JP6067927B2 - 銅又は銅合金スパッタリングターゲット - Google Patents
銅又は銅合金スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP6067927B2 JP6067927B2 JP2016511553A JP2016511553A JP6067927B2 JP 6067927 B2 JP6067927 B2 JP 6067927B2 JP 2016511553 A JP2016511553 A JP 2016511553A JP 2016511553 A JP2016511553 A JP 2016511553A JP 6067927 B2 JP6067927 B2 JP 6067927B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- ultrasonic flaw
- copper
- purity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 42
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 27
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims description 26
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 35
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 33
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 10
- 229910017767 Cu—Al Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910017566 Cu-Mn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017871 Cu—Mn Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 24
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 12
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 229910018565 CuAl Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 101150009006 HIS3 gene Proteins 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100394989 Rhodopseudomonas palustris (strain ATCC BAA-98 / CGA009) hisI gene Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/01—Alloys based on copper with aluminium as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/05—Alloys based on copper with manganese as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/04—Analysing solids
- G01N29/043—Analysing solids in the interior, e.g. by shear waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
- G01N2291/028—Material parameters
- G01N2291/0289—Internal structure, e.g. defects, grain size, texture
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
- G01N2291/04—Wave modes and trajectories
- G01N2291/044—Internal reflections (echoes), e.g. on walls or defects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、ＬＳＩをはじめとする半導体装置のウエハ内配線部の形成に用いられる銅又は銅合金スパッタリングターゲットに関する。
半導体デバイスの配線材料として、銅配線（比抵抗：１．７μΩ・ｃｍ程度）が使用されている。銅配線の形成プロセスとして、配線溝にＴａやＴａＮなどの拡散バリア層を形成した後、銅シード層を形成し、その後、銅配線を形成することが行われている。近年、配線の微細化に伴い、薄くなった拡散バリア層のバリア性能低下を解消するためシード層にアルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）などを添加した銅合金膜や高純度の銅膜を使用することが行われている。
上記の銅合金膜や高純度銅膜は、銅合金又は銅スパッタリングターゲットを用いて成膜される。安定したデバイス性能、製品歩留まりを確保するためには、スパッタリングで形成された膜の均一性や安定した成膜速度が求められている。一般に、これらの膜の均一性や成膜速度の安定性は、スパッタリングターゲット内の組成、密度、組織などのムラ（不均一性）の影響を受ける。したがって、ターゲット内の組成、密度、組織などの均一性を確認し、これを制御することは非常に重要である。
しかしながら従来、スパッタリングターゲット内の組成、密度、組織などの均一性を確認する方法として、ターゲット面内の数箇所、代表的な部分のみについて、それぞれの物性を測定して、評価するのがほとんどであった。そのため、ターゲットの局所的に存在するムラに関しては見落とされる可能性があり、そのような局所的なムラは、膜の均一性を阻害したり、成膜速度を不安定にしたりすることがあった。特に、配線が微細化しつつある最近の状況では、これらは重大な問題としてクローズアップされている。
本出願人は以前、スパッタリングターゲット中の酸化物がスパッタ膜に欠陥を引き起こすことから、超音波探傷機によってターゲット中の酸化物介在物を検出して、これを効果的に抑制する技術を提案した（特許文献１）。また、特許文献２には、スパッタリングターゲットにおいて、複数の欠陥のタイプ（ボイド状欠陥、アルミナ介在物など）を識別することができる非破壊評価方法が開示されており、特許文献３には、寸法と位置で分類された欠陥の種類を識別することができる非破壊評価方法が開示されている。
本発明は、半導体装置の配線の形成に適した銅又は銅合金スパッタリングターゲットに関し、特に、スパッタリングターゲット中に局所的に存在する組成、密度、組織などのムラ（不均一性）を制御することができ、これにより、スパッタリング時の成膜速度を安定にすることができると伴に、スパッタ成膜した膜の均一性を向上することができる銅又は銅合金スパッタリグターゲットを提供することを課題とする。
上記の課題を解決するために、本発明者らは、スパッタリングターゲット中に局所的に存在する組成、密度、組織などのムラについて鋭意研究した結果、スパッタリングターゲット全体を超音波探傷機による反射強度で評価し、制御することで、ターゲットの局所的なムラを抑制することができるとの知見を得た。そしてまた、このような局所的なムラの少ないターゲットは、ターゲット製造時の鍛造温度を調整することが特に有効であるとの知見を得た。
これらの知見に基づいて、本発明者らは、以下の発明を提供するものである。
１）ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の３０％以下であることを特徴とする銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
２）ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の２０％以下であることを特徴とする銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
３）ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１０％以下であることを特徴とする銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
４）Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金のいずれか一種からなることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載の銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
１）ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の３０％以下であることを特徴とする銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
２）ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の２０％以下であることを特徴とする銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
３）ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１０％以下であることを特徴とする銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
４）Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金のいずれか一種からなることを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一に記載の銅又は銅合金スパッタリングターゲット。
本発明は、スパッタリングターゲットの組成、密度、組織などのムラ（不均一性）を示す指標として、ターゲットからの超音波の反射強度を用いることで、このようなムラの少ないターゲットを得ることができる。そして、このようなムラの少ないターゲットは膜の均一性を向上することができるとともに、成膜速度を安定化することができるという優れた効果を有する。
本発明の銅又は銅合金スパッタリングターゲットは、ターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定において、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の３０％以下であることを特徴とするものである。好ましくは、ターゲットの前記領域が２０％以下であり、さらに好ましくは１０％以下であることを特徴とするものである。
超音波探傷機は、探針をスパッタリングターゲット全面に走査させて、ターゲット内の欠陥から反射される波形の強度を調べることで、欠陥のサイズや位置などを把握することができる。欠陥は、ターゲットの組成、密度、組織などのムラ（不均一性）を生じさせることから、このような欠陥を適切に制御することにより、ムラの少ないターゲットを得ることができる。そして、このようなムラの少ないターゲットは、成膜される膜の均一性を向上することができるとともに、スパッタリング時のパーティクル量を低減することができる。
超音波による探傷は標準試料や設定した基準点での底面からの反射エコーとの比較を行うことにより欠陥や組織等の相違を検出する検査方法であるため、相対評価を行える標準試料又は基準点の設定が必要となる。本発明では、超音波探傷機の感度調整をターゲット表面の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように調整を行う。このようにターゲット底面からの反射エコーをモニターすることにより、材料中の欠陥や組織・組成等の相違を検出することができる。このような感度調整下において、反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上は、基準となる位置と比較して、材料内に材料欠陥や、組織、組成等の大きな相違があることを意味する。
本発明のスパッタリングターゲットは、銅又は銅合金から構成されるものである。銅としては、純度４Ｎ以上のＣｕを用いることが好ましく、銅合金としては、耐ＥＭ性を向上させるために、Ａｌを添加したＣｕ−Ａｌ合金、Ｍｎを添加したＣｕ−Ｍｎ合金を用いることが好ましい。配線抵抗がデバイスに影響を与えることなく、耐ＥＭ性の効果を得るために、特に、Ａｌを０．０５〜１０ｗｔ％添加したＣｕ−Ａｌ合金、Ｍｎを０．１〜２５ｗｔ％添加したＣｕ−Ｍｎ合金が好ましい。
銅又は銅合金スパッタリングターゲットは、原料を溶解及び鋳造し、鋳造後の素材を結晶組織、粒径等を適切なものとするため鍛造や圧延等の塑性加工処理及び熱処理を施し、その後、円板状などの最終ターゲット寸法に仕上げることにより作製される。スパッタリングターゲットにおける超音波探傷による反射強度の制御は、特に鍛造時の温度を各材料にあった適切な温度に調整することが有効であり、本発明の組成にあっては、９００℃以下とすることが好ましい。
次に、実施例に基づいて本発明を説明する。以下に示す実施例は、理解を容易にするためのものであり、これらの実施例によって本発明を制限するものではない。すなわち、本発明の技術思想に基づく変形及び他の実施例は、当然本発明に含まれる。
（実施例１）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、４２０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、４２０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。具体的には、測定対象物であるスパッタリングターゲットを水中に沈めて、探針を対象物全体に走査させ、対象物内の欠陥から反射される波形の強度とその強度の高い領域を算出した。超音波探傷の条件は、以下の通りである。
装置：Ｋｒａｕｔｋｒａｍｅｒ社製 形式：ＨＩＳ３
ＩＦ音速 ：１４８０ｍ／ｓ
材料音速 ：２０００〜６０００ｍ／ｓ
ＡＭＰ ：≧３０ｄＢ
感度調整 ：円盤状ターゲットの中心を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように調整
その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の５％であった。
装置：Ｋｒａｕｔｋｒａｍｅｒ社製 形式：ＨＩＳ３
ＩＦ音速 ：１４８０ｍ／ｓ
材料音速 ：２０００〜６０００ｍ／ｓ
ＡＭＰ ：≧３０ｄＢ
感度調整 ：円盤状ターゲットの中心を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように調整
その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の５％であった。
次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、投入電力：３８ｋＷにてスパッタリングを実施して、１２インチのシリコン基板上に５秒間成膜した。そして、スパッタリングで形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。具体的には、ウエハ上の４９点のシート抵抗を測定し、その標準偏差（ユニフォーミティ）とユニフォーミティ（ＮＵ％）を求めた。標準偏差とユニフォーミティの算出方法は、以下の通りである。
標準偏差（σ）＝(((Rs1-RsAve)2+(Rs2-RsAve)2+・・・+(Rs49-RsAve)2)/49)1/2
(Rsn ：各測定点でのシート抵抗(Rs)、RsAve： Rsの49点平均値)
ユニフォーミティ（ＮＵ％）＝σ/ RsAve×100
その結果、標準偏差は０．０２５であり、ユニフォーミティは３．２％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
標準偏差（σ）＝(((Rs1-RsAve)2+(Rs2-RsAve)2+・・・+(Rs49-RsAve)2)/49)1/2
(Rsn ：各測定点でのシート抵抗(Rs)、RsAve： Rsの49点平均値)
ユニフォーミティ（ＮＵ％）＝σ/ RsAve×100
その結果、標準偏差は０．０２５であり、ユニフォーミティは３．２％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
（実施例２）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、６３０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、６３０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１５％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０３６、ユニフォーミティは３．８％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
（実施例３）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度３Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：０．１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、８２０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度３Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：０．１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、８２０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の８％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施し、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０２７、ユニフォーミティは２．７％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
（実施例４）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：２５ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、７８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：２５ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、７８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０２６、ユニフォーミティは３．０％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
（実施例５）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：０．０１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、８２０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：０．０１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、８２０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０２９、ユニフォーミティは３．３％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
（実施例６）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：１０ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、７８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：１０ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、７８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０３３、ユニフォーミティは３．５％であり、均一性に優れた膜が得られた。以上の結果を表１に示す。
（比較例１）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、９５０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、９５０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０５１、ユニフォーミティは４．５％であり、実施例に比べて均一性に劣る膜となった。以上の結果を表１に示す。
（比較例２）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、１０００℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度６Ｎ以上の高純度銅インゴットを得た。次に、得られたインゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、１０００℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、４００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．１０２、ユニフォーミティは５．１％であり、実施例に比べて均一性に劣る膜となった。以上の結果を表１に示す。
（比較例３）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度３Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：０．１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、１０００℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度３Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：０．１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、１０００℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０７３、ユニフォーミティは４．６％であり、実施例に比べて均一性に劣る膜となった。以上の結果を表１に示す。
（比較例４）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：２５ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、９８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径450ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ｍｎを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＭｎ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ｍｎ合金インゴット（Ｍｎ：２５ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、９８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径450ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０８４、ユニフォーミティは５．２％であり、実施例に比べて均一性に劣る膜となった。以上の結果を表１に示す。
（比較例５）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：０．０１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、１０００℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径450ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：０．０１ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、１０００℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径450ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施して、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．０９３、ユニフォーミティは５．６％であり、実施例に比べて均一性に劣る膜となった。以上の結果を表１に示す。
（比較例６）
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：１０ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、９８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
純度６Ｎ以上の高純度Ｃｕ、純度４Ｎ以上の高純度Ａｌを用意し、これを坩堝に導入して、１２５０℃で溶解した（誘導溶解法）。その後、ＣｕＡｌ合金の溶湯を鋳型（モールド）に出湯し、純度５Ｎ以上の高純度Ｃｕ−Ａｌ合金インゴット（Ａｌ：１０ｗｔ％）を得た。次に、得られた銅合金インゴットを直径１８０ｍｍ×厚さ１６０ｍｍとした後、９８０℃で熱間鍛造し、さらに冷間圧延で圧下率が７０％以上となるまで圧延した。その後、６００℃で熱処理した後、急冷して圧延板を作製した。これを機械加工により、直径４５０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板に加工した後、表面粗さが０．８μｍ以下となるようにペーパー仕上げを行って、ターゲットを作製した。
このようにして作製したターゲットについて、超音波探傷機を用いて分析を行った。超音波探傷の条件は、実施例１と同様にした。その結果、超音波探傷機による反射強度３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット全体の１３％であった。次に、超音波探傷を行ったターゲットをバッキングプレートに接合後、スパッタ装置に設置し、実施例１と同様の条件でスパッタリングを実施し、成膜した。そして、実施例１と同様に形成した膜のシート抵抗の分布を測定して、膜厚の分布状況を調べた。その結果、標準偏差は０．１１０、ユニフォーミティは６．７％であり、実施例に比べて均一性に劣る膜となった。以上の結果を表１に示す。
本発明は、銅又は銅合金スパッタリングターゲットにおいて、均一性に優れたスパッタ成膜特性を有し、安定した成膜速度を維持することができるので、半導体装置の配線層、特にシード層を安定的に形成するのに有用である。
Claims (4)
- ターゲット面内の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定によってターゲット面全体を測定し、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット面全体の３０％以下であるターゲットをスパッタリングターゲットとして選択し、前記スパッタリングターゲットをスパッタリングして銅又は銅合金配線を形成することを特徴とするスパッタリング成膜方法。
- ターゲット面内の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定によってターゲット面全体を測定し、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット面全体の２０％以下であるターゲットをスパッタリングターゲットとして選択し、前記スパッタリングターゲットをスパッタリングして銅又は銅合金配線を形成することを特徴とするスパッタリング成膜方法。
- ターゲット面内の任意の１箇所を基準点とし、その基準点に超音波を当てたときのターゲット底面からの反射エコーの強度を１００％となるように感度調整した超音波探傷測定によってターゲット面全体を測定し、ターゲット底面からの反射エコーの強度が６５％以下又は１３５％以上で検出されるターゲットの領域がターゲット面全体の１０％以下であるターゲットをスパッタリングターゲットとして選択し、前記スパッタリングターゲットをスパッタリングして銅又は銅合金配線を形成することを特徴とするスパッタリング成膜方法。
- 前記ターゲットが、Ｃｕ、Ｃｕ−Ａｌ合金、Ｃｕ−Ｍｎ合金のいずれか一種からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014071028 | 2014-03-31 | ||
| JP2014071028 | 2014-03-31 | ||
| PCT/JP2015/058749 WO2015151901A1 (ja) | 2014-03-31 | 2015-03-23 | 銅又は銅合金スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6067927B2 true JP6067927B2 (ja) | 2017-01-25 |
| JPWO2015151901A1 JPWO2015151901A1 (ja) | 2017-04-13 |
Family
ID=54240229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016511553A Active JP6067927B2 (ja) | 2014-03-31 | 2015-03-23 | 銅又は銅合金スパッタリングターゲット |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6067927B2 (ja) |
| TW (1) | TW201606100A (ja) |
| WO (1) | WO2015151901A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210005328A (ko) * | 2017-03-30 | 2021-01-13 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6988673B2 (ja) * | 2018-04-26 | 2022-01-05 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅合金ターゲット及びその製造方法 |
| JP7250723B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-04-03 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2023124653A (ja) | 2022-02-25 | 2023-09-06 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10330923A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 |
| WO2003064722A1 (fr) * | 2002-01-30 | 2003-08-07 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation d'alliage de cuivre et procede de fabrication de cette cible |
| JP2009535518A (ja) * | 2006-05-01 | 2009-10-01 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 銅ターゲット |
| JP2012156545A (ja) * | 2012-04-12 | 2012-08-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
| JP2013019010A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | スパッタリングターゲット用銅材料およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10276356B2 (en) * | 2013-03-07 | 2019-04-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target |
-
2015
- 2015-03-23 JP JP2016511553A patent/JP6067927B2/ja active Active
- 2015-03-23 WO PCT/JP2015/058749 patent/WO2015151901A1/ja active Application Filing
- 2015-03-26 TW TW104109715A patent/TW201606100A/zh unknown
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10330923A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Japan Energy Corp | 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜 |
| WO2003064722A1 (fr) * | 2002-01-30 | 2003-08-07 | Nikko Materials Company, Limited | Cible de pulverisation d'alliage de cuivre et procede de fabrication de cette cible |
| JP2009535518A (ja) * | 2006-05-01 | 2009-10-01 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 銅ターゲット |
| JP2013019010A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | スパッタリングターゲット用銅材料およびその製造方法 |
| JP2012156545A (ja) * | 2012-04-12 | 2012-08-16 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 半導体用銅合金配線及びスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210005328A (ko) * | 2017-03-30 | 2021-01-13 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
| KR102362400B1 (ko) * | 2017-03-30 | 2022-02-14 | 제이엑스금속주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201606100A (zh) | 2016-02-16 |
| WO2015151901A1 (ja) | 2015-10-08 |
| JPWO2015151901A1 (ja) | 2017-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6067927B2 (ja) | 銅又は銅合金スパッタリングターゲット | |
| JP3803382B2 (ja) | 陰極スパッター極板の超音波検査法 | |
| TWI535867B (zh) | 圓筒型濺鍍靶用材料 | |
| JP5324016B1 (ja) | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに同ターゲットを用いて形成した半導体配線用バリア膜 | |
| JP4837785B1 (ja) | インジウムターゲット及びその製造方法 | |
| JP5787647B2 (ja) | スパッタリングターゲット用銅材料の製造方法 | |
| TW201007865A (en) | Silicon single crystal wafer, process for producing silicon single crystal wafer, and method for evaluating silicon single crystal wafer | |
| TW201237200A (en) | Indium target and method for manufacturing same | |
| KR20130122965A (ko) | Al기 합금 스퍼터링 타깃 및 Cu기 합금 스퍼터링 타깃 | |
| JP2018204108A (ja) | 無酸素銅板およびセラミックス配線基板 | |
| TWI602931B (zh) | 鋁濺鍍靶材 | |
| TWI557236B (zh) | 銦或銦合金濺鍍靶及其製造方法 | |
| JP5236976B2 (ja) | Ａｌ−Ｃｕ合金の導電率向上方法 | |
| Zheng et al. | Degradation of the Strength of a Grain and a Grain Boundary due to the Accumulation of the Structural Defects of Crystal | |
| TW201923112A (zh) | 銅錳濺鍍靶材 | |
| JP6350969B2 (ja) | Ｉｎ又はＩｎ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| JP6636799B2 (ja) | 銅合金スパッタリングターゲット及びその評価方法 | |
| KR102030875B1 (ko) | 고순도 구리 코발트 합금 스퍼터링 타깃 | |
| RU2569611C1 (ru) | Способ изготовления плит из высоколегированного титанового сплава | |
| CN114502755B (zh) | 铜板材及其制造方法、以及带铜板材的绝缘基板 | |
| TW201529877A (zh) | 高純度銅或銅合金濺鍍靶及其製造方法 | |
| JP5183818B1 (ja) | インジウム製スパッタリングターゲット部材及びその製造方法 | |
| Brongersma et al. | Copper grain growth in reduced dimensions | |
| CN118516627A (zh) | 一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用 | |
| TWI468537B (zh) | Indium splashing target member and its manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161111 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6067927 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |