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JP6311798B2 - Method for dividing brittle substrate - Google Patents

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JP6311798B2
JP6311798B2 JP2016561495A JP2016561495A JP6311798B2 JP 6311798 B2 JP6311798 B2 JP 6311798B2 JP 2016561495 A JP2016561495 A JP 2016561495A JP 2016561495 A JP2016561495 A JP 2016561495A JP 6311798 B2 JP6311798 B2 JP 6311798B2
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Description

本発明は、脆性基板の分断方法に関する。   The present invention relates to a method for dividing a brittle substrate.

フラットディスプレイパネルまたは太陽電池パネルなどの電気機器の製造において、ガラス基板などの脆性基板を分断することがしばしば必要となる。まず基板上にスクライブラインが形成され、次にこのスクライブラインに沿って基板が分断される。スクライブラインは、刃先を用いて基板を機械的に加工することによって形成され得る。刃先が基板上を摺動または転動することで、基板上に塑性変形によるトレンチが形成されると同時に、このトレンチの直下には垂直クラックが形成される。その後、ブレーク工程と称される応力付与がなされる。これにより上記垂直クラックを厚さ方向に完全に進行させることで、基板が分断される。   In the manufacture of electrical equipment such as flat display panels or solar cell panels, it is often necessary to break a brittle substrate such as a glass substrate. First, a scribe line is formed on the substrate, and then the substrate is divided along the scribe line. The scribe line can be formed by mechanically processing the substrate using the cutting edge. When the blade edge slides or rolls on the substrate, a trench due to plastic deformation is formed on the substrate, and at the same time, a vertical crack is formed immediately below the trench. Thereafter, stress is applied, which is called a break process. Thus, the substrate is divided by causing the vertical crack to advance completely in the thickness direction.

基板が分断される工程は、基板にスクライブラインを形成する工程の直後に行われることが比較的多い。しかしながら、スクライブラインを形成する工程とブレーク工程との間において基板を加工する工程を行なうことも提案されている。   The process of dividing the substrate is relatively often performed immediately after the process of forming a scribe line on the substrate. However, it has also been proposed to perform a process of processing the substrate between the process of forming the scribe line and the break process.

たとえば国際公開第2002/104078号の技術によれば、有機ELディスプレイの製造方法において、封止キャップを装着する前に各有機ELディスプレイとなる領域毎にガラス基板上にスクライブラインが形成される。このため、封止キャップを設けた後にガラス基板上にスクライブラインを形成したときに問題となる封止キャップとガラスカッターとの接触を回避させることができる。   For example, according to the technique of International Publication No. 2002/104078, in the method of manufacturing an organic EL display, a scribe line is formed on a glass substrate for each region to be each organic EL display before mounting a sealing cap. For this reason, the contact between the sealing cap and the glass cutter, which becomes a problem when the scribe line is formed on the glass substrate after the sealing cap is provided, can be avoided.

またたとえば国際公開第2003/006391号の技術によれば、液晶表示パネルの製造方法において、2つのガラス基板が、スクライブラインが形成された後に貼り合わされる。これにより1度のブレーク工程で2枚の脆性基板を同時にブレークすることができる。   Further, for example, according to the technique of International Publication No. 2003/006391, in a method for manufacturing a liquid crystal display panel, two glass substrates are bonded together after a scribe line is formed. As a result, two brittle substrates can be simultaneously broken in one break step.

国際公開第2002/104078号International Publication No. 2002/104078 国際公開第2003/006391号International Publication No. 2003/006391

上記従来の技術によれば、脆性基板への加工がスクライブラインの形成後に行われ、その後の応力付与によりブレーク工程が行われる。このことは、脆性基板への加工時にスクライブライン全体に沿って垂直クラックが既に存在していることを意味する。よって、この垂直クラックの厚さ方向におけるさらなる伸展が加工中に意図せず発生することで、加工中は一体であるべき脆性基板が分離されてしまうことがあり得た。また、スクライブラインの形成工程と基板のブレーク工程との間に基板の加工工程が行われない場合においても、通常、スクライブラインの形成工程の後かつ基板のブレーク工程の前に基板の搬送または保管が必要であり、その際に基板が意図せず分断されてしまうことがあり得た。   According to the above-described conventional technique, the brittle substrate is processed after the scribe line is formed, and then the break process is performed by applying stress. This means that vertical cracks already exist along the entire scribe line during processing into a brittle substrate. Therefore, the further extension in the thickness direction of the vertical crack occurs unintentionally during the processing, and the brittle substrate that should be integrated during the processing may be separated. Also, even when a substrate processing step is not performed between the scribe line formation step and the substrate break step, the substrate is usually transported or stored after the scribe line formation step and before the substrate break step. In this case, the substrate may be unintentionally divided.

上記課題を解決するために本発明者は独自の分断技術を開発してきた。この技術によれば、脆性基板が分断される位置を規定するラインとして、まず、その直下にクラックを有しないトレンチラインが形成される。トレンチラインが形成されることにより、脆性基板が分断されることになる位置が規定される。その後、トレンチラインの直下にクラックが存在していない状態が維持されていれば、トレンチラインに沿った分断が容易には生じにくい。この状態を用いることで、脆性基板が分断されることになる位置を予め規定しつつも、分断されるべき時点より前に脆性基板が意図せず分断されることを防ぐことができる。   In order to solve the above-mentioned problems, the present inventor has developed a unique cutting technique. According to this technique, as a line that defines a position where a brittle substrate is divided, first, a trench line having no crack is formed immediately below the line. The formation of the trench line defines the position where the brittle substrate will be divided. Thereafter, if a state in which no crack is present immediately below the trench line is maintained, division along the trench line is not easily generated. By using this state, it is possible to prevent the brittle substrate from being unintentionally divided before the time point at which it should be divided, while predefining the position where the brittle substrate is to be divided.

上記トレンチラインの形成は、刃先を用いた機械加工によってなされる。この機械加工時に刃先はダメージを受け、最終的には使用に適しなくなる。よって適当なタイミングで刃先を交換しなければならず、この作業負担は分断工程において大きなものである。本発明者の検討によれば、通常のスクライブラインの形成に比べればトレンチラインの形成は刃先へのダメージが生じにくい。しかしながら、上述した作業負担のさらなる軽減のため、刃先へのダメージがより小さい分断方法の開発が望まれる。   The trench line is formed by machining using a cutting edge. During this machining process, the cutting edge is damaged and eventually becomes unusable. Therefore, the cutting edge must be replaced at an appropriate timing, and this work burden is large in the dividing process. According to the study of the present inventor, the formation of the trench line is less likely to cause damage to the blade edge than the formation of the normal scribe line. However, in order to further reduce the above-described work burden, it is desired to develop a cutting method with less damage to the cutting edge.

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、脆性基板が分断される位置を規定する加工を行う刃先へのダメージを小さくすることができる、脆性基板の分断方法を提供することである。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and the purpose of the present invention is to reduce the damage to the cutting edge that performs processing for defining the position where the brittle substrate is divided. It is to provide a dividing method.

脆性基板の分断方法は、以下の工程を有する。   The method for dividing a brittle substrate includes the following steps.

第1の面と第1の面と反対の第2の面とを有し、第1の面に垂直な厚さ方向を有する脆性基板が準備される。次に、刃先を脆性基板の第1の面上へ押し付けながら第1の面上で刃先を移動させることによって脆性基板の第1の面上に塑性変形を発生させることで、トレンチラインが形成される。トレンチラインを形成する工程は、トレンチラインの直下において脆性基板がトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われる。トレンチラインを形成する工程は、トレンチラインの一部として低荷重区間を形成する工程と、トレンチラインの一部として高荷重区間を形成する工程とを含む。高荷重区間を形成する工程において刃先に加えられる荷重は、低荷重区間を形成する工程で用いられる荷重よりも高い。次に、厚さ方向における脆性基板のクラックをトレンチラインに沿って、トレンチラインのうち高荷重区間にのみ伸展させることによって、トレンチラインの一部に沿ってクラックラインが形成される。クラックラインを形成する工程の後に、トレンチラインに沿って脆性基板が分断される。脆性基板を分断する工程は、脆性基板に応力を加えることによってクラックラインを起点として低荷重区間に沿ってクラックを伸展させる工程を含む。   A brittle substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a thickness direction perpendicular to the first surface is prepared. Next, a trench line is formed by generating plastic deformation on the first surface of the brittle substrate by moving the blade edge on the first surface while pressing the blade edge onto the first surface of the brittle substrate. The The step of forming the trench line is performed so as to obtain a crackless state in which the brittle substrate is continuously connected in the direction intersecting the trench line immediately below the trench line. The step of forming the trench line includes a step of forming a low load section as a part of the trench line and a process of forming a high load section as a part of the trench line. The load applied to the cutting edge in the process of forming the high load section is higher than the load used in the process of forming the low load section. Next, the crack line is formed along a part of the trench line by extending the crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line only in the high load section of the trench line. After the step of forming the crack line, the brittle substrate is divided along the trench line. The step of dividing the brittle substrate includes a step of extending the crack along the low load section starting from the crack line by applying stress to the brittle substrate.

本発明によれば、脆性基板が分断される位置を規定するためのトレンチラインの形成に際して、高荷重区間に比して低荷重区間において、刃先に加えられる荷重が軽減される。これにより刃先へのダメージを小さくすることができる。   According to the present invention, when the trench line for defining the position where the brittle substrate is divided is formed, the load applied to the blade edge is reduced in the low load section as compared with the high load section. As a result, damage to the cutting edge can be reduced.

本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法を概略的に示すフロー図である。It is a flowchart which shows schematically the division | segmentation method of a brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 図2の線III−IIIに沿う概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in alignment with line III-III of FIG. 図2の線IVA−IVAに沿う概略断面図(A)、および図2の線IVB−IVBに沿う概略断面図(B)である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view (A) along line IVA-IVA in FIG. 2 and a schematic cross-sectional view (B) along line IVB-IVB in FIG. 2. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 図5の線VI−VIに沿う概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in alignment with line VI-VI of FIG. 図5の線VII−VIIに沿う概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. 5. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 図8の線IX−IXに沿う概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in alignment with line IX-IX of FIG. 図8の線X−Xに沿う概略断面図である。It is a schematic sectional drawing in alignment with line XX of FIG. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 図13の矢印XIVに対応する視野による概略的な側面図である。It is a schematic side view by the visual field corresponding to the arrow XIV of FIG. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法に用いられるスクライブ器具の構成を概略的に示す側面図(A)、および図17(A)の矢印XVIIに対応する視野による刃先の底面図(B)である。The side view (A) which shows roughly the structure of the scribe tool used for the cutting method of a brittle board | substrate in Embodiment 1 of this invention, and the bottom view of the blade edge | tip by the visual field corresponding to arrow XVII of FIG. 17 (A) ( B). 本発明の実施の形態1の第1の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 1st modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1の第2の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 2nd modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1の第3の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 3rd modification of Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1の第4の変形例における脆性基板の分断方法に用いられるスクライブ器具の構成を概略的に示す側面図(A)、および図21(A)の矢印XXIに対応する視野による刃先の底面図(B)である。Side view (A) schematically showing the configuration of a scribing instrument used in the method for cutting a brittle substrate in the fourth modification of the first embodiment of the present invention, and a field of view corresponding to arrow XXI in FIG. 21 (A) It is a bottom view (B) of the blade edge by. 本発明の実施の形態2における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2の第1の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 1st modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2の第1の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 1st modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2の第2の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 2nd modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2の第3の変形例における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in the 3rd modification of Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施の形態2における脆性基板の分断方法に用いられるスクライブ器具の構成を概略的に示す側面図である。It is a side view which shows roughly the structure of the scribe tool used for the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 2 of this invention. 図29におけるスクライビングホイールおよびピンの構成を概略的に示す正面図(A)、および図30(A)の部分拡大図(B)である。It is the front view (A) which shows schematically the structure of the scribing wheel and pin in FIG. 29, and the elements on larger scale (B) of FIG. 30 (A). 本発明の実施の形態3における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態3における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施の形態4における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態4における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施の形態5における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態5における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態5における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す上面図である。It is a top view which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 5 of this invention. 本発明の実施の形態6における脆性基板の分断方法の一工程を概略的に示す部分上面図(A)〜(D)である。It is a partial top view (A)-(D) which shows roughly 1 process of the cutting method of the brittle board | substrate in Embodiment 6 of this invention. 図41(A)の線XLIIA−XLIIAに沿う概略部分断面図(A)、図41(B)の線XLIIB−XLIIBに沿う概略部分断面図(B)、図41(C)の線XLIIC−XLIICに沿う概略部分断面図(C)、および図41(D)の線XLIID−XLIIDに沿う概略部分断面図(D)である。41A is a schematic partial cross-sectional view along line XLIIA-XLIIA (A), FIG. 41B is a schematic partial cross-sectional view along line XLIIB-XLIIB (B), and FIG. 41C is a line XLIIC-XLIIC. FIG. 42 is a schematic partial sectional view taken along line (C), and a schematic partial sectional view taken along line XLIID-XLIID in FIG. 41D.

以下、図面に基づいて本発明の各実施の形態における脆性基板の分断方法について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。   Hereinafter, a method for dividing a brittle substrate in each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.

(実施の形態1)
本実施の形態のガラス基板11(脆性基板)の分断方法について、フロー図(図1)を参照しつつ、以下に説明する。
(Embodiment 1)
A method for dividing the glass substrate 11 (brittle substrate) of the present embodiment will be described below with reference to a flow chart (FIG. 1).

図2〜図4を参照して、ガラス基板11が準備される(図1:ステップS10)。ガラス基板11は、上面SF1(第1の面)と、下面SF2(第1の面と反対の第2の面)とを有する。またガラス基板11は、上面SF1に垂直な厚さ方向DTを有する。   2 to 4, a glass substrate 11 is prepared (FIG. 1: step S10). The glass substrate 11 has an upper surface SF1 (first surface) and a lower surface SF2 (second surface opposite to the first surface). Further, the glass substrate 11 has a thickness direction DT perpendicular to the upper surface SF1.

また刃先を有するスクライブ器具が準備される。スクライブ器具の詳細については後述する。   A scribing instrument having a cutting edge is also prepared. Details of the scribing device will be described later.

次に、刃先がガラス基板11の上面SF1上へ押し付けられながら、上面SF1上で刃先51が始点N1から途中点N2を経由して終点N3へ移動させられる。これによってガラス基板11の上面SF1上に塑性変形が発生させられる。これによって上面SF1上に、始点N1から途中点N2を経由して終点N3へ延びるトレンチラインTLが形成される(図1:ステップS20)。図2においては、方向DAへの刃先の移動により、3つのTLが形成される。   Next, while the blade edge is pressed onto the upper surface SF1 of the glass substrate 11, the blade edge 51 is moved from the start point N1 to the end point N3 via the intermediate point N2 on the upper surface SF1. Thereby, plastic deformation is generated on the upper surface SF1 of the glass substrate 11. As a result, a trench line TL extending from the start point N1 to the end point N3 via the intermediate point N2 is formed on the upper surface SF1 (FIG. 1: step S20). In FIG. 2, three TLs are formed by the movement of the blade edge in the direction DA.

トレンチラインTLを形成する工程は、トレンチラインTLの一部として低荷重区間LRを形成する工程(図1:ステップS20L)と、トレンチラインTLの一部として高荷重区間HRを形成する工程(図1:ステップS20H)とを含む。図2においては、始点N1から途中点N2まで低荷重区間が形成され、途中点N2から終点N3まで高荷重区間が形成される。高荷重区間HRを形成する工程において刃先51に加えられる荷重は、低荷重区間LRを形成する工程で用いられる荷重よりも高い。逆に言えば、低荷重区間LRを形成する工程において刃先51に加えられる荷重は、高荷重区間HRを形成する工程で用いられる荷重よりも低く、たとえば、高荷重区間HRの荷重の30〜50%程度である。そのため、高荷重区間HRにおけるトレンチラインの幅は、低荷重区間LRの幅よりも大きい。たとえば、高荷重区間HRが幅10μmを有し、低荷重区間LRが幅5μmを有する。また高荷重区間HRの深さは、低荷重区間LRの深さよりも大きい。トレンチラインTLの断面は、たとえば、角度150°程度のV字形状を有する。   The process of forming the trench line TL includes a process of forming the low load section LR as a part of the trench line TL (FIG. 1: Step S20L) and a process of forming the high load section HR as a part of the trench line TL (FIG. 1: Step S20H). In FIG. 2, a low load section is formed from the start point N1 to the midpoint N2, and a high load section is formed from the midpoint N2 to the end point N3. The load applied to the cutting edge 51 in the process of forming the high load section HR is higher than the load used in the process of forming the low load section LR. In other words, the load applied to the cutting edge 51 in the process of forming the low load section LR is lower than the load used in the process of forming the high load section HR, for example, 30 to 50 of the load in the high load section HR. %. Therefore, the width of the trench line in the high load section HR is larger than the width of the low load section LR. For example, the high load section HR has a width of 10 μm, and the low load section LR has a width of 5 μm. Further, the depth of the high load section HR is larger than the depth of the low load section LR. The cross section of the trench line TL has, for example, a V shape with an angle of about 150 °.

なお、高荷重区間HRにおいては刃先51へ高い荷重が加えられるため、刃先51の寿命を考慮すれば高荷重区間HRの距離は小さいことが好ましい。さらに、トレンチラインTL形成中に荷重を変化させる場合、より小さい距離で高荷重区間HRにおける荷重を十分に大きくするため、高荷重区間HRではスクライブ速度が小さくされることが好ましい。すなわち、刃先51の荷重を瞬間的に増加させる制御は困難であることから、実際には位置N2を始点として、一定の区間ではあらかじめ定められた荷重に達するまで荷重が大きくされながらスクライブが行われる。したがって、高荷重区間HRにおける速度を小さくすることで、より小さな距離で高荷重にすることができ、高荷重区間HR全体の距離を小さくすることができる。   In addition, since a high load is applied to the cutting edge 51 in the high load section HR, it is preferable that the distance of the high load section HR is small considering the life of the cutting edge 51. Furthermore, when the load is changed during the formation of the trench line TL, it is preferable that the scribe speed is reduced in the high load section HR in order to sufficiently increase the load in the high load section HR at a smaller distance. That is, since it is difficult to control to increase the load of the cutting edge 51 instantaneously, in practice, scribing is performed while increasing the load until a predetermined load is reached in a certain section starting from the position N2. . Therefore, by reducing the speed in the high load section HR, the load can be increased at a smaller distance, and the entire distance of the high load section HR can be reduced.

トレンチラインTLを形成する工程は、トレンチラインTLの直下においてガラス基板11がトレンチラインTLと交差する方向DC(図4(A)および(B))において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われる。このためには、刃先に加えられる荷重が、ガラス基板11の塑性変形を発生させる程度に大きく、かつ、この塑性変形部を起点としたクラックを発生させない程度に小さくされる。   The step of forming the trench line TL is a crackless state in which the glass substrate 11 is continuously connected in the direction DC (FIGS. 4A and 4B) intersecting the trench line TL immediately below the trench line TL. This is done so that a state is obtained. For this purpose, the load applied to the blade edge is made large enough to cause plastic deformation of the glass substrate 11 and small enough not to generate cracks starting from this plastic deformation part.

次に、クラックライン(図1:ステップS30)が、以下のように形成される。   Next, a crack line (FIG. 1: step S30) is formed as follows.

図5〜図7を参照して、まず、ガラス基板11の上面SF1上において高荷重区間HRに交差するアシストラインALが形成される。アシストラインALは、ガラス基板11の厚さ方向に浸透するクラックを伴う。アシストラインALは、通常のスクライブ方法によって形成し得る。   With reference to FIGS. 5 to 7, first, an assist line AL that intersects the high load section HR is formed on the upper surface SF <b> 1 of the glass substrate 11. The assist line AL is accompanied by a crack that penetrates in the thickness direction of the glass substrate 11. The assist line AL can be formed by a normal scribing method.

次に、アシストラインALに沿ってガラス基板11が分離される。この分離は、通常のブレーク工程によって行い得る。この分離をきっかけとして、厚さ方向におけるガラス基板11のクラックがトレンチラインTLに沿って、トレンチラインTLのうち高荷重区間HRにのみ伸展させられる。   Next, the glass substrate 11 is separated along the assist line AL. This separation can be performed by a normal break process. As a result of this separation, the crack of the glass substrate 11 in the thickness direction is extended along the trench line TL only in the high load section HR of the trench line TL.

図8および図9を参照して、以上により、トレンチラインTLの一部に沿ってクラックラインCLが形成される。具体的には、高荷重区間HRのうち、分離によって新たに生じた辺と、途中点N2との間の部分に、クラックラインCLが形成される。クラックラインCLが形成される方向は、トレンチラインTLが形成された方向DA(図2)と反対である。なお、分離によって新たに生じた辺と終点N3との間の部分にはクラックラインCLが形成されにくい。この方向依存性は、高荷重区間HRの形成時における刃先の状態に起因するものであり、詳しくは後述する。   With reference to FIGS. 8 and 9, the crack line CL is formed along a part of the trench line TL as described above. Specifically, the crack line CL is formed in a portion between the side newly generated by the separation and the midpoint N2 in the high load section HR. The direction in which the crack line CL is formed is opposite to the direction DA (FIG. 2) in which the trench line TL is formed. Note that a crack line CL is hardly formed in a portion between the side newly generated by the separation and the end point N3. This direction dependency is caused by the state of the cutting edge when the high load section HR is formed, and will be described in detail later.

図10を参照して、クラックラインCLによってトレンチラインTLの高荷重区間HRの直下において、ガラス基板11はトレンチラインTLの延在方向と交差する方向DCにおいて連続的なつながりが断たれている。ここで「連続的なつながり」とは、言い換えれば、クラックによって遮られていないつながりのことである。なお、上述したように連続的なつながりが断たれている状態において、クラックラインCLのクラックを介してガラス基板11の部分同士が接触していてもよい。   Referring to FIG. 10, the continuous connection is broken in the direction DC intersecting the extending direction of the trench line TL in the glass substrate 11 immediately below the high load section HR of the trench line TL by the crack line CL. Here, “continuous connection” means a connection that is not interrupted by a crack. In addition, in the state where the continuous connection is broken as described above, the portions of the glass substrate 11 may be in contact with each other through the cracks of the crack line CL.

次に、トレンチラインTLに沿ってガラス基板11を分断するブレーク工程が行われる(図1:ステップS40)。この際に、ガラス基板11に応力を加えることによってクラックラインCLを起点として低荷重区間LRに沿ってクラックが伸展させられる。クラックが伸展する方向(図11における矢印PR)は、トレンチラインTLが形成された方向DA(図2)と反対である。   Next, a break process for dividing the glass substrate 11 along the trench line TL is performed (FIG. 1: step S40). At this time, by applying a stress to the glass substrate 11, the crack is extended along the low load section LR starting from the crack line CL. The direction in which the crack extends (arrow PR in FIG. 11) is opposite to the direction DA (FIG. 2) in which the trench line TL is formed.

次に上記ブレーク工程の詳細について、以下に説明する。   Next, details of the break process will be described below.

図12を参照して、ガラス基板11の上面SF1が敷物81を介してテーブル80に対向するように、クラックラインCLが形成されたガラス基板11(図9)が敷物81を介してテーブル80上に置かれる。敷物81は、ガラス基板11およびテーブル80の材料に比して変形しやすい材料からなる。   Referring to FIG. 12, glass substrate 11 (FIG. 9) on which crack line CL is formed is placed on table 80 via rug 81 so that upper surface SF <b> 1 of glass substrate 11 faces table 80 via rug 81. Placed in. The rug 81 is made of a material that is more easily deformed than the materials of the glass substrate 11 and the table 80.

図13および図14を参照して、ブレークバー85が準備される。ブレークバー85は、図14に示すように、ガラス基板11の表面を局所的に押し付けることができるように突出した形状を有することが好ましく、図14においては略V字状の形状を有する。図13に示すように、この突出部分は直線状に延在している。   With reference to FIGS. 13 and 14, a break bar 85 is prepared. As shown in FIG. 14, the break bar 85 preferably has a protruding shape so as to locally press the surface of the glass substrate 11, and has a substantially V-shaped shape in FIG. 14. As shown in FIG. 13, the protruding portion extends linearly.

次に、ブレークバー85がガラス基板11の下面SF2の一部に接触させられる。この接触部分は、下面SF2のうち厚さ方向(図13における縦方向)においてクラックラインCLと対向する対向部分SF2Cから離れている。   Next, the break bar 85 is brought into contact with a part of the lower surface SF2 of the glass substrate 11. This contact portion is separated from the facing portion SF2C facing the crack line CL in the thickness direction (vertical direction in FIG. 13) of the lower surface SF2.

次に、矢印CT1に示すように、上記接触部分が、トレンチラインTLの低荷重区間LRに沿って拡張され、対向部分SF2Cの方へ近づく。上述した最初の接触時、またはそれに続く接触部分の拡張によって、ブレークバー85が下面SF2上において、低荷重区間LRに対向する部分に接触し、かつ高荷重区間HRに対向する部分からは離れた状態が生じる。   Next, as indicated by an arrow CT1, the contact portion is expanded along the low load section LR of the trench line TL and approaches the facing portion SF2C. The break bar 85 comes into contact with the portion facing the low load section LR and away from the portion facing the high load section HR on the lower surface SF2 due to the first contact described above or subsequent expansion of the contact section. A state arises.

図15を参照して、矢印CT2に示すように、上記接触部分が対向部分SF2Cに達する。言い換えれば、ブレークバー85は、前述した工程によってクラックラインCLのうち低荷重区間LRに先に応力を印加し、その後、さらにクラックラインCLにも同時に応力を印加する。この応力によりクラックラインCL(図15)から低荷重区間LRに沿ってクラックが伸展する(図16の矢印PR参照)。   Referring to FIG. 15, as indicated by arrow CT2, the contact portion reaches opposing portion SF2C. In other words, the break bar 85 applies stress first to the low load section LR in the crack line CL by the above-described process, and then further applies stress to the crack line CL simultaneously. This stress causes the crack to extend along the low load section LR from the crack line CL (FIG. 15) (see arrow PR in FIG. 16).

以上のブレーク工程により、ガラス基板の分断(図11)が行われる。   The glass substrate is divided (FIG. 11) by the above break process.

図17(A)および(B)を参照して、上述したトレンチラインTLの形成に適したスクライブ器具50について説明する。スクライブ器具50は、スクライブヘッド(図示せず)に取り付けられることによってガラス基板11に対して相対的に移動することにより、ガラス基板11に対するスクライブを行うものである。スクライブ器具50は刃先51およびシャンク52を有する。刃先51は、シャンク52に保持されている。   With reference to FIGS. 17A and 17B, a scribe tool 50 suitable for forming the trench line TL described above will be described. The scribe device 50 is attached to a scribe head (not shown) and moves relative to the glass substrate 11 to scribe the glass substrate 11. The scribe device 50 has a cutting edge 51 and a shank 52. The blade edge 51 is held by the shank 52.

刃先51には、天面SD1(第1の面)と、天面SD1を取り囲む複数の面とが設けられている。これら複数の面は側面SD2(第2の面)および側面SD3(第3の面)を含む。天面SD1、側面SD2およびSD3は、互いに異なる方向を向いており、かつ互いに隣り合っている。刃先51は、天面SD1、側面SD2およびSD3が合流する頂点を有し、この頂点によって刃先51の突起部PPが構成されている。また側面SD2およびSD3は、刃先51の側部PSを構成する稜線をなしている。側部PSは突起部PPから線状に延びている。また側部PSは、上述したように稜線であることから、線状に延びる凸形状を有する。   The blade edge 51 is provided with a top surface SD1 (first surface) and a plurality of surfaces surrounding the top surface SD1. The plurality of surfaces include a side surface SD2 (second surface) and a side surface SD3 (third surface). The top surface SD1 and the side surfaces SD2 and SD3 face different directions and are adjacent to each other. The blade edge 51 has a vertex at which the top surface SD1, the side surfaces SD2 and SD3 merge, and the protrusion PP of the blade edge 51 is configured by this vertex. Further, the side surfaces SD2 and SD3 form ridge lines constituting the side portion PS of the blade edge 51. The side part PS extends linearly from the protrusion part PP. Moreover, since the side part PS is a ridgeline as mentioned above, it has the convex shape extended linearly.

刃先51はダイヤモンドポイントであることが好ましい。すなわち刃先51はダイヤモンドから作られていることが好ましい。この場合、容易に、硬度を高く、表面粗さを小さくすることができる。より好ましくは刃先51は単結晶ダイヤモンドから作られている。さらに好ましくは結晶学的に言って、天面SD1は{001}面であり、側面SD2およびSD3の各々は{111}面である。この場合、側面SD2およびSD3は、異なる向きを有するものの、結晶学上、互いに等価な結晶面である。   The cutting edge 51 is preferably a diamond point. That is, the cutting edge 51 is preferably made of diamond. In this case, the hardness can be easily increased and the surface roughness can be decreased. More preferably, the cutting edge 51 is made of single crystal diamond. More preferably, crystallographically, the top surface SD1 is a {001} plane, and each of the side surfaces SD2 and SD3 is a {111} plane. In this case, although the side surfaces SD2 and SD3 have different orientations, they are crystal surfaces that are equivalent to each other in terms of crystallography.

なお単結晶でないダイヤモンドが用いられてもよく、たとえば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で合成された多結晶体ダイヤモンドが用いられてもよい。あるいは、微粒のグラファイトや非グラファイト状炭素から、鉄族元素などの結合材を含まずに焼結された多結晶体ダイヤモンド、またはダイヤモンド粒子を鉄族元素などの結合材によって結合させた焼結ダイヤモンドが用いられてもよい。   Diamond that is not a single crystal may be used. For example, polycrystalline diamond synthesized by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method may be used. Alternatively, polycrystalline diamond sintered from fine graphite or non-graphitic carbon without containing a binder such as an iron group element, or sintered diamond obtained by bonding diamond particles with a binder such as an iron group element May be used.

シャンク52は軸方向AXに沿って延在している。刃先51は、天面SD1の法線方向が軸方向AXにおおよそ沿うようにシャンク52に取り付けられることが好ましい。   The shank 52 extends along the axial direction AX. The blade edge 51 is preferably attached to the shank 52 so that the normal direction of the top surface SD1 is approximately along the axial direction AX.

スクライブ器具50を用いたトレンチラインTLの形成においては、まずガラス基板11の上面SF1に刃先51が押し付けられる。具体的には、刃先51の突起部PPおよび側部PSが、ガラス基板11が有する厚さ方向DTへ押し付けられる。   In forming the trench line TL using the scribe tool 50, first, the blade edge 51 is pressed against the upper surface SF1 of the glass substrate 11. Specifically, the protrusion part PP and the side part PS of the blade edge 51 are pressed in the thickness direction DT of the glass substrate 11.

次に、押し付けられた刃先51が上面SF1上で方向DAへ摺動させられる。方向DAは、突起部PPから側部PSに沿って延びる方向を上面SF1上に射影したものであり、軸方向AXを上面SF1上へ射影した方向におおよそ対応している。摺動時、刃先51はシャンク52によって上面SF1上を引き摺られる。この摺動によって、ガラス基板11の上面SF1上に塑性変形が発生させられる。この塑性変形によりトレンチラインTLが形成される。   Next, the pressed blade edge 51 is slid in the direction DA on the upper surface SF1. The direction DA is obtained by projecting the direction extending from the protrusion PP along the side part PS onto the upper surface SF1, and roughly corresponds to the direction in which the axial direction AX is projected onto the upper surface SF1. When sliding, the blade edge 51 is dragged on the upper surface SF 1 by the shank 52. By this sliding, plastic deformation is generated on the upper surface SF <b> 1 of the glass substrate 11. The trench line TL is formed by this plastic deformation.

なお本実施の形態における始点N1から終点N3へのトレンチラインTLの形成において、刃先51が方向DBへ移動させられるとすると、言い換えれば、刃先51の移動方向を基準として刃先51の姿勢が逆方向に傾いているとすると、図9に示すクラックラインCLの形成、および図16に示すクラックの進行が、方向DAを用いた場合に比して生じにくくなる。より一般的に言えば、方向DAへの刃先51の移動により形成されたトレンチラインTLにおいては、方向DAとは逆方向にクラックが伸展しやすい。一方で、方向DBへの刃先51の移動により形成されたトレンチラインTLにおいては、方向DBと同方向にクラックが伸展しやすい。このような方向依存性は、トレンチラインTLの形成時に生じる塑性変形に起因してガラス基板11内に生じる応力分布と関連しているのではないかと推測される。   In the formation of the trench line TL from the start point N1 to the end point N3 in the present embodiment, if the blade edge 51 is moved in the direction DB, in other words, the posture of the blade edge 51 is reverse with respect to the movement direction of the blade edge 51. 9, the formation of the crack line CL shown in FIG. 9 and the progress of the crack shown in FIG. 16 are less likely to occur than when the direction DA is used. More generally speaking, in the trench line TL formed by the movement of the blade edge 51 in the direction DA, cracks are likely to extend in the direction opposite to the direction DA. On the other hand, in the trench line TL formed by the movement of the blade edge 51 in the direction DB, cracks are likely to extend in the same direction as the direction DB. Such direction dependency is presumed to be related to the stress distribution generated in the glass substrate 11 due to the plastic deformation generated when the trench line TL is formed.

本実施の形態によれば、ガラス基板11が分断される位置を規定するためのトレンチラインTL(図2および図3)の形成に際して、高荷重区間HRに比して低荷重区間LRにおいて、刃先51(図17(A))に加えられる荷重が軽減される。これにより刃先51へのダメージを小さくすることができる。   According to the present embodiment, when the trench line TL (FIGS. 2 and 3) for defining the position where the glass substrate 11 is divided is formed, the cutting edge in the low load section LR as compared with the high load section HR. The load applied to 51 (FIG. 17A) is reduced. Thereby, damage to the blade edge 51 can be reduced.

また低荷重区間LRおよび高荷重区間HRのうち低荷重区間LRがクラックレス状態である場合(図8および図9)、ガラス基板11が分断される起点となるクラックが低荷重区間LRにはない。よってこの状態においてガラス基板11に対して任意の処理を行う場合、低荷重区間LRに不慮の応力が加わっても、ガラス基板11の意図しない分断が生じにくい。よって上記処理を安定的に行うことができる。   In addition, when the low load section LR is in a crackless state among the low load section LR and the high load section HR (FIGS. 8 and 9), there is no crack in the low load section LR as a starting point at which the glass substrate 11 is divided. . Therefore, when arbitrary processing is performed on the glass substrate 11 in this state, even if an unexpected stress is applied to the low load section LR, the glass substrate 11 is unlikely to be unintentionally divided. Therefore, the above process can be performed stably.

また低荷重区間LRおよび高荷重区間HRの両方がクラックレス状態である場合(図2および図3)、ガラス基板11が分断される起点となるクラックがトレンチラインTLにない。よってこの状態においてガラス基板11に対して任意の処理を行う場合、トレンチラインTLに不慮の応力が加わっても、ガラス基板11の意図しない分断が生じにくい。よって上記処理をより安定的に行うことができる。   Further, when both the low load section LR and the high load section HR are in a crackless state (FIGS. 2 and 3), there is no crack in the trench line TL as a starting point at which the glass substrate 11 is divided. Therefore, when arbitrary processing is performed on the glass substrate 11 in this state, even if an unexpected stress is applied to the trench line TL, unintentional division of the glass substrate 11 is unlikely to occur. Therefore, the above process can be performed more stably.

またトレンチラインTLはアシストラインALの形成前に形成される。これにより、トレンチラインTLの形成時にアシストラインALが影響を及ぼすことを避けることができる。特に、トレンチラインTL形成のために刃先51がアシストラインAL上を通過した直後における形成異常を避けることができる。   The trench line TL is formed before the assist line AL is formed. Thereby, it is possible to avoid the influence of the assist line AL when the trench line TL is formed. In particular, the formation abnormality immediately after the cutting edge 51 passes over the assist line AL for forming the trench line TL can be avoided.

次に実施の形態1の変形例について、以下に説明する。   Next, a modification of the first embodiment will be described below.

図18を参照して、アシストラインALがトレンチラインTLを交差することをきっかけとして、クラックラインCLが形成されてもよい。アシストラインALの形成時にガラス基板11に加わる応力が大きい場合、このような事象が生じ得る。   Referring to FIG. 18, crack line CL may be formed in response to assist line AL intersecting trench line TL. Such a phenomenon may occur when the stress applied to the glass substrate 11 is large when the assist line AL is formed.

図19を参照して、ガラス基板11の上面SF1に、まずアシストラインALが形成され、その後にトレンチラインTL(図19において図示せず)が形成されてもよい。   Referring to FIG. 19, assist line AL may first be formed on upper surface SF <b> 1 of glass substrate 11, and then trench line TL (not shown in FIG. 19) may be formed.

図20を参照して、アシストラインALは、平面レイアウトにおいて高荷重区間HRと交差するように、ガラス基板11の下面SF2上に形成されてもよい。これにより、アシストラインALおよびトレンチラインTLの両方を、互いに影響を及ぼし合うことなく形成することができる。   Referring to FIG. 20, assist line AL may be formed on lower surface SF2 of glass substrate 11 so as to intersect high load section HR in the planar layout. Thereby, both the assist line AL and the trench line TL can be formed without affecting each other.

図21(A)および(B)を参照して、スクライブ器具50(図17(A)および(B))の代わりに、スクライブ器具50vが用いられてもよい。刃先51vは、頂点と、円錐面SCとを有する円錐形状を有する。刃先51vの突起部PPvは頂点で構成されている。刃先の側部PSvは頂点から円錐面SC上に延びる仮想線(図21(B)における破線)に沿って構成されている。これにより側部PSvは、線状に延びる凸形状を有する。   Referring to FIGS. 21A and 21B, a scribe device 50v may be used instead of the scribe device 50 (FIGS. 17A and 17B). The blade edge 51v has a conical shape having a vertex and a conical surface SC. The protruding part PPv of the blade edge 51v is constituted by a vertex. The side portion PSv of the blade edge is configured along a virtual line (broken line in FIG. 21B) extending from the apex to the conical surface SC. Thereby, the side part PSv has a convex shape extending linearly.

(実施の形態2)
図22を参照して、まずガラス基板11が準備される。また刃先を有するスクライブ器具が準備される。スクライブ器具の詳細については後述する。
(Embodiment 2)
Referring to FIG. 22, first, glass substrate 11 is prepared. A scribing instrument having a cutting edge is also prepared. Details of the scribing device will be described later.

次に、ガラス基板11の上面SF1上における方向DBへの刃先の移動により、後述する高荷重区間HR(図23)に交差することになるアシストラインALが上面SF1上に形成される。   Next, by moving the blade edge in the direction DB on the upper surface SF1 of the glass substrate 11, an assist line AL that intersects a later-described high load section HR (FIG. 23) is formed on the upper surface SF1.

図23を参照して、方向DBへの刃先の移動により、ガラス基板11の上面SF1上において始点Q1から途中点Q2を経由して終点Q3までトレンチラインTLが形成される。始点Q1から途中点Q2までのトレンチラインTLは高荷重区間HRとして形成される。途中点Q2から終点Q3までのトレンチラインTLは低荷重区間LRとして形成される。   Referring to FIG. 23, by moving the blade edge in direction DB, trench line TL is formed on upper surface SF1 of glass substrate 11 from start point Q1 through intermediate point Q2 to end point Q3. The trench line TL from the start point Q1 to the midpoint Q2 is formed as a high load section HR. The trench line TL from the midpoint Q2 to the end point Q3 is formed as a low load section LR.

次に、アシストラインALに沿ってガラス基板11が分離される。この分離は、通常のブレーク工程によって行い得る。この分離をきっかけとして、厚さ方向におけるガラス基板11のクラックがトレンチラインTLに沿って、トレンチラインTLのうち高荷重区間HRにのみ伸展させられる。   Next, the glass substrate 11 is separated along the assist line AL. This separation can be performed by a normal break process. As a result of this separation, the crack of the glass substrate 11 in the thickness direction is extended along the trench line TL only in the high load section HR of the trench line TL.

図24を参照して、上述したクラックの伸展により、トレンチラインTLの一部に沿ってクラックラインCLが形成される。具体的には、高荷重区間HRのうち、分離によって新たに生じた辺と、途中点Q2との間の部分に、クラックラインCLが形成される。クラックラインCLが形成される方向は、トレンチラインTLが形成された方向DB(図23)と同じである。なお、分離によって新たに生じた辺と途中点Q2との間の部分にはクラックラインCLが形成されにくい。この方向依存性は、高荷重区間HRの形成時における刃先の状態に起因するものであり、詳しくは後述する。   Referring to FIG. 24, the crack line CL is formed along a part of the trench line TL by the extension of the crack described above. Specifically, the crack line CL is formed in a portion between the side newly generated by the separation and the midpoint Q2 in the high load section HR. The direction in which the crack line CL is formed is the same as the direction DB (FIG. 23) in which the trench line TL is formed. Note that the crack line CL is not easily formed in a portion between the side newly generated by the separation and the midpoint Q2. This direction dependency is caused by the state of the cutting edge when the high load section HR is formed, and will be described in detail later.

次に、実施の形態1と同様のブレーク工程(図12〜図16)により、クラックラインCLを起点としてトレンチラインTLに沿って途中点Q2から終点Q3に向かってクラックを伸展させるブレーク工程が行われる。これにより脆性基板11が分断される。   Next, a break process for extending the crack from the halfway point Q2 to the end point Q3 along the trench line TL with the crack line CL as the starting point is performed by the same break process (FIGS. 12 to 16) as in the first embodiment. Is called. Thereby, the brittle substrate 11 is divided.

図25および図26を参照して、第1の変形例として、まずトレンチラインTLが形成され、その後、アシストラインALが形成されてもよい。図27を参照して、第2の変形例として、アシストラインALの形成をきっかけとして、クラックラインCLが形成されてもよい。図28を参照して、アシストラインALは、平面レイアウトにおいて高荷重区間HRと交差するように、ガラス基板11の下面SF2上に形成されてもよい。また本実施の形態においては高荷重区間HRが始点Q1から形成されるが、高荷重区間HRはアシストラインALと交差する部分に形成されていればよい。たとえば、始点Q1から、アシストラインALと交差する箇所の手前まで、低荷重区間LRが形成され、それに続いて、アシストラインALと交差するように高荷重区間HRが形成されてもよい。   Referring to FIGS. 25 and 26, as a first modification, first, trench line TL may be formed, and then assist line AL may be formed. Referring to FIG. 27, as a second modification, crack line CL may be formed with the formation of assist line AL as a trigger. Referring to FIG. 28, assist line AL may be formed on lower surface SF2 of glass substrate 11 so as to intersect high load section HR in the planar layout. In the present embodiment, the high load section HR is formed from the start point Q1, but the high load section HR may be formed at a portion that intersects the assist line AL. For example, the low load section LR may be formed from the start point Q1 to a position just before the intersection with the assist line AL, and subsequently, the high load section HR may be formed so as to intersect with the assist line AL.

図29を参照して、本実施の形態におけるトレンチラインTLの形成に適したスクライブ器具50Rについて説明する。スクライブ器具50Rは、スクライビングホイール51Rと、ホルダ52Rと、ピン53とを有する。スクライビングホイール51Rは、おおよそ円盤状の形状を有しており、その直径は、典型的には数mm程度である。スクライビングホイール51Rは、ホルダ52Rにピン53を介して、回転軸RX周りに回転可能に保持されている。   With reference to FIG. 29, a scribe tool 50R suitable for forming the trench line TL in the present embodiment will be described. The scribe device 50R includes a scribing wheel 51R, a holder 52R, and a pin 53. The scribing wheel 51R has a substantially disk shape, and its diameter is typically about several millimeters. The scribing wheel 51R is held by a holder 52R via a pin 53 so as to be rotatable around a rotation axis RX.

スクライビングホイール51Rは、刃先が設けられた外周部PFを有する。外周部PFは、回転軸RX周りに円環状に延びている。外周部PFは、図30(A)に示すように、目視レベルでは稜線状に切り立っており、それによって、稜線と傾斜面とからなる刃先を構成している。一方、顕微鏡レベルでは、図30(B)に示すように、スクライビングホイール51Rが上面SF1内へ侵入することによって実際に作用する部分(図30(B)の二点鎖線よりも下方)において外周部PFの稜線は微細な表面形状MSを有する。表面形状MSは、正面視(図30(B))において、有限の曲率半径を有する曲線形状を有することが好ましい。スクライビングホイール51Rは、超硬合金、焼結ダイヤモンド、多結晶ダイヤモンドまたは単結晶ダイヤモンドなどの硬質材料を用いて形成されている。上述した稜線および傾斜面の表面粗さを小さくする観点でスクライビングホイール51R全体が単結晶ダイヤモンドから作られてもよい。   The scribing wheel 51R has an outer peripheral portion PF provided with a cutting edge. The outer peripheral portion PF extends in an annular shape around the rotation axis RX. As shown in FIG. 30A, the outer peripheral portion PF stands up like a ridge line at the visual level, thereby forming a cutting edge composed of a ridge line and an inclined surface. On the other hand, at the microscope level, as shown in FIG. 30 (B), the outer peripheral portion in the portion (below the two-dot chain line in FIG. 30 (B)) that actually acts when the scribing wheel 51R enters the upper surface SF1. The ridge line of the PF has a fine surface shape MS. Surface shape MS preferably has a curved shape having a finite radius of curvature in a front view (FIG. 30B). The scribing wheel 51R is formed using a hard material such as cemented carbide, sintered diamond, polycrystalline diamond, or single crystal diamond. The entire scribing wheel 51R may be made of single crystal diamond from the viewpoint of reducing the surface roughness of the ridgeline and the inclined surface.

スクライブ器具50Rを用いたトレンチラインTLの形成は、ガラス基板11の上面SF1上でスクライビングホイール51Rを転動させることによって(図29:矢印RT)、スクライビングホイール51Rが上面SF1上を進行方向DBへと進行することにより行われる。この転動による進行は、スクライビングホイール51Rに荷重Fを加えることによってスクライビングホイール51Rの外周部PFをガラス基板11の上面SF1上へ押し付けながら行われる。これによりガラス基板11の上面SF1上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインTLが形成される。荷重Fは、ガラス基板11の厚さ方向DTに平行な垂直成分Fpと、上面SF1に平行な面内成分Fiとを有する。進行方向DBは面内成分Fiの方向と同じである。   The formation of the trench line TL using the scribe device 50R is performed by rolling the scribing wheel 51R on the upper surface SF1 of the glass substrate 11 (FIG. 29: arrow RT), so that the scribing wheel 51R moves on the upper surface SF1 in the traveling direction DB. And is done by proceeding. Progression by this rolling is performed while pressing the outer peripheral portion PF of the scribing wheel 51R onto the upper surface SF1 of the glass substrate 11 by applying a load F to the scribing wheel 51R. As a result, by causing plastic deformation on the upper surface SF1 of the glass substrate 11, a trench line TL having a groove shape is formed. The load F has a vertical component Fp parallel to the thickness direction DT of the glass substrate 11 and an in-plane component Fi parallel to the upper surface SF1. The traveling direction DB is the same as the direction of the in-plane component Fi.

なお、トレンチラインTLの形成は、方向DBへ移動するスクライブ器具50Rによる代わりに、方向DBへ移動するスクライブ器具50(図17(A)および(B))または50v(図21(A)および(B))が用いられてもよい。   In addition, the formation of the trench line TL is not performed by the scribe tool 50R moving in the direction DB, but the scribe tool 50 (FIGS. 17A and 17B) or 50v (FIGS. 21A and 21B) moving in the direction DB. B)) may be used.

なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。   Since the configuration other than the above is substantially the same as the configuration of the first embodiment described above, the same or corresponding elements are denoted by the same reference numerals, and description thereof is not repeated.

本実施の形態によっても、実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。また本実施の形態においては、固定された刃先ではなく回転する刃先を用いてトレンチラインTLを形成することができるため、刃先の寿命を長くすることができる。   Also according to the present embodiment, substantially the same effect as in the first embodiment can be obtained. In the present embodiment, since the trench line TL can be formed using a rotating blade edge instead of a fixed blade edge, the life of the blade edge can be extended.

(実施の形態3)
図31を参照して、まず、ガラス基板11と、刃先を有するスクライブ器具とが準備される。刃先の移動により、ガラス基板11の上面SF1上において点R1およびR6の間にトレンチラインTLが形成される。点R1および点R2の間と、点R3およびR4の間と、点R5およびR6の間のトレンチラインTLは高荷重区間HRとして形成される。点R2およびR3の間と、点R4およびR5の間のトレンチラインTLは低荷重区間LRとして形成される。トレンチラインTLの形成方法は、上述した実施の形態1または2(それらの変形例を含む)で説明した任意のものを用い得る。
(Embodiment 3)
With reference to FIG. 31, first, a glass substrate 11 and a scribe tool having a blade edge are prepared. Due to the movement of the blade edge, a trench line TL is formed between the points R1 and R6 on the upper surface SF1 of the glass substrate 11. A trench line TL between the points R1 and R2, between the points R3 and R4, and between the points R5 and R6 is formed as a high load section HR. A trench line TL between the points R2 and R3 and between the points R4 and R5 is formed as a low load section LR. As a method for forming trench line TL, any of those described in the first or second embodiment (including modifications thereof) can be used.

次に、各々が高荷重区間HRに交差する複数のブレークラインBLに沿って、ガラス基板11が分離される。このブレークラインBLの形成は、通常のスクライブ工程やトレンチラインTLから垂直クラックを発生させる工程など、どのような方法で行われてもよく、ブレークラインBLの分離は通常のブレーク工程によって行い得る。   Next, the glass substrate 11 is separated along a plurality of break lines BL each intersecting the high load section HR. The break line BL may be formed by any method such as a normal scribe process or a process of generating a vertical crack from the trench line TL, and the break line BL can be separated by a normal break process.

図32を参照して、上述したガラス基板11の分離をきっかけとして、分離によって新たに生じた辺と、その辺を挟む1対の途中点のうちの一方との間の部分に、クラックラインCLが形成される。クラックラインCLが形成される方向は、トレンチラインTLが方向DA(図17(A)または図21(A))へ形成された場合は方向DAと反対であり、トレンチラインTLが方向DB(図17(A)、図21(A)または図29)へ形成された場合は方向DBと同じである。   Referring to FIG. 32, with the separation of glass substrate 11 described above as a trigger, a crack line CL is formed in a portion between a side newly generated by the separation and one of a pair of intermediate points sandwiching the side. Is formed. The direction in which the crack line CL is formed is opposite to the direction DA when the trench line TL is formed in the direction DA (FIG. 17A or 21A), and the trench line TL is in the direction DB (FIG. 17 (A), FIG. 21 (A) or FIG. 29) is the same as the direction DB.

次に、実施の形態1と同様のブレーク工程(図12〜図16)により、クラックラインCLを起点としてトレンチラインTLに沿ってクラックを伸展させるブレーク工程が行われる。これにより脆性基板11が分断される。   Next, a break process for extending cracks along the trench line TL starting from the crack line CL is performed by the same break process (FIGS. 12 to 16) as in the first embodiment. Thereby, the brittle substrate 11 is divided.

本実施の形態によれば、ガラス基板11が分断される位置を、複数のトレンチラインTLと、それに交差する複数のブレークラインBLとによって規定することができる。   According to the present embodiment, the position where the glass substrate 11 is divided can be defined by the plurality of trench lines TL and the plurality of break lines BL intersecting therewith.

(実施の形態4)
図33を参照して、刃先51の方向DAへの移動により(図17(A)参照)、ガラス基板11の上面SF1上において端点S1およびS3の間にトレンチラインが方向DLに形成される。端点S1および途中点S2の間のトレンチラインTLは低荷重区間LRとして形成される。途中点S2および端点S3の間のトレンチラインTLは高荷重区間HRとして形成される。
(Embodiment 4)
Referring to FIG. 33, by moving blade edge 51 in direction DA (see FIG. 17A), a trench line is formed between end points S1 and S3 on upper surface SF1 of glass substrate 11 in direction DL. A trench line TL between the end point S1 and the midpoint S2 is formed as a low load section LR. The trench line TL between the midpoint S2 and the end point S3 is formed as a high load section HR.

図34を参照して、次に、刃先51をガラス基板11の上面SF1上へ押し付けながらガラス基板11の上面SF1上で刃先51を方向DA(図17(A))移動させることによって、ガラス基板11の上面SF1上に塑性変形を発生させることで、上面SF1上においてトレンチラインTLの低荷重区間LRと交差する交差トレンチラインTMが、方向DMに形成される。交差トレンチラインTMを形成する工程は、トレンチラインTLと同様、クラックレス状態が得られるように行われる。つまり、交差トレンチラインTMを形成する工程は、交差トレンチラインTMの直下においてガラス基板11が交差トレンチラインTMと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われる。   Referring to FIG. 34, the glass substrate is then moved by moving the blade edge 51 in the direction DA (FIG. 17A) on the upper surface SF1 of the glass substrate 11 while pressing the blade edge 51 onto the upper surface SF1 of the glass substrate 11. By causing plastic deformation on the upper surface SF1 of 11, the intersecting trench line TM intersecting the low load section LR of the trench line TL on the upper surface SF1 is formed in the direction DM. The step of forming the intersecting trench line TM is performed so that a crackless state can be obtained in the same manner as the trench line TL. That is, the step of forming the intersecting trench line TM is performed so as to obtain a crackless state in which the glass substrate 11 is continuously connected in the direction intersecting the intersecting trench line TM immediately below the intersecting trench line TM. Is called.

次に、交差トレンチラインTMと交差するブレークラインBMに沿ってガラス基板11が分離される。この分離は、通常のスクライブ工程およびブレーク工程によって行い得る。ブレークラインBMは、交差トレンチラインTMとトレンチラインTLとの交差点から方向DMへずれた点において交差トレンチラインTMと交差する。この分離をきっかけとして、交差トレンチラインTMに沿って、ガラス基板11の厚さ方向に浸透するクラックを伴うクラックラインCM(図35)が形成される。   Next, the glass substrate 11 is separated along the break line BM that intersects the intersecting trench line TM. This separation can be performed by a normal scribe process and a break process. The break line BM intersects the intersecting trench line TM at a point shifted in the direction DM from the intersection between the intersecting trench line TM and the trench line TL. As a result of this separation, a crack line CM (FIG. 35) accompanied by cracks penetrating in the thickness direction of the glass substrate 11 is formed along the intersecting trench line TM.

次に、トレンチラインTLの高荷重区間HRに交差するブレークラインBLに沿ってガラス基板11が分離される。この分離は、通常のスクライブ工程およびブレーク工程によって行い得る。この分離をきっかけとして、高荷重区間HRに沿って、ガラス基板11の厚さ方向に浸透するクラックを伴うクラックラインCL(図36)が形成される。   Next, the glass substrate 11 is separated along the break line BL intersecting the high load section HR of the trench line TL. This separation can be performed by a normal scribe process and a break process. As a result of this separation, a crack line CL (FIG. 36) with cracks penetrating in the thickness direction of the glass substrate 11 is formed along the high load section HR.

次に、実施の形態1と同様のブレーク工程(図12〜図16)により、クラックラインCLを起点としてトレンチラインTLに沿ってクラックを伸展させるブレーク工程が行われる。これによりトレンチラインTLに沿って脆性基板11が分断される(図37)。その後、クラックラインCMに沿ってブレーク工程が行われ、脆性基板11がさらに分断される。   Next, a break process for extending cracks along the trench line TL starting from the crack line CL is performed by the same break process (FIGS. 12 to 16) as in the first embodiment. Thereby, the brittle substrate 11 is divided along the trench line TL (FIG. 37). Thereafter, a break process is performed along the crack line CM, and the brittle substrate 11 is further divided.

本実施の形態によれば、ガラス基板11が分断される位置を、トレンチラインTLと、それに交差する交差トレンチラインTMとによって規定することができる。   According to the present embodiment, the position where the glass substrate 11 is divided can be defined by the trench line TL and the intersecting trench line TM intersecting with the trench line TL.

なお、刃先51(図17(A))に代わり、刃先51v(図21(A))が用いられてもよい。またトレンチラインTLの形成は、方向DL(図33)と逆方向に行われてもよく、その場合、刃先51(図17(A))は方向DBへ移動される。同様に、交差トレンチラインTMの形成は、方向DM(図34)と逆方向に行われてもよく、その場合、刃先51(図17(A))は方向DBへ移動される。刃先が方向DBへ移動される場合は、刃先51に代わり、スクライビングホイール51R(図29)の刃先が用いられてもよい。   Note that the blade edge 51v (FIG. 21A) may be used instead of the blade edge 51 (FIG. 17A). Further, the formation of the trench line TL may be performed in the direction opposite to the direction DL (FIG. 33), and in this case, the blade edge 51 (FIG. 17A) is moved in the direction DB. Similarly, the formation of the intersecting trench line TM may be performed in the direction opposite to the direction DM (FIG. 34), and in this case, the blade edge 51 (FIG. 17A) is moved in the direction DB. When the cutting edge is moved in the direction DB, the cutting edge of the scribing wheel 51R (FIG. 29) may be used instead of the cutting edge 51.

(実施の形態5)
図38を参照して、荷重を加えることによってスクライビングホイール51R(図29)の刃先をガラス基板11の上面SF1上へ押し付けながら、上面SF1上で刃先を方向DB(図29)へ移動させる。これによってガラス基板11の上面SF1上に塑性変形が発生する。この結果、交差トレンチラインTMが上面SF1上で方向DM(図38)へ形成される。交差トレンチラインTMの形成が開始される際、スクライビングホイール51R(図29)の刃先は、ガラス基板11の縁に乗り上げる動作を行う。この時、ガラス基板11の縁には微細な欠けCPが生じる。この結果、交差トレンチラインTMの一方端には、ガラス基板11の縁上に位置する欠けCPが設けられる。
(Embodiment 5)
Referring to FIG. 38, by applying a load, the cutting edge of scribing wheel 51R (FIG. 29) is moved on top surface SF1 of glass substrate 11 while the cutting edge is moved in direction DB (FIG. 29). As a result, plastic deformation occurs on the upper surface SF1 of the glass substrate 11. As a result, the intersecting trench line TM is formed in the direction DM (FIG. 38) on the upper surface SF1. When the formation of the intersecting trench line TM is started, the cutting edge of the scribing wheel 51R (FIG. 29) performs an operation of riding on the edge of the glass substrate 11. At this time, a minute chip CP is generated at the edge of the glass substrate 11. As a result, a chip CP located on the edge of the glass substrate 11 is provided at one end of the intersecting trench line TM.

図39を参照して、次に、上面SF1上で刃先を移動させることにより、上面SF1上でトレンチラインTLが点T1およびT6の間に形成される。点T1およびT2の間と、点T3およびT4の間と、点T5およびT6の間のトレンチラインTLは高荷重区間HRとして形成される。点T2およびT3の間と、点T4およびT5の間のトレンチラインTLは低荷重区間LRとして形成される。交差トレンチラインTMは、上面SF1上において高荷重区間HRと交差する。なおトレンチラインTLの形成方法は、上述した実施の形態1または2(それらの変形例を含む)で説明した任意のものを用い得る。   Referring to FIG. 39, next, by moving the cutting edge on upper surface SF1, trench line TL is formed between points T1 and T6 on upper surface SF1. A trench line TL between the points T1 and T2, between the points T3 and T4, and between the points T5 and T6 is formed as a high load section HR. A trench line TL between the points T2 and T3 and between the points T4 and T5 is formed as a low load section LR. The intersecting trench line TM intersects the high load section HR on the upper surface SF1. The method for forming trench line TL may be any of those described in the above-described first or second embodiment (including modifications thereof).

次に、欠けCPを起点として交差トレンチラインTMに沿ってクラックが伸展させられる。これにより交差トレンチラインTMに沿ってガラス基板11が分離される(図40)。この分離をきっかけとして、分離によって新たに生じた辺と、その辺を挟む1対の途中点のうちの一方との間の部分において、高荷重区間HRにクラックラインCLが形成される。   Next, cracks are extended along the intersecting trench line TM from the chip CP. Thereby, the glass substrate 11 is separated along the intersecting trench line TM (FIG. 40). As a result of this separation, a crack line CL is formed in the high load section HR at a portion between a side newly generated by the separation and one of a pair of intermediate points sandwiching the side.

次に、実施の形態1と同様のブレーク工程(図12〜図16)により、クラックラインCLを起点としてトレンチラインTLに沿ってクラックを伸展させるブレーク工程が行われる。これにより脆性基板11が分断される。   Next, a break process for extending cracks along the trench line TL starting from the crack line CL is performed by the same break process (FIGS. 12 to 16) as in the first embodiment. Thereby, the brittle substrate 11 is divided.

本実施の形態によっても、実施の形態4とほぼ同様の効果が得られる。また本実施の形態によれば、交差トレンチラインTMに沿ったクラックを発生させる起点として欠けCPを利用する。よって交差トレンチラインTMに交差するブレークラインBM(図34)に沿ったブレーク工程を省略することができる。またガラス基板11の縁に乗り上げる刃先がスクライビングホイール51R(図29)のものであることにより、固定された刃先である刃先51(図17(A))または51v(図21(A))が用いられる場合に比して、乗り上げによって刃先に加わるダメージが抑えられる。なお、このダメージが特に問題とならない場合、スクライビングホイール51R(図29)の刃先に代わり、刃先51または刃先51vを用いることも可能である。   Also according to the present embodiment, substantially the same effect as in the fourth embodiment can be obtained. Further, according to the present embodiment, the chip CP is used as a starting point for generating a crack along the intersecting trench line TM. Therefore, the break process along the break line BM (FIG. 34) intersecting the intersecting trench line TM can be omitted. Further, since the cutting edge that rides on the edge of the glass substrate 11 is that of the scribing wheel 51R (FIG. 29), the cutting edge 51 (FIG. 17A) or 51v (FIG. 21A) that is a fixed cutting edge is used. As compared with the case where it is done, the damage applied to the blade edge by the ride is suppressed. If this damage is not particularly problematic, it is possible to use the cutting edge 51 or the cutting edge 51v instead of the cutting edge of the scribing wheel 51R (FIG. 29).

(実施の形態6)
図41(A)および図42(A)を参照して、はじめに、本実施の形態におけるガラス基板11の分断装置について説明する。分断装置は、スクライブ器具50(図17(A)も参照)と、コンベア70と、ブレークローラ61と、補助ローラ62とを有する。コンベア70は、ガラス基板11の上面SF1を露出しつつガラス基板11を方向CVへ搬送するものである。スクライブ器具50はスクライブヘッド(図示せず)に固定されており、コンベア70によって移動させられるガラス基板11と接触することによって、ガラス基板11の上面SF1をスクライブするものである。ブレークローラ61は、ブレーク工程を行うためにガラス基板11の下面SF2を局所的に押し付ける部材である。補助ローラ62は、ブレークローラ61による下面SF2上への押し付けが行えるよう、反対面である上面SF1上でガラス基板11に接触するローラである。ブレークローラ61による押し付けによってガラス基板11が安定的に撓むことができるように、平面レイアウト(図41(A))において補助ローラ62はブレークローラ61と異なる位置に配置されており、好ましくは、回転軸方向(図41(A)における縦方向)においてブレークローラを挟むように配置されている。
(Embodiment 6)
With reference to FIG. 41 (A) and FIG. 42 (A), the cutting apparatus of the glass substrate 11 in this Embodiment is demonstrated first. The cutting device includes a scribe device 50 (see also FIG. 17A), a conveyor 70, a break roller 61, and an auxiliary roller 62. The conveyor 70 conveys the glass substrate 11 in the direction CV while exposing the upper surface SF1 of the glass substrate 11. The scribe device 50 is fixed to a scribe head (not shown), and scribes the upper surface SF <b> 1 of the glass substrate 11 by contacting the glass substrate 11 moved by the conveyor 70. The break roller 61 is a member that locally presses the lower surface SF2 of the glass substrate 11 in order to perform a break process. The auxiliary roller 62 is a roller that comes into contact with the glass substrate 11 on the upper surface SF1 that is the opposite surface so that the break roller 61 can be pressed onto the lower surface SF2. The auxiliary roller 62 is disposed at a position different from the break roller 61 in the planar layout (FIG. 41A) so that the glass substrate 11 can be stably bent by being pressed by the break roller 61. Preferably, The break rollers are disposed so as to sandwich the rotation axis direction (vertical direction in FIG. 41A).

なお、図41(A)および図42(A)において図を見やすくするために、コンベア70は二点鎖線によって模式的に示している。他の図においても同様である。   In addition, in order to make a figure legible in FIG. 41 (A) and FIG. 42 (A), the conveyor 70 is typically shown with the dashed-two dotted line. The same applies to the other drawings.

次に、上述した分断装置による分断方法について、以下に説明する。   Next, the cutting method by the above-described cutting apparatus will be described below.

コンベア70の搬送方向CVへの移動に従って、ガラス基板11が搬送方向CVへ搬送される。これにより、スクライブ器具50の刃先51(図17も参照)がガラス基板11の右縁から上面SF1上へ乗り上げる。この乗り上げにより、ガラス基板11の右縁に欠けCPが形成される。   As the conveyor 70 moves in the conveyance direction CV, the glass substrate 11 is conveyed in the conveyance direction CV. As a result, the cutting edge 51 (see also FIG. 17) of the scribe instrument 50 runs from the right edge of the glass substrate 11 onto the upper surface SF1. Due to this riding, a chip CP is formed on the right edge of the glass substrate 11.

上面SF1上に乗り上げた刃先51は、ガラス基板11の搬送方向CVへの移動により、ガラス基板11の上面SF1に対して相対的に搬送方向CVと反対方向に移動する。上面SF1に対する刃先51の相対的な移動方向は、方向DB(図17(A))に対応するものとされる。この移動中、刃先51に荷重が加えられることで、上面SF1上に、トレンチラインTLの高荷重区間HRが形成される。   The cutting edge 51 riding on the upper surface SF1 moves in the direction opposite to the transport direction CV relative to the upper surface SF1 of the glass substrate 11 by moving the glass substrate 11 in the transport direction CV. The relative moving direction of the blade edge 51 with respect to the upper surface SF1 corresponds to the direction DB (FIG. 17A). During this movement, a load is applied to the cutting edge 51, whereby a high load section HR of the trench line TL is formed on the upper surface SF1.

図41(B)および図42(B)を参照して、ガラス基板11がさらに搬送された後、刃先51に加えられる荷重が高荷重区間HRにおけるものよりも小さくされることにより、トレンチラインTLの低荷重区間LRの形成が開始される。   41 (B) and 42 (B), after the glass substrate 11 is further transported, the load applied to the blade edge 51 is made smaller than that in the high load section HR, so that the trench line TL Formation of the low load section LR is started.

図41(C)および図42(C)を参照して、ガラス基板11がさらに搬送されることで、ブレークローラ61および補助ローラ62による、欠けCPが設けられた高荷重区間HRへの応力印加が行われる。これにより、欠けCPからクラックが伸展し、その結果、高荷重区間HRにクラックラインCLが形成される。図42(C)においては、クラックラインCLはガラス基板11を厚さ方向に貫通して下面SF2にまで達している。   41 (C) and 42 (C), when glass substrate 11 is further conveyed, stress is applied to high load section HR provided with chip CP by break roller 61 and auxiliary roller 62. Is done. Thereby, a crack extends from the chip CP, and as a result, a crack line CL is formed in the high load section HR. In FIG. 42C, the crack line CL penetrates the glass substrate 11 in the thickness direction and reaches the lower surface SF2.

図41(D)および図42(D)を参照して、ガラス基板11がさらに搬送されることで、ブレークローラ61および補助ローラ62による、低荷重区間LRへの応力印加が開始される。低荷重区間LRのうち応力印加を受けた部分まで、上述したクラックラインCLからクラックが伸展する。以降、ガラス基板11の搬送の進行に従って、低荷重区間LRにおいてクラックが伸展する。クラックが伸展させられている際に、スクライブ器具50により低荷重区間LRが形成されることで、低荷重区間LRが延長される。これにより、トレンチラインTLの低荷重区間LRを延長しつつ、延長された長さに応じてガラス基板11の分断が進行する。すなわちガラス基板11の連続的な分断が進行する。   Referring to FIGS. 41 (D) and 42 (D), when glass substrate 11 is further conveyed, application of stress to low load section LR by break roller 61 and auxiliary roller 62 is started. The crack extends from the crack line CL described above to the portion of the low load section LR that has been subjected to stress application. Thereafter, as the glass substrate 11 is conveyed, cracks extend in the low load section LR. When the crack is extended, the low load section LR is extended by forming the low load section LR by the scribe device 50. Thereby, the glass substrate 11 is divided according to the extended length while extending the low load section LR of the trench line TL. That is, the continuous division of the glass substrate 11 proceeds.

本実施の形態によれば、ガラス基板11を連続的に分断することができる。これにより、ガラス基板11の長さについての制約を受けずにガラス基板11を分断することができる。   According to this Embodiment, the glass substrate 11 can be divided | segmented continuously. Thereby, the glass substrate 11 can be divided without being restricted by the length of the glass substrate 11.

また、高荷重区間HRと異なり低荷重区間LRにおいては、ブレークローラ61による応力印加を未だ受けていない部分にまでクラックが伸展しにくい。よって、図42(D)に示す連続分断工程において、クラックが刃先51に達したり、さらに刃先51の位置を超えて伸展したりすることが防止される。これにより、ガラス基板11の連続的な分断を安定的に行うことができる。   In addition, unlike the high load section HR, in the low load section LR, the crack is difficult to extend to a portion where the stress application by the break roller 61 has not yet been received. Therefore, it is possible to prevent the crack from reaching the blade edge 51 and further extending beyond the position of the blade edge 51 in the continuous dividing step shown in FIG. Thereby, the continuous division | segmentation of the glass substrate 11 can be performed stably.

なお本実施の形態においてはクラックラインCLを発生させるためにガラス基板11の縁の欠けCPを用いたが、他のきっかけを用いてクラックラインCLが形成されてもよい。またスクライブ器具50に代わり、スクライブ器具50v(図21)または50R(図29)が用いられてもよい。   In the present embodiment, the chip CP at the edge of the glass substrate 11 is used to generate the crack line CL. However, the crack line CL may be formed using other triggers. Further, instead of the scribe device 50, a scribe device 50v (FIG. 21) or 50R (FIG. 29) may be used.

上記各実施の形態による脆性基板の分断方法はガラス基板に対して特に好適に適用されるが、脆性基板は、ガラス以外の材料から作られていてもよい。たとえば、ガラス以外の材料として、セラミックス、シリコン、化合物半導体、サファイア、または石英が用いられてもよい。   Although the method for dividing a brittle substrate according to each of the above embodiments is particularly preferably applied to a glass substrate, the brittle substrate may be made of a material other than glass. For example, ceramics, silicon, a compound semiconductor, sapphire, or quartz may be used as a material other than glass.

AL アシストライン
BL,BM ブレークライン
CL,CM クラックライン
CP 欠け
HR 高荷重区間
SC 円錐面
PF 外周部
SD1 天面
SD2,SD3 側面
AX 軸方向
SF1 上面
SF2 下面
LR 低荷重区間
TL トレンチライン
PP,PPv 突起部
MS 表面形状
TM 交差トレンチライン
PS,PSv 側部
SF2C 対向部分
RX 回転軸
11 ガラス基板(脆性基板)
50,50R,50v スクライブ器具
51,51v 刃先
51R スクライビングホイール
52 シャンク
52R ホルダ
53 ピン
61 ブレークローラ
62 補助ローラ
70 コンベア
80 テーブル
81 敷物
85 ブレークバー
AL Assist line BL, BM Break line CL, CM Crack line CP Chipped HR High load section SC Conical surface PF Outer periphery SD1 Top surface SD2, SD3 Side surface AX Axial direction SF1 Upper surface SF2 Lower surface LR Low load region TL Trench lines PP, PPv Projection Part MS Surface shape TM Cross trench line PS, PSv Side part SF2C Opposing part RX Rotating shaft 11 Glass substrate (brittle substrate)
50, 50R, 50v Scribe tool 51, 51v Cutting edge 51R Scribing wheel 52 Shank 52R Holder 53 Pin 61 Break roller 62 Auxiliary roller 70 Conveyor 80 Table 81 Rug 85 Break bar

Claims (7)

第1の面と前記第1の面と反対の第2の面とを有し、前記第1の面に垂直な厚さ方向を有する脆性基板を準備する工程と、
刃先を前記脆性基板の第1の面上へ押し付けながら前記第1の面上で前記刃先を移動させることによって前記脆性基板の前記第1の面上に塑性変形を発生させることで、トレンチラインを形成する工程を備え、前記トレンチラインを形成する工程は、前記トレンチラインの直下において前記脆性基板が前記トレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われ、前記トレンチラインを形成する工程は、
トレンチラインの一部として低荷重区間を形成する工程と、
トレンチラインの一部として高荷重区間を形成する工程とを含み、前記高荷重区間を形成する工程において前記刃先に加えられる荷重は、前記低荷重区間を形成する工程で用いられる荷重よりも高く、さらに
前記厚さ方向における前記脆性基板のクラックを前記トレンチラインに沿って、前記トレンチラインのうち前記高荷重区間にのみ伸展させることによって、前記トレンチラインの一部に沿ってクラックラインを形成する工程と、
前記クラックラインを形成する工程の後に、前記トレンチラインに沿って前記脆性基板を分断する工程とを備え、前記脆性基板を分断する工程は、前記脆性基板に応力を加えることによって前記クラックラインを起点として前記低荷重区間に沿ってクラックを伸展させる工程を含む、
脆性基板の分断方法。
Providing a brittle substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a thickness direction perpendicular to the first surface;
A trench line is formed by generating plastic deformation on the first surface of the brittle substrate by moving the blade edge on the first surface while pressing the blade edge onto the first surface of the brittle substrate. A step of forming the trench line so as to obtain a crackless state in which the brittle substrate is continuously connected in the direction intersecting the trench line immediately below the trench line. And forming the trench line includes:
Forming a low load section as part of the trench line;
Forming a high load section as a part of the trench line, the load applied to the cutting edge in the step of forming the high load section is higher than the load used in the step of forming the low load section, Furthermore, a step of forming a crack line along a part of the trench line by extending a crack of the brittle substrate in the thickness direction along the trench line and only in the high load section of the trench line. When,
A step of dividing the brittle substrate along the trench line after the step of forming the crack line, and the step of dividing the brittle substrate starts from the crack line by applying stress to the brittle substrate. Including a step of extending cracks along the low load section,
Method for cutting a brittle substrate.
前記クラックラインを形成する工程は、前記脆性基板の前記厚さ方向に浸透するクラックを伴い前記脆性基板の前記第1の面上において前記高荷重区間に交差するアシストラインを形成する工程を含む、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。   The step of forming the crack line includes a step of forming an assist line intersecting the high load section on the first surface of the brittle substrate with a crack penetrating in the thickness direction of the brittle substrate. The method for dividing a brittle substrate according to claim 1. 前記クラックラインを形成する工程は、前記アシストラインに沿って前記脆性基板を分離する工程を含む、請求項2に記載の脆性基板の分断方法。   The method for cutting a brittle substrate according to claim 2, wherein the step of forming the crack line includes a step of separating the brittle substrate along the assist line. 前記脆性基板の前記第2の面上にアシストラインを形成する工程をさらに備え、前記アシストラインは平面レイアウトにおいて前記高荷重区間と交差しており、
前記クラックラインを形成する工程は、前記アシストラインに沿って前記脆性基板を分離する工程を含む、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。
Further comprising forming an assist line on the second surface of the brittle substrate, the assist line intersecting the high load section in a planar layout;
The method for cutting a brittle substrate according to claim 1, wherein the step of forming the crack line includes a step of separating the brittle substrate along the assist line.
前記トレンチラインを形成する工程の後に、刃先を前記脆性基板の第1の面上へ押し付けながら前記脆性基板の前記第1の面上で前記刃先を移動させることによって前記脆性基板の前記第1の面上に塑性変形を発生させることで、前記第1の面上において前記トレンチラインの前記低荷重区間と交差する交差トレンチラインを形成する工程をさらに備え、前記交差トレンチラインを形成する工程は、前記交差トレンチラインの直下において前記脆性基板が前記交差トレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われ、さらに
前記交差トレンチラインに沿って、前記脆性基板の前記厚さ方向に浸透するクラックを伴うクラックラインを形成する工程をさらに備える、
請求項1から4のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
After the step of forming the trench line, the cutting edge is moved on the first surface of the brittle substrate while pressing the cutting edge onto the first surface of the brittle substrate, thereby moving the first edge of the brittle substrate. Forming a cross trench line intersecting the low load section of the trench line on the first surface by generating plastic deformation on the surface, and forming the cross trench line, It is performed so as to obtain a crackless state in which the brittle substrate is continuously connected in a direction intersecting the intersecting trench line immediately below the intersecting trench line, and further along the intersecting trench line, Further comprising the step of forming a crack line with cracks penetrating in the thickness direction of the brittle substrate,
The method for dividing a brittle substrate according to any one of claims 1 to 4.
前記トレンチラインを形成する工程の前に、荷重を加えることによって刃先を前記脆性基板の第1の面上へ押し付けながら前記第1の面上で前記刃先を移動させることによって前記脆性基板の前記第1の面上に塑性変形を発生させることで、前記第1の面上において前記トレンチラインの前記高荷重区間と交差することになる交差トレンチラインを形成する工程をさらに備え、前記交差トレンチラインを形成する工程は、前記交差トレンチラインの直下において前記脆性基板が前記交差トレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行われ、さらに
前記クラックラインを形成する工程は、前記交差トレンチラインに沿ってクラックを伸展させることによって前記脆性基板を分離することにより行われる、
請求項1に記載の脆性基板の分断方法。
Prior to the step of forming the trench line, the blade edge is moved on the first surface while applying a load to the blade edge against the first surface of the brittle substrate to move the blade edge of the brittle substrate. Forming a cross trench line that crosses the high load section of the trench line on the first surface by generating plastic deformation on the first surface, the cross trench line comprising: The forming step is performed so as to obtain a crackless state in which the brittle substrate is continuously connected in a direction intersecting the intersecting trench line immediately below the intersecting trench line, and the crack line is further formed. The forming step separates the brittle substrate by extending cracks along the intersecting trench line. Done by
The method for dividing a brittle substrate according to claim 1.
前記クラックを伸展させる工程が行われている際に、前記低荷重区間を形成する工程により前記低荷重区間が延長される、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。   The method for dividing a brittle substrate according to claim 1, wherein the low load section is extended by the step of forming the low load section when the process of extending the crack is performed.
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