115内に収容されるようにしたが、これに限られず、たとえば一部分が空間115からはみ出すように収容されていてもよい。
また、ポンプ106a,106bは、第1、第2処理部20a,20bの直下に配置される。詳しくは、ポンプ106aは、第1処理部20aの直下に配置される、すなわち、空間120aに配置される。一方、ポンプ106bは、第2処理部20bの直下に配置される、すなわち、空間120bに配置される。
以下では、第1処理部20aの直下のポンプ106aを「第1ポンプ106a」(第1送液機構の一例)、第2処理部20bの直下のポンプ106bを「第2ポンプ106b」(第2送液機構の一例)と記載する場合がある。
このように、基板液処理装置100においては、タンク102が搬送部15の直下に、第1ポンプ106aが第1処理部20aの直下に、第2ポンプ106bが第2処理部20bの直下に配置されることで、収容部30の空間140を有効に利用することができる。
これにより、たとえば仮にタンク102や第1、第2ポンプ106a,106bが第1処理部20aの下の同じ場所に配置される場合に比べて、第1処理部20aの下の空間120aを小さく設定することが可能となり、よって基板液処理装置100における省スペース化を図ることができる。また、基板液処理装置100の省スペース化に伴い、設置面積も小さくすることができる。
また、処理ユニット16Ua,16Laへ処理液を供給する第1ポンプ106aが、処理ユニット16Ua,16Laを有する第1処理部20aの直下に配置されるようにした。同様に、処理ユニット16Ub,16Lbへ処理液を供給する第2ポンプ106bが、処理ユニット16Ub,16Lbを有する第2処理部20bの直下に配置されるようにした。
これにより、第1ポンプ106aから処理ユニット16Ua,16Laまでの循環ライン104a(図3参照)の距離、および、第2ポンプ106bから処理ユニット16Ub,16Lbまでの循環ライン104b(図3参照)の距離を短縮することができる。また、各循環ライン104a,104bの短縮により、各処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbへ処理液を効率よく供給できるとともに、基板液処理装置100をより省スペース化することができる。
また、図5に示すように、基板液処理装置100は、タンク102を2個備え、2個のタンク102には、それぞれ対応する第1、第2ポンプ106a,106bが接続される。なお、上記した「タンクに対応するポンプ」とは、たとえばタンクに貯留された処理液に適したポンプや、タンク近傍に配置されるポンプなどの意味であるが、これらに限られない。
図5に示す基板液処理装置100の例では、タンク102、およびタンク102に対応する第1、第2ポンプ106a,106bの組み合わせたる機器群が複数(ここでは2組)ある。なお、図5では、一方の機器群を符号141αで、他方の機器群を符号141βで示した。また、かかる機器群141α,141βには、タンク102等に対応するフィルタ108a,108bやヒータ109a,109bなどが含まれていてもよい。
そして、収容部30においては、機器群141αと機器群141βとの間に区画壁31,31が形成される。かかる区画壁31,31は、収容部30の底面から第1、第2処理部20a,20bおよび搬送部15の底面に至るまで形成される。これにより、収容部30の空間140は、区画壁31,31によって空間140αと空間140βとに分けられる。
このように、基板液処理装置100においては、機器群141α,141βごとに収容部30に収容されて区画される。これにより、図示は省略するが、たとえば基板液処理装置100において、機器群141αが配置される空間140α、機器群141βが配置される空間140βごとに排気や温度調節等の空調管理を行うことが可能となり、基板処理の品質向上を図ることができる。なお、上記した2個のタンク102に貯留される処理液は、同じ種類であっても、互いに異なる種類であってもよい。また、タンク102の数は2個に限定されない。
第1、第2ポンプ106a,106bは、それぞれタンク102に接続される。すなわち、基板液処理装置100においては、1個のタンク102を、第1、第2ポンプ106a,106bで共用させることができる。
また、上述したように、第1処理部20aおよび第2処理部20bは、搬送部15を挟んで対向する位置に設けられることから、タンク102は、第1、第2ポンプ106a,106bの間に配置されることとなる。
これにより、循環ライン104aのタンク102から第1ポンプ106aまでの第1液配管104a1(図3参照)の長さ、および、循環ライン104bのタンク102から第2ポンプ106bまでの第2液配管104b1(図3参照)の長さを短縮することができる。また、各液配管104a1,104b1の短縮により、第1、第2ポンプ106a,106bへ処理液を効率よく供給できるとともに、基板液処理装置100のさらなる省スペース化を図ることができる。
ここで、上記した第1液配管104a1の長さは、第2液配管104b1の長さと同じであることが好ましい。これにより、基板液処理装置100においては、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに対して均一な処理を行うことが可能となる。
すなわち、たとえば仮に、第1液配管104a1および第2液配管104b1の長さが大きく異なっていた場合、各液配管104a1,104b1における圧力損失も異なることとなる。そのため、処理ユニット16Ua,16Laへ供給される処理液と、処理ユニット16Ub,16Lbへ供給される処理液との間で、流量などに差異が生じ、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに対して均一な処理を行うことが難しくなる。
そこで、本実施形態に係る基板液処理装置100では、第1、第2液配管104a1,104b1の長さを同じにしたので、第1、第2液配管104a1,104b1の圧力損失も略同じに揃えることができる。これにより、処理ユニット16Ua,16Laと処理ユニット16Ub,16Lbとに対して均一な処理を行うことが可能となる。
なお、上記した第1、第2液配管104a1,104b1の長さが「同じ」とは、完全に同一であることを要さず、第1、第2液配管104a1,104b1の長さの差が許容範囲内であれば、長さが「同じ」とみなしてもよい。また、第1、第2液配管104a1,104b1の長さ以外にも、管径や管材の種類などを調整して、第1、第2液配管104a1,104b1の圧力損失を略同じに揃えるようにしてもよい。
図5に示すように、収容部30において、上記した区画壁31,31の間には、4つの空間142α,142α,142β,142βを形成する区画壁32が設けられる。そして、各空間のうち、第1ポンプ106aに近接する方の空間142α,142αに、第1ポンプ106a用の制御バルブ132aが、第2ポンプ106bに近接する方の空間142β,142βに第2ポンプ106b用の制御バルブ132bがそれぞれ配置される。
なお、第1ポンプ106a用の制御バルブ132aは、第1処理部20aの直下に配置され、第2ポンプ106b用の制御バルブ132bは、第2処理部20bの直下に配置される。
これにより、制御バルブ132aから第1ポンプ106aまでのエア配管131aの長さ、および、制御バルブ132bから第2ポンプ106bまでのエア配管131bの長さを短縮することができる。また、各エア配管131a,131bの短縮により、エアを効率よく第1、第2ポンプ106a,106bへ供給できるとともに、基板液処理装置100の省スペース化をより一層図ることができる。
収容部30において、X軸正方向側には、空間143を形成する区画壁33が設けられる。かかる空間143には、エア供給源130からのエア配管131a,131bや図示しないN2ガス供給源からのガス配管など種々の配管が配設される。
そして、エア配管131a,131bは、たとえばタンク102の下方の配管スペース(図示せず)を通った後、制御バルブ132a,132bを介して第1、第2ポンプ106a,106bに接続される。
ここで、上記したエア配管131aの長さは、エア配管131bの長さと同じであることが好ましい。また、より好ましくは、制御バルブ132aから第1ポンプ106aまでの長さが、制御バルブ132bから第2ポンプ106bまでの長さと同じとされる。これにより、基板液処理装置100においては、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに対して均一な処理を行うことが可能となる。
すなわち、たとえば仮に、エア配管131a,131bの長さが大きく異なっていた場合、各エア配管131a,131bにおける圧力損失も異なることとなる。そのため、第1、第2ポンプ106a,106bがベローズポンプである場合、第1、第2ポンプ106a,106bとの間で、吐出流量などに差異が生じ、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに対して均一な処理を行うことが難しくなる。なお、第1、第2ポンプ106a,106bは、上述したようにダイアフラムポンプやプランジャーポンプなどでもよいが、その場合であっても、エア配管131a,131bの長さが大きく異なると、各処理ユニットに対して均一な処理を行うことが難しくなる。
そこで、本実施形態に係る基板液処理装置100では、エア配管131a,131bの長さを同じにしたので、エア配管131a,131bの圧力損失も略同じに揃えることができる。これにより、処理ユニット16Ua,16Laと処理ユニット16Ub,16Lbとに対して均一な処理を行うことが可能となる。
なお、上記したエア配管131a,131bの長さが「同じ」とは、第1、第2液配管104a1,104b1の長さと同様、完全に同一であることを要さない。すなわち、エア配管131a,131bの長さの差が許容範囲内であれば、長さが「同じ」とみなしてもよい。また、エア配管131a,131bの長さ以外にも、管径や管材の種類などを調整して、エア配管131a,131bの圧力損失を略同じに揃えるようにしてもよい。
図6は、処理ステーション3をX−Z平面で切断したときの縦断面図である。なお、図6においては、図示の簡略化のため、タンク102や第1、第2ポンプ106a,106bなどを機器群141α,141βとしてまとめ、一つのブロックで示すようにした。
図6に示すように、機器群141αから延びる循環ライン104aは、空間140αを通過した後、隣接する機器群141βの空間140βを通過し、その後、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbを経て機器群141αへ戻るように配設される。なお、図6において、処理ユニット16Ub,16Lbは、処理ユニット16Ua,16Laに隠れて見えない。
他方、機器群141βから延びる循環ライン104bは、空間140βを通過した後、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbへ延び、その後、隣接する機器群141αの空間140αを通過して機器群141βへ戻るように配設される。
このように、本実施形態に係る基板液処理装置100では、循環ライン104a,104bがともに、隣接する機器群141α,141βの空間140α,140βを通過するようにした。これにより、収容部30の空間140α,140βを有効に利用することができ、よって基板液処理装置100における省スペース化をより一層図ることができる。
なお、空間140βを通過するときの循環ライン104aには、たとえば、保護管の中を通したり、継ぎ手を用いないようにしたりするなど、機器群141βの処理液などからの影響を防ぐ適宜な手法が取られることが好ましい。また、空間140αを通過するときの循環ライン104bについても同様の手法が取られることが好ましい。
上述してきたように、第1の実施形態に係る基板液処理装置100は、搬送部15と、第1、第2処理部(処理部の一例)20a,20bと、タンク102と、第1、第2ポンプ106a,106bとを備える。搬送部15は、ウェハWを搬送する基板搬送装置17が配置される。第1、第2処理部20a,20bは、搬送部15に水平方向に隣接し、処理液を用いてウェハWを処理する液処理ユニット16が配置される。タンク102は、タンク液補充部116からの処理液を貯留する。第1、第2ポンプ106a,106bは、タンク102に貯留された処理液を液処理ユニット16へ送り出す。タンク102は、搬送部15の直下に配置される。第1、第2ポンプ106a,106bは、第1、第2処理部20a,20bの直下に配置される。これにより、基板液処理装置100における省スペース化を図ることができる。
(第1の実施形態の変形例)
次いで、第1の実施形態の変形例(以下「第1変形例」という)について説明する。図7は、第1変形例に係る基板液処理装置100を説明するための図である。
図7に示すように、第1変形例にあっては、第1液配管104a1および第1ポンプ(第1送液機構の一例)106aと、第2液配管104b1および第2ポンプ(第2送液機構の一例)106bとが、平面視において点対称になるように配置される。
図7の左側に配置される機器群141αを例にとって詳説すると、タンク102には、第1処理部20aの下方の空間120a側において、上流側から順に、第1液配管104a1、第1ポンプ106a、フィルタ108aおよびヒータ109aが接続される。また、タンク102には、第2処理部20bの下方の空間120b側において、第2ポンプ106b、フィルタ108bおよびヒータ109bが接続される。
そして、第1変形例では、上記した第1液配管104a1や第1ポンプ106aと、第2液配管104b1や第2ポンプ106bとは、搬送部15の下方の空間115に位置される点150αを対称点として、平面視において点対称になるように配置される。
また、図7の右側に配置される機器群141βについても、上記した機器群141αと同様な配置である。すなわち、第1液配管104a1や第1ポンプ106aと、第2液配管104b1や第2ポンプ106bとは、空間115に位置される点150βを対称点として、平面視において点対称になるように配置される。
なお、図7に示す例では、上記した点150α,150βは、空間115のうちタンク102の中心点と同じ位置としたが、これはあくまでも例示であって限定されるものではない。
これにより、基板液処理装置100において、部品の共有化を図ることができる。すなわち、たとえば、第1ポンプ106aと第2ポンプ106bとで、タンク102に対する吸込口の位置(向き)を同じにすることができる。また、たとえば、第1液配管104a1と第2液配管104b1とで長さを同じにすることもできる。
さらに、第1液配管104a1、第1ポンプ106a、フィルタ108aおよびヒータ109aが固定される部品と、第2液配管104b1、第2ポンプ106b、フィルタ108bおよびヒータ109bが固定される部品との間で、同じ仕様の部品を用いることができる。したがって、基板液処理装置100において、部品の共有化を図ることができるとともに、低コスト化も可能となる。
また、たとえば第1、第2ポンプ106a,106bに対して所望される仕様が変わった場合、各ポンプ106a,106bについてそれぞれ設計変更を行うこととなる。かかる場合であっても、上記のような配置とすることで、たとえば一方のポンプで行った設計変更を他方のポンプにも適用することが可能となる。これにより、基板液処理装置100において仕様が変わった場合であっても、早期に設計変更を行うことができ、迅速に対応することが可能となる。
ところで、第1、第2液配管104a1,104b1などが、上記のように点対称になるように配置された場合、たとえば機器群141αにおいて、ヒータ109aの出口は収容部30の端部付近に位置される一方、ヒータ109bの出口は収容部30の中央部付近に位置される。そのため、ヒータ109aから処理ユニット16Ua,16Laまでの液配管の長さと、ヒータ109bから処理ユニット16Ub,16Lbまでの液配管の長さとが異なる場合がある。かかる場合について図8を参照して詳しく説明する。
図8は、ヒータ109a,109bから処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbまでの液配管を模式的に示す側面図である。図8に示すように、循環ライン104aのヒータ109aから処理ユニット16Ua,16Laまでの液配管の長さは、所定距離Aの分だけ、循環ライン104bのヒータ109bから処理ユニット16Ub,16Lbまでの液配管の長さよりも長くなる場合がある。
そのため、仮に、ヒータ109a,109bによって昇温される処理液の所定温度を同じ値とした場合、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに到達した時点の処理液の温度が循環ライン104aと循環ライン104bとで異なるおそれがあった。具体的には、液配管が長い循環ライン104aの処理液の温度が、循環ライン104bの処理液の温度よりも低くなってしまうおそれがあった。
そこで、第1変形例では、循環ライン104a,104bにおいて、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbまでの液配管の長さが同じまたは略同じとなる位置に、処理液の温度を検出する温度検出部160a,160bをそれぞれ設けるようにした。
上記した温度検出部160a,160bは、検出された処理液の温度を示す信号を制御装置4へ出力する。そして、制御装置4は、検出された処理液の温度に基づいてヒータ109a,109bを制御する。詳しくは、制御装置4は、温度検出部160aによって検出される処理液の温度と、温度検出部160bによって検出される処理液の温度とが同じになるように、ヒータ109a,109bを制御する。
これにより、第1変形例に係る基板液処理装置100においては、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに到達した時点の処理液の温度が循環ライン104aと循環ライン104bとで同じになり、よって均一な処理を行うことが可能となる。
(第2の実施形態)
次いで、第2の実施形態に係る基板液処理装置100について説明する。上記した第1の実施形態では、1個のタンク102に、第1、第2ポンプ106a,106bが接続されるようにしたが、第2の実施形態では、1個のタンクに対して1個のポンプが個別に接続されるようにした。
図9は、第2の実施形態に係る基板液処理装置100を説明するための図であり、処理ステーション3をX−Y平面で切断したときの横断面図である。なお、以下においては、第1の実施形態と共通の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
図9に示すように、第2の実施形態に係る基板液処理装置100は、第1タンク102aと、第2タンク102bとを備える。なお、第1タンク102aは第1貯留部の一例であり、第2タンク102bは第2貯留部の一例である。
また、第1、第2タンク102a,102bはともに、搬送部15の直下に配置される、すなわち、空間115内に配置される。また、第1タンク102aには、第1ポンプ106aが接続される一方、第2タンク102bには第2ポンプ106bが接続される。
また、第1ポンプ106aが第1、第2処理部20a,20bの一方の処理部の直下に配置された場合、第2ポンプ106bは第1、第2処理部20a,20bの他方の処理部の直下に配置されるようにする。
具体的には、第1処理部20aの直下(空間120a)に第1ポンプ106aが配置された場合、第2処理部20bの直下(空間120b)に第2ポンプ106bが配置されることが好ましい。また、第2処理部20bの直下(空間120b)に第1ポンプ106aが配置された場合、第1処理部20aの直下(空間120a)に第2ポンプ106bが配置されることが好ましい。
このように、第1、第2タンク102a,102bが、第1、第2ポンプ106a,106bの間に配置される、換言すれば、搬送部15の直下に配置されることで、基板液処理装置100の省スペース化を図ることができる。
なお、第1、第2タンク102a,102bに貯留される処理液は、同じ種類であっても、互いに異なる種類であってもよい。
ここで、第1、第2タンク102a,102bの処理液が異なる場合、図9に示すように、第1処理部20aの直下(空間120a)、および第2処理部20bの直下(空間120b)に、それぞれ第1ポンプ106a、第2ポンプ106bが1個ずつ配置されるようにする。
これにより、第1処理部20aの処理ユニット16Ua,16La、および、第2処理部20bの処理ユニット16Ub,16Lbに対し、異なる種類の処理液を、近傍に配置された第1、第2ポンプ106a,106bから供給させることができる。
具体的には、第1処理部20aの処理ユニット16Ua,16Laには、図9で左側の第1タンク102aから第1ポンプ106aを経由して処理液が供給されるとともに、図9で右側の第2タンク102bから第2ポンプ106bを経由して処理液が供給される。また、第2処理部20bの処理ユニット16Ub,16Lbには、図9で右側の第1タンク102aから第1ポンプ106aを経由して処理液が供給されるとともに、図9で左側の第2タンク102bから第2ポンプ106bを経由して処理液が供給される。
また、各タンク102a,102bから各ポンプ106a,106bまでの第1、第2液配管104a1,104b1にあっては、図9で左右にある第1ポンプ106a同士、および、図9で左右にある第2ポンプ106b同士で、長さが同じであることが好ましい。これにより、基板液処理装置100においては、処理ユニット16Ua,16La,16Ub,16Lbに対して均一な処理を行うことが可能となる。
なお、制御バルブ132a,132bは、対応する第1、第2ポンプ106a,106bと近くになるような位置に配置されるものとする。
図9に示す基板液処理装置100の例では、第1タンク102a、および第1タンク102aに対応する第1ポンプ106aを含む第1機器群を符号241αで示した。同様に、図9では、第2タンク102b、および第2タンク102bに対応する第2ポンプ106bを含む第2機器群を符号241βで示した。
そして、収容部30においては、第1機器群241αと第2機器群241βとの間に区画壁34が形成される。これにより、収容部30の空間240は、区画壁34によって空間240αと空間240βとに分けられる。かかる空間240αおよび空間240βは、たとえば平面視において略L字状となるように形成される。
また、収容部30において、第1機器群241αの第1タンク102aは、搬送部15の直下の空間115内で、かつ、平面視略L字状の空間240α内に収容される。また、収容部30において、第2機器群241βの第2タンク102bは、空間115内で、かつ、平面視略L字状の空間240β内に収容される。
このように、基板液処理装置100においては、第1、第2機器群241α,241βごとに収容部30に収容されて区画される。これにより、たとえば基板液処理装置100において、第1機器群241αのある空間240α、第2機器群241βのある空間240βごとに排気や温度調節等の空調管理を行うことが可能となり、基板処理の品質向上を図ることができる。
このように、第2の実施形態においても、第1、第2タンク102a,102bはともに、搬送部15の直下に配置されることから、基板液処理装置100における省スペース化を図ることができる。なお、残余の効果は第1の実施形態と同一であるので、説明を省略する。
(第2の実施形態の変形例)
次いで、第2の実施形態の変形例(以下「第2変形例」という)について説明する。図10は、第2変形例に係る基板液処理装置100を説明するための図である。
図10に示すように、第2変形例にあっては、第1液配管104a1や第1ポンプ106aと、第2液配管104b1や第2ポンプ106bとは、第1変形例と同様、搬送部15の下方の空間115に位置される点250α,250βを対称点として、平面視において点対称になるように配置される。
さらに、第2変形例にあっては、対応する第1機器群241αと第2機器群241βとを有する組み合わせをグループ261,262とした場合、グループ261とグループ262とは、平面視において点対称になるように配置される。
なお、以下では、理解の便宜のため、図10の左側に配置される第1、第2機器群241α,241βを有するグループ261を「第1グループ261」、右側の第1、第2機器群241α,241βを有するグループ262を「第2グループ262」と記載する場合がある。また、ここでは、第1機器群241αには、第1タンク102a、第1液配管104a1、第1ポンプ106a、フィルタ108aおよびヒータ109aが含まれるものとする。同様に、第2機器群241βには、第2タンク102b、第2液配管104b1、第2ポンプ106b、フィルタ108bおよびヒータ109bが含まれるものとする。
第2変形例に係る基板液処理装置100について詳説すると、上記した第1グループ261を構成する第1、第2機器群241α,241βと、第2グループ262を構成する第1、第2機器群241α,241βとは、搬送部15の下方の空間115に位置される点251を対称点として、平面視において点対称になるように配置される。
なお、図10に示す例では、上記した点251は、隣接するタンク102aの間に位置されるが、これは例示であって限定されるものではない。また、点250α,250βは、空間115のうちタンク102a,102bの間に位置されるが、これらも例示であって限定されるものではない。また、図10では、グループ261,262が2つある例を示したが、3つ以上であってもよい。
このように、第2変形例にあっては、第1機器群241αと第2機器群241βとを有するグループ261,262が複数あり、複数のグループ261,262は、平面視において点対称になるように配置される。
これにより、第2変形例に係る基板液処理装置100において、部品の共有化を図ることができる。すなわち、たとえば、第1、第2グループ261,262において、第1ポンプ106aと第2ポンプ106bとで、タンク102a,102bに対する吸込口の位置(向き)を同じにすることができる。また、たとえば、第1液配管104a1と第2液配管104b1とで長さを同じにすることもできる。
このことから、第1グループ261と、第2グループ262との間で、同じ仕様の部品や液配管を用いることができる。したがって、基板液処理装置100において、部品の共有化を図ることができるとともに、低コスト化も可能となる。なお、残余の効果は第1変形例などと同様であるため、説明を省略する。
ところで、基板液処理装置100は、ウェハW(図1参照)のサイズやウェハWに対する処理の内容などによって、全体の大きさが大型化することがある。大型化した基板液処理装置100にあっては、たとえば、設置作業者によってウェハWの生産工場まで搬送されて設置される際の「搬送性」や「設置容易性」を向上させるため、分割可能に構成されることが好ましい。
たとえば、図10に示す例では、収容部30は、第1収容部30aと第2収容部30bとに分割可能に構成される。なお、図10にあっては、第1収容部30aおよび第2収容部30bの配置を明確に図示するため、第1収容部30aを一点鎖線で、第2収容部30bを二点鎖線で囲んで示した。
第1収容部30aには、第1処理部20a(図4参照)、搬送部15(図4参照)、第1処理部20aの直下に配置された第1、第2ポンプ106a,106b、搬送部15の直下に配置された第1、第2タンク102a,102bなどが収容される。また、第2収容部30bには、第2処理部20b(図4参照)、第2処理部20bの直下に配置された第1、第2ポンプ106a,106bなどが収容される。
また、分割された第1、第2収容部30a,30bにあっては、それぞれに収容されるべき機器が予め組み付けられているものとし、第1収容部30aと第2収容部30bとの境界を跨ぐ液配管は接続されていない状態とされる。
なお、図10では、上記した第1収容部30aと第2収容部30bとの境界を跨ぐ液配管の部位を、破線の閉曲線271,272で示し、以下「連結部位271,272」と記載する。
そして、たとえば、第1、第2収容部30a,30bは、分割された状態で生産工場に搬入された後、第1収容部30aと第2収容部30bとが接続される。また、搬送部15と第2処理部20bとが接続されるとともに、連結部位271,272の液配管が連結されることで、基板液処理装置100の設置が完了する。
このように、第1、第2処理部20a,20bと搬送部15とは、第1処理部20aと搬送部15とが収容される部分(第1収容部30a)と、第2処理部20bが収容される部分(第2収容部30b)との間で分割可能な収容部30に収容される。
したがって、搬送部15と第1処理部20aとが第1収容部30aによって一体的に搬送されるため、例えば生産工場に基板液処理装置100を設置する際、設置作業者は、搬送部15の位置調整を第2処理部20bに対してのみ行えばよい。これにより、基板液処理装置100における調整時間を短縮することができる。
なお、収容部30の構成は、上記に限定されるものではなく、たとえば第1収容部30aに第1処理部20aが収容され、第2収容部30bに搬送部15と第2処理部20bとが収容されるように分割してもよい。
また、第2変形例にあっては、上記したように、第1、第2グループ261,262の第1、第2液配管104a1,104b1などが点対称になるように配置される。そのため、図10に示すように、連結部位271,272の一部(ここでは連結部位272)が基板液処理装置100の中心部付近に位置される場合がある。
そこで、第2変形例にあっては、収容部30において、連結部位272付近をさらに分割可能に構成するようにした。これにより、基板液処理装置100の設置容易性が低下することを抑制することができる。
具体的に説明すると、第2収容部30bは、スライド収容部30b1を備える。スライド収容部30b1は、第2収容部30bにおいて、設置作業者がアクセスし難い連結部位272付近、たとえば、第1、第2グループ261,262の間に位置される。
そして、スライド収容部30b1は、第2収容部30bに対し、Y軸正方向へスライドして引き出されることで、分割される。なお、引き出された状態のスライド収容部30b1を図10に想像線で示した。また、スライド収容部30b1をスライドさせる機構としては、たとえば、第2収容部30bや床面と接する部分にローラなどの回転体を介挿させ、回転体の回転によってスライドさせる機構を用いることができる。
このように、スライド収容部30b1が引き出されることで、連結部位272付近には、液配管を連結するための作業空間ができる。これにより、設置作業者は、連結部位272に容易にアクセスでき、液配管を連結することができる、すなわち、基板液処理装置100の設置容易性が低下することを抑制することができる。
なお、上記では、スライド収容部30b1がY軸方向にスライドして第2収容部30bと分割されるように構成したが、これに限らず、たとえばZ軸方向にスライドする方式やその他の方式で分割されるようにしてもよい。
また、上記では、第2収容部30bがスライド収容部30b1を備えるようにしたが、これに限られず、第1収容部30aがスライド収容部を備えるように構成してもよい。また、上記した収容部30を、第1、第2収容部30a,30b、スライド収容部30b1に分割する構成は、第1、第2の実施形態や第1変形例にも適用可能である。
(第3の実施形態)
次いで、第3の実施形態に係る基板液処理装置100について説明する。まず、処理ユニット16の概略構成について図11を参照して説明する。図11は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
図11に示すように、処理ユニット16は、チャンバ300と、基板保持機構310と、第1処理液供給部320と、回収カップ330と、第2処理液供給部340とを備える。
チャンバ300は、基板保持機構310と、第1処理液供給部320と、回収カップ330と、第2処理液供給部340とを収容する。チャンバ300の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)301が設けられる。FFU301は、チャンバ300内にダウンフローを形成する。
基板保持機構310は、保持部311と、支柱部312と、駆動部313とを備える。保持部311は、ウェハWを水平に保持する。支柱部312は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部313によって回転可能に支持され、先端部において保持部311を水平に支持する。駆動部313は、支柱部312を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構310は、駆動部313を用いて支柱部312を回転させることによって支柱部312に支持された保持部311を回転させ、これにより、保持部311に保持されたウェハWを回転させる。
第1処理液供給部320は、ウェハWに対して処理液を供給する。第1処理液供給部320は、たとえば上記したタンク102などの処理液供給源に接続される。
回収カップ330は、保持部311を取り囲むように配置され、保持部311の回転によってウェハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ330の底部には、排液口331が形成されており、回収カップ330によって捕集された処理液は、かかる排液口331から処理ユニット16の外部等へ排出される。また、回収カップ330の底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口332が形成される。
第2処理液供給部340は、ウェハWに対して第2処理液を供給する。第2処理液としては、たとえばDIW(純水)を用いることができる。以下では、第2処理液がDIWである場合を例にとって説明するが、これに限られず、その他の種類の処理液であってもよい。
第2処理液供給部340は、回収カップ330の周囲の適宜位置に設けられる吐出部341を備える。吐出部341は、一端がDIW供給源342に接続される一方、他端には吐出口341aが設けられる。吐出口341aは、回収カップ330の上部の開口からウェハWを臨む場所に配置され、DIW供給源342から供給されたDIWを吐出する。
ところで、ウェハWは、第1処理液供給部320からの処理液によって基板処理が施されるが、基板処理の種類によっては処理液が複数種に及ぶことがある。そのような場合においては、たとえばウェハWへ現在供給している処理液から、次の処理に用いられる処理液に切り替える際に、切り替えに要する時間の分だけウェハWに処理液が供給されないこととなる。
そこで、処理ユニット16では、処理液切り替えのタイミングで、第2処理液供給部340からDIWをウェハWへ供給し、ウェハWの液切れ、乾燥を防止するようにしている。
しかしながら、従来の処理ユニットにおいては、DIWのウェハWへの供給開始時、第2処理液供給部からのDIWの吐出量を徐々に増加させるようにしていたため、DIWの軌跡は、図11に示す矢印a、矢印b、矢印cの順となっていた。したがって、たとえば、DIWが矢印bの状態にある場合、回収カップ330の外周面にかかってしまい、好ましくなかった。
そこで、第3の実施形態では、DIW供給源342から吐出口341aまでの間に、吸引部343を設けるようにした。吸引部343としては、たとえばサックバックバルブを用いることができるが、これに限られない。
上記のように構成することで、たとえば、DIWをウェハWへ供給するタイミングで、吸引部343により、DIWを一旦引き戻してから吐出させるようにすることができる。これにより、吐出口341aにおけるDIWの流速(初速)を増加させることができることから、DIWは吐出直後に矢印cの状態となり、よって回収カップ330の外周面など不要な部位にDIWがかかることを防止することができる。
(第4の実施形態)
次いで、第4の実施形態に係る基板液処理装置100について説明する。図12は、処理液供給系の概略構成を示す図である。
図12に示すように、基板液処理装置100は、循環ライン104を備え、かかる循環ライン104には、上記したポンプ106やフィルタ108、ヒータ109に加え、開閉弁400および背圧調整弁401が介挿される。
詳しくは、循環ライン104は、タンク102から出た後に水平に延びる第1水平部410と、第1水平部410の下流側に接続されて上方に向かって延びる上昇部411と、上昇部411の下流側に接続されて水平に延びる第2水平部412とを備える。循環ライン104は、さらに第2水平部412の下流側に接続されて下方に向かって延びる下降部413と、下降部413の下流側に接続されて水平に延びる第3水平部414とを備え、第3水平部414の下流側がタンク102に接続される。また、上記した開閉弁400および背圧調整弁401は、第3水平部414に設けられる。
ところで、基板液処理装置100においては、タンク102および循環ライン104を流れる処理液の入れ替えを行うことがある。入れ替えの際は、先ずタンク102および循環ライン104内の処理液をドレン部118から廃棄する。次いで、新しい処理液をタンク液補充部116からタンク102および循環ライン104へ供給する。
しかしながら、新しい処理液が循環ライン104の第1水平部410、上昇部411および第2水平部412を経由して、下降部413のところへ到達すると、下降部413内で処理液が落下する。その際、たとえば仮に、図12に想像線で示す第3水平部414aのように、下降部413の下流側と第3水平部414aの上流側とが直接接続されていた場合、破線の円で囲んだ接続部位415にて、処理液は第3水平部414aに当たって、液滴状態となる。かかる液滴状態の処理液がたとえば背圧調整弁401に供給されると、処理液と背圧調整弁401の弁体との間で摩擦が生じて静電気が発生し、背圧調整弁401にとって好ましくない。
そこで、第4の実施形態では、下降部413の下流側と、第3水平部414の上流側との間に、液だまり部416を設けるようにした。これにより、新しい処理液は、液だまり部416に一旦溜まった後に、背圧調整弁401へ流れ出ることから、液滴状態の処理液が背圧調整弁401に供給されることはなく、背圧調整弁401に静電気が生じることを防止することができる。
なお、上記では、循環ライン104に液だまり部416を設けるようにしたが、これに限定されるものではない。すなわち、たとえば、循環ライン104に新しい処理液を供給するための新液供給ラインにおいて、ストップバルブの上流側に液だまり部を設けるようにしてもよい。これにより、液滴状態ではない新液が、液だまり部からストップバルブに供給されることとなり、ストップバルブにおける流量調整を適切に行うことができる。
なお、上述した第1の実施形態では、1個のタンク102に対して2個のポンプ106a,106bが接続され、第2の実施形態では、1個の第1タンク102aに対して1個の第1ポンプ106aを接続するようにしたが、これらを適宜に組み合わせてもよい。
また、上記では、搬送部15に配置される基板搬送装置17を1台としたが、これに限られず、2台以上であってもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
1 基板処理システム
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
4 制御装置
15 搬送部
16 処理ユニット
17 基板搬送装置
20a 第1処理部
20b 第2処理部
30 収容部
100 基板液処理装置
102,102a,102b タンク
106a,106b ポンプ
130 エア供給源
131a,131b エア配管
141α,141β 機器群

Claims (10)

  1. 基板を搬送する搬送装置が配置される搬送部と、
    前記搬送部に水平方向に隣接し、処理液を用いて前記基板を処理する液処理ユニットが配置される処理部と、
    前記処理液を貯留する貯留部と、
    前記貯留部に貯留された前記処理液を前記液処理ユニットへ送り出す送液機構と
    を備え、
    前記貯留部は、
    前記搬送部の直下に配置され、
    前記送液機構は、
    前記処理部の直下に配置されること
    を特徴とする基板液処理装置。
  2. 前記貯留部および該貯留部に対応する前記送液機構の機器群が複数あり、前記機器群ごとに収容部に収容されて区画されること
    を特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
  3. 前記処理部は、
    前記搬送部によって前記基板が搬送される第1処理部と第2処理部とを備え、
    前記送液機構は、
    前記第1処理部の直下に配置され、前記貯留部に接続される第1送液機構と、
    前記第2処理部の直下に配置され、前記貯留部に接続される第2送液機構と
    を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の基板液処理装置。
  4. 前記第1処理部と前記第2処理部とは、前記搬送部を挟んで対向する位置に設けられること
    を特徴とする請求項3に記載の基板液処理装置。
  5. 前記貯留部と前記第1送液機構とを接続する第1液配管と、
    前記貯留部と前記第2送液機構とを接続する第2液配管と
    を備え、
    前記第1液配管の長さが、前記第2液配管の長さと同じであること
    を特徴とする請求項3または4に記載の基板液処理装置。
  6. 前記貯留部と前記第1送液機構とを接続する第1液配管と、
    前記貯留部と前記第2送液機構とを接続する第2液配管と
    を備え、
    前記第1液配管および前記第1送液機構と、前記第2液配管および前記第2送液機構とは、平面視において点対称になるように配置されること
    を特徴とする請求項3〜5のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  7. 前記第1送液機構および前記第2送液機構は、
    エア供給部からエア配管を介して供給されるエアで駆動するポンプを備えるとともに、
    前記エア供給部と前記第1送液機構のポンプとを接続する前記エア配管の長さが、前記エア供給部と前記第2送液機構のポンプとを接続する前記エア配管の長さと同じであること
    を特徴とする請求項3〜6のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  8. 前記貯留部は、
    第1貯留部と第2貯留部とを備え、
    前記処理部は、
    前記搬送部を挟んで対向する位置に設けられる第1処理部と第2処理部とを備え、
    前記送液機構は、
    前記第1処理部の直下に配置され、前記第1貯留部に接続される第1送液機構と、
    前記第2処理部の直下に配置され、前記第2貯留部に接続される第2送液機構と
    を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の基板液処理装置。
  9. 前記第1貯留部と前記第1送液機構とを接続する第1液配管と、
    前記第2貯留部と前記第2送液機構とを接続する第2液配管と
    を備え、
    前記第1液配管および前記第1送液機構を含む第1機器群と、前記第2液配管および前記第2送液機構を含む第2機器群とを有するグループが複数あり、複数の前記グループは、平面視において点対称になるように配置されること
    を特徴とする請求項8に記載の基板液処理装置。
  10. 前記処理部は、
    前記搬送部を挟んで対向する位置に設けられる第1処理部と第2処理部とを備え、
    前記第1、第2処理部と前記搬送部とは、
    前記第1処理部と前記搬送部とが収容される部分と、前記第2処理部が収容される部分との間で分割可能な収容部に収容されること
    を特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
JP2015208586A 2014-12-16 2015-10-23 基板液処理装置 Active JP6454629B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW104141847A TWI632634B (zh) 2014-12-16 2015-12-14 基板液體處理裝置
US15/535,882 US10573539B2 (en) 2014-12-16 2015-12-15 Substrate liquid processing apparatus
KR1020177016070A KR102384082B1 (ko) 2014-12-16 2015-12-15 기판 액 처리 장치
CN201580068790.XA CN107112226B (zh) 2014-12-16 2015-12-15 基板液处理装置
PCT/JP2015/085092 WO2016098776A1 (ja) 2014-12-16 2015-12-15 基板液処理装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014253576 2014-12-16
JP2014253576 2014-12-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016115924A JP2016115924A (ja) 2016-06-23
JP6454629B2 true JP6454629B2 (ja) 2019-01-16

Family

ID=56142354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015208586A Active JP6454629B2 (ja) 2014-12-16 2015-10-23 基板液処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10573539B2 (ja)
JP (1) JP6454629B2 (ja)
CN (1) CN107112226B (ja)
TW (1) TWI632634B (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6640041B2 (ja) * 2016-06-27 2020-02-05 株式会社荏原製作所 洗浄装置及び基板処理装置
JP6675955B2 (ja) * 2016-08-24 2020-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6983008B2 (ja) * 2017-08-28 2021-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP7221594B2 (ja) * 2018-03-26 2023-02-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7122140B2 (ja) * 2018-04-02 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体
JP7314634B2 (ja) * 2019-06-11 2023-07-26 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP7382164B2 (ja) * 2019-07-02 2023-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5863348A (en) * 1993-12-22 1999-01-26 International Business Machines Corporation Programmable method for cleaning semiconductor elements
JP4100466B2 (ja) * 2000-12-25 2008-06-11 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP4298384B2 (ja) * 2003-06-04 2009-07-15 大日本スクリーン製造株式会社 液供給装置および基板処理装置
CN1840247A (zh) * 2005-03-31 2006-10-04 株式会社华祥 洗涤装置及洗涤方法
JP2007273510A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびその製造方法
JP4767783B2 (ja) * 2006-07-26 2011-09-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2010232244A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理槽洗浄方法および基板処理装置
JP5302781B2 (ja) * 2009-06-04 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを格納した記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
CN107112226A (zh) 2017-08-29
TW201639067A (zh) 2016-11-01
JP2016115924A (ja) 2016-06-23
US10573539B2 (en) 2020-02-25
CN107112226B (zh) 2020-06-09
TWI632634B (zh) 2018-08-11
US20180358240A1 (en) 2018-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6454629B2 (ja) 基板液処理装置
US10128132B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
US10056269B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
KR102518708B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20150126281A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
KR102581139B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에 있어서의 배기관의 막힘 검출 방법
KR20210042380A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102228490B1 (ko) 기판 처리 장치 및 액 공급 장치
KR20230035056A (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
CN105280523A (zh) 基板处理设备和方法
JP2019016818A (ja) 基板液処理装置
WO2016098776A1 (ja) 基板液処理装置
KR102613750B1 (ko) 액 처리 장치
KR200496544Y1 (ko) 기판 처리 장치
JP2024058341A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181217

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6454629

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250