JP5914968B2 - Power module substrate with heat sink and manufacturing method thereof - Google Patents
Power module substrate with heat sink and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP5914968B2 JP5914968B2 JP2011003644A JP2011003644A JP5914968B2 JP 5914968 B2 JP5914968 B2 JP 5914968B2 JP 2011003644 A JP2011003644 A JP 2011003644A JP 2011003644 A JP2011003644 A JP 2011003644A JP 5914968 B2 JP5914968 B2 JP 5914968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal member
- heat sink
- power module
- substrate
- fin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明は、大電流、高電圧を制御する半導体装置に用いられるヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法に関する。 The present invention, high-current, relates Ruhi sink with a power module substrate and a manufacturing method thereof used in a semiconductor device for controlling the high voltage.
従来のパワーモジュールとして、セラミックス基板の一方の面に、回路層となるアルミニウム金属層が積層され、この回路層の上に半導体チップ等の電子部品がはんだ付けされるとともに、セラミックス基板の他方の面に放熱層となるアルミニウム金属層が形成され、この金属層にヒートシンクが接合された構成のものが知られている。 As a conventional power module, an aluminum metal layer as a circuit layer is laminated on one surface of a ceramic substrate, and an electronic component such as a semiconductor chip is soldered on the circuit layer, and the other surface of the ceramic substrate. There is known a structure in which an aluminum metal layer serving as a heat dissipation layer is formed and a heat sink is joined to the metal layer.
この種のパワーモジュールとしては、例えば、特許文献1記載のパワーモジュールが知られている。特許文献1記載のパワーモジュールにおいては、セラミックス基板に接合されるヒートシンクとして、金属部材に櫛歯状の放熱フィンが形成されている。このような放熱フィンは、例えば、アルミニウム合金の鍛造、鋳造、押出成形等により形成されており、金属部材の全面に、複数の放熱フィンが均一に立設されている。
しかしながら、ヒートシンクを押出成形等によって製造する場合は、大掛かりな装置が必要であり、また、金属部材と放熱フィンとを同一材料で形成しなくてはならない等、設計の自由度が小さい。
As this type of power module, for example, a power module described in
However, when the heat sink is manufactured by extrusion molding or the like, a large-scale apparatus is required, and the degree of freedom in design is small, for example, the metal member and the heat radiation fin must be formed of the same material.
そこで、特許文献2及び特許文献3には、金属部材の表面に棒状又は板状の放熱フィンをかしめたヒートシンクが提案されており、このようなヒートシンクを用いたパワーモジュールが知られている。
この場合、金属部材に設けた凹部に放熱フィンの端部をかしめて一体化したヒートシンクを形成するので、安価に形成できる。また、金属部材の任意の箇所に放熱フィンを立設することができる、金属部材と放熱フィンとを異種金属によって形成できる等、設計の自由度も高い。
また、特許文献4には、扁平コイルフィン部材を伝熱基板の嵌合溝にろう付けするヒートシンクが知られている。
Therefore,
In this case, the heat sink integrated by caulking the end portions of the radiating fins in the recesses provided in the metal member is formed, so that it can be formed at low cost. Moreover, the heat radiation fin can be erected at an arbitrary position of the metal member, and the metal member and the heat radiation fin can be formed of different metals.
Patent Document 4 discloses a heat sink that brazes a flat coil fin member to a fitting groove of a heat transfer substrate.
しかしながら、特許文献2及び特許文献3記載のヒートシンクにおいては、金属部材に形成した凹部に放熱フィンの端部をかしめて機械的に固定しているので、かしめ部分の密着性が悪く、熱抵抗が大きくなって、冷却性能が低くなり易い。また、かしめ部分の隙間に腐食が生じた場合には、金属部材に孔が開いて冷却液がヒートシンクから漏れ出る等の問題がある。また、特許文献4記載のヒートシンクにおいては、伝熱基板と扁平コイルフィン部材間でのフィレット部が、さらなる熱抵抗の低減化という点で課題があった。
However, in the heat sinks described in
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、設計自由度が高く、簡単に製造できるとともに、冷却性能を向上させることができるヒートシンクを用いたヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法を提供する。 The present invention has been made in view of such circumstances, has a high degree of design freedom, can be easily manufactured, and has a heat module with a heat sink that uses a heat sink that can improve cooling performance, and its A manufacturing method is provided.
本発明は、ヒートシンクと、セラミックス基板を有するパワーモジュール用基板とが接合されてなるヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記ヒートシンクは、金属部材に複数の凹部が形成されるとともに、その凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部が前記凹部を囲むように形成され、前記凹部に一部嵌合したフィン材がろう付けされてなり、前記金属部材と前記フィン材との間のフィレット部が、前記隆起部を含んで形成されてなり、前記金属部材の前記フィン材とは反対側の面が前記パワーモジュール用基板に接合されていることを特徴とする。 The present invention includes a heat sink, a substrate for a power module with a heat sink to the power module substrate is joined with a ceramic substrate, the heat sink, together with the recess of the multiple is formed on the metal member, the recess A raised portion formed by raising the surface of the metal member is formed so as to surround the concave portion, and a fin material partially fitted in the concave portion is brazed, and the metal member and the fin material A fillet portion between the metal member and the fin member is formed so as to include the raised portion, and a surface of the metal member opposite to the fin material is bonded to the power module substrate.
これにより、金属部材とフィン材とがろう材によって隙間なく接合されるとともに、金属部材とフィン材との間のフィレット部が、金属部材の隆起部により接合部を長く形成することができるので、金属部材とフィン材との間の熱抵抗を小さくして、ヒートシンクの冷却効率を向上させることができる。 As a result, the metal member and the fin material are joined without a gap by the brazing material, and the fillet portion between the metal member and the fin material can be formed long by the raised portion of the metal member. The thermal resistance between the metal member and the fin material can be reduced, and the cooling efficiency of the heat sink can be improved.
また、本発明において、前記フィン材は、その表面の少なくとも一部が、前記金属部材よりも腐食電位の低い材料で形成されているとよい。
フィン材の表面を金属部材よりも腐食電位の低い材料で形成することにより、フィン材を構成する腐食電位の低い材料部分が犠牲的に腐食して、金属部材の腐食を抑制することができる。金属部材よりも先にフィン材が腐食することにより、金属部材の孔食を防止して冷却液のパワーモジュール用基板側への漏洩を防ぐことができる。
Further, Oite this onset bright, the fin material, may at least part of its surface, than the metal member is formed of a low corrosion potential material.
By forming the surface of the fin material with a material having a lower corrosion potential than that of the metal member, the material portion having the lower corrosion potential that constitutes the fin material is sacrificially corroded, and the corrosion of the metal member can be suppressed. Since the fin material corrodes before the metal member, the metal member can be prevented from pitting and leakage of the coolant to the power module substrate side can be prevented.
さらに、本発明のヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法は、芯材の表面にろう材が貼り合わされた金属部材に、プレス加工によって前記ろう材を底面に配置した複数の凹部を形成するとともに、その凹部の加工により前記凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部を前記凹部を囲むように形成した後、フィン材を前記凹部に一部嵌合させ、前記金属部材の前記フィン材とは反対側の面にセラミックス基板を有するパワーモジュール用基板をろう材を介して積層した状態で厚さ方向に加圧しつつ加熱することにより、前記金属部材と前記フィン材とをろう付けしてヒートシンクを形成し、かつ前記金属部材を前記パワーモジュール用基板に接合することを特徴とする。 Furthermore, in the method for manufacturing a power module substrate with a heat sink of the present invention, a metal member in which a brazing material is bonded to the surface of the core material is formed with a plurality of concave portions in which the brazing material is arranged on the bottom surface by pressing, a peripheral portion of the concave portion by the processing of the concave portion, wherein after the ridge is formed by raised surface of the metallic member is formed to surround the recess, by fitting a portion of the full fin material in the recess, the metal By heating while pressing in the thickness direction in a state where a power module substrate having a ceramic substrate is laminated via a brazing material on a surface opposite to the fin material of the member, the metal member and the fin material The heat sink is formed by brazing , and the metal member is bonded to the power module substrate .
プレス加工により金属部材に凹部を形成すると、材料が流動して凹部の周縁部に隆起部が形成される。金属部材にはろう材が貼り合わされているので、凹部の底面にも、ろう材が配置される。この凹部にフィン材を一部嵌合させて加圧、加熱すると、凹部底面とフィン材との間に介在する溶融したろう材が押し出されて、凹部とフィン材との隙間に流れるとともに、金属部材表面のろう材も表面張力によって引き込まれて、その隙間に充填される。さらに、凹部の隆起部に案内されて、金属部材とフィン材との接合部でろう材がフィン材の表面に立ち上がり、フィレット部を形成することができる。
また、プレス加工による金属部材への凹部の成形においては、パワーモジュール用基板の直下に配置される部分のみに凹部を形成することができ、フィン材配置の設計自由度が高いうえに、このようなヒートシンクを簡単に製造することができる。
When the concave portion is formed in the metal member by press working, the material flows and a raised portion is formed at the peripheral portion of the concave portion. Since the brazing material is bonded to the metal member, the brazing material is also disposed on the bottom surface of the recess. When a part of the fin material is fitted into the recess and pressed and heated, the molten brazing material interposed between the bottom of the recess and the fin material is pushed out and flows into the gap between the recess and the fin material, and the metal The brazing material on the surface of the member is also drawn by the surface tension and filled in the gap. Further, the brazing material rises on the surface of the fin material at the joint portion between the metal member and the fin material and is guided by the raised portion of the concave portion, so that a fillet portion can be formed.
Moreover, in the formation of the concave portion on the metal member by press working, the concave portion can be formed only in the portion arranged directly under the power module substrate, and the degree of freedom in designing the fin material arrangement is high. A simple heat sink can be manufactured.
この場合、ヒートシンクを構成する金属部材とフィン材とのろう付け時に、金属部材とパワーモジュール用基板とを同時に接合することができるので、一度の加熱でヒートシンク付きパワーモジュール用基板を製造することが可能であり、作業効率に優れる。
In this case, during brazing of the metal member and the fin material constituting the heat sink, it is possible to simultaneously bond the substrate metal member and the power module, to produce a power module substrate with a heat sink in a single heating Is possible, and the work efficiency is excellent.
本発明によれば、金属部材とフィン材とを隙間なく、かつフィレット部の長い接合部によって接合することができるので、冷却性能を向上させることができる。 According to the present invention, the metal member and the fin material can be joined without a gap and by a joining portion having a long fillet portion, so that the cooling performance can be improved.
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、この発明により製造されるパワーモジュール1を示している。この図1のパワーモジュール1は、セラミックス等からなるセラミックス基板2を有するパワーモジュール用基板3と、このパワーモジュール用基板3の表面に搭載された半導体チップ等の電子部品4と、パワーモジュール用基板3に接合されたヒートシンク5とから構成される。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a
パワーモジュール用基板3は、セラミックス基板2の両面に金属層6,7が積層されており、その一方の金属層6が回路層となり、その表面に電子部品4が接合される。また、他方の金属層7は放熱層とされ、その表面にヒートシンク5が取り付けられる。
In the
セラミックス基板2は、例えば、AlN(窒化アルミニウム)、Si3N4(窒化珪素)等の窒化物系セラミックス、もしくはAl2O3(アルミナ)等の酸化物系セラミックスにより形成される。
両金属層6,7は、いずれも純度99.90質量%以上のアルミニウムが用いられ、JIS規格では、1N90(純度99.90質量%以上:いわゆる3Nアルミニウム)又は1N99(純度99.99質量%以上:いわゆる4Nアルミニウム)を用いることができる。
The
Both
セラミックス基板2及び両金属層6,7の平面状の大きさや厚さについての個々の寸法は特に限定されるものではないが、両金属層6,7の一辺が約250mmの略正方形に形成され、セラミックス基板2は、両金属層6,7より若干大きい矩形に形成される。また、セラミックス基板2の厚さは例えば635μm、両金属層6,7の厚さは600μmとされる。
また、両金属層6,7は、それぞれプレス加工により所望の外形に打ち抜いたものをセラミックス基板2に接合するか、あるいは、平板状のものをセラミックス基板2に接合した後に、エッチング加工により所望の外形に形成するか、いずれの方法も採用することができる。
The individual dimensions of the
Further, both
また、セラミックス基板2と回路層及び放熱層となる金属層6,7とは、Al−Si系、Al−Ge系、Al−Cu系、Al−Mg系またはAl−Mn系等のろう材によりろう付けされている。
Further, the
なお、金属層6と電子部品4との接合には、Sn−Cu系,Sn−Ag系,Sn−Ag−Cu系,Zn−Al系もしくはPb−Sn系等のはんだ材が用いられる。図中符号8がそのはんだ接合層を示す。また、電子部品4と金属層6の端子部との間は、アルミニウム等からなるボンディングワイヤ(図示略)により接続される。
For joining the
一方、ヒートシンク5は、金属部材50に複数のフィン材55を固着して形成される。
金属部材50は、フィン材55を接合する前の状態では、図3に示すように、アルミニウム板の芯材51の両面にろう材52を貼り合わせて形成されたクラッド材であり、芯材51は純度99質量%(いわゆる2Nアルミニウム)以下のアルミニウムにより形成され、例えば、JIS規格における3000系合金のアルミニウムが使用される。また、ろう材52は、Al−Si系、Al−Si−Mg系等が使用される。芯材51の厚さは例えば900μm、両面のろう材52の厚さは50μmとされ、金属部材50は厚さ1mmに形成されている。
On the other hand, the
As shown in FIG. 3, the
また、この金属部材50の片面には、図3に示すように、フィン材55が固着される複数の凹部53がプレス加工により形成されており、その凹部53の周縁部には、プレス時に材料が流動することにより表面が盛り上がって形成される隆起部54が、凹部53を囲むように形成されている。
ここで、当該隆起部54の高さは、フィレット部によるフィン材55と金属部材50の接合部を長く形成するために50μm以上が望ましく、また、ろう材が隆起部54を確実に這い上がるために150μm以下が望ましい。
フィン材55は、金属部材50の凹部55に嵌合するピン状に形成されており、例えばワイヤ部材を一定の長さに切断することにより、直径1mm、高さ8〜10mmに形成され、金属部材50の表面に3mm程度のピッチで垂直に固着されている。また、このフィン材55は、その表面の少なくとも一部が、金属部材50(芯材51)よりも腐食電位の低い材料で形成される。図1から図4に示す例では、フィン材55の全体が金属部材50より腐食電位が低い材料として、純度99質量%以下のアルミニウムである7000系合金によって形成されている。
また、この他に3000系合金のアルミニウムからなる金属部材50に対し、金属部材50より腐食電位が低い材料として、フィン材の少なくとも一部の表面を4000系合金のアルミニウムで形成することができる。
Further, as shown in FIG. 3, a plurality of
Here, the height of the raised
The
In addition, at least a part of the surface of the fin material can be formed of aluminum of 4000 series alloy as a material having a lower corrosion potential than that of the
次に、このように構成したヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法について説明する。
まず、図3(a)に示すように、アルミニウム板の芯材51の両面にろう材52を貼り合わせて形成されたクラッド材を用意する。このクラッド材にプレス加工により、パンチ9を押圧して複数の凹部53を形成する。図3(b)に示すように、プレス加工により形成されるこれらの凹部53の周縁部には、プレス加工時に隆起部54が形成される。なお、確実に隆起部54を形成するために、凹部53に対応した凸部及びその凸部の周縁部に隆起部54に対応した凹部が形成された上型を用いてコイニング加工を施すことが望ましい。
ここで、ろう材52は、金属部材50の表面だけでなく、凹部53の底面にも配置された状態となっている。
Next, a method for manufacturing the power module substrate with a heat sink configured as described above will be described.
First, as shown in FIG. 3A, a clad material formed by bonding a
Here, the
次に、このようにして金属部材50の片面に設けられた各凹部53に、図4に示すように、フラックス56を塗布したフィン材55を一部嵌合させた状態とするとともに、金属部材50の反対面に、予めセラミックス基板2の両面に金属層を接合したパワーモジュール用基板3を積層状態に保持する。この保持状態で、これらを厚さ方向に0.5×105〜5×105Paで加圧しつつ、例えば真空中で610℃のろう付け温度で数分間加熱することにより、金属部材50と各フィン材55とがろう付けされるとともに、金属部材50とパワーモジュール用基板3の金属層7とがろう付けされる。
この場合、凹部53にフィン材55を一部嵌合させて加圧、加熱することにより、凹部53の底面とフィン材55との間に介在する溶融したろう材52が押し出されて、凹部53とフィン材55との隙間に流れるとともに、金属部材50の表面のろう材52も表面張力によって引き込まれて、その隙間に充填される。さらに、凹部53の隆起部54に案内されて、金属部材50とフィン材55との接合部でろう材52がフィン材55の表面に立ち上がり、図2に示すようなフィレット部57が形成される。
Next, as shown in FIG. 4, the
In this case, by partially fitting the
これにより、金属部材50とフィン材55とがろう材52によって隙間なく接合されるとともに、金属部材50とフィン材55との間のフィレット部57によって、その接合部を長く形成することができるので、金属部材50とフィン材55との間の熱抵抗を小さくして、ヒートシンク5の冷却効率を向上させることができる。
また、ヒートシンク5を構成する金属部材50とフィン材55とのろう付けと同時に、金属部材50とパワーモジュール用基板3を構成する金属層7とを同時に接合することができるので、一度の加熱でヒートシンク付きパワーモジュール用基板を製造することが可能であり、作業効率に優れる。
具体的には、芯材51にろう材52がクラッドされた金属部材50の一方の表面にプレス加工によって凹部53を形成し、その凹部53にフィン材55を嵌合する。次に、他の表面に金属層7、Al−Siろう箔(図示略)、セラミックス基板2、Al−Siろう箔(図示略)、金属層6を順次積層し、この積層体を厚さ方向に0.5×105〜5×105Paで加圧しながら真空中で600〜650℃で約1時間加熱することにより、同時に接合した。
As a result, the
In addition, since the
Specifically, a
また、上記のヒートシンク5においては、フィン材55は、金属部材50よりも腐食電位の低い材料で形成されていることから、フィン材55を構成する腐食電位の低い材料部分が犠牲的に腐食して、金属部材50の腐食を抑制することができるとともに、金属部材50よりも先にフィン材55が腐食することにより、金属部材50の孔食を防止して冷却液のパワーモジュール用基板3側への漏洩を防ぐことができる。
In the
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、フィン材は金属部品の全面に設けてもよいが、パワーモジュール用基板の金属部材の直下に配置される部分のみに設けてもよい。
また、上記実施形態では、金属部品は、芯材の両面にろう材を貼り合わせたクラッド材としていたが、凹部が形成される片面側だけにろう材を貼り合わせたクラッド材を用いてもよく、その場合は、金属部材とパワーモジュール用基板との間にろう材箔を介して接合すればよい。
さらに、フィン材の形状はピン状(棒状)に限定されることはなく、板状の形状にも対応可能である。その場合、図5に示すように、フィン材70を、金属部材51と同じ材料の芯材71(例えば、3000系合金のアルミニウム)と、芯材71よりも腐食電位の低い被覆材72(例えば、7000系合金のアルミニウム)とのクラッド材により、角柱状又は板状に構成してもよいし、図6に示すように、フィン材80の先端部のみ腐食電位の低い被覆材82で形成する構成としてもよい。
In addition, this invention is not limited to the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
For example, the fin material may be provided on the entire surface of the metal part, but may be provided only on a portion disposed immediately below the metal member of the power module substrate.
Moreover, in the said embodiment, although the metal component was made into the clad material which bonded the brazing material on both surfaces of the core material, you may use the clad material which bonded the brazing material only to the single side | surface side in which a recessed part is formed. In this case, the metal member and the power module substrate may be joined via a brazing material foil.
Furthermore, the shape of the fin material is not limited to a pin shape (bar shape), and can correspond to a plate shape. In this case, as shown in FIG. 5, the
また、パワーモジュール用基板を構成するセラミックス基板と金属層との接合は、ろう付けに限らず、拡散接合等によるものであってもよい。
そして、上記の実施形態においては、予めセラミックス基板を有するパワーモジュール用基板及びヒートシンクを別々に形成してから、それぞれを接合していたが、セラミックス基板に金属層を積層した積層体と、その放熱層にヒートシンクを構成する金属部材を積層し、一度の加熱でヒートシンク付パワーモジュール用基板を製造する構成としてもよい。
また、上記実施形態では、パワーモジュール用基板は、セラミックス基板の両面に金属層が積層された構成として説明し、その金属層のうちの放熱層にヒートシンクを取り付ける構成としていたが、放熱層を設けずにセラミックス基板の裏面とヒートシンクとを直接接合してもよい。
Further, the bonding between the ceramic substrate and the metal layer constituting the power module substrate is not limited to brazing but may be diffusion bonding or the like.
In the above embodiment, the power module substrate having the ceramic substrate and the heat sink are separately formed and then bonded together. However, the laminated body in which the metal layer is laminated on the ceramic substrate, and the heat dissipation thereof. It is good also as a structure which laminates | stacks the metal member which comprises a heat sink on a layer, and manufactures the board | substrate for power modules with a heat sink by heating once.
Moreover, in the said embodiment, although the board | substrate for power modules demonstrated as the structure by which the metal layer was laminated | stacked on both surfaces of the ceramic substrate, it was set as the structure which attaches a heat sink to the heat radiating layer of the metal layer, but provided the heat radiating layer. Alternatively, the back surface of the ceramic substrate and the heat sink may be directly joined.
1 パワーモジュール
2 セラミックス基板
3 パワーモジュール用基板
4 電子部品
5 ヒートシンク
6,7 金属層
8 はんだ接合層
9 パンチ
50 金属部材
51,71 芯材
52 ろう材
53 凹部
54 隆起部
55,70,80 フィン材
56 フラックス
57 フィレット部
72,82 被覆材
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記ヒートシンクは、金属部材に複数の凹部が形成されるとともに、その凹部の周縁部に、前記金属部材の表面が盛り上がってなる隆起部が前記凹部を囲むように形成され、前記凹部に一部嵌合したフィン材がろう付けされてなり、前記金属部材と前記フィン材との間のフィレット部が、前記隆起部を含んで形成されてなり、
前記金属部材の前記フィン材とは反対側の面が前記パワーモジュール用基板に接合されていることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板。 A power module substrate with a heat sink formed by bonding a heat sink and a power module substrate having a ceramic substrate,
The heat sink with the recess of the multiple is formed on the metal member, the periphery of the recess, the raised portion formed by raised surface of the metal member is formed so as to surround the recess, a portion in the recess The fin material fitted is brazed, and a fillet portion between the metal member and the fin material is formed including the raised portion,
A power module substrate with a heat sink, wherein a surface of the metal member opposite to the fin member is bonded to the power module substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011003644A JP5914968B2 (en) | 2011-01-12 | 2011-01-12 | Power module substrate with heat sink and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011003644A JP5914968B2 (en) | 2011-01-12 | 2011-01-12 | Power module substrate with heat sink and manufacturing method thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012146801A JP2012146801A (en) | 2012-08-02 |
JP5914968B2 true JP5914968B2 (en) | 2016-05-11 |
Family
ID=46790086
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011003644A Active JP5914968B2 (en) | 2011-01-12 | 2011-01-12 | Power module substrate with heat sink and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5914968B2 (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6064191B2 (en) * | 2012-08-30 | 2017-01-25 | 太陽工業株式会社 | Heat sink and heat sink manufacturing method |
JP6065925B2 (en) * | 2015-01-15 | 2017-01-25 | 日本軽金属株式会社 | Heat sink manufacturing method and heat sink |
JP6576182B2 (en) * | 2015-09-17 | 2019-09-18 | 株式会社日立国際電気 | Manufacturing method of radiator |
JP7033470B2 (en) * | 2018-03-08 | 2022-03-10 | 昭和電工株式会社 | How to make a heat sink |
DE102020203786A1 (en) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | Volkswagen Aktiengesellschaft | Method for manufacturing a heat sink for an electronic component |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6439050A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Nippon Aluminium Mfg | Cooling apparatus provided with fin and manufacture thereof |
JP2701687B2 (en) * | 1993-03-18 | 1998-01-21 | 住友金属工業株式会社 | Pin type cooling fin |
JP3597640B2 (en) * | 1996-05-24 | 2004-12-08 | 蛇の目ミシン工業株式会社 | Heat sink manufacturing method |
JP3533881B2 (en) * | 1997-05-16 | 2004-05-31 | 株式会社エムエーファブテック | Heat exchange fins |
JP4154793B2 (en) * | 1999-03-25 | 2008-09-24 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus |
JP2008166423A (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Denso Corp | Cooling tube and manufacturing method therefor |
JP4717055B2 (en) * | 2007-12-18 | 2011-07-06 | 神鋼ボルト株式会社 | Washer |
JP2010221250A (en) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toyota Motor Corp | Method for manufacturing cooler for power device |
-
2011
- 2011-01-12 JP JP2011003644A patent/JP5914968B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012146801A (en) | 2012-08-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5892281B2 (en) | Power module substrate with heat sink and power module | |
KR102300972B1 (en) | Substrate unit for power modules, and power module | |
JP5440721B2 (en) | Power module substrate with heat sink and method for manufacturing the same, power module with heat sink, and substrate for power module | |
US8391011B2 (en) | Cooling device | |
TWI690041B (en) | Substrate for power module with heat sink and power module | |
EP3166140B1 (en) | Substrate unit for power modules, and power module | |
JP6435945B2 (en) | Power module board with heat sink | |
JP5957862B2 (en) | Power module substrate | |
JP6417834B2 (en) | Power module substrate with cooler and method for manufacturing power module substrate with cooler | |
JP5914968B2 (en) | Power module substrate with heat sink and manufacturing method thereof | |
JP5884291B2 (en) | Power module board unit with heat sink | |
JP6357917B2 (en) | Power module substrate with heat sink, method for manufacturing the same, and power module | |
JP5772088B2 (en) | Power module substrate manufacturing method and power module substrate | |
JP6020256B2 (en) | Manufacturing method of power module substrate with heat sink | |
JP5552803B2 (en) | Power module substrate manufacturing method | |
JP5146296B2 (en) | Power module substrate manufacturing method | |
JP6565735B2 (en) | Power module substrate, power module, and method of manufacturing power module substrate | |
JP5887939B2 (en) | Manufacturing method and manufacturing apparatus for power module substrate with heat sink | |
JP6118583B2 (en) | Insulating substrate | |
JP5131205B2 (en) | Power module substrate manufacturing method | |
JP5494271B2 (en) | Power module substrate manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140926 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141007 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141204 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150317 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150721 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150916 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160321 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Ref document number: 5914968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |