JP6060518B2 - Electronic module - Google Patents
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Description
本発明は、電子モジュールに関する。 The present invention relates to an electronic module.
一般的に、駆動回路に搭載される電力(電圧)増幅器が動作する際には、自身の発熱による温度上昇を伴う。高周波、特に数W以上で動作する高出力電力(電圧)増幅器では、発熱に伴う温度上昇が特に顕著であり、安定動作のためにヒートシンク上に実装されることが普通である。 Generally, when a power (voltage) amplifier mounted on a drive circuit operates, a temperature rise is caused by its own heat generation. In a high output power (voltage) amplifier that operates at a high frequency, particularly several W or more, a temperature rise accompanying heat generation is particularly remarkable, and it is usually mounted on a heat sink for stable operation.
一方、レーザダイオード(LD:Laser Diode)や発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)に代表される光学素子は、一般的に、その動作特性が温度に依存する。特に、LD出力100mV以上かつ動作周波数1GHzを超えて動作する高速高出力LDは、温度依存性が大きく、安定動作のためには室温付近で動作させる必要がある。そのため、LDを実装する際には、LD自身の発熱も考慮した温度制御が不可欠である。例えば、下記特許文献1には、LDを搭載した光モジュールにおいて、基板に熱伝達率の高い窒化アルミニウムを用い、金属台座に銅タングステンを用いることで、半導体チップから金属台座に至る熱抵抗を低減し、素子の温度上昇を抑える技術が開示されている。
On the other hand, an optical element typified by a laser diode (LD) or a light emitting diode (LED) generally has an operating characteristic depending on temperature. In particular, a high-speed, high-power LD that operates at an LD output of 100 mV or more and exceeds an operating frequency of 1 GHz has a large temperature dependence and needs to be operated near room temperature for stable operation. Therefore, when mounting the LD, it is essential to control the temperature in consideration of the heat generation of the LD itself. For example, in
また、駆動回路とLD実装回路とを接続して電子モジュールを構成する際には、特に駆動回路からLD実装回路への熱伝達を考慮した上で、両者を配置しなければならない。従来、LDの動作速度が十分低速であったときには、駆動回路とLD実装回路との間の物理的距離を取ることで、駆動回路からLD実装回路への熱的影響を小さくすることができた。しかし、近年、LDの高速化、高出力化が進むにつれ、LDと駆動回路の増幅器とのインピーダンス整合を考慮するような場合には、駆動回路とLD実装回路とをより直近に配置する必要が生じている。 Further, when an electronic module is configured by connecting a drive circuit and an LD mounting circuit, both must be arranged in consideration of heat transfer from the drive circuit to the LD mounting circuit. Conventionally, when the operating speed of the LD is sufficiently low, the thermal influence on the LD mounting circuit from the driving circuit can be reduced by taking a physical distance between the driving circuit and the LD mounting circuit. . However, in recent years, as the speed and output of an LD have increased, it is necessary to dispose the drive circuit and the LD mounting circuit closer to each other when considering impedance matching between the LD and the amplifier of the drive circuit. Has occurred.
例えば、周波数1GHz以上かつ振幅が40Vを超えるような高速高出力LDの駆動においては、高出力電力(電圧)増幅器の発熱量は100Wを超え、駆動回路の温度は50℃以上になり得る。上述したように、LDは室温程度での駆動が望まれるため、LDは、駆動回路から十分に熱的に遮断されて、すなわち遠ざけて配置されることが求められる。しかし、その一方で、LDを高速駆動させる観点からは、駆動回路とLDとはできるだけ近づけて配置されることが望ましい。従って、駆動回路とLDとの間の熱を遮断することと、両者の距離を近くすることとはトレードオフの関係にあり、このことは、電子モジュールの更なる小型化を進める際には大きな問題となる。 For example, in driving a high-speed and high-power LD having a frequency of 1 GHz or more and an amplitude exceeding 40 V, the amount of heat generated by the high-output power (voltage) amplifier can exceed 100 W, and the temperature of the drive circuit can be 50 ° C. or more. As described above, since the LD is desired to be driven at about room temperature, the LD is required to be sufficiently thermally disconnected from the drive circuit, that is, disposed away from the drive circuit. However, on the other hand, from the viewpoint of driving the LD at high speed, it is desirable that the drive circuit and the LD be arranged as close as possible. Therefore, there is a trade-off between shutting off the heat between the drive circuit and the LD and reducing the distance between the two, which is a major factor in further downsizing of electronic modules. It becomes a problem.
図1A、及び図1Bに、そのような従来の電子モジュールの概略図を示す。図1Aは、従来の電子モジュールの概略構成を示す上面図であり、図1Bは、図1Aに対応する側面図である。ただし、図1Bにおいては、図1Aで示されている一部の素子やデバイスについては、図示を省略している。図1A、及び図1Bを参照すれば、従来の電子モジュール800は、第1の素子820、及び第2の素子830から構成される。
1A and 1B are schematic views of such a conventional electronic module. FIG. 1A is a top view showing a schematic configuration of a conventional electronic module, and FIG. 1B is a side view corresponding to FIG. 1A. However, in FIG. 1B, some elements and devices shown in FIG. 1A are not shown. Referring to FIGS. 1A and 1B, the conventional
第1の素子820は、第1のヒートシンク89、及び、実装基板87を介して第1のヒートシンク89上に搭載される駆動回路86を有する。更に、駆動回路86は、高出力電力(電圧)増幅器82を有する。インピーダンス整合のために、高出力電力(電圧)増幅器82の前段には入力側インピーダンス整合回路81が接続され、後段には出力側インピーダンス整合回路83が接続される。第1の素子820に搭載された高出力電力(電圧)増幅器82は、上述のように発熱が顕著であるため、以下の説明では、第1の素子820に例示される駆動回路を有する素子のことを発熱素子とも称する。
The
第2の素子830は、第2のヒートシンク90、及び第1の素子820と共通の実装基板87を介して第2のヒートシンク90上に搭載されるLD実装回路88を有する。LD実装回路88は高速高出力LD85を有する。第2の素子830に搭載された高速高出力LD85は、上述のように恒温での動作が求められるため、以下の説明では、第2の素子830に例示されるLD実装回路を有する素子のことを恒温動作素子とも称する。
The
このような従来の電子モジュール800においては、第1の素子820から第2の素子830への熱伝達経路として、2つの経路が考えられる。第1の熱伝達経路は、第1のヒートシンク89と第2のヒートシンク90との間の熱の放射(輻射)であり、第2の熱伝達経路は、実装基板87を介した熱の伝導である。
In such a conventional
従来の電子モジュール800においては、上記の熱伝達経路への対策として、以下の2つの対策が行われている。上記第1の熱伝達経路に対しては、熱の伝達を緩和するために、第1の素子820と第2の素子830とを、所定の間隔を有して互いに離隔して設置している。すなわち、第1のヒートシンク89と第2のヒートシンク90との間に、熱分離構造としての空隙Bを設けている。
In the conventional
また、上記第2の熱伝達経路に対しては、実装基板87の表面の信号線路(図示せず。)、すなわち金属線を、第1の素子820と第2の素子830との間で遮断している。そのため、第1の素子820から第2の素子830への、実装基板87の表面における金属線を介した熱の伝導が防止される。ここで、第1の素子820と第2の素子830とを電気的に接続するために、実装基板87上の空隙Bに対応する箇所には、カップリングキャパシタ84が搭載されている。
Further, for the second heat transfer path, a signal line (not shown) on the surface of the
しかし、図1A、及び図1Bに代表される従来の電子モジュールにおいては、発熱素子と恒温動作素子とが共通の実装基板を用いているため、当該実装基板を介した熱の伝達が十分に抑制できていないという問題があった。上述したように、実装基板の表面における金属線を介した熱の伝達は防止され得るが、基板そのもの、すなわち基板に用いられている誘電体及び金属薄膜を介した熱の伝達は起こり得る。電子モジュールの更なる小型化に伴い、このような基板そのものを介した熱伝達の影響を考慮する必要が生じている。また、電子モジュールの更なる小型化が進むにつれ、ヒートシンク間の空隙も小さくなるため、ヒートシンク間の熱放射による熱伝達の影響も無視できないものとなっている。 However, in the conventional electronic module represented by FIG. 1A and FIG. 1B, since the heating element and the constant temperature operation element use a common mounting board, the heat transfer through the mounting board is sufficiently suppressed. There was a problem that it was not done. As described above, heat transfer through the metal wire on the surface of the mounting substrate can be prevented, but heat transfer through the substrate itself, that is, the dielectric and metal thin film used in the substrate can occur. With the further miniaturization of electronic modules, it is necessary to consider the effect of heat transfer through such a substrate itself. Further, as the electronic module is further reduced in size, the gap between the heat sinks becomes smaller, so the influence of heat transfer due to heat radiation between the heat sinks cannot be ignored.
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、発熱素子と恒温動作素子との間の熱の伝達を更に抑制し、発熱素子と恒温動作素子とをより近接配置させることが可能な、新規かつ改良された電子モジュールを提供することにある。 Accordingly, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to further suppress the transfer of heat between the heating element and the constant temperature operation element, and the heating element and the constant temperature operation element. It is an object of the present invention to provide a new and improved electronic module that can be placed closer together.
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、増幅回路を有する第1の素子と、前記第1の素子によって駆動制御される第2の素子と、を備え、前記第1の素子は、第1のヒートシンクと、前記第1のヒートシンク上に搭載された第1の実装基板と、前記第1の実装基板上に搭載された第1の電気回路と、を有し、前記第2の素子は、第2のヒートシンクと、前記第2のヒートシンク上に搭載された第2の実装基板と、前記第2の実装基板上に搭載された第2の電気回路と、を有し、前記第1の素子と前記第2の素子とは、所定の間隔を有して互いに離隔して設置され、前記第1の素子と前記第2の素子との電気的接続は、少なくとも一つの受動素子によってなされることを特徴とする電子モジュールが提供される。 In order to solve the above-described problem, according to an aspect of the present invention, a first element having an amplifier circuit and a second element driven and controlled by the first element are provided, and the first element The element includes a first heat sink, a first mounting board mounted on the first heat sink, and a first electric circuit mounted on the first mounting board, The second element includes a second heat sink, a second mounting board mounted on the second heat sink, and a second electric circuit mounted on the second mounting board; The first element and the second element are spaced apart from each other with a predetermined distance, and at least one passive connection is established between the first element and the second element. An electronic module is provided that is characterized by being made by an element.
また、前記受動素子は、キャパシタであってもよい。 The passive element may be a capacitor.
また、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの互いに対向する面内の少なくとも一部の領域における前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクとの間隔は、前記所定の間隔よりも大きな間隔を有してもよい。 In addition, an interval between the first heat sink and the second heat sink in at least a part of a region of the first heat sink and the second heat sink facing each other is larger than the predetermined interval. You may have.
また、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの互いに対向する面の少なくとも一部の領域には、赤外線反射層が形成されてもよい。 In addition, an infrared reflective layer may be formed in at least a partial region of the surfaces of the first heat sink and the second heat sink facing each other.
また、前記赤外線反射層は、金で形成されてもよい。 The infrared reflective layer may be made of gold.
また、前記第1の素子は、前記受動素子の周囲に、前記第1の実装基板と前記第1のヒートシンクとを貫通する、少なくとも一つの第1の固定ピンを有し、前記第2の素子は、前記受動素子の周囲に、前記第2の実装基板と前記第2のヒートシンクとを貫通する、少なくとも一つの第2の固定ピンを有してもよい。 The first element has at least one first fixing pin that penetrates the first mounting substrate and the first heat sink around the passive element, and the second element. May have at least one second fixing pin that penetrates the second mounting substrate and the second heat sink around the passive element.
また、前記第1の実装基板と前記第2の実装基板とは、互いに連結されており、前記連結された基板は、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクとの間の空隙に対応する部位に少なくとも一つの開口部を有してもよい。 Further, the first mounting board and the second mounting board are connected to each other, and the connected board corresponds to a gap between the first heat sink and the second heat sink. You may have at least 1 opening part in a site | part.
また、前記第1の実装基板と前記第2の実装基板とは、断熱材によって連結されてもよい。 The first mounting board and the second mounting board may be connected by a heat insulating material.
以上説明したように本発明によれば、発熱素子と恒温動作素子との間の熱の伝達を更に抑制することにより、発熱素子と恒温動作素子とをより近接配置させることが可能となる。 As described above, according to the present invention, it is possible to dispose the heating element and the constant temperature operation element closer by further suppressing the transfer of heat between the heating element and the constant temperature operation element.
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Exemplary embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, in this specification and drawing, about the component which has the substantially same function structure, duplication description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.
<1.第1の実施形態>
まず、図2A、及び図2Bを参照して、本発明の第1の実施形態に係る電子モジュールの概略構成について説明する。図2Aは、第1の実施形態に係る電子モジュールの概略構成を示す上面図であり、図2Bは、図2Aに対応する側面図である。ただし、図2Bにおいては、図2Aで示されている一部の素子やデバイスについては、図示を省略している。図2A、及び図2Bを参照すれば、第1の実施形態に係る電子モジュール100は、第1の素子200、及び第2の素子300から構成される。
<1. First Embodiment>
First, the schematic configuration of the electronic module according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A and 2B. FIG. 2A is a top view illustrating a schematic configuration of the electronic module according to the first embodiment, and FIG. 2B is a side view corresponding to FIG. 2A. However, in FIG. 2B, illustration of some elements and devices shown in FIG. 2A is omitted. 2A and 2B, the
第1の素子200は、第1のヒートシンク9、及び、第1の実装基板20を介して第1のヒートシンク9上に搭載される第1の電気回路(以下、駆動回路6と称する。)を有する。第1のヒートシンク9は、放熱器の役割を果たし、駆動回路6によって生じた熱を放散し、駆動回路6の温度を低下させる。第1のヒートシンク9は、例えば、高い熱伝達率を有する銅やアルミニウムによって形成される。また、第1のヒートシンク9は、更に大型の別個のヒートシンクに接続されたり、空冷用のファンやペルチェ素子等の冷却機構を有したりしてもよい。第1のヒートシンク9は、更に別の構造体上に固定され得る。ここで、以下の説明では、ヒートシンク、ヒートスプレッダ、及び同等の機能を有する構造を、全てヒートシンクと称する。
The first element 200 includes a
駆動回路6は、高出力電力(電圧)増幅器2を有する。高出力電力(電圧)増幅器2は、通常、入出力インピーダンスが数Ωと小さいため、その前段には入力側インピーダンス整合回路1が接続され、後段には出力側インピーダンス整合回路3が接続される。また、インピーダンス整合回路は、高速高出力LD5の駆動方法に応じて、アッテネータ(減衰器)を含んでもよい。ここで、図2Aは、駆動回路6の概略構成を示しているに過ぎず、駆動回路6は、図2Aには図示されない各種素子を搭載していてもよい。また、第1の素子200に搭載された高出力電力(電圧)増幅器2は、上述のように発熱が顕著であるため、以下の説明では、第1の素子200に例示される駆動回路を有する素子のことを発熱素子とも称する。
The
第2の素子300は、第2のヒートシンク10、及び第2の実装基板30を介して第2のヒートシンク10上に搭載される第2の電気回路(以下、LD実装回路8と称する。)を有する。第2のヒートシンク10の機能及び構成は、第1のヒートシンク9と同様であるため、詳しい説明は割愛する。
The second element 300 is a second electric circuit (hereinafter referred to as an LD mounting circuit 8) mounted on the
LD実装回路8は高速高出力LD5を有する。高速高出力LD5は、第1の素子200からの出力によって駆動される。ここで、図2Aは、LD実装回路8の概略構成を示しているに過ぎず、LD実装回路8は、図2Aには図示されない各種素子を搭載していてもよい。また、第2の素子300に搭載された高速高出力LD5は、上述のように恒温での動作が求められるため、以下の説明では、第2の素子300に例示されるLD実装回路を有する素子のことを恒温動作素子とも称する。
The
第1の素子200と第2の素子300とは、熱の伝達を緩和するために、所定の間隔を有して互いに離隔して設置される。すなわち、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との間には、熱分離構造としての空隙Aが設けられている。
The first element 200 and the second element 300 are spaced apart from each other with a predetermined interval in order to alleviate heat transfer. That is, a gap A as a heat separation structure is provided between the
ここで、第1のヒートシンク9及び第2のヒートシンク10の対向面それぞれの少なくとも一部領域には、赤外線反射層13が形成されてもよい。赤外線反射層13は、赤外線を反射する効果を有する、顔料、ガラス、金属等で形成され得る。例えば、金属を用いる場合、当該対向面に、蒸着法やメッキ法等を用いて金の膜を形成してもよい。
Here, the infrared
更に、第1の素子200の第1の実装基板20と第2の素子300の第2の実装基板30との間の、空隙Aに対応する箇所には、カップリングキャパシタ4が搭載され、第1の素子200と第2の素子300とを電気的に接続する。すなわち、空隙Aは、カップリングキャパシタ4の大きさに合わせて設けられてもよい。ここで、カップリングキャパシタ4としては、例えばセラミックキャパシタを用いることができる。第1の素子200から第2の素子300への熱の伝達は、カップリングキャパシタ4を介しても行われるが、セラミックは、通常金属配線として用いられる銅に比べて熱伝導率が低いため、熱的な遮断効果が期待できる。ここで、カップリングキャパシタ4は、セラミックキャパシタでなくてもよく、例えばアルミニウム電解キャパシタ等、他の材質を用いたキャパシタであってもよい。また、カップリングキャパシタ4は、チップキャパシタ以外であってもよく、例えばアキシャル型等他の形状のキャパシタであってもよい。更に、第1の素子200と第2の素子300との電気的な接続は、キャパシタを介したものに限定されず、他の受動素子によってなされてもよい。
Further, the
入力側インピーダンス整合回路1には、入力電圧端子RFin及び入力電圧を制御するための制御電圧が印加される制御電圧端子Vggが設けられている。ここで、入力電圧端子RFinには、例えば高周波信号が入力されてもよい。また、制御電圧端子Vggには、例えばゲート電圧が印加されてもよい。駆動回路6に入力された入力電圧は、高出力電力(電圧)増幅器2により、駆動する高速高出力LD5に対応するように適宜増幅され、LD実装回路8に出力される。カップリングキャパシタ4の両端には、電源電圧端子Vdd及びバイアス電圧端子Biasが設けられており、当該端子に適宜電圧を印加することで、高速高出力LD5への入力電流(電圧)が制御される。ここで、電源電圧端子Vddには、例えばドレイン電圧が印加されてもよい。また、バイアス電圧端子Biasには、例えばLD印加電圧(電流)が入力されてもよい。ここで、高速高出力LD5を駆動するための回路構成は、かかる例に限定されず、例えば素子の数や構成、及び端子の配置等は、回路設計時に適宜変更され得る。
The input side
以上説明してきたように、本発明の第1の実施形態に係る電子モジュール100では、従来の電子モジュールと異なり、第1の素子200と第2の素子300とで実装基板が分割され、例えばセラミックキャパシタによってのみ両者が電気的、物理的に接続される。これにより、第1の素子200から第2の素子300への基板を介した熱の伝達経路をなくすことができ、高い熱遮断効果が期待できる。また、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との対向面のそれぞれに、赤外線反射層13が形成され得る。これにより、第1の素子200から第2の素子300へのヒートシンク間の熱の放射による熱伝達を抑制することができる。以上の効果により、発熱素子と恒温動作素子とをより近づけて配置することが可能となる。ここで、本発明の第1の実施形態に係る電子モジュール100は、例えば、略80mm×略50mm程度の大きさを有してもよく、その場合、空隙Aは略1mm程度であってもよい。
As described above, in the
<2.第2の実施形態>
次に、図3A、及び図3Bを参照して、本発明の第2の実施形態に係る電子モジュールの概略構成について説明する。図3Aは、第2の実施形態に係る電子モジュールの概略構成を示す上面図であり、図3Bは、図3Aに対応する側面図である。ただし、図3Bにおいては、図3Aで示されている一部の素子やデバイスについては、図示を省略している。以下、主に第1の実施形態との相違点について説明し、同一部分については詳細な説明は省略する。
<2. Second Embodiment>
Next, a schematic configuration of the electronic module according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. FIG. 3A is a top view showing a schematic configuration of the electronic module according to the second embodiment, and FIG. 3B is a side view corresponding to FIG. 3A. However, in FIG. 3B, illustration of some elements and devices shown in FIG. 3A is omitted. Hereinafter, differences from the first embodiment will be mainly described, and detailed description of the same parts will be omitted.
図3A、及び図3Bを参照すれば、本発明の第2の実施形態に係る電子モジュール100は、第1の実施形態に係る電子モジュールと比較して、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との互いに対向する面内の一部領域が凹部を有する点で相違する。当該凹部を有することにより、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との当該一部領域における距離が、第1の実施形態における空隙Aの間隔、すなわちカップリングキャパシタ4で規定され得る間隔よりも広くなる。従って、第1の素子200から第2の素子300へのヒートシンク間での放射による熱の伝達を抑制することができ、更なる熱遮断効果が期待できる。
3A and 3B, the
また、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との互いに対向する面の凹部の形状は、図3Bに示すような略半円形状に限定されず、多角形や矩形であってもよい。また、図3Bでは、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との互いに対向する面の全面に渡って凹部が形成されているが、当該対向面それぞれの少なくとも一部の領域に凹部が形成されてもよい。
In addition, the shape of the concave portions of the surfaces of the
また、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との互いに対向する面の形状は凹部に限定されず、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との間の距離が広くなる形状であれば、同様の熱遮断効果を期待することができる。そのような構成例を図4A、図4B、図4C、及び図4Dに示す。図4A〜図4Cは、第2の実施形態に係る電子モジュール100の別の構成例を示す上面図であり、図4Dは、第2の実施形態に係る電子モジュール100の別の構成例を示す側面図である。なお、図4A〜図4Dにおいては、第1のヒートシンク9、第2のヒートシンク10、及びカップリングキャパシタ4以外の構成要素は、簡略化のために図示していない。
Moreover, the shape of the mutually opposing surfaces of the
図4A〜図4Cを参照すれば、第2の実施形態に係る電子モジュール100は、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との対向面の形状だけでなく、ヒートシンク自体の形状を変更して、両者の距離を広くしてもよい。また、図4Dを参照すれば、第2の実施形態に係る電子モジュール100は、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との対向面が、実装基板から遠ざかるにつれて徐々に互いの距離が広くなるような傾斜構造を有していてもよい。ここで、第1のヒートシンク9及び第2のヒートシンク10の形状は、図3、及び図4A〜Dに示した形状に限定されず、両者の距離が広くなる構造であれば、他の構造であっても構わない。また、第1のヒートシンク9及び第2のヒートシンク10の形状については、図3Bに示した凹部構造、図4A〜Dに示した構造、及び、両者の距離が広くなるような考え得る限りの他の構造を、可能な範囲で互いに組み合わせて適用することが可能である。
Referring to FIGS. 4A to 4C, the
以上説明してきたように、本発明の第2の実施形態に係る電子モジュール100は、第1の実施形態で説明した構造に加えて、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との距離をより広くする構造を更に有する。これにより、基板を介した熱の伝導による熱伝達、及びヒートシンク間における熱の放射による熱伝達の両方を抑制することができる。従って、発熱素子から恒温動作素子への熱の伝達を効果的に抑制することができ、発熱素子と恒温動作素子とをより近づけて配置することが可能となる。
As described above, the
<3.第3の実施形態>
次に、図5A、及び図5Bを参照して、本発明の第3の実施形態に係る電子モジュールの概略構成について説明する。図5Aは、第3の実施形態に係る電子モジュールの概略構成を示す上面図であり、図5Bは、図5Aに対応する側面図である。ただし、図5Bにおいては、図5Aで示されている一部の素子やデバイスについては、図示を省略している。以下、主に第2の実施形態との相違点について説明し、同一部分については詳細な説明は省略する。
<3. Third Embodiment>
Next, a schematic configuration of an electronic module according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A and 5B. FIG. 5A is a top view illustrating a schematic configuration of the electronic module according to the third embodiment, and FIG. 5B is a side view corresponding to FIG. 5A. However, in FIG. 5B, some elements and devices shown in FIG. 5A are not shown. Hereinafter, differences from the second embodiment will be mainly described, and detailed description of the same parts will be omitted.
図5A、及び図5Bを参照すれば、本発明の第3の実施形態に係る電子モジュール100は、第2の実施形態に係る電子モジュールと比較して、第1の素子200及び第2の素子300のカップリングキャパシタ4の周囲に、少なくともそれぞれ1つ以上の固定ピン11を有する点で相違する。固定ピン11は、例えば、インバー等の鉄−ニッケル合金で形成されてもよい。
5A and 5B, the
第1の素子に設けられる固定ピン11は、第1の実装基板20及び第1のヒートシンク9を貫通するように形成される。また、第2の素子に設けられる固定ピン11は、第2の実装基板30及び第2のヒートシンク10を貫通するように形成される。ここで、固定ピン11は、第1の素子200及び第2の素子300のそれぞれに、複数設置されてもよい。また、固定ピン11は、それぞれ、第1のヒートシンク9及び第2のヒートシンク10の下部構造体にまで達するように形成されてもよい。
The fixing
上述したように、第1のヒートシンク9及び第2のヒートシンク10は、例えば、熱伝導率の高い銅やアルミニウムによって形成される。銅やアルミニウムは熱膨張率が大きいため、温度変化による熱膨張や熱収縮が顕著である。従って、電子モジュールの動作時、カップリングキャパシタ4には、ヒートシンクの熱膨張及び熱収縮に起因する物理的なストレスが加えられる。この物理的ストレスは、温度変化の少ない一定条件下での使用時には問題とならないが、温度変化が大きい場合、第1の素子200と第2の素子300との接続の観点から、信頼性上問題となる可能性がある。
As described above, the
これに対して、本発明の第3の実施形態に係る電子モジュール100では、カップリングキャパシタ4の周囲に、実装基板とヒートシンクとを貫通する固定ピン11が設けられる。当該固定ピン11を設けることにより、カップリングキャパシタ4に加えられる、ヒートシンクの熱膨張及び熱収縮に起因する物理的ストレスを緩和させることができる。従って、基板を介した熱の伝導による熱伝達、及びヒートシンク間における熱の放射による熱伝達の両方を抑制する効果を保ちつつ、すなわち、発熱素子と恒温動作素子との更なる近接配置を実現しつつ、カップリングキャパシタ4における接続の信頼性を向上させることができる。
In contrast, in the
ここで、以上の説明では、第2の実施形態に対して固定ピン11を更に設けた実施形態を説明してきたが、本発明の第3の実施形態に係る電子モジュールはこの例に限定されない。例えば、本発明の第3の実施形態は、第1の実施形態に対して固定ピン11を更に設けた実施形態であってもよい。
Here, in the above description, the embodiment in which the fixing
<4.第4の実施形態>
次に、図6A、及び図6Bを参照して、本発明の第4の実施形態に係る電子モジュールの概略構成について説明する。図6Aは、第4の実施形態に係る電子モジュールの概略構成を示す上面図であり、図6Bは、図6Aに対応する側面図である。ただし、図6Bにおいては、図6Aで示されている一部の素子やデバイスについては、図示を省略している。以下、主に第2の実施形態との相違点について説明し、同一部分については詳細な説明は省略する。
<4. Fourth Embodiment>
Next, a schematic configuration of an electronic module according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6A and 6B. FIG. 6A is a top view showing a schematic configuration of an electronic module according to the fourth embodiment, and FIG. 6B is a side view corresponding to FIG. 6A. However, in FIG. 6B, the illustration of some elements and devices shown in FIG. 6A is omitted. Hereinafter, differences from the second embodiment will be mainly described, and detailed description of the same parts will be omitted.
図6A、及び図6Bを参照すれば、本発明の第4の実施形態に係る電子モジュール100は、第2の実施形態に係る電子モジュールと比較して、第1の実装基板20と第2の実装基板30とが互いに連結されており、当該連結された実装基板(実装基板7)の、空隙Aに対応する部分に、少なくとも1つ以上の開口部12が設けられている点で相違する。
Referring to FIGS. 6A and 6B, the
当該構造を取ることにより、第1の素子200と第2の素子300との物理的な接続が、カップリングキャパシタ4だけではなく、実装基板の連結部における開口部12以外の領域によってもなされるので、ヒートシンクの熱膨張及び熱収縮に起因する物理的ストレスによるカップリングキャパシタ4への負荷を低減することができる。
By adopting this structure, the physical connection between the first element 200 and the second element 300 is made not only by the
本発明の第4の実施形態においては、第1の素子200と第2の素子300とが実装基板によっても接続されるので、実装基板を介した熱の伝達が生じ得る。しかし、当該実装基板は開口部12を有するため、従来の電子モジュールと比べて、第1の素子200と第2の素子300との物理的接続に寄与する実装基板の面積が小さい。従って、本発明の第4の実施形態に係る電子モジュールは、従来の電子モジュールと比べて、基板を介した熱の伝達を抑制することができ、発熱素子と恒温動作素子とをより近づけて配置することが可能となる。
In the fourth embodiment of the present invention, since the first element 200 and the second element 300 are also connected by the mounting substrate, heat can be transmitted through the mounting substrate. However, since the mounting substrate has the
ここで、第1の実装基板20と第2の実装基板30との連結は、断熱材によってなされてもよい。断熱材を用いることで、第1の素子200から第2の素子300への、実装基板の開口部12以外の領域を介した熱の伝達が、更に抑制される効果が期待できる。
Here, the connection between the first mounting
以上説明してきたように、本発明の第4の実施形態に係る電子モジュール100では、第2の実施形態で説明した構造に加えて、第1の実装基板20と第2の実装基板30とが互いに連結されており、当該連結された実装基板の、空隙Aに対応する部分に、少なくとも1つ以上の開口部12が設けられる。当該構造を有することにより、カップリングキャパシタ4に加えられる物理的ストレスを緩和することができる。従って、基板を介した熱の伝導による熱伝達、及びヒートシンク間における熱の放射による熱伝達の両方を抑制する効果を保ちつつ、すなわち、発熱素子と恒温動作素子との更なる近接配置を実現しつつ、発熱素子と恒温動作素子との接続の信頼性を向上させることができる。
As described above, in the
ここで、以上の説明では、第2の実施形態に対して第1の実装基板20及び第2の実装基板30を連結して開口部12を設ける実施形態を説明してきたが、本発明の第4の実施形態に係る電子モジュールはこの例に限定されない。例えば、本発明の第4の実施形態は、上述した第1の実施形態、又は第3の実施形態に対して、第1の実装基板20及び第2の実装基板30を連結した実施形態であってもよい。
Here, in the above description, the embodiment in which the
以上説明してきたように、本発明に係る電子モジュールでは、発熱素子及び恒温動作素子の実装基板が分離される、又は両者の基板を介した物理的接続面積が従来構造よりも小さくされる。従って、発熱素子から恒温動作素子への基板を介した熱伝導による熱の伝達が抑制される。 As described above, in the electronic module according to the present invention, the mounting substrate for the heating element and the constant temperature operation element is separated, or the physical connection area through the both substrates is made smaller than that of the conventional structure. Therefore, the transfer of heat by heat conduction through the substrate from the heating element to the constant temperature operation element is suppressed.
また、本発明に係る電子モジュールでは、発熱素子及び恒温動作素子のヒートシンク対向面の少なくとも一部領域の間の距離が従来構造よりも広くされる。また、当該対向面の少なくとも一部領域に赤外線反射層が設けられる。従って、発熱素子から恒温動作素子へのヒートシンク間の熱の放射による熱の伝達が抑制される。 In the electronic module according to the present invention, the distance between at least a part of the heat sink facing surfaces of the heat generating element and the constant temperature operation element is made wider than that of the conventional structure. In addition, an infrared reflective layer is provided in at least a partial region of the facing surface. Therefore, heat transfer due to heat radiation between the heat sinks from the heating element to the constant temperature operation element is suppressed.
上記の構造を有することにより、発熱素子及び恒温動作素子をより近接に配置することが可能になる。また、上述したように、LDは発振周波数の温度依存性が大きく、特に高温域での特性劣化が顕著であるため、LDの安定動作、及び寿命向上が期待できる。 By having the above structure, the heating element and the constant temperature operation element can be arranged closer to each other. Further, as described above, since the LD has a large temperature dependency of the oscillation frequency, and characteristic deterioration particularly in a high temperature region is remarkable, stable operation of the LD and improvement of the life can be expected.
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can come up with various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. Of course, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention.
例えば、上記第1〜第4の実施形態では、発熱素子、及び恒温動作素子として、高出力電力(電圧)増幅器、及び高速高出力LDを有する場合を説明したが、本発明はかかる例に限定されない。例えば、アクティブ素子が搭載された電気回路を有する発熱素子と、大きな温度特性を有する光学素子が搭載された恒温動作素子とが近接して設置された、光集積ICにも適用され得る。 For example, in the first to fourth embodiments, the case where the heating element and the constant temperature operation element include a high output power (voltage) amplifier and a high speed and high output LD has been described. However, the present invention is limited to such an example. Not. For example, the present invention can also be applied to an optical integrated IC in which a heat generating element having an electric circuit on which an active element is mounted and a constant temperature operation element on which an optical element having a large temperature characteristic is installed are installed in close proximity.
また、上記第1〜第4の実施形態では、電子モジュールについて説明してきたが、本発明は、素子、ICレベルの構造にも適用され得る。 In the first to fourth embodiments, the electronic module has been described. However, the present invention can be applied to an element and IC level structure.
また、上記第1〜第4の実施形態では、ギガヘルツ帯以上で使用される高速動作モジュールについて説明してきたが、本発明は、全周波数帯域について適用され得る。 In the first to fourth embodiments, the high-speed operation module used in the gigahertz band or higher has been described. However, the present invention can be applied to the entire frequency band.
また、上記第4の実施形態では、図6Aにおいて開口部12は円形を有しているが、開口部12は楕円形や多角形等、任意の形状を有してもよい。
Moreover, in the said 4th Embodiment, although the
また、上記第1〜第4の実施形態に記載した事項のそれぞれは、互いに可能な範囲で組み合わせて実施することが可能である。例えば、第1の実施形態に記載した、第1のヒートシンク9と第2のヒートシンク10との対向面の少なくとも一部の領域に赤外線反射層を設ける構造を、第2〜第4の実施形態に適用してもよい。
Moreover, each of the items described in the first to fourth embodiments can be implemented in combination within a possible range. For example, the structure described in the first embodiment in which an infrared reflecting layer is provided in at least a partial region of the facing surface of the
100 電子モジュール
200 第1の素子
300 第2の素子
20 第1の実装基板
30 第2の実装基板
1 入力側インピーダンス整合回路
2 高出力電力(電圧)増幅器
3 出力側インピーダンス整合回路
4 カップリングキャパシタ
5 高速高出力レーザダイオード(LD)
6 駆動回路
7 実装基板
8 LD実装回路
9 第1のヒートシンク
10 第2のヒートシンク
11 固定ピン
12 開口部
13 赤外線反射層
DESCRIPTION OF
6 Driving
Claims (13)
前記第1の素子によって駆動制御される第2の素子と、
を備え、
前記第1の素子は、第1のヒートシンクと、前記第1のヒートシンク上に搭載された第1の実装基板と、前記第1の実装基板上に搭載された第1の電気回路と、を有し、
前記第2の素子は、第2のヒートシンクと、前記第2のヒートシンク上に搭載された第2の実装基板と、前記第2の実装基板上に搭載された第2の電気回路と、を有し、
前記第1の素子と前記第2の素子とは、所定の間隔を有して互いに離隔して設置され、
前記第1の素子と前記第2の素子との電気的接続は、少なくとも一つのキャパシタによってなされ、
前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクの互いに対向する面の少なくとも一部領域には、赤外線反射層が形成される
ことを特徴とする電子モジュール。 A first element having an amplifier circuit;
A second element driven and controlled by the first element;
With
The first element includes a first heat sink, a first mounting board mounted on the first heat sink, and a first electric circuit mounted on the first mounting board. And
The second element has a second heat sink, a second mounting board mounted on the second heat sink, and a second electric circuit mounted on the second mounting board. And
The first element and the second element are spaced apart from each other with a predetermined interval,
The electrical connection between the first element and the second element is made by at least one capacitor ,
An electronic module , wherein an infrared reflecting layer is formed in at least a partial region of the mutually opposing surfaces of the first heat sink and the second heat sink .
ことを特徴とする、請求項1に記載の電子モジュール。 An interval between the first heat sink and the second heat sink in at least a part of a region of the first heat sink and the second heat sink facing each other is larger than the predetermined interval. The electronic module according to claim 1, wherein:
ことを特徴とする、請求項1又は2に記載の電子モジュール。 The infrared reflective layer, characterized in that it is composed of gold, an electronic module according to claim 1 or 2.
前記第2の素子は、前記キャパシタの周囲に、前記第2の実装基板と前記第2のヒートシンクとを貫通する、少なくとも一つの第2の固定ピンを有する
ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子モジュール。 The first element has at least one first fixing pin passing through the first mounting substrate and the first heat sink around the capacitor.
The second element has at least one second fixing pin that penetrates the second mounting substrate and the second heat sink around the capacitor. 3 electronic module according to any one of.
前記連結された基板は、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクとの間の空隙に対応する部位に少なくとも一つの開口部を有する
ことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子モジュール。 The first mounting board and the second mounting board are connected to each other,
The said connected board | substrate has at least 1 opening part in the site | part corresponding to the space | gap between a said 1st heat sink and a said 2nd heat sink, The any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The electronic module according to item.
ことを特徴とする、請求項5に記載の電子モジュール。 The electronic module according to claim 5 , wherein the first mounting board and the second mounting board are connected by a heat insulating material.
前記第1の素子によって駆動制御される第2の素子と、A second element driven and controlled by the first element;
を備え、With
前記第1の素子は、第1のヒートシンクと、前記第1のヒートシンク上に搭載された第1の実装基板と、前記第1の実装基板上に搭載された第1の電気回路と、を有し、The first element includes a first heat sink, a first mounting board mounted on the first heat sink, and a first electric circuit mounted on the first mounting board. And
前記第2の素子は、第2のヒートシンクと、前記第2のヒートシンク上に搭載された第2の実装基板と、前記第2の実装基板上に搭載された第2の電気回路と、を有し、The second element has a second heat sink, a second mounting board mounted on the second heat sink, and a second electric circuit mounted on the second mounting board. And
前記第1の素子と前記第2の素子とは、所定の間隔を有して互いに離隔して設置され、The first element and the second element are spaced apart from each other with a predetermined interval,
前記第1の素子と前記第2の素子との電気的接続は、少なくとも一つのキャパシタによってなされ、The electrical connection between the first element and the second element is made by at least one capacitor,
前記第1の素子は、前記キャパシタの周囲に、前記第1の実装基板と前記第1のヒートシンクとを貫通する、少なくとも一つの第1の固定ピンを有し、The first element has at least one first fixing pin passing through the first mounting substrate and the first heat sink around the capacitor.
前記第2の素子は、前記キャパシタの周囲に、前記第2の実装基板と前記第2のヒートシンクとを貫通する、少なくとも一つの第2の固定ピンを有するThe second element has at least one second fixing pin that penetrates the second mounting substrate and the second heat sink around the capacitor.
ことを特徴とする電子モジュール。An electronic module characterized by that.
ことを特徴とする、請求項7に記載の電子モジュール。The electronic module according to claim 7, wherein:
前記連結された基板は、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクとの間の空隙に対応する部位に少なくとも一つの開口部を有するThe connected substrate has at least one opening at a portion corresponding to a gap between the first heat sink and the second heat sink.
ことを特徴とする、請求項7又は8に記載の電子モジュール。The electronic module according to claim 7 or 8, characterized in that.
ことを特徴とする、請求項9に記載の電子モジュール。The electronic module according to claim 9, wherein:
前記第1の素子によって駆動制御される第2の素子と、A second element driven and controlled by the first element;
を備え、With
前記第1の素子は、第1のヒートシンクと、前記第1のヒートシンク上に搭載された第1の実装基板と、前記第1の実装基板上に搭載された第1の電気回路と、を有し、The first element includes a first heat sink, a first mounting board mounted on the first heat sink, and a first electric circuit mounted on the first mounting board. And
前記第2の素子は、第2のヒートシンクと、前記第2のヒートシンク上に搭載された第2の実装基板と、前記第2の実装基板上に搭載された第2の電気回路と、を有し、The second element has a second heat sink, a second mounting board mounted on the second heat sink, and a second electric circuit mounted on the second mounting board. And
前記第1の素子と前記第2の素子とは、所定の間隔を有して互いに離隔して設置され、The first element and the second element are spaced apart from each other with a predetermined interval,
前記第1の素子と前記第2の素子との電気的接続は、少なくとも一つのキャパシタによってなされ、The electrical connection between the first element and the second element is made by at least one capacitor,
前記第1の実装基板と前記第2の実装基板とは、互いに連結されており、The first mounting board and the second mounting board are connected to each other,
前記連結された基板は、前記第1のヒートシンクと前記第2のヒートシンクとの間の空隙に対応する部位に少なくとも一つの開口部を有するThe connected substrate has at least one opening at a portion corresponding to a gap between the first heat sink and the second heat sink.
ことを特徴とする電子モジュール。An electronic module characterized by that.
ことを特徴とする、請求項11に記載の電子モジュール。The electronic module according to claim 11, wherein:
ことを特徴とする、請求項11又は12に記載の電子モジュール。The electronic module according to claim 11 or 12, characterized by the above.
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