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JP6260108B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、電子デバイス、電子デバイスの製造方法に関する。
従来から、基板上に１つの薄膜素子が形成された電子デバイスが知られている。
例えば特許文献１には、下部電極と上部電極に挟まれた圧電体膜を備えて構成された圧電体薄膜素子が、絶縁膜を介して基板上に形成された例が開示されている。
特許文献１に開示されているように従来は単一の機能の薄膜素子が形成された電子デバイスしか得られていなかったところ、近年、装置の小型化、コスト低減のため、基板上に２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を備えた電子デバイスが求められている。しかしながら、基板上に２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を備えた電子デバイスは得られていなかった。
基板上に２以上の異なる機能を含む複数の薄膜素子を備えた電子デバイスを製造する方法として、例えば以下のような方法が考えられる。まず、図１（ａ）に示すように、スピンコート法等により基板１１の全面に薄膜１２を成膜する。次いで、図１（ｂ）に示すようにエッチングにより一方の薄膜素子１３を形成する。その後図１（ｃ）に示すように他方の薄膜素子の原料により、基板１１上に薄膜１４を成膜する。そして、図１（ｄ）に示すようにエッチングにより他方の薄膜素子１５を形成する。場合によってはこれらの工程を複数回繰り返すことにより、複数の薄膜素子を形成する。
係る方法によれば、薄膜１４の成膜を行う際、既に基板上に薄膜素子１３が形成されているため、薄膜１４は基板１１表面に凹凸を含む状態で成膜することとなる。しかし、基板上に凹凸形状があると均一な薄膜を形成することはできないため、所望の性能を有する薄膜素子１５を形成することは困難であった。
また、薄膜素子１３、１５の材料組成が異なる場合、その熱処理温度が異なっているため、一方の薄膜素子を熱処理する際に、他方の薄膜素子の機能を損なうことがあった。また、エッチングの際の選択比が十分に大きくないため、各薄膜素子を所望の形状に形成することができないことがあった。これらの理由からも基板上に異なる機能を有する複数の薄膜素子を形成することはできていなかった。さらに、例えば薄膜１２、１４が酸化物により構成されている場合、先述のエッチングの際の選択比が十分大きくとれないため、薄膜素子１３、１５を形成することは困難であった。
上記従来技術の問題に鑑み、本発明は２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を備えた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため本発明は、基板上にマルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、複数の薄膜素子を形成する工程を有しており、
前記薄膜素子は、正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積、半導体性、導電性から選択されたいずれかの機能の薄膜部を有しており、
前記マルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、前記基板上に異なる材料組成の薄膜部を同時に形成し、２以上の異なる機能の薄膜部を得ることを特徴とする電子デバイスの製造方法を提供する。
本発明によれば、２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を備えた電子デバイスの製造方法を提供することができる。
従来技術による複数の薄膜素子を備えた電子デバイスの製造方法の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの構成例の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における基板表面を改質する工程の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における複数の薄膜素子を形成する工程の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における複数の薄膜素子を形成する工程の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における結晶化処理を行う際の熱処理温度の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における基板表面を改質する工程の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における基板表面を改質する工程の説明図。 本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法における基板表面を改質する工程の説明図。 本発明の実施例における電子デバイスの構成説明図。
以下に、発明を実施するための形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。
本実施形態の電子デバイスの構成例について説明する。
本実施形態の電子デバイスは、基板と、基板上に形成された複数の薄膜素子と、を備えている。そして、薄膜素子は、正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積、半導体性、導電性から選択されたいずれかの機能の薄膜部を有している。さらに、複数の薄膜素子は、２以上の異なる機能の薄膜部を含んでいる。
具体的な構成例について図２を用いて説明する。図２は、基板２１上に２個の薄膜素子が形成された電子デバイス２０の断面図を示したものである。図２においては、基板２１上には、第１の薄膜素子２３と、第２の薄膜素子２４と、が形成されている。なお、本実施形態の電子デバイスにおいては、薄膜素子の数は特に限定されるものではなく、３個以上の薄膜素子が形成されていてもよい。
第１の薄膜素子２３、第２の薄膜素子２４の構成については特に限定されるものではないが、例えば、図２に示したように、各薄膜素子の機能を発現する薄膜部２３１、２４１の上下面に電極を配置した構成とすることができる。図２に示した第１の薄膜素子２３、第２の薄膜素子２４においては、それぞれ個別電極としての上部電極２３２、２４２と、共通電極としての下部電極２２を設けている。なお、複数の薄膜素子を形成する場合、上部電極、下部電極共に薄膜素子毎に形成する個別電極としてもよい。上部電極、下部電極の材料については特に限定されるものではなく、各種導電材料により構成することができる。例えば白金、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、パラジウム、銀、ニッケルなどの金属やこれらの合金、また後述するＩＴＯ等の導電性酸化物材料により構成されることが好ましい。
そして、薄膜素子は、正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積、半導体性、導電性から選択されたいずれかの機能を備えた薄膜部を有している。特に薄膜素子は、正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積から選択されたいずれかの機能を備えた薄膜部２３１、２４１を有していることが好ましい。薄膜素子は、薄膜部の機能に応じた機能を有することとなる。
ここで、正の圧電効果の機能を有する薄膜部とは、圧力を電気に変化させる機能を有する薄膜部である。正の圧電効果の機能を有する薄膜部を備えた薄膜素子としては、例えば位置変動等による圧力変化を電気として出力するセンサ等が挙げられる。
また、負の圧電効果の機能を有する薄膜部とは、電圧を加えた場合に変形する機能を有する薄膜部である。負の圧電効果の機能を有する薄膜部を備えた薄膜素子としては、例えばアクチュエータ等が挙げられる。
電荷蓄積の機能を有する薄膜部とは、電圧を印加した場合に一定程度の電荷を蓄積できる薄膜部である。電荷蓄積機能を有する薄膜部を備えた薄膜素子としては、例えばコンデンサが挙げられる。
半導体性の機能を有する薄膜部を備えた薄膜素子としては、例えばＦＥＴ（電界効果トランジスタ）やダイオード等の素子における半導体層を挙げることができる。
導電性の機能を有する薄膜部とは、電圧を印加した場合に、電気が流れる薄膜部であり、導電性の機能を有する薄膜部を備えた薄膜素子としては、例えば配線等を挙げることができる。
ここで、薄膜部を構成する材料については、上述の性能を発揮できる所望の材料を任意に選択して用いることができる。特に製造時の取り扱いの容易さから、薄膜部が、金属酸化物膜により構成されていることが好ましい。
このような金属酸化物膜を構成する金属酸化物としては特に限定されるものではなく、薄膜部に要求される機能に応じて選択することができ、導電性酸化物や、酸化物半導体、酸化物絶縁体、圧電体等を用いることができる。例えば、導電性酸化物としては、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）、ＺｎＯ、Ａｌを添加したＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、（Ｌａ，Ｓｒ）ＣｏＯ３、ＬａＭｎＯ３、ＬａＮｉＯ３、ＳｒＲｕＯ３等が挙げられる。また、酸化物半導体としてはＩＧＺＯ（登録商標）、ＩｎＭｇＯ４、ＺｎＯ、Ｎｂを添加したＳｒＴｉＯ３等が挙げられる。酸化物絶縁体としては、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｒＴｉＯ３、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３等が挙げられる。圧電体としては、ＰＺＴ（ＰｂＴｉＯ３−ＰｂＺｒＯ３）、ＰｂＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＢＬＳＦ（ビスマス層状構造強誘電体）、ＫＮｂＯ３−ＮａＮｂＯ３、ＢｉＦｅＯ３、（Ｂｉ，Ｎａ）ＴｉＯ３、Ｂｉ（Ｚｎ，Ｔｉ）Ｏ３等が挙げられる。
例えば薄膜部が正の圧電効果または逆の圧電効果を有する場合、薄膜部は、上述の材料のうち圧電体により構成されることが好ましい。また、薄膜部が、電荷蓄積の機能を有する場合には、薄膜部は上述の材料のうち、酸化物絶縁体により構成されることが好ましい。薄膜部が半導体性の機能を有する場合には、薄膜部は上述の材料のうち、酸化物半導体により構成されることが好ましい。薄膜部が導電性の機能を有する場合には、薄膜部は上述の材料のうち、導電性酸化物により構成されることが好ましい。なお、薄膜部は１種類の材料から構成されている必要はなく、複数の材料により構成することができる。
薄膜素子に含まれる薄膜部は、一層に限定されるものではなく、複数層から構成することもできる。具体的には例えば薄膜部が半導体性の機能を有し、薄膜素子がダイオードを構成する場合には、ＺｎＯにより構成されたｐ型半導体の層と、ＩＧＺＯにより構成されたｎ型半導体の層とを積層した構成とすることができる。
また、電子デバイス２０には、複数の薄膜素子が含まれているが、薄膜素子に含まれる薄膜部の厚さは、複数の薄膜素子間で同じである必要はなく、各薄膜素子に要求される性能等に応じて選択することができる。薄膜素子をインクジェット法により積層して形成する場合、吐出する液滴の濃度や、量、塗布する回数を選択することにより、その厚さを所望の厚さとすることができる。
さらに、薄膜部を形成する際に、薄膜部の結晶配向を制御するために、薄膜部の下層部にシード層を設けてもよい。
本実施形態の電子デバイス２０には図２に示したように複数の薄膜素子が含まれており、該複数の薄膜素子は２以上の機能の薄膜部を有している。すなわち、各薄膜素子はいずれか１つの機能を備えた薄膜部を１個有しており、複数の薄膜素子には薄膜部の機能が異なる薄膜素子が含まれていることを意味している。ここで、機能とは、上述した正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積、半導体性、導電性から選択されたいずれかの機能を意味しており、特に正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積から選択されたいずれかの機能であることが好ましい。
本実施形態の電子デバイスにおいてはこのように複数の薄膜素子には薄膜部の機能が異なる薄膜素子が含まれているため、２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を含む構成とすることができる。
例えば、図２に示した電子デバイス２０においては２個の薄膜素子が含まれていることから、第１の薄膜素子２３の薄膜部２３１と第２の薄膜素子２４の薄膜部２４１とは異なる機能を有している。また、３個以上の薄膜素子を含む場合、全ての薄膜素子の薄膜部が異なる機能を有していてもよく、構成する薄膜素子のうち一部の薄膜素子の薄膜部については同じ機能であってもよい。
図２に示した電子デバイス２０の構成として、例えば第１の薄膜素子２３をアクチュエータ、第２の薄膜素子２４をセンサにより構成することができる。この場合、第１の薄膜素子２３の薄膜部２３１は、逆の圧電効果の機能を有し、第２の薄膜素子２４の薄膜部２４１は正の圧電効果の機能を有する。
例えばアクチュエータは、経時変化等により所定の電圧に対する変位量が変化する場合がある。そこで、図２に示した電子デバイス２０においては、第１の薄膜素子２３であるアクチュエータの変位量を第２の薄膜素子２４であるセンサにより検出し、その検出値に基づいて、第１の薄膜素子２３に対して印加する電圧量を制御するように構成することができる。
例えば、図２に示した電子デバイス２０では、基板２１の下面に、液体供給路２１２及び液体排出路２１３が接続された液室２１１が設けられている。そして、第１の薄膜素子２３であるアクチュエータが変位することにより液体を搬送する液体搬送ポンプとして機能することができる。この際、上記のように、第２の薄膜素子２４であるセンサにより、第１の薄膜素子２３の変位量を検出し、第１の薄膜素子２３に印加する電圧を制御して所望の変位量とすることにより、安定した液体搬送を行うことが可能になる。
また、電子デバイスの構成としては、上記の例に限定されるものではなく、例えば、複数の薄膜素子を、センサと、発電素子と、により構成することができる。また、複数の薄膜素子を、発電素子と、蓄電素子と、により構成することもできる。
このように電子デバイス２０が２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子から構成される場合、それぞれの薄膜素子に含まれる薄膜部は、要求される機能に応じて最適な材料組成を有していることが好ましい。このため、複数の薄膜素子は、異なる材料組成の薄膜部を含むことが好ましい。
電子デバイス２０に含まれる複数の薄膜素子の薄膜部はそれぞれが所望の機能を有するように、機能に応じた材料により構成することができ、その製造方法は特に限定されるものではないが、インクジェット法により形成されることが好ましい。薄膜素子が、電極部である上部電極および／または下部電極と、薄膜部とから構成される場合には、電極部についてもインクジェット法により形成することもできる。このように、薄膜素子はインクジェット法により形成することが好ましい。
インクジェット法は、液滴吐出ヘッドを用いて基板上の所定位置、範囲に電極部または薄膜部の原料となるゾルゲル液を塗布し、乾燥、熱分解、結晶化し、更に場合によってはこれらの工程を繰り返し行うことにより電極部または薄膜部を形成する方法である。係る方法によれば基板上の所望の位置にのみ成膜することができるため、エッチング工程等を行う必要がない。このため、廃棄される材料の量を抑制し、生産性を高めることができる。
また、インクジェット法によりゾルゲル液を塗布する前に、基板表面の改質を行い、薄膜素子を形成する部分にのみゾルゲル液が塗布できるように構成しておくことが好ましい。具体的には例えば基板上の薄膜素子を形成しない部分に疎水性の膜であるＳＡＭ膜を形成し、薄膜素子を形成する部分にのみゾルゲル液を塗布できるように構成することが好ましい。このようにＳＡＭ膜を形成する場合には、基板としては、白金板または、表面に白金膜が形成された基板を用いることが好ましい。
電子デバイスを構成する複数の薄膜素子は上述のように異なる材料組成の薄膜部を含むことが好ましい。このように異なる材料組成の薄膜部を同時に形成するために、薄膜素子は、マルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて形成されることが好ましい。マルチノズルの液滴吐出ヘッドは、特に異なる材料組成のゾルゲル液ごとの液滴吐出ヘッドを備えていることが好ましく、このように構成することにより、基板上に異なる材料組成の薄膜部を同時に形成することが可能になり、生産性を高めることができる。
以上、本実施形態の電子デバイスについて説明してきたが、本実施形態においては、２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を備えた電子デバイスを提供することができる。このため、装置の小型化や、コストの低減を図ることができる。
次に、本実施形態の電子デバイスの製造方法について説明する。
本実施形態の電子デバイスの製造方法は、基板上にマルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、複数の薄膜素子を形成する工程を有している。そして、薄膜素子は、正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積、半導体性、導電性から選択されたいずれかの機能の薄膜部を有しており、複数の薄膜素子は、２以上の異なる機能の薄膜部を含む。
本実施形態の電子デバイスの製造方法により得られる電子デバイスの構成は上述の電子デバイスと同様とすることができるため、説明を省略する。
そして、本実施形態の電子デバイスの製造方法は、基板上にマルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、複数の薄膜素子を形成する工程を有している。
このように、液滴吐出ヘッドを用いて薄膜素子を形成することにより、基板上の所望の位置、範囲に薄膜素子を形成することができ、エッチング工程等を行わなくてよいため複数の薄膜素子を容易に形成することが可能になる。さらには生産性を向上することができる。
また、マルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いることにより、異なる組成の薄膜素子を同時に形成することができるため、生産性の観点から好ましい。マルチノズルの液滴吐出ヘッドは、特に異なる材料組成のゾルゲル液ごとの液滴吐出ヘッドを備えていることが好ましい。このように構成することにより、基板上に異なる材料組成の薄膜部を同時に形成することが可能になるため、液滴の着弾位置と基板位置を整合するアライメントの操作が１回ですみ、より生産性を高めることができ、好ましい。
そして、本実施形態の電子デバイスの製造方法はさらに、複数の薄膜素子を形成する工程を行う前に基板表面を改質する工程を設けることができる。
基板表面を改質する工程を行う場合の複数の薄膜素子の製造方法について図３〜図５を用いて説明する。
基板表面を改質する工程について図３を用いて説明する。まず、基板３１を用意する。この場合、基板３１の少なくとも最表面３１１は白金により構成されていることが好ましい。このため、基板３１としては、白金板、または、Ｓｉ基板等の各種基板表面に白金膜を形成した基板を好ましく用いることができる。Ｓｉ基板等の表面に白金膜を形成した基板を用いた場合には、該白金膜を下部電極として用いることもできる。
そして、図３（ａ）に示すように、基板上にＳＡＭ（Ｓｅｌｆ Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜３２を形成する。
ＳＡＭ膜３２は例えば、基板３１上にアルカンチオールを含むＳＡＭ材料を塗布することにより形成することができる。アルカンチオールとしては特に限定されるものではないが、炭素鎖が例えばＣ６からＣ１８の分子を有したものを好ましく用いることができる。そして、これをアルコール、アセトン、トルエン等の一般的な有機溶媒に溶解させた溶液をＳＡＭ材料として好ましく用いることができる。基板３１上にＳＡＭ材料を塗布する方法は特に限定されるものではないが、例えば、基板を上記ＳＡＭ材料の溶液中に浸漬させ、所定時間後に取り出した後、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥することにより、基板３１表面にＳＡＭ膜３２を形成することができる。
次に図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィにより、薄膜素子を形成する部分に開口部を有するフォトレジスト３３をパターン形成する。そして、図３（ｃ）に示すように、ドライエッチングによりＳＡＭ膜３２を除去し、さらには、加工に用いたフォトレジスト３３も除去してＳＡＭ膜のパターニングを終了する。これにより、基板３１表面のうち、ＳＡＭ膜が残っているＢの部分が疎水性となり、ＳＡＭ膜が除去されたＡ１、Ａ２の部分が親水性となる。
そして、図３（ａ）〜（ｃ）に示した基板表面を改質する工程の後に、既述の複数の薄膜素子を形成する工程を実施する。例えば、図４（ａ）に示すように、マルチノズル４１、４２を備えた液滴吐出ヘッドにより、親水性のＡ１、Ａ２の部分に薄膜素子の原料となるゾルゲル液を塗布し、第１の薄膜素子の前駆体４３、第２の薄膜素子の前駆体４４をそれぞれ形成することができる。その後、溶媒乾燥、熱分解、結晶化を行うことにより、図４（ｂ）に示すように、第１の薄膜素子の一層目４５、第２の薄膜素子の一層目４６を形成することができる。なお、ゾルゲル液を１回塗布し、溶媒乾燥、熱分解、結晶化を行うことにより、所望の膜厚となった場合には、本工程で得られた第１の薄膜素子の一層目４５、第２の薄膜素子の一層目４６がそれぞれ第１の薄膜素子、第２の薄膜素子となる。
また、複数の薄膜素子を形成する工程を繰り返し実施することもできる。この場合には、まず、第１の薄膜素子の一層目４５、第２の薄膜素子の一層目４６を形成後、イソプロピルアルコールで洗浄し、次いで図３（ａ）と同様にしてＳＡＭ膜５１を形成する。この際、図５（ａ）に示したように、第１の薄膜素子の一層目４５、第２の薄膜素子の一層目４６の表面にはＳＡＭ膜５１は形成されないため、図３（ｂ）のようなフォトリソグラフィを行う必要はない。次に、図４（ａ）の場合と同様にして、マルチノズル４１、４２を備えた液滴吐出ヘッドを用いて、図４（ｂ）で形成した第１の薄膜素子の一層目４５、第２の薄膜素子の一層目４６上に薄膜素子の原料となるゾルゲル液を塗布する。そして、一層目を形成した場合と同様に溶媒乾燥、熱分解、結晶化を行うことにより、図５（ｃ）に示した第１の薄膜素子４５´、第２の薄膜素子４６´を形成することができる。更に必要であれば以後、所望の膜厚となるまでに、図５に示した工程を繰り返すことができる。
なお、ここでは、第１の薄膜素子、第２の薄膜素子の原料となるゾルゲル液を塗布した後、一層毎に、溶媒乾燥、熱分解、結晶化を行う例を用いて説明したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、ゾルゲル液を塗布後、溶媒乾燥、熱分解までを一層塗布する毎に行い、結晶化工程については、複数層形成後にまとめて行ってもよい。
また、第１の薄膜素子および／または第２の薄膜素子が複数の異なる層を含む場合には、液滴吐出ヘッドにより塗布する液体の種類を途中から変更することもできる。
結晶化を行う際の熱処理温度は特に限定されるものではなく、第１の薄膜素子、第２の薄膜素子の組成等により選択することができる。
一般的に、所望の機能を出現するために必要な熱処理温度は材料毎に決まっている。図６（Ａ）を例に説明すると、図中左側が熱処理温度の低温側、右側は熱処理温度の高温側とした場合、領域６１の温度領域において熱処理を行うと、熱処理温度が低く結晶化が起きていないため機能が未出現となる。領域６３の温度領域において熱処理を行うと、熱処理温度が高温となり材料が熱分解して機能が消失する。そして、領域６１と領域６３との間の領域６２が材料の機能出現の最適温度領域となる。図６（Ａ）とは異なる材料である図６（Ｂ）の場合であっても温度が異なるものの同様に材料の機能出現の最適温度領域が存在する。このため、基板上に形成する薄膜素子の材料組成が異なる場合、例えば図６中の（Ａ）及び（Ｂ）の材料により構成される薄膜素子を同時に形成する場合であれば、両材料の領域６２が重複する温度領域Ｘの範囲内で熱処理温度を行うことが好ましい。
なお、ここまで、２個の薄膜素子を備えた電子デバイスを例に説明してきたが、薄膜素子の数は特に限定されるものではなく３個以上とすることもでき、この場合についても同様の製造方法により電子デバイスを製造することができる。
また、上述した基板表面を改質する工程は以下の方法により行うこともできる。
基板表面を改質する工程の第２の方法について、図７を用いて説明する。図３と同じ参照符号は同じ構成要素を示している。
まず、図７（ａ）に示すように基板３１表面にフォトレジスト７１、７２を用いてフォトレジストパターンを形成し、図７（ｂ）に示すようにＳＡＭ膜３２を形成する。この際、疎水性であるフォトレジスト７１、７２部分にはＳＡＭ膜３２が形成されず、それ以外の部分にのみＳＡＭ膜を形成することができる。そして、図７（ｃ）に示すようにフォトレジスト７１、７２を除去することにより、ＳＡＭ膜のパターニングは完了し、基板表面を改質する工程を完了する。その後は、図４、図５に示した既述の複数の薄膜素子を形成する工程を実施することにより第１の薄膜素子、第２の薄膜素子を形成することができる。
次に基板表面を改質する工程の第３の方法について、図８を用いて説明する。図３と同じ参照符号は同じ構成要素を示している。
まず、図８（ａ）に示すように、基板３１表面にＳＡＭ膜３２を形成する。そして、図８（ｂ）に示すように、パターン化されたマスク８１を介して紫外線８２を照射することで、図８（ｃ）に示すように、未露光部にはＳＡＭ膜３２が残り、露光部についてはＳＡＭ膜３２が消失する。これによりＳＡＭ膜のパターニングは完了し、基板表面を改質する工程を完了する。その後は、図４、図５に示した既述の複数の薄膜素子を形成する工程を実施することにより第１の薄膜素子、第２の薄膜素子を形成することができる。
次に基板表面を改質する工程の第４の方法について、図９を用いて説明する。図３と同じ参照符号は同じ構成要素を示している。
まず、図９（ａ）に示すように、いわゆるマイクロコンタクトプリント法により、予めソフトリソグラフィ等でパターニングしたＰＤＭＳスタンプ９１にＳＡＭ膜３２を形成する溶液９２を浸漬もしくはスピンコートにより塗布しておく。そして、当該ＰＤＭＳスタンプ９１を基板３１上にコンタクトプリントすることで、図９（ｂ）に示すように、パターニングされたＳＡＭ膜３２を基板３１上に形成する。これにより、基板表面を改質する工程を完了し、その後は、図４、図５に示した既述の複数の薄膜素子を形成する工程を実施することにより第１の薄膜素子、第２の薄膜素子を形成することができる。
以上に説明してきた本実施形態の電子デバイスの製造方法によれば、基板上に２以上の異なる機能を有する複数の薄膜素子を備えた電子デバイスを製造することができる。また、インクジェット法により薄膜素子を形成するため、廃棄される材料を抑制することができ、コストを低減し、生産性を高めることが可能になる。
以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
本実施例では、図１０に示すように基板１０１上に２個の薄膜素子を有する電子デバイスの製造を行った。図１０中（ａ）が本実施例で作製した電子デバイス１００の断面図を、（ｂ）が電子デバイス１００の上面図を示している。
本実施例の電子デバイス１００は、図１０に示すように、２個の薄膜素子のうち一方の第１の薄膜素子１０２としてアクチュエータを、他方の第２の薄膜素子１０３としてセンサを備えている。
電子デバイス１００の製造方法について説明する。
まず基板１０１としてＳｉ基板上に白金膜をスパッタ法により成膜した基板を用意した。係る白金膜は、第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の下部電極として用いた。
そして、図３に示す手順により、基板１０１の表面にＳＡＭ膜を成膜した。ＳＡＭ膜としては、アルカンチオール（ＣＨ３（ＣＨ２）ｎ−ＳＨ）溶液を使用した。そして、基板１０１をアルカンチオール溶液に浸漬後、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し乾燥することにより、基板１０１表面にＳＡＭ膜を形成した。
次に、フォトリソグラフィにより、薄膜素子を形成する部分に開口部を有するフォトレジストをパターン形成し、ドライエッチングにより第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３を形成する部分のＳＡＭ膜を除去し、さらに、フォトレジストも除去した。
次いで、図４に示す手順により、第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０２の薄膜部を形成した。具体的には、マルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の形成部分にゾルゲル液を塗布した後、溶媒乾燥、熱分解、結晶化を行った。
この際、第１の薄膜素子１０２の形成部分に塗布したゾルゲル液としては結晶化後に、ＰＺＴ(５３／４７)：Ｎｂ、すなわち、Ｐｂ（Ｚｒ０．５３，Ｔｉ０．４７）Ｏ３：Ｎｂ２Ｏ５ ２ｍｏｌ％添加の組成となるように調製したゾルゲル液を用いた。ゾルゲル液の出発原料としては、酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウム、ペンタエトキシドニオブ、を使用した。酢酸鉛の結晶水は、メトキシエタノールに溶解した後、脱水した。なお、出発原料の使用量は、化学両論組成に対して、鉛量を１０モル％過剰となるように調整した。これにより、熱処理中の鉛抜けによる結晶性の低下を防ぐことができる。イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウム、ペンタエトキシドニオブをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進行させ、前記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することで、ゾルゲル液を得た。なお、ゾルゲル液の濃度は、０．５モル／リットルとなるように調製した。
また、第２の薄膜素子１０３の形成部分に塗布したゾルゲル液としては結晶化後に、ＰＺＴ(５３／２７)：Ｍｎ、すなわち、Ｐｂ（Ｚｒ０．５３，Ｔｉ０．４７）Ｏ３：ＭｎＯ ２ｍｏｌ％添加の組成となるように調製したゾルゲル液を用いた。ゾルゲル液の出発原料としては、酢酸鉛三水和物、イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウム、ジイソプロポキシマンガンを使用した。酢酸鉛の結晶水は、メトキシエタノールに溶解した後、脱水した。なお、出発原料の使用量は、化学両論組成に対して、鉛量を１０モル％過剰となるように調整した。これにより、熱処理中の鉛抜けによる結晶性の低下を防ぐことができる。イソプロポキシドチタン、イソプロポキシドジルコニウム、ジイソプロポキシマンガンをメトキシエタノールに溶解し、アルコール交換反応、エステル化反応を進行させ、前記の酢酸鉛を溶解したメトキシエタノール溶液と混合することで、ゾルゲル液を得た。なお、ゾルゲル液の濃度は、０．１モル／リットルとなるように調製した。
第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の形成部分に上記ゾルゲル液を塗布した基板は、１２０℃で熱処理して溶媒乾燥させた後、有機物の熱分解（約５００℃）を行った。
その後、イソプロピルアルコール洗浄した後、図５に示したように再度ＳＡＭ膜を形成した。このとき、ＳＡＭ膜は白金膜上のみに選択的に自己成長するので、ＳＡＭ膜のパターニングは不要となる。そして、第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の形成部分にマルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて１回目の塗布と同様のゾルゲル液を塗布した後、溶媒乾燥、熱分解、を行い、この塗布、熱分解の工程を３回繰り返した後、結晶化処理を行った。結晶化処理温度は上記第１の薄膜素子、第２の薄膜素子の薄膜部について、材料の機能出現の最適温度領域が重複する７００℃で結晶化処理を行った。
第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の薄膜部はいずれも３回の塗布から熱分解を経て一回の結晶化処理を行うと２４０ｎｍの膜厚の薄膜が形成でき、これを８回繰り返したため、約２０００ｎｍの膜厚の薄膜部をそれぞれ形成することができた。また、得られた第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の薄膜部には、いずれもクラックなどの不良は生じていなかった。
得られた第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３の薄膜部に、上部電極として白金を成膜して、第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３を得た。
得られた第１の薄膜素子１０２、第２の薄膜素子１０３について、比誘電率、圧電定数、発電指数の評価を行った。
圧電定数（ｄ形式）は、図２、図中２１１に示す加工を行い、電界印加による変形量をレーザードップラー振動計で計測し、シミュレーションによる合わせ込みから算出した。圧電定数（ｄ形式）はアクチュエータ機能に寄与する物性を示している。
また、圧電定数（ｅ形式）は、圧電定数（d形式）を弾性コンプライアンスで除した値であり、発電、センサ機能に寄与する定数である。
発電指数はｅ31 2／εにより算出した。これを一般に性能指数：ＦＯＭ（figure of merit）と呼び、係る値が大きいほど発電、センサ機能が優れていることを示している。
第１の薄膜素子１０２については、比誘電率が１５００、圧電定数（ｄ形式）ｄ３１が１４５ｐｍ／Ｖ、圧電定数（ｅ形式）ｅ３１が１４Ｃ／ｍ２、発電指数が０．１３であった。第１の薄膜素子１０２は、圧電定数（ｄ形式）ｄ３１が１４５ｐｍ／Ｖとアクチュエータとして使用するのに十分な変位幅を有することが確認できた。すなわち、アクチュエータとして高い性能を有していることが確認できた。
第２の薄膜素子１０３については、比誘電率が１１００、圧電定数（ｄ形式）ｄ３１が１０８ｐｍ／Ｖ、圧電定数（ｅ形式）ｅ３１が１３．３Ｃ／ｍ２、ＦＯＭ値が０．１６であった。第２の薄膜素子１０３は、このＦＯＭ値が約２０％上昇した。即ち、異なる組成を本発明によるインクジェット印刷にて同時に形成できる利点が確認できた。
以上のように本実施例においては、基板上に異なる機能を有する２個の薄膜素子を備えた電子デバイスが得られることが確認できた。特に各薄膜素子は、用途に最適な材料組成の薄膜部を有する構成とすることができ、高い性能の電子デバイスを得ることができた。
２１、３１、１０１ 基板
２０、１００ 電子デバイス
２３、２４、１０２、１０３ 薄膜素子
２３１、２４１ 薄膜部
特開２０００−２２２３３号公報

Claims (4)

  1. 基板上にマルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、複数の薄膜素子を形成する工程を有しており、
    前記薄膜素子は、正の圧電効果、逆の圧電効果、電荷蓄積、半導体性、導電性から選択されたいずれかの機能の薄膜部を有しており、
    前記マルチノズルの液滴吐出ヘッドを用いて、前記基板上に異なる材料組成の薄膜部を同時に形成し、２以上の異なる機能の薄膜部を得ることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
  2. 異なる材料組成のゾルゲル液を用い、前記異なる材料組成の薄膜部を形成する請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 前記複数の薄膜素子が、センサと、発電素子と、により構成されている、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 前記複数の薄膜素子が、発電素子と、蓄電素子と、により構成されている、請求項１または２に記載の電子デバイスの製造方法。
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