JP6164122B2 - Power converter - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続した交流バスバーとを備える電力変換装置に関する。 The present invention relates to a power conversion device including a semiconductor module incorporating a semiconductor element and an AC bus bar connected to the semiconductor module.
例えば直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続した複数のバスバーとを備えたものが知られている。複数のバスバーには、直流電源と上記半導体素子との間の電流経路になる直流バスバーと、半導体素子と交流負荷との間の電流経路になる交流バスバーとがある。この電力変換装置は、半導体素子をオンオフ動作させることにより、上記直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換し、この交流電力によって、上記交流負荷を駆動するよう構成されている。 For example, as a power conversion device that performs power conversion between DC power and AC power, a device that includes a semiconductor module incorporating a semiconductor element and a plurality of bus bars connected to the semiconductor module is known. The plurality of bus bars include a DC bus bar serving as a current path between a DC power source and the semiconductor element, and an AC bus bar serving as a current path between the semiconductor element and an AC load. This power conversion device is configured to convert the DC power supplied from the DC power source into AC power by turning on and off the semiconductor element, and to drive the AC load with the AC power.
半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出したパワー端子とを備える。このパワー端子に、上記交流バスバーの一方の端部が溶接されている。交流バスバーの他方の端部は、上記交流負荷に電気接続される。また、交流バスバーには、ホール素子等の電流センサが取り付けられる。 The semiconductor module includes a main body portion incorporating the semiconductor element and a power terminal protruding from the main body portion. One end of the AC bus bar is welded to the power terminal. The other end of the AC bus bar is electrically connected to the AC load. In addition, a current sensor such as a Hall element is attached to the AC bus bar.
近年、交流バスバーの厚さを薄くする試みがなされている。交流バスバーを薄く形成すると、例えばパワー端子と交流バスバーを溶接する際に、溶接熱によって交流バスバーが溶融しやすくなり、溶接作業を行いやすくなる等のメリットがある。 In recent years, attempts have been made to reduce the thickness of the AC bus bar. When the AC bus bar is formed thin, for example, when the power terminal and the AC bus bar are welded, there is an advantage that the AC bus bar is easily melted by welding heat and the welding operation is facilitated.
しかしながら、交流バスバーを薄肉化すると電気抵抗が上昇するため、電力変換装置の使用時に交流バスバーから発生する抵抗熱が大きくなりやすい。そのため、交流バスバーの近傍に、電流センサ等の、高温に弱い電子部品を配置しにくくなる。このような電子部品を交流バスバーの近傍に配置すると、上記抵抗熱によって温度が上昇し、電子部品の寿命が低下しやすくなる。 However, since the electrical resistance increases when the AC bus bar is thinned, the resistance heat generated from the AC bus bar tends to increase when the power converter is used. For this reason, it becomes difficult to dispose electronic components such as current sensors that are sensitive to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar. When such an electronic component is disposed in the vicinity of the AC bus bar, the temperature increases due to the resistance heat, and the life of the electronic component is likely to be reduced.
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、交流バスバーを半導体モジュールのパワー端子に溶接しやすく、かつ、交流バスバーの近傍に、高温に弱い電子部品を配置できる電力変換装置を提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of such a background, and is intended to provide a power conversion device that can easily weld an AC bus bar to a power terminal of a semiconductor module and can arrange electronic components that are vulnerable to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar. To do.
本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した本体部と、上記半導体素子に電気接続し上記本体部から突出したパワー端子とを有する半導体モジュールと、
上記パワー端子に溶接され、上記半導体素子と交流負荷との間の電流経路になる複数の交流バスバーとを備え、
個々の該交流バスバーは、上記パワー端子に溶接された第1接続部と、上記交流負荷に電気接続するための第2接続部と、上記第1接続部と上記第2接続部とを連結する連結部とを有し、
上記複数の交流バスバーのうち少なくとも一部の上記交流バスバーには、上記連結部に、上記第1接続部よりも厚さが厚い厚肉部が形成されており、
上記厚肉部に隣接する位置に、該厚肉部の周囲に発生した磁界を測定することにより個々の上記交流バスバーを流れる電流の電流値を測定する電流センサが設けられていることを特徴とする電力変換装置にある。
One aspect of the present invention is a semiconductor module having a main body portion incorporating a semiconductor element, and a power terminal electrically connected to the semiconductor element and protruding from the main body portion,
A plurality of alternating current bus bars welded to the power terminal and serving as a current path between the semiconductor element and an alternating load;
Each of the AC bus bars connects the first connection part welded to the power terminal, the second connection part for electrical connection to the AC load, the first connection part, and the second connection part. A connecting portion,
At least some of the AC bus bars among the plurality of AC bus bars are formed with a thick part thicker than the first connection part in the connection part ,
A current sensor is provided at a position adjacent to the thick wall portion to measure a current value of a current flowing through each of the AC bus bars by measuring a magnetic field generated around the thick wall portion. To power converter.
上記電力変換装置においては、複数の交流バスバーのうち少なくとも一部の交流バスバーに、第1接続部よりも厚い上記厚肉部を形成してある。
そのため、第1接続部の厚さを薄くしつつ、交流バスバーに、電気抵抗が小さい部位(厚肉部)を形成することができる。したがって、電力変換装置の使用時に厚肉部から発生する抵抗熱を低減でき、この厚肉部の近傍に、高温に弱い電子部品を配置することが可能になる。つまり、厚肉部は大きな抵抗熱が発生しにくいため、この厚肉部の近傍に電子部品を配置しても、抵抗熱によって電子部品の温度が上昇することを抑制でき、電子部品の寿命が低下することを抑制できる。
In the said power converter device, the said thick part thicker than a 1st connection part is formed in at least one part AC bus bar among several AC bus bars.
Therefore, a part (thick part) having a small electrical resistance can be formed in the AC bus bar while reducing the thickness of the first connection part. Therefore, it is possible to reduce the resistance heat generated from the thick portion when the power converter is used, and it is possible to arrange an electronic component that is vulnerable to high temperatures in the vicinity of the thick portion. In other words, since the thick-walled portion is unlikely to generate large resistance heat, even if an electronic component is placed near the thick-walled portion, the temperature of the electronic component can be prevented from rising due to the resistance heat, and the life of the electronic component can be reduced. It can suppress that it falls.
また、交流バスバーの上記第1接続部は、厚肉部よりも厚さが薄いため、第1接続部をパワー端子に溶接する作業を行う際に、溶接熱によって、第1接続部を短時間で溶融させることができる。したがって、第1接続部とパワー端子との溶接作業をより容易に行うことが可能になる。 Moreover, since the said 1st connection part of an alternating current bus bar is thinner than a thick part, when performing the operation | work which welds a 1st connection part to a power terminal, a 1st connection part is carried out for a short time by welding heat. Can be melted. Therefore, it is possible to more easily perform the welding operation between the first connection portion and the power terminal.
以上のごとく、本発明によれば、交流バスバーを半導体モジュールのパワー端子に溶接しやすく、かつ、交流バスバーの近傍に、高温に弱い電子部品を配置できる電力変換装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power converter capable of easily welding an AC bus bar to a power terminal of a semiconductor module and arranging electronic components that are vulnerable to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar.
上記電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための車載用電力変換装置とすることができる。 The power conversion device can be a vehicle-mounted power conversion device to be mounted on a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.
(実施例1)
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図13を用いて説明する。図1、図2に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2と、複数の交流バスバー3(3a,3b,3c)とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子21(図13参照)を内蔵した本体部20と、半導体素子21に電気接続し本体部20から突出したパワー端子22とを有する。交流バスバー3は、パワー端子22(22a)に溶接されている。交流バスバー3は、半導体素子21と交流負荷80(図13参照)との間の電流経路になっている。
Example 1
The Example which concerns on the said power converter device is described using FIGS. As shown in FIGS. 1 and 2, the
図3に示すごとく、個々の交流バスバー3は、パワー端子22に溶接された第1接続部31と、交流負荷80(図13参照)に電気接続するための第2接続部32と、第1接続部31と第2接続部32とを連結する連結部33とを有する。
図2に示すごとく、複数の交流バスバー3a,3b,3cのうち一部の交流バスバー3a,3bには、連結部33に、第1接続部31よりも厚さが厚い厚肉部34が形成されている。
As shown in FIG. 3, each
As shown in FIG. 2, in some of the
本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。
The
図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、上記交流バスバー3(3a,3b,3c)の他に、一対の直流バスバー11(正極バスバー11pおよび負極バスバー11n)を備える。この直流バスバー11を介して、直流電源8(図13参照)の直流電圧を、半導体モジュール2に加えている。そして、半導体素子21をオンオフ動作させることにより、直流電力を三相交流電力に変換し、この三相交流電力を、交流バスバー3を介して上記交流負荷80に供給するよう構成されている。
As shown in FIG. 1, the
図2に示すごとく、3本交流バスバー3(3a,3b,3c)のうち、2本の交流バスバー3(3a,3b)に、上記厚肉部34が形成されている。この厚肉部34に隣接する位置に、個々の交流バスバー3を流れる電流I(図3参照)の電流値を測定する電流センサ4が配されている。
As shown in FIG. 2, the
図3、図4に示すごとく、交流バスバー3の第1接続部31は、平板状に形成されている。本例では後述するように、第1接続部31を、パワー端子22に、レーザ溶接により溶接してある。また、第2部分32には、ボルト挿通孔320が形成されている。第2接続部32に図示しないコネクタを重ね合わせ、ボルト挿入孔320にボルトを挿入することにより、第2接続部32をコネクタに締結するよう構成されている。このコネクタを介して、交流バスバー3を上記交流負荷80に電気接続している。
As shown in FIGS. 3 and 4, the
図4、図5に示すごとく、本例では、金属板38を重ね合わせることにより、厚肉部34を形成してある。交流バスバー3の厚さ方向(Z方向)において、厚肉部34に隣り合う位置に、上記電流センサ4が配されている。また、厚肉部34を取り囲むように、集磁用のコア40を設けてある。コア40はフェライト等の磁性体からなり、環状を呈する。コア40にはギャップGが形成されている。このギャップG内に、電流センサ4が配されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, in this example, the
電流センサ4は、ホール素子によって形成されている。電流が交流バスバー3を流れると、この電流によって、厚肉部34の周囲に磁界が発生する。この磁界を、コア40を用いて集磁すると共に、電流センサ4を用いて、磁界の強さを検出する。これにより、交流バスバー3を流れる電流Iの電流値を測定するよう構成されている。電流センサ4は、ホール素子を内蔵したセンサ本体部48と、該センサ本体部48から突出した信号端子49とを備える。信号端子49は、図示しないワイヤーによって、後述する制御回路基板7に接続されている。
The
交流バスバー3を製造する際には、まず、図6に示す形状の金属板38を用意する。そして、この金属板38を、折曲予定線380に沿って折り曲げ、図7、図8に示すごとく、2つの被重ね合わせ部340を互いに重ね合わせる。2つの被重ね合わせ部340を重ね合わせた部位が、厚肉部34となる。
When the
図1に示すごとく、半導体モジュール2は、上記本体部20とパワー端子22との他に、制御端子23を備える。制御端子23は、本体部20から突出している。制御端子23に、制御回路基板7が接続している。この制御回路基板7を用いて、本体部20内の半導体素子21(IGBT素子:図13参照)のスイッチング動作を制御している。
As shown in FIG. 1, the
図1に示すごとく、パワー端子22には、直流電圧が印加される正極端子22p及び負極端子22nと、交流電力を出力する交流端子22aとがある。正極端子22pには正極バスバー11pが溶接され、負極端子22nには負極バスバー11nが溶接されている。また、交流端子22aに、上述した交流バスバー3が溶接されている。正極バスバー11p及び負極バスバー11nは、交流バスバー3と同様に、パワー端子22にレーザ溶接されている。
As shown in FIG. 1, the
図11、図12に示すごとく、交流端子22aと交流バスバー3とを溶接する際には、まず、第1接続部31の一方の主面310に、交流端子22aの先端面220を接触させる。そして、第1接続部31の他方の主面311にレーザ光線Lを照射する。これにより、第1接続部31と交流端子22aとを溶接する。また、正極バスバー11p及び負極バスバー11nも同様に、レーザ光線Lを用いて、正極端子22pおよび負極端子22nにそれぞれ溶接する。正極バスバー11pには貫通孔119が形成されている。この貫通孔119を通して、レーザ光線Lを負極バスバー11nに照射するよう構成されている。
なお、本例において「主面」とは、第1接続部31の表面のうち最も面積が大きい面を意味する。
As shown in FIGS. 11 and 12, when the
In this example, the “main surface” means the surface having the largest area among the surfaces of the
図9、図10に示すごとく、本例では、複数の半導体モジュール2と複数の冷却管6とを積層して、積層体10を形成してある。積層体10の積層方向(X方向)に隣り合う2つの冷却管6は、連結管60によって連結されている。また、複数の冷却管6のうち、X方向における一方の端部に位置する端部冷却管6aには、冷媒17を導入するための導入管15と、冷媒17を導出するための導出管16とが接続している。冷媒17を導入管15に導入すると、冷媒17は連結管60を通って全ての冷却管6を流れ、導出管16から導出する。これにより、半導体モジュール2を冷却するよう構成されている。
As shown in FIGS. 9 and 10, in this example, a
また、積層体10に対してX方向に隣り合う位置には、加圧部材14(板ばね)が配されている。この加圧部材14を用いて、積層体10を、ケース12の壁部121へ向けて加圧している。これにより、積層体10をケース12内に固定すると共に、冷却管6と半導体モジュール2との接触圧を確保している。
A pressing member 14 (leaf spring) is disposed at a position adjacent to the stacked
図1に示すごとく、積層体10に対して、X方向とZ方向との双方に直交する幅方向(Y方向)に隣り合う位置には、コンデンサ5が配されている。コンデンサ5の端子530,540には、上述した正極バスバー11p及び負極バスバー11nがそれぞれ接続している。このコンデンサ5を用いて、直流電源8(図13参照)の直流電圧を平滑化している。
As shown in FIG. 1, a
コンデンサ5は、コンデンサケース50と、該コンデンサケース50内に配されたコンデンサ素子51と、該コンデンサ素子51をコンデンサケース50内に封止する封止部材52と、コンデンサ素子51の電極面511,512にそれぞれ接続した電極板53,54とを備える。電極板53,54の一部は封止部材52から突出し、上記端子530,540となっている。
The
本例の作用効果について説明する。本例では図2、図4に示すごとく、複数の交流バスバー3(3a,3b,3c)のうち少なくとも一部の交流バスバー3a,3bに、第1接続部31よりも厚い厚肉部34を形成してある。
そのため、第1接続部31の厚さを薄くしつつ、交流バスバー3に、電気抵抗が小さい部位(厚肉部34)を形成することができる。したがって、電力変換装置1の使用時に厚肉部34から発生する抵抗熱を低減でき、この厚肉部34の近傍に、電流センサ4等の、高温に弱い電子部品を配置することが可能になる。つまり、厚肉部34は大きな抵抗熱が発生しにくいため、この厚肉部34の近傍に電子部品を配置しても、抵抗熱によって電子部品の温度が上昇することを抑制でき、電子部品の寿命が低下することを抑制できる。
The effect of this example will be described. In this example, as shown in FIGS. 2 and 4, at least some of the
Therefore, it is possible to form a portion (thick portion 34) having a small electric resistance in the
また、交流バスバー3の第1接続部31は、厚肉部34よりも厚さが薄いため、第1接続部31をパワー端子22に溶接する作業を行う際に、溶接熱によって、第1接続部22を短時間で溶融させることができる。したがって、第1接続部31とパワー端子22との溶接作業をより容易に行うことが可能になる。
Moreover, since the
また、図1、図4に示すごとく、本例では、厚肉部34に隣接する位置に、電流センサ4を設けてある。電流センサ4は、高温になると寿命が特に短くなりやすい電子部品であるが、本例では交流バスバー3に、抵抗熱が小さい厚肉部34を形成してあるため、この厚肉部34の近傍に、温度センサ4を配置することができる。
As shown in FIGS. 1 and 4, in this example, the
また、図1〜図5に示すごとく、本例では、磁性体からなる環状のコア40を、厚肉部34を取り囲むように設けてある。コア40は、温度が上昇すると磁気特性が変化する場合がある。そのため、コア40の温度が大きく上昇すると、磁気特性が変化して、電流センサ4による電流の測定値が不正確になるおそれが考えられる。しかし、本例のように、温度が上昇しにくい厚肉部34を取り囲むようにコア40を設ければ、コア40の温度が大きく上昇することを抑制できるため、コア40の磁気特性が変化する不具合を抑制できる。そのため、電流センサ4によって、電流の値を正確に測定することができる。
Moreover, as shown in FIGS. 1-5, in this example, the cyclic |
なお、図27〜図29に示すごとく、交流バスバー93に厚肉部を形成せず、X方向における幅Wが局所的に太い幅太部99を形成し、この幅太部99を取り囲むようにコア940を設けることもできる。しかしながら、この場合、コア940が大型化してしまい、コア940の製造コストが高くなるという問題が生じる。また、コア940と他の部品とが干渉する不具合も生じ得る。しかしながら、本例のように、交流バスバー3に形成した厚肉部34を取り囲むようにコア40を設ければ(図5参照)、コア40が大型化することを抑制でき、コア40の製造コストを低減できる。また、コア40が他の部品と干渉する不具合が生じにくい。
As shown in FIGS. 27 to 29, the
また、図11、図12に示すごとく、本例では、交流バスバー3の第1接続部31の一方の主面310にパワー端子22を接触させた状態で、第1接続部31とパワー端子22とをレーザ溶接してある。
そのため、パワー端子22と第1接続部31との溶接作業を容易に行うことが可能になる。すなわち、上述のようにレーザ溶接すれば、上記主面310の特定の位置にパワー端子22を溶接させる必要がなくなり、この主面310内の任意の位置に溶接させることが可能になる。つまり、パワー端子22の位置がずれた場合でも、そのずれた位置にレーザ光線Lを照射すれば、溶接することができる。そのため、パワー端子22の位置ずれを許容しやすくなり、パワー端子22と第1接続部31との溶接作業を容易に行うことが可能となる。本例では図9に示すごとく、半導体モジュール2と冷却管6とを積層して積層体10を形成しているため、半導体モジュール2や冷却管6の厚さばらつきが積み重なって、X方向におけるパワー端子22の位置ずれが生じやすい。しかし、本例のようにレーザ溶接を行えば、パワー端子22の位置がずれても、パワー端子22と第1接続部31とを容易に溶接することができる。
In addition, as shown in FIGS. 11 and 12, in this example, the
Therefore, the welding operation between the
また、レーザ溶接は、狭い範囲にエネルギーを集中できる溶接方法であるが、発生する熱の総量は比較的少ない。そのため、第1接続部31の厚さが厚いと、第1接続部31が溶融しにくくなり、溶接作業を短時間で行えなくなる。そのため、レーザ溶接を行う場合は、第1接続部31の厚さを薄くする必要がある。本例の交流バスバー3は、電流センサ4を配置する部位は厚肉にし、レーザ溶接を行う第1接続部31は薄肉にすることができる。そのため、本例の交流バスバー3は、レーザ溶接をする場合に好適に使用することができる。
Laser welding is a welding method that can concentrate energy in a narrow range, but the total amount of heat generated is relatively small. For this reason, if the thickness of the
以上のごとく、本例によれば、交流バスバーを半導体モジュールのパワー端子に溶接しやすく、かつ、交流バスバーの近傍に、高温に弱い電子部品を配置できる電力変換装置を提供することができる。 As described above, according to this example, it is possible to provide a power converter that can easily weld an AC bus bar to a power terminal of a semiconductor module and can arrange an electronic component that is vulnerable to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar.
なお、本例では、3本の交流バスバー3(3a,3b,3c)のうち、2本の交流バスバー3a,3bに厚肉部34を形成し、それぞれの厚肉部34に電流センサ4を配したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、3本の交流バスバー3のうち1本の交流バスバー3にのみ厚肉部34を形成し、この厚肉部34に電流センサ4を配してもよい。また、3本の交流バスバー3全てに厚肉部34を形成し、それぞれの厚肉部34に電流センサ4を設けてもよい。
In this example, of the three AC bus bars 3 (3a, 3b, 3c), the two
また、本例では、電流センサ4として、ホール素子を用いたが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、例えば電流センサ4として、GMR素子(Giant Magneto Resistive 素子)を用いることもできる。この場合、集磁用のコア40は不要となる。
In this example, a Hall element is used as the
(実施例2)
本例は、交流バスバー3の製造方法を変更した例である。図14、図15に示すごとく、本例では、まず、厚肉部34と同一の厚さを有する1枚の金属板38を用意する。そして、鍛造を行うことにより、図16、図17に示すごとく、金属板38の両端319、329を薄肉化する。また、第2接続部32となる側の端部329に、ボルト挿通孔320を形成する。これにより、本例の交流バスバー3を得る。
(Example 2)
In this example, the method for manufacturing the
なお、本例では、第1接続部31と第2接続部32との間、すなわち連結部33の全ての部位に、厚肉部34を形成してある。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。
In this example, the
In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.
(実施例3)
本例は、交流バスバー3の形状を変更した例である。図18、図19に示すごとく、本例の交流バスバー3は、第1接続部31と第2接続部32とのうち、第1接続部31のみを薄く形成してある。そして、第2接続部32は、厚肉部34と同一の厚さに形成してある。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。
(Example 3)
In this example, the shape of the
In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.
(実施例4)
本例は、交流バスバー3の製造方法を変更した例である。図20〜図22に示すごとく、本例では、先ず、厚さが互いに等しい2枚の金属板38a,38bを用意する。そして、それぞれの金属板38a,38bの端部382,383を重ね合わせ、これらを溶接する。これにより、厚肉部34を形成する。一方の金属板38aにおける、厚肉部34とは反対側の端部381は、第1接続部31となる。また、他方の金属板38bにおける、厚肉部34とは反対側の端部384には、ボルト挿通孔320を形成する。これにより、この端部384を第2接続部32とする。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。
Example 4
In this example, the method for manufacturing the
In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.
(実施例5)
本例は、交流バスバー3の形状を変更した例である。図23に示すごとく、本例では、連結部33の、X方向における一方側にのみ厚肉部34を形成してある。厚肉部34は、Y方向に細長い形状に形成されている。連結部33の、X方向における他方側の部位334は、第1接続部31及び第2接続部32と同一の厚さに形成されている。
(Example 5)
In this example, the shape of the
また、交流バスバー3は、図24に示す形状に形成してもよい。この交流バスバー3は、連結部33の、X方向における中央部にのみ厚肉部34を形成してある。連結部33の、X方向における両側に位置する部位335,336は、第1接続部31及び第2接続部32と同一の厚さに形成されている。
Moreover, you may form the alternating
また、図25に示すごとく、連結部33の、Y方向における中央部のみ厚肉部34を形成してもよい。この交流バスバー3は、鍛造によって形成されている。すなわち、厚肉部34と同一の厚さを有する金属板38(図示しない)を用意し、鍛造を行うことにより、厚肉部34以外の部位を薄肉化する。このようにして、図25に示す交流バスバー3を形成する。
Moreover, as shown in FIG. 25, you may form the
また、図26に示すごとく、連結部33の、X方向における両側に、それぞれ厚肉部34を形成してもよい。この交流バスバー3では、2つの厚肉部34は、それぞれY方向に細長い形状に形成されている。また、連結部33の、2つの厚肉部34の間の部位339は、第1接続部31及び第2接続部32と同一の厚さになっている。
Moreover, as shown in FIG. 26, you may form the
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。 In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.
1 電力変換装置
2 半導体モジュール
20 本体部
21 半導体素子
22 パワー端子
3 交流バスバー
31 第1接続部
32 第2接続部
33 連結部
34 厚肉部
80 交流負荷
DESCRIPTION OF
Claims (3)
上記パワー端子に溶接され、上記半導体素子(21)と交流負荷(80)との間の電流経路になる複数の交流バスバー(3)とを備え、
個々の該交流バスバー(3)は、上記パワー端子(22)に溶接された第1接続部(31)と、上記交流負荷(80)に電気接続するための第2接続部(32)と、上記第1接続部(31)と上記第2接続部(32)とを連結する連結部(33)とを有し、
上記複数の交流バスバー(3a,3b,3c)のうち少なくとも一部の上記交流バスバー(3a,3b)には、上記連結部(33)に、上記第1接続部(31)よりも厚さが厚い厚肉部(34)が形成されており、
上記厚肉部(34)に隣接する位置に、該厚肉部(34)の周囲に発生した磁界を測定することにより個々の上記交流バスバー(3a,3b)を流れる電流の電流値を測定する電流センサ(4)が設けられていることを特徴とする電力変換装置(1)。 A semiconductor module (2) having a main body (20) containing a semiconductor element (21) and a power terminal (22) projecting from the main body (20) and electrically connected to the semiconductor element (21);
A plurality of AC bus bars (3) welded to the power terminal and serving as a current path between the semiconductor element (21) and the AC load (80);
Each of the AC bus bars (3) includes a first connection part (31) welded to the power terminal (22), a second connection part (32) for electrical connection to the AC load (80), A connecting portion (33) for connecting the first connecting portion (31) and the second connecting portion (32);
Among the plurality of AC bus bars (3a, 3b, 3c), at least some of the AC bus bars (3a, 3b) have a thickness greater than that of the first connection portion (31) at the connecting portion (33). A thick thick part (34) is formed ,
The current value of the current flowing through each AC bus bar (3a, 3b) is measured by measuring the magnetic field generated around the thick wall portion (34) at a position adjacent to the thick wall portion (34). A power converter (1) characterized in that a current sensor (4) is provided .
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