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JP6311407B2 - Module parts and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP6311407B2 JP2014073414A JP2014073414A JP6311407B2 JP 6311407 B2 JP6311407 B2 JP 6311407B2 JP 2014073414 A JP2014073414 A JP 2014073414A JP 2014073414 A JP2014073414 A JP 2014073414A JP 6311407 B2 JP6311407 B2 JP 6311407B2
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Description

本発明は、基板上に複数個のチップ部品が搭載されたモジュール部品及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a module component in which a plurality of chip components are mounted on a substrate and a manufacturing method thereof.

近年、高周波帯域で使用するマイクロ波通信機、レーダ装置などの通信機器の利用が増加している。また、伝送容量の増加に伴い高い周波数帯域が使用されてきており、これに対応した通信モジュールが必要とされる。従来、通信機器で使用されるモジュール部品では、基板上に複数個のチップ部品を、接続材料(ロウ材、導電性樹脂等)を介して搭載(実装)し、チップ部品間を金属ワイヤで電気的に接続した構造が採られているものがある。   In recent years, the use of communication devices such as microwave communication devices and radar devices used in a high frequency band has increased. In addition, a high frequency band has been used with an increase in transmission capacity, and a communication module corresponding to this is required. Conventionally, in module parts used in communication equipment, a plurality of chip parts are mounted (mounted) on a substrate via a connecting material (a brazing material, conductive resin, etc.), and the chip parts are electrically connected with metal wires. Some have a connected structure.

しかしながら、金属ワイヤによるチップ部品間の電気的接続では、ループ長を有することから、チップ部品間の接続距離が長くなり、伝送ロスが生じるため、高周波での伝送特性確保が難しい。   However, the electrical connection between the chip parts by the metal wire has a loop length, so that the connection distance between the chip parts becomes long and a transmission loss occurs, so that it is difficult to ensure transmission characteristics at high frequencies.

そこで、チップ部品間の接続距離を短距離で行う構造が提案されている。例えば、特許文献1には、複数個のチップ(チップ部品)間を、配線接続部(接続材料)及び配線基板を介して接続した構造が開示されている。特許文献1では、チップ搭載基板上に複数個のチップが主面を上にした状態で搭載され、この複数個のチップの主面側には配線接続部を介して配線基板のチップ間配線層に接続されている。この配線接続部及びチップ間配線層によりチップ間が電気的に接続される。   Therefore, a structure has been proposed in which the connection distance between chip components is short. For example, Patent Document 1 discloses a structure in which a plurality of chips (chip components) are connected via a wiring connection portion (connection material) and a wiring board. In Patent Document 1, a plurality of chips are mounted on a chip mounting substrate with the main surface facing up, and the inter-chip wiring layer of the wiring substrate is connected to the main surface side of the plurality of chips via a wiring connecting portion. It is connected to the. The chips are electrically connected by the wiring connection portion and the interchip wiring layer.

特開平6−29456号公報JP-A-6-29456

以下の分析は、本願発明者により与えられる。   The following analysis is given by the inventor.

しかしながら、特許文献1に開示された構造では、以下の問題がある。   However, the structure disclosed in Patent Document 1 has the following problems.

第一の問題として、チップ間に厚みの差がある場合や同じ厚みでも搭載位置の高さが異なる場合、チップ間配線層による電気的接続が難しいことが挙げられる。   The first problem is that when there is a difference in thickness between chips, or when the height of the mounting position is different even with the same thickness, it is difficult to electrically connect with the inter-chip wiring layer.

例えば、複数個の厚みの異なるチップをチップ搭載基板上に搭載した後に配線接続部を介して配線基板を接続する際、厚いチップと薄いチップとで接続面積などの状態に差が生じる。そのため、厚いチップと薄いチップの一方又は双方の電極で十分な電気的接続が得られず、接続不良に至りやすい。   For example, when a wiring board is connected via a wiring connecting portion after a plurality of chips having different thicknesses are mounted on the chip mounting board, a difference occurs in the state of connection area between a thick chip and a thin chip. For this reason, sufficient electrical connection cannot be obtained with one or both electrodes of the thick chip and the thin chip, and connection failure is likely to occur.

また、複数のチップを配線接続部を介して配線基板を接続した後にチップ搭載基板上に搭載した場合、薄いチップ側でチップ搭載基板とチップとの間のギャップが広くなったり、薄いチップ側でチップ搭載基板とチップとの間のギャップがないように調整すると薄いチップ側で配線接続部の厚みが厚くなることから、熱伝導性が低下する。そのため、十分な放熱性が得られず特性の劣化や信頼性の低下に至ってしまう。   In addition, when multiple chips are mounted on a chip mounting board after connecting the wiring board via the wiring connecting portion, the gap between the chip mounting board and the chip becomes wider on the thin chip side, or on the thin chip side. If the adjustment is made so that there is no gap between the chip mounting substrate and the chip, the thickness of the wiring connection portion is increased on the thin chip side, so that the thermal conductivity is lowered. Therefore, sufficient heat dissipation cannot be obtained, leading to deterioration of characteristics and deterioration of reliability.

さらに、チップ間の厚みを揃えるため、チップ部品に対し研削やエッチングなどの追加工を行った場合、特性の劣化やコストが高くなるという問題がある。   Furthermore, in order to make the thickness between the chips uniform, when additional processing such as grinding or etching is performed on the chip component, there is a problem that characteristics are deteriorated and cost is increased.

第二の問題として、チップ搭載基板上に各チップを搭載する際に搭載精度などで位置ズレが生じることから、各チップと配線基板のチップ間配線層との電気的接続が難しいことが挙げられる。電気的に接続するチップ間で逆方向(互いに離れる方向)に位置ズレが生じていた場合、十分な接続面積が得られずに接続不良に至る可能性がある。   The second problem is that when each chip is mounted on the chip mounting substrate, positional displacement occurs due to mounting accuracy, and thus it is difficult to electrically connect each chip to the inter-chip wiring layer of the wiring substrate. . If there is a positional shift between the electrically connected chips in the opposite direction (the direction away from each other), there is a possibility that a sufficient connection area cannot be obtained, resulting in a connection failure.

本発明の主な課題は、短距離かつ十分なチップ部品間の接続が得られ、伝送ロスの低減により性能の向上を図ることができるモジュール部品及びその製造方法を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION The main object of the present invention is to provide a module component that can achieve short-distance and sufficient connection between chip components and improve performance by reducing transmission loss, and a method for manufacturing the module component.

本発明の第1の視点においては、モジュール部品において、第1基板と、前記第1基板に対向して配された第2基板と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、を備え、前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、前記第2バンプは、前記第1バンプの高さよりも高いことを特徴とする。
前記第1の視点の変形として、モジュール部品において、第1基板と、前記第1基板に対向して配された第2基板と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、を備え、前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、前記第2バンプは、前記第1バンプの高さよりも高く、前記第2基板と異なる位置にて前記第1基板に対向して配された第3基板と、主面を前記第3基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品及び前記第2チップ部品と異なる位置に搭載される第3チップ部品と、前記第3基板と前記第2チップ部品とを接続する第3バンプと、前記第3基板と前記第3チップ部品とを接続する第4バンプと、をさらに備え、前記第3チップ部品は、前記第4バンプ、前記第3基板、前記第3バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続されることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, in the module component, the first substrate, the second substrate disposed opposite to the first substrate, and the main surface facing the second substrate side, the first substrate. The first chip component mounted on one substrate and the first chip mounted on a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate side. A second chip component thinner than the thickness of the component, a first bump connecting the second substrate and the first chip component, a second bump connecting the second substrate and the second chip component, The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump, and the second bump is formed on the first bump. It is characterized by being higher than the height.
As a modification of the first viewpoint, in the module component, the first substrate, the second substrate disposed opposite to the first substrate, and the first surface with the main surface facing the second substrate side. The first chip component mounted on the substrate and the first chip component mounted at a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate. A second chip component thinner than the first chip component, a first bump for connecting the second substrate and the first chip component, and a second bump for connecting the second substrate and the second chip component. The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump, and the second bump is a height of the first bump. Higher than the first substrate at a position different from the second substrate. A third substrate disposed in a direction facing the third substrate, and a third substrate mounted at a position different from the first chip component and the second chip component on the first substrate with the main surface facing the third substrate. A chip component; a third bump that connects the third substrate and the second chip component; and a fourth bump that connects the third substrate and the third chip component. The component is electrically connected to the second chip component through the fourth bump, the third substrate, and the third bump.

本発明の第2の視点においては、モジュール部品において、第1基板と、前記第1基板に対向して配された第2基板と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、を備え、前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、前記第2基板は、前記第1バンプと接続される第1基板電極を有するともに、前記第2バンプと接続される第2基板電極を有し、前記第2基板電極は、前記第1基板電極よりも前記第1基板側に突出し、前記第2バンプは、前記第1バンプの高さと同じ高さであることを特徴とする。   In a second aspect of the present invention, in the module component, the first substrate, the second substrate disposed to face the first substrate, and the first surface with the main surface facing the second substrate side. The first chip component mounted on one substrate and the first chip mounted on a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate side. A second chip component thinner than the thickness of the component, a first bump connecting the second substrate and the first chip component, a second bump connecting the second substrate and the second chip component, The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump, and the second substrate is connected to the first bump. The first substrate electrode to be connected is connected to the second bump. A second substrate electrode that protrudes closer to the first substrate than the first substrate electrode, and the second bump has the same height as the first bump. It is characterized by.

本発明の第3の視点においては、モジュール部品の製造方法において、第1基板の所定の領域上に、第1チップ部品と、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品とを、主面を上にした状態で搭載する工程と、前記第1チップ部品の第1チップ電極、及び、前記第2基板の第1基板電極の一方の上に第1バンプを形成するとともに、前記第2チップ部品の第2チップ電極、及び、前記第2基板の第2基板電極の一方の上に前記第1バンプの高さよりも高い第2バンプを形成する工程と、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とが対向し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とが対向するように位置合せをして、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とを前記第1バンプを介して接続し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とを前記第2バンプを介して接続する工程と、を含むことを特徴とする。
前記第3の視点の変形として、モジュール部品の製造方法において、第1基板の所定の領域上に、第1チップ部品と、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、第3チップ部品とを、主面を上にした状態で搭載する工程と、前記第1チップ部品の第1チップ電極、及び、第2基板の第1基板電極の一方の上に第1バンプを形成するとともに、前記第2チップ部品の第2チップ電極、及び、前記第2基板の第2基板電極の一方の上に前記第1バンプの高さよりも高い第2バンプを形成する工程と、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とが対向し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とが対向するように位置合せをして、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とを前記第1バンプを介して接続し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とを前記第2バンプを介して接続する工程と、前記第2チップ部品の第3チップ電極、及び、第3基板の第3基板電極の一方の上に第3バンプを形成するとともに、前記第3チップ部品の第4チップ電極、及び、前記第3基板の第4基板電極の一方の上に第4バンプを形成する工程と、前記第3チップ電極と前記第3基板電極とが対向し、かつ、前記第4チップ電極と前記第4基板電極とが対向するように位置合せをして、前記第3チップ電極と前記第3基板電極とを前記第3バンプを介して接続し、かつ、前記第4チップ電極と前記第4基板電極とを前記第4バンプを介して接続する工程と、を含むことを特徴とする。
In a third aspect of the present invention, in the module component manufacturing method, the first chip component and the second chip component thinner than the thickness of the first chip component are formed on a predetermined region of the first substrate. Mounting with the main surface facing upward, forming a first bump on one of the first chip electrode of the first chip component and the first substrate electrode of the second substrate; Forming a second bump higher than the height of the first bump on one of a second chip electrode of a two-chip component and a second substrate electrode of the second substrate; and the first chip electrode and the The first chip electrode and the first substrate electrode are aligned with each other so that the first substrate electrode faces and the second chip electrode and the second substrate electrode face each other. Connected via a bump, and the second chip electrode And a serial second substrate electrode, characterized in that it comprises, a step of connecting via the second bump.
As a modification of the third viewpoint, in the module component manufacturing method, a first chip component, a second chip component thinner than the thickness of the first chip component, and a third chip on a predetermined region of the first substrate, A step of mounting the chip component with the main surface facing upward, and forming a first bump on one of the first chip electrode of the first chip component and the first substrate electrode of the second substrate And forming a second bump higher than the height of the first bump on one of the second chip electrode of the second chip component and the second substrate electrode of the second substrate; The first chip electrode and the first substrate electrode are aligned so that the chip electrode and the first substrate electrode are opposed to each other, and the second chip electrode and the second substrate electrode are opposed to each other. Through the first bump, and the second A step of connecting a top electrode and the second substrate electrode via the second bump, a third chip electrode of the second chip component, and a third substrate electrode of the third substrate Forming a third bump, forming a fourth bump on one of the fourth chip electrode of the third chip component and the fourth substrate electrode of the third substrate, and the third chip electrode and the Alignment is performed such that the third substrate electrode faces the fourth chip electrode and the fourth substrate electrode faces each other, and the third chip electrode and the third substrate electrode are moved to the third substrate electrode. And connecting via the bump, and connecting the fourth chip electrode and the fourth substrate electrode via the fourth bump.

本発明によれば、短距離かつ十分なチップ部品間の接続が得られ、伝送ロスの低減により性能の向上を図ることができる。   According to the present invention, a short distance and sufficient connection between chip components can be obtained, and performance can be improved by reducing transmission loss.

本発明の実施形態1に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the structure of the module component which concerns on Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態2に係るモジュール部品の構成を模式的に示した平面図である。It is the top view which showed typically the structure of the module component which concerns on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2に係るモジュール部品の構成を模式的に示した図2のX−X´間の断面図である。It is sectional drawing between XX 'of FIG. 2 which showed the structure of the module component which concerns on Embodiment 2 of this invention typically. 本発明の実施形態2に係るモジュール部品の製造方法の第1の工程を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the 1st process of the manufacturing method of the module components which concern on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2に係るモジュール部品の製造方法の第2の工程を模式的に示した図4に続く断面図である。It is sectional drawing following FIG. 4 which showed typically the 2nd process of the manufacturing method of the module components which concern on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態2に係るモジュール部品の製造方法の第3の工程を模式的に示した図5に続く断面図である。It is sectional drawing following FIG. 5 which showed typically the 3rd process of the manufacturing method of the module components which concern on Embodiment 2 of this invention. 本発明の実施形態3に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the structure of the module component which concerns on Embodiment 3 of this invention. 本発明の実施形態4に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the structure of the module component which concerns on Embodiment 4 of this invention. 本発明の実施形態5に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically the structure of the module component which concerns on Embodiment 5 of this invention.

[実施形態1]
本発明の実施形態1に係るモジュール部品について図面を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態1に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。
[Embodiment 1]
A module component according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a module component according to Embodiment 1 of the present invention.

モジュール部品20は、第1基板1上に搭載された第1チップ部品2及び第2チップ部品3間を第1バンプ7a及び第2バンプ7bを介して第2基板5で電気的に接続した部品である。モジュール部品20は、第1基板1と、第1チップ部品2と、第2チップ部品3と、第2基板5と、第1バンプ7aと、第2バンプ7bと、を有する。   The module component 20 is a component in which the first chip component 2 and the second chip component 3 mounted on the first substrate 1 are electrically connected by the second substrate 5 via the first bump 7a and the second bump 7b. It is. The module component 20 includes a first substrate 1, a first chip component 2, a second chip component 3, a second substrate 5, a first bump 7a, and a second bump 7b.

第1基板1は、第1チップ部品2及び第2チップ部品3が搭載される基板である。第1チップ部品2は、主面を第2基板5側に向けた状態で第1基板1上に搭載されたチップ状の電子部品である。第1チップ部品2は、第1バンプ7a、第2基板5、第2バンプ7bを介して第2チップ部品3と電気的に接続される。第2チップ部品3は、主面を第2基板5側に向けた状態で第1基板1上の第1チップ部品2と異なる位置に搭載されるチップ状の電子部品である。第2チップ部品3は、第1チップ部品2の厚さよりも薄い。第2基板5は、第1基板1に対向して配された配線基板(配線体)である。第1バンプ7aは、第2基板5と第1チップ部品2とを接続するバンプである。第2バンプ7bは、第2基板5と第2チップ部品3とを接続するバンプである。第2バンプ7bは、第1バンプ7aの高さよりも高い(第1バンプ7aの図の上下方向の長さよりも長い)。   The first substrate 1 is a substrate on which the first chip component 2 and the second chip component 3 are mounted. The first chip component 2 is a chip-shaped electronic component mounted on the first substrate 1 with the main surface facing the second substrate 5 side. The first chip component 2 is electrically connected to the second chip component 3 through the first bump 7a, the second substrate 5, and the second bump 7b. The second chip component 3 is a chip-shaped electronic component mounted at a position different from the first chip component 2 on the first substrate 1 with the main surface facing the second substrate 5 side. The second chip component 3 is thinner than the first chip component 2. The second substrate 5 is a wiring substrate (wiring body) disposed to face the first substrate 1. The first bumps 7 a are bumps that connect the second substrate 5 and the first chip component 2. The second bump 7 b is a bump that connects the second substrate 5 and the second chip component 3. The second bump 7b is higher than the height of the first bump 7a (longer than the vertical length of the first bump 7a in the figure).

実施形態1によれば、第2基板5を介してチップ部品2、3間を接続することで、従来の金属ワイヤによる接続よりも短距離で接続することができる。従って、伝送ロスの低減により性能の向上を図ることができる。また、接続するチップ部品2、3間において、主面の高さの差に応じて高さが異なるバンプ7a、7bを用いることで、チップ部品2、3間の主面の高さの差が解消され、第2基板5とチップ部品2、3と十分な接続状態が得られる。   According to the first embodiment, by connecting the chip components 2 and 3 through the second substrate 5, it is possible to connect at a shorter distance than the connection by the conventional metal wire. Therefore, performance can be improved by reducing transmission loss. Further, by using the bumps 7a and 7b having different heights depending on the height difference between the main surfaces between the chip components 2 and 3 to be connected, the difference in height between the main surfaces between the chip components 2 and 3 can be obtained. Thus, a sufficient connection state between the second substrate 5 and the chip components 2 and 3 is obtained.

[実施形態2]
本発明の実施形態2に係るモジュール部品について図面を用いて説明する。図2は、本発明の実施形態2に係るモジュール部品の構成を模式的に示した平面図である。図3は、明の実施形態2に係るモジュール部品の構成を模式的に示した図2のX−X´間の断面図である。
[Embodiment 2]
A module component according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of the module component according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line XX ′ in FIG. 2 schematically illustrating the configuration of the module component according to the second embodiment.

モジュール部品20は、複数個のチップ部品2、3、4が接続材料11a、11b、11cを介して第1基板1上にフェイスアップで搭載された部品である。モジュール部品20には、第1基板1上のチップ部品搭載領域1dに接続材料11a、11b、11cを介して、厚さの異なる複数個のチップ部品2、3、4が主面を上にした状態で搭載されている。モジュール部品20は、第1基板1と、第1チップ部品2と、第2チップ部品3と、第3チップ部品4と、第2基板5と、第3基板6と、スタッドバンプ8a〜8dと、金属ワイヤ10a〜10cと、接続材料11a〜11cと、を有する。   The module component 20 is a component in which a plurality of chip components 2, 3, and 4 are mounted face-up on the first substrate 1 via connection materials 11a, 11b, and 11c. In the module component 20, a plurality of chip components 2, 3, 4 having different thicknesses are placed on the main surface on the chip component mounting area 1 d on the first substrate 1 via the connection materials 11 a, 11 b, 11 c. It is mounted in the state. The module component 20 includes a first substrate 1, a first chip component 2, a second chip component 3, a third chip component 4, a second substrate 5, a third substrate 6, and stud bumps 8a to 8d. , Metal wires 10a to 10c and connection materials 11a to 11c.

第1基板1は、第1チップ部品2及び第2チップ部品3が搭載される配線基板である。第1基板1は、チップ部品2、3、4側の面に、基板電極1a、1b、1cと、チップ部品搭載領域1dと、を有する。基板電極1aは、金属ワイヤ10aを介して第1チップ部品2のチップ電極2aに電気的に接続されており、第1基板1内の配線に電気的に接続されている。基板電極1bは、金属ワイヤ10cを介して第2チップ部品3のチップ電極3cに電気的に接続されており、第1基板1内の配線に電気的に接続されている。基板電極1cは、金属ワイヤ10bを介して第3チップ部品4のチップ電極4bに電気的に接続されており、第1基板1内の配線に電気的に接続されている。チップ部品搭載領域1dは、チップ部品2、3、4を搭載するための領域である。基板電極1a、1b、1c及びチップ部品搭載領域1dには、例えば、導電体(例えば、銅)を用いることができる。   The first substrate 1 is a wiring substrate on which the first chip component 2 and the second chip component 3 are mounted. The first substrate 1 has substrate electrodes 1a, 1b, 1c and a chip component mounting area 1d on the surface of the chip components 2, 3, 4 side. The substrate electrode 1a is electrically connected to the chip electrode 2a of the first chip component 2 via the metal wire 10a, and is electrically connected to the wiring in the first substrate 1. The substrate electrode 1b is electrically connected to the chip electrode 3c of the second chip component 3 through the metal wire 10c, and is electrically connected to the wiring in the first substrate 1. The substrate electrode 1c is electrically connected to the chip electrode 4b of the third chip component 4 through the metal wire 10b, and is electrically connected to the wiring in the first substrate 1. The chip component mounting area 1d is an area for mounting the chip parts 2, 3, and 4. For example, a conductor (for example, copper) can be used for the substrate electrodes 1a, 1b, and 1c and the chip component mounting region 1d.

第1チップ部品2は、主面2eを第2基板5側に向けた状態で第1基板1のチップ部品搭載領域1d上のチップ部品3、4と異なる位置に接続材料11aを介して搭載されたチップ状の電子部品である。第1チップ部品2は、高周波伝送に必要な回路(図示せず)を有する。第1チップ部品2は、主面2eにおいて、チップ電極2a、2b、2cを有する。チップ電極2aは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、金属ワイヤ10aを介して第1基板1の基板電極1aと電気的に接続するための電極である。チップ電極2bは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、スタッドバンプ8a、第2基板5、スタッドバンプ8bを介して隣接する第2チップ部品3のチップ電極3aと電気的に接続するための電極である。チップ電極2cは、当該回路(図示せず)と電気的に接続された電極である。   The first chip component 2 is mounted via a connecting material 11a at a position different from the chip components 3 and 4 on the chip component mounting region 1d of the first substrate 1 with the main surface 2e facing the second substrate 5 side. Chip-shaped electronic components. The first chip component 2 has a circuit (not shown) necessary for high-frequency transmission. The first chip component 2 has chip electrodes 2a, 2b, and 2c on the main surface 2e. The chip electrode 2a is an electrode that is electrically connected to the circuit (not shown) and electrically connected to the substrate electrode 1a of the first substrate 1 via the metal wire 10a. The chip electrode 2b is electrically connected to the circuit (not shown) and is electrically connected to the chip electrode 3a of the second chip component 3 adjacent thereto via the stud bump 8a, the second substrate 5, and the stud bump 8b. It is an electrode for connecting to. The chip electrode 2c is an electrode that is electrically connected to the circuit (not shown).

第2チップ部品3は、主面3eを第2基板5及び第3基板6側に向けた状態で第1基板1のチップ部品搭載領域1d上のチップ部品2、4と異なる位置に接続材料11bを介して搭載されたチップ状の電子部品である。第2チップ部品3は、第1チップ部品2の厚さよりも薄い。第2チップ部品3は、高周波伝送に必要な回路(図示せず)を有する。第2チップ部品3は、主面3eにおいて、チップ電極3a、3b、3c、3dを有する。チップ電極3aは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、スタッドバンプ8b、第2基板5、スタッドバンプ8aを介して隣接する第1チップ部品2のチップ電極2bと電気的に接続するための電極である。チップ電極3bは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、スタッドバンプ8c、第3基板6、スタッドバンプ8dを介して隣接する第3チップ部品4のチップ電極4aと電気的に接続するための電極である。チップ電極3cは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、金属ワイヤ10cを介して第1基板1の基板電極1bと電気的に接続するための電極である。チップ電極3dは、当該回路と電気的に接続された電極である。   The second chip component 3 has a connecting material 11b at a position different from the chip components 2 and 4 on the chip component mounting region 1d of the first substrate 1 with the main surface 3e facing the second substrate 5 and the third substrate 6 side. It is a chip-like electronic component mounted via The second chip component 3 is thinner than the first chip component 2. The second chip component 3 has a circuit (not shown) necessary for high-frequency transmission. The second chip component 3 has chip electrodes 3a, 3b, 3c and 3d on the main surface 3e. The chip electrode 3a is electrically connected to the circuit (not shown), and is electrically connected to the chip electrode 2b of the first chip component 2 adjacent thereto via the stud bump 8b, the second substrate 5, and the stud bump 8a. It is an electrode for connecting to. The chip electrode 3b is electrically connected to the circuit (not shown) and is electrically connected to the chip electrode 4a of the third chip component 4 adjacent thereto via the stud bump 8c, the third substrate 6, and the stud bump 8d. It is an electrode for connecting to. The chip electrode 3c is an electrode that is electrically connected to the circuit (not shown) and electrically connected to the substrate electrode 1b of the first substrate 1 via the metal wire 10c. The chip electrode 3d is an electrode that is electrically connected to the circuit.

第3チップ部品4は、主面4eを第3基板6側に向けた状態で第1基板1のチップ部品搭載領域1d上のチップ部品2、3と異なる位置に接続材料11cを介して搭載されたチップ状の電子部品である。第3チップ部品4は、高周波伝送に必要な回路(図示せず)を有する。第3チップ部品4は、主面4eにおいて、チップ電極4a、4b、4cを有する。チップ電極4aは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、スタッドバンプ8d、第3基板6、スタッドバンプ8cを介して隣接する第2チップ部品3のチップ電極3bと電気的に接続するための電極である。チップ電極4bは、当該回路(図示せず)と電気的に接続し、かつ、金属ワイヤ10bを介して第1基板1の基板電極1cと電気的に接続するための電極である。チップ電極4cは、当該回路(図示せず)と電気的に接続された電極である。   The third chip component 4 is mounted via a connection material 11c at a position different from the chip components 2 and 3 on the chip component mounting region 1d of the first substrate 1 with the main surface 4e facing the third substrate 6 side. Chip-shaped electronic components. The third chip component 4 has a circuit (not shown) necessary for high-frequency transmission. The third chip component 4 has chip electrodes 4a, 4b and 4c on the main surface 4e. The chip electrode 4a is electrically connected to the circuit (not shown) and electrically connected to the chip electrode 3b of the second chip component 3 adjacent thereto via the stud bump 8d, the third substrate 6, and the stud bump 8c. It is an electrode for connecting to. The chip electrode 4b is an electrode that is electrically connected to the circuit (not shown) and electrically connected to the substrate electrode 1c of the first substrate 1 via the metal wire 10b. The chip electrode 4c is an electrode that is electrically connected to the circuit (not shown).

第2基板5は、第1チップ部品2のチップ電極2bと第2チップ部品3のチップ電極3aとを電気的に接続するための配線基板(配線体)である。第2基板5は、第1基板1に対向して配されている。第2基板5は、チップ部品2、3の主面2e、3e側に配置されている。第2基板5は、支持板5dにおける第1基板1側の面に、第1基板電極5aと、第2基板電極5bと、配線5cと、を有する。第1基板電極5aは、第1チップ部品2のチップ電極2bに対応した位置に配置されている。第2基板電極5bは、第2チップ部品3のチップ電極3aに対応した位置に配置されている。配線5cは、第1基板電極5aと第2基板電極5bとの間を電気的に接続する。基板電極5a、5bは、接続するチップ部品2、3の搭載ズレ量を考慮して、チップ電極2b、3aよりも大きいサイズであることが望ましい。このように、チップ電極2b、3aのサイズを設定することで、チップ部品2、3の搭載ズレ量によらず、十分な接続面積を確保することができる。基板電極5a、5bの形状は、円形や四角形などの形状を採ることができ、チップ電極2b、3aより大きいサイズであれば特に限定するものではない。また、基板電極5a、5bは、配線5cと同じ幅でもよい。   The second substrate 5 is a wiring substrate (wiring body) for electrically connecting the chip electrode 2 b of the first chip component 2 and the chip electrode 3 a of the second chip component 3. The second substrate 5 is disposed to face the first substrate 1. The second substrate 5 is disposed on the main surfaces 2e, 3e side of the chip components 2, 3. The second substrate 5 includes a first substrate electrode 5a, a second substrate electrode 5b, and a wiring 5c on the surface of the support plate 5d on the first substrate 1 side. The first substrate electrode 5 a is disposed at a position corresponding to the chip electrode 2 b of the first chip component 2. The second substrate electrode 5 b is disposed at a position corresponding to the chip electrode 3 a of the second chip component 3. The wiring 5c electrically connects the first substrate electrode 5a and the second substrate electrode 5b. The substrate electrodes 5a and 5b are preferably larger in size than the chip electrodes 2b and 3a in consideration of the amount of mounting displacement of the chip components 2 and 3 to be connected. Thus, by setting the size of the chip electrodes 2b and 3a, a sufficient connection area can be ensured regardless of the mounting displacement amount of the chip components 2 and 3. The shape of the substrate electrodes 5a and 5b can be circular or square, and is not particularly limited as long as it is larger than the chip electrodes 2b and 3a. Further, the substrate electrodes 5a and 5b may have the same width as the wiring 5c.

第2基板5の形状は、金属ワイヤ10aで接続される第1基板1の基板電極1aと、第1チップ部品2のチップ電極2aと、金属ワイヤ10cで接続される第1基板1の基板電極1bと、第2チップ部品3のチップ電極3cと、を覆わない形状であれば特に限定するものではない。例えば、図2では、第2基板5がチップ部品2、3より幅の狭い形状となっているが、第2基板5は基板電極5a、5bと接続されるチップ電極2b、3aを覆っていればよく、チップ部品2、3より幅を広くした形状などを採ることができる。この場合、第2基板5と第1基板1との間の一部を接着剤や導電材料などで接続することができ、チップ電極2b、3aと基板電極5a、5bとの間の接続強度を補強できる。また、第2基板5は、導電材料(図示せず)を介して第1基板1と電気的に接続してもよい。さらに、第2基板5は、チップ部品2、3と接続されない面において、配線(図示せず)や基板電極(図示せず)を配置し、双方の面に形成した配線(図示せず)や基板電極(図示せず)を結ぶビア(図示せず)を形成してもよい。   The shape of the second substrate 5 is that the substrate electrode 1a of the first substrate 1 connected by the metal wire 10a, the chip electrode 2a of the first chip component 2, and the substrate electrode of the first substrate 1 connected by the metal wire 10c. If it is the shape which does not cover 1b and the chip electrode 3c of the 2nd chip component 3, it will not specifically limit. For example, in FIG. 2, the second substrate 5 is narrower than the chip components 2 and 3, but the second substrate 5 covers the chip electrodes 2b and 3a connected to the substrate electrodes 5a and 5b. What is necessary is just to take the shape wider than the chip components 2 and 3, etc. In this case, a part between the second substrate 5 and the first substrate 1 can be connected with an adhesive or a conductive material, and the connection strength between the chip electrodes 2b and 3a and the substrate electrodes 5a and 5b can be increased. Can be reinforced. The second substrate 5 may be electrically connected to the first substrate 1 via a conductive material (not shown). Further, the second substrate 5 has wiring (not shown) and substrate electrodes (not shown) arranged on the surface not connected to the chip components 2 and 3, wiring (not shown) formed on both surfaces, Vias (not shown) that connect substrate electrodes (not shown) may be formed.

第3基板6は、第2チップ部品3のチップ電極3bと第3チップ部品4のチップ電極4aとを電気的に接続するための配線基板(配線体)である。第3基板6は、第1基板1に対向して配されている。第3基板6は、チップ部品3、4の主面3e、4e側に配置されている。第3基板6は、支持板6dにおける第1基板1側の面に、第3基板電極6aと、第4基板電極6bと、配線6cと、を有する。第3基板電極6aは、第2チップ部品3のチップ電極3bに対応した位置に配置されている。第4基板電極6bは、第3チップ部品4のチップ電極4aに対応した位置に配置されている。配線6cは、第3基板電極6aと第4基板電極6bとの間を電気的に接続する。基板電極6a、6bは、接続するチップ部品3、4の搭載ズレ量を考慮して、チップ電極3b、4aよりも大きいサイズであることが望ましい。このように、チップ電極3b、4aのサイズを設定することで、チップ部品3、4の搭載ズレ量によらず、十分な接続面積を確保することができる。基板電極6a、6bの形状は、円形や四角形などの形状を採ることができ、チップ電極3b、4aより大きいサイズであれば特に限定するものではない。また、基板電極6a、6bは、配線6cと同じ幅でもよい。   The third substrate 6 is a wiring substrate (wiring body) for electrically connecting the chip electrode 3 b of the second chip component 3 and the chip electrode 4 a of the third chip component 4. The third substrate 6 is disposed to face the first substrate 1. The third substrate 6 is disposed on the main surfaces 3e, 4e side of the chip components 3, 4. The third substrate 6 includes a third substrate electrode 6a, a fourth substrate electrode 6b, and a wiring 6c on the surface of the support plate 6d on the first substrate 1 side. The third substrate electrode 6 a is disposed at a position corresponding to the chip electrode 3 b of the second chip component 3. The fourth substrate electrode 6 b is disposed at a position corresponding to the chip electrode 4 a of the third chip component 4. The wiring 6c electrically connects the third substrate electrode 6a and the fourth substrate electrode 6b. The substrate electrodes 6a and 6b are preferably larger in size than the chip electrodes 3b and 4a in consideration of the amount of mounting displacement of the chip components 3 and 4 to be connected. Thus, by setting the sizes of the chip electrodes 3b and 4a, it is possible to ensure a sufficient connection area regardless of the mounting displacement amount of the chip components 3 and 4. The shape of the substrate electrodes 6a and 6b can be circular or quadrangular, and is not particularly limited as long as it is larger than the chip electrodes 3b and 4a. Further, the substrate electrodes 6a and 6b may have the same width as the wiring 6c.

第3基板6の形状は、金属ワイヤ10bで接続される第1基板1の基板電極1cと、第3チップ部品4のチップ電極4bと、金属ワイヤ10cで接続される第1基板1の基板電極1bと、第2チップ部品3のチップ電極3cと、を覆わない形状であれば特に限定するものではない。例えば、図2では、第3基板6がチップ部品3、4より幅の狭い形状であるが、第3基板6は基板電極6a、6bと接続されるチップ電極3b、4aを覆っていればよく、チップ部品3、4より幅を広くした形状などを採ることができる。この場合、第3基板6と第1基板1との間の一部を接着剤や導電材料などで接続することができ、チップ電極3b、4aと基板電極6a、6bとの間の接続強度を補強できる。また、第3基板6は、導電材料(図示せず)を介して第1基板1と電気的に接続してもよい。さらに、第3基板6は、チップ部品2、3と接続されない面において、配線(図示せず)や基板電極(図示せず)を配置し、双方の面に形成した配線(図示せず)や基板電極(図示せず)を結ぶビア(図示せず)を形成してもよい。   The shape of the third substrate 6 is that the substrate electrode 1c of the first substrate 1 connected by the metal wire 10b, the chip electrode 4b of the third chip component 4, and the substrate electrode of the first substrate 1 connected by the metal wire 10c. If it is the shape which does not cover 1b and the chip electrode 3c of the 2nd chip component 3, it will not specifically limit. For example, in FIG. 2, the third substrate 6 is narrower than the chip components 3 and 4, but the third substrate 6 only needs to cover the chip electrodes 3b and 4a connected to the substrate electrodes 6a and 6b. Further, it is possible to adopt a shape wider than the chip parts 3 and 4. In this case, a part between the third substrate 6 and the first substrate 1 can be connected with an adhesive or a conductive material, and the connection strength between the chip electrodes 3b, 4a and the substrate electrodes 6a, 6b can be increased. Can be reinforced. The third substrate 6 may be electrically connected to the first substrate 1 through a conductive material (not shown). Further, the third substrate 6 is provided with wiring (not shown) and substrate electrodes (not shown) on the surface not connected to the chip components 2 and 3, and wiring (not shown) formed on both surfaces. Vias (not shown) that connect substrate electrodes (not shown) may be formed.

スタッドバンプ8aは、第2基板5の第1基板電極5aと第1チップ部品2のチップ電極2bとを電気的に接続するバンプである。スタッドバンプ8aは、第1チップ部品2の主面2eの高さが第2チップ部品3の主面4eよりも高いので、スタッドバンプ8bよりも体積が小さく設定されている。スタッドバンプ8aには、例えば、Auワイヤなどを用いて形成したものを用いることができる。スタッドバンプ8aは、1段構造のスタッドバンプとすることができる。   The stud bump 8 a is a bump that electrically connects the first substrate electrode 5 a of the second substrate 5 and the chip electrode 2 b of the first chip component 2. Since the height of the main surface 2e of the first chip component 2 is higher than the main surface 4e of the second chip component 3, the stud bump 8a is set to have a smaller volume than the stud bump 8b. As the stud bump 8a, for example, one formed using an Au wire or the like can be used. The stud bump 8a can be a single-stage stud bump.

スタッドバンプ8bは、第2基板5の第2基板電極5bと第2チップ部品3のチップ電極3aとを電気的に接続するバンプである。スタッドバンプ8bは、スタッドバンプ8aの高さよりも高い(スタッドバンプ8aの図の上下方向の長さよりも長い)。スタッドバンプ8bは、第2チップ部品3の主面3eの高さが第1チップ部品2の主面2eよりも低いので、スタッドバンプ8aよりも体積が大きく設定されている。スタッドバンプ8bには、例えば、Auワイヤなどを用いて形成したものを用いることができる。スタッドバンプ8bは、2段構造のスタッドバンプとすることができる。なお、スタッドバンプ8bは、1段構造でスタッドバンプ8bに対して高さ又は体積の異なるスタッドバンプとしてもよい。接続するチップ部品2、3間の主面2e、3eの高さの差に応じてスタッドバンプ8aに対してスタッドバンプ8bの高さ又は体積を調整することで、チップ部品2、3間における主面2e、3eの高さの差を解消することができ、第2基板5の第1基板電極5a及び第2基板電極5bとの十分な接続強度が得られる。   The stud bump 8 b is a bump that electrically connects the second substrate electrode 5 b of the second substrate 5 and the chip electrode 3 a of the second chip component 3. The stud bump 8b is higher than the height of the stud bump 8a (longer than the vertical length of the stud bump 8a in the figure). Since the height of the main surface 3e of the second chip component 3 is lower than the main surface 2e of the first chip component 2, the stud bump 8b is set to have a larger volume than the stud bump 8a. As the stud bump 8b, for example, one formed using an Au wire or the like can be used. The stud bump 8b can be a two-stage stud bump. The stud bump 8b may be a stud bump having a one-stage structure and having a height or volume different from that of the stud bump 8b. By adjusting the height or volume of the stud bump 8b with respect to the stud bump 8a in accordance with the height difference between the main surfaces 2e and 3e between the chip components 2 and 3 to be connected, the main components between the chip components 2 and 3 are adjusted. The difference in height between the surfaces 2e and 3e can be eliminated, and sufficient connection strength between the first substrate electrode 5a and the second substrate electrode 5b of the second substrate 5 can be obtained.

スタッドバンプ8cは、第3基板6の第3基板電極6aと第2チップ部品3のチップ電極3bとを電気的に接続するバンプである。   The stud bump 8 c is a bump that electrically connects the third substrate electrode 6 a of the third substrate 6 and the chip electrode 3 b of the second chip component 3.

スタッドバンプ8dは、第3基板6の第4基板電極6bと第3チップ部品4のチップ電極4aとを電気的に接続するバンプである。   The stud bump 8 d is a bump that electrically connects the fourth substrate electrode 6 b of the third substrate 6 and the chip electrode 4 a of the third chip component 4.

なお、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dは、例えば、Cuからなるバンプで構成してもよい。   The stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d may be constituted by bumps made of Cu, for example.

金属ワイヤ10aは、第1基板1の基板電極1aと第1チップ部品2のチップ電極2aとを電気的に接続する金属よりなるワイヤである。   The metal wire 10 a is a wire made of metal that electrically connects the substrate electrode 1 a of the first substrate 1 and the chip electrode 2 a of the first chip component 2.

金属ワイヤ10bは、第1基板1の基板電極1cと第3チップ部品4のチップ電極4bとを電気的に接続する金属よりなるワイヤである。   The metal wire 10 b is a wire made of metal that electrically connects the substrate electrode 1 c of the first substrate 1 and the chip electrode 4 b of the third chip component 4.

金属ワイヤ10cは、第1基板1の基板電極1bと第2チップ部品3のチップ電極3cとを電気的に接続する金属(例えば、Au)よりなるワイヤである。   The metal wire 10 c is a wire made of a metal (for example, Au) that electrically connects the substrate electrode 1 b of the first substrate 1 and the chip electrode 3 c of the second chip component 3.

接続材料11a、11b、11cは、チップ部品2、3、4の裏面を第1基板1のチップ部品搭載領域1dに接続(接合)するための材料である。接続材料11a、11b、11cには、例えば、Suを主成分としたろう材や、AgやCuなどの金属フィラを含有した導電性接着材を用いることができる。   The connection materials 11a, 11b, and 11c are materials for connecting (bonding) the back surfaces of the chip components 2, 3, and 4 to the chip component mounting region 1d of the first substrate 1. For the connection materials 11a, 11b, and 11c, for example, a brazing material containing Su as a main component or a conductive adhesive containing a metal filler such as Ag or Cu can be used.

以上のようなモジュール部品20の構造により、伝送特性を向上させることを目的に、変形例として、第2基板5をグランド−シグナル−グランド構造とすることができる。例えば、第2基板5及び第3基板6におけるチップ部品2、3、4と接続される面(裏面)において、チップ部品2、3、4間の接続を行うシグナル用の配線5c、6cの両側(配線幅方向の両側)に間隔をおいてグランド用の配線(図示せず)を配置することができる。第2基板5及び第3基板6におけるチップ部品2、3、4と接続されない面(表面)において配線(図示せず)や基板電極(図示せず)を設け、第2基板5及び第3基板6の表面の配線(図示せず)又は基板電極(図示せず)と第2基板5及び第3基板6の裏面のグランド用の配線(図示せず)とをビア(図示せず)で接続する。そして、第2基板5及び第3基板6の表面に配置された基板電極(図示せず)と第1基板1に配置されグランドに接続された基板電極(図示せず)とを金属ワイヤ(図示せず)で接続することにより、その構造が得られる。第2基板5及び第3基板6において、グランド−シグナル−グランドの配列で構成された配線を有していることにより、高い性能が得られる。   As a modification, the second substrate 5 can have a ground-signal-ground structure for the purpose of improving the transmission characteristics by the structure of the module component 20 as described above. For example, on the surface (rear surface) connected to the chip components 2, 3, 4 on the second substrate 5 and the third substrate 6, both sides of the signal wiring 5 c, 6 c for connecting the chip components 2, 3, 4 Ground wirings (not shown) can be arranged at intervals (on both sides in the wiring width direction). Wiring (not shown) and substrate electrodes (not shown) are provided on the surfaces (front surfaces) of the second substrate 5 and the third substrate 6 that are not connected to the chip components 2, 3, 4, and the second substrate 5 and the third substrate. A wiring (not shown) or a substrate electrode (not shown) on the surface of 6 and a ground wiring (not shown) on the back surface of the second substrate 5 and the third substrate 6 are connected by a via (not shown). To do. Then, a substrate electrode (not shown) arranged on the surface of the second substrate 5 and the third substrate 6 and a substrate electrode (not shown) arranged on the first substrate 1 and connected to the ground are connected to a metal wire (FIG. (Not shown), the structure is obtained. Since the second substrate 5 and the third substrate 6 have wirings configured in a ground-signal-ground arrangement, high performance can be obtained.

また、その他の変形例として、第2基板5又は第3基板6をチップ部品2、3、4より幅を広くし、チップ部品2、3、4間の接続を行うシグナル用の配線5c、6cの両側配線幅方向の両側に配置した配線(図示せず)に繋がる基板電極(図示せず)をチップ部品2、3、4の幅より広い箇所に設ける。この基板電極(図示せず)と第1基板1に配置されグランドに接続された基板電極(図示せず)を導電材料を介し接続する構造を採ってもよい。   As another modified example, the second substrate 5 or the third substrate 6 is made wider than the chip components 2, 3, 4, and signal wiring 5 c, 6 c for connecting the chip components 2, 3, 4 is used. Board electrodes (not shown) connected to wirings (not shown) arranged on both sides in the both-side wiring width direction are provided at locations wider than the width of the chip components 2, 3, 4. A structure may be adopted in which the substrate electrode (not shown) and the substrate electrode (not shown) arranged on the first substrate 1 and connected to the ground are connected via a conductive material.

また、その他の変形例として、チップ部品2、3、4においてチップ部品2、3、4間の接続を行うチップ電極2b、3a、3b、4aの両側にグランドに接続されたチップ電極(図示せず)を配置し、第2基板5又は第3基板6のチップ部品2、3、4間の接続を行う配線5c、6cの両側に配置した配線(図示せず)を用いて接続する構造としてもよい。   As another modification, chip electrodes (not shown) are connected to the ground on both sides of chip electrodes 2b, 3a, 3b, and 4a for connecting the chip components 2, 3, and 4 in the chip components 2, 3, and 4. 2), and a connection is made using wirings (not shown) arranged on both sides of the wirings 5c and 6c for connecting the chip components 2, 3, and 4 of the second substrate 5 or the third substrate 6. Also good.

さらに、その他の変形例として、第2基板5又は第3基板6の表面に設けた基板電極(図示せず)などに、電気特性の調整を目的とした受動部品(図示せず)を接続した構造を組み合わせることができる。受動部品としては、デカップリングコンデンサなどを適用することができる。第2基板5又は第3基板6において、基板電極5a、5b、6a、6bと電気的に接続された受動部品を有することによって、性能の向上が図れる。   Furthermore, as another modification, a passive component (not shown) for the purpose of adjusting electrical characteristics is connected to a substrate electrode (not shown) provided on the surface of the second substrate 5 or the third substrate 6. Structures can be combined. A decoupling capacitor or the like can be applied as the passive component. The second substrate 5 or the third substrate 6 has a passive component electrically connected to the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, 6b, so that the performance can be improved.

次に、本発明の実施形態2に係るモジュール部品の製造方法について図面を用いて説明する。図4〜図6は、本発明の実施形態2に係るモジュール部品の製造方法を模式的に示した断面図である。   Next, the manufacturing method of the module component which concerns on Embodiment 2 of this invention is demonstrated using drawing. 4 to 6 are cross-sectional views schematically showing a method for manufacturing a module component according to Embodiment 2 of the present invention.

まず、第1基板1のチップ部品搭載領域1d上に接続材料11を供給し、厚さの異なる複数個のチップ部品2、3、4を主面2e、3e、4eを上にした状態で、設定した任意の搭載高さで制御して搭載する(ステップA1;図4参照)。   First, the connection material 11 is supplied onto the chip component mounting area 1d of the first substrate 1, and a plurality of chip components 2, 3, 4 having different thicknesses are placed with the main surfaces 2e, 3e, 4e facing upward. Controlled mounting is performed at the set arbitrary mounting height (step A1; see FIG. 4).

ここで、各チップ部品2、3、4に対して十分な放熱性が得られるようにチップ部品4の発熱量と接続材料11の熱伝導性を考慮し、第1基板1のチップ部品搭載領域1dの表面から任意の高さ(例えば、10μm)に各チップ部品2、3、4を搭載するようにすることができる。また、接続材料11の供給量は、チップ部品2、3、4が設定した任意の搭載高さで搭載された状態において、チップ部品2、3、4と第1基板1との間が接続材料11a、11b、11cで十分に充填された状態となるように制御された量である。また、搭載高さは、チップ部品2、3、4の動作時における発熱量と接続材料11a、11b、11cの熱伝導率を考慮して設定される。また、接続材料11には、Snを主成分とするロウ材やAgやCuなどの導電性フィラを含有した導電性樹脂などを用いることができる。   Here, the chip component mounting region of the first substrate 1 is considered in consideration of the amount of heat generated by the chip component 4 and the thermal conductivity of the connection material 11 so that sufficient heat dissipation is obtained for each chip component 2, 3, 4. Each chip component 2, 3, 4 can be mounted at an arbitrary height (for example, 10 μm) from the surface of 1 d. Further, the supply amount of the connection material 11 is such that the connection between the chip components 2, 3, 4 and the first substrate 1 in the state where the chip components 2, 3, 4 are mounted at an arbitrary mounting height. The amount is controlled so as to be sufficiently filled with 11a, 11b, and 11c. The mounting height is set in consideration of the amount of heat generated during the operation of the chip components 2, 3, 4 and the thermal conductivity of the connection materials 11a, 11b, 11c. The connection material 11 may be a brazing material containing Sn as a main component or a conductive resin containing a conductive filler such as Ag or Cu.

また、接続材料11a、11b、11cに導電性樹脂を用いた場合、チップ部品搭載領域1d上への供給方法として印刷方式やディスペンス方式などを適用することができる。印刷方式では、全てのチップ部品2、3、4に対し一括で供給し、その後、各チップ部品2、3、4を搭載する手順を採ることができる。ディスペンス方式では、各チップ部品2、3、4に対して搭載位置を認識した後に接続材料11を供給する手順が採れる。印刷方式では、チップ部品2、3、4の搭載工程における効率化が図られる。ディスペンス方式では、チップ部品2、3、4に対し接続材料11a、11b、11cの供給位置精度を向上させることができる。したがって、接続材料11a、11b、11cにおけるチップ部品2、3、4の主面2e、3e、4eへの這い上がりを抑制できる。上記した接続材料11a、11b、11cの供給方法の他に転写方式なども適用することができ、仕様に合わせて供給方法を選定することが可能である。また、接続材料11a、11b、11cに導電性樹脂を用いた場合では、チップ部品2、3、4を搭載した後に加熱炉などで加熱(例えば、180℃に加熱)し熱硬化させる。   Further, when a conductive resin is used for the connection materials 11a, 11b, and 11c, a printing method, a dispensing method, or the like can be applied as a supply method onto the chip component mounting region 1d. In the printing method, it is possible to supply all the chip components 2, 3, and 4 at a time, and then take a procedure of mounting each chip component 2, 3, 4. In the dispensing method, a procedure for supplying the connection material 11 after recognizing the mounting position for each of the chip components 2, 3, 4 can be adopted. In the printing method, efficiency in the mounting process of the chip components 2, 3, 4 can be improved. In the dispensing method, the supply position accuracy of the connection materials 11a, 11b, and 11c can be improved with respect to the chip components 2, 3, and 4. Therefore, the creeping of the connecting parts 11a, 11b, and 11c to the main surfaces 2e, 3e, and 4e of the chip components 2, 3, and 4 can be suppressed. In addition to the method for supplying the connection materials 11a, 11b, and 11c described above, a transfer method or the like can be applied, and the supply method can be selected according to the specifications. In the case where a conductive resin is used for the connection materials 11a, 11b, and 11c, the chip components 2, 3, and 4 are mounted and then heated (for example, heated to 180 ° C.) in a heating furnace to be thermally cured.

次に、搭載されたチップ部品2、3、4間の接続を行うためのチップ電極2b、3a、3b、4aにスタッドバンプ8a、8b、8c、8dを形成する(ステップA2;図5参照)。   Next, stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d are formed on chip electrodes 2b, 3a, 3b, and 4a for connecting the mounted chip components 2, 3, and 4 (step A2; see FIG. 5). .

ここで、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dは、接続するチップ部品2、3、4間の厚さの差、又は、チップ部品4の搭載高さの差によって生じたチップ部品2、3、4間における主面の高さの差に対応した体積で形成される。スタッドバンプ8a、8b、8c、8dとして、接続するチップ部品2、3、4のうち主面が高い第1チップ部品2のチップ電極2bには1段構造のスタッドバンプ8aを用い、主面が低い第2チップ部品3のチップ電極3aには2段構造のスタッドバンプ8bを用いることができる。その他に、Auワイヤの線径やスタッドバンプ8a、8b、8c、8dの形成時のイニシャルボール径から体積を調整し、1段構造の体積の異なるスタッドバンプ8a、8b、8c、8dを形成してもよい。   Here, the stud bumps 8 a, 8 b, 8 c, and 8 d are chip components 2, 3, 3, which are caused by a difference in thickness between the chip components 2, 3, 4 to be connected or a difference in mounting height of the chip component 4. It is formed with a volume corresponding to the difference in height of the main surface between the four. As the stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d, a single-stage stud bump 8a is used for the chip electrode 2b of the first chip component 2 having a high main surface among the chip components 2, 3, and 4 to be connected. A stud bump 8b having a two-stage structure can be used for the chip electrode 3a of the low second chip component 3. In addition, the volume is adjusted from the wire diameter of the Au wire and the initial ball diameter at the time of forming the stud bumps 8a, 8b, 8c, 8d to form stud bumps 8a, 8b, 8c, 8d having different one-stage structures. May be.

次に、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dを形成したチップ電極2b、3a、3b、4aと第2基板5及び第3基板6の基板電極5a、5b、6a、6bが対向するように位置合わせを行い、第2基板5及び第3基板6をチップ部品2、3、4上に実装する(ステップA3;図6参照)。   Next, the chip electrodes 2b, 3a, 3b and 4a on which the stud bumps 8a, 8b, 8c and 8d are formed are positioned so that the substrate electrodes 5a, 5b, 6a and 6b of the second substrate 5 and the third substrate 6 face each other. The second substrate 5 and the third substrate 6 are mounted on the chip components 2, 3, and 4 (step A3; see FIG. 6).

ステップA3では、第2基板5及び第3基板6の基板電極5a、5b、6a、6b(例えば、一辺が130μmの正方形)は、接続するチップ電極2b、3a、3b、4a(例えば、一辺が100μmの正方形)よりもサイズが大きく設定されていることから、チップ部品2、3、4に搭載ズレが生じていたとしても十分な接続面積が確保できる。   In step A3, the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, 6b (for example, a square having a side of 130 μm) of the second substrate 5 and the third substrate 6 are connected to the chip electrodes 2b, 3a, 3b, 4a (for example, one side is connected). Since the size is set to be larger than a square of 100 μm), a sufficient connection area can be secured even if there is a mounting displacement in the chip components 2, 3, 4.

最後に、第1基板1の基板電極1a、1b、1cと、対応するチップ部品2、3、4のチップ電極2a、3c、4bとを、金属ワイヤ10a、10b、10cで接続する(ステップA4;図2、図3参照)。これにより、基板電極1a、1b、1cと、対応するチップ電極2a、3c、4bとが電気的に接続される。   Finally, the substrate electrodes 1a, 1b, 1c of the first substrate 1 and the chip electrodes 2a, 3c, 4b of the corresponding chip components 2, 3, 4 are connected by metal wires 10a, 10b, 10c (step A4). ; See FIGS. 2 and 3). Thereby, substrate electrode 1a, 1b, 1c and corresponding chip electrode 2a, 3c, 4b are electrically connected.

なお、上記したモジュール部品の製造方法では、チップ部品2、3、4を第1基板1に搭載した後に、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dをチップ電極2b、3a、3b、4a上に形成する例を示したが、チップ部品2、3、4を第1基板1に搭載する前にバンプ(8a、8b、8c、8dに相当)を形成する手順を採ってもよい。この場合、バンプの形成にめっき法を適用してもよい。   In the module component manufacturing method described above, the stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d are formed on the chip electrodes 2b, 3a, 3b, and 4a after the chip components 2, 3, and 4 are mounted on the first substrate 1. Although an example is shown, a procedure of forming bumps (corresponding to 8a, 8b, 8c, 8d) before mounting the chip components 2, 3, 4 on the first substrate 1 may be taken. In this case, a plating method may be applied to the formation of the bump.

また、上記したモジュール部品の製造方法では、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dをチップ電極2b、3a、3b、4a側に形成する例を示したが、基板電極5a、5b、6a、6b側に形成する方法を採ってもよい。この場合、チップ部品2、3、4の搭載位置ズレ量を反映した位置で、基板電極5a、5b、6a、6bにAuバンプ(図示せず)を形成する。この方法では、Auバンプ形成に関するチップ部品2、3、4へのダメージが無く、更なる信頼性の向上が図れる。   In the module component manufacturing method described above, an example in which the stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d are formed on the chip electrodes 2b, 3a, 3b, and 4a side is shown, but the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, and 6b side are shown. You may take the method of forming to. In this case, Au bumps (not shown) are formed on the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, and 6b at positions that reflect the amount of mounting position deviation of the chip components 2, 3, and 4. In this method, there is no damage to the chip components 2, 3, and 4 related to Au bump formation, and the reliability can be further improved.

実施形態2によれば、第2基板5及び第3基板6を用いてチップ部品2、3、4間を接続することで、従来の金属ワイヤによる接続よりも短距離で接続することができる。従って、伝送ロスの低減により性能の向上を図ることができる。また、接続するチップ部品2、3、4間において、主面2e、3e、4eの高さの差に応じて高さ又は体積が異なる構造のスタッドバンプ8a、8b、8c、8dであることから、チップ部品2、3、4間の主面の高さの差を解消し、基板電極5a、5bと十分な接続状態が得られる。また、チップ部品2、3、4の搭載ズレ量を考慮して、基板電極5a、5b、6a、6bをチップ電極2b、3a、3b、4aより大きいサイズで設定されていることから、チップ部品2、3、4の搭載ズレ量によらず十分な接続面積を確保することができる。従って、高い接続強度が得られ信頼性の向上が図られる。   According to the second embodiment, by connecting the chip components 2, 3, and 4 using the second substrate 5 and the third substrate 6, it is possible to connect at a shorter distance than the connection using the conventional metal wire. Therefore, performance can be improved by reducing transmission loss. Further, since the chip parts 2, 3, 4 to be connected are stud bumps 8a, 8b, 8c, 8d having a structure in which the height or volume differs depending on the height difference of the main surfaces 2e, 3e, 4e. Thus, the difference in height between the main surfaces of the chip components 2, 3, and 4 is eliminated, and a sufficient connection state with the substrate electrodes 5a and 5b is obtained. Further, in consideration of the mounting misalignment amount of the chip components 2, 3, 4, the substrate electrodes 5 a, 5 b, 6 a, 6 b are set to be larger in size than the chip electrodes 2 b, 3 a, 3 b, 4 a. A sufficient connection area can be secured regardless of the amount of mounting displacement of 2, 3, and 4. Therefore, high connection strength is obtained and reliability is improved.

[実施形態3]
本発明の実施形態3に係るモジュール部品について図面を用いて説明する。図7は、明の実施形態3に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。
[Embodiment 3]
A module component according to Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the module component according to the third embodiment.

実施形態3は、実施形態2の変形例であり、基板電極5a、5b、6a、6bに接続するバンプ7a、7b、7c、7dにおいてスタッドバンプ8を全て1段構造にし、スタッドバンプ8をはんだバンプ9で覆ったものである。はんだバンプ9は、接続するチップ部品2、3、4のうち主面が高い第1チップ部品2は、はんだバンプ9の体積は少なく、主面の低い第2チップ部品3及び第3チップ部品4でははんだバンプ9の体積が多い。第2基板5及び第3基板6の実装では、このはんだバンプ9が溶融する温度以上に加熱を加え実装する。はんだバンプ9の供給量を調整する方法としては、基板電極のサイズ、またはソルダレジスト2f、3f、4f、5e、6eの開口サイズなどによって調整される。印刷法やめっき法を適用する場合では、マスクの開口サイズによっても調整が可能である。なお、チップ部品2、3、4の主面2e、3e、4eにチップ電極2a、2b、2c、3a、3b、3c、3d、4a、4b、4cを除いてソルダレジスト2f、3f、4fで覆い、第2基板5及び第3基板6における第1基板1側の面に基板電極5a、5b、6a、6bを除いてソルダレジスト5e、6eで覆ってもよい。その他の構成及び製造方法については、実施形態2と同様である。   The third embodiment is a modification of the second embodiment. The bumps 7a, 7b, 7c, and 7d connected to the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, and 6b are all formed in a single-stage structure, and the stud bumps 8 are soldered. It is covered with bumps 9. The solder bump 9 is the first chip component 2 having a high principal surface among the chip components 2, 3, 4 to be connected, and the second chip component 3 and the third chip component 4 having a small principal surface and a small principal surface. Then, the volume of the solder bump 9 is large. In mounting the second substrate 5 and the third substrate 6, heating is performed at a temperature higher than the temperature at which the solder bumps 9 are melted. As a method of adjusting the supply amount of the solder bump 9, it is adjusted by the size of the substrate electrode or the opening size of the solder resists 2f, 3f, 4f, 5e, 6e. In the case of applying a printing method or a plating method, adjustment is also possible depending on the opening size of the mask. The main surfaces 2e, 3e, and 4e of the chip components 2, 3, and 4 are solder resists 2f, 3f, and 4f except for the chip electrodes 2a, 2b, 2c, 3a, 3b, 3c, 3d, 4a, 4b, and 4c. The surface of the second substrate 5 and the third substrate 6 on the first substrate 1 side may be covered with solder resists 5e and 6e except for the substrate electrodes 5a, 5b, 6a and 6b. Other configurations and manufacturing methods are the same as those in the second embodiment.

なお、実施形態3において、チップ電極(図7の2b、3a、3b、4a)側に形成される各スタッドバンプ(図7の8)は、接続されるチップ部品(図7の2、3、4)間で同一の体積であってもよく、また、スタッドバンプ(図7の8)を形成せずに基板電極(図7の5a、5b、6a、6b)側にはんだバンプ(図7の9)のみを形成し、チップ電極(図7の2b、3a、3b、4a)側と接続した構造を採ってもよい。   In the third embodiment, each stud bump (8 in FIG. 7) formed on the chip electrode (2b, 3a, 3b, 4a in FIG. 7) side is connected to the chip component (2, 3, FIG. 7). 4) may have the same volume, and the solder bump (FIG. 7) is formed on the substrate electrode (5a, 5b, 6a, 6b) side without forming the stud bump (8 in FIG. 7). 9) Only the structure may be formed and connected to the chip electrode (2b, 3a, 3b, 4a in FIG. 7) side.

実施形態3によれば、実施形態2と同様な効果を奏するとともに、接続するチップ部品2、3、4に実装精度により高さのバラツキが生じていても、溶融したはんだバンプ9がそのバラツキを解消し、より高い接続信頼性の確保が可能となる。また、主面の高さに対応したはんだバンプ9が供給されていることによって、隣接の接続部やその他回路部などとショート不良を起こすことはない。また、実装時において任意の高さとなるようにはんだバンプ9によって実装高さを制御することができる。従って、より厳密に接続するチップ部品2、3、4間の主面2e、3e、4eにおける高さの差に対応できる。さらに、チップ部品4間に搭載位置ズレが生じていたとしても、実装時にはんだバンプ9が溶融しスタッドバンプ8と十分な濡れ性が得られることで、接続面積を確保することができる。   According to the third embodiment, the same effects as those of the second embodiment can be obtained, and even if the chip components 2, 3, and 4 to be connected have a variation in height due to mounting accuracy, the molten solder bump 9 exhibits the variation. This eliminates the problem and ensures higher connection reliability. In addition, since the solder bumps 9 corresponding to the height of the main surface are supplied, short-circuit defects do not occur with adjacent connection portions and other circuit portions. Further, the mounting height can be controlled by the solder bumps 9 so as to have an arbitrary height during mounting. Accordingly, it is possible to cope with a difference in height on the main surfaces 2e, 3e, 4e between the chip components 2, 3, 4 to be connected more strictly. Furthermore, even if a mounting position shift occurs between the chip components 4, the solder bump 9 is melted during mounting and sufficient wettability with the stud bump 8 is obtained, so that a connection area can be ensured.

[実施形態4]
本発明の実施形態4に係るモジュール部品について図面を用いて説明する。図8は、本発明の実施形態4に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。
[Embodiment 4]
A module component according to Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the module component according to Embodiment 4 of the present invention.

実施形態4は、実施形態2の変形例であり、各チップ部品2、3、4間を複数ではなく1つの第2基板5で電気的に接続したものである。第2基板5は、支持板5dにおける第1基板1側の面に、個々のチップ部品2、3、4のチップ電極2b、3a、3b、4aとの電気的接続に対応する基板電極5a、5b、5f、5g及び配線5c、5hを有する。
配線5cは、基板電極5a、5b間を電気的に接続する。配線5hは、基板電極5f、5g間を電気的に接続する。スタッドバンプ8a、8b、8c、8dについては、最も主面の高さが高い第1チップ部品2のチップ電極2b上のスタッドバンプ8aが一段構造で体積が小さく設定されており、主面の高さが第1チップ部品2よりも低くて同じ高さの第2チップ部品3及び第3チップ部品4のチップ電極3a、3b、4a上のスタッドバンプ8aが二段構造で体積が大きく設定されている。なお、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dの体積は、これに限るものではなく、チップ部品2、3、4の主面2e、3e、4eの高さに応じて設定される。その他の構成は実施形態2と同様である。なお、実施形態4には、実施形態3を適用してもよい。
The fourth embodiment is a modification of the second embodiment, in which the chip components 2, 3, 4 are electrically connected by a single second substrate 5 instead of a plurality. The second substrate 5 has a substrate electrode 5a corresponding to the electrical connection with the chip electrodes 2b, 3a, 3b, 4a of the individual chip components 2, 3, 4 on the surface of the support plate 5d on the first substrate 1 side. 5b, 5f, 5g and wirings 5c, 5h.
The wiring 5c electrically connects the substrate electrodes 5a and 5b. The wiring 5h electrically connects the substrate electrodes 5f and 5g. With respect to the stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d, the stud bump 8a on the chip electrode 2b of the first chip component 2 having the highest main surface height is set in a single-stage structure and has a small volume. The stud bumps 8a on the chip electrodes 3a, 3b, 4a of the second chip component 3 and the third chip component 4 having a height lower than that of the first chip component 2 are set in a two-stage structure and have a large volume. Yes. The volumes of the stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d are not limited to this, and are set according to the height of the main surfaces 2e, 3e, and 4e of the chip components 2, 3, and 4. Other configurations are the same as those of the second embodiment. The third embodiment may be applied to the fourth embodiment.

実施形態4によれば、実施形態2と同様な効果を奏するとともに、各チップ部品2、3、4間を1つの第2基板5で接続した構造を採ることによって、部品点数が削減され、生産性の向上、及びコスト低減が図れる。   According to the fourth embodiment, the same effects as those of the second embodiment are achieved, and by adopting a structure in which each chip component 2, 3, 4 is connected by one second substrate 5, the number of components is reduced and production is performed. Can improve the cost and reduce the cost.

[実施形態5]
本発明の実施形態5に係るモジュール部品について図面を用いて説明する。図9は、本発明の実施形態5に係るモジュール部品の構成を模式的に示した断面図である。
[Embodiment 5]
A module component according to Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the module component according to Embodiment 5 of the present invention.

実施形態5は、実施形態2の変形例であり、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dの高さを同じ高さとし、チップ部品2、3、4間の主面2e、3e、4eの高さの差に応じて基板電極の厚さを調整したものである。なお、図9の構成では第2基板電極5bのみの厚さを調整しているが、これに限るものではなく、チップ部品2、3、4間の主面2e、3e、4eの高さの差によっては他の基板電極5a、6a、6bのいずれかの高さを調整してもよい。その他の構成は、実施形態2と同様である。   The fifth embodiment is a modification of the second embodiment. The stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d have the same height, and the main surfaces 2e, 3e, and 4e between the chip components 2, 3, and 4 have a height. The thickness of the substrate electrode is adjusted according to the difference. In the configuration of FIG. 9, only the thickness of the second substrate electrode 5b is adjusted. However, the thickness is not limited to this, and the height of the main surfaces 2e, 3e, 4e between the chip components 2, 3, 4 is not limited to this. Depending on the difference, the height of any of the other substrate electrodes 5a, 6a, 6b may be adjusted. Other configurations are the same as those of the second embodiment.

実施形態5によれば、実施形態2と同様な効果を奏するとともに、接続するチップ部品2、3、4間の主面2e、3e、4eの高さを同じ高さとし、第2基板5又は第3基板6の基板電極5a、5b、6a、6bのいずれかの厚さを調整することで、接続するチップ部品2、3、4間の主面2e、3e、4eの高さの差を解消し、スタッドバンプ8a、8b、8c、8dを介してチップ電極2b、3a、3b、4aと基板電極5a、5b、6a、6bとの十分な接続状態が得られる。また、各チップ電極2b、3a、3b、4a又は基板電極5a、5b、6a、6bでスタッドバンプ8a、8b、8c、8dの体積又は高さを一定にすることができる。従って、各チップ電極2b、3a、3b、4a又は基板電極5a、5b、6a、6bで同様の接続状態が得られることから、組立が容易である。   According to the fifth embodiment, the same effects as those of the second embodiment can be obtained, and the main surfaces 2e, 3e, and 4e between the chip components 2, 3, and 4 to be connected have the same height, and the second substrate 5 or the second substrate 5 By adjusting the thickness of any of the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, 6b of the three substrates 6, the difference in height of the main surfaces 2e, 3e, 4e between the chip components 2, 3, 4 to be connected is eliminated. In addition, a sufficient connection state between the chip electrodes 2b, 3a, 3b, and 4a and the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, and 6b can be obtained through the stud bumps 8a, 8b, 8c, and 8d. Further, the volume or height of the stud bumps 8a, 8b, 8c, 8d can be made constant by the chip electrodes 2b, 3a, 3b, 4a or the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, 6b. Therefore, since the same connection state can be obtained by the chip electrodes 2b, 3a, 3b, 4a or the substrate electrodes 5a, 5b, 6a, 6b, assembly is easy.

なお、本出願において図面参照符号を付している場合は、それらは、専ら理解を助けるためのものであり、図示の態様に限定することを意図するものではない。   Note that, in the present application, where reference numerals are attached to the drawings, these are only for the purpose of helping understanding, and are not intended to be limited to the illustrated embodiments.

(付記)
本発明の第1の視点においては、モジュール部品において、第1基板と、前記第1基板に対向して配された第2基板と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、を備え、前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、前記第2バンプは、前記第1バンプの高さよりも高いことを特徴とする。
(Appendix)
According to a first aspect of the present invention, in the module component, the first substrate, the second substrate disposed opposite to the first substrate, and the main surface facing the second substrate side, the first substrate. The first chip component mounted on one substrate and the first chip mounted on a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate side. A second chip component thinner than the thickness of the component, a first bump connecting the second substrate and the first chip component, a second bump connecting the second substrate and the second chip component, The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump, and the second bump is formed on the first bump. It is characterized by being higher than the height.

本発明の前記モジュール部品において、前記第1チップ部品は、主面に前記第1バンプと接続される第1チップ電極を有し、前記第2チップ部品は、主面に前記第2バンプと接続される第2チップ電極を有し、前記第2基板は、前記第1チップ電極と対向する位置に前記第1バンプと接続される第1基板電極を有するともに、前記第2チップ電極と対向する位置に前記第2バンプと接続される第2基板電極を有し、前記第1基板電極及び前記第2基板電極は、前記第1チップ電極及び前記第2チップ電極よりも面積が大きいことが好ましい。   In the module component of the present invention, the first chip component has a first chip electrode connected to the first bump on a main surface, and the second chip component is connected to the second bump on a main surface. The second substrate has a first substrate electrode connected to the first bump at a position facing the first chip electrode, and faces the second chip electrode. It is preferable that a second substrate electrode connected to the second bump is provided at a position, and the first substrate electrode and the second substrate electrode have a larger area than the first chip electrode and the second chip electrode. .

本発明の前記モジュール部品において、前記第1バンプと前記第1電極との接続面積は、前記第1バンプと前記第1チップ電極との接続面積よりも小さく、前記第2バンプと前記第2電極との接続面積は、前記第2バンプと前記第2チップ電極との接続面積よりも小さいことが好ましい。   In the module component of the present invention, a connection area between the first bump and the first electrode is smaller than a connection area between the first bump and the first chip electrode, and the second bump and the second electrode. Is preferably smaller than the connection area between the second bump and the second chip electrode.

本発明の前記モジュール部品において、前記第1バンプは、スタッドバンプであり、
前記第2バンプは、前記第1バンプよりも多段に積層されたスタッドバンプであることが好ましい。
In the module component of the present invention, the first bump is a stud bump,
It is preferable that the second bumps are stud bumps stacked in multiple stages than the first bumps.

本発明の前記モジュール部品において、前記前記第1バンプは、スタッドバンプがはんだバンプで覆われた構造となっており、前記前記第2バンプは、スタッドバンプがはんだバンプで覆われた構造となっていることが好ましい。   In the module component of the present invention, the first bump has a structure in which a stud bump is covered with a solder bump, and the second bump has a structure in which a stud bump is covered with a solder bump. Preferably it is.

本発明の前記モジュール部品において、前記第2基板は、前記第1基板電極又は前記第2基板電極と電気的に接続された受動部品を有することが好ましい。   In the module component of the present invention, it is preferable that the second substrate has a passive component electrically connected to the first substrate electrode or the second substrate electrode.

本発明の前記モジュール部品において、前記第2基板と異なる位置にて前記第1基板に対向して配された第3基板と、主面を前記第3基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品及び前記第2チップ部品と異なる位置に搭載される第3チップ部品と、前記第3基板と前記第2チップ部品とを接続する第3バンプと、前記第3基板と前記第3チップ部品とを接続する第4バンプと、をさらに備え、前記第3チップ部品は、前記第4バンプ、前記第3基板、前記第3バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続されることが好ましい。   In the module component of the present invention, the third substrate disposed opposite to the first substrate at a position different from the second substrate, and the first substrate with the main surface facing the third substrate side A third chip component mounted at a position different from the first chip component and the second chip component, a third bump connecting the third substrate and the second chip component, and the third substrate; A fourth bump connecting the third chip component, and the third chip component is electrically connected to the second chip component via the fourth bump, the third substrate, and the third bump. It is preferable to be connected to.

本発明の前記モジュール部品において、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品及び前記第2チップ部品と異なる位置に搭載される第3チップ部品と、前記第2バンプと異なる位置で前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第3バンプと、前記第2基板と前記第3チップ部品とを接続する第4バンプと、をさらに備え、前記第3チップ部品は、前記第4バンプ、前記第2基板、前記第3バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続されることが好ましい。   In the module component of the present invention, a third chip component mounted at a position different from the first chip component and the second chip component on the first substrate with a main surface facing the second substrate side; And a third bump for connecting the second substrate and the second chip component at a position different from the second bump, and a fourth bump for connecting the second substrate and the third chip component. The third chip component is preferably electrically connected to the second chip component via the fourth bump, the second substrate, and the third bump.

本発明の前記モジュール部品において、前記第1バンプ及び前記第2バンプは、1種類以上の金属から構成されることが好ましい。   In the module component of the present invention, it is preferable that the first bump and the second bump are made of one or more kinds of metals.

本発明の前記モジュール部品において、前記第2基板は、グランド、シグナル、グランドの順の配列で構成された配線を有することが好ましい。   In the module component according to the aspect of the invention, it is preferable that the second substrate has a wiring configured in the order of ground, signal, and ground.

本発明の第2の視点においては、モジュール部品において、第1基板と、前記第1基板に対向して配された第2基板と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、を備え、前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、前記第2基板は、前記第1バンプと接続される第1基板電極を有するともに、前記第2バンプと接続される第2基板電極を有し、前記第2基板電極は、前記第1基板電極よりも前記第1基板側に突出し、前記第2バンプは、前記第1バンプの高さと同じ高さであることを特徴とする。   In a second aspect of the present invention, in the module component, the first substrate, the second substrate disposed to face the first substrate, and the first surface with the main surface facing the second substrate side. The first chip component mounted on one substrate and the first chip mounted on a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate side. A second chip component thinner than the thickness of the component, a first bump connecting the second substrate and the first chip component, a second bump connecting the second substrate and the second chip component, The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump, and the second substrate is connected to the first bump. The first substrate electrode to be connected is connected to the second bump. A second substrate electrode that protrudes closer to the first substrate than the first substrate electrode, and the second bump has the same height as the first bump. It is characterized by.

本発明の第3の視点においては、モジュール部品の製造方法において、第1基板の所定の領域上に、第1チップ部品と、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品とを、主面を上にした状態で搭載する工程と、前記第1チップ部品の第1チップ電極、及び、前記第2基板の第1基板電極の一方の上に第1バンプを形成するとともに、前記第2チップ部品の第2チップ電極、及び、前記第2基板の第2基板電極の一方の上に前記第1バンプの高さよりも高い第2バンプを形成する工程と、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とが対向し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とが対向するように位置合せをして、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とを前記第1バンプを介して接続し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とを前記第2バンプを介して接続する工程と、を含むことを特徴とする。   In a third aspect of the present invention, in the module component manufacturing method, the first chip component and the second chip component thinner than the thickness of the first chip component are formed on a predetermined region of the first substrate. Mounting with the main surface facing upward, forming a first bump on one of the first chip electrode of the first chip component and the first substrate electrode of the second substrate; Forming a second bump higher than the height of the first bump on one of a second chip electrode of a two-chip component and a second substrate electrode of the second substrate; and the first chip electrode and the The first chip electrode and the first substrate electrode are aligned with each other so that the first substrate electrode faces and the second chip electrode and the second substrate electrode face each other. Connected via a bump, and the second chip electrode And a serial second substrate electrode, characterized in that it comprises, a step of connecting via the second bump.

なお、本発明の全開示(特許請求の範囲及び図面を含む)の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の全開示の枠内において種々の開示要素(各請求項の各要素、各実施形態ないし実施例の各要素、各図面の各要素等を含む)の多様な組み合わせないし選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲及び図面を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。また、本願に記載の数値及び数値範囲については、明記がなくともその任意の中間値、下位数値、及び、小範囲が記載されているものとみなされる。   It should be noted that the embodiments or examples can be changed or adjusted within the scope of the entire disclosure (including claims and drawings) of the present invention and based on the basic technical concept. In addition, various combinations or selections of various disclosed elements (including each element of each claim, each element of each embodiment or example, each element of each drawing, etc.) are possible within the scope of the entire disclosure of the present invention. It is. That is, the present invention naturally includes various variations and modifications that could be made by those skilled in the art according to the entire disclosure including the claims and the drawings, and the technical idea. Further, regarding numerical values and numerical ranges described in the present application, it is considered that any intermediate value, lower numerical value, and small range are described even if not specified.

1 第1基板
1a、1b、1c 基板電極
1d チップ部品搭載領域
1e 主面
2 第1チップ部品
2a、2b、2c チップ電極
2e 主面
2f ソルダレジスト
3 第2チップ部品
3a、3b、3c、3d チップ電極
3e 主面
3f ソルダレジスト
4 第3チップ部品
4a、4b、4c チップ電極
4e 主面
4f ソルダレジスト
5 第2基板
5a 第1基板電極
5b 第2基板電極
5c 配線
5d 支持板
5e ソルダレジスト
5f 第3基板電極
5g 第4基板電極
5h 配線
6 第3基板
6a 第3基板電極
6b 第4基板電極
6c 配線
6d 支持板
6e ソルダレジスト
7a 第1バンプ
7b 第2バンプ
7c 第3バンプ
7d 第4バンプ
8 スタッドバンプ
8a スタッドバンプ(第1バンプ)
8b スタッドバンプ(第2バンプ)
8c スタッドバンプ(第3バンプ)
8d スタッドバンプ(第4バンプ)
9 はんだバンプ
10a、10b、10c 金属ワイヤ
11a、11b、11c 接続材料
12 ソルダレジスト
20 モジュール部品
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 1st board | substrate 1a, 1b, 1c board | substrate electrode 1d chip component mounting area | region 1e main surface 2 1st chip components 2a, 2b, 2c chip electrode 2e main surface 2f solder resist 3 2nd chip components 3a, 3b, 3c, 3d chip Electrode 3e Main surface 3f Solder resist 4 Third chip component 4a, 4b, 4c Chip electrode 4e Main surface 4f Solder resist 5 Second substrate 5a First substrate electrode 5b Second substrate electrode 5c Wiring 5d Support plate 5e Solder resist 5f Third Substrate electrode 5g Fourth substrate electrode 5h Wiring 6 Third substrate 6a Third substrate electrode 6b Fourth substrate electrode 6c Wiring 6d Support plate 6e Solder resist 7a First bump 7b Second bump 7c Third bump 7d Fourth bump 8 Stud bump 8a Stud bump (first bump)
8b Stud bump (second bump)
8c Stud bump (third bump)
8d Stud bump (4th bump)
9 Solder bumps 10a, 10b, 10c Metal wires 11a, 11b, 11c Connecting material 12 Solder resist 20 Module parts

Claims (8)

第1基板と、
前記第1基板に対向して配された第2基板と、
主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、
主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、
前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、
前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、
を備え、
前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、
前記第2バンプは、前記第1バンプの高さよりも高く、
前記第2基板と異なる位置にて前記第1基板に対向して配された第3基板と、
主面を前記第3基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品及び前記第2チップ部品と異なる位置に搭載される第3チップ部品と、
前記第3基板と前記第2チップ部品とを接続する第3バンプと、
前記第3基板と前記第3チップ部品とを接続する第4バンプと、
をさらに備え、
前記第3チップ部品は、前記第4バンプ、前記第3基板、前記第3バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続される、
モジュール部品。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A first chip component mounted on the first substrate with the main surface facing the second substrate;
A second chip component that is mounted at a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate, and is thinner than the thickness of the first chip component;
A first bump connecting the second substrate and the first chip component;
A second bump connecting the second substrate and the second chip component;
With
The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump,
The second bump is rather higher than the height of the first bump,
A third substrate disposed opposite to the first substrate at a position different from the second substrate;
A third chip component mounted at a position different from the first chip component and the second chip component on the first substrate with the main surface facing the third substrate side;
A third bump connecting the third substrate and the second chip component;
A fourth bump connecting the third substrate and the third chip component;
Further comprising
The third chip component is electrically connected to the second chip component via the fourth bump, the third substrate, and the third bump.
Module parts.
前記第1チップ部品は、主面に前記第1バンプと接続される第1チップ電極を有し、
前記第2チップ部品は、主面に前記第2バンプと接続される第2チップ電極を有し、
前記第2基板は、前記第1チップ電極と対向する位置に前記第1バンプと接続される第1基板電極を有するともに、前記第2チップ電極と対向する位置に前記第2バンプと接続される第2基板電極を有し、
前記第1基板電極及び前記第2基板電極は、前記第1チップ電極及び前記第2チップ電極よりも面積が大きい請求項1記載のモジュール部品。
The first chip component has a first chip electrode connected to the first bump on a main surface;
The second chip component has a second chip electrode connected to the second bump on a main surface,
The second substrate has a first substrate electrode connected to the first bump at a position facing the first chip electrode, and is connected to the second bump at a position facing the second chip electrode. A second substrate electrode;
The module component according to claim 1, wherein the first substrate electrode and the second substrate electrode have a larger area than the first chip electrode and the second chip electrode.
前記第1バンプと前記第1基板電極との接続面積は、前記第1バンプと前記第1チップ電極との接続面積よりも小さく、
前記第2バンプと前記第2基板電極との接続面積は、前記第2バンプと前記第2チップ電極との接続面積よりも小さい請求項2記載のモジュール部品。
The connection area between the first bump and the first substrate electrode is smaller than the connection area between the first bump and the first chip electrode.
The module component according to claim 2, wherein a connection area between the second bump and the second substrate electrode is smaller than a connection area between the second bump and the second chip electrode.
前記第1バンプは、スタッドバンプであり、
前記第2バンプは、前記第1バンプよりも多段に積層されたスタッドバンプである請求項1乃至3のいずれか一に記載のモジュール部品。
The first bump is a stud bump,
4. The module component according to claim 1, wherein the second bump is a stud bump that is stacked in multiple stages than the first bump. 5.
前記第1バンプは、スタッドバンプがはんだバンプで覆われた構造となっており、
前記第2バンプは、スタッドバンプがはんだバンプで覆われた構造となっている請求項1乃至3のいずれか一に記載のモジュール部品。
The first bump has a structure in which a stud bump is covered with a solder bump,
The module component according to any one of claims 1 to 3, wherein the second bump has a structure in which a stud bump is covered with a solder bump.
前記第2基板は、前記第1基板電極又は前記第2基板電極と電気的に接続された受動部品を有する請求項2又は3記載のモジュール部品。 The second substrate, the first substrate electrode and the second module component of claim 2 or 3, wherein a substrate electrode and electrically connected to the passive components. 第1基板と、
前記第1基板に対向して配された第2基板と、
主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上に搭載された第1チップ部品と、
主面を前記第2基板側に向けた状態で前記第1基板上の前記第1チップ部品と異なる位置に搭載されるとともに、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、
前記第2基板と前記第1チップ部品とを接続する第1バンプと、
前記第2基板と前記第2チップ部品とを接続する第2バンプと、
を備え、
前記第1チップ部品は、前記第1バンプ、前記第2基板、前記第2バンプを介して前記第2チップ部品と電気的に接続され、
前記第2基板は、前記第1バンプと接続される第1基板電極を有するともに、前記第2バンプと接続される第2基板電極を有し、
前記第2基板電極は、前記第1基板電極よりも前記第1基板側に突出し、
前記第2バンプは、前記第1バンプの高さと同じ高さであるモジュール部品。
A first substrate;
A second substrate disposed opposite the first substrate;
A first chip component mounted on the first substrate with the main surface facing the second substrate;
A second chip component that is mounted at a position different from the first chip component on the first substrate with the main surface facing the second substrate, and is thinner than the thickness of the first chip component;
A first bump connecting the second substrate and the first chip component;
A second bump connecting the second substrate and the second chip component;
With
The first chip component is electrically connected to the second chip component via the first bump, the second substrate, and the second bump,
The second substrate has a first substrate electrode connected to the first bump and a second substrate electrode connected to the second bump.
The second substrate electrode protrudes closer to the first substrate than the first substrate electrode,
The second bump is a module component having the same height as the first bump.
第1基板の所定の領域上に、第1チップ部品と、前記第1チップ部品の厚さよりも薄い第2チップ部品と、第3チップ部品とを、主面を上にした状態で搭載する工程と、
前記第1チップ部品の第1チップ電極、及び、第2基板の第1基板電極の一方の上に第1バンプを形成するとともに、前記第2チップ部品の第2チップ電極、及び、前記第2基板の第2基板電極の一方の上に前記第1バンプの高さよりも高い第2バンプを形成する工程と、
前記第1チップ電極と前記第1基板電極とが対向し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とが対向するように位置合せをして、前記第1チップ電極と前記第1基板電極とを前記第1バンプを介して接続し、かつ、前記第2チップ電極と前記第2基板電極とを前記第2バンプを介して接続する工程と、
前記第2チップ部品の第3チップ電極、及び、第3基板の第3基板電極の一方の上に第3バンプを形成するとともに、前記第3チップ部品の第4チップ電極、及び、前記第3基板の第4基板電極の一方の上に第4バンプを形成する工程と、
前記第3チップ電極と前記第3基板電極とが対向し、かつ、前記第4チップ電極と前記第4基板電極とが対向するように位置合せをして、前記第3チップ電極と前記第3基板電極とを前記第3バンプを介して接続し、かつ、前記第4チップ電極と前記第4基板電極とを前記第4バンプを介して接続する工程と、
を含むモジュール部品の製造方法。
Mounting the first chip component, the second chip component thinner than the thickness of the first chip component, and the third chip component on a predetermined region of the first substrate with the main surface facing up; When,
A first bump is formed on one of the first chip electrode of the first chip component and the first substrate electrode of the second substrate, the second chip electrode of the second chip component, and the second Forming a second bump higher than the height of the first bump on one of the second substrate electrodes of the substrate;
The first chip electrode and the first substrate electrode are aligned with each other so that the first chip electrode and the first substrate electrode are opposed to each other, and the second chip electrode and the second substrate electrode are opposed to each other. Connecting a substrate electrode via the first bump, and connecting the second chip electrode and the second substrate electrode via the second bump;
A third bump is formed on one of the third chip electrode of the second chip component and the third substrate electrode of the third substrate, the fourth chip electrode of the third chip component, and the third chip electrode. Forming a fourth bump on one of the fourth substrate electrodes of the substrate;
The third chip electrode and the third substrate electrode are aligned so that the third chip electrode and the third substrate electrode face each other, and the fourth chip electrode and the fourth substrate electrode face each other. Connecting a substrate electrode via the third bump, and connecting the fourth chip electrode and the fourth substrate electrode via the fourth bump;
Of manufacturing module parts including
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