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JP6115047B2 - Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof - Google Patents

Thermoelectric conversion module and manufacturing method thereof Download PDF

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JP6115047B2
JP6115047B2 JP2012193838A JP2012193838A JP6115047B2 JP 6115047 B2 JP6115047 B2 JP 6115047B2 JP 2012193838 A JP2012193838 A JP 2012193838A JP 2012193838 A JP2012193838 A JP 2012193838A JP 6115047 B2 JP6115047 B2 JP 6115047B2
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知丈 東平
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善三 石島
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孝広 地主
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Description

本発明は、熱電変換素子と電極との接合信頼性を向上させた熱電変換モジュールとその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a thermoelectric conversion module having improved bonding reliability between a thermoelectric conversion element and an electrode, and a method for manufacturing the same.

ゼーベック効果を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換モジュールは、駆動部がない、構造が明解、メンテナンスフリー等の特長を有するが、これまではエネルギー変換効率が低いという理由から、衛星用電源等の限られた製品のみで使用されてきた。しかし、環境調和型社会の実現に向けて、廃熱を熱エネルギーとして回収する方法として注目を浴び、焼却炉、工業炉、自動車等関連製品への展開が検討されている。この様な背景から、熱電変換モジュールは、耐久性向上、変換効率の向上、低コスト化が望まれている。   The thermoelectric conversion module that converts thermal energy into electrical energy using the Seebeck effect has features such as no drive unit, clear structure, and maintenance-free, but because of its low energy conversion efficiency, satellite It has been used only in limited products such as power supplies for industrial use. However, in order to realize an environmentally harmonious society, attention has been paid as a method of recovering waste heat as thermal energy, and development to related products such as incinerators, industrial furnaces, and automobiles is being studied. Against this background, thermoelectric conversion modules are desired to have improved durability, improved conversion efficiency, and reduced cost.

しかし、現在実用化されている熱電変換モジュールは、例えば特許文献1に記載されているようにビスマス−テルル系が主であり、使用温度域が300℃以下と低温に限られている。そのため、上述した工業炉や自動車等へ熱電変換モジュールを適用する場合、ビスマス−テルル系よりもさらに高温で動作可能なシリコン−ゲルマニウム系、マグネシウムシリサイド系、マンガンシリサイド系等の熱電変換素子が必要となる。   However, the thermoelectric conversion modules currently in practical use are mainly bismuth-tellurium systems as described in Patent Document 1, for example, and the operating temperature range is limited to a low temperature of 300 ° C. or lower. Therefore, when the thermoelectric conversion module is applied to the above-mentioned industrial furnace, automobile, etc., thermoelectric conversion elements such as silicon-germanium system, magnesium silicide system, manganese silicide system and the like that can operate at higher temperature than bismuth-tellurium system are required. Become.

ビスマス−テルル系熱電変換素子と電極は、はんだ等の軟ろう材により接合されている場合が多い。上記のような高温系熱電変換素子を軟ろう材で接合した場合、熱電変換モジュールの使用環境下で軟ろう材が溶融・流出することによって、熱電変換素子と電極の接合信頼性を低下させることが懸念される。そのため、軟ろう材を使用する場合には熱電変換モジュールの使用環境温度に制限があった。   In many cases, the bismuth-tellurium thermoelectric conversion element and the electrode are joined together by a soft brazing material such as solder. When high-temperature thermoelectric conversion elements such as those described above are joined with a soft brazing material, the joining reliability between the thermoelectric conversion element and the electrode is lowered by melting and flowing out the soft brazing material under the usage environment of the thermoelectric conversion module. Is concerned. For this reason, when the soft brazing material is used, the use environment temperature of the thermoelectric conversion module is limited.

これに対して特許文献1には、ビスマス−テルル系、又は鉛―テルル系のP型またはN型の熱電変換素子の一部とCu電極との間に、Al,MgおよびTiから成るグループのうちの一つ又はそれらの合金である介在層を設けて、耐熱性の高い硬ろうを使用することにより、熱電変換モジュールの耐熱性を高め、電極材料のCuが素子側へ拡散するのを防止して接合することが記載されている。   On the other hand, Patent Document 1 discloses a group consisting of Al, Mg, and Ti between a part of a bismuth-tellurium-based or lead-tellurium-based P-type or N-type thermoelectric conversion element and a Cu electrode. By providing an intervening layer that is one of them or an alloy of them, and using a highly heat-resistant brazing filler, the heat resistance of the thermoelectric conversion module is increased and Cu of the electrode material is prevented from diffusing to the element side. And joining.

一方、特許文献2には、軟ろう材を使用することに起因する不具合を解消するため、熱電変換素子端部がAgからなる介在層を介して、電極材と熱電変換素子が硬ろう材により接合された熱電変換モジュールについて記載されている。   On the other hand, in Patent Document 2, in order to eliminate the problems caused by using a soft brazing material, the electrode material and the thermoelectric conversion element are made of hard brazing material through an intervening layer whose thermoelectric conversion element end is made of Ag. A bonded thermoelectric conversion module is described.

また、特許文献3には、P型コバルト−アンチモン系熱電変換素子と電極部材との間、及びN型コバルト−アンチモン系熱電変換素子と電極部材との間にそれぞれAlを主成分とする薄膜層を形成してそれぞれを接合することが記載されている。   Patent Document 3 discloses a thin film layer mainly composed of Al between the P-type cobalt-antimony thermoelectric conversion element and the electrode member and between the N-type cobalt-antimony thermoelectric conversion element and the electrode member. Are formed and bonded to each other.

更に、特許文献4には、マグネシウムシリサイド系合金から成るP型熱電変換素子とN型熱電変換素子をそれぞれ、チタン又はチタン合金層、又はチタン又はチタン合金層とアルミニウム又はアルミニウム合金層とを中間層として電極との間に挟み込んで接合した構成が記載されている。   Further, Patent Document 4 discloses a P-type thermoelectric conversion element and an N-type thermoelectric conversion element made of a magnesium silicide-based alloy, respectively, a titanium or titanium alloy layer, or a titanium or titanium alloy layer and an aluminum or aluminum alloy layer as an intermediate layer. Is described as being sandwiched between and joined to an electrode.

熱電変換モジュールは熱電変換素子内に温度差を与えることにより、熱を電気に変換することができる。そのため熱電変換素子と電極の接合部では、稼働環境下では熱電変換素子と電極間の線膨張係数差により接合部に応力が発生し、接合部や熱電変換素子内の破壊が懸念される。このように発生する応力は、使用環境温度が高いほど、または熱電変換素子と接合材、電極の線膨張係数差が大きいほど高くなる。特に、300℃以上の環境における使用が想定される熱電変換モジュールでは大きな課題となってくる。   The thermoelectric conversion module can convert heat into electricity by giving a temperature difference in the thermoelectric conversion element. For this reason, in the joint portion between the thermoelectric conversion element and the electrode, stress is generated in the joint portion due to the difference in the coefficient of linear expansion between the thermoelectric conversion element and the electrode in an operating environment, and there is a concern that the joint portion or the thermoelectric conversion element may be broken. The stress generated in this way becomes higher as the use environment temperature is higher, or as the difference in linear expansion coefficient between the thermoelectric conversion element, the bonding material, and the electrode is larger. In particular, a thermoelectric conversion module that is assumed to be used in an environment of 300 ° C. or higher is a big problem.

特許文献5では、p型およびn型の熱電変換素子をカーボンとNiろうを用いてMo電極へ接続し、夫々の熱電変換素子間を酸化物ガラスで接合することで温度差によって発生する熱応力を緩和するライン型熱電変換モジュールが記載されている。   In Patent Document 5, p-type and n-type thermoelectric conversion elements are connected to Mo electrodes using carbon and Ni brazing, and thermal stress generated due to a temperature difference is formed by joining each thermoelectric conversion element with oxide glass. A line-type thermoelectric conversion module that relaxes the above is described.

更に、特許文献6には、略L型のn型半導体材料とp型半導体材料を交互に所要数組み合わせ、高温側と低温側とで異なる金属材料を用いて熱間又は冷間の圧縮成形あるいは粉末冶金法によりpn接合して一体化し、連接方向に複数のpn接合部を有する熱電変換素子について記載されている。   Further, in Patent Document 6, a required number of substantially L-type n-type semiconductor materials and p-type semiconductor materials are alternately combined, and hot or cold compression molding is performed using different metal materials on the high temperature side and the low temperature side. A thermoelectric conversion element having a plurality of pn junctions in a connecting direction is described by pn junction by powder metallurgy.

特開平9−293906号公報JP-A-9-293906 特開2005−317834号公報JP 2005-317834 A 特開2003−304006号公報JP 2003-304006 A 特開2006−49736号公報JP 2006-49736 A 特許第3469811号Japanese Patent No. 3469811 特開2001−189497号公報JP 2001-189497 A

上記のような熱電変換素子と電極の接合では以下のような課題が挙げられる。
(1)はんだ接合
現在主流となっている鉛フリーはんだの場合は、はんだの融点がおおよそ220〜230℃であり、高温系鉛フリーはんだにおいても融点は400℃以下であり、使用環境下で再溶融する可能性が高い。
(2)硬ろう材による接合
硬ろう材は融点が概ね600〜800℃とはんだ材よりも高く、300度以上の高温環境下で接合材として使用可能である。Agを主成分としたAgろうやAuを主成分としたAuろう等があるが、ろう材は接合強度が5〜25MPa程度であるため、接合強度が低い。さらに大気環境下では、接合部の酸化による劣化が著しく、接合信頼性の低下が懸念される。
(3)加圧による接触接続
熱電変換素子と電極の接続形態が接触であるため、接触界面の接触熱抵抗により、熱電変換モジュールの変換効率の低下が懸念される。さらに、一括加圧方式の場合は各素子間における加圧力のばらつきが素子ごとの温度ばらつきとなり、特性が低下することも考えられる。また、接触熱抵抗を低下させるために加圧力を高めた場合、熱電変換素子内へのクラックや欠けが懸念される。
(4)中間層を挟んだ接合
特許文献3及び4には、熱電変換素子と電極との間にAl又はAl合金を挟んで熱電変換素子と電極を接合することが示されている。しかし、特許文献3に記載の方法では、接合時525℃〜575℃に加熱した状態で300kg/cm2〜700 kg/cm2の圧力をかけており、熱電変換素子や接合部にクラックを発生させる恐れがある。また、特許文献4に記載されている方法でも、接合時600〜700℃に加熱した状態で数十MPaの圧力をかけており、熱電変換素子や接合部にクラックを発生させる恐れがある。
In joining the thermoelectric conversion element and the electrode as described above, there are the following problems.
(1) Solder joint
In the case of lead-free solder, which is currently the mainstream, the melting point of the solder is approximately 220-230 ° C, and even in high-temperature lead-free solder, the melting point is 400 ° C or less, and there is a possibility of remelting in the usage environment. high.
(2) Joining with brazing filler metal
The brazing filler metal has a melting point of approximately 600 to 800 ° C., which is higher than that of the solder material, and can be used as a bonding material in a high temperature environment of 300 ° C. or more. Although there are Ag brazing containing Ag as a main component and Au brazing containing Au as a main component, since the brazing material has a bonding strength of about 5 to 25 MPa, the bonding strength is low. Further, in an atmospheric environment, the deterioration of the joint due to oxidation is remarkable, and there is a concern that the joint reliability may be lowered.
(3) Contact connection by pressurization
Since the connection form of the thermoelectric conversion element and the electrode is contact, there is a concern that the conversion efficiency of the thermoelectric conversion module is lowered due to the contact thermal resistance of the contact interface. Furthermore, in the case of the collective pressurization method, the variation in the applied pressure between the elements becomes the temperature variation for each element, and the characteristics may be deteriorated. Moreover, when the applied pressure is increased in order to reduce the contact thermal resistance, there is a concern about cracks or chipping in the thermoelectric conversion element.
(4) Joining with an intermediate layer in between
Patent Documents 3 and 4 show that a thermoelectric conversion element and an electrode are joined with an Al or Al alloy sandwiched between the thermoelectric conversion element and the electrode. However, in the method described in Patent Document 3, a pressure of 300 kg / cm 2 to 700 kg / cm 2 is applied while being heated to 525 ° C. to 575 ° C. at the time of joining, and cracks are generated in the thermoelectric conversion elements and joints. There is a fear. Further, even in the method described in Patent Document 4, a pressure of several tens of MPa is applied while being heated to 600 to 700 ° C. at the time of bonding, which may cause cracks in the thermoelectric conversion element and the bonded portion.

更に熱電変換素子と電極の接合部では、稼働環境下で熱電変換素子と電極間の線膨張係数差により接合部に応力が発生し、接合部や熱電変換素子内の破壊が懸念される。このように発生する応力は、使用環境温度が高いほど、または熱電変換素子と接合材と電極の線膨張係数差が大きいほど大きくなる。特に、300℃以上の環境における使用が想定される熱電変換モジュールでは大きな課題となる。特許文献5ではこの課題を解決するために、カーボンとNiろうによるひずみ緩和構造を提案しているが、この接続方式では素子と電極間の熱抵抗が大きくなるため特性が低下すること、カーボンは脆い材料であるため繰り返しひずみや衝撃が発生する環境では破断の可能性があることが懸念される。   Furthermore, in the junction part of a thermoelectric conversion element and an electrode, stress generate | occur | produces in a junction part by the linear expansion coefficient difference between a thermoelectric conversion element and an electrode in an operating environment, and there exists a concern about destruction in a junction part or a thermoelectric conversion element. The stress generated in this manner increases as the use environment temperature increases or as the difference in linear expansion coefficient between the thermoelectric conversion element, the bonding material, and the electrode increases. In particular, a thermoelectric conversion module that is assumed to be used in an environment of 300 ° C. or higher is a big problem. In order to solve this problem, Patent Document 5 proposes a strain relaxation structure using carbon and nickel brazing. However, in this connection method, the thermal resistance between the element and the electrode increases, so that the characteristics deteriorate. Since it is a brittle material, there is a concern that it may break in an environment where repeated strain or impact occurs.

更に、特許文献6に記載されている発明では、金属材料を用いて熱間又は冷間の圧縮成形あるいは粉末冶金法によりpn接合して一体化形成することが記載されており、特許文献6中に明記されてはいないが、線膨張係数差により接合部に応力が発生するという問題を解消できる構成が開示されている。しかし、特許文献6では、一体化形成するための金属材料として、高温側と低温側とで異なる金属材料を用いることが記載されており、同じ材料の金属を用いることについては記載されていない。また、一体化形成した金属材料との界面をどのような接合状態にするのかについては記載されていない。更に、特許文献6には、一体化形成した熱電変換素子の高温側・低温側それぞれで伝熱する構成については記載されていない。   Furthermore, in the invention described in Patent Document 6, it is described that a metal material is used to integrally form by pn bonding by hot or cold compression molding or powder metallurgy. Although not specified in the above, a configuration is disclosed that can solve the problem that stress is generated in the joint due to a difference in linear expansion coefficient. However, Patent Document 6 describes that different metal materials are used on the high temperature side and the low temperature side as the metal material for integrally forming, and does not describe using the same metal material. Moreover, it does not describe what kind of joining state the interface with the integrally formed metal material is made. Furthermore, Patent Document 6 does not describe a configuration in which heat is transferred on a high temperature side and a low temperature side of an integrally formed thermoelectric conversion element.

本発明は、熱電変換モジュールにおいて、高温環境下や温度サイクルによる熱応力が発生する環境下でも高い信頼性を確保し、外周温度を効率よく熱電変換素子へ伝えることができる熱電変換モジュールを提供するものである。   The present invention provides a thermoelectric conversion module capable of ensuring high reliability even in a high temperature environment or in an environment where thermal stress is generated due to a temperature cycle and efficiently transmitting the outer peripheral temperature to the thermoelectric conversion element. Is.

また、上記した課題を解決するために、本発明においては、熱電変換モジュールの製造
方法を、シリコンを含有する複数のp型の熱電変換素子とシリコンを含有する複数のn型の熱電変換素子とを高温側の面と低温側の面とをそろえて交互に並べて配置し、この交互に並べて配置した複数のp型熱電変換素子と複数のn型の熱電変換素子との間の接合部にアルミニウムを主成分とする接合金属材料を挟んでこの接合金属材料とp型の熱電変換素子との間及び接合金属材料とn型の熱電変換素子との間にアルミニウム中にシリコンを含む熱電変換素子の成分が含まれて接合部に発生する応力を緩和する作用を有する複数の合金層が形成された状態で接合して複数のp型の熱電変換素子と複数のn型の熱電変換素子とを電気的に直列に接続し、電気的に直列に接続した複数のp型の熱電変換素子と複数のn型の熱電変換素子との高温側の面と低温側の面とを熱伝導性が良い絶縁材で覆うようにした。
In order to solve the above problems, in the present invention, a method for manufacturing a thermoelectric conversion module includes a plurality of p-type thermoelectric conversion elements containing silicon and a plurality of n-type thermoelectric conversion elements containing silicon. Are arranged with the high-temperature side surface and the low-temperature side surface arranged alternately, and aluminum is formed at the junction between the plurality of alternately arranged p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversion elements. Of a thermoelectric conversion element containing silicon in aluminum between the bonding metal material and the p-type thermoelectric conversion element and between the bonding metal material and the n-type thermoelectric conversion element. Joining in the state in which a plurality of alloy layers that contain components and relax the stress generated in the joint are formed to electrically connect a plurality of p-type thermoelectric conversion elements and a plurality of n-type thermoelectric conversion elements Connected in series and electrically in series The high-temperature side surfaces and the low-temperature side surfaces of the plurality of p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversion elements connected to each other are covered with an insulating material having good thermal conductivity.

本発明の特徴は、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子を直接接合することで電極をなくした構造とすることにより、高温環境下や温度変動環境下で熱電素子と電極間に発生する熱応力を抑制し、実使用環境下でも高い信頼性を確保できることである。また、電極レス熱電変換素子組立体と外周ケースを接触接続させることで、電極レス熱電変換素子組立体とケースの線膨張係数差による応力の発生を抑制することもできる。さらに、ケースの熱を熱電変換素子へ電極を介さずに伝えることができるため、効率の向上ができる。   A feature of the present invention is that a p-type thermoelectric conversion element and an n-type thermoelectric conversion element are directly joined to form a structure that eliminates an electrode, and thus occurs between a thermoelectric element and an electrode under a high temperature environment or a temperature fluctuation environment. It is possible to suppress thermal stress and ensure high reliability even in an actual use environment. In addition, by connecting the electrodeless thermoelectric conversion element assembly and the outer case in contact with each other, it is possible to suppress the generation of stress due to a difference in linear expansion coefficient between the electrodeless thermoelectric conversion element assembly and the case. Furthermore, since the heat of the case can be transmitted to the thermoelectric conversion element without using an electrode, the efficiency can be improved.

本発明の第一の実施例における熱電変換モジュールの素子近傍を抜粋した側面図である。It is the side view which extracted the element vicinity of the thermoelectric conversion module in the 1st Example of this invention. 本発明の第一の実施例における電極レス熱電変換素子組立体の製造の処理の流れを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the flow of a process of manufacture of the electrodeless thermoelectric conversion element assembly in a 1st Example of this invention. 本発明の第一の実施例における熱電変換モジュールのケース封止の処理の流れを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the flow of the process of case sealing of the thermoelectric conversion module in the 1st Example of this invention. 本発明の第一の実施形態に係る熱電変換モジュールの上部ケースを取外した状態の斜視図である。It is a perspective view of the state where the upper case of the thermoelectric conversion module concerning a first embodiment of the present invention was removed. 本発明の第一の実施形態に係る熱電変換モジュールの上部ケースを装着した状態の斜視図である。It is a perspective view of the state where the upper case of the thermoelectric conversion module concerning a first embodiment of the present invention was mounted. 本発明の第二の実施例における電極レス熱電変換素子組立体の製造の処理の流れを示すフロー図である。It is a flowchart which shows the flow of a process of manufacture of the electrodeless thermoelectric conversion element assembly in the 2nd Example of this invention. 本発明の第三の実施例における熱電変換モジュールの素子近傍を抜粋した側面図である。It is the side view which extracted the element vicinity of the thermoelectric conversion module in the 3rd Example of this invention.

本発明では、熱電変換モジュールのp型熱電変換素子とn型熱電変換素子とを、従来の電極材料を用いて接続する構成ではなく、電極材料を用いずに(電極レス)p型熱電変換素子とn型熱電変換素子との間に接合金属による合金層を形成して直接電気的に接続する構成とした。   In the present invention, the p-type thermoelectric conversion element of the thermoelectric conversion module is not configured to connect the p-type thermoelectric conversion element and the n-type thermoelectric conversion element using the conventional electrode material, but without using the electrode material (electrodeless). An alloy layer made of a bonding metal is formed between the n-type thermoelectric conversion element and a direct electrical connection.

以下、本発明の実施の形態を図を用いて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の第一の実施例における熱電変換モジュール500の素子近傍を抜粋した側面図である。10は接合材、11はp型熱電変換素子、12はn型熱電変換素子、13は高熱伝導絶縁材、14は外周ケースである。接合材10はアルミニウム、ニッケル、錫、銅、亜鉛、ゲルマニウム、マグネシウム、金、銀、インジウム、鉛、ビスマス、テルルまたはこれらの金属のうち、いずれかを主成分とする合金であることが望ましい。上面側の接合材10と、下面側の接合材10は同一の材料でもよいし、異なる材料ででもかまわない。p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12(以下、これらを総称する場合は熱電変換素子100と記す)は、シリコン−ゲルマニウム系、鉄−シリコン系、ビスマス−テルル系、マグネシウム−シリコン系、鉛−テルル系、コバルト−アンチモン系、ビスマス−アンチモン系やホイスラー合金系、ハーフホイスラー合金系など、熱電変換特性がある材料とする。   FIG. 1 is a side view of the vicinity of an element of a thermoelectric conversion module 500 in the first embodiment of the present invention. Reference numeral 10 denotes a bonding material, 11 denotes a p-type thermoelectric conversion element, 12 denotes an n-type thermoelectric conversion element, 13 denotes a high thermal conductive insulating material, and 14 denotes an outer case. The bonding material 10 is preferably aluminum, nickel, tin, copper, zinc, germanium, magnesium, gold, silver, indium, lead, bismuth, tellurium, or an alloy containing any one of these metals as a main component. The upper surface side bonding material 10 and the lower surface side bonding material 10 may be made of the same material or different materials. The p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 (hereinafter collectively referred to as the thermoelectric conversion element 100) are silicon-germanium-based, iron-silicon-based, bismuth-tellurium-based, magnesium-silicon-based. , Lead-tellurium-based, cobalt-antimony-based, bismuth-antimony-based, Heusler alloy-based, half-Heusler alloy-based material, and the like.

以降の実施例では、p型熱電変換素子11は、p型半導体の特性を付与する1%以下のボロン、アルミニウム、ガリウム等の不純物を含有したシリコンとゲルマニウム粉末を、n型熱電変換素子12は、n型半導体の特性を付与する1%以下のリン、アンチモン等の不純物を含有したシリコン−ゲルマニウム粉末をそれぞれパルス放電法やホットプレス法等により焼結したシリコン−ゲルマニウム熱電変換素子として説明する。   In the following examples, the p-type thermoelectric conversion element 11 is composed of silicon and germanium powder containing impurities such as boron, aluminum, gallium and the like that give the characteristics of a p-type semiconductor, and the n-type thermoelectric conversion element 12 is A silicon-germanium thermoelectric conversion element obtained by sintering silicon-germanium powder containing impurities of 1% or less, such as phosphorus and antimony, imparting the characteristics of an n-type semiconductor, respectively, by a pulse discharge method or a hot press method will be described.

高熱伝導絶縁材13は熱伝導性が良い絶縁材で、エポキシやウレタンなどの樹脂材料中に金属やカーボンなどの熱伝導性の良い材料を含んだものや、熱伝導グリースなど、熱電変換素子100と化学的、金属的に接合しない熱伝導性が良い材料が好ましい。また、高熱伝導絶縁材13は、外周ケース14と熱電変換素子100に垂直な方向に熱伝導率が高く、水平方向に熱伝導率が低い異方性を有した異方性高熱伝導絶縁材料や、厚さ方向の強度は高いが水平方向の強度が低く、せん断変形が容易な材料としてもよい。   The high thermal conductive insulating material 13 is an insulating material with good thermal conductivity, and includes a thermoelectric conversion element 100 such as a resin material such as epoxy or urethane containing a material with good thermal conductivity such as metal or carbon, or thermal conductive grease. A material having good thermal conductivity that is not chemically and metallicly bonded to the substrate is preferable. Further, the high thermal conductive insulating material 13 is an anisotropic high thermal conductive insulating material having anisotropy having a high thermal conductivity in the direction perpendicular to the outer case 14 and the thermoelectric conversion element 100 and a low thermal conductivity in the horizontal direction. The material may have a high strength in the thickness direction but a low strength in the horizontal direction and can be easily sheared.

外周ケース14の材質は、金属、セラミック、カーボンなどを主成分とする熱伝導率の高い材料であることが望ましい。以降の説明では、外周ケース14を金属ケースとして説明する。   The material of the outer case 14 is preferably a material having a high thermal conductivity mainly composed of metal, ceramic, carbon or the like. In the following description, the outer case 14 is described as a metal case.

また、以降の実施例では、接合材10をアルミニウムまたは、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金箔、または、アルミニウム、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有した粉末からなる箔の何れかを用いた場合について説明する。   In the following embodiments, the bonding material 10 is either aluminum or an aluminum alloy foil containing silicon, germanium or the like in aluminum, or a foil made of powder containing aluminum, silicon, germanium or the like in aluminum or aluminum. The case where is used will be described.

図1に示すように、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12は接合材10により上端と下端で交互に接合されている。さらに、高熱伝導絶縁材13と熱電変換素子100とは接触接続されており、外周ケース14を上下面からネジ止めなどで加圧したり、気密封止真空パッケージングとしたり、高熱伝導絶縁材13に粘着力を持たせて接着させることで形状が保たれる。また、外周ケース14と高熱伝導絶縁材13は接続していても接触や接着していてもよく、形態は問わない。予め外周ケース14上に塗布や接着、成形、鋳造、めっき、蒸着などで高熱伝導絶縁材13を形成しておいた一体型外周ケースとすると、外気の熱を効率よく熱電変換素子100へ伝えることができる。   As shown in FIG. 1, the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are alternately joined by the joining material 10 at the upper end and the lower end. Further, the high heat conductive insulating material 13 and the thermoelectric conversion element 100 are contact-connected, and the outer case 14 is pressurized from above and below with screws, hermetically sealed vacuum packaging, or the high heat conductive insulating material 13 is attached. The shape is maintained by adhering with adhesive force. Moreover, the outer peripheral case 14 and the high thermal conductive insulating material 13 may be connected or may be in contact or bonded, and the form is not limited. When the integrated outer case in which the high thermal conductive insulating material 13 is formed on the outer case 14 in advance by coating, bonding, molding, casting, plating, vapor deposition, etc., the heat of the outside air is efficiently transmitted to the thermoelectric conversion element 100. Can do.

熱電変換モジュールは、熱電変換素子100の両端に温度差を与えることにより、温度差に応じた起電力が発生するモジュールである。図1の上面を高温に、下面を低温にした場合について以下に示す。   The thermoelectric conversion module is a module that generates an electromotive force according to the temperature difference by giving a temperature difference to both ends of the thermoelectric conversion element 100. The case where the upper surface of FIG. 1 is made high temperature and the lower surface is made low temperature is shown below.

上下面に与えた温度差により、熱電変換素子100には電流が流れる。電流は、p型熱電変換素子11では高温側から低温側(図1中、上から下)に、n型熱電変換素子12では低温側から高温側(図1中、下から上)に流れるので、各々の熱電変換素子100の下流側を接合材10を用いて、隣接した熱電変換素子100の上流側と接合することで電気的な直列経路を形成する。このように直列に接続した熱電変換素子100を平面状、ライン状などに複数接合することで電極レス熱電変換素子組立体1を構成する。なお、図1に示した構成においては、電極レス熱電変換素子組立体1を、複数の熱電変換素子100で一つの電気的な直列経路を形成した構成として示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数の熱電変換素子100で形成した電気的な直列経路を複数備えてそれらを並列に接続した状態で電極レス熱電変換素子組立体1を構成するようにしてもよい。   A current flows through the thermoelectric conversion element 100 due to the temperature difference applied to the upper and lower surfaces. The current flows from the high temperature side to the low temperature side (in FIG. 1, from top to bottom) in the p-type thermoelectric conversion element 11, and from the low temperature side to the high temperature side (in FIG. 1, from bottom to top) in the n-type thermoelectric conversion element 12. The downstream side of each thermoelectric conversion element 100 is joined to the upstream side of the adjacent thermoelectric conversion element 100 using the bonding material 10 to form an electrical series path. The electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 is configured by joining a plurality of the thermoelectric conversion elements 100 connected in series in this manner in a planar shape, a line shape, or the like. In the configuration shown in FIG. 1, the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 is shown as a configuration in which a plurality of thermoelectric conversion elements 100 form one electrical series path, but the present invention is not limited to this. Instead, the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 may be configured in a state in which a plurality of electrical series paths formed by the plurality of thermoelectric conversion elements 100 are provided and connected in parallel.

実使用環境下で高温側が300℃以上になると、熱電変換素子100と、外周ケース14や高熱伝導絶縁材13とが接合(例えば金属接合)された構造の場合、各部材の線膨張係数差により接合部近傍に応力とひずみが発生し、接合部破断や剥離、熱電変換素子100の割れが懸念される。しかし、本実施例における構造においては、熱電変換素子100と高熱伝導絶縁材13との間を接合材料で固定した構造ではなく、接触接続であるため、界面がすべることで応力やひずみを低減することができる。また、高熱伝導絶縁材13をせん断方向に変形が容易な異方性材料を使用した場合は、接触界面がすべるとともに異方性材料も変形することで、応力とひずみの低減効果を発揮できる。また、厚さ方向の熱伝導率が高い異方性材料を高熱伝導絶縁材13に使用すると、厚み方向に優先的に伝熱するため、外周ケース14の熱を効率よく熱電変換素子100に伝えることができる。この高熱伝導絶縁材13の厚さは、絶縁性と熱抵抗の観点から0.01mm〜10mmにすることが望ましい。   If the thermoelectric conversion element 100 is joined to the outer case 14 or the high thermal conductive insulating material 13 (for example, metal bonding) when the high temperature side becomes 300 ° C. or higher in an actual use environment, the difference in linear expansion coefficient of each member Stress and strain are generated in the vicinity of the joint, and there is a concern that the joint may break or peel off and the thermoelectric conversion element 100 may crack. However, in the structure in the present embodiment, since the thermoelectric conversion element 100 and the high thermal conductive insulating material 13 are not a structure fixed with a bonding material but a contact connection, the interface slips to reduce stress and strain. be able to. In addition, when an anisotropic material that is easily deformable in the shear direction is used for the high thermal conductive insulating material 13, the contact interface slips and the anisotropic material is also deformed, so that the effect of reducing stress and strain can be exhibited. In addition, when an anisotropic material having a high thermal conductivity in the thickness direction is used for the high thermal conductivity insulating material 13, heat is transferred preferentially in the thickness direction, so that the heat of the outer case 14 is efficiently transmitted to the thermoelectric conversion element 100. be able to. The thickness of the high thermal conductive insulating material 13 is desirably 0.01 mm to 10 mm from the viewpoint of insulation and thermal resistance.

更に、本実施例においては、特許文献5に記載されているような熱電変換素子間を接続する電極を不要とするため、平面方向の単位面積あたりの熱電変換素子100の割合を増加でき、熱電変換素子の実装密度が上昇するため、単位面積あたりの発電量が増加する。すなわち、省スペースの発電が可能となる。   Furthermore, in this embodiment, since the electrodes for connecting the thermoelectric conversion elements as described in Patent Document 5 are not necessary, the ratio of the thermoelectric conversion elements 100 per unit area in the plane direction can be increased, and the thermoelectric conversion Since the mounting density of conversion elements increases, the amount of power generation per unit area increases. That is, space-saving power generation is possible.

図2は、本発明の第一の実施例における熱電変換モジュール500の第一の組立プロセス例について素子近傍を抜粋した側面図である。1は電極レス熱電変換素子組立体、11はp型熱電変換素子、12はn型熱電変換素子、15、16は金属箔、20はサンプル支持用治具、21、23は突起、22は上部接合用治具である。本組立プロセスでは、金属箔15、16はアルミニウムまたは、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金箔、または、アルミニウム、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有した粉末からなる箔として説明する。   FIG. 2 is a side view of the vicinity of the element in the first assembly process example of the thermoelectric conversion module 500 in the first embodiment of the present invention. 1 is an electrodeless thermoelectric conversion element assembly, 11 is a p-type thermoelectric conversion element, 12 is an n-type thermoelectric conversion element, 15 and 16 are metal foils, 20 is a jig for supporting a sample, 21 and 23 are protrusions, and 22 is an upper part This is a joining jig. In this assembly process, the metal foils 15 and 16 will be described as aluminum or an aluminum alloy foil containing silicon, germanium, or the like in aluminum, or a foil made of powder containing silicon, germanium, or the like in aluminum or aluminum.

サンプル支持用治具20は、セラミックや金属など、接合プロセスで溶融しない材料であればよいが、金属箔15、16と反応する材料の場合は、サンプル支持用治具20の表面に金属箔15,16との反応を抑制する、もしくは反応しない層を形成するか、サンプル支持用治具20と金属箔15、16の間に反応を抑制する、もしくは反応しない材料(セラミックなど)を介在させる。   The sample support jig 20 may be any material that does not melt in the joining process, such as ceramic or metal. However, in the case of a material that reacts with the metal foils 15 and 16, the metal foil 15 is placed on the surface of the sample support jig 20. , 16 is formed, or a layer that does not react is formed, or a material (such as ceramic) that inhibits or does not react is interposed between the sample supporting jig 20 and the metal foils 15 and 16.

以下、図2の電極レス熱電変換素子組立体1の組立方法のフローを、(a)乃至(d)を参照しながら説明する。   Hereinafter, the flow of the assembly method of the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 of FIG. 2 will be described with reference to (a) to (d).

先ず、図2の(a)に示すように、突起21を有するサンプル支持用治具20上に金属箔15を設置する(S201)。突起21は、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の接合させる境界を除いた任意の境界下には少なくとも形成する。突起21の高さは、金属箔15の厚さの1/2以上であることが望ましい。金属箔15の厚さは、1〜500μmが望ましい。金属箔15を設置後、サンプル支持用治具20の突起21を避けて熱電変換素子100の位置合わせを行い(S202)、金属箔15を挟むようにして熱電変換素子100をサンプル支持用治具20に設置する(S203)。熱電変換素子100の設置は、治具(図示せず)を用いて一括で設置してもよいし、個別に設置してもよく、方法は問わない。この状態で、隣接する熱電変換素子100どうしは、サンプル支持用治具20の突起21の幅の分だけ間隔が空いている。   First, as shown in FIG. 2A, the metal foil 15 is placed on the sample support jig 20 having the protrusions 21 (S201). The protrusion 21 is formed at least under any boundary except the boundary where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined. It is desirable that the height of the protrusions 21 is at least half of the thickness of the metal foil 15. The thickness of the metal foil 15 is preferably 1 to 500 μm. After the metal foil 15 is installed, the thermoelectric conversion element 100 is aligned by avoiding the protrusion 21 of the sample support jig 20 (S202), and the thermoelectric conversion element 100 is placed on the sample support jig 20 with the metal foil 15 sandwiched therebetween. Install (S203). The thermoelectric conversion element 100 may be installed in a lump using a jig (not shown) or may be individually installed, and the method is not limited. In this state, the adjacent thermoelectric conversion elements 100 are spaced apart by the width of the protrusion 21 of the sample support jig 20.

次に、図2の(b)に示すように、設置した熱電変換素子100上に金属箔16を置き(S204)、突起23を有する上部接合用治具22をサンプル用支持治具20に設置した熱電変換素子100に対して位置合わせを行う(S205)。上部接合用治具22の突起23は、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の接合させる境界を除いた任意の境界下には少なくとも形成する。突起21の高さは、金属箔16の厚さの1/2以上であることが望ましい。金属箔16の厚さは、1〜500μmが望ましい。位置あわせ後、金属箔16を挟んで熱電変換素子100にかかる荷重を0.12kPa以上として上部接合用冶具22を加圧する(S206)。   Next, as shown in FIG. 2 (b), the metal foil 16 is placed on the thermoelectric conversion element 100 installed (S204), and the upper joining jig 22 having the protrusions 23 is installed on the sample supporting jig 20. The alignment is performed on the thermoelectric conversion element 100 (S205). The protrusion 23 of the upper joining jig 22 is formed at least under any boundary except the boundary where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined. It is desirable that the height of the protrusions 21 is at least half of the thickness of the metal foil 16. The thickness of the metal foil 16 is preferably 1 to 500 μm. After the alignment, the upper joining jig 22 is pressurized by setting the load applied to the thermoelectric conversion element 100 to 0.12 kPa or more with the metal foil 16 in between (S206).

次に、図2の(c)に示すように、加圧した状態で図示していない加熱手段によりサンプル支持用治具20と上部接合用治具22とを加熱し(S207)、金属箔15,16を溶融温度(アルミニウムの場合、660℃)以上まで昇温させて、溶融温度を超えた金属箔15、16を溶融させる(S208)。この溶融した金属箔15,16に対して、突起21、23が堤防の役割を果たし、突起21、23が存在しないp型熱電変換素子11と、n型熱電変換素子12の界面211,231に溶融した金属箔が流れ込み素子間接続部材151,161(素子間接続部材151,161とを総称して接合材10(図1参照)と記す)が形成され、双方の熱電変換素子の接合を実現する。   Next, as shown in FIG. 2C, the sample supporting jig 20 and the upper joining jig 22 are heated by a heating means (not shown) in a pressurized state (S207), and the metal foil 15 , 16 are raised to a melting temperature (660 ° C. in the case of aluminum) or higher, and the metal foils 15 and 16 exceeding the melting temperature are melted (S208). On the molten metal foils 15 and 16, the protrusions 21 and 23 serve as dikes, and the p-type thermoelectric conversion element 11 where the protrusions 21 and 23 do not exist and the interfaces 211 and 231 between the n-type thermoelectric conversion element 12 are formed. Molten metal foil flows in and inter-element connection members 151 and 161 (inter-element connection members 151 and 161 are collectively referred to as a bonding material 10 (see FIG. 1)) are formed, and bonding of both thermoelectric conversion elements is realized. To do.

加熱を開始して一定の時間経過後に、サンプル支持用治具20と上部接合用治具22との加熱を停止する(S209)。そののち、図2の(d)に示すように、上部接合用治具22による熱電変換素子100への加圧を停止して上部接合用治具22を上昇させ(S210),熱電変換素子100をサンプル支持用治具20から取り外すことにより、電極レス熱電変換素子組立体1(複数の熱電変換素子100を素子間接続部材151又は161で電気的に接続した熱電変換素子100の集合体)が形成できる(S211)。   After a certain period of time has elapsed since the start of heating, heating of the sample support jig 20 and the upper bonding jig 22 is stopped (S209). After that, as shown in FIG. 2 (d), pressurization to the thermoelectric conversion element 100 by the upper bonding jig 22 is stopped and the upper bonding jig 22 is raised (S210), and the thermoelectric conversion element 100 is moved. Is removed from the sample support jig 20, whereby the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 (an assembly of thermoelectric conversion elements 100 in which a plurality of thermoelectric conversion elements 100 are electrically connected by inter-element connection members 151 or 161) is obtained. It can be formed (S211).

図2を用いて説明したフローでは、上下面の金属箔15、16を一括して接合するプロセスを示したが、いずれか一方を予め接合したのち、他方を接合してもよい。たとえば、図2のS207とS208のステップにおいて、先ず下側のサンプル支持用治具20を加熱し金属箔15を溶融して素子間接合部材151を形成し、次に全体を反転させて上部接合用治具22を下側にし、この状態で上部接合用治具22を加熱して金属箔16を溶融して素子間接合部材161を形成することにより、図2の(d)に示すような電極レス熱電変換素子組立体1を形成してもよい。   In the flow described with reference to FIG. 2, the process of joining the upper and lower metal foils 15 and 16 together is shown. However, after joining one of them in advance, the other may be joined. For example, in steps S207 and S208 of FIG. 2, first, the lower sample support jig 20 is heated to melt the metal foil 15 to form the inter-element bonding member 151, and then the whole is inverted and the upper bonding is performed. The upper jig 22 is heated in this state and the metal foil 16 is melted in this state to form the inter-element bonding member 161, as shown in FIG. The electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 may be formed.

ここで、加圧力を0.12kPa以上としたのは、接合時に熱電変換素子100が傾くのを防止することと、熱電変換素子100とサンプル支持用治具20、および熱電変換素子100と上部接合用冶具22の界面から溶融した金属箔15、16を極力排出すること、熱電変換素子100とサンプル支持用治具20、上部接合用治具22の密着性を高めるためである。加圧力の上限は特に限定しないが、素子が破壊しない程度とする必要があるため素子の圧壊強さ未満とする。具体的には1000MPa程度以下であればよいが、本実施例では、特許文献3及び4に記載されているように、接合時に300kg/cm2以上700kg/cm2以下の圧力をかけたり、数十MPa程度の圧力をかけたりすることなくても、数MPa程度の圧力で十分に効果を得ることができる。 Here, the pressure is set to 0.12 kPa or more to prevent the thermoelectric conversion element 100 from being tilted at the time of joining, the thermoelectric conversion element 100 and the sample supporting jig 20, and the thermoelectric conversion element 100 and the upper joining purpose. This is because the molten metal foils 15 and 16 are discharged from the interface of the jig 22 as much as possible, and the adhesion between the thermoelectric conversion element 100, the sample support jig 20, and the upper bonding jig 22 is enhanced. The upper limit of the applied pressure is not particularly limited, but is set to be less than the crushing strength of the element because it is necessary that the element is not destroyed. Specifically, it may be about 1000 MPa or less, but in this embodiment, as described in Patent Documents 3 and 4, a pressure of 300 kg / cm 2 or more and 700 kg / cm 2 or less is applied at the time of joining, Even without applying a pressure of about 10 MPa, a sufficient effect can be obtained with a pressure of about several MPa.

接合雰囲気は、非酸化性雰囲気であればよく、具体的に、真空雰囲気、窒素雰囲気、窒素水素混合雰囲気等を用いることができる。熱電変換素子100がシリコン−ゲルマニウム素子、金属箔15、16がアルミニウムの場合、シリコン−ゲルマニウム素子とアルミニウムの接合界面には、アルミニウムとシリコンとゲルマニウムを含有する層が形成される。この層には、アルミニウム中に熱電変換素子100を構成するシリコン−ゲルマニウムが溶解して形成された、ゲルマニウムを含むシリコンとアルミニウムの層と、10質量%以下のアルミニウムを含むシリコンとゲルマニウムの合金層が形成されてもよい。この場合、熱電変換素子100と溶融した金属箔151および161の界面は、シリコン、ゲルマニウム、アルミニウムを含む合金層と、シリコン、ゲルマニウムを主成分とする合金層とを含む複数の合金層からなる構造となる。   The bonding atmosphere may be a non-oxidizing atmosphere. Specifically, a vacuum atmosphere, a nitrogen atmosphere, a nitrogen-hydrogen mixed atmosphere, or the like can be used. When the thermoelectric conversion element 100 is a silicon-germanium element and the metal foils 15 and 16 are aluminum, a layer containing aluminum, silicon, and germanium is formed at the bonding interface between the silicon-germanium element and aluminum. In this layer, a silicon-aluminum layer containing germanium and a silicon-germanium alloy layer containing aluminum of not more than 10% by mass formed by dissolving silicon-germanium constituting the thermoelectric conversion element 100 in aluminum. May be formed. In this case, the interface between the thermoelectric conversion element 100 and the molten metal foils 151 and 161 is a structure composed of a plurality of alloy layers including an alloy layer containing silicon, germanium, and aluminum and an alloy layer mainly containing silicon and germanium. It becomes.

この合金層は接合強度が高く、かつ、アルミニウムを含有するため耐酸化性に優れており、大気中での高温環境下においても、接合部の劣化が生じ難いものである。また、アルミニウムとシリコンとゲルマニウムを含有する合金は、比較的軟質であるため、接合部に発生する応力を緩和する作用を有する。これらの作用により、アルミニウムとシリコンとゲルマニウムを含有する合金が形成される接合層は、高い接合信頼性を長期に亘り発揮する。この接合層の作用・効果は上記のとおりであり、このように接合部が複層として形成されても、問題なく使用できる。なお、接合温度の上限は熱電変換素子の性能が劣化しない温度であり、具体的には1000℃以下とする。   This alloy layer has high bonding strength and is excellent in oxidation resistance because it contains aluminum, and it is difficult for the bonded portion to deteriorate even in a high temperature environment in the atmosphere. In addition, an alloy containing aluminum, silicon, and germanium is relatively soft, and thus has an action of relieving stress generated at the joint. By these actions, the bonding layer in which an alloy containing aluminum, silicon, and germanium is formed exhibits high bonding reliability over a long period of time. The operation and effect of this bonding layer is as described above, and even if the bonding portion is formed as a multilayer as described above, it can be used without any problem. Note that the upper limit of the bonding temperature is a temperature at which the performance of the thermoelectric conversion element does not deteriorate, specifically, 1000 ° C. or less.

なお、上記の説明では金属箔15,16としてアルミニウム箔を用いたが、アルミニウム箔に替えてアルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金箔を用いてもよい。この場合、アルミニウム中に熱電変換素子の成分が含有されているため、固相拡散を経ずとも共晶液相が発生しやすくなる。また、アルミニウム箔とアルミニウム合金箔を積層して用いてもよい。   In the above description, aluminum foil is used as the metal foils 15 and 16, but an aluminum alloy foil containing silicon, germanium or the like in aluminum may be used instead of the aluminum foil. In this case, since the component of the thermoelectric conversion element is contained in aluminum, a eutectic liquid phase is likely to be generated without solid phase diffusion. Further, an aluminum foil and an aluminum alloy foil may be laminated and used.

さらに、金属箔に替えてアルミニウム粉末やアルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金粉末を用いてもよい。この場合、単一の粉末として用いてもよく、各々の粉末から形成される層を積層してもよく、これらの混合粉末を用いてもよい。このような粉末を用いる場合、粉末のみを圧粉成形した成形体をp型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の接合を行う箇所のみに配置してもよく、あるいは予め熱電変換素子100の接合を行う箇所のみに粉末を塗布しておいてもよく、さらに樹脂等を用いてペースト化した粉末を熱電変換素子の接合を行う部分に塗布することで配置してもよい。予め粉末を塗布しておくことで箔を設置する工程が省略できるため、製造プロセスをより簡易にすることができる。   Furthermore, instead of the metal foil, aluminum powder or aluminum alloy powder containing silicon, germanium or the like in aluminum may be used. In this case, you may use as a single powder, the layer formed from each powder may be laminated | stacked, and these mixed powders may be used. When such a powder is used, a compact formed by compacting only the powder may be disposed only at a location where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined, or the thermoelectric conversion element 100 in advance. The powder may be applied only to the place where the bonding is performed, and the powder paste formed using a resin or the like may be applied to the portion where the thermoelectric conversion element is bonded. Since the step of installing the foil can be omitted by applying the powder in advance, the manufacturing process can be further simplified.

熱電変換素子100として、マグネシウムシリサイド熱電変換素子、マンガンシリサイド熱電変換素子等他の熱電変換素子を使用することもできる。すなわち、これらの熱電変換素子はいずれも成分としてシリコンを含有するものであり、上記のアルミニウムとシリコンによる接合が可能である。   As the thermoelectric conversion element 100, other thermoelectric conversion elements such as a magnesium silicide thermoelectric conversion element and a manganese silicide thermoelectric conversion element can also be used. That is, each of these thermoelectric conversion elements contains silicon as a component, and can be joined by the above aluminum and silicon.

ここで、熱電変換素子100としてマグネシウムシリサイド熱電変換素子を用いた場合には、接合層は、シリコン、マグネシウム、アルミニウムを含む合金層と、シリコン、マグネシウムを主成分とする合金層を含む層構造とすることができる。   Here, when a magnesium silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element 100, the bonding layer includes a layer structure including an alloy layer containing silicon, magnesium, and aluminum and an alloy layer containing silicon and magnesium as main components. can do.

このような接合層を得るため、上記組立方法のアルミニウム箔やアルミニウム粉末に替えて、アルミニウム中にシリコン、マグネシウム等を含有したアルミニウム合金箔やアルミニウム中にシリコン、マグネシウム等を含有したアルミニウム合金粉末を用いてもよい。ただし、熱電変換素子100としてマグネシウムシリサイド熱電変換素子を用いた場合には、アルミニウムとマグネシウムの間では437℃で共晶相が発生することから、接合温度は440℃以上とする。また、マグネシウムは高温で昇華し易いため、マグネシウムの昇華を避けるため接合温度上限を800℃とする。その他の組立条件については、図2記載の場合と同様である。   In order to obtain such a bonding layer, instead of the aluminum foil or aluminum powder of the above assembly method, an aluminum alloy foil containing silicon, magnesium or the like in aluminum or an aluminum alloy powder containing silicon, magnesium or the like in aluminum is used. It may be used. However, when a magnesium silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element 100, a eutectic phase is generated between aluminum and magnesium at 437 ° C., so the junction temperature is set to 440 ° C. or higher. Further, since magnesium is easily sublimated at a high temperature, the upper limit of the joining temperature is set to 800 ° C. in order to avoid sublimation of magnesium. Other assembly conditions are the same as those shown in FIG.

また、熱電変換素子100としてマンガンシリサイド熱電変換素子を用いた場合には、得られる接合層は、シリコン、マンガン、アルミニウムを含む合金層と、シリコン、マンガンを主成分とする合金層を含む層構造とすることができる。このような接合層を得るため、上記製造方法のアルミニウム箔やアルミニウム粉末に替えて、アルミニウム中にシリコン、マンガン等を含有したアルミニウム合金箔やアルミニウム中にシリコン、マンガン等を含有したアルミニウム合金粉末を用いてもよい。熱電変換素子としてマグネシウムシリサイド熱電変換素子を用いた場合の各製造条件は、上記のシリコン−ゲルマニウム熱電変換素子の場合と同様である。   In addition, when a manganese silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element 100, the obtained bonding layer has a layer structure including an alloy layer containing silicon, manganese, and aluminum and an alloy layer mainly containing silicon and manganese. It can be. In order to obtain such a bonding layer, instead of the aluminum foil or aluminum powder of the above production method, an aluminum alloy foil containing silicon, manganese or the like in aluminum or an aluminum alloy powder containing silicon, manganese or the like in aluminum is used. It may be used. Each manufacturing condition when a magnesium silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element is the same as that of the silicon-germanium thermoelectric conversion element.

溶融した金属箔15,16と熱電変換素子100の接合部では、金属箔の体積によっては製造プロセスや実使用環境下で反応が促進することが考えられる。そのため、接合界面となる熱電変換素子100の任意の箇所に予め、拡散防止層(反応抑制層)を形成しておいてもよい。この拡散防止層はタングステン、チタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン等であればよい。この拡散防止層は、めっき法、蒸着法、スパッタ法、溶射、エアロゾルデポジション法等により、形成することができる。   It is conceivable that, at the joint between the molten metal foils 15 and 16 and the thermoelectric conversion element 100, the reaction is promoted under a manufacturing process or an actual use environment depending on the volume of the metal foil. Therefore, you may form the diffusion prevention layer (reaction suppression layer) previously in the arbitrary locations of the thermoelectric conversion element 100 used as a joining interface. This diffusion prevention layer may be tungsten, titanium, nickel, palladium, molybdenum or the like. This diffusion prevention layer can be formed by plating, vapor deposition, sputtering, thermal spraying, aerosol deposition, or the like.

図3は、本発明の第一の実施例における電極レス熱電変換素子組立体1を外周ケースに封止する方法を説明するフロー図と、フロー図の各ステップに対応する熱電変換モジュールの側面図である。1は熱電変換素子組立体、30、32は外周ケース(図1に示した外周ケース14に相当)、31、33は高熱伝導絶縁材(図1に示した高熱伝導絶縁材13に相当)である。外周ケース30,32の材質は、金属、セラミック、カーボンなどを主成分とする熱伝導率の高い材料であることが望ましい。高熱伝導絶縁材31,33は、エポキシやウレタンなどの樹脂材料中に金属やカーボンなどの熱伝導性のある材料を有したものや、熱伝導グリースなど、熱電変換素子100と化学的、金属的に接合しない材料が好ましい。また、高熱伝導絶縁材31,33は、外周ケース30,32と熱電変換素子に垂直な方向に熱伝導率が高く、水平方向に熱伝導率が低い異方性を有した材料や、厚さ方向の強度は高いが水平方向の強度が低く、せん断変形が容易な材料としてもよい。   FIG. 3 is a flowchart illustrating a method for sealing the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 in the first embodiment of the present invention to the outer case, and a side view of the thermoelectric conversion module corresponding to each step of the flowchart. It is. 1 is a thermoelectric conversion element assembly, 30 and 32 are outer peripheral cases (corresponding to the outer peripheral case 14 shown in FIG. 1), and 31 and 33 are high thermal conductive insulating materials (corresponding to the high thermal conductive insulating material 13 shown in FIG. 1). is there. The material of the outer casings 30 and 32 is preferably a material having a high thermal conductivity mainly composed of metal, ceramic, carbon or the like. The high thermal conductive insulating materials 31 and 33 are chemically and metallically similar to the thermoelectric conversion element 100 such as those having a thermal conductive material such as metal or carbon in a resin material such as epoxy or urethane, or thermal conductive grease. A material that does not bond to is preferred. In addition, the high thermal conductive insulating materials 31 and 33 are made of an anisotropic material having a high thermal conductivity in the direction perpendicular to the outer casings 30 and 32 and the thermoelectric conversion element and a low thermal conductivity in the horizontal direction. A material that has high strength in the direction but low strength in the horizontal direction and is easy to shear can be used.

外周ケース30,32と高熱伝導絶縁材31,33の接続は、外周ケース上に高熱伝導絶縁材料をモールディング、鋳造などで任意の形状に形成した一体型としてもよいし、グリースなどを用いた加圧による接触接続、もしくは何も介在しない加圧による接触接続、形状を真空封止パッケージとした内外圧差を用いた接触接続などでもよい。図3では、外周ケース上に予め高熱伝導絶縁材を形成した状態で説明する。鋳造などで予め外周ケースに高熱伝導材が形成できると、ケースと高熱伝導絶縁材間の接触熱抵抗を抑制することができるため、外周ケース外の外気温を温度ロスを少なく熱電変換素子へ伝えることができる。   The connection between the outer casings 30 and 32 and the high thermal conductive insulating materials 31 and 33 may be an integrated type in which a high thermal conductive insulating material is formed on the outer casing by molding, casting or the like. Contact connection using pressure, contact connection using pressure without any intervention, contact connection using an internal / external pressure difference in a vacuum sealed package shape, or the like may be used. In FIG. 3, a description will be given in a state in which a high thermal conductive insulating material is formed on the outer case in advance. If a high thermal conductivity material can be formed in advance on the outer case by casting or the like, the contact thermal resistance between the case and the high thermal conductivity insulating material can be suppressed, so that the outside air temperature outside the outer case is transmitted to the thermoelectric conversion element with less temperature loss. be able to.

図3の(a)に示すように、電極レス熱電変換素子組立体1を、高熱伝導絶縁材31、33を形成した外周ケース30、32の間に配置する(S301)。この際、高熱伝導絶縁材31、33の面積は、高熱伝導絶縁材31,33と接触する電極レス熱電変換素子組立体1の水平方向断面積よりも大きくすることにより、細かな位置あわせを行うことなく設置することができる。   As shown in FIG. 3A, the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 is disposed between the outer peripheral cases 30 and 32 on which the high thermal conductive insulating materials 31 and 33 are formed (S301). At this time, fine alignment is performed by making the areas of the high thermal conductive insulating materials 31 and 33 larger than the horizontal sectional area of the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 in contact with the high thermal conductive insulating materials 31 and 33. It can be installed without

そののち、図3の(b)に示すように、高熱伝導絶縁材31、33で電極レス熱電変換素子組立体1を挟みこんで接触させ、固定する(S302)ことにより、図1に示す本実施例による熱電変換モジュール500が完成する。図3では、電極レス熱電変換モジュール1を挟みこんだ状態で下面の側の外周ケース30と上面の側の外周ケース32とを固定するための接続方式を図示していないが、本実施例の電極レス熱電変換素子組立体1では、外周ケースと熱電変換素子が接触する形態であれば適用製品によってどのような外周ケースとしてもよい。   After that, as shown in FIG. 3 (b), the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 is sandwiched between the high heat conductive insulating materials 31 and 33, and is fixed in contact (S302). The thermoelectric conversion module 500 according to the embodiment is completed. FIG. 3 does not show a connection method for fixing the outer peripheral case 30 on the lower surface side and the outer peripheral case 32 on the upper surface side with the electrodeless thermoelectric conversion module 1 sandwiched therebetween. In the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1, any outer peripheral case may be used depending on the application product as long as the outer peripheral case and the thermoelectric conversion element are in contact with each other.

本実施例では、上面の側の外周ケース32と下面の側の外周ケース30を一括して製造するプロセスを示したが、個別に接触させてもよい。   In the present embodiment, the process of manufacturing the outer peripheral case 32 on the upper surface side and the outer peripheral case 30 on the lower surface side together is shown, but they may be brought into contact with each other.

本実施例1に示すような、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12とを直接接合することで電極をなくした構造とすることにより、高温環境下や温度変動環境下で熱電素子と電極間に発生する熱応力を抑制し、実使用環境下でも高い信頼性を確保できることが可能となる。また、電極レス熱電変換素子組立体1と外周ケース30及び32を接触接続させることで、電極レス熱電変換素子組立体1と外周ケース30及び32の線膨張係数差による応力の発生を抑制することもでき、さらに、外周ケース32の熱を電極レス熱電変換素子組立体1へ電極を介さずに伝えることができるため、熱電変換効率の向上が可能となる。また、熱電変換素子の実装密度も向上できることで、同一性能でより小型な製品を提供することができる。   As shown in the first embodiment, the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are directly joined to form a structure in which the electrode is eliminated, so that the thermoelectric element can be used in a high temperature environment or a temperature fluctuation environment. The thermal stress generated between the electrodes can be suppressed, and high reliability can be secured even in an actual use environment. In addition, the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the outer casings 30 and 32 are connected to each other, thereby suppressing the generation of stress due to the difference in linear expansion coefficient between the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the outer casings 30 and 32. Furthermore, since the heat of the outer peripheral case 32 can be transferred to the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 without passing through an electrode, the thermoelectric conversion efficiency can be improved. Moreover, since the mounting density of the thermoelectric conversion elements can be improved, a smaller product with the same performance can be provided.

図4は、第一の実施形態に係る電極レス熱電変換素子組立体1を組み込んだ熱電変換モジュール500の上部ケース32を取外した状態の斜視図である。11はp型熱電変換素子、12はn型熱電変換素子、31は高熱伝導絶縁材(図1の高熱伝導絶縁材13に相当)、30は外周ケース(図1の外周ケース14に相当)、151と161とは素子間接続部材 (図1に示した接合材10に相当)である。図1乃至図3で説明した第一の実施例における熱電変換モジュール500の斜視図を示しており、電極レス熱電変換素子組立体1として、64個の熱電変換素子100を格子状に整列したものである。図4に示すように、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12とは、素子間接続部材151又は161で交互に接続されて、電気的に直列に接続されている。直列接続の両端から引き出し配線(図示せず)を形成し、外部へ起電力を取り出す構造とする。   FIG. 4 is a perspective view of the thermoelectric conversion module 500 incorporating the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 according to the first embodiment with the upper case 32 removed. 11 is a p-type thermoelectric conversion element, 12 is an n-type thermoelectric conversion element, 31 is a high heat conductive insulating material (corresponding to the high heat conductive insulating material 13 in FIG. 1), 30 is an outer case (corresponding to the outer case 14 in FIG. 1), Reference numerals 151 and 161 denote inter-element connection members (corresponding to the bonding material 10 shown in FIG. 1). FIG. 4 is a perspective view of the thermoelectric conversion module 500 in the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 3 and shows an electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 in which 64 thermoelectric conversion elements 100 are arranged in a grid pattern. It is. As shown in FIG. 4, the p-type thermoelectric conversion elements 11 and the n-type thermoelectric conversion elements 12 are alternately connected by inter-element connection members 151 or 161 and are electrically connected in series. A lead-out wiring (not shown) is formed from both ends of the series connection, and an electromotive force is taken out to the outside.

図4において、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12との熱電変換素子100を四角柱として表したが、熱電変換素子100の形状は四角柱、三角柱、多角柱、円柱、楕円柱など柱状であればよい。また、熱電変換素子100と高熱伝導絶縁材31又は33が接触する面積は必ずしも同じでなくてもよく、一方の接触面積と、他方の接触面積に差があってもよい。   In FIG. 4, the thermoelectric conversion element 100 of the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 is represented as a quadrangular prism, but the shape of the thermoelectric conversion element 100 is a quadrangular prism, a triangular prism, a polygonal cylinder, a cylinder, an elliptical cylinder. Or any other columnar shape. Moreover, the area where the thermoelectric conversion element 100 and the high thermal conductive insulating material 31 or 33 are in contact with each other is not necessarily the same, and there may be a difference between one contact area and the other contact area.

又、図4に示した構成において、全体を電気的に直列に接続した構成として説明したが、これを複数のブロックに分離して、各ブロック内では電気的に直列に接続し、各ブロックを並列に接続するように構成してもよい。このように複数のブロックを並列に接続した構成とすることにより、複数のブロックのうちの一つのブロック内で断線が発生したとしても、他のブロックが正常であれば電極レス熱電変換素子組立体1からの出力がゼロになることはなく、電極レス熱電変換素子組立体1からの出力が途絶してしまう危険性を、十分に低減することができる。   In the configuration shown in FIG. 4, the entire configuration is described as being electrically connected in series. However, this is divided into a plurality of blocks and electrically connected in series in each block. You may comprise so that it may connect in parallel. By configuring the plurality of blocks in parallel as described above, even if a disconnection occurs in one of the plurality of blocks, the electrodeless thermoelectric conversion element assembly can be used if the other blocks are normal. The output from 1 does not become zero, and the risk of the output from the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 being interrupted can be sufficiently reduced.

図5は、本発明の第一の実施形態に係る熱電変換モジュール500の上部ケース32を取付けた状態の斜視図であり、図4の斜視図に高熱伝導絶縁材33と上部ケース32をかぶせたものである。151は接合材、11はp型熱電変換素子、12はn型熱電変換素子、31は高熱伝導絶縁材、30は下面の側の外周ケースである。多数の熱電変換素子100は、夫々高熱伝導絶縁材31を介して下面の側の外周ケース30の内壁面に密着し、高熱伝導絶縁材33を介して上面の側の外周ケース32の内壁面に密着している。上面の側の外周ケース32は図示していない発熱体に接触し、下面の側の外周ケース30は図示していない冷却手段により冷却されている。直列に接続された熱電変換素子100の両端から引き出し配線(図示せず)を形成し、その配線を用いて電極レス熱電変換素子組立体1で発生させた電力を外部に出力する。   FIG. 5 is a perspective view showing a state where the upper case 32 of the thermoelectric conversion module 500 according to the first embodiment of the present invention is attached. The high heat conductive insulating material 33 and the upper case 32 are covered with the perspective view of FIG. Is. Reference numeral 151 denotes a bonding material, 11 denotes a p-type thermoelectric conversion element, 12 denotes an n-type thermoelectric conversion element, 31 denotes a high thermal conductive insulating material, and 30 denotes an outer peripheral case on the lower surface side. Many thermoelectric conversion elements 100 are in close contact with the inner wall surface of the outer peripheral case 30 on the lower surface side via the high thermal conductive insulating material 31, and are attached to the inner wall surface of the outer peripheral case 32 on the upper surface side via the high thermal conductive insulating material 33. It is in close contact. The outer peripheral case 32 on the upper surface side contacts a heating element (not shown), and the outer peripheral case 30 on the lower surface side is cooled by a cooling means (not shown). Lead wires (not shown) are formed from both ends of the thermoelectric conversion elements 100 connected in series, and the electric power generated in the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 is output to the outside using the wirings.

図5では、上面の側の外周ケース32と下面の側の外周ケース30とをそれぞれ平板で示しており、上下の外周ケース30と32との接続方式を図示していないが、本実施例の熱電変換モジュール500では、上面の側の外周ケース32と下面の側の外周ケース30とがそれぞれ電極レス熱電変換素子組立体1と高熱伝導絶縁材31または33を介して接触する形態であれば適用製品によってどのような外周ケース形状としてもよい。また、熱電変換モジュール500は外周を封止したパッケージ構造としてもよく、封止した内部は真空、窒素充填、大気、アルゴンなど、使用環境により選択することが可能である。   In FIG. 5, the outer peripheral case 32 on the upper surface side and the outer peripheral case 30 on the lower surface side are respectively shown by flat plates, and the connection method between the upper and lower outer peripheral cases 30 and 32 is not shown, but in this embodiment The thermoelectric conversion module 500 can be applied as long as the outer peripheral case 32 on the upper surface side and the outer peripheral case 30 on the lower surface side are in contact with each other via the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the high thermal conductive insulating material 31 or 33, respectively. Any outer case shape may be used depending on the product. Further, the thermoelectric conversion module 500 may have a package structure in which the outer periphery is sealed, and the sealed interior can be selected according to the usage environment such as vacuum, nitrogen filling, air, and argon.

このように、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12とを電極を介さずに直接接合することで、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12とを接続する電極をなくした構造とすることにより、高温環境下や温度変動環境下で熱電変換素子と電極間に発生する熱応力を抑制し、実使用環境下でも高い信頼性を確保することが可能となる。すなわち、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12とはほぼ類似した材質であるために熱膨張係数がほとんど同じであり、高温環境化や温度変動環境下で両熱電変換素子を接続する素子間接続部材151又は161に発生する熱応力は十分に小さく、接続の高い信頼性を確保することができる。   In this way, by directly joining the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 without using an electrode, there is no electrode for connecting the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12. By adopting such a structure, it is possible to suppress thermal stress generated between the thermoelectric conversion element and the electrode under a high temperature environment or a temperature fluctuation environment, and to ensure high reliability even under an actual use environment. That is, since the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are substantially similar materials, their thermal expansion coefficients are almost the same, and both thermoelectric conversion elements are connected under a high temperature environment or a temperature fluctuation environment. The thermal stress generated in the inter-element connection member 151 or 161 is sufficiently small, and high connection reliability can be ensured.

また、電極レス熱電変換素子組立体1と外周ケース30及び32を接触接続させることで、電極レス熱電変換素子組立体1と外周ケース30及び32の線膨張係数差による応力の発生を抑制することもでき、さらに、ケースの熱を熱電変換素子へ電極を介さずに伝えることができるため、熱電変換効率の向上が可能となる。   In addition, the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the outer casings 30 and 32 are connected to each other, thereby suppressing the generation of stress due to the difference in linear expansion coefficient between the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the outer casings 30 and 32. In addition, since the heat of the case can be transferred to the thermoelectric conversion element without using an electrode, the thermoelectric conversion efficiency can be improved.

また、熱電変換素子の実装密度も向上できることで、同一性能でより小型な製品を提供することができる。なお、熱電変換モジュールとして外周ケース14に収容しない形態のものも存在するため、そのような形態の熱電変換モジュールに適用する場合には、筐体に収容せずに使用してもよい。   Moreover, since the mounting density of the thermoelectric conversion elements can be improved, a smaller product with the same performance can be provided. Note that some thermoelectric conversion modules are not accommodated in the outer case 14, and therefore, when applied to such a thermoelectric conversion module, they may be used without being accommodated in the housing.

以上のように本実施例によれば、様々な効果があり、接合信頼性の高い接合構造を有する熱電変換モジュール500を実現できる。   As described above, according to the present embodiment, the thermoelectric conversion module 500 having various effects and having a joint structure with high joint reliability can be realized.

本発明の第2の実施例を、図6及び図7を用いて説明する。
第2の実施例においては、図6に示すように、サンプル支持具201の形状が、第1の実施例において図2で説明したサンプル支持用治具20と異なっている。
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
In the second embodiment, as shown in FIG. 6, the shape of the sample support 201 is different from the sample support jig 20 described in FIG. 2 in the first embodiment.

図6は、本発明の第二の実施例における電極レス熱電変換素子組立体1の組立プロセス例について素子近傍を抜粋した側面図である。実施例1と同じ構成部品については、実施例1と同じ番号を付した。1は電極レス熱電変換素子組立体、11はp型熱電変換素子、12はn型熱電変換素子(以下、p型熱電変換素子とn型熱電変換素子を総称する場合、熱電変換素子100と記す)、15、16は金属箔、201はサンプル支持用治具、22は上部接合用治具、23は突起、24は溝である。金属箔15、16は、アルミニウムまたは、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金箔、または、アルミニウム、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有した粉末からなる箔として説明する。   FIG. 6 is a side view of the vicinity of an element extracted from an assembly process example of the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 according to the second embodiment of the present invention. The same components as in Example 1 are assigned the same numbers as in Example 1. 1 is an electrodeless thermoelectric conversion element assembly, 11 is a p-type thermoelectric conversion element, 12 is an n-type thermoelectric conversion element (hereinafter, the p-type thermoelectric conversion element and the n-type thermoelectric conversion element are collectively referred to as a thermoelectric conversion element 100). , 15 and 16 are metal foils, 201 is a sample support jig, 22 is an upper bonding jig, 23 is a protrusion, and 24 is a groove. The metal foils 15 and 16 will be described as aluminum or an aluminum alloy foil containing silicon, germanium or the like in aluminum, or as a foil made of powder containing silicon, germanium or the like in aluminum or aluminum.

サンプル支持用治具201は、セラミックや金属など、接合プロセスで溶融しない材料であればよいが、金属箔15、16と反応する材料の場合は、サンプル支持用治具201の表面に反応を抑制する、もしくは反応しない層を形成するか、サンプル支持用治具201と金属箔15、16の間に反応を抑制する、もしくは反応しない材料(セラミックなど)を介在させる。以下、図6の電極レス熱電変換モジュール1の組み立て方法のフロー図を(a)乃至(d)を参照しながら説明する。   The sample support jig 201 may be any material that does not melt in the joining process, such as ceramic or metal, but in the case of a material that reacts with the metal foils 15 and 16, the reaction is suppressed on the surface of the sample support jig 201. Or a layer that does not react, or a material (such as ceramic) that suppresses or does not react is interposed between the sample supporting jig 201 and the metal foils 15 and 16. Hereinafter, a flow chart of an assembling method of the electrodeless thermoelectric conversion module 1 of FIG. 6 will be described with reference to (a) to (d).

先ず、図6の(a)に示すように、溝24を有するサンプル支持用治具201上に金属箔15を設置する(S601)。溝24は、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の接合させる境界を除いた任意の境界下には少なくとも形成する。金属箔15の厚さは、1〜500μmが望ましい。金属箔15を設置後、サンプル支持用治具20の溝24が少なくとも接合させないp型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の間に位置するように、熱電変換素子100の位置あわせを行い(S602)、金属箔15を挟むようにして熱電変換素子100をサンプル支持用治具201上に設置する(S603)。熱電変換素子100の設置は、治具(図示せず)を用いて一括で設置してもよいし、個別に設置してもよく、方法は問わない。   First, as shown in FIG. 6A, the metal foil 15 is placed on the sample supporting jig 201 having the groove 24 (S601). The groove 24 is formed at least under any boundary except the boundary where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined. The thickness of the metal foil 15 is preferably 1 to 500 μm. After the metal foil 15 is installed, the thermoelectric conversion element 100 is aligned so that the groove 24 of the sample supporting jig 20 is positioned at least between the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 that are not joined. (S602) The thermoelectric conversion element 100 is placed on the sample support jig 201 so as to sandwich the metal foil 15 (S603). The thermoelectric conversion element 100 may be installed in a lump using a jig (not shown) or may be individually installed, and the method is not limited.

次に、図6の(b)に示すように設置した熱電変換素子100上に金属箔16を置き(S604)、突起23を有する上部接合用治具22の位置あわせを行う(S605)。上部接合用治具22の突起23は、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の接合させる境界を除いた任意の境界下には少なくとも形成する。突起21の高さは、金属箔16の厚さの1/2以上であることが望ましい。金属箔16の厚さは、1〜500μmが望ましい。位置あわせ後、金属薄膜16を挟んで熱電変換素子100にかかる荷重を0.12kPa以上として上部接合用冶具22を加圧する(S606)。   Next, the metal foil 16 is placed on the thermoelectric conversion element 100 installed as shown in FIG. 6B (S604), and the upper joining jig 22 having the protrusions 23 is aligned (S605). The protrusion 23 of the upper joining jig 22 is formed at least under any boundary except the boundary where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined. It is desirable that the height of the protrusions 21 is at least half of the thickness of the metal foil 16. The thickness of the metal foil 16 is preferably 1 to 500 μm. After the alignment, the upper joining jig 22 is pressurized by setting the load applied to the thermoelectric conversion element 100 to 0.12 kPa or more across the metal thin film 16 (S606).

次に、図6の(c)に示すように、加圧した状態で図示していない加熱手段によりサンプル支持用治具201と上部接合用治具22とを加熱し(S607)、金属箔15,16を溶融温度(アルミニウムの場合、660℃)以上まで昇温させて溶融温度を超えた金属箔15,16を溶融させる(S608)。このとき、サンプル支持用治具201の側では溶融した金属箔15が溝24に流れ込むため、溝で対峙しているp型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12との間の界面212は接合されず、溝24のない箇所のp型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12との間の界面212に金属箔15が溶融した材料が流れ込んでp型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12が接合される。   Next, as shown in FIG. 6C, the sample supporting jig 201 and the upper joining jig 22 are heated by heating means (not shown) in a pressurized state (S607), and the metal foil 15 , 16 is raised to a melting temperature (660 ° C. in the case of aluminum) or higher to melt the metal foils 15, 16 exceeding the melting temperature (S608). At this time, since the molten metal foil 15 flows into the groove 24 on the sample supporting jig 201 side, the interface 212 between the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 facing each other in the groove is A material in which the metal foil 15 is melted flows into the interface 212 between the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric element 12 are not joined. The conversion element 12 is joined.

一方、溶融した金属箔16に対して突起23が堤防の役割を果たし、突起23が存在しないp型熱電変換素子11と、n型熱電変換素子12の界面232に溶融した金属箔16が流れ込み、素子間接続部材152および162が形成されて、双方の熱電変換素子の接合を実現する。加熱を開始して一定の時間が経過後に、サンプル支持用治具201と上部接合用治具22との加熱を停止する(S609)。   On the other hand, the protrusion 23 serves as a dike with respect to the molten metal foil 16, and the molten metal foil 16 flows into the interface 232 between the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 without the protrusion 23, Inter-element connection members 152 and 162 are formed to realize joining of both thermoelectric conversion elements. After a certain period of time has elapsed since the start of heating, heating of the sample support jig 201 and the upper bonding jig 22 is stopped (S609).

そののち、図6の(d)に示すように、上部接合用治具22による熱電変換素子100への加圧を停止して上部接合用治具22を上昇させ(S610)、熱電変換素子100をサンプル支持用治具201から取り外すことにより、電極レス熱電変換素子組立体1が形成できる(S611)。図6を用いて説明したフローでは、上下面の金属箔15、16を一括して接合するプロセスを示したが、いずれか一方を予め接合したのち、他方を接合してもよい。   After that, as shown in FIG. 6D, pressurization to the thermoelectric conversion element 100 by the upper bonding jig 22 is stopped and the upper bonding jig 22 is raised (S610). Is removed from the sample support jig 201 to form the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 (S611). In the flow described with reference to FIG. 6, the process of joining the upper and lower metal foils 15 and 16 together is shown. However, after joining one of them in advance, the other may be joined.

ここで、加圧力を0.12kPa以上としたのは、接合時に熱電変換素子100が傾くのを防止することと、熱電変換素子100とサンプル支持用治具20、および熱電変換素子100と上部接合用冶具22の界面から溶融した金属箔15、16を極力排出すること、熱電変換素子100とサンプル支持用治具20、上部接合用治具22の密着性を高めるためである。加圧力の上限は特に限定しないが、素子が破壊しない程度とする必要があるため素子の圧壊強さ未満とする。具体的には1000MPa程度以下であればよいが、本発明実施例では、特許文献3及び4に記載されているように、接合時に300kg/cm2以上700kg/cm2以下の圧力をかけたり、数十MPa程度の圧力をかけたりすることなくても、数MPa程度の圧力で十分に効果を得ることができる。 Here, the pressure is set to 0.12 kPa or more to prevent the thermoelectric conversion element 100 from being tilted at the time of joining, the thermoelectric conversion element 100 and the sample supporting jig 20, and the thermoelectric conversion element 100 and the upper joining purpose. This is because the molten metal foils 15 and 16 are discharged from the interface of the jig 22 as much as possible, and the adhesion between the thermoelectric conversion element 100, the sample support jig 20, and the upper bonding jig 22 is enhanced. The upper limit of the applied pressure is not particularly limited, but is set to be less than the crushing strength of the element because it is necessary that the element is not destroyed. Specifically, it may be about 1000 MPa or less, but in the embodiment of the present invention, as described in Patent Documents 3 and 4, a pressure of 300 kg / cm 2 or more and 700 kg / cm 2 or less is applied at the time of joining, Even without applying a pressure of about several tens of MPa, a sufficient effect can be obtained with a pressure of about several MPa.

接合雰囲気は、非酸化性雰囲気であればよく、具体的に、真空雰囲気、窒素雰囲気、窒素水素混合雰囲気等を用いることができる。熱電変換素子100がシリコン−ゲルマニウム素子、金属箔15、16がアルミニウムの場合、シリコン−ゲルマニウム素子とアルミニウムの接合界面には、アルミニウムとシリコンとゲルマニウムを含有する層が形成される。この層には、アルミニウム中に熱電変換素子100を構成するシリコン−ゲルマニウムが溶解して形成された、ゲルマニウムを含むシリコンとアルミニウムの層と、10質量%以下のアルミニウムを含むシリコンとゲルマニウムの合金層が形成されてもよい。この場合、熱電変換素子100と溶融した金属箔の界面は、シリコン、ゲルマニウム、アルミニウムを含む合金層と、シリコン、ゲルマニウムを主成分とする合金層とを含む複数の合金層からなる構造となる。   The bonding atmosphere may be a non-oxidizing atmosphere. Specifically, a vacuum atmosphere, a nitrogen atmosphere, a nitrogen-hydrogen mixed atmosphere, or the like can be used. When the thermoelectric conversion element 100 is a silicon-germanium element and the metal foils 15 and 16 are aluminum, a layer containing aluminum, silicon, and germanium is formed at the bonding interface between the silicon-germanium element and aluminum. In this layer, a silicon-aluminum layer containing germanium and a silicon-germanium alloy layer containing aluminum of not more than 10% by mass formed by dissolving silicon-germanium constituting the thermoelectric conversion element 100 in aluminum. May be formed. In this case, the interface between the thermoelectric conversion element 100 and the molten metal foil has a structure composed of a plurality of alloy layers including an alloy layer containing silicon, germanium, and aluminum and an alloy layer mainly containing silicon and germanium.

この合金層は接合強度が高く、かつ、アルミニウムを含有するため耐酸化性に優れており、大気中での高温環境下においても、接合部の劣化が生じ難いものである。また、アルミニウムとシリコンとゲルマニウムを含有する合金は、比較的軟質であるため、接合部に発生する応力を緩和する作用を有する。これらの作用により、アルミニウムとシリコンとゲルマニウムを含有する合金が形成される接合層は、高い接合信頼性を長期に亘り発揮する。この接合層の作用・効果は上記のとおりであり、このように接合部が複層として形成されても、問題なく使用できる。なお、接合温度の上限は熱電変換素子の性能が劣化しない温度であり、具体的には1000℃以下とする。   This alloy layer has high bonding strength and is excellent in oxidation resistance because it contains aluminum, and it is difficult for the bonded portion to deteriorate even in a high temperature environment in the atmosphere. In addition, an alloy containing aluminum, silicon, and germanium is relatively soft, and thus has an action of relieving stress generated at the joint. By these actions, the bonding layer in which an alloy containing aluminum, silicon, and germanium is formed exhibits high bonding reliability over a long period of time. The operation and effect of this bonding layer is as described above, and even if the bonding portion is formed as a multilayer as described above, it can be used without any problem. Note that the upper limit of the bonding temperature is a temperature at which the performance of the thermoelectric conversion element does not deteriorate, specifically, 1000 ° C. or less.

なお、上記の説明では金属箔15,16としてアルミニウム箔を用いたが、アルミニウム箔に替えてアルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金箔を用いてもよい。この場合、アルミニウム中に熱電変換素子の成分が含有されているため、固相拡散を経ずとも共晶液相が発生しやすくなる。また、アルミニウム箔とアルミニウム合金箔を積層して用いてもよい。   In the above description, aluminum foil is used as the metal foils 15 and 16, but an aluminum alloy foil containing silicon, germanium or the like in aluminum may be used instead of the aluminum foil. In this case, since the component of the thermoelectric conversion element is contained in aluminum, a eutectic liquid phase is likely to be generated without solid phase diffusion. Further, an aluminum foil and an aluminum alloy foil may be laminated and used.

さらに、金属箔に替えてアルミニウム粉末やアルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金粉末を用いてもよい。この場合、単一の粉末として用いてもよく、各々の粉末から形成される層を積層してもよく、これらの混合粉末を用いてもよい。このような粉末を用いる場合、粉末のみを圧粉成形した成形体をp型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12の接合を行う箇所のみに配置してもよく、あるいは予め熱電変換素子100の接合を行う箇所のみに粉末を塗布しておいてもよく、さらに樹脂等を用いてペースト化した粉末を熱電変換素子の接合を行う部分に塗布することで配置してもよい。予め粉末を塗布しておくことで箔を設置する工程が省略できるため、製造プロセスをより簡易にすることができる。   Furthermore, instead of the metal foil, aluminum powder or aluminum alloy powder containing silicon, germanium or the like in aluminum may be used. In this case, you may use as a single powder, the layer formed from each powder may be laminated | stacked, and these mixed powders may be used. When such a powder is used, a compact formed by compacting only the powder may be disposed only at a location where the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined, or the thermoelectric conversion element 100 in advance. The powder may be applied only to the place where the bonding is performed, and the powder paste formed using a resin or the like may be applied to the portion where the thermoelectric conversion element is bonded. Since the step of installing the foil can be omitted by applying the powder in advance, the manufacturing process can be further simplified.

熱電変換素子100として、マグネシウムシリサイド熱電変換素子、マンガンシリサイド熱電変換素子等他の熱電変換素子を使用することもできる。すなわち、これらの熱電変換素子はいずれも成分としてシリコンを含有するものであり、上記のアルミニウムとシリコンによる接合が可能である。   As the thermoelectric conversion element 100, other thermoelectric conversion elements such as a magnesium silicide thermoelectric conversion element and a manganese silicide thermoelectric conversion element can also be used. That is, each of these thermoelectric conversion elements contains silicon as a component, and can be joined by the above aluminum and silicon.

ここで、熱電変換素子100としてマグネシウムシリサイド熱電変換素子を用いた場合には、接合層は、シリコン、マグネシウム、アルミニウムを含む合金層と、シリコン、マグネシウムを主成分とする合金層を含む層構造とすることができる。   Here, when a magnesium silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element 100, the bonding layer includes a layer structure including an alloy layer containing silicon, magnesium, and aluminum and an alloy layer containing silicon and magnesium as main components. can do.

このような接合層を得るため、上記組立方法のアルミニウム箔やアルミニウム粉末に替えて、アルミニウム中にシリコン、マグネシウム等を含有したアルミニウム合金箔やアルミニウム中にシリコン、マグネシウム等を含有したアルミニウム合金粉末を用いてもよい。ただし、熱電変換素子100としてマグネシウムシリサイド熱電変換素子を用いた場合には、アルミニウムとマグネシウムの間では437℃で共晶相が発生することから、接合温度は440℃以上とする。また、マグネシウムは高温で昇華し易いため、マグネシウムの昇華を避けるため接合温度上限を800℃とする。その他の組立条件については、図2記載の場合と同様である。   In order to obtain such a bonding layer, instead of the aluminum foil or aluminum powder of the above assembly method, an aluminum alloy foil containing silicon, magnesium or the like in aluminum or an aluminum alloy powder containing silicon, magnesium or the like in aluminum is used. It may be used. However, when a magnesium silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element 100, a eutectic phase is generated between aluminum and magnesium at 437 ° C., so the junction temperature is set to 440 ° C. or higher. Further, since magnesium is easily sublimated at a high temperature, the upper limit of the joining temperature is set to 800 ° C. in order to avoid sublimation of magnesium. Other assembly conditions are the same as those shown in FIG.

また、熱電変換素子100としてマンガンシリサイド熱電変換素子を用いた場合には、得られる接合層は、シリコン、マンガン、アルミニウムを含む合金層と、シリコン、マンガンを主成分とする合金層を含む層構造とすることができる。このような接合層を得るため、上記製造方法のアルミニウム箔やアルミニウム粉末に替えて、アルミニウム中にシリコン、マンガン等を含有したアルミニウム合金箔やアルミニウム中にシリコン、マンガン等を含有したアルミニウム合金粉末を用いてもよい。熱電変換素子としてマグネシウムシリサイド熱電変換素子を用いた場合の各製造条件は、上記のシリコン−ゲルマニウム熱電変換素子の場合と同様である。   In addition, when a manganese silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element 100, the obtained bonding layer has a layer structure including an alloy layer containing silicon, manganese, and aluminum and an alloy layer mainly containing silicon and manganese. It can be. In order to obtain such a bonding layer, instead of the aluminum foil or aluminum powder of the above production method, an aluminum alloy foil containing silicon, manganese or the like in aluminum or an aluminum alloy powder containing silicon, manganese or the like in aluminum is used. It may be used. Each manufacturing condition when a magnesium silicide thermoelectric conversion element is used as the thermoelectric conversion element is the same as that of the silicon-germanium thermoelectric conversion element.

溶融した金属箔15,16と熱電変換素子100の接合部では、金属箔の体積によっては製造プロセスや実使用環境下で反応が促進することが考えられる。そのため、接合界面となる熱電変換素子100の任意の箇所に予め、拡散防止層(反応抑制層)を形成しておいてもよい。この拡散防止層はタングステン、チタン、ニッケル、パラジウム、モリブデン等であればよい。この拡散防止層は、めっき法、蒸着法、スパッタ法、溶射、エアロゾルデポジション法等により、形成することができる。   It is conceivable that, at the joint between the molten metal foils 15 and 16 and the thermoelectric conversion element 100, the reaction is promoted under a manufacturing process or an actual use environment depending on the volume of the metal foil. Therefore, you may form the diffusion prevention layer (reaction suppression layer) previously in the arbitrary locations of the thermoelectric conversion element 100 used as a joining interface. This diffusion prevention layer may be tungsten, titanium, nickel, palladium, molybdenum or the like. This diffusion prevention layer can be formed by plating, vapor deposition, sputtering, thermal spraying, aerosol deposition, or the like.

本実施例による組立プロセスを用いると、第一の実施例における組立プロセスの利点に加え、本実施例におけるサンプル支持用治具201には、第一の実施例において図2に示したサンプル支持用治具20に形成されたような突起21がないため、位置あわせ時に誤って熱電変換素子100を突起上に配置して破損する危険を回避することができる。図6のプロセスで形成した電極レス熱電変換素子組立体1は、図2のプロセスで形成した電極レス熱電変換素子組立体1と同様な形態であるので、図3乃至図5と同様なプロセスで熱電変換モジュール500を形成することができる。   When the assembly process according to this embodiment is used, in addition to the advantages of the assembly process according to the first embodiment, the sample support jig 201 according to this embodiment includes the sample support jig shown in FIG. 2 in the first embodiment. Since there is no projection 21 as formed on the jig 20, it is possible to avoid the risk of accidentally placing the thermoelectric conversion element 100 on the projection and damaging it during alignment. Since the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 formed by the process of FIG. 6 has the same form as the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 formed by the process of FIG. 2, the process is similar to that of FIGS. The thermoelectric conversion module 500 can be formed.

図7に、本発明の第三の実施例における熱電変換モジュール700の素子近傍を抜粋した側面図である。10は接合材、11はp型熱電変換素子、12はn型熱電変換素子、14は外周ケースである。第三の実施例は、図3の(b)に示した第一の実施例の熱電変換モジュール500から高熱伝導絶縁材13をなくした構造であり、接合材10は実施例1及び2で説明したものと同じである。   FIG. 7 is a side view of the element vicinity of the thermoelectric conversion module 700 in the third embodiment of the present invention. Reference numeral 10 denotes a bonding material, 11 denotes a p-type thermoelectric conversion element, 12 denotes an n-type thermoelectric conversion element, and 14 denotes an outer case. The third embodiment has a structure in which the high thermal conductive insulating material 13 is eliminated from the thermoelectric conversion module 500 of the first embodiment shown in FIG. 3B, and the bonding material 10 is described in the first and second embodiments. Is the same as

上面側の接合材10(161)と、下面側の接合材10(151)は同一の材料でもよいし、異なる材料ででもかまわない。p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12(以下、これらを総称する場合は熱電変換素子100と記す)については、実施例1及び2で説明したものと同じ材料の中から選ぶことができる。   The bonding material 10 (161) on the upper surface side and the bonding material 10 (151) on the lower surface side may be the same material or different materials. The p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 (hereinafter collectively referred to as the thermoelectric conversion element 100) can be selected from the same materials as those described in the first and second embodiments. it can.

以降の実施例では、p型熱電変換素子11は、p型半導体の特性を付与する1%以下のボロン、アルミニウム、ガリウム等の不純物を含有したシリコンとゲルマニウム粉末を、n型熱電変換素子12は、n型半導体の特性を付与する1%以下のリン、アンチモン等の不純物を含有したシリコン−ゲルマニウム粉末をそれぞれパルス放電法やホットプレス法等により焼結したシリコン−ゲルマニウム熱電変換素子として説明する。   In the following examples, the p-type thermoelectric conversion element 11 is composed of silicon and germanium powder containing impurities such as boron, aluminum, gallium and the like that give the characteristics of a p-type semiconductor, and the n-type thermoelectric conversion element 12 is A silicon-germanium thermoelectric conversion element obtained by sintering silicon-germanium powder containing impurities of 1% or less, such as phosphorus and antimony, imparting the characteristics of an n-type semiconductor, respectively, by a pulse discharge method or a hot press method will be described.

本実施例においては、外周ケース14の材質は、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12と直接接触するために絶縁性の材料であることが必要であり、セラミック、カーボンなどを主成分とする熱伝導率の高い材料であることが望ましい。   In the present embodiment, the material of the outer case 14 needs to be an insulating material in order to make direct contact with the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12, and is mainly made of ceramic, carbon or the like. A material having high thermal conductivity as a component is desirable.

又、本実施例では、接合材10をアルミニウムまたは、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有したアルミニウム合金箔、または、アルミニウム、アルミニウム中にシリコン、ゲルマニウム等を含有した粉末からなる箔として説明する。   In this embodiment, the bonding material 10 is described as aluminum or an aluminum alloy foil containing silicon, germanium or the like in aluminum, or a foil made of powder containing silicon, germanium or the like in aluminum or aluminum.

図7に示すように、p型熱電変換素子11とn型熱電変換素子12は接合材10により上端と下端で接合されて電極レス熱電変換素子組立体1が形成されている。さらに、外周ケース14と熱電変換素子100とは接触接続されており、外周ケース14を上下面からネジ止めなどで加圧したり、気密封止真空パッケージングとしたりすることで形状が保たれる。   As shown in FIG. 7, the p-type thermoelectric conversion element 11 and the n-type thermoelectric conversion element 12 are joined at the upper end and the lower end by a bonding material 10 to form the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1. Furthermore, the outer peripheral case 14 and the thermoelectric conversion element 100 are connected in contact with each other, and the shape is maintained by pressurizing the outer peripheral case 14 with screws or the like from the upper and lower surfaces, or by airtight sealing vacuum packaging.

熱電変換モジュール700は、熱電変換素子100の両端に温度差を与えることにより、温度差に応じた起電力が発生するモジュールである。図7の上面を高温に、下面を低温にした場合について以下に示す。   The thermoelectric conversion module 700 is a module that generates an electromotive force according to the temperature difference by giving a temperature difference to both ends of the thermoelectric conversion element 100. The case where the upper surface of FIG. 7 is made high and the lower surface is made low is shown below.

上下面に与えた温度差により、熱電変換素子100には電流が流れる。電流は、p型熱電変換素子11では高温側から低温側(図7中、上から下)に、n型熱電変換素子12では低温側から高温側(図7中、下から上)に流れるので、各々の熱電変換素子100の下流側を接合材10を用いて、隣接した熱電変換素子100の上流側と接合することで直列経路を形成する。このように直列に接続した熱電変換素子100を平面状、ライン上などに複数接合することで電極レス熱電変換素子組立体1を構成する。   A current flows through the thermoelectric conversion element 100 due to the temperature difference applied to the upper and lower surfaces. The current flows from the high temperature side to the low temperature side (in FIG. 7, from top to bottom) in the p-type thermoelectric conversion element 11, and from the low temperature side to the high temperature side (in FIG. 7, from bottom to top) in the n-type thermoelectric conversion element 12. A series path is formed by joining the downstream side of each thermoelectric conversion element 100 to the upstream side of the adjacent thermoelectric conversion element 100 using the bonding material 10. The electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 is configured by joining a plurality of thermoelectric conversion elements 100 connected in series as described above in a planar shape or on a line.

実使用環境下で高温側が300℃以上になると、電極レス熱電変換素子組立体1と外周ケース14が接合された構造の場合、素子とケースの線膨張係数差により接合部近傍に応力とひずみが発生し、接合部破断や剥離、電極レス熱電変換素子組立体1を構成する熱電変換素子100の割れが懸念される。しかし、本構造においては、電極レス熱電変換素子組立体1と外周ケース14が接触接続であるため、界面がすべることで応力やひずみを低減することができる。また、外周ケース14と電極レス熱電変換素子組立体1を構成する各熱電変換素子100が直接熱伝播を行うことで、熱抵抗を低減することが期待できる。   If the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the outer case 14 are joined when the high temperature side becomes 300 ° C. or higher in an actual use environment, stress and strain are generated near the joint due to the difference in linear expansion coefficient between the element and the case. There is concern about the occurrence of breakage and peeling of the joint portion and cracking of the thermoelectric conversion element 100 constituting the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1. However, in this structure, since the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1 and the outer peripheral case 14 are in contact connection, stress and strain can be reduced by slipping the interface. Moreover, it can be expected that the thermal resistance is reduced by the direct thermal propagation of the thermoelectric conversion elements 100 constituting the outer case 14 and the electrodeless thermoelectric conversion element assembly 1.

更に、特許文献5で使用していた電極がなくなるため、平面方向の単位面積あたりの熱電変換素子100の割合を増加でき、熱電変換素子の実装密度が上昇するため、単位面積あたりの発電量が増加する。すなわち、省スペースの発電が可能となる。   Furthermore, since the electrodes used in Patent Document 5 are eliminated, the ratio of the thermoelectric conversion elements 100 per unit area in the planar direction can be increased, and the mounting density of the thermoelectric conversion elements is increased, so the power generation amount per unit area is increased. To increase. That is, space-saving power generation is possible.

1…電極レス熱電変換素子組立体 10…接合材 11…p型熱電変換素子 12…n型熱電変換素子 13…高熱伝導絶縁材 14…外周ケース 15、16…金属箔 20…サンプル支持用治具 21、23…突起 22…上部接合用治具 24…溝 30…下側の外周ケース 32…上側の外周ケース 31、33…高熱伝導絶縁材 100…熱電変換素子 500,700…熱電変換モジュール。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electrode-less thermoelectric conversion element assembly 10 ... Bonding material 11 ... p-type thermoelectric conversion element 12 ... n-type thermoelectric conversion element 13 ... High heat conductive insulating material 14 ... Outer case 15, 16 ... Metal foil 20 ... Jig for sample support DESCRIPTION OF SYMBOLS 21, 23 ... Protrusion 22 ... Upper joining jig 24 ... Groove 30 ... Lower outer case 32 ... Upper outer case 31, 33 ... High thermal conductive insulating material 100 ... Thermoelectric conversion element 500,700 ... Thermoelectric conversion module.

Claims (4)

熱電変換モジュールの製造方法であって、
シリコンを含有する複数のp型の熱電変換素子とシリコンを含有する複数のn型の熱電変換素子とを高温側の面と低温側の面とをそろえて交互に並べて配置し、
該交互に並べて配置した複数の前記p型の熱電変換素子と複数の前記n型の熱電変換素子との間の接合部にアルミニウムを主成分とする接合金属材料を挟んで前記接合金属材料と前記p型の熱電変換素子との間及び前記接合金属材料と前記n型の熱電変換素子との間に前記アルミニウム中に前記シリコンを含む前記熱電変換素子の成分が含まれて前記接合部に発生する応力を緩和する作用を有する複数の合金層が形成された状態で接合して複数の前記p型の熱電変換素子と複数の前記n型の熱電変換素子とを電気的に直列に接続し、
前記電気的に直列に接続した複数の前記p型の熱電変換素子と複数の前記n型の熱電変換
素子との前記高温側の面と前記低温側の面とを熱伝導性が良い絶縁材で覆う
ことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
A method for manufacturing a thermoelectric conversion module, comprising:
A plurality of p-type thermoelectric conversion elements containing silicon and a plurality of n-type thermoelectric conversion elements containing silicon are alternately arranged with the high-temperature side surface and the low-temperature side surface aligned,
The bonding metal material and the bonding metal material having aluminum as a main component sandwiched between bonding portions between the plurality of p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversion elements arranged alternately. A component of the thermoelectric conversion element including silicon is contained in the aluminum between the p-type thermoelectric conversion element and between the bonding metal material and the n-type thermoelectric conversion element, and is generated at the junction. A plurality of the p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversion elements are connected in series in a state where a plurality of alloy layers having an action of relaxing stress are formed,
The high-temperature-side surfaces and the low-temperature-side surfaces of the plurality of p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversion elements that are electrically connected in series are insulating materials having good thermal conductivity. A method of manufacturing a thermoelectric conversion module, characterized by covering.
請求項記載の熱電変換モジュールの製造方法であって、前記熱伝導性が良い絶縁材は
金属ケースに取り付けられており、複数の前記p型の熱電変換素子と複数の前記n型の熱電
変換素子との前記高温側の面と前記低温側の面とを前記熱伝導性が良い絶縁材で覆うこと
が、前記金属ケースに取り付けられた前記熱伝導性が良い絶縁材で覆うことであり、複数
の前記p型の熱電変換素子と複数の前記n型の熱電変換素子との前記高温側の面と前記低温
側の面とは、接触により前記熱伝導性が良い絶縁材と接続していることを特徴とする熱電
変換モジュールの製造方法。
2. The method of manufacturing a thermoelectric conversion module according to claim 1 , wherein the insulating material having good thermal conductivity is attached to a metal case, and the plurality of p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversions. Covering the surface on the high temperature side and the surface on the low temperature side of the element with the insulating material with good thermal conductivity is covering with the insulating material with good thermal conductivity attached to the metal case, The high temperature side surface and the low temperature side surface of the plurality of p-type thermoelectric conversion elements and the plurality of n-type thermoelectric conversion elements are connected to the insulating material having good thermal conductivity by contact. The manufacturing method of the thermoelectric conversion module characterized by the above-mentioned.
請求項記載の熱電変換モジュールの製造方法であって、前記p型の熱電変換素子と前
記n型の熱電変換素子とを電気的に直列に接続することを、アルミニウム又はアルミニウ
ム合金を加熱溶融させて前記p型の熱電変換素子及び前記n型の熱電変換素子との間に複数
の合金層を形成して互いに電気的に接続されていることを特徴とする熱電変換モジュール
の製造方法。
2. The method of manufacturing a thermoelectric conversion module according to claim 1 , wherein the p-type thermoelectric conversion element and the n-type thermoelectric conversion element are electrically connected in series by heating aluminum or an aluminum alloy. A method of manufacturing a thermoelectric conversion module, wherein a plurality of alloy layers are formed between the p-type thermoelectric conversion element and the n-type thermoelectric conversion element and electrically connected to each other.
請求項記載の熱電変換モジュールの製造方法であって、前記接合金属材料は、複数の
前記p型の熱電変換素子と複数の前記n型の熱電変換素子との前記高温側の面と前記低温側
の面とに金属箔を供給し、この金属箔を加熱して溶融させて形成したものであることを特
徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
2. The method of manufacturing a thermoelectric conversion module according to claim 1 , wherein the bonding metal material includes a plurality of the p-type thermoelectric conversion elements and a plurality of the n-type thermoelectric conversion elements on the high temperature side surface and the low temperature. A method for producing a thermoelectric conversion module, comprising: forming a metal foil on a side surface and heating and melting the metal foil.
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