JP6106104B2 - 末端にアミノ基を有する狭分散ポリアルキレングリコール誘導体の製造方法 - Google Patents
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Description
CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2 (1)
(一般式(1)中、nは3〜450の整数を表す)
[工程1] 下記一般式(2)で表される化合物を、M、M+H−、及びRO−M+から選択されるアルカリ金属化合物(式中、Mは、ナトリウム(Na)又はカリウム(K)を表し、Rは、炭素数1〜6の1価のアルキル基を表す)と反応させることにより、下記一般式(3)で表される化合物を得る工程;
CH3O(CH2CH2O)kH (2)
(一般式(2)中、kは2〜5の整数を表す)
CH3O(CH2CH2O)k−1CH2CH2O−M+ (3)
(一般式(3)中、
kは、一般式(2)において定義されたとおりであり、一般式(2)のkと同一であり、
Mは、アルカリ金属化合物について定義されたとおりであり、アルカリ金属化合物のMと同一である。)
[工程2] 前記一般式(3)で表される化合物をテトラヒドロフランに溶解させた後、エチレンオキシドと反応させることにより、下記一般式(4)で表される化合物を得る工程;
CH3O(CH2CH2O)n−1CH2CH2O−M+ (4)
(一般式(4)中、nは、一般式(1)において定義されたとおりであり、一般式(1)のnと同一である)
[工程3] 前記一般式(4)で表される化合物を精製することなく、アクリロニトリルと反応させた後、酸性化合物と反応させることにより下記一般式(5)で表される化合物を得る工程;及び
CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN (5)
[工程4] 前記一般式(5)で表される化合物を還元し、前記一般式(1)で表される化合物を得る工程。
CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2 (1)
(一般式(1)中、nは3〜450の整数を表す)
の製造方法に関するものである。本発明の製造方法の目的物である、一般式(1)で表される末端にアミノ基を有する狭分散ポリエチレングリコール誘導体において、nは3〜450の整数を表すが、好ましくはn=10〜400、さらに好ましくはn=20〜350である。ポリマーの分子量及び分散度(Mw/Mn)は、ゲル浸透クロマトグラフィー(以下、GPCと略記)を用いて測定を行って得た値とすることができる。前記一般式(1)で表される化合物の分散度は、例えば1.0〜1.4、好ましくは1.0〜1.3、さらに好ましくは1.0〜1.2である。
CH3O(CH2CH2O)kH (2)
CH3O(CH2CH2O)k-1CH2CH2O-M+ (3)
CH3O(CH2CH2O)n-1CH2CH2O-M+ (4)
本発明で重合開始剤として用いる一般式(3)で表される化合物は、THFに易溶であり、アルコール類の助溶媒を必要としないため、温和な条件下での重合が可能であるため有利に用いられる。したがって、本発明の[工程2]は、アルコール助溶媒を用いることなく行われることが好ましい。
CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN (5)
一般式(4)で表される化合物を、精製することなく使用することにより、分離精製工程の簡略化に伴うコスト抑制が実現するだけでなく、精製作業に伴う収率の低下(ポリマーの製造設備への付着や貧溶媒への溶解など)を抑えられるといった利点をもたらす。
カラム:TSKgel SuperAWM−H、SuperAW−3000
展開溶媒:DMF(臭化リチウム0.01mol/L溶液)
カラムオーブン温度:60℃
サンプル濃度:0.20wt%
サンプル注入量:25μl
流量:0.3ml/min
500mLの二口ナスフラスコ中に撹拌子を投入後、精留管、温度計、リービッヒ冷却器、分留管、50mLのナスフラスコ(2個)、300mL二口フラスコ(1個)を接続し、蒸留装置を組み立てた。装置内の真空度を10Pa以下に保った後、オイルバス及びヒートガンを使って装置内を加温し、系内の水分を除去した。その後、窒素気流下でジエチレングリコールモノメチルエーテル(東京化成工業(株)製)を500mL二口ナスフラスコ内に投入し、減圧蒸留を行った。蒸留後の含水率を測定した結果、水分は、1ppm以下であった。
温度計、滴下漏斗、ジムロート冷却器を接続した2L四口フラスコ中に撹拌子を投入した。装置内の真空度を10Pa以下に保った後、オイルバス及びヒートガンを使って装置内を加温し、系内の水分を除去した。その後、窒素気流下で2L四口フラスコ内に上述の重合開始剤(3A)3.60gと蒸留THF420gを添加した。
温度計、ジムロート冷却器、分留管、300mLナスフラスコを接続した500mL四口フラスコ中に撹拌子を投入した。装置内の真空度を10Pa以下に保った後、オイルバス及びヒートガンを使って装置内を加温し、系内の水分を除去した。ポリマー(4A)のTHF溶液(固形分換算で10g分)をシリンジで分取し、窒素気流下で500mL四口フラスコ内に投入した。500mL四口フラスコ内の温度を40℃以内に保ちながら、ポリマー溶液の濃縮を行い、固形分濃度が25wt%となるように調製した。
100mLの水素還元用オートクレーブの中に5.0gのポリマー(5A)、5.0gのラネーコバルト触媒R−400(日興リカ(株)製)、10.0gのメタノールを投入し、室温でアンモニアガス(圧力=3kg/cm2)を封入した。その後、水素ガス(圧力=10kg/cm2)を封入し、内温が120℃になるまで加温し、そのまま6時間反応を行った。室温まで冷却後、圧力を大気圧に戻した後、窒素を吹き込みながら系内のアンモニアを除去した。ろ過によりラネーコバルト触媒を除去後、ろ液を100mLナス形フラスコに移し、ロータリーエバポレーターを使ってアンモニアとメタノールを留去した。ほぼ乾固するまで減圧濃縮を実施後、ポリマー(1A)の固形分濃度が5wt%になるように調製した。反応スキームを以下に示す。
陽イオン交換樹脂DIAION PK−208(三菱化学(株)製)50gを充填したカートリッジ内を1N塩酸300gで洗浄後、イオン交換水300gで3回、次いでメタノール300gで1回、カートリッジの洗浄を行った。500mL二口フラスコにポリマー(1A)のメタノール5wt%溶液を投入し、ポリマー溶液を上述のカートリッジ内にポンプを使って移送した。カートリッジの排液口から出てきたメタノール溶液を元の500mLナスフラスコに合せ、この操作を2時間継続してポリマー(1A)を陽イオン交換樹脂に吸着させた。その後、カートリッジ内の樹脂をメタノール300gで1回洗浄した後、7Nアンモニア溶液(メタノール溶液、関東化学(株)製)を50g使ってポリマー(1A)を陽イオン交換樹脂から溶離させた。
[ポリマー合成例1]において、重合開始剤の使用量を変えた以外はほぼ同様の操作を行うことにより、ポリマー(4B)〜(4F)を合成した。分析結果を表1に示す。
[ポリマー合成例2]において、出発原料のポリマー(4A)を前記ポリマー(4B)〜(4F)に変えた以外はほぼ同様の操作を行うことにより、ポリマー(5B)〜(5F)を合成した。分析結果を表2に示す。
[ポリマー合成例3]および[ポリマー合成例4]において、出発原料のポリマー(5A)を変える以外はほぼ同様の操作を行うことにより、ポリマー(1B)〜(1F)を合成した。分析結果を表3に示す。
温度計、滴下漏斗、ジムロート冷却器を接続した500mLの四口ナスフラスコ中に撹拌子と重合開始剤として、カリウムメトキシド(関東化学(株)製)0.07gを投入し、装置内の真空度を10Pa以下に保った後、オイルバス及びヒートガンを使って装置内を加温し、系内の水分を除去した。
Claims (17)
- [工程1]〜[工程4]を含む、下記一般式(1)で表される末端にアミノ基を有する狭分散ポリエチレングリコール誘導体の製造方法:
CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2 (1)
(一般式(1)中、nは3〜450の整数を表す)
[工程1] 下記一般式(2)で表される化合物を、M、M+H−、及びRO−M+から選択されるアルカリ金属化合物(式中、Mは、ナトリウム(Na)又はカリウム(K)を表し、Rは、炭素数1〜6の1価のアルキル基を表す)と反応させることにより、下記一般式(3)で表される化合物を得る工程;
CH3O(CH2CH2O)kH (2)
(一般式(2)中、kは2〜5の整数を表す)
CH3O(CH2CH2O)k−1CH2CH2O−M+ (3)
(一般式(3)中、
kは、一般式(2)において定義されたとおりであり、一般式(2)のkと同一であり、
Mは、アルカリ金属化合物について定義されたとおりであり、アルカリ金属化合物のMと同一である。)
[工程2] 前記一般式(3)で表される化合物をテトラヒドロフランに溶解させた後、エチレンオキシドと反応させることにより、下記一般式(4)で表される化合物を得る工程;
CH3O(CH2CH2O)n−1CH2CH2O−M+ (4)
(一般式(4)中、nは、一般式(1)において定義されたとおりであり、一般式(1)のnと同一である)
[工程3] 前記一般式(4)で表される化合物を精製することなく、アクリロニトリルと反応させた後、酸性化合物と反応させることにより下記一般式(5)で表される化合物を得る工程;及び
CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN (5)
[工程4] 前記一般式(5)で表される化合物を還元し、前記一般式(1)で表される化合物を得る工程。 - 前記[工程2]が、アルコール助溶媒を用いることなく行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記[工程2]の反応が、30〜60℃の反応温度で行われる、請求項1または2に記載の方法。
- 前記[工程3]の反応が、20〜60℃の反応温度で行われる、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記一般式(2)で表される化合物において、k=2〜3であり、かつ前記[工程1」の終了後の、一般式(2)で表される化合物と一般式(3)で表される化合物とのモル比率が、0:100〜20:80である、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
- 前記[工程3]において、前記アクリロニトリルの使用量が、前記一般式(4)で表される化合物のモル数に対して1〜50当量である、請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記[工程3]において、前記酸性化合物が、カルボン酸類、無機酸類、スルホン酸類、及び固体酸類からなる群より選択される一以上であり、 前記酸性化合物の使用量が、前記一般式(4)で表される化合物のモル数の1〜5当量である、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記[工程3]において、前記酸性化合物との中和反応によって生成するアルカリ金属塩を、アルカリ吸着剤を用いて分離する工程をさらに含む、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 前記[工程4]において、前記還元が、炭素数1〜5の一価アルコール中で行われ、
前記炭素数1〜5の一価アルコールが、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、n−ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、ネオペンチルアルコールからなる群より選択される一以上であり、
前記炭素数1〜5の一価アルコールの使用量が、前記一般式(5)で表される化合物の質量に対して、0.2〜50倍量である、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。 - 前記[工程4]において、前記還元に、ラネーコバルト触媒、ラネーニッケル触媒、及び金−パラジウム担持触媒からなる群より選択される一以上の水素添加触媒を使用し、
前記触媒の使用量が、前記一般式(5)で表される化合物の質量に対し、0.1〜5倍量である、請求項1〜9のいずれかに記載の方法。 - 前記[工程4]の後に、[工程5]〜[工程8]をさらに含む、請求項1〜10のいずれかに記載の方法:
[工程5] 前記[工程4]の生成物を強酸性イオン交換樹脂と反応させた後、該強酸性陽イオン交換樹脂を洗浄することにより、前記一般式(1)で表される化合物以外の物質を分離する工程;
[工程6] 前記イオン交換樹脂を塩基性化合物と反応させることにより、前記一般式(1)で表される化合物を分離する工程;
[工程7] 前記[工程6]で得られた反応液を濃縮する工程;及び
[工程8] 前記[工程7]で得られた濃縮液を前記一般式(1)で表される化合物の貧溶媒中に滴下し、析出させることにより前記一般式(1)で表される化合物を得る工程。 - 前記[工程5]において、前記強酸性イオン交換樹脂の使用量が、前記一般式(1)で表される化合物の質量に対して、1〜50倍量である、請求項11に記載の方法。
- 前記[工程5]において、前記強酸性陽イオン交換樹脂の洗浄が、水又は炭素数1〜5の一価アルコールを用いて行われ、
前記炭素数1〜5の一価アルコールが、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、n−ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、ネオペンチルアルコールからなる群より選択される一以上であり、
前記炭素数1〜5の一価アルコールの使用量がイオン交換樹脂の質量に対して、1〜30倍量である、請求項11または12に記載の方法。 - 前記[工程6]において、前記塩基性化合物との反応が、水又は炭素数1〜5の一価アルコールを用いて行われ、
前記炭素数1〜5の一価アルコールが、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、n−ペンチルアルコール、イソペンチルアルコール、ネオペンチルアルコールからなる群より選択される一以上であり、
前記炭素数1〜5の一価アルコールの使用量がイオン交換樹脂の質量に対して、1〜30倍量である、請求項11〜13のいずれかに記載の方法。 - 前記[工程6]において、前記塩基性化合物が、アンモニア、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類からなる群より選択される一以上であり、
前記塩基性化合物の使用量がイオン交換樹脂の質量に対して、0.1〜100倍量である、請求項11〜14のいずれか記載の方法。 - 前記[工程7]において、濃縮した反応液を、一般式(1)で表される化合物の良溶媒に溶媒置換する工程をさらに含み、
前記良溶媒が、THF、1、4−ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、γ−ブチロラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、N、N−ジメチルホルムアミド(DMF)、アセトニトリルからなる群より選択される一以上であり、
溶媒置換後の前記一般式(1)で表される化合物の濃度が10〜50質量%である、請求項11〜15のいずれかに記載の方法。 - 前記[工程8]において、前記一般式(1)で表される化合物の貧溶媒が、n−ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジ−n−ブチルエーテルからなる群より選択される一以上であり、
前記貧溶媒の使用量が、前記一般式(1)で表される化合物の質量に対して5〜100倍量である、請求項11〜16のいずれかに記載の方法。
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