JP6359130B2 - Electron beam sterilization equipment - Google Patents
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Description
本発明は、食品や薬液などの容器や用具に、電子線を照射して殺菌する電子線殺菌設備に関する。 The present invention relates to an electron beam sterilization facility for sterilizing containers and tools such as foods and chemicals by irradiating them with an electron beam.
細胞性微生物を殺菌するために照射された電子線(陰極線)が、遮蔽体として配置された金属製遮蔽体(鉛など)に衝突すると、減衰されるとともにX線として広範囲に拡散状態で反射、回折される。電子線の強度にもよるが、たとえば3〜4回程度遮蔽体に衝突すると、人体に影響を与えない程度の強度までX線を減衰させることができる。 When an electron beam (cathode ray) irradiated to sterilize cellular microorganisms collides with a metal shield (such as lead) arranged as a shield, it is attenuated and reflected in a diffuse state as a wide range of X-rays. Diffracted. Although depending on the intensity of the electron beam, for example, when it collides with the shield about 3 to 4 times, the X-ray can be attenuated to an intensity that does not affect the human body.
たとえば容器の口部に電子線照射ノズルを挿入して容器の内面を殺菌するような場合、電子線照射ノズルから全周方向にわたって電子線が照射される。そして、容器を高速で連続殺菌するために、遮蔽室に収容したロータリ式の旋回搬送装置を使用した場合、容器と共に旋回移動させた電子線照射ノズルを口部に挿入して殺菌する。ここで、電子線発生装置は、供給電圧が高電圧であるために電子線の照射をオン−オフすることができず、連続的に照射させることになる。このため、遮蔽室に形成される容器の入口や出口から漏出する電子線(X線)の遮蔽および減衰が大きい問題となる。 For example, when an electron beam irradiation nozzle is inserted into the mouth of the container to sterilize the inner surface of the container, the electron beam is irradiated from the electron beam irradiation nozzle over the entire circumference. In order to continuously sterilize the container at a high speed, when a rotary-type swivel conveying device accommodated in the shielding chamber is used, the electron beam irradiation nozzle swung together with the container is inserted into the mouth and sterilized. Here, since the supply voltage is a high voltage, the electron beam generator cannot turn on and off the irradiation of the electron beam, and continuously irradiates it. For this reason, the shielding and attenuation | damping of the electron beam (X-ray) which leaks from the inlet_port | entrance and exit of the container formed in a shielding chamber become a problem.
容器の口部に電子線照射ノズルを挿入して容器の内面を殺菌する技術として、たとえば引用文献1が提案されている。また内面殺菌用の電子線照射ノズルと外面殺菌用の電子線照射器を配置したものとして、引用文献2が提案されている。
As a technique for sterilizing the inner surface of the container by inserting an electron beam irradiation nozzle into the mouth of the container, for example, cited
しかしながら、特許文献1には、電子線照射ノズルの構造を提案するもので、遮蔽体まで言及していない。
また特許文献2には、電子線照射ノズルとともに、電子線照射器が配置されているが、遮蔽体について詳細な説明がない。
However,
In
本発明は上記問題点を解決して、電子線及びX線の漏出を効果的に減衰させることができる電子線殺菌設備を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to solve the above problems and to provide an electron beam sterilization facility capable of effectively attenuating leakage of electron beams and X-rays.
本発明の電子線殺菌設備は、複数の旋回経路に沿って容器を搬送する搬送装置と、前記容器の内面に電子線を照射して殺菌する内面電子線照射装置と、前記容器の外面に電子線を照射して殺菌する外面電子線照射装置と、前記複数の旋回経路のうちの少なくとも1つを収容するとともに、前記内面電子線照射装置および前記外面電子線照射装置を収容する殺菌ゾーンと、前記殺菌ゾーンに収容された旋回経路に上流側または下流側から接続された少なくとも1つの旋回経路を収容するとともに、前記殺菌ゾーンから漏出した電子線を減衰させるトラップゾーンと、を備え、前記殺菌ゾーンと前記トラップゾーンとの間は、これらに収容される旋回経路を互いに接続するための接続開口部を除いて遮蔽壁によって仕切られており、前記トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の外径は、その旋回経路に前記殺菌ゾーン側から接続された旋回経路の外径よりも大きく、前記トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径は、その旋回経路に前記殺菌ゾーン側から接続された旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径よりも大きいことを特徴とする。 An electron beam sterilization facility according to the present invention includes a transport device that transports a container along a plurality of swirling paths, an inner surface electron beam irradiation device that irradiates an inner surface of the container with an electron beam, and an electron on the outer surface of the container. An outer surface electron beam irradiation device for sterilizing by irradiating a line, and at least one of the plurality of swirl paths, and a sterilization zone for accommodating the inner surface electron beam irradiation device and the outer surface electron beam irradiation device, A trap zone for accommodating at least one swirl path connected from upstream or downstream to a swirl path accommodated in the sterilization zone and attenuating an electron beam leaked from the sterilization zone; And the trap zone are partitioned by a shielding wall except for connection openings for connecting the swirl paths accommodated in the trap zone, and the trap zone. One of the outer diameter of the pivot path, the much larger than the outside diameter of the connected pivot path from the sterile zone side, revolving channel contained in the trapping zone to the pivoting path of the stowed pivot path over emissions The outer diameter of the inner peripheral shield installed along the inner periphery of one of the turning paths is an inner diameter installed along the inner periphery of the turning path connected to the turning path from the sterilization zone side. and wherein the magnitude Ikoto than the outer diameter of the peripheral shield.
本発明によれば、トラップゾーンの旋回経路の1つの外径が、その旋回経路に殺菌ゾーン側から接続された旋回経路の外径よりも大きく、その外径が大きい旋回経路の内周側に、外径が大きい内周遮蔽体を設置するので、殺菌ゾーンから接続開口部を経て漏出する電子線(X線)を効果的に遮蔽することができる。 According to the present invention, one of the outer diameter of the pivot path of the trap zone, the inner circumferential side of the swivel path to much larger than the outside diameter of the connected pivot path from the sterile zone side, revolving channel an outer diameter greater , since placing the inner peripheral shield having a larger outer diameter, Ru can be shielded electron beam that leaks through the connecting opening from the sterilization zone (X-ray) effectively.
[第1実施例]
以下、本発明に係る遮蔽構造を具備した容器殺菌設備の第1実施例を図面に基づいて説明する。
[First embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of a container sterilization facility having a shielding structure according to the present invention will be described with reference to the drawings.
[電子線殺菌設備の概要]
この電子線殺菌設備は、図1〜図3に示すように、入口トラップゾーンZ1と外面殺菌ゾーンZ2と内面殺菌ゾーンZ3と出口トラップゾーンZ4とを具備し、入口トラップゾーンZ1をU字形搬送経路LUで構成し、外面殺菌ゾーンZ2および内面殺菌ゾーンZ3ならびに出口トラップゾーンZ4は、第1〜第6旋回搬送装置M1〜M6により容器Bが搬送される第1〜第6旋回経路L1〜L6を直列に接続して構成したものである。また出口トラップゾーンZ4の背面側に、リジェクト旋回搬送装置MRにより形成されたリジェクト旋回経路LRに沿って殺菌不良の容器Bを搬送し、リジェクト排出口PRから排出するリジェクトゾーンZRが設けられている。
[Outline of electron beam sterilization equipment]
As shown in FIGS. 1 to 3, the electron beam sterilization facility includes an inlet trap zone Z1, an outer surface sterilization zone Z2, an inner surface sterilization zone Z3, and an outlet trap zone Z4, and the inlet trap zone Z1 passes through a U-shaped conveyance path. The outer surface sterilization zone Z2, the inner surface sterilization zone Z3, and the outlet trap zone Z4 are configured by LU, and the first to sixth swirl paths L1 to L6 through which the container B is transported by the first to sixth swirl transport devices M1 to M6. It is configured by connecting in series. Further, on the back side of the exit trap zone Z4, there is provided a reject zone ZR that transports the sterilized container B along the reject swirl path LR formed by the reject swirl transport device MR and discharges it from the reject discharge port PR. .
外面殺菌ゾーンZ2は、第1,第2旋回経路L1,L2を形成する第1,第2旋回搬送装置M1,M2が直列に接続され、これら第1,第2旋回搬送装置M1,M2がそれぞれ金属製の遮蔽体からなる第1,第2遮蔽室R1,R2にそれぞれ収容されている。第1遮蔽室R1には、第1旋回搬送装置M1によりネック部nを介して容器Bを保持し第1旋回経路L1に沿って搬送中に、容器Bの一方の外面に電子線を照射して殺菌する第1電子線照射装置E1が設置されている。また第2遮蔽室R2には、第2旋回搬送装置M2によりネック部nを介して容器Bを保持し第2旋回経路L2に沿って搬送中に、容器Bの他方の外面に電子線を照射して殺菌する第2電子線照射装置E2が設置されている。 In the outer surface sterilization zone Z2, first and second swirl transfer devices M1 and M2 forming first and second swirl paths L1 and L2 are connected in series, and the first and second swirl transfer devices M1 and M2 are respectively connected. It is accommodated in the first and second shielding chambers R1 and R2 made of a metallic shield, respectively. The first shielding chamber R1 is irradiated with an electron beam on one outer surface of the container B while holding the container B through the neck portion n by the first swivel conveying device M1 and carrying the container along the first swirling path L1. A first electron beam irradiation device E1 for sterilization is installed. In addition, the second shielding chamber R2 is irradiated with an electron beam on the other outer surface of the container B while the container B is held by the second swivel transfer device M2 via the neck portion n and is transported along the second swirl path L2. And a second electron beam irradiation device E2 for sterilization.
内面殺菌ゾーンZ3には、遮蔽体からなる第3遮蔽室R3内に、第3旋回経路L3を形成する第3旋回搬送装置M3が設置されている。この第3旋回搬送装置M3には、ネック部nを介して容器Bを保持するとともに、第3旋回経路L3に沿って搬送中に容器Bを順次上昇させて口部を電子線照射ノズルEnに挿入する複数の容器昇降保持装置26が一定ピッチで設置されている。また容器昇降保持装置26の上部に、容器昇降保持装置26ごとに垂下された電子線照射ノズルEnから電子線を照射する第3電子線照射装置E3が配置されている。
In the inner surface sterilization zone Z3, a third swirl transfer device M3 that forms a third swirl path L3 is installed in a third shielding chamber R3 made of a shield. The third swivel transfer device M3 holds the container B through the neck portion n, and sequentially raises the container B during the transfer along the third swirl path L3, so that the mouth portion becomes the electron beam irradiation nozzle En. A plurality of container raising / lowering
出口トラップゾーンZ4には、第4〜第6旋回経路L4〜L6をそれぞれ形成する第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6が直列に接続されて配置され、これら第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6はそれぞれ遮蔽体からなる第4〜第6遮蔽室R4〜R6にそれぞれ収容されている。これら第4〜第6遮蔽室R4〜R6は、第3遮蔽室R3の第3−4接続開口部(容器出口)P3−4から漏出された電子線および電子線の金属製遮蔽体への反射(回折など)により発生するX線[以下、総称して電子線(X線)と表記する]を減衰するためのものである。これら第4〜第6遮蔽室R4〜R6では、第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6によりネック部nを介して容器Bを保持し第4〜第6旋回経路L4〜L6に沿って搬送する。 In the exit trap zone Z4, fourth to sixth swirl transfer devices M4 to M6 that respectively form fourth to sixth swirl paths L4 to L6 are connected in series, and these fourth to sixth swirl transfer devices are arranged. M4 to M6 are respectively accommodated in fourth to sixth shielding chambers R4 to R6 made of a shielding body. The fourth to sixth shielding chambers R4 to R6 reflect the electron beam leaked from the 3-4 connection opening (container outlet) P3-4 of the third shielding chamber R3 and the reflection of the electron beam to the metal shield. This is for attenuating X-rays generated by (diffraction, etc.) [hereinafter collectively referred to as electron beams (X-rays)]. In these fourth to sixth shielding chambers R4 to R6, the fourth to sixth swirl conveying devices M4 to M6 hold the container B via the neck portion n and convey it along the fourth to sixth swirl paths L4 to L6. To do.
前記第6旋回経路L6には、中間旋回搬送装置M8により形成される中間旋回経路L8が接続され、この中間旋回経路L8は充填装置(図示せず)に接続されて、殺菌された容器Bに液体を充填するように構成されている。 The sixth turning path L6 is connected to an intermediate turning path L8 formed by an intermediate turning conveyance device M8, and this intermediate turning path L8 is connected to a filling device (not shown) to disinfect the sterilized container B. It is configured to fill with liquid.
リジェクトゾーンZRには、第5旋回経路L5に接続されたリジェクト旋回経路LRを形成するリジェクト旋回搬送装置MRが配置されており、このリジェクト旋回搬送装置MRは、遮蔽体に囲まれたリジェクト遮蔽室RRに収容されている。 In the reject zone ZR, a reject swirl transport device MR that forms a reject swirl route LR connected to the fifth swirl route L5 is arranged, and the reject swirl transport device MR is a reject shielding chamber surrounded by a shield. It is housed in RR.
[容器殺菌設備の詳細]
この容器殺菌設備は、架台フレーム21上に架構フレームを介して設置されたクリーンルーム22内に設置されており、内面殺菌ゾーンZ3の第3旋回搬送装置M3が中心となり、外面殺菌ゾーンZ2の第1,第2旋回搬送装置M1,M2と出口トラップゾーンZ4の第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6、リジェクトゾーンZRのリジェクト旋回搬送装置MRが連動される構造となっている。
[Details of container sterilization equipment]
This container sterilization facility is installed in a
(内面殺菌ゾーン)
第3旋回搬送装置M3は、架台フレーム21の底部フレーム21Dに立設された主軸23bが架台天板21Uを貫通して立設されている。この主軸23bに回転自在に支持された外筒軸23aの上部に支持テーブル24が支持され、外筒軸23aの下部に旋回テーブル25が支持されている。そして図5に示す旋回搬送用駆動装置49により搬送方向に沿って所定速度で回転駆動される。支持テーブル24には、複数の第3電子線発生装置E3と、これら第3電子線発生装置E3が接続された垂下姿勢の電子線照射ノズルEnが周方向に一定ピッチで配置されている。SM3は支持テーブル24の外周部と天井部で複数の第3電子線発生装置E3を遮蔽する第3外殻遮蔽体である。
(Inner surface sterilization zone)
In the third swivel transfer device M3, a
旋回テーブル25の外周部に、電子線照射ノズルEnに対向する容器昇降保持装置26が周方向に同一ピッチで配置されている。これら容器昇降保持装置26は、ネック部nを把持して容器Bを昇降するもので、図4(a)に示すように、旋回テーブル25に二重筒からなる作動軸28が貫設されている。この作動軸28は、旋回テーブル25にスラスト軸受27を介して昇降自在に配置された昇降用の外軸28aと、この外軸28a内に軸心周りに回転自在に嵌合された開閉用の内軸28bとで構成されている。
On the outer periphery of the swivel table 25, the container lifting / lowering
外軸28aには、上端部にネック部nを介して容器Bを保持可能なクランプ具31がそれぞれ設けられ、下端部にクランプ具31を昇降駆動する昇降用カム機構37がそれぞれ設けられている。
The
外軸28aの上端部に設けられたクランプ具31は、図4(b)に示すように、外軸28aに固定されたベース板32上に、一対の支持ピン33を介して一対のクランプアーム35a,35bが開閉可能に支持され、これらクランプアーム35a,35bは、一方のクランプアーム35aに板部材を介して固定された連動ピン34を介して他方のクランプアーム35bが連動されるとともに、閉動付勢用コイルばね30により把持方向に付勢されている。そして、これらクランプアーム35a,35bの基端部間に、内軸28bにより回動されて一方のクランプアーム35aを開閉する開閉出力カム36が設けられている。
As shown in FIG. 4 (b), the
外軸28aの下端部に設けられた昇降用カム機構37は、架台フレーム21に設置された昇降用カム40のカム面を転動してクランプ具31を昇降させる昇降用カムフォロワ38が昇降アームを介して支持されている。41は昇降用カムフォロワ38を昇降用カム40のカム面に付勢する昇降用拘束ばねである。
The raising / lowering
前記内軸28bは、上端部に開閉出力カム36が取り付けられ、下端部にクランプ具31を開閉駆動する開閉入力カム機構42が設けられている。この開閉入力カム機構42は、内軸28bに開閉入力アーム45を介して、開閉入力カム43のカム面を転動する開閉入力カムフォロワ44が取り付けられている。46は開閉入力カムフォロワ44を開閉入力カム43のカム面に付勢する開閉入力用拘束ばねである。
The
前記昇降用カム40は、第3旋回経路L3の第2−3接続部J2−3から第3−4接続部J3−4の間にわたって配置されている。また前記開閉入力カム43は、第3−4接続部J3−4の上流側から第2−3接続部J2−3の下流側にわたって配置されている。
The raising / lowering
上記構成において、旋回テーブル25が旋回中に、第2−3接続部J2−3で、開閉入力カム43の作用で開放されたクランプアーム35a,35bに容器Bがネック部nを介して受け渡され、閉動されたクランプアーム35a,35bによりネック部nが把持されて容器Bが搬送される。そして昇降用カム40の作用でクランプ具31を介して容器Bが上昇されて、容器Bの口部が電子線照射ノズルEnに嵌入される。そして、電子線照射ノズルEnから照射される電子線により容器Bの内面が殺菌される。次いで、昇降用カム40の作用でクランプアーム35a,35bを介して容器Bが下降され、口部から電子線照射ノズルEnが離脱される。さらに容器Bが第3−4接続部J3−4に接近すると、開閉入力カム43の作用でクランプアーム35a,35bが開放され、容器Bが第4旋回搬送装置M4にネック部nが受け渡されて第4旋回経路L4に移送される。
In the above configuration, while the turning table 25 is turning, the container B is delivered to the
また第3旋回経路L3の内周部には、旋回テーブル25と支持テーブル24の間に、第3内周遮蔽体S3が配設されている。
さらに図3,図4に示すように、旋回テーブル25には、外周部から下方に垂設され、リング状軸受を介して架台天板21Uに旋回移動自在に支持された外周壁47に、連動用第3リングギヤ48が取り付けられている。そして、図5に示すように、旋回搬送用駆動装置49に減速機を介して回転駆動される搬送駆動ギヤ50が連動用第3リングギヤ48に噛合されている。
A third inner peripheral shield S3 is disposed between the turning table 25 and the support table 24 on the inner peripheral portion of the third turning path L3.
Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the swivel table 25 is interlocked with an outer
(外面殺菌ゾーン)
図3に示すように、架台天板21U上の第1,第2遮蔽室R1,R2に、第1,第2旋回搬送装置M1,M2がそれぞれに設置されている。これら第1旋回搬送装置M1および第2旋回搬送装置M2は、架台天板21Uに軸受を介して回転自在に貫設された第1回転軸51、第2回転軸71の上端部に、第1旋回テーブル52、第2旋回テーブル72がそれぞれ固定されている。そして、第2回転軸71の下端部に、第3旋回搬送装置M3の連動用第3リングギヤ48に噛み合う第2連動ギヤ73が取り付けられ、また第1回転軸51の下端部に第2連動ギヤ73に噛み合う第1連動ギヤ53が取り付けられ、第3旋回搬送装置M3の外筒軸23aに連動連結されて回転駆動される。
(External surface sterilization zone)
As shown in FIG. 3, first and second revolving transport devices M1 and M2 are respectively installed in the first and second shielding chambers R1 and R2 on the
第1旋回テーブル52および第2旋回テーブル72の外周部には、第1,第2容器保持装置54,74が一定ピッチで配設されている。ここで、第1,第2容器保持装置54,74は、ネック部nの把持位置を除いて略同一構造であるため、第1容器保持装置54のみを説明し、第2容器保持装置74には同一符号を付して説明を省略する。また、後述するように、出口トラップゾーンZ4の第4〜第6容器保持装置84,94およびリジェクトゾーンZRのリジェクト容器保持装置114も、ネック部nの把持位置を除いて略同一構造であり、詳細な説明を省略する。
On the outer periphery of the first turning table 52 and the second turning table 72, first and second
第1容器保持装置54は、図6,図7に示すように、第1旋回テーブル52の外周部に上下方向の支持筒55が貫設され、この支持筒55の上端部に支持プレート56が取り付けられている。そして、この支持プレート56上に左右一対のクランプアーム57a,57bがそれぞれ一対の支持ピン58を介して開閉自在に支持されている。そして両クランプアーム57a,57bは、一方のクランプアーム57aに板部材を介して取り付けられた連動ピン60が他方のクランプアーム57bの受動溝に嵌合され、一方のクランプアーム57aの開閉に連動ピン60を介して連動させて他方のクランプアーム57bを、支持ピン58を中心に開閉させることができる。またクランプアーム57a,57bの先端側間に連結された閉動付勢ばね59により閉動方向に付勢されている。
As shown in FIGS. 6 and 7, in the first
支持筒55内に開閉軸61が回転自在に支持され、開閉軸61の下端部には、カムレバーを介して開閉入力カムフォロワ62が取り付けられ、このカムレバーに連結された開閉拘束ばね63により、開閉入力カムフォロワ62を、容器Bを受渡しする第0−1接続部J0−1および第1−2接続部J1−2に対応して第1回転軸51の外筒部に取り付けられた開閉入力カム65に当接させるように構成されている。
An opening / closing
前記開閉軸61の上端部には、クランプアーム57a,57bの基端部間に配置される開閉出力カム64が取り付けられており、開閉軸61の回転により開閉出力カム64を介して一方のクランプアーム57aを開閉駆動することができる。
An opening /
第1容器保持装置54および第2容器保持装置74の第1,第2旋回テーブル52,72上で第1,第2旋回経路L1,L2の内周部に第1,第2内周遮蔽体S1,S2がそれぞれ設置されている。
First and second inner peripheral shields on the inner peripheral portions of the first and second turning paths L1 and L2 on the first and second turning tables 52 and 72 of the first
ここで、第1遮蔽室R1に配置された第1電子線照射装置E1と第2遮蔽室R2に配置された第2電子線照射装置E2について説明する。
電子線を照射して容器Bの外面を殺菌する場合、第1,2旋回経路L1,L2の内周側には、第1,2旋回搬送装置M1,M2がそれぞれあるために電子線照射装置を設置することができない。このため、隣接する2本の旋回経路の外周部にそれぞれ電子線照射装置を配置して、外半面にそれぞれ電子線を照射する。
Here, the 1st electron beam irradiation apparatus E1 arrange | positioned in 1st shielding room R1 and the 2nd electron beam irradiation apparatus E2 arrange | positioned in 2nd shielding room R2 are demonstrated.
When the outer surface of the container B is sterilized by irradiating an electron beam, the first and second swirl transfer devices M1 and M2 are provided on the inner peripheral side of the first and second swirl routes L1 and L2, respectively. Can not be installed. For this reason, an electron beam irradiation apparatus is arrange | positioned to the outer peripheral part of two adjacent turning paths, respectively, and an electron beam is irradiated to an outer half surface, respectively.
ここで、重要な課題は、A)第1遮蔽室R1に搬入された容器Bに付着した汚染物が、外面殺菌ゾーンZ2にできるだけ持ち込まれないようにする点、B)容器Bの一方の外半面が殺菌された後、他方の外半面を殺菌するまでの間に、他方の外半面に付着した汚染物の拡散と、この汚染部による殺菌後の一方の外半面の汚染を最小限に留める点、C)他方の外半面を殺菌した後から内面殺菌ゾーンZ3までの間で、容器Bの再汚染を最小に留める点である。 Here, the important problems are: A) Contaminant adhering to the container B carried into the first shielding chamber R1 is prevented from being brought into the outer surface sterilization zone Z2 as much as possible. B) One outside of the container B Minimize the contamination of one outer half after sterilization after the sterilization of the other side and before the other outer half is sterilized. Point C) It is a point that the recontamination of the container B is kept to a minimum during the period from the sterilization of the other outer half surface to the inner surface sterilization zone Z3.
このため、この第1実施例では、A)を解決するために、第1旋回経路L1の入口近傍で、容器Bに電子線を照射する第1電子線照射装置E1を配置し、最短搬送距離と短時間で容器Bの外面殺菌を開始し、容器Bに付着した汚染物の侵入を防止している。 Therefore, in this first embodiment, in order to solve A), the first electron beam irradiation device E1 that irradiates the container B with an electron beam is disposed near the entrance of the first turning path L1, and the shortest transport distance The outer surface sterilization of the container B is started in a short time, and intrusion of contaminants attached to the container B is prevented.
B)を解決するために、第1旋回経路L1と第2旋回経路L2の第1−2接続部J1−2の上流側近傍の第1旋回経路L1に、第1電子線照射装置E1を設置するとともに、第2旋回経路L2の第1−2接続部J1−2の下流側近傍に、第2電子線照射装置E2を設置することにより、一方の外半面の殺菌から他方の外半面を殺菌するまでの搬送距離と時間とを最小としている。 In order to solve B), the first electron beam irradiation device E1 is installed on the first turning path L1 in the vicinity of the upstream side of the first-second connecting portion J1-2 of the first turning path L1 and the second turning path L2. In addition, by disposing the second electron beam irradiation device E2 in the vicinity of the downstream side of the first-second connecting portion J1-2 of the second turning path L2, sterilization of the other outer half surface from the sterilization of one outer half surface is performed. The conveyance distance and time until completion are minimized.
C)を解決するために、第2旋回経路L2において、他方の外半面を殺菌した位置から第2−3接続部J2−3までの搬入経路部L2cに、第2電子線照射装置E2から照射される電子線と、外面殺菌ゾーンZ2の電子線照射ノズルEnから照射される電子線が第2−3接続開口部(容器入口)P2−3を介して漏出される電子線(X線)ができるだけ容器Bに照射されるように構成している。これは、第2電子線照射装置E2の電子線の照射方向を、搬入経路部L2cにある容器Bに向くように設置している。 In order to solve C), in the second turning path L2, the second electron beam irradiation device E2 irradiates the carry-in path portion L2c from the position where the other outer half surface is sterilized to the 2-3 connecting portion J2-3. And the electron beam (X-ray) from which the electron beam irradiated from the electron beam irradiation nozzle En in the outer surface sterilization zone Z2 is leaked through the 2-3 connection opening (container inlet) P2-3. The container B is configured to be irradiated as much as possible. This is installed so that the electron beam irradiation direction of the second electron beam irradiation device E2 faces the container B in the carry-in path portion L2c.
すなわち、第1電子線照射装置E1は、第1遮蔽室R1内で、入口トラップゾーンZ1のU字形搬送経路LUと第1旋回経路L1の第0−1接続部J0−1近傍で、かつ第1−2接続部J1−2の上流側近傍の第1旋回経路L1の外周側に、電子線を容器Bに向かって照射するように設置されている。また、第2電子線照射装置E2は、第2遮蔽室R2内で第1−2接続部J1−2の下流側近傍の第2旋回経路L2の外周側に設置され、第2電子線照射装置E2からの電子線を、第2電子線照射装置E2に対向する第2旋回経路L2上の容器Bと、その下流側で搬入経路部L2cの容器Bに向かって照射するように、電子線の照射方向が設定されている。さらに搬入経路部L2cが、第3遮蔽室R3の第2−3接続開口部P2−3に臨んで配置されることから、第3遮蔽室R3から漏出される電子線(X線)も容器Bに照射される。 That is, the first electron beam irradiation device E1 is located in the first shielding chamber R1 in the vicinity of the U-shaped transport path LU of the entrance trap zone Z1 and the 0-1 connection portion J0-1 of the first turning path L1. It is installed on the outer peripheral side of the first turning path L1 in the vicinity of the upstream side of the 1-2 connection portion J1-2 so as to irradiate the electron beam toward the container B. The second electron beam irradiation device E2 is installed on the outer peripheral side of the second turning path L2 in the second shielding chamber R2 and in the vicinity of the downstream side of the first-second connecting portion J1-2. The electron beam from E2 is irradiated so as to irradiate the container B on the second turning path L2 facing the second electron beam irradiation apparatus E2 and the container B of the carry-in path portion L2c on the downstream side. The irradiation direction is set. Further, since the carry-in path portion L2c is arranged facing the second-third connection opening P2-3 of the third shielding chamber R3, the electron beam (X-ray) leaked from the third shielding chamber R3 is also the container B. Is irradiated.
なお、ここで図14に示すように、第2電子線照射装置E2から照射された電子線の一部を、単数または複数の電子線偏向装置EAを介して、殺菌後の搬入経路部L2b上の容器Bに照射するように構成してもよい。 Here, as shown in FIG. 14, a part of the electron beam irradiated from the second electron beam irradiation device E2 is transferred to the sterilized carry-in path portion L2b via one or a plurality of electron beam deflection devices EA. You may comprise so that the container B of this may be irradiated.
また、第2遮蔽室R2には、第3遮蔽室R3の第2−3接続開口部P2−3に対向する遮蔽壁R2aから第2旋回搬送装置M2に向かって第2電子線照射装置E2の下流側に向かって突出する金属製遮蔽体からなる第2室トラップ壁T2が突出され、第2室トラップ壁T2により第2室減衰室R2bが形成されている。これにより、第2−3接続開口部P2−3および第2電子線照射装置E2から放出される電子線(X線)を、第2室トラップ壁T2により遮蔽して第2室減衰室R2bに導き、反射させて減衰させることができる。 Further, in the second shielding chamber R2, the second electron beam irradiation device E2 has a shielding wall R2a facing the second and third connection openings P2-3 of the third shielding chamber R3 toward the second revolving transport device M2. A second chamber trap wall T2 made of a metal shield projecting toward the downstream side is projected, and a second chamber attenuation chamber R2b is formed by the second chamber trap wall T2. As a result, the electron beam (X-ray) emitted from the second and third connection openings P2-3 and the second electron beam irradiation device E2 is shielded by the second chamber trap wall T2 and enters the second chamber attenuation chamber R2b. Can be guided, reflected and attenuated.
(入口トラップゾーン)
入口トラップゾーンZ1は、図12(a)に示すように、平面視で2つの1/4円弧部LUi,LUoを接続したU字形搬送経路LUを形成する複数のコンベヤ式搬送装置11と、U字形搬送経路LUを囲む平面視U字形の入口トラップ遮蔽室12を具備している。入口トラップ遮蔽室12には、入口トラップ遮蔽室12により外面および内面殺菌ゾーンZ2,Z3から漏出された電子線(X線)を遮蔽する金属製遮蔽体からなる複数の第1,第2入口トラップ壁T0a,T0bと、第1入口減衰室R0aと、を具備している。
(Entrance trap zone)
As shown in FIG. 12 (a), the inlet trap zone Z1 includes a plurality of conveyor-
第1入口トラップ壁T0aは、入口トラップ遮蔽室12と第1遮蔽室R1の接続部で、U字形搬送経路LUを中心として第1旋回経路L1に反対側で、入口トラップ遮蔽室12の遮蔽側壁に垂直に(横断方向に)突出されている。この第1入口トラップ壁T0aにより、第1電子線照射装置E1や第2電子線照射装置E2、第3遮蔽室R3の電子線照射ノズルEnから照射された電子線(X線)が、第0−1接続開口部(容器入口)P0−1から入口トラップ遮蔽室12に侵入するのを削減することができる。
The first inlet trap wall T0a is a connecting portion between the inlet
また下流側の第1入口減衰室R0aは、下流側の1/4円弧部LUoの外周側に第1遮蔽室R1に対向して配置され、入口トラップ遮蔽室12から平面視で矩形状に突出する囲い遮蔽壁12aにより形成されている。11aは、第1入口減衰室R0aの開口部に設けられてコンベヤ式搬送装置11を囲む遮蔽無しのコンベヤシールド壁である。この第1入口減衰室R0aにより、第1遮蔽室R1から第0−1接続開口部P0−1を介して侵入した電子線(X線)を反射させて入口トラップ遮蔽室12の入口側に放出される線量を削減している。
The downstream first inlet attenuation chamber R0a is disposed on the outer peripheral side of the downstream ¼ arc portion LUo so as to face the first shielding chamber R1, and protrudes from the inlet
さらに上流側の第2入口トラップ壁T0bが、第1入口減衰室R0aの上流端からU字形搬送経路LUを横断する方向に突出されており、第1入口減衰室R0a内に侵入した電子線(X線)が第2入口トラップ壁T0bに遮蔽されて、入口トラップ遮蔽室12から入口側に放出される線量を削減している。
Further, the upstream second inlet trap wall T0b protrudes from the upstream end of the first inlet attenuation chamber R0a in a direction crossing the U-shaped transfer path LU, and the electron beam that has entered the first inlet attenuation chamber R0a ( X-rays) are shielded by the second inlet trap wall T0b to reduce the dose emitted from the inlet
さらに、図12(b)に示すように、入口側の1/4円弧部LUiに対応する第2入口減衰室R0bと、第3入口トラップ壁T0cを設けてもよい。ここで第2入口減衰室R0bと第3入口トラップ壁T0cは、第1入口減衰室R0aおよび第2入口トラップ壁T0bを平面視で時計方向に90°旋回した形態で、平面視矩形に形成された囲い遮蔽壁12bにより形成され、1/4円弧部LUiの外周側に配置される。これにより、さらに入口トラップ遮蔽室12の入口側に放出される線量を大幅に削減することができる。
Furthermore, as shown in FIG. 12B, a second inlet attenuation chamber R0b and a third inlet trap wall T0c corresponding to the ¼ arc portion LUi on the inlet side may be provided. Here, the second inlet attenuation chamber R0b and the third inlet trap wall T0c are formed in a rectangular shape in plan view, with the first inlet attenuation chamber R0a and the second inlet trap wall T0b rotated 90 ° clockwise in plan view. It is formed by the surrounding shielding
(出口トラップゾーン)
出口トラップゾーンZ4は、第3旋回経路L3の出口側である第3−4接続部J3−4から、第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6により形成される3つの第4〜第6旋回経路L4〜L6が直列に接続されて、容器排出部である第6−8接続部J6−8に接続され、各第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6が、金属製遮蔽体からなる第4〜第6遮蔽室R4〜R6にそれぞれ収容されている。
(Exit trap zone)
The exit trap zone Z4 includes three fourth to sixth turns formed by the fourth to sixth turning conveyance devices M4 to M6 from the third to fourth connecting portions J3-4 on the outlet side of the third turning path L3. The paths L4 to L6 are connected in series and connected to a sixth to eighth connecting portion J6-8 that is a container discharge portion, and each of the fourth to sixth revolving transport devices M4 to M6 is made of a metal shield. It is accommodated in each of the fourth to sixth shielding chambers R4 to R6.
架台天板21U上の第4〜第6遮蔽室R4〜R6に、第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6がそれぞれに設置されており、これら第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6は、架台天板21Uに軸受を介して第4〜第6回転軸81,91,101がそれぞれ回転自在に貫設され、これら第4〜第6回転軸81,91,101の上端部に第4〜第6旋回テーブル82,92,102がそれぞれ固定されている。そして、図5に示すように、第4回転軸81の下端部に、第3旋回搬送装置M3の連動用第3リングギヤ48に噛み合う第4連動ギヤ83が取り付けられ、また第5回転軸91の下端部に第4連動ギヤ83に噛み合う第5連動ギヤ93が取り付けられている。さらに第6回転軸101の下端部に第5連動ギヤ93に噛み合う第6連動ギヤ103が取り付けられ、これら第4〜第6旋回テーブル82,92,102が、第3旋回搬送装置M3の外筒軸23aに連動連結されて回転駆動されている。
In the fourth to sixth shielding chambers R4 to R6 on the
第4〜第6旋回テーブル82,92,102の外周部には、第4〜第6容器保持装置84,94,104が一定ピッチで配設されている。そして第4〜第6旋回テーブル82,92,102上で第4〜第6旋回経路L4〜L6の内周部には、上面が閉塞された第4〜第6内周遮蔽体S4〜S6がそれぞれ設けられている。
On the outer periphery of the fourth to sixth turning tables 82, 92, 102, fourth to sixth
ここで、第4〜第6容器保持装置84,94,104は、ネック部nの把持位置を除いて第1容器保持装置54と略同一構造であるため、第1容器保持装置54と同一符号を付して説明を省略する。
Here, the fourth to sixth
次に出口トラップゾーンZ4の遮蔽構造を説明する。
まず、図2、図3、図6、図8に示す第1〜第6旋回経路L1〜L6における第1−2〜第5−6接続部J1−2〜J6−8の第1−2〜第6−8接続開口部P1−2〜P6−8、および図2、図9に示すリジェクト旋回経路LRにおけるリジェクト接続部J5−Rのリジェクト接続開口部P5−Rは、それぞれ略同一構造であるため、ここでは第4−5接続部J4−5に形成された第4−5接続開口部P4−5についてのみ、図10を参照して説明し、他の接続開口部の説明は省略する。
Next, the shielding structure of the exit trap zone Z4 will be described.
First, 1-2 of the 1st-2nd-5-6 connection part J1-2-J6-8 in the 1st-6th turning path | routes L1-L6 shown in FIG.2, FIG.3, FIG.6, FIG. The 6-8 connection openings P1-2 to P6-8 and the reject connection opening P5-R of the reject connection part J5-R in the reject turning path LR shown in FIGS. 2 and 9 have substantially the same structure. Therefore, here, only the 4-5th connection opening P4-5 formed in the 4-5th connection J4-5 will be described with reference to FIG. 10, and the description of the other connection openings will be omitted.
第4−5接続開口部P4−5は、第4遮蔽室R4の遮蔽側壁R4Wと第5遮蔽室R5の遮蔽側壁R5Wは所定間隔をあけて互いに重なる状態で配置され、これら2枚の遮蔽側壁R4W,R5Wにそれぞれ形成された異形の第1,第2開口13,14により構成されている。すなわち、第1開口13は、第4旋回経路L4から第4−5接続部J4−5を介して第5旋回経路L5上を搬送される容器Bを通過可能な上下幅の広い受渡し部13aと、第5旋回経路L5に沿って移動されるクランプアーム57a,57b(35a,35b)の先端部分が通過可能な上下幅の狭い保持具挿通部13b,14bとで構成されている。また第2開口14も、第4旋回経路L4から第4−5接続部J4−5を介して第5旋回経路L5上を搬送される容器Bが通過可能な受渡し部14aと、第4旋回経路L4に沿って移動されるクランプアーム57a,57b(35a,35b)の先端部分が通過可能な保持具挿通部14bとで構成されている。このように遮蔽側壁R4W,R5Wに対応して異形の第1,第2開口13,14を形成することにより、第4−5接続開口部P4−5から漏出する電子線(X線)の線量を低減することができる。
The 4-5 connection opening P4-5 is arranged such that the shielding side wall R4W of the fourth shielding room R4 and the shielding side wall R5W of the fifth shielding room R5 overlap each other at a predetermined interval. The first and
またこれら第4〜第6旋回経路L4〜L6の第4−5〜第6−8接続部J4−5〜J6−8の配置に関し、第3−4接続開口部P3−4に対して第4−5接続開口部P4−5は、幾分の角度αを持って配置されるが、第4−5接続開口部P4−5、第5−6接続開口部P5−6、第6−8接続開口部P6−8は、略直線状に配置され、第4〜第6旋回搬送装置M4〜M6が略直線状に配置されている。ここで、図11(a)に示すように、第3遮蔽室R3の第3−4接続開口部P3−4から直接漏出される電子線は、第4遮蔽室R4のほぼ全域で検出されることになるが、第4旋回搬送装置M4の第4内周遮蔽体S4に遮られる背面部分に電子線が達することがない。さらに第4−5接続開口部P4−5を介して第5遮蔽室R5に達する電子線は、第5旋回搬送装置M5の第5内周遮蔽体S5に遮られて第5−6接続開口部P5−6に達することがない。このように、第5遮蔽室R5に達する電子線に対して、第5内周遮蔽体S5はきわめて有効に働くことがわかる。 Further, regarding the arrangement of the fourth to fifth to sixth to eighth connecting portions J4 to J6-8 of the fourth to sixth turning paths L4 to L6, the fourth to the third to fourth connecting openings P3-4. The −5 connection opening P4-5 is arranged with an angle α, but the 4-5th connection opening P4-5, the 5-6th connection opening P5-6, and the 6th-8th connection The opening P6-8 is arranged in a substantially linear shape, and the fourth to sixth turning conveyance devices M4 to M6 are arranged in a substantially linear shape. Here, as shown to Fig.11 (a), the electron beam leaked directly from the 3-4 connection opening part P3-4 of 3rd shielding chamber R3 is detected in the substantially whole area of 4th shielding chamber R4. However, the electron beam does not reach the back portion blocked by the fourth inner shield S4 of the fourth revolving transport device M4. Furthermore, the electron beam reaching the fifth shielding chamber R5 via the 4-5th connection opening P4-5 is blocked by the fifth inner peripheral shield S5 of the fifth swivel transfer device M5, and the 5-6th connection opening. P5-6 is never reached. Thus, it can be seen that the fifth inner peripheral shield S5 works extremely effectively against the electron beam reaching the fifth shielding chamber R5.
ここで、第5旋回経路L5の外径を第4旋回経路L4の外径に比較して大きく設定することにより、第5旋回搬送装置M5の第5内周遮蔽体S5の外径D5を、第4内周遮蔽体S4の外径D4に比較して大きくすることができる。これにより、第3−4接続開口部P3−4および第4−5接続開口部P4−5から漏出する電子線(X線)を効果的に遮蔽することができる。また第5内周遮蔽体S5の外径D5は、第4内周遮蔽体S4の外径D4に対して1.3倍以上が好ましく、また2.5倍以下が適正範囲である。ここで1.3倍未満であると、遮蔽能力が低下するからであり、2.5倍を超えると、設備が大型化するためである。また第3−4接続開口部P3−4から漏出し金属製の遮蔽体に衝突した電子線(X線)について考えると、図11(b)に示すように、第3−4接続開口部P3−4から第4内周遮蔽体S4に衝突して発生するX線が、第4−5接続開口部P4−5を介して第5遮蔽室R5に漏出した場合、第5内周遮蔽体S5の外径D5が小さいと、第5−6接続開口部P5−6を介して第6遮蔽室R6に漏出されるおそれがある。このため、内周遮蔽体S5の外径D5が大きく形成されることで、第5−6接続開口部P5−6から第6遮蔽室R6に漏れ出すX線量をほとんど無くすことができる。 Here, by setting the outer diameter of the fifth turning path L5 larger than the outer diameter of the fourth turning path L4, the outer diameter D5 of the fifth inner peripheral shield S5 of the fifth turning conveyance device M5 is It can be made larger than the outer diameter D4 of the fourth inner peripheral shield S4. Thereby, the electron beam (X-ray) leaking from the 3-4 connection opening P3-4 and the 4-5 connection opening P4-5 can be effectively shielded. Further, the outer diameter D5 of the fifth inner peripheral shield S5 is preferably 1.3 times or more, and 2.5 times or less the outer diameter D4 of the fourth inner peripheral shield S4. This is because if the ratio is less than 1.3 times, the shielding ability is lowered, and if it exceeds 2.5 times, the equipment is enlarged. Considering an electron beam (X-ray) that has leaked from the 3-4 connection opening P3-4 and collided with the shield made of metal, as shown in FIG. 11B, the 3-4 connection opening P3. -4, the X-ray generated by colliding with the fourth inner shield S4 leaks into the fifth shielding chamber R5 through the 4-5 connection opening P4-5, and the fifth inner shield S5. If the outer diameter D5 is small, there is a risk of leakage into the sixth shielding chamber R6 via the fifth-6th connection opening P5-6. For this reason, since the outer diameter D5 of the inner peripheral shield S5 is formed larger, the X-ray dose leaking from the 5-6 connection opening P5-6 to the sixth shielding chamber R6 can be almost eliminated.
次いで、第4遮蔽室R4には、第3遮蔽室R3の第3−4接続開口部P3−4に対向する遮蔽壁R4aから第3−4接続開口部P3−4に向かって突出された金属製遮蔽体からなる第4室トラップ壁T4が突出され、この第4室トラップ壁T4により第4室減衰室R4bが形成されている。したがって、第3遮蔽室R3の電子線照射ノズルEnから第3−4接続開口部P3−4を介して第4遮蔽室R4に漏出される電子線(X線)を、第4室トラップ壁T4により遮蔽して第4室減衰室R4bに導き、反射させて減衰させることができる。 Next, in the fourth shielding chamber R4, the metal protruded from the shielding wall R4a facing the 3-4 connection opening P3-4 of the third shielding chamber R3 toward the 3-4 connection opening P3-4. A fourth chamber trap wall T4 made of a shield is protruded, and a fourth chamber attenuation chamber R4b is formed by the fourth chamber trap wall T4. Therefore, the electron beam (X-ray) leaked from the electron beam irradiation nozzle En of the third shielding chamber R3 to the fourth shielding chamber R4 through the third-4 connection opening P3-4 is transferred to the fourth chamber trap wall T4. Can be shielded and guided to the fourth chamber attenuation chamber R4b and reflected to be attenuated.
また第5遮蔽室R5には、第5−6接続開口部P5−6近傍の遮蔽側壁から略垂直に突出される第5室トラップ壁T5が設けられている。この第5室トラップ壁T5は、第5−6接続開口部P5−6でリジェクト室RRの反対側に配置されており、この第5室トラップ壁T5により、第4−5接続開口部P4−5から侵入した電子線(X線)が遮蔽壁に反射して、第5−6接続開口部P5−6から第6遮蔽室R6に侵入する線量を減少させることができる。 The fifth shielding chamber R5 is provided with a fifth chamber trapping wall T5 that protrudes substantially perpendicularly from the shielding sidewall in the vicinity of the 5-6th connection opening P5-6. The fifth chamber trap wall T5 is arranged on the opposite side of the reject chamber RR at the fifth to sixth connection openings P5-6, and the fifth to fifth connection openings P4 to P4 are arranged by the fifth chamber trap wall T5. The electron beam (X-ray) that has entered from 5 is reflected by the shielding wall, and the dose that enters the sixth shielding room R6 from the 5-6 connection opening P5-6 can be reduced.
[リジェクトゾーン]
たとえば供給電圧が低く所定の電子線量が照射できなかった殺菌不良容器Bを排出するリジェクトゾーンZRには、クリーンルーム22内にリジェクト旋回搬送装置MRが設置されて、リジェクト旋回経路LRが形成されている。このリジェクト旋回搬送装置MRは、架台天板21Uに軸受を介してリジェクト回転軸111が貫設され、リジェクト回転軸111の上端部にリジェクト旋回テーブル112が取り付けられている。そしてリジェクト旋回テーブル112の外周部に、第1容器保持装置54と同一構造のリジェクト容器保持装置114が一定ピッチで取り付けられている。リジェクト旋回テーブル112はリジェクト回転軸111の下端部に取り付けられたリジェクト連動ギヤ113が、第5連動ギヤ93と噛合されて、第3旋回搬送装置M3の外筒軸23aに連動連結されて回転駆動される。
[Reject Zone]
For example, in the reject zone ZR that discharges the sterilization defect container B whose supply voltage is low and a predetermined electron dose could not be irradiated, the reject swirl transfer device MR is installed in the
このリジェクトゾーンZRにおけるリジェクト旋回経路LRに設置される排出シュート121,131を図13を参照して説明する。
図13(c)は比較例を示す排出シュート141で、リジェクト排出口PRに対応して形成された容器入口142から天井テーパ部143を介して傾斜するシュート本体144に容器Bを送り出し、容器出口145からトレイに落下させる構造である。この排出シュート141の場合には、リジェクト排出口PRに達したX線が、さらに少ない反射回数または直接容器出口145から漏出しやすい。
The discharge chutes 121 and 131 installed on the reject turning path LR in the reject zone ZR will be described with reference to FIG.
FIG. 13C is a
図13(a)は金属製遮蔽壁により形成される排出シュート121の第1実施例で、リジェクト排出口PRの下流側のリジェクト遮蔽室RRに、段部を介して天井部の高い減衰室122を形成し、シュート本体123の入口天井部123aを減衰室122内に突出させている。またシュート本体123の中間部に折れ曲がり部123bを形成し、容器出口123cを下方に折り曲げている。この排出シュート121では、X線が減衰室122の遮蔽壁に反射され、また折れ曲がり部123bと容器出口123cの遮蔽壁に反射されることから、容器出口123cから漏出されるX線量は大幅に減少される。
FIG. 13A shows a first embodiment of the
図13(b)は金属製遮蔽壁により形成される排出シュート131の第2実施例で、減衰室132や入口部分133a、折れ曲がり部133b、容器出口133cは第1実施例と同様に形成されているが、減衰室132の天井部に段部を無くして高い平坦状に形成されている点で相違している。この第2実施例の排出シュート131は、第1実施例と同様の作用効果を奏することができる。
FIG. 13B is a second embodiment of the
(第1実施例の効果)
上記第1実施例によれば、外面殺菌ゾーンZ2に配置された第1,第2旋回経路L1,L2の第1−2接続部J1−2の上流側近傍と下流側近傍とに、容器Bの外半面にそれぞれ電子線を照射して殺菌する第1,第2電子線照射装置E1,E2を互いに接近して配置したので、一方の外半面を殺菌後、短時間で他方の外半面を殺菌することができ、一方の外半面を殺菌した後に、他方の外半面に付着した汚染物が一方の外半面に付着して再汚染されることが極めて少なくなり、外面全体の殺菌を効果的に行うことができる。
(Effects of the first embodiment)
According to the first embodiment, the container B is disposed in the vicinity of the upstream side and the downstream side of the first-second connecting portion J1-2 of the first and second turning paths L1 and L2 disposed in the outer surface sterilization zone Z2. Since the first and second electron beam irradiators E1 and E2 for sterilizing each outer half surface by irradiating with an electron beam are arranged close to each other, after sterilizing one outer half surface, the other outer half surface is removed in a short time. It can be sterilized, and after sterilizing one outer half, it is very unlikely that the contaminants attached to the other outer half will adhere to one outer half and be recontaminated. Can be done.
また、第2電子線照射装置E2から照射される電子線の一部が、殺菌後の第2旋回経路L2上の容器Bに照射されることにより、全面が殺菌された容器Bの外面の再汚染を効果的に防止することができる。 Further, a part of the electron beam irradiated from the second electron beam irradiation device E2 is irradiated onto the container B on the second swirling path L2 after sterilization, so that the outer surface of the container B whose entire surface is sterilized is re-applied. Contamination can be effectively prevented.
さらに外面、内面殺菌ゾーンZ2,Z3では、第1〜第3旋回駆動装置M1〜M3に、第1〜第3旋回経路L1〜L3の内周部に沿う、第1〜第3内周遮蔽体S1〜S3を設置することにより、外面、内面殺菌ゾーンZ2,Z3の第1〜第3遮蔽室R1〜R3と第1〜第3内周遮蔽体S1〜S3間で、電子線の反射回数を増大させて効果的に減衰させることができる。 Further, in the outer surface and inner surface sterilization zones Z2 and Z3, the first to third inner peripheral shields along the inner peripheral portion of the first to third turning paths L1 to L3 are arranged along the first to third turning driving devices M1 to M3. By installing S1 to S3, the number of reflections of electron beams between the first to third shielding chambers R1 to R3 and the first to third inner shielding bodies S1 to S3 in the outer surface and inner surface sterilization zones Z2 and Z3 can be reduced. It can be increased and effectively attenuated.
また出口トラップゾーンZ4では、第4〜第6旋回駆動装置M4〜M6に第4〜第6旋回経路L4〜L6の内周部に沿って第4〜第6内周遮蔽体S4〜S6を設置することにより、内面殺菌ゾーンZ3の第3遮蔽室R3から第3−4接続開口部P3−4を介して漏出される電子線(X線)を効果的に遮蔽することができ、下流側に漏出される電子線(X線)を効果的に減衰することができる。 In the exit trap zone Z4, the fourth to sixth inner peripheral shields S4 to S6 are installed along the inner periphery of the fourth to sixth turning paths L4 to L6 in the fourth to sixth turning driving devices M4 to M6. By doing so, it is possible to effectively shield the electron beam (X-ray) leaked from the third shielding chamber R3 of the inner surface sterilization zone Z3 through the third to fourth connection openings P3-4, and to the downstream side. The leaked electron beam (X-ray) can be effectively attenuated.
さらにまた、内面殺菌ゾーンZ3では、容器Bの口部への電子線照射ノズルEnへの挿入と、電子線の照射を行うために、容器Bの十分な搬送距離と時間が必要で、第3旋回経路L3を長くするために直径を大きくする必要があるが、第3−4接続開口部P3−4に配置される出口トラップゾーンZ4の第4旋回経路L4の径が大きいと、第3旋回経路L3の搬送距離を制限することになり、出口トラップゾーンZ4では第4旋回経路L4の径を大きくとることができない。このため、第3−4接続開口部P3−4から出口トラップゾーンZ4の上流側の第4遮蔽室R4に漏出する電子線(X線)の線量は必然的に多くなる傾向になる。 Furthermore, in the inner surface sterilization zone Z3, in order to insert the electron beam irradiation nozzle En into the mouth portion of the container B and irradiate the electron beam, a sufficient transport distance and time for the container B are necessary. In order to lengthen the turning path L3, it is necessary to increase the diameter. However, if the diameter of the fourth turning path L4 of the exit trap zone Z4 disposed in the 3-4 connection opening P3-4 is large, the third turning is performed. The transport distance of the path L3 is limited, and the diameter of the fourth turning path L4 cannot be increased in the exit trap zone Z4. For this reason, the dose of the electron beam (X-ray) leaking from the 3-4 connection opening P3-4 to the fourth shielding chamber R4 upstream of the exit trap zone Z4 inevitably increases.
この対策として、第5旋回経路L5の外径を大きくし、第5内周遮蔽体S5の外径D5を、第4内周遮蔽体S4の外径D4の1.3〜2.5倍の範囲で大きく形成することにより、第4遮蔽室R4から第5遮蔽室R5を介して下流側に漏出する電子線(X線)の線量を効果的に減少させることができる。 As a countermeasure, the outer diameter of the fifth turning path L5 is increased, and the outer diameter D5 of the fifth inner peripheral shield S5 is 1.3 to 2.5 times the outer diameter D4 of the fourth inner peripheral shield S4. By forming it large in the range, the dose of electron beams (X-rays) leaking downstream from the fourth shielding chamber R4 via the fifth shielding chamber R5 can be effectively reduced.
また、出口トラップゾーンZ4の第4遮蔽室R4に、第4室トラップ壁T4を設けて第4室減衰室R4bを形成したので、内面殺菌ゾーンZ3の第3−4接続排出口P3−4から漏出する電子線(X線)を第4室減衰室R4bに導入することができ、減衰室R4bで電子線(X線)を効果的に反射させて減衰させることができる。 Further, since the fourth chamber trap wall T4 is provided in the fourth shielding chamber R4 in the exit trap zone Z4 to form the fourth chamber attenuation chamber R4b, the third -4 connection discharge port P3-4 in the inner surface sterilization zone Z3 is used. The leaking electron beam (X-ray) can be introduced into the fourth chamber attenuation chamber R4b, and the electron beam (X-ray) can be effectively reflected and attenuated by the attenuation chamber R4b.
また第5遮蔽室R5では、第5−6接続開口部P5−6近傍の遮蔽側壁に、第5室トラップ壁T5を設けたので、第4−5接続開口部P4−5から侵入する電子線(X線)を遮蔽して第6遮蔽室R6に侵入する線量を減少させることができる。 In the fifth shielding room R5, since the fifth chamber trapping wall T5 is provided on the shielding side wall in the vicinity of the 5-6 connection opening P5-6, an electron beam entering from the 4-5 connection opening P4-5 is provided. It is possible to reduce the dose that shields (X-rays) and enters the sixth shielding room R6.
さらに、外面殺菌ゾーンZ2の第2遮蔽室R2で、第2-3接続開口部P2−3に対向する遮蔽壁から第2室トラップ壁T2を突設して第2室減衰室R2bを形成したので、第2−3接続開口部P2−3から漏出する電子線(X線)を、第2室トラップ壁T2により第2室減衰室R2bに導入して、効果的に反射させ減衰させることができる。 Furthermore, in the second shielding chamber R2 of the outer surface sterilization zone Z2, the second chamber damping wall R2b is formed by projecting the second chamber trapping wall T2 from the shielding wall facing the second and third connection openings P2-3. Therefore, the electron beam (X-ray) leaking from the second-third connection opening P2-3 can be introduced into the second chamber attenuation chamber R2b by the second chamber trap wall T2 and effectively reflected and attenuated. it can.
[第2実施例]
本発明に係る電子線殺菌設備の第2実施例を、図15および図16を参照して説明する。この実施例2は、入口トラップゾーンZ1を複数の旋回経路LT1,LT2で構成したものである。
[Second Embodiment]
A second embodiment of the electron beam sterilization facility according to the present invention will be described with reference to FIGS. 15 and 16. In the second embodiment, the inlet trap zone Z1 is configured by a plurality of turning paths LT1 and LT2.
この入口トラップゾーンZ1には、搬入旋回搬送装置M0により形成される搬入旋回経路LSと、第1旋回経路L1との間に、第1トラップ旋回経路LT1と第2トラップ旋回経路LT2とが直列に接続されて配置されている。そして第1トラップ旋回経路LT1を形成する第1トラップ旋回搬送装置MT1と、第2トラップ旋回経路LT2を形成する第2トラップ旋回搬送装置MT2は、それぞれ金属製遮蔽壁により形成された第1トラップ遮蔽室RT1内および第2トラップ遮蔽室RT2内に収容されている。そして搬入旋回搬送装置M0および第1,第2トラップ旋回搬送装置MT1,MT2には、搬入旋回経路LSおよび第1,第2トラップ旋回経路LT1,LT2が、それぞれの旋回経路LS,LT1,LT2の内周部に沿って金属製遮蔽壁からなる搬入部内周遮蔽壁S0および第1,第2トラップ内周遮蔽壁ST1,ST2が設けられている。さらに、搬入旋回経路LSと第1トラップ旋回経路LT1のトラップ入口接続部JT0−1、第1トラップ旋回経路LT1と第2トラップ旋回経路LT2のトラップ中間接続部JT1−2、および第2トラップ旋回経路LT2と第1旋回経路L1のトラップ出口接続部JT2−1では、第1トラップ遮蔽室RT1内および第2トラップ遮蔽室RT2の遮蔽壁に、実施例1と略同一構造のトラップ入口、中間、出口接続開口部PT0−1、PT1−2、PT2−1がそれぞれ形成されている。 In this entrance trap zone Z1, a first trap swirl path LT1 and a second trap swirl path LT2 are connected in series between a carry swirl path LS formed by the carry swirl transfer device M0 and the first swirl path L1. Connected and arranged. The first trap swirl transport device MT1 that forms the first trap swirl path LT1 and the second trap swirl transport device MT2 that forms the second trap swirl path LT2 are each formed by a metal shielding wall. It is accommodated in the room RT1 and the second trap shielding room RT2. The carry-in swivel transfer device M0 and the first and second trap swivel transfer devices MT1 and MT2 include the carry-in swivel route LS and the first and second trap swirl routes LT1 and LT2, respectively. A carry-in portion inner peripheral shielding wall S0 and first and second trap inner peripheral shielding walls ST1 and ST2 each including a metal shielding wall are provided along the inner peripheral portion. Further, the trap inlet connection portion JT0-1 of the carry-in turning route LS and the first trap turning route LT1, the trap intermediate connection portion JT1-2 of the first trap turning route LT1 and the second trap turning route LT2, and the second trap turning route. In the trap outlet connection portion JT2-1 of LT2 and the first turning path L1, trap inlets, intermediate and outlets having substantially the same structure as that of the first embodiment are provided in the first trap shielding chamber RT1 and the shielding walls of the second trap shielding chamber RT2. Connection openings PT0-1, PT1-2, PT2-1 are respectively formed.
なお、これら搬入旋回駆動装置M0および第1,第2トラップ旋回搬送装置MT1,MT2は、第1実施例と同一に構成されるため、同一符号を付して説明を省略する。
ここで、図16(a)に示すように、第3遮蔽室R3の電子線照射ノズルEnおよび第2電子線照射装置E2から照射された電子線が、直接または反射X線として第2トラップ遮蔽室RT2に侵入することは極めて少ない。しかし、第1電子線照射装置E1から照射されてトラップ出口接続開口部PT2−1から漏出される電子線が侵入するおそれがある。この対策として、第2トラップ旋回経路LT2の外径を、第1旋回経路L1の外径より大きく形成し、第2トラップ内周遮蔽体ST2の外径DT2を第1内周遮蔽体S1の外径D1より十分に大きく形成している。このように、トラップ出口接続開口部PT2−1に臨む第2トラップ内周遮蔽体ST2を十分に大きく形成することにより、トラップ出口接続開口部PT2−1から漏出する電子線(X線)を効果的に遮蔽することができる。すなわち、第2トラップ内周遮蔽体ST2の外径DT2は、第1内周遮蔽体S1の外径D1に対して1.3倍以上が好ましく、また2.5倍以下が適正範囲である。ここで1.3倍未満であると、遮蔽能力が低下するからであり、2.5倍を超えると、設備が大型化するためである。
In addition, since these carrying-in turning drive apparatus M0 and 1st, 2nd trap turning conveyance apparatus MT1, MT2 are comprised the same as 1st Example, the same code | symbol is attached | subjected and description is abbreviate | omitted.
Here, as shown in FIG. 16A, the electron beam irradiated from the electron beam irradiation nozzle En and the second electron beam irradiation apparatus E2 in the third shielding chamber R3 is shielded from the second trap as a direct or reflected X-ray. There is very little intrusion into the room RT2. However, the electron beam irradiated from the first electron beam irradiation device E1 and leaked from the trap outlet connection opening PT2-1 may enter. As a countermeasure, the outer diameter of the second trap turning path LT2 is formed to be larger than the outer diameter of the first turning path L1, and the outer diameter DT2 of the second trap inner shield ST2 is set to the outside of the first inner shield S1. It is formed sufficiently larger than the diameter D1. Thus, by forming the second trap inner peripheral shield ST2 facing the trap outlet connection opening PT2-1 sufficiently large, an electron beam (X-ray) leaking from the trap outlet connection opening PT2-1 is effective. Can be shielded. That is, the outer diameter DT2 of the second trap inner peripheral shield ST2 is preferably 1.3 times or more, and 2.5 times or less of the outer diameter D1 of the first inner peripheral shield S1. This is because if the ratio is less than 1.3 times, the shielding ability is lowered, and if it exceeds 2.5 times, the equipment is enlarged.
また図15、図16で第1トラップ遮蔽室RT1のトラップ入口接続開口部PT0−1の一方の遮蔽壁が延長されているのは、容器保持具のみが通過する開口部が形成されているためである。 15 and 16, the one shielding wall of the trap inlet connection opening PT0-1 of the first trap shielding chamber RT1 is extended because an opening through which only the container holder passes is formed. It is.
(内周遮蔽体の他の実施例)
実施例1、2において、第1〜第6旋回搬送装置M1〜M6、中間旋回駆動装置M8、リジェクト旋回駆動装置MR、搬入旋回駆動装置M0、第1、第2トラップ旋回搬送装置MT1,MT2にそれぞれ設けられた第1〜第6内周遮蔽体S1〜S6、中間内周遮蔽体S8、リジェクト内周遮蔽体SR、搬入部内周遮蔽体S0および第1,第2トラップ内周遮蔽体ST1,ST2を、それぞれ天面が閉鎖された円筒形に形成したが、図17(a)に示す内周遮蔽体S11のように、円筒形の外周面に、軸心方向の凹状溝aを周方向に一定ピッチで形成してもよい。また図17(b)に示す内周遮蔽体S12のように、円筒方の外周面に、軸心方向に沿う反射板bを周方向に一定ピッチで突設してもよい。さらに図17(c)に示す内周遮蔽体S13のように、軸心部で交差する半径方向の遮蔽板cを所定角度ごとに放射方向に組み立ててもよい。
(Another embodiment of inner shield)
In the first and second embodiments, the first to sixth swivel transfer devices M1 to M6, the intermediate swivel drive device M8, the reject swivel drive device MR, the carry-in swivel drive device M0, and the first and second trap swivel transfer devices MT1 and MT2. The first to sixth inner peripheral shields S1 to S6, the intermediate inner peripheral shield S8, the reject inner peripheral shield SR, the carry-in portion inner peripheral shield S0, and the first and second trap inner peripheral shields ST1, respectively. ST2 is formed in a cylindrical shape with the top surface closed, but like the inner peripheral shield S11 shown in FIG. 17 (a), an axially concave groove a is provided in the circumferential direction on the cylindrical outer peripheral surface. May be formed at a constant pitch. Further, like an inner peripheral shield S12 shown in FIG. 17B, reflectors b along the axial direction may be provided on the outer peripheral surface of the cylinder at a constant pitch in the circumferential direction. Further, as in the inner peripheral shield S13 shown in FIG. 17C, a radial shield plate c that intersects at the axial center may be assembled in a radial direction for each predetermined angle.
上記内周遮蔽体S11〜S13によれば、入射する電子線をより効果的に拡散させて減衰を促進することができる。 According to the inner peripheral shields S11 to S13, attenuation can be promoted by more effectively diffusing the incident electron beam.
B 容器
n ネック部
Z1 入口トラップゾーン
Z2 外面殺菌ゾーン
Z3 内面殺菌ゾーン
Z4 出口トラップゾーン
L1〜L6 第1〜第6旋回経路
LU U字形搬送経路
J1−2 第1−2接続部
J2−3 第2−3接続部
J3−4 第3−4接続部
J4−5 第4−5接続部
J5−6 第5−6接続部
J6−8 第6−8接続部
J5−R リジェクト接続部
M1〜M6 第1〜第6旋回搬送装置
E1〜E3 第1〜第3電子線照射装置
En 電子線照射ノズル
S1〜S6 第1〜第6内周遮蔽体
SR リジェクト内周遮蔽体
S11〜S13 内周遮蔽体
R1〜R6 第1〜第6遮蔽室
RR リジェクト遮蔽室
P1−2 第1−2接続開口部
P2−3 第2−3接続開口部
P3−4 第3−4接続開口部
P4−5 第4−5接続開口部
P5−6 第5−6接続開口部
T2 第2室トラップ壁
T4 第4室トラップ壁
T5 第5室トラップ壁
R2b 第2室減衰室
R4b 第4室減衰室
LT1 第1トラップ旋回経路
LT2 第2トラップ旋回経路
MT1 第1トラップ旋回搬送装置
MT2 第2トラップ旋回搬送装置
RT1 第1トラップ遮蔽室
RT2 第2トラップ遮蔽室
ST1 第1トラップ内周遮蔽体
ST2 第2トラップ内周遮蔽体
11 コンベヤ式搬送装置
12 入口トラップ遮蔽室
21 架台フレーム
21U 架台天板
22 クリーンルーム
23a 外筒軸
24 支持テーブル
25 旋回テーブル
26 容器昇降保持装置
31 クランプ具
35a,35b クランプアーム
51 第1回転軸
52 第1旋回テーブル
54 第1容器保持装置
71 第2回転軸
72 第2旋回テーブル
74 第2容器保持装置
81 第4回転軸
82 第4旋回テーブル
84 第4容器保持装置
91 第5回転軸
92 第5旋回テーブル
94 第5容器保持装置
101 第6回転軸
102 第6旋回テーブル
104 第6容器保持装置
111 リジェクト回転軸
112 リジェクト旋回テーブル
114 リジェクト容器保持装置
121 排出シュート
B container n neck part Z1 inlet trap zone Z2 outer surface sterilization zone Z3 inner surface sterilization zone Z4 outlet trap zones L1 to L6 first to sixth turning paths LU U-shaped transport path J1-2 first to second connection part J2-3 second -3 connecting portion J3-4 3-4 connecting portion J4-5 4-5 connecting portion J5-6 5-6 connecting portion J6-8 6-8 connecting portion J5-R reject connecting portions M1-M6 1st to 6th swivel transfer device E1 to E3 1st to 3rd electron beam irradiation device En Electron beam irradiation nozzles S1 to S6 1st to 6th inner periphery shield SR reject inner periphery shields S11 to S13 Inner periphery shield R1 -R6 1st-6th shielding room RR Reject shielding room P1-2 1-2 connection opening P2-3 2-3 connection opening P3-4 3-4 connection opening P4-5 4-5 Connection opening P5-6 5-6 Connection opening T2 2nd Trap wall T4 Fourth chamber trap wall T5 Fifth chamber trap wall R2b Second chamber attenuation chamber R4b Fourth chamber attenuation chamber LT1 First trap swirl path LT2 Second trap swirl path MT1 First trap swirl transport device MT2 Second trap swirl Transport device RT1 First trap shielding chamber RT2 Second trap shielding chamber ST1 First trap inner shielding member ST2 Second trap inner shielding member 11 Conveyor transport device 12 Entrance trap shielding chamber 21 Mounting frame 21U Mounting plate 22 Clean room 23a Outer cylinder shaft 24 Support table 25 Turning table 26 Container lifting / lowering holding device 31 Clamping tools 35a, 35b Clamp arm 51 First rotating shaft 52 First rotating table 54 First container holding device 71 Second rotating shaft 72 Second rotating table 74 First 2 container holding device 81 4th rotating shaft 82 4th turning table 8 Fourth container holding device 91 Fifth rotating shaft 92 Fifth turning table 94 Fifth container holding device 101 Sixth rotating shaft 102 Sixth turning table 104 Sixth container holding device 111 Reject rotating shaft 112 Reject turning table 114 Reject container holding device 121 discharge chute
Claims (3)
前記容器の内面に電子線を照射して殺菌する内面電子線照射装置と、
前記容器の外面に電子線を照射して殺菌する外面電子線照射装置と、
前記複数の旋回経路のうちの少なくとも1つを収容するとともに、前記内面電子線照射装置および前記外面電子線照射装置を収容する殺菌ゾーンと、
前記殺菌ゾーンに収容された旋回経路に上流側または下流側から接続された少なくとも1つの旋回経路を収容するとともに、前記殺菌ゾーンから漏出した電子線を減衰させるトラップゾーンと、を備え、
前記殺菌ゾーンと前記トラップゾーンとの間は、これらに収容される旋回経路を互いに接続するための接続開口部を除いて遮蔽壁によって仕切られており、
前記トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の外径は、その旋回経路に前記殺菌ゾーン側から接続された旋回経路の外径よりも大きく、
前記トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径は、その旋回経路に前記殺菌ゾーン側から接続された旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径よりも大きい
ことを特徴とする電子線殺菌設備。 A transport device for transporting the container along a plurality of swivel paths;
An inner surface electron beam irradiation device for sterilizing the inner surface of the container by irradiating an electron beam;
An outer surface electron beam irradiation device for sterilizing the outer surface of the container by irradiating an electron beam;
A sterilization zone that houses at least one of the plurality of turning paths, and houses the inner surface electron beam irradiation device and the outer surface electron beam irradiation device;
A trap zone for accommodating at least one swirl path connected from the upstream side or the downstream side to the swirl path accommodated in the sterilization zone, and for attenuating an electron beam leaked from the sterilization zone,
The sterilization zone and the trap zone are partitioned by a shielding wall except for a connection opening for connecting the swirl paths accommodated therein,
The outer diameter of one of the pivoting path of the stowed revolving channel to trap zone is much larger than the outer diameter of the connected pivot path from the sterile zone side to the swiveling path,
The outer diameter of the inner peripheral shield installed along the inner periphery of one of the turning paths accommodated in the trap zone is the inner diameter of the turning path connected to the turning path from the sterilization zone side. electron beam sterilization equipment, characterized in that not larger than the outer diameter of the inner peripheral shield disposed along the peripheral portion.
前記出口トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の外径は、その旋回経路に上流側から接続された旋回経路の外径よりも大きく、
前記出口トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径は、その旋回経路に上流側から接続された旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径よりも大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の電子線殺菌設備。 The trap zone is an exit trap zone that houses at least one swirl path connected from a downstream side to a swirl path accommodated in the sterilization zone,
The outer diameter of one of the pivoting path of the stowed revolving channel the exit trap zone is much larger than the outer diameter of the connected pivot path from the upstream side to the swiveling path,
The outer diameter of the inner peripheral shield installed along the inner periphery of one of the turning paths accommodated in the exit trap zone is the inner circumference of the turning path connected to the turning path from the upstream side. electron beam sterilization facility according to claim 1, characterized in that not larger than the outer diameter of the inner peripheral shield disposed along the part.
前記入口トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の外径は、その旋回経路に下流側から接続された旋回経路の外径よりも大きく、
前記入口トラップゾーンに収容された旋回経路のうち1つの旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径は、その旋回経路に下流側から接続された旋回経路の内周部に沿って設置された内周遮蔽体の外径よりも大きい
ことを特徴とする請求項1に記載の電子線殺菌設備。 The trap zone is an entrance trap zone that houses at least one swirl path connected from the upstream side to a swirl path accommodated in the sterilization zone,
The outer diameter of one of the pivoting path of the inlet trap zone stowed revolving channel is much larger than the outer diameter of the connected pivot path from the downstream side to the swiveling path,
The outer diameter of the inner peripheral shield installed along the inner periphery of one of the turning paths accommodated in the entrance trap zone is the inner circumference of the turning path connected to the turning path from the downstream side. electron beam sterilization facility according to claim 1, characterized in that not larger than the outer diameter of the inner peripheral shield disposed along the part.
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