JP6241189B2 - Transparent electrode, method for producing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 154
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 124
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 85
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 81
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 77
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 76
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 claims description 56
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 claims description 56
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 42
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 18
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 11
- 150000003378 silver Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 611
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 245
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 132
- 239000000463 material Substances 0.000 description 126
- 239000002585 base Substances 0.000 description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 description 62
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 49
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 49
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 43
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 32
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 29
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 28
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 27
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 26
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 230000006870 function Effects 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 14
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 13
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000004623 carbolinyl group Chemical group 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 10
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000003226 pyrazolyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 8
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical group N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004062 acenaphthenyl group Chemical group C1(CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 7
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 7
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 7
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 7
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 7
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 7
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 7
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 7
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001041 indolyl group Chemical group 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000000842 isoxazolyl group Chemical group 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical group N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 5
- 125000003917 carbamoyl group Chemical group [H]N([H])C(*)=O 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 5
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 5
- 125000003854 p-chlorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C([H])=C1Cl 0.000 description 5
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 5
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004592 phthalazinyl group Chemical group C1(=NN=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002098 pyridazinyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000002294 quinazolinyl group Chemical group N1=C(N=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 125000000335 thiazolyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001607 1,2,3-triazol-1-yl group Chemical group [*]N1N=NC([H])=C1[H] 0.000 description 4
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N N-bromosuccinimide Chemical compound BrN1C(=O)CCC1=O PCLIMKBDDGJMGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 4
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004618 benzofuryl group Chemical group O1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 4
- 125000004196 benzothienyl group Chemical group S1C(=CC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 4
- 125000004541 benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 125000004987 dibenzofuryl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 4
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 125000003838 furazanyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000001786 isothiazolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 125000005581 pyrene group Chemical group 0.000 description 4
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005493 quinolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 4
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 4
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003626 1,2,4-triazol-1-yl group Chemical group [*]N1N=C([H])N=C1[H] 0.000 description 3
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical group C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 125000001951 carbamoylamino group Chemical group C(N)(=O)N* 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 125000001421 myristyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 125000002958 pentadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002889 tridecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-thiadiazole Chemical group C1=CSN=N1 UGUHFDPGDQDVGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 1,2-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 OIAQMFOKAXHPNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical group C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000355 1,3-benzoxazolyl group Chemical group O1C(=NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 2
- DKYBVKMIZODYKL-UHFFFAOYSA-N 1,3-diazinane Chemical group C1CNCNC1 DKYBVKMIZODYKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxane Chemical group C1COCOC1 VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical group C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical group C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 XJKSTNDFUHDPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 1-phenylimidazole Chemical compound C1=NC=CN1C1=CC=CC=C1 SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- LUEYUHCBBXWTQT-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-2h-triazole Chemical compound C1=NNN=C1C1=CC=CC=C1 LUEYUHCBBXWTQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEDUIFSDODUDRK-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-1h-pyrazole Chemical compound N1N=CC=C1C1=CC=CC=C1 OEDUIFSDODUDRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006416 CBr Chemical group BrC* 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical group C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical group C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical group C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YPWFISCTZQNZAU-UHFFFAOYSA-N Thiane Chemical group C1CCSCC1 YPWFISCTZQNZAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 2
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 2
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002490 anilino group Chemical group [H]N(*)C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 125000005161 aryl oxy carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005110 aryl thio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002393 azetidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004069 aziridinyl group Chemical group 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical group C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003236 benzoyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C(*)=O 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000006309 butyl amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004744 butyloxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000005578 chrysene group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000005583 coronene group Chemical group 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005366 cycloalkylthio group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006639 cyclohexyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001887 cyclopentyloxy group Chemical group C1(CCCC1)O* 0.000 description 2
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- HTFFABIIOAKIBH-UHFFFAOYSA-N diazinane Chemical group C1CCNNC1 HTFFABIIOAKIBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 2
- 125000006263 dimethyl aminosulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical group O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 description 2
- 125000006125 ethylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004705 ethylthio group Chemical group C(C)S* 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthene Chemical group C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N gamma-Phenylpyridine Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=NC=C1 JVZRCNQLWOELDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005549 heteroarylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005143 heteroarylsulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 125000002632 imidazolidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N isothiazole Chemical group C=1C=NSC=1 ZLTPDFXIESTBQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000006261 methyl amino sulfonyl group Chemical group [H]N(C([H])([H])[H])S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 125000004458 methylaminocarbonyl group Chemical group [H]N(C(*)=O)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000002816 methylsulfanyl group Chemical group [H]C([H])([H])S[*] 0.000 description 2
- 125000006216 methylsulfinyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)=O 0.000 description 2
- 125000004170 methylsulfonyl group Chemical group [H]C([H])([H])S(*)(=O)=O 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 125000005184 naphthylamino group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)N* 0.000 description 2
- 125000005185 naphthylcarbonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)* 0.000 description 2
- 125000005186 naphthyloxy group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)O* 0.000 description 2
- 125000005146 naphthylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S(=O)(=O)* 0.000 description 2
- 125000005029 naphthylthio group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)S* 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 2
- CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N oxatriazole Chemical group C1=NN=NO1 CQDAMYNQINDRQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000160 oxazolidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 description 2
- JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N pentaphene Chemical group C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=CC3=CC2=C1 JQQSUOJIMKJQHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004675 pentylcarbonyl group Chemical group C(CCCC)C(=O)* 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000003356 phenylsulfanyl group Chemical group [*]SC1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000003170 phenylsulfonyl group Chemical group C1(=CC=CC=C1)S(=O)(=O)* 0.000 description 2
- LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N phthalazine Chemical group C1=NN=CC2=CC=CC=C21 LFSXCDWNBUNEEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001388 picenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC=C3C4=CC=C5C=CC=CC5=C4C=CC3=C21)* 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004193 piperazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 150000003112 potassium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000004673 propylcarbonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 150000003214 pyranose derivatives Chemical group 0.000 description 2
- LNKHTYQPVMAJSF-UHFFFAOYSA-N pyranthrene Chemical group C1=C2C3=CC=CC=C3C=C(C=C3)C2=C2C3=CC3=C(C=CC=C4)C4=CC4=CC=C1C2=C34 LNKHTYQPVMAJSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003072 pyrazolidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005400 pyridylcarbonyl group Chemical group N1=C(C=CC=C1)C(=O)* 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 2
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical group O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical group C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003536 tetrazoles Chemical group 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- YGNGABUJMXJPIJ-UHFFFAOYSA-N thiatriazole Chemical group C1=NN=NS1 YGNGABUJMXJPIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001984 thiazolidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002053 thietanyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001730 thiiranyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N thiomorpholine Chemical group C1CSCCN1 BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000025 triisopropylsilyl group Chemical group C(C)(C)[Si](C(C)C)(C(C)C)* 0.000 description 2
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical group O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- QVCUKHQDEZNNOC-UHFFFAOYSA-N 1,2-diazabicyclo[2.2.2]octane Chemical group C1CC2CCN1NC2 QVCUKHQDEZNNOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFPQFQUXAJOWNF-UHFFFAOYSA-N 1,3-diiodobenzene Chemical compound IC1=CC=CC(I)=C1 SFPQFQUXAJOWNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDOVLWQBFFJETK-UHFFFAOYSA-N 1,4-thiazinane 1,1-dioxide Chemical compound O=S1(=O)CCNCC1 NDOVLWQBFFJETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 2,2,5,8-tetramethyl-3,4-dihydrochromen-6-ol Chemical compound C1CC(C)(C)OC2=C1C(C)=C(O)C=C2C MEKOFIRRDATTAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(4-methoxyphenyl)aniline Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-phenylcyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCC(CC1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MEIBOBDKQKIBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSBVOLBUJPCPFH-UHFFFAOYSA-N 5h-pyrido[3,2-b]indole Chemical compound C1=CN=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 NSBVOLBUJPCPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006677 Appel reaction Methods 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L Magnesium perchlorate Chemical compound [Mg+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O MPCRDALPQLDDFX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229940045985 antineoplastic platinum compound Drugs 0.000 description 1
- 125000001204 arachidyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- 125000002511 behenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 125000006297 carbonyl amino group Chemical group [H]N([*:2])C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 125000002340 chlorooxy group Chemical group ClO[*] 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004737 colorimetric analysis Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 1
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 125000006312 cyclopentyl amino group Chemical group [H]N(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000004672 ethylcarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000004216 fluoromethyl group Chemical group [H]C([H])(F)* 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000755 henicosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000013008 moisture curing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- CMWTZPSULFXXJA-VIFPVBQESA-N naproxen Chemical group C1=C([C@H](C)C(O)=O)C=CC2=CC(OC)=CC=C21 CMWTZPSULFXXJA-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 125000001196 nonadecyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical group CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 125000000913 palmityl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 125000001476 phosphono group Chemical group [H]OP(*)(=O)O[H] 0.000 description 1
- OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N phosphorous acid Chemical group OP(O)O OJMIONKXNSYLSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- VEPOUCHBIJXQFI-UHFFFAOYSA-N pyrazabole Chemical compound [B-]1N2C=CC=[N+]2[B-][N+]2=CC=CN12 VEPOUCHBIJXQFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N thiopyran Chemical compound S1C=CC=C=C1 IBBLKSWSCDAPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002469 tricosyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、透明電極、透明電極の製造方法、電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、特には、導電性と光透過性とを兼ね備えた透明電極、この透明電極の製造方法、この透明電極を用いた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。 The present invention relates to a transparent electrode, a method for producing a transparent electrode, an electronic device, and an organic electroluminescent element, and in particular, a transparent electrode having both conductivity and light transmittance, a method for producing the transparent electrode, and the transparent electrode. The present invention relates to an electronic device and an organic electroluminescence element.
有機材料のエレクトロルミネッセンス(electro luminescence:以下、ELと略記する。)を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子(「有機EL素子」、「有機電界発光素子」ともいう。)は、数V〜数十V程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。 An organic electroluminescence element (also referred to as “organic EL element” or “organic electroluminescence element”) using an organic material electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) is about several V to several tens V. It is a thin-film type complete solid-state device capable of emitting light at a low voltage, and has many excellent features such as high brightness, high luminous efficiency, thinness, and light weight. For this reason, it has been attracting attention in recent years as surface light emitters such as backlights for various displays, display boards such as signs and emergency lights, and illumination light sources.
このような有機EL素子は、2枚の電極間に有機材料からなる発光層を挟持させた構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、2枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成される。 Such an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer made of an organic material is sandwiched between two electrodes, and emitted light generated in the light emitting layer passes through the electrode and is extracted outside. For this reason, at least one of the two electrodes is configured as a transparent electrode.
透明電極の構成材料としては、酸化インジウムスズ(SnO2−In2O3:Indium Tin Oxide、以下ITOと略記。)等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられているが、ITOと銀とを積層して低抵抗化を狙った材料の検討が、例えば、特開2002−15623号公報、特開2006−164961号公報においてなされている。しかしながら、ITOはレアメタルであるインジウムを使用しているため、材料コストが高く、また抵抗を下げるために製膜後に300℃程度でアニール処理する必要がある。 As a constituent material of the transparent electrode, an oxide semiconductor material such as indium tin oxide (SnO 2 -In 2 O 3 : Indium Tin Oxide, hereinafter abbreviated as ITO) is generally used. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2002-15623 and 2006-164961 have examined materials aiming at lowering resistance by laminating silver. However, since ITO uses indium which is a rare metal, the material cost is high, and it is necessary to anneal the film at about 300 ° C. after film formation in order to reduce the resistance.
そこで、電気伝導率の高い銀(Ag)とマグネシウム(Mg)との合金を用いて薄膜を構成する技術や、インジウムに代えて、安価で入手容易な金属材料を原料として薄膜を構成する技術が提案されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。
Therefore, there is a technique for forming a thin film using an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg) having high electrical conductivity, and a technique for forming a thin film using a cheap and easily available metal material instead of indium. It has been proposed (see, for example,
特許文献1に記載の発明では、電極材料として銀とマグネシウムの合金を用いることにより、銀単独で形成した電極に比べ、薄膜条件で所望の導電性を得ることができ、透過率と導電性の両立を図ることができるとされている。しかしながら、特許文献1に記載されている方法で得られる電極の抵抗値としては、せいぜい100Ω/□前後で、透明電極の導電性としては不十分であり、加えてマグネシウムは、酸化されやすい特性であるため、経時により性能が劣化しやすいという問題を抱えている。
In the invention described in
また、特許文献2においては、インジウム(In)の代わりに、安価で入手が容易な亜鉛(Zn)やスズ(Sn)などの金属材料を原料として用いた透明導電膜が開示されている。しかしながら、これらの代替金属では十分に抵抗値が下がらないこと、加えて、亜鉛を含有したZnO系の透明導電膜は、水と反応して性能が変動しやすい特性を有している。また、スズを含有したSnO2系の透明導電膜は、エッチングによる加工が困難であるとの問題を有していることが判明した。 Patent Document 2 discloses a transparent conductive film using a metal material such as zinc (Zn) or tin (Sn) which is inexpensive and easily available as a raw material instead of indium (In). However, the resistance value does not decrease sufficiently with these alternative metals, and in addition, the ZnO-based transparent conductive film containing zinc has a characteristic that its performance tends to fluctuate by reacting with water. It has also been found that SnO 2 -based transparent conductive films containing tin have a problem that processing by etching is difficult.
一方、層厚が15nm程度である薄膜で、透過性が高い銀層を蒸着して陰極として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子が開示されている(例えば、特許文献3参照。)。しかしながら、特許文献3で提案されている方法で、形成された銀層は、銀のマイグレーション(原子の移動)を起こし、厚さが15nm程度の薄い銀層は、導電性等が低く、光透過性と導電性を両立する技術の開発が切望されている。
On the other hand, an organic electroluminescence element using a thin film having a layer thickness of about 15 nm and having a highly transmissive silver layer deposited as a cathode is disclosed (for example, see Patent Document 3). However, the silver layer formed by the method proposed in
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性(光透過率安定性)に優れた透明電極、当該透明電極の製造方法、光透過性が高く、低電圧で駆動可能で、かつ耐久性に優れた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems, and a solution to the problem is a transparent electrode having both sufficient conductivity and light transmittance and excellent durability (light transmittance stability), and the transparent An electrode manufacturing method, an electronic device and an organic electroluminescence element that have high light transmittance, can be driven at a low voltage, and have excellent durability.
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を進めた結果、中間層と、該中間層に隣接して設けられる導電性層とを積層した構成とし、当該中間層は銀化合物を含有し、前記導電性層は銀を主成分として構成され、従来にない高い光透過率と、低いシート抵抗値を備えた透明電極により、優れた導電性と光透過性とを両立することができ、かつ耐久性に優れた透明電極を実現することができることを見出し、本発明に至った次第である。 As a result of diligent investigation in view of the above problems, the present inventor has a configuration in which an intermediate layer and a conductive layer provided adjacent to the intermediate layer are stacked, the intermediate layer containing a silver compound, The conductive layer is composed mainly of silver, and with a transparent electrode with a high light transmittance and a low sheet resistance value that has never existed before, it is possible to achieve both excellent conductivity and light transmittance and is durable. As a result, the inventors have found that a transparent electrode having excellent properties can be realized, and have reached the present invention.
すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。 That is, the said subject of this invention is solved by the following means.
1.中間層と、該中間層に隣接して設けられた導電性層とを有する透明電極であって、波長550nmにおける光透過率が50%以上であり、かつシート抵抗値が20Ω/□以下であり、前記中間層は銀化合物を含有し、前記導電性層は銀を主成分として含有しており、前記銀化合物が、下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする透明電極。
一般式(1) Ag−Y(−R) n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子又はOC(=O)を表す。Rは、有機の置換基を表す。nは、0又は1を表す。)
1. A transparent electrode having an intermediate layer and a conductive layer provided adjacent to the intermediate layer, having a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm and a sheet resistance value of 20Ω / □ or less. The intermediate layer contains a silver compound, the conductive layer contains silver as a main component, and the silver compound is a compound represented by the following general formula (1) electrode.
General formula (1) Ag-Y (-R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom or OC (═O). R represents an organic substituent. N represents 0 or 1.)
2.前記一般式(1)において、Yが、臭素原子又はヨウ素原子を表し、nが0を表すことを特徴とする第1項に記載の透明電極。
2 . In the above general formula (1), Y is bromine atom or iodine atom, a transparent electrode according to
3.前記導電性層と、当該導電性層に隣接して設けられた中間層と、当該中間層に隣接して設けられた下地層とが順に積層された構成を有し、
前記下地層が、下記一般式(2)で表される化合物を含有することを特徴とする第1項又は第2項に記載の透明電極。
一般式(2) R1−Y(−R)n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す。Yが塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子の場合、nは0を表し、R1は置換基を表す。Yが硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す場合、nは1を表し、Rは置換基を表し、R1は水素原子又は置換基を表す。)
3 . The conductive layer, an intermediate layer provided adjacent to the conductive layer, and a base layer provided adjacent to the intermediate layer are sequentially stacked,
3. The transparent electrode according to
Formula (2) R 1 —Y (—R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, SS or OC (═O). When Y is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n represents 0, and R 1. Represents a substituent, and when Y represents a sulfur atom, SS or OC (═O), n represents 1, R represents a substituent, and R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
4.前記中間層と前記下地層が、1層の中間下地層を形成し、
前記中間下地層が、前記一般式(1)で表される化合物及び前記一般式(2)で表される化合物をともに含有していることを特徴とする第3項に記載の透明電極。
4 . The intermediate layer and the base layer form one intermediate base layer,
4. The transparent electrode according to
5.銀を主成分として含有する導電性層を有する透明電極の製造方法であって、
銀化合物及び前記導電性層由来の銀と反応して当該銀化合物を形成する化合物のうち、少なくともいずれか一方を含有する層を形成する工程と、
前記導電性層を形成する工程と、を有し、
下記一般式(1)で表される前記銀化合物を含有する中間層を、下記一般式(2)で表される前記化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で形成することを特徴とする透明電極の製造方法。
一般式(1) Ag−Y(−R) n
(式中、Yは、一個の銀原子と結合を形成する原子又は基を表す。Rは、有機の置換基を表す。nは、0又は1を表す。)
一般式(2) R 1 −Y(−R) n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す。Yが塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子の場合、nは0を表し、R 1 は置換基を表す。Yが硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す場合、nは1を表し、Rは置換基を表し、R 1 は水素原子又は置換基を表す。)
5 . A method for producing a transparent electrode having a conductive layer containing silver as a main component,
A step of forming a layer containing at least one of a silver compound and a compound that reacts with silver derived from the conductive layer to form the silver compound;
Have a, and forming the conductive layer,
An intermediate layer containing the silver compound represented by the following general formula (1) is formed in the process of forming the conductive layer on an underlayer containing the compound represented by the following general formula (2) A method for producing a transparent electrode, comprising:
General formula (1) Ag-Y (-R) n
(In the formula, Y represents an atom or group that forms a bond with one silver atom. R represents an organic substituent. N represents 0 or 1.)
Formula (2) R 1 —Y (—R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, SS or OC (═O). When Y is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n represents 0, and R 1. Represents a substituent, and when Y represents a sulfur atom, SS or OC (═O), n represents 1, R represents a substituent, and R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
6.前記一般式(2)において、Yが、臭素原子又はヨウ素原子を表すことを特徴とする第5項に記載の透明電極の製造方法。 6 . In the said General formula (2), Y represents a bromine atom or an iodine atom, The manufacturing method of the transparent electrode of Claim 5 characterized by the above-mentioned.
7.前記一般式(2)で表される化合物が、下記一般式(3)で表される化合物であることを特徴とする第6項に記載の透明電極の製造方法。
一般式(3) Ar−X
(式中、Arは芳香族基を表し、Xは臭素原子又はヨウ素原子を表す。)
7 . The method for producing a transparent electrode according to item 6, wherein the compound represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (3).
General formula (3) Ar-X
(In the formula, Ar represents an aromatic group, and X represents a bromine atom or an iodine atom.)
8.第1項から第4項までのいずれか一項に記載の透明電極を具備することを特徴とする電子デバイス。
8 . An electronic device comprising the transparent electrode according to any one of
9.第1項から第4項までのいずれか一項に記載の透明電極を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
9 . An organic electroluminescence device comprising the transparent electrode according to any one of
本発明によれば、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性(光透過率安定性)に優れた透明電極、当該透明電極の製造方法、及び光透過性が高く、低電圧で駆動可能で、かつ耐久性に優れた電子デバイス及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。 According to the present invention, a transparent electrode having sufficient conductivity and light transmittance and excellent in durability (light transmittance stability), a method for producing the transparent electrode, and a high light transmittance, low voltage It is possible to provide an electronic device and an organic electroluminescence element that can be driven by the above-mentioned and excellent in durability.
本発明の効果の発現機構、作用機構については明確にはなっていないが、以下のように推察される。 Although the expression mechanism and action mechanism of the effect of the present invention are not clarified, it is presumed as follows.
すなわち、本発明の透明電極は、中間層の上部に、銀を主成分として含有している導電性層が設けられており、かつ当該中間層には、銀原子と親和性のある銀化合物が含有されているという構成である。 That is, in the transparent electrode of the present invention, a conductive layer containing silver as a main component is provided on the upper part of the intermediate layer, and the intermediate layer contains a silver compound having affinity for silver atoms. It is the composition of being contained.
これにより、中間層の上部に導電性層を成膜する際には、導電性層を構成する銀原子が、中間層に含有されている銀化合物と相互作用し、当該中間層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。 Thereby, when forming a conductive layer on the upper part of the intermediate layer, the silver atoms constituting the conductive layer interact with the silver compound contained in the intermediate layer, and on the surface of the intermediate layer. The diffusion distance of silver atoms is reduced, and the aggregation of silver at specific points is suppressed.
すなわち、銀原子は、まず銀原子と銀化合物を含有する中間層表面上で2次元的な核を形成し、それを中心に2次元の単結晶層を形成するという層状成長型(Frank−van der Merwe:FM型)の膜成長によって成膜されるようになる。 That is, silver atoms first form a two-dimensional nucleus on the surface of an intermediate layer containing silver atoms and a silver compound, and a two-dimensional single crystal layer is formed around the two-dimensional nucleus (Frank-van). der Merwe (FM type) film growth.
なお、一般的には、中間層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合し3次元的な核を形成し、3次元的な島状に成長するという島状成長型(Volumer−Weber:VW型)での膜成長により島状に成膜し易いと考えられるが、本発明では、中間層に含有されている銀化合物により、このような様式の島状成長が抑制され、層状成長が促進されると推察される。 In general, an island-shaped growth type (Volume-Weber) in which silver atoms attached on the surface of the intermediate layer are bonded while diffusing the surface to form a three-dimensional nucleus and grow into a three-dimensional island shape. : VW type), it is considered that the film is easily formed into islands, but in the present invention, the silver compound contained in the intermediate layer suppresses the island-like growth in this manner, and the layer growth Is presumed to be promoted.
層厚が数nm〜数十nmの島状の銀層は、表面プラズモンにより光吸収が促進されることが知られている。しかし、島状の銀層と同じ平均層厚の層状に成長した銀層においては、表面プラズモンによる光吸収が小さくなる。上記理由から表面プラズモンによる導電性層の光吸収が低いことにより、本発明の透明電極は、光透過率が高くなったと推察される。 It is known that the island-shaped silver layer having a layer thickness of several nanometers to several tens of nanometers promotes light absorption by surface plasmons. However, in a silver layer grown in the same average layer thickness as the island-shaped silver layer, light absorption by surface plasmons is reduced. For the above reason, it is presumed that the light transmittance of the transparent electrode of the present invention is increased due to the low light absorption of the conductive layer by the surface plasmon.
したがって、本発明の透明電極の導電性層は、従来知られていた導電性層と同じ平均層厚又はそれ以下の層厚でありながらも、均一な層厚の導電性層が得られ、導電性に優れ、光吸収が顕著に小さいといった特徴を有する。この結果、本発明の透明電極は、優れた導電性を保有しつつも、光透過率の高い透明電極とすることができる。 Therefore, the conductive layer of the transparent electrode of the present invention has a uniform layer thickness even though it has the same average layer thickness or less than the conventionally known conductive layer. It has excellent characteristics and has a feature that light absorption is remarkably small. As a result, the transparent electrode of the present invention can be a transparent electrode having high light transmittance while retaining excellent conductivity.
本発明の透明電極は、中間層と、該中間層に隣接して設けられる導電性層とを有する透明電極であって、波長550nmにおける光透過率が50%以上で、かつシート抵抗値が20Ω/□以下であり、前記中間層は銀化合物を含有し、前記導電性層は銀を主成分として含有しており、前記銀化合物が、前記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とし、十分な導電性と光透過性とを兼ね備え、かつ耐久性(光透過率安定性)に優れた透明電極を実現することができる。この特徴は、第1項から第9項に係る発明に共通する技術的特徴である。 The transparent electrode of the present invention is a transparent electrode having an intermediate layer and a conductive layer provided adjacent to the intermediate layer, and has a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm and a sheet resistance of 20Ω. The intermediate layer contains a silver compound, the conductive layer contains silver as a main component, and the silver compound is a compound represented by the general formula (1). Thus, it is possible to realize a transparent electrode having sufficient conductivity and light transmittance and excellent durability (light transmittance stability). This feature is a technical feature common to the inventions according to the first to ninth terms.
本発明の実施態様としては、前記一般式(1)において、前記Yが、臭素原子又はヨウ素原子を表し、nが0を表すことが好ましい。 The embodiments of the present invention, in the general formula (1), wherein Y is bromine atom or iodine atom, it is good preferable that n represents 0.
また、前記導電性層と、当該導電性層に隣接して設けられた中間層と、当該中間層に隣接して設けられた下地層とが順に積層された構成を有し、前記下地層が、前記一般式(2)で表される化合物を含有することが好ましい。これにより、導電性層に含有されている銀と一般式(2)で表される化合物が反応することで、一般式(1)で表される銀化合物が生成し、導電性層に含有されている銀の凝集を抑制するものことができるものと考えられる。 The conductive layer, an intermediate layer provided adjacent to the conductive layer, and a base layer provided adjacent to the intermediate layer are sequentially stacked, and the base layer is It is preferable to contain the compound represented by the general formula (2). As a result, the silver compound represented by the general formula (1) is generated by the reaction of the silver contained in the conductive layer with the compound represented by the general formula (2), and is contained in the conductive layer. It is thought that it can suppress the aggregation of silver.
また、前記中間層と前記下地層が、1層の中間下地層を形成し、前記中間下地層が、前記一般式(1)で表される化合物及び前記一般式(2)で表される化合物をともに含有していることが好ましい。中間層と下地層との間に境界のない1層の中間下地層を形成する場合であっても、中間層と下地層を別個に形成する場合と同様に銀の凝集を抑制することができる。また、1層で形成することにより、コストの削減を図ることができる。 Further, the intermediate layer and the underlayer form one intermediate underlayer, and the intermediate underlayer is a compound represented by the general formula (1) and a compound represented by the general formula (2). It is preferable that both are contained. Even when a single intermediate base layer without a boundary is formed between the intermediate layer and the base layer, the aggregation of silver can be suppressed as in the case where the intermediate layer and the base layer are formed separately. . In addition, the cost can be reduced by forming with one layer.
本発明の透明電極を製造する透明電極の製造方法としては、銀を主成分として含有する導電性層を有する透明電極の製造方法であって、銀化合物及び前記導電性層由来の銀と反応して当該銀化合物を形成する化合物のうち、少なくともいずれか一方を含有する層を形成する工程と、前記導電性層を形成する工程と、を有し、前記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層上に前記導電性層を形成する過程において、前記一般式(1)で表される銀化合物を含有する中間層を形成することを特徴とする。また、前記一般式(2)で表される化合物が、前記一般式(3)で表される化合物であることが前記導電性層を形成する過程において、より容易に銀化合物を発生させ、均一な膜厚の導電性層が得られる観点から好ましい。 The method for producing a transparent electrode for producing the transparent electrode of the present invention is a method for producing a transparent electrode having a conductive layer containing silver as a main component, which reacts with a silver compound and silver derived from the conductive layer. among the compounds which form the silver compound Te, a step of forming a layer containing at least one, have a, and forming the conductive layer, the above formula (2) compound in the process of forming the conductive layer on the base layer containing, and forming an intermediate layer containing a silver compound represented by the general formula (1). Further, in the process of forming the conductive layer, the compound represented by the general formula (2) is a compound represented by the general formula (3). From the viewpoint of obtaining a conductive layer having a sufficient thickness.
本発明の透明電極は、電子デバイスに好適に具備される。中でも、本発明の透明電極は、有機エレクトロルミネッセンス素子に好適に具備される。 The transparent electrode of the present invention is suitably provided in an electronic device. Especially, the transparent electrode of this invention is comprised suitably for an organic electroluminescent element.
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本発明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。 Hereinafter, the present invention, its components, and modes and modes for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, "-" shown in this invention is used in the meaning which includes the numerical value described before and behind that as a lower limit and an upper limit.
《1.透明電極》
図1は、本発明の透明電極を有する透明電極基板の構成の一例を示す概略断面図である。
<< 1. Transparent electrode >>
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a transparent electrode substrate having a transparent electrode of the present invention.
図1の(a)に示す透明電極1は、中間層1aを有し、この中間層1aの上部に導電性層1bを積層した2層構造であり、例えば、基材11の上部に、中間層1a、導電性層1bからなる透明電極1が設けられ、透明電極基板を形成する。本発明に係る中間層1aは、銀化合物を含有している層であることを特徴とし、その上に積層する本発明に係る導電性層1bは、銀を主成分として構成されている層であることを特徴とする。
A
なお、本願において、「導電性層の主成分」とは、導電性層を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。本発明に係る導電性層は、銀を主成分とし、その構成比率は、60質量%以上であることが好ましい。より好ましくは、80質量%以上であり、さらに好ましくは90質量%以上であり、特に好ましくは98質量%以上である。 In the present application, the “main component of the conductive layer” means a component having the highest component ratio among the components constituting the conductive layer. The conductive layer according to the present invention is mainly composed of silver, and the composition ratio is preferably 60% by mass or more. More preferably, it is 80 mass% or more, More preferably, it is 90 mass% or more, Most preferably, it is 98 mass% or more.
また、本発明の透明電極1でいう透明とは、波長550nmにて測定した光透過率が50%以上であることをいう。
The term “transparent” as used in the
また、透明電極基板の層構成としては、図1の(b)に示すように、基材11上に、中間層1a及び導電性層1bからなる本発明の透明電極1を有し、更に、導電性層1b上に、第2の中間層1cを積層し、中間層1aと中間層1cとで導電性層1bを挟持する層構成であることも、好ましい態様の一つである。
Moreover, as a layer structure of the transparent electrode substrate, as shown in FIG. 1B, the
また、本発明においては、中間層1aとこの上部に製膜された導電性層1bとを有する積層構造の透明電極1においては、更に、導電性層1bの上部が保護層で覆われている構成であること、あるいは第2の導電性層が積層されている構成であっても良い。この場合、透明電極1の光透過性を損なうことのないように、保護層及び第2の導電性層は、いずれも高い光透過性を有することが好ましい。
In the present invention, in the
また、中間層1aの下部、すなわち中間層1aと基材11との間にも、必要に応じ、機能層を設けた構成としても良い。
例えば、図1(c)に示すように、基材11と中間層1aで下地層1dを挟持する構成であってもよく、中間層1a上に導電性層1bを有する構成とすることも好ましい。
Moreover, it is good also as a structure which provided the functional layer as needed under the intermediate |
For example, as shown in FIG. 1C, the
次に、このような積層構造の透明電極1を保持するのに用いられる基材11と、透明電極1を構成する中間層1a及び導電性層1bの順に、更に詳細な構成要件について説明する。
Next, further detailed structural requirements will be described in the order of the
〔基材〕
本発明の透明電極1を保持するのに用いられる基材11は、例えば、ガラス、プラスチック等を挙げることができるが、これらに限定されない。また、基材11は、透明であっても不透明であってもよいが、本発明の透明電極1が、基材11側から光を取り出す電子デバイスに用いられる場合には、基材11は透明であり、好ましく用いられる透明な基材11としては、ガラス、石英、樹脂フィルムを挙げることができる。
〔Base material〕
Examples of the
ガラスとしては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、中間層1aとの密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理が施されていても良いし、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されている構成であっても良い。
Examples of the glass include silica glass, soda-lime silica glass, lead glass, borosilicate glass, and alkali-free glass. From the viewpoints of adhesion to the
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン(商品名;JSR社製)又はアペル(商品名;三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyolefins such as polyethylene and polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, and cellulose acetate. Cellulose esters such as propionate (CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, poly Ether ketone, polyimide, polyether sulfone (PES), polyphenylene sulfi , Polysulfones, Polyetherimide, Polyetherketoneimide, Polyamide, Fluororesin, Nylon, Polymethylmethacrylate, Acrylic or Polyarylate, Arton (trade name; manufactured by JSR) or Appel (trade name; manufactured by Mitsui Chemicals) And the like.
上記樹脂フィルムの表面には、無機物又は有機物からなる被膜(バリア膜ともいう)や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜が形成されている構成であっても良い。このような被膜及びハイブリッド被膜は、JIS−K−7129−1992に準拠した方法で測定される水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%RH)が0.01g/(m2・24時間)以下のバリア性フィルムであることが好ましい。更には、JIS−K−7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m2・24時間・atm)以下、水蒸気透過度が1×10−5g/(m2・24時間)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 The surface of the resin film may have a structure in which a film made of an inorganic material or an organic material (also referred to as a barrier film) or a hybrid film formed by combining these films is formed. Such coatings and hybrid coatings have a water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity 90 ± 2% RH) measured by a method according to JIS-K-7129-1992 of 0.01 g / (m (2 · 24 hours) or less barrier film is preferable. Furthermore, the oxygen permeability measured by a method according to JIS-K-7126-1987 is 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 hours · atm) or less, and the water vapor permeability is 1 × 10 −5 g. / (M 2 · 24 hours) or less is preferable.
以上のようなバリア性フィルムを形成する材料としては、水分や酸素等の電子デバイスや有機EL素子の劣化をもたらす要因の浸入を抑制する機能を備えた材料であればよく、例えば、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に、当該バリア性フィルムの脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層(有機層)の積層構造をもたせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。 The material for forming the barrier film as described above may be a material having a function of suppressing the intrusion of factors that cause deterioration of electronic devices such as moisture and oxygen and organic EL elements, such as silicon dioxide, Silicon nitride or the like can be used. Furthermore, in order to improve the brittleness of the barrier film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers (organic layers) made of an organic material. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.
バリア性フィルムの作製方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法(CVD:化学蒸着法、Chemical Vapor Deposition)、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載の大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。 The method for producing the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma. A polymerization method, a plasma CVD method (CVD: Chemical Vapor Deposition), a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used, and atmospheric pressure plasma weight described in JP-A-2004-68143 is used. A legal method is particularly preferred.
一方、基材11を不透明な材料で構成する場合には、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属基板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等を用いることができる。
On the other hand, when the
〔中間層〕
本発明に係る中間層1aは、銀化合物を用いて構成された層である。このような中間層1aが基材11上に製膜されたものである場合、その製膜方法としては、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセス(塗布法)を用いる方法や、スパッタ法、CVD法などのドライプロセス(蒸着法)を用いる方法などが挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。
[Middle layer]
The
中間層1aは、膜厚が1〜100nmの範囲にあることが好ましく、5〜30nmの範囲にあることがより好ましい。この範囲であればいずれの膜厚であっても効果が得られる。
膜厚が100nmより薄いと層の吸収成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上するため好ましい。また、膜厚が1nmより厚いと均一で連続的な中間層が形成されるため好ましい。
The
When the film thickness is less than 100 nm, the absorption component of the layer is reduced and the transmittance of the transparent electrode is improved, which is preferable. Further, it is preferable that the film thickness is thicker than 1 nm because a uniform and continuous intermediate layer is formed.
(銀化合物)
本発明の透明電極1においては、中間層1aには、銀化合物が含有されている。当該銀化合物としては、無機銀化合物及び有機銀化合物が挙げられる。
(Silver compound)
In the
本発明に係る銀化合物としては、その構造に特に制限はないが、下記一般式(1)で表される化合物が好ましい。 The structure of the silver compound according to the present invention is not particularly limited, but a compound represented by the following general formula (1) is preferable.
以下、本発明に好適に用いることができる一般式(1)で表される銀化合物について説明する。 Hereinafter, the silver compound represented by the general formula (1) that can be suitably used in the present invention will be described.
一般式(1) Ag−Y(−R)n
上記一般式(1)において、Yは一価の銀と塩を形成する基を表し、Rは、有機の置換基を表す。nは0又は1を表す。
General formula (1) Ag-Y (-R) n
In the above general formula (1), Y represents a group that forms a salt with monovalent silver, and R represents an organic substituent. n represents 0 or 1.
一般式(1)において、Yで表される基としては、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子又はOC(=O)が好ましい。Rが表す有機の置換基は、他の銀原子と結合していてもよい。 In the general formula (1), the group represented by Y is preferably a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, or OC (═O). The organic substituent represented by R may be bonded to another silver atom.
Yが、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す場合は、nは0であり、Yが、硫黄原子又はOC(=O)を表す場合は、nは1である。 When Y represents a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n is 0, and when Y represents a sulfur atom or OC (═O), n is 1.
Rで表される有機の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルキニル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、非芳香族複素環基等が挙げられる。 Examples of the organic substituent represented by R include an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkynyl group, an aromatic hydrocarbon ring group, an aromatic heterocyclic group, and a non-aromatic heterocyclic group.
Rで表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基、ヘンエイコシル基、ドコシル基、トリコシル基等を挙げることができ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基である。 Examples of the alkyl group represented by R include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, A hexadecyl group, an octadecyl group, a nonadecyl group, an eicosyl group, a heneicosyl group, a docosyl group, a tricosyl group, etc. can be mentioned, Preferably they are a methyl group, an ethyl group, and a propyl group.
Rで表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。 Examples of the cycloalkyl group represented by R include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group.
Rで表されるアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基、ブチニル基等を挙げることができる。 Examples of the alkynyl group represented by R include ethynyl group, propargyl group, butynyl group and the like.
Rで表される芳香族炭化水素環基(アリール基、あるいは芳香族炭化水素基等ともいう。)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等を挙げることができ、好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントリル基である。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring group represented by R (also referred to as an aryl group or an aromatic hydrocarbon group) include, for example, a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, a tolyl group, a xylyl group, and a naphthyl group. , Anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group, and the like, preferably a phenyl group, a naphthyl group, and an anthryl group.
Rで表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等を挙げることができ、好ましくは、ピリジル基、イミダゾリル基、トリアジニル基である。 Examples of the aromatic heterocyclic group represented by R include a pyridyl group, a pyrimidinyl group, a furyl group, a pyrrolyl group, an imidazolyl group, a benzimidazolyl group, a pyrazolyl group, a pyrazinyl group, and a triazolyl group (for example, 1,2,4- Triazol-1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl Group, dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom) Quinoxalinyl group, pyridazinyl group, tria Group, quinazolinyl group, and a phthalazinyl group, preferably, a pyridyl group, an imidazolyl group, a triazinyl group.
Rで表される非芳香族複素環基としては、例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等を挙げることができる。 Examples of the non-aromatic heterocyclic group represented by R include a pyrrolidyl group, an imidazolidyl group, a morpholyl group, and an oxazolidyl group.
上記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキレン基、アリーレン基及びヘテロアリーレン基は更に置換基により置換されていてもよい。当該置換基としては、上記アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルキレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基等が挙げられる。 The alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylene group, arylene group and heteroarylene group may be further substituted with a substituent. Examples of the substituent include the alkyl group, aryl group, heteroaryl group, alkylene group, arylene group, and heteroarylene group.
本発明においては、好ましくは、Rはアリール基又はアリーレン基であり、当該アリール基又はアリーレン基は更にアリール基で置換されていてもよい。 In the present invention, preferably, R is an aryl group or an arylene group, and the aryl group or arylene group may be further substituted with an aryl group.
上記のRで表される有機の置換基は、更に置換基を有していてもよい。Rで表される置換基が有することのできる置換基としては、例えば、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等)、非芳香族複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等)等が挙げられる。 The organic substituent represented by the above R may further have a substituent. Examples of the substituent that the substituent represented by R can have include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, Dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group etc.), cycloalkyl group (eg cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.), alkenyl group (eg vinyl group, allyl group etc.), alkynyl group (eg ethynyl group, propargyl etc.) Group), aromatic hydrocarbon ring group (also called aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group , Acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, Phenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic groups (for example, pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazole- 1-yl group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, Dibenzofuryl group, benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (in which one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom) ), Quinoxalinyl group, pyridazinyl group, tria Nyl group, quinazolinyl group, phthalazinyl group, etc.), non-aromatic heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyl) Oxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (For example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (for example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (for example, phenyl Thio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxy) Carbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecyl) Aminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethyl group) Rubonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy Group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propyl) Carbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group Dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group) Octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentyl) Ureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminourei Group), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.) ), Alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group) , Naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopente) Ruamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, etc., cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group) Group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), halogen atoms (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.) and the like.
これらの置換基のうち、好ましいものは芳香族炭化水素環基であり、更に複数の芳香族炭化水素環基を有し、これらの芳香族炭化水素環基が更に銀原子と結合している構造も好ましい。 Among these substituents, preferred is an aromatic hydrocarbon ring group, further having a plurality of aromatic hydrocarbon ring groups, and a structure in which these aromatic hydrocarbon ring groups are further bonded to a silver atom. Is also preferable.
以下に、本発明に係る一般式(1)で表される銀化合物の具体的な化合物例を示すが、本発明はこれら例示する化合物に限定されるものではない。 Specific examples of the silver compound represented by the general formula (1) according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these exemplified compounds.
本発明に係る一般式(1)で表される銀化合物は、従来公知の合成方法に準じて、容易に合成することができる。 The silver compound represented by the general formula (1) according to the present invention can be easily synthesized according to a conventionally known synthesis method.
また、本発明に係る一般式(1)で表される銀化合物を含有する中間層を形成する方法としては、下記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で形成することが中間層を均一に、かつ効率よく形成できる観点から好ましい。 Moreover, as a method of forming the intermediate layer containing the silver compound represented by the general formula (1) according to the present invention, the conductive layer is formed on the base layer containing the compound represented by the following general formula (2). The intermediate layer is preferably formed in the process of forming the conductive layer from the viewpoint of forming the intermediate layer uniformly and efficiently.
一般式(2) R1−Y(−R)n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す。Yが塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子の場合、nは0を表し、R1は置換基を表す。Yが硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す場合、nは1を表し、Rは置換基を表し、R1は水素原子又は置換基を表す。)
前記一般式(2)において、Yが硫黄原子又はOC(=O)を表す場合、R1は水素原子であることが好ましい。
Formula (2) R 1 —Y (—R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, SS or OC (═O). When Y is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n represents 0, and R 1. Represents a substituent, and when Y represents a sulfur atom, SS or OC (═O), n represents 1, R represents a substituent, and R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
In the general formula (2), when Y represents a sulfur atom or OC (═O), R 1 is preferably a hydrogen atom.
また、前記一般式(2)で表される化合物が下記一般式(3)で表される化合物であることが、前記導電性層を形成する過程において、より容易に銀化合物を発生させ、均一な膜厚の導電性層が得られる観点から更に好ましい。 In addition, the compound represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (3), and in the process of forming the conductive layer, the silver compound is more easily generated and uniform. From the viewpoint of obtaining a conductive layer having a sufficient thickness, it is more preferable.
一般式(3) Ar−X
(式中、Arは芳香族基を表し、Xは臭素原子又はヨウ素原子を表す。)
Arが表す芳香族基は、前記一般式(1)のRで表される芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基と同義である。
General formula (3) Ar-X
(In the formula, Ar represents an aromatic group, and X represents a bromine atom or an iodine atom.)
The aromatic group represented by Ar has the same meaning as the aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group represented by R in the general formula (1).
以下に、本発明に係る一般式(2)及び一般式(3)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれら例示する化合物に限定されるものではない。 Specific examples of the compounds represented by the general formula (2) and the general formula (3) according to the present invention are shown below, but the present invention is not limited to these exemplified compounds.
<合成例>
合成例として、上記化合物P−20の合成方法を以下に記載する。
<Synthesis example>
As a synthesis example, a synthesis method of the compound P-20 is described below.
100mlナスフラスコに1,3−ジヨードベンゼン(原料化合物2)(5.0g 0.015mol)、δ−カルボリン(原料化合物1)(2.2eq.)、K3PO4(5eq.)、Cu2O(0.4eq.)、dipivaloyl methane(1.0eq.)、及びDMSO(50ml)を加えて溶解し、窒素雰囲気下、150℃で14時間還流した。
In a 100 ml eggplant flask, 1,3-diiodobenzene (raw compound 2) (5.0 g 0.015 mol), δ-carboline (raw compound 1) (2.2 eq.), K 3 PO 4 (5 eq.), Cu 2 O (0.4 eq.), Divalent molecule (1.0 eq.), And DMSO (50 ml) were added and dissolved, and the mixture was refluxed at 150 ° C. for 14 hours under a nitrogen atmosphere.
その後室温まで戻した後、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体3の白色固体(4.4g 収率71%)を得た。 After returning to room temperature, the solution was transferred to a separatory funnel and extracted. Ethyl acetate and saturated brine were added to separate the organic phase and the aqueous phase, and then the organic phase was taken out and evaporated under reduced pressure. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain a white solid of Intermediate 3 (4.4 g, yield 71%).
<化合物(6)の合成>
100mlナスフラスコに中間体3(4.0g 0.0098mol)、及びNBS(N−ブロモスクシイミド)(2.2eq.)、及びDMF(20ml)を加え溶解し、窒素雰囲気下、80℃で8時間加熱撹拌した。
<Synthesis of Compound (6)>
Intermediate 3 (4.0 g 0.0098 mol), NBS (N-bromosuccinimide) (2.2 eq.), And DMF (20 ml) were added to and dissolved in a 100 ml eggplant flask, and at 80 ° C. under a nitrogen atmosphere. The mixture was stirred for 8 hours.
その後室温まで戻した後、溶液を分液ロートに移して抽出を行った。酢酸エチルと飽和食塩水を加えて有機相と水相に分離した後、有機相を取り出し、減圧留去した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、化合物P−20の白色固体(4.6g 収率82%)を得た。 After returning to room temperature, the solution was transferred to a separatory funnel and extracted. Ethyl acetate and saturated brine were added to separate the organic phase and the aqueous phase, and then the organic phase was taken out and evaporated under reduced pressure. The obtained solid was purified by silica gel column chromatography to obtain a white solid (4.6 g, yield 82%) of compound P-20.
上記化合物の具体例に記載のその他の化合物は、上記合成法を応用することにより、又は、従来公知の合成方法に準じて合成できる。 Other compounds described in the specific examples of the above compounds can be synthesized by applying the above synthesis method or according to a conventionally known synthesis method.
〔導電性層〕
本発明に係る導電性層1bは、銀を主成分として構成されている層であって、中間層1a上に形成される。本発明に係る導電性層1bの形成方法としては、例えば、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセス(塗布法)を用いる方法や、スパッタ法、CVD法などのドライプロセス(蒸着法)を用いる方法などが挙げられる。上記製膜方法の中でも、蒸着法が好ましく適用される。また、導電性層1bは、中間層1a上に形成されることにより、導電性層形成後の高温アニール処理(例えば、150℃以上の加熱プロセス)等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、製膜後に高温アニール処理等を施しても良い。
[Conductive layer]
The
なお、本願において、前述のとおり、「導電性層の主成分」とは、導電性層を構成する成分のうち、構成比率が最も高い成分をいう。本発明に係る導電性層は、銀を主成分とし、その構成比率は、60質量%以上であることが好ましい。より好ましくは、80質量%以上であり、さらに好ましくは90質量%以上であり、特に好ましくは98質量%以上である。 In addition, in this application, as above-mentioned, "the main component of an electroconductive layer" means the component with the highest composition ratio among the components which comprise an electroconductive layer. The conductive layer according to the present invention is mainly composed of silver, and the composition ratio is preferably 60% by mass or more. More preferably, it is 80 mass% or more, More preferably, it is 90 mass% or more, Most preferably, it is 98 mass% or more.
導電性層1bは、銀単独で形成する、あるいは銀(Ag)を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム(Ag・Mg)、銀・銅(Ag・Cu)、銀・パラジウム(Ag・Pd)、銀・パラジウム・銅(Ag・Pd・Cu)、銀・インジウム(Ag・In)などが挙げられる。
The
本発明に係る導電性層1bにおいては、銀を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。
The
更に、当該導電性層1bは、層厚は、5〜20nmが好ましく、5〜12nmが更に好ましく、5〜8nmの範囲にあることが最も好ましい。層厚が8nmより薄いと層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上するためより好ましい。また、層厚が5nmより厚いと層の導電性が十分になるため好ましい。
Further, the
〔下地層〕
また、導電性層と、当該導電性層に隣接して設けられた中間層と、当該中間層に隣接して設けられた下地層とが順に積層された構成を有することが好ましい。この場合、下地層は、下記一般式(2)で表される化合物を含有することが好ましい。
一般式(2) R1−Y(−R)n
式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す。Yが塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子の場合、nは0を表し、R1は置換基を表す。Yが硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す場合、nは1を表し、Rは置換基を表し、R1は水素原子又は置換基を表す。
具体的には、一般式(2)で表される化合物を含有する下地層1dを形成することで、導電性層1bとの界面で導電性層1bに含有される銀原子と反応し、一般式(1)で表される銀化合物を含有する中間層1aが形成されることが好ましい。
[Underlayer]
Moreover, it is preferable that the conductive layer, the intermediate layer provided adjacent to the conductive layer, and the base layer provided adjacent to the intermediate layer are sequentially stacked. In this case, the underlayer preferably contains a compound represented by the following general formula (2).
Formula (2) R 1 —Y (—R) n
In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, SS or OC (═O). When Y is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n represents 0 and R 1 represents a substituent. When Y represents a sulfur atom, SS or OC (═O), n represents 1, R represents a substituent, and R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
Specifically, by forming the
また、中間層と下地層が、1層の中間下地層を形成し、中間下地層が、一般式(1)で表される化合物及び一般式(2)で表される化合物をともに含有していることも銀との相互作用が発現される観点から好ましい。
ここで中間下地層1eとは、下地層1dを形成した後、蒸着により導電性層1bを形成し、下地層1dに含有される一般式(2)で表される化合物と導電性層1bに含有される銀原子とが反応することにより生成した銀化合物を含有する中間層が下地層1dと明確な界面を形成せずに1層となる場合をいう。
The intermediate layer and the underlayer form one intermediate underlayer, and the intermediate underlayer contains both the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2). It is also preferable from the viewpoint of interaction with silver.
Here, the
〔透明電極の効果〕
以上説明したように、本発明の透明電極1は、銀化合物を含有して構成された中間層1a上に、銀を主成分として構成されている導電性層1bを設けた構成である。これにより、中間層1aの上部に導電性層1bを形成する際には、導電性層1bを構成する銀原子が中間層1aを構成する銀化合物と相互作用し、当該銀原子の中間層1a表面における拡散距離が減少し、銀の凝集の生成を抑制することができる。
[Effect of transparent electrode]
As described above, the
従来のように、銀を主成分として構成されている導電性層の形成においては、核成長型(Volumer−Weber:VW型)で薄膜成長するため、銀粒子が島状に孤立し易く、層厚が薄いときは導電性を得ることが困難となり、シート抵抗値が高くなる。したがって、導電性を確保するにはある程度層厚を厚くする必要があるが、層厚を厚くすると光透過率が低下し、透明電極としては不適であった。 In the formation of a conductive layer composed mainly of silver as in the prior art, since a thin film is grown by a nuclear growth type (Volume-Weber: VW type), silver particles are easily isolated in an island shape. When the thickness is small, it is difficult to obtain conductivity, and the sheet resistance value becomes high. Therefore, in order to ensure conductivity, the layer thickness needs to be increased to some extent. However, if the layer thickness is increased, the light transmittance is lowered, which is not suitable as a transparent electrode.
しかしながら、本発明で規定する構成の透明電極1によれば、銀化合物を含有する中間層1a上において、銀化合物と銀との相互作用により、銀の凝集が抑えられるため、銀を主成分として構成されている導電性層1bの形成においては、単層成長型(Frank−van der Merwe:FM型)で薄膜成長するようになる。
However, according to the
なお、本発明でいう「透明電極1の透明」とは、波長550nmでの光透過率が50%以上であることをいうが、中間層1aとして用いられる上述した各材料は、銀を主成分とした導電性層1bと比較して、十分な光透過性を備えた良好な膜である。一方、透明電極1の導電性は、主に導電性層1bによって確保される。したがって、上述のように、銀を主成分として構成されている導電性層1bが、均一な層厚で形成されたことにより、導電性が確保され、かつ、顕著に光透過性が向上した。これにより、透明電極1の導電性の向上と光透過性の向上との両立を図ることができたものである。
In the present invention, “
《2.透明電極の用途》
上記構成からなる本発明の透明電極1は、各種電子デバイスに用いることができる。電子デバイスの例としては、有機EL素子、LED(Light Emitting Diode)、液晶素子、太陽電池、タッチパネル等が挙げられ、これらの電子デバイスにおいて、光透過性を必要とされる電極部材として、本発明の透明電極1を用いることができる。
<< 2. Applications of transparent electrodes >>
The
以下、用途の一例として、透明電極を用いた有機EL素子の実施の形態について説明する。 Hereinafter, as an example of the application, an embodiment of an organic EL element using a transparent electrode will be described.
《3.有機EL素子の第1例》
〔有機EL素子の構成〕
図2は、本発明の電子デバイスの一例として、本発明の透明電極1を具備した有機EL素子の第1例を示す断面構成図である。以下、図2に基づいて有機EL素子の構成を説明する。
<< 3. First Example of Organic EL Device >>
[Configuration of organic EL element]
FIG. 2 is a cross-sectional configuration diagram showing a first example of an organic EL element including the
図2(a)に示す有機EL素子100は、透明基材13上に順に、透明電極1、有機材料等を用いて構成された発光機能層3、及び対向電極5aをこの順に積層し、封止材17及び接着剤19で封止して構成されている。この有機EL素子100においては、透明電極1として、先に説明した本発明の透明電極1を用いている。このため有機EL素子100は、発生させた光(以下、発光光hと記す)を、少なくとも透明基板13側から取り出すように構成されている。
An
次いで、有機EL素子100の層構造を説明するが、本発明においてはこれら例示する構成例に限定されることはなく、一般的な層構造であっても良い。
Next, the layer structure of the
図2(a)には、透明電極1がアノード(すなわち陽極)として機能し、対向電極5aがカソード(すなわち陰極)として機能する構成を示してある。この場合、発光機能層3としては、図2(a)に示すように、アノードである透明電極1側から順に正孔注入層3a/正孔輸送層3b/発光層3c/電子輸送層3d/電子注入層3eを積層した構成を有している。このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層3cを設けることが有機EL素子としては必須の条件である。正孔注入層3a及び正孔輸送層3bは、正孔輸送・注入層として設けられていても良い。また、電子輸送層3d及び電子注入層3eは、電子輸送・注入層として設けられていても良い。また、これらの発光機能層3のうち、例えば、電子注入層3eは、無機材料で構成されていても良い。
FIG. 2A shows a configuration in which the
また、発光機能層3は、これらの例示した各構成層のほかに、正孔阻止層や電子阻止層等、必要に応じて必要箇所に積層してもよい。更に、発光層3cは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の補助層を介して積層させた構造としても良い。補助層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能しても良い。更に、カソードである対向電極5aも、必要に応じ、積層構造をとっても良い。このような構成においては、透明電極1と対向電極5aとで発光機能層3が挟持された部分のみが、有機EL素子100における発光領域となる。
Further, the light emitting
また、上記のような層構成においては、透明電極1の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極1の導電性層1bに接して、図2(a)に示すような補助電極15が設けられていても良い。
Further, in the layer configuration as described above, for the purpose of reducing the resistance of the
以上のような構成の有機EL素子100は、主に有機材料等を用いて構成された発光機能層3の劣化を防止することを目的として、透明基板13上に、後述する封止材17を付与し、封止構造が形成されている。この封止材17は、接着剤19を介して透明基板13側に固定されている。ただし、透明電極1及び対向電極5aの端子部分は、透明基板13上において発光機能層3によって互いに絶縁性を保った状態で封止材17から露出させた状態で設けられている。
The
以下、図2(a)で示した有機EL素子100を構成するための主要各層の詳細を、透明基板13、透明電極1、対向電極5a、発光機能層3の発光層3c、発光機能層3のほかの機能性層、補助電極15、及び封止材17の順に説明する。
Hereinafter, the details of the main layers for constituting the
〔透明基板〕
透明基板13は、先に説明した本発明の透明電極1が設けられる基材11であり、先に説明した基材11のうち、光透過性を有する透明な基材11が用いられる。
[Transparent substrate]
The
〔透明電極〕
透明電極1(アノード:陽極)は、既に詳述した本発明の透明電極1であり、透明基板13側から順に、銀化合物を含有する中間層1a及び銀を主成分とする導電性層1bを順に製膜した構成である。ここでは特に、透明電極1はアノード(陽極)として機能するものであり、導電性層1bが実質的なアノードとなる。なお、図2(a)においては、下地層1dは省略している。
また、図2(b)に示すように、中間層1aと下地層1dが1層として形成された中間下地層1eに隣接して導電性層1bが製膜される構成であってもよい。
[Transparent electrode]
The transparent electrode 1 (anode: anode) is the
Further, as shown in FIG. 2B, the
〔対向電極〕
対向電極5a(カソード:陰極)は、発光機能層3に電子を供給するカソード(陰極)として機能する電極膜であり、例えば、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属、ITO、ZnO、TiO2、SnO2等の酸化物半導体などが挙げられる。
[Counter electrode]
The
対向電極5aは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜形成させることにより作製することができる。また、対向電極5aとしてのシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましく、層厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で選ばれる。
The
なお、この有機EL素子100が、対向電極5a側からも発光光hを取り出すことがある場合には、上述した導電性材料のうち、光透過性の良好な導電性材料を選択することにより対向電極5aを構成すれば良い。
In the case where the
〔発光機能層〕
(発光層)
本発明の有機EL素子を構成する発光層3cには、発光材料が含有されているが、その中でも、発光材料としてリン光発光化合物が含有されていることが好ましい。
(Light emitting functional layer)
(Light emitting layer)
The
この発光層3cは、対向電極5a又は電子輸送層3dから注入された電子と、透明電極1又は正孔輸送層3bから注入された正孔とが再結合することにより発光を呈する層であり、発光する部分は発光層3cの層内であっても発光層3cと隣接する層との界面であってもよい。
The
このような発光層3cとしては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層3c間には非発光性の補助層を有していることが好ましい。
There is no restriction | limiting in particular in the structure as such a
発光層3cの層厚の総和は、好ましくは、1〜100nmの範囲であり、更に好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができる観点から、1〜30nmの範囲である。なお、発光層3cの層厚の総和とは、発光層3cに非発光性の補助層が存在する場合には、当該補助層も含む層厚である。
The total layer thickness of the
複数層を積層した構成からなる発光層3cの場合、個々の発光層の層厚としては、1〜50nmの範囲に調整することが好ましく、1〜20nmの範囲に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑、赤のそれぞれの発光色に対応する場合、青、緑、赤の各発光層の層厚の関係については、特に制限はない。
In the case of the
以上のように構成されている発光層3cは、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜形成方法に従って製膜して形成することができる。
The
また、発光層3cは、複数の発光材料が混合されて構成されていてもよく、またリン光発光材料と蛍光発光材料(以下、蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。)とが混合されて構成されていてもよい。
In addition, the
発光層3cの構成として、ホスト化合物(以下、発光ホスト等ともいう。)、発光材料(以下、発光ドーパント化合物、あるいはドーパント化合物ともいう。)を含有し、発光材料を発光させることが好ましい。
As a structure of the
〈ホスト化合物〉
発光層3cに含有されるホスト化合物としては、室温(25℃)におけるリン光発光のリン光量子収率が0.1未満の化合物が好ましい。更に好ましくは、リン光量子収率が0.01未満である。また、ホスト化合物は、発光層3cに含有される化合物の中で、その層中での体積比が50%以上であることが好ましい。
<Host compound>
As the host compound contained in the
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、又は複数種用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。 As a host compound, a well-known host compound may be used independently, or multiple types may be used. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. In addition, by using a plurality of kinds of light emitting materials described later, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary light emission color.
用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。 The host compound used may be a conventionally known low molecular compound, a high molecular compound having a repeating unit, or a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). .
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Tg(ガラス転移温度)の化合物が好ましい。ここでいうガラス転移温度(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS−K−7121に準拠した方法により求められる値である。 As the known host compound, a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability while preventing the emission of light from being increased in wavelength and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable. Glass transition temperature (Tg) here is a value calculated | required by the method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry: Differential scanning calorimetry).
以下に、ホスト化合物の具体例(H1〜H79)を示すが、本発明で用いることのできるホスト化合物はこれらに限定されない。なお、ホスト化合物H68〜H79において、x及びyはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、x:y=1:10などとすることができる。 Although the specific example (H1-H79) of a host compound is shown below, the host compound which can be used by this invention is not limited to these. In the host compounds H68 to H79, x and y represent the ratio of the random copolymer. The ratio can be, for example, x: y = 1: 10.
本発明に適用可能な公知のホスト化合物の具体例としては、更に以下の各文献に記載されている化合物を挙げることができる。例えば、特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等に記載されている化合物が挙げられる。 Specific examples of known host compounds applicable to the present invention include compounds described in the following documents. For example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860 Gazette, 2002-334787 gazette, 2002-15871 gazette, 2002-334788 gazette, 2002-43056 gazette, 2002-334789 gazette, 2002-75645 gazette, 2002-338579 gazette. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453. No. 2003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060. , 2002-302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837 and the like.
〈発光材料〉
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物(リン光性化合物、リン光発光材料ともいう)が挙げられる。
<Light emitting material>
As a light-emitting material that can be used in the present invention, a phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent compound or a phosphorescent material) can be given.
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。 A phosphorescent compound is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C. A preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として0.01以上が達成されればよい。 The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. The phosphorescence quantum yield in the solution can be measured using various solvents, but when using a phosphorescent compound in the present invention, the phosphorescence quantum yield is 0.01 or more in any solvent. Should be achieved.
リン光発光性化合物の発光の原理としては、2つの方法が挙げられる。1つの方法は、キャリアが輸送されるホスト化合物上で、キャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性化合物に移動させることでリン光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型である。もう1つの方法は、リン光発光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が生じ、リン光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。 There are two methods for the light emission of the phosphorescent compound. One method is that recombination of carriers occurs on a host compound to which carriers are transported, and an excited state of the host compound is generated, and this energy is transferred to the phosphorescent compound, thereby transferring the energy from the phosphorescent compound. It is an energy transfer type that obtains luminescence. Another method is a carrier trap type in which a phosphorescent compound becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent compound, and light emission from the phosphorescent compound is obtained. In either case, the condition is that the excited state energy of the phosphorescent compound is lower than the excited state energy of the host compound.
リン光発光性化合物は、一般的な有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。 The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light emitting layer of a general organic EL device, but preferably contains a group 8-10 metal in the periodic table of elements. More preferred are iridium compounds, more preferably iridium compounds, osmium compounds, platinum compounds (platinum complex compounds), and rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds.
本発明においては、少なくとも一つの発光層3cが、2種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層3cにおけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層3cの厚さ方向で変化している態様であってもよい。
In the present invention, at least one
リン光発光性化合物の含有量としては、好ましくは発光層3cの総量に対し0.1〜30体積%の範囲である。
As content of a phosphorescence-emitting compound, Preferably it is the range of 0.1-30 volume% with respect to the total amount of the
〈1〉一般式(A)で表される化合物
本発明に係る発光層3cにおいては、リン光発光性化合物として、下記一般式(A)で表される化合物を含有することが好ましい。
<1> Compound Represented by General Formula (A) The
なお、下記一般式(A)で表されるリン光発光性化合物(リン光発光性の金属錯体ともいう)は、有機EL素子100の発光層3cに発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層3c以外の発光機能層3に含有されていてもよい。
The phosphorescent compound represented by the following general formula (A) (also referred to as a phosphorescent metal complex) is preferably contained in the
上記一般式(A)において、P及びQは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。A1は、P−Cと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。A2は、Q−Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1及びP2は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。L1は、P1及びP2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3である。M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。 In the general formula (A), P and Q each represent a carbon atom or a nitrogen atom. A 1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with P—C. A 2 represents an atomic group that forms an aromatic heterocycle with QN. P 1 -L 1 -P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L 1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P 1 and P 2 . j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table.
一般式(A)において、P及びQは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。 In general formula (A), P and Q each represent a carbon atom or a nitrogen atom.
一般式(A)において、A1がP−Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。 In the general formula (A), examples of the aromatic hydrocarbon ring that A 1 forms with P—C include, for example, a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, Naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, Examples include a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring.
これらの環は、更に置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、フタラジニル基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基、ピペリジル基(ピペリジニル基ともいう)、2,2,6,6−テトラメチルピペリジニル基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、リン酸エステル基(例えば、ジヘキシルホスホリル基等)、亜リン酸エステル基(例えば、ジフェニルホスフィニル基等)、ホスホノ基等が挙げられる。 These rings may further have a substituent. Examples of such a substituent include an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, a pentyl group). Hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (for example, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (For example, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic hydrocarbon group (also called aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group , Anthryl group, azulenyl group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group Pyrenyl group, biphenylyl group, etc.), aromatic heterocyclic group (for example, furyl group, thienyl group, pyridyl group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group, pyrazolyl group, thiazolyl group, quinazolinyl group, carbazolyl group) Group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (in which one of carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), phthalazinyl group, etc.), heterocyclic group (for example, pyrrolidyl) Group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group ( For example, a cyclopentyloxy group, Chlorooxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), A cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), an arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), an alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, Octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, aminosulfo group) Nyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2- Pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl groups (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl) Group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octyl) Carbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group) 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propyl) Aminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl Bonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group) , Dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group) , Phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group) Group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (for example, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), Amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, piperidinyl group (piperidinyl group) Group), 2,2,6,6-tetramethylpiperidinyl group, etc.), halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluorinated hydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, Trifluoromethyl group, pentaf Oroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphate ester A group (for example, a dihexyl phosphoryl group), a phosphite group (for example, a diphenylphosphinyl group), a phosphono group, and the like.
上記一般式(A)において、A1がP−Cと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環等が挙げられる。 The general formula (A), the aromatic heterocyclic ring A 1 is formed together with P-C, for example, furan ring, thiophene ring, oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, Triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring And azacarbazole ring.
ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。 Here, the azacarbazole ring refers to one in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with a nitrogen atom.
これらの環は更に、上記した置換基を有していてもよい。 These rings may further have the above-described substituent.
一般式(A)において、A2がQ−Nと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。 In the general formula (A), examples of the aromatic heterocycle formed by A 2 together with QN include an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, a thiadiazole ring, and a thiatriazole ring. , Isothiazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring and the like.
これらの環は更に、上記した置換基を有していてもよい。 These rings may further have the above-described substituent.
一般式(A)において、P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1及びP2は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。L1はP1及びP2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。 In the general formula (A), P 1 -L 1 -P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L 1 represents an atomic group forming a bidentate ligand together with P 1 and P 2 .
P1−L1−P2で表される2座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。 Examples of the bidentate ligand represented by P 1 -L 1 -P 2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabole, acetylacetone, and picolinic acid.
一般式(A)において、j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3を表し、中でも、j2は0である場合が好ましい。 In the general formula (A), j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, j1 + j2 represents 2 or 3, and j2 is preferably 0.
一般式(A)において、M1としては、元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウムが好ましい。 In General Formula (A), as M 1 , a transition metal element of Group 8 to Group 10 (also simply referred to as a transition metal) in the periodic table is used, and among these, iridium is preferable.
〈2〉一般式(B)で表される化合物
上記説明した一般式(A)で表される化合物が、更には、下記一般式(B)で表される化合物であることが好ましい。
<2> Compound Represented by General Formula (B) The compound represented by General Formula (A) described above is more preferably a compound represented by General Formula (B) below.
上記一般式(B)において、Zは、炭化水素環基又は複素環基を表す。P及びQは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。A1は、P−Cと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。A3は−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−又は−N=N−を表し、R01及びR02は、各々水素原子又は置換基を表す。P1−L1−P2は、2座の配位子を表す。P1及びP2は、各々独立に炭素原子、窒素原子、又は酸素原子を表す。L1は、P1及びP2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3である。M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。 In the general formula (B), Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P and Q each represent a carbon atom or a nitrogen atom. A 1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with P—C. A 3 represents -C (R 01 ) = C (R 02 )-, -N = C (R 02 )-, -C (R 01 ) = N- or -N = N-, and R 01 and R 02 Each represents a hydrogen atom or a substituent. P 1 -L 1 -P 2 represents a bidentate ligand. P 1 and P 2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L 1 represents an atomic group that forms a bidentate ligand together with P 1 and P 2 . j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table.
一般式(B)において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも、あるいは前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものを有していてもよい。 In the general formula (B), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include a cyclopropyl group. , Cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have the same substituents that the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have.
また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic hydrocarbon group, aryl group, etc.) include, for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl. Group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like.
これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These groups may be unsubstituted or may have a substituent, and as such a substituent, the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. The same thing as a substituent is mentioned.
一般式(B)において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げられる。 In the general formula (B), examples of the heterocyclic group represented by Z include a non-aromatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring and an aziridine group. Ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietane ring, tetrahydrofuran ring, dioxolane ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolane ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε- Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thiomorpholine Ring, thiomorpholine-1,1-dioxide And groups derived from a ring, a pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] -octane ring, and the like.
これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These groups may be unsubstituted or may have a substituent, and as such a substituent, the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. The same thing as a substituent is mentioned.
芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。 Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl). Group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), quinoxalinyl Group, pyridazinyl group, triazinyl group, key Zoriniru group, phthalazinyl group, and the like.
これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These groups may be unsubstituted or may have a substituent, and as such a substituent, the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. The same thing as a substituent is mentioned.
好ましくは、Zで表される基は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である。 Preferably, the group represented by Z is an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.
一般式(B)において、A1がP−Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。 In the general formula (B), examples of the aromatic hydrocarbon ring that A 1 forms with P—C include, for example, a benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, Naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, Examples include a picene ring, a pyrene ring, a pyranthrene ring, and an anthraanthrene ring.
これらの環は更に、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These rings may further have a substituent, and examples of such a substituent are the same as the substituent that the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. Things.
一般式(B)において、A1がP−Cと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、アザカルバゾール環等が挙げられる。 In the general formula (B), examples of the aromatic heterocycle formed by A 1 together with P—C include a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, and a triazine. Ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, Examples thereof include a carboline ring and an azacarbazole ring.
ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が1つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。 Here, the azacarbazole ring refers to one in which one or more carbon atoms of the benzene ring constituting the carbazole ring are replaced with a nitrogen atom.
これらの環は更に、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These rings may further have a substituent, and examples of such a substituent are the same as the substituent that the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. Things.
一般式(B)のA3で表される−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、又は−C(R01)=N−において、R01及びR02で各々表される置換基は、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同義である。 In -C (R 01 ) = C (R 02 )-, -N = C (R 02 )-, or -C (R 01 ) = N- represented by A 3 in the general formula (B), R 01 And the substituent represented by R 02 has the same meaning as the substituent which the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have.
一般式(B)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。 In the general formula (B), examples of the bidentate ligand represented by P 1 -L 1 -P 2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, acetylacetone, and picoline. An acid etc. are mentioned.
また、j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3を表し、中でも、j2は0である場合が好ましい。 J1 represents an integer of 1 to 3, and j2 represents an integer of 0 to 2, j1 + j2 represents 2 or 3, and j2 is preferably 0.
一般式(B)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)は、前記一般式(A)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。 Element in the general formula (B), (also referred to simply as a transition metal) group 8-10 transition metal elements in the periodic table represented by M 1, the In the formula (A), represented by M 1 It is synonymous with the transition metal element of 8th group-10th group in a periodic table.
〈3〉一般式(C)で表される化合物
本発明においては、上記一般式(B)で表される化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式(C)で表される化合物が挙げられる。
<3> Compound Represented by General Formula (C) In the present invention, one preferred embodiment of the compound represented by the general formula (B) is a compound represented by the following general formula (C). It is done.
上記一般式(C)において、R03は置換基を表す。R04は、水素原子又は置換基を表し、複数のR04は互いに結合して環を形成してもよい。n01は1〜4の整数を表す。R05は水素原子又は置換基を表し、複数のR05は互いに結合して環を形成してもよい。n02は1〜2の整数を表す。R06は水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。n03は1〜4の整数を表す。Z1は、C−Cと共に6員の芳香族炭化水素環若しくは、5員又は6員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Z2は、炭化水素環基又は複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。P1−L1−P2は2座の配位子を表し、P1及びP2は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。L1はP1及びP2と共に2座の配位子を形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2又は3である。M1は元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素を表す。また、R03とR06、R04とR06及びR05とR06は、それぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。 In the above general formula (C), R 03 represents a substituent. R 04 represents a hydrogen atom or a substituent, and a plurality of R 04 may be bonded to each other to form a ring. n01 represents an integer of 1 to 4. R 05 represents a hydrogen atom or a substituent, and a plurality of R 05 may be bonded to each other to form a ring. n02 represents an integer of 1 to 2. R 06 represents a hydrogen atom or a substituent, and may combine with each other to form a ring. n03 represents an integer of 1 to 4. Z 1 represents an atomic group necessary for forming a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle together with C—C. Z 2 represents an atomic group necessary for forming a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P 1 -L 1 -P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom. L 1 represents an atomic group forming a bidentate ligand together with P 1 and P 2 . j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 is 2 or 3. M 1 represents a group 8-10 transition metal element in the periodic table. R 03 and R 06 , R 04 and R 06, and R 05 and R 06 may be bonded to each other to form a ring.
一般式(C)において、R03、R04、R05及びR06で各々表される置換基は、前記一般式(A)において、A1で表される環が有していても良い置換基と同義である。 In the general formula (C), each of the substituents represented by R 03 , R 04 , R 05 and R 06 may be substituted by the ring represented by A 1 in the general formula (A). Synonymous with group.
一般式(C)において、Z1がC−Cと共に形成する6員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。 In the general formula (C), examples of the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by Z 1 together with C—C include a benzene ring.
これらの環は、更に置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These rings may further have a substituent, and such a substituent is the same as the substituent which the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. Things.
一般式(C)において、Z1がC−Cと共に形成する5員又は6員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。 In the general formula (C), examples of the 5-membered or 6-membered aromatic heterocycle formed by Z 1 together with C—C include an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, Examples include thiadiazole ring, thiatriazole ring, isothiazole ring, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, pyrazole ring, triazole ring and the like.
これらの環は、更に置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 These rings may further have a substituent, and such a substituent is the same as the substituent which the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. Things.
一般式(C)において、Z2で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 In the general formula (C), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z 2 include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include cyclopropyl. Group, cyclopentyl group, cyclohexyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent. Examples of such a substituent include a substituent that the ring represented by A 1 in General Formula (A) may have. The same thing as a group is mentioned.
また、芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 Examples of the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic hydrocarbon group, aryl group, etc.) include, for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl. Group, acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like. These groups may be unsubstituted or may have a substituent. Examples of such a substituent include a substituent that the ring represented by A 1 in General Formula (A) may have. The same thing as a group is mentioned.
一般式(C)において、Z2で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でも良いし、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 In the general formula (C), examples of the heterocyclic group represented by Z 2 include a non-aromatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring, Aziridine ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietane ring, tetrahydrofuran ring, dioxolane ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolane ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε -Caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, thio Morpholine ring, thiomorpholine-1,1-dioxy De ring, pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] - and the groups derived from the octane ring. These groups may be unsubstituted or may have a substituent. Examples of such a substituent include a substituent that the ring represented by A 1 in the general formula (A) may have. The same thing is mentioned.
芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基(前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。 Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl). Group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, carbolinyl group, diazacarbazolyl group (indicating that one of the carbon atoms constituting the carboline ring of the carbolinyl group is replaced by a nitrogen atom), quinoxalinyl Group, pyridazinyl group, triazinyl group, key Zoriniru group, phthalazinyl group, and the like.
これらの環は無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、前記一般式(A)においてA1で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。 It These rings may be unsubstituted, may have a substituent, and examples of the substituent which may have the rings represented by A 1 in the general formula (A) substitution The same thing as a group is mentioned.
一般式(C)において、Z1及びZ2で形成される基としてはベンゼン環が好ましい。 In the general formula (C), the group formed by Z 1 and Z 2 is preferably a benzene ring.
一般式(C)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子は、前記一般式(A)において、P1−L1−P2で表される2座の配位子と同義である。
In formula (C), bidentate ligand represented by
一般式(C)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素は、前記一般式(A)において、M1で表される元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素と同義である。 In the formula (C), expressed group 8-10 transition metal elements in the periodic table is at M 1, wherein in the general formula (A), group 8 in the periodic table represented by M 1 to 10 It is synonymous with the group transition metal element.
また、リン光発光性化合物は、有機EL素子100の発光層3cに使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
The phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the
本発明に係るリン光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。 The phosphorescent compound according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex compound). ), Rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds.
リン光発光性化合物の具体例(Pt−1〜Pt−3、A−1、Ir−1〜Ir−45)を以下に示すが、本発明で用いられるリン光発光性化合物はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、m及びnは各々繰り返し数を表す。 Specific examples (Pt-1 to Pt-3, A-1, Ir-1 to Ir-45) of phosphorescent compounds are shown below, but the phosphorescent compounds used in the present invention are not limited to these. . In these compounds, m and n each represent the number of repetitions.
上記のリン光発光性化合物(リン光発光性金属錯体ともいう)は、例えば、Organic Letter誌、vol3、No.16、2579〜2581頁(2001)、Inorganic Chemistry,第30巻、第8号、1685〜1687頁(1991年)、J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第40巻、第7号、1704〜1711頁(2001年)、Inorganic Chemistry,第41巻、第12号、3055〜3066頁(2002年)、New Journal of Chemistry.,第26巻、1171頁(2002年)、European Journal of Organic Chemistry,第4巻、695〜709頁(2004年)、更にこれらの文献中の参考文献等に記載されている方法を適用することにより合成できる。 The phosphorescent compound (also referred to as a phosphorescent metal complex) is described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, pages 695-709 (2004), and the methods described in the references in these documents should be applied. Can be synthesized.
〈蛍光発光材料〉
蛍光発光材料としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
<Fluorescent material>
Fluorescent materials include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes Examples thereof include dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
(注入層)
注入層(正孔注入層3a及び電子注入層3e)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層3cの間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)にその詳細が記載されており、正孔注入層3aと電子注入層3eとがある。
(Injection layer)
The injection layer (the
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層3aであれば、アノードと発光層3c又は正孔輸送層3bとの間、電子注入層3eであればカソードと発光層3c又は電子輸送層3dとの間に存在させてもよい。
The injection layer can be provided as necessary. The
正孔注入層3aは、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
The details of the
電子注入層3eは、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明においては、電子注入層3eはごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その層厚は1nm〜10μmの範囲が好ましい。
The details of the
(正孔輸送層)
正孔輸送層3bは、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料から構成されており、広い意味で正孔注入層3a、電子阻止層も正孔輸送層3bに含まれる。正孔輸送層3bは単層又は複数層設けることができる。
(Hole transport layer)
The
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。 The hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。 Although the above-mentioned thing can be used as a positive hole transport material, It is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound, and a styryl amine compound, especially an aromatic tertiary amine compound.
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル、N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(略称:TPD)、2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン、N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、N,N,N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン、4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン、3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール等が挙げられ、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(略称:NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(略称:MTDATA)等が挙げられる。 Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, 1,1 -Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,1-bis (4-di-p -Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N, '-Di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N, N', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) c Audriphenyl, N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, 4-N, N- Examples include diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene, N-phenylcarbazole, and the like, and further, in US Pat. No. 5,061,569. Those having two condensed aromatic rings described in the molecule, for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NP) ), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenyl] in which three triphenylamine units described in JP-A-4-308688 are linked in a starburst type. Amino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA) and the like.
更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、あるいはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。 Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.,Applied Physics Letters,80(2002),p.139に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られる観点から、これらの材料を用いることが好ましい。 JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. , Applied Physics Letters, 80 (2002), p. A so-called p-type hole transport material as described in 139 can also be used. In the present invention, these materials are preferably used from the viewpoint of obtaining a light-emitting element with higher efficiency.
正孔輸送層3bは、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法(ラングミュア・ブロジェット、Langmuir Blodgett法)等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層3bの層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲である。この正孔輸送層3bは、上記材料の1種又は2種以上からなる1層構造であってもよい。
For the
また、正孔輸送層3bの材料に不純物をドープすることにより、p性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
Moreover, p property can also be made high by doping the material of the positive
このように、正孔輸送層3bのp性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
Thus, it is preferable to increase the p property of the
(電子輸送層)
電子輸送層3dは、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層3e、正孔阻止層(図示せず)も電子輸送層3dに含まれる。電子輸送層3dは、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
(Electron transport layer)
The
単層構造の電子輸送層3d、及び積層構造の電子輸送層3dにおいて、発光層3cに隣接する層部分を構成する電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、カソードより注入された電子を発光層3cに伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層3dの材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
In the
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(略称:Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(略称:Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送層3dの材料として用いることができる。
In addition, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8- Quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (abbreviation: Znq), etc., and the central metal of these metal complexes A metal complex in which In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb is replaced can also be used as the material of the
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層3dの材料として好ましく用いることができる。また、発光層3cの材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層3dの材料として用いることができるし、正孔注入層3a及び正孔輸送層3bと同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送層3dの材料として用いることができる。
In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the material for the
電子輸送層3dは、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層3dの層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5〜200nmの範囲内である。電子輸送層3dは上記材料の1種又は2種以上からなる1層構造であってもよい。
The
また、電子輸送層3dに不純物をドープし、n性を高くすることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。更に、電子輸送層3dには、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように、電子輸送層3dのn性を高くすることにより、より低消費電力の有機EL素子を得ることができる。
In addition, the
また、電子輸送層3dの材料(電子輸送性化合物)として、上述した中間層1aを構成する材料と同様のものを用いても良い。これは、電子注入層3eを兼ねた電子輸送層3dであっても同様であり、上述した中間層1aを構成する材料と同様のものを用いても良い。
Further, as the material (electron transporting compound) of the
(阻止層)
阻止層(正孔阻止層及び電子阻止層)は、上記説明した発光機能層3の各構成層のほかに、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層等を挙げることができる。
(Blocking layer)
The blocking layer (hole blocking layer and electron blocking layer) is a layer provided as necessary in addition to the constituent layers of the light emitting
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層3dの機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層3dの構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層3cに隣接して設けられていることが好ましい。
The hole blocking layer has the function of the
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層3bの機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層3bの構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲である。
On the other hand, the electron blocking layer has the function of the
〔補助電極〕
補助電極15は、透明電極1の抵抗を下げる目的で設けられる電極であって、透明電極1の導電性層1bに接して設けられる。補助電極15を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の抵抗が低い金属が好ましい。これらの金属の多くは光透過性が低いため、光取り出し面13aからの発光光hの取り出しの影響のない範囲で、図2(a)に示すような位置に形成される。このような補助電極15の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法、エアロゾルジェット法などが挙げられる。補助電極15の線幅は、光を取り出す領域の開口率の観点から、50μm以下であることが好ましく、補助電極15の厚さは、導電性の観点から、1μm以上であることが好ましい。
[Auxiliary electrode]
The
〔封止材〕
封止材17は、有機EL素子100を覆うものであって、板状(フィルム状)の封止部材であって、接着剤19によって透明基板13側に固定される方式であっても良く、封止膜であっても良い。このような封止材17は、有機EL素子100における透明電極1及び対向電極5aの端子部分を露出させる状態で、少なくとも発光機能層3を覆う状態で設けられている。また、封止材17に電極を設け、有機EL素子100の透明電極1及び対向電極5aの端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていても良い。
(Encapsulant)
The sealing
板状(フィルム状)の封止材17としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料を更に薄型のフィルム状にして用いても良い。ガラス基板としては、特に、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
Specific examples of the plate-like (film-like) sealing
中でも、有機EL素子を薄膜化できるという観点から、封止材としてポリマー基板や金属基板を薄型のフィルム状にしたものを好ましく使用することができる。 Among these, from the viewpoint that the organic EL element can be thinned, a thin film-like polymer substrate or metal substrate can be preferably used as the sealing material.
更には、フィルム状としたポリマー基板は、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m2・24h・atm)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer substrate in the form of a film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · atm) or less, JIS K 7129-1992. The water vapor permeability (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) measured by a method based on the above is 1 × 10 −3 g / (m 2 · 24 h) or less. It is preferable.
以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材17として用いても良い。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。
The substrate material as described above may be processed into a concave plate shape and used as the sealing
また、このような板状の封止材17を、透明基板13側に固定するための接着剤19は、封止材17と透明基板13との間に挟持された有機EL素子100を封止するためのシール剤として用いられる。このような接着剤19は、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。
An adhesive 19 for fixing the plate-shaped
また、このような接着剤19としては、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
Moreover, as such an
なお、有機EL素子100を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、接着剤19は、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤19中に乾燥剤を分散させておいてもよい。
In addition, the organic material which comprises the
封止材17と透明基板13との接着部分への接着剤19の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
Application | coating of the
また、板状の封止材17と透明基板13と接着剤19との間に隙間が形成される場合、この間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
In addition, when a gap is formed between the plate-shaped
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。 Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
一方、封止材17として封止膜を用いる場合、有機EL素子100における発光機能層3を完全に覆い、かつ有機EL素子100における透明電極1及び対向電極5aの端子部分を露出させる状態で、透明基板13上に封止膜が設けられる。
On the other hand, when a sealing film is used as the sealing
このような封止膜は、無機材料や有機材料を用いて構成される。特に、水分や酸素等、有機EL素子100における発光機能層3の劣化をもたらす物質の浸入を抑制する機能を有する材料で構成される。このような材料としては、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等の無機材料が用いられる。更に封止膜の脆弱性を改良するために、これら無機材料からなる膜と共に、有機材料からなる膜を用いて積層構造としても良い。
Such a sealing film is configured using an inorganic material or an organic material. In particular, it is made of a material having a function of suppressing intrusion of a substance that causes deterioration of the light emitting
これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。 The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
〔保護膜、保護板〕
先に例示した図ではその記載を省略したが、透明基板13との間に有機EL素子100及び封止材17を挟んで保護膜若しくは保護板を設けても良い。この保護膜若しくは保護板は、有機EL素子100を機械的に保護するためのものであり、特に封止材17が封止膜である場合には、有機EL素子100に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜若しくは保護板を設けることが好ましい。
[Protective film, protective plate]
Although not shown in the drawings illustrated above, a protective film or a protective plate may be provided between the
以上のような保護膜若しくは保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち特に、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。 As the above protective film or protective plate, a glass plate, a polymer plate, a polymer film thinner than this, a metal plate, a metal film thinner than this, a polymer material film or a metal material film is applied. Among these, it is particularly preferable to use a polymer film because it is light and thin.
〔有機EL素子の製造方法〕
本発明の透明電極の製造方法は、銀を主成分として含有する導電性層を有する透明電極の製造方法であって、銀化合物及び前記導電性層由来の銀と反応して当該銀化合物を形成する化合物のうち、少なくともいずれか一方を含有する層を形成する工程と、前記導電性層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
ここでは一例として、図2(a)に示す有機EL素子100の製造方法について説明する。
[Method for producing organic EL element]
The method for producing a transparent electrode of the present invention is a method for producing a transparent electrode having a conductive layer containing silver as a main component, and reacts with a silver compound and silver derived from the conductive layer to form the silver compound. It has the process of forming the layer containing at least any one among the compounds to perform, and the process of forming the said electroconductive layer, It is characterized by the above-mentioned.
Here, as an example, a method of manufacturing the
まず、透明基板13上に、銀化合物を含有する中間層1aを、1μm以下、好ましくは10〜100nmの範囲の層厚になるように蒸着法等の方法を適宜選択して形成する。次に、銀又は銀を主成分とした合金から構成される導電性層1bを、12nm以下、好ましくは5〜8nmの範囲の層厚になるように、蒸着法等の方法を適宜選択して中間層1a上に形成し、アノードとなる透明電極1を作製する。
First, the
次に、この透明電極1上に、正孔注入層3a、正孔輸送層3b、発光層3c、電子輸送層3d、電子注入層3eの順に製膜し、発光機能層3を形成する。これらの各層の製膜は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。更に、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。これらの各層の製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度として50〜450℃の範囲、真空度として1×10−6〜1×10−2Paの範囲、蒸着速度として0.01〜50nm/秒の範囲、基板温度として−50〜300℃の範囲、層厚として0.1〜5μmの範囲で、各条件を適宜選択することが望ましい。
Next, the
以上のようにして発光機能層3を形成した後、この上部にカソードとなる対向電極5aを、蒸着法やスパッタ法などの製膜法を適宜選択して形成する。この際、対向電極5aは、発光機能層3によって透明電極1に対して絶縁状態を保ちつつ、発光機能層3の上方から透明基板13の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。これにより、有機EL素子100が得られる。また、その後には、有機EL素子100における透明電極1及び対向電極5aの端子部分を露出させた状態で、少なくとも発光機能層3を覆う封止材17を設ける。
After the light emitting
以上により、透明基板13上に所望の構成からなる有機EL素子を作製することができる。このような有機EL素子100の作製においては、一回の真空引きで一貫して発光機能層3から対向電極5aまで作製する方式が好ましいが、途中で真空雰囲気から透明基板13を取り出して、異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。
As described above, an organic EL element having a desired configuration can be produced on the
このようにして得られた有機EL素子100に直流電圧を印加する場合には、アノードである透明電極1を+の極性とし、カソードである対向電極5aを−の極性として、電圧として2〜40Vの範囲で印加すると、発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
When a DC voltage is applied to the
(中間層を導電性層の形成過程で形成する方法)
また、図2(a)に示す有機EL素子100の製造方法として、前記一般式(1)で表される化合物を含有する中間層を、前記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で形成する方法を採用することができる。
(Method of forming the intermediate layer in the process of forming the conductive layer)
Moreover, as a manufacturing method of the
まず、透明基板13上に、前記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層を形成する。次に銀又は銀を主成分とした合金から構成される導電性層1bを、蒸着等の方法により、下地層上に形成する。
First, an underlayer containing the compound represented by the general formula (2) is formed on the
上記導電性層を形成する過程で、蒸着された導電性層の銀が、下地層の一般式(2)で表される化合物と、界面で又は界面から拡散して下地層の内部で反応して、一般式(1)で表される銀化合物を生じ、該銀化合物を含有する中間層1aが形成される。このとき、前記下地層の導電性層との界面から遠い部分には、銀化合物が生成しない部分が残っていてもよく、この銀化合物を含まない部分は下地層として透明電極1と透明基板13の間に存在する。なお、図2(a)においては、下地層は省略している。
In the process of forming the conductive layer, silver deposited in the conductive layer reacts with the compound represented by the general formula (2) of the base layer and diffuses at the interface or from the interface to react inside the base layer. Thus, the silver compound represented by the general formula (1) is produced, and the
導電性層の形成過程で中間層が形成されたことは、XPS(X線電子分光)(Vacuum Generators製ESCALab 200R)を用いて分析し、シフトしたAgのピークを検出することにより確認できる。 The formation of the intermediate layer in the process of forming the conductive layer can be confirmed by analyzing using XPS (X-ray electron spectroscopy) (ESCALab 200R manufactured by Vacuum Generators) and detecting the shifted Ag peak.
一般式(2)で表される化合物を含有する下地層が設けられた透明基板を試料ステージに固定し、高真空状態にした後、X線を照射してR1−Yの結合エネルギーのピークを観測する。次に前記下地層に導電性層1bを形成した透明電極を、同様に、試料ステージに固定し、高真空状態にした後、X線を照射してR1−YとAg−Yの結合エネルギーのピークを観測する。透明電極は下地層の結合エネルギーのピークより、1〜数eV低い位置に新たなピークが観測される。
A transparent substrate provided with an underlayer containing a compound represented by the general formula (2) is fixed to a sample stage and brought into a high vacuum state, and then irradiated with X-rays to give a peak of R 1 -Y binding energy. Observe. Next, after the transparent electrode having the
前記透明電極のXPSにおいて、下地層の結合エネルギーのピークより低い結合エネルギーのピークが観測されれば、下記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で、一般式(1)で表される化合物を含有する中間層が形成されたことを確認することができる。 If a binding energy peak lower than the binding energy peak of the underlayer is observed in XPS of the transparent electrode, the conductive layer is formed on the underlayer containing the compound represented by the following general formula (2). In the process of forming, it can be confirmed that the intermediate layer containing the compound represented by the general formula (1) is formed.
なお、XPSによる該測定は、導電性層との界面から数nmの深さまでの中間層を分析しているため、導電性層と中間層が接着している界面に限ると、一般式(1)で表される化合物の存在比率はピーク強度から求められる比率よりさらに高いことが推定される。 In addition, since the measurement by XPS analyzes the intermediate layer from the interface with the conductive layer to a depth of several nm, the general formula (1) is limited to the interface where the conductive layer and the intermediate layer are bonded. It is estimated that the abundance ratio of the compound represented by) is higher than the ratio determined from the peak intensity.
〔第1例(図2(a))で示す有機EL素子の効果〕
以上説明した図2(a)で示す構成からなる有機EL素子100は、導電性と光透過性とを兼ね備えた本発明の透明電極1をアノードとして用い、この上部に発光機能層3とカソードとなる対向電極5aとを設けた構成である。このため、透明電極1と対向電極5aとの間に十分な電圧を印加して有機EL素子100での高輝度発光を実現しつつ、透明電極1側からの発光光hの取り出し効率が向上することにより、高輝度化を図ることが可能である。更に、所望の輝度を得るため、駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
[Effect of the organic EL element shown in the first example (FIG. 2A)]
The
《4.有機EL素子の第2例》
〔有機EL素子の構成〕
図3は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極を用いた有機EL素子の第2例を示す断面構成図である。図3に示す第2例の有機EL素子200が、図2(a)に示した第1例の有機EL素子100と異なるところは、透明電極1をカソードとして用いるところにある。以下、第1例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第2例の有機EL素子200の特徴的な構成について、以下に説明する。
<< 4. Second Example of Organic EL Device >>
[Configuration of organic EL element]
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a second example of the organic EL element using the transparent electrode described above as an example of the electronic device of the present invention. The difference between the
図3に示す有機EL素子200は、透明基板13上に設けられており、第1例と同様に、透明基板13上の透明電極1として、先に説明した本発明の透明電極1を用いている。このため、有機EL素子200は、少なくとも透明基板13側から発光光hを取り出せるように構成されている。ただし、この透明電極1は、カソード(陰極)として用いられ、対向電極5bはアノード(陽極)として用いられることになる。
The
このように構成される有機EL素子200の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であっても良いことは、第1例と同様である。
The layer structure of the
第2例で示す層構成の一例としては、カソードとして機能する透明電極1の上部に、電子注入層3e/電子輸送層3d/発光層3c/正孔輸送層3b/正孔注入層3aをこの順に積層した発光機能層3が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料で構成される発光層3cを有することが必須の条件である。
As an example of the layer structure shown in the second example, an
なお、発光機能層3は、これらの層のほかにも、第1例で説明したのと同様に、必要に応じ、様々な機能層を組み入れることができる。このような構成において、透明電極1と対向電極5bとで発光機能層3が挟持された部分のみが、有機EL素子200における発光領域となることも、第1例と同様である。
In addition to these layers, the light emitting
また、以上のような層構成においては、透明電極1の低抵抗化を図ることを目的として透明電極1の導電性層1bに接して補助電極15が設けられていても良いことも、第1例と同様である。
In the layer configuration as described above, the
ここで、アノードとして用いられる対向電極5bは、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金(Au)等の金属、ヨウ化銅(CuI)、ITO、ZnO、TiO2、SnO2等の酸化物半導体などが挙げられる。
Here, the
以上のような材料で構成される対向電極5bは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄層を形成させることにより形成することができる。また、対向電極5bとしてのシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましく、層厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で選ばれる。
The
なお、この有機EL素子200が、対向電極5b側からも発光光hを取り出せるように構成されている場合、対向電極5bを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。
In addition, when this
以上のような構成の有機EL素子200は、発光機能層3の劣化を防止することを目的として、第1例と同様に封止材17で封止されている。
The
以上説明した有機EL素子200を構成する主要各層のうち、アノードとして用いられる対向電極5b以外の構成要素の詳細な構成、及び有機EL素子200の作製方法は、第1例と同様である。このため詳細な説明は省略する。
Of the main layers constituting the
〔有機EL素子の製造方法〕
図3に示す有機EL素子200の製造において、透明電極1は、《3.有機EL素子の第1例》と同様の方法により形成することができる。
[Method for producing organic EL element]
In the manufacture of the
なお、前記一般式(1)で表される化合物を含有する中間層を、前記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で形成することができる。この製造方法により製造した有機EL素子において、下地層が全て中間層に変換されずに残った下地層は、図3においては、省略されている。 The intermediate layer containing the compound represented by the general formula (1) is formed in the process of forming the conductive layer on the base layer containing the compound represented by the general formula (2). be able to. In the organic EL device manufactured by this manufacturing method, the base layer remaining without being converted into the intermediate layer is omitted in FIG.
〔第2例で示す有機EL素子の効果〕
以上説明した図3で示す有機EL素子200は、導電性と光透過性とを兼ね備えた本発明の透明電極1をカソードとして用い、この上部に発光機能層3とアノードとなる対向電極5bとを設けた構成である。このため、第1例と同様に、透明電極1と対向電極5bとの間に十分な電圧を印加して有機EL素子200での高輝度発光を実現しつつ、透明電極1側からの発光光hの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。更に、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。
[Effect of organic EL element shown in second example]
The
《5.有機EL素子の第3例》
〔有機EL素子の構成〕
図4は、本発明の電子デバイスの一例として、上述した透明電極を用いた有機EL素子の第3例を示す断面構成図である。図4に示す第3例の有機EL素子300が、図2(a)を用いて説明した第1例の有機EL素子100と異なるところは、基板131側に対向電極5cを設け、この上部に発光機能層3と透明電極1とをこの順に積層したところにある。以下、第1例と同様の構成要素についての重複する詳細な説明は省略し、第3例の有機EL素子300の特徴的な構成を説明する。
<< 5. Third Example of Organic EL Device >>
[Configuration of organic EL element]
FIG. 4 is a cross-sectional configuration diagram showing a third example of the organic EL element using the transparent electrode described above as an example of the electronic device of the present invention. The
図4に示す有機EL素子300は、基板131上に設けられており、基板131側から、アノードとなる対向電極5c、発光機能層3、及びカソードとなる透明電極1がこの順に積層されている。このうち、透明電極1としては、先に説明した本発明の透明電極1を用いている。このため有機EL素子300は、少なくとも基板131とは逆の透明電極1側から発光光hを取り出せるように構成されている。
The
このように構成される有機EL素子300の層構造は、以下に説明する例に限定されることはなく、一般的な層構造であっても良いことは、第1例と同様である。第3例の場合の一例としては、図4に示すように、アノードとして機能する対向電極5cの上部に、正孔注入層3a/正孔輸送層3b/発光層3c/電子輸送層3dをこの順に積層した構成が例示される。ただし、このうち少なくとも有機材料を用いて構成された発光層3cを有することが必須である。また、電子輸送層3dは、電子注入層3eを兼ねたもので、電子注入性を有する電子輸送層3dとして設けられていることとする。
The layer structure of the
特に、第3例として示す有機EL素子300の特徴的な構成としては、電子注入性を有する電子輸送層3dが、透明電極1における中間層1aとして設けられているところにある。すなわち、第3例においては、カソードとして用いられる透明電極1が、電子注入性を有する電子輸送層3dを兼ねる中間層1aと、その上部に設けられた導電性層1bとで構成されているものである。
In particular, a characteristic configuration of the
このような電子輸送層3dは、上述した透明電極1の中間層1aを構成する材料を用いて構成されている。
Such an
なお、発光機能層3は、これらの層のほかにも、第1例で説明したのと同様に、必要に応じた様々な機能層を採用することができるが、透明電極1の中間層1aを兼ねる電子輸送層3dと、透明電極1の導電性層1bとの間には、電子注入層や正孔阻止層が設けられることはない。以上のような構成において、透明電極1と対向電極5cとで発光機能層3が挟持された部分のみが、有機EL素子300における発光領域となることは、第1例と同様である。
In addition to these layers, the light emitting
また、以上のような層構成においては、透明電極1の低抵抗化を図ることを目的とし、透明電極1の導電性層1bに接して補助電極15が設けられていても良いことも、第1例と同様である。
In the layer structure as described above, the
更に、アノードとして用いられる対向電極5cは、金属、合金、有機若しくは無機の導電性化合物、又はこれらの混合物等から構成されている。具体的には、金(Au)等の金属、ヨウ化銅(CuI)、ITO、ZnO、TiO2、SnO2等の酸化物半導体などが挙げられる。
Furthermore, the
以上のような材料で構成されている対向電極5cは、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより形成することができる。また、対向電極5cとしてのシート抵抗は、数百Ω/□以下が好ましく、層厚は通常5nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲で選ばれる。
The
なお、図4に示す有機EL素子300が、対向電極5c側からも発光光hを取り出せるように構成されている場合、対向電極5cを構成する材料としては、上述した導電性材料のうち、光透過性の良好な導電性材料が選択されて用いられる。また、この場合は、基板131としても、第1例で説明した透明基板13と同様のものが用いられ、このような構成においては、基板131の外側に向かう面が光取り出し面131aとなる。
In addition, when the
〔有機EL素子の製造方法〕
図4に示す有機EL素子300の製造において、透明電極1の導電性層1bは、《3.有機EL素子の第1例》と同様の方法により形成することができる。
[Method for producing organic EL element]
In the manufacture of the
有機EL素子の第3例では、電子輸送層3dが銀化合物を含有し、透明電極1における中間層1aとしても機能する。
In the third example of the organic EL element, the
なお、前記一般式(1)で表される化合物を含有する中間層を、前記一般式(2)で表される化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で形成する場合は、電子輸送層3dが一般式(2)の化合物を含有する下地層になる。
The intermediate layer containing the compound represented by the general formula (1) is formed in the process of forming the conductive layer on the base layer containing the compound represented by the general formula (2). In this case, the
上記により形成された中間層は、一般式(1)で表される化合物を含有し、電子輸送層3dを兼ねても電子輸送層3dを兼ねなくてもよい。当該中間層が電子輸送層3dを兼ねない場合の中間層は図4においては、省略されている。
The intermediate layer formed as described above contains the compound represented by the general formula (1), and may or may not serve as the
〔第3例で示す有機EL素子の効果〕
以上説明した第3例で示す有機EL素子300は、発光機能層3の最上部を構成する電子注入性を有する電子輸送層3dを中間層1aとし、この上部に導電性層1bを設けることにより、中間層1aとこの上部の導電性層1bとからなる透明電極1をカソードとして設けた構成である。このため、第1例及び第2例と同様に、透明電極1と対向電極5cとの間に十分な電圧を印加して有機EL素子300での高輝度発光を実現しつつ、透明電極1側からの発光光hの取り出し効率が向上することによる高輝度化を図ることが可能である。更に、所定輝度を得るための駆動電圧の低減による発光寿命の向上を図ることも可能になる。また、対向電極5cが光透過性を有する電極材料で構成されている場合には、対向電極5cからも発光光hを取り出すことができる。
[Effect of organic EL element shown in third example]
In the
なお、上述の第3例においては、透明電極1の中間層1aが電子注入性を有する電子輸送層3dを兼ねているものとして説明したが、本発明においては、これら例示する構成に限られるものではなく、中間層1aが電子注入性を有していない電子輸送層3dを兼ねているものであっても良いし、中間層1aが電子輸送層ではなく電子注入層を兼ねているものであっても良い。また、中間層1aが有機EL素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されているものとしても良く、この場合には、中間層1aは電子輸送性及び電子注入性を有していない。
In the third example described above, the
更に、透明電極1の中間層1aが、有機EL素子の発光機能に影響を及ぼさない程度の極薄膜として形成されている場合には、基板131側の対向電極をカソードとし、発光機能層3上の透明電極1をアノードとしても良い。この場合、発光機能層3は、基板131上の対向電極5c(カソード)側から順に、例えば、電子注入層3e/電子輸送層3d/発光層3c/正孔輸送層3b/正孔注入層3aが積層される。そして、この上部に極薄い中間層1aと導電性層1bとの積層構造からなる透明電極1が、アノードとして設けられている。
Further, when the
《6.有機EL素子の用途》
上記各図を交えて説明した各構成からなる有機EL素子は、上述したように面発光体であるため、各種の発光光源として適用することができる。例えば、家庭用照明や車内照明などの照明装置、時計や液晶表示装置用のバックライト、看板広告用照明、信号機の光源、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これに限定するものではなく、特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源の用途として有効に用いることができる。
<< 6. Applications of organic EL devices >>
Since the organic EL element which consists of each structure demonstrated with the said each figure is a surface light-emitting body as mentioned above, it can be applied as various light emission light sources. For example, lighting devices such as home lighting and interior lighting, backlights for watches and liquid crystal display devices, lighting for billboard advertisements, light sources for traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, optical communication processors Examples include, but are not limited to, a light source and a light source of an optical sensor. In particular, the light source can be effectively used as a backlight of a liquid crystal display device combined with a color filter and an illumination light source.
また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。この場合、近年の照明装置及びディスプレイの大型化にともない、有機EL素子を設けた発光パネル同士を平面的に接合する、いわゆるタイリングによって発光面を大面積化しても良い。 Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a type for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display). In this case, with the recent increase in the size of lighting devices and displays, the light emitting surface may be enlarged by so-called tiling, in which light emitting panels provided with organic EL elements are joined together in a plane.
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。また異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、カラー又はフルカラー表示装置を作製することが可能である。 The driving method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. A color or full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.
以下では、用途の一例として照明装置について説明し、次にタイリングによって発光面を大面積化した照明装置について説明する。 Hereinafter, a lighting device will be described as an example of the application, and then a lighting device in which the light emitting surface is enlarged by tiling will be described.
《7.照明装置−1》
本発明に係る照明装置では、本発明の有機EL素子を具備することができる。
<< 7. Illumination device-1 >>
The lighting device according to the present invention can include the organic EL element of the present invention.
本発明に係る照明装置に用いる有機EL素子は、上述した構成の各有機EL素子に共振器構造をもたせた設計としてもよい。共振器構造を有するように構成された有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。 The organic EL element used in the lighting device according to the present invention may be designed such that each organic EL element having the above-described configuration has a resonator structure. The purpose of use of the organic EL element configured to have a resonator structure includes a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processor, a light source of an optical sensor, etc. It is not limited to. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.
なお、本発明の有機EL素子に用いられる材料は、実質的に白色の発光を生じる有機EL素子(白色有機EL素子ともいう)に適用できる。例えば、複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得ることもできる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。 In addition, the material used for the organic EL element of this invention is applicable to the organic EL element (it is also called white organic EL element) which produces substantially white light emission. For example, a plurality of light emitting materials can simultaneously emit a plurality of light emission colors to obtain white light emission by color mixing. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of red, green and blue, or two using the complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.
また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光又は蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光又はリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせて混合したものでもよい。 In addition, a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and excitation of light from the light emitting materials. Any combination with a pigment material that emits light as light may be used, but in a white organic EL element, a combination of a plurality of light-emitting dopants may be used.
このような白色有機EL素子は、各色発光の有機EL素子をアレー状に個別に並列配置して白色発光を得る構成と異なり、有機EL素子自体が白色を発光する。このため、素子を構成するほとんどの層の製膜にマスクを必要とせず、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。 Such a white organic EL element is different from a configuration in which organic EL elements each emitting light are individually arranged in parallel in an array to obtain white light emission, and the organic EL element itself emits white light. For this reason, a mask is not required for film formation of most layers constituting the element, and for example, an electrode film can be formed on one side by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, etc., and productivity is improved. To do.
また、このような白色有機EL素子の発光層に用いる発光材料としては、特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。 Moreover, there is no restriction | limiting in particular as a light emitting material used for the light emitting layer of such a white organic EL element, For example, if it is a backlight in a liquid crystal display element, it will fit in the wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristic. As described above, any metal complex according to the present invention or a known light emitting material may be selected and combined to be whitened.
以上説明した白色有機EL素子を用いれば、実質的に白色の発光を生じる照明装置を作製することが可能である。 If the white organic EL element demonstrated above is used, it is possible to produce the illuminating device which produces substantially white light emission.
《8.照明装置−2》
図5には、上記各構成の有機EL素子を複数用いて発光面を大面積化した照明装置の断面構成図を示す。図5で示す照明装置21は、例えば、透明基板13上に有機EL素子100を設けた複数の発光パネル22を、支持基板23上に複数配列する(すなわちタイリングする)ことによって発光面を大面積化した構成である。支持基板23は、封止材を兼ねるものであっても良く、この支持基板23と、発光パネル22の透明基板13との間に有機EL素子100を挟持する状態で、各発光パネル22をタイリングする。支持基板23と透明基板13との間には接着剤19を充填し、これによって有機EL素子100を封止しても良い。なお、発光パネル21の周囲には、アノードである透明電極1及びカソードである対向電極5aの端部を露出させておく。ただし、図面においては対向電極5aの露出部分のみを図示した。また、図5では、有機EL素子100を構成する発光機能層3としては、透明電極1上に、正孔注入層3a/正孔輸送層3b/発光層3c/電子輸送層3d/電子注入層3eを順次積層した構成を一例として示してある。
<< 8. Illumination device-2 >>
FIG. 5 shows a cross-sectional configuration diagram of a lighting device in which a plurality of organic EL elements having the above-described configurations are used to increase the light emitting surface area. The illuminating
図5に示す構成の照明装置21では、各発光パネル22の中央が発光領域Aとなり、発光パネル22間には非発光領域Bが発生する。このため、非発光領域Bからの光取り出し量を増加させるための光取り出し部材を、光取り出し面13aの非発光領域Bに設けても良い。光取り出し部材としては、集光シートや光拡散シートを用いることができる。
なお、図3及び4で表される有機EL素子、図5で表される照明装置並びに図6で表される発光パネルは、図2(b)で用いられる中間下地層1eを用いても同様に作製することができる。
In the illuminating
The organic EL element shown in FIGS. 3 and 4, the illumination device shown in FIG. 5, and the light-emitting panel shown in FIG. 6 are the same even if the
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量%」を表す。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, although the display of "%" is used in an Example, unless otherwise indicated, "mass%" is represented.
実施例1
《透明電極基板の作製》
以下に示す方法に従って、透明電極基板1〜73を、導電性領域の面積が5cm×5cmとなるように作製した。透明電極基板1〜4は、基材に単層構造の透明電極を積層して作製し、透明電極基板5〜73は、基材上に中間層と導電性層との積層構造からなる透明電極を設けて作製した。
Example 1
<< Preparation of transparent electrode substrate >>
According to the method shown below, the
〔透明電極基板1の作製〕
下記に示す方法に従って、単層構造からなる比較例の透明電極基板1を作製した。
[Preparation of transparent electrode substrate 1]
In accordance with the method shown below, a
透明な無アルカリガラス製の基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、これを真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。一方、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を充填し、当該真空槽内に取り付けた。次に、真空槽内を4×10−4Paまで減圧した後、抵抗加熱ボートを通電及び加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で、基材上に銀からなる平均層厚5nmの導電性層の単膜を蒸着して、透明電極基板1を作製した。
A transparent non-alkali glass substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, and this was attached to a vacuum tank of the vacuum deposition apparatus. On the other hand, a resistance heating boat made of tungsten was filled with silver (Ag) and mounted in the vacuum chamber. Next, after depressurizing the inside of the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the resistance heating boat is energized and heated, and is made of silver on the base material within a deposition rate range of 0.1 to 0.2 nm / second. A single layer of a conductive layer having an average layer thickness of 5 nm was deposited to produce a
〔透明電極基板2〜4の作製〕
上記透明電極基板1の作製において、導電性層の平均層厚を、それぞれ8nm、10nm及び15nmに変更した以外は同様にして、透明電極基板2〜4を作製した。
[Production of transparent electrode substrates 2 to 4]
In the production of the
〔透明電極基板5の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材上に、下記に構造を示すAlq3をスパッタ法により層厚25nmの中間層として製膜し、この上部に、透明電極基板1の作製において、導電性層の形成に用いたのと同様の方法(真空蒸着法)で、平均層厚が8nmの銀(Ag)からなる導電性層を蒸着製膜して透明電極基板5を作製した。
[Preparation of transparent electrode substrate 5]
On the transparent base material made of alkali-free glass, Alq 3 having the following structure is formed as an intermediate layer having a layer thickness of 25 nm by sputtering, and on top of this, in the production of the
〔透明電極基板6の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記に示す構造のET−1をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、第2真空槽内に取り付けた。
[Preparation of transparent electrode substrate 6]
A transparent non-alkali glass base material is fixed to a base material holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, and ET-1 having a structure shown below is filled in a resistance heating boat made of tantalum. It attached to the 1st vacuum chamber of a vacuum evaporation system. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber.
次いで、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、ET−1の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で基材上に蒸着し、層厚が25nmのET−1からなる中間層を形成した。 Next, after reducing the pressure in the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing ET-1 was energized and heated, and the substrate was within a deposition rate range of 0.1 to 0.2 nm / second. It vapor-deposited on top and the intermediate | middle layer which consists of ET-1 whose layer thickness is 25 nm was formed.
次に、中間層を形成した基材を真空状態のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電及び加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲で、平均層厚8nmの銀からなる導電性層を蒸着し、中間層とこの上部に銀からなる導電性層を積層した透明電極基板6を得た。 Next, the base material on which the intermediate layer is formed is transferred to the second vacuum tank while being in a vacuum state, and after the second vacuum tank is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing silver is energized and heated, A transparent electrode substrate 6 in which a conductive layer made of silver having an average layer thickness of 8 nm is vapor-deposited at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second, and an intermediate layer and a conductive layer made of silver are laminated on the intermediate layer is formed. Obtained.
〔透明電極基板7及び8の作製〕
上記透明電極基板6の作製において、中間層の形成に用いたET−1を、それぞれ、ET−2、ET−3に変更した以外は同様にして、透明電極基板7及び8を作製した。
[Production of transparent electrode substrates 7 and 8]
In the production of the transparent electrode substrate 6, transparent electrode substrates 7 and 8 were produced in the same manner except that ET-1 used for forming the intermediate layer was changed to ET-2 and ET-3, respectively.
〔透明電極基板9の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、本発明の例示化合物S−1をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、第2真空槽内に取り付けた。
[Preparation of transparent electrode substrate 9]
A transparent non-alkali glass base material is fixed to a base material holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, the exemplary compound S-1 of the present invention is filled in a resistance heating boat made of tantalum, and these substrate holder and heating boat are combined. It attached to the 1st vacuum chamber of a vacuum evaporation system. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber.
次いで、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、例示化合物S−1の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で基材上に蒸着し、層厚が25nmの例示化合物S−1からなる中間層1aを形成した。
Next, after reducing the pressure in the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing the exemplary compound S-1 was heated by energization, and the deposition rate was within the range of 0.1 to 0.2 nm / second. It vapor-deposited on the base material and the intermediate |
次に、中間層1aを形成した基材を真空状態のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電及び加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲で、平均層厚5nmの銀からなる導電性層1bを蒸着し、中間層1aとこの上部に銀からなる導電性層1bを積層した透明電極基板9を得た。
Next, the base material on which the
〔透明電極基板10〜12の作製〕
上記透明電極基板9の作製において、導電性層1bの平均層厚を、8nm、10nm、20nmにそれぞれ変更した以外は同様にして、透明電極基板10〜12を作製した。
[Production of transparent electrode substrates 10 to 12]
In the production of the transparent electrode substrate 9, transparent electrode substrates 10 to 12 were produced in the same manner except that the average layer thickness of the
〔透明電極基板13及び14の作製〕
上記透明電極基板10の作製において、中間層1aの形成に用いた例示化合物S−1に代えて、それぞれ表1に記載の各例示化合物を用いた以外は同様にして、透明電極基板13及び14を作製した。
[Production of
In the production of the transparent electrode substrate 10, the
〔透明電極基板15の作製〕
透明な無アルカリガラス製の基材を市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、本発明の例示化合物P−1をタンタル製抵抗加熱ボートに充填し、これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第1真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀(Ag)を入れ、第2真空槽内に取り付けた。
[Preparation of transparent electrode substrate 15]
A transparent non-alkali glass base material is fixed to a base material holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, and the exemplary compound P-1 of the present invention is filled in a resistance heating boat made of tantalum. It attached to the 1st vacuum chamber of a vacuum evaporation system. Moreover, silver (Ag) was put into the resistance heating boat made from tungsten, and it attached in the 2nd vacuum chamber.
次いで、第1真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、例示化合物P−1の入った加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲内で基材上に蒸着し、層厚が25nmの例示化合物P−1からなる下地層を形成した。 Next, after reducing the pressure of the first vacuum tank to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing the exemplary compound P-1 was heated by energization, and the deposition rate was within the range of 0.1 to 0.2 nm / second. It vapor-deposited on the base material and formed the base layer which consists of exemplary compound P-1 whose layer thickness is 25 nm.
次に、下地層を形成した基材を真空状態のまま第2真空槽に移し、第2真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、銀の入った加熱ボートを通電及び加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲で、平均層厚8nmの銀からなる導電性層1bを蒸着した。
Next, the base material on which the base layer is formed is transferred to the second vacuum chamber while being in a vacuum state, and after the second vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing silver is energized and heated, The
上記操作により、化合物P−1からなる下地層の表層部に、銀化合物である化合物S−27からなる中間層1aが形成され、この上部に銀からなる導電性層1bが積層された透明電極基板15を得た。なお、この導電性層の形成過程で、化合物S−27からなる中間層1aが形成されたことは、XPSのピークシフトにより確認された。
By the above operation, the
すなわち、化合物P−1中のC−Brの結合エネルギーは70〜72eVに観測されるのに対して、67〜69eVに新たなピークを観測した。この新たなピークはAgBrの結合エネルギーと一致することから、透明電極基板15にはAgBrを含有し、また形成過程においてAgBrが生成したことが確認された。なお新たなピークの強度は、化合物P−1中のC−Brのピークの1/6倍程度であった。
That is, the C-Br binding energy in Compound P-1 was observed at 70 to 72 eV, while a new peak was observed at 67 to 69 eV. Since this new peak coincides with the binding energy of AgBr, it was confirmed that the
〔透明電極基板16〜64の作製〕
上記透明電極基板15の作製において、下地層を、化合物P−1に代えて表1及び2に記載の下地層の材料を用いて形成したほかは、同様にして透明電極基板16〜64を作製した。なお、この導電性層の形成過程で、表1及び2に記載の中間層の材料(銀化合物)からなる中間層1aが形成されたことは、XPSのピークシフトにより確認された。
[Preparation of transparent electrode substrates 16 to 64]
In the production of the
〔透明電極基板65及び66の作製〕
上記透明電極基板42及び43の作製において、基材を無アルカリガラスからPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極基板65及び66を作製した。なお、この導電性層の形成過程で、表2に記載の中間層の材料(銀化合物)からなる中間層1aが形成されたことは、XPSのピークシフトにより確認された。
[Production of transparent electrode substrates 65 and 66]
In the production of the transparent electrode substrates 42 and 43, transparent electrode substrates 65 and 66 were produced in the same manner except that the base material was changed from a non-alkali glass to a PET (polyethylene terephthalate) film. It was confirmed by XPS peak shift that the
〔透明電極基板67〜71の作製〕
上記透明電極基板15の作製において、下地層を、化合物P−1に代えて表2に記載の下地層の材料及び中間層の材料を用いて中間下地層を形成したほかは、同様にして透明電極基板67〜71を作製した。なお、この導電性層の形成過程で、表2に記載の下地層の材料及び中間層の材料(銀化合物)を含有する中間下地層1eが形成されたことは、XPSのピークシフトにより確認された。
[Production of transparent electrode substrates 67 to 71]
In the production of the
〔透明電極基板72及び73の作製〕
上記透明電極基板70及び71の作製において、基材を無アルカリガラスからPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに変更した以外は同様にして、透明電極基板72及び73を作製した。なお、この導電性層の形成過程で、表2に記載の下地層の材料及び中間層の材料(銀化合物)を含有する中間下地層1eが形成されたことは、XPSのピークシフトにより確認された。
[Production of transparent electrode substrates 72 and 73]
In the production of the transparent electrode substrates 70 and 71, transparent electrode substrates 72 and 73 were produced in the same manner except that the base material was changed from non-alkali glass to a PET (polyethylene terephthalate) film. It was confirmed by the XPS peak shift that the
《透明電極の評価》
上記作製した透明電極1〜73について、下記の方法に従って、光透過率、シート抵抗値及び耐久性の測定を行った。
<< Evaluation of transparent electrode >>
About the produced said transparent electrodes 1-73, according to the following method, the light transmittance, the sheet resistance value, and durability were measured.
〔導電性層の平均層厚の測定〕
約100cm2の透明基材及び上記作製した透明電極基板の単位面積当たりの質量を測定した。両者の単位面積当たりの質量(g/cm2)の差を銀の密度10.5で除して平均層厚(単位:cm)を得、単位をnmに変換した。
[Measurement of average thickness of conductive layer]
The mass per unit area of the transparent base material of about 100 cm 2 and the prepared transparent electrode substrate was measured. The difference between the mass per unit area (g / cm 2 ) was divided by the silver density of 10.5 to obtain the average layer thickness (unit: cm), and the unit was converted to nm.
〔光透過率の測定〕
上記作製した各透明電極基板について、分光光度計(日立製作所製U−3300)を用い、各透明電極基板の作製に用いた基材をリファレンスとして、波長550nmにおける光透過率(%)を測定した。
(Measurement of light transmittance)
About each produced said transparent electrode substrate, the light transmittance (%) in wavelength 550nm was measured using the base material used for preparation of each transparent electrode substrate using the spectrophotometer (Hitachi Ltd. U-3300). .
〔シート抵抗値の測定〕
上記作製した各透明電極基板について、抵抗率計(三菱化学アナリテック社製MCP−T610)を用い、4端子4探針法定電流印加方式でシート抵抗値(Ω/□)の測定を行った。
[Measurement of sheet resistance]
About each produced said transparent electrode board | substrate, the sheet resistance value (ohm / square) was measured by the 4 terminal 4 probe method constant current application system using the resistivity meter (MCP-T610 by Mitsubishi Chemical Analytech Co., Ltd.).
〔高温・高湿保存下の欠陥の面積の割合の測定〕
上記作製した透明電極基板を60℃・90%RHの環境下、100時間保管して、観察用の試料を準備した。マイクロスコープを用いて、導電性層の剥離により生じた欠陥を観察し、透明電極の導電性層の全面積に対する欠陥の面積の割合を算出した。表1及び2には透明電極基板8の欠陥の面積の割合を100としたときの相対値を示した。
[Measurement of the area ratio of defects under high temperature and high humidity storage]
The prepared transparent electrode substrate was stored for 100 hours in an environment of 60 ° C. and 90% RH to prepare a sample for observation. Using a microscope, defects generated by peeling of the conductive layer were observed, and the ratio of the defect area to the total area of the conductive layer of the transparent electrode was calculated. Tables 1 and 2 show relative values when the ratio of the defect area of the transparent electrode substrate 8 is 100.
なお、上記欠陥の大きさは、おおよそ直径0.2mm以上である。 Note that the size of the defect is approximately 0.2 mm or more in diameter.
表1及び2に記載の結果より明らかなように、銀化合物を用いて形成した中間層上に、銀(Ag)を主成分とした導電性層を設けた本発明の透明電極基板9〜73は、いずれも光透過率が51%以上であり、かつシート抵抗値が20Ω/□以下に抑えられている。また、高温・高湿保存下における欠陥面積の割合(相対値)は52以下と少なくなっている。これは、中間層を銀化合物を用いて形成することにより、その上に形成する銀層の凝集やモトルの発生を抑制することができ、薄くても連続した銀層が形成されえたことから、高い光透過性と低いシート抵抗値の両立を果たすことができたと考えられる。 As is clear from the results shown in Tables 1 and 2, the transparent electrode substrates 9 to 73 of the present invention in which a conductive layer mainly composed of silver (Ag) is provided on an intermediate layer formed using a silver compound. Each has a light transmittance of 51% or more and a sheet resistance value of 20Ω / □ or less. Moreover, the ratio (relative value) of the defect area under storage at high temperature and high humidity is as low as 52 or less. This is because by forming the intermediate layer using a silver compound, it is possible to suppress the aggregation of the silver layer formed thereon and the generation of mottle. It is thought that both high light transmittance and low sheet resistance value could be achieved.
これに対し、中間層を有していない比較例の透明電極基板1〜4では、銀層である導電性層の層厚を厚くするに従い、シート抵抗値の低下は認められるものの、導電性層形成時の銀の凝集(モトル)に起因する光透過率の低下が著しくなり、また充分に低い抵抗値が得られず、光透過性とシート抵抗値の両立を達成することができない。また、中間層としてAlq3あるいはET−1〜ET−3を用いた透明電極基板5〜8でも、光透過率が低く、かつシート抵抗値を所望の条件まで低下させることができなかった。
On the other hand, in the
実施例2
《発光パネルの作製》
〔発光パネル1の作製〕
実施例1で作製した透明電極基板1の透明電極をアノードとして用い、図6に記載の構成(ただし、中間層1aは有していない)の両面発光型の発光パネル1を、下記の手順に従って作製した。
Example 2
<Production of light emitting panel>
[Preparation of light-emitting panel 1]
Using the transparent electrode of the
はじめに、実施例1で作製した導電性層1bのみを形成した透明電極1と透明基板13を有する透明電極基板1を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、透明電極1(導電性層1bのみ)の形成面側に蒸着マスクを対向配置した。また、真空蒸着装置内の加熱ボートの各々に、発光機能層3を構成する各材料を、それぞれの層の製膜に最適な量で充填した。なお、加熱ボートとしては、タングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
First, the
次いで、真空蒸着装置の蒸着室内を真空度4×10−4Paまで減圧し、各材料が入った加熱ボートを順次通電して加熱することにより、以下に示す発光機能層3を構成する各層を製膜した。
Next, the vapor deposition chamber of the vacuum vapor deposition apparatus is depressurized to a vacuum degree of 4 × 10 −4 Pa, and each layer constituting the light emitting
はじめに、正孔輸送注入材料として下記に示すα−NPDが入った加熱ボートを通電及び加熱して、α−NPDからなる正孔注入層と正孔輸送層とを兼ねた正孔輸送・注入層31を、透明電極1を構成する導電性層1b上に製膜した。この際、蒸着速度は0.1〜0.2nm/秒の範囲内とし、層厚が20nmとなる条件で蒸着した。
First, a hole-transporting / injecting layer which serves as both a hole-injecting layer and a hole-transporting layer made of α-NPD by energizing and heating a heating boat containing α-NPD shown below as a hole-transporting injecting material 31 was formed on the
次いで、ホスト化合物として例示化合物H4の入った加熱ボートと、リン光発光性化合物として例示化合物Ir−4の入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ホスト化合物である例示化合物H4と、リン光発光性化合物である例示化合物Ir−4とからなる発光層3cを、正孔輸送・注入層31上に製膜した。この際、蒸着速度(nm/秒)が例示化合物H4:例示化合物Ir−4=100:6となる条件で、加熱ボートの通電条件を適宜調節して、発光層の層厚が30nmとなるようにした。
Next, a heating boat containing Exemplified Compound H4 as a host compound and a heating boat containing Exemplified Compound Ir-4 as a phosphorescent compound were energized independently, and Exemplified Compound H4 as a host compound and Phosphorus A light-emitting
次いで、正孔阻止材料として下記に示すBAlqが入った加熱ボートを通電及び加熱して、BAlqよりなる正孔阻止層33を、発光層3c上に形成した。この際、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒の範囲とし、層厚が10nmとなる条件で蒸着した。
Next, a heating boat containing BAlq shown below as a hole blocking material was energized and heated to form a hole blocking layer 33 made of BAlq on the
その後、電子輸送材料として下記に示すET−4の入った加熱ボートと、フッ化カリウムの入った加熱ボートとを、それぞれ独立に通電し、ET−4とフッ化カリウムから構成される電子輸送層3dを、正孔阻止層33上に製膜した。この際、蒸着速度(nm/秒)としてET−4:フッ化カリウム=75:25となる条件で、加熱ボートの通電条件を適宜調節し、電子輸送層3dの層厚が30nmとなるようにして蒸着した。
Thereafter, a heating boat containing ET-4 shown below as an electron transporting material and a heating boat containing potassium fluoride are energized independently, and an electron transport layer composed of ET-4 and potassium fluoride. 3d was formed on the hole blocking layer 33. At this time, under the condition that the deposition rate (nm / second) is ET-4: potassium fluoride = 75: 25, the energization conditions of the heating boat are adjusted as appropriate so that the layer thickness of the
次に、電子注入材料としてフッ化カリウムの入った加熱ボートを通電及び加熱して、フッ化カリウムよりなる電子注入層3eを、電子輸送層3d上に製膜した。この際、蒸着速度0.01〜0.02nm/秒の範囲で、層厚1nmとなるように蒸着した。
Next, a heating boat containing potassium fluoride as an electron injection material was energized and heated to form an
その後、電子注入層3eまで製膜した透明基板13を、真空蒸着装置の蒸着室から、対向電極材料としてITOのターゲットが取り付けられたスパッタ装置の処理室内に、真空状態を保持したまま移送した。次いで、処理室内において、製膜速度0.3〜0.5nm/秒の範囲で、層厚150nmのITOからなる光透過性の対向電極5aをカソードとして製膜した。
Thereafter, the
以上により、透明基板13上に有機EL素子400を形成した。
As described above, the
次いで、有機EL素子400を、厚さ300μmのガラス基板からなる封止材17で覆い、有機EL素子400を囲む状態で、封止材17と透明基板13との間に接着剤19(シール材)を充填した。接着剤19としては、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を用いた。封止材17と透明基板13との間に充填した接着剤19に対して、ガラス基板(封止材17)側からUV光を照射し、接着剤19を硬化させて有機EL素子400を封止した。
Next, the
なお、有機EL素子400の形成においては、各層の形成に蒸着マスクを使用し、5cm×5cmの透明基板13における中央の4.5cm×4.5cmを発光領域Aとし、発光領域Aの全周に幅0.25cmの非発光領域Bを設けた。また、アノードである透明電極1とカソードである対向電極5aとは、正孔輸送・注入層31〜電子注入層3eまでの発光機能層3によって絶縁された状態で、透明基板13の周縁に端子部分を引き出された形状で形成した。
In forming the
以上のようにして、透明基板13上に有機EL素子400を設け、これを封止材17と接着剤19とで封止した発光パネル1を作製した。この発光パネル1においては、発光層3cで発生した各色の発光光hが、透明電極1側、すなわち透明基板13側と、対向電極5a側すなわち封止材17側との両方から取り出される構成となっている。
As described above, the light-emitting
〔発光パネル2〜73の作製〕
上記発光パネル1の作製において、透明電極基板1に代えて、実施例1で作製した透明電極基板2〜73をそれぞれ用いた以外は同様にして、発光パネル2〜73を作製した。
[Production of light emitting panels 2 to 73]
In the production of the light-emitting
《発光パネルの評価》
上記作製した発光パネル1〜73について、下記の方法に従って、光透過率、駆動電圧及び耐久性の評価を行った。
<Evaluation of luminous panel>
About the produced said light emission panels 1-73, the light transmittance, the drive voltage, and durability were evaluated in accordance with the following method.
〔光透過率の測定〕
上記作製した各発光パネルについて、分光光度計(日立製作所製U−3300)を用い、各透明電極基板の作製に用いた基材をリファレンスとして、波長550nmにおける光透過率(%)を測定した。
(Measurement of light transmittance)
About each produced said light emission panel, the light transmittance (%) in wavelength 550nm was measured using the base material used for preparation of each transparent electrode substrate using the spectrophotometer (Hitachi Ltd. U-3300).
〔駆動電圧の測定〕
上記作製した各発光パネルの透明電極1側(すなわち透明基板13側)と、対向電極5a側(すなわち封止材17側)との両側での正面輝度を測定し、その和が1000cd/m2となるときの電圧を駆動電圧(V)として測定した。なお、輝度の測定には、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタオプティクス社製)を用いた。得られた駆動電圧の数値が小さいほど、好ましい結果であることを表す。
[Measurement of drive voltage]
The front luminance is measured on both sides of the
〔高温・高湿保存下のDS(ダークスポット)面積の割合〕
上記作製した透明電極基板を60℃・90%RHの環境下、100時間保管して、観察用の試料を準備した。マイクロスコープを用いてダークスポットの面積の経時変化を観察し、発光パネルの全発光面積に対する割合を算出した。表3及び4には発光パネル8のダークスポットの面積の割合を100としたときの相対値を示した。
[Percentage of DS (dark spot) area under high temperature and high humidity storage]
The prepared transparent electrode substrate was stored for 100 hours in an environment of 60 ° C. and 90% RH to prepare a sample for observation. The change with time of the dark spot area was observed using a microscope, and the ratio to the total light emitting area of the light emitting panel was calculated. Tables 3 and 4 show relative values when the ratio of the dark spot area of the light-emitting panel 8 is 100.
以上により得られた結果を、表3及び4に示す。 The results obtained as described above are shown in Tables 3 and 4.
表3及び4に記載の結果より明らかなように、本発明の透明電極を有機EL素子のアノードに用いた本発明の発光パネル9〜73は、いずれも光透過率が50%以上であり、かつ駆動電圧が4.1V以下に抑えられている。これに対して、比較例の透明電極を有機EL素子のアノードに用いた発光パネル1〜8は、光透過率がいずれも50%未満であり、しかも、電圧を印加しても発光しないか、又は発光しても駆動電圧が4.1Vを超えていた。
As is clear from the results shown in Tables 3 and 4, the light-emitting panels 9 to 73 of the present invention using the transparent electrode of the present invention for the anode of the organic EL element all have a light transmittance of 50% or more. In addition, the drive voltage is suppressed to 4.1 V or less. On the other hand, the light-emitting
また、本発明の透明電極を有機EL素子のアノードに用いた本発明の発光パネル9〜73は、高温・高湿保存下における欠陥面積の割合は比較例の発光パネル1〜8より大幅に少なくなっている。
In addition, the light emitting panels 9 to 73 of the present invention using the transparent electrode of the present invention as the anode of the organic EL element have a significantly lower defect area ratio under high temperature and high humidity storage than the
これにより、本発明の透明電極を具備した発光パネルは、低い駆動電圧で高輝度発光が可能であり、かつ耐久性に優れていることが確認された。また、これにより、所定輝度を得るための駆動電圧の低減と、発光寿命の向上が見込まれることが確認された。 Thereby, it was confirmed that the light emitting panel provided with the transparent electrode of the present invention can emit light with high luminance at a low driving voltage and is excellent in durability. In addition, it has been confirmed that this is expected to reduce the driving voltage for obtaining a predetermined luminance and improve the light emission lifetime.
1 透明電極
1a 中間層
1b 導電性層
1d 下地層
1e 中間下地層
3 発光機能層
3a 正孔注入層
3b 正孔輸送層
3c 発光層
3d 電子輸送層
3e 電子注入層
5a、5b、5c 対向電極
11 基材
13、131 透明基板
13a、131a 光取り出し面
15 補助電極
17 封止材
19 接着剤
21 照明装置
22 発光パネル
23 支持基板
31 正孔輸送・注入層
33 正孔阻止層
100、200、300、400 有機電界発光素子
A 発光領域
B 非発光領域
h 発光光
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記銀化合物が、下記一般式(1)で表される化合物であることを特徴とする透明電極。
一般式(1) Ag−Y(−R) n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子又はOC(=O)を表す。Rは、有機の置換基を表す。nは、0又は1を表す。) A transparent electrode having an intermediate layer and a conductive layer provided adjacent to the intermediate layer, having a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm and a sheet resistance value of 20Ω / □ or less. The intermediate layer contains a silver compound, the conductive layer contains silver as a main component ,
The said silver compound is a compound represented by following General formula (1), The transparent electrode characterized by the above-mentioned.
General formula (1) Ag-Y (-R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom or OC (═O). R represents an organic substituent. N represents 0 or 1.)
前記下地層が、下記一般式(2)で表される化合物を含有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の透明電極。
一般式(2) R1−Y(−R)n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す。Yが塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子の場合、nは0を表し、R1は置換基を表す。Yが硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す場合、nは1を表し、Rは置換基を表し、R1は水素原子又は置換基を表す。) The conductive layer, an intermediate layer provided adjacent to the conductive layer, and a base layer provided adjacent to the intermediate layer are sequentially stacked,
The underlying layer, a transparent electrode according to claim 1 or claim 2, characterized in that it contains a compound represented by the following general formula (2).
Formula (2) R 1 —Y (—R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, SS or OC (═O). When Y is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n represents 0, and R 1. Represents a substituent, and when Y represents a sulfur atom, SS or OC (═O), n represents 1, R represents a substituent, and R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
前記中間下地層が、前記一般式(1)で表される化合物及び前記一般式(2)で表される化合物をともに含有していることを特徴とする請求項3に記載の透明電極。 The intermediate layer and the base layer form one intermediate base layer,
The transparent electrode according to claim 3 , wherein the intermediate underlayer contains both the compound represented by the general formula (1) and the compound represented by the general formula (2).
銀化合物及び前記導電性層由来の銀と反応して当該銀化合物を形成する化合物のうち、少なくともいずれか一方を含有する層を形成する工程と、
前記導電性層を形成する工程と、を有し、
下記一般式(1)で表される前記銀化合物を含有する中間層を、下記一般式(2)で表される前記化合物を含有する下地層上に、前記導電性層を形成する過程で形成することを特徴とする透明電極の製造方法。
一般式(1) Ag−Y(−R) n
(式中、Yは、一個の銀原子と結合を形成する原子又は基を表す。Rは、有機の置換基を表す。nは、0又は1を表す。)
一般式(2) R 1 −Y(−R) n
(式中、Yは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す。Yが塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子の場合、nは0を表し、R 1 は置換基を表す。Yが硫黄原子、SS又はOC(=O)を表す場合、nは1を表し、Rは置換基を表し、R 1 は水素原子又は置換基を表す。) A method for producing a transparent electrode having a conductive layer containing silver as a main component,
A step of forming a layer containing at least one of a silver compound and a compound that reacts with silver derived from the conductive layer to form the silver compound;
Have a, and forming the conductive layer,
An intermediate layer containing the silver compound represented by the following general formula (1) is formed in the process of forming the conductive layer on an underlayer containing the compound represented by the following general formula (2) A method for producing a transparent electrode, comprising:
General formula (1) Ag-Y (-R) n
(In the formula, Y represents an atom or group that forms a bond with one silver atom. R represents an organic substituent. N represents 0 or 1.)
Formula (2) R 1 —Y (—R) n
(In the formula, Y represents a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, a sulfur atom, SS or OC (═O). When Y is a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, n represents 0, and R 1. Represents a substituent, and when Y represents a sulfur atom, SS or OC (═O), n represents 1, R represents a substituent, and R 1 represents a hydrogen atom or a substituent.
一般式(3) Ar−X
(式中、Arは芳香族基を表し、Xは臭素原子又はヨウ素原子を表す。) The method for producing a transparent electrode according to claim 6 , wherein the compound represented by the general formula (2) is a compound represented by the following general formula (3).
General formula (3) Ar-X
(In the formula, Ar represents an aromatic group, and X represents a bromine atom or an iodine atom.)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013216315A JP6241189B2 (en) | 2012-10-24 | 2013-10-17 | Transparent electrode, method for producing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012234325 | 2012-10-24 | ||
JP2012234325 | 2012-10-24 | ||
JP2013216315A JP6241189B2 (en) | 2012-10-24 | 2013-10-17 | Transparent electrode, method for producing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014103105A JP2014103105A (en) | 2014-06-05 |
JP6241189B2 true JP6241189B2 (en) | 2017-12-06 |
Family
ID=51025411
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013216315A Expired - Fee Related JP6241189B2 (en) | 2012-10-24 | 2013-10-17 | Transparent electrode, method for producing transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6241189B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102426959B1 (en) * | 2015-04-27 | 2022-08-01 | 메르크 파텐트 게엠베하 | Material for organic electroluminescent elements, organic electroluminescent element, display device and lighting device |
CN106916170A (en) * | 2015-12-28 | 2017-07-04 | 上海大学 | A kind of carboline disubstituted derivatives and its preparation method and application |
JPWO2018116923A1 (en) * | 2016-12-19 | 2019-11-07 | コニカミノルタ株式会社 | Transparent electrode and electronic device |
CN107719188B (en) * | 2017-11-06 | 2023-07-07 | 成都金和工贸有限公司 | Copper-aluminum composite contact wire and manufacturing method thereof |
JP6957371B2 (en) * | 2018-01-25 | 2021-11-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 2- (2'-Diarylaminophenyl) borabenzene derivative and organic electronic devices containing the derivative |
JP7267868B2 (en) * | 2019-07-30 | 2023-05-02 | 住友化学株式会社 | Method for producing boron-containing condensed ring compound |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000048966A (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP4176988B2 (en) * | 2001-12-10 | 2008-11-05 | 株式会社アルバック | Method for forming Ag-based film |
JP2005032563A (en) * | 2003-07-14 | 2005-02-03 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | Film forming method, organic el element, and manufacturing method thereof |
JP2008171637A (en) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Transparent conductive film laminate, organic el device using this transparent conductive film laminate, and manufacturing method of these |
JP2008218430A (en) * | 2008-05-02 | 2008-09-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP2011054419A (en) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Konica Minolta Holdings Inc | Transparent electrode, organic electroluminescent element, and organic thin-film solar battery element |
JP2011165653A (en) * | 2010-01-14 | 2011-08-25 | Canon Inc | Organic el element, and light-emitting apparatus using the same |
-
2013
- 2013-10-17 JP JP2013216315A patent/JP6241189B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014103105A (en) | 2014-06-05 |
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JP6237638B2 (en) | Transparent electrode, electronic device, and organic electroluminescence element |
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