JP5981197B2 - Ion generator - Google Patents
Ion generator Download PDFInfo
- Publication number
- JP5981197B2 JP5981197B2 JP2012084688A JP2012084688A JP5981197B2 JP 5981197 B2 JP5981197 B2 JP 5981197B2 JP 2012084688 A JP2012084688 A JP 2012084688A JP 2012084688 A JP2012084688 A JP 2012084688A JP 5981197 B2 JP5981197 B2 JP 5981197B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- ion generator
- ion
- fine particle
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Disinfection, Sterilisation Or Deodorisation Of Air (AREA)
Description
本発明は、正イオン及び負イオンを発生させるイオン発生装置に関する。 The present invention relates to an ion generator that generates positive ions and negative ions.
近年、空気中に浮遊するカビ菌又はウィルスの分解などを行なうために、正イオン及び負イオンを発生させるイオン発生装置が使用されている。 In recent years, ion generators that generate positive ions and negative ions have been used to decompose fungi or viruses floating in the air.
従来のイオン発生装置を図13に示す。従来のイオン発生装置5では、正イオン又は負イオンを放出するために形成された各々の流路の途中に、負イオンを発生させるイオン発生器15及び正イオンを発生させるイオン発生器30が各々配設されている。そして、発生させた正イオン及び負イオンを各々の流路の放出口から外部空間に放出させている。ここで、イオン発生器15及びイオン発生器30は、放電電極間に高圧の放電電圧を印加しコロナ放電を発生させることによって、正イオン及び負イオンを発生させている。また、略同量程度の負イオン及び正イオンが放出されるように、放電電極間に印加する放電電圧の調整等がなされている。 A conventional ion generator is shown in FIG. In the conventional ion generator 5, the ion generator 15 for generating negative ions and the ion generator 30 for generating positive ions are respectively provided in the respective flow paths formed for releasing positive ions or negative ions. It is arranged. Then, the generated positive ions and negative ions are discharged from the discharge ports of the respective flow paths to the external space. Here, the ion generator 15 and the ion generator 30 generate positive ions and negative ions by applying a high-voltage discharge voltage between the discharge electrodes to generate corona discharge. Further, the discharge voltage applied between the discharge electrodes is adjusted so that approximately the same amount of negative ions and positive ions are released.
ここで、イオン発生装置5で放出される正イオン及び負イオンは、空気中の分子(以後「空気分子」と呼称する)が放電現象によりイオン化することで生成したものである。つまり、イオン発生装置5で生成される正イオン及び負イオンは、例えば、水素イオン(H+)又は酸素イオン(02 −)の周囲に複数の水分子が付随した形態、所謂クラスタイオンの形態を成している。そして、このような形態の正イオン及び負イオンを空気中に放出することによって、正イオン及び負イオンは浮遊粒子に凝集して化学反応し、浮遊細菌を殺菌するとされる。 Here, positive ions and negative ions released from the ion generator 5 are generated by ionization of molecules in the air (hereinafter referred to as “air molecules”) due to a discharge phenomenon. That is, positive ions and negative ions generated by the ion generator 5 are, for example, a form in which a plurality of water molecules are attached around a hydrogen ion (H + ) or an oxygen ion (0 2 − ), that is, a so-called cluster ion form. Is made. Then, by releasing positive ions and negative ions in such a form into the air, the positive ions and negative ions are aggregated into the floating particles and chemically reacted to sterilize the floating bacteria.
一方、特許文献1、2には、FED(Field Emision Display)等の分野で応用され得る電子放出素子が開示されている。 On the other hand, Patent Documents 1 and 2 disclose electron-emitting devices that can be applied in fields such as FED (Field Emission Display).
図16に示されるように、特許文献1の電子放出素子100では、電極基板102と薄膜電極103の間に、絶縁体の微粒子105及び金属微粒子106を含む微粒子層104を備えている。そして、電極基板102と薄膜電極103の間に電圧を印加することによって、薄膜電極103から電子を放出させる。 As shown in FIG. 16, the electron-emitting device 100 of Patent Document 1 includes a fine particle layer 104 including fine particles 105 of insulating material and fine metal particles 106 between an electrode substrate 102 and a thin film electrode 103. Electrons are emitted from the thin film electrode 103 by applying a voltage between the electrode substrate 102 and the thin film electrode 103.
また、図17に示されるように、特許文献2の電子放出素子200では、上層に開口部を有する絶縁層205が形成された第1電極202と第2電極204の間に、絶縁性微粒子及び導電性微粒子で構成された微粒子層203を備えている。そして、第1電極202と第2電極204の間に電圧を印加することによって、第2電極204から電子を放出させる。 As shown in FIG. 17, in the electron-emitting device 200 of Patent Document 2, insulating fine particles and the second electrode 204 are formed between the first electrode 202 and the second electrode 204 in which the insulating layer 205 having an opening is formed in the upper layer. A fine particle layer 203 composed of conductive fine particles is provided. Then, by applying a voltage between the first electrode 202 and the second electrode 204, electrons are emitted from the second electrode 204.
図13に示される従来のイオン発生装置5のように、コロナ放電方式のイオン発生器を用いて放出されるイオンは、化学的に不安定な状態になっている。つまり、該装置で放出されるイオンは比較的短時間で消滅してしまい、浮遊細菌を殺菌する効果が持続しないという課題があった。 Like the conventional ion generator 5 shown in FIG. 13, the ion discharge | released using the ion generator of a corona discharge system is in a chemically unstable state. That is, there is a problem that ions released by the apparatus disappear in a relatively short time and the effect of sterilizing the floating bacteria is not maintained.
つまり、従来のイオン発生装置5では、負にバイアスされた針電極先端部近傍の電界集中による微小空間が強電界となることにより当該領域中の空気分子が電離し電子が放出され、強電界により加速されて大きなエネルギを持った電子が生じる。そして、該電子が他の空気分子に衝突することで、空気分子を新たに電離させる。或いは空気分子間の結合を解離する。或いは空気分子に付着する。そして、このような反応が繰り返されることによって負イオンが生成されるものと考えられる。 That is, in the conventional ion generator 5, the minute space due to the electric field concentration near the tip of the negatively biased needle electrode becomes a strong electric field, whereby the air molecules in the region are ionized and electrons are emitted. Accelerated electrons are generated with large energy. Then, when the electrons collide with other air molecules, the air molecules are newly ionized. Alternatively, bonds between air molecules are dissociated. Or it adheres to air molecules. And it is thought that a negative ion is produced | generated by repeating such reaction.
このことから、従来のイオン発生装置5で生成される負イオンには、O−、O2 −、O3 −、NO2 −又はNO3 −等の様々な成分の負イオンが含有しているもの推察される。そして、O2 −は化学的に比較的安定しているが、O−及びO3 −は大気中に浮遊する物質、或いは室内の壁面又は床面等の固定物表面と反応し易い。このため、コロナ放電によって生成される負イオンは、比較的短時間で消滅してしまうのではないかと考えている。 From this, the negative ions generated by the conventional ion generator 5 contain negative ions of various components such as O − , O 2 − , O 3 − , NO 2 − or NO 3 − . Inferred. O 2 − is chemically relatively stable, but O − and O 3 − are liable to react with a substance floating in the atmosphere or the surface of a fixed object such as an indoor wall surface or floor surface. For this reason, it is thought that the negative ion produced | generated by corona discharge will be extinguished in a comparatively short time.
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、イオンの放出を停止した後もイオンによる殺菌効果を長く持続させるイオン発生装置を提供することにある。 This invention is made | formed in view of such a subject, The objective is to provide the ion generator which continues the bactericidal effect by ion after stopping discharge | release of ion.
本発明のイオン発生装置は、負イオンを発生させる第1イオン発生部と、正イオンを発生させる第2イオン発生部と、を有するイオン発生装置であって、前記第1イオン発生部で発生させた前記負イオンを搬送する流路と、前記第2イオン発生部で発生させた前記正イオンを搬送する流路とが別々に設けられ、前記第1イオン発生部は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に絶縁性微粒子及びバインダ成分を含んで形成される微粒子層とからなり、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧を印加することで電子を放出する電子放出素子を有し、前記電子放出素子は、前記第1電極と前記微粒子層の間に、厚み方向に貫通した開口部を複数有する絶縁層が形成されていることを特徴とする。 An ion generator according to the present invention is an ion generator having a first ion generator that generates negative ions and a second ion generator that generates positive ions, and the first ion generator generates the ions. In addition, a flow path for transporting the negative ions and a flow path for transporting the positive ions generated by the second ion generation section are provided separately, and the first ion generation section includes a first electrode, 2 electrodes, and a fine particle layer including insulating fine particles and a binder component between the first electrode and the second electrode, and a voltage is applied between the first electrode and the second electrode. have a electron-emitting device which emits electrons by the electron-emitting device, between the particle layer and the first electrode, the Rukoto insulating layer having a plurality of openings penetrating in the thickness direction is formed Features.
好ましくは、前記開口部は、前記第1電極の基板上に所定の間隔で格子状に配置されていることを特徴とする。 Preferably, the openings are arranged in a grid pattern at predetermined intervals on the substrate of the first electrode .
また好ましくは、絶縁性微粒子は、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン又は酸化銅の少なくとも1つを含んでいることを特徴とする。 Preferably, the insulating fine particles include at least one of silicon oxide, zinc oxide, aluminum oxide, titanium oxide, or copper oxide.
また好ましくは、微粒子層は、絶縁性微粒子より小さな粒径の導電性微粒子を含むことを特徴とする。 Preferably, the fine particle layer includes conductive fine particles having a smaller particle diameter than the insulating fine particles.
さらに好ましくは、導電性微粒子は、金、銀、白金、パラジウム、タングステン又はニッケルの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする。 More preferably, the conductive fine particles include at least one of gold, silver, platinum, palladium, tungsten, or nickel.
また好ましくは、第1電極と第2電極の間に、第1電極に対して第2電極が正側になる直流成分を含む電圧を印加することを特徴とする。 Preferably, a voltage including a direct current component that makes the second electrode a positive side with respect to the first electrode is applied between the first electrode and the second electrode.
またさらに好ましくは、第1電極と第2電極の間に、パルス状電圧を印加することを特徴とする。 More preferably, a pulse voltage is applied between the first electrode and the second electrode.
本発明に係るイオン発生装置によれば、イオンの放出を停止した後もイオンによる殺菌効果を長く持続させることができる。 According to the ion generator according to the present invention, the bactericidal effect by ions can be maintained for a long time even after the release of ions is stopped.
図1は、本発明の一実施形態であるイオン発生装置1の全体構成を示している。本図を用いて、該イオン発生装置1の構成について以下に説明する。 FIG. 1 shows an overall configuration of an ion generator 1 according to an embodiment of the present invention. The configuration of the ion generator 1 will be described below with reference to this drawing.
<イオン発生装置の全体構成>
イオン発生装置1は、内蔵されている電子放出素子が放出する電子によって負イオンを発生させる第1イオン発生部10と、該第1イオン発生部10に内蔵されている電子放出素子20の電極間に電圧を印加するための電源部50を有している。ここで、電子放出素子の電極間に印加する電圧は、電子放出量が安定するように、交流成分に直流成分を重畳した電圧を用いる方が望ましい。
<Overall configuration of ion generator>
The ion generator 1 includes a first ion generator 10 that generates negative ions by electrons emitted from a built-in electron emitter, and an electrode between the electrodes of the electron emitter 20 that is built in the first ion generator 10. Has a power supply unit 50 for applying a voltage. Here, as the voltage applied between the electrodes of the electron-emitting device, it is desirable to use a voltage in which a DC component is superimposed on an AC component so that the amount of electron emission is stabilized.
また、イオン発生装置1は、針電極31と対向電極32の間に高圧の電圧を印加することによりコロナ放電を発生させて正イオンを発生させる第2イオン発生部30と、該第2イオン発生部30の針電極31と対向電極32の間に高圧の電圧を印加するための電源部51を有している。そして、電源部50及び電源部51による電圧の印加を制御するためのイオン発生コントローラ60を有している。 The ion generator 1 also includes a second ion generator 30 that generates corona discharge by applying a high voltage between the needle electrode 31 and the counter electrode 32 to generate positive ions, and the second ion generation. A power supply unit 51 for applying a high voltage between the needle electrode 31 and the counter electrode 32 of the unit 30 is provided. And it has the ion generation controller 60 for controlling the application of the voltage by the power supply part 50 and the power supply part 51. FIG.
ここで、発生させた負イオンと正イオンが装置内で反応しないように、第1イオン発生部10で発生させた負イオンを搬送する流路と、第2イオン発生部30で発生させた正イオンの流路を搬送する流路とが、別々に設けられている。さらに、該イオン発生装置1は、発生させた負イオン及び正イオンとともに空気等の気体媒体を外部に放出するため、イオン放出口に向けて気流を生じさせる気流発生部(不図示)が設けられている。 Here, in order to prevent the generated negative ions and positive ions from reacting in the apparatus, the flow path for carrying the negative ions generated by the first ion generation unit 10 and the positive ion generated by the second ion generation unit 30 are used. A channel for conveying the ion channel is provided separately. Further, the ion generator 1 is provided with an airflow generation unit (not shown) that generates an airflow toward the ion emission port in order to discharge a gas medium such as air together with the generated negative ions and positive ions. ing.
<第1イオン発生部の全体構成>
図2は、第1イオン発生部10の構成を示している。本図によると、該第1イオン発生部10は、電子を放出する電子放出素子20を複数有して構成されている。そして、複数の電子放出素子20は、各々個別に電源部50の電圧を印加することができるように、電源部50と接続されている。
<Overall configuration of first ion generator>
FIG. 2 shows the configuration of the first ion generator 10. According to this figure, the first ion generation unit 10 is configured to include a plurality of electron-emitting devices 20 that emit electrons. The plurality of electron-emitting devices 20 are connected to the power supply unit 50 so that the voltage of the power supply unit 50 can be individually applied thereto.
<電子放出素子の構成>
図3は、電子放出素子20の積層構造を示す図である。本図を用いて、電子放出素子20の構成について以下に説明する。
<Configuration of electron-emitting device>
FIG. 3 is a view showing a laminated structure of the electron-emitting device 20. The configuration of the electron-emitting device 20 will be described below using this figure.
電子放出素子20は、第1電極21、第2電極22及び第1電極21と第2電極22の間に形成された微粒子層23から構成されている。さらに、第1電極21と第2電極22の間に、第1電極21に対して第2電極22が正側になる直流成分を含む電圧を印加できるように、第1電極21及び第2電極22は電源部50と接続されている。つまり、電子放出素子20は、第1電極21と第2電極22の間に電圧を印加し、第2電極22側の微粒子層23表面に強電界を発生させることによって、第1電極21から第2電極22に移動する電子の一部が第2電極22から放出されるように構成されている。 The electron-emitting device 20 includes a first electrode 21, a second electrode 22, and a fine particle layer 23 formed between the first electrode 21 and the second electrode 22. Furthermore, the first electrode 21 and the second electrode 22 can be applied between the first electrode 21 and the second electrode 22 so that a voltage including a direct current component that makes the second electrode 22 positive can be applied to the first electrode 21. 22 is connected to the power supply unit 50. That is, the electron-emitting device 20 applies a voltage between the first electrode 21 and the second electrode 22 to generate a strong electric field on the surface of the fine particle layer 23 on the second electrode 22 side. A part of the electrons moving to the two electrodes 22 is configured to be emitted from the second electrode 22.
また、微粒子層に電圧を印加し電子を放出させる電子放出素子の場合、該素子の電極間に長時間連続して電圧を印加すると、微粒子層の特定箇所に長時間電流が流れてしまい、該素子が劣化又は破損してしまう可能性がある。該課題を解決するために、本発明に係る電子放出素子20では、第1電極21と微粒子層23の間に、積層方向(紙面の上下方向)に貫通した開口部24aを複数有する絶縁層24を形成し、微粒子層23の特定箇所に偏在して長時間電流が流れることを防止している。ここで、開口部24aに係る諸条件は、開口部24a内の各々の電界が互いに干渉しない程度の条件を満たすものが採用される。さらに、開口部24aのサイズが大きすぎると、電子放出素子20から均一に電子が放出されにくい。逆に小さすぎると、各々の開口部24a内の電界が弱まって電子の放出効率が悪くなってしまう可能性がある。このことから、開口部24aのサイズは、一辺が1〜500μm程度の正方形内に収まるサイズのものを採用する方が望ましい。また、電子放出素子20から均一に電子を放出させるという観点から、複数の開口部24aを縦横整然とマトリックス状に配置する方が望ましい。 In addition, in the case of an electron-emitting device that applies a voltage to the fine particle layer and emits electrons, if a voltage is applied continuously between the electrodes of the device for a long time, a current flows for a long time to a specific portion of the fine particle layer, The element may be deteriorated or damaged. In order to solve the problem, in the electron-emitting device 20 according to the present invention, the insulating layer 24 having a plurality of openings 24a penetrating in the stacking direction (up and down direction in the drawing) between the first electrode 21 and the fine particle layer 23. And is unevenly distributed at a specific portion of the fine particle layer 23 to prevent a current from flowing for a long time. Here, as the various conditions related to the opening 24a, those satisfying such a condition that the electric fields in the opening 24a do not interfere with each other are adopted. Furthermore, if the size of the opening 24a is too large, it is difficult to uniformly emit electrons from the electron-emitting device 20. On the other hand, if it is too small, the electric field in each opening 24a may weaken and the electron emission efficiency may deteriorate. For this reason, it is desirable to employ a size of the opening 24a that fits within a square having a side of about 1 to 500 μm. Further, from the viewpoint of uniformly emitting electrons from the electron-emitting device 20, it is desirable to arrange the plurality of openings 24a in a matrix form in a vertical and horizontal manner.
第1電極21は、導電性の板状基板であって、電子放出素子20の支持体としての機能を兼ね備えている。したがって、ある程度の強度及び適度な導電性を有する基板が用いられる。例えば、ステンレス、アルミニウム、チタン又は銅等を主成分とする金属基板が用いられる。若しくは、ケイ素、ゲルマニウム又はGaAs(ガリウム砒素)等を主成分とする半導体基板が用いられる。若しくは、ガラス又はプラスティック等の絶縁体基板であって、該基板上に金属蒸着膜、又はITO膜(酸化イリジウム錫膜)等の導電性膜が形成された基板が用いられる。 The first electrode 21 is a conductive plate-like substrate and has a function as a support for the electron-emitting device 20. Therefore, a substrate having a certain degree of strength and moderate conductivity is used. For example, a metal substrate mainly composed of stainless steel, aluminum, titanium, copper, or the like is used. Alternatively, a semiconductor substrate whose main component is silicon, germanium, GaAs (gallium arsenide), or the like is used. Alternatively, an insulating substrate such as glass or plastic, on which a metal vapor deposition film or a conductive film such as an ITO film (iridium tin oxide film) is formed, is used.
第2電極22は、第1電極21と対となって微粒子層23内に電圧を印加させるための電極であって、電圧の印加が可能となるような材料であれば特に制限なく用いることができる。しかしながら、微粒子層23で加速されて高エネルギを有する状態となった電子を、できる限りロスが少なく透過させて放出させるという観点から、仕事関数が低く、かつ薄膜で形成することが可能な導電性材料を用いる方が望ましい。このような材料として、金、銀、タングステン、チタン又はパラジウム等が挙げられる。中でも大気圧中での動作を想定した場合、酸化物及び硫化物形成反応のない金が最良な材料となる。また、酸化物形成反応が比較的小さい銀、タングステン又はパラジウム等も実使用に耐える材料として挙げることができる。 The second electrode 22 is an electrode for applying a voltage to the fine particle layer 23 as a pair with the first electrode 21 and can be used without particular limitation as long as it is a material capable of applying a voltage. it can. However, from the standpoint that electrons that have been accelerated by the fine particle layer 23 and have high energy are transmitted with as little loss as possible and emitted, the conductivity is low and can be formed as a thin film. It is preferable to use materials. Examples of such a material include gold, silver, tungsten, titanium, and palladium. In particular, when an operation at atmospheric pressure is assumed, gold having no oxide and sulfide forming reaction is the best material. In addition, silver, tungsten, palladium, or the like that has a relatively small oxide formation reaction can be cited as a material that can withstand actual use.
微粒子層23は、絶縁性微粒子231から構成されている。該絶縁性微粒子231には、Si02(酸化ケイ素)又はZn0(酸化亜鉛)等の半導体酸化物が用いられる。若しくは、Al203(酸化アルミニウム)、Ti02(酸化チタン)又はCu0(酸化銅)等の金属酸化物が用いられる。ここで、各々の絶縁性微粒子231の粒径(直径の平均)は、5〜1000nmの範囲とすることが望ましい。これは、5nmより小さな粒径の絶縁性微粒子231を用いた場合、個々の微粒子の大きさのばらつきを少なくすることが難しく、均一な膜厚の微粒子層23を形成することが困難となるためである。一方、1000nmより大きな粒径の絶縁性微粒子231の分散液を塗布して微粒子層23を形成しようとすると、分散液に絶縁性微粒子231が沈殿することから、該絶縁性微粒子231の分散性が悪くなってしまう。つまり、分散液を塗布した塗布膜において、絶縁性微粒子231を多く含む箇所と少ない箇所のばらつきが生じ易くなってしまい、均一な膜厚の微粒子層23を形成することが困難となるためである。 The fine particle layer 23 is composed of insulating fine particles 231. For the insulating fine particles 231, a semiconductor oxide such as SiO 2 (silicon oxide) or Zn 0 (zinc oxide) is used. Alternatively, a metal oxide such as Al 2 0 3 (aluminum oxide), Ti0 2 (titanium oxide), or Cu0 (copper oxide) is used. Here, the particle size (average diameter) of each insulating fine particle 231 is preferably in the range of 5 to 1000 nm. This is because, when the insulating fine particles 231 having a particle diameter smaller than 5 nm are used, it is difficult to reduce the variation in the size of individual fine particles, and it is difficult to form the fine particle layer 23 having a uniform film thickness. It is. On the other hand, when the dispersion of insulating fine particles 231 having a particle diameter larger than 1000 nm is applied to form the fine particle layer 23, the insulating fine particles 231 are precipitated in the dispersion, so that the dispersibility of the insulating fine particles 231 is reduced. It gets worse. That is, in the coating film coated with the dispersion liquid, it is easy to cause a variation between a portion containing a large amount of insulating fine particles 231 and a portion containing a small amount of insulating fine particles 231, and it becomes difficult to form a fine particle layer 23 having a uniform thickness. .
<微粒子層の構成>
図4は、図3における電子放出素子20の微粒子層23近傍を拡大した拡大図である。本図を用いて、微粒子層23の構成について補足する。
<Configuration of fine particle layer>
FIG. 4 is an enlarged view in which the vicinity of the fine particle layer 23 of the electron-emitting device 20 in FIG. 3 is enlarged. The configuration of the fine particle layer 23 will be supplemented using this drawing.
微粒子層23は、絶縁性微粒子231より小さな粒径の導電性微粒子232を含む構成とする方が望ましい。これは、導電性微粒子232を含んで構成し、該導電性微粒子232の含有量を調整することによって、微粒子層23の抵抗値を任意の範囲で調整できるためである。ここで、導電性微粒子232の粒径が絶縁性微粒子231より大きい場合、微粒子層23が必要とする絶縁性が得られなくなるため、導電性微粒子232の粒径は、絶縁性微粒子231の粒径よりも小さくする必要がある。また、導電性微粒子232は、導電性を有する材料であれば特に制限なく用いることができるが、例えば、金、銀、白金、パラジウム、タングステン又はニッケル等の材料が用いられる。さらに、微粒子層23に、シリコーン樹脂等のバインダ成分を含む構成としても構わない。バインダ成分を含む構成とすることで、素子の機械的強度を向上させることができるとともに、大気中の酸素又は水分などによる素子の劣化を防ぐことができる。 The fine particle layer 23 desirably includes a conductive fine particle 232 having a smaller particle diameter than the insulating fine particle 231. This is because the resistance value of the fine particle layer 23 can be adjusted in an arbitrary range by including the conductive fine particles 232 and adjusting the content of the conductive fine particles 232. Here, when the particle size of the conductive fine particles 232 is larger than the insulating fine particles 231, the insulating properties required by the fine particle layer 23 cannot be obtained. Therefore, the particle size of the conductive fine particles 232 is the particle size of the insulating fine particles 231. It is necessary to make it smaller. The conductive fine particles 232 can be used without particular limitation as long as it is a conductive material. For example, a material such as gold, silver, platinum, palladium, tungsten, or nickel is used. Further, the fine particle layer 23 may include a binder component such as a silicone resin. By including a binder component, the mechanical strength of the element can be improved, and deterioration of the element due to oxygen or moisture in the atmosphere can be prevented.
絶縁層24は、上述した通り、長時間の連続駆動による素子の破損又は劣化等を防ぐために、第1電極21と微粒子層23の間に、積層方向(紙面の上下方向)に貫通した開口部24aを複数有して形成される。 As described above, the insulating layer 24 has an opening penetrating in the stacking direction (vertical direction on the paper surface) between the first electrode 21 and the fine particle layer 23 in order to prevent damage or deterioration of the element due to continuous driving for a long time. A plurality of 24a are formed.
絶縁層24としては、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はシリコン窒化酸化膜等の無機膜を用いることによって、膜厚を0.1〜3μmの範囲に形成することができる。若しくは、シリコーン樹脂膜、アクリル系樹脂膜、ポリイミド系樹脂膜、エポキシ系樹脂膜、ポリエステル系樹脂膜、ポリウレタン系樹脂膜又はポリスチレン系樹脂膜等の有機膜を用いることによって、膜厚を0.1〜3μmの範囲に形成することができる。なお、抵抗値、耐熱性、吸水率及び機械的強度等の観点から、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコーン樹脂膜、アクリル樹脂膜、又はポリイミド系樹脂膜を用いる方がより望ましい。 As the insulating layer 24, for example, an inorganic film such as a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film can be used to form a film thickness in the range of 0.1 to 3 μm. Alternatively, by using an organic film such as a silicone resin film, an acrylic resin film, a polyimide resin film, an epoxy resin film, a polyester resin film, a polyurethane resin film, or a polystyrene resin film, the film thickness is 0.1. It can be formed in a range of ˜3 μm. Note that it is more preferable to use a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicone resin film, an acrylic resin film, or a polyimide resin film from the viewpoint of resistance value, heat resistance, water absorption rate, mechanical strength, and the like.
<絶縁層の全体構成>
図5には、電子放出素子20における絶縁層24の構成例を示している。ここで、図5(A)は、絶縁層24の全体構成例を示す上面図(平面図)である。また、図5(B)は、絶縁層24の一部を拡大した拡大図(斜視図)である。これら図面を用いて、絶縁層24の全体構成例について、以下に説明する。
<Overall structure of insulating layer>
FIG. 5 shows a configuration example of the insulating layer 24 in the electron-emitting device 20. Here, FIG. 5A is a top view (plan view) showing an example of the overall configuration of the insulating layer 24. FIG. 5B is an enlarged view (perspective view) in which a part of the insulating layer 24 is enlarged. With reference to these drawings, an example of the overall configuration of the insulating layer 24 will be described below.
絶縁層24は、一辺の長さがBSである略正方形の第1電極21基板上に形成されている。ここで、該絶縁層24の紙面の右上隅エリアA1、右下隅エリアA2、左上隅エリアA3及び左下隅エリアA4の4エリアには、一辺の長さがASである正方形の開口部エリア24bを、格子状に3×3区画の計9区画、ピッチAP間隔で区画している。そして、区画された開口部エリア24bのそれぞれには、一辺の長さがHSの略正方形の開口部24aを、所定のピッチ間隔HPで格子状に複数個形成している。 The insulating layer 24 is formed on the substantially square first electrode 21 substrate whose one side is BS. Here, in the four areas of the upper right corner area A1, the lower right corner area A2, the upper left corner area A3 and the lower left corner area A4 of the sheet of the insulating layer 24, square opening areas 24b each having a length of AS are provided. In a lattice shape, a total of 9 sections of 3 × 3 sections are formed with a pitch AP interval. In each of the partitioned opening areas 24b, a plurality of substantially square openings 24a each having a length of HS are formed in a lattice shape at a predetermined pitch interval HP.
<電子放出素子の製造工程>
図6は、電子放出素子20の製造工程を示すフローチャートである。本図によると、電子放出素子20は、第1電極21となる導電性基板上に絶縁層24を形成する絶縁層形成工程、該絶縁層形成工程で形成した絶縁層24の上層を覆うように微粒子層23を形成する微粒子層形成工程及び微粒子層形成工程で形成した微粒子層23上に第2電極22を形成する第2電極形成工程を順に行うことによって製造される。以下に、各工程の詳細について説明する。
<Manufacturing process of electron-emitting device>
FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing process of the electron-emitting device 20. According to this figure, the electron-emitting device 20 covers the upper layer of the insulating layer 24 formed in the insulating layer forming step of forming the insulating layer 24 on the conductive substrate to be the first electrode 21 and the insulating layer forming step. The fine particle layer is formed by sequentially performing a fine particle layer forming step for forming the fine particle layer 23 and a second electrode forming step for forming the second electrode 22 on the fine particle layer 23 formed in the fine particle layer forming step. Below, the detail of each process is demonstrated.
絶縁層形成工程では、先ず、絶縁体材料としてのアクリル系樹脂を溶剤に溶かした塗液を第1電極21上にスピンコート法によって塗布して塗布膜を形成し、塗布膜を加熱乾燥させる。そして、フォトリソグラフィーによって、乾燥した塗布膜に開口部24aとなる小孔を複数形成することによって絶縁層24を形成する。なお、この工程によって形成された絶縁層24は、膜厚が0.1〜3μmの範囲の所望の膜厚に、開口部24aの内径が15〜100μmの範囲で所望の内径に調整される。 In the insulating layer forming step, first, a coating solution in which an acrylic resin as an insulating material is dissolved in a solvent is applied onto the first electrode 21 by a spin coating method to form a coating film, and the coating film is heated and dried. Then, the insulating layer 24 is formed by forming a plurality of small holes to be the openings 24a in the dried coating film by photolithography. The insulating layer 24 formed by this step is adjusted to a desired film thickness in the range of 0.1 to 3 μm and to a desired inner diameter in the range of the opening 24 a from 15 to 100 μm.
ここで、絶縁体材料としては、アクリル系樹脂以外にも、シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂又はポリスチレン系樹脂などの有機ポリマーが用いられる。また、これらの有機ポリマーを2種以上混合して用いても構わない。さらに、有機ポリマー以外にも、シリコン酸化物又はシリコン窒化物などの無機材料を用いて、例えば、スパッタ法、蒸着法又はCVD(Chemical Vapor Deposition)法等によって絶縁層24を形成してもよい。そして、開口部24aとなる小孔を形成する方法として、電子ビームリソグラフィ法、プラズマエッチング法又はインクジェット法等が用いられる。 Here, in addition to the acrylic resin, an organic polymer such as a silicone resin, a polyimide resin, an epoxy resin, a polyester resin, a polyurethane resin, or a polystyrene resin is used as the insulator material. Further, two or more of these organic polymers may be mixed and used. Furthermore, in addition to the organic polymer, the insulating layer 24 may be formed by using an inorganic material such as silicon oxide or silicon nitride, for example, by sputtering, vapor deposition, CVD (Chemical Vapor Deposition), or the like. An electron beam lithography method, a plasma etching method, an ink jet method, or the like is used as a method for forming a small hole that becomes the opening 24a.
微粒子層形成工程では、先ず、溶剤に絶縁性微粒子231が分散された分散液を調製する。そして、調製された分散液を、絶縁層形成工程で形成した絶縁層24の上層を覆うようにスピンコート法によって塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜を乾燥させることによって微粒子層23を形成する。なお、分散液の塗布、及び塗布膜の乾燥は、所望の膜厚となるまで繰り返される。 In the fine particle layer forming step, first, a dispersion liquid in which the insulating fine particles 231 are dispersed in a solvent is prepared. Then, the prepared dispersion is applied by spin coating so as to cover the upper layer of the insulating layer 24 formed in the insulating layer forming step to form a coating film, and the coating film is dried to form the fine particle layer 23. Form. In addition, application | coating of a dispersion liquid and drying of a coating film are repeated until it becomes a desired film thickness.
ここで、分散液の調製において、絶縁性微粒子231に加えて、導電性微粒子232及びバインダ成分となる原料を混合して調製する方が望ましい。また、分散液を調製する際には、混合するバインダ成分となる原料を溶解し、絶縁性微粒子231又は導電性微粒子232を分散させ、そして塗布後に乾燥することができる溶剤が用いられる。このような溶剤としては、例えば、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン又はテトラデカン等が用いられる。さらに、分散液における絶縁性微粒子231の濃度は10〜50重量%の範囲で調製される。これは、10重量%より低濃度とすると、絶縁性微粒子231を開口部24a内に満充填することが困難となるためである。一方、50重量%より高濃度とすると、分散液の粘度が高まり凝集してしまって、薄膜の微粒子層23を形成することが困難になるためである。なお、塗布膜の形成において格段の制限事項はないが、例えば、スピン回転数500rpmで1秒間回転させた後、スピン回転数3000rpmで10秒間回転させる等の2段階のスピンコートを行って塗布膜を形成する。 Here, in the preparation of the dispersion, it is desirable to mix and prepare the conductive fine particles 232 and the raw material to be the binder component in addition to the insulating fine particles 231. Further, when preparing the dispersion, a solvent is used that dissolves the raw material to be the binder component to be mixed, disperses the insulating fine particles 231 or the conductive fine particles 232, and can be dried after coating. As such a solvent, for example, toluene, benzene, xylene, hexane, tetradecane, or the like is used. Further, the concentration of the insulating fine particles 231 in the dispersion is prepared in the range of 10 to 50% by weight. This is because if the concentration is lower than 10% by weight, it is difficult to fully fill the opening 24a with the insulating fine particles 231. On the other hand, if the concentration is higher than 50% by weight, the viscosity of the dispersion increases and aggregates, making it difficult to form the fine particle layer 23 of a thin film. Although there is no particular limitation in the formation of the coating film, for example, the coating film is formed by performing two-step spin coating such as rotating for 1 second at a spin speed of 500 rpm and then rotating for 10 seconds at a spin speed of 3000 rpm. Form.
第2電極形成工程では、先ず、微粒子層形成工程で形成した微粒子層23上に炭素薄膜を形成する。そして、炭素薄膜の上層に、例えば、マグネトロンスパッタ法、インクジェット法、スピンコート法、又は蒸着法等を用いて、第2電極22を形成する。 In the second electrode forming step, first, a carbon thin film is formed on the fine particle layer 23 formed in the fine particle layer forming step. Then, the second electrode 22 is formed on the upper layer of the carbon thin film using, for example, a magnetron sputtering method, an ink jet method, a spin coating method, a vapor deposition method, or the like.
なお、第1イオン発生部10は、上述した製造工程によって製造された複数の電子放出素子20に対して、該複数の電子放出素子20の各々の第1電極21及び第2電極22を、リード線を介して電源部50と接続することができるように形成する工程を成すことによって製造される。 Note that the first ion generation unit 10 leads the first electrode 21 and the second electrode 22 of each of the plurality of electron-emitting devices 20 to the plurality of electron-emitting devices 20 manufactured by the manufacturing process described above. It is manufactured by performing a forming process so that it can be connected to the power supply unit 50 via a line.
このように、本発明に係るイオン発生装置1では、電子放出素子20を用いて負イオンを発生させている。そして、このことによって殺菌効果を長く持続させることが可能であると考えている。 Thus, in the ion generator 1 according to the present invention, negative ions are generated using the electron-emitting device 20. And it thinks that it can maintain a bactericidal effect for a long time by this.
つまり、本発明に係るイオン発生装置1では、電子放出素子20の近傍に存在する空気分子に、該素子20によって放出された電子が衝突する。そして、該空気分子に付着することによって負イオンが生成されるものと考えられる。 That is, in the ion generator 1 according to the present invention, electrons emitted by the element 20 collide with air molecules existing in the vicinity of the electron emitting element 20. And it is thought that a negative ion is produced | generated by adhering to this air molecule.
ここで、電子放出素子20から放出される電子は、コロナ放電によって生じる電子と比べるとはるかに低いエネルギしか有しない。このことから、空気分子間の結合を解離する反応はほとんど生じず、放出された電子の大半が親和性の高い酸素分子に付着しているのではないかと推察される。 Here, electrons emitted from the electron-emitting device 20 have much lower energy than electrons generated by corona discharge. From this, it is presumed that the reaction for dissociating the bonds between the air molecules hardly occurs, and that most of the emitted electrons are attached to oxygen molecules having high affinity.
このことから、電子放出素子20によって生成される負イオンには、化学的に比較的安定しているO2 −が多く含有し、比較的長時間かけて消滅するのではないかと考えている。つまり、本発明に係るイオン発生装置1によって生成される負イオンには、O2 −が多く含有していることから、該イオンによる殺菌効果を長く持続させることが可能と考えている。 From this, it is considered that the negative ions generated by the electron-emitting device 20 contain a large amount of chemically relatively stable O 2 − and disappear over a relatively long time. That is, since the negative ions generated by the ion generator 1 according to the present invention contain a large amount of O 2 −, it is thought that the bactericidal effect by the ions can be sustained for a long time.
<実験例:本発明に係るイオン発生装置による測定>
図7は、室内のイオン濃度の時間的変化を測定する環境条件を示す模式図である。本図を用いて、イオン発生装置1からイオンを放出させたときの室内のイオン濃度に係る時間的変化を測定する実験例の環境条件について説明する。
<Experimental example: Measurement by ion generator according to the present invention>
FIG. 7 is a schematic diagram showing environmental conditions for measuring temporal changes in the indoor ion concentration. The environmental conditions of the experimental example for measuring temporal changes related to the ion concentration in the room when ions are released from the ion generator 1 will be described with reference to FIG.
実験例では、大きさがおよそ5.0m×5.0m、床面から天井までの高さがおよそ2.5mの測定室の中央にイオン発生装置1を設置している。ここで、床面からイオン発生装置1のイオン放出口までの高さが、およそ0.6mになるように設定している。また、イオンカウンタ(旭システム社製、MY1210−2)を、測定室の片隅に設置している。詳しくは、測定室の2方向の壁面の各々からおよそ0.5m離れた位置、床面からおよそ1.0mの高さの位置に設置している。 In the experimental example, the ion generator 1 is installed in the center of a measurement chamber having a size of about 5.0 m × 5.0 m and a height from the floor surface to the ceiling of about 2.5 m. Here, the height from the floor surface to the ion emission port of the ion generator 1 is set to approximately 0.6 m. An ion counter (manufactured by Asahi System Co., Ltd., MY1210-2) is installed at one corner of the measurement chamber. Specifically, it is installed at a position approximately 0.5 m away from each of the two wall surfaces in the measurement chamber and at a height of approximately 1.0 m from the floor surface.
<実験例:イオン発生装置の駆動条件、各部の詳細構成>
図8には、実験例におけるイオン発生装置1の駆動条件及び該実験例に使用したイオン発生装置1の各部の詳細構成を示し、以下に説明する。
<Experimental example: Driving conditions of ion generator, detailed configuration of each part>
FIG. 8 shows a driving condition of the ion generator 1 in the experimental example and a detailed configuration of each part of the ion generator 1 used in the experimental example, which will be described below.
イオン発生装置1の第1イオン発生部10は、図9によって後述する電子放出素子20を複数有して構成されている。つまり、実験例に用いたイオン発生装置1は、電源部50によって駆動させる電子放出素子20の個数、すなわち駆動素子数を変更することによって、発生させる負イオンの濃度を調整することができる。 The first ion generator 10 of the ion generator 1 includes a plurality of electron-emitting devices 20 described later with reference to FIG. That is, the ion generator 1 used in the experimental example can adjust the concentration of negative ions to be generated by changing the number of electron-emitting devices 20 driven by the power supply unit 50, that is, the number of driving devices.
実験例では、駆動素子数を6個とし、6個の電子放出素子20に対して、周波数600Hz、デューティ比20%、波高値17.4Vのパルス波電圧を印加して測定している。 In the experimental example, the number of drive elements is six, and measurement is performed by applying a pulse wave voltage having a frequency of 600 Hz, a duty ratio of 20%, and a peak value of 17.4 V to the six electron-emitting elements 20.
また、イオン発生装置1の第2イオン発生部30は、元径0.5mm、長さ6.0mmのタングステンの針電極31と、内径10mm、幅2.0mmのリング形状の対向電極32とから構成されている。ここで、コロナ放電を発生させてイオンが発生するように、リング形状の対向電極32内部の中心近傍に針電極31の先端が位置するように構成している。さらに、電源部51によって、対向電極32をGNDとし針電極31に正極のパルス電圧を印加することができるように構成されている。 The second ion generator 30 of the ion generator 1 includes a tungsten needle electrode 31 having an original diameter of 0.5 mm and a length of 6.0 mm, and a ring-shaped counter electrode 32 having an inner diameter of 10 mm and a width of 2.0 mm. It is configured. Here, the tip of the needle electrode 31 is positioned in the vicinity of the center inside the ring-shaped counter electrode 32 so that ions are generated by generating corona discharge. Further, the power supply unit 51 is configured so that the counter electrode 32 is set to GND and a positive pulse voltage can be applied to the needle electrode 31.
実験例では、第2イオン発生部30の針電極31に、周波数60Hz、デューティ比20%、波高値+4.0kVのパルス波電圧を印加し駆動させて測定している。 In the experimental example, a pulse wave voltage having a frequency of 60 Hz, a duty ratio of 20%, and a crest value of +4.0 kV is applied to the needle electrode 31 of the second ion generation unit 30 and driven for measurement.
さらに、イオン発生装置1には、イオン放出口に向けて気流を生じさせるための気流発生部を備えている。該気流発生部は、イオン放出口に対して、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30が配置されている位置よりも離れた位置に配置されている。つまり、イオン放出口に向けて気流を発生させる送風タイプの気流発生部を備えている。ここで、実験例では、送風量0.001m3/秒の気流を発生させて測定している。 Furthermore, the ion generator 1 is provided with an airflow generation unit for generating an airflow toward the ion discharge port. The air flow generation unit is disposed at a position away from the position where the first ion generation unit 10 and the second ion generation unit 30 are disposed with respect to the ion emission port. That is, the airflow generation part of the ventilation type which generates an airflow toward an ion discharge port is provided. Here, in the experimental example, measurement is performed by generating an air flow with an air flow rate of 0.001 m 3 / sec.
<実験例:電子放出素子各部の詳細構成>
図9には、実験例に使用した電子放出素子20の各部の詳細構成を示し、以下に説明する。
<Experimental example: Detailed configuration of each part of electron-emitting device>
FIG. 9 shows a detailed configuration of each part of the electron-emitting device 20 used in the experimental example and will be described below.
該電子放出素子20の第1電極21として、一辺の長さBSがおよそ24mmの略正方形のアルミニウム基板を用いている。 As the first electrode 21 of the electron-emitting device 20, a substantially square aluminum substrate having a side length BS of approximately 24 mm is used.
また、該電子放出素子20の絶縁層24として、該アルミニウム基板上に、およそ膜厚1.5μmのアクリル系樹脂から成る層を形成している。ここで、絶縁層24のエリアA1、エリアA2、エリアA3及びエリアA4の4エリアには、一辺の長さASが2.4mmの正方形の開口部エリア24bを格子状に3×3区画の計9区画、ピッチAP3.0mm間隔で区画する。そして、各々の開口部エリア24bに、一辺の長さHSが60μmの略正方形の開口部24aを、ピッチHPが120μmで格子状に20×20個の計400個形成している。 Further, as the insulating layer 24 of the electron-emitting device 20, a layer made of an acrylic resin having a film thickness of about 1.5 μm is formed on the aluminum substrate. Here, in the four areas of area A1, area A2, area A3, and area A4 of the insulating layer 24, a square opening area 24b having a side AS of 2.4 mm is divided into 3 × 3 sections in a lattice shape. Divide into 9 sections and pitch AP 3.0mm intervals. In each opening area 24b, approximately square openings 24a each having a side length HS of 60 μm are formed in a lattice form with a pitch HP of 120 μm, for a total of 400.
また、該電子放出素子20の微粒子層23として、絶縁層24が形成されている範囲に第1微粒子層23A及び第2微粒子層23Bを形成している。ここで、該微粒子層23の積層構造について、以下に補足する。 Further, as the fine particle layer 23 of the electron-emitting device 20, the first fine particle layer 23A and the second fine particle layer 23B are formed in the range where the insulating layer 24 is formed. Here, the laminated structure of the fine particle layer 23 will be supplemented below.
図10には、実験例に使用した電子放出素子20における微粒子層23の積層構造を示している。本図に示されるように、絶縁層24が形成されている範囲に、およそ膜厚1.0μmの第1微粒子層23Aを形成している。そして、第1微粒子層23Aが形成されている範囲に、およそ膜厚1.5μmの第2微粒子層23Bを形成している。つまり、絶縁層24の上層に、およそ膜厚2.5μmとなる微粒子層23を形成している。 FIG. 10 shows a laminated structure of the fine particle layer 23 in the electron-emitting device 20 used in the experimental example. As shown in the figure, a first fine particle layer 23A having a thickness of about 1.0 μm is formed in a range where the insulating layer 24 is formed. A second fine particle layer 23B having a thickness of about 1.5 μm is formed in the range where the first fine particle layer 23A is formed. That is, the fine particle layer 23 having a thickness of about 2.5 μm is formed on the insulating layer 24.
以下に、第1微粒子層23A及び第2微粒子層23Bの形成方法について説明する。 A method for forming the first fine particle layer 23A and the second fine particle layer 23B will be described below.
先ず、5mlの試薬瓶に、溶媒であるヘキサン0.6g及び絶縁性微粒子231の原料となる粒径50nmの球状シリカ粒子0.1gを投入し、超音波分散器を用いて分散させる。さらに、導電性微粒子232の原料となる粒径10nmの銀ナノ粒子(応用ナノ粒子研究所製)を0.024g投入し、超音波分散器を用いて分散させた第1分散液を調整する。 First, 0.6 g of hexane as a solvent and 0.1 g of spherical silica particles having a particle diameter of 50 nm as a raw material for the insulating fine particles 231 are put into a 5 ml reagent bottle and dispersed using an ultrasonic disperser. Furthermore, 0.024 g of silver nanoparticles (manufactured by Applied Nanoparticles Laboratories) having a particle diameter of 10 nm, which is a raw material for the conductive fine particles 232, is added, and the first dispersion liquid dispersed using an ultrasonic disperser is prepared.
続いて、別の5mlの試薬瓶に、溶媒であるヘキサン0.6g及び絶縁性微粒子231の原料となる粒径50nmの球状シリカ粒子0.1gを投入し、超音波分散器を用いて分散させる。さらに、バインダ成分としてシリコーン樹脂(東レ・ダウコーニング株式会社製、SR2411)を0.02g投入し、超音波分散器を用いて分散させた第2分散液を調整する。 Subsequently, 0.6 g of hexane as a solvent and 0.1 g of spherical silica particles having a particle diameter of 50 nm as a raw material for the insulating fine particles 231 are charged into another 5 ml reagent bottle and dispersed using an ultrasonic disperser. . Furthermore, 0.02 g of silicone resin (SR2411, manufactured by Toray Dow Corning Co., Ltd.) is added as a binder component, and the second dispersion liquid dispersed using an ultrasonic disperser is prepared.
続いて、絶縁層24が形成されている範囲に第1分散液を滴下し、500rpmで1秒間、続いて3000rpmで10秒間の2段階のスピンコートを行って第1の塗布膜を形成し、ホットプレートを用いて第1の塗布膜を150℃で60秒間乾燥することにより、およそ膜厚1.0μmの第1微粒子層23Aを形成する。ここで、第1分散液には、絶縁性微粒子231となる原料及び導電性微粒子232となる原料が含まれていることから、第1微粒子層23Aには絶縁性微粒子231及び導電性微粒子232を含んでいることになる。 Subsequently, the first dispersion is dropped in a range where the insulating layer 24 is formed, and a first coating film is formed by performing two-stage spin coating at 500 rpm for 1 second, and subsequently at 3000 rpm for 10 seconds, The first coating film is dried at 150 ° C. for 60 seconds using a hot plate to form a first fine particle layer 23A having a thickness of approximately 1.0 μm. Here, since the first dispersion liquid includes the raw material to be the insulating fine particles 231 and the raw material to be the conductive fine particles 232, the first fine particle layer 23A contains the insulating fine particles 231 and the conductive fine particles 232. Will be included.
続いて、第1微粒子層23Aを形成した後、経時変化を起こさない程度に即座に、第1微粒子層23A上に、第2分散液を滴下し、500rpmで1秒間、続いて3000rpmで10秒間の2段階のスピンコートを行って第2の塗布膜を形成し、ホットプレートを用いて第2の塗布膜を200℃で90秒間乾燥することにより、およそ膜厚1.5μmの第2微粒子層23Bを形成する。 Subsequently, after the first fine particle layer 23A is formed, the second dispersion liquid is dropped on the first fine particle layer 23A immediately so as not to cause a change with time, and then at 500 rpm for 1 second, and subsequently at 3000 rpm for 10 seconds. The second coating film is formed by performing the two-stage spin coating, and the second coating film is dried at 200 ° C. for 90 seconds using a hot plate, whereby the second fine particle layer having a thickness of about 1.5 μm is formed. 23B is formed.
このようにして、およそ膜厚1.0μmの第1微粒子層23Aに、およそ膜厚1.5μmの第2微粒子層23を積層させ、およそ膜厚2.5μmの微粒子層23を絶縁層24の上層に形成する。 In this way, the second fine particle layer 23 having a thickness of approximately 1.5 μm is laminated on the first fine particle layer 23A having a thickness of approximately 1.0 μm, and the fine particle layer 23 having a thickness of approximately 2.5 μm is formed on the insulating layer 24. Form in the upper layer.
また、該電子放出素子20の第2電極22として、微粒子層23が形成されている範囲に、およそ膜厚10nmの炭素薄膜層を形成している。そして、炭素薄膜層が形成されている範囲に、およそ膜厚40nmの第2電極22用の導電層を形成している。さらに、第2電極22用の導電層が形成されている一部の範囲に、配線用の導電層を積層し、電源部50と接続するための接点を形成している。以下に、第2電極22の各部の形成方法について説明する。 Further, as the second electrode 22 of the electron-emitting device 20, a carbon thin film layer having a thickness of about 10 nm is formed in a range where the fine particle layer 23 is formed. A conductive layer for the second electrode 22 having a thickness of about 40 nm is formed in the range where the carbon thin film layer is formed. Further, a conductive layer for wiring is laminated in a part of the range where the conductive layer for the second electrode 22 is formed, and a contact for connecting to the power supply unit 50 is formed. Below, the formation method of each part of the 2nd electrode 22 is demonstrated.
先ず、微粒子層23が形成されている範囲に、真空蒸着装置を用いて、およそ膜厚10nmのグラファイトを素材する炭素薄膜層を形成する。 First, a carbon thin film layer made of graphite having a thickness of about 10 nm is formed in a range where the fine particle layer 23 is formed, using a vacuum vapor deposition apparatus.
続いて、炭素薄膜層が形成された範囲に、マグネトロンスパッタ装置を用いて、およそ20mm×20mm角、およそ膜厚40nmのAu−Pd合金を素材する第2電極22用の導電層を形成する。 Subsequently, a conductive layer for the second electrode 22 made of an Au—Pd alloy having a thickness of about 20 mm × 20 mm square and a thickness of about 40 nm is formed in the range where the carbon thin film layer is formed using a magnetron sputtering apparatus.
続いて、第2電極22用の導電層が形成された範囲内であって、開口部エリア24bが下層に区画されていない一部の範囲に、真空蒸着装置を用いて金蒸着し、およそ膜厚620nmの配線用の導電層を積層する。そして、配線用の導電層に、厚み200μm、2mm×2mm角の金を素材とする金属パッドを、京セラケミカル株式会社製の導電ペーストCT223を介して接着し、電子炉を用いて150℃で1時間加熱硬化して形成する。 Subsequently, gold is vapor deposited using a vacuum vapor deposition device within a range where the conductive layer for the second electrode 22 is formed and the opening area 24b is not partitioned in the lower layer. A conductive layer for wiring having a thickness of 620 nm is stacked. Then, a metal pad made of gold having a thickness of 200 μm and 2 mm × 2 mm square is bonded to the conductive layer for wiring via a conductive paste CT223 manufactured by Kyocera Chemical Co., Ltd., and 1 at 150 ° C. using an electronic furnace. It is formed by heat curing for hours.
<実験例:イオン発生装置が放出するイオン濃度>
図11には、イオン発生装置1が放出するイオン濃度を測定した結果を示している。本図によると、イオン発生装置1は、イオン放出口から20cm離れた位置において、負イオンがおよそ1.12×106個/cm3、正イオンがおよそ0.91×106個/cm3のイオンを放出する。
<Experimental example: Ion concentration released by ion generator>
In FIG. 11, the result of having measured the ion concentration which the ion generator 1 discharge | releases is shown. According to the figure, the ion generating device 1 is at a distance 20cm from the ion emission port, the negative ions are about 1.12 × 10 6 cells / cm 3, the positive ions are about 0.91 × 10 6 cells / cm 3 Ions are released.
ここで、該測定結果は、イオン発生装置1を動作させている間に、イオン放出口から20cm離れた位置に設置されているイオンカウンタが測定したイオン濃度の5回測定の平均値である。 Here, the measurement result is an average value of five measurements of the ion concentration measured by the ion counter installed at a position 20 cm away from the ion emission port while the ion generator 1 is operated.
なお、後述する比較例に用いたイオン発生装置5が放出するイオン濃度も、同一の測定条件で、ほぼ同じイオン濃度になるよう設定されている。つまり、イオン発生装置5も、イオン放出口から20cm離れた位置において、負イオンがおよそ1.12×106個/cm3、正イオンがおよそ0.91×106個/cm3のイオンを放出するように設定されている。 Note that the ion concentration emitted by the ion generator 5 used in the comparative example described later is also set to be approximately the same ion concentration under the same measurement conditions. In other words, the ion generator 5 also has a negative ion of about 1.12 × 10 6 ions / cm 3 and a positive ion of about 0.91 × 10 6 cells / cm 3 at a position 20 cm away from the ion emission port. It is set to emit.
ここで、実験例におけるイオン発生装置1の駆動条件について補足する。図8に示される駆動素子数、及び印加するパルス波電圧の波高値は、イオン発生装置1から図11に示されるイオン濃度が放出されるように調整され設定されたものである。 Here, it supplements about the drive conditions of the ion generator 1 in an experiment example. The number of drive elements shown in FIG. 8 and the peak value of the applied pulse wave voltage are adjusted and set so that the ion concentration shown in FIG.
つまり、後述する比較例に用いたイオン発生装置5が放出するイオン濃度とほぼ合致するように、イオン発生装置1では、駆動素子数を6個、電子放出素子20に印加するパルス波電圧の波高値17.4Vに設定し、測定を行っている。 That is, in the ion generator 1, the number of driving elements is six and the wave of the pulse wave voltage applied to the electron emitter 20 is substantially matched with the ion concentration emitted by the ion generator 5 used in the comparative example described later. The high value is set to 17.4V and measurement is performed.
<実験例:測定結果>
図12には、実験例の測定結果を示し、以下に説明する。ここで、実験例では、イオン発生装置1を30分間動作させて、負イオン及び正イオンを測定室内に放出させている。そして、気流発生部による送風は継続したまま、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止する。そして、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止してから、イオンカウンタで測定されるイオン濃度の変化を測定している。
<Experimental example: measurement result>
FIG. 12 shows the measurement results of the experimental example and will be described below. Here, in the experimental example, the ion generator 1 is operated for 30 minutes to release negative ions and positive ions into the measurement chamber. And the drive of the 1st ion generation part 10 and the 2nd ion generation part 30 is stopped, with the ventilation by the airflow generation part continuing. Then, after the driving of the first ion generator 10 and the second ion generator 30 is stopped, the change in the ion concentration measured by the ion counter is measured.
本図に示されるように実験例において、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止した直後の初期時には、負イオン5.10×103個/cm3、正イオン4.10×103個/cm3のイオンが測定されている。 As shown in this figure, in the experimental example, negative ions 5.10 × 10 3 / cm 3 , positive ions 4 at the initial stage immediately after the driving of the first ion generator 10 and the second ion generator 30 is stopped. 10 × 10 3 ions / cm 3 ions are measured.
また、実験例において、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止させてから10秒後には、負イオン4.59×103個/cm3、正イオン3.70×103個/cm3のイオンが測定されている。したがって、初期時のイオン濃度に対して駆動停止から10秒後のイオン濃度は、負イオンがおよそ90%、正イオンがおよそ90%に減少している。 In the experimental example, 10 seconds after the driving of the first ion generation unit 10 and the second ion generation unit 30 is stopped, 4.59 × 10 3 negative ions / cm 3 and 3.70 × positive ions are generated. 10 3 ions / cm 3 ions are measured. Therefore, with respect to the initial ion concentration, the ion concentration 10 seconds after the stop of driving is reduced to approximately 90% for negative ions and approximately 90% for positive ions.
また、実験例において、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止させてから30秒後には、負イオン2.19×103個/cm3、正イオン1.71×103個/cm3のイオンが測定されている。したがって、初期時のイオン濃度に対して駆動停止から30秒後のイオン濃度は、負イオンがおよそ43%、正イオンがおよそ42%に減少している。 In the experimental example, 30 seconds after the driving of the first ion generation unit 10 and the second ion generation unit 30 is stopped, 2.19 × 10 3 negative ions / cm 3 and 1.71 × positive ions are generated. 10 3 ions / cm 3 ions are measured. Therefore, with respect to the initial ion concentration, the ion concentration 30 seconds after the stop of driving is reduced to approximately 43% for negative ions and approximately 42% for positive ions.
また、実験例において、第1イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止させてから60秒後には、負イオン1.02×103個/cm3、正イオン0.82×103個/cm3のイオンが測定されている。したがって、初期時のイオン濃度に対して駆動停止から60秒後のイオン濃度は、負イオンがおよそ20%、正イオンがおよそ20%に減少している。 In the experimental example, negative ions 1.02 × 10 3 ions / cm 3 and positive ions 0.82 × 60 seconds after the driving of the first ion generator 10 and the second ion generator 30 is stopped. 10 3 ions / cm 3 ions are measured. Therefore, with respect to the initial ion concentration, the ion concentration after 60 seconds from the stop of driving is reduced to about 20% for negative ions and about 20% for positive ions.
このように、イオン発生装置1によって放出された室内のイオン濃度は、時間が経過するにつれて、負イオン及び正イオンともにほぼ同じ割合で減少している。 Thus, the ion concentration in the room released by the ion generator 1 decreases at approximately the same rate for both negative ions and positive ions as time passes.
<比較例:従来のイオン発生装置による測定>
図13は、実験例と比較する比較例に使用した従来のイオン発生装置5の全体構成を示し、本図を用いてイオン発生装置5の構成について以下に説明する。なお、上述したイオン発生装置1の構成要素と同一の構成要素には、同一の参照符号を付している。したがって、これらの構成要素の説明は省略する。
<Comparative example: Measurement with a conventional ion generator>
FIG. 13 shows the overall configuration of a conventional ion generator 5 used in a comparative example to be compared with the experimental example, and the configuration of the ion generator 5 will be described below with reference to FIG. In addition, the same referential mark is attached | subjected to the component same as the component of the ion generator 1 mentioned above. Therefore, description of these components is omitted.
イオン発生装置5は、上述したイオン発生装置1との比較において、第1イオン発生部10に代えて負イオン発生部15が構成されている点及び電源部50に代えて電源部55が構成されている点でのみ異なっている。つまり、イオン発生装置5は、針電極16と対向電極17の間に高圧の電圧を印加することによりコロナ放電を発生させて負イオンを発生させる負イオン発生部15と、該負イオン発生部15の針電極16と対向電極17の間に高圧の電圧を印加するための電源部55を有している。そして、電源部55及び電源51による電圧の印加を制御するためのイオン発生コントローラ60を有している。 Compared with the ion generator 1 described above, the ion generator 5 includes a negative ion generator 15 instead of the first ion generator 10 and a power supply 55 instead of the power supply 50. The only difference is that That is, the ion generator 5 applies a high voltage between the needle electrode 16 and the counter electrode 17 to generate a corona discharge to generate negative ions, and the negative ion generator 15 A power supply unit 55 for applying a high voltage between the needle electrode 16 and the counter electrode 17 is provided. And it has the ion generation controller 60 for controlling the application of the voltage by the power supply part 55 and the power supply 51. FIG.
さらに、イオン発生装置5を用いてイオンを放出させたときの室内のイオン濃度の時間的変化を測定する比較例の環境条件は、上述した実験例と全く同一である。つまり、およそ5.0m×5.0m、床面から天井までの高さがおよそ2.5mの測定室の中央にイオン発生装置5を設置している。ここで、床面からイオン発生装置5のイオン放出口までの高さが、およそ0.6mになるように設定している。また、イオンカウンタを、測定室の片隅に設置している。詳しくは、測定室の2方向の壁面の各々からおよそ0.5m離れた位置、床面からおよそ1.0mの高さの位置に設置している。 Furthermore, the environmental conditions of the comparative example for measuring the temporal change in the indoor ion concentration when ions are released using the ion generator 5 are exactly the same as those of the experimental example described above. That is, the ion generator 5 is installed in the center of the measurement chamber of about 5.0 m × 5.0 m and the height from the floor surface to the ceiling is about 2.5 m. Here, the height from the floor surface to the ion emission port of the ion generator 5 is set to be about 0.6 m. An ion counter is installed at one corner of the measurement chamber. Specifically, it is installed at a position approximately 0.5 m away from each of the two wall surfaces in the measurement chamber and at a height of approximately 1.0 m from the floor surface.
<比較例:イオン発生装置の駆動条件、各部の詳細構成>
図14は、イオン発生装置5の負イオン発生部15の構成、及び比較例における該負イオン発生部15に印加する電圧条件を示す図である。
<Comparative example: Driving conditions of ion generator, detailed configuration of each part>
FIG. 14 is a diagram illustrating a configuration of the negative ion generation unit 15 of the ion generation device 5 and a voltage condition applied to the negative ion generation unit 15 in the comparative example.
イオン発生装置5の負イオン発生部15は、元径0.5mm、長さ6mmのタングステンの針電極16と、内径10mm、幅2mmのリング形状の対向電極17とから構成されている。ここで、コロナ放電を発生させてイオンが発生するように、リング形状の対向電極17内部の中心近傍に針電極16の先端が位置するように構成している。さらに、電源部55によって、対向電極17をGNDとし針電極16に負極のパルス電圧を印加することができるように構成されている。また、比較例では、負イオン発生部30の針電極16に、周波数60Hz、デューティ比20%、波高値−4.0kVのパルス波電圧を印加し駆動させて測定している。したがって、電源部55によって負イオン発生部15の針電極16に印加するパルス電圧の極性が異なるだけで、負イオン発生部15の構成は、イオン発生装置1及びイオン発生装置5の第2イオン発生部30と同一の構成となっている。 The negative ion generator 15 of the ion generator 5 includes a tungsten needle electrode 16 having an original diameter of 0.5 mm and a length of 6 mm, and a ring-shaped counter electrode 17 having an inner diameter of 10 mm and a width of 2 mm. Here, the tip of the needle electrode 16 is positioned in the vicinity of the center inside the ring-shaped counter electrode 17 so as to generate corona discharge to generate ions. Further, the power supply unit 55 is configured so that the counter electrode 17 is set to GND and a negative pulse voltage can be applied to the needle electrode 16. Further, in the comparative example, measurement is performed by applying and driving a pulse wave voltage having a frequency of 60 Hz, a duty ratio of 20%, and a peak value of −4.0 kV to the needle electrode 16 of the negative ion generation unit 30. Therefore, the configuration of the negative ion generator 15 is different from that of the ion generator 1 and the ion generator 5 only in the polarity of the pulse voltage applied to the needle electrode 16 of the negative ion generator 15 by the power supply unit 55. The configuration is the same as that of the unit 30.
<比較例:測定結果>
図15は、比較例の測定結果を示し、以下に説明する。ここで、比較例では、実験例と同一の測定を行っている。つまり、イオン発生装置5を30分間動作させて、負イオン及び正イオンを測定室内に放出させている。そして、気流発生部による送風は継続したまま、負イオン発生部15及び第2イオン発生部30の駆動を停止する。そして、負イオン発生部10及び第2イオン発生部30の駆動を停止してから、イオンカウンタで測定されるイオン濃度の変化を測定している。
<Comparative example: measurement result>
FIG. 15 shows the measurement results of the comparative example, which will be described below. Here, in the comparative example, the same measurement as in the experimental example is performed. That is, the ion generator 5 is operated for 30 minutes to release negative ions and positive ions into the measurement chamber. And the drive of the negative ion generation part 15 and the 2nd ion generation part 30 is stopped, with the ventilation by an airflow generation part continuing. Then, after the driving of the negative ion generation unit 10 and the second ion generation unit 30 is stopped, the change in the ion concentration measured by the ion counter is measured.
本図に示されるように比較例において、負イオン発生部15及び第2イオン発生部30の駆動を停止した直後の初期時には、負イオン4.95×103個/cm3、正イオン3.99×103個/cm3のイオンが測定されている。 As shown in the figure, in the comparative example, at the initial stage immediately after the driving of the negative ion generation unit 15 and the second ion generation unit 30 is stopped, 4.95 × 10 3 negative ions / cm 3 and positive ions 3. 99 × 10 3 ions / cm 3 ions are measured.
また、比較例において、負イオン発生部15及び第2イオン発生部30の駆動を停止させてから10秒後には、負イオン2.57×103個/cm3、正イオン2.06×103個/cm3のイオンが測定されている。したがって、初期時のイオン濃度に対して駆動停止から10秒後のイオン濃度は、負イオンがおよそ52%、正イオンがおよそ52%に減少している。 Further, in the comparative example, 10 seconds after the driving of the negative ion generation unit 15 and the second ion generation unit 30 is stopped, 2.57 × 10 3 negative ions / cm 3 and 2.06 × 10 positive ions are generated. Three ions / cm 3 ions are measured. Therefore, with respect to the initial ion concentration, the ion concentration after 10 seconds from the stop of driving is reduced to approximately 52% for negative ions and approximately 52% for positive ions.
また、比較例において、負イオン発生部15及び第2イオン発生部30の駆動を停止させてから30秒後には、負イオン0.74×103個/cm3、正イオン0.65×103個/cm3のイオンが測定されている。したがって、初期時のイオン濃度に対して駆動停止から30秒後のイオン濃度は、負イオンがおよそ15%、正イオンがおよそ16%に減少している。 In the comparative example, negative ions 0.74 × 10 3 ions / cm 3 and positive ions 0.65 × 10 30 seconds after the driving of the negative ion generator 15 and the second ion generator 30 is stopped. Three ions / cm 3 ions are measured. Therefore, with respect to the initial ion concentration, the ion concentration after 30 seconds from the stop of driving is reduced to about 15% for negative ions and about 16% for positive ions.
また、比較例において、負イオン発生部15及び第2イオン発生部30の駆動を停止させてから60秒後には、負イオン0.40×103個/cm3、正イオン0.31×103個/cm3のイオンが測定されている。したがって、初期時のイオン濃度に対して駆動停止から60秒後のイオン濃度は、負イオンがおよそ8%、正イオンがおよそ8%に減少している。 Further, in the comparative example, after 60 seconds after the driving of the negative ion generation unit 15 and the second ion generation unit 30 is stopped, 0.40 × 10 3 negative ions / cm 3 and 0.31 × 10 positive ions are generated. Three ions / cm 3 ions are measured. Therefore, the ion concentration after 60 seconds from the stop of driving with respect to the initial ion concentration is reduced to about 8% for negative ions and about 8% for positive ions.
上述したイオン濃度の時間的変化を測定する実験例及び比較例の結果から分かるように、本発明に係るイオン発生装置1では、従来のイオン発生装置5と比べ、イオン発生装置の駆動を停止させてからのイオン濃度の減少が低く抑えられている。つまり、従来と比べ、イオンの放出を停止した後もイオンによる殺菌効果を長く持続させることができる。 As can be seen from the results of the experimental example and the comparative example for measuring the temporal change in the ion concentration, the ion generator 1 according to the present invention stops the driving of the ion generator as compared with the conventional ion generator 5. The decrease in ion concentration after that is kept low. That is, the sterilization effect by ions can be maintained for a long time even after the release of ions is stopped as compared with the conventional case.
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 イオン発生装置
10 第1イオン発生部
20 電子放出素子
21 第1電極
22 第2電極
23 微粒子層
231 絶縁性微粒子
232 導電性微粒子
24 絶縁層
24a 開口部
30 第2イオン発生部
50、51 電源部
60 イオン発生コントローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ion generator 10 1st ion generation part 20 Electron emission element 21 1st electrode 22 2nd electrode 23 Fine particle layer 231 Insulating fine particle 232 Conductive fine particle 24 Insulating layer 24a Opening part 30 2nd ion generating part 50, 51 Power supply part 60 Ion generation controller
Claims (7)
正イオンを発生させる第2イオン発生部と、
を有するイオン発生装置であって、
前記第1イオン発生部で発生させた前記負イオンを搬送する流路と、前記第2イオン発生部で発生させた前記正イオンを搬送する流路とが別々に設けられ、
前記第1イオン発生部は、
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に絶縁性微粒子及びバインダ成分を含んで形成される微粒子層とからなり、前記第1電極と前記第2電極の間に電圧を印加することで電子を放出する電子放出素子を有し、
前記電子放出素子は、
前記第1電極と前記微粒子層の間に、厚み方向に貫通した開口部を複数有する絶縁層が形成されていることを特徴とするイオン発生装置。 A first ion generator that generates negative ions;
A second ion generator for generating positive ions;
An ion generator comprising:
A flow path for transporting the negative ions generated by the first ion generation section and a flow path for transporting the positive ions generated by the second ion generation section are provided separately,
The first ion generator is
A first electrode; a second electrode; and a fine particle layer formed including insulating fine particles and a binder component between the first electrode and the second electrode. voltage possess an electron emitting device which emits electrons by applying between,
The electron-emitting device is
Wherein between the first electrode and the fine particle layer, the ion generating device according to claim Rukoto insulating layer having a plurality of openings penetrating in the thickness direction is formed.
酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化チタン又は酸化銅の少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項1または2に記載のイオン発生装置。 The insulating fine particles are
The ion generator according to claim 1 or 2, comprising at least one of silicon oxide, zinc oxide, aluminum oxide, titanium oxide, or copper oxide.
前記絶縁性微粒子より小さな粒径の導電性微粒子を含むことを特徴とする請求項1から3に記載のイオン発生装置。 The fine particle layer is
The ion generator according to claim 1, further comprising conductive fine particles having a particle diameter smaller than that of the insulating fine particles.
金、銀、白金、パラジウム、タングステン又はニッケルの少なくとも1つを含んでいることを特徴とする請求項4に記載のイオン発生装置。 The conductive fine particles are
The ion generator according to claim 4, comprising at least one of gold, silver, platinum, palladium, tungsten, or nickel.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012084688A JP5981197B2 (en) | 2012-04-03 | 2012-04-03 | Ion generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012084688A JP5981197B2 (en) | 2012-04-03 | 2012-04-03 | Ion generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013214443A JP2013214443A (en) | 2013-10-17 |
JP5981197B2 true JP5981197B2 (en) | 2016-08-31 |
Family
ID=49587649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012084688A Active JP5981197B2 (en) | 2012-04-03 | 2012-04-03 | Ion generator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5981197B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016140848A (en) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Organic waste water treating method and device |
JP7498653B2 (en) | 2020-12-09 | 2024-06-12 | シャープ株式会社 | Ion generator and ion mobility analyzer |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4139045B2 (en) * | 2000-05-22 | 2008-08-27 | 株式会社リコー | Charging device and image forming apparatus |
KR100720356B1 (en) * | 2004-07-27 | 2007-05-22 | 삼성전자주식회사 | Ion generator |
JP4990380B2 (en) * | 2010-04-14 | 2012-08-01 | シャープ株式会社 | Electron emitting device and manufacturing method thereof |
-
2012
- 2012-04-03 JP JP2012084688A patent/JP5981197B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013214443A (en) | 2013-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8860293B2 (en) | Electron emitting element and method for producing the same | |
US8547007B2 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element | |
US8401430B2 (en) | Electron emitting element for accelerating and emitting electrons, and use of electron emitting element | |
US8760056B2 (en) | Electron emitting element, devices utilizing said element, and method for producing said element | |
US8476818B2 (en) | Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto | |
US8249487B2 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device | |
US8164247B2 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device | |
JP4932873B2 (en) | Self-light-emitting element, self-light-emitting device, image display device, self-light-emitting element driving method, and method of manufacturing self-light-emitting element | |
US20100296842A1 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element | |
JP4880740B2 (en) | Electron-emitting device and manufacturing method thereof, and electron-emitting device, charging device, image forming device, electron beam curing device, self-luminous device, image display device, blower, and cooling device | |
JP5981197B2 (en) | Ion generator | |
JP5238795B2 (en) | Electron emitting device and driving method thereof | |
JP2015018637A (en) | Electron emission element | |
JP5756728B2 (en) | Heat exchange device and its use | |
JP4932864B2 (en) | Electron-emitting device, electron-emitting device, charging device, image forming device, electron beam curing device, self-luminous device, image display device, blower, cooling device, and method for manufacturing electron-emitting device | |
JP6008594B2 (en) | ELECTRON EMITTING ELEMENT AND DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME | |
JP4997309B2 (en) | Electron emitting device and manufacturing method thereof | |
US8421331B2 (en) | Electron emitting element and method for producing the same | |
JP4768050B2 (en) | Electron-emitting device, electron-emitting device, self-luminous device, image display device, air blower, cooling device, charging device, image forming device, electron beam curing device, and electron-emitting device manufacturing method | |
JP2014241232A (en) | Electron emitting element and method of manufacturing the same | |
JP2010244735A (en) | Electron emission element and its manufacturing method | |
JP2010267491A (en) | Method of manufacturing electron emitter, electron emitter, electron emission device, charging device, image forming apparatus, electron beam curing device, self-luminous device, image display apparatus, blowing device, and cooling device | |
JP2010272260A (en) | Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming device, electron beam curing device, self-luminous device, image display device, blower, cooling device, and method of manufacturing the electron emitting element | |
JP2010267583A (en) | Electron emission element and method of manufacturing the same | |
JP2010244738A (en) | Electron emission element and its manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150318 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150423 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160226 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5981197 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |