JP6280495B2 - Sample fixing device - Google Patents
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 224
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
この発明は、微小試料を固定する試料固定装置に関する。 The present invention relates to a sample fixing device for fixing a minute sample.
試料固定装置は、半導体素材や、バイオのナノ材料等の微小試料を電子顕微鏡等により分析する際の試料固定用として用いられる。微小試料は、試料固定装置の試料固定電極部に固定されて分析装置に取り付けられる。
微小試料に電圧を印加した状態で、微小試料の特性や、動作の変化を分析する分析装置が検討されている。このような分析装置に取り付けられる試料固定装置の一例として、微小試料に電気的に接続される第1の配線構造を設けたメッシュと、第1の配線構造に接続される第2の配線構造を有し、メッシュを保持する試料ホルダとを備えたものがある。微小試料は、電子線を透過できる厚さにあらかじめ薄膜化され、試料押え治具と押えばねを用いてメッシュに固定される(例えば、特許文献1の図2(b)参照)。
The sample fixing device is used for fixing a sample when analyzing a micro sample such as a semiconductor material or a bio nano material with an electron microscope or the like. The micro sample is fixed to the sample fixing electrode portion of the sample fixing device and attached to the analyzer.
Analyzing apparatuses that analyze changes in characteristics and operations of a micro sample while a voltage is applied to the micro sample are being studied. As an example of a sample fixing device attached to such an analyzer, a mesh provided with a first wiring structure electrically connected to a micro sample and a second wiring structure connected to the first wiring structure are provided. And a sample holder for holding a mesh. The micro sample is thinned in advance to a thickness capable of transmitting an electron beam, and fixed to the mesh using a sample pressing jig and a pressing spring (see, for example, FIG. 2B of Patent Document 1).
上記特許文献1に記載された試料固定装置では、試料をメッシュに固定する作業に時間を要する。 In the sample fixing device described in Patent Document 1, it takes time to fix the sample to the mesh.
この発明の試料固定装置は、半導体基板により形成され、基体部、および一対の試料固定片が形成された試料取付部を有する微小試料台と、微小試料台の一面に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を介して微小試料台上に形成された少なくとも一対の導体構造部とを備え、一対の試料固定片は、それぞれ、互いに対向する内側側面および上面を有し、各導体構造部は、一対の試料固定片のいずれか一方の内側側面および上面に形成された試料固定電極部を有し、試料は、一対の試料固定片の内側側面の間に、一対の試料固定電極部を介して電圧が印加可能に保持される。 Sample fixing apparatus of this invention is formed by the semiconductor substrate, the base portion, and the micro sample stage having a sample mounting portion in which a pair of sample fixing piece is formed, an insulating film provided on one surface of the micro sample stage, And at least a pair of conductor structure portions formed on a micro sample stage via an insulating film, each of the pair of sample fixing pieces has an inner side surface and an upper surface facing each other, and each conductor structure portion is a pair of conductor structure portions . The sample fixing electrode portion is formed on the inner side surface and the upper surface of one of the sample fixing pieces , and the sample is voltage between the inner side surfaces of the pair of sample fixing pieces via the pair of sample fixing electrode portions. Is held to be impressable.
本発明の試料固定装置によれば、試料の試料固定装置への取り付けを能率的に行うことができる。 According to the sample fixing device of the present invention, it is possible to efficiently attach the sample to the sample fixing device.
−実施形態1−
以下、この発明の試料固定装置の実施形態1を、図面を参照して説明する。
図1は、本発明の試料固定装置の実施形態1を示す平面図であり、図2は、図1に図示された試料固定装置のII−II線断面図であり、図3は、図1に図示された試料固定装置に導体構造部を形成する前の微小試料台を示す平面図である。図4は、図1に図示された試料固定装置の試料固定電極部の拡大斜視図であり、図5は、図4に図示された試料固定電極部に試料が保持された状態を示す斜視図である。
試料固定装置100は、シリコン等の半導体材料により形成された微小試料台10と、微小試料台10の表面に形成される絶縁膜20(図2)と、絶縁膜20上に形成された一対の導体構造部30とにより構成されている。
Embodiment 1
Hereinafter, Embodiment 1 of the sample fixing device of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a plan view showing Embodiment 1 of the sample fixing device of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of the sample fixing device shown in FIG. 1, and FIG. It is a top view which shows the micro sample stand before forming a conductor structure part in the sample fixing device shown in figure. 4 is an enlarged perspective view of the sample fixing electrode portion of the sample fixing device shown in FIG. 1, and FIG. 5 is a perspective view showing a state in which the sample is held on the sample fixing electrode portion shown in FIG. It is.
The
微小試料台10は、半導体基板を、エッチング等の加工により形成される平板状部材であり、図3に図示されるように、概略、半径Rが数mm(1〜2mm)程度またはそれ以下の円弧状の外周部を有する基体部11と、基体部11の上部側に、基体部11と一体化して形成された試料取付部12とを有する。
なお、以下では、左右方向および上下方向を、それぞれ、図示の方向として説明する。
微小試料台10の試料取付部12の左右には、試料取付部12の上方に突出されたガード部13が形成されている。ガード部13は、基体部11および試料取付部12と一体化して形成されている。ガード部13は、微小試料台10に微小試料71(図5参照)を固定したり、固定された微小試料71を分析したりする作業において、微小試料71に分析装置等が衝突するのを防止するためのものである。また、試料固定装置100が落下した場合に微小試料71をガードする。
微小試料台10は、中心線CLに対して、線対称な形状を有しており、左右のガード部13は、同一の形状に形成されている。
The micro sample table 10 is a flat plate member formed by processing a semiconductor substrate by etching or the like. As shown in FIG. 3, the radius R is approximately several mm (1 to 2 mm) or less. A
In the following description, the left-right direction and the up-down direction will be described as directions shown in the drawings.
The
試料取付部12は、先細り状のほぼ台形形状を有する脚部17と、脚部17上に形成された試料固定体18を有する。図4に示すように、試料固定体18には、上部に一対の試料固定片18aが形成されている。試料固定片18aは、互いに対向する面側の内側側面51、内側側面51の反対面側の外側側面52および上面53を有している。試料固定片18aは、内側側面51が、先端側に向かって間隔が広がる方向に傾斜して先細り状に形成されている。脚部17および一対の試料固定片18aを有する試料固定体18は、1つの半導体基板により、基体部11と一体に形成されている。
The
図2に図示されるように、微小試料台10の表面は、酸化膜等により形成された絶縁膜20により覆われている。微小試料台10は、シリコン等の半導体基板により形成されているので、微小試料台10の加工中および加工後に、微小試料台10の全面に自然酸化膜が形成される。絶縁膜20は、このように微小試料台10の表面に形成される自然酸化膜により構成される。自然酸化膜上に、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機ケイ化膜を形成して絶縁膜20としてもよい。
As shown in FIG. 2, the surface of the micro sample table 10 is covered with an
微小試料台10の一方の表面10aを覆って形成された絶縁膜20上に、金や銅により形成された一対の導体構造部30が形成されている。
図1に図示されるように、各導体構造部30は、基体部11上に形成された外部電圧用パッド(外部電圧印加用パッド)31と、測定用パッド32と、試料取付部12上に延在された試料固定電極部33とを有する。外部電圧用パッド31と、測定用パッド32と、試料固定電極部33とは、引き回し部34により電気的に接続されている。
A pair of
As shown in FIG. 1, each
導体構造部30は、例えば、微小試料台10の一方の表面10aを覆う絶縁膜20上の全面に、スパッタ、蒸着などにより下地金属膜を成膜し、下地金属膜上に電気めっき膜を形成し、マスクを用いてエッチングによりパターン形成する、所謂、フォトエッチングにより形成することができる。
For example, the
図4に図示されるように、導体構造部30の試料固定電極部33は、試料固定体18の試料固定片18aの表面上に形成された表面電極部33d、試料固定片18aの内側側面51上に形成された内側面33a、外側側面52上に形成された外側面33bおよび上面53上に形成された上端面33cを有し、絶縁膜20を介在して形成されている。一方の導体構造部30と他方の導体構造部30とは、短絡しないよう離間して形成されている。
As shown in FIG. 4, the sample
微小試料71は、図5に図示されるように、微小試料台10の試料固定片18a間に挟まれて取り付けられる。この状態で、各試料固定片18aに設けられた導体構造部30の試料固定電極部33の内側面33aに密着する。従って、微小試料71には、導体構造部30を介して外部から電圧を印加することができる。そして、外部から電圧を印加した状態で、例えば、半導体材料や、半導体材料にイオン等を打ち込んで形成した微小試料71を電子顕微鏡等の検出装置により観察して、無印加状態と印加状態との特性の変化や、動作の変化を対比することができる。あるいは、微小試料にイオンビームを照射し、微小試料から放出される二次イオンを不図示の二次イオン検出器により検出して、その物性等を分析することができる。微小試料として、バイオ材料を用いることも可能である。
また、四端子測定法を用いて、微小試料71の電気抵抗を正確に測定することも可能である。以下、このことについて、説明する。
As shown in FIG. 5, the
It is also possible to accurately measure the electrical resistance of the
図6は、試料の電気抵抗を測定する方法を説明するための平面図である。また、図7は、4端子測定法により微小試料の電気抵抗を測定する方法を説明するための等価回路である。
図6に図示されるように、各導体構造部30の外部電圧用パッド31および測定用パッド32に、マイクロプローブ73を接触する。
図7に図示されるように、マイクロプローブ73を介して電源74により電圧を印加する。電源74から外部電圧用パッド31に流れる電流を電流計75により計測する。また、マイクロプローブ73を介して、測定用パッド32間の電圧を電圧計76により計測する。
FIG. 6 is a plan view for explaining a method of measuring the electrical resistance of the sample. FIG. 7 is an equivalent circuit for explaining a method of measuring the electrical resistance of a minute sample by a four-terminal measurement method.
As shown in FIG. 6, the
As shown in FIG. 7, a voltage is applied by a
微小試料71の電気抵抗をRS、電圧計76の内部インピーダンスをRvとし、ri、Riを、それぞれ、接触抵抗、導体構造部30の導体の電気抵抗とすると、キルヒホッフの電流の法則から次の式が得られる。
上記式により、微小試料71の電気抵抗RSを求めることができる。
The electric resistance of the micro-sample 71 R S, the internal impedance of the
The electrical resistance R S of the
上記実施形態1によれば、下記の効果を奏する。
(1)微小試料台10に一対の試料固定片18aを設け、微細試料71を試料固定片18a間に挟んで固定する構造とした。このため、微小試料71の固定を、容易かつ効率的に行うことができる。
According to the said Embodiment 1, there exist the following effects.
(1) A pair of
(2)微小試料台10を、半導体基板により形成するようにした。半導体基板は、エッチング等により、高精度で能率的に加工することが可能であるため、試料固定装置100を高精度に作製でき、かつ、生産効率を高めることができる。
(2) The micro sample table 10 is formed of a semiconductor substrate. Since the semiconductor substrate can be efficiently processed with high accuracy by etching or the like, the
(3)微小試料台10と導体構造部30とを絶縁する絶縁膜20を、微小試料台10の加工工程中および加工後に、微小試料台10に形成される酸化膜を用いて形成した。このため、絶縁膜20の形成が能率的となり、このことによっても、試料固定装置100の生産性を高めることができる。
(3) The insulating
(4)試料固定装置100に、試料固定電極部33と外部電圧用パッド31とを有する導体構造部30を設けた。外部電圧用パッド31に、直接、外部電源に接続されたマイクロプローブ73を接触するだけで微小試料71に外部から電圧を印加することができる。そして、この状態で微小試料71の特性や、動作の変化を分析することが可能である。このため、微小試料71を試料固定装置100に固定して分析を開始するまでの時間を短縮することができる。
(4) The
(5)上記実施形態1に示す試料固定装置100は、導体構造部30を有していない従来の試料固定装置に対して、導体構造部30を追加するだけで形成することができる。つまり、微小試料71に電圧を印加しないで分析する従来の試料固定装置をそのまま用いて本発明の微小試料台10を作製することができる。
従って、本実施形態の試料固定装置100を用いて、外部から微小試料71に電圧を印加して行う分析と、従来の試料固定装置を用いて、微小試料71に電圧を印加せずに行う分析とを、同一の分析装置を用いて行うことができる。すなわち、分析装置を改良することなく、そのまま、使用することが可能となるので、設備投資の面でも有利である。また、作製する微小試料71の共通化を図ることができ、微小試料の作製の効率化を図ることができる。さらに、従来の微小試料の分析データを参照することも可能である。
(5) The
Therefore, an analysis performed by applying a voltage to the
(6)導体構造部30は、試料固定電極部33と、試料固定電極部33に接続される外部電圧用パッド31および測定用パッド32を有する構造とした。このため、4端子測定法を用いて微小試料71の電気特性を正確に計測することができる。
(6) The
−実施形態2−
図8は、本発明の試料固定装置の実施形態2を示す平面図である。
実施形態2に示す試料固定装置100Aの微小試料台10Aは、3つの試料取付部12を備えている。
微小試料台10Aの各試料取付部12には、実施形態1の試料固定装置100と同様の、一対の試料固定片18aを有する試料固定体18が形成されている。
各試料固定片18aには、導体構造部30または30Aが基体部11から延在されている。
Embodiment 2
FIG. 8 is a plan view showing Embodiment 2 of the sample fixing device of the present invention.
The
Similar to the
Each
微小試料取付台10Aの左右方向の両端には、実施形態1の試料固定装置100と同様な、導体構造部30が設けられている。すなわち、導体構造部30は、外部電圧用パッド31と、測定用パッド32と、試料固定電極部33と、引き回し部34とを有する。
At both ends in the left-right direction of the micro
微小試料取付台10Aの中央の試料取付部12と中央の試料取付部12に隣接する試料取付部12との間には導体構造部30Aが形成されている。導体構造部30Aは、各試料取付部12に設けられた一対の試料固定電極部33のうち、互いに隣接して形成された試料固定電極部33を接続部36により接続する構造を有する。各導体構造部30Aは、試料固定電極部33に対して1つの測定用パッド32を有する。各導体構造部30Aは、外部電圧用パッド31を有していない。
実施形態2における他の構成は実施形態1と同様である。
A
Other configurations in the second embodiment are the same as those in the first embodiment.
実施形態2の試料固定装置100Aにおいて、3つの試料取付部12には、それぞれ、導体構造部30、30Aを構成する一対の試料固定片18aを有する試料固定体18が設けられている。試料固定体18は、一対の試料固定片18aの間に微小試料71を挟んで保持し、この状態で微小試料71の分析を行うことができる。また、一対の試料固定片18aの間に微小試料71を挟んだ状態で、4端子測定法により、微小試料71の電気抵抗を測定することができる。
In the
従って、実施形態2においても、実施形態1と同様な効果を奏する。
また、実施形態2では、複数の微小試料71を、各試料固定体18に同時に固定することができるため、微小試料71を連続して分析することが可能となり、分析作業の効率を上げることができる。
Therefore, the second embodiment also has the same effect as the first embodiment.
In the second embodiment, since a plurality of
−実施形態3−
図9は、本発明の試料固定装置の実施形態3を示す平面図であり、図10は、図9におけるX−X線断面図である。
実施形態3の試料固定装置100Bは、導体構造部30Bを備えている。導体構造部30Bは、試料固定電極部33と、外部電圧用パッド31と、試料固定電極部33と外部電圧用パッド31とを接続する接続部37とを有する。
図10に図示されるように、導体構造部30Bの外部電圧用パッド31に対向する部分の絶縁膜20には、微小試料台10の表面10aを露出する開口部21が設けられている。開口部21を覆って設けられた導体構造部30Bは、この開口部21から露出する微小試料台10の表面10aに接合されている。すなわち、金属製の外部電圧用パッド32とシリコン等の接合によりショットキーダイオードのように電位障壁を有するダイオードが形成される。
上述したように、微小試料71は、一対の試料固定片18a間に挟まれ、各試料固定体18に電気的に導通した状態で保持されている。
Embodiment 3
FIG. 9 is a plan view showing Embodiment 3 of the sample fixing device of the present invention, and FIG. 10 is a sectional view taken along line XX in FIG.
The
As shown in FIG. 10, an
As described above, the
この状態で、マイクロプローブを、各導体構造部30Bの外部電圧用パッド31に接触して、外部電圧を印加する。これにより、図10に図示されるように、微小試料台10の外部電圧用パッド31間に電流iが流れる。
ここで、不図示の光源により熱エネルギーを照射して試料固定装置100Bを加熱し、試料固定装置100Bに固定されている微小試料71を加温する。
シリコン等の半導体材料で形成された微小試料台10には、上述したように、導体構造部30Bとの接合面に電位障壁を有するダイオードが形成される。この種のダイオードには温度と許容電流との間に相関があるため、外部電圧用パッド32間に流れる電流を検出することにより、微小試料台10の温度、ひいては微小試料71の温度を検出することができる。
従って、微小試料71を分析することにより、微小試料71の物性や、動作の温度特性を分析することが可能となる。
実施形態3における他の構成は、実施形態1と同様である。
In this state, the microprobe is brought into contact with the
Here, the
As described above, a diode having a potential barrier at the junction surface with the
Therefore, by analyzing the
Other configurations in the third embodiment are the same as those in the first embodiment.
実施形態3においても、実施形態1に記載した効果(1)〜(5)を奏することができる。
さらに、実施形態3においては、試料固定装置100B自体に温度センサの機能を持たることができ、微小試料71の物性や、動作の温度特性の分析を、安価にかつ効率的に行うことができるという効果を奏する。
Also in the third embodiment, the effects (1) to (5) described in the first embodiment can be achieved.
Furthermore, in the third embodiment, the
なお、上記各実施形態では、一対の試料固定片18aは、それぞれ、先端側に向かって、相互の間隔が広がる方向に傾斜する先細り状に形成された構造とした。しかし、試料固定片18aは垂直面としたり、あるいは内側側面に微細な凹凸や段部を設けたりしてもよい。
In each of the above embodiments, each of the pair of
上記各実施形態では、導電構造部30、30A、30B(以下、代表して「30」とする)を、微小試料台10上に、絶縁膜20を介してスパッタやめっきにより形成された導電膜として例示した。しかし、導体構造部30を、金や銅等の導電性金属箔により形成し、微小試料台10に接着するようにしてもよい。この構造の場合、微小試料台10は、試料取付部12に、一対の試料固定片18aを形成しない構造とする。つまり、試料取付部12の上方に、導体構造部30の一対の試料固定電極部33のみが突出される構造とする。微小試料71は、導電性金属箔により形成された一対の試料固定電極部33の間に挟まれて保持される。この構造では、試料固定電極部33の可撓性を大きくすることができるので、微小試料71の固定が容易となる。
In each of the above embodiments, the
上記各実施形態では、微小試料台10は、その全体が半導体基板により形成されている部材として例示した。しかし、基体部11と試料取付部12を半導体基板により形成し、試料取付部12のみ表面にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の無機ケイ素膜形成し、母材を取り除いて、試料取付部12の無機ケイ素膜により形成してもよい。このような構造の微小試料台は、特開2010−271101号公報に開示されている。また、微小試料台10を半導体以外の部材により形成してもよい。
In each said embodiment, the micro sample stand 10 was illustrated as a member in which the whole was formed with the semiconductor substrate. However, the
その他、本発明は、種々、変形して適用することが可能であり、要は、試料取付部を有する微小試料台の一面上に一対の導体構造部を設け、各導体構造部は、試料取付部から突き出して形成された試料固定電極部を有し、一対の試料固定電極部の間に試料を挟んで保持可能とされているものであればよい。 In addition, the present invention can be applied in various modifications. In short, a pair of conductor structure portions are provided on one surface of a micro sample table having a sample attachment portion, and each conductor structure portion is provided with a sample attachment portion. What is necessary is just to have the sample fixed electrode part formed protruding from the part and to be able to hold the sample between the pair of sample fixed electrode parts.
10 微小試料台
10a 表面
11 基体部
12 試料取付部
13 ガード部
17 脚部
18 試料固定体
18a 試料固定片
20 絶縁膜
21 開口部
30、30A、30B 導体構造部
31 外部電圧用パッド(外部電圧印加用パッド)
32 測定用パッド
33 試料固定電極部
33a 内側面
33b 外側面
33c 上端面
34 引き回し部
36 引き回し部
71 微小試料
73 マイクロプローブ
100、100A、100B 試料固定装置
DESCRIPTION OF
32
Claims (5)
前記微小試料台の一面に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記微小試料台上に形成された少なくとも一対の導体構造部とを備え、
前記一対の試料固定片は、それぞれ、互いに対向する内側側面および上面を有し、
前記各導体構造部は、前記一対の試料固定片のいずれか一方の前記内側側面および前記上面に形成された試料固定電極部を有し、
試料は、一対の前記試料固定片の前記内側側面の間に、前記一対の試料固定電極部を介して電圧が印加可能に保持される試料固定装置。 Formed by the semiconductor substrate, and the minute sample table having a base portion, and the sample mount portion in which a pair of sample fixing piece is formed,
An insulating film provided on one surface of the micro sample table ;
Comprising at least a pair of conductor structures formed on the micro sample table via the insulating film;
Each of the pair of sample fixing pieces has an inner side surface and an upper surface facing each other,
Each conductor structure portion has a sample fixing electrode portion formed on the inner side surface and the upper surface of one of the pair of sample fixing pieces ,
A sample fixing device in which a sample is held between the inner side surfaces of a pair of the sample fixing pieces so that a voltage can be applied via the pair of sample fixing electrode portions .
前記微小試料台は、シリコン基板により形成されている試料固定装置。 The sample fixing device according to claim 1,
The micro sample stage is a sample fixing device formed of a silicon substrate .
前記各導体構造部は、前記微小試料台の前記基体部に設けられ、外部端子部材が接触する外部電圧印加用パッドを備えている試料固定装置。 In the sample fixing device according to claim 1 or 2 ,
Each said conductor structure part is provided in the said base | substrate part of the said micro sample stand, The sample fixing device provided with the pad for an external voltage application which an external terminal member contacts.
前記外部電圧印加用パッドは、前記試料固定電極部に接続された外部電圧用パッドおよび測定用パッドを備えている試料固定装置。 The sample fixing device according to claim 3 , wherein
The sample fixing device, wherein the external voltage application pad includes an external voltage pad and a measurement pad connected to the sample fixing electrode section.
前記導体構造部の前記外部電圧用パッドは、前記絶縁膜に設けられた開口部を介して前記基体部の表面に接合されている試料固定装置。The sample fixing device, wherein the external voltage pad of the conductor structure part is bonded to the surface of the base part through an opening provided in the insulating film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238700A JP6280495B2 (en) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | Sample fixing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014238700A JP6280495B2 (en) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | Sample fixing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100301A JP2016100301A (en) | 2016-05-30 |
JP6280495B2 true JP6280495B2 (en) | 2018-02-14 |
Family
ID=56077464
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014238700A Active JP6280495B2 (en) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | Sample fixing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6280495B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6531975B2 (en) * | 2015-03-17 | 2019-06-19 | 株式会社リコー | Micro-object electrical characteristic measuring apparatus and micro-object electrical characteristic measuring method |
JP2017103067A (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 株式会社メルビル | Sample installation member and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0569660U (en) * | 1991-03-29 | 1993-09-21 | 日本電子株式会社 | Sample holder for electrical resistance measurement |
JPH06310069A (en) * | 1993-04-21 | 1994-11-04 | Hitachi Ltd | Sample support device and method for electron microscope |
JP3576677B2 (en) * | 1996-01-19 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | Electrostatic actuator, probe using the actuator, scanning probe microscope, processing device, recording / reproducing device |
JP2001198896A (en) * | 2000-01-19 | 2001-07-24 | Hitachi Ltd | Micro-manipulator for electron microscope |
JP3495037B2 (en) * | 2003-02-10 | 2004-02-09 | 株式会社日立製作所 | Charged particle beam apparatus and method of assembling parts using the same |
JP4319555B2 (en) * | 2004-01-26 | 2009-08-26 | セイコーインスツル株式会社 | Tweezers, manipulator system provided with tweezers, and manufacturing method of tweezers |
JP2006244796A (en) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Jeol Ltd | Sample holder of electron microscope |
JP4923716B2 (en) * | 2006-05-11 | 2012-04-25 | 株式会社日立製作所 | Sample analysis apparatus and sample analysis method |
JP5378830B2 (en) * | 2009-02-20 | 2013-12-25 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | Focused ion beam apparatus and sample processing method using the same |
JP5101563B2 (en) * | 2009-05-20 | 2012-12-19 | アオイ電子株式会社 | Manufacturing method of micro sample stage |
JP5699207B2 (en) * | 2011-04-28 | 2015-04-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Sample holding device for electron microscope and electron microscope device |
JP6276681B2 (en) * | 2014-11-14 | 2018-02-07 | アオイ電子株式会社 | Sample fixing device and sample analyzer |
-
2014
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016100301A (en) | 2016-05-30 |
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