JP6318157B2 - Charged particle beam lens module and charged particle beam apparatus including the same - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 208
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 83
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 36
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 35
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 22
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 claims description 20
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 9
- 230000008859 change Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100086490 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) rbd-2 gene Proteins 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 helium ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000001093 holography Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002135 phase contrast microscopy Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
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Description
本願発明は荷電粒子線レンズモジュール及びそれを備えた荷電粒子線装置に関する。 The present invention relates to a charged particle beam lens module and a charged particle beam device including the same.
電子やヘリウムイオンなどに代表される荷電粒子線は電磁場を用いて伝播方向を制御することが可能であり、これら荷電粒子線を用いることによって物質の微細構造観察を可能とする顕微鏡が実現されている。 The propagation direction of charged particle beams such as electrons and helium ions can be controlled by using an electromagnetic field, and by using these charged particle beams, a microscope capable of observing the fine structure of a material has been realized. Yes.
これらの荷電粒子線装置は電子やイオンなどの荷電粒子を放出する荷電粒子源、荷電粒子と電磁界の相互作用を利用することで粒子の伝播方向を変える偏向器、及び荷電粒子線に収束作用を与える電磁界型レンズなどを用いて構成されている。
<偏向器>
図1には、対向する2枚の平行平板電極10を有する偏向器の断面を示す。紙面は荷電粒子線装置の光軸1を含む平行平板電極10に垂直な平面(偏向面)であり、平行平板電極10に電圧が印加されたとき発生する電界は、光軸1に垂直な方向(図面上でいう横方向)であり、光軸1に沿って図中上側から入射した負電荷を持つ荷電粒子線(例えば電子線)は進行方向の垂直方向に電磁力を受けてその軌道が偏向させられる。平行平板電極10の両端部の電界の乱れを無視し、電極の範囲内にだけ電界が発生すると仮定する均一場近似を用いると、偏向角度βは電極の光軸方向の長さL、対向する電極間距離d、荷電粒子線の加速電圧V0、印加電圧VBDと偏向係数kBDを用いて数1に示す簡単な関係で表される。また、このような偏向作用は正の電荷を持つ荷電粒子線においてはその方向が逆になる。本願では、以後、特に断らない限り均一場近似を用いて議論を進める。These charged particle beam devices are charged particle sources that emit charged particles such as electrons and ions, deflectors that change the propagation direction of particles by utilizing the interaction between charged particles and electromagnetic fields, and convergent effects on charged particle beams. It is configured using an electromagnetic field type lens that gives
<Deflector>
FIG. 1 shows a cross section of a deflector having two
荷電粒子線の軌道2は、電界中では放物線を描くが、電界領域を射出後は直進する。図1に示した通り、光軸1に沿って入射した荷電粒子線の軌道2をそのまま直線で延長した虚の軌道28と、偏向器を射出した後の電子線の軌道を直線のまま遡った虚の軌道29は、ちょうど平行平板電極の中央部で交差する。この2つの虚の直線軌道の交点を偏向点30と呼ぶ。偏向点30の位置する光軸に垂直な平面300は平行平板電極の中央に位置する。これにより、荷電粒子線は近似的に偏向点、もしくは偏向点を含む光軸に垂直な平面のみで所定の偏向が与えられるとして扱うことができる。
<焦点調整器>
図2に、3段の電極14、15、16によって構成される焦点調整器と、その調整器によって形成される電界を表す等電位線27、その電界によって偏向を受ける荷電粒子線の軌道2を光軸1を含む面において示した図を表す。焦点調整器へ入射した荷電粒子線は電極の形成する電位の勾配に沿った力を受ける。3段の電極14、15、16それぞれが持つ電位V1、V2、V3をV2 > V1 = V3とした状態において、負の電荷を持った粒子を入射した場合、荷電粒子線2は、光軸1から離れた経路を通る粒子ほど大きな中心軸方向への偏向作用を受けるため、結果として焦点調整器は収束作用を持った静電型荷電粒子線レンズ(アインツェルレンズ)として働く。また、このような焦点調整器の作り出す電界の形状は電極に設けられた開口部の径(図2中W)、各電極間の距離(図2中D1,D2)などによって大きく変化するため、各電極への印加電圧に対する電界型レンズとしての焦点距離の変化もこれに依存する。そのため、焦点調整器は用途によって適切な形状が異なる。The
<Focus adjuster>
FIG. 2 shows a focus adjuster composed of three stages of
このような収束作用は電極の持つ電位を変化させることにより調整することが可能であるため、焦点調整器を単体で焦点距離が可変な電界型レンズとして用いることができるほか、他の電磁レンズと組み合わせて使用することにより、実質的に他の電磁レンズの焦点位置を変化させるための焦点調整器として使用することができる。
<位相情報の取得>
透過型の荷電粒子線装置、例えば透過電子顕微鏡(TEM)や走査透過電子顕微鏡(STEM)、ヘリウムイオン顕微鏡では物質を透過した荷電粒子線を干渉させることにより、試料を荷電粒子が通過する際に荷電粒子が受けた振幅・位相の変化量に基づいた像強度を得ることができる。特に試料透過時の位相変化に関する情報は試料中の電磁場に関する定量的な評価を可能とする。Such convergence can be adjusted by changing the potential of the electrode, so the focus adjuster can be used as an electric field lens with a variable focal length as well as other electromagnetic lenses. When used in combination, it can be used as a focus adjuster for substantially changing the focal position of another electromagnetic lens.
<Acquisition of phase information>
Transmission type charged particle beam equipment, such as transmission electron microscope (TEM), scanning transmission electron microscope (STEM), and helium ion microscope, when charged particles pass through the sample by interfering with the charged particle beam that has passed through the substance. It is possible to obtain an image intensity based on the amplitude / phase variation received by the charged particles. In particular, the information regarding the phase change at the time of sample transmission enables quantitative evaluation of the electromagnetic field in the sample.
また、荷電粒子線の振幅に対する作用が少ない試料(特に生体や有機物など軽元素で構成される物質)では十分な観察像のコントラストを得ることが難しいため、構造を観察する上では荷電粒子線が試料を透過する際の位相変化を観察することが必要となる。このような目的に対して、これまで位相差顕微法あるいは電子線ホログラフィなどの技術が用いられてきた。 In addition, it is difficult to obtain sufficient observation image contrast for samples that have a small effect on the amplitude of charged particle beams (especially substances composed of light elements such as living organisms and organic substances). It is necessary to observe the phase change when passing through the sample. To this end, techniques such as phase contrast microscopy or electron holography have been used so far.
しかし、位相差顕微法では大きなスケールを持つ構造に対しては位相変化のコントラストを得ることが難しく、また電子線ホログラフィでは電子線を干渉させる際、位相変化の基準となる参照波が必要となるため、試料の形状に制約があるという課題をそれぞれ抱えていた。これに対して、新たに位相情報を得るための手法として、複数の観察条件で得られた像を元に位相情報を得る手法が非特許文献1に提案されている。
However, it is difficult to obtain a contrast of phase change for a structure having a large scale by phase contrast microscopy, and a reference wave that is a reference for phase change is required for electron beam holography to interfere with an electron beam. Therefore, each has a problem that the shape of the sample is limited. On the other hand, Non-Patent
図3は荷電粒子線装置の中でも特にTEMを用いて観察される像のうち、試料透過時に電子線が受ける位相変化量に基づいて生じる像コントラストの空間周波数依存性を示したものであり、観察試料に含まれる様々な大きさの構造それぞれに対して、どの程度の像コントラストが得られるかの特性を示すものである。これは位相コントラスト伝達関数(PCTF)と呼ばれTEMの結像特性を表すものとして用いられる。横軸は空間周波数qに対応しており、実空間の逆数の次元を持つ。試料面において距離Rだけ離れた間隔に対応する周期性の情報はqとの間に数2のような関係を持つ。
FIG. 3 shows the spatial frequency dependence of the image contrast generated based on the amount of phase change received by the electron beam during sample transmission, among the images observed using a TEM, among other charged particle beam devices. It shows the characteristics of how much image contrast can be obtained for each structure of various sizes contained in the sample. This is called a phase contrast transfer function (PCTF) and is used to express the imaging characteristics of TEM. The horizontal axis corresponds to the spatial frequency q and has the dimension of the inverse of real space. The periodicity information corresponding to the interval separated by the distance R on the sample surface has a relationship as shown in
荷電粒子線の波長をλ、対物レンズの球面収差係数をCs、観察像のフォーカスが試料上に合った状態であるインフォーカス条件からフォーカスを外した量(デフォーカス量)をΔfとした場合、図4に示すPCTFは高次の収差の影響を除けば数3のように表される。 When the wavelength of the charged particle beam is λ, the spherical aberration coefficient of the objective lens is Cs, and the amount of defocusing from the in-focus condition where the observation image is focused on the sample (defocus amount) is Δf, The PCTF shown in FIG. 4 is expressed as in Equation 3 except for the influence of higher-order aberrations.
ここでχ(q,Δf)は回折面における荷電粒子線の波面形状を表すもので、波面収差関数と呼ばれる。PCTFはデフォーカス量(Δf)に応じて変化し、図3中(1),(2),(3)はそれぞれ異なるデフォーカス量におけるPCTFを示したものである。q = 1.5 [nm-1](実空間で約0.67nmの周期に対応)の空間周波数において(1)で示すPCTFの値は0となっており、これはq=1.5[nm-1]の空間周波数の情報が観察像中に含まれないことを示している。Here, χ (q, Δf) represents the wavefront shape of the charged particle beam on the diffraction surface and is called a wavefront aberration function. The PCTF changes according to the defocus amount (Δf), and (1), (2), and (3) in FIG. 3 show the PCTF at different defocus amounts. At a spatial frequency of q = 1.5 [nm -1 ] (corresponding to a period of about 0.67 nm in real space), the value of PCTF shown in (1) is 0, which is q = 1.5 [nm -1 ] This indicates that the spatial frequency information is not included in the observation image.
一方、デフォーカス量を変化させた条件において得られる(2)で示すPCTFではq=1.5[nm-1]の空間周波数において値がおよそ1となっており、対応する空間周波数の情報が正のコントラスト(試料像中では相対的に白いコントラスト)として得られることを表す。On the other hand, in the PCTF shown in (2) obtained under the condition where the defocus amount is changed, the value is about 1 at the spatial frequency of q = 1.5 [nm −1 ], and the corresponding spatial frequency information is positive. This represents that the contrast is obtained as a relatively white contrast in the sample image.
また、(2)で示す条件からデフォーカス量の正負を反転させるとPCTFの形状も正負が逆転した形(例えば図3中(3))となる。このようなデフォーカス量に対するPCTFの変化を利用することで、デフォーカス量を変化させた複数条件において像を撮影し、それらに対して演算処理を行うことで例えば(4)で示すように広い空間周波数において一様な値を持つPCTFを実効的に作り出すことが可能となる。これにより、従来の観察像と比較して広範な空間周波数において正のコントラストを持った像を計算的に得ることができる。一般に弱位相物体と呼ばれる、電子線が試料を透過する際に主に位相の変化のみを受けるとみなせる試料においては、前述のような手法によって得られる、電子線の位相変化量に対応したコントラストを用いることで物質の構造をより明瞭に観察することが可能となる。 In addition, when the sign of the defocus amount is reversed from the condition shown in (2), the shape of the PCTF is also reversed (for example, (3) in FIG. 3). By using such changes in the PCTF with respect to the defocus amount, images are taken under a plurality of conditions in which the defocus amount is changed, and arithmetic processing is performed on them, for example, as shown in (4). It is possible to effectively create a PCTF with a uniform value at the spatial frequency. As a result, an image having a positive contrast in a wide range of spatial frequencies compared to a conventional observation image can be obtained computationally. For samples that are generally referred to as weak phase objects and that are considered to receive only a phase change mainly when the electron beam passes through the sample, the contrast corresponding to the amount of phase change of the electron beam obtained by the method described above is used. By using it, the structure of the substance can be observed more clearly.
しかしながら、上記のようなデフォーカス量を変化させて観察を行う場合、基本的には対物レンズの焦点を変化させて撮影を行うこととなる。ここで、一般的には対物レンズには磁界型レンズを用いることになり、以下に示すような課題が存在する。 However, when observation is performed by changing the defocus amount as described above, basically, photographing is performed by changing the focus of the objective lens. Here, in general, a magnetic lens is used as the objective lens, and the following problems exist.
まず、磁界型レンズは荷電粒子を収束させる際、光軸を中心とした方位角の回転作用も同時に与える。そのため焦点を変動させて得られた像はそれぞれ異なった回転角度で撮影されるため、各像に対する方位角の回転を補正する計算処理が必要となる。 First, when converging charged particles, the magnetic lens simultaneously gives an azimuthal rotation around the optical axis. For this reason, since images obtained by changing the focal point are photographed at different rotation angles, calculation processing for correcting the rotation of the azimuth angle with respect to each image is required.
次に、磁界型レンズではヨーク、ポールピースなどの磁路に磁性体を用いているため、コイルへ流す電流量を変化させてレンズの焦点を調整する際、磁性体の持つ履歴効果(ヒステリシス)の影響を受け、コイル電流量とレンズ磁界の強さが非線形な特性を持つ。 Next, since magnetic materials use magnetic material in the magnetic path of the yoke, pole piece, etc., magnetic field lenses have a hysteresis effect (hysteresis) when adjusting the focal point of the lens by changing the amount of current flowing to the coil. As a result, the coil current amount and the strength of the lens magnetic field have nonlinear characteristics.
こうした課題は磁界型レンズに特有のものであるため、電界型レンズを用いる場合には課題とならない。しかし、磁界型レンズと比較して電界型レンズは収差が大きく、磁場や磁区構造の観察など、特殊な場合を除き単独の対物レンズとしては実用化されていない。 Since such a problem is specific to the magnetic lens, it is not a problem when an electric field lens is used. However, the electric field type lens has larger aberration than the magnetic type lens, and it has not been put into practical use as a single objective lens except for special cases such as observation of a magnetic field or a magnetic domain structure.
上記課題を解決するための手段として、本発明は、荷電粒子線によって試料の像を結像する結像レンズの光学系に備えられ、かつ前記試料の像のデフォーカス量を前記結像レンズとは独立に調整可能な静電型荷電粒子線レンズと、前記静電型荷電粒子線レンズにおける焦点距離の調整と連動して前記荷電粒子線に偏向作用を与える少なくとも2段の偏向器と、を有し、前記試料を透過した荷電粒子を検出する荷電粒子線装置の光学系に配置可能であることを特徴とする荷電粒子線レンズモジュールを提案する。なお、ここにおけるレンズモジュールとは、偏向器と焦点調整器が一体となったモジュールを意図している。 As means for solving the above-mentioned problems, the present invention is provided in an optical system of an imaging lens that forms an image of a sample with a charged particle beam, and the defocus amount of the image of the sample is set as the imaging lens. An independently adjustable electrostatic charged particle beam lens, and at least two stages of deflectors that deflect the charged particle beam in conjunction with adjustment of the focal length of the electrostatic charged particle beam lens. The present invention proposes a charged particle beam lens module characterized in that the charged particle beam lens module can be disposed in an optical system of a charged particle beam apparatus that detects charged particles that have passed through the sample. Note that the lens module here is a module in which a deflector and a focus adjuster are integrated.
また、上記課題を解決するための別の手段として、本発明は、試料を透過した荷電粒子を検出する荷電粒子線装置において、前記荷電粒子線装置は、荷電粒子線によって前記試料の像を結像する結像レンズの光学系と、前記試料の像のデフォーカス量を前記結像レンズとは独立に調整可能な静電型荷電粒子線レンズと、前記静電型荷電粒子線レンズにおける焦点距離の調整と連動して前記荷電粒子線に偏向作用を与える少なくとも2段の偏向器と、を有することを特徴とする荷電粒子線装置を提案する。 As another means for solving the above-described problem, the present invention provides a charged particle beam apparatus for detecting charged particles that have passed through a sample, wherein the charged particle beam apparatus forms an image of the sample with a charged particle beam. An optical system of an imaging lens for imaging, an electrostatic charged particle beam lens capable of adjusting a defocus amount of the image of the sample independently of the imaging lens, and a focal length in the electrostatic charged particle beam lens A charged particle beam apparatus comprising: at least two stages of deflectors for deflecting the charged particle beam in conjunction with the adjustment of the charged particle beam is proposed.
本発明により、荷電粒子線装置の光学系の調整を行うことができる。 According to the present invention, the optical system of the charged particle beam apparatus can be adjusted.
まず、図4に焦点調整器(レンズモジュール)の一例を示す。光軸1に直交する面内において、対向した平行平板電極10を配置した偏向器を光軸に沿って2段備え、上流である荷電粒子源からみて下流側に3段の電極14,15,16を持った焦点調整器を備えている。
First, FIG. 4 shows an example of a focus adjuster (lens module). Within the plane perpendicular to the
本構成においては、電極14,16を接地電位とし、電極15に対して電源17から電圧を印加する構成となっている。そして電極15に対して印加される電圧を制御することにより、焦点調整器の光軸19に沿って焦点を変化させることが可能である。また図示していないが、電極14,16の電位を接地電位とは異なる電位とした状態で電界型レンズとなるように使用する事もできる。
In this configuration, the
図5では、焦点調整器の光軸19とは異なる位置を通る光軸1に沿って入射してくる荷電粒子線20を、偏向器を用いて焦点調整器の光軸19に合わせて入射するように調整された例を示す。1段目と2段目の偏向器においては、それぞれ異なる極性の電位が平行平板電極10へ与えられた状態となっている。このような偏向器の構成に対して荷電粒子線20が入射した場合、荷電粒子線20はまず1段目の偏向器において進行方向を曲げられる。その後、荷電粒子線20は2段目の偏向器まで直線的に伝搬し、2段目の偏向器の形成する電場によって新たに1段目の偏向器とは逆方向の偏向を受ける。この際、各電極のとる電位の値を適切に制御することにより、2段の偏向器に対して入射してきた荷電粒子線を光軸に垂直な方向へ平行移動させる事が可能となる。
In FIG. 5, the charged
また、本例では焦点調整器が電極15,16のみで構成されており、図2ないし図4に示すアインツェルレンズ型の光学系の構成とは異なっている。この場合、焦点調整器はイマージョンレンズとして機能する。この場合においても同様に電界型レンズとしての作用を得ることが可能であるが、その振る舞いはアインツェルレンズの場合とは異なるものとなる。
In this example, the focus adjuster is composed of only the
図6は焦点調整器の光軸19に対し、角度を持って入射してくる荷電粒子線20を、2段の偏向器を用いて焦点調整器の光軸19に合わせて入射するようにした例を示す。1段目と2段目の偏向器ではそれぞれ異なる極性の電位が平行平板電極10へ与えられた状態となっている。このような偏向器に対して荷電粒子線20が入射した場合、荷電粒子線20はまず1段目の偏向器において進行方向を曲げられる。その後、荷電粒子線20は2段目の偏向器まで直線的に伝搬し、2段目の偏向器の形成する電場によって新たに1段目の偏向器とは逆方向の偏向を受ける。この際、各電極のとる電位の値を適切に制御することにより、2段の偏向器に対して入射してきた荷電粒子線の進行方向を焦点調整器の光軸19と平行な角度へ変化させ、さらに水平方向位置を焦点調整器の光軸19へ一致させる事が可能となる。
In FIG. 6, the charged
このように、2段の偏向器の偏向量を制御する事により、焦点調整器モジュールに対して入射してくる荷電粒子線の方向と位置を制御することができる。これにより、機械的な調整を行うことなく焦点調整器の光軸19を合わせることが可能となる。
Thus, by controlling the deflection amount of the two-stage deflector, the direction and position of the charged particle beam incident on the focus adjuster module can be controlled. This makes it possible to align the
また、本例では焦点調整器が電極14,15のみで構成されており、図2及び図4に示すアインツェルレンズ型、あるいは図5に示すような下側の電極に対して電圧を印加するイマージョンレンズの構成とは異なっているが、この場合においても焦点調整器はイマージョンレンズとして機能する。そしてこの場合においても同様に電界型レンズとしての作用を得ることが可能であり、その振る舞いは図2、図4、図5に示す焦点調整器とは異なるものとなる。
In this example, the focus adjuster is composed of only the
なお、本願は前述のような焦点調整器の持つ電界型レンズとしての種類の違いに依らず、同様にその機能を働かせることが可能であることは言うまでもない。また、前述の説明は光軸を含む一つの面内における荷電粒子線の軌道を示したが、この面に対して角度を持って交わるような、その他の光軸を含んだ面内においても同様の偏向動作を行うことが可能である。 Needless to say, the present application can similarly function without depending on the type of the electric field lens of the focus adjuster as described above. In addition, the above description shows the trajectory of the charged particle beam in one plane including the optical axis. However, the same applies to the plane including other optical axes that intersect at an angle with respect to this plane. It is possible to perform the deflection operation.
次に、図7は2段の偏向器と焦点調整器を備えた焦点調整器モジュールの外観を示した図である。焦点調整器には荷電粒子線を通過させるための開口部21が設けられており、焦点調整器の持つレンズとしての作用を対称的なものとするため、焦点調整器の開口部21の形状は光軸に対してなるべく対称的な形状、特に円形が望ましい。円形以外の形状の場合には焦点調整器の持つレンズ作用に非点収差が発生する。
Next, FIG. 7 is a diagram showing an appearance of a focus adjuster module including a two-stage deflector and a focus adjuster. The focus adjuster is provided with an
図8は2段の偏向器の下流に焦点調整器を備え、さらにその下流に1段の偏向器を備えた焦点調整器モジュールの例を示したものである。例えば1段目、2段目の偏向器によって焦点調整器の光軸の位置を調整し、3段目の偏向器を用いて非点収差を補正するといった使用方法が可能となるため、図7に示した構成よりも更に自由度の高い光学系制御が可能となる。 FIG. 8 shows an example of a focus adjuster module that includes a focus adjuster downstream of a two-stage deflector and further includes a one-stage deflector downstream thereof. For example, since the first stage and second stage deflectors can be used to adjust the position of the optical axis of the focus adjuster and the third stage deflector can be used to correct astigmatism, FIG. The optical system can be controlled with a higher degree of freedom than the configuration shown in FIG.
図9は第一、第二の偏向器に対して印加される電圧Vbd1,Vbd2の大きさを、焦点調整器に印加される電圧VLに連動させて実施する際の回路構成の例である。この回路では電源22からの出力電圧VLを焦点調整器へ導入し、可変抵抗器Rbd1、Rbd2にて分圧した電圧Vbd1,Vbd2をそれぞれ第一、第二の偏向板に導入する。焦点調整器による焦点距離の調整を行うために印加電圧VLを調整すればそれに連動して各々の偏向器への導入電圧Vbd1,Vbd2が変動する。それぞれの偏向器への導入電圧の比率は、可変抵抗器Rbd1、Rbd2にて調整が可能である。
FIG. 9 shows an example of a circuit configuration when the magnitudes of the voltages Vbd1 and Vbd2 applied to the first and second deflectors are linked with the voltage VL applied to the focus adjuster. In this circuit, the output voltage VL from the
そして図9は、焦点調整器への印加電圧が回路上で最大の場合を想定して図示しているが、例えば、第二の偏向器が最大の印加電圧を要する場合には、VLの出力端子を第二の偏向器と交換すればよい。本願の実施において、このような端子の組み合わせが行われることは言うまでもない。また、前述のような端子の交換を不要とするための回路例としては図10のような構成でも良い。 FIG. 9 shows the assumption that the applied voltage to the focus adjuster is maximum on the circuit.For example, when the second deflector requires the maximum applied voltage, the output of VL The terminal may be replaced with a second deflector. Needless to say, such terminal combinations are performed in the implementation of the present application. Further, as a circuit example for eliminating the need for terminal replacement as described above, a configuration as shown in FIG. 10 may be used.
また先の説明では焦点調整器に印加される電圧VLに対して、二つの電位Vbd1,Vbd2の大きさが連動する例を示した。これにより2段の偏向器を用いた1方向における荷電粒子線の方向と位置の制御が可能となるが、更にこれと直交する別方向に対しても電圧VLに対して同様の分圧回路を接続し、1段目と2段目の各偏向器に対する印加電圧が別途独立して調整可能な回路構成とすることにより、光軸に直交する任意の方向への荷電粒子線の方向・位置を制御することが可能となる。 In the above description, the example in which the magnitudes of the two potentials Vbd1 and Vbd2 are linked to the voltage VL applied to the focus adjuster has been shown. This makes it possible to control the direction and position of the charged particle beam in one direction using a two-stage deflector, but also provides a similar voltage dividing circuit for the voltage VL in another direction orthogonal thereto. By connecting and applying a circuit configuration in which the voltage applied to the first and second stage deflectors can be separately adjusted separately, the direction and position of the charged particle beam in any direction orthogonal to the optical axis can be adjusted. It becomes possible to control.
更に、このような直交する二方向への偏向作用の強さを適切に制御することにより意図的に直交二方向に対する非点収差を作り出し、この非点収差を焦点調整器が持つ非点収差とあわせる事により、結果として焦点調整器モジュール全体での非点収差を補正することも可能である。このような焦点調整器の動作に連動した、偏向器による荷電粒子線の方向・位置、および非点収差の補正を行うことにより、焦点調整器の焦点距離を変化させた際、それに伴って変化する非点収差量を補正した上で好適に使用する事が可能となる。これにより、焦点調整器モジュールの持つ光軸の位置、傾き、非点収差をモジュール単体で調整することが可能となり、焦点調整器モジュールの組み込まれる荷電粒子線装置の持つ光学系に対する調整を必要とすることなく、光学系の調整を行う事が可能となる。 Furthermore, by appropriately controlling the strength of the deflection action in the two orthogonal directions, astigmatism in the two orthogonal directions is intentionally created, and this astigmatism has the astigmatism of the focus adjuster. As a result, astigmatism in the entire focus adjuster module can be corrected as a result. When the focal length of the focus adjuster is changed by correcting the direction and position of the charged particle beam by the deflector and astigmatism in conjunction with the operation of the focus adjuster, it changes accordingly. It can be suitably used after correcting the amount of astigmatism. This makes it possible to adjust the position, tilt, and astigmatism of the optical axis of the focus adjuster module by itself, and it is necessary to adjust the optical system of the charged particle beam device in which the focus adjuster module is incorporated. It is possible to adjust the optical system without doing so.
図11は透過型の荷電粒子線装置において、試料42の像を結像する結像レンズ系において前述の焦点調整器モジュール46を備えた構成の例である。荷電粒子源40より放出された荷電粒子線2はコンデンサレンズ41によって並行となり、試料面3に設置された試料42へ照射される。試料42を透過した荷電粒子線は対物レンズ43によって中間像面5に中間像7を形成する。中間像7はさらにその下流に備えられた結像レンズ48によって蛍光板47の上に倍率の異なる観察像6として結像される。
FIG. 11 shows an example of a configuration in which the above-described
また、それぞれの動作が連動するように組み合わされた偏向器44と焦点調整器45によって構成される焦点調整器モジュール46は前述の結像レンズ系に備えられている。焦点調整器モジュール46は微動機構を備えており、矢印49に示すような光軸1に直行する面内において位置を動かすことで光軸に対して取り付け位置の調整を行うことが可能である。
Further, a
一般に、観察像6のフォーカスを調整するためには、対物レンズ43の焦点距離が調整されるが、図11に示す構成においては焦点調整器モジュール46の備える焦点調整器45の焦点距離を調整する事によっても観察像6のフォーカスを変化させる事が可能となる。更にこの際、焦点調整器45が持つ機械的な位置・角度のずれ、収差に関しては偏向器44を用いることで調整可能であることは前述の通りである。
In general, in order to adjust the focus of the
図12は2対の対向する平行平板電極を用いて非点収差を補正する例を示した図である。それぞれの対向電極へ印加する電位の正負を逆にすることにより、1方向に対しては荷電粒子に対して電極への引力を、それと直交するもう一方向に対しては電極からの斥力を与えることが可能となる。このような構成を持った偏向器を焦点調整器へ組み合わせることにより、焦点調整器が持つ非点収差を偏向器を用いて補正する事が可能となる。 FIG. 12 is a diagram showing an example in which astigmatism is corrected using two pairs of opposed parallel plate electrodes. By reversing the polarity of the potential applied to each counter electrode, an attractive force to the electrode is applied to the charged particle in one direction, and a repulsive force from the electrode is applied to the other direction orthogonal to the charged particle. It becomes possible. By combining the deflector having such a configuration with the focus adjuster, the astigmatism of the focus adjuster can be corrected using the deflector.
これを利用することにより、3段の偏向器を組み合わせて使用することで荷電粒子線の方向・位置・非点収差を同時に補正することが可能となる。また、偏向器の電極の取る電位の値を適切に調整し、偏向作用と非点収差の補正作用を兼ねさせることにより、図4に示したように2段の偏向器を備える構成においても荷電粒子線の方向・位置の制御と非点収差の補正とを同時に行うことが可能である。 By utilizing this, it is possible to simultaneously correct the direction, position and astigmatism of the charged particle beam by using a combination of three stages of deflectors. Further, by appropriately adjusting the value of the potential taken by the electrode of the deflector so as to have both the deflection action and the astigmatism correction action, the charge is applied even in the configuration having the two-stage deflector as shown in FIG. It is possible to simultaneously control the direction and position of the particle beam and correct astigmatism.
図13及び図14は焦点調整器モジュールが備える偏向器の持つ対向電極配置を光軸方向から描いた図である。図13に示すように2対の平行平板電極を互いに直交するように配置した場合、荷電粒子線に対してはそれぞれの平行平板電極の向かい合う二方向に対して偏向作用を与えることが可能になり、結果として光軸19に直交する任意の方向に対して偏向作用を与えることが可能となる。その他、前述のように各電極のとる電位を調整することにより、偏向器に組み合わせられる焦点調整器が持つ二回対称な非点収差を補正することも可能である。図14に示すように3対の平行平板電極を配置した場合、光軸19に直交する任意の方向への偏向作用のほか、偏向器に組み合わせられる焦点調整器が持つ三回対称な非点収差を補正することも可能となる。また、後述する図28で示した例の他にも三組以上の平行平板を備えた構成についても実施可能である。
FIGS. 13 and 14 are diagrams illustrating the arrangement of the counter electrodes of the deflector included in the focus adjuster module from the optical axis direction. When two pairs of parallel plate electrodes are arranged so as to be orthogonal to each other as shown in FIG. 13, it is possible to apply a deflection action to charged particle beams in two opposite directions of each parallel plate electrode. As a result, it is possible to apply a deflection action to an arbitrary direction orthogonal to the
図15は焦点調整器モジュール46が、それを備える荷電粒子線装置の光軸1に直交する方向49において微動可能な構成を示した図である。焦点調整器モジュール46は前述の微動機構とは異なる、更に大きな移動を行うための可動機構60を備え、図中59で示すような光軸1に直行する方向移動させることにより、荷電粒子線2の軌道上への挿入、引出が可能となっている。この例において焦点調整器モジュール46は荷電粒子線2の軌道上から外れた状態となっており、荷電粒子線2に対して影響を与えることはない。また、この状態から焦点調整器モジュール46をその可動方向49に沿って移動させることにより、荷電粒子線2に対して作用させる事の可能な構成へと変化させることも可能である。
FIG. 15 is a diagram showing a configuration in which the
このような構成を取ることにより、焦点調整器モジュール46を荷電粒子線装置に取り付ける際、機能拡張するために既存に用意されている取り付け位置(取り付けポート)、例としては対物絞り、制限視野絞りなどが取り付けられている取り付けポート(図示せず)を利用することができる。これにより、装置の大きな組み換えまたは改造を行う事無く、焦点調整器モジュール46を装置光学系に対して取り付け、取り外しを行うことが可能となる。このように取り付け、取り外しを容易に行える構造とすることにより、適切な焦点調整器を必要に応じて簡便に付け替えられるようになる。
By adopting such a configuration, when the
さらに、焦点調整器および偏向器は、使用に伴い荷電粒子装置内に存在する炭素や窒素、あるいは水分などの付着による汚染、あるいは周囲の空間に存在する酸素などとの反応による表面の変質により、局所的な帯電や接触電位の形成を原因とした意図しない荷電粒子線への作用を持ちうるが、こうした場合においても焦点調整器モジュール自体を単独で取り付け、取り出し可能な構造とすることにより、容易に交換、あるいは荷電粒子線装置内に設けられた洗浄用の空間に焦点調整モジュールを退避させ、ヒーターなどの熱源への接触、あるいは光や荷電粒子の照射による処理を行うことが可能となる。 In addition, the focus adjuster and deflector are subject to contamination due to adhesion of carbon, nitrogen, moisture, etc. present in the charged particle device with use, or surface alteration due to reaction with oxygen etc. in the surrounding space, Although it may have an effect on unintentional charged particle beams due to local charging or formation of contact potential, it is easy even in such a case by adopting a structure in which the focus adjuster module itself can be attached and taken out. It is possible to perform processing by contact with a heat source such as a heater, or irradiation with light or charged particles, by exchanging the focus adjustment module in a cleaning space provided in the charged particle beam apparatus.
図16は焦点調整器モジュールを構成する焦点調整器と偏向器の配置に関する例を示した図である。この場合、光軸1に沿って進む荷電粒子線20の進行方向である図中下向きの順に、第1の偏向器、焦点調整器、第2の偏向器を備えた構成となっている。このような構成とした場合、第2の偏向器へ入射する荷電粒子線は焦点調整器によるレンズ作用を受けるため、第2の偏向器の持つ偏向作用に対して焦点調整器によって生み出される倍率変化の作用を加えることが可能となり、光学系設計の自由度を高めることが可能となる。
FIG. 16 is a diagram showing an example of the arrangement of the focus adjusters and the deflectors constituting the focus adjuster module. In this case, the first deflector, the focus adjuster, and the second deflector are provided in the downward direction in the figure, which is the traveling direction of the charged
図17は焦点調整器モジュールを構成する焦点調整器と偏向器の配置に関する例を示した図である。この場合、光軸1に沿って進む荷電粒子線20の進行方向である図中下向きの順に、焦点調整器、第1の偏向器、第2の偏向器を備えた構成となっている。このような構成とした場合、第1の偏向器、第2の偏向器の両方へ入射する荷電粒子線が焦点調整器によるレンズ作用を受けるため、第1の偏向器、第2の偏向器の持つ偏向作用に対して焦点調整器によって生み出される倍率変化の作用を加えることが可能となり、光学系設計の自由度を高めることが可能となる。
FIG. 17 is a diagram showing an example of the arrangement of the focus adjusters and the deflectors constituting the focus adjuster module. In this case, the structure is provided with a focus adjuster, a first deflector, and a second deflector in the downward direction in the figure, which is the traveling direction of the charged
図18は焦点調整器モジュールを構成する焦点調整器と偏向器の配置に関する例を示した図である。この場合、光軸1に沿って進む荷電粒子線20の進行方向である図中下向きの順に、第1の偏向器、第2の偏向器、焦点調整器、第3の偏向器、第4の偏向器を備えた構成となっている。このような構成をとることにより、焦点調整器モジュールの微動が行えない場合においても、偏向器を用いた光学的調整によって焦点調整器モジュールを利用することが可能となる。
FIG. 18 is a diagram showing an example of the arrangement of the focus adjusters and the deflectors constituting the focus adjuster module. In this case, the first deflector, the second deflector, the focus adjuster, the third deflector, and the fourth deflector are arranged in the downward direction in the figure, which is the traveling direction of the charged
図19は電界を用いた偏向器と磁界を用いた偏向器とを備えた焦点調整器モジュールの例を示す図である。第1の偏向器では電極10に印加された電圧に応じて電極間に電界の勾配が形成され、偏向器に入射した荷電粒子は持つ電荷の大きさに応じた力を電界より受ける。その下流に備えられた第2の偏向器ではコイル23に流される電流の向き、大きさに応じた磁界が形成され、偏向器に入射した荷電粒子は持つ電荷の大きさに応じた力を磁界より受ける。
FIG. 19 is a diagram illustrating an example of a focus adjuster module including a deflector using an electric field and a deflector using a magnetic field. In the first deflector, an electric field gradient is formed between the electrodes in accordance with the voltage applied to the
また、図20は磁界を用いた偏向器の一例を示した図であり、磁路26に4つのコイル23を備えた構造を持っている。各コイルに対して励磁電流を流すことにより、例として図中にN,Sの表記で示すように各コイルを電磁石として機能させ、図20中の34で示すような磁束を作り出すことができる。コイルの励磁の方向・量によっては磁路26から磁束が漏れ出し、磁路外の空間を通るが、こうした磁束を利用することにより、偏向器中を通過する荷電粒子線2に対して偏向作用を与えることが可能となる。
FIG. 20 is a view showing an example of a deflector using a magnetic field, and has a structure in which four
このように、焦点調整器モジュールが備える偏向器は電界を用いたもののほか、磁界を用いたものとした構成をとることが可能である。特に図19に示すように焦点調整器の上流に備えられた偏向器を磁界を用いたものとした場合、磁界型偏向器を実質的な設置電極として作用させ、その下流に設けられた焦点調整器が備える電極の数を減らした構成をとることが可能となる。例として図19では電圧が印加される電極15と、設置された電極16のみによって焦点調整器が構成された例を示している。このような構成により焦点調整器モジュールを構成する部材を減らし、焦点調整器モジュールの小型化が可能となる。
As described above, the deflector included in the focus adjuster module can be configured to use a magnetic field in addition to an electric field. In particular, as shown in FIG. 19, when the deflector provided upstream of the focus adjuster uses a magnetic field, the magnetic deflector acts as a substantial installation electrode and the focus adjustment provided downstream thereof. It is possible to adopt a configuration in which the number of electrodes provided in the vessel is reduced. As an example, FIG. 19 shows an example in which the focus adjuster is configured by only the
図21は電界を用いた偏向器と磁界を用いた偏向器とを備えた焦点調整器モジュールにおいて図19とは異なる例を示す図である。第1の偏向器ではコイル23に流される電流の向き、大きさに応じた磁界が形成され、偏向器に入射した荷電粒子は持つ電荷の大きさに応じた力を磁界より受ける。その下流に備えられた第2の偏向器では電極10に印加された電圧に応じて電極間に電界の勾配が形成され、偏向器に入射した荷電粒子は持つ電荷の大きさに応じた力を電界より受ける。特に図20に示すように第1の偏向器を磁界を用いたものとした場合、第1の偏向器は電界を形成しないほか、その下流に備えられた電界を用いた偏向器の形成する電界が第1の偏向器の上流に対して広がることを防ぐ役割を果たす。これは第1の偏向器の上流に備えられた試料42として、誘電体などの外部の電場による影響を受けやすい試料を配置して観察を行う際に有効である。
FIG. 21 is a diagram showing an example different from FIG. 19 in a focus adjuster module including a deflector using an electric field and a deflector using a magnetic field. In the first deflector, a magnetic field corresponding to the direction and magnitude of the current flowing in the
図22は本願の焦点調整器モジュールを備えた荷電粒子線装置の構成を模式的に示した図である。荷電粒子源40を備え、その下流には荷電粒子線を加速するための加速管58、荷電粒子線を収束するための第1コンデンサレンズ50、第2コンデンサレンズ51を備え、収束された荷電粒子線は試料42へ照射される。試料42を透過した荷電粒子線はその下流に設けられた対物レンズ43、焦点調整器モジュール46を構成する偏向器44と焦点調整器45、第1結像レンズ52、第2結像レンズ53、第3結像レンズ54、第4結像レンズ55によって構成される結像レンズ系によって、蛍光板47の上に結像され、観察像6を形成する。
FIG. 22 is a diagram schematically showing a configuration of a charged particle beam apparatus including the focus adjuster module of the present application. A charged
荷電粒子線装置を構成する各要素は真空容器56の中に収められており、それぞれは制御ユニット(80,81,82,83,84,85,86,87,88,90,91,92)を介して、制御系コンピュータ95より動作を制御することが可能である。荷電粒子線装置を使用するにあたっては制御系コンピュータのモニタ96に表示される内容に対して制御系コンピュータのインターフェース97を用いて入力を行うことで荷電粒子線装置をコントロールすることが可能である。
Each element constituting the charged particle beam apparatus is housed in a vacuum vessel 56, each of which is a control unit (80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 90, 91, 92). It is possible to control the operation from the control system computer 95 via When using the charged particle beam apparatus, it is possible to control the charged particle beam apparatus by inputting the contents displayed on the monitor 96 of the control system computer using the
この際、使用者が荷電粒子線装置を構成する各要素対する制御内容を明示的に入力せずとも、使用者が入力した内容に基づいて制御系コンピュータが適切な制御内容を自動的に各制御ユニットに対して行うことも可能である。このような動作は装置の光学系を調整する機能の一部として制御系コンピュータ95に実装される。 At this time, even if the user does not explicitly input the control content for each element constituting the charged particle beam apparatus, the control system computer automatically controls the appropriate control content based on the content input by the user. It can also be done on the unit. Such an operation is implemented in the control system computer 95 as part of the function of adjusting the optical system of the apparatus.
観察像6のフォーカスを変化させるためには、対物レンズ43の焦点距離を変化させる手段が一般的に行われるが、これは焦点調整器モジュール46の持つ焦点調整器45の焦点距離を変化させることによっても実現することが可能である。このような場合、偏向器44が荷電粒子線に対して与える偏向量は焦点調整器45の焦点距離に連動して制御することができ、例えば焦点調整器45に対して印加される電圧量に比例した電圧を偏向器44へ印加するといった制御方法が考えられる。
In order to change the focus of the
また、結像レンズ系によって結像された観察像6は画像観察・記録媒体57(例えばTVカメラやCCD・CMOSカメラ)を用いることによって記録され、記録された像は画像記録・演算処理装置98によって処理され、例えば画像表示装置99へ表示するほか、制御系コンピュータ95へ取り込むといった処理が可能となる。
Further, the
なお、図22では焦点調整器モジュール46は光学系中へ挿入された状態を点線で囲った部分で描いている。焦点調整器モジュール46の挿入・引出は荷電粒子線装置を構成するほかの装置とは関係なく独立に動作させることが可能である。
In FIG. 22, the
図22は荷電粒子線装置、例えば60kVから300kV程度の電子顕微鏡などで使用することが可能な光学系の例を示しているが、図18中の荷電粒子線装置の構成要素はこの図に限られるものではない。更に、実際の装置ではこの図に示した構成要素以外に、荷電粒子線の進行方向を変化させる本願とは異なる偏向系、荷電粒子線の透過領域を制限する絞り機構、荷電粒子線の位相を主として変化させる位相板などが存在しうる。これらの構成要素は本発明に適用可能であるが、この図では省略している。さらに、荷電粒子線の光学系は真空容器56中に組み立てられた真空ポンプによって継続的に排気されており、真空排気系についても図では省略しているが、本発明に適用可能である。 FIG. 22 shows an example of an optical system that can be used in a charged particle beam apparatus, for example, an electron microscope of about 60 kV to 300 kV. However, the components of the charged particle beam apparatus in FIG. It is not something that can be done. In addition to the components shown in this figure, the actual device has a different deflection system that changes the traveling direction of the charged particle beam, a diaphragm mechanism that restricts the transmission region of the charged particle beam, and the phase of the charged particle beam. There may be a phase plate or the like that mainly changes. These components are applicable to the present invention, but are omitted in this figure. Further, the charged particle beam optical system is continuously evacuated by a vacuum pump assembled in the vacuum vessel 56, and the evacuation system is also omitted in the drawing, but is applicable to the present invention.
図23は焦点調整器モジュール46が磁界型対物レンズ中に配置された例を示した図である。対物レンズの形成する磁場はポールピース上磁極24とポールピース下磁極25の間に形成され、荷電粒子線に対して収束作用を与える。焦点調整器モジュールと対物レンズは独立して動作させることが可能であるが、荷電粒子に対しては一組の組み合わせレンズとしてみなすことが可能であり、この場合荷電粒子線焦点調整器を構成する電極14,15,16へ印加する電圧を変化させることによって、対物レンズの焦点位置を変化させた場合と同様に、試料42に対するフォーカスの調整を行うことが可能である。また、焦点調整器モジュール46は光軸1と垂直な方向49へ稼動させることの可能な構造とすることにより、光軸上への挿入・引き出しを容易に切り替え、観察条件を変化させることが可能である。
FIG. 23 is a diagram showing an example in which the
なお、本実施例では対物レンズのポールピースに対する関係について記述しているが、全く同様に他の結像レンズ(第1結像レンズ52, 第2結像レンズ53, 第3結像レンズ54, 第4結像レンズ55)に対しても焦点調整器モジュールを作用させることが可能である。この場合、試料面に対応するのは各レンズが結像する中間像(例えば図11中の7)であり、光学系によって焦点調整器モジュールの備えられる面において得られる像倍率に応じて、デフォーカス量を変化させる際に必要となる電場の強さが変化する。
In this embodiment, the relationship between the objective lens and the pole piece is described. However, in the same manner, other imaging lenses (the first imaging lens 52, the
図24は焦点調整器モジュール46が試料42よりも下流でかつ、対物レンズによって形成される試料42の像面46よりも上流に備えられた構成の例を示した図である。焦点調整器モジュール46は、試料42とその下流の結像系におけるいくつかの面において形成される像面との間に備えられた構成においては、いずれの場合においても像に対してフォーカスを変化させる作用を与えることが可能である。
FIG. 24 is a diagram showing an example of a configuration in which the
図25は対物レンズ焦点と試料の距離(デフォーカス量)を変化させた際に得られる波面収差関数χの変化を表した図であり、横軸は空間周波数q、縦軸は回折面における透過波と回折波の間の位相差の大きさχを表している。χ 1, χ 2はそれぞれデフォーカス量をΔf1,Δf2とした場合のχに対応している。FIG. 25 is a graph showing changes in the wavefront aberration function χ obtained when the distance between the objective lens focal point and the sample (defocus amount) is changed, the horizontal axis is the spatial frequency q, and the vertical axis is the transmission on the diffraction surface. This represents the magnitude χ of the phase difference between the wave and the diffracted wave. χ 1 and χ 2 correspond to χ when the defocus amounts are Δf 1 and Δf 2 , respectively.
図25中のq=1[nm-1]にて表現される空間周波数に着目すると、デフォーカス量をΔf1からΔf2へ変化させた場合、波面収差関数χの値は図中Dで示す量だけ変化することになる。デフォーカス量を変化させて得られる複数の像を用いて試料を透過した荷電粒子線の波動場の振幅・位相に関する情報を復元しようとする場合、幅広いデフォーカス条件において変化させるほどDの変化量は大きくなり様々な条件における像が得られるため、情報を復元する上では有利となり、具体的にはDの大きさは2π以上であることが望ましい。このため、Rの大きさを持つ構造に関する波動場の情報を復元しようとする場合、デフォーカスの変化量Dfは以下の数4で示す関係を満たすことが好ましい。Focusing on the spatial frequency expressed by q = 1 [nm −1 ] in FIG. 25, when the defocus amount is changed from Δf 1 to Δf 2 , the value of the wavefront aberration function χ is indicated by D in the figure. It will change by the amount. When restoring information on the amplitude and phase of the wave field of a charged particle beam that has passed through the sample using multiple images obtained by changing the defocus amount, the amount of change in D increases as the change is made under a wide range of defocus conditions. Becomes larger and images under various conditions are obtained, which is advantageous in restoring information. Specifically, it is desirable that the size of D is 2π or more. For this reason, when the information on the wave field related to the structure having the size of R is to be restored, it is preferable that the defocus change amount Df satisfies the relationship expressed by the following
図26は焦点調整器モジュールを用いた荷電粒子線装置を表した図であり、図27はフォーカスの異なる像の取得の様子を表した図である。対物レンズ43によって試料42の像が中間像面5に形成される。デフォーカス量が0となるインフォーカス条件では試料に対してフォーカスの合った状態となっており、図27中の(b)で示すような像が得られる。さらに対物レンズ43の下流に備えられた焦点調整器モジュール46に対して電圧を印加した場合、焦点調整器モジュールの焦点が変化するため、結果として対物レンズの焦点距離を変化させた場合と同様の変化を観察像に与える。すなわち観察像のフォーカス位置が変化するため、デフォーカスされた像が観察・記録される。例としてフォーカスを不足焦点方向へ変化させた場合のアンダーフォーカス像を(a)に、フォーカスを過焦点方向へ変化させた場合のオーバーフォーカス像を(c)に示す。
FIG. 26 is a diagram showing a charged particle beam apparatus using a focus adjuster module, and FIG. 27 is a diagram showing how images with different focus are acquired. An image of the
それぞれの実像(a),(b),(c)を比較すると像のコントラストが変化しており、結像条件が変化していることが分かる。(a)、(b)、(c)の像をフーリエ変換した、ディフラクトグラムをそれぞれ(d)、(e)、(f)に示す。 (d)と(f)では同心円状のリング状パターンが現れており、(e)では同様なパターンは表れていない。これは前述のPCTFがフォーカスを変化させたことにより各像において異なっていることを表しており、各ディフラクトグラム中の黒いリング部分は対応する空間周波数の情報が欠落し、像中から失われていることを表す。逆に白いリング部分は対応する空間周波数の情報が十分なコントラストで結像され、像中に含まれていることを表す。 When the real images (a), (b), and (c) are compared, it can be seen that the contrast of the image is changed and the imaging conditions are changed. The diffractograms obtained by performing Fourier transform on the images (a), (b), and (c) are shown in (d), (e), and (f), respectively. Concentric ring-shaped patterns appear in (d) and (f), and no similar pattern appears in (e). This indicates that the above-mentioned PCTF is different in each image by changing the focus, and the black ring part in each diffractogram is lost from the image because the corresponding spatial frequency information is missing. Represents that Conversely, the white ring portion indicates that the corresponding spatial frequency information is imaged with sufficient contrast and is included in the image.
このように焦点調整器モジュールを用いて焦点を変化させた条件によって得られるそれぞれの像は図26の画像観察・記録媒体57によって記録され、画像観察・記録媒体の制御ユニット93を通じて画像記録・演算処理装置98中に取り込まれ、一連の画像に対して演算処理を行うことができる。また、それにより得られた結果は必要に応じて画像表示装置99に表示することが可能である。焦点調整量、像の取得枚数、撮影時間の一部、もしくはすべてをユーザーが指定することにより、焦点調整器モジュールの制御、像の取得、演算処理、処理結果の表示といった一連の動作を自動的に行い、試料を透過した電子線の振幅・位相情報を得ることについても可能となる。
Each image obtained by changing the focus using the focus adjuster module in this manner is recorded by the image observation /
図28は4つに分割された電極をもつ焦点調整器の構造を示す。焦点調整器は電極14,15,16によって構成されており、開口21を持つ。電極15は光軸に垂直な面内において4つの電極に分割されており、それぞれの電極に対しては電源17が接続され、独立した電位を持たせることが可能である。各電極15が持つ電位を異なる値とすることにより、開口21内に形成される電界の形状を制御し、荷電粒子線に対する偏向、あるいは非点収差の補正作用を新たに持たせることが可能となる。従って、他の実施例において少なくとも2段以上あった偏向器の働きのうち1つ以上を焦点調整器にて行うことができ、偏向器の数を減らすことも可能となる。
FIG. 28 shows the structure of a focus adjuster having four divided electrodes. The focus adjuster is composed of
最後に、本発明の適用できる装置について述べる。荷電粒子の例として例えば負の電荷を持つ電子が挙げられるが、イオンのように正の電荷を持つものもある。これらは電荷の正負に応じて電磁界からの作用は反転するものの、基本的には同一分野の技術を用いて前述の装置は構成可能である。そのため、本願で説明する内容は適用する荷電粒子の種類を限定するものではない。 Finally, an apparatus to which the present invention can be applied will be described. Examples of charged particles include negatively charged electrons, but some have positive charges such as ions. Although the action from the electromagnetic field is reversed depending on whether the electric charge is positive or negative, the above-described apparatus can be basically configured by using techniques in the same field. Therefore, the contents described in the present application do not limit the type of charged particles to be applied.
1:光軸、2:荷電粒子線、およびその軌道、3:試料面、4:後焦点面、5:中間像面、6:観察像、7:中間像、10:対抗電極、12:電源、13:接地電位、14:焦点調整器の電極、15:焦点調整器の電極、16:焦点調整器の電極、17:電源、18:接地電位、19:光軸、20:荷電粒子線、21:開口部、22:電源、23:コイル、24:ポールピース上磁極、25:ポールピース上磁極、26:磁路、27:等電位線、28:入射電子線の虚の軌道、29:偏向後の電子線の虚の軌道、30:第1の偏向器による変向点、300:変向点30を含む光軸に垂直な平面、34:磁束を示した線、40:荷電粒子源、41:コンデンサレンズ、42:試料、43:対物レンズ、44:偏向器、45:焦点調整器、46:焦点調整器モジュール、47:蛍光板、48:結像レンズ、49:焦点調整器モジュールの微動方向、50:第1コンデンサレンズ、51:第2コンデンサレンズ、52:第1結像レンズ、53:第2結像レンズ、54:第3結像レンズ、55:第4結像レンズ、56:真空容器、57:画像観察・記録媒体、58:加速管、59:焦点調整器モジュールの着脱方向、60:焦点調整器モジュールの稼動機構、80:荷電粒子源の制御ユニット、81:加速感の制御ユニット、82:第1コンデンサレンズの制御ユニット、83:第2コンデンサレンズの制御ユニット、84:試料の制御ユニット、85:対物レンズの制御ユニット、86:偏向器の制御ユニット、87:焦点調整器の制御ユニット、88:第1結像レンズの制御ユニット、90:第2結像レンズの制御ユニット、91:第3結像レンズの制御ユニット、92:第4結像レンズの制御ユニット、93:画像観察・記録媒体の制御ユニット、95:制御系コンピュータ、96:制御系コンピュータのモニタ、97:制御系コンピュータのインターフェース、98:画像記録・演算処理装置、99:画像表示装置、110:波面、111:波面 1: optical axis, 2: charged particle beam and its trajectory, 3: sample surface, 4: back focal plane, 5: intermediate image plane, 6: observed image, 7: intermediate image, 10: counter electrode, 12: power supply , 13: ground potential, 14: focus adjuster electrode, 15: focus adjuster electrode, 16: focus adjuster electrode, 17: power supply, 18: ground potential, 19: optical axis, 20: charged particle beam, 21: opening, 22: power supply, 23: coil, 24: pole piece upper magnetic pole, 25: pole piece upper magnetic pole, 26: magnetic path, 27: equipotential line, 28: imaginary orbit of incident electron beam, 29: Imaginary orbit of electron beam after deflection, 30: turning point by first deflector, 300: plane perpendicular to optical axis including turning point 30, 34: line showing magnetic flux, 40: charged particle source , 41: condenser lens, 42: sample, 43: objective lens, 44: deflector, 45: focus adjuster, 46: focus adjuster module, 47: fluorescent plate, 48: imaging lens, 49: focus adjuster module Fine movement direction, 50: first condenser lens, 51: second condenser lens, 52: first imaging 53: Second imaging lens, 54: Third imaging lens, 55: Fourth imaging lens, 56: Vacuum container, 57: Image observation / recording medium, 58: Accelerating tube, 59: Focus adjuster module 60: Operating mechanism of the focus adjuster module, 80: Control unit for charged particle source, 81: Control unit for acceleration feeling, 82: Control unit for first condenser lens, 83: Control unit for second condenser lens 84: Sample control unit, 85: Objective lens control unit, 86: Deflector control unit, 87: Focus adjuster control unit, 88: First imaging lens control unit, 90: Second imaging Lens control unit 91: Third imaging lens control unit 92: Fourth imaging lens control unit 93: Image observation / recording medium control unit 95: Control system computer 96: Control system computer Monitor, 97: Interface of control system computer, 98: Image recording Recording / arithmetic processing device, 99: image display device, 110: wavefront, 111: wavefront
Claims (12)
前記静電型荷電粒子線レンズにおける前記デフォーカス量の調整と連動して前記荷電粒子線に偏向作用を与える少なくとも2段の偏向器と、前記荷電粒子線に偏向作用を与える1段の偏向器とを有し、
前記荷電粒子線の進行方向からみて前記2段の偏向器、前記静電型荷電粒子線レンズ、前記1段の偏向器の順に配置され、
前記2段の偏向器は、前記静電型荷電粒子線レンズの光軸の位置を調整し、
前記1段の偏向器は、前記荷電粒子線の非点収差を補正し、
前記試料を透過した荷電粒子を用いて結像を行う荷電粒子線装置の光学系に配置可能な荷電粒子線レンズモジュール。 An electrostatic charged particle beam lens provided in an optical system of an imaging lens that forms an image of a sample with a charged particle beam and capable of adjusting a defocus amount of the image of the sample independently of the imaging lens; ,
A deflector at least two stages give deflection action on the charged particle beam in conjunction with the adjustment of the defocus amount in the electrostatic charged particle beam lenses, wherein the first stage providing a deflection action on the charged particle beam polarized direction And
Polarization direction unit of the two-stage viewed from the traveling direction of the charged particle beam, the electrostatic charged particle beam lenses, are arranged in order of the polarization direction device of the first stage,
Polarization direction unit of the two-stage adjusts the position of the optical axis of the electrostatic charged particle beam lenses,
Polarization direction device of the first stage is to correct astigmatism of the charged particle beam,
A charged particle beam lens module that can be disposed in an optical system of a charged particle beam apparatus that forms an image using charged particles that have passed through the sample.
前記荷電粒子線レンズモジュールは、前記荷電粒子線装置の光軸を含む空間内において前記光軸に垂直である任意の方向へ移動可能であり、かつ前記荷電粒子線の軌道上への挿入または前記荷電粒子線の軌道上からの引出が可能であることを特徴とする荷電粒子線レンズモジュール。 The charged particle beam lens module according to claim 1,
The charged particle beam lens module is movable in an arbitrary direction perpendicular to the optical axis in a space including the optical axis of the charged particle beam device, and the charged particle beam is inserted into an orbit or the A charged particle beam lens module capable of extracting a charged particle beam from an orbit.
前記2段の偏向器における前記荷電粒子線に与える偏向作用の少なくとも1つの偏向作用は、電界によるものであることを特徴とする荷電粒子線レンズモジュール。 The charged particle beam lens module according to claim 1,
The charged particle beam lens module according to claim 1, wherein at least one of the deflection operations applied to the charged particle beam in the two-stage deflector is caused by an electric field.
前記荷電粒子線レンズモジュールは、前記荷電粒子線装置の光軸に垂直な任意の方向へ移動可能なモジュールとして配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。 In the charged particle beam apparatus equipped with the charged particle beam lens module according to claim 1,
The charged particle beam lens module is arranged as a module movable in an arbitrary direction perpendicular to an optical axis of the charged particle beam apparatus.
前記荷電粒子線レンズモジュールは、荷電粒子線の軌道上への挿入または前記荷電粒子線の軌道上からの引出が可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam device according to claim 4,
The charged particle beam lens module is capable of inserting a charged particle beam into or out of a trajectory or drawing out the charged particle beam from the orbit.
前記結像レンズは磁界型対物レンズであり、前記静電型荷電粒子線レンズと前記2段の偏向器とは、前記荷電粒子線装置の光軸を含む空間内において前記荷電粒子線装置の光軸に垂直な任意の方向へ移動可能なモジュールであり、
前記荷電粒子線レンズモジュールは、前記荷電粒子線の進行方向において前記試料からみて光軸の下流側で、かつ前記磁界型対物レンズの磁場中に配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam device according to claim 4,
The imaging lens is a magnetic field type objective lens, and the electrostatic charged particle beam lens and the two-stage deflector are light beams of the charged particle beam device in a space including an optical axis of the charged particle beam device. A module that can move in any direction perpendicular to the axis,
The charged particle beam lens module is disposed in the magnetic field of the magnetic field type objective lens on the downstream side of the optical axis when viewed from the sample in the traveling direction of the charged particle beam.
前記結像レンズは磁界型対物レンズであり、前記静電型荷電粒子線レンズと前記2段の偏向器とは、前記荷電粒子線装置の光軸を含む空間内において前記荷電粒子線装置の光軸に垂直な任意の方向へ移動可能なモジュールであり、
前記荷電粒子線レンズモジュールは、前記荷電粒子線の進行方向において、前記試料からみて光軸の下流側で、かつ前記磁界型対物レンズと前記磁界型対物レンズによる前記試料の像面との間に配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam device according to claim 4,
The imaging lens is a magnetic field type objective lens, and the electrostatic charged particle beam lens and the two-stage deflector are light beams of the charged particle beam device in a space including an optical axis of the charged particle beam device. A module that can move in any direction perpendicular to the axis,
The charged particle beam lens module is located downstream of the optical axis in the traveling direction of the charged particle beam and between the magnetic field type objective lens and the image plane of the sample by the magnetic field type objective lens. A charged particle beam device characterized by being arranged.
前記2段の偏向器は前記荷電粒子線に対して、前記荷電粒子線装置の光軸と前記静電型荷電粒子線レンズの光軸とが一致するよう偏向作用を与えることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam device according to claim 4,
The two-stage deflector applies a deflecting action to the charged particle beam so that an optical axis of the charged particle beam device and an optical axis of the electrostatic charged particle beam lens coincide with each other. Particle beam device.
前記2段の偏向器は前記荷電粒子線に対して、前記静電型荷電粒子線レンズにより生じる非点収差を低減させる偏向作用を与えることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam device according to claim 4,
2. The charged particle beam apparatus according to claim 2, wherein the two-stage deflector gives the charged particle beam a deflection action for reducing astigmatism generated by the electrostatic charged particle beam lens.
前記荷電粒子線の波長をλ、前記試料の観察対象物の大きさをR、前記静電型荷電粒子線レンズの焦点距離の調整により発生する前記試料の像のフォーカス変調量をDfとするとき、
Df>(2×R×R)/λ
の式の関係を満たすことが可能であることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam device according to claim 4,
When the wavelength of the charged particle beam is λ, the size of the observation object of the sample is R, and the focus modulation amount of the sample image generated by adjusting the focal length of the electrostatic charged particle beam lens is Df ,
Df> (2 × R × R) / λ
A charged particle beam device characterized by satisfying the relationship of the formula:
前記静電型荷電粒子線レンズにおける前記デフォーカス量の調整と連動して前記荷電粒子線に偏向作用を与える少なくとも2段の偏向器と、
さらに、前記荷電粒子線に偏向作用を与える1段の偏向器とを有し、
前記荷電粒子線の進行方向からみて前記2段の偏向器、前記静電型荷電粒子線レンズ、前記1段の偏向器の順に配置され、
前記2段の偏向器は、前記静電型荷電粒子線レンズの光軸の位置を調整し、
前記1段の偏向器は、前記荷電粒子線の非点収差を補正し、
前記静電型荷電粒子線レンズは、
前記荷電粒子線レンズの光軸に対して略垂直な平面内にて分割された4個の電極を有し、
前記試料を透過した荷電粒子を検出する荷電粒子線装置の光学系に配置可能であることを特徴とする荷電粒子線レンズモジュール。 An electrostatic charged particle beam lens provided in an optical system of an imaging lens that forms an image of a sample with a charged particle beam and capable of adjusting a defocus amount of the image of the sample independently of the imaging lens; ,
At least two stages of deflectors for deflecting the charged particle beam in conjunction with the adjustment of the defocus amount in the electrostatic charged particle beam lens;
Moreover, and a polarization direction instrument 1 stage giving deflection action on the charged particle beam,
Polarization direction unit of the two-stage viewed from the traveling direction of the charged particle beam, the electrostatic charged particle beam lenses, are arranged in order of the polarization direction device of the first stage,
Polarization direction unit of the two-stage adjusts the position of the optical axis of the electrostatic charged particle beam lenses,
Polarization direction device of the first stage is to correct astigmatism of the charged particle beam,
The electrostatic charged particle beam lens is
Having four electrodes divided in a plane substantially perpendicular to the optical axis of the charged particle beam lens;
A charged particle beam lens module, which can be disposed in an optical system of a charged particle beam apparatus that detects charged particles that have passed through the sample.
前記荷電粒子線装置は、前記試料を透過した荷電粒子を検出する荷電粒子線装置であり、かつ前記荷電粒子線レンズモジュールを、前記荷電粒子線によって試料の像を結像する結像レンズの光学系に備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 The charged particle beam apparatus having the charged particle beam lens module according to claim 11,
The charged particle beam device is a charged particle beam device that detects charged particles that have passed through the sample, and the charged particle beam lens module is an optical lens that forms an image of the sample with the charged particle beam. A charged particle beam apparatus characterized by comprising a system.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/073242 WO2015029200A1 (en) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | Charged particle beam lens module and charged particle beam device equipped with same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015029200A1 JPWO2015029200A1 (en) | 2017-03-02 |
JP6318157B2 true JP6318157B2 (en) | 2018-04-25 |
Family
ID=52585816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015533878A Active JP6318157B2 (en) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | Charged particle beam lens module and charged particle beam apparatus including the same |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6318157B2 (en) |
WO (1) | WO2015029200A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220118393A (en) * | 2019-07-10 | 2022-08-25 | 인터그레이티드 다이나믹 일렉트론 솔루션즈, 인크. | High Frame Rate and High Dynamic Range Electron Microscopy |
CN119013754A (en) * | 2022-04-12 | 2024-11-22 | 华为技术有限公司 | Electrostatic lens for reducing defocus distance defocus |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5941854U (en) * | 1982-09-01 | 1984-03-17 | 日本電子株式会社 | scanning transmission electron microscope |
US4963748A (en) * | 1988-06-06 | 1990-10-16 | Arizona Technology Development Corporation (Atdc) | Composite multipurpose multipole electrostatic optical structure and a synthesis method for minimizing aberrations |
JPH06302503A (en) * | 1993-04-19 | 1994-10-28 | Hitachi Ltd | Electron beam applying equipment |
TW579536B (en) * | 2001-07-02 | 2004-03-11 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Examining system for the particle-optical imaging of an object, deflector for charged particles as well as method for the operation of the same |
EP2019415B1 (en) * | 2007-07-24 | 2016-05-11 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam source |
EP2023372B1 (en) * | 2007-08-09 | 2010-10-06 | Hitachi, Ltd. | Electrostatic Lens Unit |
TWI377593B (en) * | 2008-02-26 | 2012-11-21 | Mapper Lithography Ip Bv | A charged particle multi-beamlet system for exposing a target using a plurality of beamlets |
-
2013
- 2013-08-30 JP JP2015533878A patent/JP6318157B2/en active Active
- 2013-08-30 WO PCT/JP2013/073242 patent/WO2015029200A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015029200A1 (en) | 2015-03-05 |
JPWO2015029200A1 (en) | 2017-03-02 |
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