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JP6164122B2 - Power converter - Google Patents

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JP6164122B2 JP2014044961A JP2014044961A JP6164122B2 JP 6164122 B2 JP6164122 B2 JP 6164122B2 JP 2014044961 A JP2014044961 A JP 2014044961A JP 2014044961 A JP2014044961 A JP 2014044961A JP 6164122 B2 JP6164122 B2 JP 6164122B2
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Description

本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続した交流バスバーとを備える電力変換装置に関する。   The present invention relates to a power conversion device including a semiconductor module incorporating a semiconductor element and an AC bus bar connected to the semiconductor module.

例えば直流電力と交流電力との間で電力変換を行う電力変換装置として、半導体素子を内蔵した半導体モジュールと、該半導体モジュールに接続した複数のバスバーとを備えたものが知られている。複数のバスバーには、直流電源と上記半導体素子との間の電流経路になる直流バスバーと、半導体素子と交流負荷との間の電流経路になる交流バスバーとがある。この電力変換装置は、半導体素子をオンオフ動作させることにより、上記直流電源から供給される直流電力を交流電力に変換し、この交流電力によって、上記交流負荷を駆動するよう構成されている。   For example, as a power conversion device that performs power conversion between DC power and AC power, a device that includes a semiconductor module incorporating a semiconductor element and a plurality of bus bars connected to the semiconductor module is known. The plurality of bus bars include a DC bus bar serving as a current path between a DC power source and the semiconductor element, and an AC bus bar serving as a current path between the semiconductor element and an AC load. This power conversion device is configured to convert the DC power supplied from the DC power source into AC power by turning on and off the semiconductor element, and to drive the AC load with the AC power.

半導体モジュールは、上記半導体素子を内蔵した本体部と、該本体部から突出したパワー端子とを備える。このパワー端子に、上記交流バスバーの一方の端部が溶接されている。交流バスバーの他方の端部は、上記交流負荷に電気接続される。また、交流バスバーには、ホール素子等の電流センサが取り付けられる。   The semiconductor module includes a main body portion incorporating the semiconductor element and a power terminal protruding from the main body portion. One end of the AC bus bar is welded to the power terminal. The other end of the AC bus bar is electrically connected to the AC load. In addition, a current sensor such as a Hall element is attached to the AC bus bar.

近年、交流バスバーの厚さを薄くする試みがなされている。交流バスバーを薄く形成すると、例えばパワー端子と交流バスバーを溶接する際に、溶接熱によって交流バスバーが溶融しやすくなり、溶接作業を行いやすくなる等のメリットがある。   In recent years, attempts have been made to reduce the thickness of the AC bus bar. When the AC bus bar is formed thin, for example, when the power terminal and the AC bus bar are welded, there is an advantage that the AC bus bar is easily melted by welding heat and the welding operation is facilitated.

特開2012−233741号公報JP2012-233741A

しかしながら、交流バスバーを薄肉化すると電気抵抗が上昇するため、電力変換装置の使用時に交流バスバーから発生する抵抗熱が大きくなりやすい。そのため、交流バスバーの近傍に、電流センサ等の、高温に弱い電子部品を配置しにくくなる。このような電子部品を交流バスバーの近傍に配置すると、上記抵抗熱によって温度が上昇し、電子部品の寿命が低下しやすくなる。   However, since the electrical resistance increases when the AC bus bar is thinned, the resistance heat generated from the AC bus bar tends to increase when the power converter is used. For this reason, it becomes difficult to dispose electronic components such as current sensors that are sensitive to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar. When such an electronic component is disposed in the vicinity of the AC bus bar, the temperature increases due to the resistance heat, and the life of the electronic component is likely to be reduced.

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたもので、交流バスバーを半導体モジュールのパワー端子に溶接しやすく、かつ、交流バスバーの近傍に、高温に弱い電子部品を配置できる電力変換装置を提供しようとするものである。   The present invention has been made in view of such a background, and is intended to provide a power conversion device that can easily weld an AC bus bar to a power terminal of a semiconductor module and can arrange electronic components that are vulnerable to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar. To do.

本発明の一態様は、半導体素子を内蔵した本体部と、上記半導体素子に電気接続し上記本体部から突出したパワー端子とを有する半導体モジュールと、
上記パワー端子に溶接され、上記半導体素子と交流負荷との間の電流経路になる複数の交流バスバーとを備え、
個々の該交流バスバーは、上記パワー端子に溶接された第1接続部と、上記交流負荷に電気接続するための第2接続部と、上記第1接続部と上記第2接続部とを連結する連結部とを有し、
上記複数の交流バスバーのうち少なくとも一部の上記交流バスバーには、上記連結部に、上記第1接続部よりも厚さが厚い厚肉部が形成されており、
上記厚肉部に隣接する位置に、該厚肉部の周囲に発生した磁界を測定することにより個々の上記交流バスバーを流れる電流の電流値を測定する電流センサが設けられていることを特徴とする電力変換装置にある。
One aspect of the present invention is a semiconductor module having a main body portion incorporating a semiconductor element, and a power terminal electrically connected to the semiconductor element and protruding from the main body portion,
A plurality of alternating current bus bars welded to the power terminal and serving as a current path between the semiconductor element and an alternating load;
Each of the AC bus bars connects the first connection part welded to the power terminal, the second connection part for electrical connection to the AC load, the first connection part, and the second connection part. A connecting portion,
At least some of the AC bus bars among the plurality of AC bus bars are formed with a thick part thicker than the first connection part in the connection part ,
A current sensor is provided at a position adjacent to the thick wall portion to measure a current value of a current flowing through each of the AC bus bars by measuring a magnetic field generated around the thick wall portion. To power converter.

上記電力変換装置においては、複数の交流バスバーのうち少なくとも一部の交流バスバーに、第1接続部よりも厚い上記厚肉部を形成してある。
そのため、第1接続部の厚さを薄くしつつ、交流バスバーに、電気抵抗が小さい部位(厚肉部)を形成することができる。したがって、電力変換装置の使用時に厚肉部から発生する抵抗熱を低減でき、この厚肉部の近傍に、高温に弱い電子部品を配置することが可能になる。つまり、厚肉部は大きな抵抗熱が発生しにくいため、この厚肉部の近傍に電子部品を配置しても、抵抗熱によって電子部品の温度が上昇することを抑制でき、電子部品の寿命が低下することを抑制できる。
In the said power converter device, the said thick part thicker than a 1st connection part is formed in at least one part AC bus bar among several AC bus bars.
Therefore, a part (thick part) having a small electrical resistance can be formed in the AC bus bar while reducing the thickness of the first connection part. Therefore, it is possible to reduce the resistance heat generated from the thick portion when the power converter is used, and it is possible to arrange an electronic component that is vulnerable to high temperatures in the vicinity of the thick portion. In other words, since the thick-walled portion is unlikely to generate large resistance heat, even if an electronic component is placed near the thick-walled portion, the temperature of the electronic component can be prevented from rising due to the resistance heat, and the life of the electronic component can be reduced. It can suppress that it falls.

また、交流バスバーの上記第1接続部は、厚肉部よりも厚さが薄いため、第1接続部をパワー端子に溶接する作業を行う際に、溶接熱によって、第1接続部を短時間で溶融させることができる。したがって、第1接続部とパワー端子との溶接作業をより容易に行うことが可能になる。   Moreover, since the said 1st connection part of an alternating current bus bar is thinner than a thick part, when performing the operation | work which welds a 1st connection part to a power terminal, a 1st connection part is carried out for a short time by welding heat. Can be melted. Therefore, it is possible to more easily perform the welding operation between the first connection portion and the power terminal.

以上のごとく、本発明によれば、交流バスバーを半導体モジュールのパワー端子に溶接しやすく、かつ、交流バスバーの近傍に、高温に弱い電子部品を配置できる電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a power converter capable of easily welding an AC bus bar to a power terminal of a semiconductor module and arranging electronic components that are vulnerable to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar.

実施例1における、電力変換装置の断面図であって、図2のI-I断面図。It is sectional drawing of the power converter device in Example 1, Comprising: II sectional drawing of FIG. 図1のII-II断面図。II-II sectional drawing of FIG. 実施例1における、交流バスバーとコアと電流センサとの平面図であって、封止部を省略したもの。FIG. 3 is a plan view of an AC bus bar, a core, and a current sensor in Embodiment 1, with a sealing portion omitted. 図3のIV-IV断面図。IV-IV sectional drawing of FIG. 図3のV-V断面図。VV sectional drawing of FIG. 実施例1における、交流バスバーの製造方法説明図。The manufacturing method explanatory drawing of the alternating current bus bar in Example 1. FIG. 図6に続く図。The figure following FIG. 図7のVIII-VIII断面図。VIII-VIII sectional drawing of FIG. 図1のIX-IX断面図。IX-IX sectional drawing of FIG. 図1のX-X断面図。XX sectional drawing of FIG. 実施例1における、交流バスバーをパワー端子に溶接する工程の説明図。Explanatory drawing of the process of welding an alternating current bus bar to a power terminal in Example 1. FIG. 図11のXII-XII断面図。XII-XII sectional drawing of FIG. 実施例1における、電力変換装置の回路図。The circuit diagram of the power converter device in Example 1. FIG. 実施例2における、交流バスバーの製造方法説明図。The manufacturing method explanatory drawing of the alternating current bus bar in Example 2. FIG. 図14のXV-XV断面図。XV-XV sectional drawing of FIG. 図14に続く図。The figure following FIG. 図16のXVII-XVII断面図。XVII-XVII sectional drawing of FIG. 実施例3における、交流バスバーの平面図。The top view of the alternating current bus bar in Example 3. FIG. 図18のXIX-XIX断面図。XIX-XIX sectional drawing of FIG. 実施例4における、交流バスバーの製造方法説明図。Explanatory drawing of the manufacturing method of the alternating current bus bar in Example 4. FIG. 図20に続く図。The figure following FIG. 図21のXXII-XXII断面図。XXII-XXII sectional drawing of FIG. 実施例5における、厚肉部を、X方向における連結部の一方側に偏るように形成した交流バスバーの斜視図。The perspective view of the alternating current bus bar which formed the thick part in Example 5 so that it might be biased to the one side of the connection part in a X direction. 実施例5における、厚肉部を、X方向における連結部の中央に形成した交流バスバーの斜視図。The perspective view of the alternating current bus bar which formed the thick part in Example 5 in the center of the connection part in a X direction. 実施例5における、厚肉部を、Y方向における連結部の中央に形成した交流バスバーの斜視図。The perspective view of the alternating current bus bar which formed the thick part in Example 5 in the center of the connection part in a Y direction. 実施例5における、厚肉部を、X方向における連結部の両側にそれぞれ形成した交流バスバーの斜視図。The perspective view of the alternating current bus bar which formed the thick part in Example 5 in the both sides of the connection part in a X direction, respectively. 比較例における、交流バスバーとコアと電流センサとの平面図。The top view of an alternating current bus bar, a core, and a current sensor in a comparative example. 図27のXXVIII-XXVIII断面図。XXVIII-XXVIII sectional drawing of FIG. 図27のXXIX-XXIX断面図。XXIX-XXIX sectional drawing of FIG.

上記電力変換装置は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための車載用電力変換装置とすることができる。   The power conversion device can be a vehicle-mounted power conversion device to be mounted on a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.

(実施例1)
上記電力変換装置に係る実施例について、図1〜図13を用いて説明する。図1、図2に示すごとく、本例の電力変換装置1は、半導体モジュール2と、複数の交流バスバー3(3a,3b,3c)とを備える。半導体モジュール2は、半導体素子21(図13参照)を内蔵した本体部20と、半導体素子21に電気接続し本体部20から突出したパワー端子22とを有する。交流バスバー3は、パワー端子22(22a)に溶接されている。交流バスバー3は、半導体素子21と交流負荷80(図13参照)との間の電流経路になっている。
Example 1
The Example which concerns on the said power converter device is described using FIGS. As shown in FIGS. 1 and 2, the power conversion device 1 of this example includes a semiconductor module 2 and a plurality of AC bus bars 3 (3a, 3b, 3c). The semiconductor module 2 includes a main body 20 that contains a semiconductor element 21 (see FIG. 13), and a power terminal 22 that is electrically connected to the semiconductor element 21 and protrudes from the main body 20. The AC bus bar 3 is welded to the power terminal 22 (22a). The AC bus bar 3 is a current path between the semiconductor element 21 and the AC load 80 (see FIG. 13).

図3に示すごとく、個々の交流バスバー3は、パワー端子22に溶接された第1接続部31と、交流負荷80(図13参照)に電気接続するための第2接続部32と、第1接続部31と第2接続部32とを連結する連結部33とを有する。
図2に示すごとく、複数の交流バスバー3a,3b,3cのうち一部の交流バスバー3a,3bには、連結部33に、第1接続部31よりも厚さが厚い厚肉部34が形成されている。
As shown in FIG. 3, each AC bus bar 3 includes a first connection part 31 welded to the power terminal 22, a second connection part 32 for electrical connection to an AC load 80 (see FIG. 13), and a first It has the connection part 33 which connects the connection part 31 and the 2nd connection part 32. FIG.
As shown in FIG. 2, in some of the AC bus bars 3 a, 3 b among the plurality of AC bus bars 3 a, 3 b, 3 c, a thick portion 34 that is thicker than the first connection portion 31 is formed in the connecting portion 33. Has been.

本例の電力変換装置1は、電気自動車やハイブリッド車等の車両に搭載するための、車載用電力変換装置である。   The power conversion device 1 of this example is a vehicle-mounted power conversion device to be mounted on a vehicle such as an electric vehicle or a hybrid vehicle.

図1に示すごとく、本例の電力変換装置1は、上記交流バスバー3(3a,3b,3c)の他に、一対の直流バスバー11(正極バスバー11pおよび負極バスバー11n)を備える。この直流バスバー11を介して、直流電源8(図13参照)の直流電圧を、半導体モジュール2に加えている。そして、半導体素子21をオンオフ動作させることにより、直流電力を三相交流電力に変換し、この三相交流電力を、交流バスバー3を介して上記交流負荷80に供給するよう構成されている。   As shown in FIG. 1, the power conversion apparatus 1 of this example includes a pair of DC bus bars 11 (a positive bus bar 11p and a negative bus bar 11n) in addition to the AC bus bars 3 (3a, 3b, 3c). A DC voltage of a DC power source 8 (see FIG. 13) is applied to the semiconductor module 2 via the DC bus bar 11. Then, the semiconductor element 21 is turned on / off to convert DC power into three-phase AC power, and this three-phase AC power is supplied to the AC load 80 via the AC bus bar 3.

図2に示すごとく、3本交流バスバー3(3a,3b,3c)のうち、2本の交流バスバー3(3a,3b)に、上記厚肉部34が形成されている。この厚肉部34に隣接する位置に、個々の交流バスバー3を流れる電流I(図3参照)の電流値を測定する電流センサ4が配されている。   As shown in FIG. 2, the thick part 34 is formed in two AC bus bars 3 (3a, 3b) among the three AC bus bars 3 (3a, 3b, 3c). A current sensor 4 for measuring a current value of a current I (see FIG. 3) flowing through each AC bus bar 3 is disposed at a position adjacent to the thick portion 34.

図3、図4に示すごとく、交流バスバー3の第1接続部31は、平板状に形成されている。本例では後述するように、第1接続部31を、パワー端子22に、レーザ溶接により溶接してある。また、第2部分32には、ボルト挿通孔320が形成されている。第2接続部32に図示しないコネクタを重ね合わせ、ボルト挿入孔320にボルトを挿入することにより、第2接続部32をコネクタに締結するよう構成されている。このコネクタを介して、交流バスバー3を上記交流負荷80に電気接続している。   As shown in FIGS. 3 and 4, the first connection portion 31 of the AC bus bar 3 is formed in a flat plate shape. In this example, as will be described later, the first connecting portion 31 is welded to the power terminal 22 by laser welding. Further, a bolt insertion hole 320 is formed in the second portion 32. A connector (not shown) is overlapped on the second connection portion 32 and a bolt is inserted into the bolt insertion hole 320 so that the second connection portion 32 is fastened to the connector. The AC bus bar 3 is electrically connected to the AC load 80 via this connector.

図4、図5に示すごとく、本例では、金属板38を重ね合わせることにより、厚肉部34を形成してある。交流バスバー3の厚さ方向(Z方向)において、厚肉部34に隣り合う位置に、上記電流センサ4が配されている。また、厚肉部34を取り囲むように、集磁用のコア40を設けてある。コア40はフェライト等の磁性体からなり、環状を呈する。コア40にはギャップGが形成されている。このギャップG内に、電流センサ4が配されている。   As shown in FIGS. 4 and 5, in this example, the thick portion 34 is formed by overlapping the metal plates 38. The current sensor 4 is arranged at a position adjacent to the thick portion 34 in the thickness direction (Z direction) of the AC bus bar 3. In addition, a magnetic collecting core 40 is provided so as to surround the thick portion 34. The core 40 is made of a magnetic material such as ferrite and has an annular shape. A gap G is formed in the core 40. A current sensor 4 is arranged in the gap G.

電流センサ4は、ホール素子によって形成されている。電流が交流バスバー3を流れると、この電流によって、厚肉部34の周囲に磁界が発生する。この磁界を、コア40を用いて集磁すると共に、電流センサ4を用いて、磁界の強さを検出する。これにより、交流バスバー3を流れる電流Iの電流値を測定するよう構成されている。電流センサ4は、ホール素子を内蔵したセンサ本体部48と、該センサ本体部48から突出した信号端子49とを備える。信号端子49は、図示しないワイヤーによって、後述する制御回路基板7に接続されている。   The current sensor 4 is formed by a Hall element. When an electric current flows through the AC bus bar 3, a magnetic field is generated around the thick portion 34 due to the electric current. The magnetic field is collected using the core 40 and the current sensor 4 is used to detect the strength of the magnetic field. Thus, the current value of the current I flowing through the AC bus bar 3 is measured. The current sensor 4 includes a sensor main body 48 incorporating a Hall element, and a signal terminal 49 protruding from the sensor main body 48. The signal terminal 49 is connected to a control circuit board 7 described later by a wire (not shown).

交流バスバー3を製造する際には、まず、図6に示す形状の金属板38を用意する。そして、この金属板38を、折曲予定線380に沿って折り曲げ、図7、図8に示すごとく、2つの被重ね合わせ部340を互いに重ね合わせる。2つの被重ね合わせ部340を重ね合わせた部位が、厚肉部34となる。   When the AC bus bar 3 is manufactured, first, a metal plate 38 having the shape shown in FIG. 6 is prepared. Then, the metal plate 38 is bent along the planned bending line 380, and the two overlapped portions 340 are overlapped with each other as shown in FIGS. A portion where the two overlapped portions 340 are overlapped becomes the thick portion 34.

図1に示すごとく、半導体モジュール2は、上記本体部20とパワー端子22との他に、制御端子23を備える。制御端子23は、本体部20から突出している。制御端子23に、制御回路基板7が接続している。この制御回路基板7を用いて、本体部20内の半導体素子21(IGBT素子:図13参照)のスイッチング動作を制御している。   As shown in FIG. 1, the semiconductor module 2 includes a control terminal 23 in addition to the main body 20 and the power terminal 22. The control terminal 23 protrudes from the main body 20. The control circuit board 7 is connected to the control terminal 23. The control circuit board 7 is used to control the switching operation of the semiconductor element 21 (IGBT element: see FIG. 13) in the main body 20.

図1に示すごとく、パワー端子22には、直流電圧が印加される正極端子22p及び負極端子22nと、交流電力を出力する交流端子22aとがある。正極端子22pには正極バスバー11pが溶接され、負極端子22nには負極バスバー11nが溶接されている。また、交流端子22aに、上述した交流バスバー3が溶接されている。正極バスバー11p及び負極バスバー11nは、交流バスバー3と同様に、パワー端子22にレーザ溶接されている。   As shown in FIG. 1, the power terminal 22 includes a positive terminal 22p and a negative terminal 22n to which a DC voltage is applied, and an AC terminal 22a that outputs AC power. The positive electrode bus bar 11p is welded to the positive electrode terminal 22p, and the negative electrode bus bar 11n is welded to the negative electrode terminal 22n. Further, the AC bus bar 3 described above is welded to the AC terminal 22a. The positive electrode bus bar 11p and the negative electrode bus bar 11n are laser-welded to the power terminal 22 in the same manner as the AC bus bar 3.

図11、図12に示すごとく、交流端子22aと交流バスバー3とを溶接する際には、まず、第1接続部31の一方の主面310に、交流端子22aの先端面220を接触させる。そして、第1接続部31の他方の主面311にレーザ光線Lを照射する。これにより、第1接続部31と交流端子22aとを溶接する。また、正極バスバー11p及び負極バスバー11nも同様に、レーザ光線Lを用いて、正極端子22pおよび負極端子22nにそれぞれ溶接する。正極バスバー11pには貫通孔119が形成されている。この貫通孔119を通して、レーザ光線Lを負極バスバー11nに照射するよう構成されている。
なお、本例において「主面」とは、第1接続部31の表面のうち最も面積が大きい面を意味する。
As shown in FIGS. 11 and 12, when the AC terminal 22 a and the AC bus bar 3 are welded, first, the front end surface 220 of the AC terminal 22 a is brought into contact with one main surface 310 of the first connection portion 31. Then, the other main surface 311 of the first connection portion 31 is irradiated with the laser beam L. Thereby, the 1st connection part 31 and AC terminal 22a are welded. Similarly, the positive electrode bus bar 11p and the negative electrode bus bar 11n are welded to the positive electrode terminal 22p and the negative electrode terminal 22n using the laser beam L, respectively. A through hole 119 is formed in the positive bus bar 11p. The laser beam L is irradiated to the negative electrode bus bar 11n through the through hole 119.
In this example, the “main surface” means the surface having the largest area among the surfaces of the first connection portion 31.

図9、図10に示すごとく、本例では、複数の半導体モジュール2と複数の冷却管6とを積層して、積層体10を形成してある。積層体10の積層方向(X方向)に隣り合う2つの冷却管6は、連結管60によって連結されている。また、複数の冷却管6のうち、X方向における一方の端部に位置する端部冷却管6aには、冷媒17を導入するための導入管15と、冷媒17を導出するための導出管16とが接続している。冷媒17を導入管15に導入すると、冷媒17は連結管60を通って全ての冷却管6を流れ、導出管16から導出する。これにより、半導体モジュール2を冷却するよう構成されている。   As shown in FIGS. 9 and 10, in this example, a stacked body 10 is formed by stacking a plurality of semiconductor modules 2 and a plurality of cooling pipes 6. Two cooling pipes 6 adjacent to each other in the stacking direction (X direction) of the stacked body 10 are connected by a connecting pipe 60. In addition, among the plurality of cooling pipes 6, the end cooling pipe 6 a positioned at one end in the X direction has an introduction pipe 15 for introducing the refrigerant 17 and an outlet pipe 16 for leading out the refrigerant 17. And are connected. When the refrigerant 17 is introduced into the introduction pipe 15, the refrigerant 17 flows through all the cooling pipes 6 through the connecting pipe 60 and is led out from the outlet pipe 16. Thereby, the semiconductor module 2 is configured to be cooled.

また、積層体10に対してX方向に隣り合う位置には、加圧部材14(板ばね)が配されている。この加圧部材14を用いて、積層体10を、ケース12の壁部121へ向けて加圧している。これにより、積層体10をケース12内に固定すると共に、冷却管6と半導体モジュール2との接触圧を確保している。   A pressing member 14 (leaf spring) is disposed at a position adjacent to the stacked body 10 in the X direction. Using this pressurizing member 14, the laminate 10 is pressed toward the wall 121 of the case 12. Thereby, the laminated body 10 is fixed in the case 12, and the contact pressure between the cooling pipe 6 and the semiconductor module 2 is secured.

図1に示すごとく、積層体10に対して、X方向とZ方向との双方に直交する幅方向(Y方向)に隣り合う位置には、コンデンサ5が配されている。コンデンサ5の端子530,540には、上述した正極バスバー11p及び負極バスバー11nがそれぞれ接続している。このコンデンサ5を用いて、直流電源8(図13参照)の直流電圧を平滑化している。   As shown in FIG. 1, a capacitor 5 is disposed at a position adjacent to the stacked body 10 in the width direction (Y direction) orthogonal to both the X direction and the Z direction. The positive electrode bus bar 11p and the negative electrode bus bar 11n described above are connected to terminals 530 and 540 of the capacitor 5, respectively. The capacitor 5 is used to smooth the DC voltage of the DC power supply 8 (see FIG. 13).

コンデンサ5は、コンデンサケース50と、該コンデンサケース50内に配されたコンデンサ素子51と、該コンデンサ素子51をコンデンサケース50内に封止する封止部材52と、コンデンサ素子51の電極面511,512にそれぞれ接続した電極板53,54とを備える。電極板53,54の一部は封止部材52から突出し、上記端子530,540となっている。   The capacitor 5 includes a capacitor case 50, a capacitor element 51 disposed in the capacitor case 50, a sealing member 52 that seals the capacitor element 51 in the capacitor case 50, and electrode surfaces 511 of the capacitor element 51. And electrode plates 53 and 54 connected to 512 respectively. Part of the electrode plates 53 and 54 protrudes from the sealing member 52 and serves as the terminals 530 and 540.

本例の作用効果について説明する。本例では図2、図4に示すごとく、複数の交流バスバー3(3a,3b,3c)のうち少なくとも一部の交流バスバー3a,3bに、第1接続部31よりも厚い厚肉部34を形成してある。
そのため、第1接続部31の厚さを薄くしつつ、交流バスバー3に、電気抵抗が小さい部位(厚肉部34)を形成することができる。したがって、電力変換装置1の使用時に厚肉部34から発生する抵抗熱を低減でき、この厚肉部34の近傍に、電流センサ4等の、高温に弱い電子部品を配置することが可能になる。つまり、厚肉部34は大きな抵抗熱が発生しにくいため、この厚肉部34の近傍に電子部品を配置しても、抵抗熱によって電子部品の温度が上昇することを抑制でき、電子部品の寿命が低下することを抑制できる。
The effect of this example will be described. In this example, as shown in FIGS. 2 and 4, at least some of the AC bus bars 3 a and 3 b among the plurality of AC bus bars 3 (3 a, 3 b, 3 c) are provided with thicker portions 34 that are thicker than the first connection portion 31. It is formed.
Therefore, it is possible to form a portion (thick portion 34) having a small electric resistance in the AC bus bar 3 while reducing the thickness of the first connection portion 31. Therefore, it is possible to reduce the resistance heat generated from the thick portion 34 when the power conversion device 1 is used, and it is possible to dispose electronic components sensitive to high temperatures such as the current sensor 4 in the vicinity of the thick portion 34. . That is, since the thick portion 34 is unlikely to generate a large resistance heat, even if an electronic component is disposed in the vicinity of the thick portion 34, the temperature of the electronic component can be prevented from rising due to the resistance heat. It can suppress that a lifetime falls.

また、交流バスバー3の第1接続部31は、厚肉部34よりも厚さが薄いため、第1接続部31をパワー端子22に溶接する作業を行う際に、溶接熱によって、第1接続部22を短時間で溶融させることができる。したがって、第1接続部31とパワー端子22との溶接作業をより容易に行うことが可能になる。   Moreover, since the 1st connection part 31 of the alternating current bus bar 3 is thinner than the thick part 34, when performing the operation | work which welds the 1st connection part 31 to the power terminal 22, a 1st connection is carried out by welding heat. The part 22 can be melted in a short time. Therefore, the welding operation between the first connection portion 31 and the power terminal 22 can be performed more easily.

また、図1、図4に示すごとく、本例では、厚肉部34に隣接する位置に、電流センサ4を設けてある。電流センサ4は、高温になると寿命が特に短くなりやすい電子部品であるが、本例では交流バスバー3に、抵抗熱が小さい厚肉部34を形成してあるため、この厚肉部34の近傍に、温度センサ4を配置することができる。   As shown in FIGS. 1 and 4, in this example, the current sensor 4 is provided at a position adjacent to the thick portion 34. The current sensor 4 is an electronic component whose life is likely to be particularly shortened at a high temperature. However, in this example, the thick portion 34 having a small resistance heat is formed on the AC bus bar 3, so the vicinity of the thick portion 34 is used. In addition, the temperature sensor 4 can be arranged.

また、図1〜図5に示すごとく、本例では、磁性体からなる環状のコア40を、厚肉部34を取り囲むように設けてある。コア40は、温度が上昇すると磁気特性が変化する場合がある。そのため、コア40の温度が大きく上昇すると、磁気特性が変化して、電流センサ4による電流の測定値が不正確になるおそれが考えられる。しかし、本例のように、温度が上昇しにくい厚肉部34を取り囲むようにコア40を設ければ、コア40の温度が大きく上昇することを抑制できるため、コア40の磁気特性が変化する不具合を抑制できる。そのため、電流センサ4によって、電流の値を正確に測定することができる。   Moreover, as shown in FIGS. 1-5, in this example, the cyclic | annular core 40 which consists of magnetic bodies is provided so that the thick part 34 may be surrounded. The magnetic characteristics of the core 40 may change as the temperature rises. Therefore, when the temperature of the core 40 rises greatly, the magnetic characteristics may change, and the current measured value by the current sensor 4 may be inaccurate. However, if the core 40 is provided so as to surround the thick portion 34 where the temperature does not easily rise as in this example, the temperature of the core 40 can be prevented from greatly increasing, and the magnetic characteristics of the core 40 change. Defects can be suppressed. Therefore, the current value can be accurately measured by the current sensor 4.

なお、図27〜図29に示すごとく、交流バスバー93に厚肉部を形成せず、X方向における幅Wが局所的に太い幅太部99を形成し、この幅太部99を取り囲むようにコア940を設けることもできる。しかしながら、この場合、コア940が大型化してしまい、コア940の製造コストが高くなるという問題が生じる。また、コア940と他の部品とが干渉する不具合も生じ得る。しかしながら、本例のように、交流バスバー3に形成した厚肉部34を取り囲むようにコア40を設ければ(図5参照)、コア40が大型化することを抑制でき、コア40の製造コストを低減できる。また、コア40が他の部品と干渉する不具合が生じにくい。   As shown in FIGS. 27 to 29, the AC bus bar 93 is not formed with a thick portion, and a wide portion 99 having a locally wide width W in the X direction is formed so as to surround the thick portion 99. A core 940 can also be provided. However, in this case, the core 940 is increased in size, and there is a problem that the manufacturing cost of the core 940 is increased. Further, there may be a problem that the core 940 interferes with other parts. However, if the core 40 is provided so as to surround the thick portion 34 formed in the AC bus bar 3 as in this example (see FIG. 5), the core 40 can be prevented from becoming large, and the manufacturing cost of the core 40 can be suppressed. Can be reduced. In addition, it is difficult for the core 40 to interfere with other parts.

また、図11、図12に示すごとく、本例では、交流バスバー3の第1接続部31の一方の主面310にパワー端子22を接触させた状態で、第1接続部31とパワー端子22とをレーザ溶接してある。
そのため、パワー端子22と第1接続部31との溶接作業を容易に行うことが可能になる。すなわち、上述のようにレーザ溶接すれば、上記主面310の特定の位置にパワー端子22を溶接させる必要がなくなり、この主面310内の任意の位置に溶接させることが可能になる。つまり、パワー端子22の位置がずれた場合でも、そのずれた位置にレーザ光線Lを照射すれば、溶接することができる。そのため、パワー端子22の位置ずれを許容しやすくなり、パワー端子22と第1接続部31との溶接作業を容易に行うことが可能となる。本例では図9に示すごとく、半導体モジュール2と冷却管6とを積層して積層体10を形成しているため、半導体モジュール2や冷却管6の厚さばらつきが積み重なって、X方向におけるパワー端子22の位置ずれが生じやすい。しかし、本例のようにレーザ溶接を行えば、パワー端子22の位置がずれても、パワー端子22と第1接続部31とを容易に溶接することができる。
In addition, as shown in FIGS. 11 and 12, in this example, the first connection portion 31 and the power terminal 22 are in a state where the power terminal 22 is in contact with one main surface 310 of the first connection portion 31 of the AC bus bar 3. Are laser welded.
Therefore, the welding operation between the power terminal 22 and the first connection portion 31 can be easily performed. That is, if laser welding is performed as described above, it is not necessary to weld the power terminal 22 to a specific position of the main surface 310, and it is possible to weld the power terminal 22 to an arbitrary position within the main surface 310. That is, even when the position of the power terminal 22 is shifted, welding can be performed by irradiating the shifted position with the laser beam L. Therefore, it becomes easy to allow position shift of power terminal 22, and it becomes possible to perform welding work of power terminal 22 and the 1st connection part 31 easily. In this example, as shown in FIG. 9, the semiconductor module 2 and the cooling pipe 6 are laminated to form the laminated body 10, so that the thickness variations of the semiconductor module 2 and the cooling pipe 6 are stacked, and the power in the X direction is increased. The terminal 22 is likely to be displaced. However, if laser welding is performed as in this example, the power terminal 22 and the first connecting portion 31 can be easily welded even if the position of the power terminal 22 is shifted.

また、レーザ溶接は、狭い範囲にエネルギーを集中できる溶接方法であるが、発生する熱の総量は比較的少ない。そのため、第1接続部31の厚さが厚いと、第1接続部31が溶融しにくくなり、溶接作業を短時間で行えなくなる。そのため、レーザ溶接を行う場合は、第1接続部31の厚さを薄くする必要がある。本例の交流バスバー3は、電流センサ4を配置する部位は厚肉にし、レーザ溶接を行う第1接続部31は薄肉にすることができる。そのため、本例の交流バスバー3は、レーザ溶接をする場合に好適に使用することができる。   Laser welding is a welding method that can concentrate energy in a narrow range, but the total amount of heat generated is relatively small. For this reason, if the thickness of the first connection portion 31 is large, the first connection portion 31 is difficult to melt, and the welding operation cannot be performed in a short time. Therefore, when performing laser welding, it is necessary to make the thickness of the 1st connection part 31 thin. In the AC bus bar 3 of this example, the portion where the current sensor 4 is arranged can be thick, and the first connection portion 31 for performing laser welding can be thin. Therefore, the AC bus bar 3 of this example can be suitably used when laser welding is performed.

以上のごとく、本例によれば、交流バスバーを半導体モジュールのパワー端子に溶接しやすく、かつ、交流バスバーの近傍に、高温に弱い電子部品を配置できる電力変換装置を提供することができる。   As described above, according to this example, it is possible to provide a power converter that can easily weld an AC bus bar to a power terminal of a semiconductor module and can arrange an electronic component that is vulnerable to high temperatures in the vicinity of the AC bus bar.

なお、本例では、3本の交流バスバー3(3a,3b,3c)のうち、2本の交流バスバー3a,3bに厚肉部34を形成し、それぞれの厚肉部34に電流センサ4を配したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、3本の交流バスバー3のうち1本の交流バスバー3にのみ厚肉部34を形成し、この厚肉部34に電流センサ4を配してもよい。また、3本の交流バスバー3全てに厚肉部34を形成し、それぞれの厚肉部34に電流センサ4を設けてもよい。   In this example, of the three AC bus bars 3 (3a, 3b, 3c), the two AC bus bars 3a, 3b are formed with thick portions 34, and the current sensors 4 are connected to the respective thick portions 34. However, the present invention is not limited to this. For example, the thick portion 34 may be formed only in one AC bus bar 3 of the three AC bus bars 3, and the current sensor 4 may be disposed in the thick portion 34. Moreover, the thick part 34 may be formed in all the three AC bus bars 3, and the current sensor 4 may be provided in each thick part 34.

また、本例では、電流センサ4として、ホール素子を用いたが、本発明はこれに限るものではない。すなわち、例えば電流センサ4として、GMR素子(Giant Magneto Resistive 素子)を用いることもできる。この場合、集磁用のコア40は不要となる。   In this example, a Hall element is used as the current sensor 4, but the present invention is not limited to this. That is, for example, a GMR element (Giant Magneto Resistive element) can be used as the current sensor 4. In this case, the magnetic collecting core 40 is not necessary.

(実施例2)
本例は、交流バスバー3の製造方法を変更した例である。図14、図15に示すごとく、本例では、まず、厚肉部34と同一の厚さを有する1枚の金属板38を用意する。そして、鍛造を行うことにより、図16、図17に示すごとく、金属板38の両端319、329を薄肉化する。また、第2接続部32となる側の端部329に、ボルト挿通孔320を形成する。これにより、本例の交流バスバー3を得る。
(Example 2)
In this example, the method for manufacturing the AC bus bar 3 is changed. As shown in FIGS. 14 and 15, in this example, first, a single metal plate 38 having the same thickness as the thick portion 34 is prepared. Then, by forging, both ends 319 and 329 of the metal plate 38 are thinned as shown in FIGS. Further, the bolt insertion hole 320 is formed in the end portion 329 on the side that becomes the second connection portion 32. Thereby, the AC bus bar 3 of this example is obtained.

なお、本例では、第1接続部31と第2接続部32との間、すなわち連結部33の全ての部位に、厚肉部34を形成してある。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。
In this example, the thick portion 34 is formed between the first connection portion 31 and the second connection portion 32, that is, in all the portions of the coupling portion 33.
In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.

(実施例3)
本例は、交流バスバー3の形状を変更した例である。図18、図19に示すごとく、本例の交流バスバー3は、第1接続部31と第2接続部32とのうち、第1接続部31のみを薄く形成してある。そして、第2接続部32は、厚肉部34と同一の厚さに形成してある。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。
(Example 3)
In this example, the shape of the AC bus bar 3 is changed. As shown in FIGS. 18 and 19, in the AC bus bar 3 of this example, only the first connection portion 31 of the first connection portion 31 and the second connection portion 32 is thinly formed. The second connection part 32 is formed to have the same thickness as the thick part 34.
In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.

(実施例4)
本例は、交流バスバー3の製造方法を変更した例である。図20〜図22に示すごとく、本例では、先ず、厚さが互いに等しい2枚の金属板38a,38bを用意する。そして、それぞれの金属板38a,38bの端部382,383を重ね合わせ、これらを溶接する。これにより、厚肉部34を形成する。一方の金属板38aにおける、厚肉部34とは反対側の端部381は、第1接続部31となる。また、他方の金属板38bにおける、厚肉部34とは反対側の端部384には、ボルト挿通孔320を形成する。これにより、この端部384を第2接続部32とする。
その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。
Example 4
In this example, the method for manufacturing the AC bus bar 3 is changed. As shown in FIGS. 20 to 22, in this example, first, two metal plates 38a and 38b having the same thickness are prepared. Then, the end portions 382 and 383 of the respective metal plates 38a and 38b are overlapped and welded. Thereby, the thick part 34 is formed. The end 381 on the opposite side of the thick part 34 in the one metal plate 38 a becomes the first connection part 31. Further, a bolt insertion hole 320 is formed at the end 384 opposite to the thick portion 34 in the other metal plate 38b. As a result, the end 384 serves as the second connection portion 32.
In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.

(実施例5)
本例は、交流バスバー3の形状を変更した例である。図23に示すごとく、本例では、連結部33の、X方向における一方側にのみ厚肉部34を形成してある。厚肉部34は、Y方向に細長い形状に形成されている。連結部33の、X方向における他方側の部位334は、第1接続部31及び第2接続部32と同一の厚さに形成されている。
(Example 5)
In this example, the shape of the AC bus bar 3 is changed. As shown in FIG. 23, in this example, the thick portion 34 is formed only on one side of the connecting portion 33 in the X direction. The thick portion 34 is formed in an elongated shape in the Y direction. A portion 334 on the other side in the X direction of the connecting portion 33 is formed to have the same thickness as the first connecting portion 31 and the second connecting portion 32.

また、交流バスバー3は、図24に示す形状に形成してもよい。この交流バスバー3は、連結部33の、X方向における中央部にのみ厚肉部34を形成してある。連結部33の、X方向における両側に位置する部位335,336は、第1接続部31及び第2接続部32と同一の厚さに形成されている。   Moreover, you may form the alternating current bus bar 3 in the shape shown in FIG. The AC bus bar 3 has a thick portion 34 formed only at the center of the connecting portion 33 in the X direction. The portions 335 and 336 located on both sides in the X direction of the connecting portion 33 are formed to have the same thickness as the first connecting portion 31 and the second connecting portion 32.

また、図25に示すごとく、連結部33の、Y方向における中央部のみ厚肉部34を形成してもよい。この交流バスバー3は、鍛造によって形成されている。すなわち、厚肉部34と同一の厚さを有する金属板38(図示しない)を用意し、鍛造を行うことにより、厚肉部34以外の部位を薄肉化する。このようにして、図25に示す交流バスバー3を形成する。   Moreover, as shown in FIG. 25, you may form the thick part 34 only in the center part in the Y direction of the connection part 33. As shown in FIG. This AC bus bar 3 is formed by forging. That is, a metal plate 38 (not shown) having the same thickness as that of the thick portion 34 is prepared, and forging is performed to reduce the portion other than the thick portion 34. In this way, the AC bus bar 3 shown in FIG. 25 is formed.

また、図26に示すごとく、連結部33の、X方向における両側に、それぞれ厚肉部34を形成してもよい。この交流バスバー3では、2つの厚肉部34は、それぞれY方向に細長い形状に形成されている。また、連結部33の、2つの厚肉部34の間の部位339は、第1接続部31及び第2接続部32と同一の厚さになっている。   Moreover, as shown in FIG. 26, you may form the thick part 34 in the both sides in the X direction of the connection part 33, respectively. In this AC bus bar 3, the two thick portions 34 are each formed in an elongated shape in the Y direction. Further, a portion 339 between the two thick portions 34 of the connecting portion 33 has the same thickness as the first connection portion 31 and the second connection portion 32.

その他、実施例1と同様の構成及び作用効果を有する。   In addition, the configuration and operational effects are the same as those of the first embodiment.

1 電力変換装置
2 半導体モジュール
20 本体部
21 半導体素子
22 パワー端子
3 交流バスバー
31 第1接続部
32 第2接続部
33 連結部
34 厚肉部
80 交流負荷
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power converter 2 Semiconductor module 20 Main-body part 21 Semiconductor element 22 Power terminal 3 AC bus bar 31 1st connection part 32 2nd connection part 33 Connection part 34 Thick part 80 AC load

Claims (3)

半導体素子(21)を内蔵した本体部(20)と、上記半導体素子(21)に電気接続し上記本体部(20)から突出したパワー端子(22)とを有する半導体モジュール(2)と、
上記パワー端子に溶接され、上記半導体素子(21)と交流負荷(80)との間の電流経路になる複数の交流バスバー(3)とを備え、
個々の該交流バスバー(3)は、上記パワー端子(22)に溶接された第1接続部(31)と、上記交流負荷(80)に電気接続するための第2接続部(32)と、上記第1接続部(31)と上記第2接続部(32)とを連結する連結部(33)とを有し、
上記複数の交流バスバー(3a,3b,3c)のうち少なくとも一部の上記交流バスバー(3a,3b)には、上記連結部(33)に、上記第1接続部(31)よりも厚さが厚い厚肉部(34)が形成されており、
上記厚肉部(34)に隣接する位置に、該厚肉部(34)の周囲に発生した磁界を測定することにより個々の上記交流バスバー(3a,3b)を流れる電流の電流値を測定する電流センサ(4)が設けられていることを特徴とする電力変換装置(1)。
A semiconductor module (2) having a main body (20) containing a semiconductor element (21) and a power terminal (22) projecting from the main body (20) and electrically connected to the semiconductor element (21);
A plurality of AC bus bars (3) welded to the power terminal and serving as a current path between the semiconductor element (21) and the AC load (80);
Each of the AC bus bars (3) includes a first connection part (31) welded to the power terminal (22), a second connection part (32) for electrical connection to the AC load (80), A connecting portion (33) for connecting the first connecting portion (31) and the second connecting portion (32);
Among the plurality of AC bus bars (3a, 3b, 3c), at least some of the AC bus bars (3a, 3b) have a thickness greater than that of the first connection portion (31) at the connecting portion (33). A thick thick part (34) is formed ,
The current value of the current flowing through each AC bus bar (3a, 3b) is measured by measuring the magnetic field generated around the thick wall portion (34) at a position adjacent to the thick wall portion (34). A power converter (1) characterized in that a current sensor (4) is provided .
磁性体からなる環状のコア(40)が、上記厚肉部(34)を取り囲むように設けられており、上記コア(40)に形成したギャップ(G)内に、上記電流センサ(4)が配されていることを特徴とする請求項に記載の電力変換装置()。 An annular core (40) made of a magnetic material is provided so as to surround the thick portion (34), and the current sensor (4) is placed in a gap (G) formed in the core (40). The power conversion device ( 1 ) according to claim 1 , wherein the power conversion device ( 1 ) is arranged. 上記第1接続部(31)の一方の主面(310)に上記パワー端子(22)を接触させた状態で、上記第1接続部(31)と上記パワー端子(22)とをレーザ溶接してあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電力変換装置(1)。 With the power terminal (22) in contact with one main surface (310) of the first connection part (31), the first connection part (31) and the power terminal (22) are laser-welded. The power converter device (1) according to claim 1 or 2 , wherein the power converter device (1) is provided.
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