JP6262551B2 - Optical module - Google Patents
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Description
本発明は、例えば、スーパーコンピュターまたはサーバー・ルータ等に用いられる光装置用基板を備えた光モジュール等に関するものである。
The present invention is, for example, to an optical module or the like having an optical device for board used in super Konpyuta or server such as a router.
近年、情報分野における技術発展に伴うIPトラフィックまたは情報処理量の増加によって、大容量かつ高速のデータ伝送が行なわれるようになってきた。それに伴って、電子機器間または電子機器内のモジュールにおける配線の集積化が要求されており、ノイズ対策等の課題も顕在化してきた。また、近年、省エネルギー化の流れから、例えば、データセンタに設けられるサーバ等の電子機器における消費電力の低減が求められている。そこで、電子機器内に設けられた複数の素子間の配線部品として従前の電気配線に代えて光配線を有する光モジュールが用いられるようになっている。 2. Description of the Related Art In recent years, large-capacity and high-speed data transmission has been performed due to an increase in IP traffic or information processing amount accompanying technological development in the information field. Along with this, integration of wiring between electronic devices or in modules within electronic devices has been demanded, and problems such as noise countermeasures have become apparent. In recent years, reduction in power consumption in electronic devices such as servers provided in a data center has been demanded from the trend of energy saving. In view of this, an optical module having an optical wiring instead of the conventional electric wiring is used as a wiring component between a plurality of elements provided in the electronic device.
光装置用基板を含む光モジュールは、半導体回路素子および光素子が実装される基板を含んでおり、基板には、光素子が光信号を送受信するために、光導波構造が設けられている(例えば、特許文献1を参照)。 An optical module including an optical device substrate includes a semiconductor circuit element and a substrate on which the optical element is mounted, and the substrate is provided with an optical waveguide structure for the optical element to transmit and receive optical signals ( For example, see Patent Document 1).
しかしながら、上述の光モジュールは、半導体回路素子と光素子とが近接して設けられており、半導体回路素子は動作時における発熱量が多く、半導体回路素子から発生した熱によって光素子の動作特性が低下しやすいという問題点があった。 However, the above-mentioned optical module is provided with the semiconductor circuit element and the optical element close to each other, and the semiconductor circuit element generates a large amount of heat during operation, and the operation characteristics of the optical element are caused by the heat generated from the semiconductor circuit element. There was a problem that it was easily lowered.
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体回路素子か
ら発生した熱を絶縁基体の下面側に位置する光素子に伝導しにくくすることによって、光素子への熱の伝導を抑制することができる光モジュールを提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to make it difficult to conduct heat generated from a semiconductor circuit element to an optical element located on the lower surface side of an insulating substrate. to provide an optical module that Ru can be suppressed in heat conduction.
本発明の一態様に係る光モジュールは、上面側に光導波路を有する実装基板と、該実装基板に実装されており、上面側に搭載領域を有し、平面視において前記搭載領域に重ならないように下面側に設けられた、凹部を有する絶縁基体を備えている光装置用基板と、前記搭載領域に搭載された半導体回路素子と、前記絶縁基体との間に空隙部ができるように前記凹部の内部に配置されて前記半導体回路素子に電気的に接続され、平面視において前記光導波路に重なるように前記実装基板の上面に搭載されるとともに前記光導波路に光学的に結合された光素子とを備えていることを特徴とするものである。
An optical module according to an aspect of the present invention has a mounting substrate having an optical waveguide on the upper surface side, and is mounted on the mounting substrate, has a mounting region on the upper surface side, and does not overlap the mounting region in plan view. The concave portion is formed so that a gap is formed between the substrate for an optical device provided with an insulating base having a concave portion provided on the lower surface, the semiconductor circuit element mounted in the mounting region, and the insulating base. An optical element disposed inside and electrically connected to the semiconductor circuit element , mounted on the upper surface of the mounting substrate so as to overlap the optical waveguide in plan view, and optically coupled to the optical waveguide; It is characterized by having.
本発明の光モジュールによれば、半導体回路素子から発生した熱を絶縁基体の下面側に位置する光素子に伝導しにくくすることによって、光素子への熱の伝導を抑制することができる。
According to the optical module of the present invention , heat conduction to the optical element can be suppressed by making it difficult to conduct heat generated from the semiconductor circuit element to the optical element located on the lower surface side of the insulating base.
以下、本発明の実施形態に係る光装置用基板2および光モジュール1について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。また、光モジュール1は、説明の便宜上、直交座標系XYZを定義するとともに、Z方向の正側を上方として、上面(上面側)もしくは下面(下面側)の語を用いるものとする。
Hereinafter, an optical device substrate 2 and an
また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。 In the description of the embodiments and the like, components that are the same as or similar to those already described may be assigned the same reference numerals and descriptions thereof may be omitted.
<実施の形態1>
本発明の第1の実施の形態(実施の形態1という)に係る光装置用基板2および光モジュール1装置について、図1を参照しながら以下に説明する。
<
An optical device substrate 2 and an
図1(a)および(b)に示すように、光モジュール1は、上面側に光導波路8を有する実装基板7と、平面視において光導波路8に重なるように実装基板7の上面に搭載されるとともに、光導波路8に光学的に結合された光素子5と、実装基板7の上面側に設けられた、上面に半導体回路素子3が搭載される搭載領域3aを有するとともに、平面視において下面に搭載領域3aに重ならないように設けられた、半導回路体素子3に電気的に接続される光素子5が内部に配置される凹部4を有する絶縁基体2aと、搭載領域3aに搭載されるとともに、光素子5に電気的に接続された半導体回路素子3と、を備えている。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the
図1(b)に示すように、電気信号の経路は実線の矢印によって模式的に示されており、また、光信号の矢印は破線によって模式的に示されている。図1では、半導体回路素子3から出力された電気信号に基づいて光素子5から光信号が出力される構成について例示しているが、このような構成に限らない。本実施形態における技術的工夫は、光導波路8から光素子5に光信号が伝送される例においても適用することができる。すなわち、光素子5による受光信号に基づいて半導体回路素子3に電気信号が入力される構成であれば、電気信号および光信号の進行方向は、図1に示している進行方向の矢印の向きとは逆方向となる。なお、絶縁基体2aは、上面を2a1、下面を2a2として図示している。また、光素子5は、光導波路8との結合面側から光信号が出力される、または、結合面側に光信号が入力されるものである。
As shown in FIG. 1B, the path of the electric signal is schematically indicated by a solid arrow, and the arrow of the optical signal is schematically indicated by a broken line. In FIG. 1, the configuration in which the optical signal is output from the
実施の形態1に係る光装置用基板2は、図1に示すような構成であり、絶縁基体2aは、上面2a1側に半導体回路素子3が搭載される搭載領域3aを有しており、平面視において搭載領域3aに重ならないように下面2a2側に凹部4が設けられている。凹部4の内部には、光素子5が配置され、光素子5は半導体回路素子3に電気的に接続される。また、絶縁基体2aは、一辺の長さが、例えば、3(mm)〜10(mm)であり、厚みが
、例えば、0.5(mm)〜1.0(mm)である。
The optical device substrate 2 according to the first embodiment has a configuration as shown in FIG. 1, and the
また、搭載領域3aは、絶縁基体2aの上面2a1に設けられており、搭載領域3aの大きさは、半導体回路素子6の大きさに相当しており、半導体回路素子3の大きさに応じて適宜設定される。
The
また、光装置用基板2は、絶縁基体2aの上面に第2凹部(図示せず)を設けて、この第2凹部の底面に搭載領域3aが設けられていてもよい。この場合には、半導体回路素子3は、凹部の底面の搭載領域3aに搭載されることになる。光装置用基板2は、半導体回路素子3が第2凹の底面の搭載領域3aに搭載されることになるので、半導体回路素子3に対する保護性を向上させることができる。
Further, the optical device substrate 2 may be provided with a second recess (not shown) on the upper surface of the
また、実装基板7において光導波路8とは反対側の領域に切り欠き部、すなわり、段差部を設けて、絶縁基体2aのZ方向の厚みを大きくすることによって、絶縁基体2aの一部を切り欠き部設けてもよい。なお、絶縁基体2aの一部とは、図1において凹部4の左側の部分である。このような構成にすることによって、光装置用基板2は、光素子5に対する距離が長くなり、半導体回路素子3から発生する熱を光素子5に伝導しにくくすることができる。
Further, a part of the
図1において、絶縁基体2aの凹部4は、6個の光素子5が配置可能な大きさで絶縁基体2aに設けられている。図1では、光素子4は、凹部4の内部に6個配置されているが、このような構成に限らない。光素子5は、例えば、凹部4の内部に9個、あるいは、12個配置されていてもよい。すなわち、光素子5は、光モジュールの用途等に応じて配置される個数は適宜設定される。このように、凹部4は、大きさが内部に配置される光素子5の大きさまたは個数等に応じて適宜設定されるが、例えば、X方向の長さが、300(μm)〜400(μm)、Y方向の長さが、2800(μm)〜3000(μm)である。また、凹部4は、深さが、例えば、50(μm)〜100(μm)である。
In FIG. 1, the
また、光装置用基板2は、絶縁基体2aと、配線導体層6とを含んでいる。配線導体層6は絶縁基体2aの内部または表面に設けられている。配線導体層6は、ビア導体と配線導体とを含んで構成されており、図1(b)に示すように、ビア導体は絶縁基体2aに対して垂直方向(Z方向)に形成されており、配線導体は絶縁基体2aに対して水平方向(XY面内)に形成されている。また、配線導体層6が絶縁基体2aの表面(下面2a2)には形成されており、この配線導体層6は実装基板7と電気的に接続される。また、配線導体層6が絶縁基体2aの表面(上面2a1)には形成されており、この配線導体層6は半導体回路素子3に電気的に接続される。
The optical device substrate 2 includes an
また、複数の配線導体層6は、図1に示すように、半導体回路素子3の搭載領域3aから絶縁基体2aの下面2a2側にかけて、ビア導体と配線導体との組み合わせでもって設けられている。また、複数の配線導体層6は、例えば、絶縁基体2aがセラミックス材料からなる場合には、絶縁基体2aとともに焼成されたメタライズ層で形成される。
Further, as shown in FIG. 1, the plurality of wiring conductor layers 6 are provided by a combination of via conductors and wiring conductors from the mounting
また、配線導体層6は、絶縁基体2aの内部に接地電極層(グランド電極層)を設けることで、接地電極層(グランド電極層)に挟まれるストリップ配線構造にすることができる。したがって、このような構造にすることによって、絶縁基体2a内に電磁界を閉じ込めることができるので、高速電気信号の伝送損失を抑制することができる。
Further, the
例えば、絶縁基体2aの表面に表層配線導体層を設ける構造の場合には、外部からの電磁界の影響を受けやすくなるので、光装置用基板2は、上述したように、接地電極層で遮蔽されたストリップ配線構造にすることが好ましい。また、絶縁基体2aは、例えば、ア
ルミナまたはアルミナにガラスを混ぜて焼成温度を低温化させた低温同時焼成セラミックス(LTCC)等のセラミックスの絶縁材料からなる。また、光装置用基板2は、多層構造の基板であってもよい。
For example, in the case of a structure in which a surface wiring conductor layer is provided on the surface of the insulating
また、配線導体層6は、絶縁基体2aの内部および表面部に設けられており、絶縁基体2aの内部に設けられた配線導体層6は、絶縁基体2aの表面部(下面2a2)に設けられた配線導体層6に印加された電気信号を半導体回路素子6へ伝送するものであり、また、半導体回路素子6から出力された電気信号を絶縁基体2aの表面部に設けられた配線導体層6へ伝送するものである。さらに、配線導体層6は、電源電圧用の配線導体および接地電圧用の配線導体を含んでいる。なお、電源電圧用の配線導体はおよび接地電圧用の配線導体は、絶縁基体2aの下面2a2の複数の配線導体層6に印加された電源電圧および接地電圧を半導体回路素子6に印加するものである。
Further, the
実装基板7は、図1に示すように、光導波路8を有しており、光導波路8は、例えば、コア部(図示せず)およびクラッド部(図示せず)を含む構造を有している。コア部およびクラッド部は、例えば、ガラスまたはポリマー樹脂等からなり、互いに異なる光屈折率を有している。また、コア部は、クラッド部によって覆われており、クラッド部よりも大きな光屈折率を有している。
As shown in FIG. 1, the mounting
また、光導波路8は、図1(b)に示すように、伝送される光信号の進路方向を変換する光路変換部8aをさらに有している。光路変換部8aは、例えば、コア部およびクラッド部の延在方向に対して約45°の角度を持つ傾斜面となっており、光の進行方向を変えるものである。光路変換部8aは、傾斜面に、例えば、光を反射し得る金属層が形成されている場合がある。
Further, as shown in FIG. 1B, the
また、光路変換部8aは、例えば、ホウケイ酸ガラス等のガラスに鏡面研磨加工を用いて、反射面を45度に傾斜させたものである。この反射面には、金またはアルミニウム等の金属材料が、あるいは、SiO2またはTa2O5等からなる誘電体多層膜がスパッタリング法または蒸着法等を用いて形成されている。
In addition, the optical
また、実装基板7は、絶縁体と、配線層9と、配線導体(図示せず)とを含んで構成されている。配線層9は絶縁体の表面部に設けられており、光装置用基板2との実装に用いられるものである。また、配線導体は絶縁体の内部に設けられており、配線層9に電気的に接続されるものである。また、配線層9は、図1に示すように、一例として、絶縁体の表面部に設けられており、半導体回路素子3と光素子5とを電気的に接続している。
Further, the mounting
また、配線層9は、絶縁体の内部または表面部に複数設けられており、半導体回路素子3へ入力される電気信号または半導体回路素子3から出力された電気信号が伝送されるものであり、また、半導体回路素子3に印加される電源電圧および接地電圧が供給されるものである。実装基板1の絶縁体は、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる絶縁材料である。
In addition, the
光素子5が、例えば、後述する外部共振器型垂直面発光レーザである場合には、光路変換部8aは、光素子5からの出射光軸と45度をなしており、光路変換部8aによって光の通路が90度曲げられる。光素5からの光は、光導波路8に入射され、光路変換部8aで方向を90度曲げられ、光導波路8のコア部に入射される。また、光素子5が、後述するフォトダイオードである場合には、光導波路8からの光は、光路変換部8aで方向を90度曲げられ、光素子5に入射される。
When the
半導体回路素子3は、送信機能を有する場合は、例えば、ドライバ回路素子であり、ま
た、受信機能を有する場合は、例えば、レシーバ回路素子(TIA:Trans Impedance Amplifier)である。半導体回路素子3は、図1に示すように、絶縁基体2aにおける搭載
領域3aに実装されており、複数の配線導体層6に電気的に接続されている。また、半導体回路素子3は、絶縁基体2aの搭載領域3aにフリップチップ方式を用いて実装されている。
The
光素子7は、送信機能を有する場合は、例えば、外部共振器型垂直面発光レーザ(VCSEL:Vertical Cavity Surface Emitting LASER)であり、また、受信機能を有する場合は、例えば、フォトダイオード(PD)である。光素子5は、平面視において光導波路8に重なるように実装基板7の上面に搭載され、光導波路8に光学的に結合されている。すなわち、光素子5は、図1に示すように、実装基板7の上面に搭載され、例えば、接着性を有する樹脂材料を介して実装基板7の光導波路8に光学的に結合するように実装されている。このように、光素子5は、接着性を有する樹脂材料を介して光導波路8に実装されるので、光導波路8との距離が短くなり、さらに、光路を直線的にすることができる。これによって、光モジュール1は伝送損失を抑制することができる。
When the
光装置用基板2は、実装基板7上の光素子5に対して絶縁基体2aの凹部4を位置合わせして、凹部4の内部に光素子5が配置されるように実装基板7に実装される。光装置用基板2と実装基板7とは、例えば、絶縁基体2aの下面2a2の配線導体層6に付着された半田ボール(半田バンプ)を介して実装されており、これによって光装置用基板2と実装基板7とが電気的に接続される。
The optical device substrate 2 is mounted on the mounting
また、光素子5は、配線層9に電気的に接続されるとともに、実装基板7の光導波路8に光学的に結合される。また、光素子5はフリップチップ方式を用いて実装基板7に実装されていてもよい。
The
光装置用基板2は、平面視において半導体回路素子3と光素子5とが重ならないように配置されるので、絶縁基体2aの上面側に設けられた半導体回路素子3から発生する熱が、絶縁基体2aの下面側に設けられた光素子5に対して伝導しにくくなる。これによって、光装置用基板2は、光モジュール1における光素子5の動作特性の低下を抑制することができる。
Since the optical device substrate 2 is arranged so that the
また、光装置用基板2は、絶縁基体2aの凹部4の空間が低熱伝導となるので、半導体回路素子3から発生する熱を光素子5に伝導しにくくすることができる。これによって、光装置用基板2は、半導体回路素子3から発生する熱を絶縁基体2aの下面2a2方向から実装基板7を介して効果的に放熱することができる。したがって、実施の形態1に係る光装置用基板2を備えた光モジュール1は、光素子5の動作特性を向上させることができる。
In addition, since the space of the
また、光装置用基板2は、絶縁基体2aを間に挟んで半導体回路素子3と光素子5とが上下方向にそれぞれ搭載されるような構成を有しており、さらに、半導体回路素子3と光素子5とが平面視において近接するとともに、互いに重ならないような構成を有している。したがって、光装置用基板2は、半導体回路素子3と光素子5との間の電気的な配線の配線長が長くなるのを抑制することができる。すなわち、半導体回路素子3と光素子5との間の電気的な配線の配線長を短くすることができるので、光装置用基板2は、光モジュール1の電気特性の低下を抑制することができる。
The optical device substrate 2 has a configuration in which the
また、絶縁基体2aは内部には配線導体層6が設けられており、この配線導体層6は半導体回路素子3と光素子5とを電気的に接続しており、特に、光素子5側に設けられる配線導体層6が半導体回路素子3から発生する熱の放熱経路となり、この配線導体層6を介
して半導体回路素子3から発生する熱を効果的に実装基板7に伝導させることができるので、光装置用基板2は、光素子5の動作特性の低下を抑制することができる。
Further, the insulating
光素子5は、実装基板7に接着性を有する樹脂材料を介して実装されるので、光素子5と光導波路8との距離を限りなく小さくすることができる。これによって、光素子5は光信号を光導波路に直接入射させることができる。また、光素子5は光導波路8から光信号が直接入射される。したがって、光モジュール1は光学的な損失を抑制することができる。このように、光素子5と光導波路8との距離を限りなく小さくすることによって、光素子5と光導波路8との間に、いわゆる、光スルーホール部が存在しなくなくなり、光モジュール1は、光学的な損失が抑制される。
Since the
また、絶縁基体2aの凹部4は、実装基板7に設けられた光素子5の上面と絶縁基体2aとの間に空隙部ができるような深さを有している。絶縁基体2aと光素子5の上面との間に、このような空隙部を有することによって、空隙部が低熱伝導となるので、光素子5は絶縁基体2aからの伝熱が抑制される。
The
また、絶縁基体2aの凹部4は、凹部の深さが光素子5の高さ(光素子5の厚み)よりも深くなるように設けることが好ましい。このように、絶縁基体2aは、凹部4の深さを光素子5の高さよりも深くすることによって、光素子5を凹部4の内部に収めることができる。これによって、光モジュール1は、全体の厚み(Z方向の厚み)が薄くなり、小型化、薄型化することができる。
Moreover, it is preferable to provide the recessed
また、光モジュール1は、半導体回路素子3および光素子5がボンディングワイヤを用いて絶縁基体2aに実装される構成に比べて、半導体回路素子3および光素子5が接着性を有する樹脂材料を介して実装されており、また、フィリップチップ方式で実装されているため、電気的な不連続が生じにくくなり、電気的特性を向上させることができる。すなわち、光モジュール1は、電気特性を向上させることによって、信号の伝送特性を向上させることができる。
Further, the
本発明は、上述の実施の形態1に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。以下、他の実施の形態について説明する。なお、他の実施の形態に係る光装置のうち、実施の形態1に係る光装置用基板2と光モジュール1と同様な部分については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
The present invention is not limited to the first embodiment described above, and various modifications and improvements can be made without departing from the scope of the present invention. Hereinafter, other embodiments will be described. Of the optical devices according to the other embodiments, the same parts as those of the optical device substrate 2 and the
<実施の形態2>
以下、本発明の第2の実施の形態(実施の形態2という)に係る光装置用基板2Aおよび光モジュール1Aについて、図2および図4を参照しながら以下に説明する。また、図4は、フレキシブルプリント基板10と電子部品等との接続を説明するための模式的な説明図である。
<Embodiment 2>
Hereinafter, an
実施の形態2に係る光装置用基板2Aおよび光モジュール1Aは、図2に示すような構成であり、実装基板7は上面側にフレキシブルプリント基板10を有しており、光導波路8Aがフレキシブルプリント基板10に設けられている。フレキシブルプリント基板10は、図2(a)に示すように、Y方向の幅が絶縁基体2aを実装できるような幅を有しており、実装基板7上に設けられている。また、フレキシブルプリント基板10は、Y方向の幅が絶縁基体2aを実装できるような幅を有していればよく、例えば、実装基板7上の全面に設けられていてもよい。
The
また、光素子5は、平面視において光導波路8Aに重なるように設けられており、光導
波路8Aに光学的に結合されている。また、フレキシブルプリント基板10は、図4に示すように、絶縁基体2aの外周から外側に位置する部分がZ方向に持ち上がるように設けられていることが好ましい。
The
このように、フレキシブルプリント基板10は、光導波路8Aに設けられており、フレキシブル性を有しているので、図4(a)に示すように、電子部品11等(例えば、光電変換部品またはコネクタ等の電子部品)に対して接続しやすくなる。すなわち、光導波路8Aを有するフレキシブルプリント基板10は、フレキシブル性を有しているので、実装基板7上の電子部品10に対する接続の制約を低減することができる。
Thus, since the flexible printed
また、例えば、フレキシブルプリント基板10は、絶縁基体2aの外周から外側に位置する部分がZ方向に対してフレキシブル性を有しているので、Z方向に持ち上げることが可能となり、電子部品等が搭載可能な電子部品搭載領域12を設けることができるので、フレキシブルプリント基板10の下方の電子部品搭載領域12に電子部品等を効率よく高密度に配置することができる。したがって、光モジュール1Aは、実装基板7上に電子部品等を高密度実装することができる。
In addition, for example, the flexible printed
また、図4(b)に示すように、例えば、実装基板7上に、送信側となる光装置用基板2Aと受信側となる光装置用基板2Aと同様な構造を有する光装置用基板2AAとを搭載して、光装置用基板2Aと光装置用基板2AAとは、光導波路8Aを有するフレキシブルプリント基板10で接続することができる。この場合にも、フレキシブルプリント基板10の下側の電子部品搭載領域12に電子部品等を効率よく高密度に配置することができる。なお、光装置用基板2Aには半導体回路素子3が搭載され、光装置用基板2AAには半導体回路素子3Aが搭載されている。
Further, as shown in FIG. 4B, for example, an optical device substrate 2AA having the same structure as the
<実施の形態3>
以下、本発明の第3の実施の形態(実施の形態3という)に係る光装置用基板2Bおよび光モジュール1Bについて、図3を参照しながら以下に説明する。
<
Hereinafter, an
実施の形態3に係る光装置用基板2Bおよび光モジュール1Bは、図3に示すような構成であり、実装基板7は上面側にフレキシブルプリント基板10Aを有しており、導波路8Bがフレキシブルプリント基板10Aに設けられている。フレキシブルプリント基板10Aは、図3(a)に示すように、Y方向の幅が絶縁基体2aを実装できるような幅を有しており、実装基板7上に設けられている。また、プレキシブルプリント基板10Aは、Y方向の幅が少なくとも光導波路8Bが含まれるような幅を有していればよい。
The
また、光素子5は、平面視において光導波路8Bに重なるように設けられており、光導波路8Bに光学的に結合されている。また、絶縁基体2aは、側面から下面2a2にかけて切り欠きき部2bを有しており、フレキシブルプリント基板10Aが切り欠き部2bに設けられている。すなわち、光モジュール1Bは、フレキシブルプリント基板10Aが切り欠き部2bの下側に配置されるような構成となっている。
The
したがって、絶縁基体2aの上面2a1と切り欠き部2bとの間の絶縁基体2aの内部に配線導体層6が垂直方向(Z方向)に設けられており、この配線導体層6は、半導体回路素子3と光素子5とを電気的に接続している。したがって、光装置用基板2Bは、絶縁基体2aの切り欠き部2bに相当する長さの分だけ配線導体層6の長さを短くすることができる。
Therefore, the
このような構成にすることによって、半導体回路素子3と光素子5との間の電気的な配線の配線長を短くすることができるので、光装置用基板2Bは、光モジュール1Bの電気
特性の低下を抑制することができる。
With this configuration, the wiring length of the electrical wiring between the
また、図3において、光モジュール1Bは、半導体回路素子3から発生し、切り欠き部2bの左側に伝導した熱の実装基板7の上面の光素子5への伝熱経路が長くなり、半導体回路素子3から発生した熱が光素子5に対して伝導しにくくなる。
Also, in FIG. 3, the
本発明は、上述した実施の形態1乃至実施の形態3に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
The present invention is not particularly limited to
1 光モジュール
2、2A、2B 光装置用基板
2a 絶縁基体
2b 切りかき部
3 半導体回路素子
3a 搭載領域
4 凹部
5 光素子
6 配線導体層
7 実装基板
8、8A、8B 光導波路
8a 光路変換部
9 配線層
10、10A フレキシブルプリント基板
DESCRIPTION OF
Claims (1)
該実装基板に実装されており、上面側に搭載領域を有し、平面視において前記搭載領域に重ならないように下面側に設けられた、凹部を有する絶縁基体を備えている光装置用基板と、
前記搭載領域に搭載された半導体回路素子と、
前記絶縁基体との間に空隙部ができるように前記凹部の内部に配置されて前記半導体回路素子に電気的に接続され、平面視において前記光導波路に重なるように前記実装基板の上面に搭載されるとともに前記光導波路に光学的に結合された光素子とを備えていることを特徴とする光モジュール。 A mounting substrate having an optical waveguide on the upper surface side;
A substrate for an optical device, which is mounted on the mounting substrate, has a mounting region on the upper surface side, and is provided on the lower surface side so as not to overlap the mounting region in a plan view ; ,
A semiconductor circuit element mounted in the mounting region;
Arranged inside the recess so as to form a gap between the insulating substrate and electrically connected to the semiconductor circuit element, and mounted on the upper surface of the mounting substrate so as to overlap the optical waveguide in plan view. And an optical element optically coupled to the optical waveguide.
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