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JP6190679B2 - Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

Substrate holding mechanism and substrate processing apparatus using the same Download PDF

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JP6190679B2
JP6190679B2 JP2013197123A JP2013197123A JP6190679B2 JP 6190679 B2 JP6190679 B2 JP 6190679B2 JP 2013197123 A JP2013197123 A JP 2013197123A JP 2013197123 A JP2013197123 A JP 2013197123A JP 6190679 B2 JP6190679 B2 JP 6190679B2
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祐也 都筑
祐也 都筑
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Description

この発明は、基板保持機構および基板処理装置に関し、特に、被処理基板をステージ上で昇降させることが可能な基板保持機構と、その基板保持機構を用いた基板処理装置に関する。   The present invention relates to a substrate holding mechanism and a substrate processing apparatus, and more particularly to a substrate holding mechanism capable of moving a substrate to be processed on a stage and a substrate processing apparatus using the substrate holding mechanism.

例えば、半導体ウエハ等の基板を回転ステージ上に載置し、この基板の表面に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置においては、回転ステージ上に基板を保持する必要がある。このような場合に用いられる基板保持機構として、一般に、基板の下面を真空吸着して保持する所謂バキュームチャックや、基板の端縁を挟持して保持する所謂メカニカルチャックが使用される。しかし処理対象の基板の厚みが薄い場合などには、これらの基板保持機構では、基板に損傷を与える可能性がある。   For example, in a substrate processing apparatus that places a substrate such as a semiconductor wafer on a rotary stage and supplies the processing liquid to the surface of the substrate to process the substrate, the substrate needs to be held on the rotary stage. As a substrate holding mechanism used in such a case, a so-called vacuum chuck that holds the lower surface of the substrate by vacuum suction or a so-called mechanical chuck that holds the edge of the substrate in between is used. However, when the substrate to be processed is thin, these substrate holding mechanisms may damage the substrate.

このため、基板の保持部と基板との間の空間に気体を噴出し、ベルヌーイ効果を利用して基板の保持部と基板との間の空間に負圧を生じさせることにより、基板を浮遊させて、基板を実質的に非接触で保持する方式のチャックも使用されている(特許文献1参照)。   For this reason, gas is blown into the space between the substrate holding part and the substrate, and the substrate is floated by generating a negative pressure in the space between the substrate holding part and the substrate using the Bernoulli effect. A chuck that holds the substrate in a substantially non-contact manner is also used (see Patent Document 1).

特開平1−240682号公報JP-A-1-240682

基板の表面に処理液を供給して基板を処理する場合に、処理液や処理液の雰囲気が基板の下面側に回り込み、基板を汚染する場合がある。このような場合において、例えば、基板の端縁を挟持して保持する所謂メカニカルチャックを使用した場合には、基板の下面に純水等の洗浄液を供給して基板の下面を洗浄する下面洗浄が実行されている。しかしながら、基板の保持面と基板との間の空間に気体を供給する方式のチャックを使用した場合においては、基板の下面側に常に気体が供給される構成であることから、このような下面洗浄を実施することは不可能である。   When processing a substrate by supplying a processing liquid to the surface of the substrate, the processing liquid or the atmosphere of the processing liquid may enter the lower surface side of the substrate and contaminate the substrate. In such a case, for example, when a so-called mechanical chuck that holds and holds the edge of the substrate is used, lower surface cleaning is performed by supplying a cleaning liquid such as pure water to the lower surface of the substrate to clean the lower surface of the substrate. It is running. However, when a chuck that supplies gas to the space between the holding surface of the substrate and the substrate is used, the gas is always supplied to the lower surface side of the substrate. It is impossible to implement.

このため、基板を処理液により処理する基板処理装置にこの種の方式のチャックを採用する場合には、基板の下面と回転ステージの表面とのクリアランスを小さくして、基板の下面側に処理液や処理液の雰囲気が回り込まない構造とする必要がある。一方、このような構造を採用した場合においては、基板を下方から支持して搬送するための搬送機構のハンド部を基板の下方に侵入させることができないことから、基板の端縁付近をその下面から支持する複数の昇降ピンにより基板を回転ステージの表面から上方に上昇させるためのリフトアップ機構を採用する必要が生ずる。   For this reason, when this type of chuck is used in a substrate processing apparatus for processing a substrate with a processing liquid, the clearance between the lower surface of the substrate and the surface of the rotary stage is reduced, and the processing liquid is placed on the lower surface side of the substrate. In addition, it is necessary to have a structure in which the atmosphere of the processing solution does not flow around. On the other hand, in the case of adopting such a structure, since the hand portion of the transport mechanism for supporting and transporting the substrate from below cannot enter the lower portion of the substrate, the vicinity of the edge of the substrate is placed on the lower surface thereof. Therefore, it is necessary to employ a lift-up mechanism for raising the substrate upward from the surface of the rotary stage by a plurality of lifting pins supported from above.

基板をその下面から複数の支持ピンで支持して昇降させる場合に、支持ピンと基板の有効利用面との接触を防止するため、支持ピンは基板の下面における端縁付近とのみ接触する構成が採用される。このような構成を採用した場合には、特に薄型の基板を処理するときに、基板が自重により湾曲状に変形して垂れた状態となる。基板にこのような変形が生じた場合には、基板が損傷し、または、基板の搬送時に基板が搬送機構のハンド部と接触するという問題が生ずる場合がある。   In order to prevent contact between the support pin and the effective use surface of the substrate when the substrate is supported by a plurality of support pins from the lower surface and lifted, a configuration in which the support pin is in contact only with the vicinity of the edge on the lower surface of the substrate is adopted. Is done. When such a configuration is adopted, particularly when a thin substrate is processed, the substrate is deformed into a curved shape due to its own weight and hangs down. When such deformation occurs in the substrate, the substrate may be damaged, or the substrate may come into contact with the hand portion of the transport mechanism when the substrate is transported.

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、薄型の基板を昇降させる場合であっても、基板の変形を防止し、基板を正確に搬送機構に対して受け渡すことが可能な基板保持機構および基板処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problem, and even when a thin substrate is raised and lowered, the substrate can be prevented from being deformed and the substrate can be accurately transferred to the transport mechanism. It is an object to provide a substrate holding mechanism and a substrate processing apparatus.

請求項1に記載の発明は、基板を保持する基板保持機構において、前記基板の下面外周部と対向する上面部を有するステージと、前記基板の下面中央部と対向する平面部を有し、この平面部に気体噴出口が形成され、前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の下面に気体を噴出することにより、前記基板と前記平面部との間に生ずる負圧を利用して基板を非接触で保持するためのチャック部と、前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の端縁付近をその下面から支持する複数の昇降ピンと、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる昇降機構と、を備え、前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより、前記基板の下面全域と対向する平面が形成され、前記基板を、その下面が前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより形成される平面から離隔した位置に支持する複数の支持ピンを更に備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 1 is a substrate holding mechanism for holding a substrate, comprising a stage having an upper surface portion facing the outer peripheral portion of the lower surface of the substrate, and a flat portion facing the center portion of the lower surface of the substrate, A gas outlet is formed in the flat part, and is disposed so as to be movable up and down with respect to the stage. By ejecting gas to the lower surface of the substrate, a negative pressure generated between the substrate and the flat part is utilized. A chuck unit for holding the substrate in a non-contact manner, a plurality of lifting pins that are arranged to be movable up and down with respect to the stage, and that support the vicinity of the edge of the substrate from the lower surface thereof, the chuck unit, and the plurality of the plurality of pins A lifting mechanism that moves the lifting pins in synchronization with each other , and a flat surface facing the entire lower surface of the substrate is formed by the flat surface portion of the chuck portion and the upper surface portion of the stage. Said Further characterized in that it comprises a plurality of support pins for supporting the spaced position from the plane formed planar portion of the click portion and by the upper surface portion of the stage.

請求項に記載の発明は、請求項に記載の発明において、前記ステージと対向配置された基板の下面の端縁付近に気体を吹き付けるための気体噴出口をさらに備える。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the apparatus further includes a gas outlet for blowing a gas in the vicinity of an edge of the lower surface of the substrate disposed to face the stage.

請求項に記載の発明は、請求項1または請求項2に記載の発明において、前記複数の昇降ピンは、基板の下面に当接する支持部と、基板の端縁に当接する案内部とを備える。 According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the plurality of lifting pins include a support portion that contacts the lower surface of the substrate and a guide portion that contacts the edge of the substrate. Prepare.

請求項に記載の発明は、請求項1から請求項のいずれかに記載の発明において、前記昇降機構は、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを連結する連結部を備え、当該連結部を昇降させることにより、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる。 The invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3 , wherein the elevating mechanism includes a connecting part that connects the chuck part and the plurality of elevating pins, and the connecting part. The chuck part and the plurality of lifting pins are moved up and down in synchronization with each other.

請求項に記載の発明は、基板処理装置であって、請求項1から請求項のいずれかに記載の基板保持機構と、前記基板保持機構を回転駆動する回転駆動源と、前記基板保持機構に保持された基板に対して所定の処理を施す処理機構と、を備えたことを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, the substrate holding mechanism according to any one of the first to fourth aspects, a rotation driving source that rotationally drives the substrate holding mechanism, and the substrate holding And a processing mechanism for performing a predetermined process on the substrate held by the mechanism.

請求項1に記載の発明によれば、チャック部と昇降ピンが同期して昇降することから、薄型の基板を昇降させる場合であっても、基板の変形を防止することが可能となる。このため、この基板を正確に搬送機構に対して受け渡すことが可能となる。   According to the first aspect of the present invention, since the chuck portion and the lift pins are moved up and down in synchronization, it is possible to prevent the substrate from being deformed even when the thin substrate is moved up and down. For this reason, it becomes possible to accurately deliver the substrate to the transport mechanism.

また、基板の下面とチャック部の平面部とステージの上面により形成される平面を基板の下面と対向配置することにより、処理液や処理液の雰囲気の基板下面側への回り込みを抑制することが可能となる。 Further , by arranging the plane formed by the lower surface of the substrate, the flat portion of the chuck portion, and the upper surface of the stage so as to face the lower surface of the substrate, it is possible to prevent the processing liquid and the atmosphere of the processing liquid from entering the substrate lower surface side. It becomes possible.

さらに、基板の処理時に基板を昇降ピンとは異なる複数の支持ピンにより支持することにより、基板の下面とチャック部の平面部とステージの上面により形成される平面との距離を精度よく維持することが可能となる。 Furthermore , by supporting the substrate with a plurality of support pins different from the lift pins during substrate processing, the distance between the lower surface of the substrate, the flat surface portion of the chuck portion, and the flat surface formed by the upper surface of the stage can be accurately maintained. It becomes possible.

請求項に記載の発明によれば、基板の下面の端縁付近に吹き付けられる気体によるベルヌーイ効果により基板の端縁を確実に支持ピンにより支持し得るとともに、処理液の雰囲気が基板の下面側に浸入することをより確実に防止することが可能となる。 According to the second aspect of the present invention, the edge of the substrate can be reliably supported by the support pins by the Bernoulli effect caused by the gas blown near the edge of the lower surface of the substrate, and the atmosphere of the processing liquid is on the lower surface side of the substrate. It is possible to more reliably prevent intrusion into the water.

請求項に記載の発明によれば、複数の昇降ピンにより基板の支持と水平方向への移動の抑制とを行うことが可能となる。 According to the third aspect of the present invention, it is possible to support the substrate and suppress the movement in the horizontal direction by using a plurality of lifting pins.

請求項に記載の発明によれば、簡易な構成でありながら、チャック部と複数の昇降ピンとを正確に同期して昇降させることが可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, it is possible to raise and lower the chuck portion and the plurality of elevating pins accurately and synchronously with a simple configuration.

請求項に記載の発明によれば、処理時には基板保持機構で保持した基板を回転させて所定の処理を施すことができ、また基板の搬送時には、正確に搬送機構に対して受け渡すことができる。 According to the fifth aspect of the present invention, the substrate held by the substrate holding mechanism can be rotated during processing to perform predetermined processing, and when the substrate is transferred, it can be accurately transferred to the transport mechanism. it can.

この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。1 is a schematic side sectional view showing a main part of a substrate processing apparatus according to the present invention. この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。1 is a schematic side sectional view showing a main part of a substrate processing apparatus according to the present invention. この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。1 is a schematic side sectional view showing a main part of a substrate processing apparatus according to the present invention. 回転ステージ10の平面図である。2 is a plan view of a rotary stage 10. FIG. 回転ステージ10の斜視図である。2 is a perspective view of a rotary stage 10. FIG. 支持ピン25および昇降ピン21により基板100を支持する状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which supports the board | substrate 100 with the support pin 25 and the raising / lowering pin 21. FIG.

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1から図3は、この発明に係る基板処理装置の要部を示す側断面概要図である。ここで、図2は基板100の処理状態を示し、図3は基板100の受渡し状態を示し、図1は図2に示す処理状態への移行時の状態を示している。また、図4は、回転ステージ10の平面図である。さらに、図5は、回転ステージ10の斜視図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 to 3 are schematic side sectional views showing the main part of the substrate processing apparatus according to the present invention. Here, FIG. 2 shows the processing state of the substrate 100, FIG. 3 shows the delivery state of the substrate 100, and FIG. 1 shows the state at the time of transition to the processing state shown in FIG. FIG. 4 is a plan view of the rotary stage 10. Further, FIG. 5 is a perspective view of the rotary stage 10.

この基板処理装置は、例えば、基板100として薄型の半導体ウエハに対して処理液による処理を実行するものであり、回転ステージ10と、この回転ステージ10を回転させるための回転駆動源である中空モータ40と、チャック部14および複数の昇降ピン21の昇降機構30とを備える。これらの回転ステージ10、中空モータ40および昇降機構30は、図示を省略した処理液を回収するための飛散防止カップ内に配設されている。また、回転ステージ10の上部には、基板100に処理液を供給して処理を施すための処理液供給ノズル98(図2参照)が待機位置から基板100の上方の位置へ移動する構成となっている。図2においては図示を省略しているが、処理液供給ノズル98は、基板100に供給する必要がある処理液の種類に応じた数だけ配設されている。   This substrate processing apparatus, for example, performs processing using a processing liquid on a thin semiconductor wafer as the substrate 100, and a rotary stage 10 and a hollow motor that is a rotational drive source for rotating the rotary stage 10. 40, a chuck portion 14 and a lifting mechanism 30 for a plurality of lifting pins 21. The rotary stage 10, the hollow motor 40, and the elevating mechanism 30 are disposed in a splash prevention cup for collecting a processing liquid (not shown). In addition, a processing liquid supply nozzle 98 (see FIG. 2) for supplying a processing liquid to the substrate 100 to perform processing moves from the standby position to a position above the substrate 100 above the rotary stage 10. ing. Although not shown in FIG. 2, the processing liquid supply nozzles 98 are arranged in a number corresponding to the type of processing liquid that needs to be supplied to the substrate 100.

回転ステージ10は、中空モータ40の中空の回転軸41に接続されたベース部11と、このベース部11上に円筒状の中空空間を形成する円周部12およびその中空空間の上部の一部周縁部を閉塞する上面部13とから構成される。上面部13には、昇降ピン21の通過孔が穿設されており、4本の昇降ピン21が上面部13の表面に対して昇降可能に配設されている。また、上面部13には、複数の支持ピン25が固設されている。さらに、上面部13の中央には、チャック部14が昇降可能に配設されている。このチャック部14の上面は平面部となっており、後述するように、基板100が支持ピン25に支持された状態において、チャック部14の上面と回転ステージ10の上面部13の上面とにより、基板100の下面全域と対向する平面が形成される。すなわち、上面部13が基板100の下面外周部と対向し、チャック部14の上面の平面部が基板100の下面中央部と対向する。また、チャック部14の中央には、基板100の下面に対して窒素ガスを噴出するための気体噴出口15が形成されている。   The rotary stage 10 includes a base portion 11 connected to a hollow rotating shaft 41 of the hollow motor 40, a circumferential portion 12 that forms a cylindrical hollow space on the base portion 11, and a part of the upper portion of the hollow space. It is comprised from the upper-surface part 13 which obstruct | occludes a peripheral part. The upper surface portion 13 is provided with a passage hole for the elevating pins 21, and the four elevating pins 21 are disposed so as to be movable up and down with respect to the surface of the upper surface portion 13. A plurality of support pins 25 are fixed on the upper surface portion 13. Further, a chuck portion 14 is disposed at the center of the upper surface portion 13 so as to be movable up and down. The upper surface of the chuck portion 14 is a flat portion, and, as will be described later, when the substrate 100 is supported by the support pins 25, the upper surface of the chuck portion 14 and the upper surface of the upper surface portion 13 of the rotary stage 10 A flat surface facing the entire lower surface of the substrate 100 is formed. That is, the upper surface portion 13 faces the lower surface outer peripheral portion of the substrate 100, and the flat surface portion of the upper surface of the chuck portion 14 faces the lower surface center portion of the substrate 100. Further, a gas ejection port 15 for ejecting nitrogen gas to the lower surface of the substrate 100 is formed at the center of the chuck portion 14.

また、回転ステージ10における上面部13には、支持ピン25に支持された基板100の下面の端縁付近に窒素ガスを噴出するための多数の気体噴出口16が、気体噴出口15を中心とした円周上に穿設されている。   Further, on the upper surface portion 13 of the rotary stage 10, a large number of gas ejection ports 16 for ejecting nitrogen gas near the edge of the lower surface of the substrate 100 supported by the support pins 25 are centered on the gas ejection ports 15. Perforated on the circumference.

図6は、支持ピン25および昇降ピン21により基板100を支持する状態を示す説明図である。ここで、図6(a)は支持ピン25により基板100を支持する状態を示している。また、図6(b)は支持ピン25により支持された基板100と昇降ピン21との位置関係を示している。   FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which the substrate 100 is supported by the support pins 25 and the lift pins 21. Here, FIG. 6A shows a state in which the substrate 100 is supported by the support pins 25. FIG. 6B shows the positional relationship between the substrate 100 supported by the support pins 25 and the lift pins 21.

回転ステージ10に固設された支持ピン25は、基板100の下面に当接して基板100を支持するための支持部26を備える。この支持部26の高さH1は、例えば、1.5mmとなっている。また、この支持部26による基板100の下面の支持位置の基板100の端縁からの距離Dは、例えば、基板100が直径200mmの半導体ウエハの場合には、2.8mm以内となるように設定されている。   The support pin 25 fixed to the rotary stage 10 includes a support portion 26 for contacting the lower surface of the substrate 100 and supporting the substrate 100. The height H1 of the support portion 26 is 1.5 mm, for example. Further, the distance D from the edge of the substrate 100 at the support position of the lower surface of the substrate 100 by the support unit 26 is set to be within 2.8 mm when the substrate 100 is a semiconductor wafer having a diameter of 200 mm, for example. Has been.

一方、回転ステージ10に対して昇降可能に配設された昇降ピン21は、基板100の下面に当接して基板100を支持するための支持部22と、基板100の端縁に当接して基板100の水平方向の移動を抑制するための案内部23とを備える。支持部22の高さH2は、例えば、1.0mmとなっている。また、この支持部22による基板100の下面の支持位置の基板100の端縁からの距離は、支持ピン26の場合と同様、Dとなっている。   On the other hand, the lifting pins 21 disposed so as to be movable up and down with respect to the rotary stage 10 are in contact with the lower surface of the substrate 100 to support the substrate 100 and the edge of the substrate 100 is contacted with the substrate 100. 100 is provided with a guide portion 23 for suppressing horizontal movement. The height H2 of the support portion 22 is, for example, 1.0 mm. Further, the distance from the edge of the substrate 100 at the support position of the lower surface of the substrate 100 by the support portion 22 is D as in the case of the support pins 26.

4本の昇降ピン21は、回転ステージ10の上面部13の下方であって円周部12内に形成される中空空間の内部で連結部材18により支持され、連結されている。また、チャック部14は、スペーサ17を介して、連結部材18と連結されている。これにより、4本の昇降ピン21とチャック部14とが連結され、互いに同期して昇降する。連結部材18およびスペーサ17は、チャック部14とともに、チャック部14および4本の昇降ピン21を連結する連結部として機能する。   The four elevating pins 21 are supported and connected by the connecting member 18 inside the hollow space formed in the circumferential portion 12 below the upper surface portion 13 of the rotary stage 10. Further, the chuck portion 14 is connected to a connecting member 18 through a spacer 17. Thereby, the four raising / lowering pins 21 and the chuck | zipper part 14 are connected, and it raises / lowers synchronizing mutually. The connecting member 18 and the spacer 17 together with the chuck portion 14 function as a connecting portion that connects the chuck portion 14 and the four lifting pins 21.

昇降機構30は、チャック部14の下面に当接可能な昇降部材31と、この昇降部材31に連結された昇降軸32とを有する。昇降部材31と昇降軸32には、チャック部14に形成された気体噴出口15に連通する図示を省略した連通孔が形成されている。昇降軸32は、回転ステージ10のベース部11に形成された中空部および中空モータ40における中空部を貫通している。   The elevating mechanism 30 includes an elevating member 31 that can contact the lower surface of the chuck portion 14 and an elevating shaft 32 connected to the elevating member 31. The elevating member 31 and the elevating shaft 32 are formed with a communication hole (not shown) that communicates with the gas ejection port 15 formed in the chuck portion 14. The lifting shaft 32 passes through a hollow portion formed in the base portion 11 of the rotary stage 10 and a hollow portion in the hollow motor 40.

昇降軸32の下端部は、接続部33を介してスライダ34およびボールねじ35から構成される案内機構付き直動アクチュエータと接続されている。この案内機構付き直動アクチュエータは、例えば、モノキャリア(日本精工株式会社の登録商標)という商品名で販売されているものであり、ボールねじ35の回転運動をスライダ34の直線運動に変換するものである。ボールねじ35は、ベルト36を介してモータ38の回転軸と連結されている。モータ38には、ロータリエンコーダ37が接続されている。   The lower end portion of the elevating shaft 32 is connected to a linear motion actuator with a guide mechanism constituted by a slider 34 and a ball screw 35 via a connection portion 33. This linear motion actuator with a guide mechanism is sold, for example, under the trade name Monocarrier (registered trademark of NSK Ltd.), and converts the rotational motion of the ball screw 35 into linear motion of the slider 34. It is. The ball screw 35 is connected to the rotating shaft of the motor 38 via the belt 36. A rotary encoder 37 is connected to the motor 38.

このため、昇降部材31および昇降軸32は、モータ38の駆動およびロータリエンコーダ37による制御により、図1に示す下位置と、図2に示す中間位置と、図3に示す上昇位置との間を昇降可能となっている。ここで、図1に示す下位置は、昇降部材31の下面が連結部材18と接触して下方に押圧して、連結部材18の下面と回転ステージ10におけるベース部11の上面とが当接する位置である。また、図2に示す中間位置は、昇降部材31が、連結部材18およびスペーサ17とともに連結部を構成するチャック部14の下面より離隔して、それらに対して非接触の状態となる位置である。すなわち、この中間位置が離隔位置である。さらに、図3に示す上昇位置は、昇降部材31の上面が、連結部材18およびスペーサ17とともに連結部を構成するチャック部14の下面を支持して、チャック部14および4本の昇降ピン21を上昇させる位置である。   For this reason, the raising / lowering member 31 and the raising / lowering axis | shaft 32 are between the lower position shown in FIG. 1, the intermediate position shown in FIG. 2, and the raising position shown in FIG. 3 by the drive of the motor 38 and control by the rotary encoder 37. It can be moved up and down. Here, the lower position shown in FIG. 1 is a position where the lower surface of the elevating member 31 comes into contact with the connecting member 18 and presses downward, and the lower surface of the connecting member 18 and the upper surface of the base portion 11 of the rotary stage 10 abut. It is. Further, the intermediate position shown in FIG. 2 is a position where the elevating member 31 is separated from the lower surface of the chuck portion 14 constituting the connecting portion together with the connecting member 18 and the spacer 17 and is not in contact with them. . That is, this intermediate position is a separation position. Further, in the ascending position shown in FIG. 3, the upper surface of the elevating member 31 supports the lower surface of the chuck portion 14 that constitutes the connecting portion together with the connecting member 18 and the spacer 17, and the chuck portion 14 and the four elevating pins 21 are arranged. It is a position to raise.

チャック部14およびスペーサ17とともに連結部を構成する連結部材18には、磁石29が配設されている。一方、回転ステージ10におけるベース部11には、磁石19が配設されている。磁石19と磁石29は、その磁力により、連結部材18とベース部11とを互いに引きつける方向に付勢する電磁気的引力を及ぼすように取り付けられている。なお、連結部材18とベース部11とは、樹脂により構成されている。ここで、連結部材18とベース部11とに各々磁石19、29を設ける代わりに、どちらか一方に磁石を設け、他方に鉄板等の磁性体を配設することにより、連結部材18とベース部11とを互いに引きつける方向に付勢する電磁気的引力を及ぼす構成を採用してもよい。   A magnet 29 is disposed on the connecting member 18 that constitutes the connecting portion together with the chuck portion 14 and the spacer 17. On the other hand, a magnet 19 is disposed on the base portion 11 of the rotary stage 10. The magnet 19 and the magnet 29 are attached so as to exert an electromagnetic attractive force that urges the connecting member 18 and the base portion 11 in a direction to attract each other. In addition, the connection member 18 and the base part 11 are comprised with resin. Here, instead of providing the magnets 19 and 29 on the connecting member 18 and the base portion 11, respectively, a magnet is provided on one side, and a magnetic body such as an iron plate is provided on the other side, whereby the connecting member 18 and the base portion are provided. 11 may be employed which exerts an electromagnetic attractive force that urges 11 in the direction in which they are attracted to each other.

この基板処理装置は、窒素ガスの供給源42に対して、開閉弁45を介して接続される管路43と、開閉弁46を介して接続される管路44とを備える。管路43は、昇降部材31および昇降軸32に形成された連通孔と接続されており、この連通孔を介してチャック部14に形成された気体噴出口15に連通している。このため、開閉弁45を開放した場合には、気体噴出口15から窒素ガスが噴出される。また、管路44は、回転ステージ10のベース部11に形成された中空部の内壁および中空モータ40における中空部の内壁と昇降軸32の外周部との間に形成される隙間と接続されている。このため、開閉弁46を開放した場合には、回転ステージ10のベース部11に形成された中空部の内壁および中空モータ40における中空部の内壁と昇降軸32の外周部との間に形成される隙間を介して、窒素ガスが、回転ステージ10における円周部12および上面部13によりベース部11上に形成される空間に供給される。そして、この窒素ガスは、回転ステージ10における上面部13に形成された多数の気体噴出口16から噴出される。   The substrate processing apparatus includes a pipe line 43 connected to a nitrogen gas supply source 42 via an on-off valve 45 and a pipe line 44 connected via an on-off valve 46. The pipe line 43 is connected to a communication hole formed in the elevating member 31 and the elevating shaft 32 and communicates with the gas ejection port 15 formed in the chuck portion 14 through the communication hole. For this reason, when the on-off valve 45 is opened, nitrogen gas is ejected from the gas ejection port 15. The pipe 44 is connected to a gap formed between the inner wall of the hollow portion formed in the base portion 11 of the rotary stage 10 and the inner wall of the hollow portion of the hollow motor 40 and the outer peripheral portion of the lifting shaft 32. Yes. For this reason, when the on-off valve 46 is opened, it is formed between the inner wall of the hollow portion formed in the base portion 11 of the rotary stage 10 and the inner wall of the hollow portion of the hollow motor 40 and the outer peripheral portion of the lifting shaft 32. Through the gap, nitrogen gas is supplied to a space formed on the base portion 11 by the circumferential portion 12 and the upper surface portion 13 of the rotary stage 10. The nitrogen gas is ejected from a large number of gas ejection ports 16 formed on the upper surface portion 13 of the rotary stage 10.

次に、以上のような構成を有する基板処理装置により基板100を処理するときの処理動作について説明する。   Next, a processing operation when the substrate 100 is processed by the substrate processing apparatus having the above configuration will be described.

図1に示す移行時の状態においては、上述したように、昇降部材31が下位置に配置されており、昇降部材31の下面が連結部材18を下方に押圧して、連結部材18の下面と回転ステージ10におけるベース部11の上面とが当接する。これによって、連結部材18が自重により下に下がるだけではなく、強制的に最も下の位置まで確実に引き下げて、後述の処理状態に確実に移行する。そしてこのとき、後述のように磁石19と磁石29により連結部材18と回転ステージ10とが固定される。このときには、図6に示すように、支持ピン25における支持部26の高さ位置が昇降ピン21における支持部22の高さ位置より高いことから、基板100は複数の支持ピン25により支持されている。   In the state at the time of transition shown in FIG. 1, as described above, the elevating member 31 is disposed at the lower position, and the lower surface of the elevating member 31 presses the connecting member 18 downward, The upper surface of the base part 11 in the rotary stage 10 contacts. As a result, the connecting member 18 is not only lowered due to its own weight, but is forcibly pulled down to the lowest position for surely shifting to a processing state described later. At this time, the connecting member 18 and the rotary stage 10 are fixed by the magnet 19 and the magnet 29 as described later. At this time, as shown in FIG. 6, since the height position of the support portion 26 in the support pin 25 is higher than the height position of the support portion 22 in the lift pin 21, the substrate 100 is supported by the plurality of support pins 25. Yes.

また、このときには、開閉弁45が開放され、窒素ガスの供給源42から供給された窒素ガスが、昇降部材31および昇降軸32に形成された連通孔を介して、気体噴出口15から基板100の下面に噴出される。昇降部材31の上面とチャック部14の下面には、図示を省略する凹凸によるラビリンス構造がある。昇降部材31が図1または図2に示す位置では、かかるラビリンス構造が完成して、両者の隙間から窒素ガスが漏れにくくなる。これにより、昇降部材31とチャック部14とが非接触のままで昇降軸32から供給される窒素ガスのほとんどが気体噴出口15から噴出される。そして、この窒素ガスによるベルヌーイ効果により、基板100に対して、回転ステージ10およびチャック部14により形成される平面に対して一定の距離を維持しようとする作用が生ずる。これによって、端縁部分を複数の支持ピン25により支持される基板100は、垂れ下がり等を生ずることなく、また、支持ピン25における支持部26から離隔することもなく、一定の姿勢で支持される。   At this time, the on-off valve 45 is opened, and the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 42 passes through the communication hole formed in the elevating member 31 and the elevating shaft 32 from the gas outlet 15 to the substrate 100. Erupted on the lower surface of. On the upper surface of the elevating member 31 and the lower surface of the chuck portion 14, there is a labyrinth structure with unevenness not shown. When the elevating member 31 is at the position shown in FIG. 1 or FIG. 2, the labyrinth structure is completed, and the nitrogen gas is less likely to leak from the gap between them. Thereby, most of the nitrogen gas supplied from the lifting shaft 32 is ejected from the gas ejection port 15 while the lifting member 31 and the chuck portion 14 are not in contact with each other. Then, due to the Bernoulli effect by the nitrogen gas, an action to maintain a certain distance from the substrate 100 with respect to the plane formed by the rotary stage 10 and the chuck portion 14 occurs. Thus, the substrate 100 whose edge portion is supported by the plurality of support pins 25 is supported in a fixed posture without causing drooping or the like and without being separated from the support portion 26 in the support pins 25. .

基板100に処理液を供給して基板100の処理を行う場合には、図2に示すように、モータ38の駆動により昇降部材31が図1の下位置から中間位置まで上昇する。このとき、昇降部材31がチャック部14の下面および連結部材18の上面から離隔した位置、すなわち離隔位置になり基板処理装置は処理状態となる。また、このときには、開閉弁45が開放され、窒素ガスの供給源42から供給された窒素ガスが、昇降部材31および昇降軸32に形成された連通孔を介して、気体噴出口15から基板100の下面に噴出される。さらに、開閉弁46が開放され、窒素ガスの供給源42から供給されて窒素ガスが、回転ステージ10の円周部12に形成された中空空間の内壁および中空モータ40における中空部の内壁と昇降軸32の外周部との間に形成される隙間を介して、回転ステージ10における上面部13に形成された多数の気体噴出口16から噴出される。そして、回転ステージ10が中空モータ40の駆動により回転される。   When processing the substrate 100 by supplying the processing liquid to the substrate 100, as shown in FIG. 2, the elevating member 31 is raised from the lower position in FIG. At this time, the elevating member 31 is in a position separated from the lower surface of the chuck portion 14 and the upper surface of the connecting member 18, that is, the separated position, and the substrate processing apparatus is in a processing state. At this time, the on-off valve 45 is opened, and the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 42 passes through the communication hole formed in the elevating member 31 and the elevating shaft 32 from the gas outlet 15 to the substrate 100. Erupted on the lower surface of. Further, the on-off valve 46 is opened, and the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 42 is raised and lowered with the inner wall of the hollow space formed in the circumferential portion 12 of the rotary stage 10 and the inner wall of the hollow portion of the hollow motor 40. The gas is ejected from a large number of gas ejection ports 16 formed on the upper surface portion 13 of the rotary stage 10 through gaps formed between the outer periphery of the shaft 32. Then, the rotary stage 10 is rotated by driving the hollow motor 40.

この処理状態においては、図1に示す移行状態と同様、基板100は複数の支持ピン25により支持されている。また、気体噴出口15から基板100の下面に噴出される窒素ガスの作用により、端縁部分を複数の支持ピン25により支持される基板100は、垂れ下がり等を生ずることなく、また、支持ピン25における支持部26から離隔することもなく、一定の姿勢で支持される。さらに、回転ステージ10における気体噴出口16から基板100の下面の端縁付近に吹き付けられる窒素ガスによるベルヌーイ効果により、基板100の端縁付近が支持ピン25に押しつけられる。これにより、回転ステージ10とともに回転する基板100を、支持ピン25により確実に支持することが可能となる。   In this processing state, the substrate 100 is supported by a plurality of support pins 25 as in the transition state shown in FIG. Further, the substrate 100 whose edge portion is supported by the plurality of support pins 25 by the action of nitrogen gas ejected from the gas ejection port 15 to the lower surface of the substrate 100 does not sag, and the support pins 25. Without being separated from the support portion 26 at a constant position. Furthermore, the vicinity of the edge of the substrate 100 is pressed against the support pin 25 by the Bernoulli effect by the nitrogen gas blown from the gas outlet 16 in the rotary stage 10 to the vicinity of the edge of the lower surface of the substrate 100. As a result, the substrate 100 rotating together with the rotary stage 10 can be reliably supported by the support pins 25.

また、この状態においては、昇降部材31がチャック部14の下面および連結部材18の上面から離隔した中間位置に配置されていることから、チャック部14、スペーサ17および連結部材18から構成される連結部と、これらの連結部を昇降させるための昇降機構30の昇降部材31とは完全に離隔状態すなわち接触しない状態となっている。このため、回転ステージ10の回転に伴って発塵が生ずることを確実に防止することが可能となる。   Further, in this state, since the elevating member 31 is disposed at an intermediate position separated from the lower surface of the chuck portion 14 and the upper surface of the connecting member 18, the connecting portion constituted by the chuck portion 14, the spacer 17, and the connecting member 18. And the elevating member 31 of the elevating mechanism 30 for elevating and lowering these connecting portions are completely separated, that is, not in contact with each other. For this reason, it is possible to reliably prevent the generation of dust accompanying the rotation of the rotary stage 10.

一方、仮にチャック部14、スペーサ17および連結部材18から構成される連結部をベース部11に固定することなく回転させた場合には、この連結部等を安定して回転し得ない可能性がある。特に、この回転ステージ10においては、気体噴出口15、16から窒素ガスを噴出するために回転ステージ10内に窒素ガスを供給する構成であることから、チャック部14、スペーサ17および連結部材18から構成される連結部や、これに連結する昇降ピン21が回転ステージ10内に供給される窒素ガスの作用により浮上する可能性がある。しかしながら、この基板処理装置においては、図1に示す移行状態で連結部材18を昇降部材31によって確実に引き下げて、磁石19と磁石29による磁力により、連結部を構成する連結部材18と回転ステージ10のベース部11とが互いに引きつける方向に付勢されている。このため、連結部材18とベース部11とが離隔したりずれたりすることを防止し、両者を確実に固定することが可能となる。従って、チャック部14、スペーサ17および連結部材18から構成される連結部や、これに連結する昇降ピン21を安定した姿勢で回転させることが可能となる。   On the other hand, if the connecting portion composed of the chuck portion 14, the spacer 17 and the connecting member 18 is rotated without being fixed to the base portion 11, there is a possibility that the connecting portion cannot be rotated stably. is there. In particular, since the rotary stage 10 is configured to supply nitrogen gas into the rotary stage 10 in order to eject nitrogen gas from the gas jets 15 and 16, from the chuck portion 14, the spacer 17, and the connecting member 18. There is a possibility that the connecting portion to be configured and the elevating pin 21 connected to the connecting portion will float by the action of nitrogen gas supplied into the rotary stage 10. However, in this substrate processing apparatus, in the transition state shown in FIG. 1, the connecting member 18 is reliably pulled down by the elevating member 31, and the connecting member 18 and the rotary stage 10 constituting the connecting portion are magnetized by the magnet 19 and the magnet 29. The base portion 11 is biased in a direction to attract each other. For this reason, it is possible to prevent the connecting member 18 and the base portion 11 from being separated from each other or to be displaced, and to securely fix the both. Therefore, it becomes possible to rotate the connection part comprised from the chuck | zipper part 14, the spacer 17, and the connection member 18, and the raising / lowering pin 21 connected to this with the stable attitude | position.

基板100が回転ステージ10とともに所定の回転速度で回転すれば、この基板100の上方に処理液供給ノズル98を移動させ、この処理液供給ノズル98から基板100の表面に処理液を供給する。この処理液により、基板100に対して必要な処理が実行される。基板100に対する処理液による処理が終了すれば、基板100の表面に残存する処理液は、基板100を高速回転させることで、基板100の表面から振り切られて除去される。なお、この基板100の処理時に、基板100に供給され基板100の表面より飛散する処理液は、図示を省略した飛散防止カップにより捕獲された後、処理液の回収部に回収される。   When the substrate 100 rotates together with the rotary stage 10 at a predetermined rotation speed, the processing liquid supply nozzle 98 is moved above the substrate 100, and the processing liquid is supplied from the processing liquid supply nozzle 98 to the surface of the substrate 100. With this processing liquid, necessary processing is performed on the substrate 100. When the processing with the processing liquid on the substrate 100 is completed, the processing liquid remaining on the surface of the substrate 100 is removed by being shaken off from the surface of the substrate 100 by rotating the substrate 100 at a high speed. During the processing of the substrate 100, the processing liquid supplied to the substrate 100 and scattered from the surface of the substrate 100 is collected by a scattering prevention cup (not shown) and then collected by a processing liquid recovery unit.

なお、この基板100の処理液による処理時においては、上述したように、回転ステージ10における気体噴出口16から基板100の下面の端縁付近に窒素ガスが吹き付けられている。このため、この窒素ガスの作用により、基板100の下面に処理液や処理液の雰囲気が侵入することを防止することが可能となる。   During the processing of the substrate 100 with the processing liquid, as described above, nitrogen gas is blown from the gas outlet 16 in the rotary stage 10 to the vicinity of the edge of the lower surface of the substrate 100. Therefore, the action of the nitrogen gas can prevent the processing liquid and the atmosphere of the processing liquid from entering the lower surface of the substrate 100.

処理液による基板100の処理が終了すれば、基板100を回転ステージ10上から搬出する。この場合においては、図3に示すように、昇降部材31を上昇位置に移動させ、昇降部材31の上面により連結部材18およびスペーサ17とともに連結部を構成するチャック部14の下面を支持して、チャック部14および4本の昇降ピン21を上昇させる受渡し状態とする。これにより、支持ピン25における支持部26に支持されていた基板100は、昇降ピン21における支持部22により支持されることになる。 When the processing of the substrate 100 with the processing liquid is completed, the substrate 100 is unloaded from the rotary stage 10. In this case, as shown in FIG. 3, the elevating member 31 is moved to the raised position, and the upper surface of the elevating member 31 supports the lower surface of the chuck portion 14 that constitutes the coupling portion together with the coupling member 18 and the spacer 17, The delivery state is such that the chuck portion 14 and the four lifting pins 21 are raised. As a result, the substrate 100 supported by the support portion 26 of the support pin 25 is supported by the support portion 22 of the elevating pin 21.

このときには、開閉弁45が継続して開放され、窒素ガスの供給源42から供給された窒素ガスが、昇降部材31および昇降軸32に形成された連通孔を介して、気体噴出口15から基板100の下面に噴出される。これにより、昇降ピン21により基板100を上昇させた場合においても、昇降ピン21と同期して上昇するチャック部14から噴出する窒素ガスの作用により、基板100に対してチャック部14の上面に対して一定の距離を維持しようとする作用が生ずる。従って、端縁部分を4本の昇降ピン21により支持される基板100は、垂れ下がり等を生ずることなく、また、昇降ピン21における支持部24から離隔することもなく、一定の姿勢で支持される。   At this time, the on-off valve 45 is continuously opened, and the nitrogen gas supplied from the nitrogen gas supply source 42 passes through the communication hole formed in the elevating member 31 and the elevating shaft 32 from the gas outlet 15 to the substrate. It is ejected to the lower surface of 100. Thereby, even when the substrate 100 is raised by the elevating pins 21, the action of nitrogen gas ejected from the chuck portion 14 that rises in synchronization with the elevating pins 21 causes the substrate 100 to face the upper surface of the chuck portion 14. Thus, an effect of maintaining a certain distance occurs. Accordingly, the substrate 100 whose edge portion is supported by the four lifting pins 21 is supported in a fixed posture without causing drooping or the like and without being separated from the support portion 24 of the lifting pins 21. .

基板100が昇降ピン21とともに上昇すれば、図3および図4に示すように、搬送機構のハンド部99を基板100の下方に移動させ、このハンド部99を上昇させることにより基板100を支持して、搬出することができる。この昇降ピン21が上昇したときにはチャック部14も同期して上昇するので、基板100はチャック部14から噴出される窒素ガスによるベルヌーイ効果により、湾曲状に変形して垂れることなく平面状の状態が維持される。このため、ハンド部99の基板100の下方への侵入時に、基板100とハンド部99とが接触することはない。なお、ここでいう垂れ下がりとは、基板100の厚みが通常(例えば直径200mmのウエハで725ミクロン)よりも薄い、例えば100〜200ミクロンの基板である場合に、昇降ピン21でのみ支持して持ち上げると、支持していない基板100の中心部が自重により凹状に下がってしまうことである。その場合、図3のようにハンド部99を基板100の下方に挿入するときに基板100とハンド部99とがぶつかって破損する恐れがある。   When the substrate 100 is lifted together with the lift pins 21, as shown in FIGS. 3 and 4, the hand portion 99 of the transport mechanism is moved below the substrate 100, and the hand portion 99 is lifted to support the substrate 100. Can be carried out. When the elevating pin 21 is raised, the chuck portion 14 is also raised synchronously. Therefore, the substrate 100 is deformed into a curved shape and does not hang down due to the Bernoulli effect caused by the nitrogen gas ejected from the chuck portion 14. Maintained. For this reason, the board | substrate 100 and the hand part 99 do not contact at the time of penetration | invasion of the downward direction of the board | substrate 100 of the hand part 99. FIG. The term “hang down” as used herein means that the substrate 100 is lifted while being supported only by the lift pins 21 when the thickness of the substrate 100 is thinner than a normal substrate (for example, 725 microns for a wafer having a diameter of 200 mm), for example, 100 to 200 microns. And the center part of the board | substrate 100 which is not supported falls in concave shape by dead weight. In that case, there is a possibility that the substrate 100 and the hand unit 99 may collide and be damaged when the hand unit 99 is inserted below the substrate 100 as shown in FIG.

なお、上述した説明においては、基板100が回転ステージ10上に搬入された状態からの動作を説明したが、基板100をハンド部99により回転ステージ10上に搬入するときには、図3および図4に示す基板100の搬出時と逆の動作が実行される。すなわち、図3の受渡し状態で基板100を搬出した後、昇降ピン21が上昇したままの状態で(あるいは、いったん下降した場合には昇降ピン21を再度上昇させ)、新たな基板100をハンド部99で搬入して昇降ピン21で支持し、ハンド部99が退避した後に昇降部材31を図1に示す下位置まで下降させて連結部材18を確実に引き下げ、磁石19と磁石29による磁力により、連結部材18をベース部11に確実に固定する。   In the above description, the operation from the state in which the substrate 100 is carried onto the rotary stage 10 has been described. However, when the substrate 100 is carried onto the rotary stage 10 by the hand unit 99, FIGS. The operation opposite to that at the time of unloading the substrate 100 shown is executed. That is, after unloading the substrate 100 in the delivery state of FIG. 3, the lifting pins 21 remain in the raised state (or, once lowered, the lifting pins 21 are raised again), and the new substrate 100 is moved to the hand unit. 99, and is supported by the lift pins 21, and after the hand portion 99 is retracted, the lift member 31 is lowered to the lower position shown in FIG. The connecting member 18 is securely fixed to the base portion 11.

上述した実施形態においては、昇降部材31がチャック部14の下面を押圧することによりチャック部と4本の昇降ピン21を同期して昇降させているが、昇降部材31が連結部材18の下面を押圧することにより、チャック部14と4本の昇降ピン21を同期して昇降させる構成を採用してもよい。また、チャック部14と昇降ピン21とが同期して昇降していれば、それらを別個の駆動源によって昇降駆動してもよい。   In the embodiment described above, the elevating member 31 presses the lower surface of the chuck portion 14 to raise and lower the chuck portion and the four elevating pins 21 synchronously. However, the elevating member 31 lowers the lower surface of the connecting member 18. You may employ | adopt the structure which raises / lowers the chuck | zipper part 14 and the four raising / lowering pins 21 synchronously by pressing. Further, as long as the chuck portion 14 and the lifting pins 21 are lifted and lowered in synchronization, they may be lifted and lowered by a separate drive source.

10 回転ステージ
11 ベース部
13 上面部
14 チャック部
15 気体噴出口
16 気体噴出口
17 スペーサ
18 連結部材
19 磁石
21 昇降ピン
22 支持部
23 案内部
25 支持ピン
26 支持部
29 磁石
30 昇降機構
31 当接部材
32 昇降軸
34 スライダ
35 ボールねじ
37 ロータリエンコーダ
38 モータ
40 中空モータ
42 窒素ガスの供給源
45 開閉弁
46 開閉弁
98 処理液供給ノズル
99 ハンド部
100 基板

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Rotation stage 11 Base part 13 Upper surface part 14 Chuck part 15 Gas outlet 16 Gas outlet 17 Spacer 18 Connecting member 19 Magnet 21 Lifting pin 22 Support part 23 Guide part 25 Support pin 26 Support part 29 Magnet 30 Lifting mechanism 31 Contact Member 32 Elevating shaft 34 Slider 35 Ball screw 37 Rotary encoder 38 Motor 40 Hollow motor 42 Nitrogen gas supply source 45 Open / close valve 46 Open / close valve 98 Treatment liquid supply nozzle 99 Hand part 100 Substrate

Claims (5)

基板を保持する基板保持機構において、
前記基板の下面外周部と対向する上面部を有するステージと、
前記基板の下面中央部と対向する平面部を有し、この平面部に気体噴出口が形成され、前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の下面に気体を噴出することにより、前記基板と前記平面部との間に生ずる負圧を利用して基板を非接触で保持するためのチャック部と、
前記ステージに対して昇降可能に配設され、前記基板の端縁付近をその下面から支持する複数の昇降ピンと、
前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる昇降機構と、
を備え
前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより、前記基板の下面全域と対向する平面が形成され、
前記基板を、その下面が前記チャック部の平面部と前記ステージの上面部とにより形成される平面から離隔した位置に支持する複数の支持ピンを更に備えたことを特徴とする基板保持機構。
In the substrate holding mechanism for holding the substrate,
A stage having an upper surface facing the outer periphery of the lower surface of the substrate;
By having a flat portion facing the central portion of the lower surface of the substrate, a gas ejection port is formed in the flat portion, arranged to be movable up and down relative to the stage, and by jetting gas to the lower surface of the substrate, A chuck portion for holding the substrate in a non-contact manner using a negative pressure generated between the substrate and the planar portion;
A plurality of elevating pins that are arranged to be movable up and down with respect to the stage and support the vicinity of the edge of the substrate from the lower surface thereof;
An elevating mechanism for elevating and lowering the chuck portion and the plurality of elevating pins synchronously;
Equipped with a,
A flat surface facing the entire lower surface of the substrate is formed by the flat surface portion of the chuck portion and the upper surface portion of the stage,
A substrate holding mechanism , further comprising a plurality of support pins for supporting the substrate at a position where a lower surface thereof is separated from a plane formed by the flat surface portion of the chuck portion and the upper surface portion of the stage .
請求項に記載の基板保持機構において、
前記ステージと対向配置された基板の下面の端縁付近に気体を吹き付けるための気体噴出口をさらに備える基板保持機構。
The substrate holding mechanism according to claim 1 ,
A substrate holding mechanism further comprising a gas jet for blowing gas to the vicinity of the edge of the lower surface of the substrate disposed opposite to the stage.
請求項1または請求項2に記載の基板保持機構において、
前記複数の昇降ピンは、基板の下面に当接する支持部と、基板の端縁に当接する案内部とを備える基板保持機構。
The substrate holding mechanism according to claim 1 or 2 ,
The plurality of elevating pins include a support portion that contacts the lower surface of the substrate and a guide portion that contacts the edge of the substrate.
請求項1から請求項のいずれかに記載の基板保持機構において、
前記昇降機構は、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを連結する連結部を備え、当該連結部を昇降させることにより、前記チャック部と前記複数の昇降ピンとを同期して昇降させる基板保持機構。
The substrate holding mechanism according to any one of claims 1 to 3 ,
The lifting mechanism includes a connecting portion that connects the chuck portion and the plurality of lifting pins, and moves the connecting portion up and down to raise and lower the chuck portion and the plurality of lifting pins synchronously.
請求項1から請求項のいずれかに記載の基板保持機構と、
前記基板保持機構を回転駆動する回転駆動源と、
前記基板保持機構に保持された基板に対して所定の処理を施す処理機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
A substrate holding mechanism according to any one of claims 1 to 4 ,
A rotational drive source for rotationally driving the substrate holding mechanism;
A processing mechanism for performing a predetermined process on the substrate held by the substrate holding mechanism;
A substrate processing apparatus comprising:
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