JP6205774B2 - 検出回路、半導体集積回路装置、磁界回転角検出装置、及び、電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の幾つかの実施形態に係る電子機器の構成の一部を示す側面図である。この電子機器は、水道メーター、ガスメーター、速度メーター等の電子機器であり、磁石10aを有する回転体10と、第1のセンサーユニット21及び第2のセンサーユニット22を有する磁気センサー20とを含んでいる。
図7は、本発明の第2の実施形態に係る検出回路の構成を示す回路図である。この検出回路は、図1〜図3に示す磁気センサーに接続されて、磁気センサーと共に磁界回転角検出装置を構成する。
B1=−Bcos2θ
C1=−Csin2θ
C2=Csin2θ
−Bcos60°=−Csin60°
∴B/C=sin60°/cos60°=tan60°=31/2
∴C=3−1/2B
従って、オペアンプ45の増幅率は、−3−1/2(約−0.6)となる。
−Bcos120°=Csin120°
∴B/C=−sin120°/cos120°=−tan120°=31/2
∴C=3−1/2B
従って、オペアンプ47の増幅率は、−3−1/2(約−0.6)となる。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る検出回路の構成を示す回路図である。この検出回路は、本発明の第2の実施形態に係る検出回路を変形したものであり、同一の構成要素については重複する説明を省略する。
B1=−Bcos2θ
B2=Bcos2θ
また、増幅信号C1の振幅をCとすると、増幅信号C1の電位は、次式で表される。
C1=−Csin2θ
−Bcos60°=−Csin60°
∴B/C=sin60°/cos60°=tan60°=31/2
∴C=3−1/2B
従って、オペアンプ45の増幅率は、−3−1/2(約−0.6)となる。
Bcos120°=−Csin120°
∴B/C=−sin120°/cos120°=−tan120°=31/2
∴C=3−1/2B
従って、オペアンプ45の増幅率は、−3−1/2(約−0.6)となって、上記の増幅率と一致する。
Claims (6)
- 磁気抵抗効果素子のブリッジ回路を有する第1のセンサーユニット及び第2のセンサーユニットが互いに所定の角度をなして配置された磁気センサーに接続される検出回路であって、
前記第1又は第2のセンサーユニットの出力信号を比較する第1の比較回路と、
前記第1のセンサーユニットの出力信号と前記第2のセンサーユニットの出力信号とを比較する第2の比較回路と、
前記第1の比較回路の比較結果と前記第2の比較回路の比較結果とに基づいて磁界の回転角を算出する回転角算出回路と、
を含み、
前記第1の比較回路が、前記第1のセンサーユニットの2つの出力信号を比較して、比較結果を表す第1の検出信号を出力する第1のコンパレーターを含み、
前記第2の比較回路が、
前記第1のセンサーユニットの出力信号を所定の増幅率で増幅して、振幅が同一で符号が互いに異なる第1の増幅信号及び第2の増幅信号を出力する増幅部と、
前記第2のセンサーユニットの出力信号と前記第1の増幅信号とを比較して、比較結果を表す第2の検出信号を出力する第2のコンパレーターと、
前記第2のセンサーユニットの出力信号と前記第2の増幅信号とを比較して、比較結果を表す第3の検出信号を出力する第3のコンパレーターと、
を含むことを特徴とする検出回路。 - 磁気抵抗効果素子のブリッジ回路を有する第1のセンサーユニット及び第2のセンサーユニットが互いに所定の角度をなして配置された磁気センサーに接続される検出回路であって、
前記第1又は第2のセンサーユニットの出力信号を比較する第1の比較回路と、
前記第1のセンサーユニットの出力信号と前記第2のセンサーユニットの出力信号とを比較する第2の比較回路と、
前記第1の比較回路の比較結果と前記第2の比較回路の比較結果とに基づいて磁界の回転角を算出する回転角算出回路と、
を含み、
前記第1の比較回路が、前記第1のセンサーユニットの2つの出力信号を比較して、比較結果を表す第1の検出信号を出力する第1のコンパレーターを含み、
前記第2の比較回路が、
前記第1のセンサーユニットの一方の出力信号を所定の増幅率で増幅して、増幅信号を出力する増幅部と、
前記第2のセンサーユニットの一方の出力信号と前記増幅信号とを比較して、比較結果を表す第2の検出信号を出力する第2のコンパレーターと、
前記第2のセンサーユニットの他方の出力信号と前記増幅信号とを比較して、比較結果を表す第3の検出信号を出力する第3のコンパレーターと、
を含むことを特徴とする検出回路。 - 電源電圧を分圧することにより、前記増幅部において用いられる基準電位を生成する分圧回路をさらに含む、請求項1又は2記載の検出回路。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載の検出回路を含む半導体集積回路装置。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載の検出回路と、
前記磁気センサーと、
を含む磁界回転角検出装置。 - 請求項5記載の磁界回転角検出装置と、
回転磁界を発生する回転体と、
を含む電子機器。
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