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JP6342738B2 - Data correction apparatus, drawing apparatus, inspection apparatus, data correction method, drawing method, inspection method, and program - Google Patents

Data correction apparatus, drawing apparatus, inspection apparatus, data correction method, drawing method, inspection method, and program Download PDF

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JP6342738B2 JP2014150429A JP2014150429A JP6342738B2 JP 6342738 B2 JP6342738 B2 JP 6342738B2 JP 2014150429 A JP2014150429 A JP 2014150429A JP 2014150429 A JP2014150429 A JP 2014150429A JP 6342738 B2 JP6342738 B2 JP 6342738B2
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Description

本発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正する技術に関する。   The present invention relates to a technique for correcting design data of a pattern formed by etching on an object.

従来より、半導体基板やプリント基板、あるいは、プラズマ表示装置や液晶表示装置用のガラス基板等(以下、「基板」という。)の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、表面上にレジストのパターンが形成された基板にエッチングを施すことにより、基板上に配線パターンが形成される。当該エッチングでは、パターン配置の粗密やパターンの大きさ等により、基板上に形成されたパターンの形状が設計データと異なる場合がある。   Conventionally, various processes are performed on a substrate in a manufacturing process of a semiconductor substrate, a printed substrate, a glass substrate for a plasma display device or a liquid crystal display device (hereinafter referred to as “substrate”). For example, the wiring pattern is formed on the substrate by etching the substrate on which the resist pattern is formed on the surface. In the etching, the shape of the pattern formed on the substrate may differ from the design data depending on the density of the pattern arrangement and the size of the pattern.

特許文献1では、電子線直描装置にて基板上にレジストパターンを形成し、プラズマエッチング装置にてエッチングを行うことによりパターンを形成する技術が開示されている。また、パターンの設計データから電子線直描用データを生成する処理に、マイクロローディング効果によるエッチング後のパターンサイズの変化を補正する処理を含めることが提案されている。   Patent Document 1 discloses a technique for forming a pattern by forming a resist pattern on a substrate with an electron beam direct drawing apparatus and performing etching with a plasma etching apparatus. In addition, it has been proposed to include processing for correcting a change in pattern size after etching due to a microloading effect in processing for generating electron beam direct drawing data from pattern design data.

特許文献2では、エッチング後の基板の画像データと設計データとを用いて、所望のエッチング後基板を得るために設計データをいかに補正する必要があるかを示すリサイジングルールを生成することが提案されている。   In Patent Document 2, it is proposed to generate resizing rules indicating how design data needs to be corrected in order to obtain a desired post-etched substrate using image data and design data of the substrate after etching. Has been.

特許文献3では、フォトマスクを作製する際に、パターン間のスペース(距離)ごとに、オーバーエッチングを補正するための補正値を指定する方法が開示されている。また、直線パターンと円弧パターンとが対向する場合、当該対向する部位に更なる補正を加えることが提案されている。   Patent Document 3 discloses a method of designating a correction value for correcting over-etching for each space (distance) between patterns when manufacturing a photomask. Moreover, when a linear pattern and a circular arc pattern oppose, it is proposed to add the further correction | amendment to the said opposing part.

特許文献4では、導体パターンの設計データからサイドエッチングを考慮しつつアウトライン形状(導体パターンの外形形状)を作成する際に、隣接するアウトライン形状間の距離に基づいて補正値を設定する技術が開示されている。   Patent Document 4 discloses a technique for setting a correction value based on a distance between adjacent outline shapes when creating an outline shape (outer shape of a conductor pattern) from the design data of the conductor pattern in consideration of side etching. Has been.

特許文献5は、エッチングにより形成された配線パターンの欠陥検査に関するものである。当該欠陥検査では、基板の表面に形成された測定用パターンからエッチング情報(エッチング曲線)が測定され、当該エッチング曲線を用いて設計データにエッチングシミュレーションを行うことにより検査データが生成される。そして、基板上の配線パターンの画像データと検査データとが照合されることにより、配線パターンの欠陥が検出される。特許文献5では、プリント基板の上面に設定された複数の検査領域に、それぞれ1つの測定用パターンを配置し、各検査領域用のエッチング曲線を取得することが提案されている。検査領域には、複数の同一の個片パターンが含まれており、これらの複数の個片パターンは、当該検査領域用のエッチング曲線に基づいて同様に補正される。   Patent Document 5 relates to a defect inspection of a wiring pattern formed by etching. In the defect inspection, etching information (etching curve) is measured from a measurement pattern formed on the surface of the substrate, and inspection data is generated by performing etching simulation on design data using the etching curve. And the defect of a wiring pattern is detected by collating the image data and inspection data of the wiring pattern on a board | substrate. Patent Document 5 proposes that one measurement pattern is arranged in each of a plurality of inspection areas set on the upper surface of a printed circuit board, and an etching curve for each inspection area is acquired. The inspection area includes a plurality of identical individual patterns, and the plurality of individual patterns are similarly corrected based on the etching curve for the inspection area.

特許第3074675号公報Japanese Patent No. 3074675 特許第4274784号公報Japanese Patent No. 4274784 特開2008−134512号公報JP 2008-134512 A 特開2013−12562号公報JP 2013-12562 A 特開2013−250101号公報JP2013-250101A

近年、基板に対するエッチングを行う装置では、生産性を向上するために、多くの同一のピース(パターン)が配置された大型基板に対してエッチングが行われている。このため、基板上の位置によってエッチング特性が異なり、同一のピースに対するエッチングであっても、エッチング結果が異なる場合がある。   In recent years, in an apparatus for performing etching on a substrate, in order to improve productivity, etching is performed on a large substrate on which many identical pieces (patterns) are arranged. For this reason, the etching characteristics differ depending on the position on the substrate, and the etching result may differ even when etching is performed on the same piece.

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、対象物上の位置によるエッチング特性の差異を考慮して、エッチング補正を精度良く行うことを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to accurately perform etching correction in consideration of a difference in etching characteristics depending on a position on an object.

請求項1に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、前記パターンに含まれる図形要素間のギャップ幅と、前記対象物上の前記図形要素が過剰にエッチングされる量であるエッチング量との関係をエッチング特性として、前記対象物上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を記憶するエッチング特性記憶部と、前記対象物上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と前記複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて前記複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた前記複数のエッチング特性に基づいて前記各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性を求める領域エッチング特性取得部と、前記設計データを前記複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、前記各分割データに対応する前記各分割領域の前記領域エッチング特性に基づいて補正する分割データ補正部とを備える。 The invention according to claim 1 is a data correction apparatus for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and stores design data of a pattern formed by etching on the object. The relationship between the storage unit, the gap width between graphic elements included in the pattern, and the etching amount, which is the amount by which the graphic elements on the object are excessively etched, is used as an etching characteristic. An etching characteristic storage unit that stores a plurality of etching characteristics corresponding to each of the reference positions, and each of the divided areas and the plurality of reference positions for each of the plurality of divided areas set on the object Based on the relationship, the plurality of etching characteristics are weighted, and the weighting is performed on the basis of the plurality of etching characteristics. A region etching characteristic acquisition unit for obtaining a region etching characteristic that is an etching characteristic of each of the divided regions; and dividing the design data into a plurality of divided data corresponding to the plurality of divided regions; A divided data correction unit that performs correction based on the region etching characteristics of the divided regions corresponding to data.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のデータ補正装置であって、前記設計データの前記複数の分割データがそれぞれ示す分割パターンが同一である。   A second aspect of the present invention is the data correction apparatus according to the first aspect, wherein the division patterns indicated by the plurality of division data of the design data are the same.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のデータ補正装置であって、前記複数の分割データが、対応する前記領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含む場合、前記分割データ補正部により、前記2つ以上の分割データに含まれる一の分割データの補正が行われ、前記一の分割データの補正結果が、前記2つ以上の分割データに含まれる他の分割データの、前記分割データ補正部による補正結果としても使用される。 According to a third aspect of the present invention, in the data correction device according to the second aspect, when the plurality of divided data includes two or more pieces of divided data having the same corresponding region etching characteristics , The divided data correction unit corrects one divided data included in the two or more divided data, and the correction result of the one divided data is another divided data included in the two or more divided data. The data is also used as a correction result by the divided data correction unit .

請求項4に記載の発明は、請求項1ないし3のいずれかに記載のデータ補正装置であって、前記領域エッチング特性取得部による前記複数のエッチング特性への重み付けが、各エッチング特性に対応する基準位置と分割領域との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することであり、前記複数のエッチング特性のうち、前記各分割領域に最も近い一の基準位置に対応するエッチング特性に乗算される重み係数が1であり、前記エッチング特性以外のエッチング特性に乗算される重み係数が0である。 A fourth aspect of the present invention is the data correction device according to any one of the first to third aspects, wherein weighting of the plurality of etching characteristics by the region etching characteristic acquisition unit corresponds to each etching characteristic. Each etching characteristic is multiplied by a weighting factor based on the distance between the reference position and the divided area, and the etching characteristic corresponding to one reference position closest to each of the divided areas among the plurality of etching characteristics is obtained. weight coefficient to be multiplied is 1, the weighting factor to be multiplied to the etching characteristics of the non-pre disappeared etching characteristics is zero.

請求項5に記載の発明は、対象物上にパターンを描画する描画装置であって、請求項1ないし4のいずれかに記載のデータ補正装置と、光源と、前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構とを備える。   The invention according to claim 5 is a drawing device for drawing a pattern on an object, and is corrected by the data correction device according to any one of claims 1 to 4, the light source, and the data correction device. An optical modulation unit that modulates light from the light source based on design data, and a scanning mechanism that scans light modulated by the optical modulation unit on an object.

請求項6に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査装置であって、請求項1ないし4のいずれかに記載のデータ補正装置と、対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する実画像記憶部と、前記データ補正装置により実際のエッチング後の線幅や大きさに合わせて補正された設計データと前記検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部とを備える。 The invention described in claim 6 is an inspection apparatus for inspecting a pattern formed by etching on an object, and the data correction apparatus according to any one of claims 1 to 4 and etching on the object. An actual image storage unit that stores inspection image data that is image data of the formed pattern, design data that is corrected by the data correction device according to the line width and size after actual etching, and the inspection image data; And a defect detection unit that detects defects of the pattern formed on the object.

請求項7に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、a)対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、b)前記パターンに含まれる図形要素間のギャップ幅と、前記対象物上の前記図形要素が過剰にエッチングされる量であるエッチング量との関係をエッチング特性として、前記対象物上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を準備する工程と、c)前記対象物上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と前記複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて前記複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた前記複数のエッチング特性に基づいて前記各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性を求める工程と、d)前記設計データを前記複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、前記各分割データに対応する前記各分割領域の前記領域エッチング特性に基づいて補正する工程とを備える。 The invention according to claim 7 is a data correction method for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and a) preparing design data of a pattern formed by etching on the object. And b) a gap width between graphic elements included in the pattern and an etching amount, which is an amount by which the graphic elements on the object are excessively etched, as etching characteristics . A step of preparing a plurality of etching characteristics respectively corresponding to a plurality of reference positions; c) a position of each of the divided areas and the plurality of reference positions for each of the plurality of divided areas set on the object. Weighting the plurality of etching characteristics based on the relationship, and then dividing each of the divided areas based on the plurality of etching characteristics weighted. And d) dividing the design data into a plurality of divided data corresponding to the plurality of divided regions, and dividing each divided data into the respective divided data corresponding to the divided data. And correcting based on the region etching characteristics of the region.

請求項8に記載の発明は、請求項7に記載のデータ補正方法であって、前記a)工程において、前記複数の分割データがそれぞれ示す分割パターンが同一である前記設計データが準備されるThe invention according to claim 8 is the data correction method according to claim 7, wherein in the step a), the design data having the same division pattern indicated by each of the plurality of division data is prepared .

請求項9に記載の発明は、請求項8に記載のデータ補正方法であって、前記d)工程において、前記複数の分割データが、対応する前記領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含む場合、前記2つ以上の分割データのうち一の分割データの補正が行われ、前記一の分割データの補正結果が、他の分割データの補正結果としても使用される。   The invention according to claim 9 is the data correction method according to claim 8, wherein, in the step d), the plurality of divided data includes two or more divisions having the same corresponding region etching characteristics. When data is included, correction of one divided data among the two or more divided data is performed, and the correction result of the one divided data is also used as the correction result of the other divided data.

請求項10に記載の発明は、請求項7ないし9のいずれかに記載のデータ補正方法であって、前記c)工程における前記複数のエッチング特性への重み付けが、各エッチング特性に対応する基準位置と分割領域との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することであり、前記複数のエッチング特性のうち、前記各分割領域に最も近い一の基準位置に対応するエッチング特性に乗算される重み係数が1であり、前記エッチング特性以外のエッチング特性に乗算される重み係数が0である。 A tenth aspect of the present invention is the data correction method according to any one of the seventh to ninth aspects, wherein the weighting to the plurality of etching characteristics in the step c) is a reference position corresponding to each etching characteristic. Each etching characteristic is multiplied by a weighting factor based on the distance between the divided area and the etching characteristic corresponding to one reference position closest to each of the divided areas. that the weighting factor is 1, the weighting factor to be multiplied to the etching characteristics of the non-pre disappeared etching characteristics is zero.

請求項11に記載の発明は、対象物上にパターンを描画する描画方法であって、請求項7ないし10のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程とを備える。   The invention according to claim 11 is a drawing method for drawing a pattern on an object, the step of correcting design data by the data correction method according to claim 7, and the corrected Scanning light modulated on the basis of the design data on the object.

請求項12に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査方法であって、請求項7ないし10のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データと、実際のエッチング後の線幅や大きさに合わせて補正された前記設計データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する工程とを備える。 The invention according to claim 12 is an inspection method for inspecting a pattern formed by etching on an object, the step of correcting design data by the data correction method according to any one of claims 7 to 10; , by comparing pairs and inspection image data is image data of the pattern formed by etching on the elephant was the actual said design data corrected in accordance with the line width and the magnitude of the post-etch, the target And detecting a defect of the pattern formed on the object.

請求項13に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、a)対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、b)前記パターンに含まれる図形要素間のギャップ幅と、前記対象物上の前記図形要素が過剰にエッチングされる量であるエッチング量との関係をエッチング特性として、前記対象物上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を準備する工程と、c)前記対象物上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と前記複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて前記複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた前記複数のエッチング特性に基づいて前記各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性を求める工程と、d)前記設計データを前記複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、前記各分割データに対応する前記各分割領域の前記領域エッチング特性に基づいて補正する工程とを実行させる。 The invention according to claim 13 is a program for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and the execution of the program by the computer is performed on the computer by a) etching on the object. A step of preparing design data of a pattern to be formed; and b) a relationship between a gap width between graphic elements included in the pattern and an etching amount which is an amount by which the graphic elements on the object are excessively etched. as an etching characteristic, a step of preparing a plurality of etching characteristics corresponding to a plurality of reference position on the object, c) for each of the plurality of divided areas set on said object, and each divided region The weighting is performed on the plurality of etching characteristics based on the positional relationship with the plurality of reference positions. Obtaining a region etching characteristic that is an etching characteristic of each of the divided regions based on the plurality of etching characteristics injured; and d) dividing the design data into a plurality of divided data corresponding to the plurality of divided regions. And correcting each divided data based on the region etching characteristics of the divided regions corresponding to the divided data.

本発明では、対象物上の位置によるエッチング特性の差異を考慮して、エッチング補正を精度良く行うことができる。   In the present invention, etching correction can be performed with high accuracy in consideration of the difference in etching characteristics depending on the position on the object.

第1の実施の形態に係る描画装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the drawing apparatus which concerns on 1st Embodiment. データ処理装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a data processor. データ処理装置の機能を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function of a data processor. 基板の平面図である。It is a top view of a board | substrate. 特性取得用パターンの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of pattern for characteristic acquisition. 測定パターンの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of measurement pattern. エッチングカーブを示す図である。It is a figure which shows an etching curve. 描画装置による描画の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of drawing by a drawing apparatus. 第2の実施の形態に係る検査装置の機能を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function of the inspection apparatus which concerns on 2nd Embodiment. 検査装置による検査の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the test | inspection by an inspection apparatus.

図1は、本発明の第1の実施の形態に係る描画装置1の構成を示す図である。描画装置1は、プリント基板、半導体基板、液晶基板等(以下、単に「基板9」という。)の表面に設けられた感光材料であるレジスト膜に光を照射することにより、レジスト膜上に回路パターン等の画像を直接的に描画する直描装置である。描画装置1によりパターンが描画された基板9には、基板処理装置等(図示省略)においてエッチングが施される。これにより、基板9上にパターンが形成される。基板9に対するエッチングは、例えば、基板9に対してエッチング液を付与することにより行われるウェットエッチングである。なお、基板9に対するエッチングとして、例えば、プラズマ等を利用したドライエッチングが行われてもよい。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a drawing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. The drawing apparatus 1 irradiates light onto a resist film which is a photosensitive material provided on the surface of a printed circuit board, a semiconductor substrate, a liquid crystal substrate or the like (hereinafter simply referred to as “substrate 9”), whereby a circuit is formed on the resist film. This is a direct drawing device that directly draws an image such as a pattern. The substrate 9 on which the pattern is drawn by the drawing apparatus 1 is etched in a substrate processing apparatus or the like (not shown). As a result, a pattern is formed on the substrate 9. Etching for the substrate 9 is, for example, wet etching performed by applying an etchant to the substrate 9. In addition, as the etching with respect to the substrate 9, for example, dry etching using plasma or the like may be performed.

描画装置1は、データ処理装置2と、露光装置3とを備える。データ処理装置2は、基板9上に描画されるパターンの設計データを補正し、描画データを生成する。露光装置3は、データ処理装置2から送られた描画データに基づいて基板9に対する描画(すなわち、露光)を行う。データ処理装置2と露光装置3とは、両装置間のデータの授受が可能であれば、一体的に設けられてもよく、物理的に離間していてもよい。   The drawing apparatus 1 includes a data processing device 2 and an exposure device 3. The data processing device 2 corrects the design data of the pattern drawn on the substrate 9 and generates drawing data. The exposure apparatus 3 performs drawing (that is, exposure) on the substrate 9 based on the drawing data sent from the data processing apparatus 2. The data processing device 2 and the exposure device 3 may be provided integrally as long as data can be exchanged between the two devices, or may be physically separated.

図2は、データ処理装置2の構成を示す図である。データ処理装置2は、各種演算処理を行うCPU201と、基本プログラムを記憶するROM202と、各種情報を記憶するRAM203とを含む一般的なコンピュータシステムの構成となっている。データ処理装置2は、情報記憶を行う固定ディスク204と、画像等の各種情報の表示を行うディスプレイ205と、操作者からの入力を受け付けるキーボード206aおよびマウス206bと、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体8から情報の読み取りおよび書き込みを行う読取/書込装置207と、描画装置1の他の構成等との間で信号を送受信する通信部208とをさらに含む。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the data processing device 2. The data processing device 2 has a general computer system configuration including a CPU 201 that performs various arithmetic processes, a ROM 202 that stores basic programs, and a RAM 203 that stores various information. The data processing apparatus 2 includes a fixed disk 204 that stores information, a display 205 that displays various information such as images, a keyboard 206a and a mouse 206b that receive input from an operator, an optical disk, a magnetic disk, and a magneto-optical disk. And a reading / writing device 207 that reads and writes information from the computer-readable storage medium 8 and a communication unit 208 that transmits and receives signals to and from other components of the drawing device 1.

データ処理装置2では、事前に読取/書込装置207を介して記憶媒体8からプログラム80が読み出されて固定ディスク204に記憶されている。CPU201は、プログラム80に従ってRAM203や固定ディスク204を利用しつつ演算処理を実行する。データ処理装置2の機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に専用の電気的回路が用いられてもよい。   In the data processing device 2, the program 80 is read from the storage medium 8 via the reading / writing device 207 in advance and stored in the fixed disk 204. The CPU 201 executes arithmetic processing using the RAM 203 and the fixed disk 204 according to the program 80. The function of the data processing device 2 may be realized by a dedicated electrical circuit, or a dedicated electrical circuit may be partially used.

図3は、データ処理装置2の機能を示すブロック図である。図3では、データ処理装置2に接続される露光装置3の構成の一部を併せて示す。データ処理装置2は、データ補正部21と、データ変換部22とを備える。データ補正部21は、基板9上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正する。データ補正部21は、設計データ記憶部211と、エッチング特性記憶部212と、領域エッチング特性取得部213と、分割データ補正部214とを備える。データ変換部22には、データ補正部21により補正された設計データ(以下、「補正済みデータ」という。)が入力される。補正済みデータは、通常、ポリゴン等のベクトルデータである。データ変換部22は、ベクトルデータである補正済みデータをラスタデータである描画データに変換する。   FIG. 3 is a block diagram illustrating functions of the data processing device 2. FIG. 3 also shows a part of the configuration of the exposure apparatus 3 connected to the data processing apparatus 2. The data processing device 2 includes a data correction unit 21 and a data conversion unit 22. The data correction unit 21 corrects design data of a pattern formed on the substrate 9 by etching. The data correction unit 21 includes a design data storage unit 211, an etching characteristic storage unit 212, a region etching characteristic acquisition unit 213, and a divided data correction unit 214. The data conversion unit 22 receives design data corrected by the data correction unit 21 (hereinafter referred to as “corrected data”). The corrected data is usually vector data such as polygons. The data converter 22 converts corrected data that is vector data into drawing data that is raster data.

図1に示すように、露光装置3は、描画コントローラ31と、ステージ32と、光出射部33と、走査機構35とを備える。描画コントローラ31は、光出射部33および走査機構35を制御する。ステージ32は、光出射部33の下方にて基板9を保持する。光出射部33は、光源331と、光変調部332とを備える。光源331は、光変調部332に向けてレーザ光を出射する。光変調部332は、光源331からの光を変調する。光変調部332により変調された光は、ステージ32上の基板9に照射される。光変調部332としては、例えば、DMD(デジタルミラーデバイス)が利用される。   As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 3 includes a drawing controller 31, a stage 32, a light emitting unit 33, and a scanning mechanism 35. The drawing controller 31 controls the light emitting unit 33 and the scanning mechanism 35. The stage 32 holds the substrate 9 below the light emitting unit 33. The light emitting unit 33 includes a light source 331 and a light modulating unit 332. The light source 331 emits laser light toward the light modulation unit 332. The light modulator 332 modulates light from the light source 331. The light modulated by the light modulation unit 332 is irradiated onto the substrate 9 on the stage 32. As the light modulation unit 332, for example, a DMD (digital mirror device) is used.

走査機構35は、ステージ32を水平方向に移動する。具体的には、走査機構35により、ステージ32が主走査方向、および、主走査方向に垂直な副走査方向に移動される。これにより、光変調部332により変調された光が、基板9上にて主走査方向および副走査方向に走査される。露光装置3では、ステージ32を水平に回転する回転機構が設けられてもよい。また、光出射部33を上下方向に移動する昇降機構が設けられてもよい。走査機構35は、光出射部33からの光を基板9上にて走査することができるのであれば、必ずしもステージ32を移動する機構である必要はない。例えば、走査機構35により、光出射部33がステージ32の上方にて主走査方向および副走査方向に移動されてもよい。   The scanning mechanism 35 moves the stage 32 in the horizontal direction. Specifically, the stage 32 is moved by the scanning mechanism 35 in the main scanning direction and the sub-scanning direction perpendicular to the main scanning direction. As a result, the light modulated by the light modulator 332 is scanned on the substrate 9 in the main scanning direction and the sub-scanning direction. In the exposure apparatus 3, a rotation mechanism that rotates the stage 32 horizontally may be provided. In addition, an elevating mechanism that moves the light emitting unit 33 in the vertical direction may be provided. The scanning mechanism 35 is not necessarily a mechanism that moves the stage 32 as long as the light from the light emitting unit 33 can be scanned on the substrate 9. For example, the light emitting unit 33 may be moved above the stage 32 by the scanning mechanism 35 in the main scanning direction and the sub scanning direction.

図4は、露光装置3によりパターン93が描画された基板9を示す平面図である。基板9は略矩形状である。パターン93は、マトリクス状に配置された(すなわち、多面付けされた)複数のピース94を備える。複数のピース94はそれぞれ、パターン93を構成するパターン要素であり、パターン93は、複数のパターン要素の集合であるパターン要素群である。図4では、ピース94を矩形にて示す。   FIG. 4 is a plan view showing the substrate 9 on which the pattern 93 is drawn by the exposure apparatus 3. The substrate 9 has a substantially rectangular shape. The pattern 93 includes a plurality of pieces 94 arranged in a matrix (that is, multifaceted). Each of the plurality of pieces 94 is a pattern element constituting the pattern 93, and the pattern 93 is a pattern element group that is a set of a plurality of pattern elements. In FIG. 4, the piece 94 is indicated by a rectangle.

実際には、複数のピース94のそれぞれは、エッチング等の様々な処理を経て、最終的に1つの独立した配線パターンになる予定の描画パターンである。図4にてピース94を示す矩形は、ピース94に対応する実際の描画パターン全体を含むおよそ最小の矩形である。図4に示す例では、64個のピース94が基板9上に配置される。具体的には、基板9の隣接する2つの辺に沿って(すなわち、図中のx方向およびy方向に沿って)、縦横8個ずつのピース94が配置される。64個のピース94は、互いに同一な描画パターンである。   Actually, each of the plurality of pieces 94 is a drawing pattern that is scheduled to become one independent wiring pattern after various processes such as etching. A rectangle indicating the piece 94 in FIG. 4 is a minimum rectangle including the entire actual drawing pattern corresponding to the piece 94. In the example shown in FIG. 4, 64 pieces 94 are arranged on the substrate 9. Specifically, eight pieces 94 are arranged vertically and horizontally along two adjacent sides of the substrate 9 (that is, along the x and y directions in the figure). The 64 pieces 94 have the same drawing pattern.

基板9上には、複数のピース94に加えて、複数の特性取得用パターン95が描画される。図4では、特性取得用パターン95を、ピース94よりも小さい矩形にて示す。実際には、複数の特性取得用パターン95のそれぞれは、エッチング等の様々な処理を経て、最終的にエッチング特性を測定するための測定パターンになる予定の描画パターンである。図4にて特性取得用パターン95を示す矩形は、特性取得用パターン95に対応する実際の描画パターン全体を含むおよそ最小の矩形である。図4に示す例では、4個の特性取得用パターン95が、基板9の4つの角部近傍に配置される。各特性取得用パターン95は、64個のピース94の最外縁を結ぶ略矩形の領域(すなわち、64個のピース94を全て含む最小の略矩形領域)の外側に配置される。   On the substrate 9, a plurality of characteristic acquisition patterns 95 are drawn in addition to the plurality of pieces 94. In FIG. 4, the characteristic acquisition pattern 95 is indicated by a rectangle smaller than the piece 94. Actually, each of the plurality of characteristic acquisition patterns 95 is a drawing pattern that is to be a measurement pattern for finally measuring etching characteristics through various processes such as etching. In FIG. 4, the rectangle indicating the characteristic acquisition pattern 95 is the smallest rectangle including the entire actual drawing pattern corresponding to the characteristic acquisition pattern 95. In the example shown in FIG. 4, four characteristic acquisition patterns 95 are arranged in the vicinity of the four corners of the substrate 9. Each characteristic acquisition pattern 95 is arranged outside a substantially rectangular region connecting the outermost edges of the 64 pieces 94 (that is, the smallest substantially rectangular region including all 64 pieces 94).

以下の説明では、基板9上において複数の特性取得用パターン95が配置される複数の位置をそれぞれ「基準位置」という。また、基板9上において複数のピース94が配置される複数の位置をそれぞれ「パターン要素位置」という。基準位置およびパターン要素位置は、例えば、特性取得用パターン95およびピース94のそれぞれの中央の座標である。基準位置およびパターン要素位置は、例えば、特性取得用パターン95およびピース94のそれぞれの1つの角部であってもよい。   In the following description, the plurality of positions where the plurality of characteristic acquisition patterns 95 are arranged on the substrate 9 are referred to as “reference positions”. A plurality of positions where the plurality of pieces 94 are arranged on the substrate 9 are referred to as “pattern element positions”. The reference position and the pattern element position are, for example, the center coordinates of the characteristic acquisition pattern 95 and the piece 94, respectively. The reference position and the pattern element position may be, for example, one corner of each of the characteristic acquisition pattern 95 and the piece 94.

図5は、特性取得用パターン95の一部を拡大して示す図である。図5に示す例では、特性取得用パターン95は、複数の第1図形要素群951を含む。各第1図形要素群951は、互いに平行におよそy方向に延びる2本の略直線状の第1図形要素952を含む。各第1図形要素群951における2本の第1図形要素952間のギャップG(すなわち、2本の第1図形要素952の長手方向に垂直なx方向における間隔)は、他の第1図形要素群951における2本の第1図形要素952間のギャップGとは異なる。   FIG. 5 is an enlarged view showing a part of the characteristic acquisition pattern 95. In the example shown in FIG. 5, the characteristic acquisition pattern 95 includes a plurality of first graphic element groups 951. Each first graphic element group 951 includes two substantially linear first graphic elements 952 extending in the y direction in parallel with each other. The gap G between the two first graphic elements 952 in each first graphic element group 951 (that is, the interval in the x direction perpendicular to the longitudinal direction of the two first graphic elements 952) is the other first graphic element. It is different from the gap G between the two first graphic elements 952 in the group 951.

基板9では、エッチングおよびエッチング後のレジスト除去等の処理により、複数の特性取得用パターン95に対応する複数の測定パターンが、複数のピース94に対応する複数の配線パターンとおよそ同時に形成される。   On the substrate 9, a plurality of measurement patterns corresponding to the plurality of characteristic acquisition patterns 95 are formed almost simultaneously with a plurality of wiring patterns corresponding to the plurality of pieces 94 by processing such as etching and resist removal after the etching.

図6は、特性取得用パターン95に対応する測定パターン96の一部を拡大して示す図である。測定パターン96は、複数の第1図形要素群951に対応する複数の第2図形要素群953を含む。図6では、1つの第2図形要素群953を拡大して示す。各第2図形要素群953は、2本の第1図形要素952に対応する略直線状の2本の第2図形要素954を含む。第2図形要素954は、エッチング後の第1図形要素952である。図6では、第1図形要素952の輪郭線を二点鎖線にて併せて示す。   FIG. 6 is an enlarged view showing a part of the measurement pattern 96 corresponding to the characteristic acquisition pattern 95. The measurement pattern 96 includes a plurality of second graphic element groups 953 corresponding to the plurality of first graphic element groups 951. In FIG. 6, one second graphic element group 953 is shown enlarged. Each second graphic element group 953 includes two substantially linear second graphic elements 954 corresponding to the two first graphic elements 952. The second graphic element 954 is the first graphic element 952 after being etched. In FIG. 6, the outline of the first graphic element 952 is also shown by a two-dot chain line.

図6に示すように、第1図形要素952の輪郭線と第2図形要素954の輪郭線との差分であるエッチング量Et(すなわち、第1図形要素952間のギャップGに平行なx方向における両輪郭線間の距離)は、ギャップGの変化に伴って変化する。ギャップGとエッチング量Etとの関係は、露光装置3によりパターン93および複数の特性取得用パターン95が描画された試験用基板に、エッチングおよびレジスト膜除去等の処理を行った後、測定パターン96の画像と、特性取得用パターン95の設計データとを比較することにより取得される。   As shown in FIG. 6, the etching amount Et which is the difference between the contour line of the first graphic element 952 and the contour line of the second graphic element 954 (that is, in the x direction parallel to the gap G between the first graphic elements 952). The distance between the two contour lines) changes as the gap G changes. The relationship between the gap G and the etching amount Et is such that the test substrate on which the pattern 93 and the plurality of characteristic acquisition patterns 95 are drawn by the exposure apparatus 3 is subjected to processing such as etching and resist film removal, and then the measurement pattern 96 is measured. And the design data of the characteristic acquisition pattern 95 are acquired.

図7は、ギャップGとエッチング量Etとの関係を示すエッチングカーブEcを示す図である。図7に示すように、エッチングカーブEcでは、ギャップGが小さくなるに従ってエッチング量Etも漸次小さくなる。ギャップGがある程度大きい範囲では、エッチング量EtはギャップGにおよそ正比例するが、ギャップGが小さくなると、ギャップGの減少に対してエッチング量Etが急激に減少する。換言すれば、ギャップGが小さくなると、エッチングカーブEcの傾きが大きくなる。   FIG. 7 is a diagram showing an etching curve Ec showing the relationship between the gap G and the etching amount Et. As shown in FIG. 7, in the etching curve Ec, the etching amount Et gradually decreases as the gap G decreases. In a range where the gap G is large to some extent, the etching amount Et is approximately directly proportional to the gap G. However, when the gap G becomes small, the etching amount Et rapidly decreases as the gap G decreases. In other words, as the gap G becomes smaller, the inclination of the etching curve Ec becomes larger.

複数の特性取得用パターン95では、基板9上における位置(すなわち、基準位置)が異なるため、それぞれのエッチングカーブEcが互いに異なる可能性がある。そこで、複数の特性取得用パターン95にそれぞれ対応する(すなわち、複数の基準位置にそれぞれ対応する)複数のエッチングカーブEcが取得される。   Since the plurality of characteristic acquisition patterns 95 have different positions on the substrate 9 (that is, reference positions), the etching curves Ec may be different from each other. Therefore, a plurality of etching curves Ec respectively corresponding to the plurality of characteristic acquisition patterns 95 (that is, respectively corresponding to a plurality of reference positions) are acquired.

特性取得用パターン95は、複数の第1図形要素群951以外の様々な形状の図形要素および様々な組み合わせの図形要素群を含んでいてもよい。例えば、直径が異なる複数の円形図形要素が特性取得用パターン95に含まれており、円形図形要素の直径とエッチング量との関係を示すエッチングカーブが取得されてもよい。当該エッチングカーブについても、複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチングカーブが取得される。   The characteristic acquisition pattern 95 may include graphic elements of various shapes other than the plurality of first graphic element groups 951 and graphic element groups of various combinations. For example, a plurality of circular graphic elements having different diameters may be included in the characteristic acquisition pattern 95, and an etching curve indicating the relationship between the diameter of the circular graphic element and the etching amount may be acquired. As for the etching curve, a plurality of etching curves respectively corresponding to a plurality of reference positions are acquired.

描画装置1では、各基準位置に対応する1つまたは複数のエッチングカーブが、上述のエッチング特性記憶部212に記憶される。1つの基準位置に対応する1つまたは複数のエッチングカーブをまとめて「エッチング特性」と呼ぶと、エッチング特性記憶部212は、基板9上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を記憶する。   In the drawing apparatus 1, one or more etching curves corresponding to each reference position are stored in the above-described etching characteristic storage unit 212. When one or a plurality of etching curves corresponding to one reference position are collectively referred to as “etching characteristics”, the etching characteristic storage unit 212 stores a plurality of etching characteristics respectively corresponding to a plurality of reference positions on the substrate 9. To do.

次に、図8を参照しつつ、描画装置1による描画の流れについて説明する。図1に示す描画装置1では、まず、基板9上にエッチングにより形成される予定のパターン93(図4参照)の設計データが、図3に示すデータ処理装置2のデータ補正部21に入力され、設計データ記憶部211に記憶されることにより準備される(ステップS11)。   Next, the flow of drawing by the drawing apparatus 1 will be described with reference to FIG. In the drawing apparatus 1 shown in FIG. 1, first, design data of a pattern 93 (see FIG. 4) to be formed on the substrate 9 by etching is input to the data correction unit 21 of the data processing apparatus 2 shown in FIG. The data is prepared by being stored in the design data storage unit 211 (step S11).

続いて、上述のように、基板9上の複数の基準位置(図4に示す例では、4個の基準位置)にそれぞれ対応する複数のエッチング特性が、データ処理装置2のデータ補正部21に入力され、エッチング特性記憶部212に記憶されることにより準備される(ステップS12)。当該複数のエッチング特性は、描画装置1以外の装置において取得されてもよく、描画装置1において取得されてもよい。描画装置1においてエッチング特性の取得が行われる場合、描画装置1には、測定パターン96(図6参照)の画像を取得する撮像部、および、測定パターン96の画像と特性取得用パターン95(図5参照)の設計データとに基づいて各基準位置におけるエッチング特性を取得するエッチング特性取得部が設けられる。   Subsequently, as described above, a plurality of etching characteristics respectively corresponding to a plurality of reference positions on the substrate 9 (four reference positions in the example shown in FIG. 4) are transferred to the data correction unit 21 of the data processing apparatus 2. It is prepared by being inputted and stored in the etching characteristic storage unit 212 (step S12). The plurality of etching characteristics may be acquired by an apparatus other than the drawing apparatus 1 or may be acquired by the drawing apparatus 1. When the etching apparatus 1 acquires etching characteristics, the drawing apparatus 1 includes an imaging unit that acquires an image of the measurement pattern 96 (see FIG. 6), and an image of the measurement pattern 96 and a characteristic acquisition pattern 95 (see FIG. 6). 5), an etching characteristic acquisition unit that acquires the etching characteristic at each reference position is provided.

次に、図3に示す領域エッチング特性取得部213により、複数のピース94のそれぞれについて、複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性に基づいて、各ピース94におけるエッチング特性である領域エッチング特性が求められる(ステップS13)。領域エッチング特性は、各ピース94のパターン要素位置と複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて、複数の基準位置に対応する複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた複数のエッチング特性に基づいて求められる。   Next, the region etching characteristic acquisition unit 213 shown in FIG. 3 uses the region etching characteristic that is an etching characteristic of each piece 94 based on a plurality of etching characteristics corresponding to a plurality of reference positions for each of the plurality of pieces 94. Is obtained (step S13). The area etching characteristics are weighted after weighting a plurality of etching characteristics corresponding to a plurality of reference positions based on the positional relationship between the pattern element position of each piece 94 and the plurality of reference positions. Further, it is obtained based on a plurality of etching characteristics.

領域エッチング特性取得部213による複数のエッチング特性への重み付けは、例えば、各エッチング特性に対応する基準位置とピース94のパターン要素位置との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することにより実施される。   The plurality of etching characteristics are weighted by the region etching characteristic acquisition unit 213 by, for example, multiplying each etching characteristic by a weighting factor based on the distance between the reference position corresponding to each etching characteristic and the pattern element position of the piece 94. Is implemented.

領域エッチング特性は、例えば、ピース94のパターン要素位置と複数の基準位置とを用いた共一次内挿法により、上記複数のエッチング特性への重み付けを行いつつ求められる。この場合、まず、ピース94のパターン要素位置と(+y)側の2つの基準位置との間のそれぞれのx方向の距離に基づいて、(+y)側の2つの基準位置のエッチングカーブEcを線形補間することにより、第1の補間エッチングカーブが求められる。具体的には、例えば、上記2つの基準位置のうち一方の基準位置とパターン要素位置との間のx方向の距離をd1とし、他方の基準位置とパターン要素位置との間のx方向の距離をd2とすると、(d2/(d1+d2))が重み係数として当該一方の基準位置のエッチングカーブEcに乗算され、(d1/(d1+d2))が重み係数として当該他方の基準位置のエッチングカーブEcに乗算された上で、2つのエッチングカーブEcに対する乗算結果を加算することにより、第1の補間エッチングカーブが求められる。   The region etching characteristics are obtained while weighting the plurality of etching characteristics by, for example, a bilinear interpolation method using the pattern element position of the piece 94 and a plurality of reference positions. In this case, first, based on the distance in the x direction between the pattern element position of the piece 94 and the two reference positions on the (+ y) side, the etching curves Ec at the two reference positions on the (+ y) side are linear. By performing the interpolation, a first interpolation etching curve is obtained. Specifically, for example, the distance in the x direction between one of the two reference positions and the pattern element position is set as d1, and the distance in the x direction between the other reference position and the pattern element position. Is d2, (d2 / (d1 + d2)) is multiplied by the etching curve Ec at the one reference position as a weighting factor, and (d1 / (d1 + d2)) is multiplied by the etching curve Ec at the other reference position as the weighting factor. After the multiplication, the first interpolation etching curve is obtained by adding the multiplication results for the two etching curves Ec.

同様に、ピース94のパターン要素位置と(−y)側の2つの基準位置との間のそれぞれのx方向の距離に基づいて、(−y)側の2つの基準位置のエッチングカーブEcを線形補間することにより、第2の補間エッチングカーブが求められる。具体的には、例えば、上記2つの基準位置のうち一方の基準位置とパターン要素位置との間のx方向の距離をd3とし、他方の基準位置とパターン要素位置との間のx方向の距離をd4とすると、(d4/(d3+d4))が重み係数として当該一方の基準位置のエッチングカーブEcに乗算され、(d3/(d3+d4))が重み係数として当該他方の基準位置のエッチングカーブEcに乗算された上で、2つのエッチングカーブEcに対する乗算結果を加算することにより、第2の補間エッチングカーブが求められる。   Similarly, based on the distances in the x direction between the pattern element positions of the piece 94 and the two reference positions on the (−y) side, the etching curves Ec at the two reference positions on the (−y) side are linear. A second interpolation etching curve is obtained by interpolation. Specifically, for example, the distance in the x direction between one of the two reference positions and the pattern element position is d3, and the distance in the x direction between the other reference position and the pattern element position. Is d4, (d4 / (d3 + d4)) is multiplied by the etching curve Ec at the one reference position as a weighting factor, and (d3 / (d3 + d4)) is multiplied by the etching curve Ec at the other reference position as the weighting factor. After multiplication, the multiplication result for the two etching curves Ec is added to obtain a second interpolation etching curve.

そして、ピース94のパターン要素位置と(−x)側または(+x)側の2つの基準位置との間のそれぞれのy方向の距離に基づいて、第1の補間エッチングカーブおよび第2の補間エッチングカーブを線形補間することにより、領域エッチングカーブが取得される。具体的には、例えば、上記2つの基準位置のうち(+y)側の基準位置とパターン要素位置との間のy方向の距離をd5とし、(−y)の基準位置とパターン要素位置との間のy方向の距離をd6とすると、(d6/(d5+d6))が重み係数として第1の補間エッチングカーブに乗算され、(d5/(d5+d6))が重み係数として第2の補間エッチングカーブに乗算された上で、2つの補間エッチングカーブに対する乗算結果を加算することにより(すなわち、上記重み付けが行われた複数のエッチングカーブEcに基づいて)、領域エッチングカーブが求められる。   Then, based on the respective distances in the y direction between the pattern element position of the piece 94 and the two reference positions on the (−x) side or the (+ x) side, the first interpolation etching curve and the second interpolation etching are performed. A region etching curve is obtained by linearly interpolating the curve. Specifically, for example, the distance in the y direction between the reference position on the (+ y) side of the two reference positions and the pattern element position is d5, and the reference position of the (−y) and the pattern element position are When the distance in the y direction is d6, (d6 / (d5 + d6)) is multiplied by the first interpolation etching curve as a weighting factor, and (d5 / (d5 + d6)) is multiplied by the second interpolation etching curve as the weighting factor. After the multiplication, the region etching curve is obtained by adding the multiplication results for the two interpolation etching curves (that is, based on the plurality of weighted etching curves Ec).

領域エッチング特性取得部213では、エッチング特性に含まれる全てのエッチングカーブについて、上記と同様に、領域エッチングカーブを取得することにより、領域エッチング特性が求められる。   The area etching characteristic acquisition unit 213 obtains the area etching characteristics by acquiring the area etching curves for all the etching curves included in the etching characteristics in the same manner as described above.

各ピース94の領域エッチング特性が求められると、分割データ補正部214により、パターン93の設計データから、複数のピース94にそれぞれ対応する複数の分割データが抽出される。換言すれば、パターン93の設計データが、複数のピース94にそれぞれ対応する複数の分割データに分割される。そして、各分割データが、分割データ補正部214により、当該各分割データに対応する各ピース94の領域エッチング特性に基づいて補正されることにより、各ピース94の補正済み分割データが求められる(ステップS14)。   When the area etching characteristics of each piece 94 are obtained, the divided data correction unit 214 extracts a plurality of pieces of divided data respectively corresponding to the plurality of pieces 94 from the design data of the pattern 93. In other words, the design data of the pattern 93 is divided into a plurality of divided data respectively corresponding to the plurality of pieces 94. Then, each divided data is corrected by the divided data correction unit 214 based on the region etching characteristics of each piece 94 corresponding to each divided data, thereby obtaining corrected divided data for each piece 94 (step). S14).

具体的には、各ピース94において、当該ピース94の領域エッチング特性が示すエッチング量に対応する過剰な(すなわち、所望量を超える)エッチングが、実際のエッチングの際に行われることを考慮し、各ピース94に含まれる図形要素が所望の線幅や大きさになるように、各分割データの図形要素の線幅を太らせたり、図形要素を大きくする補正が行われる。   Specifically, in consideration of the fact that each piece 94 is subjected to an excessive etching (that is, more than a desired amount) corresponding to the etching amount indicated by the region etching characteristics of the piece 94 in actual etching, Correction is performed so that the line width of the graphic element of each divided data is increased or the graphic element is enlarged so that the graphic element included in each piece 94 has a desired line width and size.

ここで、複数のピース94を、基板9上に設定された複数の分割領域と呼ぶと、上記ステップS13では、領域エッチング特性取得部213により、当該複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた複数のエッチング特性に基づいて各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性が求められる。各分割領域の領域エッチング特性は、上述の共一次内挿法以外の様々な方法により求められてもよい。   Here, when the plurality of pieces 94 are referred to as a plurality of divided regions set on the substrate 9, in step S <b> 13, the region etching characteristic acquisition unit 213 determines each divided region and each of the plurality of divided regions. After weighting a plurality of etching characteristics based on the respective positional relationships with a plurality of reference positions, a region etching characteristic that is an etching characteristic of each divided region is obtained based on the plurality of weighted etching characteristics. It is done. The region etching characteristics of each divided region may be obtained by various methods other than the bilinear interpolation method described above.

また、ステップS14では、分割データ補正部214により、パターン93の設計データが複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の分割データに分割される。そして、各分割データが、各分割データに対応する各分割領域の領域エッチング特性に基づいて補正されることにより(すなわち、各分割データに対するエッチング補正が行われることにより)、複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の補正済み分割データが取得される。上述のように、図4に示す例では、設計データの複数の分割データがそれぞれ示す描画パターン(以下、「分割パターン」という。)は同一である。一方、上述の例では、複数の分割領域の領域エッチング特性が互いに異なるため、複数の分割データが同一であっても、複数の補正済み分割データは互いに異なる。   In step S14, the divided data correction unit 214 divides the design data of the pattern 93 into a plurality of divided data respectively corresponding to a plurality of divided regions. Then, each divided data is corrected based on the area etching characteristics of each divided area corresponding to each divided data (that is, by performing etching correction for each divided data), and thereby each of the divided areas is provided. A plurality of corresponding corrected divided data is acquired. As described above, in the example shown in FIG. 4, the drawing patterns (hereinafter referred to as “divided patterns”) indicated by the plurality of divided data of the design data are the same. On the other hand, in the above-described example, since the region etching characteristics of the plurality of divided regions are different from each other, even if the plurality of divided data are the same, the plurality of corrected divided data are different from each other.

分割データ補正部214では、上述の複数の補正済み分割データをまとめることにより、上記補正済みデータが生成される。当該補正済みデータは、データ補正部21からデータ変換部22へと送られる。そして、データ変換部22により、ベクトルデータである補正済みデータがラスタデータである描画データに変換される(ステップS15)。   The divided data correction unit 214 generates the corrected data by collecting the plurality of corrected divided data. The corrected data is sent from the data correction unit 21 to the data conversion unit 22. Then, the data conversion unit 22 converts the corrected data that is vector data into drawing data that is raster data (step S15).

当該描画データは、データ変換部22から露光装置3の描画コントローラ31へと送られる。露光装置3では、データ処理装置2からの描画データに基づいて、描画コントローラ31により光出射部33の光変調部332および走査機構35が制御されることにより、基板9に対する描画が行われる(ステップS16)。   The drawing data is sent from the data converter 22 to the drawing controller 31 of the exposure apparatus 3. In the exposure apparatus 3, drawing on the substrate 9 is performed by controlling the light modulation unit 332 and the scanning mechanism 35 of the light emitting unit 33 by the drawing controller 31 based on the drawing data from the data processing device 2 (step S <b> 3). S16).

以上に説明したように、データ処理装置2のデータ補正部21は、基板9上にエッチングにより形成されるパターン93の設計データを記憶する設計データ記憶部211と、基板9の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を記憶するエッチング特性記憶部212と、基板9上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた複数のエッチング特性に基づいて各分割領域の領域エッチング特性を求める領域エッチング特性取得部213と、上記設計データを複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、各分割データに対応する各分割領域の領域エッチング特性に基づいて補正する分割データ補正部214とを備える。   As described above, the data correction unit 21 of the data processing apparatus 2 includes the design data storage unit 211 that stores the design data of the pattern 93 formed by etching on the substrate 9 and the plurality of reference positions of the substrate 9. An etching characteristic storage unit 212 that stores a plurality of corresponding etching characteristics, and a plurality of divided areas set on the substrate 9, based on a positional relationship between each divided area and a plurality of reference positions. A region etching characteristic acquisition unit 213 that obtains a region etching characteristic of each divided region based on a plurality of weighted etching properties after weighting the etching characteristics of the region, and corresponding the design data to a plurality of divided regions Divide the data into a plurality of divided data, and divide each divided data into area etching characteristics of each divided area corresponding to each divided data. Based and a divided data correction unit 214 to correct.

これにより、基板9上の複数の分割領域に描画される分割パターン(すなわち、分割データが示す描画パターンであるピース94)を補正する際に、各分割領域の基板9上の位置の違いによるエッチング特性の差異を考慮して、各分割データに対するエッチング補正を精度良く行うことができる。また、上述のように、設計データの複数の分割データがそれぞれ示す分割パターンが同一であることにより、分割データ補正部214による複数の分割データのエッチング補正を容易に行うことができる。   Thereby, when correcting the division pattern drawn in the plurality of divided areas on the substrate 9 (that is, the piece 94 which is the drawing pattern indicated by the divided data), the etching due to the difference in position of the divided areas on the substrate 9 is performed. In consideration of the difference in characteristics, etching correction for each divided data can be performed with high accuracy. Further, as described above, since the division patterns indicated by the plurality of division data of the design data are the same, the division data correction unit 214 can easily perform etching correction of the plurality of division data.

このように、データ補正部21では、設計データの各分割データに対するエッチング補正を精度良く行うことができるため、当該データ補正部21が設けられる描画装置1では、各分割領域の基板9上の位置の違いによるエッチング特性の差異が考慮された複数の分割パターンを、基板9上に高精度に描画することができる。   As described above, the data correction unit 21 can accurately perform etching correction on each division data of the design data. Therefore, in the drawing apparatus 1 provided with the data correction unit 21, the position of each division region on the substrate 9. A plurality of division patterns in which the difference in etching characteristics due to the difference is taken into account can be drawn on the substrate 9 with high accuracy.

上述の例では、複数のピース94(すなわち、複数の分割領域)の領域エッチング特性が互いに異なる場合について説明したが、複数のピース94には、領域エッチング特性が同一の2つ以上のピース94が含まれていてもよい。換言すれば、複数のピース94に対応する複数の分割データは、対応する領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含んでいてもよい。例えば、図4中の(+y)側の2つの特性取得用パターン95から取得された2つのエッチング特性が略同一である場合、マトリクス状に配置された複数のピース94のうち、最も(+y)側の行にてx方向に隣接する2つのピース94では、領域エッチング特性が実質的に同一となる。   In the above-described example, the case where the plurality of pieces 94 (that is, the plurality of divided regions) have different region etching characteristics has been described. However, the plurality of pieces 94 include two or more pieces 94 having the same region etching characteristics. It may be included. In other words, the plurality of pieces of divided data corresponding to the plurality of pieces 94 may include two or more pieces of divided data having the same corresponding region etching characteristics. For example, when the two etching characteristics acquired from the two characteristics acquisition patterns 95 on the (+ y) side in FIG. 4 are substantially the same, the most (+ y) of the plurality of pieces 94 arranged in a matrix. In the two pieces 94 adjacent in the x direction in the side row, the region etching characteristics are substantially the same.

このように、複数のピース94に対応する複数の分割データが、対応する領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含む場合、上述のステップS14では、当該2つ以上の分割データについて、分割データ補正部214により一の分割データの補正が行われ、当該一の分割データの補正結果である補正済み分割データが、分割データ補正部214による他の分割データの補正結果としても使用される。   As described above, when the plurality of pieces of divided data corresponding to the plurality of pieces 94 include two or more pieces of divided data having the same corresponding region etching characteristics, in step S14 described above, the two or more pieces of divided data are processed. The divided data correction unit 214 corrects one divided data, and the corrected divided data that is the correction result of the one divided data is also used as the correction result of the other divided data by the divided data correction unit 214. The

より具体的には、ステップS14において、当該2つ以上の分割データのうち1つの分割データのみに対して領域エッチング特性に基づくエッチング補正が行われて補正済み分割データが求められる。また、当該2つ以上の分割データのうち他の分割データに対してはエッチング補正は行われない。そして、上記1つの分割データの補正済み分割データが、当該他の分割データの補正済み分割データとして流用され、データ補正部21において補正済みデータが生成される。   More specifically, in step S14, the corrected division data is obtained by performing the etching correction based on the region etching characteristics on only one division data among the two or more division data. Etching correction is not performed on the other divided data of the two or more divided data. Then, the corrected divided data of the one divided data is used as corrected divided data of the other divided data, and corrected data is generated in the data correction unit 21.

補正済みデータでは、上記2つ以上の分割データに対応する2つ以上のピース94に、上記補正済み分割データが示す補正済みの分割パターンがそれぞれ配置される。あるいは、補正済みデータでは、上記2つ以上の分割データに対応する2つ以上のピース94のうち1つのピース94のみに補正済みの分割パターンが配置され、他のピース94は、当該1つのピース94に配置されたものと同様の分割パターンが配置される旨の情報のみを有していてもよい。この場合、データ変換部22における補正済みデータの変換の際に、上記1つのピース94に配置される分割パターンのラスタデータと同様のラスタデータが、当該他のピース94に配置される。   In the corrected data, the corrected divided patterns indicated by the corrected divided data are respectively arranged in two or more pieces 94 corresponding to the two or more divided data. Alternatively, in the corrected data, the corrected division pattern is arranged only in one piece 94 among the two or more pieces 94 corresponding to the two or more division data, and the other piece 94 is the one piece. Only information indicating that the same division pattern as that arranged in the line 94 is arranged may be included. In this case, raster data similar to the divided pattern raster data arranged in the one piece 94 is arranged in the other piece 94 when the data conversion unit 22 converts the corrected data.

このように、データ処理装置2のデータ補正部21では、領域エッチング特性が実質的に同一である2つ以上の分割データについて、分割データ補正部214により一の分割データの補正が行われ、当該一の分割データの補正結果が他の分割データの補正結果としても使用される。これにより、分割データ補正部214による複数の分割データのエッチング補正に要する時間を短くすることができる。   As described above, in the data correction unit 21 of the data processing device 2, one divided data is corrected by the divided data correction unit 214 for two or more pieces of divided data having substantially the same region etching characteristics. The correction result of one divided data is also used as the correction result of other divided data. Thereby, the time required for etching correction of a plurality of divided data by the divided data correction unit 214 can be shortened.

上述の例では、領域エッチング特性は、ピース94のパターン要素位置と複数の基準位置とを用いた共一次内挿法により求められるが、他の様々な方法により求められてもよい。例えば、領域エッチング特性取得部213による複数のエッチング特性への重み付けは、上述の共一次内挿法と同様に、各エッチング特性に対応する基準位置とピース94のパターン要素位置との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することにより実施されるが、重み係数の決定方法が変更されてもよい。一例として、ピース94に最も近い1つの基準位置に対応するエッチング特性には重み係数「1」が乗算され、他の基準位置に対応するエッチング特性には重み係数「0」が乗算される。このように、複数のエッチング特性のうち一のエッチング特性に乗算される重み係数が1であり、当該一のエッチング特性以外のエッチング特性に乗算される重み係数が0である場合、分割データ補正部214による複数の分割データのエッチング補正を容易とすることができる。   In the above example, the region etching characteristics are obtained by the bilinear interpolation method using the pattern element position of the piece 94 and a plurality of reference positions, but may be obtained by various other methods. For example, the plurality of etching characteristics are weighted by the region etching characteristic acquisition unit 213 according to the distance between the reference position corresponding to each etching characteristic and the pattern element position of the piece 94, as in the bilinear interpolation method described above. Although it is implemented by multiplying each etching characteristic by a weighting factor based on it, the determination method of the weighting factor may be changed. As an example, an etching characteristic corresponding to one reference position closest to the piece 94 is multiplied by a weight coefficient “1”, and an etching characteristic corresponding to another reference position is multiplied by a weight coefficient “0”. As described above, when the weighting coefficient multiplied by one etching characteristic among the plurality of etching characteristics is 1 and the weighting coefficient multiplied by etching characteristics other than the one etching characteristic is 0, the divided data correction unit Etching correction of a plurality of division data by 214 can be facilitated.

次に、本発明の第2の実施の形態に係る検査装置1aについて説明する。検査装置1aは、基板9上に描画されたパターンを検査する装置である。検査装置1aでは、基板9上のパターンと、後述するエッチング補正された設計データとの比較が行われる。検査装置1aは、図2に示すデータ処理装置2と同様に、一般的なコンピュータシステムの構成となっている。   Next, an inspection apparatus 1a according to the second embodiment of the present invention will be described. The inspection apparatus 1 a is an apparatus that inspects a pattern drawn on the substrate 9. In the inspection apparatus 1a, a pattern on the substrate 9 is compared with design data corrected by etching, which will be described later. The inspection device 1a has a general computer system configuration, similar to the data processing device 2 shown in FIG.

図9は、検査装置1aの機能を示すブロック図である。検査装置1aは、データ補正部21aと、実画像記録部25と、欠陥検出部26とを備える。データ補正部21aは、図3に示すデータ補正部21と同様に、設計データ記憶部211と、エッチング特性記憶部212と、領域エッチング特性取得部213と、分割データ補正部214とを備える。実画像記録部25は、基板9上に描画されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する。欠陥検出部26は、基板9上に描画された当該パターンの欠陥を検出する。   FIG. 9 is a block diagram illustrating functions of the inspection apparatus 1a. The inspection apparatus 1a includes a data correction unit 21a, an actual image recording unit 25, and a defect detection unit 26. Similar to the data correction unit 21 shown in FIG. 3, the data correction unit 21 a includes a design data storage unit 211, an etching characteristic storage unit 212, a region etching characteristic acquisition unit 213, and a divided data correction unit 214. The actual image recording unit 25 stores inspection image data that is image data of a pattern drawn on the substrate 9. The defect detection unit 26 detects a defect of the pattern drawn on the substrate 9.

次に、図10を参照しつつ、検査装置1aによる検査の流れについて説明する。検査装置1aでは、まず、図8に示すステップS11と同様に、基板9上にエッチングにより形成される予定のパターン93(図4参照)の設計データが、データ補正部21aに入力され、設計データ記憶部211に記憶されることにより準備される(ステップS21)。   Next, the flow of inspection by the inspection apparatus 1a will be described with reference to FIG. In the inspection apparatus 1a, first, as in step S11 shown in FIG. 8, design data of a pattern 93 (see FIG. 4) to be formed on the substrate 9 by etching is input to the data correction unit 21a, and the design data It is prepared by being stored in the storage unit 211 (step S21).

続いて、ステップS12と同様に、基板9上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性が、データ補正部21aに入力され、エッチング特性記憶部212に記憶されることにより準備される(ステップS22)。当該複数のエッチング特性は、検査装置1a以外の装置において取得されてもよく、検査装置1aにおいて取得されてもよい。検査装置1aにおいてエッチング特性の取得が行われる場合、検査装置1aには、測定パターン96(図6参照)の画像を取得する撮像部、および、測定パターン96の画像と特性取得用パターン95(図4参照)の設計データとに基づいて各基準位置におけるエッチング特性を取得するエッチング特性取得部が設けられる。   Subsequently, similarly to step S12, a plurality of etching characteristics respectively corresponding to a plurality of reference positions on the substrate 9 are input to the data correction unit 21a and stored in the etching characteristic storage unit 212 (see FIG. Step S22). The plurality of etching characteristics may be acquired by an apparatus other than the inspection apparatus 1a, or may be acquired by the inspection apparatus 1a. When the etching apparatus 1a acquires etching characteristics, the inspection apparatus 1a includes an imaging unit that acquires an image of the measurement pattern 96 (see FIG. 6), and an image of the measurement pattern 96 and a characteristic acquisition pattern 95 (see FIG. 6). 4), an etching characteristic acquisition unit that acquires etching characteristics at each reference position is provided.

次に、ステップS13と同様に、領域エッチング特性取得部213により、複数の分割領域であるピース94(図4参照)のそれぞれについて、複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性に基づいて、各ピース94におけるエッチング特性である領域エッチング特性が求められる(ステップS23)。領域エッチング特性は、各ピース94のパターン要素位置と複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて、複数の基準位置に対応する複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた複数のエッチング特性に基づいて求められる。   Next, similarly to step S13, the region etching characteristic acquisition unit 213 uses the plurality of pieces 94 that are divided regions (see FIG. 4) based on a plurality of etching characteristics respectively corresponding to a plurality of reference positions. A region etching characteristic which is an etching characteristic in each piece 94 is obtained (step S23). The area etching characteristics are weighted after weighting a plurality of etching characteristics corresponding to a plurality of reference positions based on the positional relationship between the pattern element position of each piece 94 and the plurality of reference positions. Further, it is obtained based on a plurality of etching characteristics.

領域エッチング特性取得部213による複数のエッチング特性への重み付けは、例えば上述のように、各エッチング特性に対応する基準位置とピース94のパターン要素位置との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することにより実施される。領域エッチング特性は、例えば上述のように、ピース94のパターン要素位置と複数の基準位置とを用いた共一次内挿法により、上記複数のエッチング特性への重み付けを行いつつ求められる。複数のピース94(すなわち、複数の分割領域)の領域エッチング特性は互いに異なる。   For example, as described above, the plurality of etching characteristics are weighted by the region etching characteristic acquisition unit 213 using a weighting factor based on the distance between the reference position corresponding to each etching characteristic and the pattern element position of the piece 94. Is performed by multiplying by. For example, as described above, the region etching characteristics are obtained while weighting the plurality of etching characteristics by bilinear interpolation using the pattern element positions of the piece 94 and the plurality of reference positions. The region etching characteristics of the plurality of pieces 94 (that is, the plurality of divided regions) are different from each other.

各ピース94の領域エッチング特性が求められると、ステップS14と同様に、分割データ補正部214により、パターン93の設計データから、複数のピース94(すなわち、分割領域)にそれぞれ対応する複数の分割データが抽出される。換言すれば、パターン93の設計データが、複数のピース94にそれぞれ対応する複数の分割データに分割される。そして、各分割データが、分割データ補正部214により、当該各分割データに対応する各ピース94の領域エッチング特性に基づいて補正される(すなわち、エッチング補正される)ことにより、各ピース94の補正済み分割データが求められる(ステップS24)。   When the area etching characteristics of each piece 94 are obtained, similarly to step S14, the divided data correction unit 214 performs a plurality of pieces of divided data respectively corresponding to a plurality of pieces 94 (that is, divided areas) from the design data of the pattern 93. Is extracted. In other words, the design data of the pattern 93 is divided into a plurality of divided data respectively corresponding to the plurality of pieces 94. Then, each divided data is corrected by the divided data correction unit 214 based on the area etching characteristics of each piece 94 corresponding to each divided data (that is, corrected for etching), thereby correcting each piece 94. Already divided data is obtained (step S24).

具体的には、各ピース94において、当該ピース94の領域エッチング特性が示すエッチング量に対応する過剰なエッチングが、実際のエッチングの際に行われることを考慮し、各ピース94に含まれる図形要素が実際のエッチング後の線幅や大きさになるように、各分割データの図形要素の線幅を細くしたり、図形要素を小さくする補正が行われる。換言すれば、上述のステップS14において各分割データに対して行われる補正と反対の補正が、各分割データに対して行われる。   Specifically, in each piece 94, the graphic elements included in each piece 94 are considered in consideration that excessive etching corresponding to the etching amount indicated by the region etching characteristics of the piece 94 is performed at the time of actual etching. Is corrected so that the line width of the graphic element of each divided data is reduced or the graphic element is reduced so that the actual line width and size after etching are obtained. In other words, the correction opposite to the correction performed on each divided data in step S14 is performed on each divided data.

分割データ補正部214では、複数のピース94に対応する複数の補正済み分割データをまとめることにより、補正されたパターン93の設計データである補正済みデータが生成される。当該補正済みデータは、データ補正部21から欠陥検出部26へと送られる。   In the divided data correction unit 214, corrected data that is design data of the corrected pattern 93 is generated by collecting a plurality of corrected divided data corresponding to the plurality of pieces 94. The corrected data is sent from the data correction unit 21 to the defect detection unit 26.

続いて、補正前のパターン93の設計データに基づいて基板9上に描画されてエッチングが施されたパターン(以下、「エッチングパターン」という。)の画像データが取得され、当該画像データが検査画像データとして実画像記録部25に記憶されることにより準備される(ステップS25)。ステップS25は、ステップS21〜S24と並行して行われてもよく、ステップS21〜S24よりも前に行われてもよい。当該検査画像データは、検査装置1a以外の装置において取得されてもよく、検査装置1aにおいて取得されてもよい。検査装置1aにおいて検査画像データの取得が行われる場合、検査装置1aには、検査画像データを取得する撮像部が設けられる。なお、上記ステップS22において、測定パターン96の画像が検査装置1aにおいて取得される場合、検査画像データの取得も検査装置1aにおいて行われることが好ましい。   Subsequently, image data of a pattern (hereinafter referred to as “etching pattern”) drawn on the substrate 9 and etched based on the design data of the pattern 93 before correction is acquired, and the image data is obtained as an inspection image. It is prepared by being stored in the actual image recording unit 25 as data (step S25). Step S25 may be performed in parallel with steps S21 to S24, or may be performed before steps S21 to S24. The said inspection image data may be acquired in apparatuses other than the inspection apparatus 1a, and may be acquired in the inspection apparatus 1a. When the inspection image data is acquired in the inspection apparatus 1a, the inspection apparatus 1a is provided with an imaging unit that acquires the inspection image data. In step S22, when the image of the measurement pattern 96 is acquired by the inspection apparatus 1a, it is preferable that the inspection image data is also acquired by the inspection apparatus 1a.

検査画像データは、実画像記録部25から欠陥検出部26へと送られる。欠陥検出部26では、当該検査画像データと、データ補正部21aから送られた補正済みデータ(すなわち、データ補正部21aによりエッチング補正された設計データ)とが比較されることにより、基板9上に形成されたエッチングパターンの欠陥が検出される(ステップS26)。上述のように、当該補正済みデータでは、各ピース94の図形要素が実際のエッチング後の線幅や大きさになるように補正が行われているため、欠陥検出部26では、検査画像データにおける補正済みデータとの差異が、基板9上のエッチングパターンの欠陥として検出される。   The inspection image data is sent from the actual image recording unit 25 to the defect detection unit 26. In the defect detection unit 26, the inspection image data is compared with the corrected data sent from the data correction unit 21a (that is, the design data corrected by etching by the data correction unit 21a) on the substrate 9. A defect in the formed etching pattern is detected (step S26). As described above, in the corrected data, correction is performed so that the graphic element of each piece 94 has the line width and size after the actual etching. A difference from the corrected data is detected as a defect in the etching pattern on the substrate 9.

データ補正部21aでは、図3に示すデータ補正部21と同様に、基板9上の複数の分割領域に描画される分割パターン(すなわち、分割データが示す描画パターンであるピース94)を補正する際に、各分割領域の基板9上の位置の違いによるエッチング特性の差異を考慮して、各分割データに対するエッチング補正を精度良く行うことができる。このため、検査装置1aでは、基板9上に描画された複数の分割パターンの検査を、各分割領域の基板9上の位置の違いによるエッチング特性の差異を考慮しつつ高精度に行うことができる。   As in the data correction unit 21 shown in FIG. 3, the data correction unit 21a corrects a division pattern drawn in a plurality of division regions on the substrate 9 (that is, a piece 94 that is a drawing pattern indicated by the division data). In addition, the etching correction for each divided data can be performed with high accuracy in consideration of the difference in etching characteristics due to the difference in position of each divided region on the substrate 9. Therefore, the inspection apparatus 1a can inspect a plurality of division patterns drawn on the substrate 9 with high accuracy in consideration of the difference in etching characteristics due to the difference in position of each division region on the substrate 9. .

第1の実施の形態と同様に、複数のピース94に対応する複数の分割データは、対応する領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含んでいてもよい。この場合、上述のステップS24では、当該2つ以上の分割データについて、分割データ補正部214により一の分割データの補正が行われ、当該一の分割データの補正結果である補正済み分割データが、分割データ補正部214による他の分割データの補正結果としても使用される。これにより、分割データ補正部214による複数の分割データのエッチング補正に要する時間を短くすることができる。   Similar to the first embodiment, the plurality of pieces of divided data corresponding to the plurality of pieces 94 may include two or more pieces of divided data having the same corresponding region etching characteristics. In this case, in step S24 described above, the divided data correction unit 214 corrects one divided data for the two or more divided data, and the corrected divided data that is the correction result of the one divided data is It is also used as a correction result of other divided data by the divided data correction unit 214. Thereby, the time required for etching correction of a plurality of divided data by the divided data correction unit 214 can be shortened.

また、領域エッチング特性取得部213による複数のエッチング特性への重み付けとして、ピース94に最も近い1つの基準位置に対応するエッチング特性に重み係数「1」が乗算され、他の基準位置に対応するエッチング特性に重み係数「0」が乗算されてもよい。このように、複数のエッチング特性のうち一のエッチング特性に乗算される重み係数が1であり、当該一のエッチング特性以外のエッチング特性に乗算される重み係数が0である場合、分割データ補正部214による複数の分割データのエッチング補正を容易とすることができる。   Further, as the weighting to the plurality of etching characteristics by the region etching characteristic acquisition unit 213, the etching characteristic corresponding to one reference position closest to the piece 94 is multiplied by the weight coefficient “1”, and the etching corresponding to the other reference position is performed. The characteristic may be multiplied by a weighting factor “0”. As described above, when the weighting coefficient multiplied by one etching characteristic among the plurality of etching characteristics is 1 and the weighting coefficient multiplied by etching characteristics other than the one etching characteristic is 0, the divided data correction unit Etching correction of a plurality of division data by 214 can be facilitated.

上記描画装置1および検査装置1aでは、様々な変更が可能である。   Various changes can be made in the drawing apparatus 1 and the inspection apparatus 1a.

例えば、図1に示す描画装置1では、ステップS11と、ステップS12,S13とが並行して行われてもよく、ステップS12,S13がステップS11よりも先に行われてもよい。   For example, in the drawing apparatus 1 shown in FIG. 1, step S11 and steps S12 and S13 may be performed in parallel, and steps S12 and S13 may be performed before step S11.

基板9上における複数のピース94の配置および数は、図4に示すものには限定されず、適宜変更されてよい。基板9上における複数の特性取得用パターン95の配置および数も同様に、適宜変更されてよい。特性取得用パターン95は、必ずしも、基板9の角部近傍に配置される必要はなく、例えば、隣接するピース94の間に配置されてもよい。各領域エッチング特性の取得は、必ずしも、基板9上の全ての特性取得用パターン95に対応するエッチング特性に基づいて行われる必要はなく、基板9上の全ての特性取得用パターン95のうち一部の特性取得用パターン95に対応するエッチング特性に基づいて行われてもよい。   The arrangement and number of the plurality of pieces 94 on the substrate 9 are not limited to those shown in FIG. 4 and may be changed as appropriate. Similarly, the arrangement and number of the plurality of characteristic acquisition patterns 95 on the substrate 9 may be appropriately changed. The characteristic acquisition pattern 95 is not necessarily arranged in the vicinity of the corner of the substrate 9, and may be arranged between the adjacent pieces 94, for example. The acquisition of each region etching characteristic does not necessarily have to be performed based on the etching characteristics corresponding to all the characteristic acquisition patterns 95 on the substrate 9, and a part of all the characteristic acquisition patterns 95 on the substrate 9. The etching may be performed based on the etching characteristics corresponding to the characteristic acquisition pattern 95.

基板9上のパターン93は、必ずしも複数のピース94を備える必要はなく、例えば、1つの大きな配線パターンとなる予定のパターンであってもよい。当該1つのパターンの設計データを複数の分割データに分割する際には、隣接する分割データ同士が、隣接部において部分的に重複するように分割されることが好ましい。これにより、検査装置1aにおいて、分割データにエッチング補正を行う際に、当該分割データに対応する分割領域と隣接する分割領域とに跨る配線等が、当該2つの分割領域の境界近傍において意図に反して不連続となることを防止することができる。   The pattern 93 on the substrate 9 is not necessarily provided with a plurality of pieces 94, and may be, for example, a pattern scheduled to be one large wiring pattern. When the design data of one pattern is divided into a plurality of divided data, it is preferable that adjacent divided data is divided so as to partially overlap in the adjacent portion. As a result, when the inspection apparatus 1a performs etching correction on the divided data, the wiring extending over the divided area corresponding to the divided data and the adjacent divided area is contrary to the intention in the vicinity of the boundary between the two divided areas. Can be prevented from becoming discontinuous.

描画装置1は、基板9以外の様々な対象物上へのパターンの描画に利用されてよい。検査装置1aも、基板9以外の様々な対象物上にエッチングにより形成されたパターンの検査に利用されてよい。データ補正部21,21aは、描画装置1および検査装置1aから独立したデータ補正装置として利用されてよい。当該データ補正装置は、基板9以外の様々な対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データの補正に利用されてよい。   The drawing apparatus 1 may be used for drawing a pattern on various objects other than the substrate 9. The inspection apparatus 1a may also be used for inspection of patterns formed by etching on various objects other than the substrate 9. The data correction units 21 and 21a may be used as a data correction device independent of the drawing device 1 and the inspection device 1a. The data correction apparatus may be used for correcting design data of patterns formed by etching on various objects other than the substrate 9.

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。   The configurations in the above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.

1 描画装置
1a 検査装置
9 基板
21,21a データ補正部
25 実画像記録部
26 欠陥検出部
80 プログラム
93 パターン
94 ピース
211 設計データ記憶部
212 エッチング特性記憶部
213 領域エッチング特性取得部
214 分割データ補正部
331 光源
332 光変調部
S11〜S16,S21〜S26 ステップ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Drawing apparatus 1a Inspection apparatus 9 Board | substrate 21, 21a Data correction part 25 Real image recording part 26 Defect detection part 80 Program 93 Pattern 94 Piece 211 Design data storage part 212 Etching characteristic storage part 213 Area etching characteristic acquisition part 214 Divided data correction part 331 Light source 332 Light modulator S11 to S16, S21 to S26 Step

Claims (13)

対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、
前記パターンに含まれる図形要素間のギャップ幅と、前記対象物上の前記図形要素が過剰にエッチングされる量であるエッチング量との関係をエッチング特性として、前記対象物上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を記憶するエッチング特性記憶部と、
前記対象物上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と前記複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて前記複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた前記複数のエッチング特性に基づいて前記各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性を求める領域エッチング特性取得部と、
前記設計データを前記複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、前記各分割データに対応する前記各分割領域の前記領域エッチング特性に基づいて補正する分割データ補正部と、
を備えることを特徴とするデータ補正装置。
A data correction apparatus for correcting design data of a pattern formed by etching on an object,
A design data storage unit for storing design data of a pattern formed by etching on an object;
The relationship between the gap width between graphic elements included in the pattern and the etching amount, which is the amount by which the graphic elements on the object are excessively etched, is used as an etching characteristic at a plurality of reference positions on the object. An etching characteristic storage unit for storing a plurality of etching characteristics corresponding to each;
For each of the plurality of divided regions set on the object, the plurality of etching characteristics are weighted based on the positional relationship between each divided region and the plurality of reference positions, and the weighting is performed. A region etching characteristic acquisition unit for obtaining a region etching characteristic which is an etching characteristic of each of the divided regions based on the plurality of etching characteristics which are broken
A divided data correction unit that divides the design data into a plurality of divided data corresponding to the plurality of divided areas, and corrects each divided data based on the area etching characteristics of the divided areas corresponding to the divided data. When,
A data correction apparatus comprising:
請求項1に記載のデータ補正装置であって、
前記設計データの前記複数の分割データがそれぞれ示す分割パターンが同一であることを特徴とするデータ補正装置。
The data correction apparatus according to claim 1,
2. A data correction apparatus according to claim 1, wherein the division patterns indicated by the plurality of division data of the design data are the same.
請求項2に記載のデータ補正装置であって、
前記複数の分割データが、対応する前記領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含む場合、前記分割データ補正部により、前記2つ以上の分割データに含まれる一の分割データの補正が行われ、前記一の分割データの補正結果が、前記2つ以上の分割データに含まれる他の分割データの、前記分割データ補正部による補正結果としても使用されることを特徴とするデータ補正装置。
The data correction device according to claim 2,
The plurality of divided data, when the corresponding said regions etching characteristics includes two or more divided data is the same, the pre-Symbol divided data correction unit, one of the divided data included in the two or more divided data Data in which correction is performed, and the correction result of the one divided data is also used as a correction result of the other divided data included in the two or more divided data by the divided data correction unit Correction device.
請求項1ないし3のいずれかに記載のデータ補正装置であって、
前記領域エッチング特性取得部による前記複数のエッチング特性への重み付けが、各エッチング特性に対応する基準位置と分割領域との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することであり、
前記複数のエッチング特性のうち、前記各分割領域に最も近い一の基準位置に対応するエッチング特性に乗算される重み係数が1であり、前記エッチング特性以外のエッチング特性に乗算される重み係数が0であることを特徴とするデータ補正装置。
The data correction device according to any one of claims 1 to 3,
Weighting the plurality of etching characteristics by the region etching characteristic acquisition unit is to multiply each etching characteristic by a weighting factor based on a distance between a reference position corresponding to each etching characteristic and a divided region,
Among the plurality of etching characteristics, the weighting coefficient multiplied to the etching characteristics corresponding to the closest one of the reference position to the each divided area is 1, the weighting factor to be multiplied to the etching characteristics of the non-pre disappeared etching characteristics Is a data correction device characterized by zero.
対象物上にパターンを描画する描画装置であって、
請求項1ないし4のいずれかに記載のデータ補正装置と、
光源と、
前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、
前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構と、
を備えることを特徴とする描画装置。
A drawing device for drawing a pattern on an object,
A data correction apparatus according to any one of claims 1 to 4,
A light source;
A light modulation unit that modulates light from the light source based on design data corrected by the data correction device;
A scanning mechanism that scans on the object the light modulated by the light modulator;
A drawing apparatus comprising:
対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査装置であって、
請求項1ないし4のいずれかに記載のデータ補正装置と、
対象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データを記憶する実画像記憶部と、
前記データ補正装置により実際のエッチング後の線幅や大きさに合わせて補正された設計データと前記検査画像データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部と、
を備えることを特徴とする検査装置。
An inspection apparatus for inspecting a pattern formed by etching on an object,
A data correction apparatus according to any one of claims 1 to 4,
An actual image storage unit for storing inspection image data which is image data of a pattern formed by etching on an object;
The defect of the pattern formed on the object is detected by comparing the inspection image data with the design data corrected according to the actual line width and size after etching by the data correction device. A defect detection unit;
An inspection apparatus comprising:
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、
a)対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、
b)前記パターンに含まれる図形要素間のギャップ幅と、前記対象物上の前記図形要素が過剰にエッチングされる量であるエッチング量との関係をエッチング特性として、前記対象物上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を準備する工程と、
c)前記対象物上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と前記複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて前記複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた前記複数のエッチング特性に基づいて前記各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性を求める工程と、
d)前記設計データを前記複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、前記各分割データに対応する前記各分割領域の前記領域エッチング特性に基づいて補正する工程と、
を備えることを特徴とするデータ補正方法。
A data correction method for correcting design data of a pattern formed by etching on an object,
a) preparing design data of a pattern formed by etching on an object;
b) A plurality of criteria on the object , with the relationship between the gap width between the graphic elements included in the pattern and the etching amount, which is the amount by which the graphic elements on the object are excessively etched, as etching characteristics Preparing a plurality of etching characteristics corresponding to each position;
c) For each of the plurality of divided regions set on the object, the plurality of etching characteristics are weighted based on the positional relationship between each divided region and the plurality of reference positions, and then weighted. Determining a region etching characteristic that is an etching characteristic of each of the divided regions based on the plurality of etching characteristics performed,
d) dividing the design data into a plurality of divided data corresponding to the plurality of divided areas, and correcting each divided data based on the area etching characteristics of the divided areas corresponding to the divided data; ,
A data correction method comprising:
請求項7に記載のデータ補正方法であって、
前記a)工程において、前記複数の分割データがそれぞれ示す分割パターンが同一である前記設計データが準備されることを特徴とするデータ補正方法。
The data correction method according to claim 7, comprising:
In the step a), the design data having the same division pattern indicated by each of the plurality of division data is prepared .
請求項8に記載のデータ補正方法であって、
前記d)工程において、前記複数の分割データが、対応する前記領域エッチング特性が同一である2つ以上の分割データを含む場合、前記2つ以上の分割データのうち一の分割データの補正が行われ、前記一の分割データの補正結果が、他の分割データの補正結果としても使用されることを特徴とするデータ補正方法。
A data correction method according to claim 8, wherein
In the step d), when the plurality of pieces of divided data include two or more pieces of divided data having the same region etching characteristics, correction of one of the two or more pieces of divided data is performed. The data correction method is characterized in that the correction result of the one divided data is also used as the correction result of the other divided data.
請求項7ないし9のいずれかに記載のデータ補正方法であって、
前記c)工程における前記複数のエッチング特性への重み付けが、各エッチング特性に対応する基準位置と分割領域との間の距離に基づく重み係数を各エッチング特性に乗算することであり、
前記複数のエッチング特性のうち、前記各分割領域に最も近い一の基準位置に対応するエッチング特性に乗算される重み係数が1であり、前記エッチング特性以外のエッチング特性に乗算される重み係数が0であることを特徴とするデータ補正方法。
A data correction method according to any one of claims 7 to 9,
The weighting to the plurality of etching characteristics in the step c) is to multiply each etching characteristic by a weighting factor based on the distance between the reference position corresponding to each etching characteristic and the divided region,
Among the plurality of etching characteristics, the weighting coefficient multiplied to the etching characteristics corresponding to the closest one of the reference position to the each divided area is 1, the weighting factor to be multiplied to the etching characteristics of the non-pre disappeared etching characteristics A data correction method characterized in that 0 is zero.
対象物上にパターンを描画する描画方法であって、
請求項7ないし10のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程と、
を備えることを特徴とする描画方法。
A drawing method for drawing a pattern on an object,
A step of correcting design data by the data correction method according to claim 7;
Scanning the object with light modulated based on the corrected design data;
A drawing method comprising:
対象物上にエッチングにより形成されたパターンを検査する検査方法であって、
請求項7ないし10のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
象物上にエッチングにより形成されたパターンの画像データである検査画像データと、実際のエッチング後の線幅や大きさに合わせて補正された前記設計データとを比較することにより、前記対象物上に形成された前記パターンの欠陥を検出する工程と、
を備えることを特徴とする検査方法。
An inspection method for inspecting a pattern formed by etching on an object,
A step of correcting design data by the data correction method according to claim 7;
By comparing pairs and inspection image data is image data of the pattern formed by etching on the elephant was the actual said design data corrected in accordance with the line width and the magnitude of the post-etching, the object Detecting defects in the pattern formed thereon;
An inspection method comprising:
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、
a)対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、
b)前記パターンに含まれる図形要素間のギャップ幅と、前記対象物上の前記図形要素が過剰にエッチングされる量であるエッチング量との関係をエッチング特性として、前記対象物上の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を準備する工程と、
c)前記対象物上に設定された複数の分割領域のそれぞれについて、各分割領域と前記複数の基準位置とのそれぞれの位置関係に基づいて前記複数のエッチング特性に重み付けを行った上で、重み付けが行われた前記複数のエッチング特性に基づいて前記各分割領域のエッチング特性である領域エッチング特性を求める工程と、
d)前記設計データを前記複数の分割領域に対応する複数の分割データに分割し、各分割データを、前記各分割データに対応する前記各分割領域の前記領域エッチング特性に基づいて補正する工程と、
を実行させることを特徴とするプログラム。
A program for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and execution of the program by a computer is performed on the computer,
a) preparing design data of a pattern formed by etching on an object;
b) A plurality of criteria on the object , with the relationship between the gap width between the graphic elements included in the pattern and the etching amount, which is the amount by which the graphic elements on the object are excessively etched, as etching characteristics Preparing a plurality of etching characteristics corresponding to each position;
c) For each of the plurality of divided regions set on the object, the plurality of etching characteristics are weighted based on the positional relationship between each divided region and the plurality of reference positions, and then weighted. Determining a region etching characteristic that is an etching characteristic of each of the divided regions based on the plurality of etching characteristics performed,
d) dividing the design data into a plurality of divided data corresponding to the plurality of divided areas, and correcting each divided data based on the area etching characteristics of the divided areas corresponding to the divided data; ,
A program characterized by having executed.
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