JP6362938B2 - Display device and manufacturing method of display device - Google Patents
Display device and manufacturing method of display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP6362938B2 JP6362938B2 JP2014136504A JP2014136504A JP6362938B2 JP 6362938 B2 JP6362938 B2 JP 6362938B2 JP 2014136504 A JP2014136504 A JP 2014136504A JP 2014136504 A JP2014136504 A JP 2014136504A JP 6362938 B2 JP6362938 B2 JP 6362938B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- layer
- auxiliary wiring
- display device
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 359
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 9
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 32
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C12=CC=CC=C2C(C2=CC3=CC=CC=C3C=C2)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=C(C=CC=C2)C2=C1 VIZUPBYFLORCRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N n,n-diphenyl-4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(n-phenylanilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]aniline Chemical group C=1C=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1/C=C/C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1\C=C\C(C=C1)=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YPJRZWDWVBNDIW-MBALSZOMSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、表示装置の画質を改善する技術に関する。 The present invention relates to a technique for improving the image quality of a display device.
近年、有機EL(Organic Electroluminescence)など、供給される電流に応じた強度で発光する素子を用いた表示装置が開発されている。このような表示装置として、トップエミッション型アクティブマトリックス有機ELディスプレイがある。この表示装置によれば、発光素子の発光方向が、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)とは逆の方向になる。そこで、発光素子の発光方向側(TFTとは逆側)の電極(以下、上部電極という)に、光透過性を有する程度に薄膜化した金属を用いたり、透明導電性酸化物を用いたりする必要がある。しかし、これらは、低抵抗化することが困難であり、電圧降下に伴う画面内の輝度分布が発生する。 In recent years, display devices using elements that emit light with an intensity corresponding to a supplied current, such as organic EL (Organic Electroluminescence), have been developed. As such a display device, there is a top emission type active matrix organic EL display. According to this display device, the light emitting direction of the light emitting element is opposite to that of a thin film transistor (TFT). Therefore, a light-transmitting metal (thin film) or a transparent conductive oxide is used for an electrode (hereinafter referred to as the upper electrode) on the light emitting direction side (the side opposite to the TFT) of the light emitting element. There is a need. However, it is difficult to reduce the resistance of these, and a luminance distribution in the screen is generated due to a voltage drop.
この輝度分布は、高電流が必要な高輝度にするほど、また、大画面化するほど顕著になってくる。そのため、補助配線を用いて上部電極と接続することにより、電圧降下を減らす試みがなされている(例えば、特許文献1〜4)。 This luminance distribution becomes more prominent as the luminance becomes higher and a larger screen is required. Therefore, attempts have been made to reduce the voltage drop by connecting to the upper electrode using the auxiliary wiring (for example, Patent Documents 1 to 4).
有機EL層を成膜する場合には、共通に成膜できる層が多いほど製造が容易になる。その場合には、特許文献3、4に開示された方法のように、補助配線上に成膜された有機膜を除去する工程を追加したり、有機膜を成膜するときに補助配線上に付着しないようにしたりする必要がある。したがって、工程が煩雑になるため、量産時の歩留まりを低下させる要因となり得る。 When forming an organic EL layer, the more layers that can be formed in common, the easier the manufacturing. In that case, as in the methods disclosed in Patent Documents 3 and 4, a step of removing the organic film formed on the auxiliary wiring is added, or when the organic film is formed on the auxiliary wiring. It is necessary to prevent it from adhering. Therefore, since the process becomes complicated, it can be a factor of reducing the yield during mass production.
例えば、特許文献3に開示された方法においては、大画面のディスプレイに対して、必要な部分にだけレーザ照射をするための遮蔽マスクをアライメントして配置したり、真空中で高精細なアライメントを行いつつ多数回のレーザのスポット照射を行ったりする必要がある。 For example, in the method disclosed in Patent Literature 3, a shielding mask for irradiating a laser to only a necessary portion is aligned with a large screen display, or high-definition alignment is performed in a vacuum. It is necessary to perform spot irradiation of the laser many times while performing.
本発明の目的の一つは、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することにある。 One of the objects of the present invention is to simplify the process for connecting the auxiliary wiring and the upper electrode.
本発明の一実施形態によると、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素に対応して設けられた画素電極と、第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線と、前記画素電極の一部を露出する第1開口部、および前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部を有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、前記第1開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、第1導電層と前記補助配線に接続された第2導電層とを含む導電層であって、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第2開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部のそれぞれが、前記第1導電層および前記第2導電層の少なくとも一方を含み、前記接続部の少なくとも一部では、前記第1導電層上に前記第2導電層が積層されている導電層と、を備えることを特徴とする表示装置が提供される。 According to one embodiment of the present invention, a display device having a plurality of pixels, including a pixel electrode provided corresponding to the pixels, a first auxiliary wiring having a first end, and a second end. A plurality of auxiliary wirings including a second auxiliary wiring, wherein at least a part of the plurality of pixel electrodes is shorter than the distance between the auxiliary wiring and the pixel electrodes, The auxiliary wiring that faces the second end, the first opening that exposes a part of the pixel electrode, and the first end, the second end, and between these ends are exposed. An insulating layer having a second opening and disposed on the pixel electrode and the auxiliary wiring; and an organic light emitting layer disposed on the pixel electrode and the insulating layer exposed by the first opening; A conductive layer including a first conductive layer and a second conductive layer connected to the auxiliary wiring. Each of the electrode disposed on the organic light-emitting layer on the pixel electrode and the connection portion that electrically connects the auxiliary wiring and the electrode in the second opening is the first electrode. A conductive layer including at least one of a conductive layer and the second conductive layer, wherein at least a part of the connection portion includes the second conductive layer stacked on the first conductive layer. A display device is provided.
この表示装置によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。 According to this display device, the process for connecting the auxiliary wiring and the upper electrode can be simplified.
また、別の好ましい態様において、前記端部間の距離が1マイクロメートル乃至100マイクロメートルであってもよい。 In another preferred embodiment, the distance between the end portions may be 1 micrometer to 100 micrometers.
この表示装置によれば、端部間近傍の有機発光層の除去を効率的に行うことができる。 According to this display device, the organic light emitting layer in the vicinity of the end portions can be efficiently removed.
また、別の好ましい態様において、前記第2開口部で電気的に接続された前記補助配線と前記導電層との接続部分が複数であり、前記複数の接続部分には、接続抵抗が200kΩ以下である接続部分が含まれていてもよい。 In another preferred embodiment, there are a plurality of connection portions between the auxiliary wiring and the conductive layer electrically connected through the second opening, and the connection portions have a connection resistance of 200 kΩ or less. A connection portion may be included.
この表示装置によれば、画面内の輝度分布を良好にすることができる。 According to this display device, the luminance distribution in the screen can be improved.
また、別の好ましい態様において、前記第1導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、前記第1導電層と前記第2導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていてもよい。 In another preferred embodiment, the first conductive layer includes an electrode disposed on the organic light emitting layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at a portion other than the organic light emitting layer. May be.
この表示装置によれば、有機発光層からの導電層を通過する光を効率的に用いることができる。 According to this display device, light passing through the conductive layer from the organic light emitting layer can be used efficiently.
また、別の好ましい態様において、前前記第2導電層は前記有機発光層上に配置された電極を含み、前記第1導電層と前記第2導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていてもよい。 In another preferred embodiment, the second conductive layer includes an electrode disposed on the organic light emitting layer, and the first conductive layer and the second conductive layer are portions other than on the organic light emitting layer. It may be laminated.
この表示装置によれば、有機発光層からの導電層を通過する光を効率的に用いることができる。 According to this display device, light passing through the conductive layer from the organic light emitting layer can be used efficiently.
また、別の好ましい態様において、前記有機発光層を発光させるための電力が供給される電源接続電極を備え、前記電源接続電極は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていてもよい。 In another preferred embodiment, the power supply connection electrode to which power for causing the organic light emitting layer to emit light is supplied, the power supply connection electrode is connected to the conductive layer, and the auxiliary wiring is connected to the conductive layer. It may be indirectly connected through a layer.
この表示装置によれば、補助配線と電源接続電極とのレイアウトの自由度を向上させることができる。 According to this display device, the degree of freedom in the layout of the auxiliary wiring and the power connection electrode can be improved.
本発明の一実施形態によると、複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線を形成し、前記画素電極の一部を露出する第1開口部と、前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、前記第1開口部により露出された前記画素電極上、前記第2開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、前記画素電極上の前記有機発光層上および少なくとも前記第2開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第1導電層を形成し、前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第1導電層を介して放電を起こして、前記第2開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、前記第2開口部において露出させた前記補助配線と前記第1導電層とを電気的に接続する接続部を含む第2導電層を形成すること、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a method for manufacturing a display device having pixel electrodes corresponding to a plurality of pixels, the first auxiliary wiring having a first end and the second auxiliary wiring having a second end, A plurality of auxiliary wirings including at least a part of the plurality of pixel electrodes, wherein the first end part and the second end part are opposed to each other. An insulating layer having a first opening partly exposed, the first end part, the second end part and a second opening part exposed between these end parts is formed on the pixel electrode and the auxiliary wiring. Forming an organic light emitting layer on the pixel electrode exposed by the first opening, the auxiliary wiring exposed by the second opening, and the insulating layer; Exposed on the organic light emitting layer and at least by the second opening A first conductive layer is formed on the organic light emitting layer on the auxiliary wiring, and a voltage is applied between the first auxiliary wiring and the second auxiliary wiring to discharge between the end portions or between the end portions. The organic light emitting layer is removed so that at least a part of the auxiliary wiring exposed in the second opening is exposed by causing a discharge through the first conductive layer, and is exposed in the second opening. Forming a second conductive layer including a connection portion for electrically connecting the auxiliary wiring and the first conductive layer, to a method for manufacturing a display device.
この表示装置の製造方法によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。 According to the method for manufacturing the display device, the process for connecting the auxiliary wiring and the upper electrode can be simplified.
本発明の一実施形態によると、複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線を形成し、前記画素電極の一部を露出する第1開口部と、前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、前記第1開口部により露出された前記画素電極上、前記第2開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、少なくとも前記第2開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第1導電層を形成し、前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第1導電層を介して放電を起こして、前記第2開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第2開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む第2導電層を形成すること、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。 According to an embodiment of the present invention, a method for manufacturing a display device having pixel electrodes corresponding to a plurality of pixels, the first auxiliary wiring having a first end and the second auxiliary wiring having a second end, A plurality of auxiliary wirings including at least a part of the plurality of pixel electrodes, wherein the first end part and the second end part are opposed to each other. An insulating layer having a first opening partly exposed, the first end part, the second end part and a second opening part exposed between these end parts is formed on the pixel electrode and the auxiliary wiring. An organic light emitting layer is formed on the pixel electrode exposed by the first opening, the auxiliary wiring exposed by the second opening, and the insulating layer, and at least the second opening On the organic light emitting layer on the auxiliary wiring exposed by A conductive layer is formed, and a voltage is applied between the first auxiliary wiring and the second auxiliary wiring to cause discharge between the end portions or discharge between the end portions through the first conductive layer. Removing the organic light emitting layer so that at least a part of the auxiliary wiring exposed in the second opening is exposed, and an electrode disposed on the organic light emitting layer on the pixel electrode, and the second Forming a second conductive layer including a connection portion for electrically connecting the auxiliary wiring exposed in the opening and the electrode; and a method of manufacturing a display device, comprising:
この表示装置の製造方法によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。 According to the method for manufacturing the display device, the process for connecting the auxiliary wiring and the upper electrode can be simplified.
また、別の好ましい態様において、前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に印加される前記電圧は、交流電源から印加されてもよい In another preferable aspect, the voltage applied between the first auxiliary wiring and the second auxiliary wiring may be applied from an AC power supply.
この表示装置の製造方法によれば、端部間近傍の有機発光層の除去を効率的に行うことができる。 According to this display device manufacturing method, the organic light emitting layer in the vicinity of the end portions can be efficiently removed.
また、別の好ましい態様において、前記第1導電層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属、アルミニウム、インジウム、スズ、ニッケル、銅および亜鉛の少なくとも1種の金属元素を含む単層または複数層の導電層であってもよい。 In another preferred embodiment, the first conductive layer is a single layer or a plurality of layers containing at least one metal element of alkali metal, alkaline earth metal, lanthanoid metal, aluminum, indium, tin, nickel, copper, and zinc. It may be a conductive layer.
また、別の好ましい態様において、前記第1導電層が単層であり、前記第1導電層の膜厚は、5.5nm以上10nm以下であってもよい。 In another preferred embodiment, the first conductive layer may be a single layer, and the film thickness of the first conductive layer may be 5.5 nm or more and 10 nm or less.
また、別の好ましい態様において、前記第1導電層が、前記第2導電層から最も離れた第1層と前記第2導電層側の第2層とを含む複数層であり、前記第1層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも1種の金属元素を含み、前記第1導電層の膜厚は、4nm以上8nm以下であってもよい。 In another preferable aspect, the first conductive layer is a plurality of layers including a first layer farthest from the second conductive layer and a second layer on the second conductive layer side, and the first layer Contains at least one metal element of alkali metal, alkaline earth metal, lanthanoid metal and aluminum, and the film thickness of the first conductive layer may be 4 nm or more and 8 nm or less.
また、別の好ましい態様において、前記第1層は、前記有機発光層上に形成され、仕事関数が4.3eV以下であってもよい。 In another preferred embodiment, the first layer may be formed on the organic light emitting layer, and a work function may be 4.3 eV or less.
本発明によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。 According to the present invention, the process for connecting the auxiliary wiring and the upper electrode can be simplified.
以下、本発明の実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号(数字の後にA、B等を付しただけの符号)を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、基板上に形成される、とは、基板に接触して形成される場合だけでなく、基板との間に他の構成を挟んで形成される場合を含む。 Hereinafter, a display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are examples of the embodiments of the present invention, and the present invention is not construed as being limited to these embodiments, and various modifications can be made. Further, in the drawings referred to in this embodiment, the same portions or portions having similar functions are denoted by the same reference symbols or similar reference symbols (symbols in which A, B, etc. are added after numerals), and repeated. The description of may be omitted. In addition, the dimensional ratio in the drawing may be different from the actual ratio for convenience of explanation, or a part of the configuration may be omitted from the drawing. The term “formed on the substrate” includes not only the case of being formed in contact with the substrate but also the case of being formed with another configuration between the substrate and the substrate.
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。
<First Embodiment>
A display device according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明の第1実施形態における表示装置の構成を示す概略図である。表示装置1は、トップエミッション型有機ELディスプレイである。表示装置1は、スマートフォン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビなど、画像を表示する電子機器に用いられる。基板10は、表示装置1を駆動するための素子等が形成されている。表示領域100、表示領域100の周囲に設けられた駆動回路71、72、73、74、および電圧印加部70が、基板10に備えられている。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of a display device according to the first embodiment of the present invention. The display device 1 is a top emission type organic EL display. The display device 1 is used for electronic devices that display images, such as smartphones, mobile phones, personal computers, and televisions. The substrate 10 is formed with elements for driving the display device 1. The substrate 10 is provided with a display area 100, drive circuits 71, 72, 73, 74 provided around the display area 100, and a voltage application unit 70.
表示領域100には、TFTにより有機EL層の発光が制御される複数の画素、複数の画素を制御するための制御線が形成されている。また、表示領域100には、有機EL層の上部電極と接続される2系統の補助配線が形成されている。補助配線の詳細の説明は後述する。駆動回路71、72、73、74は、制御線を介して表示領域100の各画素に設けられた画素回路を制御するためのドライバである。また、表示領域100の外側には有機EL層を発光させるための電力を供給する電源と上部電極とを接続するための電源接続電極が設けられている。電圧印加部70は、2系統の補助配線に交流電圧を印加するための電源が接続される。なお、この例では交流電圧として説明するが、2系統の補助配線に直流電圧を印加するための電源が接続されてもよい。 In the display region 100, a plurality of pixels whose light emission of the organic EL layer is controlled by the TFT and a control line for controlling the plurality of pixels are formed. In the display area 100, two lines of auxiliary wiring connected to the upper electrode of the organic EL layer are formed. Details of the auxiliary wiring will be described later. The drive circuits 71, 72, 73, and 74 are drivers for controlling the pixel circuits provided in the respective pixels of the display area 100 through control lines. Further, a power supply connection electrode for connecting a power supply for supplying power for causing the organic EL layer to emit light and an upper electrode is provided outside the display region 100. The voltage application unit 70 is connected to a power supply for applying an alternating voltage to the two auxiliary wirings. In addition, although demonstrated in this example as an alternating voltage, the power supply for applying a direct current voltage to two auxiliary wirings may be connected.
図2は、本発明の第1実施形態における補助配線のレイアウトを説明する図である。図2は、表示領域100における補助配線のレイアウトがわかりやすくなるように、一部の構成を省略して表した図である。 FIG. 2 is a diagram for explaining the layout of the auxiliary wiring in the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a diagram in which a part of the configuration is omitted so that the layout of the auxiliary wiring in the display area 100 can be easily understood.
画素電極110B、110G、110R(以下、それぞれを区別しない場合には画素電極110という)は、それぞれ発光色が青、緑、赤の画素に対応する。各画素電極110は、TFTを用いて形成された画素回路に接続されている。以下に説明する設計値の例示は、画素ピッチPPが636μmである場合を例としているが、この例に限られない。 The pixel electrodes 110B, 110G, and 110R (hereinafter referred to as the pixel electrode 110 when not distinguished from each other) correspond to pixels whose emission colors are blue, green, and red, respectively. Each pixel electrode 110 is connected to a pixel circuit formed using a TFT. The example of the design value described below is an example in which the pixel pitch PP is 636 μm, but is not limited to this example.
補助配線210、220(以下、それぞれを区別しない場合には補助配線200という)は、それぞれ分離して形成された2系統の補助配線である。補助配線200は、隣接する画素電極110間に設けられている。なお、補助配線200は、少なくとも一部の画素電極110間に設けられていればよい。補助配線200の線幅L1、L2は、この例では、66μm、22μmである。 The auxiliary wirings 210 and 220 (hereinafter referred to as the auxiliary wiring 200 when not distinguished from each other) are two systems of auxiliary wirings formed separately from each other. The auxiliary wiring 200 is provided between adjacent pixel electrodes 110. Note that the auxiliary wiring 200 may be provided between at least some of the pixel electrodes 110. The line widths L1 and L2 of the auxiliary wiring 200 are 66 μm and 22 μm in this example.
画素電極110と補助配線200とは、同一層の導電膜で形成されている。導電膜は、この例では、下層に銀合金(例えば、AgPdCu等)、上層に透明導電性酸化物(例えばITO等)の積層で形成されている。なお、補助配線200は、画素電極110とは異なる層の導電膜で形成されていてもよい。 The pixel electrode 110 and the auxiliary wiring 200 are formed of the same conductive film. In this example, the conductive film is formed by stacking a silver alloy (for example, AgPdCu) in the lower layer and a transparent conductive oxide (for example, ITO) in the upper layer. Note that the auxiliary wiring 200 may be formed using a conductive film of a layer different from that of the pixel electrode 110.
絶縁層300は、画素電極110の一部および補助配線200の一部を露出しつつ、画素電極110および補助配線200を覆うように形成されている。絶縁層300は、ポリイミド等の有機樹脂で形成されている。 The insulating layer 300 is formed so as to cover the pixel electrode 110 and the auxiliary wiring 200 while exposing a part of the pixel electrode 110 and a part of the auxiliary wiring 200. The insulating layer 300 is made of an organic resin such as polyimide.
絶縁層300には、画素電極110の一部を露出する第1開口部310、および補助配線200の一部を露出する第2開口部320が設けられている。第1開口部310は、画素電極110と有機EL層とを接続し、有機EL層へ電流を流すための領域を形成する。第2開口部320は、有機EL層の上部電極と補助配線200とを接続するために設けられた領域であり、画素電極110間に設けられている。 The insulating layer 300 is provided with a first opening 310 that exposes a part of the pixel electrode 110 and a second opening 320 that exposes a part of the auxiliary wiring 200. The first opening 310 connects the pixel electrode 110 and the organic EL layer, and forms a region for flowing current to the organic EL layer. The second opening 320 is a region provided for connecting the upper electrode of the organic EL layer and the auxiliary wiring 200, and is provided between the pixel electrodes 110.
図3は、本発明の第1実施形態における第2開口部近傍のレイアウトを説明する図である。補助配線210の端部210Tと補助配線220の端部220Tとが対向する部分に、第2開口部320が設けられている。この例では、第2開口部320の開口寸法A1、A2は、15μm(10〜20μm)、35μm(30〜40μm)である。 FIG. 3 is a diagram illustrating a layout in the vicinity of the second opening in the first embodiment of the present invention. A second opening 320 is provided at a portion where the end 210T of the auxiliary wiring 210 and the end 220T of the auxiliary wiring 220 face each other. In this example, the opening dimensions A1 and A2 of the second opening 320 are 15 μm (10 to 20 μm) and 35 μm (30 to 40 μm).
端部210Tと端部220Tとの間BW(以下、端部間BWという場合がある)の距離Waは、例えば、1μm〜20μmであり、画素電極110と補助配線200とが最も近い部分の距離Wp(図2参照)よりも短くなっている。なお、図示していないが、端部間BWの距離は、画素回路のTFT等、補助配線200以外の他の導電性を有する部材と補助配線200との距離のいずれよりも短くなっていることが望ましい。 A distance Wa between the end portion 210T and the end portion 220T (hereinafter also referred to as an end-to-end BW) is, for example, 1 μm to 20 μm, and the distance between the pixel electrode 110 and the auxiliary wiring 200 is the closest. It is shorter than Wp (see FIG. 2). Although not shown, the distance between the end portions BW is shorter than any of the distances between the auxiliary wiring 200 and a conductive member other than the auxiliary wiring 200 such as a TFT of the pixel circuit. Is desirable.
図2に戻って説明を続ける。表示領域100の外側において、有機EL層を発光させるための電力を供給する電源と上部電極とを接続するための電源接続電極250が設けられている。電源接続電極250は、絶縁層300に覆われ、その一部が第3開口部350によって露出されている。 Returning to FIG. 2, the description will be continued. Outside the display region 100, a power supply connection electrode 250 for connecting a power supply for supplying power for causing the organic EL layer to emit light and an upper electrode is provided. The power connection electrode 250 is covered with the insulating layer 300, and a part of the power connection electrode 250 is exposed through the third opening 350.
図4は、図2に示すIV−IV’方向にみた断面の模式図である。基板1000は、ガラス基板にTFT等で形成された画素回路を含む基板を示し、表面はポリイミド等の絶縁膜で平坦化されている。画素電極110Bは、スルーホールを介してこの画素回路に接続されている。画素電極110、補助配線210、220、および電源接続電極250は、同一の導電膜で形成されている。絶縁層300は、画素電極110の一部を露出する第1開口部310、補助配線200の一部を露出する第2開口部320、および電源接続電極250の一部を露出する第3開口部350が形成されている。上述した図2においては、画素電極110、補助配線210、220、電源接続電極250、および絶縁層300が示されている。 FIG. 4 is a schematic diagram of a cross section seen in the IV-IV ′ direction shown in FIG. 2. A substrate 1000 is a substrate including a pixel circuit formed of a TFT or the like on a glass substrate, and the surface is planarized with an insulating film such as polyimide. The pixel electrode 110B is connected to this pixel circuit through a through hole. The pixel electrode 110, the auxiliary wirings 210 and 220, and the power connection electrode 250 are formed of the same conductive film. The insulating layer 300 includes a first opening 310 exposing a part of the pixel electrode 110, a second opening 320 exposing a part of the auxiliary wiring 200, and a third opening exposing a part of the power connection electrode 250. 350 is formed. In FIG. 2 described above, the pixel electrode 110, the auxiliary wirings 210 and 220, the power connection electrode 250, and the insulating layer 300 are shown.
有機EL層400は、表示領域100の絶縁層300上に形成されている。有機EL層400は、端部間BW近傍において後述するように除去されている。なお、図示のとおり端部間BWには、有機EL層400の残渣物450が存在する場合がある。第1導電層510は、有機EL層400上に形成された導電層である。また、第2導電層520は、開口部320およびその周囲に形成された導電層である。第1導電層510および第2導電層520は、画素電極110上の有機EL層400上(有機EL層400が発光する部分)以外の部分で積層して電気的に接続されている。以下、第1導電層510および第2導電層520を含む導電層を上部電極500という場合がある。 The organic EL layer 400 is formed on the insulating layer 300 in the display region 100. The organic EL layer 400 is removed in the vicinity of the end-to-end BW as described later. As shown in the figure, a residue 450 of the organic EL layer 400 may exist in the end-to-end BW. The first conductive layer 510 is a conductive layer formed on the organic EL layer 400. The second conductive layer 520 is a conductive layer formed in the opening 320 and its periphery. The first conductive layer 510 and the second conductive layer 520 are stacked and electrically connected at a portion other than the organic EL layer 400 on the pixel electrode 110 (the portion where the organic EL layer 400 emits light). Hereinafter, the conductive layer including the first conductive layer 510 and the second conductive layer 520 may be referred to as the upper electrode 500.
なお、端部間BW近傍において、有機EL層400が除去されているため、第2導電層520は、補助配線210の端部210Tと補助配線220の端部220Tとに接触して電気的に接続されている。すなわち、上部電極500は、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上に形成された電極と、この電極と端部210Tおよび端部220Tとを接続するための接続部を有している。 In addition, since the organic EL layer 400 is removed in the vicinity of the end-to-end BW, the second conductive layer 520 comes into contact with the end 210T of the auxiliary wiring 210 and the end 220T of the auxiliary wiring 220 to electrically It is connected. That is, the upper electrode 500 is used to connect the electrode formed on the organic EL layer 400 (the portion where the organic EL layer 400 emits light) on the pixel electrode 110 to the end 210T and the end 220T. It has a connection part.
また、この例では、電源接続電極250上にも上部電極500が形成されている。この例では、電源接続電極250上には、第1導電層510および第2導電層520の積層が形成されているが、第1導電層510または第2導電層520のいずれか一方であってもよい。 In this example, the upper electrode 500 is also formed on the power connection electrode 250. In this example, a stacked layer of a first conductive layer 510 and a second conductive layer 520 is formed on the power connection electrode 250, but it is either the first conductive layer 510 or the second conductive layer 520. Also good.
そのため、電源接続電極250から画素電極110上の上部電極500に有機EL層400を発光させるための電力が供給される。この例では画素電極110は有機EL層400のアノードとして用いられている。この際、補助配線200が上部電極500を介して間接的に電源接続電極250に接続されることになり、電源接続電極250から画素電極110上の上部電極500までの電気抵抗を小さくすることができる。補助配線200が上部電極500を介して間接的に電源接続電極250に接続されることにより、補助配線と電源接続電極とのレイアウトの自由度を向上させることができる。このとき、電源接続電極250と電圧印加部70とが上部電極500を介して間接的に接続されていてもよい。 Therefore, power for causing the organic EL layer 400 to emit light is supplied from the power connection electrode 250 to the upper electrode 500 on the pixel electrode 110. In this example, the pixel electrode 110 is used as an anode of the organic EL layer 400. At this time, the auxiliary wiring 200 is indirectly connected to the power connection electrode 250 via the upper electrode 500, and the electrical resistance from the power connection electrode 250 to the upper electrode 500 on the pixel electrode 110 can be reduced. it can. Since the auxiliary wiring 200 is indirectly connected to the power connection electrode 250 through the upper electrode 500, the degree of freedom in layout of the auxiliary wiring and the power connection electrode can be improved. At this time, the power connection electrode 250 and the voltage application unit 70 may be indirectly connected via the upper electrode 500.
なお、補助配線200と電源接続電極250とが直接的に接続していてもよく、その場合には、上部電極500は、電源接続電極250と上記の通り直接的に接続していてもよいし、補助配線200を介して間接的に接続していてもよい。 Note that the auxiliary wiring 200 and the power connection electrode 250 may be directly connected. In that case, the upper electrode 500 may be directly connected to the power connection electrode 250 as described above. Alternatively, they may be indirectly connected via the auxiliary wiring 200.
続いて、図4に示すような表示装置1の製造方法について、図5〜図8を用いて説明する。 Then, the manufacturing method of the display apparatus 1 as shown in FIG. 4 is demonstrated using FIGS.
図5は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法において、画素電極と補助配線が形成された基板の断面を示す模式図である。基板1000上に導電層が成膜され、フォトリソグラフィによるパターニングにより、画素電極110、補助配線210、220および電源接続電極250が形成される。 FIG. 5 is a schematic view showing a cross section of the substrate on which the pixel electrode and the auxiliary wiring are formed in the display device manufacturing method according to the first embodiment of the present invention. A conductive layer is formed on the substrate 1000, and the pixel electrode 110, the auxiliary wirings 210 and 220, and the power connection electrode 250 are formed by patterning by photolithography.
図6は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法において、絶縁膜が形成された基板の断面を示す模式図である。図5に示す工程の後に絶縁膜300が成膜され、フォトリソグラフィによるパターニングにより、第1開口部310、第2開口部320および第3開口部350が形成される。絶縁膜300は、感光性ポリイミド等を用い、露光、現像によりパターンが形成されてもよい。 FIG. 6 is a schematic view showing a cross section of a substrate on which an insulating film is formed in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. After the process shown in FIG. 5, the insulating film 300 is formed, and the first opening 310, the second opening 320, and the third opening 350 are formed by patterning by photolithography. The insulating film 300 may be made of photosensitive polyimide or the like, and a pattern may be formed by exposure and development.
図7は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法において、有機EL層および第1導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。図6に示す工程の後に、酸素プラズマ処理を施し、マスク等を用いて表示領域100に有機EL層400を成膜する。有機EL層400は、複数の有機層の積層構造であり、例えば、下層から上層に向けて「m−MTDATA」、「NPB」、「Blue EML」、「Alq」という積層構造になっている。なお、「Blue EML」については、少なくとも画素電極110B上に存在すればよいため、その他の領域においては存在しないように形成される場合もある。すなわち、図7等の記載において、有機EL層400は、成膜される領域のいずれでも同様の厚さで記載しているが、領域によっては厚さ、積層構造が異なる場合がある。 FIG. 7 is a schematic view showing a cross section of a substrate on which an organic EL layer and a first conductive layer are formed in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. After the process shown in FIG. 6, oxygen plasma treatment is performed, and an organic EL layer 400 is formed in the display region 100 using a mask or the like. The organic EL layer 400 has a stacked structure of a plurality of organic layers. For example, the organic EL layer 400 has a stacked structure of “m-MTDATA”, “NPB”, “Blue EML”, and “Alq” from the lower layer to the upper layer. Note that “Blue EML” only needs to exist at least on the pixel electrode 110B, and thus may not be formed in other regions. That is, in the description of FIG. 7 and the like, the organic EL layer 400 is described with the same thickness in any region where the film is formed, but the thickness and the laminated structure may be different depending on the region.
その後、第1導電層510が成膜される。第1導電層510は、この例では、MgAgであり、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上に形成された電極を含むため、有機EL層400のカソードとして用いられている。なお、第1導電層510と有機EL層400との間にLiF等の電子注入層が設けられていてもよい。 Thereafter, the first conductive layer 510 is formed. In this example, the first conductive layer 510 is MgAg, and includes an electrode formed on the organic EL layer 400 (the portion where the organic EL layer 400 emits light) on the pixel electrode 110, and thus the cathode of the organic EL layer 400. It is used as. An electron injection layer such as LiF may be provided between the first conductive layer 510 and the organic EL layer 400.
第1導電層510は、MgAgに限られず、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属、アルミニウム、インジウム、スズ、ニッケル、銅および亜鉛の少なくとも1種の金属元素を含む単層または複数層の導電層であってもよい。第1導電層510が複数層である場合には、最も有機EL層400の側の第1層(第2導電層520から最も離れた層)がアルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも1種の金属元素を含むことが望ましい。そして、第1導電層510の第1層は、仕事関数は、4.3eV以下であることが望ましい。 The first conductive layer 510 is not limited to MgAg, and is a single layer or a plurality of layers of conductive material containing at least one metal element of alkali metal, alkaline earth metal, lanthanoid metal, aluminum, indium, tin, nickel, copper, and zinc. It may be a layer. When the first conductive layer 510 has a plurality of layers, the first layer closest to the organic EL layer 400 (the layer farthest from the second conductive layer 520) is alkali metal, alkaline earth metal, lanthanoid metal, and aluminum. It is desirable to contain at least one metal element. The work function of the first layer of the first conductive layer 510 is preferably 4.3 eV or less.
第1導電層510の膜厚は、2nm以上10nm以下であればよい。特に、第1導電層510が単層である場合には、5.5nm以上10nm以下であることが望ましく、5.5nm以上8nm以下であることがさらに望ましい。また、第1導電層510が複数層である場合には、2nm以上8nm以下であることが望ましく、4nm以上8nm以下であることがさらに望ましい。 The film thickness of the first conductive layer 510 may be 2 nm or more and 10 nm or less. In particular, when the first conductive layer 510 is a single layer, the thickness is preferably 5.5 nm to 10 nm, and more preferably 5.5 nm to 8 nm. In the case where the first conductive layer 510 includes a plurality of layers, the thickness is preferably 2 nm or more and 8 nm or less, and more preferably 4 nm or more and 8 nm or less.
第1導電層510の膜厚が薄すぎると、導電層としての機能が失われて絶縁破壊(放電)させるための電圧が大きくなり、その結果、表示領域100の一部において大きな絶縁破壊が発生し、配線およびTFT回路等への悪影響を及ぼす場合がある。第1導電層510を複数層で形成すると、第1導電層510全体としての膜厚が薄くても導電層としての機能が失われにくい。一方、第1導電層510の膜厚が厚すぎると、絶縁破壊時に生じる第1導電膜の剥離の影響が大きく拡がってしまい、画素間の距離が短い高精細な表示装置では表示不良の原因となる場合がある。 If the film thickness of the first conductive layer 510 is too thin, the function as the conductive layer is lost and the voltage for dielectric breakdown (discharge) increases, and as a result, a large dielectric breakdown occurs in a part of the display region 100. However, it may adversely affect the wiring and TFT circuit. When the first conductive layer 510 is formed of a plurality of layers, the function as the conductive layer is not easily lost even if the thickness of the first conductive layer 510 as a whole is small. On the other hand, if the film thickness of the first conductive layer 510 is too thick, the influence of the peeling of the first conductive film that occurs at the time of dielectric breakdown is greatly expanded, and a high-definition display device with a short distance between pixels may cause display defects. There is a case.
図8は、本発明の第1実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機EL層および第1導電層が除去された基板の断面を示す模式図である。図7に示す工程の後、電圧印加部70を介して、交流電圧を補助配線210と補助配線220との間に印加する。例えば、周波数1kHz〜100kHz、実効印加電圧が10〜100Vrms程度であると端部間BWに放電が発生し、図8に示すように、有機EL層400および第1導電層510が除去される。このとき、補助配線210の端部210Tおよび補助配線220の端部220Tの少なくとも一部が露出されるが、一部に有機EL層400の残渣物450(第1導電層510の残渣物が含まれていてもよい)が残ってもよい。このとき、有機EL層400と第1導電層510とが周囲に吹き飛ぶことがあり、その拡がりを以下の説明では、図16に示す絶縁破壊最大径DBで表す。 FIG. 8 is a schematic view showing a cross section of the substrate from which the organic EL layer and the first conductive layer between the end portions have been removed in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. After the process shown in FIG. 7, an AC voltage is applied between the auxiliary wiring 210 and the auxiliary wiring 220 via the voltage application unit 70. For example, when the frequency is 1 kHz to 100 kHz and the effective applied voltage is about 10 to 100 Vrms, a discharge occurs in the end-to-end BW, and the organic EL layer 400 and the first conductive layer 510 are removed as shown in FIG. At this time, at least a part of the end part 210T of the auxiliary wiring 210 and the end part 220T of the auxiliary wiring 220 is exposed, and a residue 450 of the organic EL layer 400 (a residue of the first conductive layer 510 is included in a part thereof. May be left). At this time, the organic EL layer 400 and the first conductive layer 510 may blow around, and the spread is represented by the maximum dielectric breakdown diameter DB shown in FIG. 16 in the following description.
この例では、放電による有機EL層400および第1導電層510を除去するときには、表示領域100に存在する全ての補助配線200に電圧を印加して、全ての端部間BWで放電させる。ただし、一部の端部間BWにおいて生じた放電によって端部間BWに短絡を生じさせる場合もある。その場合には、その端部間BWと同じ補助配線210、220によって構成される端部間BWにおいては放電しにくくなる場合がある。したがって、必ずしも全ての端部間BWで放電しない場合もある。なお、放電においては補助配線210、220と第1導電層510との間に発生する場合もある。表示領域100内の全部の端部間BWに対する、放電が生じた端部間BWの数を、以下の説明では絶縁破壊発生率という。 In this example, when removing the organic EL layer 400 and the first conductive layer 510 by discharge, a voltage is applied to all the auxiliary wirings 200 existing in the display region 100 to discharge all the BWs between the end portions. However, a short circuit may be caused in the end-to-end BW due to the discharge generated in some end-to-end BW. In that case, it may be difficult to discharge in the end-to-end BW constituted by the same auxiliary wirings 210 and 220 as the end-to-end BW. Therefore, there is a case where the discharge is not necessarily performed at all the end-to-end BWs. Note that discharge may occur between the auxiliary wirings 210 and 220 and the first conductive layer 510. The number of end-to-end BWs where discharge has occurred relative to all end-to-end BWs in the display area 100 is referred to as dielectric breakdown occurrence rate in the following description.
図8に示す工程の後、第2導電層520を形成すると、図4に示すような構造となる。第2導電層520は、この例では、MgAgである。このとき、第2導電層520は、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上に形成された電極上には、形成されないようにして、上部電極500として透過率が低下しすぎないようにすることが望ましいが、有機EL層400が発光する部分に形成されてもよい。なお、第2導電層520は、透明導電性酸化物(例えばITO等)であってもよく、この場合には、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上に形成された電極上にも形成されていてもよい。なお、表示装置1は、さらに、窒素雰囲気下で透明封止ガラスを用いて、少なくとも表示領域100の封止を行う。このとき、基板周囲がUV硬化樹脂等で囲まれて、内部が封止される。 When the second conductive layer 520 is formed after the step shown in FIG. 8, the structure shown in FIG. 4 is obtained. In this example, the second conductive layer 520 is MgAg. At this time, the second conductive layer 520 is not formed on the electrode formed on the organic EL layer 400 on the pixel electrode 110 (the portion where the organic EL layer 400 emits light), and is transmitted as the upper electrode 500. Although it is desirable not to reduce the rate too much, the organic EL layer 400 may be formed in a portion that emits light. Note that the second conductive layer 520 may be a transparent conductive oxide (for example, ITO). In this case, the organic EL layer 400 on the pixel electrode 110 (the portion where the organic EL layer 400 emits light) is formed. It may also be formed on the electrode formed in the above. Note that the display device 1 further seals at least the display region 100 using a transparent sealing glass in a nitrogen atmosphere. At this time, the periphery of the substrate is surrounded by a UV curable resin or the like, and the inside is sealed.
端部間BWの距離は、有機EL膜400を除去して端部210T、220Tの一部を露出されるためには、1μm以上100μm以下であることが望ましく、1μm以上20μm以下であることがさらに望ましい。端部間BWの距離が1μm未満になると、大画面の表示装置の場合に、パターン形成を精度よく行うことが困難になり、短絡部が形成される等のリスクがある。一方、端部間BWの距離が大きくなりすぎると、放電を起こす条件が厳しくなり、より印加電圧を増加させる必要があるため、TFTへの放電による熱および電気的ダメージの可能性が高くなってしまう。そのため、画素電極110と補助配線200との間隔をさらに広げる必要があるなど、レイアウト上の制限が加わってしまう。そのため、端部間BWの距離は、20μm以下であることがさらに望ましい。 The distance between the end portions BW is preferably 1 μm or more and 100 μm or less in order to remove the organic EL film 400 and expose a part of the end portions 210T and 220T, and is preferably 1 μm or more and 20 μm or less. More desirable. If the distance between the end portions BW is less than 1 μm, in the case of a large-screen display device, it is difficult to accurately form a pattern, and there is a risk that a short-circuit portion is formed. On the other hand, if the distance between the end portions BW becomes too large, the conditions for causing discharge become severe, and it is necessary to increase the applied voltage. Therefore, the possibility of heat and electrical damage due to discharge to the TFT increases. End up. For this reason, there is a restriction on the layout, for example, it is necessary to further increase the distance between the pixel electrode 110 and the auxiliary wiring 200. Therefore, it is more desirable that the distance between the end portions BW is 20 μm or less.
また、補助配線200と第2導電層520との接続部分の電気抵抗が小さいほど、画面輝度の均一性確保、消費電力の低減に有利である。例えば、各画素に対して1箇所の接続部分を形成した場合、画素回路のTFTのしきい電圧等を考慮すると、画面輝度の均一性確保のために、接続部分での電圧降下を2V以下に抑制することが望ましい。この場合、接続部分の電気抵抗は、有機EL層の発光のために要する1画素のピーク電流が100μAの高輝度ディスプレイにおいて、200kΩ以下であることが望ましい。さらに接続部分での電圧降下を0.5V以下に抑制する、すなわち電気抵抗は50kΩ以下であることがさらに望ましい。 Further, the smaller the electrical resistance of the connection portion between the auxiliary wiring 200 and the second conductive layer 520, the more advantageous is the uniformity of screen luminance and the reduction of power consumption. For example, when one connection portion is formed for each pixel, considering the threshold voltage of the TFT of the pixel circuit, the voltage drop at the connection portion is 2 V or less in order to ensure the uniformity of screen luminance. It is desirable to suppress. In this case, the electrical resistance of the connection portion is desirably 200 kΩ or less in a high-luminance display in which the peak current of one pixel required for light emission of the organic EL layer is 100 μA. Further, it is more desirable that the voltage drop at the connection portion is suppressed to 0.5 V or less, that is, the electric resistance is 50 kΩ or less.
なお、接続部分は、1画素に1箇所でなく、複数画素に1箇所であってもよい。例えば、N画素に対して1箇所であれば、接続部分での電圧降下を2V以下に抑制するためには、1箇所当たりの接続部分の電気抵抗は200kΩ×(1/N)以下であることが望ましく、電圧降下を0.5V以下に抑制する、すなわち電気抵抗は50kΩ×(1/N)以下であることが望ましい。 Note that the number of connection portions may be one for a plurality of pixels instead of one for one pixel. For example, if there is one location for N pixels, in order to suppress the voltage drop at the connection portion to 2 V or less, the electrical resistance of the connection portion per location is 200 kΩ × (1 / N) or less. Preferably, the voltage drop is suppressed to 0.5 V or less, that is, the electric resistance is preferably 50 kΩ × (1 / N) or less.
このように、本発明の第1実施形態における表示装置1においては、第2導電層520を成膜する前に補助配線200に電圧を印加し、端部間BWに放電を生じさせて有機EL層400および第1導電層510を除去する。したがって、第2導電層520を成膜するときには、端部210Tおよび端部220Tの少なくとも一部を露出させていることから、第2導電層520(上部電極500)と補助配線200とを電気的に接続することができる。 As described above, in the display device 1 according to the first embodiment of the present invention, the voltage is applied to the auxiliary wiring 200 before the second conductive layer 520 is formed, and a discharge is generated in the end-to-end BW to generate the organic EL. The layer 400 and the first conductive layer 510 are removed. Therefore, when the second conductive layer 520 is formed, at least a part of the end portion 210T and the end portion 220T is exposed, so that the second conductive layer 520 (upper electrode 500) and the auxiliary wiring 200 are electrically connected. Can be connected to.
このように、放電により電気的に端部間BW近傍の有機EL層を除去することができるため、従来のように、精密なマスクのアライメント、選択的なレーザ照射等を行ったりする必要がないため、工程の簡略化が実現できる。この結果、画面の欠陥発生確率が増大することを抑制しつつ、上部電極の電圧降下を抑えて画面内の輝度分布を良好にすることができる。 As described above, since the organic EL layer in the vicinity of the end-to-end BW can be electrically removed by electric discharge, there is no need to perform precise mask alignment, selective laser irradiation, or the like as in the prior art. Therefore, the process can be simplified. As a result, it is possible to improve the luminance distribution in the screen by suppressing the voltage drop of the upper electrode while suppressing an increase in the defect occurrence probability of the screen.
<第2実施形態>
第1実施形態においては、端部間BWで放電させるときには、表示領域100全ての補助配線200に電圧が印加され、全ての端部間BWにおいて放電を促していた。第2実施形態においては、表示領域100を複数に分けて放電させる。
Second Embodiment
In the first embodiment, when the discharge is performed between the end portions BW, a voltage is applied to all the auxiliary wirings 200 in the display region 100, and the discharge is promoted in all the end portion BWs. In the second embodiment, the display area 100 is discharged in a plurality of parts.
図9は、本発明の第2実施形態における表示装置の補助配線への分割した電圧印加を説明する図である。表示装置1Aにおいては、表示領域は表示領域100A1、100A2の2領域に分割されている。表示装置1には、表示領域100A1の補助配線200に電圧を印加するための電圧印加部70A1、および表示領域100A2の補助配線200に電圧を印加するための電圧印加部70A2が設けられている。このようにすると、大面積を一度に処理することによる電流の増加を抑制することができ、過大な電流による焼損の不具合の発生を抑制することができる。また、表示領域100A1における放電で複数の端部間BWの一部に短絡が生じた場合があっても、表示領域100A2における放電に影響を与えないようにすることができる。 FIG. 9 is a diagram illustrating divided voltage application to the auxiliary wiring of the display device according to the second embodiment of the present invention. In display device 1A, the display area is divided into two areas, display areas 100A1 and 100A2. The display device 1 is provided with a voltage applying unit 70A1 for applying a voltage to the auxiliary wiring 200 in the display region 100A1, and a voltage applying unit 70A2 for applying a voltage to the auxiliary wiring 200 in the display region 100A2. If it does in this way, the increase in the electric current by processing a large area at a time can be suppressed, and generation | occurrence | production of the malfunction of the burning by an excessive electric current can be suppressed. Further, even when a short circuit occurs in some of the plurality of end-to-end portions BW due to the discharge in the display region 100A1, it is possible to prevent the discharge in the display region 100A2 from being affected.
<第3実施形態>
上述した第1実施形態においては、第1導電層510が有機EL層400のカソードとして用いられていたが、第3実施形態においては、第2導電層520が有機EL層400のカソードとして用いられた構成である。
<Third Embodiment>
In the first embodiment described above, the first conductive layer 510 is used as the cathode of the organic EL layer 400. However, in the third embodiment, the second conductive layer 520 is used as the cathode of the organic EL layer 400. It is a configuration.
図10は、本発明の第3実施形態における表示装置の製造方法において、有機EL層および第1導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。この工程は、第1実施形態の図7で説明した工程に対応している。第3実施形態における第1導電層510は、例えば、MgAgであり、図10に示すように、第1開口部310およびその周囲において、形成されていない。なお、第1導電層510の材料、膜厚は、第1実施形態と同様の範囲であればよい。 FIG. 10 is a schematic view showing a cross section of a substrate on which an organic EL layer and a first conductive layer are formed in the method for manufacturing a display device according to the third embodiment of the present invention. This step corresponds to the step described in the first embodiment with reference to FIG. The first conductive layer 510 in the third embodiment is, for example, MgAg, and is not formed in the first opening 310 and its surroundings as shown in FIG. In addition, the material and film thickness of the 1st conductive layer 510 should just be the same range as 1st Embodiment.
図11は、本発明の第3実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機EL層および第1導電層が除去された基板の断面を示す模式図である。この工程は、第1実施形態の図8で説明した工程に対応している。図10に示す工程の後、電圧印加部70を介して、交流電圧を補助配線210と補助配線220との間に印加する。例えば、周波数1kHz〜100kHz、実効印加電圧が10〜100Vrms程度であると端部間BWに放電が発生し、図11に示すように、有機EL層400および第1導電層510が除去される。 FIG. 11 is a schematic view showing a cross section of the substrate from which the organic EL layer and the first conductive layer between the end portions are removed in the display device manufacturing method according to the third embodiment of the present invention. This step corresponds to the step described with reference to FIG. 8 of the first embodiment. After the process shown in FIG. 10, an AC voltage is applied between the auxiliary wiring 210 and the auxiliary wiring 220 via the voltage application unit 70. For example, when the frequency is 1 kHz to 100 kHz and the effective applied voltage is about 10 to 100 Vrms, a discharge occurs in the end-to-end BW, and the organic EL layer 400 and the first conductive layer 510 are removed as shown in FIG.
図12は、本発明の第3実施形態における表示装置の製造方法において、第2導電層が形成された基板の断面を示す模式図である。図12は、第1実施形態において説明した図4に対応する。図11に示す工程の後、第2導電層520を形成すると、図12に示すような構造となる。第2導電層520は、この例では、MgAgであり、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上に形成された電極を含むため、有機EL層400のカソードとして用いられている。なお、第2導電層520と有機EL層400との間にLiF等の電子注入層が設けられていてもよい。 FIG. 12 is a schematic view showing a cross section of a substrate on which a second conductive layer is formed in the method for manufacturing a display device according to the third embodiment of the present invention. FIG. 12 corresponds to FIG. 4 described in the first embodiment. When the second conductive layer 520 is formed after the step shown in FIG. 11, the structure shown in FIG. 12 is obtained. In this example, the second conductive layer 520 is MgAg, and includes an electrode formed on the organic EL layer 400 (the portion where the organic EL layer 400 emits light) on the pixel electrode 110, and thus the cathode of the organic EL layer 400. It is used as. An electron injection layer such as LiF may be provided between the second conductive layer 520 and the organic EL layer 400.
なお、各実施形態に共通して、補助配線210と補助配線220とに電圧を印加して放電を発生させるときに、補助配線210の端部210T、補助配線220の端部220T、および端部間BWにわたって広がる第1導電層510が存在している。このようにすると、第1導電層510の効果により、各端部間BWにおいて安定して放電が発生しやすくなる。そして、有機EL層400と第1導電層510とが放電により除去された部分を、第2導電層520が覆う。これにより、第2導電層520は補助配線200と電気的に接続される。 Note that, in common with each embodiment, when a voltage is applied to the auxiliary wiring 210 and the auxiliary wiring 220 to generate a discharge, the end 210T of the auxiliary wiring 210, the end 220T of the auxiliary wiring 220, and the end There is a first conductive layer 510 extending across the gap BW. If it does in this way, according to the effect of the 1st conductive layer 510, it will become easy to generate | occur | produce discharge stably in each end part BW. And the 2nd conductive layer 520 covers the part from which the organic EL layer 400 and the 1st conductive layer 510 were removed by discharge. As a result, the second conductive layer 520 is electrically connected to the auxiliary wiring 200.
<第4実施形態>
第1実施形態においては、補助配線210の端部210T、および補助配線220の端部220Tの形状は矩形状であったが、異なる形状であってもよい。第4実施形態では、端部210T、220Tの形状として、2つの例を説明する。
<Fourth embodiment>
In the first embodiment, the end 210T of the auxiliary wiring 210 and the end 220T of the auxiliary wiring 220 have a rectangular shape, but may have different shapes. In the fourth embodiment, two examples will be described as the shapes of the end portions 210T and 220T.
図13は、本発明の第4実施形態における補助配線端部の形状の第1の例を説明する図である。図13に示す第1の例では、いずれも三角形状の端部210TB、220TBである。端部210TBと端部220TBとの距離は頂点同士の距離である。 FIG. 13 is a diagram illustrating a first example of the shape of the auxiliary wiring end portion according to the fourth embodiment of the present invention. In the first example shown in FIG. 13, both are triangular end portions 210TB and 220TB. The distance between the end portion 210TB and the end portion 220TB is a distance between vertices.
図14は、本発明の第3実施形態における補助配線端部の形状の第2の例を説明する図である。図14に示す第2の例では、一方の端部210TBは第1の例と同じであるが、端部220TCは、矩形状である。ただし、第1実施形態の場合とは異なり、補助配線220の線幅よりも拡がっている。なお、端部210TBについても端部220TCと同じ形状であってもよいし、端部210TBと端部220TCとが入れ替わった形状であってもよい。 FIG. 14 is a diagram illustrating a second example of the shape of the auxiliary wiring end portion according to the third embodiment of the present invention. In the second example shown in FIG. 14, one end portion 210TB is the same as the first example, but the end portion 220TC is rectangular. However, unlike the case of the first embodiment, it is wider than the line width of the auxiliary wiring 220. Note that the end portion 210TB may have the same shape as the end portion 220TC, or may have a shape in which the end portion 210TB and the end portion 220TC are interchanged.
[実施例1]
第1実施形態における構成に類似した構成で補助配線と上部電極との接続部分の電気抵抗(以下接触抵抗という)を測定した。
[Example 1]
The electrical resistance (hereinafter referred to as contact resistance) of the connecting portion between the auxiliary wiring and the upper electrode was measured with a configuration similar to the configuration in the first embodiment.
図15は、接触抵抗測定のための補助配線のレイアウトを説明する図である。この実施例では、2系統の補助配線BL1、BL2を想定し、各画素pixの2辺に対応して補助配線BL1、BL2が対向した端部間BWを設けている。この図では、画素pixは、6行6列に配置されているが、以下に説明する実施例では10行10列に配置されたものを用いている。画素pixの画素ピッチは318μmとした。 FIG. 15 is a diagram for explaining the layout of auxiliary wiring for contact resistance measurement. In this embodiment, two systems of auxiliary wirings BL1 and BL2 are assumed, and end-to-end BWs where the auxiliary wirings BL1 and BL2 face each other are provided corresponding to two sides of each pixel pix. In this figure, the pixels pix are arranged in 6 rows and 6 columns, but in the embodiment described below, pixels pix are arranged in 10 rows and 10 columns. The pixel pitch of the pixel pix was 318 μm.
まず、基板上に低温ポリシリコンを用いたTFTで画素回路を形成し、ポリイミド2μmを形成した後、画素電極と接続するためのスルーホールを形成した。そして、画素pixに対応した画素電極と、補助配線BL1、BL2を形成した。画素電極、および電気的に分離された2系統の補助配線BL1、BL2は、下層が銀合金(150nm)、上層がITO(20nm)の積層電極膜で形成されている。続いて、補助配線BL1、BL2が対向する端部および端部間BWを開口した絶縁膜を形成した。端部間BWの距離は、どの部分でも同じに形成され、5μm、10μm、15μm、20μmの4種類の実験サンプルを作成した。なお、補助配線BL1、BL2と画素電極との距離(最も近い部分)は20μmより大きく形成されている。 First, a pixel circuit was formed on the substrate with TFTs using low-temperature polysilicon, polyimide 2 μm was formed, and then a through hole for connection to the pixel electrode was formed. Then, pixel electrodes corresponding to the pixels pix and auxiliary wirings BL1 and BL2 were formed. The pixel electrode and the two electrically separated auxiliary wirings BL1 and BL2 are formed of a laminated electrode film having a lower layer made of a silver alloy (150 nm) and an upper layer made of ITO (20 nm). Subsequently, an insulating film was formed in which the ends facing the auxiliary wirings BL1 and BL2 and the BW between the ends were opened. The distance between the end portions BW was the same in every portion, and four types of experimental samples of 5 μm, 10 μm, 15 μm, and 20 μm were prepared. Note that the distance (closest portion) between the auxiliary wirings BL1 and BL2 and the pixel electrode is formed to be larger than 20 μm.
表面に酸素プラズマ処理を行った後、下層から上層に向けて、m−MTDATA(50nm)、NPB(70nm)、Blue EML(30nm)、Alq(30nm)という積層構造の有機EL層を成膜した。有機EL層の成膜に続けて、LiF(1nm)を成膜し、続いてMgAg(Mg:Ag=10:1)(10nm)の第1導電層を成膜した。このとき、補助配線BL1、BL2の通電用パッド部分には有機EL層が成膜されないように、各層の蒸着時にマスクをした。 After performing oxygen plasma treatment on the surface, an organic EL layer having a stacked structure of m-MTDATA (50 nm), NPB (70 nm), Blue EML (30 nm), and Alq (30 nm) was formed from the lower layer to the upper layer. . Following the formation of the organic EL layer, LiF (1 nm) was formed, and then a first conductive layer of MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (10 nm) was formed. At this time, a mask was applied during the deposition of each layer so that the organic EL layer was not formed on the energization pad portions of the auxiliary wirings BL1 and BL2.
そして、窒素雰囲気下において、2系統の補助配線BL1、BL2に対して、交流電源AGを用いて通電用パッド部分から交流電圧を印加した。この交流電圧は、周波数100kHz、実効印加電圧10V〜30Vrmsの範囲で行った。交流電圧の印加により端部間BWで放電が発生し、1箇所以上の端部間BW近傍で有機EL層が除去された。 Then, an alternating voltage was applied from the energizing pad portion to the two systems of auxiliary wirings BL1 and BL2 using an alternating current power supply AG in a nitrogen atmosphere. This AC voltage was performed in a frequency range of 100 kHz and an effective applied voltage of 10 V to 30 Vrms. Discharge occurred in the end-to-end BW due to the application of the AC voltage, and the organic EL layer was removed in the vicinity of one or more end-to-end BW.
その後、画素pix周囲の補助配線BL1、BL2を覆うように第2導電層を成膜し、画素pixおよびその周辺を含む領域をガラス基板で封止した。第2導電層は、MgAg(Mg:Ag=10:1)(10nm)とした。なお、上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されている。 Thereafter, a second conductive layer was formed so as to cover the auxiliary wirings BL1 and BL2 around the pixel pix, and the region including the pixel pix and its periphery was sealed with a glass substrate. The second conductive layer was MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (10 nm). Note that the upper electrode and the cathode power supply are indirectly connected via an auxiliary wiring.
実施例1は、上述の通り、第1実施形態において、第2導電層520が、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上にも形成されている場合の構成に対応する。 In Example 1, as described above, in the first embodiment, the second conductive layer 520 is formed also on the organic EL layer 400 on the pixel electrode 110 (the portion where the organic EL layer 400 emits light). Corresponds to the configuration.
このようにして作成した有機ELディスプレイを駆動したところ、3mAの電流で駆動電圧7.05A、発光効率4.5cd/Aであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が1700Ωであった。 When the organic EL display thus prepared was driven, the driving voltage was 7.05 A and the light emission efficiency was 4.5 cd / A at a current of 3 mA. Moreover, when the electrical resistance of the connection part was measured, the average per location was 1700Ω.
[実施例2]
実施例1において第1導電層をMgAg(Mg:Ag=10:1)(15nm)とし、第2導電層をITO(20nm)とした。それ以外の条件については実施例1と同様である。すなわち、第1実施形態において、ITOで形成された第2導電層520が、画素電極110上の有機EL層400(有機EL層400が発光する部分)上にも形成されている場合の構成に対応する。
[Example 2]
In Example 1, the first conductive layer was MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (15 nm), and the second conductive layer was ITO (20 nm). Other conditions are the same as in the first embodiment. That is, in the first embodiment, the second conductive layer 520 made of ITO is also formed on the organic EL layer 400 on the pixel electrode 110 (the portion where the organic EL layer 400 emits light). Correspond.
このようにして作成した有機ELディスプレイを駆動したところ、3mAの電流で駆動電圧7.07A、発光効率4.5cd/Aであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が2300Ωであった。 When the organic EL display thus prepared was driven, the driving voltage was 7.07 A and the light emission efficiency was 4.5 cd / A at a current of 3 mA. Moreover, when the electrical resistance of the connection part was measured, the average per location was 2300 (ohm).
[実施例3]
実施例1において第1導電層をMgAg(Mg:Ag=10:1)(12nm)とした。このとき、補助配線BL1、BL2が対向する端部および端部間BWの近傍において選択的に成膜され、画素電極上の有機EL層(有機EL層が発光する部分)上において成膜されないようにした。また、第1導電層の下層にはLiFが成膜されていない。一方、第2導電層は、MgAg(Mg:Ag=10:1)(15nm)とし、その下層にLiF(1nm)を成膜した。それ以外の条件については実施例1と同様である。すなわち、第3実施形態に対応する構成である。
[Example 3]
In Example 1, the first conductive layer was MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (12 nm). At this time, the auxiliary wirings BL1 and BL2 are selectively formed in the vicinity of the opposing ends and the end-to-end BW, and are not formed on the organic EL layer on the pixel electrode (the portion where the organic EL layer emits light). I made it. Further, LiF is not formed under the first conductive layer. On the other hand, the second conductive layer was made of MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (15 nm), and LiF (1 nm) was formed in the lower layer. Other conditions are the same as in the first embodiment. That is, the configuration corresponds to the third embodiment.
このようにして作成した有機ELディスプレイを駆動したところ、3mAの電流で駆動電圧7.04A、発光効率4.5cd/Aであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が1300Ωであった。 When the organic EL display thus prepared was driven, the driving voltage was 7.04 A and the light emission efficiency was 4.5 cd / A at a current of 3 mA. Moreover, when the electrical resistance of the connection part was measured, the average per location was 1300 (ohm).
[実施例4]
実施例1において第1導電層をMgAg(Mg:Ag=10:1)(15nm)とした。一方、第2導電層は、MgAg(Mg:Ag=10:1)(12nm)とし、補助配線BL1、BL2が対向する端部および端部間BWの近傍において選択的に成膜され、画素電極上の有機EL層(有機EL層が発光する部分)上において成膜されないようにした。それ以外の条件については実施例1と同様である。すなわち、第1実施形態に対応する構成である。
[Example 4]
In Example 1, the first conductive layer was MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (15 nm). On the other hand, the second conductive layer is made of MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (12 nm), and is selectively formed in the vicinity of the end portions where the auxiliary wirings BL1 and BL2 face each other and the BW between the end portions. It was made not to form into a film on the upper organic EL layer (part which an organic EL layer light-emits). Other conditions are the same as in the first embodiment. That is, the configuration corresponds to the first embodiment.
このようにして作成した有機ELディスプレイを駆動したところ、3mAの電流で駆動電圧7.04A、発光効率4.5cd/Aであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が1300Ωであった。 When the organic EL display thus prepared was driven, the driving voltage was 7.04 A and the light emission efficiency was 4.5 cd / A at a current of 3 mA. Moreover, when the electrical resistance of the connection part was measured, the average per location was 1300 (ohm).
[比較例1]
上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されるのではなく、上部電極とカソード電源とを直接接続したところ、3mAの電流で駆動電圧7.0V、発光効率4.5cd/Aであった。したがって、上記実施例1のように有機EL層を除去した部分において上部電極と補助配線とが接続し、上部電極とカソード電源とが補助配線を介して間接的に接続されている場合であっても、有機EL層の発光には大きな影響を与えていない、すなわち、実施例1における上部電極と補助電極との接触部分の電気抵抗が、有機EL層の発光に問題ない程度の抵抗として実現できていることが確認された。
[Comparative Example 1]
The upper electrode and the cathode power source are not indirectly connected via the auxiliary wiring, but the upper electrode and the cathode power source are directly connected. A. Therefore, as in Example 1 above, the upper electrode and the auxiliary wiring are connected in the portion where the organic EL layer is removed, and the upper electrode and the cathode power source are indirectly connected through the auxiliary wiring. However, it does not significantly affect the light emission of the organic EL layer, that is, the electrical resistance of the contact portion between the upper electrode and the auxiliary electrode in Example 1 can be realized as a resistance that does not cause a problem with the light emission of the organic EL layer. It was confirmed that
[比較例2]
実施例1において放電による有機EL層の除去を行わなかったところ、接続部分の電気抵抗は測定限界(1GΩ)以上であった。上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されているが、接続部分の抵抗は測定限界以上に高いため、電流が流れず有機EL層の点灯ができなかった。
[Comparative Example 2]
When the organic EL layer was not removed by discharge in Example 1, the electrical resistance of the connection portion was not less than the measurement limit (1 GΩ). Although the upper electrode and the cathode power source are indirectly connected through an auxiliary wiring, the resistance of the connection portion is higher than the measurement limit, so that no current flows and the organic EL layer cannot be lit.
[実施例5]
第1実施形態における構成に類似した構成で補助配線間に電圧を印加し、絶縁破壊による放電が発生するために必要な電圧、絶縁破壊最大径、絶縁破壊発生率、および発光異常の発生の有無について、第1導電層510による影響を調査した。この実施例では、図15に示すレイアウトにおいて、画素pixが136行×904列に配置され、画素ピッチが145μmであるものを用いた。
[Example 5]
A voltage similar to the structure in the first embodiment is applied between the auxiliary wirings, and a voltage necessary for generating a discharge due to a dielectric breakdown, a maximum dielectric breakdown diameter, a dielectric breakdown occurrence rate, and whether or not a light emission abnormality has occurred About, the influence by the 1st conductive layer 510 was investigated. In this embodiment, in the layout shown in FIG. 15, the pixels pix are arranged in 136 rows × 904 columns and the pixel pitch is 145 μm.
まず、基板上に低温ポリシリコンを用いたTFTで画素回路を形成し、ポリイミド2μmを形成した後、画素電極と接続するためのスルーホールを形成した。そして、画素pixに対応した画素電極と、補助配線BL1、BL2を形成した。画素電極、および電気的に分離された2系統の補助配線BL1、BL2は、下層が銀合金(150nm)、上層がITO(20nm)の積層電極膜で形成されている。続いて、補助配線BL1、BL2が対向する端部および端部間BW(第2開口部という)と画素電極に対応する部分(第1開口部という)を開口した絶縁膜(ポリイミド)を形成した。端部間BWの距離は、どの部分でも同じに形成され、4.0μmである。 First, a pixel circuit was formed on the substrate with TFTs using low-temperature polysilicon, polyimide 2 μm was formed, and then a through hole for connection to the pixel electrode was formed. Then, pixel electrodes corresponding to the pixels pix and auxiliary wirings BL1 and BL2 were formed. The pixel electrode and the two electrically separated auxiliary wirings BL1 and BL2 are formed of a laminated electrode film having a lower layer made of a silver alloy (150 nm) and an upper layer made of ITO (20 nm). Subsequently, an insulating film (polyimide) was formed in which the ends facing the auxiliary wirings BL1 and BL2 and the end-to-end BW (referred to as the second opening) and the portion corresponding to the pixel electrode (referred to as the first opening) were opened. . The distance between the end portions BW is the same in any portion and is 4.0 μm.
第2開口部は、1画素に付き1箇所形成した。なお、補助配線BL1、BL2は、表示領域の外側に通電用パッド部分を有するように形成し、後の工程において、補助配線BL1と補助配線BL2との間で電圧を印加できるようにした。また、電源接続電極は表示装置の表示領域の外側に形成した。 One second opening was formed per pixel. Note that the auxiliary wirings BL1 and BL2 are formed so as to have an energizing pad portion outside the display region, and a voltage can be applied between the auxiliary wiring BL1 and the auxiliary wiring BL2 in a later process. The power connection electrode was formed outside the display area of the display device.
表面に酸素プラズマ処理を行った後、下層から上層に向けて、m−MTDATA(50nm)、NPB(70nm)、発光層(30nm)、Alq(30nm)という積層構造の有機EL層を成膜した。有機EL層の成膜に続けて、LiF(1nm)層を成膜した。ここで、発光層は、ADN(9,10−Di(2−naphthyl)anthracene)と、発光層の総重量に対して5質量%のDPAVBi(4,4’−Bis[2−{4−(N,N−diphenylamino)phenyl}vinyl]biphenyl)とを共蒸着することで形成した。なお、有機EL層は、マスクを用いて表示装置の表示領域にのみ成膜し、表示領域の外側の通電用パッド部分等には成膜されないようにした。 After performing oxygen plasma treatment on the surface, an organic EL layer having a laminated structure of m-MTDATA (50 nm), NPB (70 nm), light emitting layer (30 nm), and Alq (30 nm) was formed from the lower layer to the upper layer. . Following the formation of the organic EL layer, a LiF (1 nm) layer was formed. Here, the light-emitting layer includes ADN (9,10-Di (2-naphthyl) anthracene) and 5% by mass of DPAVBi (4,4′-Bis [2- {4- ( N, N-diphenylamino) phenyl} vinyl] biphenyl). Note that the organic EL layer was formed only on the display area of the display device using a mask, and was not formed on the energizing pad portion or the like outside the display area.
さらに、真空蒸着法にて第1導電層510を形成した。ここでは第1層としてCa(膜厚Xnm)と、第1層上の第2層としてMgAg(Mg:Ag=10:1)(膜厚Ynm)とを第1導電層510として形成した。ここで、第1導電層510においても通電用パッド部分を有するパターンが形成されるようにマスクを用いて成膜した。この実施例では、Caを成膜しない場合、および2nm成膜した場合において、MgAgの膜厚を異ならせてサンプルを作成した。 Further, the first conductive layer 510 was formed by a vacuum evaporation method. Here, Ca (film thickness X nm) is formed as the first layer, and MgAg (Mg: Ag = 10: 1) (film thickness Y nm) is formed as the first conductive layer 510 as the second layer on the first layer. Here, the first conductive layer 510 was also formed using a mask so that a pattern having a pad portion for energization was formed. In this example, samples were prepared with different thicknesses of MgAg when no Ca film was formed and when a 2 nm film was formed.
次に、窒素雰囲気下において2系統の補助配線BL1、BL2に対して、交流電源AGを用いて通電用パッド部分から交流電圧を印加した。この交流電圧は、矩形電圧であり、周波数10kHzである。この電圧印加により、補助配線BL1、BL2の端部間で絶縁破壊による放電が発生し、一部の第2開口部においては有機EL層および第1導電部510が一部溶融し、除去されていることを確認した。表示領域内の別の第2開口部においては明確な有機EL層の除去ではないが下層の補助配線BL1、BL2が電気的エネルギによって溶融した痕跡があり、上部の有機EL層を含めて混合した領域を形成した。 Next, an AC voltage was applied from the energizing pad portion to the two systems of auxiliary wirings BL1 and BL2 using an AC power supply AG in a nitrogen atmosphere. This AC voltage is a rectangular voltage and has a frequency of 10 kHz. By applying this voltage, a discharge due to dielectric breakdown occurs between the ends of the auxiliary wirings BL1 and BL2, and the organic EL layer and the first conductive portion 510 are partially melted and removed in some of the second openings. I confirmed. In another second opening in the display area, although there is no clear removal of the organic EL layer, there is a trace that the lower auxiliary wirings BL1 and BL2 are melted by electrical energy, and the upper organic EL layer is mixed including the upper organic EL layer. A region was formed.
さらに、真空蒸着法にて第2導電層520を形成した。ここでは第2導電層520は、MgAg(Mg:Ag=10:1)を(12−Y)nm形成し、電源接続電極、補助配線BL1、BL2および第1導電層510を接続した。続いて、窒素雰囲気において、基板の表示領域を透明封止ガラスで覆い、基板と透明封止ガラスとをUV硬化樹脂で接着し封止することで表示装置を製造した。 Further, a second conductive layer 520 was formed by a vacuum evaporation method. Here, as the second conductive layer 520, MgAg (Mg: Ag = 10: 1) is formed to (12−Y) nm, and the power connection electrode, the auxiliary wirings BL1 and BL2, and the first conductive layer 510 are connected. Subsequently, in a nitrogen atmosphere, the display area of the substrate was covered with a transparent sealing glass, and the substrate and the transparent sealing glass were bonded and sealed with a UV curable resin to manufacture a display device.
以下の表1は、第1層Caの膜厚と第2層MgAgの膜厚との組み合わせにより、絶縁破壊に必要な電圧、絶縁破壊最大径、絶縁破壊発生率、および発光異常の発生の有無についての結果である。 Table 1 below shows the voltage required for dielectric breakdown, the maximum dielectric breakdown diameter, the dielectric breakdown occurrence rate, and the presence or absence of light emission abnormality depending on the combination of the film thickness of the first layer Ca and the film thickness of the second layer MgAg. It is a result about.
表1の結果によると、第1導電層510がMgAg単層である場合、5.5nm〜6.0nm(条件2、3)の膜厚で、良好な結果が得られた。5nm(条件1)以下では絶縁破壊のための必要電圧が非常に大きく、破壊が起きた場合の影響が巨大なものとなって発光異常がみられた。また、MgAgが12nm(条件4)である場合には、絶縁破壊に必要な電圧が低くなるが、絶縁破壊時にMgAgが剥離する範囲が大きくなって発光異常がみられた。ただし、条件1、4は、最適条件ではないが、第2開口部と画素との距離を大きくとれる画素ピッチであれば、適用可能な条件となり得る。 According to the results of Table 1, when the first conductive layer 510 is a single layer of MgAg, good results were obtained with a film thickness of 5.5 nm to 6.0 nm (conditions 2 and 3). Below 5 nm (Condition 1), the required voltage for dielectric breakdown was very large, and when the breakdown occurred, the effect of the breakdown was so great that abnormal light emission was observed. Further, when MgAg was 12 nm (condition 4), the voltage required for dielectric breakdown was reduced, but the range in which MgAg peeled during dielectric breakdown increased and abnormal emission was observed. However, conditions 1 and 4 are not optimum conditions, but may be applicable conditions as long as the pixel pitch allows a large distance between the second opening and the pixel.
第1導電層510がCa(2.0nm)とMgAgの積層である場合、MgAgが2.0nm(条件5)〜6.0nm(条件8)の膜厚で良好な結果が得られ、また、面内の分布も良好であった。MgAgが8.0nm(条件9)では、絶縁破壊に必要な電圧が低くなるが、絶縁破壊時にMgAgが剥離する範囲が大きくなって発光異常がみられた。ただし、条件9は、最適条件ではないが、第2開口部と画素との距離を大きくとれる画素ピッチであれば、適用可能な条件となり得る。 When the first conductive layer 510 is a laminate of Ca (2.0 nm) and MgAg, good results are obtained with a MgAg thickness of 2.0 nm (condition 5) to 6.0 nm (condition 8). The in-plane distribution was also good. When MgAg was 8.0 nm (Condition 9), the voltage required for dielectric breakdown was low, but the range in which MgAg peeled off during dielectric breakdown became large, and abnormal emission was observed. However, the condition 9 is not an optimal condition, but may be an applicable condition as long as the pixel pitch allows a large distance between the second opening and the pixel.
なお、絶縁破壊発生率は、100%である必要は無い。この実施例では、絶縁破壊発生率が35%以上50%以下になるように、絶縁破壊に必要な電圧を設定した。 Note that the dielectric breakdown occurrence rate is not necessarily 100%. In this example, the voltage required for dielectric breakdown was set so that the dielectric breakdown occurrence rate was 35% or more and 50% or less.
上記の通り、この実施例における各条件(画素ピッチ等)の下では、第1導電層510が条件2、3、5〜8において画素に欠陥がなく、良好な点灯が可能であった。この際、カソードは、補助配線BL1、BL2にのみ接続されており、有機EL層への電子供給は全て補助配線BL1、BL2を経由している。以下の表2は、これらの条件において、100mA通電時の特性(駆動電圧、効率)であり、いずれも良好な結果を示している。 As described above, under each condition (pixel pitch and the like) in this example, the first conductive layer 510 was free from defects in the pixels under the conditions 2, 3, and 5 to 8, and good lighting was possible. At this time, the cathode is connected only to the auxiliary wirings BL1 and BL2, and all the electron supply to the organic EL layer is via the auxiliary wirings BL1 and BL2. Table 2 below shows characteristics (driving voltage and efficiency) when energized with 100 mA under these conditions, and both show good results.
[実施例6]
実施例5の条件6において、絶縁破壊発生率が変化するように絶縁破壊電圧を調整し、表示装置を製造した。この際、表示領域の左端部に補助配線BL1用抵抗測定端子を設け、右端部に補助配線BL2用抵抗測定端子を設けて、両端子間の抵抗を測定できるようにした。両端子間の抵抗に表示領域の縦横比をかけることで補助配線BL1、BL2と第2導電層520とを合成した層を想定したシート抵抗を算出した。これによって、補助配線BL1、BL2の抵抗低減効果を検証した。この結果を以下の表3に示す。なお、画素電極におけるカソードは、第1導電層510と第2導電層520との積層になる。この積層は、Ca(2nm)上にMgAg(12nm)を積層したものであり、このシート抵抗は、35(Ω/□)であった。一方、接続部の抵抗を無視した補助配線BL1、BL2のシート抵抗は、8.1(Ω/□)であった。
[Example 6]
In condition 6 of Example 5, the dielectric breakdown voltage was adjusted so that the dielectric breakdown occurrence rate was changed, and a display device was manufactured. At this time, a resistance measurement terminal for the auxiliary wiring BL1 is provided at the left end portion of the display area, and a resistance measurement terminal for the auxiliary wiring BL2 is provided at the right end portion so that the resistance between the two terminals can be measured. By applying the aspect ratio of the display area to the resistance between both terminals, the sheet resistance was calculated assuming a layer in which the auxiliary wirings BL1 and BL2 and the second conductive layer 520 were synthesized. Thus, the resistance reduction effect of the auxiliary wirings BL1 and BL2 was verified. The results are shown in Table 3 below. Note that the cathode of the pixel electrode is a stack of the first conductive layer 510 and the second conductive layer 520. In this lamination, MgAg (12 nm) was laminated on Ca (2 nm), and the sheet resistance was 35 (Ω / □). On the other hand, the sheet resistance of the auxiliary wirings BL1 and BL2 ignoring the resistance of the connection portion was 8.1 (Ω / □).
表3に示す結果によれば、絶縁破壊発生率は2%(条件6−1)でも十分シート抵抗の低減効果が見られる。シート抵抗の低減効果が見られるための絶縁破壊発生率は、補助配線BL1、BL2の線幅および膜厚の条件、補助配線BL1、BL2と第2導電層520との接続部分の抵抗に変化するが、100%にする必要はない。すなわち、100%の絶縁破壊発生率を得るのに必要な高い電圧を印加する必要はない。印加する電圧を低くすることで、絶縁破壊による画素部分への影響を抑制したり、異常な放電を抑制したりすることができる。 According to the results shown in Table 3, even if the dielectric breakdown occurrence rate is 2% (Condition 6-1), the effect of reducing the sheet resistance is sufficiently observed. The dielectric breakdown occurrence rate for the effect of reducing the sheet resistance changes to the conditions of the line width and film thickness of the auxiliary wirings BL1 and BL2, and the resistance of the connection portion between the auxiliary wirings BL1 and BL2 and the second conductive layer 520. However, it is not necessary to make it 100%. That is, it is not necessary to apply a high voltage necessary to obtain a dielectric breakdown occurrence rate of 100%. By lowering the applied voltage, it is possible to suppress the influence on the pixel portion due to dielectric breakdown or to suppress abnormal discharge.
[実施例7]
実施例5の条件6において、端部間BWの距離を2.5μmにした表示装置と、6.0μmにした表示装置を製造した。その結果を以下の表4に示す。
[Example 7]
In condition 6 of Example 5, a display device in which the distance between the end portions BW was 2.5 μm and a display device in which the distance was 6.0 μm were manufactured. The results are shown in Table 4 below.
表4に示す結果によれば、端部間BWの距離が2.5μm〜6.0μmでは、いずれも良好な結果が得られた。 According to the results shown in Table 4, good results were obtained when the distance between the end portions BW was 2.5 μm to 6.0 μm.
なお、上記の実施例5〜7において、第1導電層510が、MgAgの共蒸着膜単層である場合と、CaとMgAgとの積層膜である場合を示したが、実施形態で説明したとおり、この組み合わせに限られるものではない。積層構造にする場合には、電子注入材料との組み合わせにもよるが、有機EL層に近い側に形成される層(第1層)としてCaの代わりに他の金属を用いることができる。第1層としては、特に、仕事関数が4.3eVよりも小さく、有機EL層への電子注入が容易である材料を用いることが望ましく、さらに、次いで積層される金属膜(上記の各実施例ではMgAg)の膜質を良好に保つ、すなわち、単層の場合より薄くしても導電層として機能することができる材料を用いることが望ましい。このような材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも1種の金属元素を含む。 In the above Examples 5 to 7, the case where the first conductive layer 510 is a single layer of MgAg co-deposited film and the case where it is a laminated film of Ca and MgAg are shown, but they are described in the embodiment. As such, it is not limited to this combination. In the case of a laminated structure, although depending on the combination with the electron injecting material, another metal can be used instead of Ca as a layer (first layer) formed on the side close to the organic EL layer. As the first layer, it is particularly preferable to use a material having a work function smaller than 4.3 eV and easy to inject electrons into the organic EL layer. Then, it is desirable to use a material that can maintain the film quality of MgAg) satisfactorily, that is, can function as a conductive layer even if it is thinner than a single layer. Examples of such a material include at least one metal element of alkali metal, alkaline earth metal, lanthanoid metal, and aluminum.
第1層の膜厚も、2nmに限定されず、他の様々な条件に応じて適宜決められればよい。第1層上に積層される第2層であるMgAgの共蒸着比率も適宜決定されればよく、例えば、AgをMgよりも大きくした比率にしてもよい。また、第2層は、MgAg(Mg:Ag=10:1)以外の異なる材料を用いることもでき、膜質、導電性、絶縁破壊条件、発光特性等の各条件に応じて、材料、共蒸着比、膜厚が適宜決められればよい。 The thickness of the first layer is not limited to 2 nm, and may be determined as appropriate according to various other conditions. The co-evaporation ratio of MgAg, which is the second layer laminated on the first layer, may be determined as appropriate. For example, Ag may be made larger than Mg. The second layer can also be made of a different material other than MgAg (Mg: Ag = 10: 1). Depending on the conditions such as film quality, conductivity, dielectric breakdown conditions, and light emission characteristics, the materials and co-evaporation can be used. The ratio and the film thickness may be determined as appropriate.
1…表示装置、10…基板、70…電圧印加部、71,72,73,74…駆動回路、100…表示領域、110,110B,110G,100R…画素電極、210,220…補助配線、210T,220T…端部、250…電源接続電極、300…絶縁層、310…第1開口部、320…第2開口部、350…第3開口部、400…有機EL層、450…残渣物、500…上部電極、510…第1導電層、520…第2導電層、1000…基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus, 10 ... Board | substrate, 70 ... Voltage application part, 71, 72, 73, 74 ... Drive circuit, 100 ... Display area, 110, 110B, 110G, 100R ... Pixel electrode, 210, 220 ... Auxiliary wiring, 210T , 220T ... end, 250 ... power connection electrode, 300 ... insulating layer, 310 ... first opening, 320 ... second opening, 350 ... third opening, 400 ... organic EL layer, 450 ... residue, 500 ... Upper electrode, 510 ... First conductive layer, 520 ... Second conductive layer, 1000 ... Substrate
Claims (13)
前記画素に対応して設けられた画素電極と、
第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線と、
前記画素電極の一部を露出する第1開口部、および前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部を有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、
前記第1開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、
第1導電層と前記補助配線に接続された第2導電層とを含む導電層であって、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第2開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部のそれぞれが、前記第1導電層および前記第2導電層の少なくとも一方を含み、前記接続部の少なくとも一部では、前記第1導電層上に前記第2導電層が積層されている導電層と、
を備えることを特徴とする表示装置。 A display device having a plurality of pixels,
A pixel electrode provided corresponding to the pixel;
A plurality of auxiliary wirings including a first auxiliary wiring having a first end and a second auxiliary wiring having a second end, wherein at least part of the plurality of pixel electrodes, An auxiliary wiring in which the first end and the second end are opposed to each other at a distance shorter than a distance from the pixel electrode;
A first opening that exposes a part of the pixel electrode; a first end; the second end; and a second opening that exposes a gap between the first end, the pixel electrode, and the auxiliary wiring. An insulating layer disposed on top;
An organic light emitting layer disposed on the pixel electrode and the insulating layer exposed by the first opening;
A conductive layer including a first conductive layer and a second conductive layer connected to the auxiliary wiring, the electrode disposed on the organic light emitting layer on the pixel electrode, and the auxiliary in the second opening Each of the connection portions that electrically connect the wiring and the electrode includes at least one of the first conductive layer and the second conductive layer, and at least a part of the connection portion is disposed on the first conductive layer. A conductive layer on which the second conductive layer is laminated;
A display device comprising:
前記第1導電層の膜厚は、5.5nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 The first conductive layer is a single layer;
The display device according to claim 2, wherein the film thickness of the first conductive layer is 5.5 nm or more and 10 nm or less.
前記第1層は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ランタノイド金属およびアルミニウムの少なくとも1種の金属元素を含み、
前記第1導電層の膜厚は、4nm以上8nm以下であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 The first conductive layer is a plurality of layers including a first layer farthest from the second conductive layer and a second layer on the second conductive layer side;
The first layer includes at least one metal element of alkali metal, alkaline earth metal, lanthanoid metal, and aluminum;
The display device according to claim 2, wherein a film thickness of the first conductive layer is 4 nm or more and 8 nm or less.
前記複数の接続部分には、接続抵抗が200kΩ以下である接続部分が含まれることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の表示装置。 There are a plurality of connecting portions between the auxiliary wiring and the conductive layer electrically connected in the second opening,
The display device according to claim 1, wherein the plurality of connection portions include connection portions having a connection resistance of 200 kΩ or less.
前記第1導電層と前記第2導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の表示装置。 The first conductive layer includes an electrode disposed on the organic light emitting layer,
The display device according to claim 1, wherein the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at a portion other than the organic light emitting layer.
前記第1導電層と前記第2導電層とは前記有機発光層上以外の部分で積層されていることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の表示装置。 The second conductive layer includes an electrode disposed on the organic light emitting layer,
The display device according to claim 1, wherein the first conductive layer and the second conductive layer are laminated at a portion other than the organic light emitting layer.
前記電力供給配線は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の表示装置。 Comprising power supply wiring to which power for causing the organic light emitting layer to emit light is supplied;
10. The power supply wiring is connected to the conductive layer while the power supply wiring is indirectly connected to the auxiliary wiring via the conductive layer. Display device.
第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線を形成し、
前記画素電極の一部を露出する第1開口部と、前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
前記第1開口部により露出された前記画素電極上、前記第2開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
前記画素電極上の前記有機発光層上および少なくとも前記第2開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第1導電層を形成し、
前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第1導電層を介して放電を起こして、前記第2開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
前記第2開口部において露出させた前記補助配線と前記第1導電層とを電気的に接続する接続部を含む第2導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 A method of manufacturing a display device having a pixel electrode corresponding to a plurality of pixels,
A plurality of auxiliary wirings including a first auxiliary wiring having a first end and a second auxiliary wiring having a second end, wherein the first end is at least partially between the plurality of pixel electrodes. And an auxiliary wiring facing the second end,
An insulating layer having a first opening exposing a part of the pixel electrode, the first end, the second end, and a second opening exposing between the ends, the pixel electrode and Formed on the auxiliary wiring,
Forming an organic light emitting layer on the pixel electrode exposed by the first opening, the auxiliary wiring exposed by the second opening, and the insulating layer;
Forming a first conductive layer on the organic light emitting layer on the pixel electrode and on the organic light emitting layer on at least the auxiliary wiring exposed by the second opening;
A voltage is applied between the first auxiliary wiring and the second auxiliary wiring to cause a discharge between the end portions or a discharge between the end portions through the first conductive layer, and the second opening portion. Removing the organic light emitting layer so that at least a part of the auxiliary wiring exposed to
Forming a second conductive layer including a connection portion for electrically connecting the auxiliary wiring exposed in the second opening and the first conductive layer;
A method for manufacturing a display device, comprising:
第1端部を有する第1補助配線と第2端部を有する第2補助配線とを含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記第1端部と前記第2端部とが対向している補助配線を形成し、
前記画素電極の一部を露出する第1開口部と、前記第1端部、前記第2端部およびこれらの端部間を露出する第2開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
前記第1開口部により露出された前記画素電極上、前記第2開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
少なくとも前記第2開口部により露出された前記補助配線上の前記有機発光層上に第1導電層を形成し、
前記第1補助配線と前記第2補助配線との間に電圧を印加して前記端部間に放電または前記端部間に前記第1導電層を介して放電を起こして、前記第2開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第2開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む第2導電層を形成すること、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 A method of manufacturing a display device having a pixel electrode corresponding to a plurality of pixels,
A plurality of auxiliary wirings including a first auxiliary wiring having a first end and a second auxiliary wiring having a second end, wherein the first end is at least partially between the plurality of pixel electrodes. And an auxiliary wiring facing the second end,
An insulating layer having a first opening exposing a part of the pixel electrode, the first end, the second end, and a second opening exposing between the ends, the pixel electrode and Formed on the auxiliary wiring,
Forming an organic light emitting layer on the pixel electrode exposed by the first opening, the auxiliary wiring exposed by the second opening, and the insulating layer;
Forming a first conductive layer on the organic light emitting layer on the auxiliary wiring exposed by at least the second opening;
A voltage is applied between the first auxiliary wiring and the second auxiliary wiring to cause a discharge between the end portions or a discharge between the end portions through the first conductive layer, and the second opening portion. Removing the organic light emitting layer so that at least a part of the auxiliary wiring exposed to
Forming a second conductive layer including an electrode disposed on the organic light emitting layer on the pixel electrode, and a connecting portion for electrically connecting the electrode to the auxiliary wiring exposed in the second opening; about,
A method for manufacturing a display device, comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014136504A JP6362938B2 (en) | 2013-11-22 | 2014-07-02 | Display device and manufacturing method of display device |
US14/547,263 US9117785B2 (en) | 2013-11-22 | 2014-11-19 | Display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013241711 | 2013-11-22 | ||
JP2013241711 | 2013-11-22 | ||
JP2014136504A JP6362938B2 (en) | 2013-11-22 | 2014-07-02 | Display device and manufacturing method of display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015121764A JP2015121764A (en) | 2015-07-02 |
JP6362938B2 true JP6362938B2 (en) | 2018-07-25 |
Family
ID=53533399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014136504A Active JP6362938B2 (en) | 2013-11-22 | 2014-07-02 | Display device and manufacturing method of display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6362938B2 (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015207484A (en) | 2014-04-22 | 2015-11-19 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | Display device, and manufacturing method of display device |
JP2017007382A (en) | 2015-06-17 | 2017-01-12 | 本田技研工業株式会社 | Wheel and manufacturing method for the same |
KR20210045431A (en) | 2018-08-29 | 2021-04-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Display panel, display device, input/output device, information processing device |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10289784A (en) * | 1997-04-14 | 1998-10-27 | Mitsubishi Chem Corp | Organic electroluminescnet element |
JP4089544B2 (en) * | 2002-12-11 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | Display device and manufacturing method of display device |
JP4483245B2 (en) * | 2003-09-19 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND DISPLAY DEVICE |
JP2008292678A (en) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Kyocera Corp | Method for manufacturing image display device |
KR101574210B1 (en) * | 2008-09-25 | 2015-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display and fabrication method of the same |
JP5157825B2 (en) * | 2008-10-29 | 2013-03-06 | ソニー株式会社 | Manufacturing method of organic EL display |
-
2014
- 2014-07-02 JP JP2014136504A patent/JP6362938B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015121764A (en) | 2015-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9799710B2 (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
KR102457162B1 (en) | Display apparatus and manufacturing method of the same | |
US10186562B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and organic light emitting display panel | |
US9276231B2 (en) | Method for fabricating organic electroluminescence device and organic electroluminescence device | |
US10559773B2 (en) | Lighting apparatus using organic light emitting diode and manufacturing method thereof | |
KR102373609B1 (en) | Display apparatus and fabricating method of the same | |
JP2010027597A (en) | Organic electroluminescence display device | |
JP6362938B2 (en) | Display device and manufacturing method of display device | |
JP6086333B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence display device and organic electroluminescence display device | |
JP2015125808A (en) | Display device | |
JP2007207569A (en) | Optical device and manufacturing method of the same | |
JP2008305810A (en) | Electroluminescence device | |
KR20100128794A (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
JP2013118074A (en) | Display device | |
US9117785B2 (en) | Display device and method of manufacturing the same | |
WO2012032661A1 (en) | Organic el panel | |
JP2015103337A (en) | Display device, and manufacturing method of display device | |
JP5903698B2 (en) | Organic EL device and manufacturing method thereof | |
KR101853030B1 (en) | Method for fabricating Organic Light Emitting Display Device | |
KR100866886B1 (en) | Method for manufacturing organic light emitting diode device | |
JP2015103359A (en) | Display device, and manufacturing method of display device | |
KR100836805B1 (en) | Method for manufacturing organic light emitting diode device | |
JP4673579B2 (en) | Display device | |
WO2020118897A1 (en) | Flexible circuit board and manufacturing method therefor, and oled display device | |
JP2008311094A (en) | Organic el panel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180627 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6362938 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |