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JP5911330B2 - Radiation detector and manufacturing method thereof. - Google Patents

Radiation detector and manufacturing method thereof. Download PDF

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JP5911330B2 JP2012037014A JP2012037014A JP5911330B2 JP 5911330 B2 JP5911330 B2 JP 5911330B2 JP 2012037014 A JP2012037014 A JP 2012037014A JP 2012037014 A JP2012037014 A JP 2012037014A JP 5911330 B2 JP5911330 B2 JP 5911330B2
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Description

実施形態は、概して、放射線を検出する放射線検出器およびその製造方法に関する。   Embodiments generally relate to a radiation detector that detects radiation and a method of manufacturing the same.

新世代のX線診断用検出器として、アクティブマトリクスを用いた平面型のX線検出器が開発されている。このX線検出器は、照射されたX線を検出してX線撮影像あるいはリアルタイムのX線画像がデジタル信号として出力される。このX線検出器では、X線をシンチレータ膜により可視光すなわち蛍光に変換させ、この蛍光をアモルファスシリコン(a−Si)フォトダイオードあるいはCCD(Charge Coupled Device)などの光電変換素子で信号電荷に変換することで画像を取得している。   A planar X-ray detector using an active matrix has been developed as a new generation X-ray diagnostic detector. This X-ray detector detects the irradiated X-rays and outputs an X-ray image or a real-time X-ray image as a digital signal. In this X-ray detector, X-rays are converted into visible light, that is, fluorescence by a scintillator film, and this fluorescence is converted into signal charges by a photoelectric conversion element such as an amorphous silicon (a-Si) photodiode or CCD (Charge Coupled Device). By acquiring the image.

シンチレータ膜の材料としては、一般的にヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化ナトリウム(NaI)、あるいは酸硫化ガドリニウム(GdS)などが用いられる。シンチレータ膜は、ダイシングなどにより溝を形成したり、柱状構造が形成されるように蒸着法で堆積したりすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータの材料としては、上述の通り種々のものがあり、用途や必要な特性によって使い分けられる。 As a material of the scintillator film, cesium iodide (CsI): sodium (Na), cesium iodide (CsI): thallium (Tl), sodium iodide (NaI), or gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2) S) or the like is used. The scintillator film can improve resolution characteristics by forming grooves by dicing or the like, or by depositing by a vapor deposition method so that a columnar structure is formed. There are various scintillator materials as described above, and they are properly used depending on the application and necessary characteristics.

蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するため、シンチレータ膜の上部に反射膜を形成する場合がある。この場合、シンチレータ膜で発光した蛍光のうち光電変換素子側に対して反対側に向かう蛍光を反射膜で反射させて、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させる。   In order to improve the use efficiency of fluorescence and improve sensitivity characteristics, a reflective film may be formed on the scintillator film. In this case, of the fluorescence emitted from the scintillator film, the fluorescence directed to the opposite side with respect to the photoelectric conversion element side is reflected by the reflection film, and the fluorescence reaching the photoelectric conversion element side is increased.

反射膜は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属層をシンチレータ膜上に成膜する方法や、TiO2などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜を塗布形成する方法などで形成される。また、反射膜をシンチレータ膜上に形成するのではなく、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ膜に密着させてシンチレータ光を反射させる方式も実用化されている。   The reflective film is formed by coating a metal layer with high fluorescence reflectance such as silver alloy or aluminum on the scintillator film, or by applying a light-scattering reflective film made of a light-scattering substance such as TiO2 and a binder resin. It is formed by the method to do. In addition, a method of reflecting scintillator light by bringing a reflecting plate having a metal surface such as aluminum into close contact with the scintillator film instead of forming the reflective film on the scintillator film has been put into practical use.

シンチレータ膜や反射膜あるいは反射板などを外部雰囲気から保護して湿気などによる特性の劣化を抑えるための防湿構造は、検出器を実用的な製品とする上で重要な構成要素となる。特に湿気による劣化の大きい材料であるCsI:Tl膜やCsI:Na膜をシンチレータ膜とする場合には高い防湿性能が要求される。防湿構造としては、たとえばアルミニウム箔などの防湿層を周辺部で基板と接着封止して防湿性能を保つ構造や、アルミニウム箔や薄板などの防湿層と基板とを周囲のリング状構造物を介して接着封止する構造などがある。   A moisture-proof structure for protecting a scintillator film, a reflective film, a reflective plate, and the like from an external atmosphere to suppress deterioration of characteristics due to moisture and the like is an important component for making a detector a practical product. In particular, when a CsI: Tl film or a CsI: Na film, which is a material greatly deteriorated by moisture, is used as a scintillator film, a high moisture-proof performance is required. As a moisture-proof structure, for example, a moisture-proof layer such as aluminum foil is adhered and sealed to the substrate at the periphery to maintain moisture-proof performance, or a moisture-proof layer such as aluminum foil or thin plate and the substrate are connected via a surrounding ring-shaped structure. There are structures that are adhesively sealed.

特開2009−128023号JP 2009-128023 A 特開平5−242841号公報JP-A-5-242841

平面型のX線検出器は、ガラス板にTFTやフォトダイオードの画素を形成した基板を有している。このX線検出器には、防湿体としてハット形状の金属箔又は薄板を用い、ハット鍔部と基板表面を接着封止して防湿構造とするものがある。   The flat X-ray detector has a substrate in which TFT and photodiode pixels are formed on a glass plate. In some X-ray detectors, a hat-shaped metal foil or thin plate is used as a moisture-proof body, and the hat collar and the substrate surface are bonded and sealed to form a moisture-proof structure.

防湿体は、金属の箔または薄板を裁断した後、プレス加工でハット形状に加工される。金属切断面には不要な突起(バリ)が生じることがある。鍔の接着層側にバリが発生した防湿体を基板と接着封止した場合、バリが基板側に押されるため、基板金属配線と防湿体バリ部が電気的に短絡する危険が生じる。また、圧着されたバリのスプリングバックによって、接着層が破壊される危険もある。接着層が破壊されると、防湿性能が著しく低下してしまう。   The moisture-proof body is cut into a hat shape by pressing after cutting a metal foil or thin plate. Unnecessary protrusions (burrs) may occur on the metal cut surface. When a moisture-proof body in which burrs are generated on the adhesive layer side of the bag is bonded and sealed to the substrate, the burrs are pushed toward the substrate side, so that there is a risk that the substrate metal wiring and the moisture-proof body burr portion are electrically short-circuited. There is also a risk that the adhesive layer is destroyed by the spring back of the burrs that have been crimped. When the adhesive layer is broken, the moisture-proof performance is remarkably lowered.

そこで、実施形態は、信頼性の高い防湿構造を備えた放射線検出器を提供することを目的とする。   Then, embodiment aims at providing the radiation detector provided with the moisture-proof structure with high reliability.

上述の目的を達成するため、一実施形態によれば、放射線検出器は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板と、前記アレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように設けられて放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜と、ハット形状の金属箔又は薄板からなり、外縁に前記アレイ基板から離れる方向に突出した突起が形成されて前記シンチレータ膜を包囲する防湿体と、前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着する接着層と、を具備する。 In order to achieve the above-described object, according to one embodiment, a radiation detector includes an array substrate provided with a photoelectric conversion element layer in which photoelectric conversion elements that convert fluorescence into an electrical signal are arranged, and a surface of the array substrate A scintillator film that is provided so as to cover the photoelectric conversion element layer and converts radiation into fluorescence, and a hat-shaped metal foil or a thin plate, and a protrusion protruding in a direction away from the array substrate is formed on the outer edge. A moisture-proof body that surrounds the scintillator film; and an adhesive layer that bonds the outer periphery of the moisture-proof body and the array substrate.

また、一実施形態によれば、放射線検出器の製造方法は、蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜を設ける工程と、第1面および第2面を持つ金属板の一部に前記シンチレータ膜よりも広くかつ前記シンチレータ膜の前記アレイ基板からの突出高さよりも深い前記第1面から前記第2面に向かって窪んだ窪み部を形成し、前記窪み部の外周に設けられた鍔部の外縁よりも外側をその内側に対して相対的に前記第1面から前記第2面に向かう方向に変位させるせん断加工で切断して防湿体を形成する工程と、前記第1面が前記アレイ基板に対向し前記防湿体で前記シンチレータ膜を包囲するように前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着剤で接着する工程と、を具備する。   Moreover, according to one embodiment, the manufacturing method of a radiation detector covers the said photoelectric conversion element layer on the surface of the array substrate which provided the photoelectric conversion element layer in which the photoelectric conversion element which converts fluorescence into an electric signal was arranged. A step of providing a scintillator film for converting radiation into fluorescence, and a part of a metal plate having a first surface and a second surface that is wider than the scintillator film and larger than the projection height of the scintillator film from the array substrate Forming a recessed portion that is recessed from the first surface deep toward the second surface, the outer surface of the flange portion provided on the outer periphery of the recessed portion, the outer surface of the first surface relative to the inner side Forming a moisture-proof body by cutting by shearing to be displaced in the direction from the first to the second surface, and the moisture-proof body so that the first surface faces the array substrate and surrounds the scintillator film with the moisture-proof body. Outside the body Parts and with said array substrate comprises a the steps of adhesively bonded.

一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。It is a typical perspective view of the radiation detection device by one embodiment. 一実施形態による放射線検出器の回路図である。It is a circuit diagram of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出装置のブロック図である。It is a block diagram of the radiation detection apparatus by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。It is a partially expanded sectional view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の上面図である。It is a top view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による放射線検出器の側面図である。It is a side view of the radiation detector by one Embodiment. 一実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。It is an expanded sectional view near a collar part of a moisture-proof body by one embodiment. 一実施形態による防湿体の製造過程の一部を示す断面図である。It is sectional drawing which shows a part of manufacturing process of the moisture-proof body by one Embodiment. 接着層側に向かって突出したバリが形成された防湿体を用いた放射線検出器の鍔部近傍の拡大断面図である。It is an expanded sectional view near a collar part of a radiation detector using a moisture proof body in which a burr protruding toward the adhesive layer side is formed.

以下、一実施形態による放射線検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれに限定されない。   Hereinafter, a radiation detector according to an embodiment will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the same or similar structure, and the overlapping description is abbreviate | omitted. This embodiment is merely an example, and the present invention is not limited to this.

図1は、一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。   FIG. 1 is a schematic perspective view of a radiation detection apparatus according to an embodiment.

本実施形態の放射線検出器11は、放射線像であるX線画像を検出するX線平面センサであり、たとえば一般医療用途などに用いられる。放射線検出装置10は、この放射線検出器11と、支持板31と、回路基板30と、フレキシブル基板32とを有している。放射線検出器11は、アレイ基板12とシンチレータ膜13とを有している。放射線検出器11は、入射したX線を検出して蛍光に変換し、その蛍光を電気信号に変換する。放射線検出装置10は、放射線検出器11を駆動し、放射線検出器11から出力された電気信号を画像情報として出力する。放射線検出装置10が出力した画像情報は、外部のディスプレイなどに表示される。   The radiation detector 11 of this embodiment is an X-ray plane sensor that detects an X-ray image that is a radiation image, and is used for general medical applications, for example. The radiation detection apparatus 10 includes the radiation detector 11, a support plate 31, a circuit board 30, and a flexible board 32. The radiation detector 11 has an array substrate 12 and a scintillator film 13. The radiation detector 11 detects incident X-rays and converts them into fluorescence, and converts the fluorescence into electrical signals. The radiation detection apparatus 10 drives the radiation detector 11 and outputs an electrical signal output from the radiation detector 11 as image information. The image information output by the radiation detection apparatus 10 is displayed on an external display or the like.

アレイ基板12は、ガラス基板16を有している。ガラス基板16の表面には、複数の微細な画素20が正方格子状に配列されている。それぞれの画素20は、薄膜トランジスタ22とフォトダイオード21とを有している。また、ガラス基板16の表面には、画素20が配列された正方格子の行と同数のゲートライン18が各画素20の間を延びている。さらに、ガラス基板16の表面には、画素20が配列された正方格子の列の数と同数のデータライン19が各画素20の間を延びている。シンチレータ膜13は、アレイ基板12の画素20が配列された領域の表面に形成されている。   The array substrate 12 has a glass substrate 16. A plurality of fine pixels 20 are arranged in a square lattice pattern on the surface of the glass substrate 16. Each pixel 20 includes a thin film transistor 22 and a photodiode 21. On the surface of the glass substrate 16, the same number of gate lines 18 as the square lattice rows in which the pixels 20 are arranged extend between the pixels 20. Further, the same number of data lines 19 as the number of square lattice columns in which the pixels 20 are arranged extend between the pixels 20 on the surface of the glass substrate 16. The scintillator film 13 is formed on the surface of the region where the pixels 20 of the array substrate 12 are arranged.

シンチレータ膜13は、アレイ基板12の表面に設けられ、X線が入射すると可視光領域の蛍光を発生する。発生した蛍光は、アレイ基板12の表面に到達する。   The scintillator film 13 is provided on the surface of the array substrate 12 and generates fluorescence in the visible light region when X-rays enter. The generated fluorescence reaches the surface of the array substrate 12.

シンチレータ膜13は、たとえばヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、あるいはヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)などを真空蒸着法で柱状構造に形成したものである。CsI:Tlの柱状構造結晶の柱(ピラー)の太さは、最表面でたとえば8〜12μm程度である。あるいは、酸硫化ガドリニウム(GdS)蛍光体粒子をバインダ材と混合し、アレイ基板12上に塗布して焼成および硬化し、ダイサによりダイシングするなどで溝部を形成して四角柱状に形成してシンチレータ膜13を形成してもよい。これらの柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素(N)などの不活性ガスが封入され、あるいは真空状態としてもよい。 The scintillator film 13 is formed by forming, for example, cesium iodide (CsI): thallium (Tl) or sodium iodide (NaI): thallium (Tl) into a columnar structure by a vacuum deposition method. The thickness of the pillar (pillar) of the columnar structure crystal of CsI: Tl is, for example, about 8 to 12 μm at the outermost surface. Alternatively, gadolinium oxysulfide (Gd 2 O 2 S) phosphor particles are mixed with a binder material, applied onto the array substrate 12, fired and cured, and formed into a square column by forming grooves by dicing with a dicer. Then, the scintillator film 13 may be formed. Between these columns, air or an inert gas such as nitrogen (N 2 ) for preventing oxidation may be enclosed, or a vacuum state may be provided.

アレイ基板12は、シンチレータ膜13で発生した蛍光を受光して電気信号を発生する。その結果、入射したX線によってシンチレータ膜13で発生した可視光像は、電気信号で表現された画像情報に変換される。   The array substrate 12 receives the fluorescence generated by the scintillator film 13 and generates an electrical signal. As a result, the visible light image generated on the scintillator film 13 by the incident X-rays is converted into image information expressed by an electrical signal.

放射線検出器11は、シンチレータ膜13が形成された面の反対側の面と支持板31とが接触するように、支持板31に支持されている。回路基板30は、支持板31の放射線検出器11に対して反対側に配置されている。放射線検出器11と回路基板30との間は、フレキシブル基板32で電気的に接続されている。   The radiation detector 11 is supported by the support plate 31 so that the surface opposite to the surface on which the scintillator film 13 is formed and the support plate 31 are in contact with each other. The circuit board 30 is disposed on the opposite side of the support plate 31 with respect to the radiation detector 11. The radiation detector 11 and the circuit board 30 are electrically connected by a flexible board 32.

図2は、本実施形態による放射線検出器の回路図である。   FIG. 2 is a circuit diagram of the radiation detector according to the present embodiment.

それぞれのフォトダイオード21は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ22を介してゲートライン18およびデータライン19に接続されている。また、それぞれのフォトダイオード21には、蓄積キャパシタ27が並列に接続されている。なお、蓄積キャパシタ27は、フォトダイオード21の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。   Each photodiode 21 is connected to the gate line 18 and the data line 19 through a thin film transistor 22 which is a switching element. In addition, a storage capacitor 27 is connected to each photodiode 21 in parallel. The storage capacitor 27 may also serve as the capacitance of the photodiode 21 and is not always necessary.

フォトダイオード21およびそれに並列に接続された蓄積キャパシタ27は、薄膜トランジスタ22を介してデータライン19に接続されている。薄膜トランジスタ22のゲート電極は、ゲートライン18に接続されている。   The photodiode 21 and the storage capacitor 27 connected in parallel to the photodiode 21 are connected to the data line 19 via the thin film transistor 22. A gate electrode of the thin film transistor 22 is connected to the gate line 18.

配列の同じ行に位置する画素20の薄膜トランジスタ22は、同一のゲートライン18に接続されている。配列の同じ列に位置する画素20の薄膜トランジスタ22は、同一のデータライン19に接続されている。   The thin film transistors 22 of the pixels 20 located in the same row of the array are connected to the same gate line 18. The thin film transistors 22 of the pixels 20 located in the same column of the array are connected to the same data line 19.

各薄膜トランジスタ22は、フォトダイオード21への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ22は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン(a−Si)、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン(P−Si)などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。   Each thin film transistor 22 has a switching function for accumulating and discharging charges generated by the incidence of fluorescence on the photodiode 21. The thin film transistor 22 is at least partially composed of a semiconductor material such as amorphous silicon (a-Si) as an amorphous semiconductor, which is a crystalline semiconductor material, or polysilicon (P-Si), which is a polycrystalline semiconductor. Has been.

なお、図1および図2において、画素は5行5列あるいは4行4列分しか記載していないが、実際にはもっと多く、解像度、撮像面積に応じて必要な画素が形成されている。   In FIGS. 1 and 2, the pixels are described only for 5 rows and 5 columns or 4 rows and 4 columns, but actually, more pixels are formed according to the resolution and the imaging area.

図3は、本実施形態による放射線検出装置のブロック図である。   FIG. 3 is a block diagram of the radiation detection apparatus according to the present embodiment.

放射線検出装置10は、放射線検出器11と、ゲートドライバー39と、行選択回路35と、積分アンプ33と、A/D変換器34と、並列/直列変換器38と、画像合成回路36とを有している。ゲートドライバー39は、放射線検出器11の各ゲートライン18に接続されている。ゲートドライバー39は、各薄膜トランジスタ22の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。積分アンプ33は、放射線検出器11の各データライン19に接続されている。   The radiation detection apparatus 10 includes a radiation detector 11, a gate driver 39, a row selection circuit 35, an integration amplifier 33, an A / D converter 34, a parallel / serial converter 38, and an image synthesis circuit 36. Have. The gate driver 39 is connected to each gate line 18 of the radiation detector 11. The gate driver 39 controls the operation state of each thin film transistor 22, that is, on and off. The integrating amplifier 33 is connected to each data line 19 of the radiation detector 11.

行選択回路35は、ゲートドライバー39に接続されている。並列/直列変換器38は、積分アンプ33に接続されている。A/D変換器34は、並列/直列変換器38に接続されている。A/D変換器34は、画像合成回路36に接続されている。   The row selection circuit 35 is connected to the gate driver 39. The parallel / serial converter 38 is connected to the integrating amplifier 33. The A / D converter 34 is connected to a parallel / serial converter 38. The A / D converter 34 is connected to the image composition circuit 36.

積分アンプ33は、たとえば放射線検出器11と回路基板30とを接続するフレキシブル基板32上に設けられている。その他の素子は、たとえば回路基板30上に設けられている。   The integrating amplifier 33 is provided on a flexible substrate 32 that connects the radiation detector 11 and the circuit board 30, for example. The other elements are provided on the circuit board 30, for example.

ゲートドライバー39は行選択回路35からの信号を受信して、ゲートライン18の電圧を順番に変更していく。行選択回路35は、X線画像を走査する所定の行を選択するための信号をゲートドライバー39へと送る。積分アンプ33は、放射線検出パネル21からデータライン19を通じて出力される極めて微小な電荷信号を増幅し出力する。   The gate driver 39 receives the signal from the row selection circuit 35 and sequentially changes the voltage of the gate line 18. The row selection circuit 35 sends a signal for selecting a predetermined row for scanning the X-ray image to the gate driver 39. The integrating amplifier 33 amplifies and outputs a very small charge signal output from the radiation detection panel 21 through the data line 19.

図4は、本実施形態による放射線検出器の一部拡大断面図である。   FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the radiation detector according to the present embodiment.

アレイ基板12の表面には、フォトダイオード21および薄膜トランジスタ22などの検出素子、並びに、ゲートライン18(図1参照)およびデータライン19(図1参照)などの金属配線を覆う絶縁性の保護膜28が形成されている。シンチレータ膜13は、保護膜28の表面に、画素20が配列された領域を覆うように形成されている。   On the surface of the array substrate 12, an insulating protective film 28 that covers detection elements such as photodiodes 21 and thin film transistors 22, and metal wirings such as gate lines 18 (see FIG. 1) and data lines 19 (see FIG. 1). Is formed. The scintillator film 13 is formed on the surface of the protective film 28 so as to cover the region where the pixels 20 are arranged.

シンチレータ膜13の表面には、反射膜14が設けられている。反射膜14は、シンチレータ膜13で発生した蛍光のうちアレイ基板12から遠ざかっていくものをアレイ基板12側へ反射させる。これにより、フォトダイオード21に到達する蛍光光量が増大する。   A reflection film 14 is provided on the surface of the scintillator film 13. The reflection film 14 reflects the fluorescent light generated in the scintillator film 13 that moves away from the array substrate 12 to the array substrate 12 side. As a result, the amount of fluorescent light reaching the photodiode 21 increases.

反射膜14は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属をシンチレータ膜上に成膜する方法で形成される。あるいは、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ膜13に密着させたもの、TiOなどの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射膜14を塗布形成してもよい。なお、反射膜14は、放射線検出器11に求められる解像度、輝度などの特性により、必ずしも必要ではない。 The reflective film 14 is formed by a method of depositing a metal having high fluorescence reflectance such as a silver alloy or aluminum on the scintillator film. Alternatively, a reflecting plate having a metal surface such as aluminum adhered to the scintillator film 13, or a diffuse reflecting film 14 made of a light scattering material such as TiO 2 and a binder resin may be formed by coating. Note that the reflective film 14 is not necessarily required due to characteristics such as resolution and luminance required for the radiation detector 11.

放射線検出器11には、シンチレータ膜13および反射膜14を包囲するように、防湿体15が設けられている。   The radiation detector 11 is provided with a moisture-proof body 15 so as to surround the scintillator film 13 and the reflective film 14.

図5は、本実施形態による放射線検出器の上面図である。図6は、本実施形態による放射線検出器の側面図である。   FIG. 5 is a top view of the radiation detector according to the present embodiment. FIG. 6 is a side view of the radiation detector according to the present embodiment.

防湿体15は、中央部が盛り上がったハット状に形成されている。防湿体15の周辺部分は、平坦な帯状の鍔部50となっている。鍔部50は、アレイ基板12の表面のシンチレータ膜13が形成された領域の外側を取り囲む帯状に形成される。鍔部50の内側には、天板部51が形成されている。天板部51は、シンチレータ膜13よりも若干大きい平板状の部分である。鍔部50と天板部51との間には、斜面部52が形成されている。   The moisture-proof body 15 is formed in a hat shape with a raised central portion. The peripheral portion of the moisture-proof body 15 is a flat belt-like collar portion 50. The flange portion 50 is formed in a band shape surrounding the outside of the region where the scintillator film 13 is formed on the surface of the array substrate 12. A top plate portion 51 is formed inside the collar portion 50. The top plate portion 51 is a flat plate portion that is slightly larger than the scintillator film 13. A slope portion 52 is formed between the flange portion 50 and the top plate portion 51.

鍔部50は、アレイ基板12と対向している。鍔部50とアレイ基板12との間は接着されている。アレイ基板12上に形成されたシンチレータ膜13(図4参照)および反射膜14(図4参照)は、防湿体15の天板部51および斜面部52で覆われている。防湿体15は、シンチレータ膜13および反射膜14を外気や湿度から保護する。   The flange 50 faces the array substrate 12. The flange 50 and the array substrate 12 are bonded. The scintillator film 13 (see FIG. 4) and the reflective film 14 (see FIG. 4) formed on the array substrate 12 are covered with the top plate portion 51 and the slope portion 52 of the moisture-proof body 15. The moisture-proof body 15 protects the scintillator film 13 and the reflective film 14 from outside air and humidity.

防湿体15は、たとえば厚さ0.1mmのアルミニウム合金箔で形成されている。防湿体15は、A1N30−O材などのアルミニウム合金箔やアルミニウム箔で形成される。鍔部50の幅は、たとえば5mmである。   The moisture-proof body 15 is made of, for example, an aluminum alloy foil having a thickness of 0.1 mm. The moisture-proof body 15 is formed of an aluminum alloy foil such as A1N30-O material or an aluminum foil. The width | variety of the collar part 50 is 5 mm, for example.

アレイ基板12には、ゲートライン18(図1参照)およびデータライン19(図1参照)のそれぞれの端部が露出した端子群26が設けられている。端子群26は、アレイ基板12の辺に沿って配列されている。ゲートライン18につながる端子群26と、データライン19につながる端子群26は、異なる辺に沿って配列されている。これらの端子群26は、フレキシブル基板32(図1参照)を介して、回路基板30(図1参照)と電気的に接続されている。   The array substrate 12 is provided with a terminal group 26 in which ends of the gate lines 18 (see FIG. 1) and the data lines 19 (see FIG. 1) are exposed. The terminal group 26 is arranged along the side of the array substrate 12. The terminal group 26 connected to the gate line 18 and the terminal group 26 connected to the data line 19 are arranged along different sides. These terminal groups 26 are electrically connected to the circuit board 30 (see FIG. 1) via the flexible board 32 (see FIG. 1).

図7は、本実施形態による防湿体の鍔部近傍の拡大断面図である。   FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the collar portion of the moisture-proof body according to the present embodiment.

防湿体15の鍔部50とアレイ基板12との間には、接着層40が介在している。接着層40は、鍔部50に沿って、アレイ基板12の表面のシンチレータ膜13が形成された領域の外側を取り囲む帯状に設けられている。したがって、鍔部50の少なくとも一部は、ゲートライン18(図1参照)あるいはデータライン19(図1参照)からアレイ基板12の外周に設けられた端子群26まで延びる配線29に保護膜28および接着層40を挟んで対向している。   An adhesive layer 40 is interposed between the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 and the array substrate 12. The adhesive layer 40 is provided in a band shape that surrounds the outside of the region where the scintillator film 13 is formed on the surface of the array substrate 12 along the flange 50. Therefore, at least a part of the flange 50 has a protective film 28 and a wiring 29 extending from the gate line 18 (see FIG. 1) or the data line 19 (see FIG. 1) to the terminal group 26 provided on the outer periphery of the array substrate 12. Opposite the adhesive layer 40.

接着層40の内縁、すなわち、アレイ基板12の表面のシンチレータ膜13が形成された領域に近い方の縁は、全周にわたって鍔部50の内縁よりも内側に位置している。接着層40は、加熱硬化型または紫外線硬化型のエポキシ系の接着剤で形成されている。   The inner edge of the adhesive layer 40, that is, the edge closer to the region where the scintillator film 13 is formed on the surface of the array substrate 12 is located inside the inner edge of the flange 50 over the entire circumference. The adhesive layer 40 is formed of a heat curable or ultraviolet curable epoxy adhesive.

防湿体15の外縁、すなわち鍔部50の斜面部52に対して反対側の辺には、バリ53が形成されている。このバリ53は、アレイ基板12から離れる方向に突出している。   A burr 53 is formed on the outer edge of the moisture-proof body 15, that is, on the side opposite to the slope portion 52 of the flange portion 50. The burr 53 protrudes in a direction away from the array substrate 12.

次に、本実施形態の放射線検出器の製造方法について説明する。   Next, the manufacturing method of the radiation detector of this embodiment is demonstrated.

まず、ガラス基板16の表面に、フォトダイオード21、薄膜トランジスタ22、ゲートライン18およびシグナルライン19などを形成して、アレイ基板12を得る。次に、このアレイ基板12上に、シンチレータ膜13および反射膜14を順次形成する。また、別途、防湿体15を製造する。   First, a photodiode 21, a thin film transistor 22, a gate line 18, a signal line 19 and the like are formed on the surface of the glass substrate 16 to obtain the array substrate 12. Next, a scintillator film 13 and a reflective film 14 are sequentially formed on the array substrate 12. Moreover, the moisture-proof body 15 is manufactured separately.

図8は、本実施形態による防湿体の製造過程の一部を示す断面図である。   FIG. 8 is a cross-sectional view showing a part of the manufacturing process of the moisture-proof body according to the present embodiment.

防湿体15は、たとえばAL合金箔のロール材から製造される。まず、このロール材を所定の長さに裁断する。これにより矩形の金属板73が得られる。この金属板73を第1面71側から第2面72側を押し込む方向にプレスして、天板部51および斜面部52を形成する。   The moisture-proof body 15 is manufactured from a roll material of AL alloy foil, for example. First, this roll material is cut into a predetermined length. Thereby, a rectangular metal plate 73 is obtained. The metal plate 73 is pressed in the direction in which the second surface 72 side is pushed in from the first surface 71 side to form the top plate portion 51 and the slope portion 52.

その後、鍔部50が所定の幅となるように金属板73を裁断する。この外形加工によって防湿体15が得られる。この外形加工には、第1の型81と第2の型82とを用いる。第1の型81は金属板73の第1面71に押し付けられ、第2の型82は金属板73の第2面72に押し付けられる。第1の型81には防湿体15の外形とほぼ同じ形状の穴74が形成されている。第2の型82の外形は、第1の型81に形成された穴74よりも若干小さい。外形加工の際には、第2の型82を第1の型81の穴74に押し込んで、金属板73を裁断する。つまり、金属板73は、切り取られる部分が鍔部50となる部分に対して、第1面71側から第2面72側に向かう方向に相対的に移動するようにしてせん断される。その結果、防湿体15の外縁には、第1面71側から第2面側に向かう方向に突出したバリが形成される。   Thereafter, the metal plate 73 is cut so that the flange portion 50 has a predetermined width. The moisture-proof body 15 is obtained by this outer shape processing. A first die 81 and a second die 82 are used for this outer shape processing. The first die 81 is pressed against the first surface 71 of the metal plate 73, and the second die 82 is pressed against the second surface 72 of the metal plate 73. The first die 81 has a hole 74 having substantially the same shape as the outer shape of the moisture-proof body 15. The outer shape of the second die 82 is slightly smaller than the hole 74 formed in the first die 81. In the outer shape processing, the second die 82 is pushed into the hole 74 of the first die 81, and the metal plate 73 is cut. That is, the metal plate 73 is sheared so as to move relatively in the direction from the first surface 71 side to the second surface 72 side with respect to the portion where the cut portion becomes the flange portion 50. As a result, a burr protruding in the direction from the first surface 71 side to the second surface side is formed on the outer edge of the moisture-proof body 15.

次に、防湿体15の窪んだ部分すなわち斜面部52および天板部51で囲まれる空間に、シンチレータ膜13および反射膜14が収納されるように、アレイ基板12と防湿体15とを接着する。   Next, the array substrate 12 and the moisture-proof body 15 are bonded so that the scintillator film 13 and the reflective film 14 are accommodated in the recessed portion of the moisture-proof body 15, that is, the space surrounded by the slope portion 52 and the top plate portion 51. .

防湿体15の鍔部50のアレイ基板12と対向する面、すなわち第1面72に紫外線硬化型の接着剤を塗布する。接着剤は、鍔部50の全周にわたって塗布される。次に、接着剤が塗布された防湿体15を減圧雰囲気下でアレイ基板12に押し付けて両者を圧着する。この圧着の際の雰囲気は、たとえば0.1気圧程度の減圧雰囲気である。   An ultraviolet curable adhesive is applied to the surface of the flange portion 50 of the moisture-proof body 15 facing the array substrate 12, that is, the first surface 72. The adhesive is applied over the entire circumference of the flange 50. Next, the moisture-proof body 15 to which the adhesive is applied is pressed against the array substrate 12 in a reduced-pressure atmosphere, and both are pressure-bonded. The atmosphere during the pressure bonding is a reduced pressure atmosphere of about 0.1 atm, for example.

この際、鍔部50の第1面71側がアレイ基板12と対向するように配置される。防湿体15の外縁に形成されたバリ53は、鍔部50の端縁の第1面71側から第2面72側に向かって突出している。このため、バリ53は、アレイ基板12から離れる方向に突出していることになる。   At this time, the first surface 71 side of the flange portion 50 is disposed so as to face the array substrate 12. The burr 53 formed on the outer edge of the moisture-proof body 15 protrudes from the first surface 71 side to the second surface 72 side of the end edge of the flange portion 50. For this reason, the burr 53 protrudes in a direction away from the array substrate 12.

このようにして、防湿構造を形成することによって、放射線検出器11が完成する。この放射線検出器11のゲートライン18、データライン19の各端子群26にTAB接続により配線を繋いで、アンプ以降の回路に接続し、さらに筐体に組み込んで放射線検出装置10が完成する。   In this manner, the radiation detector 11 is completed by forming the moisture-proof structure. A wiring is connected to each terminal group 26 of the gate line 18 and the data line 19 of the radiation detector 11 by TAB connection, connected to a circuit after the amplifier, and further incorporated into a housing to complete the radiation detection apparatus 10.

図9は、接着層側に向かって突出したバリが形成された防湿体を用いた放射線検出器の鍔部近傍の拡大断面図である。   FIG. 9 is an enlarged cross-sectional view of the vicinity of the buttocks of the radiation detector using the moisture-proof body in which burrs protruding toward the adhesive layer side are formed.

接着層40側に向かって突出したバリ83が形成された防湿体80を用いた場合、バリ83が接着層40およびアレイ基板12上に形成される配線保護膜(絶縁膜)を突き破る可能性がある。つまり、金属製の防湿体80のバリとアレイ基板12上の金属配線とが電気的に短絡する危険が生じる。また、防湿体80の圧着時に変形したバリ83が元の形状に戻ろうとスプリングバックし、その結果、接着層40が破壊する可能性もある。このように、AL合金箔をハット状に加工する際に生じるバリ83が、接着層40側に生じている場合、電気的短絡と接着層破壊といった致命的な不良が発生してしまう可能性が高い。   When the moisture-proof body 80 formed with the burr 83 protruding toward the adhesive layer 40 is used, the burr 83 may break through the wiring protective film (insulating film) formed on the adhesive layer 40 and the array substrate 12. is there. That is, there is a risk that the burrs of the metal moisture barrier 80 and the metal wiring on the array substrate 12 are electrically short-circuited. Further, the burr 83 deformed when the moisture-proof body 80 is pressure-bonded springs back to return to its original shape, and as a result, the adhesive layer 40 may be broken. As described above, when the burr 83 generated when the AL alloy foil is processed into a hat shape is generated on the adhesive layer 40 side, a fatal defect such as an electrical short-circuit and destruction of the adhesive layer may occur. high.

そこで、防湿体の作製段階で、バリ取りを行ってこれらの不良の発生を抑制する方法が考えられる。バリ取りの方法としては、潰す・削るといった機械的除去法と、化学研磨、電解研磨による除去方法がある。この場合、バリ取りによる工数増加というデメリットに加え、削りカスや研磨薬液によるALハットの汚染も懸念される。   Therefore, a method of suppressing the occurrence of these defects by deburring at the manufacturing stage of the moisture-proof body is conceivable. As a deburring method, there are a mechanical removal method such as crushing and scraping, and a removal method by chemical polishing and electrolytic polishing. In this case, in addition to the demerit of increased man-hours due to deburring, there is a concern about contamination of the AL hat with scraps and abrasive chemicals.

しかし、本実施形態によれば、AL合金箔をハット状に加工する際に発生するバリ53の方向を、接着層40と反対側になるように管理する。その結果、防湿体15の外縁には、接着層40およびアレイ基板12に対して逆側にバリが生じた構造となる。この構造では、バリ53と基板金属配線の電気的短絡は発生せず、また、バリ部のスプリングバックによる応力が接着層を剥がす方向には働かないため接着層破壊も発生しない。よって、バリ取り工程を増やす事なく、バリ53により発生しうる不良を回避することができる。   However, according to the present embodiment, the direction of the burr 53 generated when the AL alloy foil is processed into a hat shape is managed so as to be opposite to the adhesive layer 40. As a result, the outer edge of the moisture-proof body 15 has a structure in which burrs are generated on the opposite side of the adhesive layer 40 and the array substrate 12. In this structure, an electrical short circuit between the burr 53 and the substrate metal wiring does not occur, and the stress due to the spring back of the burr portion does not work in the direction of peeling off the adhesive layer, so that the adhesive layer does not break. Therefore, defects that may occur due to the burr 53 can be avoided without increasing the deburring process.

以上のように、高い防湿性能を有するハット形状の金属箔あるいは金属板で形成された防湿体15の外縁に生じるバリ53の方向を接着層40と逆側になるように管理することで、バリ53が接着層40に対して逆側に形成された構造となる。このため、アレイ基板12の金属配線との電気的短絡や接着剤圧着後のバリ53のスプリングバックによる接着層破壊といった欠陥発生を防止することができる。その結果、電気的・強度的に安定した、信頼性の高い防湿構造を備えた放射線検出器11が得られる。   As described above, by managing the direction of the burr 53 generated on the outer edge of the moisture-proof body 15 formed of a hat-shaped metal foil or metal plate having high moisture-proof performance so as to be opposite to the adhesive layer 40, 53 has a structure formed on the opposite side to the adhesive layer 40. For this reason, it is possible to prevent the occurrence of defects such as an electrical short circuit with the metal wiring of the array substrate 12 and the destruction of the adhesive layer due to the spring back of the burr 53 after the adhesive is bonded. As a result, the radiation detector 11 having a highly reliable moisture-proof structure that is stable in terms of electrical and strength can be obtained.

また、防湿体15の材質はALやAL合金に限定されず、他の金属材料を用いた場合も同様である。ALあるいはAL合金箔材の場合には、金属材料としてはX線吸収係数が小さいため防湿体15内でのX線吸収ロスを抑える事ができる点でメリットが大きく、ハット状に加工する場合にも加工性に優れる。   Further, the material of the moisture-proof body 15 is not limited to AL or AL alloy, and the same applies when other metal materials are used. In the case of AL or AL alloy foil material, since the X-ray absorption coefficient is small as a metal material, there is a great merit in that the X-ray absorption loss in the moisture-proof body 15 can be suppressed. Is excellent in workability.

減圧雰囲気で防湿体15のアレイ基板12への接着を行うことは、飛行機輸送を想定した減圧下での機械的強度に優れた防湿構造を形成できる点でも有効である。減圧雰囲気下で封止した場合は、ALハットが外部大気圧で押されるため、接着層破壊のリスクは増大する。本実施形態によれば、バリのスプリングバックによる接着層破壊リスクをなくす事ができるため、減圧雰囲気下で封止した場合の、接着部信頼性向上にも繋がる。   Adhering the moisture-proof body 15 to the array substrate 12 in a reduced-pressure atmosphere is also effective in that a moisture-proof structure excellent in mechanical strength under reduced pressure assuming airplane transportation can be formed. When sealed in a reduced-pressure atmosphere, the risk of adhesive layer destruction increases because the AL hat is pushed at the external atmospheric pressure. According to the present embodiment, the risk of destruction of the adhesive layer due to the spring back of the burr can be eliminated, which leads to improvement in the reliability of the adhesive part when sealed in a reduced pressure atmosphere.

本実施形態において、防湿体15は、天板部51および斜面部52のプレス加工の後に、外形のせん断加工を行っているが、外形加工の後にプレス加工を行ってもよい。あるいは、たとえばロール材の両辺をそのまま外縁として用いる場合などには、外形のせん断加工をプレス加工の前および後に行うこととなってもよい。   In the present embodiment, the moisture-proof body 15 performs the outer shape shearing process after the top plate part 51 and the inclined surface part 52 are pressed, but may be subjected to the pressing process after the outer shape process. Alternatively, for example, when both sides of the roll material are used as outer edges as they are, the outer shape may be subjected to shearing before and after pressing.

本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although one embodiment of the present invention has been described, this embodiment is presented as an example and is not intended to limit the scope of the invention. The novel embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. This embodiment and its modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

10…放射線検出装置、11…放射線検出器、12…アレイ基板、13…シンチレータ膜、14…反射膜、15…防湿体、16…ガラス基板、18…ゲートライン、19…データライン、20…画素、21…フォトダイオード、22…薄膜トランジスタ、26…端子群、27…蓄積キャパシタ、28…保護膜、30…回路基板、31…支持板、32…フレキシブル基板、33…積分アンプ、34…A/D変換器、35…行選択回路、36…画像合成回路、38…並列/直列変換器、39…ゲートドライバー、40…接着層、50…鍔部、51…天板部、52…斜面部、53…バリ、71…第1面、72…第2面、73…金属板、80…防湿体、83…バリ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Radiation detection apparatus, 11 ... Radiation detector, 12 ... Array substrate, 13 ... Scintillator film, 14 ... Reflection film, 15 ... Moisture-proof body, 16 ... Glass substrate, 18 ... Gate line, 19 ... Data line, 20 ... Pixel 21 ... Photodiode, 22 ... Thin film transistor, 26 ... Terminal group, 27 ... Storage capacitor, 28 ... Protective film, 30 ... Circuit substrate, 31 ... Support plate, 32 ... Flexible substrate, 33 ... Integral amplifier, 34 ... A / D Converter: 35 ... Row selection circuit, 36 ... Image composition circuit, 38 ... Parallel / serial converter, 39 ... Gate driver, 40 ... Adhesive layer, 50 ... Gutter part, 51 ... Top plate part, 52 ... Slope part, 53 ... Burr, 71 ... First surface, 72 ... Second surface, 73 ... Metal plate, 80 ... Dampproof body, 83 ... Burr

Claims (2)

蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板と、
前記アレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように設けられて放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜と、
ハット形状の金属箔又は薄板からなり、外縁に前記アレイ基板から離れる方向に突出した突起が形成されて前記シンチレータ膜を包囲する防湿体と、
前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着する接着層と、
を具備することを特徴とする放射線検出器。
An array substrate provided with a photoelectric conversion element layer in which photoelectric conversion elements for converting fluorescence into an electrical signal are arranged;
A scintillator film that is provided on the surface of the array substrate so as to cover the photoelectric conversion element layer and converts radiation into fluorescence;
A moisture-proof body made of a hat-shaped metal foil or a thin plate, and a protrusion protruding in a direction away from the array substrate on the outer edge to surround the scintillator film;
An adhesive layer for bonding the outer periphery of the moisture-proof body and the array substrate;
A radiation detector comprising:
蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が配列された光電変換素子層を設けたアレイ基板の表面に前記光電変換素子層を覆うように放射線を蛍光に変換するシンチレータ膜を設ける工程と、
第1面および第2面を持つ金属板の一部に前記シンチレータ膜よりも広くかつ前記シンチレータ膜の前記アレイ基板からの突出高さよりも深い前記第1面から前記第2面に向かって窪んだ窪み部を形成し、前記窪み部の外周に設けられた鍔部の外縁よりも外側をその内側に対して相対的に前記第1面から前記第2面に向かう方向に変位させるせん断加工で切断して防湿体を形成する工程と、
前記第1面が前記アレイ基板に対向し前記防湿体で前記シンチレータ膜を包囲するように前記防湿体の外周部と前記アレイ基板とを接着剤で接着する工程と、
を具備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。

A step of providing a scintillator film for converting radiation into fluorescence so as to cover the photoelectric conversion element layer on the surface of an array substrate provided with a photoelectric conversion element layer in which photoelectric conversion elements for converting fluorescence into electrical signals are arranged;
A part of the metal plate having the first surface and the second surface is recessed from the first surface toward the second surface, which is wider than the scintillator film and deeper than the protruding height of the scintillator film from the array substrate. A hollow portion is formed and cut by shearing to displace the outer side of the outer edge of the collar portion provided on the outer periphery of the hollow portion relative to the inner side in the direction from the first surface to the second surface. And forming a moisture barrier,
Bonding the outer periphery of the moisture-proof body and the array substrate with an adhesive so that the first surface faces the array substrate and surrounds the scintillator film with the moisture-proof body;
The manufacturing method of the radiation detector characterized by comprising.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP6523620B2 (en) * 2014-06-16 2019-06-05 キヤノン電子管デバイス株式会社 Radiation detector and method of manufacturing the same
JP6749038B2 (en) * 2016-04-07 2020-09-02 キヤノン電子管デバイス株式会社 Radiation detector and manufacturing method thereof
JP7504208B2 (en) * 2020-08-26 2024-06-21 京セラ株式会社 Radiation detection equipment

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU5878898A (en) * 1997-02-14 1998-09-08 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation detection device and method of producing the same
AU2001225490A1 (en) * 2000-01-13 2001-07-24 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image sensor and scintillator panel
JP4289913B2 (en) * 2003-03-12 2009-07-01 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus and manufacturing method thereof
JP2008014853A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Fujifilm Corp Radiation image conversion panel and method for manufacturing radiation image conversion panel
JP2013076576A (en) * 2011-09-29 2013-04-25 Toshiba Corp X-ray detection panel

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