[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6270575B2 - 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6270575B2
JP6270575B2 JP2014060039A JP2014060039A JP6270575B2 JP 6270575 B2 JP6270575 B2 JP 6270575B2 JP 2014060039 A JP2014060039 A JP 2014060039A JP 2014060039 A JP2014060039 A JP 2014060039A JP 6270575 B2 JP6270575 B2 JP 6270575B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
gas
substrate
reaction tube
source gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014060039A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015183224A (ja
JP2015183224A5 (ja
Inventor
隆史 佐々木
隆史 佐々木
盛満　和広
和広 盛満
西谷　英輔
英輔 西谷
哲夫 山本
哲夫 山本
福田　正直
正直 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2014060039A priority Critical patent/JP6270575B2/ja
Priority to KR1020150040153A priority patent/KR101814243B1/ko
Priority to US14/665,781 priority patent/US9412582B2/en
Publication of JP2015183224A publication Critical patent/JP2015183224A/ja
Publication of JP2015183224A5 publication Critical patent/JP2015183224A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6270575B2 publication Critical patent/JP6270575B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
    • H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、半導体デバイスの製造方法および基板処理装置に関し、特に、基板（ウエハ）上に金属膜を形成する工程を備える反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置（デバイス）を製造する基板処理装置の一つとして、基板としての半導体ウエハを複数枚積層して処理するバッチ式縦型基板処理装置がある。
このバッチ式縦型基板処理装置では、所定枚数のウエハが所定の間隔（ウエハ積層間隔ピッチ）を設けられて基板保持具としてのボートに複数段に保持され、ウエハを保持したボートが反応室を形成する反応管に搬入出されることで基板処理プロセスを行うように構成されることが一般的である。
ここで、ウエハ積層間隔ピッチと、ウエハ外縁と反応管内壁との距離（ギャップ）の比率が大きい場合、原料が積極的にウエハ上に流れず、原料が無駄に消費されてしまい、成膜コストの増大を招いてしまうという問題があった。
また、上述のような問題は、近年の基板径の増大に伴い顕著になることから、早急に解決手段を講じる必要がある。
このような問題の解決手段として例えば、特許文献１に記載されている方法がある。
しかし、特許文献１に記載の技術は、ガスの供給流量をコントローラによって流量制御することによって成膜コストの増大を防止する技術であり、上述の装置構成による課題については検討されていない。
また、縦型の基板処理装置においては、ガス供給（≒ガス置換）や真空排気を極力速やかに行うことも求められている。
特開2013-225660号公報
本発明はこのような事情にかんがみてなされたものであり、その主な目的は、ガス供給効率を高めながら、真空排気効率も良く、処理基板の面内、面間における膜厚、膜質、電気特性の均一性も良い反応室構造を提供することである。
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
内部で所定の原料ガスを反応させて複数の基板を処理する処理室を形成する反応管であって、
前記反応管は、円筒状に形成されて上端が閉塞し、下端が開口しているアウターチューブと、
前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブと、
を有する反応管が提供される。
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブで構成される反応管と、
前記反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガスを排気するガス排気部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブで構成される反応管に複数の基板を搬送する工程と、
前記反応管内に所定の処理ガスを供給して前記複数の基板を処理する工程と、
前記所定の処理ガスを前記インナーチューブに設けられた前記排気スリットを介して排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、ガス供給効率を高めながら、真空排気効率も良く、処理基板の面内、面間における膜厚、膜質、電気特性の均一性も良い反応室構造を提供することが可能となる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０１の概略構成図である。 本発明の一実施形態に係る処理炉２０２の側面断面図である。 本発明の一実施形態における制御フローを示す図である。 （ａ）は、本発明の一実施形態におけるインナーチューブ、アウターチューブを透過した反応管を示す図である。（ｂ）は、図４（ａ）にノズル、ウエハ、断熱板を設けた場合の反応管を示す図である。 本発明の一実施形態に係るインナーチューブの斜視図である。 本発明の一実施形態に係る処理ガスがスリットを通り、排気菅から排出される様子を示したものである。 本発明の一実施形態に係る流れ落ちガスの流速と下部開口との関係を示す図である。 一般的なバッチ式縦型基板処理装置を示す概略図である。
基板処理装置としてのバッチ式縦型基板処理装置を図８を用いて説明する。反応炉は、反応管を有し、この反応管により形成される反応室（処理室）内に基板保持具としてのボートＢが挿入される。ボートＢは、複数枚の基板としての半導体ウエハ（シリコンウエハ）を略水平状態で隙間（基板ピッチ間隔）Ｐをもって複数段に保持するように構成されている。また、半導体ウエハの周縁部と反応管の内壁との距離をギャップＧとして示している。
図８において、ガス供給ノズルをＡ、ガスの流れを矢印Ｙ、ウエハの保持されている領域Ｗとその領域の下部の断熱領域Ｄ、ガス排気菅Ｈ、と示している。
一重管構造の反応炉（原料ガス横吹き出し、下排気、図８参照）では、ウエハ積層間隔ピッチPとウエハ外縁と反応管内壁距離ギャップGの比率G／Pが大きいため、原料ガスは、積極的にウエハ上へ輸送されず、原料ガスを無駄に使用するおそれがある。また、一重管構造の反応炉では、複数段に配置された複数のウエハの内、上段（ａ）に比べ下段（ｂ）に配されたウエハ上に形成された膜のほうがモフォロジ（膜質）が悪く、Ｒｓ（シート抵抗値）が高い傾向となり膜厚のウエハ面内均一性が悪い。これに対し、原料ガス供給イベントに於いて、反応室内への原料ガス供給と真空排気を細かく繰り返すことにより膜質が改善し、複数段に配置されたウエハの上下のＲｓ値も揃う方向となる。このことから、次のメカニズムが推定できる。
すなわち、原料ガス供給時には、同時にウエハ上に副生成物が生成される。一重管構造の反応炉に於いて原料ガス供給時に真空排気を間に入れない場合、この副生成物の濃度が複数段に配置されたウエハの上段から下段にかけて高くなるが故に、下段で膜質が悪化し、Ｒｓも高くなる。原料ガス供給時に真空排気を間に挟むと、上下のモフォロジとＲｓ分布が改善するため、副生成物が影響を与えていることが明らかである。
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態について説明する。
（１）基板処理装置の構成
まず、本実施形態に係る基板処理装置１０１の構成について、図１、図２を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１０１の概略構成図である。図２は、本発明の一実施形態に係る処理炉２０２の側面断面図である。なお、本実施形態にかかる基板処理装置１０１は、例えばウエハ等の基板に酸化、拡散処理、薄膜形成処理などを行なう縦型の装置として構成されている。
（全体構成）
図１に示すように、基板処理装置１０１は、バッチ式縦型熱処理装置として構成されている。基板処理装置１０１は、内部に処理炉２０２などの主要部が設けられる筐体１１１を備えている。筐体１１１内への基板搬送容器（ウエハキャリア）としては、ポッド（ＦＯＵＰ（フープ）ともいう）１１０が用いられる。ポッド１１０内には、シリコン（Ｓｉ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等で構成された基板としてのウエハ（基板）２００が、例えば２５枚収納されるように構成されている。筐体１１１の正面側には、ポッドステージ１１４が配置されている。ポッド１１０は、蓋が閉じられた状態でポッドステージ１１４上に載置されるように構成されている。
筐体１２内の正面側（図１の右側）であってポッドステージ１１４に対向する位置には、ポッド搬送装置１１８が設けられている。ポッド搬送装置１１８の近傍には、ポッド載置棚１０５及び図示しないポッドオープナ及びウエハ枚数検出器が設けられている。ポッド載置棚１０５は、ポッドオープナの上方に配置され、ポッド１１０を複数個載置した状態で保持するように構成されている。ウエハ枚数検出器は、ポッドオープナに隣接して設けられる。ポッド搬送装置１１８は、ポッドを保持したまま昇降可能なポッドエレベータ１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ポッドステージ１１８とポッド載置棚１０５とポッドオープナとの間でポッド１１０を搬送するように構成されている。ポッドオープナは、ポッド１１０の蓋を開けるように構成されている。ウエハ枚数検出器は、蓋を開けられたポッド１１０内のウエハ２００の枚数を検知するように構成されている。
筐体１１１内には、ウエハ移載機１２５、基板保持具としてのボート２１７が設けられている。ウエハ移載機１２５は、アーム（ツィーザ）１２５ｃを有し、図示しない駆動手段により、上下方向への昇降と水平方向への回転動作が可能な構造になっている。アーム１２５ｃは、例えば５枚のウエハを同時に取り出すことができるように構成されている。アーム１２５ｃを動かすことにより、ポッドオープナの位置に置かれたポッド１１０及びボート２１７間にて、ウエハ２００が搬送されるように構成されている。
次に、本実施形態にかかる基板処理装置１０の動作について説明する。
まず、図示しない工程内搬送装置によって、ウエハ２００が垂直姿勢となりポッド１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように、ポッドステージ１１４上にポッド１１０が載置される。その後、ポッド１１０は、ポッドステージ１１４によって、筐体１１１の後方に向けて縦方向に９０°回転させられる。その結果、ポッド１１０内のウエハ２００は水平姿勢となり、ポッド１１０のウエハ出し入れ口は筐体１１１内の後方を向く。
次に、ポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって、ポッド載置棚１０５の指定された棚位置へ自動的に搬送されて受け渡されて一時的に保管された後、ポッド載置棚１０５からポッドオープナに移載されるか、もしくは直接ポッドオープナに搬送される。
ポッド１１０がポッドオープナに移載されると、ポッド１１０はポッドオープナによって蓋を開けられる。そして、蓋を開けられたポッド１１０は、ウエハ枚数検出器によってポッド１１０内のウエハ枚数を検知される。ウエハ２００は、ウエハ移載機１２５のアーム１２５ｃによって、ウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ウエハ移載機１２５の搬送動作によってボート２１７に装填（チャージ）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載機１２５は、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、図示しない炉口シャッタによって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタによって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５（図２参照）によって上昇されることにより、ウエハ２００群を保持したボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ボートロード）される。ロード後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。かかる処理については後述する。処理後、ウエハ２００及びポッド１１０は、処理炉２０２から搬出（ボートアンロード）され、上述の手順とは逆の手順でウエハ２００がボート２１７から脱装（ディスチャージ）され、筐体１２の外部へ払出される。
（処理炉の構成）
続いて、本実施形態に係る処理炉２０２の構成について、図２を用いて説明する。
（処理室）
図２に示すように、処理炉２０２は反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料により構成されている。インナーチューブ２０４は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００上に薄膜を形成する処理を行う処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ウエハ２００をボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列保持した状態で収容可能に構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。
（ヒータ）
プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲う同心円状に、加熱部としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状に形成されている。ヒータ２０６は、図示しない保持板としてのヒータベースに支持されることにより垂直に据え付けられている。プロセスチューブ２０３内（例えばインナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との間や、インナーチューブ２０４の内側等）には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６及び温度センサ２６３には、後述する温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、処理室２０１内の温度が所定の温度分布となるように、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいてヒータ２０６への通電具合を所定のタイミングにて制御するように構成されている。
（マニホールド）
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等により構成されている。マニホールド２０９は、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合するように設けられたり、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とをそれぞれ支持するように設けられたりしている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９が図示しないヒータベースに支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。主に、プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成されている。
（ボート）
処理室２０１内には、基板保持具としてのボート２１７が、マニホールド２０９の下端開口の下方側から搬入されるように構成されている。ボート２１７は、複数枚の基板としてのウエハ２００を、水平姿勢であって互いに中心を揃えた状態で、所定の間隔で配列させて保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。ボート２１７の下部であって、ウエハ処理領域よりも下方には、円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が、水平姿勢で多段に複数枚配置されている。断熱板２１６は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料により構成されている。断熱板２１６は、ヒータ２０６からの熱をマニホールド２０９側に伝え難くするように構成されている。
（キャリアガス供給系）
マニホールド２０９の側壁には、キャリアガスとして例えば窒素（Ｎ２）ガスを処理室２０１内に供給するノズル２３０ｂ及びノズル２３０ｃが、処理室２０１内に連通するように設けられている。ノズル２３０ｂ及びノズル２３０ｃは、例えば石英等により構成されている。ノズル２３０ｂ及びノズル２３０ｃは少なくとも１本ずつ設けられており、プロセスチューブ２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間で、プロセスチューブ２０３の内壁に沿ったウエハ２００の積載方向に延在している。ノズル２３０ｂおよびノズル２３０ｃの側面には、ガスを供給する多数のガス供給孔が設けられている。ガス供給孔は、下部から上部にわたってそれぞれ同一又は、大きさに傾斜を付けた開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。ノズル２３０ｂ及びノズル２３０ｃの上流端は、ガス供給管２３２ａの下流端に接続されている。ガス供給管２３２ａには、上流側から順に、キャリアガス源３００ａ、流量制御器（流量制御手段）としてのマスフローコントローラ２４１ａ及びバルブ３１０ａが設けられている。上記構成により、ガス供給管２３２ａを介して処理室２０１内へ供給するキャリアガスの供給流量、処理室２０１内のキャリアガスの濃度や分圧を制御することができる。
バルブ３１０ａ、マスフローコントローラ２４１ａには、後述するガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内へのキャリアガス供給の開始や停止、供給流量等を所定のタイミングにて制御するように構成されている。
主に、バルブ３１０ａ、マスフローコントローラ２４１ａ、ガス供給管２３２ａ、ノズル２３０ａにより、本実施形態に係るキャリアガス供給系が構成される。なお、キャリアガス源３００ａを含めてキャリアガス供給系と考えても良い。
（Ｔｉ原料ガス供給系）
マニホールド２０９の側壁には、原料ガス（金属含有ガス）の一例として例えばＴｉ原料（四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）やテトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4）、テトラキスジエチルアミノチタン（ＴＤＥＡＴ、Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ2ＣＨ3）2］4））を処理室２０１内に供給するノズル２３０ｂが、処理室２０１内に連通するように設けられている。ノズル２３０ｂは、例えば石英等により構成されている。ノズル２３０ｂは少なくとも１本設けられており、プロセスチューブ２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間で、プロセスチューブ２０３の内壁に沿ったウエハ２００の積載方向に延在している。ノズル２３０ｂの側面には、ガスを供給する多数のガス供給孔が設けられている。ガス供給孔は、下部から上部にわたってそれぞれ同一又は、大きさに傾斜を付けた開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。ノズル２３０ｂの上流端は、ガス供給管２３２ｂの下流端に接続されている。ガス供給管２３２ｂには、上流側から順に、Ｔｉ原料ガス源３００ｂ、流量制御器（流量制御手段）としてのマスフローコントローラ２４１ｂ及びバルブ３１０ｂが設けられている。上記構成により、処理室２０１内へ供給するＴｉ原料ガスの供給流量、処理室２０１内のＴｉ原料ガスの濃度や分圧を制御することができる。
バルブ３１０ｂ、マスフローコントローラ２４１ｂには、後述するガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内へのＴｉ原料ガス供給の開始や停止、供給流量等を所定のタイミングにて制御するように構成されている。
主に、バルブ３１０ｂ、マスフローコントローラ２４１ｂ、ガス供給管２３２ｂ、ノズル２３０ｂにより、本実施形態に係るＴｉ原料ガス供給系が構成される。なお、Ｔｉ原料ガス源３００ｂを含めてＴｉ原料ガス供給系と考えても良い。
（窒化原料ガス供給系）
マニホールド２０９の側壁には、改質原料（反応ガスまたはリアクタント）の一例として例えば窒化原料であるアンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、モノメチルヒドラジン（ＣＨ６Ｎ２）等のガスを処理室２０１内に供給するノズル２３０ｃが、処理室２０１内に連通するように設けられている。ノズル２３０ｃは、例えば石英等により構成されている。ノズル２３０ｃは少なくとも１本設けられており、プロセスチューブ２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間で、プロセスチューブ２０３の内壁に沿ったウエハ２００の積載方向に延在している。ノズル２３０ｃの側面には、ガスを供給する多数のガス供給孔が設けられている。ガス供給孔は、下部から上部にわたってそれぞれ同一又は、大きさに傾斜を付けた開口面積を有し、さらに同じ開口ピッチで設けられている。ノズル２３０ｃの上流端は、ガス供給管２３２ｃの下流端に接続されている。ガス供給管２３２ｃには、上流側から順に、不活性ガス源３００ｃ、流量制御器（流量制御手段）としてのマスフローコントローラ２４１ｃ及びバルブ３１０ｃが設けられている。上記構成により、処理室２０１内へ供給する窒素ガスの供給流量、処理室２０１内の窒素ガスの濃度や分圧を制御することができる。
バルブ３１０ｃ、マスフローコントローラ２４１ｃには、後述するガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内への不活性ガス供給の開始や停止、供給流量等を所定のタイミングにて制御するように構成されている。
主に、バルブ３１０ｃ、マスフローコントローラ２４１ｃ、ガス供給管２３２ｃ、ノズル２３０ｃにより、本実施形態に係る窒化原料ガス供給系が構成される。なお、窒素原料ガス源３００ｃを含めて窒素原料ガス供給系と考えても良い。
そして、主に、Ｔｉ原料ガス供給系、窒化原料ガス供給系及びキャリアガス供給系により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。
（排気系）
マニホールド２０９の側壁には、処理室２０１内を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、マニホールド２０９の側面部を貫通しており、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に連通している。排気管２３１の下流側（マニホールド２０９との接続側と反対側）には、上流側から順に、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４２、真空ポンプ２４６が設けられている。
圧力センサ２４５及びＡＰＣバルブ２４２には、後述する圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検知した圧力情報に基づいて、処理室２０１内の圧力が所定のタイミングにて所定の圧力（真空度）となるように、ＡＰＣバルブ２４２の開度を制御するように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４２は弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。
主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４２により、本実施形態に係る排気系が構成される。なお、真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えても良く、さらには、トラップ装置や除害装置を排気系に含めて考えても良い。
（シールキャップ）
マニホールド２０９の下端開口には、反応容器を気密に閉塞することが可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属により構成されており、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と接合するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に、反応容器の垂直方向下側から当接するように構成されている。
（回転機構）
シールキャップ２１９の下方（すなわち処理室２０１側とは反対側）には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設けられている。回転機構２５４が備える回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通するように設けられている。回転軸２５５の上端部は、ボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４を作動させることにより、ボート２１７及びウエハ２００を処理室２０１内で回転させることが可能に構成されている。
なお、回転軸２５５が処理ガスにより影響を受けにくくなるように、回転軸２５５の近傍に不活性ガスを流し、処理ガスから保護するようにしている。
（ボートエレベータ）
シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設けられた昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５を作動させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬入出（ボートロード或いはボートアンロード）させることが可能に構成されている。
回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、図示しない駆動制御部が電気的に接続されている。駆動制御部は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するように構成されている。
（コントローラ）
上述のガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７及び温度制御部２３８は、基板処理装置１０１全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。主に、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８及び主制御部２３９により、本実施形態に係る制御部としてのコントローラ２４０が構成されている。
コントローラ２４０は、基板処理装置１０１の全体の動作を制御する制御部（制御手段）の一例であって、マスフローコントローラ２４１ａ，２４１ｂ，２４１ｃの流量調整、バルブ３１０ａ，３１０ｂ，３１０ｃの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４２の開閉および圧力センサ２４５に基づく圧力調整動作、温度センサ２６３に基づくヒータ２０６の温度調整動作、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２５４の回転速度調節、ボートエレベータ１１５の昇降動作等をそれぞれ制御するようになっている。
以下に本発明の反応管について図面を用いて説明する。
＜半導体装置の製造方法＞
次に、上述の基板処理装置の処理炉２０２を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ；ＬＳＩ）を製造する際などに、基板上に絶縁膜を成膜する方法の例について説明する。
尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
［第１の実施形態］
本実施形態では、金属膜として窒化チタン膜を基板上に形成する方法について説明する。
まず原料ガスと反応ガスとを交互に供給して基板上に窒化チタン膜を形成する。
本実施形態では、チタン（Ｔｉ）含有原料として、ＴｉＣｌ4、窒化ガスとしてＮＨ3を用いる例について説明する。尚、この例では、第１のガス供給系によりチタン含有ガス供給系（第１の元素含有ガス供給系）が構成され、第２のガス供給系により窒素含有ガス供給系（第２の元素含有ガス供給系）が構成される。
図３は、本実施形態における制御フローの一例を示す。
まず、複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して反応管２０３の下端をシールした状態となる。
さらに、成膜プロセスでは、コントローラ２４０が、基板処理装置１０１を下記の通りに制御する。すなわち、ヒータ２０６を制御して処理室２０１内を例えば３００℃〜５５０℃の範囲の温度であって、好適には４５０℃以下、より好ましくは４５０℃に保持する。
その後、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填し、ボート２１７を処理室２０１に搬入する。その後、ボート２１７をボート駆動機構２５４により回転させ、ウエハ２００を回転させる。その後、真空ポンプ２４６を作動させるとともにＡＰＣバルブ２４２を開いて処理室２０１内を真空引きし、ウエハ２００の温度が４５０℃に達して温度等が安定したら、処理室２０１内の温度を４５０℃に保持した状態で後述するステップを順次実行する。
（ステップ１１）
ステップ１１では、ＴｉＣｌ4を流す。ＴｉＣｌ4は常温で液体であり、処理室２０１に供給するには、加熱して気化させてから供給する方法、図示しない気化器を使用してキャリアガスと呼ばれるＨｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ2（窒素）などの不活性ガスをＴｉＣｌ4容器の中に通し、気化している分をそのキャリアガスと共に処理室２０１へと供給する方法などがあるが、例として後者のケースで説明する。
ガス供給管２３２ｂにＴｉＣｌ4を、ガス供給管２３２ｂと接続されているキャリアガス供給管２３２ａにキャリアガス（Ｎ2）を流す。ガス供給管２３２ｂのバルブ３１０ｂ、ノズル２３０ｂに接続されるキャリアガス供給管２３２ａのバルブ３１０ａ、および排気管２３１のＡＰＣバルブ２４２のそれぞれを共に開ける。キャリアガスは、キャリアガス供給管２３２ａから流れ、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。ＴｉＣｌ4は、ガス供給管２３２ｂから流れ、マスフローコントローラ２４１ｂにより流量調整され、図示しない気化器により気化され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル２３０ｂのガス供給孔から処理室２０１内に供給されつつ排気管２３１から排気される。この時、ＡＰＣバルブ２４２を適正に調整して処理室２０１内の圧力を２０〜５０Ｐａの範囲であって、例えば３０Ｐａに維持する。マスフローコントローラ２４１ｂで制御するＴｉＣｌ4の供給量は１．０〜２．０ｇ／ｍｉｎである。ＴｉＣｌ4にウエハ２００を晒す時間は３〜１０秒間である。このときヒータ２０６の温度は、ウエハの温度が３００℃〜５５０℃の範囲であって、例えば４５０℃になるよう設定してある。
このとき、処理室２０１内に流しているガスは、ＴｉＣｌ4とＮ2、Ａｒ等の不活性ガスのみであり、ＮＨ3は存在しない。したがって、ＴｉＣｌ4は気相反応を起こすことはなく、ウエハ２００の表面や下地膜と表面反応（化学吸着）して、原料（ＴｉＣｌ4）の吸着層またはＴｉ層（以下、Ｔｉ含有層）を形成する。ＴｉＣｌ4の吸着層とは、原料分子の連続的な吸着層の他、不連続な吸着層をも含む。Ｔｉ層とは、Ｔｉにより構成される連続的な層の他、これらが重なってできるＴｉ薄膜をも含む。尚、Ｔｉにより構成される連続的な層をＴｉ薄膜という場合もある。
同時に、ガス供給管２３２ｃの途中につながっているキャリアガス供給管２３２ａから、バルブ３１０ａを開けて不活性ガスを流すと、ＮＨ3側にＴｉＣｌ4が回り込むことを防ぐことができる。
（ステップ１２）
ガス供給管２３２ｂのバルブ３１０ｂを閉めて処理室へのＴｉＣｌ4の供給を停止する。このとき排気管２３１のＡＰＣバルブ２４２は開いたままとし、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を２０Ｐａ以下となるまで排気し、残留ＴｉＣｌ4を処理室２０１内から排除する。このときＮ2等の不活性ガスを処理室２０１内へ供給すると、更に残留ＴｉＣｌ4を排除する効果が高まる。
（ステップ１３）
ステップ１３では、ＮＨ3を流す。ガス供給管２３２ｃにＮＨ3を、ガス供給管２３２ｃと接続されるキャリアガス供給管２３２ａにキャリアガス（Ｎ2）を流す。ガス供給管２３２ｃのバルブ３１０ｃ、キャリアガス供給管２３２ａのバルブ３１０ａ、および排気管２３１のＡＰＣバルブ２４２のそれぞれを共に開ける。キャリアガスは、キャリアガス供給管２３２ａから流れ、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。ＮＨ3は、ガス供給管２３２ｃから流れ、マスフローコントローラ２４１ｃにより流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル２３０ｃのガス供給孔から処理室２０１内に供給されつつ排気管２３１から排気される。ＮＨ3を流すときは、ＡＰＣバルブ２４２を適正に調節して処理室２０１内圧力を５０〜１０００Ｐａの範囲であって、例えば６０Ｐａに維持する。マスフローコントローラ３２２で制御するＮＨ3の供給流量は１〜１０ｓｌｍである。ＮＨ3にウエハ２００を晒す時間は１０〜３０秒間である。このときのヒータ２０６の温度は、３００℃〜５５０℃の範囲の所定の温度であって、例えば４５０℃になるよう設定してある。
同時に、ガス供給管２３２ｂの途中につながっているキャリアガス供給管２３２ａから、開閉バルブ３１０ａを開けて不活性ガスを流すと、ＴｉＣｌ4側にＮＨ3が回り込むことを防ぐことができる。
ＮＨ3の供給により、ウエハ２００上に化学吸着したＴｉ含有層とＮＨ3が表面反応（化学吸着）して、ウエハ２００上に窒化チタン膜が形成される。
（ステップ１４）
ステップ１４では、ガス供給管２３２ｃのバルブ３１０ｃを閉めて、ＮＨ3の供給を止める。また、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４２は開いたままにし、真空ポンプ２４６により、処理室２０１を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＮＨ3を処理室２０１から排除する。また、この時には、Ｎ2等の不活性ガスを、ＮＨ3供給ラインであるガス供給管２３２ｃおよびＴｉＣｌ4供給ラインであるガス供給管２３２ｂからそれぞれ処理室２０１に供給してパージすると、残留ＮＨ3を排除する効果が更に高まる。
上記ステップ１１〜１４を１サイクルとし、少なくとも１回以上行なうことによりウエハ２００上に所定膜厚の窒化チタン膜を成膜する。この場合、各サイクル中で、上記の通りに、ステップ１１におけるＴｉ含有原料ガスにより構成される雰囲気と、ステップ１３における窒化ガスにより構成される雰囲気の夫々の雰囲気が処理室２０１内で混合しないように処理することに留意する。
また、窒化チタン膜の膜厚は、サイクル数を制御して、１〜５ｎｍ程度に調整すると良い。このときに形成される窒化チタン膜は、表面が滑らか（スムーズ）であって且つ緻密な連続膜となる。
また、窒化チタン膜を形成した後、この窒化チタン膜に対して、窒素含有ガス、水素含有ガス、不活性ガス等を用いてアニール処理を行っても良い。
以下に、窒素含有ガスとしてＮＨ3を用いたアニール処理について説明する。
窒化チタン膜が形成されたウエハ２００をＮＨ3の雰囲気に晒すことにより窒化チタン膜の改質を行う。具体的には、ガス供給管２３２ｃにＮＨ3を、ガス供給管２３２ｃと接続されるキャリアガス供給管２３２ａにキャリアガス（Ｎ2）を流す。ガス供給管２３２ｃのバルブ３１０ｃ、ガス供給管２３２ｃと接続されるキャリアガス供給管２３２ａのバルブ３１０ａ、および排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３を共に開ける。キャリアガスは、キャリアガス供給管２３２ａから流れ、マスフローコントローラ２４１ａにより流量調整される。ＮＨ3は、ガス供給管２３２ｃから流れ、マスフローコントローラ２４１ｃにより流量調整され、流量調整されたキャリアガスを混合し、ノズル２３０ｃのガス供給孔から処理室２０１内に供給されつつ排気管２３１から排気される。
ＮＨ3を流すときは、ＡＰＣバルブ２４２を適正に調節して処理室２０１内圧力を５０〜１０００Ｐａの範囲であって、例えば１５０Ｐａに維持する。マスフローコントローラ３１０ｃで制御するＮＨ3の供給流量は１〜９１ｓｌｍである。ＮＨ3にウエハ２００を晒す時間は１〜１０分間である。このときのヒータ２０６の温度は、３００〜５５０℃の範囲の所定の温度であって、例えば４５０℃になるよう設定してある。このようにアニール時の温度を成膜時の温度と同じ温度に設定すると、より処理時間が短縮されスループットが向上する。同時に、ガス供給管２３２ｂの途中につながっているキャリアガス供給管２３２ａから、開閉バルブ３１０ａを開けて不活性ガスを流すと、ＴｉＣｌ4側にＮＨ3が回り込むことを防ぐことができる。
ＮＨ3の供給により、膜中に残留する塩素（Ｃｌ）を効率的に除去し、膜の高品質化を図ることが出来るという効果がある。ＮＨ3を用いた場合は、ＮＨ3のＨとＣｌが結合し、ＨＣｌとなって除去されると考えられる。
また交互供給法により窒化チタン膜を形成した後、この窒化チタン膜に対して、窒素含有ガス、水素含有ガス、不活性ガス等を用いてプラズマ処理を行っても良い。例えば窒素含有ガスとしてＮＨ3をプラズマで活性化（プラズマ励起）させて流すことで、よりエネルギーの高い反応物を生成することができ、この反応物により改質処理を行うことで、デバイス特性が向上する等の効果も考えられる。なお、ＮＨ3は熱で活性化させて供給した方が、ソフトな反応を生じさせることができ、上述の改質処理をソフトに行うことができる。
また、上述のアニール処理とプラズマ処理は同時に行っても良い。すなわち、上述のアニール時の温度にヒータ２０６を設定しつつ、例えばＮＨ3をプラズマで活性化させて流すことにより、窒化チタン膜に対して処理を行う。ただし、アニール時の温度にヒータ２０６を保ち、熱エネルギーによりＮＨ3を活性化させる時間と、プラズマによりＮＨ3を活性化させる時間は同じ長さである必要はない。
なお、アニール処理及びプラズマ処理の少なくとも一方に用いるガスは、窒素含有ガス、水素含有ガス、不活性ガス等であればよく、窒素含有ガスとしては例えばＮ2、ＮＨ3もしくはモノメチルヒドラジン（ＣＨ6Ｎ2）等を用いることができ、水素含有ガスとしては例えばＨ2等を用いることができ、不活性ガスとしては例えばアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）等を用いることができる。Ｎ2、ＮＨ3を用いる場合は成膜工程で使用されるガス種であるので、新たにガスを供給するための機構を設ける必要がないため、より好ましい。
以下に本発明の基板処理装置の処理炉について、図４、図５を用いて、更に詳述する。図４の（ａ）は、本発明の一実施形態におけるインナーチューブ、アウターチューブを透過した反応管を示す図である。（ｂ）は、図４（ａ）にノズル、ウエハ、断熱板を設けた場合の反応管を示す図である図５は、インナーチューブ２０４の斜視図である。
本発明における、プロセスチューブ２０３は、インナーチューブ２０４と、アウターチューブ２０５から主に構成されている。インナーチューブ２０４には、基板配列された領域の高さ方向に第一のスリット３０１と、基板配列領域の下方領域（断熱板２１６の載置されている領域）に第二のスリット３０２が開口されている。第一のスリット３０１の開口部は、開口中心角度が６０度から９０度であることが好ましい。第二のスリット３０２は第一のスリット３０１より小さい開口面積を有している。第二のスリット３０２の開口形状は長方形となっているが、円形でも良いし、多角形でも良い。
図６は、処理室２０１内に供給された各種ガスがスリット３０１を通り、排気菅２３１から排出される様子を示したものである。ノズル２３０ｂ、２３０ｃ等から供給された各種ガスは、積層された複数のウエハ２００間を通過し、スリット３０１（開口角度θが６０度から９０度が好ましい）からインナーチューブ２０４外へ排出される。インナーチューブ２０５から排出された処理ガス３０３は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５の間を通り、インナーチューブ２０４の外壁及びアウターチューブ２０５の内壁に沿って回り込み、排気菅２３１より処理炉から排出される。しかしながら、この時、全ての処理ガスがウエハ２００間を通り、スリット３０１からインナーチューブ２０４外に排出されるものではない。上手くウエハ２００間を通らず、特にノズル側のウエハ２００とインナーチューブ２０４との間の広い隙間からからインナーチューブ２０４の下部方向に流れ落ちてしまうガスもある。
この流れ落ちてしまうガスの流れ落ちの強さは前述したウエハ２００とインナーチューブ２０４との間のギャップが狭い方が強くなる。スリットが一つで、インナーチューブ２０４の上部から下部までスリットがつながっている、ストレートスリットの場合、供給されたガスの流れ落ちの強さが一番強くなる。これに対し、このスリットが基板配列領域のみに設けられている場合、または、第一のスリット３０１が基板配列領域に設けられ、第二のスリット３０２が下部領域（断熱領域）に設けられ、かつ第二のスリット３０２を全閉（フルクローズ）とした場合は、この流れ落ちの強さが弱まる傾向にある。
しかしながら、第二のスリット３０２をフルクローズした場合、図示しないガス供給ノズルから回転軸２５５をガスから保護するための不活性ガスが断熱領域に供給されているため（回転軸パージ）、この不活性ガスは第一のスリット３０１の下部分から排気されることとなる。このため、回転軸パージを目的として用いられる不活性ガスと基板処理時の原料ガスとが混合されることとなり、その結果、基板配列領域の下段領域に載置されているプロダクトウエハの原料ガス濃度を下げてしまうというデメリットが生じた。したがって、ガスの流れ落ち強さを抑制するためには、第二のスリット３０２はフルクローズした方が良いが、フルクローズとした場合は、回転軸パージガスの影響が出てしまう。そこで、本発明においては、第二のスリット３０２を少し開けることとした。
流れ落ちガスの流速と第二のスリット３０２（下部開口）の等価直径（ある直径の円の面積に相当するスリット開口面積）との関係を図７に示す。
図７によると、Ｇａｐ（半導体ウエハの周縁部と反応管の内壁との距離）が１３ｍｍの場合とＧａｐ２０ｍｍの場合では、Ｇａｐの狭いＧａｐ１３ｍｍの方がガス流れ落ちの流速が速いことが分かる。また、Ｇａｐ１３ｍｍの場合も、Ｇａｐ２０ｍｍの場合も、下部開口（第二のスリット３０２）の等価直径が約５０ｍｍにおいて、ガス流れ落ちの流速はほぼ上限となっている。このことから、Ｇａｐの大きさにかかわらず、下部開口（第二のスリット）の等価直径はある程度の大きさでガス流れ落ち流速は上限となるということが分かる。換言すると、下部開口はある程度の開口面積で、ガス流れ落ち流速は上限となるという傾向があることが理解できる。
このように、インナーチューブ２０４の側面の基板の配列された領域に第一のスリット３０１を設け、この第一のスリット３０１の下方である、断熱板の配列された、下部領域に第一のスリット３０１より開口面積の小さい第二のスリット３０２を設けた。
このような構造とすることにより、ウエハ上への原料供給効率を改善するとともに、膜厚、膜質、電気特性均一性を向上させる。また、下部領域における原料ガスの澱みが解消され、回転軸パージに用いられた不活性ガスも効率よく処理炉外に排出することができる。
また、交互供給法による窒化チタン膜の膜厚は、サイクル数を制御して、１〜５ｎｍ程度に調整すると良い。このときに形成される窒化チタン膜は、表面が滑らか（スムーズ）であって且つ緻密な連続膜となる。
また、交互供給法により窒化チタン膜を形成した後、この窒化チタン膜に対して、不活性ガスであるアルゴン（Ａｒ）やヘリウム（Ｈｅ）等を用いてアニール又はプラズマ処理を行なっても良い。
さらに、窒素原子を含むガスとして、Ｎ2、ＮＨ3もしくはモノメチルヒドラジン（ＣＨ6Ｎ2）等を用いて窒化チタン膜をアニール又はプラズマ処理しても良い。
さらに、水素原子を含むガスとして、Ｈ2等を用いて窒化チタン膜をアニール又はプラズマ処理しても良い。
本発明によれば、例えば基板温度４５０℃にて、表面がスムーズで緻密な抵抗率の低い窒化チタン膜を、より高速で形成することができる。
また、低温で高品質の薄膜を形成することが可能となるため、サーマルバジェットの低減が可能となる。
さらに、交互供給法で形成される膜を、例えば窒化チタン膜と窒化アルミニウム膜のように組成の異なるラミネート上の極薄膜積層膜と、ラミネート膜のうちの少なくとも一つの構成膜と同一の組成を持つ薄膜の、両者から成る積層膜を良質かつ高い生産性で提供することが可能となる。
また、実施例としてＴｉＣｌ4及びＮＨ3を用いた窒化チタン膜の形成について説明したが、これに限らず、ＳｉＯｘ膜をはじめとする、他の膜種であっても適用可能である。
［本発明の好ましい態様］
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
（付記１）
本発明の一態様によれば、
内部で所定の原料ガスを反応させて複数の基板を処理する処理室を形成する反応管であって、
前記反応管は、円筒状に形成されて上端が閉塞し、下端が開口しているアウターチューブと、
前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブと、
を有する反応管が提供される。
（付記２）
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブで構成される反応管と、
前記反応管内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガスを排気するガス排気部と、
を有する基板処理装置が提供される。
（付記３）
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブで構成される反応管に複数の基板を搬送する工程と、
前記反応管内に所定の処理ガスを供給して前記複数の基板を処理する工程と、
前記所定の処理ガスを前記インナーチューブに設けられた前記排気スリットを介して排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。
（付記４）
本発明の他の態様によれば、
複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブで構成される反応管に複数の基板を搬送する工程と、
前記反応管内に所定の処理ガスを供給して前記複数の基板を処理する工程と、
前記所定の処理ガスを前記インナーチューブに設けられた前記排気スリットを介して排気する工程と、
を有する基板処理方法が提供される。
（付記５）
前記基板配列領域に設けられた排気スリットと、前記基板配列領域よりも下方の領域に設けられた排気スリットはそれぞれ離間して設けられる付記１〜４に記載の反応管、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法が提供される。
（付記６）
前記基板配列領域に設けられた排気スリットは、開口中心角が６０度〜９０度である付記１〜５に記載の反応管、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法が提供される。
（付記７）
前記基板配列領域よりも下方の領域に設けられた排気スリットは、前記基板配列領域に設けられた排気スリットよりも開口面積が小さくなるように設けられる付記１〜６に記載の反応管、基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法が提供される。
１０１ 基板処理装置
２００ ウエハ
２０１ 処理室
２０２ 処理炉
２０３ 反応管
２０４ インナーチューブ
２０５ アウターチューブ
２０６ ヒータ
２１７ ボート
２１８ ボート支持台
２３１ 排気管
２４２ バルブ
２４６ 真空ポンプ
２５４ ボート回転機構
２４０ コントローラ
３０１ 第一のスリット
３０２ 第二のスリット

Claims (6)

  1. 内部で所定の原料ガスを反応させて複数の基板を処理する処理室を形成する反応管であって、
    前記反応管は、円筒状に形成されて上端が閉塞し、下端が開口しているアウターチューブと、
    前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブと、
    を有し、
    前記基板配列領域よりも下方の領域に設けられた前記排気スリットは、少なくとも前記基板配列領域の下段領域に流れ落ちた前記原料ガスの影響を抑制し、前記基板配列領域よりも下方の領域に対して供給された不活性ガスを排気するように設けられる反応管。
  2. 前記不活性ガスは、少なくとも前記基板を保持する基板保持具の軸を前記原料ガスから保護するために供給される不活性ガスを含む請求項１に記載の反応管。
  3. 前記基板配列領域に設けられた排気スリットは、開口中心角が６０度〜９０度である請求項１又は２に記載の反応管。
  4. 内部で所定の原料ガスを反応させて複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ有し、前記基板配列領域よりも下方の領域に設けられた前記排気スリットは、少なくとも前記基板配列領域の下段領域に流れ落ちた前記原料ガスの影響を抑制し、前記基板配列領域よりも下方の領域に対して供給された不活性ガスを排気するように設けられたインナーチューブで構成される反応管と、
    前記反応管内に前記原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
    前記原料ガスを排気するガス排気部と、
    を有する基板処理装置。
  5. 内部で所定の原料ガスを反応させて複数の基板を処理する処理室を形成し、円筒状に形成されて上端が閉塞し下端が開口しているアウターチューブと、前記アウターチューブの内部に設けられ、前記原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ有し、前記基板配列領域よりも下方の領域に設けられた前記排気スリットは、少なくとも前記基板配列領域の下段領域に流れ落ちた前記原料ガスの影響を抑制し、前記基板配列領域よりも下方の領域に対して供給された不活性ガスを排気するように設けられたインナーチューブで構成される反応管内に複数の基板を搬送する工程と、
    前記反応管内に前記原料ガスを供給して前記複数の基板を処理する工程と、
    前記原料ガスを前記インナーチューブに設けられた前記排気スリットを介して排気する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
  6. 内部で所定の原料ガスを反応させて複数の基板を処理する処理室を形成する反応管であって、
    前記反応管は、円筒状に形成されて上端が閉塞し、下端が開口しているアウターチューブと、
    前記アウターチューブの内部に設けられ、前記所定の原料ガスを排気する排気スリットを前記複数の基板が配列された基板配列領域と基板配列領域よりも下方の領域のそれぞれに少なくとも１つ設けたインナーチューブと、
    を有し、
    前記基板配列領域に設けられた排気スリットは、開口中心角が６０度〜９０度となるように構成される反応管。
JP2014060039A 2014-03-24 2014-03-24 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 Active JP6270575B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014060039A JP6270575B2 (ja) 2014-03-24 2014-03-24 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR1020150040153A KR101814243B1 (ko) 2014-03-24 2015-03-23 반응관, 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
US14/665,781 US9412582B2 (en) 2014-03-24 2015-03-23 Reaction tube, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014060039A JP6270575B2 (ja) 2014-03-24 2014-03-24 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015183224A JP2015183224A (ja) 2015-10-22
JP2015183224A5 JP2015183224A5 (ja) 2016-11-10
JP6270575B2 true JP6270575B2 (ja) 2018-01-31

Family

ID=54142793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014060039A Active JP6270575B2 (ja) 2014-03-24 2014-03-24 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9412582B2 (ja)
JP (1) JP6270575B2 (ja)
KR (1) KR101814243B1 (ja)

Families Citing this family (326)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
WO2016042663A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
TWI642137B (zh) * 2015-08-04 2018-11-21 日商日立國際電氣股份有限公司 Substrate processing apparatus, reaction container, and manufacturing method of semiconductor device
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
WO2017138087A1 (ja) 2016-02-09 2017-08-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
JP6710130B2 (ja) * 2016-09-13 2020-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
CN110121764B (zh) * 2017-02-15 2024-10-25 株式会社国际电气 衬底处理装置、反应管、半导体器件的制造方法及程序
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
KR101910085B1 (ko) * 2017-06-08 2018-10-22 주식회사 유진테크 기판처리장치
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP6894521B2 (ja) * 2017-09-25 2021-06-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、石英反応管、クリーニング方法並びにプログラム
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
EP3737779A1 (en) 2018-02-14 2020-11-18 ASM IP Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) * 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11127607B2 (en) * 2019-11-11 2021-09-21 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Heat processing system
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
RU198545U1 (ru) * 2020-02-26 2020-07-15 Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон" Устройство для соединения полупроводниковых пластин
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP2022047594A (ja) 2020-09-14 2022-03-25 キオクシア株式会社 基板処理装置および半導体装置の製造方法
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH021116A (ja) * 1988-03-09 1990-01-05 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JP4282539B2 (ja) * 2004-04-28 2009-06-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2007158358A (ja) * 2006-12-27 2007-06-21 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4645616B2 (ja) * 2007-03-30 2011-03-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP2010258265A (ja) 2009-04-27 2010-11-11 Koyo Thermo System Kk 熱処理装置
JP5545061B2 (ja) * 2010-06-18 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び成膜方法
JP5541223B2 (ja) * 2010-07-29 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜方法及び成膜装置
JP5589878B2 (ja) 2011-02-09 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP6105967B2 (ja) 2012-03-21 2017-03-29 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
KR20140081067A (ko) * 2012-12-21 2014-07-01 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9412582B2 (en) 2016-08-09
KR20150110419A (ko) 2015-10-02
JP2015183224A (ja) 2015-10-22
US20150270125A1 (en) 2015-09-24
KR101814243B1 (ko) 2018-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6270575B2 (ja) 反応管、基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP5774822B2 (ja) 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
TWI437635B (zh) 半導體裝置的製造方法、及基板處理裝置
JP5787488B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
TWI483313B (zh) 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
KR100961594B1 (ko) 기판 처리 장치
JP4361932B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US20220157628A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate suppport and method of manufacturing semiconductor device
CN115132560A (zh) 反应管、处理装置、和半导体装置的制造方法
JP2011222677A (ja) 基板処理装置
JP4563113B2 (ja) シリコン酸化膜の形成方法、半導体デバイスの製造方法および基板処理装置
JP2009123950A (ja) 基板処理装置
JP2006066557A (ja) 基板処理装置
JP7387685B2 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、プログラム、および基板処理装置
TWI769629B (zh) 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及程式
JP2010118441A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008227163A (ja) 基板処理装置
JP2011222656A (ja) 基板処理装置
JP2009200298A (ja) 基板処理装置
JP2009130108A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2007227470A (ja) 基板処理装置
JP2007227804A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013089833A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2010080728A (ja) 基板処理装置
JP2005197541A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160926

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160926

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170614

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170809

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170823

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171120

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20171128

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171221

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6270575

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250