[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP6193753B2 - Imaging device mounting substrate and imaging device - Google Patents

Imaging device mounting substrate and imaging device Download PDF

Info

Publication number
JP6193753B2
JP6193753B2 JP2013262593A JP2013262593A JP6193753B2 JP 6193753 B2 JP6193753 B2 JP 6193753B2 JP 2013262593 A JP2013262593 A JP 2013262593A JP 2013262593 A JP2013262593 A JP 2013262593A JP 6193753 B2 JP6193753 B2 JP 6193753B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
flat plate
image sensor
metal flat
imaging element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013262593A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2015029244A (en
Inventor
山田 浩
浩 山田
健一 小濱
健一 小濱
明彦 舟橋
明彦 舟橋
加奈江 堀内
加奈江 堀内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Priority to JP2013262593A priority Critical patent/JP6193753B2/en
Publication of JP2015029244A publication Critical patent/JP2015029244A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6193753B2 publication Critical patent/JP6193753B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Description

本発明は、例えばCCD(Charge Coupled Device)型またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型等の撮像素子が搭載される撮像素子搭載用基板お
よび撮像装置に関するものである。
The present invention relates to an imaging element mounting substrate and an imaging apparatus on which an imaging element such as a CCD (Charge Coupled Device) type or a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) type is mounted.

従来からCCD型またはCMOS型等の撮像素子を撮像素子搭載用基板に搭載した撮像装置が知られている。撮像素子搭載用基板は、開口を有する絶縁基体と、その開口周辺の縁に取り付けられた金属平板を有する。開口内部には撮像素子が搭載され、この開口は光学フィルタ等で封止される。金属平板は、平面視した際に絶縁基体の外縁よりも外側に位置する外側領域を有している。この外側領域には複数の貫通孔が設けられる。この貫通孔内にビス等を通し、レンズを有する筺体側に、撮像素子搭載用基板を固定させる(例えば、特許文献1参照)。   2. Description of the Related Art Conventionally, an imaging apparatus in which an image sensor such as a CCD type or a CMOS type is mounted on an image sensor mounting substrate is known. The imaging device mounting substrate includes an insulating base having an opening and a metal flat plate attached to an edge around the opening. An imaging element is mounted inside the opening, and the opening is sealed with an optical filter or the like. The metal flat plate has an outer region located outside the outer edge of the insulating base when viewed in plan. A plurality of through holes are provided in the outer region. A screw or the like is passed through the through hole, and the imaging element mounting substrate is fixed to the housing side having the lens (see, for example, Patent Document 1).

また、撮像素子には、光を受光する受光部と受光部で変換された電気を信号処理する信号処理部(信号転送部や増幅回路部等を含む)とが配設されているものがあり、信号処理部は撮像素子の作動時に熱を発する発熱部となり得る。   Some image pickup devices are provided with a light receiving unit that receives light and a signal processing unit (including a signal transfer unit, an amplification circuit unit, and the like) that performs signal processing of electricity converted by the light receiving unit. The signal processing unit can be a heat generating unit that generates heat when the image sensor is operated.

特開2008−026563号公報JP 2008-026563 A

前述したように、特許文献1の絶縁基体の開口内部には撮像素子が搭載される。ここで、従来の撮像素子は発熱部が平面透視にて両側に位置していたが、近年の撮像素子は平面透視にて発熱部が一端に偏って存在しているものも出てきており、このような撮像素子は、内部で温度分布の偏りが生じる。これにより、温度の高い領域と低い領域とで、画像の延びに差が生じるので、撮像された画像の質が低下することが懸念される。   As described above, the image sensor is mounted inside the opening of the insulating base of Patent Document 1. Here, in the conventional image sensor, the heat generating part is located on both sides in a plane perspective, but in recent years, an image sensor in which the heat generating part is biased to one end in a plane perspective has come out, Such an image sensor has an uneven temperature distribution inside. This causes a difference in the extension of the image between the high temperature region and the low temperature region, and there is a concern that the quality of the captured image is deteriorated.

本発明の目的は、撮像素子内部の温度分布の偏りを効率的に抑制し、質の高い画像を出力するための撮像素子搭載用基板及び撮像装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an image pickup device mounting substrate and an image pickup apparatus for efficiently suppressing an uneven temperature distribution inside the image pickup device and outputting a high-quality image.

本発明の一態様に係る撮像素子搭載用基板は、撮像素子搭載部を有し、上面視した際に該撮像素子搭載部を挟んで対向する第1の辺および第2の辺を有する絶縁基体と、該絶縁基体の主面に設けられ、上面視した際に前記絶縁基体の外縁より外側に位置する外側領域を有する金属平板とを有しており、発熱部を有する撮像素子が、前記発熱部が前記第1領域または前記第2領域のいずれか一方側に位置するように、前記撮像素子搭載部に実装されるとともに、前記絶縁基体および前記金属平板の少なくとも一方の接合面はその反対側の面に比べて表面粗さが大きく、前記外側領域は、前記第1の辺側にある第1領域と、前記第2の辺側にある第2領域とを有し、前記第1領域及び前記第2領域は、互いに面積が異なる。 An imaging element mounting substrate according to an aspect of the present invention includes an imaging element mounting portion, and an insulating substrate having a first side and a second side facing each other across the imaging element mounting portion when viewed from above. And a metal flat plate provided on the main surface of the insulating base and having an outer region located outside the outer edge of the insulating base when viewed from above, and an imaging element having a heat generating portion includes the heat generating element. It is mounted on the image sensor mounting portion so that the portion is located on either one side of the first region or the second region, and at least one joint surface of the insulating base and the metal flat plate is on the opposite side The outer region has a first region on the first side and a second region on the second side, and the first region and The second regions have different areas.

本発明の一態様に係る撮像装置は、上述の撮像素子搭載用基板と、前記撮像素子搭載部に搭載された撮像素子と、平面透視で前記撮像素子と重なる位置に配置された透明な蓋体と、を有する。   An imaging apparatus according to an aspect of the present invention includes the above-described imaging element mounting substrate, the imaging element mounted on the imaging element mounting portion, and a transparent lid disposed at a position overlapping the imaging element in a plan view. And having.

上記の構成によれば、外側領域は、第1の辺側にある第1領域と、第2の辺側にある第
2領域とを有し、第1領域及び第2領域は、互いに面積が異なるので、撮像素子搭載用基板から金属平板を介して外部に放出される放熱量をそれぞれ異ならせることができるため、温度分布の偏りを効率的に抑制することが可能となる。そのため、質の高い画像を出力することができる。
According to said structure, an outer side area | region has the 1st area | region in the 1st edge | side side, and the 2nd area | region in the 2nd edge | side side. Since they are different, the amount of heat released from the imaging element mounting substrate to the outside through the metal flat plate can be made different, so that it is possible to efficiently suppress the deviation of the temperature distribution. Therefore, a high quality image can be output.

(a)は、本発明の第1の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 1st Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第2の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第3の実施形態に係る撮像素子搭載用基板の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the image pick-up element mounting board | substrate which concerns on the 3rd Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第4の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 4th Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第5の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 5th Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第6の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 6th Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第7の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 7th Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第8の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 8th Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a). (a)は、本発明の第9の実施形態に係る撮像装置の外観を示す上面図であり、(b)は、(a)のX−X線に対応する断面図である。(A) is a top view which shows the external appearance of the imaging device which concerns on the 9th Embodiment of this invention, (b) is sectional drawing corresponding to the XX line of (a).

以下、本発明の実施形態に係る撮像素子搭載用基板および撮像装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。   Hereinafter, an imaging element mounting substrate and an imaging apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Note that the drawings used in the following description are schematic, and the dimensional ratios and the like on the drawings do not necessarily match the actual ones.

また、各実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。   In the description of each embodiment and the like, components that are the same as or similar to those already described may be denoted by the same reference numerals and description thereof may be omitted.

(第1の実施形態)
なお、撮像素子搭載用基板1は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系xyzを定義するとともに、z方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。
(First embodiment)
Note that the image sensor mounting substrate 1 may have either direction upward or downward, but for convenience, the orthogonal coordinate system xyz is defined and the positive side in the z direction is defined as the upper surface. Or use the word on the bottom.

図1を参照して、本発明の第1の実施形態に係る撮像素子搭載用基板1および撮像装置について説明する。本実施形態における撮像素子搭載用基板1は、絶縁基体2と、金属平板4とを有しており、図1に示す例では、金属平板4は、中央に開口を有しているとともに、その開口が上面視で凹部8と重なっている。また、本実施形態における撮像装置は、撮像素子搭載用基板1と撮像素子10とを有する。   With reference to FIG. 1, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described. The imaging element mounting substrate 1 in the present embodiment has an insulating base 2 and a metal flat plate 4. In the example shown in FIG. 1, the metal flat plate 4 has an opening in the center. The opening overlaps with the recess 8 in a top view. In addition, the imaging apparatus according to the present embodiment includes an imaging element mounting substrate 1 and an imaging element 10.

絶縁基体2は、図1(a)に示すように、撮像素子搭載部13を有し、上面視した際に撮像素子搭載部13を挟んで対向する第1の辺2Aおよび第2の辺2Bを有する。また、絶縁基体2は、第1の辺2Aおよび第2の辺2Bと隣り合う第3の辺2C及び第4の辺2Dを有する。撮像素子搭載部13には、撮像素子10が搭載される。   As shown in FIG. 1A, the insulating base 2 has an image sensor mounting portion 13, and when viewed from above, the first side 2A and the second side 2B that are opposed to each other with the image sensor mounting portion 13 interposed therebetween. Have The insulating base 2 has a third side 2C and a fourth side 2D adjacent to the first side 2A and the second side 2B. The image sensor 10 is mounted on the image sensor mounting portion 13.

絶縁基体2は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体,炭化珪素質焼
結体,窒化アルミニウム質焼結体,窒化珪素質焼結体,ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックス、またはエポキシ樹脂,ポリイミド樹脂,アクリル樹脂,フェノール樹脂,ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂を始めとするフッ素系樹脂等の樹脂(プラスティックス)から成る略四角形の絶縁層を複数上下に積層して形成されている。
The insulating base 2 is made of, for example, an electrical insulator such as an aluminum oxide sintered body, a mullite sintered body, a silicon carbide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a silicon nitride sintered body, or a glass ceramic sintered body. A plurality of substantially rectangular insulating layers made of plastics such as epoxy resin, polyimide resin, acrylic resin, phenol resin, polyester resin, or fluororesin such as tetrafluoroethylene resin. Is formed.

図1(b)に示すように、絶縁基体2は、枠部2aと、枠部2aの下面に設けられた基部2bを有している。この例において、枠部2aは、中央に開口を有する絶縁体層であり、基部2bは、開口を有さない絶縁体層であり、枠部2aの開口内周面と基部2bの上面とによって凹部8が設けられている。   As shown in FIG. 1B, the insulating base 2 has a frame portion 2a and a base portion 2b provided on the lower surface of the frame portion 2a. In this example, the frame portion 2a is an insulator layer having an opening in the center, and the base portion 2b is an insulator layer having no opening, and the opening inner peripheral surface of the frame portion 2a and the upper surface of the base portion 2b. A recess 8 is provided.

枠部2aを形成する絶縁体層は、図1に示すように2層でも良いし、単層または3層以上でも良い。図1に示す例では、枠部2aを形成する絶縁体層は2層であり、下層の縁部の面積を上層より大きくすることにより、下層の上面と上層の内周面とで段差が設けられている。この段差を構成する下層の上面には、撮像素子接続用パッド3が設けられている。なお、枠部2aは、下層の縁部の面積を上層の縁部の面積と同一にしても良い。   The insulator layer forming the frame 2a may be two layers as shown in FIG. 1, or may be a single layer or three or more layers. In the example shown in FIG. 1, there are two insulator layers forming the frame portion 2a. By making the area of the edge of the lower layer larger than that of the upper layer, a step is provided between the upper surface of the lower layer and the inner peripheral surface of the upper layer. It has been. An image sensor connection pad 3 is provided on the upper surface of the lower layer constituting the step. In the frame 2a, the area of the lower edge may be the same as the area of the upper edge.

図1(b)において、基部2bを形成する絶縁体層は、その上面であって枠部2aの内側に撮像素子搭載部13を有する。基部2bを形成する絶縁体層は、枠部2aと同様に、2層以上であってもよい。この撮像素子搭載部13に、撮像素子10が搭載される。図1に示す例では、基部2bの下面に外部端子9が設けられている。絶縁基体2内部には配線導体が設けられていても良いし、その配線導体によって、外部端子9と撮像素子接続用パッド3とが電気的に接続されていても良い。なお、外部端子9は、絶縁基体2の側面または上面に設けられていても良い。   In FIG.1 (b), the insulator layer which forms the base 2b has the image pick-up element mounting part 13 inside the frame part 2a on the upper surface. The insulator layer forming the base portion 2b may be two or more layers like the frame portion 2a. The image sensor 10 is mounted on the image sensor mounting portion 13. In the example shown in FIG. 1, an external terminal 9 is provided on the lower surface of the base 2b. A wiring conductor may be provided inside the insulating base 2, and the external terminal 9 and the imaging element connection pad 3 may be electrically connected by the wiring conductor. The external terminal 9 may be provided on the side surface or the upper surface of the insulating base 2.

撮像素子接続用パッド3は、図1に示す例では、枠部2aの段差を構成する下層の上面に設けられているが、基部2bの上面に設けられていてもよい。撮像素子接続用パッド3は、段差に複数設けられていても良い。また、複数の撮像素子接続用パッド3は、1つの段差に設けられていても良いし、複数の段差に設けられていても良い。   In the example shown in FIG. 1, the imaging element connection pad 3 is provided on the upper surface of the lower layer constituting the step of the frame portion 2a, but may be provided on the upper surface of the base portion 2b. A plurality of imaging element connection pads 3 may be provided at the step. Further, the plurality of imaging element connection pads 3 may be provided at one step, or may be provided at a plurality of steps.

外部端子9および撮像素子接続用パッド3は、絶縁基体2が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン(W),モリブデン(Mo),マンガン(Mn),銀(Ag)または銅(Cu)等のメタライズから成る。また、外部端子9および撮像素子接続用パッド3は、絶縁基体2が樹脂から成る場合には、銅(Cu),金(Au),アルミニウム(Al),ニッケル(Ni),クロム(Cr),モリブデン(Mo)またはチタン(Ti)およびそれらの合金等の金属材料から成る。   The external terminal 9 and the image sensor connecting pad 3 are made of tungsten (W), molybdenum (Mo), manganese (Mn), silver (Ag) or copper (Cu) when the insulating base 2 is made of electrically insulating ceramics. It consists of metallization. The external terminal 9 and the image sensor connecting pad 3 are made of copper (Cu), gold (Au), aluminum (Al), nickel (Ni), chromium (Cr), when the insulating base 2 is made of resin. It consists of metal materials such as molybdenum (Mo) or titanium (Ti) and alloys thereof.

撮像素子接続用パッド3、外部端子9を保護して酸化防止をするとともに、撮像素子10や外部回路基板との電気的接続を良好なものとする撮像素子接続用パッド3、外部端子9の露出する表面に、厚さ0.5〜10μmのNiめっき層を被着させるか、またはこのNiめ
っき層および厚さ0.5〜3μmの金(Au)めっき層を順次被着させてもよい。
The image sensor connection pad 3 and the external terminal 9 are protected to prevent oxidation, and the image sensor connection pad 3 and the external terminal 9 are exposed to improve electrical connection with the image sensor 10 and the external circuit board. Alternatively, a Ni plating layer having a thickness of 0.5 to 10 μm may be deposited on the surface to be coated, or this Ni plating layer and a gold (Au) plating layer having a thickness of 0.5 to 3 μm may be sequentially deposited.

金属平板4は、絶縁基体2の主面に設けられ、上面視した際に絶縁基体2の外縁より外側に位置する外側領域5を有する。外側領域5は、第1の辺2A側にある第1領域5aと、第2の辺2B側にある第2領域5bとを有する。第1領域5a及び第2領域5bは、互いに面積が異なる。ここでいう面積とは、金属平板4の表面積をいう。   The metal flat plate 4 is provided on the main surface of the insulating base 2 and has an outer region 5 positioned outside the outer edge of the insulating base 2 when viewed from above. The outer region 5 has a first region 5a on the first side 2A side and a second region 5b on the second side 2B side. The first region 5a and the second region 5b have different areas. The area here refers to the surface area of the metal flat plate 4.

なお、図1に示す例では、絶縁基体2の主面とは、枠部2aの上面のことである。また、第1領域5aとは、第1の辺2Aおよび第2の辺2Bと隣り合う第3の辺2Cおよび第4の辺2Dを二分する中心線Y-Yから、第1の辺2A側に存在する金属平板4の領域を
意味する。また、同様に、第2領域5bとは、第1の辺2Aおよび第2の辺2Bと隣り合う第3の辺2Cおよび第4の辺2Dを二分する中心線Y-Yから第2の辺2B側に存在す
る金属平板4の領域を意味する。
In the example shown in FIG. 1, the main surface of the insulating substrate 2 is the upper surface of the frame portion 2a. The first region 5a is the first side 2A side from the center line YY that bisects the third side 2C and the fourth side 2D adjacent to the first side 2A and the second side 2B. The region of the metal flat plate 4 existing in Similarly, the second region 5b is the second side from the center line YY that bisects the third side 2C and the fourth side 2D adjacent to the first side 2A and the second side 2B. It means the region of the metal flat plate 4 existing on the 2B side.

金属平板4において外側領域5の第1領域5aおよび第2領域5bは、その面積が互いに異なっている。このように、第1領域5aと第2領域5bとの面積を異ならせることによって、撮像素子10が作動する際に発生する熱を絶縁基体2及び金属平板4を介して放熱させる際に、その放熱性を互いに異ならせることができる。そのため、撮像素子内部の熱分布の偏りを抑えることができ、受光した画像に不具合が発生することを低減することが可能となる。ここで、第1領域5aおよび第2領域5bの面積は、発熱部Tの発熱量を考慮して決定することが望ましい。   In the metal flat plate 4, the areas of the first region 5a and the second region 5b of the outer region 5 are different from each other. As described above, when the areas of the first region 5a and the second region 5b are made different from each other, when the heat generated when the imaging device 10 operates is radiated through the insulating base 2 and the metal flat plate 4, The heat dissipation can be made different from each other. Therefore, it is possible to suppress the deviation of the heat distribution inside the image sensor, and to reduce the occurrence of defects in the received image. Here, the areas of the first region 5a and the second region 5b are desirably determined in consideration of the heat generation amount of the heat generating portion T.

金属平板4は絶縁基体2が電気絶縁性セラミックスから成る場合は、ステンレス(SUS)や、Fe−Ni−Co合金、42アロイ,銅(Cu),銅合金等の金属等から成る。特に、金属平板4が銅等の熱伝導率の高い材質を用いると、放熱性が高くなるため好ましい。ここで、絶縁基体2として熱膨張率が約5〜10(×10-6/℃)である酸化アルミニウム質焼結体を用いる場合、金属平板4として、熱膨張率が約10(×10-6/℃)のステンレス(SUS410)等を用いると、使用時に絶縁基体2と金属平板4との熱膨張差が小さくな
るので撮像素子搭載用基板1の歪みが小さいので、良好に撮像することができる。
When the insulating base 2 is made of an electrically insulating ceramic, the metal flat plate 4 is made of a metal such as stainless steel (SUS), Fe—Ni—Co alloy, 42 alloy, copper (Cu), or copper alloy. In particular, it is preferable that the metal flat plate 4 is made of a material having high thermal conductivity such as copper because heat dissipation becomes high. Here, the case of using the thermal expansion rate of about 5~10 (× 10 -6 / ℃) sintered aluminum oxide as the insulating substrate 2, the metal flat plate 4, the thermal expansion coefficient of about 10 (× 10 - 6 / ° C.) stainless steel (SUS410) or the like, the thermal expansion difference between the insulating base 2 and the metal flat plate 4 is reduced during use, so that the distortion of the image pickup device mounting substrate 1 is small, so that good imaging can be performed. it can.

金属平板4と絶縁基体2とは、接合部材(図示せず)によって接合されている。接合部材には、撮像素子10を実装する時の温度や撮像素子10の作動時の温度によって変性しないものを用いると、撮像素子10の実装時や、作動時に絶縁基体2と金属平板4とが剥離することを低減させることができる。   The metal flat plate 4 and the insulating base 2 are joined by a joining member (not shown). If a bonding member that does not change depending on the temperature at which the image pickup device 10 is mounted or the temperature at which the image pickup device 10 is operated is used, the insulating base 2 and the metal flat plate 4 are attached when the image pickup device 10 is mounted or at the time of operation. Peeling can be reduced.

金属平板4は外側領域に貫通孔6または切欠き7を有していることが好ましい。これにより、例えば、第1領域5aと第2領域5bとの領域の大きさが同程度の場合に、金属平板4に貫通孔6や切欠き7を設けておくことで、第1の領域5aと第2の領域5bとの表面積を異ならせることができるため、外側領域5の大きさを変えることなく、外周領域5の放熱性を異ならせることができる。また、第1の領域5aと第2の領域5bとに設けられた貫通孔6および切欠き7は撮像素子搭載用基板1に撮像素子10またはレンズ筐体を実装する際の位置決めの穴または撮像素子搭載用基板1とレンズ筐体とを固定する穴として用いることも可能である。   The metal flat plate 4 preferably has a through hole 6 or a notch 7 in the outer region. Thereby, for example, when the size of the first region 5a and the second region 5b is approximately the same, by providing the metal plate 4 with the through hole 6 and the notch 7, the first region 5a. Since the surface areas of the second region 5b and the second region 5b can be made different, the heat radiation property of the outer peripheral region 5 can be made different without changing the size of the outer region 5. Further, the through holes 6 and the notches 7 provided in the first region 5a and the second region 5b are positioning holes or imaging when mounting the imaging device 10 or the lens housing on the imaging device mounting substrate 1. It can also be used as a hole for fixing the element mounting substrate 1 and the lens housing.

貫通孔6の少なくとも1つは円形状であることが好ましい。貫通孔6にビス等を通して金属平板4をレンズ筐体に実装する際に、貫通孔6の形状がビス等の横断面形状に一致していた方が利便性の点で好ましいからである。   At least one of the through holes 6 is preferably circular. This is because it is preferable in terms of convenience that the shape of the through hole 6 matches the cross-sectional shape of the screw or the like when the metal flat plate 4 is mounted on the lens housing through the screw or the like in the through hole 6.

貫通孔6の少なくとも1つは、楕円形状、または、平行な辺を有する長円形状であり、切欠き7の少なくとも1つは、楕円形状、若しくは平行な辺を有する長円形状を切断した形状、またはU字形状であると、位置合わせをする際に治具やビス等を調整するための穴として用いることもできる。   At least one of the through holes 6 has an elliptical shape or an oval shape having parallel sides, and at least one of the notches 7 has an elliptical shape or a shape obtained by cutting an oval shape having parallel sides. Alternatively, if it is U-shaped, it can also be used as a hole for adjusting a jig, a screw or the like when positioning.

絶縁基体2および金属平板4の少なくとも一方の接合面はその反対側の面に比べて表面粗さが大きいことが好ましい。これにより、絶縁基体2と金属平板4との接合面の表面積を大きくすることができ、絶縁基体2と金属平板4との接合強度を大きくすることができる。また、絶縁基体2と金属平板4との接合面の表面積を大きくすることができることで、絶縁基体2から金属平板4への伝熱性を高めることもできる。   It is preferable that at least one of the bonding surfaces of the insulating base 2 and the metal flat plate 4 has a larger surface roughness than the opposite surface. Thereby, the surface area of the joining surface between the insulating base 2 and the metal flat plate 4 can be increased, and the joining strength between the insulating base 2 and the metal flat plate 4 can be increased. In addition, since the surface area of the joint surface between the insulating base 2 and the metal flat plate 4 can be increased, the heat transfer from the insulating base 2 to the metal flat plate 4 can be enhanced.

撮像素子搭載用基板1の撮像素子搭載部13には、撮像素子10が搭載されている。撮像素
子10は例えば、CCD型撮像素子またはCMOS型撮像素子である。図1に示す例においては、撮像素子10の各電極は、接続部材12(ボンディングワイヤ)によって撮像素子接続用パッド3に電気的に接続されている。接続部材12は、ボンディングワイヤ以外にも金バンプまたはハンダ等が使用される。
An image sensor 10 is mounted on the image sensor mounting portion 13 of the image sensor mounting substrate 1. The image sensor 10 is, for example, a CCD image sensor or a CMOS image sensor. In the example shown in FIG. 1, each electrode of the image sensor 10 is electrically connected to the image sensor connection pad 3 by a connecting member 12 (bonding wire). As the connection member 12, a gold bump or solder is used in addition to the bonding wire.

図1において、撮像素子10は発熱部Tを有している。また、発熱部Tを有する撮像素子10が、発熱部Tが第1領域5aまたは第2領域5bのいずれか一方側に位置するように、撮像素子搭載部13に実装されていても良い。図1に示す例においては、発熱部Tが第1領域5a側に位置している。なお、図1においては、第2領域5b側にも発熱箇所tは存在しているが、全体の発熱量が最大となる側を主発熱部として「発熱部T」と呼ぶ。全体の発熱量が最大となる場合とは、例えば、発熱箇所tの数が最大となる場合や、数は同一でも発熱箇所tの表面積が最大となる場合である。発熱部T(発熱箇所t)は、撮像素子10の受光部(図示せず)で変換された電気を信号処理する信号処理部(信号転送部や増幅回路部等を含む)である。   In FIG. 1, the image sensor 10 has a heat generating portion T. Further, the image pickup device 10 having the heat generating portion T may be mounted on the image pickup device mounting portion 13 so that the heat generating portion T is located on one side of the first region 5a or the second region 5b. In the example shown in FIG. 1, the heat generating portion T is located on the first region 5a side. In FIG. 1, the heat generation point t is also present on the second region 5 b side, but the side having the maximum overall heat generation amount is referred to as a “heat generation portion T” as the main heat generation portion. The case where the total heat generation amount is maximum is, for example, the case where the number of heat generation points t is maximum, or the case where the surface area of the heat generation point t is maximum even if the number is the same. The heat generating part T (heat generating point t) is a signal processing part (including a signal transfer part, an amplifier circuit part, etc.) that performs signal processing on electricity converted by a light receiving part (not shown) of the image sensor 10.

図1に示す例のように、発熱部Tが第1領域5a側に位置し、第1領域5aの面積が、第2領域5bの面積より大きいことが好ましい。この場合、発熱部Tで発生した熱の多くを、第2領域5bよりも面積の大きい第1領域5aから外部に逃がすことができる。一方、第2領域5bは第1領域5aよりも面積が小さいので第1領域5aほど多くの熱を外部に逃がすことはない。よって、撮像素子10において、発熱部Tが存在し熱が高くなりやすい第1領域5a側では効率的に放熱し、もともと発熱部Tほど熱が高くない第2領域5b側では第1領域5a側ほど放熱させないことから、撮像素子10内部の温度を全体的に均一な状態に近づけることができる。   As in the example shown in FIG. 1, it is preferable that the heat generating portion T is located on the first region 5a side and the area of the first region 5a is larger than the area of the second region 5b. In this case, most of the heat generated in the heat generating portion T can be released to the outside from the first region 5a having a larger area than the second region 5b. On the other hand, since the area of the second region 5b is smaller than that of the first region 5a, more heat is not released outside as much as the first region 5a. Therefore, in the imaging element 10, heat is efficiently radiated on the first region 5a side where the heat generating portion T is present and heat is likely to be high, and on the second region 5b side where heat is originally not as high as the heat generating portion T is on the first region 5a side. Since the heat is not so radiated, the temperature inside the image pickup device 10 can be brought close to a uniform state as a whole.

次に、本実施形態の撮像素子搭載用基板1の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the image pick-up element mounting substrate 1 of this embodiment is demonstrated.

(1)まず、絶縁基体2を構成する枠部2aおよび基部2bとなるセラミックグリーンシートを形成する。例えば、酸化アルミニウム(Al)質焼結体である絶縁基体2を得る場合には、Alの粉末に焼結助材としてシリカ(SiO),マグネシア(MgO)またはカルシア(CaO)等の粉末を添加し、さらに適当なバインダー、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。 (1) First, a ceramic green sheet that forms the frame 2a and the base 2b constituting the insulating base 2 is formed. For example, in the case of obtaining an insulating base 2 that is an aluminum oxide (Al 2 O 3 ) -based sintered body, silica (SiO 2 ), magnesia (MgO), or calcia (as a sintering aid) is added to Al 2 O 3 powder. A powder such as CaO) is added, an appropriate binder, a solvent and a plasticizer are added, and then the mixture is kneaded to form a slurry. Thereafter, a ceramic green sheet for multi-piece production is obtained by a conventionally known forming method such as a doctor blade method or a calender roll method.

なお、絶縁基体2が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等によって成形することによって絶縁基体2を形成することができる。また、絶縁基体2は、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。この場合には、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって絶縁基体2を形成できる。   When the insulating substrate 2 is made of, for example, a resin, the insulating substrate 2 can be formed by molding by a transfer molding method or an injection molding method using a mold that can be molded into a predetermined shape. . The insulating substrate 2 may be a substrate made of glass fiber impregnated with resin, such as glass epoxy resin. In this case, the insulating substrate 2 can be formed by impregnating a base material made of glass fiber with an epoxy resin precursor and thermosetting the epoxy resin precursor at a predetermined temperature.

(2)スクリーン印刷法等によって、得られたセラミックグリーンシートに撮像素子接続用パッド3や内部配線導体、外部端子9となる部分に金属ペーストを塗布および充填する。この金属ペーストは、絶縁基体2となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、段差に設けられる撮像素子接続用パッド3、絶縁基体2の下面または内部となる部位に設けられる外部端子9、もしくは内部配線、貫通導体を含む配線導体が形成される。この金属ペーストは、タングステン,モリブデン,マンガン,銀または銅等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、絶縁基体2との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。   (2) A metal paste is applied and filled into the ceramic green sheet obtained by screen printing or the like on the portions to be the imaging device connection pads 3, the internal wiring conductors, and the external terminals 9. This metal paste is fired at the same time as the ceramic green sheet to be the insulating base 2, so that the imaging element connecting pad 3 provided at the step, the external terminal 9 provided on the lower surface or inside the insulating base 2, or the internal Wiring conductors including wiring and through conductors are formed. This metal paste is prepared by adjusting an appropriate viscosity by adding an appropriate solvent and a binder to a metal powder such as tungsten, molybdenum, manganese, silver or copper and kneading. The metal paste may contain glass or ceramics in order to increase the bonding strength with the insulating substrate 2.

(3)各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層して加圧することによりセラミックグリーンシート積層体を作製する。   (3) A ceramic green sheet laminate is produced by laminating and pressing the ceramic green sheets to be the respective insulating layers.

(4)このセラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、枠部2aと基部2bとを含む絶縁基体2が複数配列された多数個取り基板を得る。なお、この工程によって、前述した金属ペーストは、撮像素子接続用パッド3、外部端子9、または配線導体となる。   (4) The ceramic green sheet laminate is fired at a temperature of about 1500 to 1800 ° C. to obtain a multi-piece substrate in which a plurality of insulating substrates 2 including a frame portion 2a and a base portion 2b are arranged. By this step, the above-described metal paste becomes the image sensor connection pad 3, the external terminal 9, or the wiring conductor.

(5)焼成して得られた多数個取り基板を複数の絶縁基体2に分断する。この分断においては、絶縁基体2の外縁となる箇所に沿って多数個取り基板に分割溝を形成しておき、この分割溝に沿って破断させて分割する方法、またはスライシング法等により絶縁基体2の外縁となる箇所に沿って切断する方法等を用いることができる。なお、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り基板用のセラミックグリーンシート積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置によりセラミックグリーンシート積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。   (5) The multi-piece substrate obtained by firing is divided into a plurality of insulating bases 2. In this division, a dividing groove is formed in a multi-piece substrate along a portion serving as an outer edge of the insulating substrate 2, and the insulating substrate 2 is divided by a method of breaking and dividing along the dividing groove or a slicing method. The method etc. which cut | disconnect along the location used as the outer edge of can be used. The dividing groove can be formed by cutting the multi-cavity substrate smaller than the thickness of the multi-piece substrate after firing, but the cutter blade can be pressed against the ceramic green sheet laminate for the multi-piece substrate, or the slicing device May be formed by cutting smaller than the thickness of the ceramic green sheet laminate.

(6)絶縁基体2の主面に接合される金属平板4を用意する。金属平板4は、金属からなる板材に、従来周知のスタンピング金型を用いた打ち抜き加工やエッチング加工等により、中央部の開口または外周部の貫通孔6、または切欠き7を形成することによって作製される。しかる後、金属平板4がFe−Ni−Co合金や42アロイ,Cu,銅合金等の金属から成る場合には、その表面にニッケルめっき層および金めっき層を被着してもよい。これにより、金属平板4の表面の酸化腐食を有効に防止することができる。   (6) A metal flat plate 4 to be bonded to the main surface of the insulating base 2 is prepared. The metal flat plate 4 is produced by forming a central opening or an outer peripheral through-hole 6 or a notch 7 on a metal plate material by punching or etching using a conventionally known stamping mold. Is done. Thereafter, when the metal flat plate 4 is made of a metal such as Fe—Ni—Co alloy, 42 alloy, Cu, or copper alloy, a nickel plating layer and a gold plating layer may be deposited on the surface thereof. Thereby, the oxidative corrosion of the surface of the metal flat plate 4 can be effectively prevented.

(7)接合部材を介して、金属平板4を絶縁基体2に接合する工程。この工程では、ペースト状の熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法やディスペンス法等で絶縁基体2または金属平板4のいずれか一方の接合面に塗布しトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等で乾燥させた後、絶縁基体2と金属平板4とを重ねた状態でトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させ約150℃で約90分間、加熱することで接合部材を完全に熱硬化させ、絶縁基
板2と金属平板4とを強固に接着させる。
(7) A step of bonding the metal flat plate 4 to the insulating base 2 via the bonding member. In this step, a paste-like thermosetting resin is applied to one of the joint surfaces of the insulating substrate 2 or the metal flat plate 4 by a screen printing method, a dispensing method, or the like, and dried in a tunnel type atmosphere furnace or oven. Then, the insulating substrate 2 and the metal flat plate 4 are overlapped and passed through a tunnel-type atmosphere furnace or oven, and heated at about 150 ° C. for about 90 minutes to completely thermoset the joining member, and the insulating substrate 2 And the metal flat plate 4 are firmly bonded.

このとき、例えば、金属平板4に設けられた貫通孔6と絶縁基体2の枠部2aとを基準とすることで、接合の際の位置合わせを容易とすることができる。また撮像素子搭載用基板1に撮像素子10を実装する際や、撮像装置にレンズ筐体等を実装する際においても同じ貫通孔6を位置合わせ用の穴として用いることで絶縁基体2と金属平板4、絶縁基体2と撮像素子10、金属平板4とレンズ筐体、撮像素子10とレンズ筐体との位置合わせが容易となり、撮像素子10の光軸を容易に合わせることができる為好ましい。また、貫通孔6と同様に例えば、金属平板4に設けられた切欠き7と撮像素子搭載用基板1の枠部2aとを基準とすることも可能である。   At this time, for example, by using the through hole 6 provided in the metal flat plate 4 and the frame portion 2a of the insulating base 2 as a reference, alignment at the time of joining can be facilitated. In addition, when mounting the imaging element 10 on the imaging element mounting substrate 1 or when mounting a lens housing or the like on the imaging device, the same through hole 6 is used as an alignment hole so that the insulating base 2 and the metal flat plate are used. 4. Insulating substrate 2 and image sensor 10, metal flat plate 4 and lens housing, image sensor 10 and lens housing can be easily aligned, and the optical axis of image sensor 10 can be easily aligned. Similarly to the through hole 6, for example, the notch 7 provided in the metal flat plate 4 and the frame portion 2 a of the imaging element mounting substrate 1 can be used as a reference.

接合部材は、例えばビスフェノールA型液状エポキシ樹脂,ビスフェノールF型液状エポキシ樹脂,フェノールノボラック型液状樹脂等からなる主剤に、球状の酸化珪素等から成る充填材,テトラヒドロメチル無水フタル酸等の酸無水物などを主とする硬化剤および着色剤としてカーボン紛末等を添加し遠心攪拌機等を用いて混合,混練してペースト状とすることによって得られる。   The joining member is, for example, a main agent made of bisphenol A type liquid epoxy resin, bisphenol F type liquid epoxy resin, phenol novolac type liquid resin, etc., a filler made of spherical silicon oxide or the like, or an acid anhydride such as tetrahydromethylphthalic anhydride. It is obtained by adding a carbon powder or the like as a curing agent mainly composed of, etc., and mixing and kneading using a centrifugal stirrer or the like to obtain a paste.

また、接合部材としては、この他にも例えばビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールA変性エポキシ樹脂,ビスフェノールF型エポキシ樹脂,フェノールノボラック型エポキシ樹脂,クレゾールノボラック型エポキシ樹脂,特殊ノボラック型エポキシ樹脂
,フェノール誘導体エポキシ樹脂,ビスフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂にイミダゾール系やアミン系,リン系,ヒドラジン系,イミダゾールアダクト系,アミンアダクト系,カチオン重合系,ジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもの等を使用することができる。
In addition, as the joining member, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol A modified epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, special novolac type epoxy resin, phenol derivative Uses epoxy resins such as epoxy resins and bisphenol skeleton type epoxy resins with curing agents such as imidazole, amine, phosphorus, hydrazine, imidazole adduct, amine adduct, cationic polymerization, dicyandiamide, etc. can do.

また、接合部材は、樹脂以外にも低融点ガラスを用いることができる。低融点ガラスは、例えば、酸化鉛56〜66質量%、酸化硼素4〜14質量%、酸化珪素1〜6質量%および酸化亜鉛1〜11質量%を含むガラス成分に、フィラーとして酸化ジルコニウムシリカ系化合物を4〜15質量%添加したものが用いられる。これらの組成を有するガラス粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合してガラスペーストを得る。このガラスペーストを従来周知のスクリーン印刷法により絶縁基体2や金属平板4のいずれか一方の接合面に所定厚みに積層印刷塗布し、これを約430℃の温度で焼成することによって前述の絶縁基板2または金
属平板4の表面に接合部材が固着される。この後、金属平板4と絶縁基板2とを重ねた状態でトンネル式の雰囲気炉またはオーブン等に通炉させ約470℃に加熱することで接合部
材を溶融して固着させ、絶縁基板2と金属平板4とを強固に接合して撮像素子搭載用基板1を作製する。
Moreover, low melting glass can be used for a joining member besides resin. The low-melting glass is composed of, for example, zirconium oxide silica as a filler in a glass component containing 56 to 66% by mass of lead oxide, 4 to 14% by mass of boron oxide, 1 to 6% by mass of silicon oxide, and 1 to 11% by mass of zinc oxide. What added 4-15 mass% of compounds is used. A glass paste is obtained by adding and mixing an appropriate organic solvent and solvent to the glass powder having these compositions. The above-mentioned insulating substrate is obtained by laminating and printing this glass paste to a predetermined thickness on the joining surface of either the insulating base 2 or the metal flat plate 4 by a well-known screen printing method and firing it at a temperature of about 430 ° C. The joining member is fixed to the surface of 2 or the metal flat plate 4. Thereafter, the metal plate 4 and the insulating substrate 2 are overlapped with each other and passed through a tunnel-type atmosphere furnace or oven and heated to about 470 ° C. to melt and fix the bonding member. The image sensor mounting substrate 1 is manufactured by firmly joining the flat plate 4.

上記(1)〜(7)の工程によって、撮像素子搭載用基板1が得られる。   Through the steps (1) to (7), the image sensor mounting substrate 1 is obtained.

このようにして形成された撮像素子搭載用基板1の撮像素子搭載部13には撮像素子10が実装され、撮像素子10が実装された撮像素子搭載用基板1が外部回路基板(図示せず)に搭載されることにより、撮像素子10が撮像素子接続用パッド3、外部端子9などを介して外部回路基板に電気的に接続される。   An imaging element 10 is mounted on the imaging element mounting portion 13 of the imaging element mounting board 1 formed in this manner, and the imaging element mounting board 1 on which the imaging element 10 is mounted is an external circuit board (not shown). As a result, the image sensor 10 is electrically connected to the external circuit board via the image sensor connection pad 3, the external terminal 9, and the like.

(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、図2を参照しつつ説明する。
(Second Embodiment)
Next, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、上記した第1の実施形態の撮像装置と異なる点は、図2に示された例のように、第2領域5bに貫通孔6および切り欠き7が設けられておらず、第1領域5aのみに貫通孔6および切り欠き7が設けられている点である。第1領域5aが第2領域5bよりも面積が大きく、かつ、発熱部Tが第1領域5a側に位置しているので、第1領域5aからの放熱量が第2領域5bからの放熱量に比べて大きくなり、撮像素子10が均熱化する。よって、画像の伸びが撮像素子10全体で熱分布の偏りを抑えることができるので質の高い画像を出力することができる。   The imaging apparatus according to the present embodiment is different from the imaging apparatus according to the first embodiment described above in that a through hole 6 and a notch 7 are provided in the second region 5b as in the example shown in FIG. In other words, the through hole 6 and the notch 7 are provided only in the first region 5a. Since the first region 5a has a larger area than the second region 5b and the heat generating portion T is located on the first region 5a side, the heat radiation amount from the first region 5a is the heat radiation amount from the second region 5b. The image sensor 10 is soaked in temperature. Therefore, since the expansion of the image can suppress the bias of the heat distribution in the entire image sensor 10, a high-quality image can be output.

(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態による撮像素子搭載用基板1について、図3を参照しつつ説明する。
(Third embodiment)
Next, an image sensor mounting substrate 1 according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、上記した第1の実施形態の撮像装置と異なる点は、金属平板4の形状と、絶縁基体2と金属平板4との接合箇所である。   The imaging device according to the present embodiment is different from the imaging device according to the first embodiment described above in the shape of the metal flat plate 4 and the joint location between the insulating base 2 and the metal flat plate 4.

図3に示された例のように絶縁基体2は枠部2aを有しておらず基部2bのみを有する構成であり、金属平板4は基部2bの上面に設けられている。また、基部2bと開口を有する金属平板4とにより、撮像素子10を収納する凹部8が形成されている。第3の実施形態においては、第1の領域5aの面積は第2の領域5bの面積より大きい。このような構成をとることで、撮像素子10から金属平板4までの伝熱経路から枠部2aを省略できるので、撮像素子10から金属平板4までの伝熱経路が短くなる。よって、より撮像素子10の熱の放熱性を高めることが可能となる。そのため、撮像素子10内部の熱分布の偏りを抑えつ
つ、全体の温度が高くなることを低減させることができ、受光した画像に不具合が発生することを低減することが可能となる。
As in the example shown in FIG. 3, the insulating base 2 does not have the frame portion 2a but has only the base portion 2b, and the metal flat plate 4 is provided on the upper surface of the base portion 2b. A recess 8 that houses the image sensor 10 is formed by the base 2b and the metal flat plate 4 having an opening. In the third embodiment, the area of the first region 5a is larger than the area of the second region 5b. By adopting such a configuration, the frame portion 2a can be omitted from the heat transfer path from the image pickup element 10 to the metal flat plate 4, so that the heat transfer path from the image pickup element 10 to the metal flat plate 4 is shortened. Therefore, it is possible to further improve the heat dissipation of the image sensor 10. Therefore, it is possible to reduce an increase in the overall temperature while suppressing unevenness of the heat distribution inside the image pickup device 10, and it is possible to reduce the occurrence of defects in the received image.

また、図3に示された例のように、金属平板4が角部41、42、43、44を有し、絶縁基体2が角部21,22,23,24を有している場合に、金属平板4の角部41、43が、絶縁基体2の角部21、23の延長線上に位置しており、金属平板4の角部42、44が、絶縁基体2の角部22、24を結ぶ対角線の延長線上に位置していることが好ましい。これにより、撮像素子10の実装時やレンズ筐体を実装する際に位置合わせが容易となり、ズレ等を低減させることができる。   Further, as in the example shown in FIG. 3, when the metal flat plate 4 has corner portions 41, 42, 43, 44 and the insulating substrate 2 has corner portions 21, 22, 23, 24. The corners 41 and 43 of the metal flat plate 4 are located on the extension lines of the corners 21 and 23 of the insulating base 2, and the corners 42 and 44 of the metal flat plate 4 are the corners 22 and 24 of the insulating base 2. It is preferable that it is located on the extended line of the diagonal line which connects. This facilitates alignment when mounting the image sensor 10 or when mounting the lens housing, and can reduce misalignment and the like.

(第4の実施形態)
次に、本発明の第4の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、図4を参照しつつ説明する。
(Fourth embodiment)
Next, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における図4に示す例の撮像装置において、上記した第1の実施形態の撮像装置と異なる点は、絶縁基体2が基部2bを有さず枠部2aのみを有している点、絶縁基体2における金属平板4との接合主面とは反対側の主面に撮像素子接続用パッド3が設けられている点である。第4の実施形態においては、第1の領域5aの面積は、第2の領域5bの面積よりも小さい。なお、本実施形態において蓋体11は図示していない。このような構成をとることで、撮像素子接続用パッド3および接続部材12を介して枠部2aに接続されるので、発熱部Tから発生した熱が撮像素子10から、絶縁基体2へ伝わる熱を少量とすることができる為、撮像素子10の発熱部Tから発生した熱を撮像素子10内部へ籠らせることが容易となり、撮像素子1Oを全体的に均一な温度となりやすくなる。そのため、撮像素子10内部の熱分布の偏りを抑えることができ、受光した画像に不具合が発生することを低減することが可能となる。   In the imaging device of the example shown in FIG. 4 in the present embodiment, the difference from the imaging device of the first embodiment described above is that the insulating base 2 does not have the base portion 2b but has only the frame portion 2a. The imaging element connection pad 3 is provided on the main surface of the insulating base 2 opposite to the main surface bonded to the metal flat plate 4. In the fourth embodiment, the area of the first region 5a is smaller than the area of the second region 5b. In the present embodiment, the lid 11 is not shown. By adopting such a configuration, the heat is transmitted from the image sensor 10 to the insulating base 2 from the image sensor 10 because the image sensor connection pad 3 and the connection member 12 are connected to the frame 2a. Therefore, it is easy to dissipate the heat generated from the heat generating portion T of the image sensor 10 into the image sensor 10, and the image sensor 10 tends to have a uniform temperature as a whole. Therefore, it is possible to suppress the deviation of the heat distribution inside the image sensor 10, and to reduce the occurrence of defects in the received image.

また、図4に示す例のように、発熱部Tが第1領域5a側に位置し、第1領域5aの面積が、第2領域5bの面積より小さいと、発熱部Tで発生した熱が第1領域5aから放熱されることを抑制できるので発熱部Tでの発生した熱を、第1領域5aより面積の大きい第2領域5bの方へと移動させることにより、撮像素子10全体が均熱化される。従って、撮像素子10内部の熱分布の偏りを低減させることとなり、受光した画像に不具合が発生することを低減することが可能となる。   Further, as in the example shown in FIG. 4, if the heat generating portion T is located on the first region 5a side and the area of the first region 5a is smaller than the area of the second region 5b, the heat generated in the heat generating portion T is generated. Since the heat radiation from the first region 5a can be suppressed, the heat generated in the heat generating portion T is moved toward the second region 5b having a larger area than the first region 5a, so that the entire image pickup device 10 is uniformly distributed. Heated. Therefore, it is possible to reduce the deviation of the heat distribution inside the image sensor 10, and to reduce the occurrence of defects in the received image.

(第5の実施形態)
次に、本発明の第5の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、図5を参照しつつ説明する。
(Fifth embodiment)
Next, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、上記した第1の実施形態の撮像素子搭載用基板1と異なる点は、補助貫通孔6aを有する点と、絶縁基体2と金属平板4との接合位置である。なお、本実施形態では蓋体11は図示していない。図5に示す例では、金属平板4を絶縁基体2の基部2bの下面と接合することで、枠部2aの上面と接合する時に比べて、撮像素子搭載用基板1全体的な放熱の効果を大きくすることが可能となる。このことから、撮像素子10内部の熱分布の偏りを抑えつつ、撮像素子搭載用基板1全体の温度が高くなることを低減させることができ、受光した画像に不具合が発生することを低減することが可能となる。   In the imaging apparatus according to the present embodiment, the difference from the imaging element mounting substrate 1 according to the first embodiment described above is that the auxiliary through-hole 6a is provided and the joining position between the insulating base 2 and the metal flat plate 4 is different. In the present embodiment, the lid 11 is not shown. In the example shown in FIG. 5, the metal flat plate 4 is bonded to the lower surface of the base portion 2 b of the insulating base 2, so that the overall heat radiation effect of the image pickup device mounting substrate 1 can be improved as compared with the case of bonding to the upper surface of the frame portion 2 a. It becomes possible to enlarge. From this, it is possible to reduce the increase in temperature of the entire image pickup device mounting substrate 1 while suppressing unevenness of the heat distribution inside the image pickup device 10, and to reduce the occurrence of defects in the received image. Is possible.

また、金属平板4は絶縁基体2の外周に沿って補助貫通孔6aを有していると、撮像素子10からの熱で金属平板4が膨張することで発生する金属平板4の変形を、貫通孔6aによって吸収することができる。よって、補助貫通孔6aよりも外側の貫通孔6aや切欠き7の大きさや形状の変形を低減させることができる。そのため、撮像素子10の作動時に発
熱する熱によって金属平板4が変形しレンズ筐体と撮像素子10の光軸とのズレが生じることを低減させることができる。このとき、図5に示すように、金属平板4に設けられる補助貫通孔6aは楕円形状または平行な辺を有する長円形状であることが好ましい。これは、円形状の補助貫通孔6aに比べて、絶縁基体2周辺の金属平板4の熱収縮による変形を補助貫通孔6aよりも外側へ伝搬させにくいからである。
Further, when the metal flat plate 4 has the auxiliary through holes 6 a along the outer periphery of the insulating base 2, the deformation of the metal flat plate 4 caused by the expansion of the metal flat plate 4 due to the heat from the imaging element 10 is penetrated. It can be absorbed by the holes 6a. Therefore, it is possible to reduce deformation of the size and shape of the through hole 6a and the notch 7 outside the auxiliary through hole 6a. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of a displacement between the lens housing and the optical axis of the image sensor 10 due to the deformation of the metal flat plate 4 due to the heat generated during the operation of the image sensor 10. At this time, as shown in FIG. 5, it is preferable that the auxiliary through-hole 6a provided in the metal flat plate 4 has an elliptical shape or an elliptical shape having parallel sides. This is because deformation due to thermal contraction of the metal flat plate 4 around the insulating base 2 is less likely to propagate outward than the auxiliary through-hole 6a, compared to the circular auxiliary through-hole 6a.

(第6の実施形態)
次に、本発明の第6の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、図6を参照しつつ説明する。
(Sixth embodiment)
Next, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、上記した第1の実施形態の撮像素子搭載用基板1と異なる点は、絶縁基体2と金属平板4の接合箇所および金属平板4の形状、貫通孔6の位置である。なお、本実施形態では蓋体11は図示していない。図6に示された例のように、撮像素子搭載用基板1は、基部2bを有さず枠部2aのみを有する絶縁基体2が金属平板4の上面に接合され、凹部8が形成されている。このような構成をとることで、撮像素子10を、凹部8の底面である金属平板4の上面に直接実装するので放熱をコントロールしやすくなり、撮像素子10内部の熱分布の偏りを抑えつつ、全体の温度が高くなることをより低減させることができ、受光した画像に不具合が発生することを低減することが可能となる。   In the imaging apparatus according to the present embodiment, the difference from the imaging element mounting substrate 1 according to the first embodiment described above is in the joining portion of the insulating base 2 and the metal flat plate 4, the shape of the metal flat plate 4, and the position of the through hole 6. is there. In the present embodiment, the lid 11 is not shown. As in the example shown in FIG. 6, the imaging device mounting substrate 1 has the insulating base 2 having only the frame portion 2 a without the base portion 2 b bonded to the upper surface of the metal flat plate 4 to form the recess 8. Yes. By adopting such a configuration, the image pickup device 10 is directly mounted on the upper surface of the metal flat plate 4 that is the bottom surface of the recess 8, so that it is easy to control heat dissipation, and while suppressing the bias of the heat distribution inside the image pickup device 10, It is possible to further reduce the increase in the overall temperature, and it is possible to reduce the occurrence of defects in the received image.

また、撮像素子10を金属平板4に実装する際は、熱伝導率の高い銀エポキシ等の実装部材を用いることが好ましい。これは、熱伝導率の大きい実装部材を用いることで、放熱性をより高めることが可能となるためである。   Further, when mounting the imaging element 10 on the metal flat plate 4, it is preferable to use a mounting member such as silver epoxy having a high thermal conductivity. This is because heat dissipation can be further improved by using a mounting member having a high thermal conductivity.

また、図6に示された例のように、金属平板4の外辺に沿って切欠き7を連続して設けると、これは外側領域5の表面積を増加させ、放熱性をより高めることができるからである。   Moreover, when the notch 7 is continuously provided along the outer side of the metal flat plate 4 as in the example shown in FIG. 6, this increases the surface area of the outer region 5 and further improves the heat dissipation. Because it can.

また、第6の実施形態において、撮像素子搭載部13は、撮像素子10を収容している絶縁基体2の内部空間である。   In the sixth embodiment, the image sensor mounting portion 13 is an internal space of the insulating base 2 that houses the image sensor 10.

(第7の実施形態)
次に、本発明の第7の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、図7を参照しつつ説明する。
(Seventh embodiment)
Next, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、前述の第6の実施形態の撮像素子搭載用基板1と異なる点は、金属平板4が、y方向の正側および負側において、外側領域5を有さない点である。   The imaging apparatus according to the present embodiment is different from the imaging element mounting substrate 1 of the sixth embodiment described above in that the metal flat plate 4 does not have the outer region 5 on the positive side and the negative side in the y direction. It is.

図7に示す例においては、金属平板4の外側領域5は、x方向の正側および負側において、第1領域5a、第2領域5bを有する。また、発熱部Tは、第1領域5a側に位置し、第1領域5aの面積は、第2領域2bの面積より大きいので、第1領域5a側において第2領域2b側より効率の良い放熱を行い、撮像素子10の温度分布の偏りを抑制できる。   In the example shown in FIG. 7, the outer region 5 of the metal flat plate 4 has a first region 5a and a second region 5b on the positive side and the negative side in the x direction. Further, since the heat generating portion T is located on the first region 5a side and the area of the first region 5a is larger than the area of the second region 2b, the heat radiation is more efficient on the first region 5a side than on the second region 2b side. The temperature distribution of the image sensor 10 can be suppressed.

また、図7に示す例のように、金属平板4は、y方向の正側および負側において、外側領域5を有さないので、小型化及び軽量化を図ることができる。   Further, as in the example shown in FIG. 7, the metal flat plate 4 does not have the outer region 5 on the positive side and the negative side in the y direction, so that the size and weight can be reduced.

(第8の実施形態)
次に、本発明の第8の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、
図8を参照しつつ説明する。
(Eighth embodiment)
Next, the imaging device mounting substrate 1 and the imaging apparatus according to the eighth embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、前述の第6の実施形態の撮像素子搭載用基板1と異なる点は、金属平板4が、y方向の負側およびx方向の正側において、外側領域5を有さない点である。この構成によって小型化を図ることができる。   The imaging apparatus according to the present embodiment is different from the imaging element mounting substrate 1 of the sixth embodiment described above in that the metal flat plate 4 has an outer region 5 on the negative side in the y direction and the positive side in the x direction. It is a point not to do. This configuration can reduce the size.

図8に示す例においても、発熱部Tは、第1領域5a側に位置し、第1領域5aの面積は、第2領域2bの面積より大きいので、第1領域5a側において第2領域2b側より効率の良い放熱を行い、撮像素子10の温度分布の偏りを抑制できる。   Also in the example shown in FIG. 8, the heat generating portion T is located on the first region 5a side, and the area of the first region 5a is larger than the area of the second region 2b. Therefore, the second region 2b on the first region 5a side. Efficient heat dissipation can be performed from the side, and deviation of the temperature distribution of the image sensor 10 can be suppressed.

また、本実施形態における撮像装置のように、発熱部Tを囲むように外側領域5を設けることで、効率的に放熱を行うことができ、また発熱部Tを有さない箇所(図では絶縁基体2の中心に対して点対称となる箇所)は外側領域5を設けていないことから発熱部Tを有さない箇所からの放熱を妨げることで、撮像装置の均熱化を良好に行うことが可能となる。   In addition, as in the imaging device according to the present embodiment, by providing the outer region 5 so as to surround the heat generating portion T, heat can be efficiently radiated, and a portion that does not have the heat generating portion T (insulated in the drawing). Since the outer region 5 is not provided in the point symmetric with respect to the center of the base body 2, heat radiation from the part that does not have the heat generating portion T is prevented, so that the temperature of the imaging device can be satisfactorily improved. Is possible.

(第9の実施形態)
次に、本発明の第9の実施形態による撮像素子搭載用基板1および撮像装置について、図9を参照しつつ説明する。
(Ninth embodiment)
Next, an imaging element mounting substrate 1 and an imaging apparatus according to a ninth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本実施形態における撮像装置において、前述の第7の実施形態の撮像素子搭載用基板1と異なる点は、金属平板4が、y方向の正側および負側において、外側領域5を有する点、および外部端子9が第1の辺2A側の絶縁基体2の上面に設けられている点である。外部端子9に外部フレキシブル基板等を接続した際に、発熱部Tから発生した熱は、第1領域5aからだけでなく、外部フレキシブル基板等にも伝わることによって放熱される。   In the imaging apparatus according to the present embodiment, the difference from the imaging element mounting substrate 1 according to the seventh embodiment described above is that the metal flat plate 4 has outer regions 5 on the positive side and the negative side in the y direction, and The external terminal 9 is provided on the upper surface of the insulating base 2 on the first side 2A side. When an external flexible board or the like is connected to the external terminal 9, heat generated from the heat generating portion T is dissipated by being transmitted not only from the first region 5a but also to the external flexible board and the like.

なお、本発明は上述の実施形態の例に限定されるものではなく、種々の変形は可能である。   In addition, this invention is not limited to the example of the above-mentioned embodiment, A various deformation | transformation is possible.

また、例えば、絶縁基体2の枠部の開口の形状は矩形状でなく円形状やその他の多角形状であってもかまわない。   Further, for example, the shape of the opening of the frame portion of the insulating base 2 may be a circular shape or other polygonal shape instead of a rectangular shape.

また、本実施形態における撮像素子接続用パッド3、外部端子9の配置、数、形状などは指定されない。   In addition, the arrangement, number, shape, and the like of the image sensor connection pad 3 and the external terminal 9 in the present embodiment are not specified.

また、本実施形態における金属平板4の外側領域5の形状、配置、面積、個数などは指定されない。   In addition, the shape, arrangement, area, number, and the like of the outer region 5 of the metal flat plate 4 in this embodiment are not specified.

1・・・・・撮像素子搭載用基板
2・・・・・絶縁基体
2a・・・・枠部
2b・・・・基部
2A・・・・第1の辺
2B・・・・第2の辺
2C・・・・第3の辺
2D・・・・第4の辺
3・・・・・撮像素子接続用パッド
4・・・・・金属平板
5・・・・・外側領域
5a・・・・第1領域
5b・・・・第2領域
6・・・・・貫通孔
6a・・・・補助貫通孔
7・・・・・切欠き
8・・・・・凹部
9・・・・・外部端子
10・・・・撮像素子
11・・・・蓋体
12・・・・接続部材
13・・・・撮像素子搭載部
t・・・・・発熱箇所
T・・・・・発熱部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Image pick-up element mounting substrate 2 ... Insulation base 2a ... Frame part 2b ... Base 2A ... First side 2B ... Second side 2C... 3rd side 2D... 4th side 3... Image sensor connecting pad 4. 1st area | region 5b ... 2nd area | region 6 ... through-hole 6a ...... auxiliary through-hole 7 ... notch 8 ... recessed part 9 ... external terminal 10... Image sensor 11... Lid 12... Connection member 13.

Claims (7)

撮像素子搭載部を有し、上面視した際に該撮像素子搭載部を挟んで対向する第1の辺および第2の辺を有する絶縁基体と、
該絶縁基体の主面に設けられ、上面視した際に前記絶縁基体の外縁より外側に位置する外側領域を有する金属平板と
を有しており、
前記外側領域は、前記第1の辺側にある第1領域と、前記第2の辺側にある第2領域とを有し、
発熱部を有する撮像素子が、前記発熱部が前記第1領域または前記第2領域のいずれか一方側に位置するように、前記撮像素子搭載部に実装されるとともに、前記絶縁基体および前記金属平板の少なくとも一方の接合面はその反対側の面に比べて表面粗さが大きく、
前記第1領域及び前記第2領域は、互いに面積が異なる
撮像素子搭載用基板。
An insulating substrate having an image sensor mounting portion and having a first side and a second side facing each other across the image sensor mounting portion when viewed from above;
A metal flat plate provided on the main surface of the insulating base and having an outer region located outside the outer edge of the insulating base when viewed from above;
The outer region has a first region on the first side and a second region on the second side,
An image pickup device having a heat generating portion is mounted on the image pickup device mounting portion such that the heat generating portion is located on one side of the first region or the second region, and the insulating base and the metal flat plate The surface roughness of at least one of the joint surfaces is larger than that of the opposite surface,
The first region and the second region have different areas from each other.
前記発熱部が前記第1領域側に位置し、前記第1領域の面積が、前記第2領域の面積よ
り大きい
請求項に記載の撮像素子搭載用基板。
The imaging element mounting substrate according to claim 1 , wherein the heat generating portion is located on the first region side, and an area of the first region is larger than an area of the second region.
前記金属平板は、前記外側領域に貫通孔または切欠きを有する
請求項1または請求項2に記載の撮像素子搭載用基板。
The imaging element mounting substrate according to claim 1, wherein the metal flat plate has a through hole or a notch in the outer region.
前記貫通孔の少なくとも1つは円形状である
請求項3に記載の撮像素子搭載用基板。
The imaging device mounting substrate according to claim 3, wherein at least one of the through holes is circular.
前記貫通孔の少なくとも1つは、
楕円形状、または、平行な辺を有する長円形状であり、
前記切欠きの少なくとも1つは、
楕円形状、若しくは平行な辺を有する長円形状を切断した形状、またはU字形状である
請求項3に記載の撮像素子搭載用基板。
At least one of the through holes is
It is oval or oval with parallel sides,
At least one of the notches is
The imaging element mounting substrate according to claim 3, wherein the imaging element mounting substrate is an elliptical shape, a shape obtained by cutting an oval shape having parallel sides, or a U shape.
前記金属平板は、中央部に開口部を有しており、前記絶縁基体における前記撮像素子搭載部側の主面に接合されている
請求項1乃至請求項5のいずれか1つに記載の撮像素子搭載用基板。
The imaging according to any one of claims 1 to 5, wherein the metal flat plate has an opening at a center portion and is joined to a main surface of the insulating base on the imaging element mounting portion side. Device mounting board.
請求項1乃至請求項6のいずれか1つに記載の撮像素子搭載用基板と、
前記撮像素子搭載部に搭載された撮像素子と、
平面透視で前記撮像素子と重なる位置に配置された透明な蓋体と、
を有する
撮像装置。
The imaging device mounting substrate according to any one of claims 1 to 6,
An image sensor mounted on the image sensor mounting portion;
A transparent lid disposed in a position that overlaps the imaging element in a plan view,
An imaging apparatus.
JP2013262593A 2013-06-27 2013-12-19 Imaging device mounting substrate and imaging device Active JP6193753B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013262593A JP6193753B2 (en) 2013-06-27 2013-12-19 Imaging device mounting substrate and imaging device

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013135189 2013-06-27
JP2013135189 2013-06-27
JP2013262593A JP6193753B2 (en) 2013-06-27 2013-12-19 Imaging device mounting substrate and imaging device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015029244A JP2015029244A (en) 2015-02-12
JP6193753B2 true JP6193753B2 (en) 2017-09-06

Family

ID=52492676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013262593A Active JP6193753B2 (en) 2013-06-27 2013-12-19 Imaging device mounting substrate and imaging device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6193753B2 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6622583B2 (en) * 2015-12-21 2019-12-18 京セラ株式会社 Wiring board and electronic device
JP2019029725A (en) * 2017-07-26 2019-02-21 日本電産コパル株式会社 Imaging apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4169938B2 (en) * 2000-01-28 2008-10-22 Hoya株式会社 Solid-state image sensor holding block and solid-state image sensor mounting structure
JP5268236B2 (en) * 2006-07-20 2013-08-21 キヤノン株式会社 Imaging device and imaging unit
JP5060935B2 (en) * 2007-02-08 2012-10-31 オリンパスイメージング株式会社 Image sensor module and portable electronic device using the same
JP5540465B2 (en) * 2008-01-11 2014-07-02 株式会社ニコン Package body
JP5515223B2 (en) * 2008-02-12 2014-06-11 ソニー株式会社 Semiconductor device
JP6034590B2 (en) * 2012-04-27 2016-11-30 キヤノン株式会社 Solid-state imaging device and camera

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015029244A (en) 2015-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6068649B2 (en) Electronic device mounting substrate and electronic device
JP6208889B2 (en) Electronic device mounting substrate and electronic device
JP6502925B2 (en) Electronic device mounting substrate and electronic device
JP6732932B2 (en) Base for mounting image pickup element, image pickup device, and image pickup module
JP2015185622A (en) Electronic element mounting substrate and electronic device
JP6363495B2 (en) Electronic device mounting substrate and electronic device
JP6962746B2 (en) Image sensor mounting substrate, image pickup device and image pickup module
JP6677595B2 (en) Electronic element mounting substrate, electronic device, and electronic module
JP6141760B2 (en) Imaging device mounting substrate and imaging device
WO2017086222A1 (en) Substrate for electronic element mounting and electronic device
JP2015225892A (en) Substrate for mounting imaging element and imaging device
US20170351069A1 (en) Electronic component mounting package and electronic device
JP6193753B2 (en) Imaging device mounting substrate and imaging device
JP6626752B2 (en) Imaging device mounting substrate and imaging device
JP6499042B2 (en) Imaging device mounting substrate and imaging apparatus
JP6144578B2 (en) Imaging device mounting substrate and imaging device
JP2017152521A (en) Board for mounting image pick-up device and imaging device
JPWO2017110627A1 (en) Imaging device mounting substrate and imaging apparatus
JP6560076B2 (en) Imaging device
JP6193784B2 (en) Imaging device mounting substrate and imaging device
JP6418968B2 (en) Electronic component mounting package, electronic device and electronic module
JP6606008B2 (en) Imaging device mounting substrate, imaging device, and imaging module
JP6693754B2 (en) Imaging element mounting substrate and imaging device
JP2016103520A (en) Electronic component mounting package and electronic device
JP6400985B2 (en) Electronic element mounting substrate and electronic device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160219

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170203

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170510

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170711

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170810

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6193753

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150