JP6034772B2 - 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード - Google Patents
改良された光抽出効果を有する発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP6034772B2 JP6034772B2 JP2013212920A JP2013212920A JP6034772B2 JP 6034772 B2 JP6034772 B2 JP 6034772B2 JP 2013212920 A JP2013212920 A JP 2013212920A JP 2013212920 A JP2013212920 A JP 2013212920A JP 6034772 B2 JP6034772 B2 JP 6034772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- layer
- bonding layer
- light emitting
- led die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 title description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 187
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 46
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 12
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 11
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 description 24
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 21
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- -1 nitride compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical class [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000025 interference lithography Methods 0.000 description 1
- 238000002164 ion-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L33/58—
-
- H01L33/32—
-
- H01L33/405—
-
- H01L33/502—
-
- H01L33/62—
-
- H01L33/20—
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
１．技術分野
本発明は、広くは発光ダイオードに関し、より詳細には高められた光抽出効率を有する発光ダイオードに関する。
本発明は、広くは発光ダイオードに関し、より詳細には高められた光抽出効率を有する発光ダイオードに関する。
２．背景技術
発光ダイオード（ＬＥＤ）の光抽出効率は、ＬＥＤの内部量子効率に対するＬＥＤの外部量子効率の比率として定義される。典型的には、実装されたＬＥＤの光抽出効率は大幅に１より小さく、すなわち、ＬＥＤの活性領域で発生された光の多くは外部環境に到達しない。
発光ダイオード（ＬＥＤ）の光抽出効率は、ＬＥＤの内部量子効率に対するＬＥＤの外部量子効率の比率として定義される。典型的には、実装されたＬＥＤの光抽出効率は大幅に１より小さく、すなわち、ＬＥＤの活性領域で発生された光の多くは外部環境に到達しない。
光抽出効率は、ＬＥＤと周囲の材料との間の界面における全内部反射とこれに引続くその全内部反射した光のＬＥＤでの再吸収により低下する。例えば、エポキシ中に包み込まれた透明基層上の立方体の幾何形態であるＬＥＤについては、放射波長での屈折率（ｎ）は、例えば、ＬＥＤの半導体におけるｎｓｅｍｉの〜３．５から、エポキシにおけるｎｅｐｏｘｙの〜１．５まで変化する。この例における、ＬＥＤ半導体からエポキシ封入材に入射する光の全内部反射についての対応する臨界角θｃは、θｃ＝ａｒｃｓｉｎ（ｎｅｐｏｘｙ／ｎｓｅｍｉ）〜２５゜である。散乱及び多重反射を無視すれば、立方体のＬＥＤの活性領域中の一点から４πステラジアンで放射された光は、半導体／エポキシ封入材の界面を、この光が、各界面に１つあり各光円錐の有する角度の半分が臨界角に等しい、６つの狭い光円錐の１つに放射されたときのみ通過する。全内部反射に起因する付加的な損失は、エポキシ／空気の界面でも起こりうる。したがって、エポキシに包み込まれた、有効通常幾何形態（例えば、直方体）の透明基板のＡｌＩｎＧａＰのＬＥＤは、１００％近い内部量子効率を有するにも拘らず、例えば、〜４０％の外部量子効率を有しうるのみである。
ＬＥＤの光抽出効率に対する全内部反射の影響は、本明細書に引用により組み込まれた米国特許第５,７７９,９２４号、第５,７９３,０６２号、および、第６,０１５,７１９号中で更に論じられている。
光抽出効率を改良するための１つの手法においては、ＬＥＤが半球形状に削り落とされる。半球形状とされたＬＥＤの活性領域中の点から放射された光は、ほぼ垂直入射で半球表面を横断する。これにより、全内部反射が低減される。しかし、この技術は、面倒であり、材料を無駄にする。加えて、この削り落としの間に発生する欠陥が、ＬＥＤの信頼性や性能を劣化させる可能性がある。
別の手法においては、ＬＥＤは、ドームまたは半球形状の表面を有する材料で包み込まれる（収納される）。例えば、上述の例のエポキシ封入材をドームに形作ることができ、エポキシ封入材／空気の界面における全内部反射に起因する損失が低減される。しかし、エポキシのような低屈折率の封入材の表面を形作ることは、半導体／低屈折率封入材の界面の全内部反射に起因する損失を低減しない。さらに、エポキシ封入材は、ＬＥＤ中の半導体材料の熱膨張係数との整合性に乏しい熱膨張係数を有する。したがって、エポキシ封入材は、加熱または冷却によりＬＥＤに機械的応力を加え、ＬＥＤを損傷させることがある。ＬＥＤはまた、ドームに形作られた高屈折率のガラスに封入されるとき、半導体／封入材の界面の臨界角が増大される。不運にも、高屈折率ガラス中での光の吸収、および、機械的応力は、そのようなガラス中へ封入されたＬＥＤの性能を典型的に低下させる。
上記方法の欠点を有しない、発光ダイオードの光抽出効率を高める方法が必要とされている。
（発明の開示）
改良された光抽出効率を有する発光デバイスが提供される。発光デバイスは、活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する。該スタックは透明な光学素子に接合される。
改良された光抽出効率を有する発光デバイスが提供される。発光デバイスは、活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する。該スタックは透明な光学素子に接合される。
いくつかの実施形態では、光学素子は、例えば、半球体のレンズ、または、フレネルレンズである。別の実施形態では、光学素子は、例えば、全内部反射器（ＴＩＲ）を用いた光学コンセントレータである。光学素子は、例えば、光学ガラス、III−Ｖ族半導体、II−VI族半導体、IV族半導体および化合物、金属酸化物、金属フッ化物、ダイアモンド、サファイア、酸化ジルコニウム、イットリウムアルミニウムガーネット、または、これらの組合せにより形成される。活性領域により放射される光についての光学素子の屈折率は、好ましくは約１.５より大きく、より好ましくは約１.８より大きい。
一実施形態では、透明光学素子は、上記スタックの半導体層のうちの少なくとも１つに直接接合される。別の実施形態では、透明光学素子は、半導体層の上に配置される透明上層に直接接合される。透明上層は、活性領域により放射される光について好ましくは約１.８より大きい屈折率を有する。
他の実施形態では、発光デバイスは、光学素子と上記スタックの表面との間に配置される透明接合層を含む。この透明接合層は、上記スタックの表面に光学素子を接合させる。一実施形態では、該表面は半導体層の１つの表面を含む。別の実施形態では、上記表面は半導体層の上に配置される透明上層の表面を含む。この透明接合層は、例えば、金属、リン化物系化合物、ヒ化物系化合物、アンチモン化物系化合物、窒化物系化合物、または、透明光学素子について上記のように列挙した材料のいずれかにより形成される。一実施形態では、透明接合材料は、活性領域により放射された光について約１．５より大きい、好ましくは約１．８より大きい屈折率を有する。
活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する発光デバイスに対して透明光学素子を接合させる方法が提供される。この方法は、光学素子およびスタックの温度を上昇させる工程と、光学素子とスタックとをともに押し付けるために圧力を加える工程と、を含む。一実施形態では、この方法は、さらにスタックと光学素子との間に透明接合材料の層を配置する工程を含む。この接合方法については、予め作製された光学素子に対してか、または、後に形成されるか、もしくは、レンズもしくは光学コンセントレータのような光学素子として形成される、光学素子材料のブロックに対して、適用することができる。
発光デバイスに高屈折率の光学素子を接合させることにより、全内部反射に起因する損失を低減させて、発光デバイスの光抽出効率を改良することができる。封入材を使用することなくこのような改良を達成できるという利点が得られる。
（詳細な説明）
図１Ａには、本発明の実施形態にかかる、互いに接合される透明な光学素子２および発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ４が示されている。図１Ｂでは、本発明の一実施形態に基づいて、透明光学素子２が、透明接合層６を用いてＬＥＤダイ４に接合される。
図１Ａには、本発明の実施形態にかかる、互いに接合される透明な光学素子２および発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ４が示されている。図１Ｂでは、本発明の一実施形態に基づいて、透明光学素子２が、透明接合層６を用いてＬＥＤダイ４に接合される。
本明細書においては、「透明」という用語は、「透明光学素子」、「透明接合層」、「透明基層」または「透明上層」のように記述される光学素子が、吸収や散乱に起因するシングルパス損失が約５０％未満、好ましくは１０％未満であるＬＥＤの放射波長で、光を透過させることを示すために用いられる。ＬＥＤの放射波長は、電磁スペクトルの、赤外、可視または紫外領域にあってよい。当業者は、伝達経路長や吸収定数を種々組合せることによって、「５０％未満のシングルパス損失」および「１０％未満のシングルパス損失」である条件を満しうることを理解できるであろう。本明細書で用いているような「光学コンセントレータ（optical concentrator）」は、全内部反射器に限定することなくこれを含み、かつ、入射光を反射または再指向（redirect）させる反射金属または誘電体材料によりコーティングされた壁（wall）を有する光学素子を含む。
図１Ａおよび図１Ｂに示されるＬＥＤダイ４は、ｎ−型伝導性（ｎ−層）の第１の半導体層８およびｐ−型伝導性（ｐ-層）の第２の半導体層１０を含む。半導体層８および１０は、活性領域１２に電気的に接続される。活性領域１２は、例えば、層８と層１０との界面におけるｐ−ｎダイオード接合である。これに代えて、活性領域１２は、ドーピングされたｎ−型もしくはｐ−型の、または、ドーピングされない、１つ以上の半導体層を含む。ｎ−接点１４およびｐ−接点１６は、それぞれ半導体層８および１０に電気的に接続される。接点１４と１６との間に適切な電圧を印加することにより、活性領域１２は光を放射する。別の実施例では、層８、１０および接点１４および１６の伝導性の型が逆になる。すなわち、層８はｐ−型層であり、接点１４はｐ−接点であり、層１０はｎ−型層であり、そして接点１６はｎ−接点である。
半導体層８と１０、および活性領域１２は、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂをこれらに限定されずに含むIII−Ｖ族半導体、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅをこれらに限定されずに含むII−VI族半導体、Ｇｅ、Ｓｉ、ＳｉＣをこれらに限定されずに含むIV族半導体、およびこれらの混合物またはアロイから形成される。これらの半導体は、それら半導体が存在するＬＥＤの典型的な放射波長において、約２．４〜約４．１の範囲の屈折率を有する。例えば、ＧａＮのようなIII族窒化物半導体は、５００ｎｍで約２．４の屈折率を有し、ＩｎＧａＰのようなIII族リン化物は、６００ｎｍで約３．７の屈折率を有している。
接点１４および１６は、一実施例では、金、銀、ニッケル、アルミニウム、チタン、クロム、白金、パラジウム、ロジウム、レニウム、ルテニウム、タングステン、およびこれらの混合物または合金を、これらに限定されずに含む金属から形成される。他の実施例では、接点１４および１６の一方または両方が、インジウム錫酸化物のような透明な伝導体により形成される。
図１Ａおよび図１Ｂは特定のＬＥＤ構造を示しているが、本発明は、ＬＥＤダイ４中の半導体層の数とは無関係であり、活性領域１２の細部の構造と無関係である。また、ＬＥＤダイ４は、例えば、図１Ａおよび図１Ｂで示されない透明基層および透明上層を含むことができる。種々の数字で示されたＬＥＤダイ４の種々の構成要素の寸法が一定の縮尺となっていないことに、留意されたい。
一実施形態では、接合材料の層が、ＬＥＤダイ４の上部表面１８に付与されて透明接合層６（図１Ｂ）が形成され、この接合層で光学素子２とＬＥＤダイ４が接合される。透明接合層６の厚さは、例えば、約１０オングストローム（Å）〜約１００ミクロン（μｍ）である。接合材料は、例えば、従来の堆積技術、これらに限定するものではないが、スピニング、スパッタリング、蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ）、または、材料成長法の一部として、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、気相エピタキシー（ＶＰＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）または分子線エピタキシー（ＭＢＥ）による方法などを含む技術により、付与される。透明接合層６は、例えば、従来のフォトリソグラフィおよびエッチング技術により選択的にパターン付けられ、接点１４を接合材で覆わないようにし、これにより、接点１４が、光学素子２上の選択的な金属化層２０に電気的に接触できるようにする。金属化層２０は、一実施形態では、網状であり、他の実施形態では、連続的なまたはパターン付けされた層であって、例えば、約２Å〜約５０００Åの厚さを有し、入射光を約１０％より多く、好ましくは約５０％より多く透過させ、接点１４に接続された、物理的に利用できる電気的接触を提供する。
金属化層２０は、例えば、金属、または、インジウム錫酸化物のような透明な伝導体により形成される。
別の実施形態では、透明接合層６は、光学素子２のほぼ平坦な表面２２の上に、または、金属化層２０の上に形成され、例えば、従来のフォトリソグラフィおよびエッチング技術を用いて選択的にパターン付けされ、接点１４と金属化層２０との間に電気的接触を設けることができる。他の実施形態では、接合層６のような透明接合層は、ＬＥＤダイ４の表面１８と光学素子２の表面２２の両方の上に形成される。他の実施形態では、接点１４は別個に設けられず、接合層６はパターン付けされて、金属化層２０とｎ−層８との間に電気的接触が設けられる。図１Ｃに示す実施形態では、接点１４も接合層１２も、別個に設けられず、金属化層２０が付加的に接合層として機能する。他の実施形態では、接点１４が表面１８の上に設けられず、金属化層２０は用いられない。
以下の説明では、接合層６は、ＬＥＤダイ４上に形成されていて、光学素子２の表面２２の上、または、ＬＥＤダイ４および表面２２の両方の上に形成されていないとみなすが、以下に記載される工程については、後者の実施形態を実現するために簡単に修正することができる。
一実施例では、透明接合層６を形成する接合材料は、高屈折率を有する光学ガラス、すなわち、活性領域１２により放射された波長範囲において約１．５より大きい屈折率を有する光学ガラスである。その屈折率は、好ましくは、約１.８より大きい。透明接合層６は、例えばショットガラスＳＦ５９、すなわち、屈折率の大きいフリントガラス（flint glass）により形成される。このフリントガラスは、波長〜６００ナノメートル（ｎｍ）において〜１．９５の屈折率（ｎ）を有し、ガラス転移温度（ＴＧ）として〜３６２℃を有する。これに代えて、透明接合層６は、〜６００ｎｍにおけるｎとして〜１．８１およびＴＧとして６３０℃を有するショットガラスＬａＳＦ３と、〜６００ｎｍにおけるｎとして〜１．９１およびＴＧとして６６０℃を有するショットガラスＬａＳＦ Ｎ１８と、これらの混合物とを、これらに限定されずに含む、高屈折率光学ガラスにより形成される。これらのガラスは、ペンシルバニア州・ジュリアにあるショット・グラス・テクノロジーズ・インコーポレーテッドより入手できる。接合層６については、また、例えば、（Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）カルゴゲナイドガラスのような高屈折率カルゴゲナイドガラスにより形成することができる。
他の実施例では、接合層６は、ＧａＰ（５００ｎｍでｎ〜３．３）、ＩｎＧａＰ（６００ｎｍでｎ〜３.７）、ＧａＡｓ（５００ｎｍでのｎ〜３．４）およびＧａＮ（５００ｎｍでｎ〜２．４）を、これらに限定されずに含むIII−Ｖ族半導体；ＺｎＳ（５００ｎｍでｎ〜２.４）、ＺｎＳｅ（５００ｎｍでｎ〜２．６）、ＺｎＴｅ（５００ｎｍでｎ〜３．１）、ＣｄＳ（５００ｎｍでｎ〜２.６）、ＣｄＳｅ（５００ｎｍでｎ〜２．６）およびＣｄＴｅ（５００ｎｍでｎ〜２．７）を、これらに限定されずに含むII−VI族半導体；Ｓｉ（５００ｎｍでｎ〜３．５）およびＧｅ（５００ｎｍでｎ〜４．１）を、これらに限定されずに含むIV族半導体および化合物；有機半導体、ならびに、酸化タングステン、酸化チタン（５００ｎｍでｎ〜２．９）、酸化ニッケル（５００ｎｍでｎ〜２．２）、酸化ジルコニウム（５００ｎｍでｎ〜２．２）、インジウム錫酸化物および酸化クロムを、これらに限定されずに含む金属酸化物；フッ化マグネシウム（５００ｎｍでｎ〜１．４）、およびフッ化カルシウム（５００ｎｍでｎ〜１．４）を、これらに限定されずに含む金属フッ化物；Ｚｎ、Ｉｎ、ＭｇおよびＳｎを、これらに限定されずに含む金属；イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）、リン化物系化合物、ヒ化物系化合物、アンチモン化物系化合物、窒化物系化合物、高屈折率有機化合物；およびそれらの混合物およびアロイ、により形成される。
一実施例では、接合層６は、活性領域１２から放射された光の波長を他の波長に変換するルミネセンス材料を含む。ルミネセンス材料は、例えば、従来の蛍光体粒子、有機半導体、II−VIまたはIII−Ｖ族半導体、II−ＶもしくはIII−Ｖ族半導体量子ドットまたはナノクリスタル、染料、ポリマー、および欠陥中心からルミネセンスを示すＧａＮのような材料を含む。接合層６が従来の蛍光体粒子を含むならば、接合層６は、典型的には約５ミクロン〜約５０ミクロンの寸法を有する蛍光体粒子を収容するのに十分な厚みを有しなければならない。
一実施例では、接合層６は、ＬＥＤダイ４の上部層、例えば、半導体層８の屈折率より小さい屈折率を有する、高屈折率材料（ＬＥＤの放射波長で、約１．５より大きく、好ましくは１．８より大きい屈折率の）から形成される。ＬＥＤダイ４内から半導体層８／接合層６の界面への入射光の全内部反射の臨界角が存在する。しかし、この臨界角は、ＬＥＤダイ４とエポキシまたは空気との間の界面についての臨界角に比べれば増大され、エポキシ封入材または空気中に抽出されるよりも多くの光が表面１８を通過して接合層６中に抽出される。他の実施形態では、接合層６（例えば、ＺｎＳまたはＺｎＳｅ）の屈折率は、半導体層８（例えばＧａＮ）より大きいかまたは等しく、ＬＥＤダイ４の内側から接合層６への入射光は、全内部反射されない。フレネル反射損失は、接合層６とＬＥＤダイ４との屈折率をほぼマッチさせることにより最小にすることができるものではあるが、フレネル反射損失を無視すれば、後者の場合にもまた、エポキシ封入材または空気中に抽出されるものよりも多くの光が表面１８を通過して接合層６中に抽出される。
他の実施例では、透明接合層６は、低屈折率の接合材料、すなわち、ＬＥＤの放射波長で、約１.５未満の屈折率を有する接合材料により形成される。例えば、フッ化マグネシウムが、このような接合材料の１つである。低屈折率光学ガラス、エポキシ、およびシリコーンも、好適な低屈折率接合材料となりうる。低屈折率の材料から形成された透明接合層をわたる、ＬＥＤダイ４から光学素子２への効率的な光の透過については、接合層６の厚さが十分に薄ければ、達成できる、ということを当業者は理解するであろう。したがって、この実施例では、ＬＥＤダイ４／接合層６の界面での全内部反射に起因する損失は、接合層６の厚さを約５００Å未満、好ましくは約１００Å未満とすることにより低減される。表面１８もしくは表面２２の粗さ、または、表面１８もしくは表面２２上の不規則性の代表的な高さが、接合層６の厚さを超えるならば、光学素子２はＬＥＤダイ４に十分には接合しないであろう。この実施形態では、表面１８および２２は、選択的に研磨され、接合層６の厚さ以下の程度の表面厚さが得られる。
ＬＥＤダイ４が、活性領域１２により放射された光を吸収する材料を含み、接合層６が低屈折率の材料から形成され、上記のように薄くされてはいなければ、活性領域１２から放射された光の大部分がＬＥＤダイ４内に典型的に閉じ込められ、接合層自身に吸収がなくても、その光は吸収されて失われるであろう。対照的に、高屈折率の材料から形成された接合層６は、その高屈折率の接合材料が、例えば、放射光の一部を吸収するカルコゲナイドガラスのような材料であっても、典型的には、活性領域１２によりＬＥＤダイ４から放射された光のうちのより大きい部分を光学素子２に結合（カップリング）することになる。
透明接合層６がＬＥＤダイ４に付与された後、光学素子２のほぼ平坦な表面２２は接合層６へ向けて配置される。次いで、接合層６の温度は、ほぼ室温と約１０００℃との間の温度にまで上昇され、光学素子２とＬＥＤダイ４は、約１秒〜約６時間の間、約１ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）〜約６０００ｐｓｉの圧力で、一緒に押付けられる。本発明者らは、この工程において、剪断応力、蒸発−凝縮、液化（または溶融または軟化）、およびそれに続く固体化、拡散または合金化を経た物質移動により、例えば、光学素子２と接合層６（ＬＥＤダイ４上に形成された）との間にもたらされた接合によって、光学素子２がＬＥＤダイ４に接合されると信じている。本発明者らは、別の実施例では、例えば、光学素子２とＬＥＤダイ４の各々の上に同様に形成された接合層の間、または、接合層６（光学素子２の上に形成された）とＬＥＤダイ４との間の物質移動により同様にもたらされた接合により、光学素子２がＬＥＤダイ４に接合されると信じている。よって、物質移動により特徴付けられた接合界面を、光学素子２とＬＥＤダイ４の間に配置することができる。一実施例では、例えば、ｎ−層８と接合層６の界面での表面１８がそのような接合界面である。他の実施例では、光学素子２およびＬＥＤダイ４それぞれの上に形成された接合層の界面が接合界面である。他の実施例では、光学素子２と接合層６との界面が、接合界面である。
例えば、透明接合層６が、ＬＥＤダイ４の上に光学ガラスにより形成されると、一実施例では、接合層６の温度が光学ガラスの歪み点温度付近にまで上昇される。歪み点温度は、ガラス転移温度に近いがそれより低く、光学ガラスの粘度が約１０１４．５ポアズとなる温度である。歪み点温度は、また、光学ガラスについての温度対膨張のプロットにおける最初の非線形性に対応し、アニーリング範囲の下限を表すものである。歪み点温度の近くまたはその上の温度で得られた、層６の光学ガラスの柔軟性および低下した表面張力が、光学ガラスを表面２２に微視的に整合させ、光学素子２と接合層６との間の接合をもたらす。
光学素子２をＬＥＤダイ４に接合させる上記の工程については、本明細書に引用により組み込まれた米国特許第５,５０２,３１６号および第５,３７６,５８０号に開示され、従来、半導体ウェハを高温高圧のもとで互いに接合するために用いられた装置を用いて実行することができる。これら特許に開示された装置については、必要に応じＬＥＤダイおよび光学素子を設けるよう変更することができる。これに代えて、上記の接合工程については、通常の垂直加圧機を用いて行うことができる。
透明光学素子２は、例えば、ＳｉＣ（５００ｎｍでｎ〜２．７）、酸化アルミニウム（サファイア、５００ｎｍでｎ〜１．８）、ダイアモンド（５００ｎｍでｎ〜２．４）、または、透明接合層６における接合材料としての使用のために上記で列挙されたもののうち、金属を除く何れかの材料から形成される。光学素子２と、該光学素子２が接合されるＬＥＤダイ４の熱膨張係数の間の不整合が大きいと、加熱または冷却に際して光学素子２がＬＥＤダイ４から分離することが起こりうる。また、熱膨張係数をほぼ整合させることにより、接合層６および光学素子２によりＬＥＤダイ４に引起される応力が低減される。よって、一実施例では、光学素子２は、光学素子２が接合されるＬＥＤダイ４の熱膨張係数にほぼ整合する熱膨張係数を有する材料により形成される。
一実施形態では、透明光学素子２は、ＬＥＤダイ４から光学素子２に入射する光が垂直入射に近い入射角で光学素子２の表面２４を横断するような、形状と寸法を有する。表面２４と周囲の媒体、典型的には空気との界面での全内部反射は、これにより低減される。加えて、入射角の範囲が狭いので、表面２４でのフレネル反射損失については、表面２４に対して通常の反射防止コーティングを付与することにより低減できる。光学素子２の形状は、例えば、半球、ワイエルストラス球（上部を切り取られた球）、または、半球より小さい球の一部のような、球体の一部分である。これに代えて、光学素子２の形状は、上部を切り取られた楕円面のような楕円面の一部である。ＬＥＤダイ４から光学素子２に入射する光についての表面２４での入射角は、光学素子２の寸法が大きくなるにつれて、垂直入射により近づいていく。よって、ＬＥＤダイ４の表面１８の長さに対する透明光学素子２の基部の長さの比は、好ましくは、約１より大きく、好ましくは、約２より大きい。
特定の材料の光学素子２が上記で定義されるような透明であり続ける最大の寸法が、ＬＥＤの放射波長での光学素子材料の吸収係数により定められることは、当業者に理解されるであろう。一実施例では、光学素子２はフレネルレンズである。フレネルレンズは、例えば、比較できる焦点距離の球面光学素子よりも典型的に薄いので、吸収が少ない。
いくつかの実施例では、光学素子２は、光学コンセントレータ、例えば全内部反射器（ＴＩＲ）を用いた光学コンセントレータを含むことができる。図１Ｄは、ＬＥＤダイ４に接続される光学コンセントレータの一例を示す。図１Ｄは、放物形状を有する光学コンセントレータ（光学素子２）の表面２３を描いているが、表面２３については、錐体形状または傾斜形状のような、光を集めるようにデザインされた任意の形状とすることができ、かつ、金属化材料または誘電体材料によりコーティングすることができる。ＬＥＤダイ４の活性層１２については、表面２４での全内部反射を経験する光の量を低減するように配置する。例えば、活性層１２は、光学素子２の焦点のあたりに配置される。表面２３がない場合に臨界角より大きい角で表面２４を横切るであろう部分は、この部分が最初に表面２３に反射すれば、上記臨界角内の角度で表面２４を横切る。したがって、表面２３は、光子がＬＥＤダイ４を逃れる見込みを増加させる。
他の実施例では、光学素子２は、例えば、表面２２に直交する方向において減少する、または、表面２２の中心近くの最大値から放射状に減少する屈折率を有する、屈折率勾配レンズである。
一実施例では、光学素子２は、活性領域１２により放射された光の波長を他の波長に変換するルミネセンス材料を含む。他の実施例では、表面２２上のコーティングが、例えば、ルミネセンス材料を含む。ルミネセンス材料は、例えば、通常の蛍光体粒子、有機半導体、II−VIまたはIII−Ｖ族半導体、II−VIまたはIII−Ｖ族半導体量子ドットまたはナノクリスタル、染料、ポリマー、および、欠陥中心からルミネセンス発光するＧａＮのような材料、を含む。これに代えて、光学素子２の表面２２に近い領域が、例えば、ルミネセンス材料でドーピングされる。
光学素子２、接合層６、およびＬＥＤダイ４の上部層の屈折率の大きさ（それぞれｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ、ｎｂｏｎｄ、およびｎＬＥＤ）は、６つの順列に並べることができる。ｎＬＥＤ≦ｎｂｏｎｄ≦ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔまたはｎＬＥＤ≦ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ≦ｎｂｏｎｄであれば、全内部反射に起因する損失は除かれるが、フレネル損失が発生しうる。特に、ｎＬＥＤ＝ｎｂｏｎｄ＝ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔであれば、フレネルまたは全内部反射に起因する損失なしに、ＬＥＤダイ４からの光が光学素子２に入射する。これに代えて、ｎｂｏｎｄ≦ｎＬＥＤ≦ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔではあるが、ｎｂｏｎｄ＞ｎｅｐｏｘｙであるかまたは接合層６が上述のように薄ければ、フレネル損失が無視され、エポキシ封入材または空気中に抽出されるであろうよりも多くの光が光学素子２中に抽出される。同様に、ｎｂｏｎｄ≦ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ≦ｎＬＥＤではあるが、ｎｂｏｎｄ＞ｎｅｐｏｘｙであるか、または、接合層６が上述のように薄く、かつ、ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ＞ｎｅｐｏｘｙであれば、フレネル損失が無視され、エポキシ封入材または空気中に抽出されるであろうよりも多くの光が光学素子２中に抽出される。ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ≦ｎｂｏｎｄ≦ｎＬＥＤまたはｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ≦ｎＬＥＤ≦ｎｂｏｎｄではあるが、ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ＞ｎｅｐｏｘｙであれば、フレネル損失が無視され、エポキシ封入材または空気中に抽出されるよりも多くの光が光学素子２中に抽出される。よって、透明光学素子２は、ＬＥＤダイ４の放射波長で、好もしくは、約１．５より大きい屈折率を有し、より好ましくは、約１．８より大きい屈折率を有する。周囲の媒体がエポキシ封入材でなく空気（ｎａｉｒ〜１）であれば、ｎｅｐｏｘｙにｎａｉｒを代入して、同様な解析が適用される。
接合層６が蛍光体粒子を含み、かつ、好ましくは高屈折率のカルコゲナイズドガラスである接合材料の屈折率が、蛍光体の屈折率とほぼ一致すれば、活性領域または蛍光体粒子により放射された光の蛍光体粒子による散乱は無視できるであろう。蛍光体粒子、接合材材料、ＬＥＤダイ４の上部層（例えばｎ−層８）、および、光学素子の屈折率が、全てほぼ等しいことが好ましい。これは、ＬＥＤダイ４の上部層がＩｎＧａＮである場合において、蛍光体粒子がＳｒＳ：Ｅｕおよび／またはＳｒＧａＳ：Ｅｕであり、光学素子がＺｎＳである場合に相当する。
図２を参照すれば、別の実施形態において、透明光学素子２が、別個の接合層を用いることなく、ＬＥＤダイ４の上部表面１８に、直接接合されている。本発明者らは、剪断応力、蒸発−凝縮、液化（または溶融または軟化）、およびそれに続く固体化、拡散または合金化を経た物質移動により、光学素子２とＬＥＤダイ４との間に接合がもたらされたものと信じている。金属化層２０を設ける場合には、この金属化層は、パターン付けされ、光学素子２の表面２２が直接表面１８に接触できるようにされる。表面２２もまた、選択的に、例えばエッチングによりパターン付けされる。本実施形態における一実施例では、透明光学素子２は、別個の接合層を形成するために用いられる、上記で列挙されたような材料により形成される。別の実施例では、ＬＥＤダイ４の上部層（例えば、図２におけるｎ−層８）を形成する材料は、接合材料として好適である。よって、光学素子２またはＬＥＤダイ４の上部層のいずれかは、付加的に接合層として機能し、別個の接合層は不用である。一実施例では、表面１８における光学素子２とＬＥＤダイ４の界面は、例えば、光学素子２とＬＥＤダイ４との間の物質移動により特徴付けられた接合界面である。
ＬＥＤダイ４に直接接合された光学素子２については、ｎＬＥＤ≦ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔであるか、または、ｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ＜ｎＬＥＤではあるがｎｏｐｔｉｃａｌ ｅｌｅｍｅｎｔ＞ｎｅｐｏｘｙであれば、フレネル反射損失が無視され、エポキシ封入材中に抽出されるであろうよりもより多くの光が光学素子２中に抽出される。周囲の媒体が、エポキシ封入材でなく空気（ｎａｉｒ〜１）であれば、ｎｅｐｏｘｙにｎａｉｒを代入して同様な解析が適用される。
透明光学素子２は、接合層６を用いる接合工程について上述したような温度と圧力で、ＬＥＤダイ４に直接接合される。一実施例では、ＬＥＤダイ４の表面１８または光学素子２の表面２２は、例えばＺｎまたはＳｉのような高い拡散率を示す材料でドーピングされる。このようなドーピングは、例えば、ＭＯＣＶＤ、ＶＰＥ、ＬＰＥもしくはＭＢＥによる材料成長の間に、または、例えば注入により材料成長の後で行われる。他の実施例では、高拡散率の材料の薄層が、表面１８および２２の少なくとも１つの表面上に堆積されることにより、光学素子２とＬＥＤダイ４との間に配置される。堆積は、例えば、蒸発法またはスパッタリング法のような従来の方法により実行される。発明者らは、接合工程の間に、高拡散率の材料が光学素子２とＬＥＤダイ４との界面を越えて拡散し、光学素子２とＬＥＤダイ４との間の物質移動を促進させると考えている。ここで用いる高拡散率材料の量は、例えば、光学素子２とＬＥＤダイ４の上部層の透明度を維持するのに十分少なくなければならない。例えば、光学素子２とＬＥＤダイ４の上部層の透明度を維持するのに十分少なくなければならない。
接合方法を適用することは、予め作製された光学素子に限定されない。透明光学素子２は、上述した方法によりＬＥＤダイ４に接合され、かつ、この後、光学素子２として形成される、透明光学素子材料のブロックでありうる。光学素子２については、おそらく、フォトリソグラフィもしくは他のリソグラフィ技術、電子ビームリソグラフィ、イオンビームリソグラフィ、Ｘ線リソグラフィ、または、ホログラフィックリソグラフィとともに、エッチングを用いて形成することができる。プラズマエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）および化学援用イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）のような、ウェットエッチングまたはドライエッチング技術についても、同様に用いることができる。また、光学素子２は、イオンビームミリング（milling）もしくは極細イオンビームミリング（ＦＩＢ）を用いて透明光学素子材料の表面にミリングされるか、走査型電子ビームもしくはレーザビームを用いて表面中に除去（ablate）されるか、または、のこ引き、ミリングもしくはスクライビングにより表面中に機械的に切削される。加えて、光学素子２は、本明細書中で引用することにより組み込まれる米国特許第０９／８２３,８４１号に開示された方法を用いて、透明光学素子材料のブロック中にダイス型で圧断（stamp）される。
ＬＥＤダイ４を光学素子２に接合することは、従来のＬＥＤダイ４を封入材に収納することに比べて好都合である。例えば、接合層を用いまたは用いずに、上述のように光学素子２に接合されたＬＥＤダイ４の表面１８を通過する光の抽出効率は、従来のエポキシ封入されたＬＥＤに比較して改良されている。例えば、接合層を用いまたは用いずに、上述のように光学素子２に接合されたＬＥＤダイ４の表面１８を通過する光の抽出効率は、通常のエポキシ封入されたＬＥＤに比較して改良されている。加えて、ＬＥＤダイ４は、エポキシ封入（収納）されたＬＥＤにより経験される有害な応力を受けることを要しない。さらに、比較的低い温度で劣化するエポキシ封入材がないときには、ＬＥＤダイ４をより高い温度で作動させることができる。この結果、ＬＥＤダイ４の光出力については、高い電流密度でＬＥＤを作動させることにより、増加させることができる。
しかしながら、所望とあらば、光学素子２に接合されたＬＥＤダイ４については、付加的に例えばエポキシまたはシリコーンの中に封入することができる。光学素子２に接合されたＬＥＤダイ４のこのような封入は、光学素子２へのＬＥＤダイ４の表面１８を通過する光の抽出効率に影響を与えない。表面２４と封入材との界面での全内部反射については、上述したような光学素子２の形状および寸法により、最小化することができる。
いくつかの実施例では、ＬＥＤダイ４は、例えば、高い温度で劣化する電気的接点のための金属化部位を含む。他の実施例では、ＬＥＤダイ４は、はんだ、または、銀を有しかつ高温で劣化するダイ接着エポキシを用いて、図示しないサブマウントに接合される。（ダイ接着エポキシは、エポキシ封入材と区別されることに留意せよ）。この結果、一実施例では、ＬＥＤダイ４に光学素子２を、接合層６を用いてまたは用いずに接合させる工程は、例えば、金属化部位またはダイ接着エポキシの劣化を避けるために、約５００℃未満の温度で行われる。他の実施例では、光学素子２は、未完成のＬＥＤダイ、例えば、金属化の一部または全部が行われていないＬＥＤダイに接合される。後者の実施例では、ＬＥＤダイ４の製作は光学素子接合工程の後に完了される。
図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０および図１１に示すように、ＬＥＤダイ４の構造は、図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃおよび図２に表された構造と異なるものでもよい。図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２、図３、図４、図５、図６、図７、図８、図９、図１０および図１１における同様の参照符号は、種々の実施形態において同一部分を示す。
図３の実施形態において、ＬＥＤダイ４の側部２６および２８は傾斜しているので、それらは接合層６に対してそれぞれ９０度未満の角αおよび角βで交差し、活性領域１２に対してそれぞれ９０度を超える角γおよび角δで交差する。図３には、２つの斜めの側部が示されるが、他の実施形態では、ＬＥＤダイ４は、２つより多いか、または少ない斜めの側部を有し、例えば、実質的に円錐形または角錐形である。
傾斜した側部２６および２８は、活性領域から放射した光を接合層６の方向に反射する。傾斜した側部２６および２８がない場合には、ＬＥＤダイ４内に閉じ込められたまたはダイの側部から外へ失われる光が、これにより、都合よく接合層６および光学素子２を通じて抽出される。一実施形態では、ＬＥＤダイ４は、空気のような低屈折率の媒体により取り囲まれており、活性領域１２から傾斜した側部２６および２８に入射した光の一部は全内部反射して接合層６へ向かう。他の実施形態では、傾斜した側部２６および２８は、接合層６の方向に光を反射させる反射性のコーティング、すなわち、一実施例では金属層、他の実施例では誘電体層を用いて、コーティングされる。
一実施形態では、接点１６は高度に反射性である。したがって、この実施形態では、接点１６に入射した光は、直接または側部２６もしくは２８からの付加的な反射の後、接合層６の方向に反射される。この結果、ＬＥＤダイ４の光抽出効率は、増加する。
図４および図５に示した実施形態では、ＬＥＤダイ４は、金属化層２０に電気的に接続され、かつ、ｎ−層８に電気的に接続された伝導性の透明な上層３０と、ｐ−層１０および接点１６に電気的に連結された、伝導性を有する、選択的に設けられる透明な基層３２とを含む。上層３０および（選択的に設けられる）基層３２は、例えば、ＬＥＤダイ４により放射される光子のエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有する半導体により形成される。上層３０は、好ましくは約１.５より大きく、より好ましくは約１.８より大きい、活性領域１２の放射波長での屈折率を有する材料により形成される。他の実施例では、上述のように、ＬＥＤダイ４の側部２６および２８は、傾斜しており、かつ、高度に反射性であり、接点１６は高度に反射性である。図４に示した実施形態では、透明光学素子２は、接合層６により上層３０に接合され、ｎ−層８は、ｎ−接点１４により金属化層２０に電気的に接続される。図５に示した実施形態では、透明光学素子２は、上層３０に直接接合され、ｎ−接点１４は、別個には設けられない。
図６および図７に示した「フリップチップ」実施形態では、接点１４および接点１６は、ＬＥＤダイ４の同一側に配置される。光学素子２は、ＬＥＤダイ４において接点１４および１６の反対側に接合されるので、これらの実施形態では、光学素子２の上には金属化層が不要となる。金属化層がないことにより、光学素子２への光抽出効率が向上する。他の実施例では、上述したように、ＬＥＤダイ４における側部２６および２８は、傾斜しており、かつ、高度に反射性を有する。接点１６は高度に反射性である。透明上層３４は、例えば、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮまたはＧａＰのような、活性領域１２の放射波長で、好ましくは約１．５より大きく、より好ましくは約１．８より大きい屈折率を有する材料により形成される。図６に示した実施形態では、光学素子２は、接合層６を用いて透明上層３４に接合される。図７に示した実施形態では、光学素子２は、透明上層３４に直接に接合される。
図６および図７に示した実施形態のうちの一実施例では、光学素子２はＺｎＳにより形成され、上層３４はＳｉＣまたはＧａＮにより形成され、ｎ−層８はＧａＮのようなIII族窒化物半導体により形成される。他の実施例では、光学素子２はＧａＰから形成され、上層３４はＧａＰにより形成され、ｎ−層８はＡｌＩｎＧａＰアロイのようなIII族リン化物半導体により形成される。接合層６を設ける場合には、この接合層は、例えばＺｎＳにより形成される。
図８および図９に示した実施形態では、ｎ−層８、ｐ−層１０および活性領域１２の方向は、光学素子２とほぼ直交する。図６および図７に示した実施形態と同様に、光学素子２の上には、金属化層は必要とされない。図８に示した実施形態では、光学素子２は、接合層６を用いてＬＥＤダイ４に接合される。図９に示した実施形態では、光学素子２は、ＬＥＤダイ４に直接に接合される。一実施例では、ＬＥＤダイ４は、層８と層１０に、かつ、活性領域１２に対してほぼ直交する方向に作られた切片を用いて、ウェハから切り出される（「ダイスされる」）。この実施例では、光学素子２に接合されるＬＥＤダイ４の表面は、選択的に研磨され、その粗さが低減される。他の実施例では、ＬＥＤダイ４の側部２６および２８は傾斜しており、接点１４および接点１６は高度に反射性を有し、光を光学素子２に反射させるために反射層３６が配置される。
図１０および図１１の実施形態では、ＬＥＤダイ４は、ＬＥＤダイ４が接合される光学素子２の表面２２中の凹部３８に配置される。図１０に示した実施形態では、光学素子２は、ＬＥＤダイ４に直接に接合される。図１１の実施形態では、光学素子２は、接合層６を用いてＬＥＤダイ４に接合される。
詳細な実施形態を用いて本発明を説明しているが、本発明は、添付した請求項の範囲に含まれる変形および変更のすべてを包含するものである。
本明細書は、２０００年９月１２日に出願された米国特許一部継続出願第０９／６６０３１７号に基づくものであり、この出願の内容については、引用することにより本明細書に含めておく。
Claims (8)
- 活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する発光デバイスであって、
前記スタックの表面に接合層によって接合される透明な光学素子を具備し、
前記接合層は、１．８より大きい屈折率を有するガラス、ショットガラスＳＦ５９、ショットガラスＬａＳＦ３、及びショットガラスＬａＳＦＮ１８のうちの一つであり、
前記光学素子は、前記接合層と異なる材料からなり、
前記光学素子は、少なくとも一部に球面を有し、前記接合層に向けられた前記光学素子の底面は全体にわたって平坦であり、
当該発光デバイスは更に、前記光学素子の前記底面上に形成され且つ前記スタックの電気コンタクトに直接的に接続された金属化層を有し、かつ、
前記スタックの表面の長さに対する前記光学素子の前記底面の長さの比は２より大きい、
発光デバイス。 - 前記接合層中に含まれたルミネセンス材料をさらに含む、請求項１に記載の発光デバイス。
- 前記ルミネセンス材料は、量子ドット及びナノクリスタルのうちの一つである、請求項２に記載の発光デバイス。
- 前記光学素子中に含まれたルミネセンス材料をさらに含む、請求項１に記載の発光デバイス。
- 活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する発光デバイスであって、
前記スタックの表面に接合層によって接合される透明な光学素子を具備し、
前記接合層は、１．８より大きい屈折率を有するガラス、ショットガラスＳＦ５９、ショットガラスＬａＳＦ３、及びショットガラスＬａＳＦＮ１８のうちの一つであり、かつ、ルミネセンス材料を含む光学ガラス材料であり、
前記光学素子は、少なくとも一部に球面を有し、前記接合層に向けられた前記光学素子の底面は全体にわたって平坦であり、
当該発光デバイスは更に、前記光学素子の前記底面上に形成され且つ前記スタックの電気コンタクトに直接的に接続された金属化層を有し、かつ、
前記スタックの表面の長さに対する前記光学素子の前記底面の長さの比は２より大きい、
発光デバイス。 - 前記ルミネセンス材料は、量子ドット及びナノクリスタルのうちの一つである、請求項５に記載の発光デバイス。
- 前記光学素子中に含まれたルミネセンス材料をさらに含む、請求項５に記載の発光デバイス。
- 活性領域を備える半導体層を含む層のスタックを有する発光デバイスであって、
前記スタックの表面に接合層によって接合される透明な光学素子を具備し、
前記接合層は、１．８より大きい屈折率を有するガラス、ショットガラスＳＦ５９、ショットガラスＬａＳＦ３、及びショットガラスＬａＳＦＮ１８のうちの一つであり、
前記光学素子は、少なくとも一部に球面を有し、前記接合層に向けられた前記光学素子の底面は全体にわたって平坦であり、
当該発光デバイスは更に、前記光学素子の前記底面上に形成され且つ前記スタックの電気コンタクトに直接的に接続された金属化層を有し、かつ、
前記スタックの表面の長さに対する前記光学素子の前記底面の長さの比は２より大きい、
発光デバイス。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/660,317 US7053419B1 (en) | 2000-09-12 | 2000-09-12 | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
| US09/660317 | 2000-09-12 | ||
| US09/880204 | 2001-06-12 | ||
| US09/880,204 US7064355B2 (en) | 2000-09-12 | 2001-06-12 | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001321214A Division JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2001-09-12 | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014013941A JP2014013941A (ja) | 2014-01-23 |
| JP6034772B2 true JP6034772B2 (ja) | 2016-11-30 |
Family
ID=27098048
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001321214A Pending JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2001-09-12 | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP2012158925A Expired - Lifetime JP5662385B2 (ja) | 2000-09-12 | 2012-07-17 | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP2013212920A Expired - Lifetime JP6034772B2 (ja) | 2000-09-12 | 2013-10-10 | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001321214A Pending JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2001-09-12 | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP2012158925A Expired - Lifetime JP5662385B2 (ja) | 2000-09-12 | 2012-07-17 | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (6) | US7279345B2 (ja) |
| JP (3) | JP2002141556A (ja) |
Families Citing this family (87)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141556A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| JP2003017756A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
| US8545629B2 (en) | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
| CN1777999B (zh) * | 2003-02-26 | 2010-05-26 | 美商克立股份有限公司 | 复合式白色光源及其制造方法 |
| US20040173808A1 (en) * | 2003-03-07 | 2004-09-09 | Bor-Jen Wu | Flip-chip like light emitting device package |
| EP2264798B1 (en) | 2003-04-30 | 2020-10-14 | Cree, Inc. | High powered light emitter packages with compact optics |
| US7005679B2 (en) | 2003-05-01 | 2006-02-28 | Cree, Inc. | Multiple component solid state white light |
| WO2005001944A1 (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-06 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | レンズ付き発光素子およびその製造方法 |
| JP4479357B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2010-06-09 | 富士ゼロックス株式会社 | レンズ付き発光素子、レンズ付き発光素子アレイ、自己走査型発光素子アレイ、書込みヘッドおよび光プリンタ |
| US7009213B2 (en) * | 2003-07-31 | 2006-03-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting devices with improved light extraction efficiency |
| DE10351397A1 (de) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
| JP4339156B2 (ja) | 2004-03-18 | 2009-10-07 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具ユニット |
| US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
| EP1794814A1 (en) * | 2004-09-23 | 2007-06-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device |
| US20060091411A1 (en) | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Ouderkirk Andrew J | High brightness LED package |
| US7462502B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-12-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Color control by alteration of wavelength converting element |
| US7419839B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
| US20060171152A1 (en) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device and method of making the same |
| US7341878B2 (en) * | 2005-03-14 | 2008-03-11 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| US8748923B2 (en) | 2005-03-14 | 2014-06-10 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Wavelength-converted semiconductor light emitting device |
| DE102005023134A1 (de) * | 2005-05-19 | 2006-11-23 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Lumineszenzkonversions-LED |
| KR100706951B1 (ko) * | 2005-08-17 | 2007-04-12 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 |
| US7641735B2 (en) | 2005-12-02 | 2010-01-05 | Crystal Is, Inc. | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them |
| KR20090009772A (ko) | 2005-12-22 | 2009-01-23 | 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. | 조명 장치 |
| US9034103B2 (en) | 2006-03-30 | 2015-05-19 | Crystal Is, Inc. | Aluminum nitride bulk crystals having high transparency to ultraviolet light and methods of forming them |
| CN101517756B (zh) * | 2006-09-22 | 2013-06-19 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 具有张力缓和的发光器件 |
| KR20090064474A (ko) * | 2006-10-02 | 2009-06-18 | 일루미텍스, 인크. | Ｌｅｄ 시스템 및 방법 |
| US20080099774A1 (en) * | 2006-10-27 | 2008-05-01 | Tan Michael R T | Method for high-volume production of light emitting diodes with attached lenses |
| EP2087563B1 (en) | 2006-11-15 | 2014-09-24 | The Regents of The University of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
| TWI460881B (zh) * | 2006-12-11 | 2014-11-11 | Univ California | 透明發光二極體 |
| US9028612B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-05-12 | Crystal Is, Inc. | Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control |
| WO2008088838A1 (en) | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
| US9771666B2 (en) | 2007-01-17 | 2017-09-26 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
| US8080833B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-12-20 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
| US8791631B2 (en) | 2007-07-19 | 2014-07-29 | Quarkstar Llc | Light emitting device |
| US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
| US7859000B2 (en) | 2008-04-10 | 2010-12-28 | Cree, Inc. | LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same |
| US8569085B2 (en) * | 2008-10-09 | 2013-10-29 | The Regents Of The University Of California | Photoelectrochemical etching for chip shaping of light emitting diodes |
| JP4513921B2 (ja) * | 2008-12-09 | 2010-07-28 | ソニー株式会社 | 光学体およびその製造方法、窓材、ブラインド、ロールカーテン、ならびに障子 |
| JP2010287687A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび発光モジュールの製造方法 |
| US8066417B2 (en) * | 2009-08-28 | 2011-11-29 | General Electric Company | Light emitting diode-light guide coupling apparatus |
| US20110062469A1 (en) | 2009-09-17 | 2011-03-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Molded lens incorporating a window element |
| KR101055081B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 |
| JP5343018B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2013-11-13 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法、並びに発光ダイオードランプ |
| US8319247B2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-11-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Carrier for a light emitting device |
| EP2466655A1 (en) * | 2010-12-14 | 2012-06-20 | Liang Meng Plastic Share Co. Ltd. | LED package structure and manufacturing method for the same |
| US9391247B2 (en) * | 2010-12-16 | 2016-07-12 | Cree, Inc. | High power LEDs with non-polymer material lenses and methods of making the same |
| US8962359B2 (en) * | 2011-07-19 | 2015-02-24 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices |
| DE102011114641B4 (de) * | 2011-09-30 | 2021-08-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| WO2013078463A1 (en) | 2011-11-23 | 2013-05-30 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices providing asymmetrical propagation of light |
| RU2565324C2 (ru) * | 2012-06-11 | 2015-10-20 | Александр Петрович Потемкин | Оптическое согласующее устройство |
| EP2896079B1 (en) | 2012-09-13 | 2018-02-28 | Quarkstar LLC | Light-emitting device with remote scattering element and total internal reflection extractor element |
| US10151446B2 (en) | 2012-09-13 | 2018-12-11 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with total internal reflection (TIR) extractor |
| WO2014138591A1 (en) | 2013-03-07 | 2014-09-12 | Quarkstar Llc | Illumination device with multi-color light-emitting elements |
| US9915410B2 (en) | 2012-09-13 | 2018-03-13 | Quarkstar Llc | Light-emitting devices with reflective elements |
| US9752757B2 (en) | 2013-03-07 | 2017-09-05 | Quarkstar Llc | Light-emitting device with light guide for two way illumination |
| WO2014151264A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Crystal Is, Inc. | Planar contacts to pseudomorphic electronic and optoelectronic devices |
| US10811576B2 (en) | 2013-03-15 | 2020-10-20 | Quarkstar Llc | Color tuning of light-emitting devices |
| CN104241262B (zh) | 2013-06-14 | 2020-11-06 | 惠州科锐半导体照明有限公司 | 发光装置以及显示装置 |
| JP6299478B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2018-03-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US9653665B2 (en) * | 2013-07-26 | 2017-05-16 | Koninklijke Philips N.V. | LED dome with inner high index pillar |
| JP6387780B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2018-09-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US9190563B2 (en) | 2013-11-25 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanostructure semiconductor light emitting device |
| EP2953176A1 (de) * | 2014-06-02 | 2015-12-09 | Swarovski Energy GmbH | Beleuchtungsvorrichtung |
| KR102189129B1 (ko) * | 2014-06-02 | 2020-12-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 모듈 |
| CN106796977B (zh) | 2014-07-23 | 2019-06-28 | 晶体公司 | 紫外发光器件的光子提取 |
| JP6668608B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2020-03-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US10217914B2 (en) * | 2015-05-27 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| US10883753B2 (en) * | 2016-04-29 | 2021-01-05 | King Fahd University Of Petroleum And Minerals | Radiant cooling apparatus and system |
| US20170331016A1 (en) * | 2016-05-13 | 2017-11-16 | Maxim Tchoul | A lighting device having an optical lens formed on composite encapsulant comprising nanoparticles covering a light-emitting diode (led) |
| DE102016223710B4 (de) * | 2016-11-29 | 2021-01-14 | Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Beleuchtungseinrichtung |
| DE102017102477B4 (de) | 2017-02-08 | 2022-01-20 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung eines Auskoppelelements für ein optoelektronisches Bauelement und Auskoppelelement |
| EP3457444A1 (en) * | 2017-09-19 | 2019-03-20 | ams AG | Phosphor-converted light-emitting device |
| DE102017122325A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen |
| US10751840B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-08-25 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Multilayer composite bonding materials and power electronics assemblies incorporating the same |
| EP3803976B1 (en) | 2018-05-24 | 2024-05-22 | Lumiode, Inc. | Led display structures and fabrication of same |
| US11784288B2 (en) * | 2018-10-26 | 2023-10-10 | Google Llc | Light-emitting diodes with integrated optical elements |
| EP3873853A4 (en) | 2018-11-02 | 2022-07-13 | Crystal IS, Inc. | SYSTEMS AND METHODS FOR DISINFECTING FLUIDS USING ULTRAVIOLET LIGHT |
| WO2020131894A1 (en) | 2018-12-21 | 2020-06-25 | Lumiode, Inc. | Addressing for emissive displays |
| JPWO2020175396A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | ||
| WO2020219594A1 (en) | 2019-04-22 | 2020-10-29 | Crystal Is, Inc. | Fluid treatment reactor |
| DE102019118714B3 (de) * | 2019-07-10 | 2021-01-07 | Stefan Karle | Softbox für Scheinwerfertore |
| JP7165629B2 (ja) | 2019-07-12 | 2022-11-04 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 発光素子ランプ及びその製造方法 |
| JP7011195B2 (ja) * | 2020-02-27 | 2022-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
| DE102023104440A1 (de) | 2023-02-23 | 2024-08-29 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements |
Family Cites Families (152)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US141006A (en) * | 1873-07-22 | Improvement in metal-planing machines | ||
| US3676668A (en) * | 1969-12-29 | 1972-07-11 | Gen Electric | Solid state lamp assembly |
| US3769536A (en) * | 1972-01-28 | 1973-10-30 | Varian Associates | Iii-v photocathode bonded to a foreign transparent substrate |
| DE2209194A1 (de) | 1972-02-26 | 1973-08-30 | Licentia Gmbh | Anzeigegeraet |
| US3932881A (en) * | 1972-09-05 | 1976-01-13 | Nippon Electric Co., Inc. | Electroluminescent device including dichroic and infrared reflecting components |
| JPS5648990B2 (ja) * | 1974-02-05 | 1981-11-19 | ||
| US3964157A (en) | 1974-10-31 | 1976-06-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of mounting semiconductor chips |
| US4109054A (en) * | 1976-05-19 | 1978-08-22 | Ferro Corporation | Composites of glass-ceramic-to-metal, seals and method of making same |
| JPS5380988A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light emitting diode |
| JPS555473A (en) | 1978-06-27 | 1980-01-16 | Nippon Soken Inc | Air-fuel ratio controller |
| JPS5565473A (en) | 1978-11-13 | 1980-05-16 | Nec Corp | Nonvolatile semiconductor memory device |
| JPS5669607A (en) * | 1979-11-09 | 1981-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | Photocoupler |
| JPS5774720A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Optoelectronic element |
| US4783347A (en) * | 1981-12-01 | 1988-11-08 | General Electric Company | Method for primerless coating of plastics |
| US4391683A (en) * | 1982-09-10 | 1983-07-05 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Mask structures for photoetching procedures |
| US4675058A (en) * | 1983-12-14 | 1987-06-23 | Honeywell Inc. | Method of manufacturing a high-bandwidth, high radiance, surface emitting LED |
| JPS60191548A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-30 | Hitachi Ltd | イメ−ジセンサ |
| JPS6196780A (ja) | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Stanley Electric Co Ltd | Ｌｅｄチツプのコ−テイング方法 |
| JPS61187384A (ja) | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Stanley Electric Co Ltd | 発光ダイオ−ド |
| JPS61280686A (ja) | 1985-06-06 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US5181220A (en) | 1985-07-16 | 1993-01-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting light concentration device |
| FR2593930B1 (fr) | 1986-01-24 | 1989-11-24 | Radiotechnique Compelec | Dispositif opto-electronique pour montage en surface |
| JPS63188109A (ja) | 1987-01-30 | 1988-08-03 | Canon Inc | 屈折率分布型光学系 |
| US4815084A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-21 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Semiconductor laser with integrated optical elements |
| JPH01230274A (ja) * | 1987-11-13 | 1989-09-13 | Iwasaki Electric Co Ltd | 発光ダイオード |
| GB8728342D0 (en) * | 1987-12-03 | 1988-01-06 | Bt & D Technologies Ltd | Light sources |
| JPH01161878A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Hitachi Ltd | 発光装置の製造方法 |
| US4993817A (en) * | 1988-05-09 | 1991-02-19 | Jan Hoogland | Endoscope relay optics |
| JPH01293579A (ja) * | 1988-05-23 | 1989-11-27 | Hitachi Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
| JP2708183B2 (ja) * | 1988-07-21 | 1998-02-04 | シャープ株式会社 | 化合物半導体発光素子 |
| JPH02119275A (ja) * | 1988-10-28 | 1990-05-07 | Nec Corp | 発光ダイオード |
| EP1022787B2 (de) * | 1989-05-31 | 2012-07-11 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements und oberflächenmontierbares Opto-Bauelement |
| US5130531A (en) * | 1989-06-09 | 1992-07-14 | Omron Corporation | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens |
| US5255333A (en) | 1989-08-09 | 1993-10-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Opto-electronic transducer arrangement having a lens-type optical coupling |
| US5055892A (en) * | 1989-08-29 | 1991-10-08 | Hewlett-Packard Company | High efficiency lamp or light accepter |
| US5216263A (en) * | 1990-11-29 | 1993-06-01 | Xerox Corporation | High density, independently addressable, surface emitting semiconductor laser-light emitting diode arrays |
| US5300788A (en) | 1991-01-18 | 1994-04-05 | Kopin Corporation | Light emitting diode bars and arrays and method of making same |
| DK108691D0 (da) * | 1991-06-07 | 1991-06-07 | Allan Goettsche | Maaling af induceret dobbeltbrydning |
| US5132430A (en) * | 1991-06-26 | 1992-07-21 | Polaroid Corporation | High refractive index polymers |
| JPH0537007A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nikko Kyodo Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| JPH0538845A (ja) * | 1991-08-06 | 1993-02-19 | Eastman Kodak Japan Kk | 発光ダイオードアレイプリンタヘツド |
| JPH0590966U (ja) * | 1991-09-05 | 1993-12-10 | スタンレー電気株式会社 | Ｌｅｄアレイチップ |
| JPH0590966A (ja) | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | Ｄ−ａ変換器 |
| JPH05113526A (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-07 | Omron Corp | 光結合ユニツトおよびそれを用いたフアイバ光電センサ |
| JPH05129653A (ja) * | 1991-11-05 | 1993-05-25 | Nikko Kyodo Co Ltd | 光半導体装置用基板へのレンズ加工方法 |
| US5255171A (en) * | 1991-11-27 | 1993-10-19 | Clark L Douglas | Colored light source providing intensification of initial source illumination |
| JP3025109B2 (ja) | 1992-03-11 | 2000-03-27 | シャープ株式会社 | 光源および光源装置 |
| JPH05343709A (ja) | 1992-06-08 | 1993-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ピッグテール型光モジュールの製造方法 |
| JPH0629577A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| JPH0645650A (ja) | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Omron Corp | 半導体発光素子、ならびに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置及び発光装置。 |
| JPH06151972A (ja) | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Omron Corp | レンズ・オン・チップ型発光装置及びその製造方法 |
| JP3230638B2 (ja) | 1993-02-10 | 2001-11-19 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| US5376580A (en) * | 1993-03-19 | 1994-12-27 | Hewlett-Packard Company | Wafer bonding of light emitting diode layers |
| JPH06338630A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Omron Corp | 半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置 |
| JPH0738153A (ja) | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Sharp Corp | 半導体発光素子並びに光ファイバモジュール装置および半導体発光素子ディスプレイ装置 |
| JPH07115244A (ja) * | 1993-10-19 | 1995-05-02 | Toyota Motor Corp | 半導体レーザー及びその製造方法 |
| US5585968A (en) * | 1993-12-01 | 1996-12-17 | International Business Machines Corporation | Optical elements having regions of different indices of refraction and method of fabricating the same |
| JP3150025B2 (ja) | 1993-12-16 | 2001-03-26 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| EP0660467B1 (de) | 1993-12-22 | 1997-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| TW289837B (ja) * | 1994-01-18 | 1996-11-01 | Hwelett Packard Co | |
| EP0680163A3 (en) * | 1994-04-25 | 1996-07-03 | At & T Corp | Integrated detector / photo transmitter with non-imaging director. |
| US5537000A (en) * | 1994-04-29 | 1996-07-16 | The Regents, University Of California | Electroluminescent devices formed using semiconductor nanocrystals as an electron transport media and method of making such electroluminescent devices |
| US5394430A (en) | 1994-05-03 | 1995-02-28 | Quarton Inc. | Laser module |
| JPH0876697A (ja) | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Sharp Corp | 発光表示装置 |
| JPH08255933A (ja) | 1995-03-15 | 1996-10-01 | Omron Corp | レンズ一体型半導体発光素子及びその製造方法 |
| US5959787A (en) * | 1995-06-06 | 1999-09-28 | The Boeing Company | Concentrating coverglass for photovoltaic cells |
| JPH0915645A (ja) | 1995-06-26 | 1997-01-17 | Casio Comput Co Ltd | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
| DE19527026C2 (de) | 1995-07-24 | 1997-12-18 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren |
| DE19629920B4 (de) * | 1995-08-10 | 2006-02-02 | LumiLeds Lighting, U.S., LLC, San Jose | Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor |
| US5592578A (en) | 1995-11-01 | 1997-01-07 | Hewlett-Packard Company | Peripheral optical element for redirecting light from an LED |
| JPH09153645A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | ３族窒化物半導体発光素子 |
| US5724376A (en) | 1995-11-30 | 1998-03-03 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate vertical cavity surface emitting lasers fabricated by semiconductor wafer bonding |
| JPH09172198A (ja) | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US5923690A (en) | 1996-01-25 | 1999-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
| US5779924A (en) * | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
| US5785205A (en) * | 1996-05-03 | 1998-07-28 | Innogrip, L.P. | Dispenser for dispensing bag holders |
| DE19621124A1 (de) | 1996-05-24 | 1997-11-27 | Siemens Ag | Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren |
| DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| BRPI9715293B1 (pt) * | 1996-06-26 | 2016-11-01 | Osram Ag | elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico |
| US5777433A (en) * | 1996-07-11 | 1998-07-07 | Hewlett-Packard Company | High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material |
| JP3238326B2 (ja) | 1996-07-17 | 2001-12-10 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
| US5925898A (en) * | 1996-07-18 | 1999-07-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelectronic transducer and production methods |
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| EP0918984B1 (de) * | 1996-08-16 | 2001-06-27 | Zeptosens AG | Optische detektionsvorrichtung |
| JP3992770B2 (ja) | 1996-11-22 | 2007-10-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその形成方法 |
| US6473554B1 (en) | 1996-12-12 | 2002-10-29 | Teledyne Lighting And Display Products, Inc. | Lighting apparatus having low profile |
| US5898185A (en) * | 1997-01-24 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes |
| JP3427125B2 (ja) * | 1997-02-21 | 2003-07-14 | 仗祐 中田 | 光学レンズ機能付き半導体デバイス |
| CN1249168C (zh) * | 1997-04-21 | 2006-04-05 | 日东电工株式会社 | 半导体密封用树脂组合物和使用它的半导体装置以及半导体装置的制法 |
| US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
| US6229160B1 (en) | 1997-06-03 | 2001-05-08 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Light extraction from a semiconductor light-emitting device via chip shaping |
| DE29723523U1 (de) | 1997-07-03 | 1998-11-12 | Boekhoff, Volker, 26789 Leer | Vorrichtung zum Schutz von in der Landwirtschaft eingesetzten Geräten, insbesondere Datenverarbeitungsgeräten |
| US5847507A (en) | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
| US5917201A (en) * | 1997-08-07 | 1999-06-29 | Epistar Co. | Light emitting diode with asymmetrical energy band structure |
| JPH1168153A (ja) * | 1997-08-08 | 1999-03-09 | Hitachi Ltd | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
| US6340824B1 (en) * | 1997-09-01 | 2002-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device including a fluorescent material |
| EP0911653B1 (de) * | 1997-09-05 | 2006-07-19 | Osram Opto Semiconductors GmbH | Immersionssystem |
| US5966399A (en) * | 1997-10-02 | 1999-10-12 | Motorola, Inc. | Vertical cavity surface emitting laser with integrated diffractive lens and method of fabrication |
| US6015719A (en) * | 1997-10-24 | 2000-01-18 | Hewlett-Packard Company | Transparent substrate light emitting diodes with directed light output |
| JP3495583B2 (ja) | 1997-12-12 | 2004-02-09 | 株式会社リコー | 光学装置 |
| EP0926744B8 (en) | 1997-12-15 | 2008-05-21 | Philips Lumileds Lighting Company, LLC. | Light emitting device |
| JP3362836B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| US6412971B1 (en) * | 1998-01-02 | 2002-07-02 | General Electric Company | Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method |
| JP2924961B1 (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-26 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製法 |
| US6233267B1 (en) * | 1998-01-21 | 2001-05-15 | Brown University Research Foundation | Blue/ultraviolet/green vertical cavity surface emitting laser employing lateral edge overgrowth (LEO) technique |
| US6294800B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-09-25 | General Electric Company | Phosphors for white light generation from UV emitting diodes |
| US6501091B1 (en) * | 1998-04-01 | 2002-12-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Quantum dot white and colored light emitting diodes |
| JPH11296184A (ja) | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Katsuyuki Imoto | 音声応答をする遠隔制御装置 |
| JP4304733B2 (ja) | 1998-04-14 | 2009-07-29 | 住友電気工業株式会社 | 多結晶硫化亜鉛光学部品及びその製造方法 |
| EP1073937A4 (en) * | 1998-04-24 | 2002-08-14 | Digital Optics Corp | BROADCAST IMAGE FORMING DEVICE AND RELATED METHODS |
| JP2000006467A (ja) | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Matsushita Electron Corp | 画像書込みデバイス |
| JP2907286B1 (ja) * | 1998-06-26 | 1999-06-21 | サンケン電気株式会社 | 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置 |
| JP2000049387A (ja) | 1998-07-27 | 2000-02-18 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光装置 |
| JP3785820B2 (ja) | 1998-08-03 | 2006-06-14 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| EP1042775A2 (en) * | 1998-09-22 | 2000-10-11 | Fed Corporation | Inorganic-based color conversion matrix element for organic color display devices and method of fabrication |
| JP3469484B2 (ja) * | 1998-12-24 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP3531722B2 (ja) | 1998-12-28 | 2004-05-31 | 信越半導体株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| RU2142661C1 (ru) * | 1998-12-29 | 1999-12-10 | Швейкин Василий Иванович | Инжекционный некогерентный излучатель |
| JP2000218862A (ja) | 1999-02-03 | 2000-08-08 | Ricoh Co Ltd | アレイ状発光装置 |
| US6329676B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-12-11 | Toru Takayama | Flat panel solid state light source |
| US6155699A (en) * | 1999-03-15 | 2000-12-05 | Agilent Technologies, Inc. | Efficient phosphor-conversion led structure |
| US6258699B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-07-10 | Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. | Light emitting diode with a permanent subtrate of transparent glass or quartz and the method for manufacturing the same |
| DE19922176C2 (de) | 1999-05-12 | 2001-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierte LED-Mehrfachanordnung und deren Verwendung in einer Beleuchtungseinrichtung |
| DE19922361C2 (de) | 1999-05-14 | 2003-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul für Anzeigeeinrichtungen |
| JP2001028456A (ja) * | 1999-07-14 | 2001-01-30 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2001077430A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
| KR100463653B1 (ko) | 1999-07-29 | 2004-12-29 | 가부시키가이샤 시티즌 덴시 | 발광 다이오드 |
| JP2001144331A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-05-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
| JP3230518B2 (ja) * | 1999-10-19 | 2001-11-19 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
| US6214733B1 (en) * | 1999-11-17 | 2001-04-10 | Elo Technologies, Inc. | Process for lift off and handling of thin film materials |
| EP2270883A3 (en) | 1999-12-03 | 2015-09-30 | Cree, Inc. | Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements |
| US6350041B1 (en) * | 1999-12-03 | 2002-02-26 | Cree Lighting Company | High output radial dispersing lamp using a solid state light source |
| US6410942B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-06-25 | Cree Lighting Company | Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays |
| US6165911A (en) * | 1999-12-29 | 2000-12-26 | Calveley; Peter Braden | Method of patterning a metal layer |
| US6483196B1 (en) * | 2000-04-03 | 2002-11-19 | General Electric Company | Flip chip led apparatus |
| US6618913B2 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-16 | Yugen Kaisha Ichiryu | Decorative ribbon forming device, and decorative ribbon forming and mounting device |
| DE10019665A1 (de) | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2002016285A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 半導体発光素子 |
| KR100480441B1 (ko) | 2000-07-05 | 2005-04-06 | 조길연 | 네트워크를 이용한 설계 경기를 통한 부동산 중개 방법 |
| JP2002141556A (ja) | 2000-09-12 | 2002-05-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード |
| US7064355B2 (en) * | 2000-09-12 | 2006-06-20 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
| US7053419B1 (en) | 2000-09-12 | 2006-05-30 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light emitting diodes with improved light extraction efficiency |
| DE10054966A1 (de) | 2000-11-06 | 2002-05-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement für die Optoelektronik |
| DE10101554A1 (de) * | 2001-01-15 | 2002-08-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiode |
| TW493286B (en) * | 2001-02-06 | 2002-07-01 | United Epitaxy Co Ltd | Light-emitting diode and the manufacturing method thereof |
| US6987613B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-01-17 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction |
| US6598998B2 (en) | 2001-05-04 | 2003-07-29 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Side emitting light emitting device |
| US6870311B2 (en) | 2002-06-07 | 2005-03-22 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Light-emitting devices utilizing nanoparticles |
| US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
| US8431818B2 (en) * | 2007-05-08 | 2013-04-30 | Vanguard Solar, Inc. | Solar cells and photodetectors with semiconducting nanostructures |
| ITMI20071887A1 (it) * | 2007-10-02 | 2009-04-03 | Iguzzini Illuminazione | Schermo ottico per il direzionamento di raggi luminosi con elementi a geometria ottimizzata |
| US20110297912A1 (en) * | 2010-06-08 | 2011-12-08 | George Samachisa | Non-Volatile Memory Having 3d Array of Read/Write Elements with Vertical Bit Lines and Laterally Aligned Active Elements and Methods Thereof |
-
2001
- 2001-09-12 JP JP2001321214A patent/JP2002141556A/ja active Pending
-
2004
- 2004-09-10 US US10/938,237 patent/US7279345B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-10-08 US US11/868,903 patent/US8049234B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-02-23 US US12/710,554 patent/US8415694B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-10-04 US US13/252,398 patent/US8628985B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-07-17 JP JP2012158925A patent/JP5662385B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-10-10 JP JP2013212920A patent/JP6034772B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2013-12-20 US US14/136,171 patent/US9583683B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2017
- 2017-02-27 US US15/443,902 patent/US10312422B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140191265A1 (en) | 2014-07-10 |
| JP5662385B2 (ja) | 2015-01-28 |
| US20170301838A1 (en) | 2017-10-19 |
| US7279345B2 (en) | 2007-10-09 |
| US20120021543A1 (en) | 2012-01-26 |
| US20050032257A1 (en) | 2005-02-10 |
| JP2012256899A (ja) | 2012-12-27 |
| US20100148151A1 (en) | 2010-06-17 |
| US10312422B2 (en) | 2019-06-04 |
| US9583683B2 (en) | 2017-02-28 |
| JP2002141556A (ja) | 2002-05-17 |
| US8628985B2 (en) | 2014-01-14 |
| US20080023719A1 (en) | 2008-01-31 |
| US8415694B2 (en) | 2013-04-09 |
| US8049234B2 (en) | 2011-11-01 |
| JP2014013941A (ja) | 2014-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6034772B2 (ja) | 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード | |
| KR100941639B1 (ko) | 발광 디바이스 및 그 제조 방법과 발광 디바이스에 대한투명 광학 소자 접착 방법 | |
| KR101163719B1 (ko) | 발광 디바이스 및 발광 디바이스에 대한 투명 렌즈 접착방법 | |
| US7276737B2 (en) | Light emitting devices with improved light extraction efficiency | |
| US7268371B2 (en) | Light extraction from a semiconductor light emitting device via chip shaping |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131011 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131024 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140716 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150701 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150707 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150713 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150731 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160502 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160711 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161028 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6034772 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |