JP5994410B2 - Protective element - Google Patents
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Description
本発明は、過電流が流れたときに、過電流の熱で経路を溶断し、後段に接続される素子等を保護する保護素子に関する。 The present invention relates to a protection element that protects an element or the like connected to a subsequent stage by fusing a path with heat of the overcurrent when an overcurrent flows.
一般的に、過電流から回路素子を保護するものとして、過電流による発熱で溶断し、通電経路を遮断するヒューズが知られている。特許文献1には、低融点金属を用いた溶断型のヒューズが開示されている。図5は、特許文献1に開示されているヒューズの構成を示す模式図である。
In general, a fuse that protects a circuit element from an overcurrent is known which is melted by heat generated by the overcurrent and interrupts an energization path.
特許文献1では、絶縁基板100上に膜抵抗101を形成し、膜抵抗101の二ヵ所を露出させて膜抵抗101上に絶縁層102を設けている。そして、二ヵ所の露出部分の一方にヒ−タ電極103を設け、他方に、ヒ−タ・ヒュ−ズ複合電極104を設けている。このヒ−タ・ヒュ−ズ複合電極104は、一部が絶縁層102上に延在している。また、膜抵抗101とは非導通の状態で二つのヒュ−ズ電極105a,105bをそれぞれ設け、ヒ−タ・ヒュ−ズ複合電極104の延在部分(ヒ−タ電極部104a)と、二つのヒュ−ズ電極105a,105bそれぞれとの間に低融点金属のヒュ−ズ106を接続している。そして、回路異常検出回路素子が回路異常を検出すると、膜抵抗101を通電発熱し、その発生熱でヒュ−ズ106を溶断している。
In
しかしながら、特許文献1の場合、ヒューズ106を溶断するために、回路異常検出回路素子を必要とするためコストの削減が難しく、さらに、絶縁層102等を設ける工程を必要とするため、製造工程数が増加するといったおそれがある。また、ヒータ電極を設けているため、ヒータ電極の面積分だけ大型化するため、小型化の障害となっている。
However, in the case of
そこで、本発明の目的は、電流経路を遮断させるためのヒータ等の素子を別途必要とせず、安価かつ小型の保護素子を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an inexpensive and small protective element without requiring a separate element such as a heater for interrupting the current path.
本発明に係る保護素子は、絶縁体基板と、前記絶縁体基板の表面において互いに非接続に形成されている第1の導電パターン、第2の導電パターン、および第3の導電パターンと、前記第1の導電パターンと第2の導電パターンとの間を導通させていて、所定温度で溶融する第1の経路用金属と、前記第1の経路用金属と前記第3の導電パターンとの間を導通させていて、所定温度で溶融する第2の経路用金属と、を備える。 The protection element according to the present invention includes an insulator substrate, a first conductive pattern, a second conductive pattern, and a third conductive pattern that are formed in a non-connected manner on the surface of the insulator substrate, A conductive path between the first conductive pattern and the second conductive pattern, the first path metal being melted at a predetermined temperature, and the first path metal and the third conductive pattern. A second path metal that is electrically conductive and melts at a predetermined temperature.
この構成では、第1の導電パターンと第2の導電パターンとの間を導通させている第1の経路用金属に過電流が流れた場合、温度が上昇し第1の経路用金属が溶融する。また、第1の経路用金属と第3の導電パターンとの間を導通させている第2の経路用金属に過電流が流れた場合、温度が上昇し第2の経路用金属が溶融する。第1の経路用金属と第2の経路用金属とのうち、一方が溶融すると、熱伝導によって他方も溶融する。このように経路用金属が溶融すると、表面張力によって経路用金属が分断されることになる。したがって、本発明に係る保護素子は、第1の経路用金属が構成する電流経路と第2の経路用金属が構成する電流経路とのうちの一方の電流量を制御することにより、二つの電流経路を共に遮断させることができる。即ち、ヒータ等の素子を別途必要とせずに、二つの電流経路の遮断を制御することができ、保護素子の小型化と低廉化とが可能になる。 In this configuration, when an overcurrent flows through the first path metal that conducts between the first conductive pattern and the second conductive pattern, the temperature rises and the first path metal melts. . In addition, when an overcurrent flows through the second path metal that conducts between the first path metal and the third conductive pattern, the temperature rises and the second path metal melts. When one of the first path metal and the second path metal is melted, the other is also melted by heat conduction. When the path metal is thus melted, the path metal is divided by the surface tension. Therefore, the protection element according to the present invention controls two currents by controlling the amount of current in one of the current path formed by the first path metal and the current path formed by the second path metal. Both paths can be blocked. That is, the interruption of the two current paths can be controlled without requiring an element such as a heater, and the protection element can be reduced in size and cost.
本発明に係る保護素子において、前記第2の経路用金属は、前記第1の経路用金属より幅が細く形成されている構成でもよい。 In the protection element according to the present invention, the second path metal may have a narrower width than the first path metal.
この構成では、第1の経路用金属の溶融温度と第2の経路用金属の溶融温度とが同じであれば、第2の経路用金属が第1の経路用金属より幅が細いため、第2の経路用金属が第1の経路用金属よりも高抵抗になる。したがって、第1の経路用金属と第2の経路用金属とで、電流経路が遮断される電流値を異ならせることができる。即ち、第2の経路用金属を低い電流値で溶融させることができる。 In this configuration, if the melting temperature of the first path metal is the same as the melting temperature of the second path metal, the second path metal is narrower than the first path metal. The second path metal has a higher resistance than the first path metal. Therefore, the current value at which the current path is blocked can be made different between the first path metal and the second path metal. That is, the second path metal can be melted at a low current value.
本発明に係る保護素子において、前記第2の経路用金属の溶融温度が前記第1の経路用金属の溶融温度よりも高温であってもよい。 In the protection element according to the present invention, the melting temperature of the second path metal may be higher than the melting temperature of the first path metal.
この構成では、第2の経路用金属の溶融温度が第1の経路用金属の溶融温度よりも高いため、第1の経路用金属が溶融する前に第2の経路用金属が先に溶融することを防ぎ、第2の経路用金属を溶融させる際に、第1の経路用金属を確実に溶融させることができる。 In this configuration, since the melting temperature of the second path metal is higher than the melting temperature of the first path metal, the second path metal is melted first before the first path metal is melted. This can be prevented, and when the second path metal is melted, the first path metal can be reliably melted.
本発明に係る保護素子において、前記第1の経路用金属および前記第2の経路用金属は、前記絶縁体基板の表面の法線方向から見て、T字状に構成されていると好ましい。 In the protection element according to the present invention, it is preferable that the first path metal and the second path metal are configured in a T shape when viewed from the normal direction of the surface of the insulator substrate.
この構成では、第2の経路用金属の長さを短くすることができるためコストダウンを実現でき、かつ、パターン形成を容易にすることができる。 In this configuration, the length of the second path metal can be shortened, so that cost reduction can be realized and pattern formation can be facilitated.
本発明に係る保護素子において、前記第1の経路用金属および前記第2の経路用金属を前記絶縁体基板に封止する封止手段を、さらに備える構成でもよい。 The protection element according to the present invention may be configured to further include sealing means for sealing the first path metal and the second path metal to the insulator substrate.
この構成では、第1の経路用金属および第2の経路用金属などが封止されるため、時間の経過に伴う酸化等の劣化を少なくでき、保護の信頼性が低下させないようにできる。 In this configuration, since the first path metal, the second path metal, and the like are sealed, deterioration such as oxidation over time can be reduced, and the reliability of protection can be prevented from being lowered.
本発明によれば、第1の経路用金属が構成する電流経路と第2の経路用金属が構成する電流経路とのうちの一方の電流量を制御することにより、二つの電流経路を共に遮断させることができる。即ち、ヒータ等の素子を別途必要とせずに、二つの電流経路の遮断を制御することができ、保護素子の小型化と低廉化とが可能になる。 According to the present invention, both current paths are cut off by controlling the amount of current in one of the current path formed by the first path metal and the current path formed by the second path metal. Can be made. That is, the interruption of the two current paths can be controlled without requiring an element such as a heater, and the protection element can be reduced in size and cost.
≪第1の実施形態≫
図1は、第1の実施形態に係る保護素子の概略図である。図1(A)は上面視図であり、図1(B)は、図1(A)中に示すI−I線における断面図であり、図1(C)は、図1(A)中に示すII−II線における断面図である。なお、説明の都合上、図1(A)において、半田合金(第1の経路用金属)15および半田合金(第2の経路用金属)16を透過し、点線で示している。
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is a schematic diagram of a protection element according to the first embodiment. 1A is a top view, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line I-I shown in FIG. 1A, and FIG. 1C is in FIG. It is sectional drawing in the II-II line shown in FIG. For convenience of explanation, in FIG. 1A, the solder alloy (first path metal) 15 and the solder alloy (second path metal) 16 are transmitted and shown by dotted lines.
本実施形態に係る保護素子1は、ガラス布基材エポキシ樹脂からなるプリント基板(絶縁体基板)10を備えている。プリント基板10は、上面視して長辺および短辺からなる長方形状の表裏面を有する直方体形であって、その表面には、例えば薄い銅箔からなる三つの導電性の配線パターン(第1の導電パターン)11、配線パターン(第2の導電パターン)12および配線パターン(第3の導電パターン)13が形成されている。
The
配線パターン11,12は、何れも上面視して長辺および短辺からなる長方形状を有し、長辺がプリント基板10の短辺と平行となり、かつ、プリント基板10の長手方向に沿って直線上に位置している。さらに、配線パターン11,12は、プリント基板10の長辺中央で長辺と直交する線分を中心として線対称に位置している。
Each of the
プリント基板10には、配線パターン11と配線パターン12との間を導通させる半田合金15が形成されている。半田合金15は、配線パターン11,12の長辺と同じ長さの幅を有し、プリント基板10の長辺に平行な直線状の電流経路(以下、第1の電流経路という)を構成している。この半田合金15は、リフロー時に溶融せず、所定温度で溶融する低融点金属から形成されている。
On the printed
配線パターン13は、上面視して、配線パターン11,12と相似形状であって、配線パターン11,12より小さく形成されている。配線パターン13は、長辺がプリント基板10の長辺と平行となり、かつ、配線パターン11,12間の略中央であって、半田合金15から外れた位置に形成されている。プリント基板10には、配線パターン13と半田合金15との間を導通させる半田合金16が形成されている。
The
半田合金16は、半田合金15と同様の低融点金属から形成されている。半田合金16は、上面視において、半田合金15ととともに一体のT字状の部材を構成するよう、略垂直に半田合金15に接続している。すなわち、半田合金15,16は、配線パターン13と配線パターン11,12とを接続する電流経路(以下、第2の電流経路という)を構成している。また、半田合金16は、配線パターン13の長辺と同じ長さの幅を有している。すなわち、半田合金15より細い幅を有している。
The
プリント基板10の表面への半田合金15,16の形成方法としては、プリント基板10の表面に半田ペーストを塗布し、その上に半田合金15,16を実装する。そして、半田合金15,16は溶融しないが半田ペーストは溶融する温度でリフローする。その後、フラックス洗浄液にて70℃/10min洗浄を実施し、フラックスを除去する。この半田合金15,16は、別々に形成されていてもよい。
As a method of forming the
なお、図1では省略しているが、実装された半田合金15の表面には液状のフラックスが印刷にて塗布されている。
Although omitted in FIG. 1, a liquid flux is applied to the surface of the mounted
上述のように、配線パターン11,12,13および半田合金15,16が表面に形成されたプリント基板10は、金属製または樹脂製のケース20に収容されている。プリント基板10とケース20とは、例えば接着剤で固定される。ケース20内にプリント基板10を収容することで、半田合金15の表面に塗布したフラックスに異物が付着することを防止することができる。
As described above, the printed
また、配線パターン11,12,13および半田合金15,16が表面に形成されたプリント基板10は、樹脂封止されていることが好ましい。この場合、配線パターン11,12,13および半田合金15,16が樹脂に埋設されるため、時間の経過に伴う酸化等の劣化を少なくでき、保護の信頼性が低下させないようにできる。
The printed
以上のように構成された保護素子1は、例えば、素子などが実装された回路基板等に半田実装し、回路基板上の配線パターンが、配線パターン11,12,13へ接続される。半田合金15,16に一定以上の過電流が流れると、半田合金15,16は自己発熱し、溶融するため第1の電流経路および第2の電流経路が遮断されることとなる。
The
図2は半田合金15,16が溶融した場合の保護素子1を示す模式図である。第1の実施形態では、半田合金15,16は同じ溶融温度の材質からなり、経路幅が細い半田合金16は、半田合金15より高い抵抗率となる。したがって、半田合金16への通電を制御して半田合金16を自己発熱させて溶融させると、半田合金16が半田合金15よりも先に溶融することになる。そして、半田合金16の発熱が半田合金15に伝熱されて、半田合金15も溶融することになる。溶融した半田合金16および半田合金15は、配線パターン11,12,13それぞれに濡れた状態で、表面張力によって球状化しようとするため、配線パターン11,12,13それぞれの近傍に半田合金15,16は分断され、金属塊15A,15B,16Aが形成される。これにより、第1の電流経路および第2の電流経路が遮断される。
FIG. 2 is a schematic diagram showing the
このように、保護素子1は、ヒータ等を必要とせず、第2の電流経路の通電を制御することにより、第1の電流経路を遮断することができる。したがって、ヒータ等を設ける場合よりも小型化と低廉化とが可能となる。
Thus, the
≪第2の実施形態≫
図3は、第2の実施形態に係る保護素子の上面視した概略図である。第2の実施形態に係る保護素子21は、第1の実施形態と同様に、表面に配線パターン31,32,33が形成されたプリント基板30を備えている。また、プリント基板30の表面には、第1の実施形態とは異なり、導電性の配線パターン(第4の導電パターン)34がさらに形成されている。
<< Second Embodiment >>
FIG. 3 is a schematic view of the protective element according to the second embodiment viewed from above. The
配線パターン34は、上面視して長辺及び短辺からなる長方形状であって、長辺が配線パターン31,32の長辺と同じ長さを有し、短辺が配線パターン33の長辺より長くなっている。配線パターン34は、配線パターン31,32間の略中央に位置し、長辺が配線パターン31,32の長辺と対向し、短辺が配線パターン33の長辺と対向している。このとき、配線パターン34は、配線パターン31,32よりも配線パターン33側に突出するように形成されている。
The
プリント基板30には、配線パターン31,34,32を導通する直線状の半田合金35が形成されている。半田合金35は、配線パターン31,32の長辺と同じ長さの幅を有し、プリント基板30の長辺に沿って平行な直線状の電流経路である。半田合金35は、配線パターン31,34間の電流経路(以下、第3の電流経路という)、および配線パターン32,34間の電流経路(以下、第4の電流経路という)を形成している。この半田合金35は、リフロー時に溶融せず、温度T1で溶融する低融点金属から形成されている。
The printed
また、プリント基板30には、配線パターン33,34を導通する直線状の半田合金36が形成されている。半田合金36は、上面視において、半田合金35と一体のT字状の部材として構成されている。この半田合金36は、配線パターン33と配線パターン34とを接続する電流経路(以下、第5の電流経路という)となる。また、半田合金36は、配線パターン33の長辺と同じ長さの幅を有している。すなわち、半田合金36は、半田合金35より細い幅を有している。半田合金36は、リフロー時に溶融せず、温度T2(>T1)で溶融する低融点金属から形成されている。
The printed
なお、半田合金36は半田合金35より幅が細いとしているが、半田合金35,36は、過電流が流れた場合に、半田合金35が半田合金36より先に溶融するようそれぞれの幅が調整されている。
Although the
半田合金35,36の形成方法は、第1の実施形態と同様である。また、半田合金35,36は、表面に液状のフラックスが印刷により塗布されている。さらに、第2の実施形態に係る保護素子21は、図示しないが、第1の実施形態と同様に、金属製または樹脂製のケースに収容されている。
The formation method of the
以上のように構成された保護素子21は、第1の実施形態と同様、例えば回路基板等に半田実装し、回路基板上の配線パターンが、配線パターン31,32,33,34へ接続される。半田合金35,36に一定以上の過電流が流れると、半田合金35,36は自己発熱し、溶融するため配線パターン31,32,33,34間の電流経路が遮断されることとなる。
The
図4は半田合金35,36が溶融した場合の保護素子21を示す模式図である。第2の実施形態では、過電流が流れた場合に、半田合金36からの伝熱により半田合金35が、半田合金36よりも先に溶融して金属塊35A,35Bが形成される。このように、半田合金35が半田合金36よりも先に溶融することで、半田合金35が溶融せずに、第3の電流経路および第4の電流経路が遮断されなくなるおそれを軽減することができる。また、第3の電流経路および第4の電流経路が遮断されても、第5の電流経路が残ることで、必要な電流経路(第5の電流経路)を残しつつ、他の経路(第3の電流経路および第4の電流経路)を確実に遮断させることができる配線設計が可能となる。
FIG. 4 is a schematic diagram showing the
なお、保護素子の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。 It should be noted that the specific configuration and the like of the protection element can be appropriately changed in design, and the actions and effects described in the above-described embodiments are merely a list of the most preferable actions and effects that arise from the present invention, and the present invention. The functions and effects of are not limited to those described in the above-described embodiments.
1,21…保護素子
10,30…プリント基板
11,12,13,31,32,33,34…配線パターン
15,16,35,36…半田合金
15A,15B,16A,35A,35B…金属塊
20…ケース
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記絶縁体基板の表面において互いに非接続に形成されている第1の導電パターン、第2の導電パターン、および、第3の導電パターンと、
前記第1の導電パターンと前記第2の導電パターンとの間を導通させていて、流れる電流によって発熱し所定温度で溶融する第1の経路用金属と、
前記第3の導電パターンと前記第1の経路用金属との間を導通させていて、流れる電流によって発熱し所定温度で溶融する第2の経路用金属と、
を備え、
前記第1の経路用金属と前記第2の経路用金属とは一体に形成されていることを特徴とする保護素子。 An insulator substrate;
A first conductive pattern, a second conductive pattern, and a third conductive pattern formed in a non-connected manner on the surface of the insulator substrate;
A first path metal which is electrically connected between the first conductive pattern and the second conductive pattern and generates heat by a flowing current and melts at a predetermined temperature;
A second path metal that is electrically connected between the third conductive pattern and the first path metal and that generates heat by a flowing current and melts at a predetermined temperature;
Equipped with a,
The protective element according to claim 1, wherein the first path metal and the second path metal are integrally formed .
ことを特徴とする請求項1に記載の保護素子。 The second path metal is formed to be narrower than the first path metal.
The protective element according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の保護素子。 The melting temperature of the second path metal is higher than the melting temperature of the first path metal;
The protective element according to claim 1 or claim 2, wherein
前記絶縁体基板の表面の法線方向から見て、T字状を形成している、
ことを特徴とする請求項1から3の何れか一つに記載の保護素子。 The first path metal and the second path metal are:
A T-shape is formed when viewed from the normal direction of the surface of the insulator substrate.
The protective element according to any one of claims 1 to 3, wherein
ことを特徴とする請求項1から4の何れか一つに記載の保護素子。 A sealing means for sealing the first path metal and the second path metal to the insulator substrate;
The protective element according to any one of claims 1 to 4, wherein
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