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JP6328987B2 - Manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

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JP6328987B2 JP2014088626A JP2014088626A JP6328987B2 JP 6328987 B2 JP6328987 B2 JP 6328987B2 JP 2014088626 A JP2014088626 A JP 2014088626A JP 2014088626 A JP2014088626 A JP 2014088626A JP 6328987 B2 JP6328987 B2 JP 6328987B2
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Description

本発明は、前工程後のウエハを個々の半導体チップに切り分ける半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a wafer after a pre-process is cut into individual semiconductor chips.

従来、フリップチップ実装用の半導体製造プロセスの後工程は、次のように行われている。先ず、複数の突起電極が形成されたウエハの突起電極形成面に、バックグラインドテープと呼ばれる粘着シート又はテープを貼り合わせ、この状態で突起電極形成面の反対面を所定の厚さにまで研削する。研削終了後、バックグラインドテープを剥離し、ウエハをダイシングして個々の半導体チップとする。次いで、半導体チップを、他の半導体チップ又は基板上にフリップチップ実装する。また、先供給型又は後供給型のアンダーフィルを硬化して半導体チップを補強する。   Conventionally, a post-process of a semiconductor manufacturing process for flip chip mounting is performed as follows. First, an adhesive sheet or tape called back grind tape is bonded to the bump electrode forming surface of the wafer on which a plurality of bump electrodes are formed, and in this state, the opposite surface of the bump electrode forming surface is ground to a predetermined thickness. . After grinding, the back grind tape is peeled off, and the wafer is diced into individual semiconductor chips. Next, the semiconductor chip is flip-chip mounted on another semiconductor chip or a substrate. Further, the semiconductor chip is reinforced by curing the pre-feed type or post-feed type underfill.

しかしながら、近年、半導体チップの厚みが５０μｍｔ以下と薄くなっているため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、外圧により、半導体チップの突起電極が破損することがあった。   However, in recent years, since the thickness of the semiconductor chip has become as thin as 50 μmt or less, the protruding electrode of the semiconductor chip may be damaged due to external pressure in subsequent processes such as dicing, pickup, and mounting.

特開２００５−２８７３４号公報JP 2005-28734 A

本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、突起電極の破損を低減させることができる半導体装置の製造方法を提供する。   The present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and provides a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing breakage of a protruding electrode.

前述した課題を解決するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなる保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、前記保護テープが貼付されたウエハ面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、前記グラインド処理された反対面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、前記粘着テープが貼付されたウエハから前記熱可塑性樹脂層及び前記基材フィルム層を剥離する剥離工程と、前記剥離工程後に、前記接着剤層を硬化させる硬化工程と、前記硬化工程後に、前記突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程と、前記接着剤の残渣が除去されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程とを有し、前記保護テープは、前記接着剤層の厚みが、前記突起電極の高さの１０％以上８０％以下であり、前記接着剤層の最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、前記接着剤層の６０℃での弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であることを特徴とする。
In order to solve the above-described problems, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a method in which an adhesive layer, a thermoplastic resin layer, and a base film layer are laminated in this order on a wafer surface on which protruding electrodes are formed. a protective tape pasting step of pasting a protective tape formed by an adhesive tape for affixing the grinding process of grinding process the opposite surface of the wafer surface on which the protective tape is pasted, the adhesive tape to the grinding process has been the opposite surface An affixing step, an exfoliating step of exfoliating the thermoplastic resin layer and the base film layer from the wafer to which the adhesive tape is applied, a curing step of curing the adhesive layer after the exfoliating step, and the curing step later, a removal step of removing a residue of the adhesive on the protrusion electrodes, said residue of the adhesive has been removed wafer dicing process to obtain individual semiconductor chips And a Ishingu process, the protective tape, the thickness of the adhesive layer, wherein not more than 10% to 80% of the height of the protruding electrodes, the minimum melt viscosity of the adhesive layer is 500 Pa · s or higher The elastic modulus at 60 ° C. of the adhesive layer is 1 GPa or more and 10 GPa or less .

また、本発明は、前述の半導体装置の製造方法に用いられる保護テープであって、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなることを特徴とする。   Further, the present invention is a protective tape used in the above-described method for manufacturing a semiconductor device, wherein an adhesive layer, a thermoplastic resin layer, and a base film layer are laminated in this order. .

本発明によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。   According to the present invention, since the adhesive layer on the wafer surface on which the protruding electrode is formed is cured before the dicing process step and the protruding electrode is reinforced, the protruding electrode is damaged in the subsequent steps such as dicing, pick-up, and mounting. Can be reduced.

図１は、保護テープの概略を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a protective tape. 図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the protective tape attaching step. 図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing an outline of a grinding process. 図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an outline of the adhesive tape attaching step. 図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the protective tape peeling step. 図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the curing process. 図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the dicing process. 図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing an outline of the expanding process. 図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the pickup process. 図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the mounting process.

以下、本発明の実施の形態について、下記順序にて詳細に説明する。
１．半導体装置の製造方法
２．実施例 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail in the following order.
1. 1. Manufacturing method of semiconductor device Example

＜１．半導体装置の製造方法＞
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、突起電極が形成されたウエハ面に接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、保護テープ貼付面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、グラインド処理面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、粘着テープが貼付されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程と、接着剤層を硬化させる硬化工程とを有し、硬化工程が、ダイシング処理工程前に行われるものである。すなわち、硬化工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程前に行われる。 <1. Manufacturing Method of Semiconductor Device>
A manufacturing method of a semiconductor device according to the present embodiment includes a protective tape applying step of applying a protective tape having an adhesive layer to a wafer surface on which a protruding electrode is formed, and a grinding process of grinding the opposite surface of the protective tape applying surface. Processing step, adhesive tape application step for applying an adhesive tape to the grinded surface, dicing treatment step for dicing the wafer with the adhesive tape attached to obtain individual semiconductor chips, and curing for curing the adhesive layer And the curing step is performed before the dicing treatment step. That is, the curing process is performed before any of the grinding process, the adhesive tape attaching process, or the dicing process.

保護テープの接着剤層の接着剤は、例えば、熱アニオン硬化型、熱カチオン硬化型、熱ラジカル硬化型などの熱硬化型、光カチオン硬化型、光ラジカル硬化型などの光硬化型、又はこれらを併用して略同一に用いる熱／光硬化型のものを用いることができる。   The adhesive of the adhesive layer of the protective tape is, for example, a thermosetting type such as a thermal anion curable type, a thermal cation curable type, a thermal radical curable type, a photo curable type such as a photo cation curable type or a photo radical curable type, or these A heat / photo-curing type that is used substantially in the same manner can be used.

また、保護テープは、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されており、グラインド処理工程後に、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層をと剥離する剥離工程をさらに有することが好ましい。すなわち、剥離工程は、グラインド処理工程、粘着テープ貼付工程、又はダイシング処理工程のいずれかの工程後に行われる。これにより、接着剤層を突起電極が形成されたウエハ面に転着させることができ、突起電極形成面を補強することができる。   In addition, the protective tape has an adhesive layer, a thermoplastic resin layer, and a base film layer laminated in this order. After the grinding process, the protective tape is peeled off from the thermoplastic resin layer and the base film layer. It is preferable to further include a step. That is, the peeling process is performed after any of the grinding process, the adhesive tape attaching process, or the dicing process. Accordingly, the adhesive layer can be transferred to the wafer surface on which the protruding electrodes are formed, and the protruding electrode forming surface can be reinforced.

また、剥離工程後に、突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有することが好ましい。これにより、実装時の接続不良を防止することができる。また、除去工程は、硬化工程後に行われることが好ましい。これにより、接着剤の残渣を簡便に取り除くことができる。   Moreover, it is preferable to further have the removal process which removes the residue of the adhesive agent on a bump electrode after a peeling process. Thereby, the connection failure at the time of mounting can be prevented. Moreover, it is preferable that a removal process is performed after a hardening process. Thereby, the residue of an adhesive agent can be easily removed.

このような半導体装置の製造方法によれば、ダイシング処理工程前に突起電極が形成されたウエハ面の接着剤層が硬化して突起電極が補強されるため、ダイシング、ピックアップ、実装などの後工程において、突起電極の破損を低減させることができる。   According to such a manufacturing method of a semiconductor device, the adhesive layer on the wafer surface on which the protruding electrode is formed is cured before the dicing process step and the protruding electrode is reinforced, so that the post-process such as dicing, pick-up, and mounting is performed. In this case, breakage of the protruding electrode can be reduced.

以下、具体的な半導体装置の製造方法について説明する。具体例として示す半導体装置の製造方法は、保護テープの接着剤層が、熱硬化型であり、硬化工程が、粘着テープ貼付工程とダイシング処理工程との間に行われるものである。すなわち、具体例として示す半導体装置の製造方法は、接着剤層を有する保護テープを貼付する保護テープ貼付工程（Ａ）と、グラインド工程（Ｂ）と、粘着テープ貼付工程（Ｃ）と、保護テープ剥離工程（Ｄ）と、接着剤層を硬化させる硬化工程（Ｅ）と、ダイシング処理工程（Ｆ）と、エキスパンド工程（Ｇ）と、ピックアップ工程（Ｈ）と、実装工程（Ｉ）とを有する。   Hereinafter, a specific method for manufacturing a semiconductor device will be described. In the method for manufacturing a semiconductor device shown as a specific example, the adhesive layer of the protective tape is a thermosetting type, and the curing step is performed between the adhesive tape attaching step and the dicing treatment step. That is, a semiconductor device manufacturing method shown as a specific example includes a protective tape attaching step (A) for attaching a protective tape having an adhesive layer, a grinding step (B), an adhesive tape attaching step (C), and a protective tape. It has a peeling process (D), a curing process (E) for curing the adhesive layer, a dicing process (F), an expanding process (G), a pickup process (H), and a mounting process (I). .

［保護テープ］
図１は、保護テープの概略を示す断面図である。保護テープ１０は、バックグラインドテープ（Back Grind Tape）と呼ばれるものであり、グラインド工程において、傷、割れ、汚染などからウエハを保護するものである。図１に示すように、保護テープ１０は、接着剤層１１と、熱可塑性樹脂層１２と、基材フィルム層１３とがこの順に積層されている。 [Protective tape]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a protective tape. The protective tape 10 is called a back grind tape, and protects the wafer from scratches, cracks, contamination and the like in the grinding process. As shown in FIG. 1, the protective tape 10 has an adhesive layer 11, a thermoplastic resin layer 12, and a base film layer 13 laminated in this order.

接着剤層１１としては、熱硬化型のものであれば特に限定されず、例えば、カチオン硬化型の接着剤、ラジカル硬化性樹脂などを用いることができる。カチオン硬化型の接着剤は、熱カチオン重合開始剤と、カチオン重合開始剤とを含有し、また、ラジカル硬化型の接着剤は、ラジカル硬化性樹脂と、熱ラジカル重合開始剤とを含有する。   The adhesive layer 11 is not particularly limited as long as it is of a thermosetting type, and for example, a cationic curable adhesive, a radical curable resin, or the like can be used. The cationic curable adhesive contains a thermal cationic polymerization initiator and a cationic polymerization initiator, and the radical curable adhesive contains a radical curable resin and a thermal radical polymerization initiator.

カチオン硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、脂環式エポキシ樹脂それらの変性エポキシ樹脂などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。   Examples of the cationic curable resins include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, novolac type epoxy resins, oxetane resins, alicyclic epoxy resins, and their modified epoxy resins. Or two or more of them may be used in combination.

熱カチオン重合開始剤としては、例えば、ベンジルスルホニウム塩、チオフェニウム塩、チオラニウム塩、ベンジルアンモニウム塩、ピリジニウム塩、ヒドラジニウム塩、カルボン酸エステル、スルホン酸エステル、アミンイミドなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。   Examples of the thermal cationic polymerization initiator include benzylsulfonium salt, thiophenium salt, thioranium salt, benzylammonium salt, pyridinium salt, hydrazinium salt, carboxylic acid ester, sulfonic acid ester, and amine imide. Or two or more of them may be used in combination.

ラジカル硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ（メタ）アクリレート類、ウレタン（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリレートオリゴマーなどが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。   Examples of the radical curable resin include epoxy (meth) acrylates, urethane (meth) acrylates, (meth) acrylate oligomers, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. May be used in combination.

熱ラジカル重合開始剤としては、過酸化物、アゾ化合物などが挙げられる。過酸化物としては、ジアシルパーオキサイド化合物、パーオキシエステル化合物、ハイドロパーオキサイド化合物、パーオキシジカーボネート化合物、パーオキシケタール化合物、ジアルキルパーオキサイド化合物、及びケトンパーオキサイド化合物などが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。   Examples of the thermal radical polymerization initiator include peroxides and azo compounds. Examples of peroxides include diacyl peroxide compounds, peroxy ester compounds, hydroperoxide compounds, peroxydicarbonate compounds, peroxyketal compounds, dialkyl peroxide compounds, and ketone peroxide compounds. You may use individually by 1 type and may use 2 or more types together.

また、接着剤には、その他の成分として、膜形成樹脂、硬化促進剤、シランカップリング剤、無機フィラー、アクリルゴムなどのエラストマー、カーボンブラックなどの顔料を、目的に応じて適宜配合するようにしてもよい。膜形成樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、スチレンイソプレン樹脂、ニトリルブタジエン樹脂などが挙げられる。   In addition, in the adhesive, as other components, a film-forming resin, a curing accelerator, a silane coupling agent, an inorganic filler, an elastomer such as acrylic rubber, and a pigment such as carbon black are appropriately blended according to the purpose. May be. Examples of the film forming resin include phenoxy resin, urethane resin, polyester resin, styrene isoprene resin, and nitrile butadiene resin.

また、接着剤層１１の最低溶融粘度は、５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。最低溶融粘度が低すぎると、保護テープ貼付工程（Ａ）において、ボイドが発生することがあり、最低溶融粘度が高すぎると、接着剤層を突起電極が貫通せず、接着剤を突起電極間に充填することが困難となる。   The minimum melt viscosity of the adhesive layer 11 is preferably 500 Pa · s or more and 15000 Pa · s or less. If the minimum melt viscosity is too low, voids may occur in the protective tape application step (A). If the minimum melt viscosity is too high, the protruding electrode does not penetrate the adhesive layer, and the adhesive is not between the protruding electrodes. It becomes difficult to fill in.

また、接着剤層１１の６０℃での弾性率は、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下、好ましくは１ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。弾性率が小さすぎても大きすぎても突起電極への接着剤層１１の埋め込み性が悪くなる。   The elastic modulus at 60 ° C. of the adhesive layer 11 is 1 GPa or more and 10 GPa or less, preferably 1 GPa or more and 5 GPa or less. If the elastic modulus is too small or too large, the embedding property of the adhesive layer 11 into the protruding electrode is deteriorated.

また、接着剤層１１の厚みは、ウエハに形成された突起電極の高さの１０％以上８０％以下、好ましくは、３０％以上６０％以下である。接着剤層１１の厚みが小さすぎると突起電極の補強の効果が得られず、厚みが大きすぎると突起電極が貫通しないことがある。   The thickness of the adhesive layer 11 is not less than 10% and not more than 80%, preferably not less than 30% and not more than 60% of the height of the protruding electrode formed on the wafer. If the thickness of the adhesive layer 11 is too small, the effect of reinforcing the protruding electrode cannot be obtained, and if the thickness is too large, the protruding electrode may not penetrate.

熱可塑性樹脂層１２としては、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ：Ethylene Vinyl Acetate）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フッ素樹脂、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、アクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリフェニレンオキサイドなどを挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。   As the thermoplastic resin layer 12, ethylene vinyl acetate copolymer (EVA), polyethylene, polypropylene, polyamide, polyacetal, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, fluororesin, polyphenylene sulfide, polystyrene, ABS resin, acrylic type Resins, polycarbonates, polyurethanes, polyvinyl chlorides, polyphenylene oxides and the like may be mentioned, and these may be used alone or in combination of two or more.

基材フィルム層１３としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。   As the base film layer 13, a plastic base film made of polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polyester or the like, or a porous base material made of paper, cloth, nonwoven fabric, or the like can be used.

なお、保護テープは、前述の構成に限られることなく、各層の表面や隣接する層間に他の層を形成してもよい。   The protective tape is not limited to the above-described configuration, and other layers may be formed on the surface of each layer or between adjacent layers.

［（Ａ）保護テープ貼付工程］
図２は、保護テープ貼付工程の概略を示す断面図である。保護テープ貼付工程では、突起電極２２が形成されたウエハ２１面に保護テープ１０を貼り付ける。 [(A) Protective tape application process]
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an outline of the protective tape attaching step. In the protective tape attaching step, the protective tape 10 is attached to the surface of the wafer 21 on which the protruding electrodes 22 are formed.

ウエハ２１は、シリコンなどの半導体表面に形成された集積回路と、バンプと呼ばれる接続用の突起電極２２とを有する。ウエハ２１の厚みは、特に限定されないが、好ましくは２００μｍ以上１０００μｍ以下である。   The wafer 21 has an integrated circuit formed on a semiconductor surface such as silicon, and a protruding electrode 22 for connection called a bump. The thickness of the wafer 21 is not particularly limited, but is preferably 200 μm or more and 1000 μm or less.

突起電極２２としては、特に限定はされないが、例えば、はんだによる低融点バンプ又は高融点バンプ、錫バンプ、銀−錫バンプ、銀−錫−銅バンプ、金バンプ、銅バンプなどが挙げられる。また、突起電極２２の高さは、特に制限はされないが、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下である。   The protruding electrode 22 is not particularly limited, and examples thereof include a low melting point bump or a high melting point bump made of solder, a tin bump, a silver-tin bump, a silver-tin-copper bump, a gold bump, and a copper bump. The height of the protruding electrode 22 is not particularly limited, but is preferably 10 μm or more and 200 μm or less.

保護テープ１０は、突起電極２２の形成面と接着剤層１１とが接する状態で貼り合わされる。保護テープ１０の接着剤層１１の厚みは、突起電極２２の高さの１０％以上８０％以下であるため、突起電極２２は、接着剤層１１を突き抜け、熱可塑性樹脂層１２に埋め込まれる。   The protective tape 10 is bonded in a state where the formation surface of the protruding electrode 22 and the adhesive layer 11 are in contact with each other. Since the thickness of the adhesive layer 11 of the protective tape 10 is not less than 10% and not more than 80% of the height of the protruding electrode 22, the protruding electrode 22 penetrates the adhesive layer 11 and is embedded in the thermoplastic resin layer 12.

保護テープ貼付工程では、真空加圧式ラミネータを用いて保護テープをウエハ面にラミネートすることが好ましい。これにより、ボイドの発生を抑制しながら、接着剤を突起電極間に充填することができる。また、貼付温度は、ボイドの減少、ウエハ密着性の向上およびウエハ研削後の反り防止の観点から、２５℃以上１００℃以下、好ましくは４０℃以上８０℃以下である。   In the protective tape affixing step, it is preferable to laminate the protective tape on the wafer surface using a vacuum pressure laminator. Thereby, the adhesive can be filled between the protruding electrodes while suppressing the generation of voids. The sticking temperature is 25 ° C. or higher and 100 ° C. or lower, preferably 40 ° C. or higher and 80 ° C. or lower, from the viewpoint of reducing voids, improving wafer adhesion and preventing warpage after wafer grinding.

［（Ｂ）グラインド工程］
図３は、グラインド工程の概略を示す断面図である。グラインド工程では、保護テープ１０貼付面の反対面をグラインド処理する。保護テープ１０を貼り付けたウエハ２１の反対面を研削装置に固定して研磨する。研磨は通常、ウエハ２１の厚みが５０μｍ以上６００μｍ以下になるまで行うが、本実施の形態では、接着剤層１１により突起電極２２が補強されるため、５０μｍ以下の厚さにまで研磨してもよい。 [(B) Grinding process]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an outline of a grinding process. In the grinding process, the surface opposite to the surface to which the protective tape 10 is applied is ground. The opposite surface of the wafer 21 to which the protective tape 10 is attached is fixed to a grinding device for polishing. Polishing is usually performed until the thickness of the wafer 21 is 50 μm or more and 600 μm or less. However, in the present embodiment, the protruding electrode 22 is reinforced by the adhesive layer 11, so that even if the wafer 21 is polished to a thickness of 50 μm or less. Good.

［（Ｃ）粘着テープ貼付工程］
図４は、粘着テープ貼付工程の概略を示す断面図である。粘着テープ貼付工程では、グラインド処理面に粘着テープ３０を貼付する。粘着テープ３０は、ダイシングテープ（Dicing Tape）と呼ばれるものであり、ダイシング工程（Ｆ）において、ウエハ２１を保護、固定し、ピックアップ工程（Ｈ）まで保持するためのテープである。 [(C) Adhesive tape application process]
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an outline of the adhesive tape attaching step. In the adhesive tape attaching step, the adhesive tape 30 is attached to the grinding surface. The adhesive tape 30 is called a dicing tape, and is a tape for protecting and fixing the wafer 21 in the dicing step (F) and holding it until the pickup step (H).

粘着テープ３０としては、特に限定されず、公知のものを使用することができる。一般に、粘着テープ３０は、粘着剤層３１と、基材フィルム層３２とを有する。粘着剤層３１としては、例えば、ポリエチレン系、アクリル系、ゴム系、ウレタン系などの粘着剤が挙げられる。また、基材フィルム層３２としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステルなどのプラスチックフィルムや、紙、布、不織布等からなる多孔質基材を用いることができる。また、粘着テープの貼付装置及び条件としては、特に限定されず、公知の装置及び条件が用いられる。   It does not specifically limit as the adhesive tape 30, A well-known thing can be used. In general, the pressure-sensitive adhesive tape 30 includes a pressure-sensitive adhesive layer 31 and a base film layer 32. Examples of the pressure-sensitive adhesive layer 31 include polyethylene-based, acrylic-based, rubber-based, and urethane-based pressure-sensitive adhesives. As the base film layer 32, a plastic base film made of polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polyester, or a porous base material made of paper, cloth, nonwoven fabric, or the like can be used. Moreover, it does not specifically limit as an adhesive tape sticking apparatus and conditions, A well-known apparatus and conditions are used.

［（Ｄ）保護テープ剥離工程］
図５は、保護テープ剥離工程の概略を示す断面図である。保護テープ剥離工程では、保護テープ１０の熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３を剥離する。すなわち、熱可塑性樹脂層１２及び基材フィルム層１３が除去され、ウエハ２１上には接着剤層１１のみが残る。 [(D) protective tape peeling step]
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the protective tape peeling step. In the protective tape peeling step, the thermoplastic resin layer 12 and the base film layer 13 of the protective tape 10 are peeled off. That is, the thermoplastic resin layer 12 and the base film layer 13 are removed, and only the adhesive layer 11 remains on the wafer 21.

［（Ｅ）硬化工程］
図６は、硬化工程の概略を示す断面図である。硬化工程では、接着剤層１１を硬化させる。硬化方法及び硬化条件としては、熱硬化型の接着剤を硬化させる公知の方法を用いることができる。 [(E) Curing step]
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the curing process. In the curing step, the adhesive layer 11 is cured. As a curing method and curing conditions, a known method for curing a thermosetting adhesive can be used.

また、硬化工程後に突起電極２２上の接着剤の残渣を除去する除去工程をさらに有することが好ましい。これにより、実装時の接続不良を防止することができる。また、除去工程では、砥粒を用いて研磨することが好ましい。これにより、接着剤の残渣を完全に除去することができる。また、砥粒の平均粒径は、３μｍ以下であることが好ましい。これにより、突起電極２２の削れを抑制することができる。   Moreover, it is preferable to further have a removal process of removing the adhesive residue on the bump electrode 22 after the curing process. Thereby, the connection failure at the time of mounting can be prevented. Moreover, it is preferable to grind | polish using an abrasive grain at a removal process. Thereby, the residue of an adhesive agent can be removed completely. Moreover, it is preferable that the average particle diameter of an abrasive grain is 3 micrometers or less. Thereby, the shaving of the protruding electrode 22 can be suppressed.

［（Ｆ）ダイシング処理工程］
図７は、ダイシング処理工程の概略を示す断面図である。ダイシング処理工程では、粘着テープ３０が貼付されたウエハ２１をダイシング処理し、個片の半導体チップを得る。ダイシング方法としては、特に限定されず、例えばダイシングソーでウエハ２１を切削して切り出すなどの公知の方法を用いることができる。 [(F) Dicing process]
FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the dicing process. In the dicing process, the wafer 21 to which the adhesive tape 30 is attached is diced to obtain individual semiconductor chips. The dicing method is not particularly limited, and a known method such as cutting the wafer 21 with a dicing saw can be used.

［（Ｇ）エキスパンド工程］
図８は、エキスパンド工程の概略を示す断面図である。エキスパンド工程では、例えば分割された複数個の半導体チップが貼着されている粘着テープ３０を放射方向に伸長させ、個々の半導体チップの間隔を広げる。 [(G) Expanding process]
FIG. 8 is a cross-sectional view showing an outline of the expanding process. In the expanding step, for example, the adhesive tape 30 to which a plurality of divided semiconductor chips are attached is elongated in the radial direction to widen the intervals between the individual semiconductor chips.

［（Ｈ）ピックアップ工程］
図９は、ピックアップ工程の概略を示す断面図である。ピックアップ工程では、粘着テープ３０上に貼着固定された半導体チップを、粘着テープ３０の下面より突き上げて剥離させ、この剥離された半導体チップをコレットで吸着する。ピックアップされた半導体チップは、チップトレイに収納されるか、またはフリップチップボンダーのチップ搭載ノズルへと搬送される。 [(H) Pickup process]
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the pickup process. In the pick-up step, the semiconductor chip adhered and fixed on the adhesive tape 30 is pushed up from the lower surface of the adhesive tape 30 to be peeled off, and the peeled semiconductor chip is adsorbed by a collet. The picked-up semiconductor chip is stored in a chip tray or conveyed to a chip mounting nozzle of a flip chip bonder.

［（Ｉ）実装工程］
図１０は、実装工程の概略を示す断面図である。実装工程では、例えば半導体チップと回路基板とをＮＣＦ（Non Conductive Film）などの回路接続材料を用いて接続する。回路基板としては、特に限定されないが、ポリイミド基板、ガラスエポキシ基板などのプラスチック基板、セラミック基板などを用いることができる。また、接続方法としては、加熱ボンダー、リフロー炉などを用いる公知の方法を用いることができる。また、この実装工程では、半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、ボイドを抑制することができる [(I) Mounting process]
FIG. 10 is a cross-sectional view schematically showing the mounting process. In the mounting process, for example, the semiconductor chip and the circuit board are connected using a circuit connection material such as NCF (Non Conductive Film). Although it does not specifically limit as a circuit board, Plastic substrates, such as a polyimide substrate and a glass epoxy substrate, a ceramic substrate, etc. can be used. Moreover, as a connection method, the well-known method using a heating bonder, a reflow furnace, etc. can be used. Moreover, in this mounting process, since the adhesive layer 11 is formed on the protruding electrode formation surface of the semiconductor chip, voids can be suppressed.

以上の方法により、優れた接続信頼性を有する半導体装置を歩留り良く得ることができる。また、得られる半導体装置は、突起電極と突起電極形成面に形成された接着剤層とを有する半導体チップと、突起電極に対向する電極を有する回路基板とを備える。半導体チップの突起電極形成面に接着剤層１１が形成されているため、優れた接続信頼性を得ることができる。   With the above method, a semiconductor device having excellent connection reliability can be obtained with high yield. The obtained semiconductor device includes a semiconductor chip having a protruding electrode and an adhesive layer formed on the protruding electrode forming surface, and a circuit board having an electrode facing the protruding electrode. Since the adhesive layer 11 is formed on the protruding electrode formation surface of the semiconductor chip, excellent connection reliability can be obtained.

＜２．実施例＞
以下、本発明の実施例について説明する。本実施例では、接着剤層と、熱可塑性樹脂層とを積層させた保護テープを作製した。そして、保護テープをバンプが形成されたウエハ面に貼付する貼付方法について、接着剤のバンプ間への充填状態を観察して評価した。また、バンプ上の接着剤の残渣除去方法について、バンプを観察して評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 <2. Example>
Examples of the present invention will be described below. In this example, a protective tape in which an adhesive layer and a thermoplastic resin layer were laminated was produced. And about the sticking method which sticks a protective tape on the wafer surface in which the bump was formed, the filling state between bumps of an adhesive agent was observed and evaluated. Moreover, the bump was observed and evaluated about the adhesive residue removal method on a bump. The present invention is not limited to these examples.

＜２．１ 保護テープの貼付方法について＞
バンプが形成されたウエハ面に保護テープを貼付する際の接着剤層の最低溶融粘度の影響について検討した。 <2.1 How to apply protective tape>
The influence of the lowest melt viscosity of the adhesive layer when applying the protective tape to the wafer surface on which the bumps were formed was examined.

［貼付方法１］
ＰＥＴ（Polyethylene Terephthalate）からなるカバーフィルム上に、ＥＶＡ（Ethylene Vinyl Acetate）からなる熱可塑性樹脂層と、弾性率が２．５ＧＰａ、及び最低溶融粘度が５００００Ｐａ・ｓである厚み３０μｍの接着剤層とがこの順番に積層された保護テープを作製した。 [Paste method 1]
On a cover film made of PET (Polyethylene Terephthalate), a thermoplastic resin layer made of EVA (Ethylene Vinyl Acetate), an adhesive layer having an elastic modulus of 2.5 GPa and a minimum melt viscosity of 50000 Pa · s and a thickness of 30 μm; Produced protective tapes laminated in this order.

保護テープの接着剤層面を、はんだバンプ（φ＝２５０μｍ、Ｈ＝１５０μｍ、ピッチ＝２５０μｍ）が形成されたウエハ（サイズ：５ｃｍ×５ｃｍ×５０μｍｔ）に貼り付け、真空加圧式ラミネータでラミネートした。そして、１６０℃のオーブンで１時間キュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、はんだバンプが接着剤層を貫通していなかった。   The adhesive layer surface of the protective tape was attached to a wafer (size: 5 cm × 5 cm × 50 μmt) on which solder bumps (φ = 250 μm, H = 150 μm, pitch = 250 μm) were formed, and was laminated with a vacuum pressure laminator. And it cured for 1 hour in 160 degreeC oven. When the filling state between the bumps of the adhesive was observed, the solder bumps did not penetrate the adhesive layer.

［貼付方法２］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１５０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。 [Paste method 2]
A protective tape was produced in the same manner as in the sticking method 1 except that the elastic modulus of the adhesive layer was 2.5 GPa and the minimum melt viscosity was 15000 Pa · s. Then, it was laminated and cured on the wafer in the same manner as in the sticking method 1. When the filling state between the bumps of the adhesive was observed, the adhesive was filled between the bumps in a good state. However, adhesive residues were present on the bumps.

［貼付方法３］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を２０００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。 [Paste method 3]
A protective tape was produced in the same manner as in the sticking method 1 except that the elastic modulus of the adhesive layer was 2.5 GPa and the minimum melt viscosity was 2000 Pa · s. Then, it was laminated and cured on the wafer in the same manner as in the sticking method 1. When the filling state between the bumps of the adhesive was observed, the adhesive was filled between the bumps in a good state. However, adhesive residues were present on the bumps.

［貼付方法４］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、接着剤が良好な状態でバンプ間に充填されていた。しかし、バンプ上に接着剤の残渣が存在していた。 [Paste method 4]
A protective tape was produced in the same manner as in the sticking method 1 except that the elastic modulus of the adhesive layer was 2.5 GPa and the minimum melt viscosity was 500 Pa · s. Then, it was laminated and cured on the wafer in the same manner as in the sticking method 1. When the filling state between the bumps of the adhesive was observed, the adhesive was filled between the bumps in a good state. However, adhesive residues were present on the bumps.

［貼付方法５］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を１００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。そして、貼付方法１と同様にウエハにラミネートしてキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。 [Paste method 5]
A protective tape was prepared in the same manner as in the sticking method 1 except that the elastic modulus of the adhesive layer was 2.5 GPa and the minimum melt viscosity was 100 Pa · s. Then, it was laminated and cured on the wafer in the same manner as in the sticking method 1. When the filling state between the bumps of the adhesive was observed, a void was generated in the adhesive near the base of the bump.

［貼付方法６］
接着剤層の弾性率を２．５ＧＰａ、最低溶融粘度を５００Ｐａ・ｓとした以外は、貼付方法１と同様に保護テープを作製した。また、加圧式ラミネータでラミネートした以外は、貼付方法１と同様にキュアした。接着剤のバンプ間への充填状態を観察したところ、バンプ根元付近の接着剤にボイドが発生していた。 [Paste method 6]
A protective tape was produced in the same manner as in the sticking method 1 except that the elastic modulus of the adhesive layer was 2.5 GPa and the minimum melt viscosity was 500 Pa · s. Moreover, it cured similarly to the sticking method 1 except having laminated with the pressurization type laminator. When the filling state between the bumps of the adhesive was observed, a void was generated in the adhesive near the base of the bump.

表１に、貼付方法１〜６の評価結果を一覧にして示す。   Table 1 shows the evaluation results of the pasting methods 1 to 6 as a list.

貼付方法１のように接着剤層の最低溶融粘度が高すぎた場合、バンプが接着剤層を貫通せず、貼付方法５のように接着剤層の最低溶融粘度が低すぎた場合、バンプ根元付近にボイドが発生した。また、貼付方法６のように加圧式ラミネータで保護テープをラミネートした場合も、バンプ根元付近にボイドが発生した。   When the minimum melt viscosity of the adhesive layer is too high as in the sticking method 1, the bump does not penetrate the adhesive layer, and when the minimum melt viscosity of the adhesive layer is too low as in the sticking method 5, the base of the bump A void occurred in the vicinity. In addition, when the protective tape was laminated with a pressure laminator as in the sticking method 6, a void was generated near the bump base.

一方、貼付方法２〜４のように接着剤層の最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上５００００Ｐａ・ｓ以下であり、真空加圧式ラミネータで保護テープをラミネートした場合、接着剤を良好な状態でバンプ間に充填させることができた。   On the other hand, the minimum melt viscosity of the adhesive layer is 500 Pa · s or more and 50000 Pa · s or less as in the pasting methods 2 to 4, and when the protective tape is laminated with a vacuum pressure laminator, the adhesive is in a good state between the bumps. Could be filled.

＜２．１ 残渣の除去方法について＞
貼付方法３で保護テープを貼り付けたウエハのバンプ上の接着剤の残渣の除去方法について検討した。 <2.1 Removal method of residue>
The removal method of the adhesive residue on the bump | vamp of the wafer which affixed the protective tape by the affixing method 3 was examined.

［除去方法１］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。 [Removal Method 1]
Using a plasma dry cleaning apparatus (samco, gas: Ar / H), the bump forming surface of the wafer was cleaned for 15 minutes in the direct plasma mode. When the bump was observed, the adhesive residue was not removed.

［除去方法２］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、ダイレクトプラズマモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。 [Removal Method 2]
Using a plasma dry cleaning apparatus (samco, gas: Ar / H), the bump formation surface of the wafer was cleaned in direct plasma mode for 30 minutes. When the bump was observed, the adhesive residue was not removed.

［除去方法３］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、１５分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。 [Removal Method 3]
Using a plasma dry cleaning apparatus (manufactured by samco, gas: Ar / H), the bump forming surface of the wafer was cleaned for 15 minutes in the reactive ion etching mode. When the bump was observed, the adhesive residue was not removed.

［除去方法４］
プラズマドライ洗浄装置（ｓａｍｃｏ社製、ガス：Ａｒ／Ｈ）を使用し、反応性イオンエッチングモードで、３０分間、ウエハのバンプ形成面を洗浄した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣が除去されていなかった。 [Removal Method 4]
Using a plasma dry cleaning apparatus (Samco, gas: Ar / H), the bump-formed surface of the wafer was cleaned for 30 minutes in the reactive ion etching mode. When the bump was observed, the adhesive residue was not removed.

［除去方法５］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が９μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプ削れが見られた。 [Removal Method 5]
Using a polishing machine (manufactured by Stral Co., Ltd.), the bump forming surface of the wafer was polished with abrasive grains having an average particle diameter (D50) of 9 μm for 5 minutes. When the bump was observed, the adhesive residue was removed, but the bump was scraped.

［除去方法６］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が３μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣はほぼ除去されていたが、一部が除去されていなかった。また、バンプ削れは見られなかった。 [Removal Method 6]
Using a polishing machine (manufactured by Stral Co., Ltd.), the bump forming surface of the wafer was polished with abrasive grains having an average particle diameter (D50) of 3 μm for 5 minutes. When the bump was observed, the adhesive residue was almost removed, but a part was not removed. Also, no bump scraping was seen.

［除去方法７］
研磨機（ストルアル社製）を使用し、平均粒径（Ｄ５０）が１μｍの砥粒で５分間、ウエハのバンプ形成面を研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されており、バンプ削れも見られなかった。 [Removal Method 7]
Using a polishing machine (manufactured by Stral Co., Ltd.), the bump forming surface of the wafer was polished with abrasive grains having an average particle diameter (D50) of 1 μm for 5 minutes. When the bumps were observed, the adhesive residue was removed and the bumps were not scraped.

［除去方法８］
保護テープを貼付せずに、バンプが形成されたウエハ面を研磨紙で５分間研磨した。バンプを観察したところ、接着剤の残渣は除去されていたが、バンプの根元付近にクラックの発生が見られた。 [Removal Method 8]
Without attaching the protective tape, the wafer surface on which the bumps were formed was polished with abrasive paper for 5 minutes. When the bump was observed, the adhesive residue was removed, but a crack was observed near the base of the bump.

表２に、除去方法１〜８の評価結果を一覧にして示す。   Table 2 lists the evaluation results of the removal methods 1 to 8.

除去方法１〜５のようにプラズマドライ洗浄装置を用いた場合、バンプ上の接着剤の残渣を除去することができなかった。また、除去方法８のように保護テープを貼り付けずに研磨紙で研磨した場合、バンプの根元付近にクラックが発生した。   When the plasma dry cleaning apparatus was used as in removal methods 1 to 5, the adhesive residue on the bumps could not be removed. Further, when the polishing tape was polished without applying the protective tape as in the removal method 8, a crack was generated near the base of the bump.

一方、除去方法５〜７のように砥粒を用いて研磨した場合、バンプ上の接着剤の残渣を除去することができた。また、平均粒径が３μｍ以下である砥粒を用いることにより、バンプ削れを抑制することができた。   On the other hand, when it grind | polished using an abrasive grain like the removal methods 5-7, the residue of the adhesive agent on a bump was able to be removed. Moreover, bump abrasion could be suppressed by using abrasive grains having an average particle diameter of 3 μm or less.

１０ 保護テープ、１１ 接着剤層、１２ 熱可塑性樹脂層、１３ 基材フィルム層、２１ ウエハ、２２ 突起電極、３０ 粘着テープ、３１ 粘着剤層、３２ 基材フィルム層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Protective tape, 11 Adhesive layer, 12 Thermoplastic resin layer, 13 Base film layer, 21 Wafer, 22 Protruding electrode, 30 Adhesive tape, 31 Adhesive layer, 32 Base film layer

Claims (6)

突起電極が形成されたウエハ面に、接着剤層と、熱可塑性樹脂層と、基材フィルム層とがこの順に積層されてなる保護テープを貼付する保護テープ貼付工程と、
前記保護テープが貼付されたウエハ面の反対面をグラインド処理するグラインド処理工程と、
前記グラインド処理された反対面に粘着テープを貼付する粘着テープ貼付工程と、
前記粘着テープが貼付されたウエハから前記熱可塑性樹脂層及び前記基材フィルム層を剥離する剥離工程と、
前記剥離工程後に、前記接着剤層を硬化させる硬化工程と、
前記硬化工程後に、前記突起電極上の接着剤の残渣を除去する除去工程と、
前記接着剤の残渣が除去されたウエハをダイシング処理し、個片の半導体チップを得るダイシング処理工程とを有し、
前記保護テープは、前記接着剤層の厚みが、前記突起電極の高さの１０％以上８０％以下であり、前記接着剤層の最低溶融粘度が５００Ｐａ・ｓ以上１５０００Ｐａ・ｓ以下であり、前記接着剤層の６０℃での弾性率が１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下である半導体装置の製造方法。 A protective tape attaching step of attaching a protective tape in which an adhesive layer, a thermoplastic resin layer, and a base film layer are laminated in this order on the wafer surface on which the protruding electrodes are formed;
A grinding process for grinding the opposite surface of the wafer surface to which the protective tape is applied;
An adhesive tape application step of applying an adhesive tape to the grinded opposite surface;
A peeling step of peeling the thermoplastic resin layer and the base film layer from the wafer to which the adhesive tape is attached;
A curing step of curing the adhesive layer after the peeling step;
After the curing step, a removal step of removing the adhesive residue on the protruding electrode;
Dicing the wafer from which the adhesive residue has been removed, and a dicing process step for obtaining individual semiconductor chips ,
In the protective tape, the thickness of the adhesive layer is 10% or more and 80% or less of the height of the protruding electrode, and the minimum melt viscosity of the adhesive layer is 500 Pa · s or more and 15000 Pa · s or less, A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive layer has an elastic modulus at 60 ° C. of 1 GPa or more and 10 GPa or less . 前記保護テープ貼付工程では、真空加圧式ラミネータを用いて保護テープをウエハ面にラミネートする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 The protection tape attaching step, the manufacturing method of a semiconductor device according to claim 1, wherein the laminated protective tape to the wafer surface by using a vacuum press type laminator. 前記保護テープ貼付工程では、２５℃以上１００℃以下の貼付温度で、前記保護テープを貼付する請求項２記載の半導体装置の製造方法。The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein in the protective tape attaching step, the protective tape is attached at an attaching temperature of 25 ° C. or more and 100 ° C. or less. 前記除去工程では、砥粒を用いて研磨し、接着剤の残渣を除去する請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein in the removing step, polishing is performed using abrasive grains to remove an adhesive residue. 前記砥粒の平均粒径が、３μｍ以下である請求項４記載の半導体装置の製造方法。 The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4 , wherein the average grain size of the abrasive grains is 3 μm or less. 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法に用いられる保護テープ。
Protective tape used in the method of manufacturing a semiconductor device according to any one of claims 1 to 5.
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